JPH091363A - レーザマーカ - Google Patents
レーザマーカInfo
- Publication number
- JPH091363A JPH091363A JP7147107A JP14710795A JPH091363A JP H091363 A JPH091363 A JP H091363A JP 7147107 A JP7147107 A JP 7147107A JP 14710795 A JP14710795 A JP 14710795A JP H091363 A JPH091363 A JP H091363A
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- JP
- Japan
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- mask
- laser
- optical system
- slab
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Abstract
(57)【要約】
【構成】マスク式レーザマーカ１００ではスラブレーザ
１が用いられ、マスク２にビームを照射させるために転
写光学系が用いられている。転写光学系の結像レンズは
２枚の凸レンズ５ａ，５ｂで構成されており、それらの
間隔ｄを調整できるようになっているため、マスク２に
照射されるビームの大きさを調整できる。 【効果】マスク上で形成された文字に効率良くレーザ光
を照射でき、無駄になるレーザ光を減らすことができ
る。
１が用いられ、マスク２にビームを照射させるために転
写光学系が用いられている。転写光学系の結像レンズは
２枚の凸レンズ５ａ，５ｂで構成されており、それらの
間隔ｄを調整できるようになっているため、マスク２に
照射されるビームの大きさを調整できる。 【効果】マスク上で形成された文字に効率良くレーザ光
を照射でき、無駄になるレーザ光を減らすことができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザマーカに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザ光によりマーキングする
レーザマーカには、ＹＡＧレーザなどの固体レーザ発振
器が光源として用いられる。また、マスク式レーザマー
カでは、マーキングさせる文字などを形成させたマスク
にレーザ光を照射し、マスクの像を加工対象物に結像さ
せてマーキングする。
レーザマーカには、ＹＡＧレーザなどの固体レーザ発振
器が光源として用いられる。また、マスク式レーザマー
カでは、マーキングさせる文字などを形成させたマスク
にレーザ光を照射し、マスクの像を加工対象物に結像さ
せてマーキングする。
【０００３】一方、レーザ媒質にスラブ状のもの（以
下、スラブと呼ぶ。）を用いた固体レーザはスラブレー
ザと呼ばれ、通常、長方形断面のビームが取り出され
る。そこで、マスク式レーザマーカの光源にスラブレー
ザを用いるならば、マスクは一般に長方形であるため、
取り出される長方形断面のビームを有効に利用できる。
尚、これに関しては、例えば、特開平1−146382 号公報
で示されている。
下、スラブと呼ぶ。）を用いた固体レーザはスラブレー
ザと呼ばれ、通常、長方形断面のビームが取り出され
る。そこで、マスク式レーザマーカの光源にスラブレー
ザを用いるならば、マスクは一般に長方形であるため、
取り出される長方形断面のビームを有効に利用できる。
尚、これに関しては、例えば、特開平1−146382 号公報
で示されている。
【０００４】また、マスクに照射させるビームをマスク
までそのまま伝搬させると、ビーム強度分布が次第に崩
れ、ビーム断面の周囲が弱い山成りの強度分布のビーム
がマスクに照射されることがある。そこで、図２に示し
たように、スラブレーザ２１から取り出された直後の均
一なビーム強度分布を有するレーザ光をそのままマスク
に照射させるために、マスクにビームを照射させる光学
系に結像レンズ２２を用いた転写光学系２００を適用す
る方法が、例えば、特願平5−97338号明細書で示されて
いる。
までそのまま伝搬させると、ビーム強度分布が次第に崩
れ、ビーム断面の周囲が弱い山成りの強度分布のビーム
がマスクに照射されることがある。そこで、図２に示し
たように、スラブレーザ２１から取り出された直後の均
一なビーム強度分布を有するレーザ光をそのままマスク
に照射させるために、マスクにビームを照射させる光学
系に結像レンズ２２を用いた転写光学系２００を適用す
る方法が、例えば、特願平5−97338号明細書で示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、ビーム
照射領域の調整については考慮されていなかった。すな
わち、一般にスラブレーザから出射するレーザ光は、通
常のレーザ発振器と同様に、ビーム拡がり角の影響か
ら、伝搬するにつれてビーム断面形状が大きくなる。そ
の結果、例えば転写光学系を適用させる場合の結像倍率
を低下させるために、転写レンズをマスク側に近づけて
も、転写させる元の像が大きくなっていくため、転写さ
れる像が大きくなるように作用してしまう。したがっ
て、実際には結像レンズを多少移動させても、マスク上
のビーム照射領域の大きさはほとんど変化しなかった。
そのため、マスク全面にマーキングさせる文字などが配
置される場合以外は、マスク上で文字が形成されない部
分にもビームが照射され、レーザ光が効率良くマーキン
グに利用されないなどの問題があった。
照射領域の調整については考慮されていなかった。すな
わち、一般にスラブレーザから出射するレーザ光は、通
常のレーザ発振器と同様に、ビーム拡がり角の影響か
ら、伝搬するにつれてビーム断面形状が大きくなる。そ
の結果、例えば転写光学系を適用させる場合の結像倍率
を低下させるために、転写レンズをマスク側に近づけて
も、転写させる元の像が大きくなっていくため、転写さ
れる像が大きくなるように作用してしまう。したがっ
て、実際には結像レンズを多少移動させても、マスク上
のビーム照射領域の大きさはほとんど変化しなかった。
そのため、マスク全面にマーキングさせる文字などが配
置される場合以外は、マスク上で文字が形成されない部
分にもビームが照射され、レーザ光が効率良くマーキン
グに利用されないなどの問題があった。
【０００６】本発明の目的は、マスク上のビーム照射領
域を調整できる転写光学系を適用したマスク式レーザマ
ーカを提供することにある。
域を調整できる転写光学系を適用したマスク式レーザマ
ーカを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、スラブレーザとマスクとの間の光軸上に、複数枚の
レンズから成る組み合わせレンズを配置したものであ
る。
に、スラブレーザとマスクとの間の光軸上に、複数枚の
レンズから成る組み合わせレンズを配置したものであ
る。
【０００８】
【作用】複数枚のレンズから成る組み合わせレンズは、
レンズ間を調整すると、その合成焦点距離を変化でき
る。したがって、これを転写光学系の結像レンズとして
用いるならば、結像倍率が小さくなるように結像レンズ
をマスク側に移動しても、結像させる元の位置を変えな
いような焦点距離ｆを設定することができる。すなわ
ち、結像させる元の位置と結像レンズとの距離をａ、結
像レンズとマスクとの距離をｂとすれば、ａとｂの和を
一定のまま、ｂを小さく、かつａを大きくして、数１で
表わされる結像倍率Ｍが小さくなるような焦点距離ｆに
設定することができ、このｆは数２から算出できる。
レンズ間を調整すると、その合成焦点距離を変化でき
る。したがって、これを転写光学系の結像レンズとして
用いるならば、結像倍率が小さくなるように結像レンズ
をマスク側に移動しても、結像させる元の位置を変えな
いような焦点距離ｆを設定することができる。すなわ
ち、結像させる元の位置と結像レンズとの距離をａ、結
像レンズとマスクとの距離をｂとすれば、ａとｂの和を
一定のまま、ｂを小さく、かつａを大きくして、数１で
表わされる結像倍率Ｍが小さくなるような焦点距離ｆに
設定することができ、このｆは数２から算出できる。
【０００９】
【数１】 Ｍ＝ｂ／ａ …（数１）
【００１０】
【数２】
【００１１】したがって、スラブレーザから取り出され
るビーム拡がり角に関係なく、マスク上のビーム照射領
域を調整することができる。
るビーム拡がり角に関係なく、マスク上のビーム照射領
域を調整することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の一実施例であるマスク式レ
ーザマーカ１００の説明図である。光源としてスラブレ
ーザ１が用いられ、マスク２にはここでは液晶マスクが
用いられており、その形状の長方形の縦横比として、Ｙ
方向の幅がＸ方向の幅の約１.５ 倍になっている。一
方、スラブレーザ１から出射する長方形断面のビーム１
０ａは、Ｙ方向のビーム幅がＸ方向の幅の約３倍であ
る。
ーザマーカ１００の説明図である。光源としてスラブレ
ーザ１が用いられ、マスク２にはここでは液晶マスクが
用いられており、その形状の長方形の縦横比として、Ｙ
方向の幅がＸ方向の幅の約１.５ 倍になっている。一
方、スラブレーザ１から出射する長方形断面のビーム１
０ａは、Ｙ方向のビーム幅がＸ方向の幅の約３倍であ
る。
【００１４】そこで、ビーム１０ａはプリズム３ａ及び
３ｂを通ることにより、Ｙ方向のビーム幅が半分に縮小
され、ビーム１０ｂのＹ方向の幅はＸ方向の幅の約１.
５ 倍になる。その結果、マスク２の縦横比とほぼ同じ
になる。すなわち、図１に示したビーム断面図のよう
に、ビーム１０ｂにおけるＹ方向の幅はビーム１０ａに
おけるＹ方向の幅の半分になる。ビーム１０ｂは、転写
光学系の結像レンズとして作用する２枚の凸レンズ５
ａ，５ｂに入射することで、プリズム３ｂを出射した直
後のビーム１０ｂのパターンがマスク２に結像される。
ただし、マスク２の直前には、ビームを平行ビームに戻
すための凸レンズ６が配置されている。マスクを通過し
たビーム１０ｃは、偏光ビームスプリッタ７により、マ
スク２で作成された文字を形成するレーザ光のみが反射
して下方に進み、結像レンズ８によって、加工対象物で
あるＩＣパッケージ９に照射され、文字がマーキングさ
れる。
３ｂを通ることにより、Ｙ方向のビーム幅が半分に縮小
され、ビーム１０ｂのＹ方向の幅はＸ方向の幅の約１.
５ 倍になる。その結果、マスク２の縦横比とほぼ同じ
になる。すなわち、図１に示したビーム断面図のよう
に、ビーム１０ｂにおけるＹ方向の幅はビーム１０ａに
おけるＹ方向の幅の半分になる。ビーム１０ｂは、転写
光学系の結像レンズとして作用する２枚の凸レンズ５
ａ，５ｂに入射することで、プリズム３ｂを出射した直
後のビーム１０ｂのパターンがマスク２に結像される。
ただし、マスク２の直前には、ビームを平行ビームに戻
すための凸レンズ６が配置されている。マスクを通過し
たビーム１０ｃは、偏光ビームスプリッタ７により、マ
スク２で作成された文字を形成するレーザ光のみが反射
して下方に進み、結像レンズ８によって、加工対象物で
あるＩＣパッケージ９に照射され、文字がマーキングさ
れる。
【００１５】本発明では、転写光学系を形成するため結
像レンズとして、２枚の凸レンズ５ａ，５ｂが用いられ
ており、それらの間隔ｄをＺ軸ステージ１１により調整
することで、結像倍率が調整できるようになっている。
即ち、図２に示すように凸レンズ５ａ，５ｂは支持ロッ
ド５Ｃ，５Ｄに支持されており、支持ロッド５Ｃ，５Ｄ
はステージ１１に固定されている。一方の支持ロッド５
Ｄはステージ１１に調整ボルト５Ｅを装着し、調整ボル
ト５Ｅは支持ロッド５Ｄの端部（図示せず）に設けたネ
ジ穴に螺合し、調整ボルト５Ｅを回転すると、一方の凸
レンズ５ｂは他方の凸レンズ５ａに近づいたり、遠ざか
ったりして間隔ｄを調整する。
像レンズとして、２枚の凸レンズ５ａ，５ｂが用いられ
ており、それらの間隔ｄをＺ軸ステージ１１により調整
することで、結像倍率が調整できるようになっている。
即ち、図２に示すように凸レンズ５ａ，５ｂは支持ロッ
ド５Ｃ，５Ｄに支持されており、支持ロッド５Ｃ，５Ｄ
はステージ１１に固定されている。一方の支持ロッド５
Ｄはステージ１１に調整ボルト５Ｅを装着し、調整ボル
ト５Ｅは支持ロッド５Ｄの端部（図示せず）に設けたネ
ジ穴に螺合し、調整ボルト５Ｅを回転すると、一方の凸
レンズ５ｂは他方の凸レンズ５ａに近づいたり、遠ざか
ったりして間隔ｄを調整する。
【００１６】これによると、凸レンズ５ａの焦点距離を
ｆａ，凸レンズ５ａの焦点距離をｆｂとすると、これら
の合成焦点距離ｆは数３で表わされるため、間隔ｄを調
整することで、合成焦点距離ｆを変化できる。
ｆａ，凸レンズ５ａの焦点距離をｆｂとすると、これら
の合成焦点距離ｆは数３で表わされるため、間隔ｄを調
整することで、合成焦点距離ｆを変化できる。
【００１７】
【数３】 Ｍ＝ｂ／ｆ−１ ｆ＝(ｆa -1＋ｆb -1−ｄｆa -1ｆb -1)-1 …（数３） したがって、プリズム３ｂを出射した直後のビーム１０
ｂの定位置のパターンを転写させることができるため、
スラブレーザ１のビーム拡がり角に関係なく、結像倍率
を小さくすると、マスク２上のビーム照射領域を小さく
できる。
ｂの定位置のパターンを転写させることができるため、
スラブレーザ１のビーム拡がり角に関係なく、結像倍率
を小さくすると、マスク２上のビーム照射領域を小さく
できる。
【００１８】尚、以上に関して、従来のレーザマーカに
適用された転写光学では、マスク上のビーム照射領域の
大きさを調整することが以下で説明するように困難であ
った。図２に示した転写光学系２００において、結像レ
ンズ２２の焦点距離をｆ、結像させる元の位置から結像
レンズ２２までの距離をａ、結像レンズ２２からマスク
２３までの距離をｂとすると、数２が成り立つ。また、
転写光学系の結像倍率Ｍは式２で表わされるため、数１
を数２に代入すると、結像倍率Ｍは数３から算出され
る。したがって、例えば結像倍率Ｍを小さくするには、
ｂが小さくなるように結像レンズ２２を図２で右側に移
動させる必要があり、その結果、転写させる元の位置が
スラブレーザ２１から離れていく。
適用された転写光学では、マスク上のビーム照射領域の
大きさを調整することが以下で説明するように困難であ
った。図２に示した転写光学系２００において、結像レ
ンズ２２の焦点距離をｆ、結像させる元の位置から結像
レンズ２２までの距離をａ、結像レンズ２２からマスク
２３までの距離をｂとすると、数２が成り立つ。また、
転写光学系の結像倍率Ｍは式２で表わされるため、数１
を数２に代入すると、結像倍率Ｍは数３から算出され
る。したがって、例えば結像倍率Ｍを小さくするには、
ｂが小さくなるように結像レンズ２２を図２で右側に移
動させる必要があり、その結果、転写させる元の位置が
スラブレーザ２１から離れていく。
【００１９】一方、スラブレーザ２１から出射するレー
ザ光は、伝搬するにつれてビーム断面形状が大きくなる
ことから、結像レンズ２２を図３で右側に移動させる
と、転写させる元の像が大きくなるような作用が生じ
る。したがって、実際には結像レンズ２２の位置を多少
右側に移動させても、マスク上のビーム照射領域の大き
さはほとんど変化しなかった。
ザ光は、伝搬するにつれてビーム断面形状が大きくなる
ことから、結像レンズ２２を図３で右側に移動させる
と、転写させる元の像が大きくなるような作用が生じ
る。したがって、実際には結像レンズ２２の位置を多少
右側に移動させても、マスク上のビーム照射領域の大き
さはほとんど変化しなかった。
【００２０】また、本実施例では、マスク２として特に
液晶マスクを用いており、その結果、以下の効果があ
る。液晶マスク式では、マーキングさせるパターンを任
意に変更できるため、液晶マスク上で形成させるパター
ンの大きさが液晶マスクの有効面積よりも小さくなるこ
とがある。しかし、本発明を適用することで、液晶マス
ク上のビーム照射領域をパターンに合わせて小さくでき
ることから、レーザ光を常に効率良く利用できるように
なった。
液晶マスクを用いており、その結果、以下の効果があ
る。液晶マスク式では、マーキングさせるパターンを任
意に変更できるため、液晶マスク上で形成させるパター
ンの大きさが液晶マスクの有効面積よりも小さくなるこ
とがある。しかし、本発明を適用することで、液晶マス
ク上のビーム照射領域をパターンに合わせて小さくでき
ることから、レーザ光を常に効率良く利用できるように
なった。
【００２１】また、本実施例では、Ｙ方向のビーム幅の
変化率を調整できるようにするために、プリズム３ａと
プリズム３ｂとが回転台４に載せられている。すなわ
ち、回転台４をＸ方向を回転軸として回転することで、
ビーム１０ｂのＹ方向の幅が変化する。一般に、プリズ
ムにレーザ光を入射させると、ビーム断面形状における
一方向の長さ（これをビーム幅とする）を変化させるこ
とができ、その変化率はプリズムへのビームの入射角度
で変化する。したがって、プリズム３ａとプリズム３ｂ
とを回転台４に載せることで、その変化率を調整できる
ようになり、ビーム断面形状の縦横比を調整できるよう
になっている。
変化率を調整できるようにするために、プリズム３ａと
プリズム３ｂとが回転台４に載せられている。すなわ
ち、回転台４をＸ方向を回転軸として回転することで、
ビーム１０ｂのＹ方向の幅が変化する。一般に、プリズ
ムにレーザ光を入射させると、ビーム断面形状における
一方向の長さ（これをビーム幅とする）を変化させるこ
とができ、その変化率はプリズムへのビームの入射角度
で変化する。したがって、プリズム３ａとプリズム３ｂ
とを回転台４に載せることで、その変化率を調整できる
ようになり、ビーム断面形状の縦横比を調整できるよう
になっている。
【００２２】ただし、本実施例では、頂角の等しいプリ
ズム３ａと３ｂとの２枚を用いており、図１に示したよ
うに、それぞれの頂角が互いにほぼ反対の方向を向くよ
うに設置されている。これによると、プリズム３ａに入
射するビーム１０ａが屈折して進行方向が変わっても、
プリズム３ｂによって、逆方向に同じ角度だけ屈折する
ことから、ビーム１０ｂの進行方向は、ビーム１０ａの
進行方向とほぼ同一になる。ただし厳密には、ビーム１
０ｂの進行方向がビーム１０ｂの進行方向と数度以内の
角度でずれることがある。そのため、プリズム３ｂと凸
レンズ５ａとの間にミラーを配置して、ビーム１０ｂの
進行方向を補正してもよい。
ズム３ａと３ｂとの２枚を用いており、図１に示したよ
うに、それぞれの頂角が互いにほぼ反対の方向を向くよ
うに設置されている。これによると、プリズム３ａに入
射するビーム１０ａが屈折して進行方向が変わっても、
プリズム３ｂによって、逆方向に同じ角度だけ屈折する
ことから、ビーム１０ｂの進行方向は、ビーム１０ａの
進行方向とほぼ同一になる。ただし厳密には、ビーム１
０ｂの進行方向がビーム１０ｂの進行方向と数度以内の
角度でずれることがある。そのため、プリズム３ｂと凸
レンズ５ａとの間にミラーを配置して、ビーム１０ｂの
進行方向を補正してもよい。
【００２３】尚、本発明では、ビーム１０ｂの進行方向
が多少変化しても、以下で説明するように問題がない特
徴もある。すなわち、本発明で適用されている転写光学
系では、プリズム３ｂから出射した直後のビーム１０ｂ
のパターンが液晶マスク２に転写されるようになってい
るため、ビーム１０ｂの進行方向が多少変化しても、液
晶マスク２に照射されるビームの位置はほとんど変化し
ない。すなわち、本発明の転写光学系では、結像倍率に
関係なく、転写させる元の像を常にプリズム３ｂの直後
に設定できるため、ビーム１０ｂの進行方向の変化の影
響を受けにくくなるため、ビーム断面の縦横比を調整す
るためにプリズム３ａ，３ｂを回転させても特に問題が
生じることはない。
が多少変化しても、以下で説明するように問題がない特
徴もある。すなわち、本発明で適用されている転写光学
系では、プリズム３ｂから出射した直後のビーム１０ｂ
のパターンが液晶マスク２に転写されるようになってい
るため、ビーム１０ｂの進行方向が多少変化しても、液
晶マスク２に照射されるビームの位置はほとんど変化し
ない。すなわち、本発明の転写光学系では、結像倍率に
関係なく、転写させる元の像を常にプリズム３ｂの直後
に設定できるため、ビーム１０ｂの進行方向の変化の影
響を受けにくくなるため、ビーム断面の縦横比を調整す
るためにプリズム３ａ，３ｂを回転させても特に問題が
生じることはない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によると、マスク上のビーム照射
領域を調整できるようになり、マスク上に形成されたマ
ーキングパターンの大きさに対応したレーザ光を照射で
き、無駄になるレーザ光を減らすことができる。
領域を調整できるようになり、マスク上に形成されたマ
ーキングパターンの大きさに対応したレーザ光を照射で
き、無駄になるレーザ光を減らすことができる。
【図１】本発明のマスク式レーザマーカ１００の構成図
である。
である。
【図２】図１に使用した凸レンズを調整する調整装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】従来の転写光学系２００の説明図である。
１…スラブレーザ、２…マスク、３ａ，３ｂ…プリズ
ム、４…回転台、５ａ，５ｂ，６…凸レンズ、７…偏光
ビームスプリッタ、８…結像レンズ、９…ＩＣパッケー
ジ、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…ビーム、１１…Ｚ軸ステ
ージ、１００…マスク式レーザマーカ。
ム、４…回転台、５ａ，５ｂ，６…凸レンズ、７…偏光
ビームスプリッタ、８…結像レンズ、９…ＩＣパッケー
ジ、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…ビーム、１１…Ｚ軸ステ
ージ、１００…マスク式レーザマーカ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ａ Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】スラブレーザを光源としたレーザマーカに
おいて、前記スラブレーザとマスクとの間の光軸上に、
複数枚のレンズから成る組み合わせレンズを配置し、前
記複数枚のレンズの間隔が調整可能であることを特徴と
するレーザマーカ。 - 【請求項２】前記スラブレーザとマスクとの間の光軸上
に、回転可能に取り付けられた少なくとも１枚のプリズ
ムが配置される請求項１のレーザマーカ。 - 【請求項３】前記マスクが液晶マスクである請求項１の
レーザマーカ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7147107A JPH091363A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | レーザマーカ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7147107A JPH091363A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | レーザマーカ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH091363A true JPH091363A (ja) | 1997-01-07 |
Family
ID=15422681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7147107A Pending JPH091363A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | レーザマーカ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH091363A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000053365A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil d'usinage au laser |
| JP2007101829A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sony Corp | 縦横比可変装置、プロジェクタ、画像表示装置及び画像表示方法 |
| CN109094023A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-28 | 天马微电子股份有限公司 | 3d打印机用打印模组、打印方法及3d打印机 |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP7147107A patent/JPH091363A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000053365A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil d'usinage au laser |
| US6635849B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-10-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser beam machine for micro-hole machining |
| JP2007101829A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sony Corp | 縦横比可変装置、プロジェクタ、画像表示装置及び画像表示方法 |
| CN109094023A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-28 | 天马微电子股份有限公司 | 3d打印机用打印模组、打印方法及3d打印机 |
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