JPH09148469A - Hermetic package with optical window and its method - Google Patents

Hermetic package with optical window and its method

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JPH09148469A
JPH09148469A JP30017095A JP30017095A JPH09148469A JP H09148469 A JPH09148469 A JP H09148469A JP 30017095 A JP30017095 A JP 30017095A JP 30017095 A JP30017095 A JP 30017095A JP H09148469 A JPH09148469 A JP H09148469A
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JP
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glass
optical
metal
housing
package
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JP30017095A
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Japanese (ja)
Inventor
A Koshian Thomas
エイ.コシアン トーマス
Daaro Doug
ダーロウ ドゥグ
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Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hermetic sealed semiconductor package having an optical glass window sealable at a low temp. by patterning the surface of an optical glass and depositing a metal layer thereto. SOLUTION: An optical glass is polished, a metal pattern 26 is deposited on the polished glass 23 to form a cover assembly and the cover assembly is sealed to a base metal frame 21 with a non-processed solder 22. This assembly composed of the glass 23 having the pattern 26 and a frame 21 is mounted to a housing 20 by a low temp. hermetic sealing. When a hermetic solder is formed between the metallized glass 23 and the frame 21 by an infrared vacuum flow heat treatment, utilizing solder 22, the stress appearing during soldering to the glass 23 can be minimized and the air-tightness of the solder bond can be maximized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はハーメチックシール
半導体パッケージに関し、さらに詳細には、蓋組立体に
光学的性質のガラス窓および温度感知半導体光学素子を
備えたハーメチックシール半導体パッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hermetically sealed semiconductor package, and more particularly to a hermetically sealed semiconductor package having a lid assembly with a glass window of optical properties and a temperature sensitive semiconductor optical element.

【0002】[0002]

【従来の技術】過去においては、ガラス製光学的窓を利
用する温度感知半導体パッケージのハーメチックシール
は、パッケージハウジングに対しガラスを高温で熔融さ
せることを必要としていた。シール方法において、ガラ
スフリットをパッケージすなわちガラスに付着させ、そ
してガラス窓がガラスフリットを介してパッケージに融
着される。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the past, hermetic seals for temperature sensitive semiconductor packages utilizing glass optical windows have required the glass to be fused at high temperatures to the package housing. In the sealing method, a glass frit is attached to the package or glass and the glass window is fused to the package through the glass frit.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ガラスフリットにガラ
スを融着させるために必要となる高温が原因で、ガラス
窓の光学的性質が低下する。また高温が要求されるため
に、半導体チップの品質低下または破壊が発生する。従
来の方法は素子の蓋部の円形窓を利用している。
The high temperature required to fuse the glass to the glass frit reduces the optical properties of the glass window. Further, since high temperature is required, the quality or breakage of the semiconductor chip may occur. Conventional methods utilize a circular window in the lid of the device.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は低温で封止でき
る光学的性質のガラス窓を備えたハーメチックシール半
導体パッケージ、および光学的性質のガラス窓を備えた
パッケージを作る方法に関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a hermetically sealed semiconductor package with a glass window of optical properties that can be sealed at low temperatures, and a method of making a package with a glass window of optical properties.

【0005】光学的性質のガラス窓を有する半導体素子
パッケージを作る方法は、光学的性質のガラスを研磨す
る段階と、次にガラス表面の決められた範囲をエッチン
グする段階とを包含する。このエッチングされた範囲上
に、金属層が付着される。次に、この金属層は金属フレ
ームにシールされ、また金属フレームはハウジングに封
止される。
A method of making a semiconductor device package having an optical property glass window includes the steps of polishing the optical property glass and then etching a defined area of the glass surface. A metal layer is deposited on this etched area. The metal layer is then sealed to the metal frame and the metal frame is sealed to the housing.

【0006】本発明の技術的進歩およびその目的は、付
随の図面に関連する本発明の好適実施例についての以下
の説明および特許請求の範囲に定められた新規の特徴か
ら自明となるであろう。
The technical progress of the invention and its objects will become apparent from the following description of a preferred embodiment of the invention in connection with the accompanying drawings and the novel features defined in the claims. .

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】図1および図2は半導体パッケー
ジにガラス窓を封止した従来の展開図および方法の段階
を示す。図1および図2を参照すると、ステップ15で
半導体パッケージ13を被覆するセラミックまたは金属
蓋11上にガラス10が置かれる。ガラス蓋組立体9
は、ステップ16の高温処理中に燃焼または熔融され、
ガラス10を蓋11中に密封(ヘーメチックシール)す
る。次に、ガラスフリット未加工体12がガラス蓋組立
体9およびパッケージ13間に置かれる。それ故、ガラ
ス蓋組立体9、ガラスフリット未加工体12およびパッ
ケージ13は、ステップ18の高温燃焼工程によって、
蓋9とパッケージ13間で密封熔融封止される。燃焼工
程16、17および18は400℃以上の温度である。
これらの高温はパッケージ中の半導体素子にダメージを
発生させ、ガラス窓の光学的性質を低下させる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIGS. 1 and 2 show the steps and steps of a conventional development and method of encapsulating a glass window in a semiconductor package. Referring to FIGS. 1 and 2, in step 15, glass 10 is placed on a ceramic or metal lid 11 that covers semiconductor package 13. Glass lid assembly 9
Is burned or melted during the high temperature treatment of step 16,
The glass 10 is hermetically sealed in the lid 11. The glass frit green body 12 is then placed between the glass lid assembly 9 and the package 13. Therefore, the glass lid assembly 9, the glass frit green body 12 and the package 13 are
The lid 9 and the package 13 are hermetically sealed. The combustion steps 16, 17 and 18 are at temperatures above 400 ° C.
These high temperatures cause damage to the semiconductor elements in the package and reduce the optical properties of the glass window.

【0008】図3aは本発明に従う光学的窓パッケージ
の展開図であり、図3bは金属化表面26を備えた光学
的ガラス23の背面側を示し、図4はパッケージング処
理に使用される処理段階を示す。このパッケージング処
理は半導体素子がマウントされる金属またはセラミック
パッケージ20を有する。もしパッケージ20がセラミ
ックの場合、それはハーメチックシール処理のための金
属製シールリング21を有する。金属またはセラミック
パッケージ20は、ガラス蓋組立体に良く適合する熱膨
張係数を有していなければならない。金属材料の例はコ
バル(ニッケル/鉄/コバルト)または合金42(ニッ
ケル/鉄)であり、セラミック材料の例はアルミナ酸化
物(Al2 3 )またはアルミナ窒化物(AlN)であ
る。
FIG. 3a is an exploded view of an optical window package according to the present invention, FIG. 3b shows the back side of optical glass 23 with a metallized surface 26, and FIG. 4 is the process used in the packaging process. The stages are shown. This packaging process has a metal or ceramic package 20 on which a semiconductor device is mounted. If the package 20 is ceramic, it has a metallic sealing ring 21 for a hermetic sealing process. The metal or ceramic package 20 should have a coefficient of thermal expansion that is well matched to the glass lid assembly. Examples of metallic materials are Cobal (nickel / iron / cobalt) or alloy 42 (nickel / iron), examples of ceramic materials are alumina oxide (Al 2 O 3 ) or alumina nitride (AlN).

【0009】基本処理工程は、ガラスを研磨し(ステッ
プ30)、研磨したガラス23上に金属パターン26を
付着させ(ステップ31)、これによって蓋組立体が提
供される(ステップ32)。蓋組立体は次に半田未加工
体22によってベース金属フレーム21にシールされ
(ステップ33)、次に蓋/金属フレームがパッケージ
20に封止される(ステップ34)。
The basic process is to polish the glass (step 30) and deposit the metal pattern 26 on the polished glass 23 (step 31), thereby providing a lid assembly (step 32). The lid assembly is then sealed to the base metal frame 21 by the solder blank 22 (step 33) and then the lid / metal frame is sealed to the package 20 (step 34).

【0010】蓋組立体は金属フレーム21、半田未加工
体22および半田接合できる光学的ガラス23から成
る。半田接合できる光学的ガラスは、良好な光学的性質
を有する研磨ガラス片および金属フレーム21に密接に
適合するCTEである。例えば、それはショットZKN
7ガラスまたは類似のガラスである。
The lid assembly comprises a metal frame 21, a green solder body 22 and a solderable optical glass 23. The optical glass that can be soldered is a CTE that closely matches the polished glass piece and the metal frame 21 that have good optical properties. For example, it is shot ZKN
7 glass or similar glass.

【0011】図3bに示す光学的ガラス23は、その底
面に付着された金属パターン26を有し、その中央部す
なわち開口部25は金属化されない光学的窓を成してい
る。例えば、Cr,NiおよびAuから成る金属化層2
6は、従来のメッキ処理、例えば、エンハンストイオン
プレーティング(EIP)31、または他の適当な金属
化技術によって、付着される。イオンメッキ(イオンプ
レーティング)処理は、通常、熱蒸発源を備え、高いエ
ネルギのガラス粒子ボンバードメントによる真空付着で
ある。従来のイオンプレーティングシステムは、通常、
直流電流(DC)バイアス電位(−2から−5kV)ま
たは無線周波数RFバイアスと5から200mtorr の圧
力の不活性ガス(典型的にはアルゴンAr)を包含す
る。EIP処理は、RFバイアスと、ある場合には、イ
オン化源として磁界、そして負の直流バイアスの付与を
使用する。Arがイオンボンバードメントの増加のため
にしばしば使用されるが、金属蒸気自体は、(約1x1
-4torr)の低圧で、Arプラズマを使用せずにイ
オン化される。ガラスはバイアスされ、したがって低圧
電荷の陰極となり、プラズマすなわちイオンで補助され
た付着を生ずる。イオン化されると、蒸気粒子はガラス
の方向に加速され、熱的なところから数百電子ボルトの
範囲のエネルギで衝突する。EIPのようなイオンプレ
ーティング処理を使用する利点は、イオン化蒸気の高い
到着エネルギによって得られる接着力の増加である。ガ
ラスに対する金属化層の接着力の増加は強固なハーメチ
ック半田接合を提供する。
The optical glass 23 shown in FIG. 3b has a metal pattern 26 deposited on its bottom surface, the central portion or opening 25 of which forms an unmetallized optical window. For example, a metallization layer 2 made of Cr, Ni and Au.
The 6 is deposited by a conventional plating process, such as Enhanced Ion Plating (EIP) 31 or other suitable metallization technique. The ion plating process is usually a vacuum deposition with a high energy glass particle bombardment with a thermal evaporation source. Traditional ion plating systems typically
A direct current (DC) bias potential (-2 to -5 kV) or radio frequency RF bias and an inert gas (typically Ar Ar) at a pressure of 5 to 200 mtorr is included. The EIP process uses an RF bias and, in some cases, a magnetic field as the ionization source, and the application of a negative DC bias. Although Ar is often used to increase ion bombardment, the metal vapor itself (about 1x1
It is ionized at a low pressure of 0 −4 torr) without using Ar plasma. The glass is biased and thus becomes the cathode for the low voltage charge, resulting in plasma or ion assisted deposition. When ionized, the vapor particles are accelerated toward the glass and collide with energy from thermal to energies in the hundreds of electron volts. The advantage of using an ion plating process such as EIP is the increased adhesion obtained by the high arrival energy of the ionized vapor. The increased adhesion of the metallization to glass provides a strong hermetic solder joint.

【0012】電気メッキ、スパッタリング、または蒸発
のような他の金属化技術が、半田接合可能な金属化層2
6を形成するために使用されても良い。しかしながら、
EIPは、他の技術よりも、低温、低金属化応力、優れ
た接着性、厚みの均一性および複雑性と変動性を低減し
た処理法を含む利点を備えていることが示された。EI
Pの他の利点は、細かい線寸法(サイズ、公差)を与え
る金属化層を形成することによって、光学素子用の臨界
開口寸法が得られることである。
Other metallization techniques such as electroplating, sputtering, or evaporation may be applied to the solderable metallization layer 2.
6 may be used to form 6. However,
EIPs have been shown to offer advantages over other technologies, including low temperature, low metallization stress, excellent adhesion, thickness uniformity and processing methods with reduced complexity and variability. EI
Another advantage of P is that it provides a critical aperture size for optical elements by forming a metallization layer that provides fine line dimensions (size, tolerance).

【0013】半田未加工体22は、例えば80%金と2
0%スズの未加工体または他の類似の比率、例えば70
%から90%の金と30から10%のスズの未加工体で
ある。例えば、0.05mm(0.002インチ)厚の
未加工体が、赤外線真空再流加熱処理33によって、金
属化光学的ガラスと金属フレーム21間に密閉半田を形
成するように利用される。赤外線真空再流加熱処理は、
得られるピーク温度をゆっくりと増減させることによっ
て、光学的ガラスと半田接合中に現れる応力を最小にす
るという利点を有している。従来のベルト式炉に比較し
て、赤外線真空再流のもう1つの利点は、ハーメチック
半田接合中の空隙を最小にできることである。それ故、
半田接合の密封性を最大化できる。
The unprocessed solder body 22 is made of, for example, 80% gold and 2
Raw body of 0% tin or other similar ratio, eg 70
% To 90% gold and 30 to 10% tin green body. For example, a 0.05 mm (0.002 inch) thick blank is utilized to form a hermetic solder between the metallized optical glass and the metal frame 21 by infrared vacuum reflow heat treatment 33. Infrared vacuum reflow heat treatment,
By slowly increasing or decreasing the resulting peak temperature, it has the advantage of minimizing the stresses that appear during optical glass and solder bonding. Another advantage of infrared vacuum reflow over conventional belt furnaces is that voids in hermetic solder joints can be minimized. Therefore,
The sealability of the solder joint can be maximized.

【0014】金属化被服26を備えた光学的ガラスおよ
び金属フレームから成る蓋組立体は、次に局部的すなわ
ち低温ハーメチックシール処理34によってハウジング
20に取り付けられる。局部的低温ハーメチックシール
の1つの方法はNDYagレーザシールシステムであ
る。蓋組立体はハウジング上の金属シールリングと整列
され、端部−端部ハーメチックシール溶接が成される。
レーザはベース金属に高温の熔融点源を発生させるが、
感熱光学的素子の温度は、金属からの熱放散によって、
雰囲気以上には上がらない。蓋組立体のハウジングへの
ハーメチックシールの他の方法は、シーム溶接またはプ
ロジェクション溶接である。
The lid assembly consisting of optical glass and metal frame with metallized garment 26 is then attached to housing 20 by a local or cold hermetic seal process 34. One method of local low temperature hermetic sealing is the NDYag laser sealing system. The lid assembly is aligned with the metal seal ring on the housing and an end-to-end hermetic seal weld is made.
The laser produces a high temperature melting point source in the base metal,
The temperature of the thermo-sensitive optical element depends on the heat dissipation from the metal
It does not rise above the atmosphere. Another method of hermetically sealing the lid assembly to the housing is seam welding or projection welding.

【0015】図5は金属フレームが使用されない第2の
実施例を示す。研磨した光学的ガラス(ステップ40)
が使用される。光学的ガラスのエッチ領域が金属化され
(ステップ41)、そして光学的ガラスのエッチされな
い領域が開口(図3の開口23)を定めている。金属化
パターンを備えた光学的ガラスが蓋組立体を形成する
(ステップ42)。蓋組立体が真空再流処理(ステップ
43)によってハウジングにシールされるので、半田未
加工体はこの実施例では使用されない。光学的ガラス上
に付着させた金属範囲をハウジングにシールするこの処
理は、図4の処理34以上の高温を必要とし、そしてこ
のパッケージに使用できる半導体素子のタイプに或る制
限を与えてしまう。もし加熱が制限とならなければ、こ
の方法は低コストおよび少ない処理段階と言う利点を有
している。
FIG. 5 shows a second embodiment in which no metal frame is used. Polished optical glass (step 40)
Is used. The etched areas of the optical glass are metallized (step 41) and the unetched areas of the optical glass define openings (openings 23 in FIG. 3). Optical glass with a metallized pattern forms the lid assembly (step 42). The solder blank is not used in this embodiment because the lid assembly is sealed to the housing by the vacuum reflow process (step 43). This process of sealing the metal areas deposited on the optical glass to the housing requires higher temperatures than the process 34 of FIG. 4 and places some restrictions on the type of semiconductor device that can be used in this package. If heating is not a limitation, this method has the advantages of low cost and few processing steps.

【0016】図6は図3の組み立てられた素子を示す。
光学的開口25を備えた光学的ガラス23の蓋がパッケ
ージ20にシールされる。パッケージ20は、少なくと
も2つの側面から伸びた複数のリード20aを有してい
る。金属フレーム21はガラス23とパッケージ20間
にシールされていることを示す。
FIG. 6 shows the assembled element of FIG.
A lid of optical glass 23 with an optical opening 25 is sealed to the package 20. The package 20 has a plurality of leads 20a extending from at least two side surfaces. The metal frame 21 is shown to be sealed between the glass 23 and the package 20.

【0017】以上の説明に関して以下の項を開示する。 (1)光学的性質の窓を有する半導体素子パッケージを
作る方法であって、光学的性質のガラスを提供する段
階、このガラスの1つの表面上の定められた範囲をパタ
ーン化する段階、このガラスのパターン化された表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 (2)付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、(1)項記載の方法。 (3)金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、(1)項記載の方法。 (4)金属フレームが真空再流によって金属ハウジング
にシールされる、(1)項記載の方法。 (5)付着した金属層がCr,NiおよびAuから成る
グループから選択される、(1)項記載の方法。 (6)付着した金属層が金属のイオンメッキ層である、
(1)項記載の方法。 (7)光学的性質の窓を有する半導体素子パッケージを
作る方法であって、光学的性質のガラスを研磨する段
階、このガラスの1つの表面上の定められた範囲をエッ
チングする段階、このガラスのエッチングされた表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 (8)付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、(7)項記載の方法。 (9)金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、(7)項記載の方法。 (10)金属フレームが真空再流によって金属ハウジン
グにシールされる、(7)項記載の方法。 (11)付着した金属層がCr,NiおよびAuの内の
1つである、(7)項記載の方法。 (12)付着した金属層がイオンメッキ層である、
(7)項記載の方法。 (13)光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、および前記ハウジングにシールされ
る金属化パターンがその上にメッキされた光学的ガラス
を有し、この光学的ガラスと前記ハウジング間をハーメ
チックシールしている、前記の半導体パッケージ。 (14)前記光学的ガラスと前記ハウジング間に金属フ
レームを有する、(13)項記載の半導体パッケージ。 (15)前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、(14)項記載の半導体パッケージ。 (16)光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、その上に金属化パターンを有する光
学的ガラス、およびこの光学的ガラス上の前記金属化パ
ターンおよび前記ハウジングに取り付けられ、金属フレ
ームと光学的ガラスおよび前記金属フレームと前記ハウ
ジング間にハーメチックシールを提供する、金属フレー
ムを有する前記の半導体パッケージ。 (17)前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、(16)項記載の半導体パッケージ。 (18)パッケージベースに固定されるパッケージの蓋
にある光学的性質の窓を有する半導体パッケージを作る
方法であって、光学的性質のガラス窓を研磨する段階、
前記ガラス窓に金属パターンをメッキする段階、この金
属パターンを低い温度でパッケージベースにハーメチッ
クシールする段階を有する前記の方法。 (19)メッキ段階がイオンメッキ処理によって達成さ
れる、(18)項記載の方法。 (20)メッキされたガラス窓がベース金属フレームに
シールされ、そしてベース金属フレームがパッケージベ
ースにシールされる、(18)項記載の方法。 (21)光学的ガラス窓23が低温度でハウジング20
に固定される半導体パッケージおよびそれを作る方法。
光学的ガラス窓23はエッチングされ、金属層26がエ
ッチングした表面に形成される。金属層は金属フレーム
21にシールされ、そしてそのフレームがハウジング2
0にシールされ、または付着した金属層26が直接ハウ
ジング20にシールされる。
With regard to the above description, the following items will be disclosed. (1) A method of manufacturing a semiconductor device package having an optical property window, which comprises providing a glass having an optical property, patterning a defined area on one surface of the glass, and the glass. A method as described above comprising the steps of depositing a metal layer on the patterned surface of, sealing the metal layer to a metal frame, and sealing the metal frame to a housing. (2) The method according to (1), wherein the attached metal layer is sealed to the metal frame by the unworked solder body. (3) The method according to (1), wherein the metal frame is sealed to the metal housing by local heating. (4) The method according to (1), wherein the metal frame is sealed to the metal housing by vacuum reflow. (5) The method according to item (1), wherein the deposited metal layer is selected from the group consisting of Cr, Ni and Au. (6) The attached metal layer is a metal ion plating layer,
The method according to item (1). (7) A method of manufacturing a semiconductor device package having an optical property window, comprising: polishing an optical property glass; etching a defined area on one surface of the glass; The foregoing method comprising depositing a metal layer on the etched surface, sealing the metal layer to a metal frame, and sealing the metal frame to a housing. (8) The method according to item (7), wherein the attached metal layer is sealed to the metal frame by the unworked solder body. (9) The method according to (7), wherein the metal frame is sealed to the metal housing by local heating. (10) The method according to (7), wherein the metal frame is sealed to the metal housing by vacuum reflow. (11) The method according to item (7), wherein the deposited metal layer is one of Cr, Ni and Au. (12) The attached metal layer is an ion plating layer,
The method according to item (7). (13) A semiconductor package having a window of optical properties, comprising a housing and an optical glass with a metallization pattern to be sealed to the housing plated between the optical glass and the housing. The semiconductor package described above, which is hermetically sealed. (14) The semiconductor package according to item (13), which has a metal frame between the optical glass and the housing. (15) The semiconductor package according to the item (14), wherein the metal frame and the housing are base metals. (16) A semiconductor package having a window of optical properties, a housing, an optical glass having a metallization pattern thereon, and a metal frame attached to the metallization pattern and the housing on the optical glass. And an optical glass and a semiconductor package having a metal frame that provides a hermetic seal between the metal frame and the housing. (17) The semiconductor package according to the item (16), wherein the metal frame and the housing are base metals. (18) A method of making a semiconductor package having an optical property window on a lid of a package fixed to a package base, comprising polishing an optical property glass window,
The above method comprising plating a metal pattern on the glass window and hermetically sealing the metal pattern to the package base at a low temperature. (19) The method according to item (18), wherein the plating step is achieved by an ion plating treatment. (20) The method according to item (18), wherein the plated glass window is sealed to the base metal frame, and the base metal frame is sealed to the package base. (21) The optical glass window 23 keeps the housing 20 at a low temperature.
Package fixed to and method of making it.
The optical glass window 23 is etched and a metal layer 26 is formed on the etched surface. The metal layer is sealed to the metal frame 21, and the frame is the housing 2
The metal layer 26, which is sealed or attached to zero, is directly sealed to the housing 20.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】高温ガラスフリットを利用する半導体パッケー
ジに非光学的性質の窓を提供している従来技術の素子の
展開図。
FIG. 1 is an exploded view of a prior art device providing a window of non-optical nature in a semiconductor package utilizing a high temperature glass frit.

【図2】高温ガラスフリットを利用した半導体パッケー
ジに非光学的性質の窓を提供する従来技術の方法のステ
ップを示す図。
FIG. 2 illustrates steps in a prior art method of providing a window of non-optical properties in a semiconductor package utilizing a high temperature glass frit.

【図3】aは本発明の1つの実施例に従う光学的ガラス
の蓋組立体を備えた半導体パッケージの展開図。bは光
学ガラス上の金属化層を示す図。
FIG. 3a is an exploded view of a semiconductor package with an optical glass lid assembly according to one embodiment of the present invention. b shows a metallization layer on optical glass.

【図4】半導体パッケージに光学的性質の蓋組立体およ
びシール処理を提供する本発明の方法のステップを示す
図。
FIG. 4 illustrates steps of the method of the present invention for providing a semiconductor package with an optical quality lid assembly and sealing process.

【図5】本発明の別の実施例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【図6】図3aに示す本発明に従って作られた光学的性
質の窓を有する組み立てられた素子を示す図。
FIG. 6 shows an assembled element with an optical property window made according to the invention shown in FIG. 3a.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 ハウジング 21 金属フレーム 23 光学的ガラス 25 開口 26 金属層 20 Housing 21 Metal Frame 23 Optical Glass 25 Opening 26 Metal Layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光学的性質の窓を有する半導体素子パッケ
ージを作る方法であって、 光学的性質のガラスを提供する段階、 このガラスの1つの表面上の定められた範囲をパターン
化する段階、 このガラスのパターン化された表面上に金属層を付着す
る段階、 この金属層を金属フレームにシールする段階、およびこ
の金属フレームをハウジングにシールする段階を有する
前記の方法。
1. A method of making a semiconductor device package having an optical property window, comprising providing a glass of optical property, patterning a defined area on one surface of the glass. A method as described above comprising depositing a metal layer on the patterned surface of the glass, sealing the metal layer to a metal frame, and sealing the metal frame to a housing.
【請求項2】光学的性質の窓を有する半導体素子パッケ
ージを作る方法であって、 光学的性質のガラスを研磨する段階、 このガラスの1つの表面上の定められた範囲をエッチン
グする段階、 このガラスのエッチングされた表面上に金属層を付着す
る段階、 この金属層を金属フレームにシールする段階、およびこ
の金属フレームをハウジングにシールする段階を有する
前記の方法。
2. A method of making a semiconductor device package having an optical property window, comprising: polishing an optical property glass; etching a defined area on one surface of the glass; A method as described above comprising depositing a metal layer on the etched surface of the glass, sealing the metal layer to a metal frame, and sealing the metal frame to the housing.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005086229A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-15 Neomax Materials Co., Ltd. Light transmitting window member, semiconductor package provided with light transmitting window member and method for manufacturing light transmitting window member
US10007137B2 (en) 2015-04-17 2018-06-26 Fujikura Ltd. Optical device package
US10254537B2 (en) 2016-01-14 2019-04-09 Fujikura Ltd. Optical device and method of producing same

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