JPH09153639A - Photovoltaic infrared ray receiving device and manufacture of the same - Google Patents
Photovoltaic infrared ray receiving device and manufacture of the sameInfo
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- JPH09153639A JPH09153639A JP7311974A JP31197495A JPH09153639A JP H09153639 A JPH09153639 A JP H09153639A JP 7311974 A JP7311974 A JP 7311974A JP 31197495 A JP31197495 A JP 31197495A JP H09153639 A JPH09153639 A JP H09153639A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電力型赤外線
受光素子とその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photovoltaic infrared light receiving element and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】赤外線受光素子材料として用いられるＨ
ｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）結晶の伝導型制御を行う方法とし
て、水銀雰囲気中アニール、イオン注入、不純物ドーピ
ングなどがある。水銀雰囲気中アニールおよびイオン注
入で光起電力型素子を作成した例としては、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０
巻、４１頁、１９９３年）や、液層エピタキシー（ＬＰ
Ｅ）を用いたもの（ＳＰＩＥ、２０２０巻、４９頁、１
９９３年）などがある。不純物ドーピングにより作成し
た例では、ＬＰＥによりＡｓ、Ｉｎドーピングによりｐ
−ｏｎ−ｎ接合を形成したもの（ＳＰＩＥ、１７３５
巻、１０９頁、１９９２年）などがある。2. Description of the Related Art H used as a material for infrared ray receiving elements
Methods for controlling the conductivity type of the gCdTe (MCT) crystal include annealing in a mercury atmosphere, ion implantation, and impurity doping. As an example of producing a photovoltaic element by annealing in a mercury atmosphere and ion implantation, one using molecular beam epitaxy (MBE) (SPIE, 2020
Vol. 41, 1993) and liquid layer epitaxy (LP
E) (SPIE, 2020, 49, 1)
993) and so on. In the example created by impurity doping, As by LPE, p by In doping
-On-n junction formed (SPIE, 1735
Vol., 109, 1992).
【０００３】また、特開平１−２２３７７９には、Ｃｄ
Ｔｅなどの基板上にｐ−ＣｄＨｇＴｅ層およびＣｄＴｅ
保護膜を連続して設け、ＣｄＴｅ保護膜の開口からボロ
ンをイオン注入してｎ+ 領域をｐ−ＣｄＨｇＴｅ層に形
成した赤外線受光素子が示されている。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 1-223779 discloses Cd.
P-CdHgTe layer and CdTe on a substrate such as Te
An infrared light receiving element in which a protective film is continuously provided and boron is ion-implanted from an opening of the CdTe protective film to form an n + region in a p-CdHgTe layer is shown.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】伝導型制御を行うため
の３種類の方法（水銀雰囲気中アニール、イオン注入、
不純物ドーピング）のうち、水銀雰囲気中アニールは低
キャリヤ濃度ｎ型から高キャリヤ濃度ｐ型の範囲で、任
意にキャリヤ濃度を制御できるというメリットを持つ。
しかし、Ｈｇの大きい拡散係数のため、素子の深さ方向
にキャリヤ濃度のプロファイルをつけることは非常に困
難である。そのため、アニールだけでｐｎ接合を形成す
ることは不可能で、イオン注入などの他の伝導型制御方
法と併用する必要がある。また、水銀空孔もしくは格子
間水銀は２価であることから、１価の不純物ドーピング
によるものと比較してキャリヤ寿命が小さく、デバイス
特性を悪化させる。Three kinds of methods for controlling conductivity type (annealing in a mercury atmosphere, ion implantation,
Among impurity dopings, annealing in a mercury atmosphere has an advantage that the carrier concentration can be arbitrarily controlled in the range of low carrier concentration n type to high carrier concentration p type.
However, it is very difficult to profile the carrier concentration in the depth direction of the device due to the large diffusion coefficient of Hg. Therefore, it is impossible to form a pn junction only by annealing, and it is necessary to use it together with another conduction type control method such as ion implantation. In addition, since the mercury vacancies or interstitial mercury are divalent, the carrier life is shorter than that obtained by monovalent impurity doping, and the device characteristics are deteriorated.
【０００５】次に、イオン注入による方法は高エネルギ
ーイオンをＭＣＴに照射するため、注入ダメージが避け
られない。イオン注入後にアニールをする事により、損
傷を回復させる方法もあるが、プロセスの複雑化や積層
構造の変化につながる。Next, the ion implantation method irradiates the MCT with high-energy ions, so that implantation damage cannot be avoided. There is also a method of recovering damage by annealing after ion implantation, but this leads to a complicated process and a change in the laminated structure.
【０００６】以上より、不純物ドーピングによる伝導型
制御が素子形成のための手段として望ましい方法である
が、現在この方法で安定して素子形成ができるのは、水
銀メルトを用いたＬＰＥ法のみである（ＳＰＩＥ、１７
３５巻、１０９頁、１９９２年）。ＬＰＥは高温成長で
あるため複雑な積層構造を形成することは不可能という
問題がある。また、Ｖ族不純物によるｐ型ドーピングが
できるのは、成長に非常に技術を要する水銀メルトから
成長する方法に限られ、ＬＰＥで一般的なＴｅメルトか
らの成長では不可能である。またＬＰＥ成長では、Ｇａ
ＡｓやＳｉ基板を用いた成長が不可能である。From the above, the conduction type control by impurity doping is a preferable method as a means for forming an element, but at present, only the LPE method using mercury melt can stably form an element. (SPIE, 17
35, 109, 1992). Since LPE is grown at a high temperature, there is a problem that it is impossible to form a complicated laminated structure. Further, the p-type doping by the group V impurities is limited to the method of growing from a mercury melt, which requires a very high technique for growth, and is not possible by the growth from a Te melt which is common in LPE. In LPE growth, Ga
Growth using an As or Si substrate is impossible.
【０００７】それに対してＭＢＥ法は低温成長が可能な
ことから、所望のデバイス構造を作成するのに非常に好
都合な成長方法である。また、ＧａＡｓやＳｉ基板を用
いても高品質のＭＣＴ結晶が得られる。しかし、Ｖ族の
ｐ型ドーピングは非常に困難であり、仮に可能であった
としても再現性に問題があったり、成長後の高温アニー
ルが必要であったりする。高温アニールはＭＢＥの低温
成長という特徴を無くしてしまうもので、複雑な積層構
造形成はできない。Ｉ族のｐ型ドーピングは非常に簡単
であるが（ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス、６５巻、１５５０頁、１９８９年）、（アプライド
・フィジックス・レターズ、５１巻、２０２５頁、１９
８７年）、拡散係数が非常に大きいため、ＭＢＥによる
低温成長であっても満足な素子は得られていない。On the other hand, the MBE method is a very convenient growth method for producing a desired device structure because it can be grown at a low temperature. Also, a high quality MCT crystal can be obtained by using a GaAs or Si substrate. However, p-type doping of group V is very difficult, and even if it is possible, there is a problem in reproducibility or high temperature annealing after growth is required. The high temperature anneal eliminates the low temperature growth characteristic of MBE, and a complicated laminated structure cannot be formed. Group I p-type doping is very simple (Journal of Applied Physics, 65, 1550, 1989), (Applied Physics Letters, 51, 2025, 19).
1987), the diffusion coefficient is so large that a satisfactory element has not been obtained even at low temperature growth by MBE.
【０００８】また、上記特開平１−２２３７７９に開示
された赤外線受光素子においても、ｐ−ＣｄＨｇＴｅ層
をｐ型ドーピング材として何を用い、如何にして製造す
るかについては記述していない。Also, in the infrared light receiving element disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 1-223779, there is no description about what the p-CdHgTe layer is used as a p-type doping material and how it is manufactured.
【０００９】本発明は、このような従来の事情に鑑みて
なされたもので、Ｉ族元素による不純物ドーピングで良
好な特性の出る光起電力型赤外線受光素子とＧａＡｓや
Ｓｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造が得られ
る光起電力型赤外線受光素子の製造方法を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of such conventional circumstances, and has good reproducibility even on a photovoltaic type infrared light receiving element and a GaAs or Si substrate which show good characteristics by doping impurities with a group I element. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element that can obtain a desired device structure.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の光起電力型赤外線受光素子において
は、ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いた光起電力型赤外線受光
素子において、Ｉ族元素により低濃度にドーピングされ
たｐ型層と、イオン注入により高濃度にドーピングされ
たｎ型層とを組み合わせてｐｎ接合を形成することを特
徴としている。さらに前記ｎ型層は、ＩＩＩ族元素もし
くはＶＩＩ族元素を高濃度がドーピングされたものでも
良い。In order to achieve the above object, in the photovoltaic infrared receiving element of the first invention, a photovoltaic infrared receiving element using a II-VI group semiconductor is used. A p-type junction is formed by combining a p-type layer lightly doped with an element and an n-type layer highly doped by ion implantation. Further, the n-type layer may be a high-concentration doped group III element or group VII element.
【００１１】また、第２の発明の光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以
下の低温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長お
よび保護膜形成と、イオン注入による高濃度ｎ型領域の
形成を行うことを特徴とするものである。In the method of manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element according to the second aspect of the present invention, the low concentration group I element-doped p-type layer growth and the protective film formation by the low temperature growth at 200 ° C. or less by the MBE method, and the ion formation are performed. It is characterized in that a high concentration n-type region is formed by implantation.
【００１２】第３の発明の光起電力型赤外線受光素子の
製造方法においては、ＭＢＥ法により２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長、それに
引き続きＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素による高濃度ｎ
型層成長、および保護膜形成を行うことを特徴とするも
のである。In the method for manufacturing a photovoltaic infrared ray receiving element according to the third aspect of the present invention, a low-concentration group I element-doped p-type layer growth by low-temperature growth at 200 ° C. or lower by the MBE method, followed by a group III or group VII element High concentration n
It is characterized in that the mold layer is grown and the protective film is formed.
【００１３】このような手段を備えた第１の発明におけ
る光起電力型赤外線素子においては、不純物拡散の可能
性があるｐ型領域をｎ型領域よりも低キャリヤ濃度とす
ることで、仮にｎ型領域にＩ族元素が拡散したとして
も、それによりｐ／ｎ接合が壊れることはない。ｎ型領
域をイオン注入により形成する場合は、メサエッチング
が不要であるため工程が簡略になる。また、ｎ型領域を
ＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素によりドーピングする場
合は、イオン注入によるダメージが避けられ、高特性の
素子が得られる。In the photovoltaic infrared device according to the first aspect of the present invention, which has such means, the p-type region having a possibility of impurity diffusion has a lower carrier concentration than that of the n-type region, so that n Even if the group I element diffuses into the type region, it does not break the p / n junction. When the n-type region is formed by ion implantation, mesa etching is unnecessary and the process is simplified. When the n-type region is doped with a group III or VII element, damage due to ion implantation can be avoided, and a device with high characteristics can be obtained.
【００１４】第２の発明における光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ＭＢＥ法による低温成長を
用いており、工程中に高温処理を含まないため、複雑な
構造の素子を形成することが可能である。また、ＧａＡ
ｓやＳｉ基板上でも高品質のＭＣＴ結晶が得られる。ま
た、保護膜をＭＢＥ成長時に行っており、工程が低減さ
れ、表面特性も改善する。In the method of manufacturing a photovoltaic infrared ray receiving element according to the second aspect of the present invention, low temperature growth by the MBE method is used and high temperature treatment is not included in the process, so an element having a complicated structure is formed. Is possible. GaA
High quality MCT crystals can be obtained even on s and Si substrates. Further, since the protective film is formed during MBE growth, the number of steps is reduced and the surface characteristics are improved.
【００１５】第３の発明における光起電力型赤外線受光
素子の製造方法においては、ｐｎ接合をＭＢＥ成長中に
形成しており、損傷の無い理想的なｐｎ接合を形成する
ことが可能である。In the method for manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element according to the third aspect of the invention, the pn junction is formed during MBE growth, and it is possible to form an ideal pn junction without damage.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける光起電力型受光素子の断面図で、Ｉ族元素のＡｇを
約２×１０16ｃｍ-3にドーピングしたｐ型ＭＣＴ層１の
一部に、Ｂのイオン注入により約１×１０18ｃｍ-3のｎ
型領域２が形成される。ＭＣＴのＣｄ組成は０．２２５
で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知する。ｐ型ＭＣＴ層
１の表面はＣｄＴｅ保護膜３により覆われている。Ｃｄ
Ｔｅ保護膜３の一部には電極形成のためのコンタクトホ
ールが形成され、ｐ型ＭＣＴ層１の上にｐ側電極４、ｎ
型領域２の上にｎ側電極５が形成される。本発明の素子
でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、ＲｏＡ値
として２０Ωｃｍ2 が得られ、良好な特性が得られた。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a photovoltaic light receiving element according to a first embodiment of the present invention, which is a part of a p-type MCT layer 1 doped with about 2 × 10 16 cm −3 of a Group I element Ag. Then, by ion implantation of B, n of about 1 × 10 18 cm −3 is obtained.
The mold region 2 is formed. Cd composition of MCT is 0.225
Then, infrared rays in the wavelength band of 10 μm are detected. The surface of the p-type MCT layer 1 is covered with the CdTe protective film 3. Cd
A contact hole for forming an electrode is formed in a part of the Te protective film 3, and the p-side electrode 4, n is formed on the p-type MCT layer 1.
An n-side electrode 5 is formed on the mold region 2. When the diode characteristics of the device of the present invention were measured at 77K, a RoA value of 20 Ωcm 2 was obtained, and good characteristics were obtained.
【００１７】次にこの光起電力型赤外線受光素子の製造
方法について図３を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇによるｐ型ＭＣＴ成長９を行
い、ＣｄＴｅ保護膜成長１０を行う。ＣｄＴｅ保護膜成
長１０は、ＭＢＥ成長装置内でＭＣＴ成長後に連続して
行った。基板温度は共に１８０℃である。次にコンタク
トホール形成１１を行い、Ｂイオン注入１２を行ってｐ
ｎ接合を形成した。最後に電極形成１３を行った。ｎ型
領域２の電極としてＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層の電極としてＡ
ｕ／Ｔｉを用いた。なお、基板温度としては１５０〜２
００℃が適しており、ドーピングされるＩ族元素は２×
１０15〜１×１０17ｃｍ-3，ＩＩＩ族元素は２×１０17
〜１×１０19ｃｍ-3の範囲が適当である。Next, a method of manufacturing this photovoltaic infrared receiving element will be described with reference to FIG. On the CdZnTe substrate, Ag p-type MCT growth 9 is performed by the MBE method, and CdTe protective film growth 10 is performed. The CdTe protective film growth 10 was continuously performed after MCT growth in the MBE growth apparatus. Both substrate temperatures are 180 ° C. Next, contact hole formation 11 is performed, B ion implantation 12 is performed, and p
An n-junction was formed. Finally, electrode formation 13 was performed. In as the electrode of the n-type region 2 and A as the electrode of the p-type MCT layer
u / Ti was used. The substrate temperature is 150 to 2
00 ° C is suitable and the group I element to be doped is 2 ×
10 15 to 1 × 10 17 cm −3 , Group III element is 2 × 10 17
A range of up to 1 × 10 19 cm -3 is suitable.
【００１８】本発明の製造方法で得られたｐ型ＭＣＴ層
１の電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×
１０16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、二次イオン
質量分析（ＳＩＭＳ）から得られたデータと比較したと
ころ、ほぼ１００％の活性化率が得られた。ドーピング
の再現性は良好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、Ｇａ
Ａｓ、Ｓｉのいずれを用いた場合でも変化は無かった。
なお、ｐ型ＭＣＴ層１のＣｄ組成は０．２２５である。
ｎ型領域２のキャリヤ濃度についても約１×１０18ｃｍ
-3という所望の濃度が得られた。When the electrical characteristics of the p-type MCT layer 1 obtained by the manufacturing method of the present invention were measured, the carrier concentration was about 2 ×.
The desired value was obtained at 10 16 cm -3 . Also, when compared with the data obtained from secondary ion mass spectrometry (SIMS), an activation rate of almost 100% was obtained. The reproducibility of doping is good, and CdZnTe and Ga are used as the substrate.
There was no change regardless of whether As or Si was used.
The Cd composition of the p-type MCT layer 1 is 0.225.
The carrier concentration of the n-type region 2 is also about 1 × 10 18 cm
The desired concentration of -3 was obtained.
【００１９】図２は、本発明の第２の実施の形態におけ
る光起電力型受光素子の断面図で、ｎ層形成をＩＩＩ族
元素であるＩｎドーピングにより行った例である。Ｉ族
元素のＡｇを約２×１０16ｃｍ-3ドーピングしたｐ型Ｍ
ＣＴ層６の上に、Ｉｎで１×１０18ｃｍ-3までドーピン
グされたｎ型ＭＣＴ層７が形成される。ＭＣＴのＣｄ組
成は０．２２５で、波長１０μｍ帯の赤外線を検知す
る。約３０μｍ径のダイオード部を残してｎ型ＭＣＴ層
７はエッチングされ、エッチング領域にはＺｎＳ保護膜
８が形成される。ｐ型ＭＣＴ層６の上にｐ側電極４、ｎ
型ＭＣＴ層７の上にｎ側電極５が形成される。本発明の
素子でダイオード特性を７７Ｋで測定したところ、Ｒｏ
Ａ値として５４Ωｃｍ2 が得られ、非常に良好な特性が
得られた。FIG. 2 is a sectional view of a photovoltaic type light receiving element according to the second embodiment of the present invention, showing an example in which an n layer is formed by In doping which is a group III element. P-type M doped with about 2 × 10 16 cm −3 of Group I element
An n-type MCT layer 7 doped with In to 1 × 10 18 cm −3 is formed on the CT layer 6. The Cd composition of MCT is 0.225, and infrared rays in the wavelength band of 10 μm are detected. The n-type MCT layer 7 is etched leaving a diode portion having a diameter of about 30 μm, and a ZnS protective film 8 is formed in the etched region. p-side electrode 4, n on the p-type MCT layer 6
The n-side electrode 5 is formed on the mold MCT layer 7. When the diode characteristics of the device of the present invention were measured at 77K, Ro
An A value of 54 Ωcm 2 was obtained, and very good characteristics were obtained.
【００２０】次にこの光起電力型赤外線受光素子の製造
方法について図４を用いて説明する。ＣｄＺｎＴｅ基板
上にＭＢＥ法によりＡｇをドーピングしたｐ型ＭＣＴ成
長９を行い、ｎ型ＭＣＴ成長１４を行う。基板温度は１
８０℃である。次に約３０μｍ径のダイオード部を残し
てメサエッチング１５を行い、さらにＺｎＳ保護膜形成
１６を行う。次にコンタクトホール形成１１を行い、最
後に電極形成１３を行った。ｎ型ＭＣＴ層７の電極とし
てＩｎ、ｐ型ＭＣＴ層６の電極としてＡｕ／Ｔｉを用い
た。Next, a method of manufacturing the photovoltaic infrared receiving element will be described with reference to FIG. On the CdZnTe substrate, Ag-doped p-type MCT growth 9 and n-type MCT growth 14 are performed by the MBE method. Substrate temperature is 1
80 ° C. Next, mesa etching 15 is performed while leaving a diode portion having a diameter of about 30 μm, and ZnS protective film formation 16 is further performed. Next, contact hole formation 11 was performed, and finally electrode formation 13 was performed. In was used as the electrode of the n-type MCT layer 7, and Au / Ti was used as the electrode of the p-type MCT layer 6.
【００２１】この製造方法で得られたｐ型ＭＣＴ層６の
電気特性を測定したところ、キャリヤ濃度は約２×１０
16ｃｍ-3で所望の値が得られた。また、ＳＩＭＳから得
られたデータと比較したところ、ほぼ１００％の活性化
率が得られた。なお、ｐ型ＭＣＴ層６のＣｄ組成は０．
２２５である。ｎ型ＭＣＴ層７のキャリヤ濃度について
も約１×１０18ｃｍ-3という所望の濃度が得られ、ＳＩ
ＭＳとのデータ比較から活性化率はほぼ１００％である
ことがわかった。ｐ型ｎ型共にドーピングの再現性は良
好で、かつ基板としてＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、Ｓｉの
いずれを用いた場合でも再現性に変化は無かった。When the electrical characteristics of the p-type MCT layer 6 obtained by this manufacturing method were measured, the carrier concentration was about 2 × 10 5.
The desired value was obtained at 16 cm -3 . Further, when compared with the data obtained from SIMS, an activation rate of almost 100% was obtained. The Cd composition of the p-type MCT layer 6 is 0.
225. Regarding the carrier concentration of the n-type MCT layer 7, a desired concentration of about 1 × 10 18 cm −3 was obtained, and
From the data comparison with MS, it was found that the activation rate was almost 100%. The reproducibility of doping was good for both p-type and n-type, and there was no change in reproducibility when any of CdZnTe, GaAs, and Si was used as the substrate.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明の方法により、Ｉ族元素による不
純物ドーピングであっても良好な特性が得られ、またＧ
ａＡｓやＳｉ基板上でも再現性よく所望のデバイス構造
が得られた。EFFECTS OF THE INVENTION According to the method of the present invention, good characteristics can be obtained even with impurity doping by a group I element, and G
The desired device structure was obtained with good reproducibility even on aAs and Si substrates.
【図１】本発明の第１の実施の形態の光起電力型赤外線
受光素子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photovoltaic infrared light receiving element according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施の形態の光起電力型赤外線
受光素子を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a photovoltaic infrared light receiving element according to a second embodiment of the present invention.
【図３】第１の実施の形態の受光素子の製造工程を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the light-receiving element of the first embodiment.
【図４】第２の実施の形態の受光素子の製造工程を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the light-receiving element according to the second embodiment.
１，６ ｐ型ＭＣＴ層 ２ ｎ型領域 ３ ＣｄＴｅ保護膜 ４ ｐ側電極 ５ ｎ側電極 ７ ｎ型ＭＣＴ層 ８ ＺｎＳ保護膜 1,6 p-type MCT layer 2 n-type region 3 CdTe protective film 4 p-side electrode 5 n-side electrode 7 n-type MCT layer 8 ZnS protective film
Claims (4)
赤外線受光素子において、Ｉ族元素により低濃度にドー
ピングされたｐ型層と、イオン注入により高濃度にドー
ピングされたｎ型層とを組み合わせてｐｎ接合を形成し
たことを特徴とする光起電力型赤外線受光素子。1. A photovoltaic infrared light receiving element using a II-VI semiconductor, comprising a p-type layer lightly doped with a group I element, and an n-type layer highly doped by ion implantation. A photovoltaic type infrared light receiving element characterized by forming a pn junction by combining the above.
Ｉ族元素を高濃度にドーピングすることによりｐｎ接合
を形成したことを特徴とする請求項１記載の光起電力型
赤外線受光素子。2. The n-type layer is formed of a Group III element or VI.
The photovoltaic infrared receiving device according to claim 1, wherein the pn junction is formed by doping the group I element at a high concentration.
赤外線受光素子の製造方法において、２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長および保
護膜形成と、イオン注入による高濃度ｎ型領域の形成を
行うことを特徴とする光起電力型赤外線受光素子の製造
方法。3. A method for manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element using molecular beam epitaxy, which comprises: growing a low-concentration group I element-doped p-type layer by low temperature growth at 200 ° C. or lower and forming a protective film; A method of manufacturing a photovoltaic infrared receiving element, which comprises forming a concentration n-type region.
赤外線受光素子の製造方法において、２００℃以下の低
温成長による低濃度Ｉ族元素ドープｐ型層成長、それに
引き続きＩＩＩ族もしくはＶＩＩ族元素による高濃度ｎ
型層成長、および保護膜形成を行うことを特徴とする光
起電力型赤外線受光素子の製造方法。4. A method for manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element using molecular beam epitaxy, comprising: growing a low-concentration group I element-doped p-type layer by low-temperature growth at 200 ° C. or lower, followed by group III or group VII element. High concentration n
A method of manufacturing a photovoltaic infrared light receiving element, which comprises performing mold layer growth and forming a protective film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311974A JPH09153639A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Photovoltaic infrared ray receiving device and manufacture of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311974A JPH09153639A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Photovoltaic infrared ray receiving device and manufacture of the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153639A true JPH09153639A (en) | 1997-06-10 |
Family
ID=18023685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311974A Pending JPH09153639A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Photovoltaic infrared ray receiving device and manufacture of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153639A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958330A (en) * | 2010-07-23 | 2011-01-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | Mercury cadmium telluride (HgCdTe) photovoltaic detection chip for metalized common ion implantation window |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582078A (en) * | 1981-06-24 | 1983-01-07 | イギリス国 | Infrared detecting photodiode |
| JPH0330479A (en) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Fujitsu Ltd | Infrared detector |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7311974A patent/JPH09153639A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS582078A (en) * | 1981-06-24 | 1983-01-07 | イギリス国 | Infrared detecting photodiode |
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| CN101958330A (en) * | 2010-07-23 | 2011-01-26 | 中国科学院上海技术物理研究所 | Mercury cadmium telluride (HgCdTe) photovoltaic detection chip for metalized common ion implantation window |
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