JPH09138944A

JPH09138944A - 非磁性基板、磁気記録媒体、磁気記録装置及び層表面の粗面化方法

Info

Publication number: JPH09138944A
Application number: JP7292359A
Authority: JP
Inventors: Kenji Sato; 賢治佐藤; Tomoaki Okuyama; 智明奥山; Iwao Okamoto; 巌岡本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-11-10
Filing date: 1995-11-10
Publication date: 1997-05-27

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録媒体等の表面を適当な粗さに加工する
層表面の粗面化方法に関し、容易な製造方法で、層表面
を適当な表面粗さにすることが可能なテクスチャー処理
方法を提供する。【解決手段】非反応性材料３の全体の表面領域内に反応
性材料２の部分領域が所定の密度で分布している層の表
面を反応ガスに曝して反応ガスと反応性材料２とを反応
させ、層の表面を部分的に盛り上げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性基板、磁気
記録媒体、磁気記録装置及び層表面の粗面化方法に関
し、より詳しくは、磁気記録媒体等の表面を適当な粗さ
に加工する層表面の粗面化方法及びテクスチャ処理が施
された非磁性基板、磁気記録媒体及び磁気記録装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いられる磁気ディスク装置では、高密度記録を実現
するために記録媒体表面を平坦化する必要がある。しか
しながら、コンタクトスタートストップ（ＣＳＳ）方式
を採用した磁気ディスク装置では、動作開始時及び動作
停止時に磁気ヘッド浮上面と磁気記録媒体表面との間に
吸着が生じて、磁気ヘッドの走行に支障をきたす場合が
ある。このため、磁気記録媒体表面を吸着が生じない程
度の粗さに粗面化する処理、即ちテクスチャー処理を行
って磁気ヘッドと磁気記録媒体間の摩擦を下げる努力が
なされている。この場合でも、突起の高さをあまり高く
するとスペーシングロスが増加するので、テクスチャ処
理において突起高さを調整することは非常に重要であ
る。

【０００３】例えば、図８に示すように、アルミニウム
基板１０１にＮｉＰ膜１０２をコーティングし、その上
に記録膜１０４を形成した磁気ディスクでは、ＮｉＰ膜
１０２の表面に機械的に筋目を入れて磁気ディスク表面
に凹凸を形成している。なお、図８において、１０３は
下地膜、１０５は保護膜である。また、機械的に筋目を
入れることが困難なガラスなどの基板を用いる場合に関
しては、例えば特開平４−２５５９０８号公報に示す技
術がある。この技術は、図９に示すように、ディスク基
板１１１上に低表面エネルギ金属、例えばＴｉの皮膜１
１２を形成し、その上に低融点金属膜１１３、例えばＡ
ｌ膜を形成する。さらに低融点金属膜１１３に対して熱
処理を行うことによって、Ａｌ粒子を凝集させて、皮膜
１１２の表面に均一に分布する突起を形成し、粗面化を
行っている。なお、１１４は下地層、１１５は記録層、
１１６は保護層である。また、Ｃｒの酸化物の微粒子を
基板（磁気テープ）面に分布させてその上に形成する記
録層表面に突起を生じさせる技術が特開昭６０−２６１
０１７号公報に記載されている。

【０００４】或いはまた、特開平５−２８２６６６号公
報に示すように、記録層表面上の保護層に微粒子を混入
して、記録層表面を平滑に保ちながら記録媒体表面の粗
面化を図る技術も提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示す機械的テクスチャ処理法を用いた従来の磁気ディス
クの製造方法では、磁気ディスクの表面形状のコントロ
ールが困難で、往々にして鋭い突起が存在する。このよ
うな突起は、磁気ヘッドとの接触等で折れて塵芥にな
り、ヘッドクラッシュの原因となる場合がある。また、
特開平４−２５５９０８号公報或いは特開昭６０−２６
１０１７号公報に示されている方法では、その製造プロ
セスにおいて工程数が増加し、その分製造工程が煩雑化
する。

【０００６】さらに前記三つの技術は、記録層の下地層
を粗面化しており、その結果記録層表面自体も粗面化さ
れる。このような記録層表面の荒れは、一般に、媒体ノ
イズの原因となる。これに対して上記特開平５−２８２
６６６号公報に記載の従来例の方法では、記録層表面上
の保護層に微粒子を混入するなどの方法で、記録層表面
を平滑に保ちながら記録媒体表面の粗面化を図ってい
る。そのため、記録層表面の粗面化は避けられるが、Ｓ
ｉＯ₂等の微粒子を保護層に混入させる過程で装置が汚
染される欠点がある。即ち、保護層をスパッタするとき
の成膜雰囲気中にＳｉＯ₂等の微粒子を噴霧して、これ
らの微粒子を保護層中に混入させているが、その結果ス
パッタ装置がＳｉＯ₂等の微粒子に汚染され、装置メン
テナンスが困難となる。

【０００７】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、容易な製造方法で、層表面を適
当な表面粗さにすることが可能なテクスチャー処理方法
及びテクスチャー処理が施された非磁性基板、磁気記録
媒体及び磁気記録装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、非
反応性材料の全体の表面領域内に反応性材料の部分領域
が所定の密度で分布している層の表面を反応ガスに曝し
て反応ガスと反応性材料とを反応させ、層の表面を部分
的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化方法に
よって達成され、第２に、基体上に反応性材料からなる
第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜の上に平面方
向に連続した膜を形成しない膜厚の非反応性材料からな
る第２の膜を形成する工程と、反応ガスに曝して前記反
応ガスと前記反応性材料とを反応させ、第１及び第２の
膜からなる多層膜の表面を部分的に盛り上げることを特
徴とする層表面の粗面化方法によって達成され、第３
に、前記反応性材料はクロムであることを特徴とする第
１又は第２の発明に記載の層表面の粗面化方法によって
達成され、第４に、前記非反応性材料はシリコン酸化膜
であることを特徴とする第１乃至第３の発明のいずれか
に記載の層表面の粗面化方法によって達成され、第５
に、前記反応ガスと前記反応性材料とを反応させる工程
は、プラズマ化された酸素又は窒素含有ガスに曝して前
記反応性材料を酸化又は窒化するものであることを特徴
とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載の層表面の
粗面化方法によって達成され、第６に、前記反応ガスと
前記反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素含
有ガス中での加熱により前記反応性材料を酸化又は窒化
するものであることを特徴とする第１乃至第４の発明の
いずれかに記載の層表面の粗面化方法によって達成さ
れ、第７に、基体上に第１の反応性材料からなる第１の
膜を形成する工程と、前記第１の膜の上に第２の反応性
材料を添加した非反応性材料からなる第２の膜を形成す
る工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第２の
反応性材料とを反応させ、前記第２の膜から前記第２の
反応性材料を部分的に除去して該除去跡に前記第１の膜
を露出する工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前
記第１の反応性材料とを反応させ、第１及び第２の膜か
らなる多層膜の表面を部分的に盛り上げることを特徴と
する層表面の粗面化方法によって達成され、第８に、前
記第１の反応性材料はクロムであることを特徴とする第
１又は第８の発明に記載の層表面の粗面化方法によって
達成され、第９に、前記第２の反応性材料は炭素であ
り、前記非反応性材料はシリコン酸化膜であることを特
徴とする第１，第７又は第８の発明に記載の層表面の粗
面化方法によって達成され、第１０に、前記反応ガスと
前記第２の反応性材料とを反応させる工程は、プラズマ
化された酸素又は窒素含有ガスにより前記第２の反応性
材料を気化させるものであることを特徴とする第１，第
７乃至第９の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方
法によって達成され、第１１に、前記反応ガスと前記第
１の反応性材料とを反応させる工程は、プラズマ化され
た酸素又は窒素含有ガスにより前記第１の反応性材料を
酸化又は窒化するものであることを特徴とする第１，第
７乃至第１０の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化
方法によって達成され、第１２に、前記反応ガスと前記
第２の反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素
含有ガス雰囲気中での加熱により前記第２の反応性材料
を気化させるものであることを特徴とする第１，第７乃
至第９の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法に
よって達成され、第１３に、前記反応ガスと前記第１の
反応性材料とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガ
ス雰囲気中での加熱により前記第１の反応性材料を酸化
又は窒化するものであることを特徴とする第１，第７乃
至第１０の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法
によって達成され、第１４に、前記加熱はレーザ照射に
よりなされるものであることを特徴とする第５，第６，
第１０，第１１，第１２又は第１３の発明に記載の層表
面の粗面化方法によって達成され、第１５に、第１乃至
第１４の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法に
より作成された非磁性基板によって達成され、第１６
に、第１５の発明に記載の非磁性基板上に下地層と記録
層と保護層とが順に積層されてなることを特徴とする磁
気記録媒体によって達成され、第１７に、第１乃至第１
４の発明のいずれかに記載の第１の膜は非磁性基板に形
成された下地層の上の記録層上に形成され、第１乃至第
１４の発明のいずれかに記載の層表面の粗面化方法によ
り作成されてなることを特徴とする磁気記録媒体によっ
て達成され、第１８に、前記磁気記録媒体は円板状の磁
気ディスクであり、第１４の発明に記載の層表面の粗面
化方法が前記磁気ディスクの内周部及び外周部に施され
ていることを特徴とする磁気記録媒体によって達成さ
れ、第１９に、第１６乃至第１８の発明のいずれかに記
載の磁気記録媒体を備えてなることを特徴とする磁気記
録装置によって達成される。

【０００９】本発明においては、非反応性材料の全体表
面領域内に反応性材料の部分領域が所定の密度で分布し
ている層の表面を反応ガスに曝して反応ガスと反応性材
料とを反応させ、層の表面を部分的に盛り上げている。
例えば、上記のような層表面を形成するには、反応性材
料からなる第１の膜を形成し、更に、第１の膜の上に平
面方向に連続した膜を形成しない膜厚の非反応性材料か
らなる第２の膜を形成する。また、第１の反応性材料か
らなる第１の膜の上に第２の反応性材料を添加した非反
応性材料からなる第２の膜を形成した後、反応ガスに曝
して反応ガスと第２の反応性材料とを反応させ、第２の
膜から第２の反応性材料を部分的に除去して該除去跡に
第１の膜を露出する。

【００１０】このようにして作成された層の表面を反応
ガスに曝して反応ガスと下地の反応性材料とを反応させ
る。例えば、反応性材料がクロムの場合、酸化或いは窒
化すると酸化クロム或いは窒化クロムが形成され、その
部分の体積が増えて盛り上り、突起が形成される。この
とき、平面方向に連続した膜が形成されないような膜厚
の第２の膜を形成した場合、その膜厚を調整すること
で、突起の密度や直径及び高さを適当に調整することが
できる。また、炭素を添加したシリコン酸化膜を形成し
た場合には、炭素含有量を調整することにより炭素集積
部分の密度や大きさを調整することができるため、突起
の密度や直径及び高さを適当に調整することができる。

【００１１】このように、本発明の粗面化方法を用いる
ことにより、適当な表面粗さになるように基板表面を容
易に粗面化することができる。そして、この粗面化方法
によりテクスチャ処理が施された磁気記録媒体を作成す
ることが可能である。また、本発明の他の磁気記録媒体
によれば、記録層上の保護層に対して前記粗面化方法を
適用しているので、記録層表面の粗面化は避けられ、従
って、記録層表面の荒れを防止し、媒体ノイズを抑制す
ることができる。

【００１２】更に、前記粗面化方法が磁気ディスクの内
周部及び外周部に適用されているので、ＣＳＳ方式の磁
気記録装置に磁気ディスクが使用された場合、特に吸着
が問題となる動作開始時及び動作停止時にのみ有効に作
用する。これにより、必要な部分のみにテクスチャ処理
を施すことができるので、記録層の粗面化に起因する媒
体ノイズの低減を図ることが可能となる。

【００１３】このような部分的なテクスチャ処理を行う
場合、加熱手段としてレーザ光を用いることが有効であ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第１〜第４の実
施の形態について図面を参照しながら説明する。（１）本発明の第１の実施の形態図１（ａ）〜（ｄ）は、第１の形態に係る非磁性基板及
び磁気記録媒体の作成方法について示す断面図である。

【００１５】まず、図１（ａ）に示す、よく洗浄された
十分に平滑な表面を有するシリコン基板１上に、図１
（ｂ）に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ，電力０．５ｋＷの条件
で、膜厚約２０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜（反応性材料か
らなる第１の膜）２を形成する。続いて、図１（ｂ）に
示すように、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ
ガス圧１０ｍＴｏｒｒ，電力０．２ｋＷの条件で、シリ
コン基板１上にシリコン酸化膜（非反応性材料からなる
第２の膜）３を形成する。このとき、シリコン酸化膜３
の膜厚をそれが平面方向に連続した膜を形成しないよう
な膜厚、例えば約３ｎｍとする。

【００１６】次に、平行平板型プラズマ処理装置の対向
電極の一方の上にシリコン基板１を置いて、酸素ガスを
導入し、ガス圧１０ｍＴｏｒｒとする。続いて、対向電
極間に電力６００Ｗを印加して酸素ガスをプラズマ化
し、１０分間のプラズマ処理を行う。図１（ｃ）に示す
ように、基板の表面でシリコン酸化膜３が不連続な部分
に部分的に露出したＣｒ膜２は、プラズマ化された酸素
（反応ガス）により酸化されて酸化クロムが形成され
る。その部分は体積が増えて盛り上がり、突起２ａとな
る。第１の形態の場合、図５に示すように、直径１０ｎ
ｍ、高さ５ｎｍの突起２ａが形成された。

【００１７】上記のようにしてテクスチャ処理が施され
た非磁性基板が作成される。この後、スパッタ法等によ
り上記非磁性基板上に膜厚約４０ｎｍのＣｒ膜からなる
下地層４と、膜厚約２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜からなる
記録層５と、膜厚約１０ｎｍのＣ膜からなる保護層６と
を順に堆積すると、磁気記録媒体が作成される。

【００１８】以上のように、本発明の第１の形態によれ
ば、Ｃｒ膜２の上に平面方向に連続した膜を形成しない
膜厚のシリコン酸化膜３を形成した後、その多層膜の表
面を酸素プラズマに曝して酸素とＣｒ膜２と反応させ、
反応した部分のみを部分的に盛り上げて基板表面に突起
２ａを形成している。このとき、シリコン酸化膜３の膜
厚やプラズマ照射条件を調整することで、突起２ａの密
度や直径及び高さを適当に調整することができるため、
適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗面化す
ることができる。

【００１９】シリコン酸化膜３の膜厚により突起の密度
や直径及び高さを調整できる実験例を図５に示す。図５
の横軸は線型目盛りで表したシリコン酸化膜の膜厚（ｎ
ｍ）を示し、左の縦軸は線型目盛りで表した突起密度
（個／μｍ²）を示し、右の縦軸は突起径（ｎｍ）及び
突起高さ（ｎｍ）を示す。このデータは、Ｃｒ膜の膜厚
が１０ｎｍの条件で取得された。他の条件は上記の条件
と同じである。

【００２０】図５に示すように、突起密度，突起径及び
突起高さともシリコン酸化膜の膜厚に対して山のような
形の変化を示す。シリコン酸化膜の膜厚が１ｎｍのと
き、突起密度，突起高さ及び突起径とも最大となり、そ
れぞれ１０個／μｍ²，８ｎｍ及び１５ｎｍが得られ
た。また、シリコン酸化膜の膜厚が３ｎｍ以上では、突
起高さ及び突起径はほぼ一定で変化しないが、突起密度
は膜厚が厚くなるにつれて小さくなる。

【００２１】なお、処理時間及び印加電力によっても突
起２ａの高さを調整することが可能であり、処理時間が
短くなるほど、或いは印加電力が小さくなるほど突起２
ａの高さは低くなる。また、上記第１の実施の形態で
は、突起２ａを形成するためにプラズマ化された酸素に
多層膜を曝しているが、酸素ガス中で加熱処理を行って
もよい。例えば加熱温度４００℃，３０分間の条件で上
記と同じ程度の突起密度，突起径及び突起高さが得られ
た。この場合、処理時間及び加熱温度によっても突起の
高さを調整することができ、処理時間が短くなるほど、
或いは加熱温度が低くなるほど突起の高さは低くなる。
例えば１０分の場合で約２ｎｍであった。

【００２２】更に、プラズマ処理及び加熱処理の場合と
もに、処理雰囲気として酸素の代わりに窒素を用いても
同様な効果が得られる。また、反応性材料からなる第１
の膜としてＣｒ膜を用いているが、これに限られるもの
ではなく、他の材料を用いてもよい。更に、非反応性材
料からなる第２の膜としてシリコン酸化膜を用いている
が、これに限られるものではなく、他の材料、例えばシ
リコン窒化膜，アルミニウム酸化膜又はアルミニウム窒
化膜等を用いてもよい。

【００２３】（２）本発明の第２の実施の形態第２の形態に係る非磁性基板及び磁気記録媒体の作成方
法について図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明す
る。図２（ａ）〜（ｃ）は、非磁性基板及び磁気記録媒
体の製造方法について示す断面図である。右の図は突起
形成部分を拡大した断面図である。なお、図中、図１
（ａ）〜（ｄ）と同じ符号で示すものは図１（ａ）〜
（ｄ）と同じものを示す。

【００２４】まず、図２（ａ）に示す、よく洗浄された
十分に平滑な表面を有するシリコン基板１上に、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法により、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒ
ｒ，電力０．５ｋＷの条件で、膜厚約２０ｎｍのクロム
（Ｃｒ）膜（第１の反応性材料からなる第１の膜）１２
を形成する。続いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り、Ａｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ，電力０．２ｋＷの条件
で、炭素（Ｃ：第２の反応性材料）を含有した膜厚約５
ｎｍのシリコン酸化膜（非反応性材料からなる第２の
膜）１３を形成する。このとき、スパッタのためのター
ゲット２１として、図３に示すように、円板状のＳｉＯ
₂板２２の表面に炭素板２３を部分的に張りつけたもの
を用いる。シリコン酸化膜１３中の炭素含有量を調整す
るため、ＳｉＯ₂２２の露出面積と炭素２３の露出面積
とを調整する。ほぼその面積比（炭素の露出面積／Ｓｉ
Ｏ₂の露出面積）に比例して炭素含有量が決まる。この
ようなターゲット２１のスパッタにより形成されたシリ
コン酸化膜１３には、全体領域のシリコン酸化膜13ａに
対して炭素集積部分13ｂが所定の密度で点在する。

【００２５】次に、酸素ガス圧１０ｍＴｏｒｒの下でプ
ラズマ生成電力６００Ｗを印加し、１０分間のプラズマ
処理を行う。その結果、図２（ｂ）に示すように、プラ
ズマ酸素と炭素集積部分13ｂのＣとが反応し、Ｃが気化
して除去される。除去跡13ｃには下地のＣｒ膜１２が露
出する。引き続き、プラズマ処理を続けることにより、
図２（ｃ）に示すように、酸素と下地のＣｒとが反応し
て酸化クロムが形成され、その部分の体積が増えて盛り
上り、突起12ａが形成される。第２の実施の形態の場
合、直径１００ｎｍ、高さ５０ｎｍの突起12ａが形成さ
れた。

【００２６】このようにして非磁性基板が作成される。
その後、図１（ｄ）に示す工程と同様な工程を経て、下
地層，記録層及び保護層を形成して磁気記録媒体が作成
される。以上のように、第２の形態においては、Ｃｒ膜
１２の上にＣを添加したシリコン酸化膜１３を形成した
後、プラズマ酸素に曝して酸素とＣとを反応させ、シリ
コン酸化膜１３からＣを部分的に除去して該除去跡13ｃ
に下地のＣｒ膜１２を露出している。更に、層の表面を
プラズマ酸素に曝して酸素と下地のＣｒとを反応させる
ことにより、酸化クロムを形成し、突起12ａを形成して
いる。

【００２７】この場合、Ｃ含有量を調整することにより
炭素集積部分13ｂの大きさや分布密度を調整することが
できるため、突起12ａの密度や直径及び高さを適当に調
整することができる。図６は、炭素組成比に対する突起
の密度や直径及び高さの依存性を示す特性図である。図
６の横軸は線型目盛りが表した炭素組成比（ｖｏｌ％）
を示し、縦軸は線型目盛りで表した突起密度（個／μｍ
²），突起高さ（ｎｍ）及び突起径（ｎｍ）を示す。こ
のデータは、膜厚１０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜について
取得された。他の条件は上記の条件と同じである。

【００２８】図６に示すように、炭素組成比の増加にと
もなって、突起高さ及び突起径とも増大する。炭素組成
比がほぼ５０ｖｏｌ％で突起径は１００ｎｍとなり、こ
れより炭素組成比が増えても殆ど変化せず、ほぼ一定の
ままである。また、突起高さは炭素組成比が増大すると
ともに高くなり、ほぼ８０ｖｏｌ％で６０ｎｍとなる。
しかし、炭素組成比に対する突起密度の依存性は小さ
く、あまり変化しない。１〜２個／μｍ²程度である。

【００２９】なお、処理時間及び印加電力によっても突
起12ａの高さを調整することが可能であり、処理時間が
短くなるほど、或いは印加電力が小さくなるほど突起12
ａは低くなる。例えば処理時間１０分で６０〜７０ｎｍ
程度であったが、９分では３０ｎｍ程度に急激に低くな
った。このように、本発明の粗面化方法を用いることに
より、適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗
面化することができる。そして、この粗面化方法により
テクスチャ処理が施された磁気記録媒体を作成すること
が可能である。

【００３０】なお、プラズマ化された酸素を用いる代わ
りに、酸素ガス中で例えば４００℃，３０分間の加熱処
理を行うと、上記と同程度の突起密度，突起径及び突起
高さが得られる。また、上記突起を形成するためのプラ
ズマ処理及び加熱処理において酸素の代わりに窒素を用
いても同様な効果が得られる。

【００３１】更に、第１の反応性材料からなる第１の膜
としてＣｒ膜を用いているが、これに限られるものでは
なく、他の材料を用いてもよい。また、非反応性材料か
らなる第２の膜としてシリコン酸化膜を用いているが、
これに限られるものではなく、他の材料、例えばシリコ
ン窒化膜，アルミニウム酸化膜又はアルミニウム窒化膜
等を用いてもよい。

【００３２】更に、第２の反応性材料として炭素を用い
ているが、これに限られるものではなく、他の材料を用
いてもよい。（３）本発明の第３の実施の形態図４（ａ）〜（ｃ）は、第３の形態に係る磁気記録媒体
の作成方法について示す断面図である。図２の粗面化方
法を記録層５上の保護層に適用した例である。なお、図
中、図１と同じ符号で示すものは図１と同じものを示
す。

【００３３】まず、図４（ａ）に示すように、よく洗浄
された十分に平滑な表面を有するシリコン基板１上に膜
厚約４０ｎｍのＣｒ膜からなる下地層４と膜厚約２０ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ膜からなる記録層５とを順に形成す
る。続いて、第２の実施の形態と同様な方法及び条件
で、膜厚約２０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜１２と炭素を含
有した膜厚約５ｎｍのシリコン酸化膜１３とを順に堆積
する。

【００３４】次に、酸素ガス圧１０ｍＴｏｒｒの下でプ
ラズマ生成電力６００Ｗの印加して、１０分間のプラズ
マ処理を行う。これにより、直径１００ｎｍ、高さ５０
ｎｍの突起12ａが形成される。以上により、磁気記録媒
体が作成される。以上のように、第３の実施の形態によ
れば、記録層５上の保護層を粗面化しているので、記録
層５表面の粗面化は避けられ、従って、記録層５表面の
荒れを防止して媒体ノイズを抑制することができる。

【００３５】（４）本発明の第４の実施の形態図７は、第４の形態に係る磁気ディスク（磁気記録媒
体）及び磁気記録装置について示す斜視図である。通
常、上記のテクスチャ処理は磁気ディスクの全面に施さ
れるが、第４の形態に係る磁気ディスクの特徴は、図７
に示すように、円板状の磁気ディスク３１の内周部３２
及び外周部３３にテクスチャ処理が施されていることで
ある。なお、この図はＣＳＳ方式の磁気記録装置を示
し、停止時には磁気ディスク３１表面に磁気ヘッド３４
が接触し、動作時には磁気ディスク３１上に磁気ヘッド
３４が僅かの隙間を保持して浮上する。

【００３６】ＣＳＳ方式の磁気記録装置に上記の磁気デ
ィスク３１が使用された場合、特に磁気ヘッド３４の吸
着が問題となる動作開始時及び動作停止時にのみ有効に
作用する。これにより、必要な部分のみにテクスチャ処
理を施すことができるので、更なるヘッド浮上量の低減
を図ることが可能となる。このような部分的なテクスチ
ャ処理を行う場合、加熱手段としてレーザ光を用いるこ
とが有効である。酸素ガス中でのレーザ照射による内周
部及び外周部への部分加熱により内周部及び外周部に部
分的に突起を発生させることができる。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明においては、非反
応性材料の全体表面領域内に反応性材料の部分領域が所
定の密度で分布している層の表面を反応ガスに曝して反
応ガスと反応性材料とを反応させ、層の表面を部分的に
盛り上げている。上記の層表面として反応性材料からな
る第１の膜上に平面方向に連続した膜が形成されないよ
うな膜厚の非反応性材料からなる第２の膜を形成した場
合、その膜厚を調整することで、不連続部分に形成され
る突起の密度や直径及び高さを適当に調整することがで
きる。また、第１の反応性材料からなる第１の膜上に第
２の反応性材料を添加した非反応性材料からなる第２の
膜を形成した場合には、第２の反応性材料の含有量を調
整することにより第２の反応性材料の集積部分の密度や
大きさを調整することができるため、第２の反応性材料
の除去跡に形成される突起の密度や直径及び高さを適当
に調整することができる。

【００３８】このように、本発明の粗面化方法によれ
ば、適当な表面粗さになるように基板表面を容易に粗面
化することができる。そして、この粗面化方法によりテ
クスチャ処理が施された非磁性基板や磁気記録媒体を作
成することが可能である。また、本発明の他の磁気記録
媒体によれば、記録層上の保護層に対して前記粗面化方
法を適用しているので、記録層表面の荒れを防止し、媒
体ノイズを抑制することができる。

【００３９】更に、前記粗面化方法が磁気ディスクの内
周部及び外周部に適用されているので、その磁気ディス
クをＣＳＳ方式の磁気記録装置に使用する場合、必要な
部分のみにテクスチャ処理を施すことができるので、更
なるヘッド浮上量の低減を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の
形態に係る非磁性基板の粗面化方法及び磁気記録媒体の
作成方法について示す断面図である。

【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の
形態に係る非磁性基板の粗面化方法について示す断面図
である。

【図３】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気
記録媒体の作成方法に用いられるスパッタのターゲット
の構成について示す平面図である。

【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の
形態に係る磁気記録媒体の作成方法について示す断面図
である。

【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る非磁
性基板の粗面化方法における、シリコン酸化膜の膜厚に
対する突起密度，突起径及び突起高さの依存性を示す特
性図である。

【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る非磁
性基板の粗面化方法における、炭素組成比に対する突起
密度，突起径及び突起高さの依存性を示す特性図であ
る。

【図７】図７は、本発明の第４の実施の形態に係る磁気
ディスク及び磁気記録装置の構成について示す斜視図で
ある。

【図８】図８は、従来例に係るテクスチャ処理が施され
た磁気記録媒体の構成について示す断面図である。

【図９】図９は、他の従来例に係るテクスチャ処理が施
された磁気記録媒体の構成について示す断面図である。

【符号の説明】

１シリコン基板、２Ｃｒ膜（反応性材料からなる第１の膜）、２ａ，12ａ突起、３シリコン酸化膜（非反応性材料からなる第２の
膜）、４下地層、５記録層、６保護層、１２Ｃｒ膜（第１の反応性材料からなる第１の膜）、１３炭素を含有したシリコン酸化膜（第２の反応性材
料を含有する非反応性材料からなる第２の膜）、１３ａシリコン酸化膜、１３ｂ炭素集積部分（第２の反応性材料の集積部
分）、１３ｃ除去跡。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非反応性材料の全体の表面領域内に反応
性材料の部分領域が所定の密度で分布している層の表面
を反応ガスに曝して該反応ガスと前記反応性材料とを反
応させ、前記層の表面を部分的に盛り上げることを特徴
とする層表面の粗面化方法。
【請求項２】基体上に反応性材料からなる第１の膜を
形成する工程と、前記第１の膜の上に平面方向に連続した膜を形成しない
膜厚の非反応性材料からなる第２の膜を形成する工程
と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前記反応性材料とを反
応させ、第１及び第２の膜からなる多層膜の表面を部分
的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化方法。
【請求項３】前記反応性材料はクロムであることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の層表面の粗面化
方法。
【請求項４】前記非反応性材料はシリコン酸化膜であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載の層表面の粗面化方法。
【請求項５】前記反応ガスと前記反応性材料とを反応
させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素含有ガス
に曝して前記反応性材料を酸化又は窒化するものである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記
載の層表面の粗面化方法。
【請求項６】前記反応ガスと前記反応性材料とを反応
させる工程は、酸素又は窒素含有ガス中での加熱により
前記反応性材料を酸化又は窒化するものであることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の層表
面の粗面化方法。
【請求項７】基体上に第１の反応性材料からなる第１
の膜を形成する工程と、前記第１の膜の上に第２の反応性材料を添加した非反応
性材料からなる第２の膜を形成する工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第２の反応性材料
とを反応させ、前記第２の膜から前記第２の反応性材料
を部分的に除去して該除去跡に前記第１の膜を露出する
工程と、反応ガスに曝して前記反応ガスと前記第１の反応性材料
とを反応させ、第１及び第２の膜からなる多層膜の表面
を部分的に盛り上げることを特徴とする層表面の粗面化
方法。
【請求項８】前記第１の反応性材料はクロムであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項７に記載の層表面の
粗面化方法。
【請求項９】前記第２の反応性材料は炭素であり、前
記非反応性材料はシリコン酸化膜であることを特徴とす
る請求項１，請求項７又は請求項８に記載の層表面の粗
面化方法。
【請求項１０】前記反応ガスと前記第２の反応性材料
とを反応させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素
含有ガスにより前記第２の反応性材料を気化させるもの
であることを特徴とする請求項１，請求項７乃至請求項
９のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
【請求項１１】前記反応ガスと前記第１の反応性材料
とを反応させる工程は、プラズマ化された酸素又は窒素
含有ガスにより前記第１の反応性材料を酸化又は窒化す
るものであることを特徴とする請求項１，請求項７乃至
請求項１０のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
【請求項１２】前記反応ガスと前記第２の反応性材料
とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガス雰囲気中
での加熱により前記第２の反応性材料を気化させるもの
であることを特徴とする請求項１，請求項７乃至請求項
９のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
【請求項１３】前記反応ガスと前記第１の反応性材料
とを反応させる工程は、酸素又は窒素含有ガス雰囲気中
での加熱により前記第１の反応性材料を酸化又は窒化す
るものであることを特徴とする請求項１，請求項７乃至
請求項１０のいずれかに記載の層表面の粗面化方法。
【請求項１４】前記加熱はレーザ照射によりなされる
ものであることを特徴とする請求項５，請求項６，請求
項１０，請求項１１，請求項１２又は請求項１３に記載
の層表面の粗面化方法。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１４のいずれかに
記載の層表面の粗面化方法により作成された非磁性基
板。
【請求項１６】請求項１５に記載の非磁性基板上に下
地層と記録層と保護層とが順に積層されてなることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項１７】請求項１乃至請求項１４のいずれかに
記載の第１の膜は非磁性基板に形成された下地層の上の
記録層上に形成され、請求項１乃至請求項１４のいずれ
かに記載の層表面の粗面化方法により作成されてなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１８】前記磁気記録媒体は円板状の磁気ディ
スクであり、請求項１４に記載の層表面の粗面化方法が
前記磁気ディスクの内周部及び外周部に施されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１９】請求項１６乃至請求項１８のいずれか
に記載の磁気記録媒体を備えてなることを特徴とする磁
気記録装置。