JP3229072B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波共振子とイ
ンダクタンス素子とを有して構成される弾性表面波装置
の特性向上の技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for improving characteristics of a surface acoustic wave device having a surface acoustic wave resonator and an inductance element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、極めて大量に生産さ
れているＬＳＩ（大規模集積回路）と同様に、フォトリ
ソグラフィ技術を応用して製造可能であるため、その量
産性に優れ、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯等において好適な高周
波信号処理装置として、テレビジョン受信機の中間周波
数フィルタ、ＶＴＲの局部発振器等の各種の分野におい
て、広範に使用されている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device can be manufactured by applying photolithography technology, as in the case of an LSI (large-scale integrated circuit), which is produced in a very large amount. It is widely used in various fields such as an intermediate frequency filter of a television receiver and a local oscillator of a VTR as a suitable high-frequency signal processing device in the UHF band and the like.
【０００３】また、最近では、弾性表面波装置の有する
小形かつ軽量であるという特徴から、ポケットベル、携
帯電話等の移動体通信の分野において、高周波用フィル
タとして使用される場合が多い。[0003] Recently, due to the small size and light weight of the surface acoustic wave device, it is often used as a high frequency filter in the field of mobile communication such as a pager or a mobile phone.
【０００４】例えば、携帯電話機用のフィルタの特性と
して、低損失かつ帯域外抑圧度の大きなことが要求され
る。こうした要求に対応する弾性表面波装置として、Ｉ
ＩＤＴ（Interdigitated Inter digital Transducers)
型フィルタや、弾性表面波共振子を備えて構成したフィ
ルタがある。For example, a filter for a portable telephone is required to have low loss and a large degree of out-of-band suppression. As a surface acoustic wave device corresponding to such a demand, I
IDT (Interdigitated Inter digital Transducers)
There is a type filter and a filter configured with a surface acoustic wave resonator.
【０００５】これらの弾性表面波装置は、一対の入、出
力すだれ状電極を有して構成されるトランスバーサル型
のフィルタに較べ、非常に低損失のフィルタを実現でき
る長所がある。[0005] These surface acoustic wave devices have an advantage that a very low-loss filter can be realized as compared with a transversal type filter having a pair of input and output interdigital electrodes.
【０００６】本発明にかかるフィルタは、弾性表面波共
振子を使用したフィルタである。A filter according to the present invention is a filter using a surface acoustic wave resonator.
【０００７】例えば、図３に示すような弾性表面波共振
子を使用して、従来の水晶振動子と同様に、ＵＨＦ帯、
準マイクロ波帯等の梯子型フィルタを構成することが可
能である。図３に示す構成では、圧電性基板３の上に、
弾性表面波共振子の電極４を設け、さらに、電極は、２
つのボンディングパッド５に接続されている。[0007] For example, using a surface acoustic wave resonator as shown in FIG.
It is possible to configure a ladder-type filter such as a quasi-microwave band. In the configuration shown in FIG. 3, on the piezoelectric substrate 3,
An electrode 4 of a surface acoustic wave resonator is provided.
Connected to one bonding pad 5.
【０００８】このような弾性表面波共振子、または、弾
性表面波装置に関しては、例えば、特開平３−２２２５
１１号公報に開示された技術、「米国電気電子学会１９
７５年、ウルトラソニックス・シンポジウム、プロシー
ディングス、第３８１〜３８４頁（ＩＥＥＥ，１９７
５，ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭＰＲ
ＯＣＥＥＤＩＮＧＳ，ｐｐ．３８１〜３８４）」記載の
技術、または、「エレクトロニクス レター １９８５
年、２１巻、２５／２６号、第１２１１〜１２１２頁
（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ５ｔｈ
Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８５，Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．２
５／２６，ｐｐ．１２１１〜１２１２）」記載の技術、
さらにまた、「電子情報通信学会技術研究報告 ＵＳ９
２−５２（１９９２−０９）、第９〜１６頁」記載の技
術等がある。Such a surface acoustic wave resonator or a surface acoustic wave device is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-2225.
The technology disclosed in Japanese Patent Publication No.
1975, Ultrasonics Symposium, Proceedings, 381-384 (IEEE, 197).
5, ULTRASONICS SYMPOSIUMPR
OCEEDINGS, pp. 381-384) "or" Electronic Letter 1985 ".
Year, Vol. 21, No. 25/26, pp. 1211-1212 (ELECTRONICS LETTERS 5th
Decmber 1985, Vol. 21, No. 2
5/26, pp. 1211-1212) "
Furthermore, "IEICE Technical Report US9
2-52 (1992-09), pp. 9-16 ".
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】携帯電話機への応用例
の一つとして、送信信号と受信信号とを分波する機能を
有するアンテナ分波器に、弾性表面波装置が使用されて
おり、特に、送信用フィルタとして、弾性表面波共振子
とリアクタンス素子とを有して構成した、低域通過型の
梯子型フィルタ構造をとる弾性表面波装置が使用されて
いる。As one example of application to a portable telephone, a surface acoustic wave device is used for an antenna duplexer having a function of splitting a transmission signal and a reception signal. As a transmission filter, a surface acoustic wave device having a low-pass ladder filter structure including a surface acoustic wave resonator and a reactance element is used.
【００１０】ところで、一般の携帯電話機は、単一のア
ンテナで電波の送信および受信を行うため、送信信号と
受信信号を分離するためのアンテナ分波器が必要とな
り、かかるアンテナ分波器は、送信用フィルタおよび受
信用フィルタを有して構成されている。By the way, a general portable telephone transmits and receives radio waves with a single antenna, and therefore requires an antenna duplexer for separating a transmission signal and a reception signal. It has a transmission filter and a reception filter.
【００１１】この場合、送信用フィルタについては、送
信信号の周波数である送信周波数が通過帯域になるよう
に、また、受信用フィルタについては、受信信号の周波
数である受信周波数が通過帯域になるように構成されて
いる。例えば、国内で使用されるデジタル方式の携帯電
話機においては、受信帯域より、一層高周波側に送信帯
域が位置するように、送・受信帯域が設定されている。In this case, for the transmission filter, the transmission frequency which is the frequency of the transmission signal is set to the pass band, and for the reception filter, the reception frequency which is the frequency of the reception signal is set to the pass band. Is configured. For example, in a digital mobile phone used in Japan, the transmission / reception band is set such that the transmission band is located on the higher frequency side than the reception band.
【００１２】本発明にかかる弾性表面波装置は、主とし
て、上記のように携帯電話機に使用される分波器の送信
用フィルタに関する。送信用フィルタは、大電力の送信
信号をアンテナへと導くとともに、受信帯域において発
生する不要信号、高調波の不要信号を除去する機能も有
する。したがって、上記のデジタル方式の携帯電話機に
おいては、送信用フィルタの有する周波数特性は、図４
に示すように、低域通過特性を有し、送信帯域「Ｔ」の
低周波側に位置する受信帯域「Ｒ」で、阻止特性を有す
る。A surface acoustic wave device according to the present invention mainly relates to a transmission filter of a duplexer used in a portable telephone as described above. The transmission filter has a function of guiding a high-power transmission signal to the antenna and removing unnecessary signals generated in the reception band and unnecessary signals of harmonics. Therefore, in the digital mobile phone described above, the frequency characteristics of the transmission filter are as shown in FIG.
As shown in (1), it has a low-pass characteristic, and has a rejection characteristic in a reception band "R" located on the low frequency side of the transmission band "T".
【００１３】この送信用フィルタは、図１に示すように
インダクタンス素子と弾性表面波共振子により構成した
梯子型フィルタを備えた弾性表面波装置である。This transmission filter is a surface acoustic wave device provided with a ladder type filter constituted by an inductance element and a surface acoustic wave resonator as shown in FIG.
【００１４】さて、送信用フィルタに使用する弾性表面
波共振子の有する共振周波数は、阻止帯域、すなわち、
受信帯域「Ｒ」に合わせて設計される。また、かかる弾
性表面波装置は、電力的に大きな送信信号を伝送するた
め、特に低損失であることが要求される。The resonance frequency of the surface acoustic wave resonator used for the transmission filter has a stop band, that is,
It is designed according to the reception band “R”. Further, such a surface acoustic wave device is required to have a particularly low loss in order to transmit a large transmission signal in terms of power.
【００１５】従来の技術においては、上記のように、阻
止帯域に合わせて弾性表面波共振子の共振周波数を設定
しなければならなかったため、設計自由度が制限され、
特に、フィルタの低損失化に有利な弾性表面波共振子の
設計が行えないという問題があった。In the prior art, as described above, since the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator had to be set in accordance with the stop band, the degree of freedom in design was limited.
In particular, there is a problem that it is not possible to design a surface acoustic wave resonator that is advantageous for reducing the loss of the filter.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、以下の手段が考えられる。The following means are conceivable to solve the above-mentioned problems.
【００１７】基板および弾性表面波共振子と、インダク
タンス素子とを有して梯子型フィルタを構成した弾性表
面波装置において、前記弾性表面波共振子が、各々共振
周波数の異なる、複数の一開口弾性表面波共振子を直列
接続して構成されている弾性表面波装置である。In a surface acoustic wave device having a ladder-type filter including a substrate, a surface acoustic wave resonator, and an inductance element, the surface acoustic wave resonators have a plurality of single aperture elastic waves having different resonance frequencies. This is a surface acoustic wave device configured by connecting surface acoustic wave resonators in series.
【００１８】また、基板および弾性表面波共振子と、イ
ンダクタンス素子とを有して梯子型フィルタを構成した
弾性表面波装置において、前記弾性表面波共振子は、複
数の一開口弾性表面波共振子を直列接続して構成し、前
記直列接続された複数の一開口弾性表面波共振子のう
ち、少なくとも１個の一開口弾性表面波共振子の有する
共振周波数が、他の一開口弾性表面波共振子の有する共
振周波数と異なる弾性表面波装置も考えられる。In a surface acoustic wave device having a ladder-type filter including a substrate, a surface acoustic wave resonator, and an inductance element, the surface acoustic wave resonator includes a plurality of single-opening surface acoustic wave resonators. Are connected in series, and the resonance frequency of at least one of the one-opening surface acoustic wave resonators among the plurality of one-opening surface acoustic wave resonators connected in series is the other one-opening surface acoustic wave resonance. different surface acoustic wave device and the resonance frequency possessed by the child is also conceivable.
【００１９】なお、上記の弾性表面波装置であって、前
記弾性表面波共振子と前記インダクタンス素子を同一の
収納体に納め、パッケージングした弾性表面波装置も好
ましい。In the above-described surface acoustic wave device, it is preferable that the surface acoustic wave resonator and the inductance element are housed in the same housing and packaged.
【００２０】[0020]
【作用】従来の技術によって、単一の共振周波数を有す
る共振子により構成した弾性表面波共振子を使用して、
図１に示すような梯子型フィルタを構成した場合、前述
したように、共振子の有する共振周波数を阻止帯域に合
わせて設計しなければならない制約があった。According to the conventional technique, a surface acoustic wave resonator constituted by a resonator having a single resonance frequency is used.
When the ladder-type filter as shown in FIG. 1 is configured, as described above, there is a restriction that the resonance frequency of the resonator must be designed in accordance with the stop band.
【００２１】かかる梯子型フィルタを構成する弾性表面
波装置においては、その周波数特性は、図４に示すよう
に、右下がり、すなわち高周波側に行くほど損失が増加
する特性となっている。また、阻止帯域より高周波側で
は、阻止帯域に近い周波数帯で最も損失が小さい。In the surface acoustic wave device constituting such a ladder-type filter, the frequency characteristic is such that as shown in FIG. 4, the loss increases toward the right, that is, toward the high frequency side. On the higher frequency side than the stop band, the loss is the smallest in a frequency band near the stop band.
【００２２】したがって、受信帯域の高周波側に送信帯
域が存在し、かつ、送・受信帯域の間隔が広い場合、従
来技術では、送信帯域における損失は、比較的大きくな
ってしまう。Therefore, when the transmission band exists on the high frequency side of the reception band and the interval between the transmission and reception bands is wide, the loss in the transmission band is relatively large in the related art.
【００２３】これに対して、本発明にかかる弾性表面波
共振子では、複数の共振子を直列に接続しているため、
これら複数の共振子のうち少なくとも１個の共振子の有
する共振周波数を阻止帯域に合わせて設計しておけば、
他の共振子の有する共振周波数を任意に設定しても構わ
ず、これらの共振周波数を送信帯域近くに設計しておけ
ば、右下がりの周波数特性において、損失の小さな帯域
を、送信帯域として設定することが可能である。On the other hand, in the surface acoustic wave resonator according to the present invention, since a plurality of resonators are connected in series,
If the resonance frequency of at least one of the plurality of resonators is designed in accordance with the stop band,
The resonance frequencies of the other resonators may be set arbitrarily, and if these resonance frequencies are designed near the transmission band, the band with small loss in the frequency characteristic falling to the right is set as the transmission band. It is possible to
【００２４】これにより、最適な弾性表面波共振子を設
計でき、従来に比べ、低損失の弾性表面波装置を提供で
きる。Thus, an optimal surface acoustic wave resonator can be designed, and a surface acoustic wave device with lower loss than before can be provided.
【００２５】[0025]
【実施例】以下、図面を参照して本発明にかかる実施例
を説明する。図１は、本発明にかかる弾性表面波装置の
基本構成例を示す図である。インダクタンス素子２と弾
性表面波共振子１とで、いわゆる梯子型フィルタを構成
している。図１における実施例においては、弾性表面波
共振子を３個備えた構成となっているが、大きな阻止抑
圧度が必要な場合には、使用する弾性表面波共振子の数
を多くする等によって構成変更すればよい。すなわち、
フィルタに要求される周波数特性等に応じて弾性表面波
共振子の数を設定すれば良く、その数は、３個以上で
も、３個以下でも良いことは言うまでもない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration example of a surface acoustic wave device according to the present invention. The inductance element 2 and the surface acoustic wave resonator 1 constitute a so-called ladder filter. In the embodiment shown in FIG. 1, three surface acoustic wave resonators are provided. However, if a large degree of suppression is required, the number of surface acoustic wave resonators used may be increased. The configuration may be changed. That is,
The number of surface acoustic wave resonators may be set according to the frequency characteristics and the like required of the filter, and it goes without saying that the number may be three or more or three or less.
【００２６】図２は、図１における弾性表面波共振子の
構造の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of the structure of the surface acoustic wave resonator shown in FIG.
【００２７】弾性表面波共振子は、同図に示すように、
例えば、「１２８°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3」圧電基板３
と、該基板上に形成され直列接続されている２個の一開
口共振子の有する電極４と、共通電極と、ボンディング
パッド５を有して構成されている。The surface acoustic wave resonator is, as shown in FIG.
For example, “128 ° YX LiNbO 3 ” piezoelectric substrate 3
And an electrode 4 of two single aperture resonators formed on the substrate and connected in series, a common electrode, and a bonding pad 5.
【００２８】電極の材料としては、例えば、アルミニウ
ム、アルミニウム合金等の薄膜を使用すれば良い。ま
た、圧電基板は、上記基板材料に限られず、ＬｉＴａＯ
3、水晶基板等、要求されるフィルタの周波数特性等に
合わせて、適当な基板材料を使用すればよい。As a material of the electrode, for example, a thin film of aluminum, aluminum alloy or the like may be used. Further, the piezoelectric substrate is not limited to the above-mentioned substrate material, but may be LiTaO
3. An appropriate substrate material may be used according to the required frequency characteristics of the filter, such as a quartz substrate.
【００２９】また、インダクタンス素子としては、例え
ば、通常マイクロストリップ線路を使用するが、この他
に、チップインダクタンス、コイル等の電子デバイスを
使用してもよい。As the inductance element, for example, a microstrip line is usually used, but other electronic devices such as a chip inductance and a coil may be used.
【００３０】一方、従来の弾性表面波共振子は、図３に
示す様に、圧電基板３と、一個の一開口弾性表面波共振
子の電極４と、ボンディングパッド５を有して構成され
ている。On the other hand, as shown in FIG. 3, the conventional surface acoustic wave resonator includes a piezoelectric substrate 3, one single-opening surface acoustic wave resonator electrode 4, and a bonding pad 5. I have.
【００３１】従来の弾性表面波共振子を使用して、図１
に示すような弾性表面波装置を構成すると、例えば、図
４に示すような周波数特性が得られる。図４において、
「Ｔ」は、例えば、携帯電話機の送信波の通過帯域、
「Ｒ」は、例えば、携帯電話機の受信波の阻止帯域を示
す。弾性表面波共振子の共振周波数は、阻止帯域「Ｒ」
に合わせて設計され、該阻止帯域の帯域幅を確保するた
め、３個の弾性表面波共振子を使用する場合、各々の共
振周波数を、少しずつ異ならせて設定している。Using a conventional surface acoustic wave resonator, FIG.
When a surface acoustic wave device as shown in FIG. 4 is configured, for example, a frequency characteristic as shown in FIG. 4 is obtained. In FIG.
“T” is, for example, a pass band of a transmission wave of a mobile phone,
“R” indicates, for example, a stop band of a reception wave of the mobile phone. The resonance frequency of the surface acoustic wave resonator has a stop band "R".
When three surface acoustic wave resonators are used in order to secure the bandwidth of the stop band, the resonance frequencies are set slightly different from each other.
【００３２】他方、図５に本発明にかかる弾性表面波装
置の周波数特性を示す。本弾性表面波装置を構成する共
振子は、例えば、図２に示すように、２個の一開口弾性
表面波共振子が直列に接続されている。前述したように
２個の一開口弾性表面波共振子のうち、１個について
は、所望の阻止特性を得るために、その共振周波数が受
信帯域「Ｒ」に合うように設計され、他の一開口弾性表
面波共振子については、その共振周波数が、通過帯域
「Ｔ」の低周波側の近傍になるように設計されている。FIG. 5 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device according to the present invention. As shown in FIG. 2, for example, the resonator constituting the surface acoustic wave device includes two single-opening surface acoustic wave resonators connected in series. As described above, one of the two single-aperture surface acoustic wave resonators is designed so that its resonance frequency matches the reception band “R” in order to obtain a desired blocking characteristic. The aperture surface acoustic wave resonator is designed so that its resonance frequency is near the low frequency side of the pass band “T”.
【００３３】図１に示した弾性表面波装置を構成する３
個の弾性表面波共振子は、全て同様に設計される。ただ
し、受信帯域の帯域幅に合わせて、各共振子の有する共
振周波数は、少しずつ異なって設定している。3 constituting the surface acoustic wave device shown in FIG.
The surface acoustic wave resonators are all designed similarly. However, the resonance frequency of each resonator is set slightly differently according to the bandwidth of the reception band.
【００３４】先に述べたように、本弾性表面波装置は、
低域通過型フィルタが有する周波数特性を示し、阻止域
にあたる周波数から高周波側になるほど損失が大きくな
る。As described above, this surface acoustic wave device is
It shows the frequency characteristics of the low-pass filter, and the loss increases from the frequency corresponding to the stop band to the higher frequency side.
【００３５】阻止域は、弾性表面波装置の共振周波数に
対応し、上記のように、本発明にかかる弾性表面波装置
は、直列接続した２個の共振子のうち、１個について
は、その共振周波数が、通過帯域の低周波側近傍になる
ように設計可能なため、従来の装置に比べ、通過帯域に
おいて、装置の低損失が図れることになる。The stop band corresponds to the resonance frequency of the surface acoustic wave device. As described above, in the surface acoustic wave device according to the present invention, one of the two resonators connected in series has its Since the resonance frequency can be designed so as to be near the low frequency side of the pass band, the loss of the device can be reduced in the pass band as compared with the conventional device.
【００３６】例えば、９００ＭＨｚ帯の弾性表面波装置
について、直列接続された２個の弾性表面波共振子のう
ち、１個の共振子の共振周波数を８２０ＭＨｚで固定
し、他の共振子の共振周波数を変化させていった（例え
ば、電極指の間隔の変化によって実現する）場合の、通
過帯域の損失の変化を図６に示す。For example, for a surface acoustic wave device in the 900 MHz band, the resonance frequency of one of the two surface acoustic wave resonators connected in series is fixed at 820 MHz, and the resonance frequency of the other resonator is fixed. FIG. 6 shows a change in the loss of the pass band in the case where is changed (for example, realized by changing the interval between the electrode fingers).
【００３７】直列接続された２個の弾性表面波共振子の
共振周波数が、８２０（Ｈｚ）で、同一の場合、通過帯
域損失は、約１．４ｄＢである。さて、一方の共振子の
共振周波数のみを高くしていくと、通過帯域損失は次第
に小さくなり、９００ＭＨｚ付近で約１．２８（ｄＢ）
と最小になる。When the resonance frequencies of the two surface acoustic wave resonators connected in series are 820 (Hz) and are the same, the pass band loss is about 1.4 dB. Now, when only the resonance frequency of one resonator is increased, the pass band loss gradually decreases, and about 1.28 (dB) near 900 MHz.
And minimize.
【００３８】上記の例のように、本発明は、受信帯域と
送信帯域の間隔が離れている場合、特に有効である。As in the above example, the present invention is particularly effective when the reception band and the transmission band are separated from each other.
【００３９】図７は、本発明にかかる第２実施例の弾性
表面波装置の共振子の構成を示す図面である。FIG. 7 is a drawing showing the configuration of a resonator of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【００４０】本実施例では、３個の一開口弾性表面波共
振子の電極を直列接続し、一つの弾性表面波共振子を構
成してあり、各一開口弾性表面波共振子の電極の共振周
波数は異ならせて設定している。In this embodiment, three single-aperture surface acoustic wave resonator electrodes are connected in series to form one surface acoustic wave resonator. The frequencies are set differently.
【００４１】この弾性表面波共振子を使用して、図１に
示したような、梯子型フィルタの弾性表面波装置を構成
した場合、共振周波数を異ならせる自由度が大きくなる
ので、一層広い阻止帯域を設定することができるため、
広帯域のフィルタを製造するのに適する。When a surface acoustic wave device of a ladder-type filter as shown in FIG. 1 is constructed by using this surface acoustic wave resonator, the degree of freedom for changing the resonance frequency is increased, so that a wider range of blocking is achieved. Because you can set the band,
Suitable for manufacturing broadband filters.
【００４２】また、阻止抑圧度があまり必要でない場合
には、同じ帯域幅を得るのに必要な弾性表面波共振子の
数が、少なくてすむため、より低損失の弾性表面波装置
の実現が可能であるとともに、装置の小型化も可能であ
る。If the degree of suppression is not so high, the number of surface acoustic wave resonators required to obtain the same bandwidth can be reduced, so that a surface acoustic wave device with lower loss can be realized. This is possible, and the device can be downsized.
【００４３】以上説明してきた弾性表面波共振子におい
て、直列接続する共振子の電極数は２個と３個の場合で
あったが、さらに、４個以上の電極を直列接続した場合
についても、同様の効果が得られることは言うまでもな
い。In the surface acoustic wave resonator described above, the number of electrodes of the resonators connected in series is two and three. However, when four or more electrodes are connected in series, It goes without saying that a similar effect can be obtained.
【００４４】図８は、本発明にかかる弾性表面波装置の
具体的構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a specific configuration of a surface acoustic wave device according to the present invention.
【００４５】アルミナ基板上に形成した銅のマイクロス
トリップ線路からなるインダクタンス素子の基板７と、
弾性表面波共振子を形成した基板６をパッケージ８内に
設置した構成である。A substrate 7 of an inductance element comprising a copper microstrip line formed on an alumina substrate;
In this configuration, a substrate 6 on which a surface acoustic wave resonator is formed is installed in a package 8.
【００４６】マイクロストリップ線路と弾性表面波共振
子とは、電気配線を介して接続され、図１に示すよう
な、梯子型フィルタを構成している。The microstrip line and the surface acoustic wave resonator are connected via electric wiring to form a ladder filter as shown in FIG.
【００４７】通常は、このパッケージに蓋をしてシーリ
ング等を施すが、同図では省略してある。Normally, this package is covered with a lid and subjected to sealing or the like, but is omitted in FIG.
【００４８】また、基板６、７の各々には、複数のイン
ダクタンス素子、複数の弾性表面波共振子が設けられて
いる。弾性表面波共振子は、本発明にかかるものを使用
する。 すなわち、共振周波数の異なる複数の一開口弾
性表面波共振子の電極を、直列接続し、一個の弾性表面
波共振子を構成する。Each of the substrates 6 and 7 is provided with a plurality of inductance elements and a plurality of surface acoustic wave resonators. The surface acoustic wave resonator according to the present invention is used. That is, the electrodes of a plurality of single-aperture surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies are connected in series to form one surface acoustic wave resonator.
【００４９】図８では、インダクタンス素子と弾性表面
波共振子の基板は、それぞれ別基板であったが、図９に
示す実施例のように、同じ基板９に形成することも可能
である。本実施例においては、基板９を、パッケージ８
内に設置した構成にしており、シーリング等の図示は省
略してある。In FIG. 8, the substrate for the inductance element and the substrate for the surface acoustic wave resonator are separate substrates, but they can be formed on the same substrate 9 as in the embodiment shown in FIG. In the present embodiment, the substrate 9 is
The ceiling and the like are not shown in the figure.
【００５０】この場合、基板９には、複数のインダクタ
ンス素子、複数の弾性表面波共振子が設けられている。
さらに、弾性表面波共振子は、本発明にかかるもの、す
なわち、共振周波数の異なる複数の一開口弾性表面波共
振子の電極を、直列接続し、一個の弾性表面波共振子を
構成すればよい。In this case, the substrate 9 is provided with a plurality of inductance elements and a plurality of surface acoustic wave resonators.
Furthermore, the surface acoustic wave resonator according to the present invention, that is, the electrodes of a plurality of single-opening surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies may be connected in series to constitute one surface acoustic wave resonator. .
【００５１】インダクタンス素子としては、マイクロス
トリップ線路を使用するのが好ましく、例えば、基板に
渦巻状に導電体を形成して、インダクタンス成分を有す
る部分を構成すれば良い。As the inductance element, a microstrip line is preferably used. For example, a portion having an inductance component may be formed by forming a spiral conductor on a substrate.
【００５２】図１０は、インダクタンス素子として４つ
のチップインダクタンス１０を使用して構成した実施例
である。FIG. 10 shows an embodiment in which four chip inductances 10 are used as inductance elements.
【００５３】６は、弾性表面波共振子の基板であり、該
基板上に、本発明にかかる弾性表面波共振子を形成すれ
ば良い。また、図１のように梯子型フィルタを構成する
ために、チップインダクタンス１０と、基板６に形成さ
れた弾性表面波共振子とは、必要な配線により接続され
ている。Reference numeral 6 denotes a substrate of the surface acoustic wave resonator, on which the surface acoustic wave resonator according to the present invention may be formed. In order to form a ladder filter as shown in FIG. 1, the chip inductance 10 and the surface acoustic wave resonator formed on the substrate 6 are connected by necessary wiring.
【００５４】また、基板６およびチップインダクタンス
１０は、同一パッケージ８内に設置された構成にしてお
り、シーリング等の図示は省略してある。The substrate 6 and the chip inductance 10 are arranged in the same package 8, and the illustration of the sealing and the like is omitted.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上のように、従来の弾性表面波装置に
比べ、損失の低減を図ることが可能となる。さらに、装
置全体の小型化等も図ることが可能となる。As described above, it is possible to reduce the loss as compared with the conventional surface acoustic wave device. Further, the size of the entire apparatus can be reduced.
【図１】本発明にかかる弾性表面波装置の構成図であ
る。FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to the present invention.
【図２】本発明にかかる実施例である弾性表面波共振子
の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a surface acoustic wave resonator according to an embodiment of the present invention.
【図３】従来の弾性表面波共振子の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a conventional surface acoustic wave resonator.
【図４】従来の弾性表面波装置の周波数特性図である。FIG. 4 is a frequency characteristic diagram of a conventional surface acoustic wave device.
【図５】本発明にかかる弾性表面波装置の周波数特性図
である。FIG. 5 is a frequency characteristic diagram of the surface acoustic wave device according to the present invention.
【図６】通過域損失の周波数特性を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating frequency characteristics of passband loss.
【図７】本発明にかかる他の実施例である弾性表面波共
振子の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a surface acoustic wave resonator according to another embodiment of the present invention.
【図８】インダクタンス素子と弾性表面波共振子が、別
基板に形成してある場合の構成例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration example when an inductance element and a surface acoustic wave resonator are formed on different substrates.
【図９】インダクタンス素子と弾性表面波共振子を、同
一基板に形成した場合の構成例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration example when an inductance element and a surface acoustic wave resonator are formed on the same substrate.
【図１０】チップインダクタンスを使用した本発明にか
かる弾性表面波装置の構成例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of a surface acoustic wave device according to the present invention using a chip inductance.
１…弾性表面波共振子、２…インダクタンス素子、３…
圧電性基板、４…弾性表面波共振子の電極、５…ボンデ
ィングパッド、６…弾性表面波共振子の基板、７…イン
ダクタンス素子の基板、８…パッケージ、９…インダク
タンス素子と弾性表面波共振子を形成してある基板、１
０…チップインダクタンスDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave resonator, 2 ... Inductance element, 3 ...
Piezoelectric substrate, 4 ... electrode of surface acoustic wave resonator, 5 ... bonding pad, 6 ... substrate of surface acoustic wave resonator, 7 ... substrate of inductance element, 8 ... package, 9 ... inductance element and surface acoustic wave resonator Substrate on which is formed
0: Chip inductance
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 一志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所 映像メディア研究 所内 (72)発明者 湯原 章綱 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所 映像メディア研究 所内 (56)参考文献 特開 平６−350390（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Kazushi Watanabe 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Visual Media Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-6-350390 (JP, A) (58) Fields studied (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 9/64 H03H 9/25
Claims (3)
タンス素子とを有して梯子型フィルタを構成した弾性表
面波装置において、 前記弾性表面波共振子は、各々共振周波数の異なる、複
数の一開口弾性表面波共振子を直列接続して構成され、 前記インダクタンス素子は、マイクロストリップ線路、
または、チップインダクタンスの少なくともいずれかで
あること を特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device comprising a substrate, a surface acoustic wave resonator, and an inductance element to form a ladder filter, wherein the surface acoustic wave resonators have different resonance frequencies. Open surface acoustic wave resonators are connected in series , and the inductance element is a microstrip line,
Or at least one of chip inductance
A surface acoustic wave device.
タンス素子とを有して梯子型フィルタを構成した弾性表
面波装置において、前記弾性表面波共振子は、各々共振周波数の異なる、複
数の一開口弾性表面波共振子を直列接続して構成され、 前記インダクタンス素子は、前記基板上に形成されたマ
イクロストリップ線路であること を特徴とする弾性表面
波装置。2. A surface acoustic wave device comprising a ladder-type filter having a substrate, a surface acoustic wave resonator, and an inductance element, wherein the surface acoustic wave resonators have different resonance frequencies.
A plurality of single-aperture surface acoustic wave resonators are connected in series, and the inductance element is a matrix formed on the substrate.
A surface acoustic wave device characterized by being an microstrip line .
ス素子と、互いに隣接する２つのインダクタンス素子の
接続部とアースとの間に接続された弾性表面波共振子と
により構成された梯子型フィルタを備えた弾性表面波装
置において、 前記弾性表面波共振子は、各々共振周波数の異なる、複
数の一開口弾性表面波共振子を直列接続されて構成さ
れ、 前記インダクタンス素子は、前記基盤上に形成されたマ
イクロストリップ線路であることを特徴とする弾性表面
波装置。 3. A plurality of inductors connected in series to each other.
Element and two adjacent inductance elements
A surface acoustic wave resonator connected between the connection portion and the ground;
Surface acoustic wave device with ladder-type filter composed of
In location, the surface acoustic wave resonators, each different resonant frequencies, multiple
A number of single-aperture surface acoustic wave resonators are connected in series.
And the inductance element is formed on a substrate formed on the substrate.
Elastic surface characterized by microstrip lines
Wave device.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14164293A JP3229072B2 (en) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP14164293A JP3229072B2 (en) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Surface acoustic wave device |
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| JPH06350391A JPH06350391A (en) | 1994-12-22 |
| JP3229072B2 true JP3229072B2 (en) | 2001-11-12 |
Family
ID=15296799
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14164293A Expired - Lifetime JP3229072B2 (en) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
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-
1993
- 1993-06-14 JP JP14164293A patent/JP3229072B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH06350391A (en) | 1994-12-22 |
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