JPH09148894A - Voltage control oscillator stable against fluctuation in power source voltage - Google Patents

Voltage control oscillator stable against fluctuation in power source voltage

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JPH09148894A
JPH09148894A JP8241427A JP24142796A JPH09148894A JP H09148894 A JPH09148894 A JP H09148894A JP 8241427 A JP8241427 A JP 8241427A JP 24142796 A JP24142796 A JP 24142796A JP H09148894 A JPH09148894 A JP H09148894A
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JP
Japan
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power supply
terminal
supply terminal
oscillator
voltage
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JP8241427A
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Japanese (ja)
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Masayuki Mizuno
正之 水野
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillator reducing the influence of the fluctuation in power source voltage. SOLUTION: This oscillator is composed of an oscillator 101 outputting the signal of the frequency according to the potential difference of a power source line 201 and a power source line 202 from a signal line 208, nMOSFET 103 in which a power source terminal 105 is connected with drain, a power source line 201 is connected with a source and a control signal line 204 is connected with a gate, and a level converter 102 in which the signal making the potential obtained in the power source line 201 a high level and the potential obtained in the power source line 207 a low level is converted into the signal making the potential obtained in the power source line 206 the high level and the potential obtained in the power source line 207 the low level in the signal line 208 and the signal is outputted to an output signal line 203. In this case, because the potential of the source of the n MOSFET 103 is determined by gate voltage and drain current and the potential does not depend on drain potential, the oscillation frequency of the oscillator 101 does not fluctuate even if the potential of the power source terminal 105 fluctuates.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電圧制御発振器に関
し、特に電源電圧の変動に対して発振周波数の変動が少
ない電圧制御発振器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage controlled oscillator, and more particularly to a voltage controlled oscillator in which fluctuations in oscillation frequency are small with fluctuations in power supply voltage.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電圧制御発振器として、例えば文
献(Ian A. Young et al., "A PLL Clock Generator wi
th 5 to 110 MHz Lock Range for Microprocessors", 1
992 IEEE International Solid State Circuits Confer
ence Digest of Technical Papers, pp. 50-51、1992
年)に記載の構成例を図11に示す。
2. Description of the Related Art As a conventional voltage controlled oscillator, for example, a reference (Ian A. Young et al., "A PLL Clock Generator wi
th 5 to 110 MHz Lock Range for Microprocessors ", 1
992 IEEE International Solid State Circuits Confer
ence Digest of Technical Papers, pp. 50-51, 1992
11) shows a configuration example described in (Year).

【0003】図11を参照して、上記従来の電圧制御発
振器(voltage controlled oscillator)は、差動増幅
器構成の遅延素子912を複数段接続し、最終段出力を
初段入力に帰還してリング状に接続してなるリング発振
器と、擬似バイアス器911と、電圧電流変換器910
と、からなる。
Referring to FIG. 11, in the conventional voltage controlled oscillator, a delay element 912 having a differential amplifier configuration is connected in a plurality of stages, and a final stage output is fed back to a first stage input to form a ring shape. Connected ring oscillator, pseudo bias device 911, voltage-current converter 910
And consisting of

【0004】遅延素子912は、ソースが互いに接続さ
れ差動対を構成するpMOSトランジスタMP102、
MP103と、該差動対と第1の電源端子920との間
に接続され定電流源として機能するpMOSトランジス
タMP101と、差動対トランジスタMP102、MP
103のドレインと第2の電源端子921との間に接続
される電圧制御型(電圧により抵抗値可変)の負荷抵抗
(電圧制御抵抗器)901と、からなる。遅延素子91
2の出力(従って発振器の出力)のロー(Low)レベル
は第2の電源端子921の電位レベルとされ、ハイ(Hi
gh)レベルは、定電流源MP101の電流値をI、電圧
制御抵抗器901の抵抗値をRとした時、第2の電源端
子921の電位レベルよりも電圧RI分程高電位とされ
る。
The delay element 912 has pMOS transistors MP102 whose sources are connected to each other to form a differential pair,
MP103, a pMOS transistor MP101 connected between the differential pair and the first power supply terminal 920 and functioning as a constant current source, and differential pair transistors MP102, MP.
A load resistance (voltage control resistor) 901 of voltage control type (variable in resistance value depending on voltage) connected between the drain of 103 and the second power supply terminal 921. Delay element 91
The low level of the second output (thus the output of the oscillator) is set to the potential level of the second power supply terminal 921, and the high level (Hi
When the current value of the constant current source MP101 is I and the resistance value of the voltage control resistor 901 is R, the gh) level is higher than the potential level of the second power supply terminal 921 by a voltage RI.

【0005】そして、遅延素子912の入力出力間遅延
時間は、電流制御信号線930の電位レベルと第1の電
源端子920の電位レベルとの電位差、および電圧制御
信号線931の電位レベルと第2の電源端子921の電
位レベルとの電位差の両者により決定される。すなわ
ち、定電流源のpMOSトランジスタMP101のゲー
ト・ソース間電位(定電流値)と負荷抵抗である電圧制
御抵抗器901の抵抗値によって決定される。
The delay time between the inputs and outputs of the delay element 912 is the difference between the potential level of the current control signal line 930 and the potential level of the first power supply terminal 920, and the potential level of the voltage control signal line 931 and the second level. Of the power supply terminal 921 and the potential difference of the power supply terminal 921. That is, it is determined by the gate-source potential (constant current value) of the pMOS transistor MP101 of the constant current source and the resistance value of the voltage control resistor 901 which is the load resistance.

【0006】また、電圧電流変換器910により、出力
端子922から得られる信号の発振周波数は、制御端子
923の電位レベルと第2の電源端子921から与えら
れる電位レベルとの電位差により決定される。
The oscillation frequency of the signal obtained from the output terminal 922 by the voltage-current converter 910 is determined by the potential difference between the potential level of the control terminal 923 and the potential level given from the second power supply terminal 921.

【0007】擬似バイアス器911では、振幅制御端子
924に与えられる電位レベルをハイレベルとし、第2
の電源端子921に与えられる電位レベルをローレベル
とする信号が出力端子922から得られるように、電流
制御信号線930の電位レベルと電圧制御信号線931
の電位レベルが決定される。
In the pseudo bias device 911, the potential level applied to the amplitude control terminal 924 is set to the high level and the second
The potential level of the current control signal line 930 and the voltage control signal line 931 are set so that a signal for making the potential level applied to the power supply terminal 921 of the low level is obtained from the output terminal 922.
The potential level of is determined.

【0008】すなわち、擬似バイアス器911は、遅延
素子912と同様に、定電流源のpMOSトランジス
タ、pMOSトランジスタ差動対、及び負荷抵抗として
電圧制御抵抗器901を備え、振幅制御端子924から
の入力を反転入力端に、差動対の一のトランジスタと電
圧制御抵抗器901との接続点(節点N1)を非反転入
力端に接続してなる演算増幅器OP1と、から構成さ
れ、演算増幅器OP1は節点N1の電位が振幅制御端子
924に入力されるハイレベルの参照電位と等しくなる
ように制御し、演算増幅器OP1の出力を電圧制御信号
線931として遅延素子912の電圧制御抵抗器901
に出力する。このような構成により、遅延素子912の
定電流値が可変した際(発振周波数が可変)にも、発振
器の出力端子922から出力される信号振幅は一定に保
たれる。
That is, like the delay element 912, the pseudo bias device 911 is provided with a pMOS transistor of a constant current source, a pMOS transistor differential pair, and a voltage control resistor 901 as a load resistance, and an input from an amplitude control terminal 924. To an inverting input terminal, and a connection point (node N1) between a transistor of the differential pair and the voltage control resistor 901 is connected to a non-inverting input terminal. The potential of the node N1 is controlled to be equal to the high-level reference potential input to the amplitude control terminal 924, and the output of the operational amplifier OP1 is used as the voltage control signal line 931 to control the voltage control resistor 901 of the delay element 912.
Output to With such a configuration, even when the constant current value of the delay element 912 changes (oscillation frequency changes), the signal amplitude output from the output terminal 922 of the oscillator is kept constant.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の電圧制御発
振器においては、通常、制御端子923に与えられる信
号の電位レベルは第2の電源端子921の電圧レベルと
同期して変動するため、第2の電源端子921の電圧レ
ベルが変動しても、出力端子922から得られる信号の
発振周波数への影響は少ない。
In the conventional voltage controlled oscillator described above, the potential level of the signal applied to the control terminal 923 normally fluctuates in synchronization with the voltage level of the second power supply terminal 921. Even if the voltage level of the power supply terminal 921 changes, the influence of the signal obtained from the output terminal 922 on the oscillation frequency is small.

【0010】しかし、上記従来の電圧制御発振器では、
第1の電源端子920の電圧レベルが変動した場合、遅
延素子912の入出力遅延時間が変化しないように、電
圧電流変換器910が電流制御信号線930の電位レベ
ルを制御するが、第1の電源端子920の電圧レベルの
変動する周波数が、電圧電流変換器910が追従できな
いほど高い周波数になると、遅延素子912の入出力遅
延時間が変動し、従って出力端子922から得られる信
号の発振周波数が変動することになる。
However, in the above conventional voltage controlled oscillator,
When the voltage level of the first power supply terminal 920 changes, the voltage-current converter 910 controls the potential level of the current control signal line 930 so that the input / output delay time of the delay element 912 does not change. When the frequency at which the voltage level of the power supply terminal 920 fluctuates becomes so high that the voltage / current converter 910 cannot follow it, the input / output delay time of the delay element 912 fluctuates, so that the oscillation frequency of the signal obtained from the output terminal 922 changes. It will fluctuate.

【0011】ここで、電圧電流変換器910が追従でき
ないほどの周波数とは、電流制御信号線930の寄生容
量および電流制御信号線930にゲート端子が接続され
たpMOSトランジスタのゲート容量、電圧電流変換器
910を構成するpMOSトランジスタの特性によって
決定される。例えば、LSIチップの中で一部の回路が
動いたり止まったりする時に流れたり止まったりする電
流によるチップ内の一時的な電圧降下には対応できな
い。
Here, the frequency that the voltage-current converter 910 cannot follow means the parasitic capacitance of the current control signal line 930 and the gate capacitance of the pMOS transistor whose gate terminal is connected to the current control signal line 930, and the voltage-current conversion. It is determined by the characteristics of the pMOS transistor that constitutes the device 910. For example, it is impossible to deal with a temporary voltage drop in the LSI chip caused by a current that flows or stops when some circuits move or stop.

【0012】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解消し、電源電圧の変動の影響を低減した電圧
制御発振器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a voltage controlled oscillator which solves the above-mentioned problems of the prior art and reduces the influence of fluctuations in the power supply voltage.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、高電位側電源線と低電位側電源線との間
に挿入され、前記2つの電源線間の電圧差に応じて発振
周波数が可変する発振器を備えた電圧制御発振器におい
て、前記高電位側電源線と前記低電位側電源線の少なく
とも一の電源線と、該電源線に対応して設けられ該電源
線に給電する電源端子と、の間にMOSトランジスタを
挿入し、前記MOSトランジスタのゲート端子に制御信
号を印加して前記発振器の発振周波数を制御するように
してなることを特徴とする電圧制御発振器を提供する。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is inserted between a high potential side power source line and a low potential side power source line and responds to a voltage difference between the two power source lines. In a voltage controlled oscillator including an oscillator whose oscillation frequency is variable, at least one power source line of the high potential side power source line and the low potential side power source line and a power source line provided corresponding to the power source line and supplying power to the power source line. A voltage-controlled oscillator characterized in that a MOS transistor is inserted between a power supply terminal and a gate terminal of the MOS transistor, and a control signal is applied to control the oscillation frequency of the oscillator.

【0014】本発明の電圧制御発振器においては、好ま
しくは、前記電源線と前記電源端子との間に、前記MO
Sトランジスタの代わりにバイポーラトランジスタを挿
入したことを特徴とする。
In the voltage controlled oscillator of the present invention, preferably, the MO is provided between the power supply line and the power supply terminal.
A feature is that a bipolar transistor is inserted instead of the S transistor.

【0015】また、本発明の電圧制御発振器において
は、好ましくは、前記発振器の出力信号の振幅を、前記
挿入されたトランジスタに対応して、前記高電位側電源
線と前記低電位側電源線とにそれぞれ給電する二つの電
源端子の電源レベルのうちの少なくとも一の電源レベル
にシフトさせる手段を備えたことを特徴とする。
Further, in the voltage controlled oscillator of the present invention, preferably, the amplitude of the output signal of the oscillator is set to the high potential side power source line and the low potential side power source line corresponding to the inserted transistor. And a means for shifting to at least one power supply level of the power supply levels of the two power supply terminals for supplying power to each of the two.

【0016】本発明は、第1の電源端子と、第2の電源
端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前
記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数
が変化する発振器と、前記第2の電源端子と、第3の電
源端子と、入力端子と、出力端子と、を備え、前記発振
器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、前記入力
端子から得られる信号の信号振幅を前記第2の電源端子
と前記第3の電源端子で得られる電圧差に相当する信号
振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換器と、を
備え、前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との間
にMOSトランジスタのソースとドレインをそれぞれ接
続し、前記MOSトランジスタのゲート端子により前記
発振器の発振周波数を制御するようにしてなることを特
徴とする電圧制御発振器を提供する。
The present invention comprises a first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, and oscillates according to the voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. An oscillator having a variable frequency, the second power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal are provided, and the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator. A level converter that converts the signal amplitude of the signal obtained from the signal amplitude corresponding to the voltage difference obtained at the second power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from the output terminal. A source and a drain of a MOS transistor are respectively connected between the power supply terminal of the MOS transistor and the third power supply terminal, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the gate terminal of the MOS transistor. control To provide a vibrator.

【0017】また、本発明は、第1の電源端子と、第2
の電源端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源端
子と前記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発振
周波数が変化する発振器と、前記第1の電源端子と、第
3の電源端子と、入力端子と、出力端子と、を備え、前
記発振器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、前
記入力端子から得られる信号の信号振幅を前記第1の電
源端子と前記第3の電源端子で得られる電圧差に相当す
る信号振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換器
と、を備え、前記第2の電源端子と前記第3の電源端子
との間にMOSトランジスタのソースとドレインをそれ
ぞれ接続し、前記MOSトランジスタのゲート端子によ
り前記発振器の発振周波数を制御するようにしてなるこ
とを特徴とする電圧制御発振器を提供する。
The present invention also includes a first power supply terminal and a second power supply terminal.
An oscillator whose oscillation frequency changes according to a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal, a first power supply terminal, and an output terminal, 3 the power supply terminal, the input terminal, and the output terminal, the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator, the signal amplitude of the signal obtained from the input terminal is the first power supply terminal and the A level converter that converts into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at a third power supply terminal and outputs from a output terminal, and a MOS transistor is provided between the second power supply terminal and the third power supply terminal. A voltage-controlled oscillator is characterized in that the source and the drain are connected to each other and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the gate terminal of the MOS transistor.

【0018】さらに、本発明は、第1の電源端子と、第
2の電源端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源
端子と前記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発
振周波数が変化する発振器と、第3の電源端子と、第4
の電源端子と、入力端子と、出力端子とを備え、前記発
振器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、前記入
力端子から得られる信号の信号振幅を前記第3の電源端
子と前記第4の電源端子で得られる電圧差に相当する信
号振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換器と、
を備え、前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との
間に第1のMOSトランジスタのソース端子とドレイン
端子とをそれぞれ接続し、前記第1のMOSトランジス
タのゲート端子により前記発振器の発振周波数が制御す
ると共に、前記第2の電源端子と前記第4の電源端子と
の間に第2のMOSトランジスタのソース端子とドレイ
ン端子とをそれぞれ接続し、前記第2のMOSトランジ
スタのゲート端子により前記発振器の発振周波数を制御
するようにしてなることを特徴とする電圧制御発振器を
提供する。
Further, the present invention comprises a first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, and is responsive to a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. An oscillator whose oscillation frequency changes, a third power supply terminal, a fourth
Power source terminal, an input terminal, and an output terminal, the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator, and the signal amplitude of a signal obtained from the input terminal is the third power source terminal and the fourth power terminal. A level converter that converts to a signal amplitude corresponding to the voltage difference obtained at the power supply terminal of and outputs from the output terminal,
A source terminal and a drain terminal of the first MOS transistor are respectively connected between the first power supply terminal and the third power supply terminal, and the gate terminal of the first MOS transistor connects the oscillator The oscillation frequency is controlled, and the source terminal and the drain terminal of the second MOS transistor are connected between the second power supply terminal and the fourth power supply terminal, respectively, and the gate terminal of the second MOS transistor is connected. According to the present invention, there is provided a voltage controlled oscillator, wherein the oscillation frequency of the oscillator is controlled.

【0019】そして、本発明は、第1の電源端子と、第
2の電源端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源
端子と前記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発
振周波数が変化する発振器と、前記第2の電源端子と、
第3の電源端子と、入力端子と、出力端子と、を備え、
前記発振器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、
前記入力端子から得られる信号の信号振幅を前記第2の
電源端子と前記第3の電源端子で得られる電圧差に相当
する信号振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換
器と、を備え、前記第1の電源端子と前記第3の電源端
子との間にバイポーラトランジスタのエミッタ端子とコ
レクタ端子とをそれぞれ接続し、前記バイポーラトラン
ジスタのベース端子により前記発振器の発振周波数を制
御することを特徴とする電圧制御発振器を提供する。
The present invention further comprises a first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, which are responsive to the voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. An oscillator whose oscillation frequency changes, and the second power supply terminal,
A third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal,
The input terminal is connected to the output terminal of the oscillator,
A level converter that converts a signal amplitude of a signal obtained from the input terminal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the second power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, An emitter terminal and a collector terminal of a bipolar transistor are respectively connected between the first power supply terminal and the third power supply terminal, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the bipolar transistor. A voltage controlled oscillator is provided.

【0020】本発明は、第1の電源端子と、第2の電源
端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前
記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数
が可変する発振器と、前記第1の電源端子と、第3の電
源端子と、入力端子と、出力端子と、を備え、前記発振
器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、前記入力
端子から得られる信号の信号振幅を前記第1の電源端子
と前記第3の電源端子で得られる電圧差に相当する信号
振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換器と、を
備え、前記第2の電源端子と前記第3の電源端子との間
にバイポーラトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端
子とをそれぞれ接続し、前記第2のバイポーラトランジ
スタのベース端子により前記発振器の発振周波数を制御
することを特徴とする電圧制御発振器を提供する。
The present invention comprises a first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, and oscillates according to the voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. An oscillator having a variable frequency, the first power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal are provided, and the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator. A level converter which converts the signal amplitude of the signal obtained from the signal amplitude corresponding to the voltage difference obtained at the first power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from the output terminal, An emitter terminal and a collector terminal of a bipolar transistor are respectively connected between the power supply terminal of the second bipolar transistor and the power supply terminal of the second bipolar transistor, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the second bipolar transistor. To provide that voltage-controlled oscillator.

【0021】また、本発明は、第1の電源端子と、第2
の電源端子と、出力端子と、を備え、前記第1の電源端
子と前記第2の電源端子で得られる電圧差に応じて発振
周波数が変化する発振器と、第3の電源端子と、第4の
電源端子と、入力端子と、出力端子と、を備え、前記発
振器の前記出力端子に前記入力端子が接続され、前記入
力端子から得られる信号の信号振幅を前記第3の電源端
子と前記第4の電源端子で得られる電圧差に相当する信
号振幅に変換し出力端子から出力するレベル変換器と、
を備え、前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との
間に第1のバイポーラトランジスタのエミッタ端子とコ
レクタ端子とをそれぞれ接続し、前記第1のバイポーラ
トランジスタのベース端子により前記発振器の発振周波
数が制御するようにし、前記第2の電源端子と前記第4
の電源端子との間に第2のバイポーラトランジスタのエ
ミッタ端子とコレクタ端子とをそれぞれ接続し、前記第
2のバイポーラトランジスタのベース端子により前記発
振器の発振周波数を制御することを特徴とする電圧制御
発振器を提供する。
The present invention also provides a first power supply terminal and a second power supply terminal.
An oscillator whose oscillation frequency changes according to a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal; a third power supply terminal; Power source terminal, an input terminal, and an output terminal, the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator, and the signal amplitude of a signal obtained from the input terminal is the third power source terminal and the third power source terminal. A level converter for converting into a signal amplitude corresponding to the voltage difference obtained at the power supply terminal 4 and outputting from the output terminal;
And an emitter terminal and a collector terminal of the first bipolar transistor are respectively connected between the first power supply terminal and the third power supply terminal, and a base terminal of the first bipolar transistor is used to connect the oscillator of the oscillator. The oscillation frequency is controlled, and the second power supply terminal and the fourth power supply terminal are connected.
The power supply terminal of the second bipolar transistor is connected to the emitter terminal and the collector terminal of the second bipolar transistor, and the base terminal of the second bipolar transistor controls the oscillation frequency of the oscillator. I will provide a.

【0022】本発明においては、前記発振器は、第1の
電源端子と第2の電源端子と出力端子以外に更に入力端
子を備え、該入力端子の電圧値によっても発振周波数が
制御できるように構成してもよい。
In the present invention, the oscillator further comprises an input terminal in addition to the first power supply terminal, the second power supply terminal and the output terminal, and the oscillation frequency can be controlled by the voltage value of the input terminal. You may.

【0023】[0023]

【作用】本発明は、MOSトランジスタのソース端子の
電位が、ゲート端子の電圧とドレイン電流によって決定
され、ドレイン端子の電位によらないことを利用して、
電源電圧の変動に強い(すなわち電源電圧変動の影響を
受けにくい)電圧制御発振器を提供する。
The present invention takes advantage of the fact that the potential of the source terminal of a MOS transistor is determined by the voltage of the gate terminal and the drain current and does not depend on the potential of the drain terminal.
Provided is a voltage controlled oscillator that is resistant to fluctuations in power supply voltage (that is, is less susceptible to fluctuations in power supply voltage).

【0024】具体的には、第1の電源端子と第2の電源
端子との電圧差によって発振周波数が変化する発振器に
対し、電圧が変動する第1及び/又は第2の電源端子
に、ソース端子を発振器の電源端子に接続し、ドレイン
端子を変動する電源端子に接続してなるMOSトランジ
スタを設ける。
Specifically, for an oscillator in which the oscillation frequency changes due to the voltage difference between the first power supply terminal and the second power supply terminal, the source is connected to the first and / or second power supply terminals in which the voltage fluctuates. A MOS transistor having a terminal connected to the power supply terminal of the oscillator and a drain terminal connected to the varying power supply terminal is provided.

【0025】発振器の第1の電源端子及び第2の電源端
子の電位、すなわちMOSトランジスタのソース電位
は、接続されたMOSトランジスタのゲート端子の電位
とドレイン電流により決定される。
The potentials of the first power supply terminal and the second power supply terminal of the oscillator, that is, the source potential of the MOS transistor are determined by the potential of the gate terminal and the drain current of the connected MOS transistor.

【0026】いま、ドレイン電流もゲート端子の電位と
発振器の消費電流によって決定されるため、発振器の電
源はMOSトランジスタのゲート電位により一意的に決
定される。従って、発振器の発振周波数は上記ゲート電
位により決定される。
Since the drain current is also determined by the potential of the gate terminal and the current consumption of the oscillator, the power supply of the oscillator is uniquely determined by the gate potential of the MOS transistor. Therefore, the oscillation frequency of the oscillator is determined by the gate potential.

【0027】前述したように、MOSトランジスタのド
レイン端子の電圧が変動しても、ソース端子の電圧は変
動しないため、本発明に係る発振器は電源電圧の変動の
影響を受けない。
As described above, even if the voltage of the drain terminal of the MOS transistor fluctuates, the voltage of the source terminal does not fluctuate, so that the oscillator according to the present invention is not affected by the fluctuation of the power supply voltage.

【0028】なお、本発明に係る電圧制御発振器おいて
は、上記MOSトランジスタをバイポーラトランジスタ
で構成しても、同様にして実現することができる。
The voltage controlled oscillator according to the present invention can be realized in the same manner even if the MOS transistor is a bipolar transistor.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を以下に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0030】[実施形態1]図1は、本発明の第1の実
施の実施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す図であ
る。
[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a voltage controlled oscillator according to a first embodiment of the present invention.

【0031】図1を参照して、本実施形態に係る電圧制
御発振器は、第1の電源線201と、第2の電源端子1
06に接続した第2の電源線202と、から得られる電
位差に対応した発振周波数の信号を信号線208から出
力する発振器101と、第1の電源端子105にドレイ
ン端子が接続され、第1の電源線201にソース端子が
接続され、制御信号線204にゲート端子が接続された
nMOSトランジスタ103と、第1の電源線201で
得られる電位をハイレベルとし、第2の電源端子106
に接続した第2の電源線202で得られる電位をローレ
ベルとした信号が信号線208から与えられ、その信号
レベルを、第1の電源端子105に接続した第3の電源
線206で得られる電位をハイレベルとし、第2の電源
端子106に接続した第4の電源線207で得られる電
位をローレベルとした信号に変換してなる出力信号線2
03に出力するレベル変換器102と、からなる。
Referring to FIG. 1, the voltage controlled oscillator according to the present embodiment has a first power supply line 201 and a second power supply terminal 1.
The second power supply line 202 connected to 06, the oscillator 101 that outputs a signal having an oscillation frequency corresponding to the potential difference obtained from the signal line 208, and the drain terminal is connected to the first power supply terminal 105. The potential obtained from the first power supply line 201 and the nMOS transistor 103 having the source terminal connected to the power supply line 201 and the gate terminal connected to the control signal line 204 is set to the high level, and the second power supply terminal 106 is connected.
A signal whose potential obtained by the second power supply line 202 connected to the low level is low is supplied from the signal line 208, and the signal level is obtained by the third power supply line 206 connected to the first power supply terminal 105. Output signal line 2 obtained by converting the potential to a high level and converting the potential obtained by the fourth power supply line 207 connected to the second power supply terminal 106 to a low level
And a level converter 102 for outputting to 03.

【0032】図2に、本発明の一実施形態における発振
器101の構成の一例を示す。
FIG. 2 shows an example of the configuration of the oscillator 101 according to the embodiment of the present invention.

【0033】図2を参照して、発振器101は、奇数段
のインバータ(CMOS型インバータ、図では5段)を
リング状に接続して構成される。なお、図2に示した発
振器の構成はあくまで説明のためのものであり、本発明
を限定するものではないことは勿論である。
Referring to FIG. 2, oscillator 101 is formed by connecting an odd number of stages of inverters (CMOS type inverters, 5 stages in the figure) in a ring shape. It should be noted that the configuration of the oscillator shown in FIG. 2 is merely for explanation and does not limit the present invention.

【0034】図3に、本発明の一実施形態に係る電圧制
御発振器におけるレベル変換器102の構成の一例を示
す。
FIG. 3 shows an example of the configuration of the level converter 102 in the voltage controlled oscillator according to the embodiment of the present invention.

【0035】図3を参照して、レベル変換器102は、
第1の電源線201と第4の電源線207との間に直列
形態に接続され、ゲート端子がともに信号線208に接
続されたnMOS及びpMOSトランジスタMN31、
MP32からなるCMOS型のインバータと、信号線2
08とCMOS型インバータによる反転出力とをゲート
端子にそれぞれ入力し、ソース端子が第4の電源線20
7に共通に接続された2つのnMOSトランジスタMN
33、MN34と、前記2つのnMOSトランジスタM
N33、MN34のドレイン端子をゲート端子に交差接
続し、第3の電源線206と2つのnMOSトランジス
タのドレイン端子との間に挿入された2つのpMOSト
ランジスタMP35、MP36と、からなり、出力信号
線203はpMOSトランジスタMP36のゲート端子
とnMOSトランジスタMN33のドレイン端子の接続
点から取り出す構成とされ、出力信号線203のハイレ
ベルは第3の電源線206の電位にレベル変換される。
なお、図3に示したレベル変換器102の構成はあくま
で説明のためのものであり、本発明を限定するものでは
ないことは勿論である。
Referring to FIG. 3, the level converter 102 is
An nMOS and pMOS transistor MN31, which is connected in series between the first power supply line 201 and the fourth power supply line 207 and whose gate terminals are both connected to the signal line 208,
CMOS type inverter composed of MP32 and signal line 2
08 and the inverted output from the CMOS type inverter are respectively input to the gate terminal, and the source terminal is the fourth power supply line 20.
Two nMOS transistors MN commonly connected to 7
33, MN34, and the two nMOS transistors M
The drain signal terminals of N33 and MN34 are cross-connected to the gate terminal, and are composed of two pMOS transistors MP35 and MP36 inserted between the third power supply line 206 and the drain terminals of the two nMOS transistors, and the output signal line 203 is taken out from the connection point of the gate terminal of the pMOS transistor MP36 and the drain terminal of the nMOS transistor MN33, and the high level of the output signal line 203 is converted to the potential of the third power supply line 206.
It should be noted that the configuration of the level converter 102 shown in FIG. 3 is merely for explanation and does not limit the present invention.

【0036】図1を参照して、nMOSトランジスタ1
03のソース端子は第1の電源線201に接続されてい
るため、第1の電源線201の電位Vhinは、制御信号
線204の電位Vhcと第1の電源線201に流れる電流
Iによって次式(1)のように決定される。
Referring to FIG. 1, an nMOS transistor 1
Since the source terminal of 03 is connected to the first power supply line 201, the potential V hin of the first power supply line 201 depends on the potential V hc of the control signal line 204 and the current I flowing through the first power supply line 201. It is determined by the following equation (1).

【0037】[0037]

【数1】 (Equation 1)

【0038】式(1)において、KはnMOSトランジ
スタ103の利得係数、VtはnMOSトランジスタ1
03のしきい値電圧、αは所定の定数である。なお、式
(1)は、nMOSトランジスタのドレイン電流IDS
例えば飽和領域においてゲート・ソース間電圧VGSとし
きい値電圧Vtと差分(VGS−Vt)のベキ乗αにK/2
を乗じた値に略等しいことから導出されている(図1で
は、VGS=Vhc−Vhin)。
In the equation (1), K is the gain coefficient of the nMOS transistor 103, and V t is the nMOS transistor 1
The threshold voltage of 03, α is a predetermined constant. In the equation (1), the drain current I DS of the nMOS transistor is, for example, K / 2 to the power α of the difference (V GS −V t ) between the gate-source voltage V GS and the threshold voltage V t in the saturation region.
It is derived from the fact that it is approximately equal to the value multiplied by (V GS = V hc −V hin in FIG. 1).

【0039】したがって、第1の電源端子105に与え
られる電位が変動しても、第1の電源線201の電位
(Vhin)は変動しない。
Therefore, even if the potential applied to the first power supply terminal 105 changes, the potential (V hin ) of the first power supply line 201 does not change.

【0040】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線204の電位(Vhc)によってその
発振周波数を制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potential (V hc ) of the control signal line 204.

【0041】発振器101からの信号線208の信号
は、ハイレベルが第1の電源線201のレベルとされ、
ローレベルが第2の電源線202のレベルとされるた
め、レベル変換器102によって、ハイレベルが第3の
電源線206のレベルで、ローレベルが第4の電源線2
07(第2の電源線202と等電位)のレベルの信号に
変換し出力信号線203から出力する。
The high level of the signal on the signal line 208 from the oscillator 101 is set to the level of the first power supply line 201,
Since the low level is set to the level of the second power supply line 202, the level converter 102 sets the high level to the level of the third power supply line 206 and the low level to the level of the fourth power supply line 2.
The signal is converted into a signal of level 07 (equal potential to the second power supply line 202) and output from the output signal line 203.

【0042】もし、上記レベル変換が必要でない場合
(例えば出力の振幅が小さくてもよい場合)において
は、上記レベル変換器102を省略しても、電源電圧の
影響を低減した電圧制御発振器を実現することができ
る。
If the level conversion is not necessary (for example, if the output amplitude may be small), the level converter 102 may be omitted to realize a voltage controlled oscillator in which the influence of the power supply voltage is reduced. can do.

【0043】なお、本実施形態に係るnMOSトランジ
スタ103を用いて電源電圧の変動を低減するという手
法は、電圧制御発振器についてにのみ限定して適用され
るものではなく、さらに発振器101を別の回路等で置
き換えることもできる。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage by using the nMOS transistor 103 according to the present embodiment is not limited to the voltage controlled oscillator, and the oscillator 101 is provided in another circuit. It can also be replaced by etc.

【0044】[実施形態2]図4は、本発明の第2の実
施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図であ
る。
[Second Embodiment] FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention.

【0045】図4を参照して、本実施形態の電圧制御発
振器は、第2の電源線202と第1の電源端子105に
接続した第1の電源線201から得られる電圧の電位差
に対応した発振周波数の信号を信号線208から出力す
る発振器101と、第2の電源端子106にドレイン端
子が接続され、第2の電源線202にソース端子が接続
され、制御信号線205にゲート端子が接続されたpM
OSトランジスタ104と、第1の電源線201で得ら
れる電位をハイレベルとし、第2の電源線202で得ら
れる電位をローレベルとする信号が信号線208から与
えられ、その信号レベルを、第1の電源端子105に接
続された第3の電源線206で得られる電位をハイレベ
ルとし、第2の電源端子106に接続された第4の電源
線207で得られる電位をローレベルとした信号に変換
して出力信号線203に出力するレベル変換器109
と、からなる。
With reference to FIG. 4, the voltage controlled oscillator of this embodiment corresponds to the potential difference between the voltages obtained from the second power supply line 202 and the first power supply line 201 connected to the first power supply terminal 105. An oscillator 101 that outputs a signal of an oscillation frequency from a signal line 208, a drain terminal is connected to the second power supply terminal 106, a source terminal is connected to the second power supply line 202, and a gate terminal is connected to the control signal line 205. PM
A signal that sets the potential obtained by the OS transistor 104 and the first power supply line 201 to a high level and sets the potential obtained by the second power supply line 202 to a low level is supplied from the signal line 208, and the signal level is The signal obtained by setting the potential obtained by the third power supply line 206 connected to the first power supply terminal 105 to the high level and the potential obtained by the fourth power supply line 207 connected to the second power supply terminal 106 at the low level Level converter 109 for converting into the output signal and outputting to the output signal line 203
And consisting of

【0046】本実施形態における発振器101の構成
は、前記第1の実施形態と同様に、図2に示したものと
なる。すなわち、発振器101は奇数段のインバータの
リング状接続により実現できる。なお、図2に示す発振
器の構成はあくまで説明のためのものであり、本発明を
何等限定するものではない。
The oscillator 101 according to the present embodiment has the configuration shown in FIG. 2 as in the first embodiment. That is, the oscillator 101 can be realized by a ring-shaped connection of inverters in odd stages. It should be noted that the configuration of the oscillator shown in FIG. 2 is for explanation only, and does not limit the present invention in any way.

【0047】図5に、本実施形態におけるレベル変換器
109の構成を示す。図5を参照して、レベル変換器1
09は、第2の電源線202と第3の電源線206との
間に直列形態に接続され、ゲート端子がともに信号線2
08に接続されたnMOS及びpMOSトランジスタM
N51、MP52からなるCMOS型のインバータと、
信号線208をゲート端子に接続し、CMOS型インバ
ータの反転出力をゲート端子に接続し、ソース端子を第
4の電源線207に共通に接続した2つのnMOSトラ
ンジスタMN53、MN54と、前記2つのnMOSト
ランジスタMN53、MN54のドレイン端子がゲート
端子に交差接続され、第3の電源線206と2つのnM
OSトランジスタのドレイン端子との間に挿入された2
つのpMOSトランジスタMP55、MP56とからな
り、出力信号線203はpMOSトランジスタMP56
のゲート端子とnMOSトランジスタMN53のドレイ
ン端子の接続点から取り出している。なお、図5に示し
たレベル変換器109の構成はあくまで説明のためのも
のであり、本発明を限定するものではないことは勿論で
ある。
FIG. 5 shows the configuration of the level converter 109 in this embodiment. Referring to FIG. 5, level converter 1
09 is connected in series between the second power supply line 202 and the third power supply line 206, and has both gate terminals of the signal line 2
NMOS and pMOS transistor M connected to 08
CMOS type inverter composed of N51 and MP52,
Two nMOS transistors MN53 and MN54 in which the signal line 208 is connected to the gate terminal, the inverted output of the CMOS inverter is connected to the gate terminal, and the source terminal is commonly connected to the fourth power supply line 207; The drain terminals of the transistors MN53 and MN54 are cross-connected to the gate terminals, and the third power supply line 206 and two nMs are connected.
2 inserted between the drain terminal of the OS transistor
The output signal line 203 is composed of two pMOS transistors MP55 and MP56.
Of the nMOS transistor MN53 and the drain terminal of the nMOS transistor MN53. The configuration of the level converter 109 shown in FIG. 5 is merely for the purpose of explanation and does not limit the present invention.

【0048】図4を参照して、nMOSトランジスタ1
04のソース端子は第2の電源線202に接続されてい
るため、第2の電源線202の電位Vlinは、制御信号
線205の電位Vlcと第2の電源線202に流れる電流
Iによって次式(2)のように決定される。
Referring to FIG. 4, nMOS transistor 1
Since the source terminal of 04 is connected to the second power supply line 202, the potential V lin of the second power supply line 202 depends on the potential V lc of the control signal line 205 and the current I flowing through the second power supply line 202. It is determined by the following equation (2).

【0049】[0049]

【数2】 (Equation 2)

【0050】式(2)において、K′はpMOSトラン
ジスタ104の利得係数、Vt′はpMOSトランジス
タ104のしきい値電圧、α′は定数である。
In the equation (2), K'is a gain coefficient of the pMOS transistor 104, V t 'is a threshold voltage of the pMOS transistor 104, and α'is a constant.

【0051】したがって、第2の電源端子106で与え
られる電位が変動しても、第2の電源線202の電位は
変動しない。
Therefore, even if the potential applied to the second power supply terminal 106 changes, the potential of the second power supply line 202 does not change.

【0052】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線205の電位によって発振周波数を
制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potential of the control signal line 205.

【0053】信号線208の信号は、ハイレベルが第1
の電源線201のレベルで、ローレベルが第2の電源線
202のレベルであるため、レベル変換器109によっ
て、ハイレベルが第3の電源線206のレベルで、ロー
レベルが第4の電源線207のレベルの信号に変換し出
力信号線203から出力する。もし、上記レベル変換が
必要でない場合においては、上記レベル変換器を削除す
ることによっても、上記した本発明の作用効果は得られ
る。
The signal on the signal line 208 has the first high level.
Since the low level is the level of the second power line 202, the level converter 109 causes the high level to be the level of the third power line 206 and the low level to be the fourth power line. The signal is converted into a signal of level 207 and output from the output signal line 203. If the level conversion is not necessary, the effect of the present invention can be obtained by deleting the level converter.

【0054】なお、本実施形態のMOSトランジスタを
用いて電源電圧の変動を低減するという手法は、電圧制
御発振器についてのみ適用できるものではなく、発振器
101を別の回路等で置き換えることもできる。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage using the MOS transistor of this embodiment is not applicable only to the voltage controlled oscillator, and the oscillator 101 can be replaced with another circuit or the like.

【0055】[実施形態3]図6は、本発明の第3の実
施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す図である。
[Third Embodiment] FIG. 6 is a diagram showing the structure of a voltage controlled oscillator according to a third embodiment of the present invention.

【0056】図6を参照して、本実施形態の電圧制御発
振器は、第1の電源線201と第2の電源線202から
得られる電圧の電位差に対応した発振周波数の信号を信
号線208から出力する発振器101と、第1の電源端
子105にドレイン端子が接続され、第1の電源線20
1にソース端子が接続され、制御信号線204にゲート
端子が接続されたnMOSトランジスタ103と、第2
の電源端子106にドレイン端子が接続され、第2の電
源線202にソース端子が接続され、制御信号線205
にゲート端子が接続されたpMOSトランジスタ104
と、第1の電源線201で得られる電位をハイレベルと
し、第2の電源線202で得られる電位をローレベルと
した信号が信号線208から与えられ、その信号レベル
を、第1の電源端子105に接続した第3の電源線20
6で得られる電位をハイレベルとし、第2の電源端子1
06に接続した第4の電源線207で得られる電位をロ
ーレベルとした信号に変換し出力信号線203に出力す
るレベル変換器110と、からなる。
Referring to FIG. 6, the voltage-controlled oscillator of this embodiment outputs a signal having an oscillation frequency corresponding to the potential difference between the voltages obtained from the first power supply line 201 and the second power supply line 202 from the signal line 208. The drain terminal is connected to the output oscillator 101 and the first power supply terminal 105, and the first power supply line 20
1 has a source terminal connected to it, and a control signal line 204 has a gate terminal connected to it.
The drain terminal is connected to the power supply terminal 106 of the, the source terminal is connected to the second power supply line 202, and the control signal line 205 is connected.
PMOS transistor 104 whose gate terminal is connected to
Then, a signal in which the potential obtained by the first power supply line 201 is high level and the potential obtained by the second power supply line 202 is low level is supplied from the signal line 208, and the signal level is changed to the first power supply line. Third power line 20 connected to terminal 105
The potential obtained at 6 is set to the high level, and the second power supply terminal 1
And a level converter 110 for converting a potential obtained by the fourth power supply line 207 connected to 06 to a signal having a low level and outputting the signal to the output signal line 203.

【0057】本実施形態における発振器101の構成
は、前記第1の実施形態で説明したものと同様、図2に
示すような構成とすることもできる。
The oscillator 101 according to the present embodiment may have a structure as shown in FIG. 2 as in the case of the first embodiment.

【0058】図7に、本実施形態におけるレベル変換器
110の構成の一例を示す。図7を参照して、レベル変
換器110は、第1の電源線201と第2の電源線20
2との間に直列形態に接続され、ゲート端子がともに信
号線208に接続されたnMOS及びpMOSトランジ
スタMN71、MP72からなるCMOS型のインバー
タと、信号線208をゲート端子に接続し、CMOS型
インバータの反転出力をゲート端子に接続し、ソース端
子を第4の電源線207に共通に接続した2つのnMO
SトランジスタMN73、MN74と、前記2つのnM
OSトランジスタMN73、MN74のドレイン端子が
ゲート端子に交差接続され、第3の電源線206と2つ
のnMOSトランジスタMN73、MN74のドレイン
端子との間に挿入された2つのpMOSトランジスタM
P75、MP76と、からなり、出力信号線203はp
MOSトランジスタMP76のゲート端子とnMOSト
ランジスタMN73のドレイン端子の接続点から取り出
している。なお、図7に示したレベル変換器102の構
成はあくまで説明のためのものであり、本発明を限定す
るものではないことは勿論である。
FIG. 7 shows an example of the configuration of the level converter 110 according to this embodiment. Referring to FIG. 7, level converter 110 includes first power supply line 201 and second power supply line 20.
2 and a CMOS type inverter which is connected in series and has gate terminals connected to the signal line 208 and which is composed of nMOS and pMOS transistors MN71 and MP72, and a CMOS inverter which connects the signal line 208 to the gate terminal. Two nMOs whose inverting output is connected to the gate terminal and whose source terminal is commonly connected to the fourth power supply line 207.
S transistors MN73 and MN74 and the two nM
The drain terminals of the OS transistors MN73 and MN74 are cross-connected to the gate terminals, and two pMOS transistors M are inserted between the third power supply line 206 and the drain terminals of the two nMOS transistors MN73 and MN74.
P75 and MP76, and the output signal line 203 is p
It is taken out from the connection point between the gate terminal of the MOS transistor MP76 and the drain terminal of the nMOS transistor MN73. It should be noted that the configuration of the level converter 102 shown in FIG. 7 is merely for explanation and does not limit the present invention.

【0059】図6を参照して、nMOSトランジスタ1
03のソース端子は第1の電源線201に接続されてい
るため、第1の電源線201の電位Vhinは、制御信号
線204の電位Vhcと第1の電源線201に流れる電流
Iによって次式(3)のように決定される。
Referring to FIG. 6, nMOS transistor 1
Since the source terminal of 03 is connected to the first power supply line 201, the potential V hin of the first power supply line 201 depends on the potential V hc of the control signal line 204 and the current I flowing through the first power supply line 201. It is determined by the following equation (3).

【0060】[0060]

【数3】 (Equation 3)

【0061】式(3)において、KはnMOSトランジ
スタ103の利得係数、VtはnMOSトランジスタ1
03のしきい値電圧、αは定数である。
[0061] formula (3), K is the gain factor of the nMOS transistor 103, V t is the nMOS transistor 1
03 is a threshold voltage, and α is a constant.

【0062】したがって、電源端子105で与えられる
電位が変動しても、第1の電源線201の電位は変動し
ない。
Therefore, even if the potential applied to the power supply terminal 105 changes, the potential of the first power supply line 201 does not change.

【0063】また、pMOSトランジスタ104のソー
ス端子は第2の電源線202に接続されているため、第
2の電源線202の電位Vlinは、制御信号線205の
電位Vlcと第2の電源線202に流れる電流Iによって
次式(4)のように決定される。
Further, since the source terminal of the pMOS transistor 104 is connected to the second power supply line 202, the potential V lin of the second power supply line 202 is equal to the potential V lc of the control signal line 205 and the second power supply. It is determined by the current I flowing through the line 202 as in the following equation (4).

【0064】[0064]

【数4】 (Equation 4)

【0065】式(4)において、K′はpMOSトラン
ジスタ104の利得係数、Vt′はpMOSトランジス
タ104のしきい値電圧、α′は定数である。
In the equation (4), K ′ is a gain coefficient of the pMOS transistor 104, V t ′ is a threshold voltage of the pMOS transistor 104, and α ′ is a constant.

【0066】したがって、第2の電源端子106で与え
られる電位が変動しても、第2の電源線202の電位は
変動しない。
Therefore, even if the potential applied to the second power supply terminal 106 changes, the potential of the second power supply line 202 does not change.

【0067】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線204、205の電位によって発振
周波数を制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potentials of the control signal lines 204 and 205.

【0068】信号線208の信号は、ハイレベルが第1
の電源線201のレベルで、ローレベルが第2の電源線
202のレベルであるため、レベル変換器110によっ
て、ハイレベルが第3の電源線206のレベルで、ロー
レベルが第4の電源線207のレベルの信号に変換し出
力信号線203から出力する。もし、上記レベル変換が
必要でない場合においては、上記レベル変換器を削除す
ることによっても、本発明の効果は得られる。
The signal on the signal line 208 has the first high level.
Since the low level of the power supply line 201 is the level of the second power supply line 202, the level converter 110 causes the high level to be the level of the third power supply line 206 and the low level to be the fourth power supply line. The signal is converted into a signal of level 207 and output from the output signal line 203. If the level conversion is not necessary, the effect of the present invention can be obtained by deleting the level converter.

【0069】なお、本実施形態のMOSトランジスタを
用いて電源電圧の変動を低減するという手法は、電圧制
御発振器についてのみ適用可能とされるものではなく、
発振器101を別の回路等で置き換えることもできる。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage using the MOS transistor of this embodiment is not applicable only to the voltage controlled oscillator.
The oscillator 101 can be replaced with another circuit or the like.

【0070】[実施形態4]図8は、本発明の第4の実
施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す回路図であ
る。本実施形態は、図1に示した前記第1の実施形態に
係る電圧制御発振器におけるnMOSトランジスタ10
3をnpnバイポーラトランジスタ107で置き換えた
構成と等価とされる。
[Fourth Embodiment] FIG. 8 is a circuit diagram showing a structure of a voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment of the present invention. This embodiment is an nMOS transistor 10 in the voltage controlled oscillator according to the first embodiment shown in FIG.
This is equivalent to the configuration in which 3 is replaced by the npn bipolar transistor 107.

【0071】図8を参照して、本実施形態に係る電圧制
御発振器は、第1の電源線201と第2の電源端子10
6に接続した第2の電源線202から得られる電圧の電
位差に対応した発振周波数の信号を信号線208から出
力する発振器101と、第1の電源端子105にコレク
タ端子が接続され、第1の電源線201にエミッタ端子
が接続され、制御信号線204にベース端子が接続され
たnpnバイポーラトランジスタ107と、第1の電源
線201で得られる電位をハイレベルとし、第2の電源
線202で得られる電位をローレベルとした信号が信号
線208から与えられ、その信号レベルを、第1の電源
端子105に接続した第3の電源線206で得られる電
位をハイレベルとし、第2の電源端子106に接続した
第4の電源線207で得られる電位をローレベルとした
信号に変換し出力信号線203に出力するレベル変換器
102と、からなる。
Referring to FIG. 8, the voltage controlled oscillator according to the present embodiment has a first power supply line 201 and a second power supply terminal 10.
An oscillator 101 that outputs a signal of an oscillation frequency corresponding to the potential difference of the voltage obtained from the second power supply line 202 connected to 6 from a signal line 208, and a collector terminal is connected to the first power supply terminal 105. The potential obtained at the first power supply line 201 and the npn bipolar transistor 107 having the emitter terminal connected to the power supply line 201 and the base terminal connected to the control signal line 204 is set to the high level, and the second power supply line 202 is provided. A signal whose potential to be set to a low level is supplied from the signal line 208, and the signal level thereof is set to a high level as a potential obtained by the third power supply line 206 connected to the first power supply terminal 105, and the second power supply terminal is set to a high level. A level converter 102 that converts a potential obtained by the fourth power supply line 207 connected to the signal 106 into a low level signal and outputs the signal to the output signal line 203. .

【0072】本実施形態における発振器101の構成
は、前記第1の実施形態で説明したものと同様、図2に
示すような構成とすることができる。本実施形態におけ
るレベル変換器102の構成の一例を図3に示す。図2
及び図3にそれぞれ示した発振器とレベル変換器の構成
はあくまで説明のためのものであり、本発明を限定する
ためのものではない。
The oscillator 101 according to the present embodiment can be configured as shown in FIG. 2 like the one described in the first embodiment. FIG. 3 shows an example of the configuration of the level converter 102 in this embodiment. FIG.
Also, the configurations of the oscillator and the level converter shown in FIG. 3 and FIG. 3 are for the purpose of explanation only, and not for limiting the present invention.

【0073】図8を参照して、npnバイポーラトラン
ジスタ107のエミッタ端子は第1の電源線201に接
続されているため、第1の電源線201の電位V
hinは、制御信号線204の電位Vhcによって次式(5)の
ように決定される。
Referring to FIG. 8, since the emitter terminal of npn bipolar transistor 107 is connected to first power supply line 201, the potential V of first power supply line 201 is V.
hin is determined by the potential V hc of the control signal line 204 as in the following equation (5).

【0074】Vhin=Vhc−Vbe …(5)V hin = V hc −V be (5)

【0075】ここで、Vbeはnpnトランジスタ107
のベース・エミッタ間電圧を示す定数である。したがっ
て、第1の電源端子105で与えられる電位が変動して
も、第1の電源線201の電位は変動しない。
Here, V be is the npn transistor 107
Is a constant indicating the base-emitter voltage of. Therefore, even if the potential applied to the first power supply terminal 105 changes, the potential of the first power supply line 201 does not change.

【0076】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線204の電位によって発振周波数を
制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potential of the control signal line 204.

【0077】信号線208の信号は、ハイレベルが第1
の電源線201のレベルで、ローレベルが第2の電源線
202のレベルであるので、レベル変換器102によっ
て、ハイレベルが第3の電源線206のレベルで、ロー
レベルが第4の電源線207のレベルの信号に変換し出
力信号線203から出力する。もし、上記レベル変換が
必要でない場合においては、上記レベル変換器を削除し
ても、上記した本発明の作用効果は得られる。
The signal on the signal line 208 has the first high level.
Since the low level is the level of the second power supply line 202, the level converter 102 causes the high level to be the level of the third power supply line 206 and the low level to be the fourth power supply line. The signal is converted into a signal of level 207 and output from the output signal line 203. If the level conversion is not necessary, the effect of the present invention described above can be obtained even if the level converter is deleted.

【0078】なお、本実施形態のバイポーラトランジス
タを用いて電源電圧の変動を低減するという手法は、電
圧制御発振器についてのみ適用可能なものではなく、ま
た発振器101を別の回路等で置き換えることも可能で
ある。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage using the bipolar transistor of this embodiment is not applicable only to the voltage controlled oscillator, and the oscillator 101 can be replaced with another circuit or the like. Is.

【0079】[実施形態5]図9は、本発明の第5の実
施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す図である。本
実施形態においては、図4に示した前記第2の実施形態
に係る電圧制御発振器におけるpMOSトランジスタ1
04をpnpバイポーラトランジスタ108で置き換え
た構成と等価とされる。
[Fifth Embodiment] FIG. 9 is a diagram showing a structure of a voltage controlled oscillator according to a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, the pMOS transistor 1 in the voltage controlled oscillator according to the second embodiment shown in FIG.
It is equivalent to a configuration in which 04 is replaced with a pnp bipolar transistor 108.

【0080】図9を参照して、本実施形態に係る電圧制
御発振器は、第2の電源線202と第1の電源端子10
5に接続した第1の電源線201から得られる電圧の電
位差に対応した発振周波数の信号を信号線208から出
力する発振器101と、第2の電源端子106にコレク
タ端子が接続され、第2の電源線202にエミッタ端子
が接続され、制御信号線205にベース端子が接続され
たpnpバイポーラトランジスタ108と、第1の電源
線201で得られる電位をハイレベルとし、第2の電源
線202で得られる電位をローレベルとした信号が信号
線208から与えられ、その信号レベルを、第1の電源
端子105に接続した第3の電源線206で得られる電
位をハイレベルとし、第2の電源端子106に接続した
第4の電源線207で得られる電位をローレベルとした
信号に変換し出力信号線203に出力するレベル変換器
109と、からなる。
Referring to FIG. 9, the voltage controlled oscillator according to the present embodiment has a second power supply line 202 and a first power supply terminal 10.
The oscillator 101 that outputs a signal having an oscillation frequency corresponding to the potential difference of the voltage obtained from the first power supply line 201 connected to the signal line 5 from the signal line 208, and the collector terminal to the second power supply terminal 106 are connected to the second power supply terminal 106. The pnp bipolar transistor 108 whose emitter terminal is connected to the power supply line 202 and whose base terminal is connected to the control signal line 205, and the potential obtained by the first power supply line 201 are set to a high level and are obtained by the second power supply line 202. A signal whose potential to be set to a low level is supplied from the signal line 208, and the signal level thereof is set to a high level as a potential obtained by the third power supply line 206 connected to the first power supply terminal 105, and the second power supply terminal is set to a high level. A level converter 109 for converting a potential obtained by the fourth power supply line 207 connected to the control line 106 into a low level signal and outputting the signal to the output signal line 203. .

【0081】本実施形態における発振器101の構成
は、前記第1の実施形態で説明したものと同様、図2に
示すような構成とすることもできる。また、本実施形態
におけるレベル変換器109の構成の一例を図5に示
す。図2及び図5にそれぞれ示した発振器とレベル変換
器の構成はあくまで説明のためのものであり、本発明を
限定するためのものではない。
The configuration of the oscillator 101 in the present embodiment can be configured as shown in FIG. 2 as in the case of the configuration described in the first embodiment. 5 shows an example of the configuration of the level converter 109 according to this embodiment. The configurations of the oscillator and the level converter shown in FIG. 2 and FIG. 5, respectively, are for the purpose of explanation only, and are not for limiting the present invention.

【0082】図9を参照して、pnpバイポーラトラン
ジスタ108のエミッタ端子は第2の電源線202に接
続されているため、第2の電源線202の電位V
linは、制御信号線205の電位Vlcによって次式(6)の
ように決定される。
Referring to FIG. 9, since the emitter terminal of pnp bipolar transistor 108 is connected to second power supply line 202, potential V of second power supply line 202 is V.
The lin is determined by the potential V lc of the control signal line 205 as in the following equation (6).

【0083】Vlin=Vlc−Vbe′ …(6)V lin = V lc −V be ′ (6)

【0084】ここで、Vbe′はpnpトランジスタ10
8の定数(ベース・エミッタ間電圧)である。したがっ
て、第2の電源端子106で与えられる電位が変動して
も、第2の電源線202の電位は変動しない。
Here, V be is the pnp transistor 10
8 constant (base-emitter voltage). Therefore, even if the potential applied to the second power supply terminal 106 changes, the potential of the second power supply line 202 does not change.

【0085】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線205の電位によって発振周波数を
制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potential of the control signal line 205.

【0086】信号線208の信号は、ハイレベルが第1
の電源線201のレベルで、ローレベルが第2の電源線
202のレベルであるので、レベル変換器109によっ
て、ハイレベルが第3の電源線206のレベルで、ロー
レベルが第4の電源線207のレベルの信号に変換し出
力信号線203から出力する。もし、上記レベル変換が
必要でない場合においては、上記レベル変換器を削除し
た場合でも、上記した本発明の作用効果は得られる。
The signal on the signal line 208 has the first high level.
The low level is the level of the second power supply line 202, and the level converter 109 causes the high level to be the level of the third power supply line 206 and the low level is the fourth power supply line. The signal is converted into a signal of level 207 and output from the output signal line 203. If the level conversion is not necessary, the above-described effects of the present invention can be obtained even if the level converter is deleted.

【0087】なお、本実施形態のバイポーラトランジス
タを用いて電源電圧の変動を低減するという手法は、電
圧制御発振器についてのみ適用できるものではなく、発
振器101を別の回路等で置き換えることもできる。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage using the bipolar transistor of this embodiment is not applicable only to the voltage controlled oscillator, and the oscillator 101 can be replaced with another circuit or the like.

【0088】[実施形態6]図10は、本発明の第6の
実施形態に係る電圧制御発振器の構成を示す図である。
本実施形態においては、図6に示した前記第3の実施形
態に係る電圧制御発振器におけるnMOSトランジスタ
103とpMOSトランジスタ104をnpnバイポー
ラトランジスタ107とpnpバイポーラトランジスタ
108で置き換えた構成と等価とされる。
[Sixth Embodiment] FIG. 10 is a diagram showing a structure of a voltage controlled oscillator according to a sixth embodiment of the present invention.
This embodiment is equivalent to the configuration in which the nMOS transistor 103 and the pMOS transistor 104 in the voltage controlled oscillator according to the third embodiment shown in FIG. 6 are replaced with the npn bipolar transistor 107 and the pnp bipolar transistor 108.

【0089】図10を参照して、本実施形態の電圧制御
発振器は、第1の電源線201と第2の電源線202か
ら得られる電圧の電位差に対応した発振周波数の信号を
信号線208から出力する発振器101と、第1の電源
端子105にコレクタ端子が接続され、第1の電源線2
01にエミッタ端子が接続され、制御信号線204にベ
ース端子が接続されたnpnバイポーラトランジスタ1
07と、第2の電源端子106にコレクタ端子が接続さ
れ、第2の電源線202にエミッタ端子が接続され、制
御信号線205にベース端子が接続されたpnpバイポ
ーラトランジスタ108と、第1の電源線201で得ら
れる電位をハイレベルとし、第2の電源線202で得ら
れる電位をローレベルとした信号が信号線208から与
えられ、その信号レベルを、第1の電源端子105に接
続した第3の電源線206で得られる電位をハイレベル
とし、第2の電源端子106に接続した第4の電源線2
07で得られる電位をローレベルとした信号に変換し出
力信号線203に出力するレベル変換器110と、から
なる。
Referring to FIG. 10, the voltage-controlled oscillator of the present embodiment outputs a signal having an oscillation frequency corresponding to a potential difference between voltages obtained from first power supply line 201 and second power supply line 202 from signal line 208. The collector terminal is connected to the oscillator 101 for outputting and the first power supply terminal 105, and the first power supply line 2
Npn bipolar transistor 1 whose emitter terminal is connected to 01 and whose base terminal is connected to the control signal line 204
07, a pnp bipolar transistor 108 having a collector terminal connected to the second power supply terminal 106, an emitter terminal connected to the second power supply line 202, and a base terminal connected to the control signal line 205; and a first power supply. A signal whose potential obtained by the line 201 is high level and whose potential obtained by the second power supply line 202 is low level is supplied from the signal line 208, and the signal level thereof is connected to the first power supply terminal 105. The fourth power supply line 2 connected to the second power supply terminal 106 is set to a high level potential obtained by the power supply line 206
And a level converter 110 for converting the electric potential obtained at 07 into a low level signal and outputting it to the output signal line 203.

【0090】本実施形態における発振器101の構成
は、前記第1の実施形態で説明したものと同様、図2に
示すような構成とすることもできる。また、本実施形態
におけるレベル変換器110の構成の一例を図7に示
す。図2及び図7に示す構成は本発明を限定するための
ものではない。
The configuration of the oscillator 101 in this embodiment may be the one shown in FIG. 2 as in the case of the first embodiment. 7 shows an example of the configuration of the level converter 110 according to this embodiment. The configurations shown in FIGS. 2 and 7 are not intended to limit the invention.

【0091】図10を参照して、npnバイポーラトラ
ンジスタ107のエミッタ端子は第1の電源線201に
接続されているため、第1の電源線201の電位Vhin
は、制御信号線204の電位Vhcによって次式(7)のよ
うに決定される。
Referring to FIG. 10, since the emitter terminal of npn bipolar transistor 107 is connected to first power supply line 201, the potential V hin of first power supply line 201 is V hin.
Is determined by the potential V hc of the control signal line 204 as in the following equation (7).

【0092】Vhin=Vhc−Vbe …(7)V hin = V hc −V be (7)

【0093】ここで、Vbeはnpnバイポーラトランジ
スタ107の定数である。したがって、第1の電源端子
105で与えられる電位が変動しても、第1の電源線2
01の電位は変動しない。
Here, V be is a constant of the npn bipolar transistor 107. Therefore, even if the potential applied to the first power supply terminal 105 fluctuates, the first power supply line 2
The potential of 01 does not change.

【0094】また、pnpバイポーラトランジスタ10
8のエミッタ端子は第2の電源線202に接続されてい
るため、第2の電源線202の電位Vlinは、制御信号
線205の電位Vlcによって次式(8)のように決定され
る。
Also, the pnp bipolar transistor 10
Since the emitter terminal of 8 is connected to the second power supply line 202, the potential V lin of the second power supply line 202 is determined by the potential V lc of the control signal line 205 as in the following equation (8). .

【0095】Vlin=Vlc−Vbe′ …(8)V lin = V lc −V be ′ (8)

【0096】ここで、Vbe′はpnpトランジスタ10
8の定数である。したがって、第2の電源端子106で
与えられる電位が変動しても、第2の電源線202の電
位は変動しない。
Here, V be is the pnp transistor 10
It is a constant of 8. Therefore, even if the potential applied to the second power supply terminal 106 changes, the potential of the second power supply line 202 does not change.

【0097】発振器101の発振周波数は、第1の電源
線201と第2の電源線202の電位差によって変化す
るため、制御信号線204、205の電位によって発振
周波数を制御できる。
Since the oscillation frequency of the oscillator 101 changes depending on the potential difference between the first power supply line 201 and the second power supply line 202, the oscillation frequency can be controlled by the potentials of the control signal lines 204 and 205.

【0098】信号線208の信号は、ハイレベルが第1
の電源線201のレベルで、ローレベルが第2の電源線
202のレベルであるので、レベル変換器110によっ
て、ハイレベルが第3の電源線206のレベルで、ロー
レベルが第4の電源線207のレベルの信号に変換し出
力信号線203から出力する。もし、上記レベル変換が
必要でない場合においては、上記レベル変換器を削除す
ることによっても本発明の効果は得られる。
The signal on the signal line 208 has the first high level.
Since the low level is the level of the second power supply line 202, the level converter 110 causes the high level to be the level of the third power supply line 206 and the low level to be the fourth power supply line. The signal is converted into a signal of level 207 and output from the output signal line 203. If the level conversion is not necessary, the effect of the present invention can be obtained by deleting the level converter.

【0099】なお、本実施形態に係るバイポーラトラン
ジスタを用いて電源電圧の変動を低減するという手法
は、電圧制御発振器についてのみ適用可能とされるもの
ではなく、また発振器101を別の回路等で置き換える
ことも可能である。
The method of reducing the fluctuation of the power supply voltage using the bipolar transistor according to the present embodiment is not applicable only to the voltage controlled oscillator, and the oscillator 101 is replaced with another circuit or the like. It is also possible.

【0100】[実施形態7]図12に、本発明の別の実
施形態として、発振器101の別の構成例を示す。図1
2を参照して、この発振器は、制御信号線209と制御
信号線210によって、出力段の出力が入力段の入力に
帰還された奇数段のCMOSインバータの駆動電流を制
御できるように構成されている。
[Seventh Embodiment] FIG. 12 shows another configuration example of an oscillator 101 as another embodiment of the present invention. FIG.
2, this oscillator is configured so that the control signal line 209 and the control signal line 210 can control the drive currents of the odd-numbered CMOS inverters in which the output of the output stage is fed back to the input of the input stage. There is.

【0101】この発振器は、第1の電源端子と第2の電
源端子と出力端子以外に入力端子(制御信号線209、
210用の入力端子)を備え、この入力端子の電圧値に
よって発振周波数が変化できることを特徴としている。
In addition to the first power supply terminal, the second power supply terminal and the output terminal, this oscillator has an input terminal (control signal line 209,
The input terminal for 210) is provided, and the oscillation frequency can be changed by the voltage value of this input terminal.

【0102】この発振器は、図2に示した発振器と同様
に、CMOSのインバータを奇数段(この例では5段)
リング状に接続したものであるが、各段のCMOSイン
バータを構成するpMOSトランジスタMPi−1と電
源線201との間にpMOSトランジスタMPi−2
(i=1,…5)を設け、そのゲートに制御信号線20
9を接続している。同様に、各段のCMOSインバータ
を構成するnMOSトランジスタMNi−1と電源線2
02との間にnMOSトランジスタMNi−2(i=
1,…5)を設け、そのゲートに制御信号線201を接
続している。
This oscillator has an odd number of CMOS inverters (five in this example), as in the oscillator shown in FIG.
Although they are connected in a ring shape, a pMOS transistor MPi-2 is formed between the pMOS transistor MPi-1 and the power supply line 201 which form the CMOS inverter of each stage.
(I = 1, ... 5) is provided, and the control signal line 20 is provided at its gate.
9 are connected. Similarly, the nMOS transistor MNi-1 and the power supply line 2 which form the CMOS inverter of each stage
02 and nMOS transistor MNi-2 (i =
1, ... 5) are provided, and the control signal line 201 is connected to the gate thereof.

【0103】ここで、図12に示した発振器を、図1の
実施形態1の電圧制御発振器に適用した場合を考える。
Now, let us consider a case where the oscillator shown in FIG. 12 is applied to the voltage controlled oscillator of the first embodiment shown in FIG.

【0104】この電圧制御発振器は、制御信号線204
と、制御信号線209と制御信号線210によって発振
周波数を制御できる。
This voltage controlled oscillator has a control signal line 204
The oscillation frequency can be controlled by the control signal line 209 and the control signal line 210.

【0105】制御信号線209と制御信号線210のそ
れぞれの電圧レベルは、発振器101を構成するCMO
Sインバータの出力信号の立ち上がり時間と立ち下がり
時間をそれぞれ制御する。このため、通常の用途では、
この立ち上がり時間と立ち下がり時間を等しくするた
め、制御信号線209と制御信号線210のそれぞれの
電圧レベルVf、Vrは、ある相関を持って、たとえば、
次式(9)のようにして決定する。
The respective voltage levels of the control signal line 209 and the control signal line 210 are CMO which constitutes the oscillator 101.
The rising time and the falling time of the output signal of the S inverter are controlled respectively. Therefore, in normal use,
In order to equalize the rising time and the falling time, the voltage levels V f and V r of the control signal line 209 and the control signal line 210 have a certain correlation, for example,
It is determined by the following equation (9).

【0106】Vr=f(Vf)…(9)V r = f (V f ) ... (9)

【0107】ここで、関数fは、制御信号線209およ
び制御信号線210にそれぞれつながったpMOSトラ
ンジスタとnMOSトランジスタの特性により決まる。
Here, the function f is determined by the characteristics of the pMOS transistor and the nMOS transistor connected to the control signal line 209 and the control signal line 210, respectively.

【0108】すなわち、通常の用途では、この電圧制御
発振器は、制御信号線204と制御信号線209の2つ
の電圧レベルによって発振周波数を制御できる。
That is, in a usual application, this voltage controlled oscillator can control the oscillation frequency by the two voltage levels of the control signal line 204 and the control signal line 209.

【0109】以下に、上式(9)について詳細に説明す
る。
The above equation (9) will be described in detail below.

【0110】いま、制御信号線209に接続したpMO
Sトランジスタ(MP1−2、MP2−2、等)のゲー
ト電圧(209の電圧)Vfとドレイン電流Ifの関係
は、ゲート・ソース間電圧VGS=Vdd−Vfであること
から、次式(10)で表される。
Now, pMO connected to the control signal line 209
Since the relationship between the gate voltage (voltage of 209) V f of the S transistors (MP1-2, MP2-2, etc.) and the drain current If is the gate-source voltage V GS = Vdd−V f , It is expressed by equation (10).

【0111】[0111]

【数5】 (Equation 5)

【0112】ここで、VtはPMOSトランジスタのし
きい値電圧、α、Kは、トランジスタによって決まる定
数、Vddは電源線201の電位である。同様に、制御信
号線210につながったnMOSトランジスタ(MN1
−2、MN2−2、等)のゲート電圧(210の電圧)
rとドレイン電流Irの関係は、次式(11)で表され
る。
Here, V t is the threshold voltage of the PMOS transistor, α and K are constants determined by the transistor, and V dd is the potential of the power supply line 201. Similarly, an nMOS transistor (MN1 connected to the control signal line 210)
-2, MN2-2, etc.) gate voltage (voltage of 210)
The relationship between V r and drain current I r is expressed by the following equation (11).

【0113】[0113]

【数6】 (Equation 6)

【0114】ここで、Vt′はnMOSトランジスタの
しきい値電圧、α′、K′は、トランジスタによって決
まる定数である。
Here, V t 'is a threshold voltage of the nMOS transistor, and α'and K'are constants determined by the transistor.

【0115】ここで、信号線208から得られる信号の
立ち上がり時間と立ち下がり時間が同じであるために
は、If=Irでなければならないことから、次式(1
2)が成り立つことになる。
In order for the rise time and the fall time of the signal obtained from the signal line 208 to be the same, I f = I r must be satisfied. Therefore, the following equation (1)
2) is established.

【0116】[0116]

【数7】 (Equation 7)

【0117】ここで、K=K′、α=α′、Vt=Vt
と仮定すると、 Vr=Vdd−Vf …(13) となる。
Here, K = K ', α = α', V t = V t '
Assuming that, V r = Vdd−V f (13)

【0118】すなわち、この場合、上式(9)における
関数f(x)=Vdd−xとなる。
That is, in this case, the function f (x) = Vdd-x in the above equation (9).

【0119】一般に、電圧制御発振器を構成するトラン
ジスタのしきい値やゲート長等の変動によるデバイス特
性のばらつき、および配線等の抵抗値や容量値等の特性
値のばらつき、および温度や電源電圧等の動作環境のば
らつきは、電圧制御発振器のゲイン、すなわち、制御信
号線の電圧レベルに対する発振周波数の変化率を変動さ
せてしまう。
In general, variations in device characteristics due to variations in the threshold value and gate length of transistors constituting a voltage controlled oscillator, variations in characteristic values such as resistance values and capacitance values of wiring, temperature, power supply voltage, etc. The variation in the operating environment causes the gain of the voltage controlled oscillator, that is, the rate of change of the oscillation frequency with respect to the voltage level of the control signal line.

【0120】この電圧制御発振器では、制御信号線20
4と制御信号線209の2つの電圧レベルによって発振
周波数を制御できるため、一方の制御信号線を上記した
デバイス等のばらつきを補償するために用いることがで
きる。
In this voltage controlled oscillator, the control signal line 20
4 and the control signal line 209, the oscillation frequency can be controlled, so that one control signal line can be used to compensate for variations in the above-mentioned devices.

【0121】さらに、図12に示した発振器の代わり
に、図13に示すような回路構成でもよい。これは、C
MOSリングオシレータの各段の出力に、nMOSトラ
ンジスタ(MN1〜MNn)の一端を接続し、nMOSト
ランジスタ(MN1〜MNn)の他端を容量(C1〜Cn
を接続し、nMOSトランジスタのゲートに制御信号線
210を接続したものである。nMOSトランジスタの
インピーダンスを制御信号線210の電圧で制御する。
Further, instead of the oscillator shown in FIG. 12, a circuit configuration shown in FIG. 13 may be used. This is C
The output of each stage of the MOS ring oscillator, connect one end of an nMOS transistor (MN 1 ~MN n), the capacity and the other end of the nMOS transistor (MN 1 ~MN n) (C 1 ~C n)
And the control signal line 210 is connected to the gate of the nMOS transistor. The impedance of the nMOS transistor is controlled by the voltage of the control signal line 210.

【0122】[0122]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電圧制御
発振器は、MOSトランジスタのソース端子の電位がゲ
ート端子の電圧とドレイン電流によって決定され、ドレ
イン端子の電位によらないことを利用して、電源電圧の
変動に対する耐性に優れた電圧制御発振器を提供するも
のである。
As described above, the voltage controlled oscillator of the present invention utilizes the fact that the potential of the source terminal of a MOS transistor is determined by the voltage of the gate terminal and the drain current, and does not depend on the potential of the drain terminal. The present invention provides a voltage controlled oscillator having excellent resistance to fluctuations in power supply voltage.

【0123】本発明においては、第1の電源端子と第2
の電源端子の電圧差によって発振周波数が変化する発振
器に対し、電圧が変動する第1及び/又は第2の電源端
子に、MOSトランジスタをそのソース端子が発振器の
電源端子、ドレイン端子が変動する電源端子とつながる
ように接続し、発振器の第1の電源端子および第2の電
源端子の電位、すなわちMOSトランジスタのソース電
位は、接続されたMOSトランジスタのゲート端子の電
位とドレイン電流により決定され、ドレイン電流もゲー
ト端子の電位と発振器の消費電流によって決定されるた
め、発振器の電源はMOSトランジスタのゲート電位に
より一意的に決定されることになり、発振器の発振周波
数はMOSトランジスタのゲート電位により決定され、
MOSトランジスタのドレイン端子の電圧が変動して
も、ソース端子の電圧は変動しないため、本発明の発振
器は電源電圧の変動の影響を受けない。
In the present invention, the first power supply terminal and the second power supply terminal
For an oscillator whose oscillation frequency changes depending on the voltage difference of the power supply terminal of the power supply, the first and / or second power supply terminal whose voltage fluctuates has a MOS transistor whose source terminal is the power supply terminal of the oscillator and whose drain terminal is the power supply whose fluctuation The potentials of the first power supply terminal and the second power supply terminal of the oscillator, that is, the source potentials of the MOS transistors are determined by the potentials of the gate terminals and the drain currents of the connected MOS transistors. Since the current is also determined by the potential of the gate terminal and the current consumption of the oscillator, the power supply of the oscillator is uniquely determined by the gate potential of the MOS transistor, and the oscillation frequency of the oscillator is determined by the gate potential of the MOS transistor. ,
Even if the voltage of the drain terminal of the MOS transistor fluctuates, the voltage of the source terminal does not fluctuate, so the oscillator of the present invention is not affected by the fluctuation of the power supply voltage.

【0124】本発明の電圧制御発振器では、MOSトラ
ンジスタの代わりにバイポーラトランジスタを用いても
同様の効果が得られる。
In the voltage controlled oscillator of the present invention, the same effect can be obtained by using a bipolar transistor instead of the MOS transistor.

【0125】さらに、本発明においては、発振器として
入力端子を備え、その電圧値に対し発振回路等が制御さ
れる構成としても上記と同様の効果を奏する。
Further, in the present invention, the same effect as above can be obtained even if the input terminal is provided as the oscillator and the oscillation circuit or the like is controlled with respect to the voltage value thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る電圧制御発振器の構
成を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a configuration of a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態における発振器の構成の一
例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a configuration of an oscillator according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態におけるレベル変換器の構
成の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a configuration of a level converter according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施形態に係る電圧制御発振器
の構成を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration of a voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態におけるレベル変換器
の構成の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a configuration of a level converter according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施形態に係る電圧制御発振器
の構成を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration of a voltage controlled oscillator according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施形態におけるレベル変換器
の構成の一例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a configuration of a level converter according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施形態に係る電圧制御発振器
の構成を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a configuration of a voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5の実施形態に係る電圧制御発振器
の構成を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a configuration of a voltage controlled oscillator according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining the configuration of a voltage controlled oscillator according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】従来の電圧制御発振器の構成を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional voltage controlled oscillator.

【図12】本発明の第7の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を説明するための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining the configuration of a voltage controlled oscillator according to a seventh embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第7の実施形態に係る電圧制御発振
器の別の例を説明するための図である。
FIG. 13 is a diagram for explaining another example of the voltage controlled oscillator according to the seventh embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 発振器 102、109、110 レベル変換器 103 nMOSトランジスタ 104 pMOSトランジスタ 105、106 電源端子 107 npnバイポーラトランジスタ 108 pnpバイポーラトランジスタ 201、202、206、207 電源線 203 出力信号線 204、205 制御信号線 208 信号線 101 oscillator 102, 109, 110 level converter 103 nMOS transistor 104 pMOS transistor 105, 106 power supply terminal 107 npn bipolar transistor 108 pnp bipolar transistor 201, 202, 206, 207 power supply line 203 output signal line 204, 205 control signal line 208 signal line

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】高電位側電源線と低電位側電源線との間に
挿入され、前記2つの電源線間の電圧差に応じて発振周
波数が可変する発振器を備えた電圧制御発振器におい
て、 前記高電位側電源線と前記低電位側電源線の少なくとも
一の電源線と、該電源線に対応して設けられ該電源線に
給電する電源端子と、の間にMOSトランジスタを挿入
し、前記MOSトランジスタのゲート端子に制御信号を
印加して前記発振器の発振周波数を制御するようにして
なることを特徴とする電圧制御発振器。
1. A voltage-controlled oscillator comprising an oscillator inserted between a high-potential-side power line and a low-potential-side power line and having an oscillation frequency variable according to a voltage difference between the two power lines. A MOS transistor is inserted between at least one power source line of the high potential side power source line and the low potential side power source line, and a power source terminal provided corresponding to the power source line and supplying power to the power source line. A voltage-controlled oscillator characterized in that a control signal is applied to a gate terminal of a transistor to control an oscillation frequency of the oscillator.
【請求項2】前記電源線と前記電源端子との間に、前記
MOSトランジスタの代わりにバイポーラトランジスタ
を挿入したことを特徴とする請求項1記載の電圧制御発
振器。
2. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein a bipolar transistor is inserted between the power supply line and the power supply terminal instead of the MOS transistor.
【請求項3】前記発振器の出力信号の振幅を、前記挿入
されたトランジスタに対応して、前記高電位側電源線と
前記低電位側電源線とにそれぞれ給電する二つの電源端
子の電源レベルのうちの少なくとも一の電源レベルにシ
フトさせる手段を備えたことを特徴とする請求項1記載
の電圧制御発振器。
3. The amplitude of the output signal of the oscillator is set to the power supply level of two power supply terminals for supplying power to the high potential side power supply line and the low potential side power supply line, respectively, corresponding to the inserted transistor. The voltage controlled oscillator according to claim 1, further comprising means for shifting to at least one of the power supply levels.
【請求項4】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が変化する
発振器と、 前記第2の電源端子と、第3の電源端子と、入力端子
と、出力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に
前記入力端子が接続され、前記入力端子から得られる信
号の信号振幅を前記第2の電源端子と前記第3の電源端
子で得られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端
子から出力するレベル変換器と、を備え、 前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との間にMO
Sトランジスタのソースとドレインをそれぞれ接続し、
前記MOSトランジスタのゲート端子により前記発振器
の発振周波数を制御するようにしてなることを特徴とす
る電圧制御発振器。
4. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. A variable oscillator, the second power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal, wherein the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator and is obtained from the input terminal. A level converter that converts the signal amplitude of the generated signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the second power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the first power supply MO between the terminal and the third power supply terminal
Connect the source and drain of the S transistor,
A voltage-controlled oscillator, wherein an oscillation frequency of the oscillator is controlled by a gate terminal of the MOS transistor.
【請求項5】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が変化する
発振器と、 前記第1の電源端子と、第3の電源端子と、入力端子
と、出力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に
前記入力端子が接続され、前記入力端子から得られる信
号の信号振幅を前記第1の電源端子と前記第3の電源端
子で得られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端
子から出力するレベル変換器と、を備え、 前記第2の電源端子と前記第3の電源端子との間にMO
Sトランジスタのソースとドレインをそれぞれ接続し、
前記MOSトランジスタのゲート端子により前記発振器
の発振周波数を制御するようにしてなることを特徴とす
る電圧制御発振器。
5. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. An oscillator that changes, a first power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal. The input terminal is connected to the output terminal of the oscillator, and the output terminal is obtained from the input terminal. A level converter that converts the signal amplitude of the generated signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the second power supply MO between the terminal and the third power supply terminal
Connect the source and drain of the S transistor,
A voltage-controlled oscillator, wherein an oscillation frequency of the oscillator is controlled by a gate terminal of the MOS transistor.
【請求項6】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が変化する
発振器と、 第3の電源端子と、第4の電源端子と、入力端子と、出
力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に前記入
力端子が接続され、前記入力端子から得られる信号の信
号振幅を前記第3の電源端子と前記第4の電源端子で得
られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端子から
出力するレベル変換器と、を備え、 前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との間に第1
のMOSトランジスタのソース端子とドレイン端子とを
それぞれ接続し、前記第1のMOSトランジスタのゲー
ト端子により前記発振器の発振周波数を制御すると共
に、 前記第2の電源端子と前記第4の電源端子との間に第2
のMOSトランジスタのソース端子とドレイン端子とを
それぞれ接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲー
ト端子により前記発振器の発振周波数を制御するように
してなることを特徴とする電圧制御発振器。
6. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. A variable oscillator, a third power supply terminal, a fourth power supply terminal, an input terminal, and an output terminal are provided, and the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator and is obtained from the input terminal. A level converter that converts a signal amplitude of a signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the third power supply terminal and the fourth power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the first power supply terminal Between the first power supply terminal and the third power supply terminal
The source terminal and the drain terminal of the MOS transistor are connected to each other, the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the gate terminal of the first MOS transistor, and the second power supply terminal and the fourth power supply terminal are connected. Second between
The voltage controlled oscillator, wherein the source terminal and the drain terminal of the MOS transistor are connected to each other, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the gate terminal of the second MOS transistor.
【請求項7】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が変化する
発振器と、 前記第2の電源端子と、第3の電源端子と、入力端子
と、出力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に
前記入力端子が接続され、前記入力端子から得られる信
号の信号振幅を前記第2の電源端子と前記第3の電源端
子で得られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端
子から出力するレベル変換器と、を備え、 前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との間にバイ
ポーラトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子とを
それぞれ接続し、前記バイポーラトランジスタのベース
端子により前記発振器の発振周波数を制御することを特
徴とする電圧制御発振器。
7. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. A variable oscillator, the second power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal, wherein the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator and is obtained from the input terminal. A level converter that converts the signal amplitude of the generated signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the second power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the first power supply An emitter terminal and a collector terminal of a bipolar transistor are respectively connected between a terminal and the third power supply terminal, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the bipolar transistor. Vessel.
【請求項8】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が可変する
発振器と、 前記第1の電源端子と、第3の電源端子と、入力端子
と、出力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に
前記入力端子が接続され、前記入力端子から得られる信
号の信号振幅を前記第1の電源端子と前記第3の電源端
子で得られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端
子から出力するレベル変換器と、を備え、 前記第2の電源端子と前記第3の電源端子との間にバイ
ポーラトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子とを
それぞれ接続し、前記第2のバイポーラトランジスタの
ベース端子により前記発振器の発振周波数を制御するこ
とを特徴とする電圧制御発振器。
8. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. A variable oscillator, the first power supply terminal, a third power supply terminal, an input terminal, and an output terminal are provided, and the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator and is obtained from the input terminal. A level converter that converts the signal amplitude of the generated signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the third power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the second power supply A voltage characterized in that an emitter terminal and a collector terminal of a bipolar transistor are respectively connected between a terminal and the third power supply terminal, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the second bipolar transistor. Controlled oscillator.
【請求項9】第1の電源端子と、第2の電源端子と、出
力端子と、を備え、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子で得られる電圧差に応じて発振周波数が変化する
発振器と、 第3の電源端子と、第4の電源端子と、入力端子と、出
力端子と、を備え、前記発振器の前記出力端子に前記入
力端子が接続され、前記入力端子から得られる信号の信
号振幅を前記第3の電源端子と前記第4の電源端子で得
られる電圧差に相当する信号振幅に変換し出力端子から
出力するレベル変換器と、を備え、 前記第1の電源端子と前記第3の電源端子との間に第1
のバイポーラトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端
子とをそれぞれ接続し、前記第1のバイポーラトランジ
スタのベース端子により前記発振器の発振周波数を制御
するようにし、 前記第2の電源端子と前記第4の電源端子との間に第2
のバイポーラトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端
子とをそれぞれ接続し、前記第2のバイポーラトランジ
スタのベース端子により前記発振器の発振周波数を制御
することを特徴とする電圧制御発振器。
9. A first power supply terminal, a second power supply terminal, and an output terminal, wherein an oscillation frequency is set in accordance with a voltage difference obtained at the first power supply terminal and the second power supply terminal. A variable oscillator, a third power supply terminal, a fourth power supply terminal, an input terminal, and an output terminal are provided, and the input terminal is connected to the output terminal of the oscillator and is obtained from the input terminal. A level converter that converts a signal amplitude of a signal into a signal amplitude corresponding to a voltage difference obtained at the third power supply terminal and the fourth power supply terminal and outputs the signal amplitude from an output terminal, the first power supply terminal Between the first power supply terminal and the third power supply terminal
The emitter terminal and the collector terminal of the bipolar transistor are connected to each other, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the first bipolar transistor, and the second power supply terminal and the fourth power supply terminal are connected. Second between
The voltage-controlled oscillator, wherein the bipolar transistor has an emitter terminal and a collector terminal connected to each other, and the oscillation frequency of the oscillator is controlled by the base terminal of the second bipolar transistor.
【請求項10】前記発振器が、第1の電源端子と第2の
電源端子と出力端子以外に更に入力端子を備え、該入力
端子の電圧値によっても発振周波数が制御できるように
構成されてなることを特徴とする請求項1、2、3また
は4に記載の電圧制御発振器。
10. The oscillator further comprises an input terminal in addition to the first power supply terminal, the second power supply terminal and the output terminal, and the oscillation frequency can be controlled by the voltage value of the input terminal. The voltage controlled oscillator according to claim 1, 2, 3, or 4.
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JP2001257567A (en) * 2000-03-08 2001-09-21 Hitachi Ltd Voltage controlled oscillator, pll circuit and semiconductor integrated circuit device
JP2006180503A (en) * 2004-12-23 2006-07-06 Samsung Electronics Co Ltd Phase locked loop device with load capacitor varied by frequency
US7944256B2 (en) 2007-03-07 2011-05-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device

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