JPH09143268A - Silicon-based polymer and its production - Google Patents

Silicon-based polymer and its production

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JPH09143268A
JPH09143268A JP7304740A JP30474095A JPH09143268A JP H09143268 A JPH09143268 A JP H09143268A JP 7304740 A JP7304740 A JP 7304740A JP 30474095 A JP30474095 A JP 30474095A JP H09143268 A JPH09143268 A JP H09143268A
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JP
Japan
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carbon atoms
derivative
bis
benzene
trimethylsilyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP7304740A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Sugimoto
俊哉 杉本
Tomohiro Fujisaka
朋弘 藤坂
Bunji Yamaguchi
文治 山口
Kazuhiro Okada
和廣 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP7304740A priority Critical patent/JPH09143268A/en
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  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a silicone-based polymer, excellent in photoreactivity, heat resistance and flame retardance and useful for aerospace materials, a building material, etc., by carrying out the polycondensation of a dimetalated diethynylbenzene derivative and a specific dimetalated substance with a dihalosilane derivative. SOLUTION: The polycondensation reaction of a diethynylbenzene derivative represented by formula I [R<1> is H, a 1-20C alkyl, a 6-12C aryl or a group represented by the formula R<2> 3 Si (R<2> is H, a 1-20C alkyl or a 6-12C aryl); M is Li, Na, K, MgX (X is a halogen), CaX, CuX or HgX] and a dimetalated substance represented by the formula M-Z-M (Z is O, a 60-30C arylene derivative or a 2-4C acetylene derivative) with a dihalosilane derivative represented by formula II [Y is same kind as that of Z; (n) is 1-19] to afford the objective silicon-based polymer comprising constituent units, represented by formulas III, IV and V at ratios of (a), (b) and (c) [0<(a), (b) and (c)<1] and satisfying formulas [(a)+(b)+(c)=1, (1:99) to (99:1) ratio of (a):(b) and (1:2) to (2:1) ratio of [(a)+(b)]:(c) and having >=500 weight-average molecular weight.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ケイ素系重合体及
びその製造方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a silicon-based polymer and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、耐熱性に優れた機能性材料と
して多数のケイ素系化合物が提案されてきた。例えば、
芳香環とアセチレン(C≡C三重結合)ユニットを含む
高分子化合物は、芳香族ジアセチレンのジナトリウム塩
とジクロロシラン誘導体との重縮合反応により合成され
ている〔J.Organomet.Chem. 260,171 (1984) 〕。ま
た、ジエチニルシラン化合物と芳香族ジハライドの重縮
合反応によっても同様の重合体が得られる〔J.Polym.Sc
i.Part C:Polym.Lett., 28, 431 (1990)〕。
2. Description of the Related Art Conventionally, many silicon compounds have been proposed as functional materials having excellent heat resistance. For example,
A polymer compound containing an aromatic ring and an acetylene (C≡C triple bond) unit is synthesized by a polycondensation reaction between a disodium salt of aromatic diacetylene and a dichlorosilane derivative [J. Organomet. Chem. 260,171 ( 1984)]. A similar polymer can also be obtained by a polycondensation reaction of a diethynylsilane compound and an aromatic dihalide [J. Polym. Sc
i.Part C: Polym. Lett., 28, 431 (1990)].

【0003】また、シロキサンユニットを含有する高分
子化合物としてはp−フェニレン含有高分子化合物〔J.
Poly.Sci.:Part A 2, 15 (1964)〕、アセチレン含有高
分子化合物〔Eur. Poly.J. 28, 1373 (1992)〕およびジ
アセチレン含有高分子化合物〔米国特許3,714,118 号公
報〕等が合成されている。しかしながら、上記ケイ素系
化合物は、いずれも光反応性、耐熱性および難燃性が十
分ではなかった。
Further, as a polymer compound containing a siloxane unit, a polymer compound containing p-phenylene [J.
Poly.Sci .: Part A 2, 15 (1964)], acetylene-containing polymer compound [Eur. Poly.J. 28, 1373 (1992)] and diacetylene-containing polymer compound (U.S. Pat.No. 3,714,118), etc. It is synthesized. However, none of the above silicon compounds has sufficient photoreactivity, heat resistance and flame retardancy.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑み、光反応性、耐熱性及び難燃性に優れたケイ素系重
合体及びその製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and an object of the present invention is to provide a silicon polymer excellent in photoreactivity, heat resistance and flame retardancy, and a method for producing the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のケイ素系重合体
は、一般式(1)、(2)及び(3)で表される構成単
位が、特定の関係を満足するa、b及びcの割合でそれ
ぞれ含有され、かつ重量平均分子量が500以上である
ことを特徴とするものである。
In the silicon-based polymer of the present invention, the structural units represented by the general formulas (1), (2) and (3) satisfy a specific relationship of a, b and c. And the weight average molecular weight is 500 or more.

【0006】[0006]

【化7】 Embedded image

【0007】[0007]

【化8】 Embedded image

【0008】[0008]

【化9】 Embedded image

【0009】一般式(1)中、R1は、水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜12のアリール
基又はR2 3Siで表されるシリル基を示し、同一であっ
ても異なっていてもよい。
In the general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or a silyl group represented by R 2 3 Si and is the same. It may or may not be.

【0010】一般式(2)中、Zは炭素数6〜30のア
リーレン誘導体又は炭素数2〜4のアセチレン誘導体を
示す。
In the general formula (2), Z represents an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms.

【0011】一般式(1)及び(3)中、R2は、水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜12
のアリール基を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。一般式(3)中、Yは、酸素原子、炭素数6〜30
のアリーレン誘導体又は炭素数2〜4のアセチレン誘導
体を示し、nは1〜19の整数を示す。
In the general formulas (1) and (3), R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different. In general formula (3), Y is an oxygen atom and has 6 to 30 carbon atoms.
Or an acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 19.

【0012】上記R1及びR2で表されるアルキル基の炭
素数は、多くなると結合が切れ易くなり、得られるケイ
素系化合物の耐熱性が低下するので1〜20に限定され
る。上記R1及びR2で表されるアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコ
デシル基等が挙げられる。
The carbon number of the alkyl group represented by R 1 and R 2 is limited to 1 to 20 because the bond is likely to be broken and the heat resistance of the obtained silicon-based compound is lowered when the number is large. Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group,
Decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group,
Examples thereof include a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group and an eicodecyl group.

【0013】上記R1及びR2で表されるアリール基の炭
素数は、多くなると溶剤に対する溶解性が低下するので
6〜12に限定される。上記アリール基としては、例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル
基、ナフチル基等が挙げられる。
The number of carbon atoms of the aryl group represented by R 1 and R 2 is limited to 6 to 12 because the solubility in a solvent decreases as the number increases. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenylyl group, and a naphthyl group.

【0014】上記R2 3Siで表されるシリル基として
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフ
ェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジフェニ
ルメチルシリル基、メチルシリル基、ジメチルシリル
基、フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、メチルフ
ェニルシリル基等が挙げられる。
Examples of the silyl group represented by R 2 3 Si include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, triphenylsilyl group, dimethylphenylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, methylsilyl group, dimethylsilyl group, phenylsilyl group, Examples thereof include diphenylsilyl group and methylphenylsilyl group.

【0015】上記Zで表される炭素数6〜30のアリー
レン誘導体としては、フェニレン、ビフェニレン、ター
フェニレン、クォーターフェニレン又はその置換体等が
挙げられ、炭素数2〜4のアセチレン誘導体としては、
アセチレン、ジアセチレン等が挙げられる。
Examples of the arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms represented by Z include phenylene, biphenylene, terphenylene, quarter phenylene and substituted products thereof. As the acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms,
Examples include acetylene and diacetylene.

【0016】上記Yで表される炭素数6〜30のアリー
レン誘導体としては、フェニレン、ビフェニレン、ター
フェニレン、クォーターフェニレン及びその置換体等が
挙げられ、炭素数2〜4のアセチレン誘導体としては、
アセチレン、ジアセチレン等が挙げられる。
Examples of the arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms represented by Y include phenylene, biphenylene, terphenylene, quarter phenylene and substituted products thereof. As the acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms,
Examples include acetylene and diacetylene.

【0017】上記nは、大きくなると十分な耐熱性及び
難燃性が得られなくなるので、1〜19の整数に限定さ
れる。
When the above-mentioned n becomes large, sufficient heat resistance and flame retardancy cannot be obtained, so that it is limited to an integer of 1 to 19.

【0018】本発明のケイ素系重合体には、上記一般式
(1)、(2)及び(3)で表される構成単位が、a、
b及びcの割合でそれぞれ含有され、aの割合が少なく
なると架橋による耐熱性が失われ、bの割合が少なくな
ると難燃性が失われ、cの割合が少なくなると成形性が
損なわれる。また、(a+b)の割合が、少なくなると
耐熱性及び難燃性が失われる。
In the silicon-based polymer of the present invention, the structural units represented by the general formulas (1), (2) and (3) are a,
It is contained in the respective proportions of b and c. When the proportion of a is reduced, heat resistance due to crosslinking is lost, when the proportion of b is reduced, flame retardancy is lost, and when the proportion of c is reduced, moldability is impaired. Moreover, when the ratio of (a + b) decreases, heat resistance and flame retardancy are lost.

【0019】従って、上記a、b及びcは、下記(イ)
〜(ハ)の関係式を満足する範囲に制限される。 a+b+c=1 ・・・(イ) a:b=1:99〜99:1 ・・・(ロ) (a+b):c=1:2〜2:1・・・(ハ) ここで、0<a、b、c<1である。
Therefore, the above a, b and c are the following (a)
It is limited to the range that satisfies the relational expression of (c). a + b + c = 1 (a) a: b = 1: 99 to 99: 1 (b) (a + b): c = 1: 2 to 2: 1 (c) where 0 < a, b, c <1.

【0020】上記ケイ素系重合体の重量平均分子量は、
小さくなると十分な耐熱性及び難燃性が得られなくなる
ので500以上に限定され、大きくなると溶剤に対する
溶解性が低下し、取扱いが難しくなるので、特に限定さ
れないが、数百万以下であることが好ましい。
The weight average molecular weight of the above silicon-based polymer is
If it becomes smaller, sufficient heat resistance and flame retardancy cannot be obtained, so it is limited to 500 or more, and if it becomes larger, solubility in a solvent decreases and handling becomes difficult, so there is no particular limitation, but it is several million or less. preferable.

【0021】次に本発明2のケイ素系化合物の製造方法
について説明する。本発明2の製造方法は、本発明のケ
イ素系化合物の製造方法であって、一般式(4)で表さ
れるジエチニルベンゼン誘導体のジメタル化物と一般式
(5)で表されるジメタル化物の混合物を、一般式
(6)で表されるジハロシラン誘導体と重縮合させるこ
とで得られる。
Next, the method for producing the silicon compound of the present invention 2 will be described. The production method of the present invention 2 is a method for producing a silicon-based compound of the present invention, which comprises a dimetallated product of a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (4) and a dimetallated product represented by the general formula (5). It is obtained by polycondensing the mixture with the dihalosilane derivative represented by the general formula (6).

【0022】[0022]

【化10】 [Formula 10]

【0023】[0023]

【化11】 [Formula 11]

【0024】[0024]

【化12】 Embedded image

【0025】一般式(4)中、R1は、水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基
又はR2 3Siで表されるシリル基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。
In the general formula (4), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or a silyl group represented by R 2 3 Si and is the same. It may or may not be.

【0026】一般式(4)及び(5)中、MはLi、N
a、K、MgX、CaX、CuX、HgX等の金属原子
又は金属ハライドを示す。Xはハロゲン原子を示す。ま
た、一般式(5)中、Zは酸素、炭素数6〜30のアリ
ーレン誘導体又は炭素数2〜4のアセチレン誘導体を示
す。
In the general formulas (4) and (5), M is Li, N
a, K, MgX, CaX, CuX, HgX and other metal atoms or metal halides. X represents a halogen atom. In general formula (5), Z represents oxygen, an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms.

【0027】一般式(4)及び(6)中、R2 は、水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜12
のアリール基を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。一般式(6)中、Xはハロゲン原子を示し、Yは、
炭素数6〜30のアリーレン誘導体又は炭素数2〜4の
アセチレン誘導体を示し、nは、1〜19の整数を示
す。
In the general formulas (4) and (6), R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different. In formula (6), X represents a halogen atom and Y represents
It shows an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative having 2 to 4 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 19.

【0028】上記R1、R2、Z及びYとしては、第1発
明と同様な成分が挙げられる。
As R 1 , R 2 , Z and Y, the same components as in the first invention can be mentioned.

【0029】上記一般式(4)で表されるジエチニルベ
ンゼン誘導体のジメタル化物及び一般式(5)で表され
るジメタル化物の混合物は、一般式(7)で表されるジ
エチニルベンゼン誘導体と一般式(8)で表されるジハ
ロゲン化物又は一般式(9)で表されるアセチレン誘導
体と、メタル化剤とを反応させることによって得られ
る。
The mixture of the dimetallated derivative of the diethynylbenzene derivative represented by the general formula (4) and the dimetallated derivative represented by the general formula (5) is the same as the diethynylbenzene derivative represented by the general formula (7). It is obtained by reacting the dihalide represented by the general formula (8) or the acetylene derivative represented by the general formula (9) with a metallizing agent.

【0030】[0030]

【化13】 Embedded image

【0031】[0031]

【化14】 Embedded image

【0032】[0032]

【化15】 Embedded image

【0033】上記一般式(7)中、Wは、水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。
In the above general formula (7), W represents a hydrogen atom or a trimethylsilyl group.

【0034】上記ジエチニルベンゼン誘導体(7)とし
ては、1,4-ジエチニルベンゼン、1,4-ジエチニルー2ーメ
チルベンゼン、1,4-ジエチニル-2,3-ジメチルベンゼ
ン、1,4-ジエチニル2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチ
ニル-2,6-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチニル-3,5-ジメ
チルベンゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラメチル
ベンゼン、1,4-ジエチニルー2ー(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,4-ジエチニル-2,3-ビス(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1, 4-ジエチニル2,5-ビス(トリメチル
シリル)ベンゼン、1,4-ジエチニル2,6-ビス(トリメチ
ルシリル)ベンゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラ
キス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,3-ジエチニルベ
ンゼン、1,3-ジエチニルー2ーメチルベンゼン、1,3-ジエ
チニルー4ーメチルベンゼン、1,3-ジエチニルー5ーメチルベ
ンゼン、1,3-ジエチニル-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-
ジエチニル-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,
5-ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ジメチルベ
ンゼン、1,3-ジエチニル-2,4,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー2ー(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー4ー(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー5ー(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ジエチニル-2,4-ビス(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,3-ジエチニル-2,5-ビス(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,5-ビス(トリメチル
シリル)ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ビス(トリメ
チルシリル)ベンゼン、1,3-ジエチニル-2,4, 5,6-テト
ラキス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ジエチニル
ベンゼン、1,2-ジエチニルー3ーメチルベンゼン、1,2-ジ
エチニルー4ーメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4-ジメ
チルベンゼン、1,2-ジエチニル3,5-ジメチルベンゼン、
1,2-ジエチニル-3,6-ジメチルベンゼン、1,2-ジエチニ
ル-4,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4,5,6-テ
トラメチルベンゼン、1,2-ジエチニルベンゼン、1,2-ジ
エチニルー3ー(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ジエ
チニルー4ー(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ジエチ
ニル-3,4-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ジ
エチニル3,5-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-
ジエチニル-3,6-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、
1,2-ジエチニル-4,5- ビス(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,2-ジエチニル-3,4,5,6-テトラキス(トリメチル
シリル)ベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチニ
ル)ベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチニル)
ー2ーメチルベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチ
ニル)-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ビス(トリメチル
シリルエチニル)2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ビス(ト
リメチルシリルエチニル)-2,6-ジメチルベンゼン、1,4
-ビス(トリメチルシリルエチニル)-3,5-ジメチルベン
ゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチニル)-2,3,5,6
-テトラメチルベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリル
エチニル)-2-(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4-ビ
ス(トリメチルシリルエチニル)-2,3-ビス(トリメチ
ルシリル)ベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチ
ニル)2,5-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4-ビ
ス(トリメチルシリルエチニル)2,6-ビス(トリメチル
シリル)ベンゼン、1,4-ビス(トリメチルシリルエチニ
ル)-2,3,5,6-テトラキス(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)ベンゼン、
1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)ー2ーメチルベン
ゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)ー4ーメチ
ルベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)ー5
ーメチルベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニ
ル)-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシ
リルエチニル)-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-ビス(ト
リメチルシリルエチニル)-4,5-ジメチルベンゼン、1,3
-ビス(トリメチルシリルエチニル)-4,6-ジメチルベン
ゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)-2,4,5,6
-テトラメチルベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリル
エチニル)-2-(トリメチルシリル)ベンゼン、1,3-ビ
ス(トリメチルシリルエチニル)ー4ー(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)
-5-(トリメチルシリル)ベンゼン、1,3-ビス(トリメ
チルシリルエチニル)-2,4-ビス(トリメチルシリル)
ベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)-2,5
-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,3-ビス(トリ
メチルシリルエチニル)-4,5-ビス(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,3-ビス(トリメチルシリルエチニル)
-4,6-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,3-ビス
(トリメチルシリルエチニル)-2,4,5,6-テトラキス
(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ビス(トリメチル
シリルエチニル)ベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシリ
ルエチニル)ー3ーメチルベンゼン、1,2-ビス(トリメチ
ルシリルエチニル)ー4ーメチルベンゼン、1,2-ビス(ト
リメチルシリルエチニル)-3,4-ジメチルベンゼン、1,2
-ビス(トリメチルシリルエチニル)-3,5-ジメチルベン
ゼン、1,2-ビス(トリメチルシリルエチニル)-3,6-ジ
メチルベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシリルエチニ
ル)-4,5-ジメチルベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシ
リルエチニル)-3,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,2-
ビス(トリメチルシリルエチニル)ベンゼン、1,2-ビス
(トリメチルシリルエチニル)-3-(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシリルエチニル)
-4-(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ビス(トリメ
チルシリルエチニル)-3,4-ビス(トリメチルシリル)
ベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシリルエチニル)-3,5
-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ビス(トリ
メチルシリルエチニル)-3,6-ビス(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,2-ビス(トリメチルシリルエチニル)
-4,5-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,2-ビス
(トリメチルシリルエチニル)-3,4,5,6-テトラキス
(トリメチルシリル)ベンゼン等が挙げられる。
Examples of the above-mentioned diethynylbenzene derivative (7) include 1,4-diethynylbenzene, 1,4-diethynyl-2-methylbenzene, 1,4-diethynyl-2,3-dimethylbenzene, 1,4-diethynyl 2, 5-dimethylbenzene, 1,4-diethynyl-2,6-dimethylbenzene, 1,4-diethynyl-3,5-dimethylbenzene, 1,4-diethynyl-2,3,5,6-tetramethylbenzene, 1 1,4-diethynyl-2- (trimethylsilyl) benzene, 1,4-diethynyl-2,3-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-diethynyl 2,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-diethynyl 2,6 -Bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-diethynyl-2,3,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynylbenzene, 1,3-diethynyl-2-methylbenzene, 1,3-diethynyl-4-methylbenzene , 1,3-diethynyl-5-methylbenzene, 1 , 3-diethynyl-2,4-dimethylbenzene, 1,3-
Diethynyl-2,5-dimethylbenzene, 1,3-diethynyl-4,
5-dimethylbenzene, 1,3-diethynyl-4,6-dimethylbenzene, 1,3-diethynyl-2,4,5,6-tetramethylbenzene, 1,3-diethynyl-2- (trimethylsilyl) benzene, 1, 3-diethynyl-4- (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-5- (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-2,4-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-2,5-bis ( (Trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-4,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-4,6-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diethynyl-2,4,5,6- Tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diethynylbenzene, 1,2-diethynyl-3-methylbenzene, 1,2-diethynyl-4-methylbenzene, 1,2-diethynyl-3,4-dimethylbenzene, 1,2-diethynyl 3, 5-dimethylbenzene,
1,2-diethynyl-3,6-dimethylbenzene, 1,2-diethynyl-4,5-dimethylbenzene, 1,2-diethynyl-3,4,5,6-tetramethylbenzene, 1,2-diethynyl Benzene, 1,2-diethynyl-3- (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diethynyl-4- (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diethynyl-3,4-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diethynyl 3,5 -Bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-
Diethynyl-3,6-bis (trimethylsilyl) benzene,
1,2-diethynyl-4,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diethynyl-3,4,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) benzene, 1,4 -Bis (trimethylsilylethynyl)
-2-Methylbenzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2,3-dimethylbenzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) 2,5-dimethylbenzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2,6 -Dimethylbenzene, 1,4
-Bis (trimethylsilylethynyl) -3,5-dimethylbenzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2,3,5,6
-Tetramethylbenzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2- (trimethylsilyl) benzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2,3-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) ) 2,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) 2,6-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-bis (trimethylsilylethynyl) -2,3,5,6-tetrakis ( Trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) benzene,
1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2-methylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -4-methylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -5
-Methylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,4-dimethylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,5-dimethylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -4,5- Dimethylbenzene, 1,3
-Bis (trimethylsilylethynyl) -4,6-dimethylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,4,5,6
-Tetramethylbenzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2- (trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -4- (trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl)
-5- (Trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,4-bis (trimethylsilyl)
Benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,5
-Bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -4,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl)
-4,6-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-bis (trimethylsilylethynyl) -2,4,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) benzene, 1,2- Bis (trimethylsilylethynyl) -3-methylbenzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -4-methylbenzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,4-dimethylbenzene, 1,2
-Bis (trimethylsilylethynyl) -3,5-dimethylbenzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,6-dimethylbenzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -4,5-dimethylbenzene, 1, 2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,4,5,6-tetramethylbenzene, 1,2-
Bis (trimethylsilylethynyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3- (trimethylsilyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl)
-4- (Trimethylsilyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,4-bis (trimethylsilyl)
Benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,5
-Bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,6-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-bis (trimethylsilylethynyl)
Examples include -4,5-bis (trimethylsilyl) benzene and 1,2-bis (trimethylsilylethynyl) -3,4,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene.

【0035】上記ジハロゲン化物(8)としては、例え
ば、1,4-ジヨードベンゼン、1,4-ジヨード-2-メチルベ
ンゼン、1,4-ジヨード-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジヨード-2,6-ジメ
チルベンゼン、1,4-ジヨード-3,5-ジメチルベンゼン、
1,4-ジヨード-2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2-(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4-ジヨー
ド-2,3-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4-ジヨ
ードー-2, 5-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4-
ジヨード-2,6-ビス(トリメチルシリル)ベンゼン、1,4
-ジヨード-2,3,5,6-テトラキス(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,3-ジヨードベンゼン、1,3-ジヨード-2-メチ
ルベンゼン、1,3-ジヨード-4-メチルベンゼン、1,3 -ジ
ヨード-5-メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4-ジメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-
ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ジ
メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2-(トリメチルシリル)ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4-(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-5-(トリメチルシリル)ベンゼン、
1,3-ジヨード-2,4-ビス(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-2,5-ビス(トリメチルシリル)ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4,5-ビス(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ビス(トリメチルシリル)
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラキス(トリメ
チルシリル)ベンゼン、1,2-ジヨードベンゼン、1,2-ジ
ヨード-3-メチルベンゼン、1,2-ジヨード-4-メチルベン
ゼン、1,2-ジヨード-3,4-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨ
ード-3,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨード-3,6-ジメチ
ルベンゼン、1,2-ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,2
-ジヨード-3,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,2-ジヨー
ドベンゼン、1,2-ジヨードー3ー(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,2-ジヨード-4-(トリメチルシリル)ベンゼ
ン、1,2-ジヨード-3,4-ビス(トリメチルシリル)ベン
ゼン、1,2-ジヨード-3,5-ビス(トリメチルシリル)ベ
ンゼン、1,2-ジヨード-3,6-ビス(トリメチルシリル)
ベンゼン、1,2-ジヨード-4,5-ビス(トリメチルシリ
ル)ベンゼン、1,2-ジヨード-3,4,5,6-テトラキス(ト
リメチルシリル)ベンゼン等のヨウ化物及びその塩化
物、臭化物、フッ化物などのジハロベンゼン誘導体;フ
ェニレン、ビフェニレン、ターフェニレン、クォーター
フェニレン及びその置換体のヨウ化物ならびにその塩化
物、臭化物、フッ化物などが挙げられる。
Examples of the dihalide (8) include 1,4-diiodobenzene, 1,4-diiodo-2-methylbenzene, 1,4-diiodo-2,3-dimethylbenzene, 1,4- Diiodo-2,5-dimethylbenzene, 1,4-diiodo-2,6-dimethylbenzene, 1,4-diiodo-3,5-dimethylbenzene,
1,4-diiodo-2,3,5,6-tetramethylbenzene, 1,4-diiodo-2- (trimethylsilyl) benzene, 1,4-diiodo-2,3-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4 -Diiodo-2,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4-
Diiodo-2,6-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,4
-Diiodo-2,3,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diiodobenzene, 1,3-diiodo-2-methylbenzene, 1,3-diiodo-4-methylbenzene, 1,3 -Diiodo-5-methylbenzene, 1,3-diiodo-2,4-dimethylbenzene, 1,3-diiodo-2,5-dimethylbenzene, 1,3-
Diiodo-4,5-dimethylbenzene, 1,3-diiodo-4,6-dimethylbenzene, 1,3-diiodo-2,4,5,6-tetramethylbenzene, 1,3-diiodo-2- (trimethylsilyl ) Benzene, 1,3-diiodo-4- (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diiodo-5- (trimethylsilyl) benzene,
1,3-diiodo-2,4-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diiodo-2,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,3-diiodo-4,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1, 3-diiodo-4,6-bis (trimethylsilyl)
Benzene, 1,3-diiodo-2,4,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diiodobenzene, 1,2-diiodo-3-methylbenzene, 1,2-diiodo-4-methyl Benzene, 1,2-diiodo-3,4-dimethylbenzene, 1,2-diiodo-3,5-dimethylbenzene, 1,2-diiodo-3,6-dimethylbenzene, 1,2-diiodo-4,5 -Dimethylbenzene, 1,2
-Diiodo-3,4,5,6-tetramethylbenzene, 1,2-diiodobenzene, 1,2-diiodo-3- (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diiodo-4- (trimethylsilyl) benzene, 1, 2-diiodo-3,4-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diiodo-3,5-bis (trimethylsilyl) benzene, 1,2-diiodo-3,6-bis (trimethylsilyl)
Iodides such as benzene, 1,2-diiodo-4,5-bis (trimethylsilyl) benzene and 1,2-diiodo-3,4,5,6-tetrakis (trimethylsilyl) benzene, and their chlorides, bromides, fluorides And dihalobenzene derivatives such as phenylene, biphenylene, terphenylene, quarterphenylene and its substituted iodides, and their chlorides, bromides and fluorides.

【0036】上記アセチレン誘導体(9)としては、例
えば、アセチレン、ジアセチレン及びそのトリメチルシ
リル置換体が挙げられる。
Examples of the acetylene derivative (9) include acetylene, diacetylene and trimethylsilyl-substituted products thereof.

【0037】上記メタル化剤としては、例えば、ブチル
リチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム、エチル
マグネシウムブロマイド、水素化ナトリウム、カルシウ
ムハイドライド等が挙げられる。
Examples of the metallizing agent include butyllithium, methyllithium, phenyllithium, ethylmagnesium bromide, sodium hydride, calcium hydride and the like.

【0038】上記メタル化剤の使用量は、少なくなって
も多くなっても得られるケイ素系重合体の分子量が低下
し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ジエチニルベ
ンゼン誘導体のモル数に対して、1〜4倍のモル数が好
ましく、より好ましくは1.5〜3倍のモル数である。
When the amount of the metallizing agent used is small or large, the molecular weight of the obtained silicon-based polymer decreases, and sufficient heat resistance cannot be obtained. On the other hand, the molar number is preferably 1 to 4 times, and more preferably 1.5 to 3 times.

【0039】上記重縮合反応は、溶媒中で行われるのが
好ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよ
いが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、トルエ
ン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性溶媒が好ま
しく、より好ましくはテトラヒドロフランである。
The above polycondensation reaction is preferably carried out in a solvent, which may be polar or non-polar, but is preferably an aprotic solvent such as tetrahydrofuran, diethyl ether, toluene, xylene or hexane. , And more preferably tetrahydrofuran.

【0040】上記重縮合反応の反応温度としては、特に
限定されないが、−150℃から用いる溶媒の沸点との
間の温度が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを
用いる場合は、−50〜70℃の反応温度が特に好まし
い。
The reaction temperature of the polycondensation reaction is not particularly limited, but a temperature between -150 ° C. and the boiling point of the solvent used is preferable. When using tetrahydrofuran as the solvent, a reaction temperature of −50 to 70 ° C. is particularly preferable.

【0041】上記重縮合反応は、空気又は不活性ガス雰
囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴン又は窒素
雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間は、短くて
も長くても得られるケイ素系化合物の収率が低下するの
で、1〜48時間が好ましい。
The polycondensation reaction proceeds in either air or an inert gas atmosphere, but it is particularly preferably carried out in an argon or nitrogen atmosphere. If the reaction time is short or long, the yield of the silicon-based compound obtained decreases, so that it is preferably 1 to 48 hours.

【0042】上記重縮合反応では触媒を用いてもよく、
触媒としては塩酸、n−ヘキシルアミン・2−ヘキサン
酸塩、テトラメチルグアニジン・ジ2−ヘキサン酸塩等
が挙げられるが、これらに限定されない。
A catalyst may be used in the above polycondensation reaction,
Examples of the catalyst include hydrochloric acid, n-hexylamine-2-hexanoate, tetramethylguanidine di-2-hexanoate, etc., but are not limited thereto.

【0043】上記触媒の使用量は、少なくなると重縮合
反応系の反応性が低下し、多くなると得られるケイ素系
重合体に残存し易くなり物性の低下をもたらすので、ジ
エチニルベンゼン誘導体100重量部に対し、0.00
1〜10重量部が好ましく、より好ましくは0.01〜
1重量部である。
If the amount of the above catalyst used decreases, the reactivity of the polycondensation reaction system decreases, and if it increases, it tends to remain in the obtained silicon-based polymer, resulting in deterioration of the physical properties. Therefore, 100 parts by weight of the diethynylbenzene derivative. Against 0.00
1 to 10 parts by weight is preferable, and more preferably 0.01 to
1 part by weight.

【0044】上記で得られた少なくとも2種のジメタル
化物の混合物を、一般式(6)で表されるジハロシラン
誘導体と重縮合させることにより、第1発明のケイ素系
重合体が得られる。
The silicon-based polymer of the first invention is obtained by polycondensing the mixture of at least two dimetal compounds obtained above with the dihalosilane derivative represented by the general formula (6).

【0045】上記ジハロシラン誘導体としては、一般式
(6)においてYが酸素原子の場合として、1,3-ジクロ
ロ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-
1,1,3,3-テトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロ-
1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキサン、1,5-ジク
ロロ-1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,5-
ジクロロ-1,1,3,3,5,5-ヘキサフェニルトリシロキサ
ン、1,5-ジクロロ-1,3,5-トリメチル-1,3,5-トリフェニ
ルトリシロキサン、1,7-ジクロロ-1,1,3,3,5,5,7,7-オ
クタメチルトリシロキサン、1,5-ジクロロ-1,1,3,3,5,
5,7,7-オクタフェニルトリシロキサン、1,5-ジクロロ-
1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラフェニルトリシ
ロキサン等の塩化物及びその臭素化物、ヨウ化物、フッ
化物等のビスクロロシラン誘導体;Yが炭素数6〜30
のアリーレン誘導体の場合としては、フェニレン、ビフ
ェニレン、ターフェニレン、クォーターフェニレン及び
その置換体等;Yが炭素数2〜4のアセチレン誘導体構
造の場合としてはアセチレンおよびジアセチレンが挙げ
られる。
Examples of the dihalosilane derivative include 1,3-dichloro-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3-dichloro-, when Y is an oxygen atom in the general formula (6).
1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-dichloro-
1,3-dimethyl-1,3-diphenyldisiloxane, 1,5-dichloro-1,1,3,3,5,5-hexamethyltrisiloxane, 1,5-
Dichloro-1,1,3,3,5,5-hexaphenyltrisiloxane, 1,5-dichloro-1,3,5-trimethyl-1,3,5-triphenyltrisiloxane, 1,7-dichloro- 1,1,3,3,5,5,7,7-octamethyltrisiloxane, 1,5-dichloro-1,1,3,3,5,
5,7,7-Octaphenyltrisiloxane, 1,5-dichloro-
Chlorides such as 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetraphenyltrisiloxane and bischlorosilane derivatives such as bromides, iodides and fluorides thereof; Y has 6 to 30 carbon atoms
In the case of the arylene derivative of, phenylene, biphenylene, terphenylene, quarter phenylene and its substitution products, and the like; when Y is an acetylene derivative structure having 2 to 4 carbon atoms, acetylene and diacetylene can be mentioned.

【0046】上記重縮合反応において、ハロゲン化リチ
ウム、アミン系多座配位子及びクラウンエーテルのうち
少なくとも1種の添加剤を添加することも好ましく、そ
の添加剤としては、例えば、塩化リチウム、臭化リチウ
ム、フッ化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウム;テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチル
フォスフォリックトリアミド、ヘキサメチルフォスフォ
ラストリアミド等のアミン系多座配位子;12−クラウ
ン−4(1,4,7,10−テトラオキサシクロドデカ
ン)、15−クラウン−5(1,4,7,10,13−
ペンタオキサシクロペンタデカン)、18−クラウン−
6(1,4,7,10,13,16−ヘキサオキサシク
ロオクタデカン)などのクラウンエーテル等が挙げられ
る。
In the above polycondensation reaction, it is also preferable to add at least one additive selected from lithium halide, amine polydentate ligand and crown ether. Examples of the additive include lithium chloride and odor. Lithium halides such as lithium iodide, lithium fluoride and lithium iodide; amine-based polydentate ligands such as tetramethylethylenediamine, hexamethylphosphoric triamide, hexamethylphosphorus triamide; 12-crown-4 ( 1,4,7,10-Tetraoxacyclododecane), 15-crown-5 (1,4,7,10,13-
Pentaoxacyclopentadecane), 18-crown-
6 (1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane) and other crown ethers.

【0047】上記添加剤の使用量は、少なくなると反応
系を十分に活性化することができず、多くなると反応生
成物から除去するのが難しくなるので、ジハロシラン誘
導体のモル数に対して、0.0001〜100倍のモル
数が好ましく、より好ましくは0.01〜10倍のモル
数である。
When the amount of the above-mentioned additive used is small, the reaction system cannot be sufficiently activated, and when it is large, it becomes difficult to remove it from the reaction product. Therefore, it is 0 relative to the number of moles of the dihalosilane derivative. The molar number is preferably 0.0001 to 100 times, and more preferably 0.01 to 10 times.

【0048】[0048]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例につき説明
する。 (実施例1)アルゴン置換した反応容器(DeanStark型)
にマグネシウム片0.27gを入れ、テトラヒドロフラ
ン10mlに溶かした4,4'-ジブロモビフェニル1.
6gを激しく撹拌しながら加えてグリニヤール反応さ
せ、さらにテトラヒドロフラン5mlで希釈した後60
℃で5時間熟成する。これとは別にアルゴン置換した反
応容器(DeanStark型)に1,4−ジエチニルベンゼン
0.63gをテトラヒドロフラン15mlに溶かして入
れ、3モル濃度の臭化エチルマグネシウム・ヘキサン溶
液1.7mlを滴下した後室温で2時間熟成する。いず
れも析出塩によって懸濁するが、そのまま混合した後、
テトラヒドロフラン5mlに溶かしたジクロロテトラフ
ェニルジシロキサン4.5gを滴下し、60℃で24時間
撹拌する。この反応混合物を塩化アンモニウム水溶液に
注ぎ、テトラヒドロフランおよびエチルエーテルで抽出
し、イオン交換水および飽和食塩水で洗う。無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後溶液は濃縮し、イソプロピルア
ルコールで再沈澱して精製し、ケイ素系重合体粉末2.
8gを得た。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. (Example 1) Argon-substituted reaction vessel (Dean Stark type)
0.27 g of magnesium pieces was placed in 4, and 4,4'-dibromobiphenyl dissolved in 10 ml of tetrahydrofuran.
6 g was added with vigorous stirring to cause Grignard reaction, and further diluted with 5 ml of tetrahydrofuran, then 60
Aging at ℃ for 5 hours. Separately, 0.63 g of 1,4-diethynylbenzene was dissolved in 15 ml of tetrahydrofuran and placed in a reaction vessel (Dean Stark type) whose atmosphere was replaced with argon, and 1.7 ml of a 3 molar concentrated ethylmagnesium bromide / hexane solution was added dropwise. Aging at room temperature for 2 hours. Both are suspended by the precipitated salt, but after mixing as it is,
4.5 g of dichlorotetraphenyldisiloxane dissolved in 5 ml of tetrahydrofuran is added dropwise, and the mixture is stirred at 60 ° C. for 24 hours. The reaction mixture is poured into aqueous ammonium chloride solution, extracted with tetrahydrofuran and ethyl ether, and washed with ion-exchanged water and saturated saline. After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solution was concentrated and reprecipitated with isopropyl alcohol for purification, and a silicon-based polymer powder was used.
8 g were obtained.

【0049】得られたケイ素系重合体の構造については
以下の測定を行って同定した。 (A)IRスペクトル IRスペクトル(日立製作所製IRスペクトル「270
−30」を使用して測定)では、図1に示すように、2
160cm-1付近に2置換アセチレンのc−c三重結合
の伸縮振動の吸収がシャープに観測された。さらに、1
120cm-1にSi−O−Si結合に帰属するブロード
な吸収がみられた。また、それ以外のピークは芳香族環
に由来するものであることがわかった。
The structure of the obtained silicon-based polymer was identified by the following measurements. (A) IR spectrum IR spectrum (IR spectrum "270 manufactured by Hitachi, Ltd.
-30 "), as shown in FIG.
Absorption of stretching vibration of the cc triple bond of disubstituted acetylene was sharply observed at around 160 cm -1 . In addition, 1
Broad absorption attributed to the Si-O-Si bond was observed at 120 cm- 1 . It was also found that the other peaks were derived from the aromatic ring.

【0050】(B)プロトンNMRスペクトル プロトンNMRスペクトル(日立製作所製FT−NM
R、「RT−9000型」を使用して測定)では、図2
に示すように、シラノール基のプロトンはほとんど観測
できなかったが、芳香族プロトンが7〜8ppmで観測
された。
(B) Proton NMR spectrum Proton NMR spectrum (FT-NM manufactured by Hitachi Ltd.)
R, measured using "RT-9000 type")
As shown in, almost no silanol group protons were observed, but aromatic protons were observed at 7 to 8 ppm.

【0051】(C)分子量 東ソー社製「GPC−8000」を使用してGPCを測
定の結果、ポリスチレン換算5,000であった。
(C) Molecular weight The GPC was measured using "GPC-8000" manufactured by Tosoh Corporation, and the result was 5,000 in terms of polystyrene.

【0052】(D)熱重量分析 リガク製「TAS−300」を使用して、10℃/分の
昇温速度で30℃から800℃まで昇温し、初期重量に
対して5重量%及び10重量%減少したときの温度が3
55℃及び503℃であり、さらに800℃における重
量残存率が63重量%であることがわかった。
(D) Thermogravimetric analysis Using “TAS-300” manufactured by Rigaku, the temperature was raised from 30 ° C. to 800 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C./min, and 5% by weight and 10% with respect to the initial weight. Temperature when weight% is reduced to 3
It was found to be 55 ° C. and 503 ° C., and the weight residual ratio at 800 ° C. was 63% by weight.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明のケイ素系重合体の構成は、上記
の通りであるから、光反応性、耐熱性及び難燃性に優れ
ており、航空宇宙材料、建築材料等に好適に用いられ
る。また、本発明2のケイ素系化合物の製造方法は、光
反応性、耐熱性及び難燃性に優れたケイ素系重合体を提
供する。
The constitution of the silicon-based polymer of the present invention is as described above, and therefore it is excellent in photoreactivity, heat resistance and flame retardancy and is suitable for use in aerospace materials, building materials and the like. . Further, the method for producing a silicon-based compound of the present invention 2 provides a silicon-based polymer having excellent photoreactivity, heat resistance and flame retardancy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例で得られたケイ素系重合体のIRスペク
トルを示すチャートである。
FIG. 1 is a chart showing an IR spectrum of a silicon-based polymer obtained in an example.

【図2】実施例で得られたケイ素系重合体のプロトンN
MRを示すチャートである。
FIG. 2 is the proton N of the silicon-based polymer obtained in the example.
It is a chart which shows MR.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 和廣 大阪府三島郡島本町百山2−1 積水化学 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuhiro Okada 2-1 Hyakusan, Shimamoto-cho, Mishima-gun, Osaka Prefecture Sekisui Chemical Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(1)、(2)及び(3)で表され
る構成単位が、a、b及びc(但し、0<a、b、c<
1)の割合でそれぞれ含有されるケイ素系重合体であっ
て、該a、b及びcが、下記(イ)、(ロ)及び(ハ)
の関係式を満足する関係にあり、かつ重量平均分子量が
500以上であることを特徴とするケイ素系重合体。 a+b+c=1 ・・・(イ) a:b=1:99〜99:1 ・・・(ロ) (a+b):c=1:2〜2:1 ・・・(ハ) 【化1】 【化2】 【化3】 (式中、R1 は水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜12のアリール基又はR2 3Siで表され
るシリル基を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。R2は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基又は
炭素数6〜12のアリール基を示し、同一であっても異
なっていてもよい。またZは炭素数6〜30のアリーレ
ン誘導体又は炭素数2〜4のアセチレン誘導体構造を、
Yは酸素、炭素数6〜30のアリーレン誘導体又は炭素
数2〜4のアセチレン誘導体構造を示し、nは1〜19
の整数を示す)
1. Structural units represented by general formulas (1), (2) and (3) are a, b and c (provided that 0 <a, b, c <
1) A silicon-based polymer which is contained in the respective proportions of 1), wherein a, b and c are the following (a), (b) and (c):
And a weight-average molecular weight of 500 or more. a + b + c = 1 (b) a: b = 1: 99 to 99: 1 (b) (a + b): c = 1: 2 to 2: 1 (c) Embedded image Embedded image (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or a silyl group represented by R 2 3 Si, which may be the same or different. R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and may be the same or different, and Z is an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms. Or, the acetylene derivative structure having 2 to 4 carbon atoms,
Y represents oxygen, an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative structure having 2 to 4 carbon atoms, and n is 1 to 19
Indicates an integer)
【請求項2】一般式(4)で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体ジメタル化物と一般式(5)で表されるジメタ
ル化物の混合物を、一般式(6)で表されるジハロシラ
ン誘導体と重縮合させることを特徴とする請求項1記載
のケイ素系重合体の製造方法。 【化4】 【化5】 【化6】 (式中、R1は水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜12のアリール基又はR2 3Siで表され
るシリル基を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。R2は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基又は
炭素数6〜12のアリール基を示し、同一であっても異
なっていてもよい。また、Yは炭素数6〜30のアリー
レン誘導体又は炭素数2〜4のアセチレン誘導体構造
を、Zは酸素、炭素数6〜30のアリーレン誘導体又は
炭素数2〜4のアセチレン誘導体構造を示し、nは1〜
19の整数を示す。さらに、MはLi、Na、K、Mg
X、CaX、CuX、HgXの金属原子又は金属ハライ
ドを示す。Xはハロゲン原子を示す)
2. A mixture of a diethynylbenzene derivative dimetallated compound represented by the general formula (4) and a dimetallated compound represented by the general formula (5) is polycondensed with a dihalosilane derivative represented by the general formula (6). The method for producing a silicon-based polymer according to claim 1, wherein Embedded image Embedded image [Chemical 6] (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or a silyl group represented by R 2 3 Si, which may be the same or different. R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and may be the same or different, and Y is arylene having 6 to 30 carbon atoms. A derivative or an acetylene derivative structure having 2 to 4 carbon atoms, Z represents oxygen, an arylene derivative having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative structure having 2 to 4 carbon atoms, and n is 1 to 1
An integer of 19 is shown. Furthermore, M is Li, Na, K, Mg
A metal atom or metal halide of X, CaX, CuX, HgX is shown. X represents a halogen atom)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003509557A (en) * 1999-09-16 2003-03-11 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Poly (ethynylene-phenylene-ethynylene-silylene) and method for preparing the same

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JP2003509557A (en) * 1999-09-16 2003-03-11 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Poly (ethynylene-phenylene-ethynylene-silylene) and method for preparing the same

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