JPH09133901A - 光パルス発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】発生した光パルスのピークの光強度が大きく、
かつ繰り返し周期に対するパルス幅の比が小さい光パル
スを発生することのできる光パルス発生装置を提供す
る。 【解決手段】単一波長で連続発振する半導体レーザの出
力光の強度変調を行う半導体電気吸収型光変調器と、そ
の光変調器に逆方向の直流電圧を加える直流電圧発生器
と、その光変調器を変調動作させるための正弦波状電圧
を発生する第１の正弦波電圧発生器と、その光変調器を
駆動させるために該第１の正弦波状電圧の複数倍の周波
数成分を持つ正弦波状電圧を発生する第２の正弦波電圧
発生器と、第１および第２の正弦波電圧発生器で発生し
た正弦波状電圧を合成する合成手段と、第１および第２
の正弦波電圧発生器から得られる正弦波状電圧を合成す
る合成手段と、第１，第２の正弦波状電圧発生器の一方
と合成手段との間に遅延回路を備えた構成を有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信用
の光ソリトンパルス発生装置，光情報処理用の光短パル
ス発生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ通信の分野においては、伝送
速度の高速化と共に、波長分散や非線形効果の影響を受
けやすい従来のノン・リターン・ツウ・ゼロ・パルスを
用いる方式に代わり、光ソリトン通信方式が着目され始
めた。光ソリトン通信方式は、従来の方式の伝送特性の
劣化原因である波長分散や非線形効果を積極的に利用す
る方法であり、波長分散による光パルス幅の広がりと非
線形光学効果による光パルス幅の圧縮をバランスさせ、
光パルスの形状を変えずに伝送する方式である。時間多
重や波長多重も容易であり、伝送容量の大容量化に適し
ている。光ソリトン通信用の光パルスを発生する手段と
して、本願発明者等による先願の特開平５−２８３８０
４号「光パルス発生装置」がある。この光パルス発生装
置では、単一波長レーザから出た連続光を半導体電気吸
収型光変調器に入力し、半導体電気吸収型光変調器に
は、逆方向の直流電圧と正弦波状電圧を合成した電気信
号を加えることにより、光パルスが出力される。半導体
電気吸収型光変調器で変調を行った場合には位相変調成
分を小さくすることができるため、過剰なスペクトル拡
がりが殆ど無い光パルスの発生が可能で、気温等の外部
環境条件に影響されにくく、光パルスの繰り返し周波数
を容易に変化することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような装置におい
て、半導体電気吸収型光変調器に、逆方向の直流電圧を
加えていったときの相対的な出力光強度（相対出力光強
度）の実例を図８（ａ）および図１０（ａ）に示す。全
体の傾向として、逆方向の直流電圧を増加するほど、相
対出力光強度は減少する。その特性を各領域に分ける
と、逆方向に電圧を加えていった場合、最初は電圧の
変化に対する相対出力光強度の変化は小さく、次に電
圧の変化に対する相対出力光強度の変化は大きくなり、
さらに高くなると相対出力光強度はほぼ一定となる。
従来の光パルス発生装置では、前記のような特性の光変
調器に、正弦波状電圧と逆方向の直流電圧（バイアス電
圧）を合成した電気信号を加えて、光パルスを発生して
いた。このとき、図８（ｂ）のように光変調器に加わる
電気信号が正側に最大に振れたときの電圧が０Ｖになる
ように、振幅電圧とバイアス電圧を設定すると、図８
（ｃ）のようにピークの光強度が最大となるような光パ
ルスが得られる。ピークの光強度が最大に得られる条件
で光パルスを発生した場合に、発生した光パルスの半値
全幅の繰り返し周期に対する比（Δｔ）の、正弦波電圧
の振幅電圧（ピーク・ピーク間の電圧）依存性を計算し
た結果を、図９中の特性曲線（１）に示す。振幅電圧を
大きくすると、Δｔは小さくなる傾向を示したが、１５
Ｖという大振幅の正弦波電圧を加えた場合でも、Δｔは
１５．７％しか得られなかった。また、振幅電圧が１５
Ｖを越える大振幅の正弦波電圧を光変調器に加えると、
光変調器が壊れるので、前記の条件で発生できるパルス
のΔｔの最小値は１５．７％程度と考えられる。次に、
図１０（ｃ）のように、ピークの光強度が前記の場合に
比べ６ｄＢ低くなるように、バイアス電圧と振幅電圧を
設定して（図１０（ｂ））、光変調器に加える場合の、
Δｔの振幅電圧依存性を計算した結果を、図９中の
（２）に示す。本条件では、振幅電圧が１５Ｖの場合に
おいては９．０％のΔｔが得られた。すなわち、従来の
光パルスの発生装置では、ピークの光強度を大きくしよ
うとするとパルスの幅は短くすることができず、パルス
の幅を短くしようとするとピークの光強度小さくなっ
た。

【０００４】本発明の目的は、かかる従来技術の問題点
を解決して、発生した光パルスのピークの光強度が大き
く、かつ繰り返し周期に対するパルス幅の比が小さい光
パルスを発生することのできる光パルス発生装置を提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明による光パルス発生装置は、単一波長で連続
発振する半導体レーザと、該半導体レーザの出力光の強
度変調を行う半導体電気吸収型光変調器と、該半導体電
気吸収型光変調器に逆方向の直流電圧を加える直流電圧
発生器と、該半導体電気吸収型光変調器を変調動作させ
るための正弦波状電圧を発生する第１の正弦波電圧発生
器と、該半導体電気吸収型光変調器を駆動させるために
該第１の正弦波状電圧の１を除く整数倍の周波数成分を
持つ正弦波状電圧を発生する第２の正弦波電圧発生器
と、第１および第２の正弦波電圧発生器で発生した正弦
波状電圧を合成する合成手段と、第１および第２の正弦
波電圧発生器の出力の中の少なくとも一方と前記合成手
段との間に接続された予め定められた時間だけ遅らせる
遅延回路とを有している。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明による光パルス発生装置
は、単一波長で連続発振する半導体レーザと、該半導体
レーザの出力光の強度変調を行う半導体電気吸収型光変
調器と、該半導体電気吸収型光変調器に逆方向の直流電
圧を加える直流電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変
調器を変調動作させるための正弦波状電圧を発生する第
１の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調器
を駆動させるために該第１の正弦波状電圧のＮ（Ｎは２
以上の整数）倍の周波数成分を持つ正弦波状電圧を発生
する第２の正弦波電圧発生器と、前記第１および第２の
正弦波電圧発生器で発生した正弦波状電圧を合成する合
成手段と、第１および第２の正弦波電圧発生器の出力の
中の少なくとも一方と前記合成手段との間に接続された
予め定められた時間だけ遅らせる遅延回路とを有するよ
うに構成することができる。Ｎが３又は４に設定するこ
とができる。

【０００７】また、本発明による光パルス発生装置は、
単一波長で連続発振する半導体レーザと、該半導体レー
ザの出力光の強度変調を行う半導体電気吸収型光変調器
と、該半導体電気吸収型光変調器に逆方向の直流電圧を
加える直流電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調器
を変調動作させるための正弦波状電圧を発生する第１の
正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調器を駆
動させるために該第１の正弦波状電圧のＮ（Ｎは２以上
の整数）倍の周波数成分を持つ正弦波状電圧を発生する
第２の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調
器を駆動させるために該第１の正弦波状電圧のＭ（Ｍは
２以上の整数）倍の周波数成分を持つ正弦波状電圧を発
生する第３の正弦波電圧発生器と、第１および第２およ
び第３の正弦波電圧発生器で発生した正弦波状電圧を合
成する合成手段と、第１および第２および第３の正弦波
電圧発生器の出力の中の少なくとも２つと前記合成手段
の間に接続された予め定められた時間だけ遅らせる遅延
回路とを有するように構成することができる。ここで、
Ｎが３又は４で、Ｍが２又は３又は４に、かつＮとＭが
一致しないように設定することができる。

【０００８】さらに、前記半導体電気吸収型光変調器か
らの出力光に情報信号を加える情報信号生成用の第２の
光変調器を付加してもよい。前記半導体レーザおよび前
記半導体電気吸収型光変調器は半導体基板上に一体集積
することができる。前記半導体レーザ、および前記半導
体電気吸収型光変調器および第２の光変調器の少なくと
も２つ以上が半導体基板上に一体集積されてもよい。

【０００９】

【実施例１】以下図面により、本発明を詳細に説明する 第１の実施例を図１に示す。λ／４シフト分布帰還型
（ＤＦＢ）単一波長レーザ１からの波長１．５５μｍの
一定の強度の出力光を、半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）電気
吸収型光変調器２に入力する。ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収
型光変調器２のＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層の禁制帯波
長は１．４２μｍから１．５μｍの間に設定する。この
とき、加える電圧に対する光変調器２の相対出力光強度
の依存性は、図２のようになる。全体の傾向として、逆
方向の直流電圧を加えるほど、相対出力光強度は減少す
る。その特性を各領域に分けると、逆方向に電圧を加
えていった場合、最初は電圧の変化に対する相対出力光
強度の変化は小さく、次に電圧の変化に対する相対出
力光強度の変化は大きくなり、さらに高くなると相対
出力光強度はほぼ一定となる。正弦波電圧発生器４によ
り１０ＧＨｚの周波数で図３（ａ）のように振幅電圧８
Ｖ（ピーク・ピーク間電圧）の正弦波電圧を発生し、正
弦波電圧発生器５で３０ＧＨｚの周波数で図３（ｂ）の
ように振幅電圧４Ｖ（ピーク・ピーク間電圧）の正弦波
電圧を発生する。正弦波電圧発生器４で発生した１０Ｇ
Ｈｚの正弦波電圧が正側に最大に振れたときの時間と、
正弦波電圧発生器５で発生した３０ＧＨｚの正弦波電圧
が正側に最大に振れたときの時間が一致するように、同
軸線路等で構成される遅延回路６で１０ＧＨｚの正弦波
電圧に遅延を与え、１０ＧＨｚと３０ＧＨｚの正弦波電
圧の合成を行うと、図３（３）のような出力が得られ
る。なお、正弦波電圧の合成には、高周波合成器が用い
られる。正側に最大に振れた時間の近傍では、図３
（ａ）の単位時間あたりの電圧の変化量に比べ、図３
（ｃ）では大きく変化している。さらに、光変調器が十
分に消光するように、直流電圧発生器３で発生した−６
Ｖの電圧を加えると、図３（ｄ）のようになる。図３
（ｄ）の電圧を光変調器２に供給すると、正側に最大に
振れた時間の近傍に相当する０Ｖ近傍での、単位時間あ
たりの電圧変化量が大きくなるため、図２における電圧
の変化に対する相対出力光強度の変化が小さい電圧領域
でも、単位時間当たりに相対光強度の変化を大きくする
ことができる。そのため、光パルスの立ち上がり／立ち
下がりが速くなり、図３（ｅ）のように短いパルス幅の
出力が得られる。この出力光パルスのピークの光強度は
光変調器を通した場合の最大の強度で、半値全幅は９．
５ピコ秒である。パルス幅の繰り返し周期に対する比Δ
ｔは９．５％となり、従来の光パルス発生装置において
ピーク光強度を犠牲にして得られるΔｔとほぼ等しくな
る。また、このときの振幅電圧（ピーク・ピーク間電
圧）は１２Ｖで、１５Ｖを越えていない。

【００１０】正弦波電圧発生器４で１０ＧＨｚの正弦波
電圧を発生し、正弦波電圧発生器５でその高調波（２０
ＧＨｚまたは３０ＧＨｚまたは４０ＧＨｚ）の正弦波電
圧を発生した場合に、１０ＧＨｚの正弦波電圧の振幅電
圧と、高調波の正弦波電圧の振幅電圧の和が１５Ｖとな
るように設定し、光変調器に加わる電気信号が正側に最
大に振れたときの電圧が０Ｖになるようにバイアス電圧
を設定した場合における、Δｔの高調波の振幅電圧依存
性を図４に示す。Δｔが１０％を得ようとした場合、４
０ＧＨｚの場合は１．７Ｖの振幅電圧が、３０ＧＨｚの
場合は２．９Ｖの振幅電圧が必要である。それに対し
て、２０ＧＨｚの場合は５Ｖの振幅電圧を加えても１０
％のΔｔは得られない。２０ＧＨｚを越すような高周波
の正弦波電圧では、大きな振幅が得られないために２０
ＧＨｚの場合は１０％のΔｔを得るのは非常に困難とな
る。それに対し、３０ＧＨｚと４０ＧＨｚの場合は容易
に１０％のΔｔが得られる。

【００１１】本発明者らは、この効果を確認するために
１．５５８μm の単一波長で発振するレーザの一定出力
の光を、禁制帯波長１．４８μm のＩｎＧａＡｓＰ変調
導波路層を有する電気吸収型光変調器を用いた本実施例
の動作試験を行った。このときの相対的な出力光強度の
変調電圧依存性は図２に示す通りであり、振幅電圧が
８．３Ｖ（ピーク・ピーク間電圧）の２．５ＧＨｚの正
弦波電圧と、振幅電圧が６．２Ｖ（ピーク・ピーク間電
圧）の７．５ＧＨｚ（２．５ＧＨｚの３倍周波数）の正
弦波電圧を、それぞれの正弦波電圧が正側に最大に振れ
たときの時間が一致するように遅延回路で遅延を与え
て、合成器により合成し、−５．２Ｖのバイアス電圧を
加えて、光変調器に供給したところ、半値全幅４４ピコ
秒（Δｔ＝１１％）で、ピークの光強度は光変調器を通
して得られる最大の強度であった。

【００１２】本発明の光パルス発生装置は、従来の半導
体電気吸収型光変調器に１種類の正弦波状電圧を加える
前記先願に係る「光パルス発生装置」〔特開平５−２８
３８０４号〕の特徴も合わせ持つ。半導体電気吸収型光
変調器を変調して光パルスを発生しているので、発生し
た光パルスの位相変調成分は小さく、過剰なスペクトル
の拡がりはほとんどない。さらに、正弦波電圧発生器の
周波数を変えるだけで、光パルスの繰り返し周波数を変
えることができる。光の共振器を使用していないため温
度，振動等の外部環境の変化に対して安定である。

【００１３】なお、以上の説明では、正弦波電圧発生器
４の出力側に遅延回路６を挿入していた。しかしなが
ら、遅延回路６を正弦波電圧発生器５の出力側に入れて
も、正弦波電圧発生器４の出力と正弦波電圧発生器５の
出力の両方に遅延回路を挿入するように構成することが
可能である。実際の利用に当たっては、半導体電気吸収
型光変調器２からの出力光に情報信号を加える情報信号
生成用の第２の光変調器を用いることが想定される。ま
た、情報信号生成用の光変調器を用いる場合、半導体レ
ーザ１と半導体電気吸収型光変調器２の間にこの情報信
号生成用の第２の光変調器を配置してもその効果は変わ
らない。

【００１４】

【実施例２】図５に、本発明の第２の実施例として、３
台の正弦波電圧発生器４，５，７で構成される光パルス
発生装置のブロック図を示す。実施例１に対して、正弦
波電圧発生器７と遅延回路８が増加した構成となってい
る。正弦波電圧発生器４で発生され遅延回路６を通った
１０ＧＨｚの正弦波電圧と、正弦波電圧発生器５で発生
され遅延回路８を通った３０ＧＨｚの正弦波電圧と、正
弦波電圧発生器７で発生した４０ＧＨｚの正弦波電圧と
が相互合成され、これに直流電圧発生器３で発生したバ
イアス電圧が加わって、光変調器２に供給されている。
本実施例では、３つの正弦波電圧を光変調器に加えるこ
とにより、パルス幅の繰り返し周期に対する比Δｔの小
さい光パルスが得られるが、３つ以上の正弦波電圧を合
成すると損失が非常に大きくなるために、合成された後
の各周波数成分の振幅電圧は小さくなり、実施例１の場
合ほど短いパルスは得られない。

【００１５】

【実施例３】図６に、本発明の第３の実施例の一部とし
て、前記半導体レーザと前記光パルス発生用の電気吸収
型光変調器を集積した素子の断面図を示す。実施例１の
光パルス発生装置中のλ／４シフトＩｎＧａＡｓＰ分布
帰還型（ＤＦＢ）単一波長レーザ１とＩｎＧａＡｓＰ電
気吸収型光変調器２がＩｎＰ半導体基板１１上に一体集
積化されている。両素子は、半絶縁性ＩｎＰ１２により
互いに電気的に絶縁されている。本実施例では、単一波
長レーザとして、λ／４シフトＩｎＧａＡｓＰＤＦＢレ
ーザを用いたが、単一波長レーザであればいかなる構造
でも良く、分布反射型レーザ、均一回折格子を用いる通
常型ＤＦＢレーザ、さらには波長可変レーザにも適用可
能である。さらに材料系も問わず、レーザの活性層およ
び変調導波路層に量子井戸構造を適用してもよい。本実
施例の特徴は、レーザと光変調器が一体化されているた
め、レーザと光変調器間の光学的結合損失が大幅に低減
される点にある。

【００１６】

【実施例４】図７に、本発明の第４の実施例の一部とし
て、光パルス発生用の電気吸収型光変調器と、情報信号
生成用の電気吸収型光変調器を集積した素子の断面図を
示す。第１の実施例の光パルス発生用のＩｎＧａＡｓＰ
電気吸収型光変調器２と、情報信号生成用のＩｎＧａＡ
ｓＰ電気吸収型光変調器９が、ＩｎＰ半導体基板１１上
に一体集積化されており、両素子は半絶縁性ＩｎＰ１２
により電気的に絶縁されている。本実施例では、半導体
レーザ光からの光入力を、光パルス発生用光変調器側か
ら入れても情報信号生成用光変調器側から入れてもその
効果は変わらない。本実施例の特徴は、実施例１に新た
に信号生成用の光変調器が光の損失を招くことなく、付
加された点にある。

【００１７】なお、以上の説明の構成において、サーキ
ュレータや増幅器や可変減衰器を、遅延回路の前または
後に入れる構成も採用可能である。さらに、複数の正弦
波電圧発生器の出力を合成した出力に、可変減衰器や増
幅器を接続して振幅電圧を変えた後に、直流電圧発生器
の電圧を加える構成も採用可能である。光変調器として
ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器を用いて説明した
が、その他、量子井戸層がＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧ
ａＡｓで構成され、量子井戸障壁層が量子井戸層より禁
制帯幅エネルギの大きいＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰで
構成される量子井戸構造の吸収型光変調器にも適用可能
である。さらに、ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸構造の吸収型光変調
器にも適用可能である。集積型の光パルス発生装置につ
いては、レーザ、光変調器などの内、いずれか２つ以上
任意の組み合わせが可能であり、材料も前記量子井戸構
造を採用することができる。

【００１８】さらに、本発明により光パルスを発生した
後に、光ファイバの非線形性あるいは過飽和吸収体によ
るパルス圧縮効果を利用すれば、繰り返し周期に対する
パルス幅の比が１％以下の超短光パルスを得ることがで
きる。また、以上の説明では、光ソリトン通信用の光パ
ルス発生装置について説明したが、光情報処理用の光パ
ルス発生装置としても使用可能である。

【００１９】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
るので、次のような効果が得られる。 （１）光パルス発生装置は、従来の光パルス発生装置で
は成し得なかった、発生した光パルスのピークの光強度
を大きくすることと、繰り返し周期に対するパルス幅の
比を小さくすることの両立を、半導体レーザ，半導体電
気吸収型光変調器，直流電圧発生器，正弦波電圧発生
器，遅延回路，および正弦波電圧を合成する手段を用い
る簡便な構成で実現することができる。 （２）繰り返し周期に対するパルス幅を小さくすること
が可能なことは、光ソリトン通信において超長距離伝送
する際の光パルス間の相互干渉が抑制できる点，光パル
スを時間多重できる点，また光情報処理システムにおい
ても時間多重化して情報処理容量を増やす点で有効であ
る。光パルスのピークの光強度を大きくすることが可能
なことは、光ソリトン通信において送信端局側の光増幅
器への入力光強度が上がるために光増幅器のＳ／Ｎが向
上し伝送可能な距離が延びる点，および光情報処理シス
テムにおいて光増幅器の台数が減って経済的になる点か
ら有効である。 （３）また、本光パルス発生装置で発生した光パルスの
繰り返し周波数を外部よりある程度変化することがで
き、その光パルスは過剰なスペクトル拡がりもなく、気
温等の外部環境に影響されずに安定しているために、実
用的な光ソリトン通信や光情報処理システム用のパルス
光源として極めて有望である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第１の実施例の光パルス発生装置
のブロック図である。

【図２】本発明による第１の実施例の中の半導体電気吸
収型光変調器における印加電圧を変えたときの相対光強
度を示した図である。

【図３】本発明による第１の実施例の光パルス発生装置
の光短パルス発生の原理を説明するための図で、（ａ）
は第１の正弦波電圧発生器の発生した正弦波電圧を表し
た図、（ｂ）は第２の正弦波電圧発生器の発生した正弦
波電圧を表した図、（ｃ）は２つの正弦波電圧を遅延回
路で時間を調整して高周波合成器で合成した電圧を表し
た図、（ｄ）は高周波合成器の出力に直流電圧発生器で
発生した電圧を加えた電圧を表した図、（ｅ）は（ｄ）
の電圧を光変調器に供給したときの光変調器の出力光を
相対出力光強度で表した図である。

【図４】本発明による第１の実施例の光パルス発生装置
におけるΔｔの高調波の振幅電圧依存性を示した図であ
る。

【図５】本発明による第２の実施例の光パルス発生装置
のブロック図である。

【図６】実施例３の中の半導体レーザとパルス発生用電
気吸収型光変調器を一体集積した部分を示す断面図であ
る。

【図７】実施例４の中のパルス発生用と情報信号生成用
の２つの電気吸収型光変調器を一体集積した部分を示す
断面図である。

【図８】従来の光パルス発生装置において光パルスを発
生する課程を示した原理図であり、（ａ）は光変調器の
相対出力光強度の加わる電圧の依存性を表した図、
（ｂ）は光変調器に加わる電圧を表した図、（ｃ）は光
変調器の出力光を表した図である。

【図９】従来の光パルス発生装置で光パルスを発生した
場合のパルス幅の振幅電圧依存性を示した図で、（１）
はピークの光強度が最大に得られるようにバイアス電圧
と振幅電圧を設定した場合、（２）はピークの光強度が
最大より６ｄＢ落ちるようにバイアス電圧と振幅電圧を
設定した場合を表した図である。

【図１０】従来の光パルス発生装置で、光パルスを発生
する課程を示した原理図で、（ａ）は光変調器の相対出
力光強度の加わる電圧の依存性を表した図、（ｂ）は光
変調器に加わる電圧を表した図、（ｃ）は光変調器の出
力光を表した図である。

【符号の説明】

１ λ／４シフト分布帰還型レーザ ２，９ ＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器 ３ 直流電圧発生器 ４ 第１の正弦波電圧発生器 ５ 第２の正弦波電圧発生器 ６ ,８ 遅延回路 ７ 第３の正弦波電圧発生器 １１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ 半絶縁性ＩｎＰ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単一波長で連続発振する半導体レーザ
   と、該半導体レーザの出力光の強度変調を行う半導体電
   気吸収型光変調器と、該半導体電気吸収型光変調器に逆
   方向の直流電圧を加える直流電圧発生器と、該半導体電
   気吸収型光変調器を変調動作させるための正弦波状電圧
   を発生する第１の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸
   収型光変調器を駆動させるために該第１の正弦波状電圧
   のＮ（Ｎは２以上の整数）倍の周波数成分を持つ正弦波
   状電圧を発生する第２の正弦波電圧発生器と、前記第１
   および第２の正弦波電圧発生器で発生した正弦波状電圧
   を合成する合成手段と、第１および第２の正弦波電圧発
   生器の出力の中の少なくとも一方と前記合成手段との間
   に接続された予め定められた時間だけ遅らせる遅延回路
   とを有することを特徴とする光パルス発生装置。
2. 【請求項２】 Ｎが３又は４であることを特徴とする請
   求項１に記載の光パルス発生装置。
3. 【請求項３】 単一波長で連続発振する半導体レーザ
   と、該半導体レーザの出力光の強度変調を行う半導体電
   気吸収型光変調器と、該半導体電気吸収型光変調器に逆
   方向の直流電圧を加える直流電圧発生器と、該半導体電
   気吸収型光変調器を変調動作させるための正弦波状電圧
   を発生する第１の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸
   収型光変調器を駆動させるために該第１の正弦波状電圧
   のＮ（Ｎは２以上の整数）倍の周波数成分を持つ正弦波
   状電圧を発生する第２の正弦波電圧発生器と、該半導体
   電気吸収型光変調器を駆動させるために該第１の正弦波
   状電圧のＭ（Ｍは２以上の整数）倍の周波数成分を持つ
   正弦波状電圧を発生する第３の正弦波電圧発生器と、第
   １および第２および第３の正弦波電圧発生器で発生した
   正弦波状電圧を合成する合成手段と、第１および第２お
   よび第３の正弦波電圧発生器の出力の中の少なくとも２
   つと前記合成手段の間に接続された予め定められた時間
   だけ遅らせる遅延回路とを有することを特徴とする光パ
   ルス発生装置。
4. 【請求項４】 Ｎが３又は４で、Ｍが２又は３又は４
   で、かつＮとＭが一致しないことを特徴とする請求項３
   に記載の光パルス発生装置。
5. 【請求項５】 単一波長で連続発振する半導体レーザ
   と、該半導体レーザの出力光の強度変調を行う半導体電
   気吸収型光変調器と、該半導体電気吸収型光変調器に逆
   方向の直流電圧を加える直流電圧発生器と、該半導体電
   気吸収型光変調器を変調動作させるための正弦波状電圧
   を発生する第１の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸
   収型光変調器を駆動させるために該第１の正弦波状電圧
   の３倍の周波数成分を持つ正弦波状電圧を発生する第２
   の正弦波電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調器を
   駆動させるために該第１の正弦波状電圧の４倍の周波数
   成分を持つ正弦波状電圧を発生する第３の正弦波電圧発
   生器と、該半導体電気吸収型光変調器を駆動させるため
   に該第１の正弦波状電圧の２倍の周波数成分を持つ正弦
   波状電圧を発生する第４の正弦波電圧発生器と、第１お
   よび第２および第３および第４の正弦波電圧発生器で発
   生した正弦波状電圧を合成する合成手段と、第１および
   第２および第３および第４の正弦波電圧発生器の出力の
   中の少なくとも３つの出力と前記合成手段との間に接続
   された予め定められた時間だけ遅らせる遅延回路とを有
   することを特徴とする光パルス発生装置。
6. 【請求項６】 前記半導体電気吸収型光変調器からの出
   力光に情報信号を加える情報信号生成用の第２の光変調
   器を有することを特徴とする請求項１又は請求項３又は
   請求項５に記載の光パルス発生装置。
7. 【請求項７】 前記半導体レーザおよび前記半導体電気
   吸収型光変調器が半導体基板上に一体集積されているこ
   とを特徴とする請求項１又は請求項３又は請求項５に記
   載の光パルス発生装置。
8. 【請求項８】 前記半導体レーザ、および前記半導体電
   気吸収型光変調器および第２の光変調器の少なくとも２
   つ以上が半導体基板上に一体集積されていることを特徴
   とする請求項６に記載の光パルス発生装置。