JPH09148667A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH09148667A JPH09148667A JP30435095A JP30435095A JPH09148667A JP H09148667 A JPH09148667 A JP H09148667A JP 30435095 A JP30435095 A JP 30435095A JP 30435095 A JP30435095 A JP 30435095A JP H09148667 A JPH09148667 A JP H09148667A
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- JP
- Japan
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- layer
- optical guide
- clad
- semiconductor laser
- guide layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜成長で格子不整合を生じ素子劣化をさせ
たり、それを未然に防ぐために一定期間素子製造を行っ
た後に、定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけ
に厚膜成長させ、素子製造と異なるプロセスで煩雑な作
業を繰り返し、また材料も無駄にすることとなった。 【解決手段】 基板の上にバッファ層を形成し、そのバ
ッファ層の上に４元系のクラッド層を形成し、そのクラ
ッド層の下もしくはクラッド層の中に特定組成のモニタ
層を厚膜成長させ、クラッド層の上に特定組成の薄膜を
光ガイド層もしくは障壁層として積層し量子井戸型の活
性層や光ガイド層をさらに積層する。モニタ層は上側ク
ラッド層に設けてもよい。
たり、それを未然に防ぐために一定期間素子製造を行っ
た後に、定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけ
に厚膜成長させ、素子製造と異なるプロセスで煩雑な作
業を繰り返し、また材料も無駄にすることとなった。 【解決手段】 基板の上にバッファ層を形成し、そのバ
ッファ層の上に４元系のクラッド層を形成し、そのクラ
ッド層の下もしくはクラッド層の中に特定組成のモニタ
層を厚膜成長させ、クラッド層の上に特定組成の薄膜を
光ガイド層もしくは障壁層として積層し量子井戸型の活
性層や光ガイド層をさらに積層する。モニタ層は上側ク
ラッド層に設けてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、量子井戸型の活性
層を有する半導体レーザ、並びにその製造方法に関す
る。
層を有する半導体レーザ、並びにその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザーは極めて薄い層を
積層して形成されるようになり、例えば基板の上にバッ
ファ層とクラッド層と量子井戸型の活性層とクラッド層
とを積層するに当って、特に特公平５−３１８３７号公
報に開示されているように、活性層を光ガイド層で挾持
するようになった。
積層して形成されるようになり、例えば基板の上にバッ
ファ層とクラッド層と量子井戸型の活性層とクラッド層
とを積層するに当って、特に特公平５−３１８３７号公
報に開示されているように、活性層を光ガイド層で挾持
するようになった。
【０００３】このような半導体レーザにおいては、積層
する各層の格子定数がミスマッチすると半導体レーザを
駆動しようとしたときに著しい劣化を生じることがよく
知られている。
する各層の格子定数がミスマッチすると半導体レーザを
駆動しようとしたときに著しい劣化を生じることがよく
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述した薄膜
積層においては、積層した層が薄すぎて格子定数を確認
できず、確認できる厚みまで各層を厚くしようとして
も、それぞれの層の組成と厚みは光学特性や電気特性に
直接的に影響するので所定の仕様を満足させるためには
限度があった。一方、このような膜を形成する例えばＭ
ＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）等では、長期間
結晶成長を行う間に原料の減少に伴う蒸気圧の変化が生
じ、これにより成長被膜の組成が変化してしまうことと
なった。特にＡｌＧａＩｎＰにおいては、Ｉｎ原料が固
体のため一定の蒸気圧を得るのが困難である。薄膜成長
を確認するには、例えば光ガイド層の場合、通常のＤＨ
構造のクラッド層やバッファ層をＸ線回折で測定して、
それを基に比例計算することで求められていたが、実際
の組成はこの様な計算値と一致しないことが多い。
積層においては、積層した層が薄すぎて格子定数を確認
できず、確認できる厚みまで各層を厚くしようとして
も、それぞれの層の組成と厚みは光学特性や電気特性に
直接的に影響するので所定の仕様を満足させるためには
限度があった。一方、このような膜を形成する例えばＭ
ＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）等では、長期間
結晶成長を行う間に原料の減少に伴う蒸気圧の変化が生
じ、これにより成長被膜の組成が変化してしまうことと
なった。特にＡｌＧａＩｎＰにおいては、Ｉｎ原料が固
体のため一定の蒸気圧を得るのが困難である。薄膜成長
を確認するには、例えば光ガイド層の場合、通常のＤＨ
構造のクラッド層やバッファ層をＸ線回折で測定して、
それを基に比例計算することで求められていたが、実際
の組成はこの様な計算値と一致しないことが多い。
【０００５】そこで、一定期間素子製造を行った後に、
定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成
長させ、Ｘ線回折装置またはＰＬ装置で格子定数及び発
光強度、発光波長の確認を行っていたが、素子製造と異
なるプロセスであるため作業は極めて煩雑であり、また
材料も無駄になるものが多かった。
定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成
長させ、Ｘ線回折装置またはＰＬ装置で格子定数及び発
光強度、発光波長の確認を行っていたが、素子製造と異
なるプロセスであるため作業は極めて煩雑であり、また
材料も無駄になるものが多かった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に基づ
き、特に格子整合が必要であり厚みも薄いのは活性層に
密着する光ガイド層又は障壁層であることを考慮して成
されたものである。
き、特に格子整合が必要であり厚みも薄いのは活性層に
密着する光ガイド層又は障壁層であることを考慮して成
されたものである。
【０００７】即ち本発明は、量子井戸型の活性層と、そ
の活性層の少なくとも下側に設けられた薄膜層から成る
光ガイド層と、活性層と光ガイド層とを挟むように設け
られたクラッド層と、光ガイド層の下に位置するクラッ
ド層の下に設けられたバッファ層とを有し、バッファ層
と光ガイド層の間に、光ガイド層と同じ組成で光ガイド
層よりも厚いモニタ層を設けたものである。あるいはま
た、量子井戸型の活性層と、その活性層の少なくとも上
側に設けられた薄膜層から成る光ガイド層と、活性層と
光ガイド層とを挟むように設けられたクラッド層と、光
ガイド層の上に位置するクラッド層の上に設けられたコ
ンタクト層と、光ガイド層の上側の前記クラッド層と前
記コンタクト層の間に、前記光ガイド層と同じ組成で光
ガイド層よりも厚いモニタ層を具備したものである。
の活性層の少なくとも下側に設けられた薄膜層から成る
光ガイド層と、活性層と光ガイド層とを挟むように設け
られたクラッド層と、光ガイド層の下に位置するクラッ
ド層の下に設けられたバッファ層とを有し、バッファ層
と光ガイド層の間に、光ガイド層と同じ組成で光ガイド
層よりも厚いモニタ層を設けたものである。あるいはま
た、量子井戸型の活性層と、その活性層の少なくとも上
側に設けられた薄膜層から成る光ガイド層と、活性層と
光ガイド層とを挟むように設けられたクラッド層と、光
ガイド層の上に位置するクラッド層の上に設けられたコ
ンタクト層と、光ガイド層の上側の前記クラッド層と前
記コンタクト層の間に、前記光ガイド層と同じ組成で光
ガイド層よりも厚いモニタ層を具備したものである。
【０００８】また本発明は、基板の上にバッファ層を形
成する工程と、そのバッファ層の上に４元系のクラッド
層を形成し、その形成時若しくは形成前に特定組成のモ
ニタ層を厚膜成長させる工程と、クラッド層の上に前記
特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは障壁層として形成
する工程と、その層に量子井戸型の活性層を積層する工
程とを具備したものである。
成する工程と、そのバッファ層の上に４元系のクラッド
層を形成し、その形成時若しくは形成前に特定組成のモ
ニタ層を厚膜成長させる工程と、クラッド層の上に前記
特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは障壁層として形成
する工程と、その層に量子井戸型の活性層を積層する工
程とを具備したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明実施例の半導体レー
ザの模式図で、６７０ｎｍの波長で発振する４元系半導
体レーザを例にとっている。図において１はｎ型のＧａ
Ａｓの基板であり、裏面に電極１３をもっている。２は
その基板１の上に形成されたｎ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐか
らなるバッファ層である。このバッファ層２はアルミニ
ウムを含む層の成長に先だって、Ａｓ系からＰ系へのガ
スの切り換え時の、基板１との整合を行うものである。
ザの模式図で、６７０ｎｍの波長で発振する４元系半導
体レーザを例にとっている。図において１はｎ型のＧａ
Ａｓの基板であり、裏面に電極１３をもっている。２は
その基板１の上に形成されたｎ型のＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐか
らなるバッファ層である。このバッファ層２はアルミニ
ウムを含む層の成長に先だって、Ａｓ系からＰ系へのガ
スの切り換え時の、基板１との整合を行うものである。
【００１０】３は厚膜成長させた特定組成のモニタ層
で、特定組成とは後述する光ガイド層を意味し、ここで
は厚さ１μｍの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐの層で
ある。４はバッファ層２の上のモニタ層３に積層された
４元系のクラッド層で、ｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐからなる層である。５はクラッド層４の上に
積層された光ガイド層で厚さ２０ｎｍの（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐである。６は量子井戸型の活性層
で、エネルギーギャップの異なる８ｎｍの量子井戸層と
５ｎｍのバリア層を交互に、例えば２〜４対積層したも
のである。なお低閾値化のために、この井戸層の組成を
換えて歪みを導入する場合でも本発明は適用できる。
で、特定組成とは後述する光ガイド層を意味し、ここで
は厚さ１μｍの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐの層で
ある。４はバッファ層２の上のモニタ層３に積層された
４元系のクラッド層で、ｎ型の（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐからなる層である。５はクラッド層４の上に
積層された光ガイド層で厚さ２０ｎｍの（Ａｌ0.5Ｇａ
0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐである。６は量子井戸型の活性層
で、エネルギーギャップの異なる８ｎｍの量子井戸層と
５ｎｍのバリア層を交互に、例えば２〜４対積層したも
のである。なお低閾値化のために、この井戸層の組成を
換えて歪みを導入する場合でも本発明は適用できる。
【００１１】７は光ガイド層で、光ガイド層５と基本的
に同じものであり、これらの光ガイド層５、７で活性層
６を挾持する構成としている。８は、ｐ型の（Ａｌ0．
７Ｇａ０．３）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるクラッド層で、リ
ッジ構造とすることで電流挾搾を行う。９は、クラッド
層８のリッジ部分に積層されたｎ型ＧａＡｓからなるブ
ロック層である。１０は、クラッド層８の露出部分に積
層された、ｐ型のＧａ 0.5Ｉｎ0.5Ｐから成るコンタクト
層で、１１はそのコンタクト層１０の上に積層されたｐ
型のＧａＡｓ層であり、これらは電極１２からの電流を
効率よくクラッド層８に導くために設けられたものであ
る。
に同じものであり、これらの光ガイド層５、７で活性層
６を挾持する構成としている。８は、ｐ型の（Ａｌ0．
７Ｇａ０．３）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるクラッド層で、リ
ッジ構造とすることで電流挾搾を行う。９は、クラッド
層８のリッジ部分に積層されたｎ型ＧａＡｓからなるブ
ロック層である。１０は、クラッド層８の露出部分に積
層された、ｐ型のＧａ 0.5Ｉｎ0.5Ｐから成るコンタクト
層で、１１はそのコンタクト層１０の上に積層されたｐ
型のＧａＡｓ層であり、これらは電極１２からの電流を
効率よくクラッド層８に導くために設けられたものであ
る。
【００１２】量子井戸型の活性層６は光ガイド層５、７
や障壁層で挾持しないと光の閉じ込めが弱くなり、レー
ザー発振を得にくくなり、光ガイド層５、７が厚くなり
すぎると光の閉じ込めが大きくなって最大レーザー出力
が低下する。従って光ガイド層５、７や障壁層は所定の
厚みから余り変動させることはできない。
や障壁層で挾持しないと光の閉じ込めが弱くなり、レー
ザー発振を得にくくなり、光ガイド層５、７が厚くなり
すぎると光の閉じ込めが大きくなって最大レーザー出力
が低下する。従って光ガイド層５、７や障壁層は所定の
厚みから余り変動させることはできない。
【００１３】一方、前述のように、積層する各層の格子
定数がミスマッチすると半導体レーザを駆動しようとし
たときに著しい劣化を生じ、一般に格子定数ａと格子定
数の差Δａに対して、Δａ／ａ＞１ｘ１０-3が条件であ
る。例えば、このような光ガイド層が格子整合をしてい
る場合、定格出力で１００００時間連続発振する半導体
レーザが、Δａ／ａ＝５ｘ１０-2の格子ミスマッチで１
００時間通電後に駆動電流が２倍以上となり駆動し続け
ることが困難であった。
定数がミスマッチすると半導体レーザを駆動しようとし
たときに著しい劣化を生じ、一般に格子定数ａと格子定
数の差Δａに対して、Δａ／ａ＞１ｘ１０-3が条件であ
る。例えば、このような光ガイド層が格子整合をしてい
る場合、定格出力で１００００時間連続発振する半導体
レーザが、Δａ／ａ＝５ｘ１０-2の格子ミスマッチで１
００時間通電後に駆動電流が２倍以上となり駆動し続け
ることが困難であった。
【００１４】しかし乍ら、他の層にその層の本来の目的
以外の組成の層を形成しても支障のない場合があり、そ
れが基板側のクラッド層４である。即ち、バッファ層２
は、昇温時のＡ5Ｈ3ガスからＰＨ3ガスへの切り換え直
後の層であるためＡｌを含まない方が安定する。次にガ
イド層と同じ組み合わせのモニタ層３を０．２μｍ以上
設け、順次クラッド層、活性層を形成すれば、レーザー
の特性に大きな影響を与えることなくモニタ層を具備し
た結晶成長が行える。このウエハの一部を割ってＸ線解
析、ＰＬ測定を行うことにより、毎回膜の特性を調べる
ことができるため、安定なレーザの生産が可能となる。
上側のクラッド層においても同様のことが言え、量子井
戸型の活性層の少なくとも上側に薄膜層から成る光ガイ
ド層を設け、光ガイド層の上側のクラッド層とコンタク
ト層の間に、光ガイド層と同じ組成で光ガイド層よりも
厚いモニタ層を設けることができる。
以外の組成の層を形成しても支障のない場合があり、そ
れが基板側のクラッド層４である。即ち、バッファ層２
は、昇温時のＡ5Ｈ3ガスからＰＨ3ガスへの切り換え直
後の層であるためＡｌを含まない方が安定する。次にガ
イド層と同じ組み合わせのモニタ層３を０．２μｍ以上
設け、順次クラッド層、活性層を形成すれば、レーザー
の特性に大きな影響を与えることなくモニタ層を具備し
た結晶成長が行える。このウエハの一部を割ってＸ線解
析、ＰＬ測定を行うことにより、毎回膜の特性を調べる
ことができるため、安定なレーザの生産が可能となる。
上側のクラッド層においても同様のことが言え、量子井
戸型の活性層の少なくとも上側に薄膜層から成る光ガイ
ド層を設け、光ガイド層の上側のクラッド層とコンタク
ト層の間に、光ガイド層と同じ組成で光ガイド層よりも
厚いモニタ層を設けることができる。
【００１５】このようにクラッド層４、８は活性層６の
光を閉じ込め、電流を通せばよいので、格子不整合を生
じない層であれば形成することができ、このクラッド層
４、８と光ガイド層５、７は活性層近傍で積層されるか
ら、同じ組成のモニタ層との格子定数を整合させやす
い。従ってクラッド層４の形成直前若しくはクラッド層
４の途中においてモニター層３を形成することが出来、
このモニター層３を厚くすることでその後に積層させる
光ガイド層５、７や障壁層の組成を確認することができ
る。例えばＭＯＣＶＤ法により従来１０回毎に光ガイド
層の確認成長を行っていたが、本発明により適宜微調整
を行うことが出来、ロット交換やオーバーホールのとき
初めて光ガイド層の確認成長を行えばよいこととなっ
た。
光を閉じ込め、電流を通せばよいので、格子不整合を生
じない層であれば形成することができ、このクラッド層
４、８と光ガイド層５、７は活性層近傍で積層されるか
ら、同じ組成のモニタ層との格子定数を整合させやす
い。従ってクラッド層４の形成直前若しくはクラッド層
４の途中においてモニター層３を形成することが出来、
このモニター層３を厚くすることでその後に積層させる
光ガイド層５、７や障壁層の組成を確認することができ
る。例えばＭＯＣＶＤ法により従来１０回毎に光ガイド
層の確認成長を行っていたが、本発明により適宜微調整
を行うことが出来、ロット交換やオーバーホールのとき
初めて光ガイド層の確認成長を行えばよいこととなっ
た。
【００１６】このような構成とするためには、基板の上
にバッファ層を形成する工程と、そのバッファ層の上に
４元系のクラッド層を形成し、その形成時若しくは形成
前に特定組成のモニタ層を厚膜成長させる工程と、クラ
ッド層の上に前記特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは
障壁層として形成する工程と、その層に量子井戸型の活
性層を形成する工程とを有することによって薄膜成長で
あって組成の厳格な管理が必要とされる光ガイド層や障
壁層の管理を行うことができる。
にバッファ層を形成する工程と、そのバッファ層の上に
４元系のクラッド層を形成し、その形成時若しくは形成
前に特定組成のモニタ層を厚膜成長させる工程と、クラ
ッド層の上に前記特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは
障壁層として形成する工程と、その層に量子井戸型の活
性層を形成する工程とを有することによって薄膜成長で
あって組成の厳格な管理が必要とされる光ガイド層や障
壁層の管理を行うことができる。
【００１７】またＰ型クラッド層の場合、Ａｌ組成が低
いほどＰ型ドーパントが入り易く、低抵抗にできる。そ
こで、上部クラッド層をＡｌ組成０．５のガイド層と
０．７の２層構造とし、リッジ部分をＡｌ0.5とするこ
とで直列抵抗を小さくすることができる。一方ｎ型のク
ラッド層中に設けることにより、活性層の光閉じ込めを
変え、高出力化を図ることができる。また本発明は上述
した波長に限られるものではなく、例えば６３５ｎｍ素
子においては、ブロック層への光吸収を押さえることが
出来、温度特性の改善が図れる。
いほどＰ型ドーパントが入り易く、低抵抗にできる。そ
こで、上部クラッド層をＡｌ組成０．５のガイド層と
０．７の２層構造とし、リッジ部分をＡｌ0.5とするこ
とで直列抵抗を小さくすることができる。一方ｎ型のク
ラッド層中に設けることにより、活性層の光閉じ込めを
変え、高出力化を図ることができる。また本発明は上述
した波長に限られるものではなく、例えば６３５ｎｍ素
子においては、ブロック層への光吸収を押さえることが
出来、温度特性の改善が図れる。
【００１８】
【発明の効果】このように、半導体レーザそのものを製
造する過程において薄膜層と同じ組成の厚膜のモニター
層を成長させ、そのモニター層の格子定数を確認するこ
とによって薄膜層の組成を管理するので、著しい劣化を
生じることもないし、一定期間素子製造を行った後に定
期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成長
させ、その結果、大幅に材料を無駄にすることもない
し、繁雑な作業を繰り返し行う必要もなくなった。
造する過程において薄膜層と同じ組成の厚膜のモニター
層を成長させ、そのモニター層の格子定数を確認するこ
とによって薄膜層の組成を管理するので、著しい劣化を
生じることもないし、一定期間素子製造を行った後に定
期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成長
させ、その結果、大幅に材料を無駄にすることもない
し、繁雑な作業を繰り返し行う必要もなくなった。
【図１】本発明実施例の半導体レーザの模式図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ モニタ層 ４ クラッド層 ５ 光ガイド層 ６ 活性層 ７ 光ガイド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藪内 隆稔 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 三宅 輝明 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 中島 健二 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 量子井戸型の活性層と、その活性層の少
なくとも下側に設けられた薄膜層から成る光ガイド層
と、活性層と光ガイド層とを挟むように設けられたクラ
ッド層と、光ガイド層の下に位置するクラッド層の下に
設けられたバッファ層とを有する半導体レーザにおい
て、前記バッファ層と光ガイド層の間に、光ガイド層と
同じ組成で光ガイド層よりも厚いモニタ層が設けられて
いることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 基板の上にバッファ層を形成する工程
と、そのバッファ層の上に４元系のクラッド層を形成
し、その形成時若しくは形成前に特定組成のモニタ層を
厚膜成長させる工程と、クラッド層の上に前記特定組成
の薄膜層を光ガイド層もしくは障壁層として形成する工
程と、その層に量子井戸型の活性層を形成する工程とを
具備したことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 量子井戸型の活性層と、その活性層の少
なくとも上側に設けられた薄膜層から成る光ガイド層
と、活性層と光ガイド層とを挟むように設けられたクラ
ッド層と、光ガイド層の上に位置するクラッド層の上に
設けられたコンタクト層とを有する半導体レーザにおい
て、光ガイド層の上側の前記クラッド層と前記コンタク
ト層の間に、前記光ガイド層と同じ組成で光ガイド層よ
りも厚いモニタ層が設けられていることを特徴とする半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30435095A JPH09148667A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30435095A JPH09148667A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148667A true JPH09148667A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17931964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30435095A Pending JPH09148667A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278839A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造法 |
| JP2020141014A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ用ウェーハおよび半導体レーザ |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP30435095A patent/JPH09148667A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278839A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造法 |
| JP2020141014A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ用ウェーハおよび半導体レーザ |
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