JPH09138944A - Nonmagnetic substrate, magnetic recording medium, magnetic recording device and roughening method of layer surface - Google Patents

Nonmagnetic substrate, magnetic recording medium, magnetic recording device and roughening method of layer surface

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JPH09138944A
JPH09138944A JP7292359A JP29235995A JPH09138944A JP H09138944 A JPH09138944 A JP H09138944A JP 7292359 A JP7292359 A JP 7292359A JP 29235995 A JP29235995 A JP 29235995A JP H09138944 A JPH09138944 A JP H09138944A
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Japan
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reactive material
film
layer
roughening
reactive
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JP7292359A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Sato
賢治 佐藤
Tomoaki Okuyama
智明 奥山
Iwao Okamoto
巌 岡本
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To partly build up the surface of a layer to obtain proper surface roughness by forming a partial region of a reactive material distributed by a specified density of the surface of a layer and allowing the reactive material to react with a reactive gas on the layer surface. SOLUTION: After a nonmagnetic substrate subjected to texture treatment is formed, a Cr base layer 4, a CoCrPt film recording layer 5 and a protective layer 6 are successively deposited on the substrate to form a magnetic recording medium. After a silicon oxide film 3 with such film thickness that does not form a continuous film in the plane direction is formed on the Cr film 2, the surface of the multilayered film is exposed to oxygen plasma to cause the reaction of the Cr film 2 with oxygen and partially build up the reacted part to form projections 2a on the substrate surface. In this case, by controlling the film thickness of the silicon oxide film 3 and plasma irradiation conditions, the density, diameter and height of projections 2a can be properly controlled. Therefore, the substrate surface can be easily roughened to obtain proper surface roughness.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性基板、磁気
記録媒体、磁気記録装置及び層表面の粗面化方法に関
し、より詳しくは、磁気記録媒体等の表面を適当な粗さ
に加工する層表面の粗面化方法及びテクスチャ処理が施
された非磁性基板、磁気記録媒体及び磁気記録装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-magnetic substrate, a magnetic recording medium, a magnetic recording device, and a layer surface roughening method. More specifically, the surface of a magnetic recording medium or the like is processed to have an appropriate roughness. The present invention relates to a non-magnetic substrate, a magnetic recording medium, and a magnetic recording device on which a layer surface roughening method and a texture treatment have been performed.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いられる磁気ディスク装置では、高密度記録を実現
するために記録媒体表面を平坦化する必要がある。しか
しながら、コンタクトスタートストップ(CSS)方式
を採用した磁気ディスク装置では、動作開始時及び動作
停止時に磁気ヘッド浮上面と磁気記録媒体表面との間に
吸着が生じて、磁気ヘッドの走行に支障をきたす場合が
ある。このため、磁気記録媒体表面を吸着が生じない程
度の粗さに粗面化する処理、即ちテクスチャー処理を行
って磁気ヘッドと磁気記録媒体間の摩擦を下げる努力が
なされている。この場合でも、突起の高さをあまり高く
するとスペーシングロスが増加するので、テクスチャ処
理において突起高さを調整することは非常に重要であ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in a magnetic disk device used as an external storage device of a computer, it is necessary to flatten the surface of a recording medium in order to realize high density recording. However, in a magnetic disk device adopting the contact start stop (CSS) method, adsorption occurs between the air bearing surface of the magnetic head and the surface of the magnetic recording medium at the start and stop of the operation, which hinders the running of the magnetic head. There are cases. For this reason, efforts are being made to reduce the friction between the magnetic head and the magnetic recording medium by carrying out a treatment for roughening the surface of the magnetic recording medium to a roughness that does not cause adsorption, that is, a texture treatment. Even in this case, if the height of the protrusions is made too high, spacing loss increases. Therefore, it is very important to adjust the protrusion heights in the texture processing.

【0003】例えば、図8に示すように、アルミニウム
基板101にNiP膜102をコーティングし、その上
に記録膜104を形成した磁気ディスクでは、NiP膜
102の表面に機械的に筋目を入れて磁気ディスク表面
に凹凸を形成している。なお、図8において、103は
下地膜、105は保護膜である。また、機械的に筋目を
入れることが困難なガラスなどの基板を用いる場合に関
しては、例えば特開平4−255908号公報に示す技
術がある。この技術は、図9に示すように、ディスク基
板111上に低表面エネルギ金属、例えばTiの皮膜1
12を形成し、その上に低融点金属膜113、例えばA
l膜を形成する。さらに低融点金属膜113に対して熱
処理を行うことによって、Al粒子を凝集させて、皮膜
112の表面に均一に分布する突起を形成し、粗面化を
行っている。なお、114は下地層、115は記録層、
116は保護層である。また、Crの酸化物の微粒子を
基板(磁気テープ)面に分布させてその上に形成する記
録層表面に突起を生じさせる技術が特開昭60−261
017号公報に記載されている。
For example, as shown in FIG. 8, in a magnetic disk in which an aluminum substrate 101 is coated with a NiP film 102 and a recording film 104 is formed on the aluminum substrate 101, the surface of the NiP film 102 is mechanically scored to make a magnetic field. Unevenness is formed on the disk surface. In FIG. 8, 103 is a base film and 105 is a protective film. Further, in the case of using a substrate such as glass, which is difficult to be mechanically scored, there is a technique disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-255908. As shown in FIG. 9, this technique uses a film 1 of a low surface energy metal such as Ti on a disk substrate 111.
12 is formed, and the low melting point metal film 113, for example, A
l film is formed. Further, by heat-treating the low-melting-point metal film 113, Al particles are aggregated to form protrusions uniformly distributed on the surface of the film 112, and roughening is performed. In addition, 114 is a base layer, 115 is a recording layer,
Reference numeral 116 is a protective layer. Further, there is a technique in which fine particles of Cr oxide are distributed on the surface of a substrate (magnetic tape) to form protrusions on the surface of a recording layer formed thereon.
No. 017.

【0004】或いはまた、特開平5−282666号公
報に示すように、記録層表面上の保護層に微粒子を混入
して、記録層表面を平滑に保ちながら記録媒体表面の粗
面化を図る技術も提案されている。
Alternatively, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-282666, fine particles are mixed into the protective layer on the surface of the recording layer to roughen the surface of the recording medium while keeping the surface of the recording layer smooth. Is also proposed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8に
示す機械的テクスチャ処理法を用いた従来の磁気ディス
クの製造方法では、磁気ディスクの表面形状のコントロ
ールが困難で、往々にして鋭い突起が存在する。このよ
うな突起は、磁気ヘッドとの接触等で折れて塵芥にな
り、ヘッドクラッシュの原因となる場合がある。また、
特開平4−255908号公報或いは特開昭60−26
1017号公報に示されている方法では、その製造プロ
セスにおいて工程数が増加し、その分製造工程が煩雑化
する。
However, in the conventional method for manufacturing a magnetic disk using the mechanical texture processing method shown in FIG. 8, it is difficult to control the surface shape of the magnetic disk, and there are often sharp protrusions. To do. Such protrusions may break due to contact with the magnetic head or the like to become dust, which may cause a head crash. Also,
JP-A-4-255908 or JP-A-60-26
In the method disclosed in Japanese Patent No. 1017, the number of steps in the manufacturing process increases, and the manufacturing process becomes complicated accordingly.

【0006】さらに前記三つの技術は、記録層の下地層
を粗面化しており、その結果記録層表面自体も粗面化さ
れる。このような記録層表面の荒れは、一般に、媒体ノ
イズの原因となる。これに対して上記特開平5−282
666号公報に記載の従来例の方法では、記録層表面上
の保護層に微粒子を混入するなどの方法で、記録層表面
を平滑に保ちながら記録媒体表面の粗面化を図ってい
る。そのため、記録層表面の粗面化は避けられるが、S
iO2 等の微粒子を保護層に混入させる過程で装置が汚
染される欠点がある。即ち、保護層をスパッタするとき
の成膜雰囲気中にSiO2 等の微粒子を噴霧して、これ
らの微粒子を保護層中に混入させているが、その結果ス
パッタ装置がSiO2 等の微粒子に汚染され、装置メン
テナンスが困難となる。
Further, the above three techniques roughen the underlayer of the recording layer, and as a result, the recording layer surface itself is roughened. Such surface roughness of the recording layer generally causes medium noise. On the other hand, the above-mentioned JP-A-5-282
In the method of the conventional example described in Japanese Patent No. 666, the surface of the recording medium is roughened while keeping the surface of the recording layer smooth by, for example, mixing fine particles in a protective layer on the surface of the recording layer. Therefore, roughening of the recording layer surface can be avoided, but S
There is a drawback that the device is contaminated in the process of mixing fine particles such as iO 2 into the protective layer. That is, fine particles such as SiO 2 are sprayed into the film forming atmosphere when the protective layer is sputtered, and these fine particles are mixed into the protective layer. As a result, the sputtering device contaminates the fine particles such as SiO 2. Therefore, maintenance of the device becomes difficult.

【0007】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、容易な製造方法で、層表面を適
当な表面粗さにすることが可能なテクスチャー処理方法
及びテクスチャー処理が施された非磁性基板、磁気記録
媒体及び磁気記録装置を提供することを目的とする。
The present invention was created in view of the problems of the above-mentioned conventional examples, and a texture treatment method and a texture treatment capable of making the surface of a layer have an appropriate surface roughness by an easy manufacturing method. An object of the present invention is to provide a non-magnetic substrate, a magnetic recording medium, and a magnetic recording device that are subjected to the above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題は、第1に、非
反応性材料の全体の表面領域内に反応性材料の部分領域
が所定の密度で分布している層の表面を反応ガスに曝し
て反応ガスと反応性材料とを反応させ、層の表面を部分
的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化方法に
よって達成され、第2に、基体上に反応性材料からなる
第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上に平面方
向に連続した膜を形成しない膜厚の非反応性材料からな
る第2の膜を形成する工程と、反応ガスに曝して前記反
応ガスと前記反応性材料とを反応させ、第1及び第2の
膜からなる多層膜の表面を部分的に盛り上げることを特
徴とする層表面の粗面化方法によって達成され、第3
に、前記反応性材料はクロムであることを特徴とする第
1又は第2の発明に記載の層表面の粗面化方法によって
達成され、第4に、前記非反応性材料はシリコン酸化膜
であることを特徴とする第1乃至第3の発明のいずれか
に記載の層表面の粗面化方法によって達成され、第5
に、前記反応ガスと前記反応性材料とを反応させる工程
は、プラズマ化された酸素又は窒素含有ガスに曝して前
記反応性材料を酸化又は窒化するものであることを特徴
とする第1乃至第4の発明のいずれかに記載の層表面の
粗面化方法によって達成され、第6に、前記反応ガスと
前記反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素含
有ガス中での加熱により前記反応性材料を酸化又は窒化
するものであることを特徴とする第1乃至第4の発明の
いずれかに記載の層表面の粗面化方法によって達成さ
れ、第7に、基体上に第1の反応性材料からなる第1の
膜を形成する工程と、前記第1の膜の上に第2の反応性
材料を添加した非反応性材料からなる第2の膜を形成す
る工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第2の
反応性材料とを反応させ、前記第2の膜から前記第2の
反応性材料を部分的に除去して該除去跡に前記第1の膜
を露出する工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前
記第1の反応性材料とを反応させ、第1及び第2の膜か
らなる多層膜の表面を部分的に盛り上げることを特徴と
する層表面の粗面化方法によって達成され、第8に、前
記第1の反応性材料はクロムであることを特徴とする第
1又は第8の発明に記載の層表面の粗面化方法によって
達成され、第9に、前記第2の反応性材料は炭素であ
り、前記非反応性材料はシリコン酸化膜であることを特
徴とする第1,第7又は第8の発明に記載の層表面の粗
面化方法によって達成され、第10に、前記反応ガスと
前記第2の反応性材料とを反応させる工程は、プラズマ
化された酸素又は窒素含有ガスにより前記第2の反応性
材料を気化させるものであることを特徴とする第1,第
7乃至第9の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方
法によって達成され、第11に、前記反応ガスと前記第
1の反応性材料とを反応させる工程は、プラズマ化され
た酸素又は窒素含有ガスにより前記第1の反応性材料を
酸化又は窒化するものであることを特徴とする第1,第
7乃至第10の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化
方法によって達成され、第12に、前記反応ガスと前記
第2の反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素
含有ガス雰囲気中での加熱により前記第2の反応性材料
を気化させるものであることを特徴とする第1,第7乃
至第9の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法に
よって達成され、第13に、前記反応ガスと前記第1の
反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガ
ス雰囲気中での加熱により前記第1の反応性材料を酸化
又は窒化するものであることを特徴とする第1,第7乃
至第10の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法
によって達成され、第14に、前記加熱はレーザ照射に
よりなされるものであることを特徴とする第5,第6,
第10,第11,第12又は第13の発明に記載の層表
面の粗面化方法によって達成され、第15に、第1乃至
第14の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法に
より作成された非磁性基板によって達成され、第16
に、第15の発明に記載の非磁性基板上に下地層と記録
層と保護層とが順に積層されてなることを特徴とする磁
気記録媒体によって達成され、第17に、第1乃至第1
4の発明のいずれかに記載の第1の膜は非磁性基板に形
成された下地層の上の記録層上に形成され、第1乃至第
14の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法によ
り作成されてなることを特徴とする磁気記録媒体によっ
て達成され、第18に、前記磁気記録媒体は円板状の磁
気ディスクであり、第14の発明に記載の層表面の粗面
化方法が前記磁気ディスクの内周部及び外周部に施され
ていることを特徴とする磁気記録媒体によって達成さ
れ、第19に、第16乃至第18の発明のいずれかに記
載の磁気記録媒体を備えてなることを特徴とする磁気記
録装置によって達成される。
The above-mentioned problems are as follows. First, the surface of the layer in which the partial regions of the reactive material are distributed at a predetermined density within the entire surface region of the non-reactive material is exposed to the reaction gas. This is achieved by a method of roughening the surface of a layer, which comprises exposing the reactive gas to the reactive material to partially raise the surface of the layer. The step of forming a first film, the step of forming a second film made of a non-reactive material having a film thickness that does not form a continuous film on the first film, and exposing the first film to a reaction gas. A method for roughening a surface of a layer, which comprises reacting the reaction gas with the reactive material to partially swell the surface of a multilayer film including the first and second films,
First, the reactive material is chromium, and the layer surface roughening method according to the first or second aspect of the present invention is achieved. Fourth, the non-reactive material is a silicon oxide film. A fifth aspect of the present invention is achieved by the method for roughening a layer surface according to any one of the first to third aspects,
First, the step of reacting the reactive gas with the reactive material is to oxidize or nitride the reactive material by exposing it to a gas containing oxygen or nitrogen that has been turned into plasma. 4 is achieved by the method for surface roughening of a layer surface according to any one of the inventions, and 6thly, the step of reacting the reaction gas with the reactive material is performed by heating in an oxygen- or nitrogen-containing gas. It is achieved by the method for roughening a layer surface according to any one of the first to fourth inventions, characterized in that the reactive material is oxidized or nitrided. A step of forming a first film made of a reactive material, a step of forming a second film made of a non-reactive material to which a second reactive material is added, on the first film, and a reaction gas And reacting the reaction gas with the second reactive material The step of partially removing the second reactive material from the second film to expose the first film in the removal trace; and exposing the reaction gas to the reaction gas and the first film. This is achieved by a method of roughening the surface of a layer, which comprises reacting a reactive material with the surface of a multi-layered film composed of a first film and a second film to partially raise it. The reactive material is chromium, which is achieved by the method for roughening the surface of a layer according to the first or eighth invention, and ninth, the second reactive material is carbon. The non-reactive material is a silicon oxide film, which is achieved by the method for roughening the layer surface according to the first, seventh or eighth invention. Tenth, the reaction gas and the second The step of reacting with the reactive material of The second reactive material is vaporized, which is achieved by the layer surface roughening method according to any one of the first, seventh to ninth inventions, and eleventh, the above reaction. The step of reacting a gas with the first reactive material is a step of oxidizing or nitriding the first reactive material with an oxygen- or nitrogen-containing gas turned into plasma. Achieved by the method for surface roughening of a layer surface according to any one of the seventh to tenth inventions, and twelfth, the step of reacting the reaction gas with the second reactive material is an oxygen- or nitrogen-containing gas. A method for roughening a layer surface according to any one of the first, seventh to ninth inventions, characterized in that the second reactive material is vaporized by heating in an atmosphere. Thirteenth, the reaction gas and the first reaction The step of reacting with a reactive material oxidizes or nitrides the first reactive material by heating in a gas atmosphere containing oxygen or nitrogen, and the first, seventh to tenth inventions. (14) The heating method according to any one of (14) to (14), and the fourteenth, the heating is performed by laser irradiation.
The roughening of the layer surface according to any one of the first to fourteenth inventions can be achieved by the roughening method of the layer surface according to the tenth, eleventh, twelfth or thirteenth invention. Achieved by a non-magnetic substrate made by the method, the sixteenth
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a magnetic recording medium characterized in that an underlayer, a recording layer and a protective layer are sequentially laminated on a non-magnetic substrate according to the fifteenth invention.
The first film according to any one of inventions 4 to 4 is formed on the recording layer on the underlayer formed on the non-magnetic substrate, and the rough surface of the layer according to any one of the inventions 1 to 14 is formed. The present invention is achieved by a magnetic recording medium characterized by being prepared by a surface-imparting method. The eighteenth aspect is that the magnetic recording medium is a disk-shaped magnetic disk, and the rough surface of the layer surface according to the fourteenth invention is provided. A magnetic recording medium according to any one of the sixteenth to eighteenth aspects of the present invention, which is achieved by a magnetic recording medium characterized in that an inner peripheral portion and an outer peripheral portion of the magnetic disk are subjected to It is achieved by a magnetic recording device comprising:

【0009】本発明においては、非反応性材料の全体表
面領域内に反応性材料の部分領域が所定の密度で分布し
ている層の表面を反応ガスに曝して反応ガスと反応性材
料とを反応させ、層の表面を部分的に盛り上げている。
例えば、上記のような層表面を形成するには、反応性材
料からなる第1の膜を形成し、更に、第1の膜の上に平
面方向に連続した膜を形成しない膜厚の非反応性材料か
らなる第2の膜を形成する。また、第1の反応性材料か
らなる第1の膜の上に第2の反応性材料を添加した非反
応性材料からなる第2の膜を形成した後、反応ガスに曝
して反応ガスと第2の反応性材料とを反応させ、第2の
膜から第2の反応性材料を部分的に除去して該除去跡に
第1の膜を露出する。
In the present invention, the surface of the layer in which the partial regions of the reactive material are distributed at a predetermined density within the entire surface region of the non-reactive material is exposed to the reactive gas to separate the reactive gas and the reactive material. The reaction is carried out to partially raise the surface of the layer.
For example, in order to form a layer surface as described above, a first film made of a reactive material is formed, and further, a non-reactive film having a film thickness that does not form a continuous film on the first film in the planar direction is formed. A second film made of a conductive material is formed. In addition, after forming a second film made of a non-reactive material in which a second reactive material is added on a first film made of a first reactive material, the second film is exposed to a reaction gas to remove the reaction gas and the first gas. The second reactive material is reacted to partially remove the second reactive material from the second film to expose the first film in the trace of the removal.

【0010】このようにして作成された層の表面を反応
ガスに曝して反応ガスと下地の反応性材料とを反応させ
る。例えば、反応性材料がクロムの場合、酸化或いは窒
化すると酸化クロム或いは窒化クロムが形成され、その
部分の体積が増えて盛り上り、突起が形成される。この
とき、平面方向に連続した膜が形成されないような膜厚
の第2の膜を形成した場合、その膜厚を調整すること
で、突起の密度や直径及び高さを適当に調整することが
できる。また、炭素を添加したシリコン酸化膜を形成し
た場合には、炭素含有量を調整することにより炭素集積
部分の密度や大きさを調整することができるため、突起
の密度や直径及び高さを適当に調整することができる。
The surface of the layer thus formed is exposed to a reaction gas so that the reaction gas reacts with the underlying reactive material. For example, when the reactive material is chromium, when oxidized or nitrided, chromium oxide or chromium nitride is formed, and the volume of that portion increases and rises to form a protrusion. At this time, when the second film having a film thickness that does not form a continuous film in the planar direction is formed, the density, diameter, and height of the protrusions can be appropriately adjusted by adjusting the film thickness. it can. In addition, when a carbon oxide-added silicon oxide film is formed, the density and size of the carbon accumulation portion can be adjusted by adjusting the carbon content. Can be adjusted to.

【0011】このように、本発明の粗面化方法を用いる
ことにより、適当な表面粗さになるように基板表面を容
易に粗面化することができる。そして、この粗面化方法
によりテクスチャ処理が施された磁気記録媒体を作成す
ることが可能である。また、本発明の他の磁気記録媒体
によれば、記録層上の保護層に対して前記粗面化方法を
適用しているので、記録層表面の粗面化は避けられ、従
って、記録層表面の荒れを防止し、媒体ノイズを抑制す
ることができる。
As described above, by using the surface roughening method of the present invention, the surface of the substrate can be easily roughened to have an appropriate surface roughness. Then, it is possible to create a magnetic recording medium that has been subjected to texture processing by this roughening method. Further, according to another magnetic recording medium of the present invention, since the roughening method is applied to the protective layer on the recording layer, roughening of the surface of the recording layer is avoided, and accordingly, the recording layer is Surface roughness can be prevented and medium noise can be suppressed.

【0012】更に、前記粗面化方法が磁気ディスクの内
周部及び外周部に適用されているので、CSS方式の磁
気記録装置に磁気ディスクが使用された場合、特に吸着
が問題となる動作開始時及び動作停止時にのみ有効に作
用する。これにより、必要な部分のみにテクスチャ処理
を施すことができるので、記録層の粗面化に起因する媒
体ノイズの低減を図ることが可能となる。
Further, since the surface roughening method is applied to the inner and outer peripheral portions of the magnetic disk, when the magnetic disk is used in a CSS type magnetic recording device, the start of operation is particularly problematic for adsorption. Effective only when and when the operation is stopped. As a result, the texture processing can be performed only on a necessary portion, so that it is possible to reduce the medium noise due to the roughening of the recording layer.

【0013】このような部分的なテクスチャ処理を行う
場合、加熱手段としてレーザ光を用いることが有効であ
る。
When performing such partial texture processing, it is effective to use laser light as the heating means.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第1〜第4の実
施の形態について図面を参照しながら説明する。 (1)本発明の第1の実施の形態 図1(a)〜(d)は、第1の形態に係る非磁性基板及
び磁気記録媒体の作成方法について示す断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, first to fourth embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (1) First Embodiment of the Invention FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views showing a method of manufacturing a non-magnetic substrate and a magnetic recording medium according to the first embodiment.

【0015】まず、図1(a)に示す、よく洗浄された
十分に平滑な表面を有するシリコン基板1上に、図1
(b)に示すように、DCマグネトロンスパッタ法によ
り、Arガス圧5mTorr,電力0.5kWの条件
で、膜厚約20nmのクロム(Cr)膜(反応性材料か
らなる第1の膜)2を形成する。続いて、図1(b)に
示すように、RFマグネトロンスパッタ法により、Ar
ガス圧10mTorr,電力0.2kWの条件で、シリ
コン基板1上にシリコン酸化膜(非反応性材料からなる
第2の膜)3を形成する。このとき、シリコン酸化膜3
の膜厚をそれが平面方向に連続した膜を形成しないよう
な膜厚、例えば約3nmとする。
First, as shown in FIG. 1A, a well-cleaned silicon substrate 1 having a sufficiently smooth surface is formed on the silicon substrate 1.
As shown in (b), a chromium (Cr) film (first film made of a reactive material) 2 having a film thickness of about 20 nm is formed by a DC magnetron sputtering method under the conditions of Ar gas pressure of 5 mTorr and electric power of 0.5 kW. Form. Then, as shown in FIG. 1B, Ar is formed by RF magnetron sputtering.
A silicon oxide film (second film made of a non-reactive material) 3 is formed on the silicon substrate 1 under the conditions of gas pressure of 10 mTorr and power of 0.2 kW. At this time, the silicon oxide film 3
Is set to a film thickness that does not form a continuous film in the plane direction, for example, about 3 nm.

【0016】次に、平行平板型プラズマ処理装置の対向
電極の一方の上にシリコン基板1を置いて、酸素ガスを
導入し、ガス圧10mTorrとする。続いて、対向電
極間に電力600Wを印加して酸素ガスをプラズマ化
し、10分間のプラズマ処理を行う。図1(c)に示す
ように、基板の表面でシリコン酸化膜3が不連続な部分
に部分的に露出したCr膜2は、プラズマ化された酸素
(反応ガス)により酸化されて酸化クロムが形成され
る。その部分は体積が増えて盛り上がり、突起2aとな
る。第1の形態の場合、図5に示すように、直径10n
m、高さ5nmの突起2aが形成された。
Next, the silicon substrate 1 is placed on one of the opposing electrodes of the parallel plate type plasma processing apparatus, oxygen gas is introduced, and the gas pressure is set to 10 mTorr. Subsequently, an electric power of 600 W is applied between the opposing electrodes to turn oxygen gas into plasma, and plasma processing is performed for 10 minutes. As shown in FIG. 1 (c), the Cr film 2 partially exposed at the discontinuous portion of the silicon oxide film 3 on the surface of the substrate is oxidized by oxygen (reaction gas) turned into plasma to generate chromium oxide. It is formed. The volume of the portion increases and rises to become the protrusion 2a. In the case of the first form, as shown in FIG.
A projection 2a having a height of m and a height of 5 nm was formed.

【0017】上記のようにしてテクスチャ処理が施され
た非磁性基板が作成される。この後、スパッタ法等によ
り上記非磁性基板上に膜厚約40nmのCr膜からなる
下地層4と、膜厚約20nmのCoCrPt膜からなる
記録層5と、膜厚約10nmのC膜からなる保護層6と
を順に堆積すると、磁気記録媒体が作成される。
A non-magnetic substrate that has been textured as described above is produced. Thereafter, the underlayer 4 made of a Cr film having a thickness of about 40 nm, the recording layer 5 made of a CoCrPt film having a thickness of about 20 nm, and the C film having a thickness of about 10 nm are formed on the non-magnetic substrate by a sputtering method or the like. A magnetic recording medium is produced by depositing the protective layer 6 in this order.

【0018】以上のように、本発明の第1の形態によれ
ば、Cr膜2の上に平面方向に連続した膜を形成しない
膜厚のシリコン酸化膜3を形成した後、その多層膜の表
面を酸素プラズマに曝して酸素とCr膜2と反応させ、
反応した部分のみを部分的に盛り上げて基板表面に突起
2aを形成している。このとき、シリコン酸化膜3の膜
厚やプラズマ照射条件を調整することで、突起2aの密
度や直径及び高さを適当に調整することができるため、
適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗面化す
ることができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, after the silicon oxide film 3 having a thickness which does not form a continuous film in the plane direction is formed on the Cr film 2, the multilayer film is formed. The surface is exposed to oxygen plasma to react oxygen with the Cr film 2,
Only the reacted portion is partially raised to form the protrusion 2a on the substrate surface. At this time, the density, diameter and height of the protrusions 2a can be appropriately adjusted by adjusting the film thickness of the silicon oxide film 3 and the plasma irradiation conditions.
The substrate surface can be easily roughened so as to have an appropriate surface roughness.

【0019】シリコン酸化膜3の膜厚により突起の密度
や直径及び高さを調整できる実験例を図5に示す。図5
の横軸は線型目盛りで表したシリコン酸化膜の膜厚(n
m)を示し、左の縦軸は線型目盛りで表した突起密度
(個/μm2 )を示し、右の縦軸は突起径(nm)及び
突起高さ(nm)を示す。このデータは、Cr膜の膜厚
が10nmの条件で取得された。他の条件は上記の条件
と同じである。
FIG. 5 shows an experimental example in which the density, diameter and height of the protrusions can be adjusted by the film thickness of the silicon oxide film 3. FIG.
The horizontal axis of is the thickness of the silicon oxide film (n
m), the vertical axis on the left shows the projection density (pieces / μm 2 ) expressed on a linear scale, and the vertical axis on the right shows the projection diameter (nm) and the projection height (nm). This data was acquired under the condition that the thickness of the Cr film was 10 nm. The other conditions are the same as the above conditions.

【0020】図5に示すように、突起密度,突起径及び
突起高さともシリコン酸化膜の膜厚に対して山のような
形の変化を示す。シリコン酸化膜の膜厚が1nmのと
き、突起密度,突起高さ及び突起径とも最大となり、そ
れぞれ10個/μm2 ,8nm及び15nmが得られ
た。また、シリコン酸化膜の膜厚が3nm以上では、突
起高さ及び突起径はほぼ一定で変化しないが、突起密度
は膜厚が厚くなるにつれて小さくなる。
As shown in FIG. 5, the protrusion density, the protrusion diameter, and the protrusion height show a peak-like change with respect to the film thickness of the silicon oxide film. When the film thickness of the silicon oxide film was 1 nm, the projection density, the projection height, and the projection diameter became the maximum, and 10 / μm 2 , 8 nm, and 15 nm were obtained, respectively. Further, when the film thickness of the silicon oxide film is 3 nm or more, the height and diameter of the protrusions are substantially constant and do not change, but the protrusion density decreases as the film thickness increases.

【0021】なお、処理時間及び印加電力によっても突
起2aの高さを調整することが可能であり、処理時間が
短くなるほど、或いは印加電力が小さくなるほど突起2
aの高さは低くなる。また、上記第1の実施の形態で
は、突起2aを形成するためにプラズマ化された酸素に
多層膜を曝しているが、酸素ガス中で加熱処理を行って
もよい。例えば加熱温度400℃,30分間の条件で上
記と同じ程度の突起密度,突起径及び突起高さが得られ
た。この場合、処理時間及び加熱温度によっても突起の
高さを調整することができ、処理時間が短くなるほど、
或いは加熱温度が低くなるほど突起の高さは低くなる。
例えば10分の場合で約2nmであった。
The height of the protrusions 2a can be adjusted also by the processing time and the applied power. The shorter the processing time or the smaller the applied power is, the protrusions 2a.
The height of a becomes low. Further, in the first embodiment described above, the multilayer film is exposed to oxygen that has been turned into plasma to form the protrusions 2a, but heat treatment may be performed in oxygen gas. For example, under the condition of heating temperature of 400 ° C. for 30 minutes, the same protrusion density, protrusion diameter and protrusion height as described above were obtained. In this case, the height of the protrusion can be adjusted by the treatment time and the heating temperature, and the shorter the treatment time,
Alternatively, the lower the heating temperature, the lower the height of the protrusion.
For example, it was about 2 nm in the case of 10 minutes.

【0022】更に、プラズマ処理及び加熱処理の場合と
もに、処理雰囲気として酸素の代わりに窒素を用いても
同様な効果が得られる。また、反応性材料からなる第1
の膜としてCr膜を用いているが、これに限られるもの
ではなく、他の材料を用いてもよい。更に、非反応性材
料からなる第2の膜としてシリコン酸化膜を用いている
が、これに限られるものではなく、他の材料、例えばシ
リコン窒化膜,アルミニウム酸化膜又はアルミニウム窒
化膜等を用いてもよい。
Further, in both the plasma treatment and the heat treatment, the same effect can be obtained by using nitrogen instead of oxygen as the treatment atmosphere. Also, the first made of a reactive material
Although the Cr film is used as the film, the present invention is not limited to this, and other materials may be used. Furthermore, although a silicon oxide film is used as the second film made of a non-reactive material, the second film is not limited to this, and another material such as a silicon nitride film, an aluminum oxide film or an aluminum nitride film may be used. Good.

【0023】(2)本発明の第2の実施の形態 第2の形態に係る非磁性基板及び磁気記録媒体の作成方
法について図2(a)〜(c)を参照しながら説明す
る。図2(a)〜(c)は、非磁性基板及び磁気記録媒
体の製造方法について示す断面図である。右の図は突起
形成部分を拡大した断面図である。なお、図中、図1
(a)〜(d)と同じ符号で示すものは図1(a)〜
(d)と同じものを示す。
(2) Second Embodiment of the Invention A method of manufacturing a non-magnetic substrate and a magnetic recording medium according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views showing a method for manufacturing a non-magnetic substrate and a magnetic recording medium. The diagram on the right is an enlarged cross-sectional view of the projection forming portion. In FIG. 1, FIG.
Items denoted by the same reference numerals as in (a) to (d) are shown in FIG.
The same thing as (d) is shown.

【0024】まず、図2(a)に示す、よく洗浄された
十分に平滑な表面を有するシリコン基板1上に、DCマ
グネトロンスパッタ法により、Arガス圧5mTor
r,電力0.5kWの条件で、膜厚約20nmのクロム
(Cr)膜(第1の反応性材料からなる第1の膜)12
を形成する。続いて、RFマグネトロンスパッタ法によ
り、Arガス圧10mTorr,電力0.2kWの条件
で、炭素(C:第2の反応性材料)を含有した膜厚約5
nmのシリコン酸化膜(非反応性材料からなる第2の
膜)13を形成する。このとき、スパッタのためのター
ゲット21として、図3に示すように、円板状のSiO
2 板22の表面に炭素板23を部分的に張りつけたもの
を用いる。シリコン酸化膜13中の炭素含有量を調整す
るため、SiO2 22の露出面積と炭素23の露出面積
とを調整する。ほぼその面積比(炭素の露出面積/Si
2 の露出面積)に比例して炭素含有量が決まる。この
ようなターゲット21のスパッタにより形成されたシリ
コン酸化膜13には、全体領域のシリコン酸化膜13aに
対して炭素集積部分13bが所定の密度で点在する。
First, as shown in FIG. 2 (a), it was thoroughly washed.
On the silicon substrate 1 having a sufficiently smooth surface, the DC
Ar gas pressure 5 mTorr
Chromium with a film thickness of about 20 nm under conditions of r and power of 0.5 kW
(Cr) film (first film made of first reactive material) 12
To form Then, by the RF magnetron sputtering method
, Ar gas pressure 10 mTorr, power 0.2 kW conditions
And the film thickness containing carbon (C: second reactive material) is about 5
nm silicon oxide film (second non-reactive material
A film) 13 is formed. At this time, the target for spatter
As the get 21, as shown in FIG. 3, disk-shaped SiO 2
TwoCarbon plate 23 partially attached to the surface of plate 22
Is used. Adjusting the carbon content in the silicon oxide film 13
Therefore, SiOTwo22 exposed area and carbon 23 exposed area
Adjust and. Almost the area ratio (exposed area of carbon / Si
OTwoThe carbon content is determined in proportion to the exposed area). this
Formed by sputtering the target 21
The silicon oxide film 13a in the entire region is formed on the conoxide film 13.
On the other hand, carbon accumulated portions 13b are scattered at a predetermined density.

【0025】次に、酸素ガス圧10mTorrの下でプ
ラズマ生成電力600Wを印加し、10分間のプラズマ
処理を行う。その結果、図2(b)に示すように、プラ
ズマ酸素と炭素集積部分13bのCとが反応し、Cが気化
して除去される。除去跡13cには下地のCr膜12が露
出する。引き続き、プラズマ処理を続けることにより、
図2(c)に示すように、酸素と下地のCrとが反応し
て酸化クロムが形成され、その部分の体積が増えて盛り
上り、突起12aが形成される。第2の実施の形態の場
合、直径100nm、高さ50nmの突起12aが形成さ
れた。
Next, a plasma generating power of 600 W is applied under an oxygen gas pressure of 10 mTorr, and plasma processing is performed for 10 minutes. As a result, as shown in FIG. 2B, plasma oxygen reacts with C in the carbon accumulated portion 13b, and C is vaporized and removed. The underlying Cr film 12 is exposed at the removal trace 13c. By continuing the plasma treatment,
As shown in FIG. 2C, oxygen reacts with the underlying Cr to form chromium oxide, and the volume of that portion increases and rises to form the protrusion 12a. In the case of the second embodiment, the protrusion 12a having a diameter of 100 nm and a height of 50 nm is formed.

【0026】このようにして非磁性基板が作成される。
その後、図1(d)に示す工程と同様な工程を経て、下
地層,記録層及び保護層を形成して磁気記録媒体が作成
される。以上のように、第2の形態においては、Cr膜
12の上にCを添加したシリコン酸化膜13を形成した
後、プラズマ酸素に曝して酸素とCとを反応させ、シリ
コン酸化膜13からCを部分的に除去して該除去跡13c
に下地のCr膜12を露出している。更に、層の表面を
プラズマ酸素に曝して酸素と下地のCrとを反応させる
ことにより、酸化クロムを形成し、突起12aを形成して
いる。
In this way, a non-magnetic substrate is produced.
After that, the underlayer, the recording layer and the protective layer are formed through the steps similar to the step shown in FIG. 1D, and the magnetic recording medium is produced. As described above, in the second embodiment, after the C-added silicon oxide film 13 is formed on the Cr film 12, it is exposed to plasma oxygen to react oxygen with C, and the silicon oxide film 13 to C Is partially removed to remove the trace 13c.
The underlying Cr film 12 is exposed. Further, the surface of the layer is exposed to plasma oxygen to react oxygen with the underlying Cr, thereby forming chromium oxide and forming the projection 12a.

【0027】この場合、C含有量を調整することにより
炭素集積部分13bの大きさや分布密度を調整することが
できるため、突起12aの密度や直径及び高さを適当に調
整することができる。図6は、炭素組成比に対する突起
の密度や直径及び高さの依存性を示す特性図である。図
6の横軸は線型目盛りが表した炭素組成比(vol%)
を示し、縦軸は線型目盛りで表した突起密度(個/μm
2 ),突起高さ(nm)及び突起径(nm)を示す。こ
のデータは、膜厚10nmのクロム(Cr)膜について
取得された。他の条件は上記の条件と同じである。
In this case, since the size and distribution density of the carbon accumulated portion 13b can be adjusted by adjusting the C content, the density, diameter and height of the protrusions 12a can be adjusted appropriately. FIG. 6 is a characteristic diagram showing the dependence of the density, diameter and height of the protrusions on the carbon composition ratio. The horizontal axis of FIG. 6 represents the carbon composition ratio (vol%) represented by the linear scale.
, And the vertical axis represents the protrusion density on a linear scale (pieces / μm
2 ), protrusion height (nm) and protrusion diameter (nm). This data was acquired for a 10 nm thick chromium (Cr) film. The other conditions are the same as the above conditions.

【0028】図6に示すように、炭素組成比の増加にと
もなって、突起高さ及び突起径とも増大する。炭素組成
比がほぼ50vol%で突起径は100nmとなり、こ
れより炭素組成比が増えても殆ど変化せず、ほぼ一定の
ままである。また、突起高さは炭素組成比が増大すると
ともに高くなり、ほぼ80vol%で60nmとなる。
しかし、炭素組成比に対する突起密度の依存性は小さ
く、あまり変化しない。1〜2個/μm2 程度である。
As shown in FIG. 6, as the carbon composition ratio increases, both the projection height and the projection diameter increase. When the carbon composition ratio is about 50 vol%, the projection diameter is 100 nm, and even if the carbon composition ratio is increased from this, it hardly changes and remains almost constant. Further, the height of the protrusions becomes higher as the carbon composition ratio increases, and becomes 60 nm at about 80 vol%.
However, the dependence of the protrusion density on the carbon composition ratio is small and does not change much. It is about 1 to 2 pieces / μm 2 .

【0029】なお、処理時間及び印加電力によっても突
起12aの高さを調整することが可能であり、処理時間が
短くなるほど、或いは印加電力が小さくなるほど突起12
aは低くなる。例えば処理時間10分で60〜70nm
程度であったが、9分では30nm程度に急激に低くな
った。このように、本発明の粗面化方法を用いることに
より、適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗
面化することができる。そして、この粗面化方法により
テクスチャ処理が施された磁気記録媒体を作成すること
が可能である。
The height of the protrusion 12a can be adjusted by the processing time and the applied power, and the shorter the processing time or the smaller the applied power, the protrusion 12a.
a becomes low. For example, 60 to 70 nm in 10 minutes processing time
Although it was about the same, it was rapidly lowered to about 30 nm at 9 minutes. As described above, by using the roughening method of the present invention, the substrate surface can be easily roughened so as to have an appropriate surface roughness. Then, it is possible to create a magnetic recording medium that has been subjected to texture processing by this roughening method.

【0030】なお、プラズマ化された酸素を用いる代わ
りに、酸素ガス中で例えば400℃,30分間の加熱処
理を行うと、上記と同程度の突起密度,突起径及び突起
高さが得られる。また、上記突起を形成するためのプラ
ズマ処理及び加熱処理において酸素の代わりに窒素を用
いても同様な効果が得られる。
If heat treatment is performed in oxygen gas at 400 ° C. for 30 minutes instead of using oxygen in plasma, the same protrusion density, protrusion diameter and protrusion height as described above can be obtained. Further, the same effect can be obtained by using nitrogen instead of oxygen in the plasma treatment and the heat treatment for forming the protrusions.

【0031】更に、第1の反応性材料からなる第1の膜
としてCr膜を用いているが、これに限られるものでは
なく、他の材料を用いてもよい。また、非反応性材料か
らなる第2の膜としてシリコン酸化膜を用いているが、
これに限られるものではなく、他の材料、例えばシリコ
ン窒化膜,アルミニウム酸化膜又はアルミニウム窒化膜
等を用いてもよい。
Further, although the Cr film is used as the first film made of the first reactive material, the present invention is not limited to this, and other materials may be used. Further, although the silicon oxide film is used as the second film made of the non-reactive material,
The material is not limited to this, and other materials such as a silicon nitride film, an aluminum oxide film, or an aluminum nitride film may be used.

【0032】更に、第2の反応性材料として炭素を用い
ているが、これに限られるものではなく、他の材料を用
いてもよい。 (3)本発明の第3の実施の形態 図4(a)〜(c)は、第3の形態に係る磁気記録媒体
の作成方法について示す断面図である。図2の粗面化方
法を記録層5上の保護層に適用した例である。なお、図
中、図1と同じ符号で示すものは図1と同じものを示
す。
Further, although carbon is used as the second reactive material, it is not limited to this, and other materials may be used. (3) Third Embodiment of the Invention FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views showing a method of manufacturing a magnetic recording medium according to a third embodiment. This is an example in which the roughening method of FIG. 2 is applied to the protective layer on the recording layer 5. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts as those in FIG.

【0033】まず、図4(a)に示すように、よく洗浄
された十分に平滑な表面を有するシリコン基板1上に膜
厚約40nmのCr膜からなる下地層4と膜厚約20n
mのCoCrPt膜からなる記録層5とを順に形成す
る。続いて、第2の実施の形態と同様な方法及び条件
で、膜厚約20nmのクロム(Cr)膜12と炭素を含
有した膜厚約5nmのシリコン酸化膜13とを順に堆積
する。
First, as shown in FIG. 4A, an underlayer 4 made of a Cr film having a film thickness of about 40 nm and a film thickness of about 20 n are formed on a silicon substrate 1 having a well-cleaned and sufficiently smooth surface.
The recording layer 5 made of a CoCrPt film of m is formed in order. Subsequently, a chromium (Cr) film 12 having a film thickness of about 20 nm and a silicon oxide film 13 containing carbon having a film thickness of about 5 nm are sequentially deposited by the same method and conditions as in the second embodiment.

【0034】次に、酸素ガス圧10mTorrの下でプ
ラズマ生成電力600Wの印加して、10分間のプラズ
マ処理を行う。これにより、直径100nm、高さ50
nmの突起12aが形成される。以上により、磁気記録媒
体が作成される。以上のように、第3の実施の形態によ
れば、記録層5上の保護層を粗面化しているので、記録
層5表面の粗面化は避けられ、従って、記録層5表面の
荒れを防止して媒体ノイズを抑制することができる。
Next, a plasma generating power of 600 W is applied under an oxygen gas pressure of 10 mTorr to perform a plasma treatment for 10 minutes. This gives a diameter of 100 nm and a height of 50
nm projections 12a are formed. The magnetic recording medium is produced as described above. As described above, according to the third embodiment, since the protective layer on the recording layer 5 is roughened, roughening of the surface of the recording layer 5 can be avoided, and thus the surface of the recording layer 5 is roughened. Can be prevented and the medium noise can be suppressed.

【0035】(4)本発明の第4の実施の形態 図7は、第4の形態に係る磁気ディスク(磁気記録媒
体)及び磁気記録装置について示す斜視図である。通
常、上記のテクスチャ処理は磁気ディスクの全面に施さ
れるが、第4の形態に係る磁気ディスクの特徴は、図7
に示すように、円板状の磁気ディスク31の内周部32
及び外周部33にテクスチャ処理が施されていることで
ある。なお、この図はCSS方式の磁気記録装置を示
し、停止時には磁気ディスク31表面に磁気ヘッド34
が接触し、動作時には磁気ディスク31上に磁気ヘッド
34が僅かの隙間を保持して浮上する。
(4) Fourth Embodiment of the Invention FIG. 7 is a perspective view showing a magnetic disk (magnetic recording medium) and a magnetic recording apparatus according to a fourth embodiment. Normally, the above-mentioned texture processing is applied to the entire surface of the magnetic disk.
As shown in FIG.
And that the outer peripheral portion 33 is textured. It should be noted that this figure shows a CSS type magnetic recording device.
Contact each other, and the magnetic head 34 floats above the magnetic disk 31 with a slight gap therebetween during operation.

【0036】CSS方式の磁気記録装置に上記の磁気デ
ィスク31が使用された場合、特に磁気ヘッド34の吸
着が問題となる動作開始時及び動作停止時にのみ有効に
作用する。これにより、必要な部分のみにテクスチャ処
理を施すことができるので、更なるヘッド浮上量の低減
を図ることが可能となる。このような部分的なテクスチ
ャ処理を行う場合、加熱手段としてレーザ光を用いるこ
とが有効である。酸素ガス中でのレーザ照射による内周
部及び外周部への部分加熱により内周部及び外周部に部
分的に突起を発生させることができる。
When the above-mentioned magnetic disk 31 is used in the CSS type magnetic recording apparatus, it works effectively only at the start and stop of the operation, in which the attraction of the magnetic head 34 becomes a problem. As a result, the texture processing can be performed only on a necessary portion, so that the head flying height can be further reduced. When performing such partial texture processing, it is effective to use laser light as the heating means. It is possible to partially generate protrusions on the inner peripheral portion and the outer peripheral portion by partially heating the inner peripheral portion and the outer peripheral portion by laser irradiation in oxygen gas.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上のように、本発明においては、非反
応性材料の全体表面領域内に反応性材料の部分領域が所
定の密度で分布している層の表面を反応ガスに曝して反
応ガスと反応性材料とを反応させ、層の表面を部分的に
盛り上げている。上記の層表面として反応性材料からな
る第1の膜上に平面方向に連続した膜が形成されないよ
うな膜厚の非反応性材料からなる第2の膜を形成した場
合、その膜厚を調整することで、不連続部分に形成され
る突起の密度や直径及び高さを適当に調整することがで
きる。また、第1の反応性材料からなる第1の膜上に第
2の反応性材料を添加した非反応性材料からなる第2の
膜を形成した場合には、第2の反応性材料の含有量を調
整することにより第2の反応性材料の集積部分の密度や
大きさを調整することができるため、第2の反応性材料
の除去跡に形成される突起の密度や直径及び高さを適当
に調整することができる。
As described above, in the present invention, the reaction is performed by exposing the surface of the layer in which the partial regions of the reactive material are distributed at a predetermined density within the entire surface region of the non-reactive material to the reaction gas. The gas reacts with the reactive material, partially raising the surface of the layer. When a second film made of a non-reactive material having a film thickness that does not form a continuous film in the planar direction is formed on the first film made of a reactive material as the layer surface, the film thickness is adjusted. By doing so, the density, diameter, and height of the protrusions formed in the discontinuous portion can be adjusted appropriately. When the second film made of the non-reactive material obtained by adding the second reactive material is formed on the first film made of the first reactive material, the second reactive material is contained. By adjusting the amount, the density and size of the accumulated portion of the second reactive material can be adjusted, so that the density, diameter and height of the protrusions formed on the traces of removal of the second reactive material can be adjusted. It can be adjusted appropriately.

【0038】このように、本発明の粗面化方法によれ
ば、適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗面
化することができる。そして、この粗面化方法によりテ
クスチャ処理が施された非磁性基板や磁気記録媒体を作
成することが可能である。また、本発明の他の磁気記録
媒体によれば、記録層上の保護層に対して前記粗面化方
法を適用しているので、記録層表面の荒れを防止し、媒
体ノイズを抑制することができる。
As described above, according to the roughening method of the present invention, the substrate surface can be easily roughened so as to have an appropriate surface roughness. Then, it is possible to create a non-magnetic substrate or a magnetic recording medium that has been subjected to texture processing by this roughening method. Further, according to another magnetic recording medium of the present invention, since the roughening method is applied to the protective layer on the recording layer, the surface of the recording layer is prevented from being roughened and the medium noise is suppressed. You can

【0039】更に、前記粗面化方法が磁気ディスクの内
周部及び外周部に適用されているので、その磁気ディス
クをCSS方式の磁気記録装置に使用する場合、必要な
部分のみにテクスチャ処理を施すことができるので、更
なるヘッド浮上量の低減を図ることが可能となる。
Further, since the above-mentioned roughening method is applied to the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the magnetic disk, when the magnetic disk is used in the CSS type magnetic recording apparatus, the texture processing is applied only to a necessary portion. Since it can be applied, it is possible to further reduce the flying height of the head.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の
形態に係る非磁性基板の粗面化方法及び磁気記録媒体の
作成方法について示す断面図である。
1A to 1D are cross-sectional views showing a method for roughening a non-magnetic substrate and a method for producing a magnetic recording medium according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2(a)〜(c)は、本発明の第2の実施の
形態に係る非磁性基板の粗面化方法について示す断面図
である。
2A to 2C are cross-sectional views showing a roughening method for a non-magnetic substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図3は、本発明の第2の実施の形態に係る磁気
記録媒体の作成方法に用いられるスパッタのターゲット
の構成について示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a structure of a sputtering target used in a method for producing a magnetic recording medium according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図4(a)〜(c)は、本発明の第3の実施の
形態に係る磁気記録媒体の作成方法について示す断面図
である。
4A to 4C are cross-sectional views showing a method of manufacturing a magnetic recording medium according to a third embodiment of the invention.

【図5】図5は、本発明の第1の実施の形態に係る非磁
性基板の粗面化方法における、シリコン酸化膜の膜厚に
対する突起密度,突起径及び突起高さの依存性を示す特
性図である。
FIG. 5 shows the dependence of the protrusion density, the protrusion diameter, and the protrusion height on the film thickness of the silicon oxide film in the method for roughening a non-magnetic substrate according to the first embodiment of the present invention. It is a characteristic diagram.

【図6】図6は、本発明の第2の実施の形態に係る非磁
性基板の粗面化方法における、炭素組成比に対する突起
密度,突起径及び突起高さの依存性を示す特性図であ
る。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing the dependence of the protrusion density, the protrusion diameter, and the protrusion height on the carbon composition ratio in the roughening method for a non-magnetic substrate according to the second embodiment of the present invention. is there.

【図7】図7は、本発明の第4の実施の形態に係る磁気
ディスク及び磁気記録装置の構成について示す斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a magnetic disk and a magnetic recording device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】図8は、従来例に係るテクスチャ処理が施され
た磁気記録媒体の構成について示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of a magnetic recording medium that has been subjected to texture processing according to a conventional example.

【図9】図9は、他の従来例に係るテクスチャ処理が施
された磁気記録媒体の構成について示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of a magnetic recording medium that has undergone texture processing according to another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコン基板、 2 Cr膜(反応性材料からなる第1の膜)、 2a,12a 突起、 3 シリコン酸化膜(非反応性材料からなる第2の
膜)、 4 下地層、 5 記録層、 6 保護層、 12 Cr膜(第1の反応性材料からなる第1の膜)、 13 炭素を含有したシリコン酸化膜(第2の反応性材
料を含有する非反応性材料からなる第2の膜)、 13a シリコン酸化膜、 13b 炭素集積部分(第2の反応性材料の集積部
分)、 13c 除去跡。
1 silicon substrate, 2 Cr film (first film made of reactive material), 2a and 12a protrusions, 3 silicon oxide film (second film made of non-reactive material), 4 underlayer, 5 recording layer, 6 Protective layer, 12 Cr film (first film made of first reactive material), 13 Carbon-containing silicon oxide film (second film made of non-reactive material containing second reactive material) , 13a Silicon oxide film, 13b Carbon accumulated portion (second reactive material accumulated portion), 13c Removal trace.

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非反応性材料の全体の表面領域内に反応
性材料の部分領域が所定の密度で分布している層の表面
を反応ガスに曝して該反応ガスと前記反応性材料とを反
応させ、前記層の表面を部分的に盛り上げることを特徴
とする層表面の粗面化方法。
1. A surface of a layer in which partial regions of the reactive material are distributed at a predetermined density within the entire surface region of the non-reactive material is exposed to the reactive gas to separate the reactive gas and the reactive material. A method for roughening the surface of a layer, which comprises reacting to partially raise the surface of the layer.
【請求項2】 基体上に反応性材料からなる第1の膜を
形成する工程と、 前記第1の膜の上に平面方向に連続した膜を形成しない
膜厚の非反応性材料からなる第2の膜を形成する工程
と、 反応ガスに曝して前記反応ガスと前記反応性材料とを反
応させ、第1及び第2の膜からなる多層膜の表面を部分
的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化方法。
2. A step of forming a first film made of a reactive material on a substrate, and a step made of a non-reactive material having a film thickness that does not form a continuous film on the first film in a plane direction. And a step of forming a second film, and exposing the reaction gas to the reactive material to partially raise the surface of the multilayer film including the first and second films. Method for roughening layer surface.
【請求項3】 前記反応性材料はクロムであることを特
徴とする請求項1又は請求項2に記載の層表面の粗面化
方法。
3. The method for roughening a layer surface according to claim 1, wherein the reactive material is chromium.
【請求項4】 前記非反応性材料はシリコン酸化膜であ
ることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載の層表面の粗面化方法。
4. The method for roughening the surface of a layer according to claim 1, wherein the non-reactive material is a silicon oxide film.
【請求項5】 前記反応ガスと前記反応性材料とを反応
させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素含有ガス
に曝して前記反応性材料を酸化又は窒化するものである
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記
載の層表面の粗面化方法。
5. The step of reacting the reactive gas with the reactive material is a step of oxidizing or nitriding the reactive material by exposing it to a plasma-containing gas containing oxygen or nitrogen. The method for roughening the surface of a layer according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記反応ガスと前記反応性材料とを反応
させる工程は、酸素又は窒素含有ガス中での加熱により
前記反応性材料を酸化又は窒化するものであることを特
徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の層表
面の粗面化方法。
6. The step of reacting the reactive gas with the reactive material is to oxidize or nitride the reactive material by heating in a gas containing oxygen or nitrogen. 5. The method for roughening the layer surface according to claim 4.
【請求項7】 基体上に第1の反応性材料からなる第1
の膜を形成する工程と、 前記第1の膜の上に第2の反応性材料を添加した非反応
性材料からなる第2の膜を形成する工程と、 反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第2の反応性材料
とを反応させ、前記第2の膜から前記第2の反応性材料
を部分的に除去して該除去跡に前記第1の膜を露出する
工程と、 反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第1の反応性材料
とを反応させ、第1及び第2の膜からなる多層膜の表面
を部分的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化
方法。
7. A first reactive material is formed on a substrate.
Forming a second film made of a non-reactive material with a second reactive material added on the first film; and exposing the reaction gas to the reaction gas. Reacting with the second reactive material to partially remove the second reactive material from the second film to expose the first film at the removal trace; A method for roughening a surface of a layer, which comprises exposing the reaction gas to the first reactive material to partially raise the surface of the multilayer film including the first and second films.
【請求項8】 前記第1の反応性材料はクロムであるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項7に記載の層表面の
粗面化方法。
8. The method for roughening a layer surface according to claim 1, wherein the first reactive material is chromium.
【請求項9】 前記第2の反応性材料は炭素であり、前
記非反応性材料はシリコン酸化膜であることを特徴とす
る請求項1,請求項7又は請求項8に記載の層表面の粗
面化方法。
9. The layer surface according to claim 1, wherein the second reactive material is carbon and the non-reactive material is a silicon oxide film. Roughening method.
【請求項10】 前記反応ガスと前記第2の反応性材料
とを反応させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素
含有ガスにより前記第2の反応性材料を気化させるもの
であることを特徴とする請求項1,請求項7乃至請求項
9のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
10. The step of reacting the reactive gas with the second reactive material is characterized in that the second reactive material is vaporized by a gas containing plasma oxygen or nitrogen. The method for roughening the layer surface according to any one of claims 1 to 7 to 9.
【請求項11】 前記反応ガスと前記第1の反応性材料
とを反応させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素
含有ガスにより前記第1の反応性材料を酸化又は窒化す
るものであることを特徴とする請求項1,請求項7乃至
請求項10のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
11. The step of reacting the reactive gas with the first reactive material comprises oxidizing or nitriding the first reactive material with a plasma-containing oxygen or nitrogen-containing gas. The method for roughening the surface of a layer according to any one of claims 1 to 7, which is characterized in that.
【請求項12】 前記反応ガスと前記第2の反応性材料
とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガス雰囲気中
での加熱により前記第2の反応性材料を気化させるもの
であることを特徴とする請求項1,請求項7乃至請求項
9のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
12. The step of reacting the reactive gas with the second reactive material vaporizes the second reactive material by heating in a gas atmosphere containing oxygen or nitrogen. The method for roughening the layer surface according to any one of claims 1 to 7 to 9.
【請求項13】 前記反応ガスと前記第1の反応性材料
とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガス雰囲気中
での加熱により前記第1の反応性材料を酸化又は窒化す
るものであることを特徴とする請求項1,請求項7乃至
請求項10のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
13. The step of reacting the reactive gas with the first reactive material oxidizes or nitrides the first reactive material by heating in an atmosphere containing oxygen or nitrogen. The method for roughening a layer surface according to any one of claims 1 to 7 to 10.
【請求項14】 前記加熱はレーザ照射によりなされる
ものであることを特徴とする請求項5,請求項6,請求
項10,請求項11,請求項12又は請求項13に記載
の層表面の粗面化方法。
14. The layer surface according to claim 5, claim 6, claim 10, claim 11, claim 12 or claim 13, wherein the heating is performed by laser irradiation. Roughening method.
【請求項15】 請求項1乃至請求項14のいずれかに
記載の層表面の粗面化方法により作成された非磁性基
板。
15. A non-magnetic substrate prepared by the method for roughening a layer surface according to claim 1. Description:
【請求項16】 請求項15に記載の非磁性基板上に下
地層と記録層と保護層とが順に積層されてなることを特
徴とする磁気記録媒体。
16. A magnetic recording medium comprising a non-magnetic substrate according to claim 15 and an underlayer, a recording layer, and a protective layer, which are sequentially stacked.
【請求項17】 請求項1乃至請求項14のいずれかに
記載の第1の膜は非磁性基板に形成された下地層の上の
記録層上に形成され、請求項1乃至請求項14のいずれ
かに記載の層表面の粗面化方法により作成されてなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
17. The first film according to claim 1, wherein the first film is formed on a recording layer on an underlayer formed on a non-magnetic substrate. A magnetic recording medium produced by the method for roughening the layer surface according to any one of claims 1.
【請求項18】 前記磁気記録媒体は円板状の磁気ディ
スクであり、請求項14に記載の層表面の粗面化方法が
前記磁気ディスクの内周部及び外周部に施されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
18. The magnetic recording medium is a disk-shaped magnetic disk, and the layer surface roughening method according to claim 14 is applied to an inner peripheral portion and an outer peripheral portion of the magnetic disk. Characteristic magnetic recording medium.
【請求項19】 請求項16乃至請求項18のいずれか
に記載の磁気記録媒体を備えてなることを特徴とする磁
気記録装置。
19. A magnetic recording apparatus comprising the magnetic recording medium according to claim 16.
JP7292359A 1995-01-23 1995-11-10 Nonmagnetic substrate, magnetic recording medium, magnetic recording device and roughening method of layer surface Withdrawn JPH09138944A (en)

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DE19601730A DE19601730A1 (en) 1995-01-23 1996-01-19 Rough texturing or magnetic film on non-magnetic substrate disc-drive
US08/589,217 US5645898A (en) 1995-01-23 1996-01-22 Method for manufacturing a magnetic recording member
KR1019960001362A KR100190431B1 (en) 1995-01-23 1996-01-23 Method for manufacturing a magnetic recording member

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999045536A1 (en) * 1998-03-04 1999-09-10 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium, method of production thereof, and magnetic storage

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