JPH09152629A - Array substrate of liquid crystal display device - Google Patents

Array substrate of liquid crystal display device

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JPH09152629A
JPH09152629A JP24833796A JP24833796A JPH09152629A JP H09152629 A JPH09152629 A JP H09152629A JP 24833796 A JP24833796 A JP 24833796A JP 24833796 A JP24833796 A JP 24833796A JP H09152629 A JPH09152629 A JP H09152629A
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JP
Japan
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inspection
pixel
thin film
film transistors
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP24833796A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Aoki
良朗 青木
Yoichi Masuda
陽一 増田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP24833796A priority Critical patent/JPH09152629A/en
Publication of JPH09152629A publication Critical patent/JPH09152629A/en
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately specify the position of a defect without making the structure extremely complicated. SOLUTION: The array substrate of the liquid crystal display device is equipped with plural pixel electrodes, plural scanning lines 3, plural signal lines 4, plural switching elements 5 which supply video signals from corresponding signal lines 4 to corresponding pixel electrodes in response to scanning signals from corrsponding scanning lines 3, and an inspection support circuit 30 which senses the potentials of the scanning lines 3. Specially, the circuit 30 consists of plural thin film transistors 35 for inspection which have their gates connected to the scanning lines 3 and an inspection wiring part 34 which is connected to the source-drain paths of those transistors 35, and the wiring part 34 includes a monitor pad 32 and a ground pad GND where the source- drain paths of the transistors 35 are connected to each other in parallel, an inspection potential pad 31 which is applied with an inspection voltage, and a resistor element 33 which is connected between the pads 31 and 32 and divides the inspection voltage in cooperation with the electric resistance of the transistor 35.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は一般に液晶表示装置
のアレイ基板に関し、特に複数の画素電極がこれら画素
電極を駆動する駆動回路と共に集積されるアレイ基板に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to an array substrate of a liquid crystal display device, and more particularly to an array substrate in which a plurality of pixel electrodes are integrated with a driving circuit for driving these pixel electrodes.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年では、液晶表示技術がビデオプロジ
ェクタ、ビューファインダ等の映像機器に応用されるよ
うになった。例えば3個の液晶表示装置(or 液晶表示
パネル)がカラー画像を表示するために設けられる場
合、これら液晶表示装置は白色光をダイクロイック・ミ
ラー等で分光することにより得られる赤色、緑色、およ
び青色の光をそれぞれ選択的に透過するように動作す
る。各液晶表示装置の光透過率分布は液晶表示装置に設
けられる複数の接続パッドを介して接続される液晶駆動
回路により制御される。これら液晶表示装置からの透過
光は表示位置でカラー画像を合成するようレンズにより
に集光される。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display technology has been applied to video equipment such as video projectors and viewfinders. For example, when three liquid crystal display devices (or liquid crystal display panels) are provided to display a color image, these liquid crystal display devices obtain red, green, and blue light obtained by dispersing white light with a dichroic mirror or the like. To selectively transmit the respective lights. The light transmittance distribution of each liquid crystal display device is controlled by a liquid crystal drive circuit connected through a plurality of connection pads provided in the liquid crystal display device. The transmitted light from these liquid crystal display devices is condensed by a lens so as to synthesize a color image at the display position.

【0003】従来の映像機器は、レンズおよびダイクロ
イック・ミラー等の光学系が一般に大型であったために
高価であり、多くのスペースを占有していた。この光学
系をコンパクトにするには、解像度を維持して液晶表示
装置のサイズを低減する必要がある。このため、液晶表
示装置の画素密度が最大限に増大され、接続パッドの面
積および間隔もこれに伴って低減されるようになった。
しかし、接続信頼性を損なわずに接続パッドの面積およ
び間隔を低減することには限界があるために、液晶駆動
回路を液晶表示装置に組み込んで接続パッドを不要にす
る方式が提案されている。
Conventional video equipment is expensive because it generally has a large optical system such as a lens and a dichroic mirror, and occupies a lot of space. In order to make the optical system compact, it is necessary to maintain the resolution and reduce the size of the liquid crystal display device. For this reason, the pixel density of the liquid crystal display device has been maximized, and the area and spacing of the connection pads have been reduced accordingly.
However, since there is a limit to reducing the area and interval of the connection pads without impairing the connection reliability, a method has been proposed in which the liquid crystal drive circuit is incorporated in the liquid crystal display device to eliminate the connection pads.

【0004】ここで、上述した方式の液晶表示装置の構
造を概略的に説明する。この液晶表示装置は一般に複数
の画素電極がマトリクス状に配列されるアレイ基板と、
対向電極がこれら画素電極のマトリクスアレイに対応し
て形成された対向基板と、これらアレイ基板および対向
基板間に保持される液晶層とを備える。アレイ基板は複
数の画素電極の行に沿ってそれぞれ形成される複数の走
査線、これら画素電極の列に沿って形成される複数の信
号線、および各々対応走査線および対応信号線の交差す
る位置に隣接して形成されスイッチング素子を構成する
複数の薄膜トランジスタ(TFT)を有する。各TFT
は1走査線に接続されるゲート、1画素電極に接続され
るソース、および1信号線に接続されるドレインを有す
る。液晶駆動回路はアレイ基板において画素電極のマト
リクスアレイの外側領域に形成される走査線ドライバお
よび信号線ドライバ等で構成される。複数の走査線は走
査線ドライバに接続され、複数の信号線は信号線ドライ
バに接続される。走査線ドライバは複数の走査線に順次
走査信号を供給し、信号線ドライバは各行のTFTが走
査信号によって同時にオンする毎に複数の信号線に映像
信号を供給する。これにより、各画素電極は対応TFT
を介して供給される映像信号に応じた画素電位に設定さ
れる。液晶表示装置の光透過率分布は基準電位に設定さ
れる対向電極とこれら画素電極との間において液晶層に
印加される電圧の分布に応じて設定される。
Here, the structure of the above-mentioned liquid crystal display device will be schematically described. This liquid crystal display device generally includes an array substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix,
The counter electrode includes a counter substrate formed corresponding to the matrix array of the pixel electrodes, and a liquid crystal layer held between the array substrate and the counter substrate. The array substrate has a plurality of scanning lines formed along rows of a plurality of pixel electrodes, a plurality of signal lines formed along columns of these pixel electrodes, and positions where corresponding scanning lines and corresponding signal lines intersect. And a plurality of thin film transistors (TFTs) that are formed adjacent to each other and form a switching element. Each TFT
Has a gate connected to one scanning line, a source connected to one pixel electrode, and a drain connected to one signal line. The liquid crystal drive circuit is composed of a scanning line driver, a signal line driver, and the like which are formed in an area outside the matrix array of pixel electrodes on the array substrate. The plurality of scanning lines are connected to the scanning line driver, and the plurality of signal lines are connected to the signal line driver. The scanning line driver sequentially supplies a scanning signal to a plurality of scanning lines, and the signal line driver supplies a video signal to a plurality of signal lines each time the TFTs in each row are simultaneously turned on by the scanning signal. As a result, each pixel electrode is
The pixel potential is set according to the video signal supplied via the. The light transmittance distribution of the liquid crystal display device is set according to the distribution of the voltage applied to the liquid crystal layer between the counter electrode set to the reference potential and these pixel electrodes.

【0005】このような液晶表示装置は通常アレイ基板
の形成工程、対向基板の形成工程、およびアレイ基板お
よび対向基板を液晶層と一体化する貼合せ工程を経て製
造される。アレイ基板の製造工程では、液晶駆動回路が
画素電極、走査線、信号線、およびTFTを含む表示回
路と共に集積される。この場合、アレイ基板は複数の走
査線および複数の信号線が液晶駆動回路に直接的に接続
された状態で形成される。この状態では、液晶駆動回路
を介して表示回路を動作させる以外に表示回路および液
晶駆動回路を検査できない。すなわち、表示回路および
液晶駆動回路は個別に動作し得ないため、信号線および
走査線のような配線に存在する欠陥をすべて検出できる
とは限らない。たとえ欠陥の存在を検出できても、この
欠陥が配線のどこに存在するかを特定することは難し
い。このため、完成後の液晶パネルが良品であるとを確
認するために動作試験が行われる。液晶表示装置の動作
が正常でない場合には、液晶表示装置が欠陥品として廃
棄されることになる。たとえ欠陥がアレイ基板に存在す
ることが明らかであっても、アレイ基板を対向基板およ
び液晶層から適切に分離できないため、対向基板および
液晶層もアレイ基板と一緒に廃棄される。
Such a liquid crystal display device is usually manufactured through a process of forming an array substrate, a process of forming a counter substrate, and a bonding process of integrating the array substrate and the counter substrate with a liquid crystal layer. In the manufacturing process of the array substrate, the liquid crystal driving circuit is integrated with the display circuit including the pixel electrode, the scanning line, the signal line, and the TFT. In this case, the array substrate is formed in a state where the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines are directly connected to the liquid crystal drive circuit. In this state, the display circuit and the liquid crystal drive circuit cannot be inspected except to operate the display circuit via the liquid crystal drive circuit. That is, since the display circuit and the liquid crystal drive circuit cannot operate individually, it is not always possible to detect all defects existing in wiring such as signal lines and scanning lines. Even if the presence of a defect can be detected, it is difficult to specify where the defect exists in the wiring. Therefore, an operation test is performed to confirm that the completed liquid crystal panel is a good product. When the operation of the liquid crystal display device is not normal, the liquid crystal display device is discarded as a defective product. Even though it is clear that defects are present in the array substrate, the counter substrate and the liquid crystal layer are also discarded together with the array substrate because the array substrate cannot be properly separated from the counter substrate and the liquid crystal layer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】例えば特開昭63−5
2121号およびJAPAN DISPLAY'92.561の"S14-2 3.7-i
n. HDTV Poly-Si TFT-LCD Light Valve with Fully Int
egrated Peripheral Drivers" は走査線および信号線の
ような配線の端部に複数の検査用トランジスタを設け、
これら検査用トランジスタを利用してアレイ基板を検査
する技術を開示する。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention For example, JP-A-63-5
No. 2121 and "S14-2 3.7-i" of JAPAN DISPLAY '92 .561
n.HDTV Poly-Si TFT-LCD Light Valve with Fully Int
egrated Peripheral Drivers "provides multiple inspection transistors at the ends of wiring such as scan lines and signal lines.
A technique for inspecting an array substrate using these inspection transistors is disclosed.

【0007】特開昭63−52121号は、複数の検査
用トランジスタのソース・ドレインパスがそれぞれ対応
配線に接続され、各検査用トランジスタのゲートがその
隣の検査用トランジスタのソース・ドレインパスに接続
される回路構造を有する。欠陥が偶数番目の全配線で発
生した場合を想定すると、これらの配線だけでなく奇数
番目の全配線でも欠陥が発生したように観測される可能
性がある。このため、正確な検査が困難である。
In Japanese Patent Laid-Open No. 63-52121, the source / drain paths of a plurality of inspection transistors are connected to corresponding wirings, and the gate of each inspection transistor is connected to the source / drain path of an adjacent inspection transistor. It has a circuit structure. Assuming that defects occur in all even-numbered wirings, it may be observed that defects occur not only in these wirings but also in all odd-numbered wirings. Therefore, accurate inspection is difficult.

【0008】JAPAN DISPLAY'92.561の"S14-2 3.7-in. H
DTV Poly-Si TFT-LCD Light Valvewith Fully Integrat
ed Peripheral Drivers" は、複数の検査用トランジス
タのソース・ドレインパスがそれぞれ対応配線に接続さ
れ、これら検査用トランジスタのゲートがグループ毎に
共通に接続される回路構造を有する。この構造は欠陥が
これら検査用トランジスタ自体に発生したときに正確な
検査を困難にする。すなわち、1検査用トランジスタの
ゲート絶縁が破壊されると、この検査用トランジスタの
ゲートが対応配線に電気的に短絡する。このため、この
検査用トランジスタと同一グループに属する検査用トラ
ンジスタに欠陥が発生し、さらにこれらトランジスタに
接続された配線の全てに欠陥が発生したように観測され
る可能性がある。
JAPAN DISPLAY '92 .561 "S14-2 3.7-in. H
DTV Poly-Si TFT-LCD Light Valvewith Fully Integrat
The ed Peripheral Drivers "has a circuit structure in which the source / drain paths of a plurality of inspection transistors are respectively connected to corresponding wirings, and the gates of these inspection transistors are commonly connected in each group. When it occurs in the inspection transistor itself, it makes accurate inspection difficult, that is, when the gate insulation of one inspection transistor is broken, the gate of this inspection transistor is electrically short-circuited to the corresponding wiring. It may be observed that a defect has occurred in the inspection transistors belonging to the same group as this inspection transistor, and further that a defect has occurred in all the wirings connected to these transistors.

【0009】これら文献の技術では、検査用トランジス
タを付加することがかえってアレイ基板の歩留りや信頼
性を低下させる傾向にある。また、これら技術の回路構
造は走査線、信号線、およびTFTを含む表示回路を液
晶駆動回路を介さずに検査することを可能にできない。
特に特開昭63−52121号では、アレイ基板の配線
構造が検査用トランジスタをグループ単位にスイッチン
グするために付加される配線によって複雑化する。本発
明の目的は、構造を著しく複雑化することなく欠陥の部
位を正確に特定する検査を可能にする液晶表示装置のア
レイ基板を提供することにある。
In the techniques of these documents, the addition of the inspection transistor tends to rather reduce the yield and reliability of the array substrate. Further, the circuit structures of these technologies cannot make it possible to inspect the display circuit including the scanning line, the signal line, and the TFT without the liquid crystal drive circuit.
Particularly, in Japanese Patent Laid-Open No. 63-52121, the wiring structure of the array substrate is complicated by the wiring added for switching the inspection transistors in groups. It is an object of the present invention to provide an array substrate of a liquid crystal display device that enables an inspection to accurately identify a defect site without significantly complicating the structure.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的は、絶縁性基板
と、この絶縁性基板上においてマトリクス状に配列され
る複数の画素電極と、この絶縁性基板上において複数の
画素電極の行に沿って形成される1セットの第1画素配
線と、この絶縁性基板上において複数の画素電極の列に
沿って形成される1セットの第2画素配線と、これら第
1および第2画素配線の交差点に隣接してそれぞれ絶縁
性基板上に形成され、各々対応第1画素配線からの走査
信号に応答して対応第2画素配線からの映像信号を対応
画素電極に供給する複数のスイッチング素子と、少なく
とも1セットの第1および第2画素配線の電位をセンス
する検査補助回路とを備え、検査補助回路はゲートが1
セットの画素配線にそれぞれ接続される複数の検査用薄
膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態を検出
するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソース・ド
レインパスに接続される検査配線部とで構成される第1
検査部を有し、検査配線部は複数の検査用薄膜トランジ
スタのソース・ドレインパスが相互間において並列的に
接続される第1および第2検査パッドと、検査電圧が第
1検査パッドを基準にして印加される第3検査パッド
と、第2および第3検査パッド間に接続され複数の検査
用薄膜トランジスタの電気抵抗と協力して検査電圧を分
圧する抵抗素子とを含む液晶表示装置のアレイ基板によ
り達成される。
The object of the present invention is to provide an insulating substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the insulating substrate, and a row of the plurality of pixel electrodes on the insulating substrate. A set of first pixel wirings, a set of second pixel wirings formed on the insulating substrate along a plurality of pixel electrode columns, and an intersection of the first and second pixel wirings. A plurality of switching elements which are formed adjacent to each other on the insulating substrate and which supply the video signal from the corresponding second pixel wiring to the corresponding pixel electrode in response to the scanning signal from the corresponding first pixel wiring, respectively. An inspection auxiliary circuit that senses the potentials of a set of first and second pixel wirings, and the inspection auxiliary circuit has a gate of 1
A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the set pixel wirings, and an inspection wiring portion connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to the gate potential 1
The inspection wiring part has a first and second inspection pad in which source / drain paths of a plurality of inspection thin film transistors are connected in parallel with each other, and an inspection voltage is based on the first inspection pad. Achieved by an array substrate of a liquid crystal display device including a third inspection pad to be applied and a resistance element connected between the second and third inspection pads to divide an inspection voltage in cooperation with electric resistances of a plurality of inspection thin film transistors. To be done.

【0011】本発明のアレイ基板では、検査用薄膜トラ
ンジスタのゲートが1セットの画素配線にそれぞれ接続
され、さらに検査配線部がゲート電位に応じた動作状態
を検出するためこれら検査用薄膜トランジスタのソース
・ドレインパスに接続される。アレイ基板の検査時、走
査信号または映像信号のような電圧が各画素配線を介し
てスイッチング素子に供給される。例えば断線、短絡、
素子破壊のような欠陥がこの画素配線またはこの画素配
線に接続されたスイッチング素子に存在する場合、この
画素配線の電位はこの欠陥の種類に依存して変化する。
このため、検査用薄膜トランジスタはこの画素配線の電
位をセンスするように動作する。具体的には、検査用薄
膜トランジスタの導電性、すなわち電気抵抗がこの画素
配線の電位によって制御され、欠陥の種類を反映する値
に設定される。従って、検査配線部を用いて検査用薄膜
トランジスタに電流を流し、これら検査用薄膜トランジ
スタでの電圧降下を計測することにより上述のような欠
陥の情報を得ることができる。さらに1セットの全画素
配線について順次欠陥情報に収集することで、欠陥がこ
れら画素配線のうちのどれに存在するかを特定すること
ができる。
In the array substrate of the present invention, the gates of the inspection thin film transistors are connected to a set of pixel wirings, respectively, and the inspection wiring portion detects the operating state according to the gate potential. Connected to the path. During inspection of the array substrate, a voltage such as a scanning signal or a video signal is supplied to the switching element via each pixel wiring. For example, disconnection, short circuit,
When a defect such as element destruction exists in this pixel wiring or the switching element connected to this pixel wiring, the potential of this pixel wiring changes depending on the type of this defect.
Therefore, the inspection thin film transistor operates so as to sense the potential of this pixel wiring. Specifically, the conductivity of the inspection thin film transistor, that is, the electric resistance is controlled by the potential of the pixel wiring, and is set to a value that reflects the type of defect. Therefore, the defect information as described above can be obtained by passing a current through the inspection thin film transistor using the inspection wiring portion and measuring the voltage drop in these inspection thin film transistors. Further, by sequentially collecting defect information for one set of all pixel wirings, it is possible to specify in which of these pixel wirings a defect exists.

【0012】さらに、検査配線部は画素配線から検査用
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜により電気的に絶縁さ
れる。この構造は1個の検査用薄膜トランジスタのゲー
トおよびソース・ドレインパスがゲート絶縁膜不良等の
欠陥によって電気的に接続されたためにこの検査用薄膜
トランジスタのゲートに接続される画素配線が他の画素
配線に短絡するという従来の問題を回避できる。
Further, the inspection wiring portion is electrically insulated from the pixel wiring by the gate insulating film of the inspection thin film transistor. In this structure, a gate wiring and a source / drain path of one inspection thin film transistor are electrically connected to each other due to a defect such as a defective gate insulating film. The conventional problem of short circuit can be avoided.

【0013】また、複数の検査用薄膜トランジスタのソ
ース・ドレインパスを共通線を用いて並列に接続すれ
ば、アレイ基板の配線構造が確実な検査を可能にするた
めに著しく複雑化することを防止できる。さらに、スイ
ッチング素子が薄膜トランジスタで構成される場合に
は、これらを検査用薄膜トランジスタと共通の製造プロ
セスで同時に形成することもできる。これは、検査用薄
膜トランジスタを形成するために独立したプロセスを必
要としないということを意味する。
Further, if the source / drain paths of a plurality of thin film transistors for inspection are connected in parallel using a common line, it is possible to prevent the wiring structure of the array substrate from becoming extremely complicated to enable reliable inspection. . Further, when the switching element is composed of a thin film transistor, these can be formed simultaneously with the inspection thin film transistor in the same manufacturing process. This means that no separate process is required to form the test thin film transistor.

【0014】このように本発明によれば、大幅な回路コ
ンポーネンツの変更や複雑な配線構造を必要とせずに。
画素配線またはスイッチング素子に存在する欠陥を確実
に検出することができる。これら欠陥検査はほぼ独立に
行えるため、欠陥の所在を特定することが容易である。
さらに、検査補助回路に含まれる検査用薄膜トランジス
タの欠陥については、これを除去してアレイ基板の歩留
りの低下を防止することもできる。
As described above, according to the present invention, there is no need for a drastic change in circuit components or a complicated wiring structure.
It is possible to reliably detect a defect existing in the pixel wiring or the switching element. Since these defect inspections can be performed almost independently, it is easy to specify the location of the defect.
Further, with respect to the defect of the inspection thin film transistor included in the inspection auxiliary circuit, the defect can be removed to prevent the decrease in the yield of the array substrate.

【0015】また、アレイ基板の製造後あるいはアレイ
基板の主要回路コンポーネンツの形成後に検査補助回路
を用いて欠陥検査が可能である。この欠陥検査は対向基
板の製造工程およびアレイ基板および対向基板を液晶層
と一体化する貼合せ工程に関係なく行なうことができ
る。当然、液晶表示装置が完成した後に欠陥検査を行な
う必要もない。従って、欠陥の無い対向基板および液晶
層がアレイ基板内に発生した欠陥のために廃棄される必
要がなくなり、液晶表示装置全体の歩留りを向上させる
ことができる。
Further, after the array substrate is manufactured or after the main circuit components of the array substrate are formed, the defect inspection can be performed by using the inspection auxiliary circuit. This defect inspection can be performed regardless of the manufacturing process of the counter substrate and the bonding process of integrating the array substrate and the counter substrate with the liquid crystal layer. Of course, it is not necessary to perform a defect inspection after the liquid crystal display device is completed. Therefore, it is not necessary to discard the defect-free counter substrate and the liquid crystal layer due to the defects generated in the array substrate, and it is possible to improve the yield of the entire liquid crystal display device.

【0016】上述のように液晶表示装置の製造プロセス
において早期に電気回路的な欠陥を発見できることは、
歩留りの向上に伴う製造コストの低減だけでなく液晶表
示装置の信頼性を維持するためもに好ましい。
As described above, it is possible to detect electrical circuit defects early in the manufacturing process of the liquid crystal display device.
This is preferable not only for reducing the manufacturing cost due to the improvement in yield but also for maintaining the reliability of the liquid crystal display device.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態に係
る液晶表示装置を添付図面を参照して説明する。図1は
この液晶表示装置の平面構造を概略的に示し、図2はこ
の液晶表示装置の断面構造を概略的に示す。この液晶表
示装置はm×n個の画素電極1がマトリクス状に配列さ
れるアレイ基板100と、単一の対向電極2がこれら画
素電極1のマトリクスアレイに対応して設けられた対向
基板200と、これらアレイ基板100および対向基板
200間に保持される液晶層300、およびこの液晶層
300に対して反対側においてアレイ基板100および
対向基板200にそれぞれ貼り付けられる偏光板101
および201とを備える。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 schematically shows the planar structure of this liquid crystal display device, and FIG. 2 schematically shows the cross-sectional structure of this liquid crystal display device. This liquid crystal display device includes an array substrate 100 in which m × n pixel electrodes 1 are arranged in a matrix, and a counter substrate 200 in which a single counter electrode 2 is provided corresponding to a matrix array of these pixel electrodes 1. A liquid crystal layer 300 held between the array substrate 100 and the counter substrate 200, and a polarizing plate 101 attached to the array substrate 100 and the counter substrate 200 on the opposite side of the liquid crystal layer 300.
And 201.

【0018】アレイ基板100では、m×n個の画素電
極1が透明なガラス基板102上に形成される。アレイ
基板100はさらにこれら画素電極1の行に沿ってそれ
ぞれ形成されるn本の走査線3(Y1からYn)、これ
ら画素電極1の列に沿って形成されるm本の信号線4
(X1からXm)、および各々対応走査線3および対応
信号線4の交差する位置に隣接して形成されスイッチン
グ素子を構成するm×n個の薄膜トランジスタ(TF
T)5を有する。各TFT5は1本の走査線3に接続さ
れるゲート5G、1個の画素電極1に接続されるソース
電極5S、および1本の信号線4に接続されるドレイン
電極5Dを有する。ゲート電極5Gは走査線3の一部と
して形成された電極である。TFT5はさらにガラス基
板102上に形成されるポリシリコンの半導体層5T
と、この半導体層5Tおよびゲート電極5G間に形成さ
れるゲート絶縁膜5Iとを有する。ソース電極5Sおよ
びドレイン電極5Dは、ゲート電極5Gの両側において
半導体層5Tに形成されるソースおよびドレイン領域5
SCおよび5DCにコンタクトした電極である。ドレイ
ン電極5Dは信号線4の一部として形成される。画素電
極1はこのソース電極5Sにコンタクトして形成され
る。アレイ基板100はさらに絶縁ガラス基板102上
において走査線3と略平行に形成される蓄積容量線1A
を有する。蓄積容量線1Aの一部は画素電極1に重複し
保護膜103を介して画素電極1と容量結合して蓄積容
量CSを構成すると共に対向基板200の対向電極2に
電気的に接続される。上述の画素電極1、走査線3、信
号線4、およびTFT5はアレイ基板100において表
示回路6を構成する。アレイ基板100はさらに画素電
極1のマトリクスアレイの外側に位置する周縁部におい
てこの表示回路6を駆動するために形成される液晶駆動
回路7を有する。この液晶駆動回路7はn本の走査線3
に接続される走査線ドライバ8、m本の信号線4に接続
される信号線ドライバ9、およびこれら走査線ドライバ
8および信号線ドライバ9を制御する液晶コントローラ
10を有する。走査線ドライバ8および信号線ドライバ
9は従来から知られるようなシフトレジスタ等を用いて
構成される。走査線ドライバ8はこれらn本の走査線3
に順次走査信号を供給し、信号線ドライバ9は各行のT
FT5が走査信号によって同時にオンする毎にm本の信
号線4に映像信号を供給する。これにより、各画素電極
1は対応するTFT5を介して供給される映像信号に応
じた画素電位に設定される。表示回路6および液晶駆動
回路7は保護膜103で覆われ、この保護膜103およ
び画素電極1は配向膜104によって覆われる。
In the array substrate 100, m × n pixel electrodes 1 are formed on a transparent glass substrate 102. The array substrate 100 further includes n scanning lines 3 (Y1 to Yn) formed along the rows of the pixel electrodes 1, and m signal lines 4 formed along the columns of the pixel electrodes 1.
(X1 to Xm), and m × n thin film transistors (TF) that are formed adjacent to the intersections of the corresponding scanning lines 3 and the corresponding signal lines 4 to form switching elements.
T) 5. Each TFT 5 has a gate 5G connected to one scanning line 3, a source electrode 5S connected to one pixel electrode 1, and a drain electrode 5D connected to one signal line 4. The gate electrode 5G is an electrode formed as a part of the scanning line 3. The TFT 5 is a polysilicon semiconductor layer 5T formed on the glass substrate 102.
And a gate insulating film 5I formed between the semiconductor layer 5T and the gate electrode 5G. The source electrode 5S and the drain electrode 5D are the source and drain regions 5 formed in the semiconductor layer 5T on both sides of the gate electrode 5G.
Electrodes in contact with SC and 5DC. The drain electrode 5D is formed as a part of the signal line 4. The pixel electrode 1 is formed in contact with the source electrode 5S. The array substrate 100 further has a storage capacitance line 1A formed on the insulating glass substrate 102 substantially parallel to the scanning lines 3.
Having. A part of the storage capacitance line 1A overlaps with the pixel electrode 1, capacitively couples with the pixel electrode 1 through the protective film 103 to form a storage capacitance CS, and is electrically connected to the counter electrode 2 of the counter substrate 200. The above-described pixel electrode 1, scanning line 3, signal line 4, and TFT 5 form a display circuit 6 on the array substrate 100. The array substrate 100 further has a liquid crystal drive circuit 7 formed for driving the display circuit 6 at a peripheral portion of the pixel electrode 1 located outside the matrix array. This liquid crystal drive circuit 7 is provided with n scanning lines 3
A scanning line driver 8 connected to the signal lines, a signal line driver 9 connected to the m signal lines 4, and a liquid crystal controller 10 for controlling the scanning line driver 8 and the signal line driver 9. The scanning line driver 8 and the signal line driver 9 are configured using shift registers or the like as conventionally known. The scanning line driver 8 uses these n scanning lines 3
To the T line of each row.
A video signal is supplied to the m signal lines 4 each time the FT 5 is simultaneously turned on by a scanning signal. As a result, each pixel electrode 1 is set to a pixel potential according to the video signal supplied via the corresponding TFT 5. The display circuit 6 and the liquid crystal drive circuit 7 are covered with a protective film 103, and the protective film 103 and the pixel electrode 1 are covered with an alignment film 104.

【0019】対向基板200は不用光を遮光するために
透明なガラス基板202上に形成される遮光層203
と、アレイ基板100に設けられた画素電極1を透過す
る光をフィルタするためにガラス基板202上に形成さ
れこの遮光層203に囲まれるカラーストライプ部20
4とを有する。対向電極2は遮光層203およびカラー
ストライプ部204を覆って形成され、配向膜206が
この対向電極2を覆って形成される。
The counter substrate 200 is a light shielding layer 203 formed on a transparent glass substrate 202 for shielding unnecessary light.
The color stripe portion 20 is formed on the glass substrate 202 and is surrounded by the light shielding layer 203 to filter the light transmitted through the pixel electrode 1 provided on the array substrate 100.
And 4. The counter electrode 2 is formed so as to cover the light shielding layer 203 and the color stripe portion 204, and the alignment film 206 is formed so as to cover the counter electrode 2.

【0020】液晶層300はこれらアレイ基板100の
配向膜104と対向基板200の配向膜206との間隙
に封入された液晶組成物で構成される。対向電極2は各
画素電極1と容量結合して液晶容量CLCを構成すると
共に、例えば0Vの基準電位に設定される接地パッドG
NDに接続される。液晶表示装置の光透過率分布は対向
電極2とこれら画素電極1との間において液晶層300
に印加される電圧の分布に応じて設定される。図1およ
び図3において、対向電極2および液晶層300は等価
的な回路素子で示される。
The liquid crystal layer 300 is composed of a liquid crystal composition sealed in the gap between the alignment film 104 of the array substrate 100 and the alignment film 206 of the counter substrate 200. The counter electrode 2 constitutes a liquid crystal capacitance CLC by capacitively coupling with each pixel electrode 1, and also a ground pad G set to a reference potential of 0V, for example.
Connected to ND. The light transmittance distribution of the liquid crystal display device has a liquid crystal layer 300 between the counter electrode 2 and these pixel electrodes 1.
It is set according to the distribution of the voltage applied to. 1 and 3, the counter electrode 2 and the liquid crystal layer 300 are shown as equivalent circuit elements.

【0021】図3はアレイ基板100上に形成される回
路を詳細に示す。画素電極1のマトリクスアレイは対向
基板200において対向電極2が形成される領域に対応
する表示領域SR内に形成される。このアレイ基板10
0はこの表示領域SRの外側に形成される検査補助回路
20を備える。この検査補助回路20はn本の走査線3
(Y1−Yn)およびこれら走査線3に接続されたTF
T5の欠陥を検査するために用いられる走査線検査部3
0と、m本の信号線4(X1−Xm)およびこれら信号
線4に接続されたTFT5の欠陥を検査するために用い
られる信号線検査部50とを有する。
FIG. 3 shows in detail the circuit formed on the array substrate 100. The matrix array of the pixel electrodes 1 is formed in the display region SR corresponding to the region of the counter substrate 200 where the counter electrode 2 is formed. This array substrate 10
Reference numeral 0 includes an inspection auxiliary circuit 20 formed outside the display area SR. This inspection auxiliary circuit 20 has n scanning lines 3
(Y1-Yn) and TF connected to these scanning lines 3
Scan line inspection unit 3 used for inspecting defects of T5
0, m signal lines 4 (X1 to Xm) and a signal line inspection unit 50 used to inspect for defects in the TFTs 5 connected to these signal lines 4.

【0022】走査線検査部30は検査電位パッド31
と、モニタパッド32と、これらパッド31および32
間に接続される抵抗素子33と、信号線4と平行に設定
されモニタパッド32に接続される検査配線34と、各
々この検査配線34と接地パッドGND間に接続される
ソース・ドレインパス並びに対応走査線3に接続される
ゲートを持つn個の検査用薄膜トランジスタ(検査用T
FT)35とを有する。検査時には、検査電圧Vhが検
査電位パッド31および接地パッドGND間に供給され
る。(検査電圧Vhは検査用TFT35が走査信号の下
で導通するよう検査用TFT35のスレッショルド電圧
に対応して決定される。) 信号線検査部50は検査電位パッド51と、モニタパッ
ド52と、これらパッド51および52間に接続される
抵抗素子53と、走査線3と平行に設定されモニタパッ
ド52に接続される検査配線54と、各々この検査配線
54と接地パッドGND間に接続されるソース・ドレイ
ンパス並びに対応信号線4に接続されるゲートを持つm
個の検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)55とを
有する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッド5
1および接地パッドGND間に供給される。(検査電圧
Vhは検査用TFT55が特定レベルの映像信号の下で
導通するよう検査用TFT55のスレッショルド電圧に
対応して決定される。)上述の液晶表示装置は通常アレ
イ基板100の製造工程、対向基板200の製造工程、
およびアレイ基板100および対向基板200を液晶層
300と一体化する貼合せ工程を経て完成する。アレイ
基板100の製造工程では、これら検査用TFT35お
よび55はTFT5と共通の処理により形成される。こ
のため、これらTFT5、35、および55はTFT5
は同一材料および同一層構造で構成される。但し、TF
T5はスイッチング動作に適した動作性能を得られる素
子寸法を持ち、検査用TFT35および55はそれぞれ
走査線3および信号線4の電位センス動作に適した動作
性能を得られる素子寸法を持つ。これら素子寸法は例え
ばTFT5,35,および55のためのパターニング処
理で使用されるフォトマスクパターンによって定義する
ことができるため、これら素子寸法の違いのために独立
した処理は必要とされない。
The scanning line inspection section 30 includes an inspection potential pad 31.
, Monitor pad 32, and these pads 31 and 32
A resistance element 33 connected between them, an inspection wiring 34 connected in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32, source / drain paths connected between the inspection wiring 34 and the ground pad GND, and corresponding N inspection thin film transistors (gates for inspection T having a gate connected to the scanning line 3)
FT) 35. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 31 and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35 so that the inspection TFT 35 conducts under the scanning signal.) The signal line inspection unit 50 includes the inspection potential pad 51, the monitor pad 52, and these. A resistance element 53 connected between the pads 51 and 52, an inspection wiring 54 set in parallel with the scanning line 3 and connected to the monitor pad 52, and a source / source connected between the inspection wiring 54 and the ground pad GND, respectively. M having a drain path and a gate connected to the corresponding signal line 4
It has a thin film transistor for inspection (inspection TFT) 55. During the inspection, the inspection voltage Vh is the inspection potential pad 5
1 and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 55 so that the inspection TFT 55 conducts under a video signal of a specific level.) In the above-mentioned liquid crystal display device, the array substrate 100 is usually manufactured in the opposite process. A manufacturing process of the substrate 200,
Then, the array substrate 100 and the counter substrate 200 are integrated with the liquid crystal layer 300 through a bonding process to complete the process. In the manufacturing process of the array substrate 100, the inspection TFTs 35 and 55 are formed by the same process as the TFT 5. Therefore, these TFTs 5, 35, and 55 are
Are composed of the same material and the same layer structure. However, TF
T5 has an element size capable of obtaining an operation performance suitable for the switching operation, and each of the inspection TFTs 35 and 55 has an element size capable of obtaining an operation performance suitable for the potential sensing operation of the scanning line 3 and the signal line 4, respectively. Since these device dimensions can be defined, for example, by the photomask pattern used in the patterning process for TFTs 5, 35, and 55, no separate processing is required due to these device size differences.

【0023】次に、上述した液晶表示装置のアレイ基板
100の製造後あるいはアレイ基板100の主要回路コ
ンポーネンツの形成後に実行される欠陥検査を説明す
る。最初に走査線検査部30を用いた欠陥検査を説明す
る。この欠陥検査では、走査線ドライバ8がn本の走査
線3を1本ずつ選択し、走査信号をこの選択走査線3に
供給するよう制御される。これら走査線3の電位はこれ
ら走査線3の短絡および断線、これら走査線3に接続さ
れるTFT5の素子破壊、およびこれら走査線3に接続
される走査線ドライバ8の誤動作のような欠陥の種類に
依存して変化する。このため、これらn本の走査線3の
電位はn個の検査用TFT35によってそれぞれセンス
される。これら検査用TFT35の導電性または電気抵
抗はそれぞれセンス電位に依存する。簡単にいえば、各
検査用TFT35は走査信号が供給されたときの対応走
査線3の電位によって導通し、走査信号が供給されない
ときの対応走査線3の電位によって非導通に維持され
る。検査電圧Vhはこれら並列な検査用TFT35と抵
抗素子33とで構成される分圧器によって分圧され、検
査用TFT35の並列回路での電圧降下に対応するモニ
タ出力電圧がモニタパッド32に出力される。このモニ
タ出力電圧は走査線ドライバ8によって順次選択される
走査線3の各々毎に計測され、この計測結果に基づいて
欠陥の所在および種類が特定される。(走査線検査部3
0を用いた欠陥検査では、検査条件のばらつきによる悪
影響をなくすため、信号線ドライバ9がm本の信号線4
を全てに同一映像信号を供給するかあるいは全く映像信
号を供給しない動作を行なうよう制御される。) 走査信号が走査線ドライバ8から選択走査線3に供給さ
れる場合、モニタ出力電圧は電圧レベルVonとなる。こ
の電圧レベルVonはVon=Vh/[Rx{Roff +Ron
(n−1)}/(Ron・Roff )}+1]で表される。
(ここで、Ronは検査用TFT35のON抵抗、Roff
は検査用TFT35のOFF抵抗、Rxは抵抗素子33
の電気抵抗値である。)ちなみに、RonがRoff よりも
充分に低い値である場合には、電圧レベルVonはVon=
Vh/(Rx /Ron+1)という式で近似できる。
Next, a defect inspection carried out after the array substrate 100 of the above-mentioned liquid crystal display device is manufactured or after the main circuit components of the array substrate 100 are formed will be described. First, the defect inspection using the scanning line inspection unit 30 will be described. In this defect inspection, the scanning line driver 8 is controlled to select n scanning lines 3 one by one and supply a scanning signal to the selected scanning line 3. The potentials of the scanning lines 3 depend on types of defects such as short circuit and disconnection of the scanning lines 3, element destruction of the TFT 5 connected to these scanning lines 3, and malfunction of the scanning line driver 8 connected to these scanning lines 3. Change depending on. Therefore, the potentials of the n scanning lines 3 are respectively sensed by the n inspection TFTs 35. The conductivity or electric resistance of these inspection TFTs 35 depends on the sense potential. Briefly, each inspection TFT 35 is made conductive by the potential of the corresponding scanning line 3 when the scanning signal is supplied, and is kept non-conductive by the potential of the corresponding scanning line 3 when the scanning signal is not supplied. The inspection voltage Vh is divided by the voltage divider composed of the parallel inspection TFT 35 and the resistance element 33, and the monitor output voltage corresponding to the voltage drop in the parallel circuit of the inspection TFT 35 is output to the monitor pad 32. . The monitor output voltage is measured for each scanning line 3 sequentially selected by the scanning line driver 8, and the location and type of the defect are specified based on the measurement result. (Scan line inspection unit 3
In the defect inspection using 0, the signal line driver 9 has m signal lines 4 in order to eliminate adverse effects due to variations in inspection conditions.
Are controlled to perform the operation of supplying the same video signal to all of them or supplying no video signal at all. ) When the scanning signal is supplied from the scanning line driver 8 to the selected scanning line 3, the monitor output voltage becomes the voltage level Von. This voltage level Von is Von = Vh / [Rx {Roff + Ron
(N-1)} / (Ron.Roff)} + 1].
(Here, Ron is the ON resistance of the inspection TFT 35, Roff
Is an OFF resistance of the inspection TFT 35, and Rx is a resistance element 33.
Is the electrical resistance value of. By the way, when Ron is a value sufficiently lower than Roff, the voltage level Von is Von =
It can be approximated by the formula Vh / (Rx / Ron + 1).

【0024】走査信号が走査線ドライバ8から選択走査
線3に供給されない場合、モニタ電圧は電圧レベルVof
f となる。この電圧レベルVoff はVoff =Vh/(n
・Rx /Roff +1)で表わされる。
When the scan signal is not supplied from the scan line driver 8 to the selected scan line 3, the monitor voltage is the voltage level Vof.
becomes f. This voltage level Voff is Voff = Vh / (n
-Represented by Rx / Roff + 1).

【0025】従って、走査線ドライバ8の動作が正常で
あれば、モニタ出力電圧が選択走査線3に関わらず電圧
レベルVonにほぼ一致する。もし、特定の走査線3が走
査線ドライバ8によって選択されたときにモニタ出力電
圧が電圧レベルVoff にほぼ一致すれば、走査線ドライ
バ8が不良であるとみなされる。ちなみに、TFT5の
ソース・ドレインパスは検査電位パッド31から検査用
TFT35のソース・ドレインパスを介して接地パッド
GNDに至る電流路と電気的に分離されているため、モ
ニタ出力電圧はTFT5のオン状態およびオフ状態に依
存しない。
Therefore, if the operation of the scanning line driver 8 is normal, the monitor output voltage substantially matches the voltage level Von regardless of the selected scanning line 3. If the monitor output voltage substantially matches the voltage level Voff when the particular scan line 3 is selected by the scan line driver 8, then the scan line driver 8 is considered defective. By the way, since the source / drain path of the TFT 5 is electrically separated from the current path from the inspection potential pad 31 to the ground pad GND through the source / drain path of the inspection TFT 35, the monitor output voltage is in the ON state of the TFT 5. And does not depend on the off state.

【0026】また、例えば第1走査線Y1および第2走
査線Y2のような隣接するk本の走査線3が互いに短絡
した状態にある場合、走査信号が走査線ドライバ8から
第1走査線Y1に供給され、さらにこの第1走査線Y1
から第2走査線Y2に供給される。このため、第1走査
線Y1および第2走査線Y2に接続された2個の検査用
薄膜トランジスタ35が一緒に導通する。モニタ出力電
圧は、走査信号が上述のようにk本の走査線3に供給さ
れる場合に電圧レベルVonk となる。この電圧レベルV
onk は、Vonk =Vh/[Rx {k・Roff + Ron
(n−k)}/(Ron・Roff )+1]で表される。こ
こで、kは1より大きくnより小さい整数である。Ron
がRoff より十分低い場合、電圧レベルVonk はVonk
=Vh/(k・Rx /Ron+1)という式で近似でき
る。
Further, when the adjacent k scanning lines 3 such as the first scanning line Y1 and the second scanning line Y2 are short-circuited to each other, the scanning signal is transmitted from the scanning line driver 8 to the first scanning line Y1. To the first scanning line Y1
To the second scanning line Y2. Therefore, the two inspection thin film transistors 35 connected to the first scanning line Y1 and the second scanning line Y2 are electrically connected together. The monitor output voltage becomes the voltage level Vonk when the scanning signal is supplied to the k scanning lines 3 as described above. This voltage level V
onk is Vonk = Vh / [Rx {k.Roff + Ron
(N−k)} / (Ron · Roff) +1]. Here, k is an integer larger than 1 and smaller than n. Ron
Is sufficiently lower than Roff, the voltage level Vonk is Vonk
= Vh / (k.Rx / Ron + 1).

【0027】短絡はこれらk本の走査線3の各々が走査
線ドライバ8によって選択されるときにモニタ出力電圧
が電圧レベルVonk になることから検出される。(ま
た、例えば第1走査線Y1のような単一の走査線3が断
線した状態にある場合、この走査線Y1の寄生容量が低
下する。この場合、第1走査線Y1の電位は走査信号が
走査線ドライバ8から供給されたあと通常よりも速く変
化する。従って、上述の断線はモニタ出力電圧が通常よ
り短い時間で電圧レベルVonに遷移することから検出さ
れる。尚、走査線Y1の寄生容量は、走査線3に接続さ
れるTFT5の素子破壊によっても変化する。このた
め、モニタ出力電圧の遷移時間の違いが生じた場合に
は、走査線3の断線またはTFT5の素子破壊が発生し
たとみなされる。) 次に、信号線検査部50を用いた欠陥検査を説明する。
この欠陥検査では、信号線ドライバ9がm本の信号線4
を1本ずつ選択し、この選択信号線4に検査用TFT5
5が導通する特定レベルの映像信号を供給するよう制御
される。これら信号線4の電位はこれら信号線4の短絡
および断線、これら信号線4に接続されるTFT5の素
子破壊、およびこれら信号線4に接続される信号線ドラ
イバ9の誤動作のような欠陥の種類に依存して変化す
る。このため、これらm本の信号線4の電位はm個の検
査用TFT55によってそれぞれセンスされる。これら
検査用TFT55の導電性または電気抵抗はそれぞれセ
ンス電位に依存する。簡単にいえば、各検査用TFT5
5は映像信号が供給されたときの対応信号線4の電位に
よって導通し、映像信号が供給されないときの対応信号
線4の電位によって非導通に維持される。検査電圧Vh
はこれら並列的な検査用TFT55と抵抗素子53とで
構成される分圧器によって分圧され、検査用TFT55
の並列回路での電圧降下に対応するモニタ出力電圧がモ
ニタパッド52に出力される。このモニタ出力電圧は信
号線ドライバ9によって順次選択される信号線4の各々
毎に計測され、この計測結果に基づいて欠陥の所在およ
び種類が特定される。これら欠陥の所在および種類は、
走査線検査部30の場合と同様な形式で特定されるた
め、重複する説明を省略する。(信号線検査部50を用
いた欠陥検査では、検査条件のばらつきによる悪影響を
なくすため、走査線ドライバ8が1本の走査線3に走査
信号を供給するかあるいは全く走査信号を供給しない動
作を行なうよう制御される。) 第1実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板では、走
査線ドライバ8の誤動作、この走査線ドライバ8に接続
される走査線3の短絡および断線、この走査線3に接続
されるTFT5の素子破壊のような欠陥をモニタパッド
32に供給されるモニタ出力電圧を計測することによっ
て発見することができる。また、信号線ドライバ9の誤
動作、この信号線ドライバ9に接続される信号線4の短
絡および断線、およびこれら信号線4に接続されるTF
T5の素子破壊のような欠陥をモニタパッド52に供給
されるモニタ出力電圧を計測することによって発見する
ことができる。
A short circuit is detected because the monitor output voltage is at the voltage level Vonk when each of these k scan lines 3 is selected by the scan line driver 8. (Also, for example, when a single scanning line 3 such as the first scanning line Y1 is disconnected, the parasitic capacitance of this scanning line Y1 decreases. In this case, the potential of the first scanning line Y1 is the scanning signal. Changes faster than usual after being supplied from the scan line driver 8. Therefore, the above-mentioned disconnection is detected from the transition of the monitor output voltage to the voltage level Von in a shorter time than usual. The parasitic capacitance also changes due to element breakdown of the TFT 5 connected to the scanning line 3. Therefore, when a difference in transition time of the monitor output voltage occurs, disconnection of the scanning line 3 or element breakdown of the TFT 5 occurs. Then, the defect inspection using the signal line inspection unit 50 will be described.
In this defect inspection, the signal line driver 9 uses the m signal lines 4
Are selected one by one, and the inspection TFT 5 is connected to the selection signal line 4.
5 is controlled so as to supply a video signal of a specific level for conduction. The potentials of these signal lines 4 are the types of defects such as short circuit and disconnection of these signal lines 4, element destruction of the TFT 5 connected to these signal lines 4, and malfunction of the signal line driver 9 connected to these signal lines 4. Change depending on. Therefore, the potentials of the m signal lines 4 are respectively sensed by the m inspection TFTs 55. The conductivity or electric resistance of these inspection TFTs 55 depends on the sense potential. Simply put, each inspection TFT5
5 is made conductive by the potential of the corresponding signal line 4 when the video signal is supplied, and is kept non-conductive by the potential of the corresponding signal line 4 when the video signal is not supplied. Inspection voltage Vh
Is divided by a voltage divider composed of these parallel inspection TFT 55 and resistance element 53.
The monitor output voltage corresponding to the voltage drop in the parallel circuit is output to the monitor pad 52. The monitor output voltage is measured for each of the signal lines 4 sequentially selected by the signal line driver 9, and the location and type of the defect are specified based on the measurement result. The location and type of these defects are
Since it is specified in the same format as the case of the scanning line inspection unit 30, duplicate description will be omitted. (In the defect inspection using the signal line inspection unit 50, in order to eliminate the adverse effect due to the variation of the inspection conditions, the scanning line driver 8 supplies the scanning signal to one scanning line 3 or does not supply the scanning signal at all. In the array substrate of the liquid crystal display device according to the first embodiment, the scan line driver 8 malfunctions, the scan line 3 connected to the scan line driver 8 is short-circuited and disconnected, and the scan line 3 is connected. Defects such as element destruction of the connected TFT 5 can be found by measuring the monitor output voltage supplied to the monitor pad 32. In addition, the signal line driver 9 malfunctions, the signal line 4 connected to this signal line driver 9 is short-circuited and disconnected, and the TF connected to these signal lines 4 is short-circuited.
Defects such as element destruction at T5 can be found by measuring the monitor output voltage supplied to the monitor pad 52.

【0028】また、各走査線3はそれぞれ対応検査用T
FT35のゲートに接続され、このゲートは検査配線3
4に接続される検査用TFT35のソース・ドレインパ
スからゲート絶縁膜によって電気的に絶縁される。も
し、ゲート絶縁膜の絶縁不良のような欠陥が検査用TF
T35に存在する場合には、これがこの検査用TFT3
5のゲートに接続された走査線3から検査配線34に走
査信号を供給させる原因となる。他方、各信号線4はそ
れぞれ対応検査用TFT55のゲートに接続され、この
ゲートは検査配線54に接続される検査用TFT55の
ソース・ドレインパスからゲート絶縁膜によって電気的
に絶縁される。もし、ゲート絶縁膜の絶縁不良のような
欠陥が検査用TFT55に存在する場合には、これがこ
の検査用TFT55のゲートに接続された信号線4に供
給される映像信号を検査配線54に供給する原因とな
る。
Further, each scanning line 3 has a corresponding inspection T.
It is connected to the gate of FT35, and this gate is the inspection wiring 3
The gate insulating film electrically insulates the source / drain path of the inspection TFT 35, which is connected to the inspection TFT 4. If a defect such as poor insulation of the gate insulating film is present in the TF for inspection,
If present in T35, this is this inspection TFT3.
This causes a scanning signal to be supplied to the inspection wiring 34 from the scanning line 3 connected to the gate of No. 5. On the other hand, each signal line 4 is connected to the gate of the corresponding inspection TFT 55, and the gate is electrically insulated from the source / drain path of the inspection TFT 55 connected to the inspection wiring 54 by the gate insulating film. If a defect such as a defective insulation of the gate insulating film exists in the inspection TFT 55, the image signal supplied to the signal line 4 connected to the gate of the inspection TFT 55 is supplied to the inspection wiring 54. Cause.

【0029】しかし、このような障害は欠陥を持つ検査
用TFT35または55のゲートを例えばレーザリペア
装置を用いて走査線3または信号線4から切り離すこと
により解消できる。この場合、アレイ基板100の欠陥
検査は実質的に実行不能となるが、他のコンポーネント
に欠陥がないと仮定して、このアレイ基板を液晶表示装
置の製造に用いることができる。製造した液晶表示装置
の表示性能が納得のいくものであることを確認すれば、
この液晶表示装置を欠陥の無い製品として認定できる。
However, such an obstacle can be eliminated by disconnecting the gate of the defective inspection TFT 35 or 55 from the scanning line 3 or the signal line 4 by using, for example, a laser repair device. In this case, the defect inspection of the array substrate 100 becomes substantially infeasible, but the array substrate can be used for manufacturing the liquid crystal display device, assuming that other components are not defective. If you confirm that the display performance of the manufactured liquid crystal display device is satisfactory,
This liquid crystal display device can be certified as a defect-free product.

【0030】さらに、検査用TFT35および55はT
FT5と同一の製造プロセスで形成できるため、独立し
た製造プロセスが必要とされない。加えて、TFT35
および55とTFT5の素子寸法的な違いはこれらを形
成するためのパターニング処理で利用されるフォトマス
クパターンによって定義できる。すなわち、TFT35
および55は複雑な製造プロセスを追加することなくT
FT5と共にアレイ基板100上に形成することができ
る。
Further, the inspection TFTs 35 and 55 are T
Since it can be formed by the same manufacturing process as FT5, an independent manufacturing process is not required. In addition, the TFT 35
The element size difference between the TFTs 5 and 55 and the TFT 5 can be defined by the photomask pattern used in the patterning process for forming them. That is, the TFT 35
And 55 are T without adding a complicated manufacturing process.
It can be formed on the array substrate 100 together with the FT5.

【0031】本実施形態では、検査用TFT35(また
は55)の並列回路での電圧降下がモニタ出力電圧とし
てモニタパッド32(または52)で計測されたが、電
圧以外のパラメータを計測対象とすることもできる。例
えば、検査電圧Vhの下で検査用TFT35(または5
5)の並列回路を介して流れる電流の値を計測するよう
にアレイ基板100の配線構造を変更し、この計測電流
値から上述の欠陥を発見することも可能である。また、
接地パッドGNDおよびモニタパッド32を用いて検査
用TFT35(または55)の並列回路の電気抵抗を計
測することも可能である。この電気抵抗の計測では、検
査電圧Vhが検査電位パッド31(または51)および
接地パッドGND間に印加される必要がない。
In this embodiment, the voltage drop in the parallel circuit of the inspection TFT 35 (or 55) is measured by the monitor pad 32 (or 52) as the monitor output voltage, but the parameter other than the voltage should be measured. You can also For example, under the inspection voltage Vh, the inspection TFT 35 (or 5
It is also possible to change the wiring structure of the array substrate 100 so as to measure the value of the current flowing through the parallel circuit of 5) and find the above-mentioned defect from the measured current value. Also,
It is also possible to measure the electric resistance of the parallel circuit of the inspection TFT 35 (or 55) using the ground pad GND and the monitor pad 32. In the measurement of this electric resistance, the inspection voltage Vh does not need to be applied between the inspection potential pad 31 (or 51) and the ground pad GND.

【0032】以下、本発明の第2実施形態に係る液晶表
示装置を説明する。図4はこの液晶表示装置のアレイ基
板上に形成される回路を示す。この液晶表示装置は図1
−図3を参照して説明した第1実施形態の液晶表示装置
に類似する。このため、図4において同様部分を同一参
照符号で示し、重複する説明を省略する。
The liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described below. FIG. 4 shows a circuit formed on the array substrate of this liquid crystal display device. This liquid crystal display device is shown in FIG.
-It is similar to the liquid crystal display device of the first embodiment described with reference to FIG. Therefore, in FIG. 4, the same parts are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.

【0033】この液晶表示装置のアレイ基板では、ドラ
イバ検査部60が走査線ドライバ8の誤動作をより確実
に検出するために走査線ドライバ8内に設けられる。本
実施形態では、このドライバ検査部60による欠陥検査
を理解し易くするため、図4に示す走査線検査部30お
よび信号線検査部50は設けられない。走査線ドライバ
8はTFT5を導通させるのに適した電圧振幅の走査信
号をn本の走査線3(Y1−Yn)に順次供給するため
にn個の出力バッファ8Aを有することが一般的であ
る。各出力バッファ8Aは従来から知られるようなCM
OSトランジスタで構成され、走査信号を図4に示す電
源端子VDDおよびVSS間に印加される電圧振幅に変
換する。
In the array substrate of this liquid crystal display device, the driver inspection section 60 is provided in the scanning line driver 8 in order to detect the malfunction of the scanning line driver 8 more reliably. In the present embodiment, in order to facilitate understanding of the defect inspection by the driver inspection unit 60, the scanning line inspection unit 30 and the signal line inspection unit 50 shown in FIG. 4 are not provided. The scanning line driver 8 generally has n output buffers 8A in order to sequentially supply scanning signals having a voltage amplitude suitable for turning on the TFT 5 to the n scanning lines 3 (Y1-Yn). . Each output buffer 8A is a CM as conventionally known.
It is composed of an OS transistor and converts a scanning signal into a voltage amplitude applied between the power supply terminals VDD and VSS shown in FIG.

【0034】ドライバ検査部60は検査電位パッド31
Dと、モニタパッド32Dと、これらパッド31Dおよ
び32D間に接続される抵抗素子33Dと、信号線4と
平行に設定されモニタパッド32Dに接続される検査配
線34Dと、各々この検査配線34Dと接地パッドGN
D間に接続されるソース・ドレインパス並びに対応出力
バッファ8Aの入力端に接続されるゲートを持つn個の
検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)35Dとを有
する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッド31
Dおよび接地パッドGND間に供給される。(検査電圧
Vhは検査用TFT35Dが出力バッファ8Aに入力さ
れる走査信号の下で導通するよう検査用TFT35Dの
スレッショルド電圧に対応して決定される。)すなわ
ち、このドライバ検査部60は検査用TFT)35Dが
それぞれ出力バッファ8Aの入力端の電位をセンスする
ことを除いて図3に示す走査線検査部30と実質的に同
様に構成される。
The driver inspection section 60 includes the inspection potential pad 31.
D, a monitor pad 32D, a resistance element 33D connected between these pads 31D and 32D, an inspection wiring 34D set in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32D, and each inspection wiring 34D and ground. Pad GN
It has a source / drain path connected between D and n inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35D having a gate connected to the input terminal of the corresponding output buffer 8A. During the inspection, the inspection voltage Vh is the inspection potential pad 31.
It is supplied between D and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35D so that the inspection TFT 35D conducts under the scanning signal input to the output buffer 8A.) That is, the driver inspection unit 60 of the inspection TFT 60 operates. ) 35D has substantially the same configuration as the scanning line inspection unit 30 shown in FIG. 3 except that 35D senses the potential of the input terminal of the output buffer 8A.

【0035】第2実施形態によれば、走査線ドライバ8
によって選択的に駆動されるn本の走査線3(Y1−Y
n)がこの走査線ドライバ8の出力バッファ8Aによっ
てそれぞれ検査用TFT35Dから電気的に分離され
る。各走査線3の電位はこの走査線3に接続されたTF
T5に発生した欠陥によって第1実施形態と同様に変化
する。例えばこのTFT5のゲートおよびソース間の電
気抵抗がゲート絶縁膜不良によって極めて低下した状態
にあると、この走査線3の電位がこの走査線3に供給さ
れる走査信号のレベルから著しく低下する。従って、も
し第1実施形態のように走査線3の電位が走査線ドライ
バ8の検査のためにセンスされると、走査信号がこの走
査線3に供給されたにもかかわらず走査線ドライバ8が
不良であるとみなされるおそれがある。しかし、第2実
施形態では、検査ドライバ8が走査線3から電気的に分
離された出力バッファ8Aの入力端の電位をセンスする
検査用TFT35Dを用いて検査される。すなわち、出
力バッファ8Aの入力端の電位は走査線3の断線、短
絡、TFT5のゲート絶縁不良のような主に表示回路6
内で発生する欠陥によって影響されないため、第1実施
形態の検査手順で走査線ドライバ8の誤動作を表示回路
6の欠陥から確実に区別できる。
According to the second embodiment, the scanning line driver 8
N scanning lines 3 (Y1-Y selectively driven by
n) are electrically separated from the inspection TFT 35D by the output buffer 8A of the scanning line driver 8. The potential of each scanning line 3 is the TF connected to this scanning line 3.
The defect generated at T5 changes like the first embodiment. For example, if the electric resistance between the gate and the source of the TFT 5 is extremely lowered due to a defective gate insulating film, the potential of the scanning line 3 is significantly lowered from the level of the scanning signal supplied to the scanning line 3. Therefore, if the potential of the scanning line 3 is sensed for the inspection of the scanning line driver 8 as in the first embodiment, the scanning line driver 8 will not operate even if the scanning signal is supplied to this scanning line 3. May be considered bad. However, in the second embodiment, the inspection driver 8 is inspected by using the inspection TFT 35D that senses the potential of the input end of the output buffer 8A that is electrically separated from the scanning line 3. That is, the potential at the input end of the output buffer 8A is mainly the display circuit 6 such as disconnection, short circuit of the scanning line 3 and defective gate insulation of the TFT 5.
Since it is not affected by the defect occurring inside, the malfunction of the scanning line driver 8 can be reliably distinguished from the defect of the display circuit 6 in the inspection procedure of the first embodiment.

【0036】尚、信号線ドライバ9の誤動作を確実に発
見するために、信号線ドライバ9の出力バッファの入力
端の電位をそれぞれセンスするするよう構成されたドラ
イバ検査部を信号線ドライバ9内に設けてもよい。
In order to detect the malfunction of the signal line driver 9 with certainty, a driver inspection unit configured to sense the potential at the input end of the output buffer of the signal line driver 9 is provided in the signal line driver 9. It may be provided.

【0037】以下、本発明の第3実施形態に係る液晶表
示装置を説明する。図5はこの液晶表示装置のアレイ基
板上に形成される回路を示す。この液晶表示装置は図1
−図4を参照して説明した第1および第2実施形態の液
晶表示装置に類似する。このため、図5において同様部
分を同一参照符号で示し、重複する説明を省略する。
The liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention will be described below. FIG. 5 shows a circuit formed on the array substrate of this liquid crystal display device. This liquid crystal display device is shown in FIG.
-Similar to the liquid crystal display device of the first and second embodiments described with reference to FIG. Therefore, in FIG. 5, the same parts are denoted by the same reference numerals, and duplicated description will be omitted.

【0038】この液晶表示装置のアレイ基板では、図3
に示す走査線検査部30および図4に示すドライバ検査
部60が設けられる。本実施形態では、走査線検査部3
0およびドライバ検査部60の組み合わせによる欠陥検
査を理解し易くするため、図3に示す信号線検査部50
は設けられない。
The array substrate of this liquid crystal display device is shown in FIG.
The scanning line inspection unit 30 shown in FIG. 4 and the driver inspection unit 60 shown in FIG. 4 are provided. In the present embodiment, the scanning line inspection unit 3
In order to facilitate understanding of the defect inspection by the combination of 0 and the driver inspection unit 60, the signal line inspection unit 50 shown in FIG.
Is not provided.

【0039】走査線検査部30は検査電位パッド31
と、モニタパッド32と、これらパッド31および32
間に接続される抵抗素子33と、信号線4と平行に設定
されモニタパッド32に接続される検査配線34と、各
々この検査配線34と接地パッドGND間に接続される
ソース・ドレインパス並びに対応出力バッファ8Aの出
力端に接続されるゲートを持つn個の検査用薄膜トラン
ジスタ(検査用TFT)35とを有する。検査時には、
検査電圧Vhが検査電位パッド31および接地パッドG
ND間に供給される。
The scanning line inspection section 30 includes an inspection potential pad 31.
, Monitor pad 32, and these pads 31 and 32
A resistance element 33 connected between them, an inspection wiring 34 connected in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32, source / drain paths connected between the inspection wiring 34 and the ground pad GND, and corresponding It has n thin film transistors for inspection (inspection TFTs) 35 having a gate connected to the output terminal of the output buffer 8A. At the time of inspection,
The inspection voltage Vh is the inspection potential pad 31 and the ground pad G.
It is supplied between ND.

【0040】ドライバ検査部60は検査電位パッド31
Dと、モニタパッド32Dと、これらパッド31Dおよ
び32D間に接続される抵抗素子33Dと、信号線4と
平行に設定されモニタパッド32Dに接続される検査配
線34Dと、各々この検査配線34Dと接地パッドGN
D間に接続されるソース・ドレインパス並びに対応出力
バッファ8Aの入力端に接続されるゲートを持つn個の
検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)35Dとを有
する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッド31
Dおよび接地パッドGND間に供給される。
The driver inspection section 60 includes the inspection potential pad 31.
D, a monitor pad 32D, a resistance element 33D connected between these pads 31D and 32D, an inspection wiring 34D set in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32D, and each inspection wiring 34D and ground. Pad GN
It has a source / drain path connected between D and n inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35D having a gate connected to the input terminal of the corresponding output buffer 8A. During the inspection, the inspection voltage Vh is the inspection potential pad 31.
It is supplied between D and the ground pad GND.

【0041】上述の構成では、まずモニタパッド32D
の電位が走査線ドライバ8の検査のためにモニタされ、
この後モニタパッド32の電位が主に表示回路6内で発
生する欠陥の検査のためにモニタされる。
In the above configuration, first, the monitor pad 32D
Is monitored for inspection of the scan line driver 8,
After that, the potential of the monitor pad 32 is monitored mainly for the inspection of defects generated in the display circuit 6.

【0042】第3実施形態によれば、走査線ドライバ8
によって選択的に駆動されるn本の走査線3(Y1−Y
n)がこの走査線ドライバ8の出力バッファ8Aによっ
てそれぞれ検査用TFT35Dから電気的に分離され
る。各走査線3の電位はこの走査線3に接続されたTF
T5に発生した欠陥によって第2実施形態と同様に変化
する。第2実施形態で説明したように、例えばこのTF
T5のゲートおよびソース間の電気抵抗がゲート絶縁膜
不良によって極めて低下した状態にあると、この走査線
3の電位がこの走査線3に供給される走査信号のレベル
から著しく低下する。従って、もし走査線3の電位が検
査用TFT35によって走査線ドライバ8の検査のため
にセンスされると、走査信号がこの走査線3に供給され
たにもかかわらず走査線ドライバ8の動作が不良である
とみなされるおそれがある。このため、検査用TFT3
5Dが走査線3から電気的に分離された出力バッファ8
Aの入力端の電位を検出するために用いられる。すなわ
ち、出力バッファ8Aの入力端の電位は走査線3の断
線、短絡、TFT5のゲート絶縁不良のような主に表示
回路6内で発生する欠陥によって影響されない。従っ
て、第1実施形態の検査手順で走査線ドライバ8の誤動
作を表示回路6の欠陥から確実に区別できる。他方、検
査用TFT35は第1実施形態と同様に走査線3の断
線、短絡、TFT5のゲート絶縁不良のような主に表示
回路6内で発生する欠陥の種類に依存した走査線3の電
位を検出するために用いられる。
According to the third embodiment, the scanning line driver 8
N scanning lines 3 (Y1-Y selectively driven by
n) are electrically separated from the inspection TFT 35D by the output buffer 8A of the scanning line driver 8. The potential of each scanning line 3 is the TF connected to this scanning line 3.
The defect generated at T5 changes similarly to the second embodiment. As described in the second embodiment, for example, this TF
When the electric resistance between the gate and the source of T5 is extremely lowered due to the defective gate insulating film, the potential of the scanning line 3 is significantly reduced from the level of the scanning signal supplied to the scanning line 3. Therefore, if the potential of the scanning line 3 is sensed by the inspection TFT 35 for the inspection of the scanning line driver 8, the operation of the scanning line driver 8 is defective even though the scanning signal is supplied to the scanning line 3. May be considered to be Therefore, the inspection TFT 3
Output buffer 8 in which 5D is electrically separated from scan line 3
It is used to detect the potential at the input end of A. That is, the potential at the input end of the output buffer 8A is not affected by defects mainly occurring in the display circuit 6, such as disconnection of the scanning line 3, short circuit, and defective gate insulation of the TFT 5. Therefore, the malfunction of the scanning line driver 8 can be reliably distinguished from the defect of the display circuit 6 by the inspection procedure of the first embodiment. On the other hand, the inspection TFT 35 has the potential of the scanning line 3 which mainly depends on the type of defects such as disconnection, short circuit of the scanning line 3 and defective gate insulation of the TFT 5 as in the first embodiment. Used to detect.

【0043】すなわち、第1および第2実施形態より
も、走査線ドライバ8と表示回路6とを実質的に独立に
検査することができるため、より容易に欠陥の所在を特
定可能となる。
That is, since the scanning line driver 8 and the display circuit 6 can be inspected substantially independently of each other, the location of the defect can be identified more easily than in the first and second embodiments.

【0044】以下、本発明の第4実施形態に係る液晶表
示装置を説明する。図6はこの液晶表示装置のアレイ基
板上に形成される回路を示す。この液晶表示装置は図1
−図3を参照して説明した第1実施形態の液晶表示装置
に類似する。このため、図6において同様部分を同一参
照符号で示し、重複する説明を省略する。
The liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention will be described below. FIG. 6 shows a circuit formed on the array substrate of this liquid crystal display device. This liquid crystal display device is shown in FIG.
-It is similar to the liquid crystal display device of the first embodiment described with reference to FIG. Therefore, in FIG. 6, the same parts are designated by the same reference numerals, and the overlapping description will be omitted.

【0045】この液晶表示装置のアレイ基板では、走査
線検査部70が走査線3の断線、短絡およびTFT5の
ゲート絶縁不良のような主に表示回路6の欠陥をより正
確に検出するためさらに設けられる。この走査線検査部
70は表示領域SRの外部において走査線検査部30と
反対側に配置される。本実施形態では、走査線検査部3
0および70による欠陥検査を理解し易くするため、図
3に示す信号線検査部50は設けられない。
In the array substrate of this liquid crystal display device, the scanning line inspection unit 70 is further provided in order to more accurately detect defects mainly in the display circuit 6 such as disconnection of the scanning line 3, short circuit and defective gate insulation of the TFT 5. To be The scanning line inspection unit 70 is arranged on the opposite side of the scanning line inspection unit 30 outside the display region SR. In the present embodiment, the scanning line inspection unit 3
In order to facilitate understanding of the defect inspection by 0 and 70, the signal line inspection unit 50 shown in FIG. 3 is not provided.

【0046】走査線検査部30は検査電位パッド31
と、モニタパッド32と、これらパッド31および32
間に接続される抵抗素子33と、信号線4と平行に設定
されモニタパッド32に接続される検査配線34と、各
々この検査配線34と接地パッドGND間に接続される
ソース・ドレインパス並びに走査線ドライバ8および表
示領域SR間に位置する対応走査線3の部分に接続され
るゲートを持つn個の検査用薄膜トランジスタ(検査用
TFT)35とを有する。検査時には、検査電圧Vhが
検査電位パッド31および接地パッドGND間に供給さ
れる。(検査電圧Vhは検査用TFT35が走査信号の
下で導通するよう検査用TFT35のスレッショルド電
圧に対応して決定される。) 走査線検査部70は検査電位パッド31Eと、モニタパ
ッド32Eと、これらパッド31Eおよび32E間に接
続される抵抗素子33Eと、信号線4と平行に設定され
モニタパッド32Eに接続される検査配線34Eと、各
々この検査配線34Eと接地パッドGND間に接続され
るソース・ドレインパス並びに検査用TFT35から遠
い対応走査線3の端部に接続されるゲートを持つn個の
検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)35Eとを有
する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッド31
Eおよび接地パッドGND間に供給される。(検査電圧
Vhは検査用TFT35Eが走査信号の下で導通するよ
う検査用TFT35Eのスレッショルド電圧に対応して
決定される。) 本実施形態では、2個の検査用TFT35および35E
が各走査線3毎に設けられる。この場合、モニタパッド
32および32Eの電位が走査線ドライバ8の誤動作、
この走査線ドライバ8に接続される走査線3の短絡およ
び断線、この走査線3に接続されるTFT5の素子破壊
のような欠陥を発見するためにモニタされる。すなわ
ち、まず走査線ドライバ8が正常に動作し、かつどの走
査線3も他の走査線3に短絡していないことは、第1実
施形態の検査方法で確認できる。この確認後、モニタパ
ッド32の電位およびモニタパッド32Eの電位を各走
査線3について計測し、これら計測結果を比較すること
によりこの走査線3の断線を発見できる。もし断線して
いれば、モニタパッド32が第1実施形態で述べた電圧
レベルVonとなり、モニタパッド32Eが電圧レベルV
off となる。また、これらの計測結果が電圧レベルVof
f およびVonのいずれでもなければ、この走査線3に接
続されたTFT5のいずれかにおいてゲート絶縁不良が
発生したものとみなすことができる。第4実施形態によ
れば、上述した表示回路6内での欠陥から走査線3の断
線およびTFT5の素子破壊をより確実に区別すること
ができる。
The scanning line inspection section 30 includes an inspection potential pad 31.
, Monitor pad 32, and these pads 31 and 32
A resistance element 33 connected between them, an inspection wiring 34 that is set in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32, a source / drain path connected between the inspection wiring 34 and the ground pad GND, and scanning. The line driver 8 and n inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35 each having a gate connected to the corresponding scanning line 3 located between the display regions SR. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 31 and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35 so that the inspection TFT 35 conducts under the scanning signal.) The scanning line inspection unit 70 includes the inspection potential pad 31E, the monitor pad 32E, and these. A resistance element 33E connected between the pads 31E and 32E, an inspection wiring 34E connected in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32E, and a source connected between the inspection wiring 34E and the ground pad GND. There are n inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35E having gates connected to the drain path and the end of the corresponding scanning line 3 far from the inspection TFT 35. During the inspection, the inspection voltage Vh is the inspection potential pad 31.
It is supplied between E and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined corresponding to the threshold voltage of the inspection TFT 35E so that the inspection TFT 35E conducts under the scanning signal.) In the present embodiment, the two inspection TFTs 35 and 35E.
Are provided for each scanning line 3. In this case, the potentials of the monitor pads 32 and 32E may cause malfunction of the scanning line driver 8,
The scanning line 3 connected to the scanning line driver 8 is monitored to detect defects such as short circuit and disconnection of the scanning line 3 and destruction of the TFT 5 connected to the scanning line 3. That is, first, it can be confirmed by the inspection method of the first embodiment that the scanning line driver 8 operates normally and that none of the scanning lines 3 is short-circuited with the other scanning lines 3. After this confirmation, the potential of the monitor pad 32 and the potential of the monitor pad 32E are measured for each scanning line 3, and the disconnection of the scanning line 3 can be found by comparing the measurement results. If the wire is broken, the monitor pad 32 becomes the voltage level Von described in the first embodiment, and the monitor pad 32E becomes the voltage level Von.
It will be off. In addition, these measurement results show that the voltage level Vof
If neither f nor Von is present, it can be considered that the gate insulation failure has occurred in any of the TFTs 5 connected to the scanning line 3. According to the fourth embodiment, it is possible to more reliably distinguish the disconnection of the scanning line 3 and the element destruction of the TFT 5 from the above-mentioned defects in the display circuit 6.

【0047】以下、本発明の第5実施形態に係る液晶表
示装置を説明する。図7はこの液晶表示装置のアレイ基
板上に形成される回路を示す。この液晶表示装置は図1
−図6を参照して説明した第1から第4実施形態の液晶
表示装置に類似する。このため、図7において同様部分
を同一参照符号で示し、重複する説明を省略する。
A liquid crystal display device according to the fifth embodiment of the present invention will be described below. FIG. 7 shows a circuit formed on the array substrate of this liquid crystal display device. This liquid crystal display device is shown in FIG.
-It is similar to the liquid crystal display device of the first to fourth embodiments described with reference to FIG. 6. Therefore, in FIG. 7, the same parts are designated by the same reference numerals, and the duplicated description will be omitted.

【0048】この液晶表示装置のアレイ基板は、第1か
ら第4実施形態で用いられた走査線検査部30、信号線
検査部50、ドライバ検査部60、走査線検査部70と
いう特徴的構成を全て含む。さらにこのアレイ基板で
は、ドライバ検査部80が信号線ドライバ9の誤動作を
より確実に検出するために走査線ドライバ9内に設けら
れると共に、信号線検査部90が信号線4の断線、短絡
およびTFT5の破壊不良のような主に表示回路6の欠
陥をより正確に検出するためさらに設けられる。
The array substrate of this liquid crystal display device has a characteristic structure of the scanning line inspection unit 30, the signal line inspection unit 50, the driver inspection unit 60, and the scanning line inspection unit 70 used in the first to fourth embodiments. Including all. Further, in this array substrate, the driver inspection section 80 is provided in the scanning line driver 9 in order to detect the malfunction of the signal line driver 9 more surely, and the signal line inspection section 90 is connected to the signal line 4 for disconnection, short circuit and TFT 5. It is further provided mainly for more accurately detecting a defect of the display circuit 6 such as the destruction failure of the display circuit 6.

【0049】走査線検査部30は検査電位パッド31
と、モニタパッド32と、これらパッド31および32
間に接続される抵抗素子33と、信号線4と平行に設定
されモニタパッド32に接続される検査配線34と、各
々この検査配線34と接地パッドGND間に接続される
ソース・ドレインパス並びに走査線ドライバ8および表
示領域SR間に位置する対応走査線3の部分に接続され
るゲートを持つn個の検査用薄膜トランジスタ(検査用
TFT)35とを有する。検査時には、検査電圧Vhが
検査電位パッド31および接地パッドGND間に供給さ
れる。(検査電圧Vhは検査用TFT35が走査信号の
下で導通するよう検査用TFT35のスレッショルド電
圧に対応して決定される。) 信号線検査部50は検査電位パッド51と、モニタパッ
ド52と、これらパッド51および52間に接続される
抵抗素子53と、走査線3と平行に設定されモニタパッ
ド52に接続される検査配線54と、各々この検査配線
54と接地パッドGND間に接続されるソース・ドレイ
ンパス並びに信号線ドライバ9および表示領域SR間に
位置する対応信号線4の部分に接続されるゲートを持つ
m個の検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)55と
を有する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッド
51および接地パッドGND間に供給される。(検査電
圧Vhは検査用TFT55が特定レベルの映像信号の下
で導通するよう検査用TFT55のスレッショルド電圧
に対応して決定される。) ドライバ検査部60は検査電位パッド31Dと、モニタ
パッド32Dと、これらパッド31Dおよび32D間に
接続される抵抗素子33Dと、信号線4と平行に設定さ
れモニタパッド32Dに接続される検査配線34Dと、
各々この検査配線34Dと接地パッドGND間に接続さ
れるソース・ドレインパス並びに対応出力バッファ8A
の入力端に接続されるゲートを持つn個の検査用薄膜ト
ランジスタ(検査用TFT)35Dとを有する。検査時
には、検査電圧Vhが検査電位パッド31Dおよび接地
パッドGND間に供給される。(検査電圧Vhは検査用
TFT35Dが出力バッファ8Aに入力される走査信号
の下で導通するよう検査用TFT35Dのスレッショル
ド電圧に対応して決定される。)すなわち、このドライ
バ検査部60は検査用TFT)35Dがそれぞれ出力バ
ッファ8Aの入力端の電位をセンスすることを除いて走
査線検査部30と実質的に同様に構成される。
The scanning line inspection section 30 includes an inspection potential pad 31.
, Monitor pad 32, and these pads 31 and 32
A resistance element 33 connected between them, an inspection wiring 34 that is set in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32, a source / drain path connected between the inspection wiring 34 and the ground pad GND, and scanning. The line driver 8 and n inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35 each having a gate connected to the corresponding scanning line 3 located between the display regions SR. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 31 and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35 so that the inspection TFT 35 conducts under the scanning signal.) The signal line inspection unit 50 includes an inspection potential pad 51, a monitor pad 52, and these. A resistance element 53 connected between the pads 51 and 52, an inspection wiring 54 set in parallel with the scanning line 3 and connected to the monitor pad 52, and a source / source connected between the inspection wiring 54 and the ground pad GND, respectively. There are m inspection thin film transistors (inspection TFTs) 55 having gates connected to the drain path and the corresponding signal line 4 located between the signal line driver 9 and the display region SR. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 51 and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined corresponding to the threshold voltage of the inspection TFT 55 so that the inspection TFT 55 conducts under a video signal of a specific level.) The driver inspection unit 60 includes an inspection potential pad 31D and a monitor pad 32D. A resistance element 33D connected between these pads 31D and 32D, and an inspection wiring 34D connected in parallel with the signal line 4 and connected to the monitor pad 32D,
Source / drain paths connected between the inspection wiring 34D and the ground pad GND and the corresponding output buffer 8A.
N inspection thin film transistors (inspection TFTs) 35D each having a gate connected to the input terminal of. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 31D and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35D so that the inspection TFT 35D conducts under the scanning signal input to the output buffer 8A.) That is, the driver inspection section 60 of the driver inspection unit 60 operates. ) 35D is configured substantially the same as the scan line inspection unit 30 except that each senses the potential at the input end of the output buffer 8A.

【0050】走査線検査部70は検査電位パッド31E
と、モニタパッド32Eと、これらパッド31Eおよび
32E間に接続される抵抗素子33Eと、信号線4と平
行に設定されモニタパッド32Eに接続される検査配線
34Eと、各々この検査配線34Eと接地パッドGND
間に接続されるソース・ドレインパス並びに検査用TF
T35から遠い対応走査線3の端部に接続されるゲート
を持つn個の検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)
35Eとを有する。検査時には、検査電圧Vhが検査電
位パッド31Eおよび接地パッドGND間に供給され
る。(検査電圧Vhは検査用TFT35Eが走査信号の
下で導通するよう検査用TFT35Eのスレッショルド
電圧に対応して決定される。) ドライバ検査部80は検査電位パッド51Dと、モニタ
パッド52Dと、これらパッド51Dおよび52D間に
接続される抵抗素子53Dと、走査線3と平行に設定さ
れモニタパッド52Dに接続される検査配線54Dと、
各々この検査配線54Dと接地パッドGND間に接続さ
れるソース・ドレインパス並びに信号線ドライバ9の対
応出力バッファ9Aの入力端に接続されるゲートを持つ
m個の検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)55D
とを有する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パッ
ド51Dおよび接地パッドGND間に供給される。(検
査電圧Vhは検査用TFT55Dが出力バッファ9Aに
入力される特定レベルの映像信号の下で導通するよう検
査用TFT55Dのスレッショルド電圧に対応して決定
される。)すなわち、このドライバ検査部80は検査用
TFT55Dがそれぞれ出力バッファ9Aの入力端の電
位をセンスすることを除いて信号線検査部50と実質的
に同様に構成される。
The scanning line inspection section 70 includes the inspection potential pad 31E.
A monitor pad 32E, a resistance element 33E connected between these pads 31E and 32E, an inspection wiring 34E connected in parallel to the signal line 4 and connected to the monitor pad 32E, and an inspection wiring 34E and a ground pad, respectively. GND
Source / drain path connected between and TF for inspection
N inspection thin film transistors (inspection TFTs) having a gate connected to the end of the corresponding scanning line 3 far from T35
35E. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 31E and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 35E so that the inspection TFT 35E conducts under the scanning signal.) The driver inspection unit 80 includes the inspection potential pad 51D, the monitor pad 52D, and these pads. A resistance element 53D connected between 51D and 52D, an inspection wiring 54D set in parallel with the scanning line 3 and connected to the monitor pad 52D,
M inspection thin film transistors (inspection TFTs) 55D each having a source / drain path connected between the inspection wiring 54D and the ground pad GND and a gate connected to the input terminal of the corresponding output buffer 9A of the signal line driver 9
And At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 51D and the ground pad GND. (The inspection voltage Vh is determined in accordance with the threshold voltage of the inspection TFT 55D so that the inspection TFT 55D conducts under the video signal of the specific level input to the output buffer 9A.) That is, the driver inspection unit 80 is The inspection TFT 55D has substantially the same configuration as the signal line inspection unit 50 except that the inspection TFT 55D senses the potential at the input end of the output buffer 9A.

【0051】信号線検査部90は検査電位パッド51E
と、モニタパッド52Eと、これらパッド51Eおよび
52E間に接続される抵抗素子53Eと、走査線3と平
行に設定されモニタパッド52Eに接続される検査配線
54Eと、各々この検査配線54Eと接地パッドGND
間に接続されるソース・ドレインパス並びに検査用TF
T55から遠い信号線4の端部に接続されるゲートを持
つm個の検査用薄膜トランジスタ(検査用TFT)55
Eとを有する。検査時には、検査電圧Vhが検査電位パ
ッド51Eおよび接地パッドGND間に供給される。
(検査電圧Vhは検査用TFT55Eが特定レベルの映
像信号の下で導通するよう検査用TFT55Eのスレッ
ショルド電圧に対応して決定される。) 第5実施形態では、走査線ドライバ8によって選択的に
駆動されるn本の走査線3(Y1−Yn)がこの走査線
ドライバ8の出力バッファ8Aによってそれぞれ検査用
TFT35Dから電気的に分離される。各走査線3の電
位はこの走査線3に接続されたTFT5に発生した欠陥
によって第2実施形態と同様に変化する。第2実施形態
で説明したように、例えばこのTFT5のゲートおよび
ソース間の電気抵抗がゲート絶縁膜不良によって極めて
低下した状態にあると、この走査線3の電位がこの走査
線3に供給される走査信号のレベルから著しく低下す
る。従って、もし走査線3の電位が検査用TFT35に
よって走査線ドライバ8の検査のためにセンスされる
と、走査信号がこの走査線3に供給されたにもかかわら
ず走査線ドライバ8が不良であるとみなされるおそれが
ある。このため、検査用TFT35Dが走査線3から電
気的に分離された出力バッファ8Aの入力端の電位を検
出するために用いられる。すなわち、出力バッファ8A
の入力端の電位は走査線3の断線、短絡、TFT5のゲ
ート絶縁不良のような主に表示回路6内で発生する欠陥
によって影響されない。従って、第1実施形態の検査手
順で走査線ドライバ8の誤動作を表示回路6の欠陥から
確実に区別できる。
The signal line inspection section 90 includes the inspection potential pad 51E.
A monitor pad 52E, a resistance element 53E connected between these pads 51E and 52E, an inspection wiring 54E connected in parallel with the scanning line 3 and connected to the monitor pad 52E, and an inspection wiring 54E and a ground pad, respectively. GND
Source / drain path connected between and TF for inspection
M inspection thin film transistors (inspection TFTs) 55 having a gate connected to the end of the signal line 4 far from T55
With E and. At the time of inspection, the inspection voltage Vh is supplied between the inspection potential pad 51E and the ground pad GND.
(The inspection voltage Vh is determined corresponding to the threshold voltage of the inspection TFT 55E so that the inspection TFT 55E conducts under a video signal of a specific level.) In the fifth embodiment, the scanning line driver 8 selectively drives. The n scanning lines 3 (Y1 to Yn) are electrically separated from the inspection TFT 35D by the output buffer 8A of the scanning line driver 8. The potential of each scanning line 3 changes similarly to the second embodiment due to a defect generated in the TFT 5 connected to this scanning line 3. As described in the second embodiment, for example, when the electric resistance between the gate and the source of the TFT 5 is extremely lowered due to a defective gate insulating film, the potential of the scanning line 3 is supplied to the scanning line 3. It is significantly reduced from the level of the scanning signal. Therefore, if the potential of the scanning line 3 is sensed by the inspection TFT 35 for the inspection of the scanning line driver 8, the scanning line driver 8 is defective even though the scanning signal is supplied to this scanning line 3. May be considered. Therefore, the inspection TFT 35D is used to detect the potential of the input end of the output buffer 8A electrically separated from the scanning line 3. That is, the output buffer 8A
The potential at the input terminal of is not affected by defects mainly occurring in the display circuit 6, such as disconnection of the scanning line 3, short circuit, and defective gate insulation of the TFT 5. Therefore, the malfunction of the scanning line driver 8 can be reliably distinguished from the defect of the display circuit 6 by the inspection procedure of the first embodiment.

【0052】また、信号線ドライバ9によって選択的に
駆動されるm本の信号線4(X1−Xm)がこの信号線
ドライバ9の出力バッファ9Aによってそれぞれ検査用
TFT55Dから電気的に分離される。各信号線4の電
位はこの信号線4に接続されたTFT5に発生した欠陥
によって変化する。例えばこのTFT5のゲートおよび
ソース間の電気抵抗がゲート絶縁膜不良によって極めて
低下した状態にあると、この信号線4の電位がこの信号
線4に供給される映像信号のレベルから著しく低下す
る。従って、もし信号線4の電位が検査用TFT55に
よって信号線ドライバ9の検査のためにセンスされる
と、映像信号がこの信号線4に供給されたにもかかわら
ず信号線ドライバ9が不良であるとみなされるおそれが
ある。このため、検査用TFT55Dが信号線4から電
気的に分離された出力バッファ9Aの入力端の電位を検
出するために用いられる。すなわち、出力バッファ9A
の入力端の電位は信号線4の断線、短絡、TFT5のゲ
ート絶縁不良のような主に表示回路6内で発生する欠陥
によって影響されないため、第1実施形態の検査手順で
信号線ドライバ9の誤動作を表示回路6の欠陥から確実
に区別できる。
The m signal lines 4 (X1-Xm) selectively driven by the signal line driver 9 are electrically separated from the inspection TFT 55D by the output buffer 9A of the signal line driver 9. The potential of each signal line 4 changes due to a defect generated in the TFT 5 connected to this signal line 4. For example, when the electric resistance between the gate and the source of the TFT 5 is extremely lowered due to a defective gate insulating film, the potential of the signal line 4 is significantly lowered from the level of the video signal supplied to the signal line 4. Therefore, if the potential of the signal line 4 is sensed by the inspection TFT 55 for the inspection of the signal line driver 9, the signal line driver 9 is defective although the video signal is supplied to the signal line 4. May be considered. Therefore, the inspection TFT 55D is used to detect the potential of the input end of the output buffer 9A electrically separated from the signal line 4. That is, the output buffer 9A
Since the potential at the input end of the signal line 4 is not affected by defects such as disconnection, short circuit of the signal line 4 and defective gate insulation of the TFT 5, which are mainly generated in the display circuit 6, the signal line driver 9 of the first embodiment is subjected to the inspection procedure. Malfunctions can be reliably distinguished from defects in the display circuit 6.

【0053】以上のような第5実施形態では、さらに第
4実施形態と同様に2個の検査用TFT35および35
Eが各走査線3毎に設けられる。この場合、モニタパッ
ド32および32Eの電位が走査線ドライバ8の誤動
作、この走査線ドライバ8に接続される走査線3の短絡
および断線、この走査線3に接続されるTFT5の素子
破壊のような欠陥を発見するためにモニタされる。すな
わち、まず走査線ドライバ8が正常に動作する状態でど
の走査線3も他の走査線3に短絡していないことは、第
1実施形態の検査手順で確認できる。この確認後、モニ
タパッド32の電位およびモニタパッド32Eの電位を
各走査線3について計測し、これら計測結果を比較する
ことによりこの走査線3の断線を発見できる。もし断線
していれば、モニタパッド32が第1実施形態で述べた
電圧レベルVonとなり、モニタパッド32Eが電圧レベ
ルVoff となる。また、これらの計測結果が電圧レベル
Voff およびVonのいずれでもなければ、この走査線3
に接続されたTFT5のいずれかにおいてゲート絶縁不
良が発生したものとみなすことができる。
In the fifth embodiment as described above, two inspection TFTs 35 and 35 are further provided as in the fourth embodiment.
E is provided for each scanning line 3. In this case, the potentials of the monitor pads 32 and 32E may cause malfunction of the scanning line driver 8, short circuit and disconnection of the scanning line 3 connected to this scanning line driver 8, element breakdown of the TFT 5 connected to this scanning line 3, and the like. Monitored to find defects. That is, first, it can be confirmed by the inspection procedure of the first embodiment that none of the scanning lines 3 is short-circuited to the other scanning lines 3 in the state where the scanning line driver 8 operates normally. After this confirmation, the potential of the monitor pad 32 and the potential of the monitor pad 32E are measured for each scanning line 3, and the disconnection of the scanning line 3 can be found by comparing the measurement results. If the wire is broken, the monitor pad 32 becomes the voltage level Von described in the first embodiment, and the monitor pad 32E becomes the voltage level Voff. If the measurement result is neither the voltage level Voff nor Von, the scanning line 3
It can be considered that defective gate insulation occurs in any of the TFTs 5 connected to the.

【0054】さらに2個の検査用TFT55および55
Eが各信号線4毎に設けられる。この場合、モニタパッ
ド52および52Eの電位が信号線ドライバ9の誤動
作、この信号線ドライバ9に接続される信号線4の短絡
および断線、この信号線4に接続されるTFT5の素子
破壊のような欠陥を発見するためにモニタされる。すな
わち、まず信号線ドライバ9が正常に動作する状態でど
の信号線4も他の信号線4に短絡していないことは、第
1実施形態の検査方法で確認できる。この確認後、モニ
タパッド52の電位およびモニタパッド52Eの電位を
各信号線4について計測し、これら計測結果を比較する
ことによりこの信号線4の断線を発見できる。もし断線
していれば、モニタパッド52が第1実施形態で述べた
電圧レベルVonとなり、モニタパッド52Eが電圧レベ
ルVoff となる。また、これらの計測結果が電圧レベル
Voff およびVonのいずれでもなければ、この信号線4
に接続されたTFT5のいずれかにおいて素子破壊が発
生したものとみなすことができる。
Two more inspection TFTs 55 and 55
E is provided for each signal line 4. In this case, the potentials of the monitor pads 52 and 52E are such that the signal line driver 9 malfunctions, the signal line 4 connected to the signal line driver 9 is short-circuited and disconnected, and the TFT 5 connected to the signal line 4 is destroyed. Monitored to find defects. That is, first, it can be confirmed by the inspection method of the first embodiment that none of the signal lines 4 is short-circuited to the other signal lines 4 while the signal line driver 9 is operating normally. After this confirmation, the potential of the monitor pad 52 and the potential of the monitor pad 52E are measured for each signal line 4, and the disconnection of the signal line 4 can be found by comparing the measurement results. If the wire is broken, the monitor pad 52 becomes the voltage level Von described in the first embodiment, and the monitor pad 52E becomes the voltage level Voff. If these measurement results are neither the voltage levels Voff nor Von, the signal line 4
It can be considered that element breakdown has occurred in any of the TFTs 5 connected to.

【0055】この第5実施形態によれば、表示回路6内
での欠陥のうちの特に走査線3の断線、信号線4の断線
およびTFT5のゲート絶縁不良をより確実に発見する
ことができる。
According to the fifth embodiment, among the defects in the display circuit 6, especially the disconnection of the scanning line 3, the disconnection of the signal line 4 and the defective gate insulation of the TFT 5 can be detected more reliably.

【0056】第5実施形態のアレイ基板の欠陥検査は例
えば図8および図9に示すように行われる。ステップS
1からS12は走査線3に関する欠陥に対処するために
実行される。このため、最初に全ての信号線4を電気的
なフローティング状態に設定して走査線ドライバ8が駆
動される。ステップS1では、走査線検査部70でセン
スされる走査線3の電位がチェックされる。走査線3の
電位に異常があることがステップS2で検出されると、
走査線検査部30でセンスされる走査線3の電位がステ
ップS3でチェックされる。ステップS4では、このチ
ェック結果から特定走査線3の断線が検出されたか判定
される。断線が検出されなければ、ステップS5でドラ
イバ検査部60でセンスされる走査線3の電位がチェッ
クされる。ステップS6では、このチェック結果から走
査線ドライバ8の誤動作が検出されたか判定される。こ
の誤動作が検出されなければ、ステップS7で走査線検
査部70および30でセンスされる走査線3の駆動タイ
ミングがチェックされる。ステップS8では、このチェ
ック結果から特定走査線3相互の短絡が検出されたか判
定される。この短絡が検出されなければ、ステップS9
で、全ての信号線4に特定の電位を印加した状態で走査
線ドライバ8が駆動され、走査線検査部70および30
でセンスされる走査線3の駆動波形がチェックされる。
ステップS10では、このチェック結果から特定走査線
3および信号線4の短絡が検出されたか判定される。
The defect inspection of the array substrate of the fifth embodiment is carried out as shown in FIGS. 8 and 9, for example. Step S
Steps 1 to S12 are performed to address the defects associated with scan line 3. Therefore, first, all the signal lines 4 are set in an electrically floating state and the scanning line driver 8 is driven. In step S1, the potential of the scanning line 3 sensed by the scanning line inspection unit 70 is checked. When it is detected in step S2 that the potential of the scanning line 3 is abnormal,
The potential of the scanning line 3 sensed by the scanning line inspection unit 30 is checked in step S3. In step S4, it is determined whether the disconnection of the specific scanning line 3 is detected from the check result. If no disconnection is detected, the potential of the scanning line 3 sensed by the driver inspection unit 60 is checked in step S5. In step S6, it is determined whether a malfunction of the scanning line driver 8 has been detected based on the check result. If this malfunction is not detected, the drive timing of the scan line 3 sensed by the scan line inspection units 70 and 30 is checked in step S7. In step S8, it is determined from the check result whether or not a short circuit between the specific scanning lines 3 has been detected. If this short circuit is not detected, step S9
Then, the scanning line driver 8 is driven with a specific potential applied to all the signal lines 4, and the scanning line inspection units 70 and 30 are driven.
The drive waveform of the scanning line 3 sensed at is checked.
In step S10, it is determined whether a short circuit between the specific scanning line 3 and the signal line 4 has been detected from the check result.

【0057】ステップS4で特定走査線3の断線が検出
された場合、ステップS6で走査線ドライバ8の誤動作
が検出された場合、ステップS8で特定走査線3相互の
短絡が検出された場合、並びにステップS10で特定走
査線3および信号線4の短絡が検出された場合には、ス
テップS11でリペア作業が可能か実際に観察して判定
される。もし可能であれば、ステップS12で、リペア
作業が行われる。
When a disconnection of the specific scanning line 3 is detected in step S4, a malfunction of the scanning line driver 8 is detected in step S6, a short circuit between the specific scanning lines 3 is detected in step S8, and If a short circuit between the specific scan line 3 and the signal line 4 is detected in step S10, it is determined in step S11 by actually observing whether repair work is possible. If possible, repair work is performed in step S12.

【0058】また、ステップS2で異常がない場合、ス
テップS10で特定走査線3および信号線4の短絡が検
出されない場合、さらにステップS12でリペア作業が
行われた場合には、ステップS13が実行される。
If there is no abnormality in step S2, if a short circuit between the specific scanning line 3 and the signal line 4 is not detected in step S10, and if repair work is performed in step S12, step S13 is executed. It

【0059】ステップS13からS22は信号線4に関
する欠陥に対処するために実行される。このため、全て
の走査線3を電気的なフローティング状態に設定して信
号線線ドライバ9が駆動される。ステップS13では、
信号線検査部90でセンスされる信号線4の電位がチェ
ックされる。信号線4の電位に異常があることがステッ
プS14で検出されると、信号線検査部50でセンスさ
れる信号線4の電位がステップS15でチェックされ
る。ステップS16では、このチェック結果から特定信
号線4の断線が検出されたか判定される。断線が検出さ
れなければ、ステップS17でドライバ検査部80でセ
ンスされる信号線4の電位がチェックされる。ステップ
S18では、このチェック結果から信号線ドライバ9の
誤動作が検出されたか判定される。この誤動作が検出さ
れなければ、ステップS19で信号線検査部90および
50でセンスされる信号線4の駆動タイミングがチェッ
クされる。ステップS20では、このチェック結果から
特定信号線4相互の短絡が検出されたか判定される。
Steps S13 to S22 are executed in order to deal with the defect relating to the signal line 4. Therefore, the signal line driver 9 is driven with all the scanning lines 3 set in an electrically floating state. In step S13,
The potential of the signal line 4 sensed by the signal line inspection unit 90 is checked. When it is detected in step S14 that the potential of the signal line 4 is abnormal, the potential of the signal line 4 sensed by the signal line inspection unit 50 is checked in step S15. In step S16, it is determined whether the disconnection of the specific signal line 4 is detected from the check result. If no disconnection is detected, the potential of the signal line 4 sensed by the driver inspection unit 80 is checked in step S17. In step S18, it is determined from the check result whether a malfunction of the signal line driver 9 has been detected. If this malfunction is not detected, the drive timing of the signal line 4 sensed by the signal line inspection units 90 and 50 is checked in step S19. In step S20, it is determined from the check result whether a short circuit between the specific signal lines 4 has been detected.

【0060】ステップS16で特定信号線4の断線が検
出された場合、ステップS18で信号線ドライバ9の誤
動作が検出された場合、並びにステップS20で特定信
号線4相互の短絡が検出された場合には、ステップS2
1でリペア作業が可能か実際に観察して判定される。も
し可能であれば、ステップS22で、リペア作業が行わ
れる。
When the disconnection of the specific signal line 4 is detected in step S16, the malfunction of the signal line driver 9 is detected in step S18, and the short circuit between the specific signal lines 4 is detected in step S20. Is step S2
It is judged by actually observing whether repair work is possible in 1. If possible, repair work is performed in step S22.

【0061】ステップS11またはS21でリペア作業
が不可能である場合、ステップS14で異常がない場
合、ステップS20で特定信号線4相互の短絡が検出さ
れない場合、さらにステップS22でリペア作業が行わ
れた場合には、ステップS23で総合評価が行われる。
この総合評価において、欠陥の検出されないかあるいは
欠陥についてリペアされたアレイ基板は欠陥の無い製品
とみなされる。欠陥のある検査用薄膜トランジスタは、
リペア処理により各配線から切り離される。アレイ基板
がリペア不能な欠陥を持つ場合、この基板は廃棄され
る。
If the repair work is impossible in step S11 or S21, there is no abnormality in step S14, a short circuit between the specific signal lines 4 is not detected in step S20, and the repair work is performed in step S22. In this case, comprehensive evaluation is performed in step S23.
In this comprehensive evaluation, the array substrate in which no defect is detected or the defect is repaired is regarded as a product having no defect. The defective inspection thin film transistor is
It is separated from each wiring by the repair process. If the array substrate has a non-repairable defect, the substrate is discarded.

【0062】尚、信号線4に関する欠陥を検出する際に
は、信号線ドライバ9からの出力電圧が検査用薄膜トラ
ンジスタを駆動するために十分なレベルに設定される。
欠陥検査は違ったシーケンスで行なうこともできる。例
えばこのシーケンスは信号線4上の欠陥を検出するステ
ップから開始しても構わない。また、リペア作業は総合
評価の後で行っても良い。ただし、このリペア作業はそ
の信頼性を向上するためにアレイ基板の製造中に行うべ
きである。容易にリペアできないような欠陥アレイ基板
については、歩留りおよび製造コスト等を考慮したあと
リペア作業を行わずにこの基板を廃棄しても構わない。
When detecting a defect relating to the signal line 4, the output voltage from the signal line driver 9 is set to a level sufficient to drive the inspection thin film transistor.
Defect inspection can also be performed in a different sequence. For example, this sequence may start with the step of detecting a defect on the signal line 4. The repair work may be performed after the comprehensive evaluation. However, this repair work should be performed during the manufacture of the array substrate to improve its reliability. For a defective array substrate that cannot be easily repaired, the substrate may be discarded without performing the repair work after considering the yield and the manufacturing cost.

【0063】ここで、第1実施形態から第5実施形態の
特徴的構成について補足する。上述のアレイ基板100
では、例えばn個の検査用薄膜トランジスタ35のゲー
トがn本の走査線3のような1セットの画素配線にそれ
ぞれ接続され、さらに検査電位パッド31、モニタパッ
ド32、抵抗素子33、検査配線34、接地パッドGN
Dを含む検査配線部がゲート電位に応じた動作状態を検
出するためこれら検査用薄膜トランジスタ35のソース
・ドレインパスに接続される。アレイ基板100の検査
時、走査信号のような電圧が各走査線3を介してスイッ
チング素子となる薄膜トランジスタ5に供給される。例
えば断線、短絡、素子破壊のような欠陥がこの走査線3
またはこの走査線3に接続されたスイッチング素子であ
る薄膜トランジスタ5に存在する場合、この走査線3の
電位はこの欠陥の種類に依存して変化する。このため、
検査用薄膜トランジスタ35はこの走査線3の電位をセ
ンスするように動作する。具体的には、検査用薄膜トラ
ンジスタの導電性または電気抵抗がこの走査線3の電位
によって制御され、欠陥の種類を反映する値に設定され
る。従って、検査配線部を用いて検査用薄膜トランジス
タ35に電流を流し、これら検査用薄膜トランジスタ3
5での電圧降下を計測することにより上述のような欠陥
の情報を得ることができる。さらに1セットの全走査線
3について順次欠陥情報に収集することで、欠陥がこれ
ら走査線3のうちのどれに存在するかを特定することが
できる。
Here, the characteristic configurations of the first to fifth embodiments will be supplemented. Array substrate 100 described above
Then, for example, the gates of the n inspection thin film transistors 35 are respectively connected to one set of pixel wirings such as the n scanning lines 3, and further the inspection potential pad 31, the monitor pad 32, the resistance element 33, the inspection wiring 34, Ground pad GN
The inspection wiring portion including D is connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors 35 in order to detect the operating state according to the gate potential. When the array substrate 100 is inspected, a voltage such as a scanning signal is supplied to the thin film transistor 5 serving as a switching element via each scanning line 3. For example, a defect such as a disconnection, a short circuit, or a device destruction is caused by the scanning line 3
Alternatively, when it exists in the thin film transistor 5 which is a switching element connected to the scanning line 3, the potential of the scanning line 3 changes depending on the kind of the defect. For this reason,
The inspection thin film transistor 35 operates so as to sense the potential of the scanning line 3. Specifically, the conductivity or electric resistance of the inspection thin film transistor is controlled by the potential of the scanning line 3 and set to a value that reflects the type of defect. Therefore, a current is passed through the inspection thin film transistor 35 by using the inspection wiring portion, and these inspection thin film transistors 3 are
By measuring the voltage drop at 5, the defect information as described above can be obtained. Further, by collecting the defect information sequentially for one set of all the scan lines 3, it is possible to specify in which of the scan lines 3 the defect exists.

【0064】さらに、検査配線部は各走査線3から対応
検査用薄膜トランジスタ35のゲート絶縁膜により電気
的に絶縁される。この構造は1個の検査用薄膜トランジ
スタ35のゲートおよびソース・ドレインパスがゲート
絶縁膜不良等の欠陥によって電気的に接続したためにこ
の検査用薄膜トランジスタ35のゲートに接続された走
査線3が他の走査線3に短絡するという従来の問題を回
避できる。また、この構造は、レーザビームで欠陥トラ
ンジスタ35のゲートを切り離すことによってこれに接
続された走査線3を使用可能に修復できる。
Further, the inspection wiring portion is electrically insulated from each scanning line 3 by the gate insulating film of the corresponding inspection thin film transistor 35. In this structure, since the gate and the source / drain path of one inspection thin film transistor 35 are electrically connected by a defect such as a defective gate insulating film, the scanning line 3 connected to the gate of this inspection thin film transistor 35 is used for another scan. The conventional problem of shorting to line 3 can be avoided. This structure can also be used to repair the scan line 3 connected to it by cutting off the gate of the defective transistor 35 with a laser beam.

【0065】また、n個の検査用薄膜トランジスタ35
のソース・ドレインパスを検査配線34を用いて並列に
接続すれば、アレイ基板100の配線構造が信頼性のあ
る欠陥検査を可能にするために著しく複雑化することを
防止できる。さらに、スイッチング素子が薄膜トランジ
スタ5で構成されるため、これらを検査用薄膜トランジ
スタ35と共通の工程で同時に形成することもできる。
これは、検査用薄膜トランジスタ35を形成するために
独立した工程を必要としないということを意味する。
Further, n inspection thin film transistors 35 are provided.
By connecting the source / drain paths in parallel by using the inspection wiring 34, it is possible to prevent the wiring structure of the array substrate 100 from being extremely complicated in order to enable reliable defect inspection. Further, since the switching element is composed of the thin film transistor 5, these can be formed simultaneously with the inspection thin film transistor 35 in the same process.
This means that no separate process is required to form the inspection thin film transistor 35.

【0066】このように本発明によれば、大幅な回路コ
ンポーネンツの変更や複雑な配線構造を必要とせずに画
素配線またはスイッチング素子に存在する欠陥を確実に
検査することができる。これら欠陥検査はほぼ独立に行
えるため、欠陥の所在を特定することが容易である。さ
らに、検査補助回路に含まれる検査用薄膜トランジスタ
の欠陥については、これを修復してアレイ基板の歩留り
の低下を防止することもできる。
As described above, according to the present invention, it is possible to reliably inspect defects existing in pixel wirings or switching elements without requiring a drastic change in circuit components or a complicated wiring structure. Since these defect inspections can be performed almost independently, it is easy to specify the location of the defect. Further, with respect to the defect of the inspection thin film transistor included in the inspection auxiliary circuit, it can be repaired to prevent the decrease in the yield of the array substrate.

【0067】また、アレイ基板の製造後あるいはアレイ
基板の主要回路コンポーネンツの形成後に検査補助回路
を用いて欠陥検査が可能である。この欠陥検査は対向基
板の製造工程およびアレイ基板および対向基板を液晶層
と一体化する貼合せ工程に関係なく行なうことができ
る。当然、液晶表示装置が完成した後に欠陥検査を行な
う必要もない。従って、欠陥の無い対向基板および液晶
層がアレイ基板内に発生した欠陥のために廃棄される必
要がなくなり、液晶表示装置全体の歩留りを向上させる
ことができる。上述のように液晶表示装置の製造プロセ
スにおいて早期に電気回路的な欠陥を発見できること
は、歩留りの向上に伴う製造コストの低減だけでなく液
晶表示装置の信頼性を維持するためもに好ましい。
Further, after the array substrate is manufactured or after the main circuit components of the array substrate are formed, a defect inspection can be performed by using the inspection auxiliary circuit. This defect inspection can be performed regardless of the manufacturing process of the counter substrate and the bonding process of integrating the array substrate and the counter substrate with the liquid crystal layer. Of course, it is not necessary to perform a defect inspection after the liquid crystal display device is completed. Therefore, it is not necessary to discard the defect-free counter substrate and the liquid crystal layer due to the defects generated in the array substrate, and it is possible to improve the yield of the entire liquid crystal display device. As described above, it is preferable to be able to detect electrical circuit defects early in the manufacturing process of the liquid crystal display device, in order to maintain the reliability of the liquid crystal display device as well as to reduce the manufacturing cost accompanying the improvement in yield.

【0068】尚、本発明は上述の第1から第5実施形態
に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形
することができる。各実施形態の液晶表示装置では、走
査線ドライバ8および信号線ドライバ9がアレイ基板に
おいて表示領域SRの一方側に設けられた。しかし、本
発明は走査線方向において表示領域SRの両側に第1お
よび第2走査線ドライバを設け、奇数走査線および偶数
走査線をそれぞれ独立に駆動する構造のアレイ基板にも
適用できる。また、信号線方向において表示領域SRの
両側に第1および第2信号線ドライバを設け、奇数信号
線および偶数信号線をそれぞれ独立に駆動する構造のア
レイ基板にも適用できる。これらの場合には、上述の検
査用TFTについても第1および第2走査線ドライバあ
るいは第1および第2信号線ドライバの配置に対応して
対称的に配置される。
The present invention is not limited to the above-described first to fifth embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. In the liquid crystal display device of each embodiment, the scanning line driver 8 and the signal line driver 9 are provided on one side of the display region SR on the array substrate. However, the present invention can also be applied to an array substrate having a structure in which the first and second scanning line drivers are provided on both sides of the display region SR in the scanning line direction and the odd scanning lines and the even scanning lines are independently driven. Further, the present invention can be applied to an array substrate having a structure in which first and second signal line drivers are provided on both sides of the display region SR in the signal line direction and the odd signal line and the even signal line are driven independently. In these cases, the above-mentioned inspection TFTs are also symmetrically arranged corresponding to the arrangement of the first and second scanning line drivers or the first and second signal line drivers.

【0069】また、各実施形態の検査用TFTの位置は
検査の容易さあるいは他のコンポーネントの位置等を考
慮してアレイ基板100上で変更可能である。例えば図
3に示す検査用TFT35および55はそれぞれ走査線
ドライバ8および表示領域SR間、信号線ドライバ9お
よび表示領域SR間に配置されることに限定されない。
もし、表示領域SRに空きスペースがあれば、これらを
このスペースに配置することもできる。また、走査線3
および信号線4をさらに走査線ドライバ8および信号線
ドライバ9を横切って伸びるように形成すれば、検査用
トランジスタ35Dおよび55Dをこれら走査線ドライ
バ8および信号線ドライバ9の外側に配置してこれらの
ゲートを走査線3および信号線4に接続することもでき
る。
Further, the position of the inspection TFT of each embodiment can be changed on the array substrate 100 in consideration of the ease of inspection or the positions of other components. For example, the inspection TFTs 35 and 55 shown in FIG. 3 are not limited to be arranged between the scanning line driver 8 and the display region SR and between the signal line driver 9 and the display region SR, respectively.
If the display area SR has an empty space, these can be arranged in this space. Also, scan line 3
If the signal line 4 and the signal line 4 are formed so as to extend further across the scanning line driver 8 and the signal line driver 9, the inspection transistors 35D and 55D are arranged outside the scanning line driver 8 and the signal line driver 9, respectively. The gate may be connected to the scan line 3 and the signal line 4.

【0070】上述の各実施形態では、接地パッドGND
が0Vの基準電位に設定され、検査用TFT35、35
D、35E、55、55D、および55Eの各々のソー
ス・ドレインパスに接続される。この基準電位は0Vに
限定されず、モニタパッド32、32D、32E、5
2、52D、および52Eの電位との関係で検査用TF
Tを導通させることが可能な範囲で変更することができ
る。従って、特定波形の検査電圧を欠陥検査時にモニタ
パッド32、32D、32E、52、52D、および5
2Eと接地パッドGND間に印加してもよい。
In the above embodiments, the ground pad GND is used.
Is set to a reference potential of 0V, and the inspection TFTs 35, 35
D, 35E, 55, 55D, and 55E are connected to their respective source / drain paths. This reference potential is not limited to 0V, but monitor pads 32, 32D, 32E, 5
TF for inspection in relation to the potentials of 2, 52D, and 52E
It can be changed within a range in which T can be conducted. Therefore, the inspection voltage of the specific waveform is applied to the monitor pads 32, 32D, 32E, 52, 52D, and 5 during the defect inspection.
It may be applied between 2E and the ground pad GND.

【0071】さらに抵抗素子33、33D、33E、5
5、55D、および55Eは、ON抵抗またはOFF抵
抗等を電気抵抗RxとするTFTで構成することもでき
る。また、これら抵抗素子はパッド数を低減するために
液晶表示装置の外部に設けられてもよい。
Further, the resistance elements 33, 33D, 33E, 5
5, 55D, and 55E can also be configured by TFTs having an ON resistance, an OFF resistance, or the like as the electric resistance Rx. Further, these resistance elements may be provided outside the liquid crystal display device in order to reduce the number of pads.

【0072】また、例えばゲート絶縁不良がアレイ基板
100に形成された検査用TFT35、35D、35
E、55、55D、または55Eに存在することが欠陥
検査で発見された場合、ゲート絶縁不良の検査用TFT
のソース・ドレインパスを電気的にフローティング状態
にするかレーザトリミング装置でこの検査用TFTのゲ
ートを走査線3または信号線4から切り離すことでこの
欠陥の影響をなくすことができる。こうして修復された
アレイ基板100を用いて液晶表示装置を完成させた場
合、液晶表示装置は正常に表示動作を行なう製品とな
る。
Further, for example, the inspection TFTs 35, 35D, 35 having a gate insulation defect formed on the array substrate 100.
E, 55, 55D, or 55E, if a defect inspection finds that there is a gate insulation defect inspection TFT
The influence of this defect can be eliminated by electrically floating the source / drain path of 1) or by separating the gate of the inspection TFT from the scanning line 3 or the signal line 4 by a laser trimming device. When a liquid crystal display device is completed by using the array substrate 100 restored in this way, the liquid crystal display device becomes a product that performs a normal display operation.

【0073】本発明は図10に示すデコーダ方式の走査
線ドライバ8Dに応用することもできる。この走査線ド
ライバ8Dは、液晶コントローラから供給されバイナリ
オーダで変化する数値信号をデコードすることによりn
本の走査線3を順次選択的に駆動する。特に、数値信号
は欠陥検査のために駆動すべき走査線を直接的に指定す
るため、走査線を指定するためにシフト動作を繰り返す
シフトレジスタを用いる場合よりも容易に走査線を選択
できる。
The present invention can also be applied to the decoder type scanning line driver 8D shown in FIG. The scanning line driver 8D decodes a numerical signal supplied from the liquid crystal controller and changing in a binary order to obtain n.
The scanning lines 3 of the book are sequentially and selectively driven. In particular, since the numerical signal directly specifies the scan line to be driven for defect inspection, the scan line can be selected more easily than in the case of using a shift register that repeats the shift operation to specify the scan line.

【0074】本発明は図11に示すアナログスイッチ方
式の信号線ドライバ9Dに応用することもできる。この
場合、検査用薄膜トランジスタ55Dはアナログスイッ
チに図11に示すように接続される。
The present invention can also be applied to the analog switch type signal line driver 9D shown in FIG. In this case, the inspection thin film transistor 55D is connected to the analog switch as shown in FIG.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、構造を著
しく複雑化することなく欠陥の部位を正確に特定する検
査を可能にする液晶表示装置のアレイ基板を提供するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an array substrate of a liquid crystal display device which enables an inspection for accurately specifying a defective portion without significantly complicating the structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の平
面構造を概略的に示す図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a planar structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す液晶表示装置の断面構造を概略的に
示す図である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】図1に示すアレイ基板上に形成される回路を詳
細に示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing in detail a circuit formed on the array substrate shown in FIG.

【図4】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置のア
レイ基板上に形成される回路を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit formed on an array substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置のア
レイ基板上に形成される回路を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit formed on an array substrate of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4実施形態に係る液晶表示装置のア
レイ基板上に形成される回路を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit formed on an array substrate of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5実施形態に係る液晶表示装置のア
レイ基板上に形成される回路を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a circuit formed on an array substrate of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】図7に示すアレイ基板の欠陥検査を説明するた
めのフローチャートである。
8 is a flow chart for explaining a defect inspection of the array substrate shown in FIG.

【図9】図7に示すアレイ基板の欠陥検査を説明するた
めのフローチャートである。
9 is a flowchart for explaining a defect inspection of the array substrate shown in FIG.

【図10】本発明をデコーダ方式の走査線ドライバに応
用した例を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an example in which the present invention is applied to a scanning line driver of a decoder system.

【図11】本発明をアナログスイッチ方式の信号線ドラ
イバに応用した例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example in which the present invention is applied to an analog switch type signal line driver.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…画素電極 3…走査線 4…信号線 5…スイッチング素子 30…検査補助回路 31…検査電位パッド 32…モニタパッド 33…抵抗素子 34…検査配線部 35…検査用薄膜トランジスタ GND…接地パッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel electrode 3 ... Scan line 4 ... Signal line 5 ... Switching element 30 ... Inspection auxiliary circuit 31 ... Inspection potential pad 32 ... Monitor pad 33 ... Resistor element 34 ... Inspection wiring part 35 ... Inspection thin film transistor GND ... Ground pad

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上におい
てマトリクス状に配列される複数の画素電極と、この絶
縁性基板上において複数の画素電極の行に沿って形成さ
れる1セットの第1画素配線と、この絶縁性基板上にお
いて複数の画素電極の列に沿って形成される1セットの
第2画素配線と、これら第1および第2画素配線の交差
点に隣接してそれぞれ絶縁性基板上に形成され、各々対
応第1画素配線からの走査信号に応答して対応第2画素
配線からの映像信号を対応画素電極に供給する複数のス
イッチング素子と、少なくとも1セットの第1および第
2画素配線の電位をセンスする検査補助回路とを備え、
前記検査補助回路はゲートが1セットの画素配線にそれ
ぞれ接続される複数の検査用薄膜トランジスタと、ゲー
ト電位に応じた動作状態を検出するためにこれら検査用
薄膜トランジスタのソース・ドレインパスに接続される
検査配線部とで構成される第1検査部を有し、前記検査
配線部は前記複数の検査用薄膜トランジスタのソース・
ドレインパスが相互間において並列的に接続される第1
および第2検査パッドと、検査電圧が前記第1検査パッ
ドを基準にして印加される第3検査パッドと、前記第2
および第3検査パッド間に接続され前記複数の検査用薄
膜トランジスタの電気抵抗と協力して検査電圧を分圧す
る抵抗素子とを含むことを特徴とする液晶表示装置のア
レイ基板。
1. An insulating substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the insulating substrate, and a set of first electrodes formed along a row of the plurality of pixel electrodes on the insulating substrate. One pixel wiring, a set of second pixel wirings formed along a column of a plurality of pixel electrodes on the insulating substrate, and an insulating substrate adjacent to intersections of the first and second pixel wirings. A plurality of switching elements formed on the switching element for supplying the video signal from the corresponding second pixel wiring to the corresponding pixel electrode in response to the scanning signal from the corresponding first pixel wiring; and at least one set of first and second switching elements. An inspection auxiliary circuit for sensing the potential of the pixel wiring is provided,
The inspection auxiliary circuit has a plurality of inspection thin film transistors whose gates are respectively connected to one set of pixel wirings, and an inspection connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting the operating state according to the gate potential. A first inspection unit including a wiring portion, and the inspection wiring portion is a source / source of the plurality of thin film transistors for inspection.
First drain paths are connected in parallel with each other
A second test pad, a third test pad to which a test voltage is applied with reference to the first test pad, and a second test pad
And a resistance element connected between the third inspection pads to divide the inspection voltage in cooperation with the electric resistances of the plurality of inspection thin film transistors, the array substrate of the liquid crystal display device.
【請求項2】 前記第2検査パッドは前記複数の検査用
薄膜トランジスタに沿って形成される共通の検査配線を
介してこれら検査用薄膜トランジスタのソース・ドレイ
ンパスに接続されることを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置のアレイ基板。
2. The second inspection pad is connected to source / drain paths of the inspection thin film transistors through a common inspection wiring formed along the plurality of inspection thin film transistors. An array substrate of the liquid crystal display device according to item 1.
【請求項3】 前記アレイ基板は走査信号を前記第1画
素配線に供給する第1ドライバと、映像信号を前記第2
画素配線に供給する第2ドライバとをさらに備えること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置のアレイ基
板。
3. The array substrate includes a first driver for supplying a scanning signal to the first pixel wiring and a second driver for supplying a video signal.
The array substrate of the liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a second driver that supplies the pixel wiring.
【請求項4】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記1セットの第1画素配線にそれぞれ接
続されることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装
置のアレイ基板。
4. The array substrate of the liquid crystal display device according to claim 3, wherein gates of the inspection thin film transistors of the first inspection unit are connected to the one set of first pixel wirings, respectively.
【請求項5】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記1セットの第1画素配線に複数のバッ
ファ回路を介してそれぞれ接続されることを特徴とする
請求項4に記載の液晶表示装置のアレイ基板。
5. The liquid crystal display according to claim 4, wherein the gates of the inspection thin film transistors of the first inspection unit are connected to the one set of first pixel wirings through a plurality of buffer circuits, respectively. Array board for the device.
【請求項6】 前記第1ドライバは前記1セットの第1
画素配線に出力端がそれぞれ接続される複数のバッファ
回路を含み、前記検査補助回路はゲートがこれら複数の
バッファ回路の入力端にそれぞれ接続される複数の検査
用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態を
検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソース
・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成される
第2検査部をさらに有することを特徴とする請求項4に
記載の液晶表示装置のアレイ基板。
6. The first driver is the first set of the first driver.
The inspection auxiliary circuit includes a plurality of buffer circuits each having an output terminal connected to the pixel wiring, and the inspection auxiliary circuit has a plurality of inspection thin film transistors each having a gate connected to an input terminal of each of the plurality of buffer circuits, and operates according to a gate potential. 5. The array of the liquid crystal display device according to claim 4, further comprising a second inspection section including an inspection wiring section connected to the source / drain paths of the inspection thin film transistors for detecting the state. substrate.
【請求項7】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側領
域において前記1セットの第1画素配線の端部にそれぞ
れ接続され、前記検査補助回路はゲートが前記画素電極
のマトリクスアレイの外側領域において前記1セットの
第1画素配線の他端部にそれぞれ接続される複数の検査
用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態を
検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソース
・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成される
第3検査部をさらに有することを特徴とする請求項6に
記載の液晶表示装置のアレイ基板。
7. The gate of the inspection thin film transistor of the first inspection unit is connected to an end of each of the one set of first pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and the inspection auxiliary circuit has a gate. A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other end of the one set of first pixel wirings in an area outside the matrix array of the pixel electrodes, and these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to a gate potential. 7. The array substrate of the liquid crystal display device according to claim 6, further comprising a third inspection section including an inspection wiring section connected to the source / drain path of the.
【請求項8】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側領
域において前記1セットの第1画素配線の端部にそれぞ
れ接続され、前記検査補助回路はゲートが前記画素電極
のマトリクスアレイの外側領域において前記1セットの
第1画素配線の他端部にそれぞれ接続される複数の検査
用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態を
検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソース
・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成される
第2検査部をさらに有することを特徴とする請求項4に
記載の液晶表示装置のアレイ基板。
8. The gate of the inspection thin film transistor of the first inspection unit is connected to an end of the one set of first pixel wirings in an outer region of the matrix array of pixel electrodes, and the inspection auxiliary circuit has a gate. A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other end of the one set of the first pixel wirings in an area outside the matrix array of the pixel electrodes, and these inspection thin film transistors for detecting an operation state according to a gate potential. 5. The array substrate of the liquid crystal display device according to claim 4, further comprising a second inspection section including an inspection wiring section connected to the source / drain path of the.
【請求項9】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記1セットの第2画素配線にそれぞれ接
続されることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装
置のアレイ基板。
9. The array substrate of the liquid crystal display device according to claim 3, wherein gates of the inspection thin film transistors of the first inspection unit are connected to the one set of second pixel wirings, respectively.
【請求項10】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジ
スタのゲートは前記1セットの第2画素配線に複数のバ
ッファ回路を介してそれぞれ接続されることを特徴とす
る請求項9に記載の液晶表示装置のアレイ基板。
10. The liquid crystal display according to claim 9, wherein a gate of the thin film transistor for inspection of the first inspection unit is connected to the one set of second pixel wirings via a plurality of buffer circuits, respectively. Array board for the device.
【請求項11】 前記第2ドライバは前記1セットの第
2画素配線に出力端がそれぞれ接続される複数のバッフ
ァ回路を含み、前記検査補助回路はゲートがこれら複数
のバッファ回路の入力端にそれぞれ接続される複数の検
査用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態
を検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成され
る第2検査部をさらに有することを特徴とする請求項9
に記載の液晶表示装置のアレイ基板。
11. The second driver includes a plurality of buffer circuits each having an output end connected to the one set of second pixel wirings, and the inspection auxiliary circuit has a gate at each input end of the plurality of buffer circuits. The second inspection unit further includes a plurality of inspection thin film transistors connected to each other, and an inspection wiring unit connected to the source / drain paths of the inspection thin film transistors to detect an operating state according to the gate potential. 10. The method according to claim 9, wherein
An array substrate of the liquid crystal display device described in 1.
【請求項12】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジ
スタのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側
領域において前記1セットの第2画素配線の端部にそれ
ぞれ接続され、前記検査補助回路はゲートが前記画素電
極のマトリクスアレイの外側領域において前記1セット
の第2画素配線の他端部にそれぞれ接続される複数の検
査用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態
を検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成され
る第3検査部をさらに有することを特徴とする請求項1
1に記載の液晶表示装置のアレイ基板。
12. The gate of the inspection thin film transistor of the first inspection unit is connected to an end of the one set of second pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and the inspection auxiliary circuit has a gate. A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other end of the one set of second pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to a gate potential. 3. A third inspection section further comprising an inspection wiring section connected to the source / drain paths of the above.
An array substrate of the liquid crystal display device according to item 1.
【請求項13】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジ
スタのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側
領域において前記1セットの第2画素配線の端部にそれ
ぞれ接続され、前記検査補助回路はゲートが前記画素電
極のマトリクスアレイの外側領域において前記1セット
の第2画素配線の他端部にそれぞれ接続される複数の検
査用薄膜トランジスタと、ゲート電位に応じた動作状態
を検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成され
る第2検査部をさらに有することを特徴とする請求項9
に記載の液晶表示装置のアレイ基板。
13. The gate of the inspection thin film transistor of the first inspection unit is connected to an end of the one set of second pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and the inspection auxiliary circuit has a gate. A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other end of the one set of second pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to a gate potential. 10. A second inspection section further comprising an inspection wiring section connected to the source / drain path of the above.
An array substrate of the liquid crystal display device described in 1.
【請求項14】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上にお
いてマトリクス状に配列される複数の画素電極と、この
絶縁性基板上において複数の画素電極の行に沿って形成
される1セットの第1画素配線と、この絶縁性基板上に
おいて複数の画素電極の列に沿って形成される1セット
の第2画素配線と、これら第1および第2画素配線の交
差点に隣接してそれぞれ絶縁性基板上に形成され、各々
対応第1画素配線からの走査信号に応答して対応第2画
素配線からの映像信号を対応画素電極に供給する複数の
スイッチング素子と、少なくとも1セットの第1および
第2画素配線の電位をセンスする検査補助回路とを備
え、各セットの第1および第2画素配線はそれぞれ複数
のバッファ回路を介してそれぞれ走査信号および映像信
号を受け取るよう接続され、前記検査補助回路はゲート
がそれぞれこれら複数のバッファ回路の入力端にそれぞ
れ接続される複数の検査用薄膜トランジスタと、ゲート
電位に応じた動作状態を検出するためにこれら検査用薄
膜トランジスタのソース・ドレインパスに接続される検
査配線部とで構成される第1検査部を有することを特徴
とする液晶表示装置のアレイ基板。
14. An insulating substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the insulating substrate, and a set of first electrodes formed on the insulating substrate along a row of the plurality of pixel electrodes. One pixel wiring, a set of second pixel wirings formed along a column of a plurality of pixel electrodes on the insulating substrate, and an insulating substrate adjacent to intersections of the first and second pixel wirings. A plurality of switching elements formed on the switching element for supplying the video signal from the corresponding second pixel wiring to the corresponding pixel electrode in response to the scanning signal from the corresponding first pixel wiring; and at least one set of first and second switching elements. An inspection auxiliary circuit for sensing the potential of the pixel wiring, and the first and second pixel wirings of each set are connected so as to receive a scanning signal and a video signal via a plurality of buffer circuits, respectively. The inspection auxiliary circuit has a plurality of inspection thin film transistors whose gates are respectively connected to the input ends of the plurality of buffer circuits, and source / drain of these inspection thin film transistors for detecting the operating state according to the gate potential. An array substrate of a liquid crystal display device, comprising: a first inspection section including an inspection wiring section connected to a path.
【請求項15】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上にお
いてマトリクス状に配列される複数の画素電極と、この
絶縁性基板上において複数の画素電極の行に沿って形成
される1セットの第1画素配線と、この絶縁性基板上に
おいて複数の画素電極の列に沿って形成される1セット
の第2画素配線と、これら第1および第2画素配線の交
差点に隣接してそれぞれ絶縁性基板上に形成され、各々
対応第1画素配線からの走査信号に応答して対応第2画
素配線からの映像信号を対応画素電極に供給する複数の
スイッチング素子と、前記1セットの第2画素配線に映
像信号を供給する第2ドライバと、前記1セットの第1
画素配線に走査信号を供給する第1ドライバと、第1お
よび第2画素配線の電位をセンスする検査補助回路とを
含むアレイ基板と、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に
形成される対向電極を含む対向基板と、これらアレイ基
板および対向基板間に保持される液晶層とを備え、前記
検査補助回路はゲートが前記1セットの第1画素配線に
それぞれ接続される複数の検査用薄膜トランジスタ、並
びにゲート電位に応じた動作状態を検出するためにこれ
ら検査用薄膜トランジスタのソース・ドレインパスに接
続される検査配線部で構成される第1検査部と、ゲート
が前記1セットの第2画素配線にそれぞれ接続される複
数の検査用薄膜トランジスタ、並びにゲート電位に応じ
た動作状態を検出するためにこれら検査用薄膜トランジ
スタのソース・ドレインパスに接続される検査配線部と
で構成される第2検査部とを備え、前記第1および第2
検査部の各々の検査配線部が前記複数の検査用薄膜トラ
ンジスタのソース・ドレインパスが相互間において並列
的に接続される第1および第2検査パッドと、検査電圧
が前記第1検査パッドを基準にして印加される第3検査
パッドと、前記第2および第3検査パッド間に接続され
前記複数の検査用薄膜トランジスタの電気抵抗と協力し
て検査電圧を分圧する抵抗素子とを含むことを特徴とす
る液晶表示装置。
15. An insulating substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the insulating substrate, and a set of first pixel electrodes formed on the insulating substrate along a row of the plurality of pixel electrodes. One pixel wiring, a set of second pixel wirings formed along a column of a plurality of pixel electrodes on the insulating substrate, and an insulating substrate adjacent to intersections of the first and second pixel wirings. A plurality of switching elements which are formed on the switching element and which supply the video signal from the corresponding second pixel wiring to the corresponding pixel electrode in response to the scanning signal from the corresponding first pixel wiring; A second driver for supplying a video signal, and the first set of the first driver
An array substrate including a first driver that supplies a scanning signal to the pixel wiring, an inspection auxiliary circuit that senses the potentials of the first and second pixel wirings, an insulating substrate, and a counter formed on the insulating substrate. A counter substrate including electrodes and a liquid crystal layer held between the array substrate and the counter substrate, and the inspection auxiliary circuit has a plurality of inspection thin film transistors whose gates are connected to the one set of first pixel wirings, respectively. In addition, a first inspection unit including an inspection wiring unit connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to the gate potential, and a gate for the set of second pixel wirings. In order to detect a plurality of test thin film transistors connected to each other and the operating state according to the gate potential, the source / drain of these test thin film transistors is detected. And a second inspection unit composed of the inspection line section connected to in path, the first and second
Each inspection wiring portion of the inspection portion has first and second inspection pads in which source / drain paths of the plurality of inspection thin film transistors are connected in parallel with each other, and an inspection voltage is based on the first inspection pad. And a resistance element connected between the second and third test pads to divide the test voltage in cooperation with electric resistances of the plurality of test thin film transistors. Liquid crystal display device.
【請求項16】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上にお
いてマトリクス状に配列される複数の画素電極と、この
絶縁性基板上において複数の画素電極の行に沿って形成
される1セットの第1画素配線と、この絶縁性基板上に
おいて複数の画素電極の列に沿って形成される1セット
の第2画素配線と、これら第1および第2画素配線の交
差点に隣接してそれぞれ絶縁性基板上に形成され、各々
対応第1画素配線からの走査信号に応答して対応第2画
素配線からの映像信号を対応画素電極に供給する複数の
スイッチング素子と、前記1セットの第2画素配線に映
像信号を供給する第2ドライバと、前記1セットの第1
画素配線に走査信号を供給する第1ドライバと、第1お
よび第2画素配線の電位をセンスする検査補助回路とを
含むアレイ基板と、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に
形成される対向電極を含む対向基板と、これらアレイ基
板および対向基板間に保持される液晶層とを備え、前記
検査補助回路はゲートが前記1セットの第1画素配線に
それぞれ接続される複数の検査用薄膜トランジスタ、並
びにゲート電位に応じた動作状態を検出するためにこれ
ら検査用薄膜トランジスタのソース・ドレインパスに接
続される検査配線部で構成される第1検査部と、ゲート
が前記1セットの第2画素配線にそれぞれ接続される複
数の検査用薄膜トランジスタ、並びにゲート電位に応じ
た動作状態を検出するためにこれら検査用薄膜トランジ
スタのソース・ドレインパスに接続される検査配線部と
で構成される第2検査部とを備え、前記第1ドライバが
前記1セットの第1画素配線に出力端がそれぞれ接続さ
れる複数のバッファ回路を含み、前記第2ドライバが前
記1セットの第2画素配線に出力端がそれぞれ接続され
る複数のバッファ回路を含み、前記検査補助回路はゲー
トが前記第1ドライバの複数のバッファ回路の入力端に
それぞれ接続される複数の検査用薄膜トランジスタ、並
びにゲート電位に応じた動作状態を検出するためにこれ
ら検査用薄膜トランジスタのソース・ドレインパスに接
続される検査配線部とで構成される第3検査部と、ゲー
トが前記第2ドライバの複数のバッファ回路の入力端に
それぞれ接続される複数の検査用薄膜トランジスタと、
ゲート電位に応じた動作状態を検出するためにこれら検
査用薄膜トランジスタのソース・ドレインパスに接続さ
れる検査配線部とで構成される第4検査部とをさらに備
えることを特徴とする液晶表示装置。
16. An insulating substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the insulating substrate, and a set of first pixel electrodes formed on the insulating substrate along a row of the plurality of pixel electrodes. One pixel wiring, a set of second pixel wirings formed along a column of a plurality of pixel electrodes on the insulating substrate, and an insulating substrate adjacent to intersections of the first and second pixel wirings. A plurality of switching elements which are formed on the switching element and which supply the video signal from the corresponding second pixel wiring to the corresponding pixel electrode in response to the scanning signal from the corresponding first pixel wiring; A second driver for supplying a video signal, and the first set of the first driver
An array substrate including a first driver that supplies a scanning signal to the pixel wiring, an inspection auxiliary circuit that senses the potentials of the first and second pixel wirings, an insulating substrate, and a counter formed on the insulating substrate. A counter substrate including electrodes and a liquid crystal layer held between the array substrate and the counter substrate, and the inspection auxiliary circuit has a plurality of inspection thin film transistors whose gates are connected to the one set of first pixel wirings, respectively. In addition, a first inspection unit including an inspection wiring unit connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to the gate potential, and a gate for the set of second pixel wirings. In order to detect a plurality of test thin film transistors connected to each other and the operating state according to the gate potential, the source / drain of these test thin film transistors is detected. A second inspection section including an inspection wiring section connected to an in-path, wherein the first driver includes a plurality of buffer circuits each having an output terminal connected to the one set of first pixel wirings, The second driver includes a plurality of buffer circuits each having an output terminal connected to the one set of second pixel wirings, and the inspection auxiliary circuit has a gate connected to each input terminal of the plurality of buffer circuits of the first driver. A plurality of inspection thin film transistors, and a third inspection unit including an inspection wiring unit connected to the source / drain paths of the inspection thin film transistors for detecting the operating state according to the gate potential; A plurality of thin film transistors for inspection, which are respectively connected to input terminals of a plurality of buffer circuits of the second driver;
A liquid crystal display device further comprising: a fourth inspection section configured by an inspection wiring section connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting an operating state according to a gate potential.
【請求項17】 前記第1検査部の検査用薄膜トランジ
スタのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側
領域において前記1セットの第1画素配線の端部にそれ
ぞれ接続され、前記第2検査部の検査用薄膜トランジス
タのゲートは前記画素電極のマトリクスアレイの外側領
域において前記1セットの第2画素配線の端部にそれぞ
れ接続され、前記検査補助回路はゲートが前記画素電極
のマトリクスアレイの外側領域において前記1セットの
第1画素配線の他端部にそれぞれ接続される複数の検査
用薄膜トランジスタ、並びにゲート電位に応じた動作状
態を検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソ
ース・ドレインパスに接続される検査配線部とで構成さ
れる第5検査部と、ゲートが前記画素電極のマトリクス
アレイの外側領域において前記1セットの第2画素配線
の他端部にそれぞれ接続される複数の検査用薄膜トラン
ジスタ、並びにゲート電位に応じた動作状態を検出する
ためにこれら検査用薄膜トランジスタのソース・ドレイ
ンパスに接続される検査配線部とで構成される第6検査
部とを備えることを特徴とする請求項16に記載の液晶
表示装置。
17. A gate of the thin film transistor for inspection of the first inspection unit is connected to an end of the one set of first pixel wirings in an area outside the matrix array of pixel electrodes, and an inspection of the second inspection unit is performed. The gates of the thin film transistors are connected to the ends of the one set of second pixel wirings in the outer region of the pixel electrode matrix array, and the inspection auxiliary circuit has the gate in the outer region of the pixel electrode matrix array. A plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other end of the first pixel wiring of the set, and an inspection wiring portion connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors for detecting the operating state according to the gate potential. And a gate in a region outside the matrix array of the pixel electrodes. In addition, a plurality of inspection thin film transistors respectively connected to the other ends of the one set of the second pixel wirings, and connected to the source / drain paths of these inspection thin film transistors in order to detect the operating state according to the gate potential. The liquid crystal display device according to claim 16, further comprising: a sixth inspection unit configured with an inspection wiring unit.
【請求項18】 複数の画素電極を絶縁性基板上におい
てマトリクス状に配列して形成するステップと、1セッ
トの第1画素配線をこの絶縁性基板上において複数の画
素電極の行に沿って形成するステップと、1セットの第
2画素配線をこの絶縁性基板上において複数の画素電極
の列に沿って形成するステップと、各々対応第1画素配
線からの走査信号に応答して対応第2画素配線からの映
像信号を対応画素電極に供給する複数のスイッチング素
子をこれら第1および第2画素配線の交差点に隣接して
それぞれ絶縁性基板上に形成するステップと、ゲートが
1セットの画素配線にそれぞれ接続される複数の検査用
薄膜トランジスタ、並びにゲート電位に応じた動作状態
を検出するためにこれら検査用薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインパスに接続される検査配線部で構成される
検査部を含み、少なくとも1セットの第1および第2画
素配線の電位をセンスする検査補助回路を形成するステ
ップとを備え、前記複数のスイッチング素子は前記複数
の検査用薄膜トランジスタと共通の処理で形成される薄
膜トランジスタで構成されることを特徴とする液晶表示
装置のアレイ基板の製造方法。
18. A step of forming a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on an insulating substrate and forming a set of first pixel wirings on the insulating substrate along a row of the plurality of pixel electrodes. And a step of forming a set of second pixel wirings along the column of a plurality of pixel electrodes on the insulating substrate, and corresponding second pixel wirings in response to the scanning signals from the corresponding first pixel wirings, respectively. Forming a plurality of switching elements, each of which supplies a video signal from the wiring to the corresponding pixel electrode, on the insulating substrate adjacent to the intersection of the first and second pixel wirings; In order to detect a plurality of inspection thin film transistors connected to each and the operating state according to the gate potential, the source / drain paths of these inspection thin film transistors are detected. Forming an inspection auxiliary circuit that senses the potentials of at least one set of first and second pixel wirings, the inspection element including an inspection wiring section connected to the plurality of switching elements. The method for manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device, comprising: a thin film transistor formed by the same process as the inspection thin film transistor.
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