JPH09129936A - Light emitting diode array and light emitting diode - Google Patents
Light emitting diode array and light emitting diodeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード配
列体及び発光ダイオード、特にフルカラー表示装置に用
いる発光ダイオード配列体及び発光ダイオードに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode array and a light emitting diode, and more particularly to a light emitting diode array and a light emitting diode used in a full color display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、発光ダイオードは、光透過性材
料をモールド成形して、先端部に発光素子が載置された
リードの一部を光透過性材料で封止すると共に光透過性
材料の表面に光学系を形成することにより作製される。
また、一般に市販されているＧａＡｌＡｓを用いた赤色
光を発する発光素子、ＧａＰを用いた黄緑色光を発する
発光素子は、作り易さとコスト的な問題から、約０．３
ｍｍ3 の立方体状に、すなわち、略同一の形状及び寸法
に形成されている。このため、同じ金型を用いて発光ダ
イオードを作製する場合、上記の一般に市販されている
発光素子のいずれを用いても、発光素子の光学系に対す
る位置関係が同じになるので、同じ配光特性を有する発
光ダイオードを作製することができる。たとえば、同じ
金型でモールド成形した発光ダイオードを複数個並べて
マルチカラーの発光ダイオード配列体を作製する場合、
上記の一般に市販されている発光素子を用いることによ
り、視野範囲内での色バランスを略均一にすることがで
きる。2. Description of the Related Art Generally, in a light emitting diode, a light-transmissive material is molded to seal a part of a lead having a light-emitting element mounted on a tip thereof with the light-transmissive material and a light-transmissive material. It is produced by forming an optical system on the surface.
In addition, a light emitting element that emits red light using GaAlAs and a light emitting element that emits yellow-green light using GaP, which are commercially available, are about 0.3 in terms of ease of production and cost.
It has a cubic shape of mm 3 , that is, has substantially the same shape and dimensions. For this reason, when a light emitting diode is manufactured using the same mold, the positional relationship of the light emitting element with respect to the optical system is the same regardless of which of the above-mentioned generally commercially available light emitting elements is used. It is possible to manufacture a light emitting diode having For example, when arranging a plurality of light emitting diodes that are molded in the same mold to form a multicolor light emitting diode array,
By using the above-mentioned generally commercially available light emitting element, it is possible to make the color balance substantially uniform in the visual field range.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、Ｇａ
Ｎを用いた高輝度の青色光を発する発光素子が開発さ
れ、実用化されつつある。このＧａＮを用いた発光素子
は、サファイア基板上にＰＮ接合を形成したものであ
る。しかしながら、上記のＧａＮを用いた発光素子は、
サファイアが高価であること、およびサファイア基板の
ダイシングが困難であることから、薄板状のサファイア
基板が用いられている。このため、発光素子の厚みが
０．１〜０．２ｍｍ程度しかない。したがって、同じ金
型を用いて発光ダイオードを作製する場合、ＧａＮの発
光素子を用いて発光ダイオードを作製すると、上記の一
般に市販されている発光素子を用いて作製した発光ダイ
オードに比べ、たとえば発光素子の光学系に対する距離
が遠くなり、配光が狭くなる。したがって、同じ金型で
モールド成形した発光ダイオードを複数個並べて、フル
カラーの発光ダイオード配列体を作製する場合、青色光
を発する発光ダイオードとしてＧａＮの発光素子を用い
ると、青色光の配光特性が赤色光及び黄緑色光の配光特
性より狭くなるため、視野範囲内での色バランスが均一
でなくなるという問題がある。By the way, in recent years, Ga
A light emitting element that emits blue light with high brightness using N has been developed and is being put into practical use. The light emitting device using this GaN has a PN junction formed on a sapphire substrate. However, the above light emitting device using GaN is
Since sapphire is expensive and dicing of the sapphire substrate is difficult, a thin sapphire substrate is used. Therefore, the thickness of the light emitting element is only about 0.1 to 0.2 mm. Therefore, when a light emitting diode is manufactured by using the same mold, when a light emitting diode is manufactured by using a GaN light emitting element, compared with the light emitting diode manufactured by using the above-mentioned generally commercially available light emitting element, for example, a light emitting element is used. The distance to the optical system of becomes longer and the light distribution becomes narrower. Therefore, when arranging a plurality of light emitting diodes that are molded in the same mold to form a full-color light emitting diode array, if a GaN light emitting element is used as a light emitting diode that emits blue light, the light distribution characteristic of blue light is red. Since it is narrower than the light distribution characteristics of light and yellow-green light, there is a problem that the color balance is not uniform in the visual field range.
【０００４】これまでに、レンズ型及び反射型の発光ダ
イオードが知られているが、反射型はレンズ型に比べ発
光素子の発する光の制御効率がよい。しかし、反射型で
は、発光素子の厚みがより顕著に配光特性に影響を及ぼ
すという問題がある。これは、反射型発光ダイオード
は、発光素子から横方向へ放射される光も有効に利用で
きるためである。Up to now, lens type and reflection type light emitting diodes have been known, but the reflection type has better control efficiency of light emitted from the light emitting element than the lens type. However, the reflective type has a problem that the thickness of the light emitting element more significantly affects the light distribution characteristics. This is because the reflection type light emitting diode can also effectively use the light emitted laterally from the light emitting element.
【０００５】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、厚みの異なる発光素子を用いた場合でも均一な
配光特性を得ることができる発光ダイオード配列体及び
発光ダイオードを提供することを目的とする。The present invention has been made based on the above circumstances, and an object thereof is to provide a light emitting diode array and a light emitting diode which can obtain uniform light distribution characteristics even when light emitting elements having different thicknesses are used. And
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明の発光ダイオード配列体は、発光
素子と、前記発光素子が先端部に載置された前記発光素
子に電力を供給するリードと、前記発光素子が発した光
の放射方向を制御する光学系とを具備する発光ダイオー
ドが、複数個並置されて構成された発光ダイオード配列
体において、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一
つは、厚みの異なる前記発光素子を有し、且つこの前記
発光素子の発光面の前記光学系に対する位置が他の前記
発光ダイオードのものと同じになるように構成されてい
ることを特徴とするものである。In order to achieve the above object, the light emitting diode array according to the invention of claim 1 supplies power to the light emitting element and the light emitting element having the light emitting element mounted on the tip thereof. At least one of the plurality of light emitting diodes in a light emitting diode array configured by juxtaposing a plurality of light emitting diodes each including a supply lead and an optical system for controlling a radiation direction of light emitted from the light emitting element. One is characterized in that it has the light emitting elements having different thicknesses, and the position of the light emitting surface of the light emitting element with respect to the optical system is the same as that of the other light emitting diodes. It is a thing.
【０００７】請求項２記載の発明の発光ダイオード配列
体は、請求項１記載の発明において、前記複数の発光ダ
イオードの少なくとも一つに、前記発光素子と前記リー
ドとの間にスペーサを介在させることにより、前記発光
素子の発光面の前記光学系に対する位置を他の前記発光
ダイオードのものと同じにしたことを特徴とするもので
ある。According to a second aspect of the present invention, in the light emitting diode array according to the first aspect, a spacer is interposed between at least one of the plurality of light emitting diodes and the light emitting element and the lead. Thus, the position of the light emitting surface of the light emitting element with respect to the optical system is made the same as that of the other light emitting diode.
【０００８】請求項３記載の発明の発光ダイオード配列
体は、請求項１記載の発明において、前記複数の発光ダ
イオードの少なくとも一つに、肉厚が異なる前記リード
を用いることにより、前記発光素子の発光面の前記光学
系に対する位置を他の前記発光ダイオードのものと同じ
にしたことを特徴とするものである。請求項４記載の発
明の発光ダイオード配列体は、請求項１，２又は３記載
の発明において、前記光学系は、前記発光素子の発光面
に対向するように設けられた、前記発光素子が発した光
を反射する反射面であることを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode array according to the first aspect, wherein at least one of the plurality of light emitting diodes uses the leads having different wall thicknesses. The position of the light emitting surface with respect to the optical system is the same as that of the other light emitting diodes. A light emitting diode array according to a fourth aspect of the present invention is the light emitting diode array according to the first, second or third aspect, wherein the optical system is provided so as to face a light emitting surface of the light emitting element. It is characterized in that it is a reflecting surface that reflects the generated light.
【０００９】請求項５記載の発明の発光ダイオードは、
発光面を同じ方向に向けて配置された、少なくとも一つ
は厚みが異なる複数の発光素子と、前記発光素子が先端
部に載置された、前記発光素子に電力を供給する複数の
リードと、前記複数の発光素子が発した光の放射方向を
制御するすり鉢状の光学系と、を具備する発光ダイオー
ドにおいて、前記複数の発光素子は、前記光学系の対称
軸に対して左右対称となるように、且つ、前記同一平面
に含まれるように配置されていることを特徴とするもの
である。A light emitting diode according to the invention of claim 5 is
At least one light-emitting element having a light-emitting surface oriented in the same direction, the light-emitting elements having different thicknesses, the light-emitting element mounted on the tip, a plurality of leads for supplying power to the light-emitting element, In a light emitting diode comprising a mortar-shaped optical system that controls the emission direction of the light emitted by the plurality of light emitting elements, the plurality of light emitting elements are symmetrical with respect to the axis of symmetry of the optical system. And is arranged so as to be included in the same plane.
【００１０】請求項６記載の発明は、発光面を同じ方向
に向けて線状に配列された、少なくとも一つは厚みが異
なる複数の発光素子と、前記発光素子が先端部に載置さ
れた、前記発光素子に電力を供給する複数のリードと、
前記複数の発光素子が発した光の放射方向を制御する柱
面状の光学系と、を具備する発光ダイオードにおいて、
前記複数の発光素子は、前記光学系の中心軸と平行にな
るように、且つ、発光面が同一平面上に位置するように
配列されていることを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, a plurality of light emitting elements are arranged linearly with their light emitting surfaces oriented in the same direction, at least one of which has a different thickness, and the light emitting elements are mounted on the tip portion. A plurality of leads for supplying power to the light emitting element,
In a light emitting diode comprising a columnar optical system for controlling a radiation direction of light emitted from the plurality of light emitting elements,
The plurality of light emitting elements are arranged so as to be parallel to the central axis of the optical system and have light emitting surfaces located on the same plane.
【００１１】請求項７記載の発明は、請求項５又は６記
載の発明において、前記複数の発光素子の少なくとも一
つとこれに対応する前記リードとの間に、スペーサを介
在させることにより、前記複数の発光素子の発光面が同
一平面上に位置するようにしたことを特徴とするもので
ある。請求項８記載の発明は、請求項５又は６記載の発
明において、前記複数のリードの少なくとも一つに肉厚
が異なるものを用いることにより、前記複数の発光素子
の発光面が同一平面上に位置するようにしたことを特徴
とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, in the fifth or sixth aspect of the invention, a spacer is interposed between at least one of the plurality of light emitting elements and the lead corresponding to the plurality of light emitting elements. The light emitting surface of the light emitting element is located on the same plane. The invention according to claim 8 is the invention according to claim 5 or 6, wherein at least one of the plurality of leads has a different thickness so that the light emitting surfaces of the plurality of light emitting elements are on the same plane. It is characterized by being positioned.
【００１２】請求項９記載の発明は、請求項５，６，７
又は８記載の発明において、前記光学系は、前記発光素
子の発光面に対向するように設けられた、前記発光素子
が発した光を反射する反射面であることを特徴とするも
のである。The invention according to claim 9 is the invention according to claim 5, 6, or 7.
Alternatively, in the invention described in Item 8, the optical system is a reflecting surface that is provided so as to face a light emitting surface of the light emitting element and that reflects light emitted by the light emitting element.
【００１３】[0013]
【作用】ここで、発光素子が発した光の放射方向を制御
する光学系とは、レンズ面又は反射面のことである。ま
た、すり鉢状の光学系とは、例えば回転楕円面を含む楕
円面等のものをいう。Here, the optical system for controlling the emission direction of the light emitted from the light emitting element is a lens surface or a reflecting surface. Further, the mortar-shaped optical system refers to, for example, an ellipsoidal surface including a spheroidal surface.
【００１４】柱面状の光学系とは、発光素子の配列方向
と平行になるように形成され、且つ、その断面形状が放
物線を含む楕円形状、又は発光素子から発し、反射面で
反射し、平面状の放射面で屈折た光が線状に集光する凹
面形状に形成されたものをいう。リードの肉厚が異なる
ようにするとは、板材の両面からケミカルエッチングを
施すことによりリードを作製する際に、一部のリードに
ついて片面にのみマスクを施すことにより、そのリード
の先端部の厚みを薄くすることや、板材をプレス加工し
てリードを作製する際に、一部のリードを押し潰してそ
のリードの先端部の厚みを薄くすることや、一部のリー
ドについて板材を重ね合わせてリードを作製することに
より、そのリードの先端部の厚みを厚くすることをい
う。The columnar optical system is formed so as to be parallel to the arrangement direction of the light emitting elements, and its cross-sectional shape is an elliptical shape including a parabola or emitted from the light emitting element and reflected by a reflecting surface. It is formed in a concave shape in which light refracted by a flat emission surface is linearly condensed. Making the thickness of the leads different means that when the leads are prepared by chemical etching from both sides of the plate material, a mask is applied to only one side of some of the leads to reduce the thickness of the tip of the leads. When thinning or pressing a plate material to make a lead, crush a part of the lead to reduce the thickness of the tip part of the lead, or overlap the plate material for a part of the lead To increase the thickness of the tip portion of the lead.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の第一実施形態に
ついて図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実
施形態である発光ダイオード配列体の概略正面図、図２
は図１に示す発光ダイオード配列体に用いる発光ダイオ
ードの配列を説明するための図、図３は図１に示す発光
ダイオード配列体に用いる赤色光及び黄緑色光を発する
発光ダイオードの概略正面図、図４は図３に示す発光ダ
イオードのＡ−Ａ矢視方向概略断面図、図５は図１に示
す発光ダイオード配列体に用いる青色光を発する発光ダ
イオードの概略断面図であり、図４に相当する図であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic front view of a light emitting diode array according to a first embodiment of the present invention, FIG.
1 is a diagram for explaining an array of light emitting diodes used in the light emitting diode array shown in FIG. 1, FIG. 3 is a schematic front view of a light emitting diode emitting red light and yellow green light used in the light emitting diode array shown in FIG. 1, 4 is a schematic sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 3 as seen in the direction of arrows AA, and FIG. 5 is a schematic sectional view of a light emitting diode that emits blue light used in the light emitting diode array shown in FIG. FIG.
【００１６】本発明の第一実施形態である発光ダイオー
ド配列体１は、図１に示すように、マトリックス状に配
列された発光ダイオード１０と、発光ダイオード１０を
収納するケース２０と、ケース２０内に充填された黒色
樹脂３０と、を備えて構成されている。発光ダイオード
１０は、図２に示すように、赤色系の光（Ｒ）の光を発
する発光ダイオード１０ａと、緑色系の光（Ｇ）を発す
る発光ダイオード１０ｂと、青色系の光（Ｂ）を発する
発光ダイオード１０ｃとを有する。As shown in FIG. 1, a light emitting diode array 1 according to a first embodiment of the present invention includes light emitting diodes 10 arranged in a matrix, a case 20 for housing the light emitting diodes 10, and a case 20. And a black resin 30 filled in. As shown in FIG. 2, the light emitting diode 10 emits a red light (R), a light emitting diode 10a, a green light (G), a light emitting diode 10b, and a blue light (B). Emitting light emitting diode 10c.
【００１７】発光ダイオード１０ａ，１０ｂは、図３及
び図４に示すように、発光素子１１と、発光素子１１に
電力を供給するリード１２ａ，１２ｂと、ワイヤ１３
と、光透過性材料１４と、発光素子１１の発光面に対向
するように設けられた凹面状の反射面１５と、発光素子
１１の背面側に設けられた平面状の放射面１６と、を備
えている。As shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting diodes 10a and 10b include a light emitting element 11, leads 12a and 12b for supplying electric power to the light emitting element 11, and a wire 13.
A light transmitting material 14, a concave reflecting surface 15 provided so as to face the light emitting surface of the light emitting element 11, and a flat emitting surface 16 provided on the back side of the light emitting element 11. I have it.
【００１８】発光素子１１は、発光ダイオード１０ａで
はＧａＡｌＡｓを用いた赤色光を発するものが、また発
光ダイオード１０ｂではＧａＰを用いた黄緑色光を発す
るものが用いられる。ＧａＡｌＡｓを用いた発光素子及
びＧａＰを用いた発光素子は、一般に市販されているも
のであり、両者とも約０．３ｍｍ3 の立方体形状に、す
なわち略同一の形状及び寸法に形成されている。また、
発光素子１１は、リード１２ａの先端部に載置され、ワ
イヤ１３によりリード１２ｂと電気的に接続されてい
る。光透過性材料１４は、発光素子１１と、リード１２
ａ，１２ｂの一部と、ワイヤ１３とを一体的に封止する
ようにモールド成形される。反射面１５と放射面１６
は、光透過性材料１４の表面に形成されている。反射面
１５は、モールド成形された光透過性材料１４の凸面に
鍍金、金属蒸着等により鏡面加工を施すことによって形
成される。As the light emitting element 11, a light emitting diode 10a that emits red light using GaAlAs and a light emitting diode 10b that emits yellow-green light using GaP are used. The light emitting element using GaAlAs and the light emitting element using GaP are generally commercially available, and both are formed in a cubic shape of about 0.3 mm 3 , that is, substantially the same shape and size. Also,
The light emitting element 11 is placed on the tip of the lead 12a, and is electrically connected to the lead 12b by the wire 13. The light transmissive material 14 includes the light emitting element 11 and the leads 12
It is molded so as to integrally seal a part of a and 12b and the wire 13. Reflective surface 15 and emitting surface 16
Are formed on the surface of the light transmissive material 14. The reflecting surface 15 is formed by subjecting the convex surface of the light-transmissive material 14 that has been molded to a mirror surface process by plating, metal deposition or the like.
【００１９】上記構成の発光ダイオード１０ａ，１０ｂ
は、発光素子１１が発した光の略全光束を反射面１５で
反射して光放射方向を制御し、その後、放射面１６から
外部に放射する。また、上記構成の発光ダイオード１０
ａ，１０ｂでは、用いる発光素子１１の形状及び寸法が
同じなので、同じ金型を用いて同じ配光特性を有するも
のを作製することができる。The light emitting diodes 10a and 10b having the above structure
Controls almost the entire luminous flux of the light emitted from the light emitting element 11 by the reflecting surface 15 to control the light emitting direction, and then emits the light from the emitting surface 16 to the outside. Further, the light emitting diode 10 having the above configuration
Since the shapes and dimensions of the light emitting elements 11 used in a and 10b are the same, those having the same light distribution characteristics can be manufactured using the same mold.
【００２０】発光ダイオード１０ｃが発光ダイオード１
０ａ，１０ｂと異なる点は、図５に示すように、発光素
子１１に代えて発光素子１１ａを用いたこと、および発
光素子１１ａとリード１２ａとの間にスペーサ１７を介
在させたことである。尚、発光素子１１ａは両電極が発
光面に形成されているので、発光素子１１ａとリード１
２ａ，１２ｂとはワイヤ１３により電気的に接続されて
いる。また、発光ダイオード１０ｃの概略正面図は、図
３に示す発光ダイオード１０ａ，１０ｂの概略正面図と
同様であるので省略する。The light emitting diode 10c is the light emitting diode 1.
The difference from 0a and 10b is that, as shown in FIG. 5, a light emitting element 11a is used instead of the light emitting element 11, and a spacer 17 is interposed between the light emitting element 11a and the lead 12a. Since both electrodes of the light emitting element 11a are formed on the light emitting surface, the light emitting element 11a and the lead 1 are
Wires 13 are electrically connected to 2a and 12b. The schematic front view of the light emitting diode 10c is the same as the schematic front view of the light emitting diodes 10a and 10b shown in FIG.
【００２１】発光素子１１ａには、ＧａＮを用いた高輝
度の青色光を発するものが用いられる。このＧａＮを用
いた発光素子は、最近になって開発されたものであり、
サファイア基板上にＰＮ接合が形成されたものである。
また、ＧａＮを用いた発光素子は、サファイアが高価で
あること、およびサファイア基板のダイシングが困難で
あることから、薄板状のサファイア基板が用いられてい
る。このため、発光素子の厚みが０．１〜０．２ｍｍ程
度しかなく、上記のＧａＡｌＡｓを用いた発光素子及び
ＧａＰを用いた発光素子に比べて薄い。スペーサ１７
は、発光素子１１ａの反射面１５に対する位置が発光ダ
イオード１０ａ，１０ｂにおける発光素子１１の反射面
１５に対する位置と同じになるように、すなわち発光素
子１１ａの厚みとスペーサ１７の厚みとの合計が発光素
子１１の厚みと等しくなるように形成されている。たと
えば、発光素子１１ａの厚みが０．２ｍｍで、発光素子
１１の厚みが０．３ｍｍの場合、スペーサ１７は、厚み
が０．１ｍｍとなるように形成される。尚、本実施形態
で用いるＧａＮの発光素子は、発光面側に両極の電極が
形成されているので、スペーサ１７に必ずしも導電性材
料を用いなくてもよい。The light emitting element 11a is made of GaN and emits blue light of high brightness. This light emitting device using GaN has been recently developed,
A PN junction is formed on a sapphire substrate.
A light emitting device using GaN uses a thin sapphire substrate because sapphire is expensive and dicing of the sapphire substrate is difficult. Therefore, the thickness of the light emitting element is only about 0.1 to 0.2 mm, which is thinner than the light emitting element using GaAlAs and the light emitting element using GaP. Spacer 17
Is so that the position of the light emitting element 11a with respect to the reflecting surface 15 is the same as the position of the light emitting diodes 10a and 10b with respect to the reflecting surface 15 of the light emitting diodes 10a, 10b, that is, the total thickness of the light emitting element 11a and the spacer 17 emits light. It is formed so as to have the same thickness as the element 11. For example, when the light emitting element 11a has a thickness of 0.2 mm and the light emitting element 11 has a thickness of 0.3 mm, the spacer 17 is formed to have a thickness of 0.1 mm. In the GaN light emitting element used in the present embodiment, since the electrodes of both electrodes are formed on the light emitting surface side, it is not always necessary to use a conductive material for the spacer 17.
【００２２】上記構成の発光ダイオード１０ｃは、発光
素子１１ａが発した光の略全光束を反射面１５で反射し
て光放射方向を制御し、その後、放射面１６から外部に
放射する。また、上記構成の発光ダイオード１０ｃで
は、発光素子１１ａの反射面１５に対する位置が発光ダ
イオード１０ａ，１０ｂにおける発光素子１１の反射面
１５に対する位置と同じになるように、発光素子１１ａ
とリード１２ａとの間にスペーサを介在させたことによ
り、発光ダイオード１０ａ，１０ｂを作製するのに用い
た金型と同じものを用いて発光ダイオード１０ａ，１０
ｂと同じ配光特性を有するものを作製することができ
る。The light emitting diode 10c having the above structure controls the light emitting direction by reflecting substantially the entire luminous flux of the light emitted by the light emitting element 11a on the reflecting surface 15, and then radiates it from the emitting surface 16 to the outside. Further, in the light emitting diode 10c having the above configuration, the light emitting element 11a is arranged so that the position of the light emitting element 11a with respect to the reflecting surface 15 is the same as the position of the light emitting diode 10a, 10b with respect to the reflecting surface 15 of the light emitting element 11a.
Since the spacer is interposed between the light emitting diode 10a and the lead 12a, the light emitting diode 10a, 10b can be manufactured using the same mold as that used for manufacturing the light emitting diode 10a, 10b.
Those having the same light distribution characteristics as b can be manufactured.
【００２３】上記構成の発光ダイオード配列体１は、各
発光ダイオード１０ａ〜１０ｃに供給する電力を制御し
て、赤色光、緑色光及び青色光の光量を調節することに
より、フルカラー表示を行うことができる。これによ
り、フルカラー表示装置として最適な発光ダイオード配
列体を提供することができる。尚、発光ダイオード１０
ａ，１０ｂ，１０ｃの配列順序は、図１に示すものに限
定されるものではないが、各発光ダイオード１０ａ，１
０ｂ，１０ｃが発する光が効率よく混色されるように配
列することが好ましい。また、ＧａＰを用いた発光素子
が発する緑色光の光量は、ＧａＡｌＡｓを用いた発光素
子が発する赤色光及びＧａＮを用いた発光素子が発する
青色光の光量に比べ少ないので、各色光の光量を均一に
するために、発光ダイオード１０ｂを発光ダイオード１
０ａ，１０ｃより多く配置することが好ましい。また、
各ＬＥＤを平面状に配列したものに限らず、特開平７−
９９３４３号のように、各ＬＥＤの中心軸が縦方向に一
致するように配列したものでもよい。The light emitting diode array 1 having the above-described structure can perform full color display by controlling the power supplied to each of the light emitting diodes 10a to 10c and adjusting the light amounts of red light, green light and blue light. it can. This makes it possible to provide a light emitting diode array that is most suitable for a full-color display device. The light emitting diode 10
The arrangement order of a, 10b, and 10c is not limited to that shown in FIG.
It is preferable to arrange so that the lights emitted from 0b and 10c are mixed efficiently. In addition, since the amount of green light emitted from the light emitting element using GaP is smaller than the amount of red light emitted from the light emitting element using GaAlAs and the amount of blue light emitted from the light emitting element using GaN, the light intensity of each color light is uniform. In order to make the light emitting diode 10b
It is preferable to arrange more than 0a and 10c. Also,
The LEDs are not limited to those in which the LEDs are arranged in a plane,
As in No. 99343, the LEDs may be arranged so that the central axes of the LEDs coincide with each other in the vertical direction.
【００２４】本発明の第一実施形態によれば、発光ダイ
オード１０ｃにおける発光素子１１ａの反射面１５に対
する位置が発光ダイオード１０ａ，１０ｂにおける発光
素子１１の反射面１５に対する位置と同じになるよう
に、発光素子１１ａとリード１２ａとの間にスペーサを
介在させたことにより、発光ダイオード１０ａ，１０
ｂ，１０ｃは同じ配光特性を有する。したがって、視野
範囲内での色バランスを均一にすることができる。According to the first embodiment of the present invention, the position of the light emitting element 11a of the light emitting diode 10c with respect to the reflecting surface 15 is the same as the position of the light emitting diode 10a, 10b of the light emitting element 11 with respect to the reflecting surface 15. Since the spacer is interposed between the light emitting element 11a and the lead 12a, the light emitting diodes 10a, 10
b and 10c have the same light distribution characteristics. Therefore, the color balance can be made uniform within the visual field range.
【００２５】尚、上記の第一実施形態では、発光ダイオ
ード１０ｃにおける発光素子１１ａの反射面１５に対す
る位置を発光ダイオード１０ａ，１０ｂにおける発光素
子１１の反射面１５に対する位置と同じにするために、
発光素子１１ａとリード１２ａとの間にスペーサを介在
させたものについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。本発明は、リード１２ａの先端部の
肉厚を調節することにより、発光素子１１ａの反射面１
５に対する位置を発光素子１１の反射面１５に対する位
置と同じにしてもよい。In the above first embodiment, in order to make the position of the light emitting element 11a of the light emitting diode 10c with respect to the reflecting surface 15 the same as the position of the light emitting diode 10a, 10b of the light emitting element 11 with respect to the reflecting surface 15,
Although the one in which the spacer is interposed between the light emitting element 11a and the lead 12a has been described, the present invention is not limited to this. According to the present invention, the reflection surface 1 of the light emitting element 11a is adjusted by adjusting the thickness of the tip of the lead 12a.
The position with respect to 5 may be the same as the position with respect to the reflecting surface 15 of the light emitting element 11.
【００２６】図６は本実施形態の変形例を説明するため
の図であり、図６（ａ）は先端部にＧａＡｌＡｓの発光
素子（Ｒ）が載置されたリードの概略正面図及び概略底
面図、図６（ｂ）は先端部にＧａＰの発光素子（Ｇ）が
載置されたリードの概略正面図及び概略底面図、図６
（ｃ）は先端部にＧａＮの発光素子（Ｂ）が載置された
リードの概略正面図及び概略底面図である。たとえば、
板材の両面をケミカルエッチングしてリードを作製する
場合、マスクを両面に施すか又は片面にのみ施すかによ
り、リードの厚みを調節することができる。すなわち、
両面にマスクを施したときは、その部分はエッチングさ
れないので、リードの厚みを板材の厚みとすることがで
きる。また、片面にのみマスクを施したときは、その部
分は片面のみエッチングされる（ハーフエッチング）の
で、リードの厚みを板材の厚みより薄くすることができ
る。また、たとえば、板材をプレス加工してリードを作
製する場合、板材を押しつぶすことにより、リードの厚
みを調節することができる。これ等により、図６（ａ）
〜（ｃ）に示すように、ＧａＡｌＡｓの発光素子を載置
するリード及びＧａＰの発光素子を載置するリードの先
端部をＧａＮの発光素子を載置するリードの先端部より
薄くして、各発光素子の反射面に対する位置を同じにす
ることができる。FIG. 6 is a view for explaining a modified example of this embodiment, and FIG. 6A is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a light emitting element (R) of GaAlAs mounted on the tip thereof. FIG. 6B is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a GaP light emitting element (G) mounted on the tip thereof.
(C) is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead on which a GaN light emitting element (B) is mounted at its tip. For example,
When the leads are produced by chemical etching on both sides of the plate material, the thickness of the leads can be adjusted by applying the mask to both sides or only to one side. That is,
When both surfaces are masked, that portion is not etched, so the thickness of the lead can be the thickness of the plate material. Further, when the mask is applied to only one surface, that portion is etched only on one surface (half etching), so that the thickness of the lead can be made thinner than the thickness of the plate material. Further, for example, when a lead is produced by pressing a plate material, the thickness of the lead can be adjusted by crushing the plate material. As a result, as shown in FIG.
As shown in (c), the tip of the lead on which the light emitting element of GaAlAs and the tip of the lead on which the light emitting element of GaP are placed are made thinner than the tips of the leads on which the GaN light emitting element is placed. The positions of the light emitting elements with respect to the reflection surface can be the same.
【００２７】また、図７は本実施形態の他の変形例を説
明するための図であり、図７（ａ）は先端部にＧａＡｌ
Ａｓの発光素子（Ｒ）が載置されたリードの概略正面図
及び概略底面図、図７（ｂ）は先端部にＧａＰの発光素
子（Ｇ）が載置されたリードの概略正面図及び概略底面
図、図７（ｃ）は先端部にＧａＮの発光素子（Ｂ）が載
置されたリードの概略正面図及び概略底面図である。図
７に示す変形例では、板材を重ね合わせてリードを作製
することによりリードの厚みを調節している。すなわ
ち、板材を２枚重ね合わせてＧａＮの発光素子を載置す
るリードを作製し、１枚の板材からＧａＡｌＡｓの発光
素子を載置するリード及びＧａＰの発光素子を載置する
リードを作製することにより、ＧａＮの発光素子を載置
するリードの先端部をＧａＡｌＡｓの発光素子を載置す
るリード及びＧａＰの発光素子を載置するリードの先端
部より厚くして、各発光素子の反射面に対する位置を同
じにしている。FIG. 7 is a diagram for explaining another modification of the present embodiment, and FIG. 7A shows GaAl at the tip.
7B is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead on which a light emitting element (R) of As is mounted, and FIG. 7B is a schematic front view and a schematic view of a lead on which a light emitting element (G) of GaP is mounted on the tip. A bottom view and FIG. 7C are a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a GaN light emitting element (B) mounted on its tip. In the modification shown in FIG. 7, the thickness of the lead is adjusted by stacking plate materials to produce a lead. That is, two sheets are stacked to form a lead for mounting a GaN light emitting element, and one sheet is used to produce a lead for mounting a GaAlAs light emitting element and a lead for mounting a GaP light emitting element. Thus, the tips of the leads on which the GaN light emitting elements are mounted are made thicker than the tips of the leads on which the GaAlAs light emitting elements and the GaP light emitting elements are mounted, and the positions of the respective light emitting elements with respect to the reflecting surface are increased. Are the same.
【００２８】次に、本発明の第二実施形態について図面
を参照して説明する。図８は本発明の第二実施形態であ
る発光ダイオード配列体の概略正面図、図９は図８に示
す発光ダイオード配列体に用いる発光ダイオードの配列
を説明するための図、図１０は図８に示す発光ダイオー
ド配列体に用いる第一発光ダイオードの概略正面図、図
１１は図１０に示す第一発光ダイオードのＢ−Ｂ矢視方
向概略断面図、図１２は図８に示す発光ダイオード配列
体に用いる第二発光ダイオードの概略断面図であり、図
１１に相当する図である。尚、第二実施形態において、
第一実施形態のものと同一の機能を有するものには、同
一の符号又は対応する符号を付すことにより、その詳細
な説明を省略する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 8 is a schematic front view of a light emitting diode array according to a second embodiment of the present invention, FIG. 9 is a diagram for explaining an array of light emitting diodes used in the light emitting diode array shown in FIG. 8, and FIG. FIG. 11 is a schematic front view of the first light emitting diode used in the light emitting diode array shown in FIG. 11, FIG. 11 is a schematic sectional view of the first light emitting diode shown in FIG. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a second light emitting diode used in, and is a view corresponding to FIG. 11. Incidentally, in the second embodiment,
Components having the same functions as those of the first embodiment are designated by the same or corresponding symbols, and detailed description thereof will be omitted.
【００２９】本発明の第二実施形態である発光ダイオー
ド配列体４は、図８に示すように、マトリックス状に配
列された発光ダイオード４０と、発光ダイオード４０を
収納するケース２０と、ケース２０内に充填された黒色
樹脂３０と、を備えて構成されている。発光ダイオード
４０は、図１１に示すように、赤色系の光（Ｒ）及び青
色系の光（Ｂ）を発する第一発光ダイオード４０ａと、
緑色系の光（Ｇ）を発する第二発光ダイオード４０ｂと
を有する。図示していないが、第一発光ダイオード４０
ａ及び第二発光ダイオード４０ｂは、互いに独立して点
灯することができるように電気的に接続されている。As shown in FIG. 8, a light emitting diode array 4 according to a second embodiment of the present invention has a matrix of light emitting diodes 40, a case 20 for housing the light emitting diodes 40, and a case 20. And a black resin 30 filled in. As shown in FIG. 11, the light emitting diode 40 includes a first light emitting diode 40a that emits red light (R) and blue light (B),
The second light emitting diode 40b that emits greenish light (G). Although not shown, the first light emitting diode 40
The a and the second light emitting diode 40b are electrically connected so that they can be turned on independently of each other.
【００３０】第一発光ダイオード４０ａは、図１０及び
図１１に示すように、発光素子４１ａ，発光素子４１ｂ
と、発光素子４１ａ，４１ｂに電力を供給するリード４
２ａ，４２ｂ，４２ｃと、ワイヤ４３ａ，４３ｂと、光
透過性材料４４と、発光素子４１ａ，４１ｂの発光面に
対向するように設けられた軸対称な凹面状の反射面４５
と、発光素子４１ａ，４１ｂの背面側に設けられた平面
状の放射面４６とを有する。As shown in FIGS. 10 and 11, the first light emitting diode 40a includes a light emitting element 41a and a light emitting element 41b.
And a lead 4 for supplying electric power to the light emitting elements 41a and 41b.
2a, 42b, 42c, wires 43a, 43b, light transmissive material 44, and an axially symmetric concave reflecting surface 45 provided so as to face the light emitting surfaces of the light emitting elements 41a, 41b.
And a planar radiation surface 46 provided on the back side of the light emitting elements 41a and 41b.
【００３１】発光素子４１ａにはＧａＡｌＡｓを用いた
赤色光を発するものが、また発光素子４１ｂにはＧａＮ
を用いた青色光を発するものが用いられる。発光素子４
１ａ及び発光素子４１ｂは、反射面４５の中心軸に対し
て水平方向に左右対称となるように配置されている。発
光素子４１ａは、リード１２ａの先端部に載置され、ワ
イヤ４３ａによりリード４２ｃと電気的に接続されてい
る。また、発光素子４１ｂは、リード４２ｂの先端部に
スペーサ４７を介して載置され、ワイヤによりリード４
２ｂ，４２ｃと電気的に接続されている。上述したよう
に、ＧａＡｌＡｓを用いた発光素子は約０．３ｍｍの厚
みに形成されており、またＧａＮを用いた発光素子は、
０．１〜０．２ｍｍの厚みに形成されている。そこで、
本実施形態では、発光素子４１ｂとリード４２ｂとの間
にスペーサ４７を介在させることにより、発光素子４１
ａの発光面と発光素子４１ｂの発光面とが同一平面上に
位置するように調節している。リード４２ａ，４２ｂ
は、発光素子４１ａ，４１ｂを互いに独立して点灯する
ことができるように接続されている。光透過性材料４４
は、発光素子４１ａ，４１ｂと、リード４２ａ，４２
ｂ，４２ｃの一部と、ワイヤ４３ａ，４３ｂとを一体的
に封止するようにモールド成形される。反射面１５と放
射面１６は、光透過性材料１４の表面に形成されてい
る。反射面４５は、モールド成形された光透過性材料４
４の凸面に鍍金、金属蒸着等により鏡面加工を施すこと
によって形成される。The light emitting element 41a emits red light using GaAlAs, and the light emitting element 41b contains GaN.
The one that emits blue light is used. Light emitting element 4
1a and the light emitting element 41b are arranged so as to be horizontally symmetrical with respect to the central axis of the reflecting surface 45. The light emitting element 41a is placed on the tip of the lead 12a and electrically connected to the lead 42c by a wire 43a. The light emitting element 41b is placed on the tip of the lead 42b via the spacer 47, and the lead 4b is attached by a wire.
2b and 42c are electrically connected. As described above, the light emitting device using GaAlAs is formed to have a thickness of about 0.3 mm, and the light emitting device using GaN is
It is formed to a thickness of 0.1 to 0.2 mm. Therefore,
In the present embodiment, the spacer 47 is interposed between the light emitting element 41b and the lead 42b, so that the light emitting element 41
It is adjusted so that the light emitting surface of a and the light emitting surface of the light emitting element 41b are located on the same plane. Leads 42a, 42b
Are connected so that the light emitting elements 41a and 41b can be turned on independently of each other. Light transmissive material 44
Are the light emitting elements 41a and 41b and the leads 42a and 42
A part of b, 42c and the wires 43a, 43b are molded so as to be integrally sealed. The reflecting surface 15 and the emitting surface 16 are formed on the surface of the light transmissive material 14. The reflecting surface 45 is formed by molding the light-transmitting material 4
It is formed by subjecting the convex surface of No. 4 to mirror finishing by plating, metal deposition, or the like.
【００３２】上記構成の第一発光ダイオード４０ａは、
発光素子４１ａが発した赤色光及び発光素子４１ｂが発
した青色光の略全光束を反射面４５で反射して光放射方
向を制御し、その後、放射面４６から外部に放射する。
また、上記構成の第一発光ダイオード４０ａでは、発光
素子４１ａ及び発光素子４１ｂを反射面４５の中心軸に
対して左右対称となる配置すると共に、発光素子４１ｂ
とリード４２ｂとの間にスペーサ４７を介在させること
により、発光素子４１ａの発光面と発光素子４１ｂの発
光面とが同一平面上に位置するように調節しているの
で、発光素子４１ａが発した赤色光及び発光素子４１ｂ
が発した青色光を左右対称な配光特性で外部に放射する
ことができる。The first light emitting diode 40a having the above structure is
The red light emitted from the light emitting element 41a and the blue light emitted from the light emitting element 41b are reflected by the reflection surface 45 to control the light emission direction, and thereafter emitted from the emission surface 46 to the outside.
In the first light emitting diode 40a having the above structure, the light emitting element 41a and the light emitting element 41b are arranged symmetrically with respect to the central axis of the reflecting surface 45, and the light emitting element 41b is provided.
Since the spacer 47 is interposed between the light emitting element 41a and the lead 42b, the light emitting surface of the light emitting element 41a and the light emitting surface of the light emitting element 41b are adjusted to be on the same plane. Red light and light emitting element 41b
The blue light emitted by can be emitted to the outside with a symmetrical light distribution characteristic.
【００３３】第二発光ダイオード４０ｂが第一発光ダイ
オード４０ａと異なる点は、図１２に示すように、発光
素子４１ａ，４１ｂに代えて発光素子４１ｃ，４１ｃを
用いたこと、および発光素子４１ｂとリード４２ｂとの
間に介在させたスペーサ４７を取り除いたことである。
尚、第二発光ダイオード４０ｂの概略正面図は、図１０
に示す発光ダイオード４０ａの概略正面図と同様である
ので省略する。The second light emitting diode 40b is different from the first light emitting diode 40a in that the light emitting elements 41c and 41c are used in place of the light emitting elements 41a and 41b as shown in FIG. This is to remove the spacer 47 interposed between the spacer 42 and 42b.
The schematic front view of the second light emitting diode 40b is shown in FIG.
Since it is the same as the schematic front view of the light emitting diode 40a shown in FIG.
【００３４】発光素子４１ｃには、ＧａＰを用いた黄緑
色光を発するものが用いられる。このＧａＰを用いた発
光素子は、上述したように、ＧａＡｌＡｓを用いた赤色
光を発する発光素子と略同一の形状及び寸法に形成され
ている。上記構成の第二発光ダイオード４０ｂは、発光
素子４１ｃ，４１ｃが発した光の略全光束を反射面４５
で反射して光放射方向を制御し、その後、放射面４６か
ら外部に放射する。また、上記構成の第二発光ダイオー
ド４０ｂでは、発光素子４１ｃの形状及び寸法が発光素
子４１ａと同じなので、第一発光ダイオード４０ａを作
製するのに用いた金型と同じ金型を用いて、第一発光ダ
イオード４０ａと同じ配光特性を有するものを作製する
ことができる。As the light emitting element 41c, an element which emits yellow-green light using GaP is used. As described above, the light emitting element using GaP is formed to have substantially the same shape and size as the light emitting element that emits red light using GaAlAs. The second light emitting diode 40b having the above-described configuration reflects almost all luminous fluxes of light emitted by the light emitting elements 41c, 41c on the reflecting surface 45.
The light is emitted from the emitting surface 46 to the outside by controlling the light emission direction by being reflected by. Further, in the second light emitting diode 40b having the above-described configuration, the shape and size of the light emitting element 41c are the same as those of the light emitting element 41a. Therefore, using the same mold as that used for manufacturing the first light emitting diode 40a, A light emitting diode having the same light distribution characteristics as the light emitting diode 40a can be manufactured.
【００３５】上記構成の発光ダイオード配列体２は、発
光ダイオード４０に供給する電力を制御して、赤色光、
緑色光及び青色光の光量を調節することにより、フルカ
ラー表示を行うことができる。これにより、フルカラー
表示装置として最適な発光ダイオード配列体を提供する
ことができる。尚、発光ダイオード４０の配列順序は、
図９に示すものに限定されるものではないが、各発光素
子の発光出力を考慮して、第一発光ダイオード４０ａ及
び第二発光ダイオード４０ｂが発する光が効率よく混色
されるように配列することが好ましい。但し、赤色光の
配光特性と青色光の配光特性とが等しくなるようにする
ために、第一発光ダイオード４０ａは、各々の反射面４
５の中心軸に対して右側に配置された発光素子４１ａの
総数及び発光素子４１ｂの総数と、左側に配置された発
光素子４１ａの総数及び発光素子４１ｂの総数とが、そ
れぞれ等しくなるように配置する必要がある。The light emitting diode array 2 having the above structure controls the electric power supplied to the light emitting diode 40 to generate red light,
Full-color display can be performed by adjusting the amounts of green light and blue light. This makes it possible to provide a light emitting diode array that is most suitable for a full-color display device. The arrangement order of the light emitting diodes 40 is as follows.
Although not limited to that shown in FIG. 9, in consideration of the light emission output of each light emitting element, the light emitted from the first light emitting diode 40a and the light emitted from the second light emitting diode 40b should be arranged so as to efficiently mix colors. Is preferred. However, in order to make the light distribution characteristic of red light and the light distribution characteristic of blue light equal, the first light emitting diode 40a includes each reflection surface 4a.
5 are arranged so that the total number of the light emitting elements 41a and the light emitting elements 41b arranged on the right side with respect to the central axis of 5 and the total number of the light emitting elements 41a and the light emitting elements 41b arranged on the left side are equal to each other. There is a need to.
【００３６】本発明の第二実施形態によれば、発光素子
４１ａ及び発光素子４１ｂを反射面４５の中心軸に対し
て左右対称となるように配置すると共に、発光素子４１
ｂとリード４２ｂとの間にスペーサ４７を介在させるこ
とにより、発光素子４１ａの発光面と発光素子４１ｂの
発光面とが同一平面上に位置するように調節した第一発
光ダイオード４０ａを用いることにより、赤色光及び青
色光を左右対称な配光特性で外部に放射することができ
る。また、上記構成の第一発光ダイオード４０ａを各々
の反射面４５の中心軸に対して右側に配置された発光素
子４１ａの総数及び発光素子４１ｂの総数と、左側に配
置された発光素子４１ａの総数及び発光素子４１ｂの総
数とが、それぞれ等しくなるように配置することによ
り、赤色光及び青色光を同じ配光特性で放射することが
できる。また、第二発光ダイオード４０ｂに用いる発光
素子４１ｃに第一発光ダイオード４０ａに用いた発光素
子４１ａと略同一の形状及び寸法を有するＧａＰの発光
素子を用いることにより、第一発光ダイオード４０ａを
作製するのに用いた金型と同じ金型を用いて、第一発光
ダイオード４０ａと同じ配光特性を有するものを作製す
ることができる。したがって、発光ダイオード配列体２
の視野範囲内での色バランスを均一にすることができ
る。According to the second embodiment of the present invention, the light emitting element 41a and the light emitting element 41b are arranged so as to be bilaterally symmetrical with respect to the central axis of the reflecting surface 45, and at the same time, the light emitting element 41 is arranged.
By using the first light emitting diode 40a adjusted so that the light emitting surface of the light emitting element 41a and the light emitting surface of the light emitting element 41b are located on the same plane by interposing the spacer 47 between the b and the lead 42b. The red light and the blue light can be emitted to the outside with symmetrical light distribution characteristics. In addition, the total number of the light emitting elements 41a and the total number of the light emitting elements 41b arranged on the right side with respect to the central axis of each reflection surface 45, and the total number of the light emitting elements 41a arranged on the left side of the first light emitting diode 40a having the above configuration. By arranging so that the total number of light emitting elements 41b and the total number of light emitting elements 41b are equal to each other, red light and blue light can be emitted with the same light distribution characteristics. Further, the first light emitting diode 40a is manufactured by using a GaP light emitting element having substantially the same shape and dimensions as the light emitting element 41a used for the first light emitting diode 40a for the light emitting element 41c used for the second light emitting diode 40b. A mold having the same light distribution characteristics as the first light emitting diode 40a can be manufactured by using the same mold as that used for the above. Therefore, the light emitting diode array 2
It is possible to make the color balance uniform within the visual field range.
【００３７】尚、上記の第二実施形態では、第一発光ダ
イオード４０ａの発光素子４１ａ及び発光素子４１ｂ
を、発光面が同一平面上に位置するように配置するため
に、発光素子４１ｂとリード４２ｂとの間にスペーサ４
７を介在させたものについて説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。本発明は、リード４２ａ又
はリード４２ｂの先端部の肉厚を調節することにより、
発光素子４１ａ及び発光素子４１ｂを、発光面が同一平
面上に位置するように配置してもよい。In the second embodiment, the light emitting element 41a and the light emitting element 41b of the first light emitting diode 40a are used.
In order to arrange the light emitting surface on the same plane, the spacer 4 is provided between the light emitting element 41b and the lead 42b.
However, the present invention is not limited to this. According to the present invention, by adjusting the wall thickness of the tips of the leads 42a or the leads 42b,
The light emitting element 41a and the light emitting element 41b may be arranged such that their light emitting surfaces are located on the same plane.
【００３８】たとえば、図６に示す第一実施形態の変形
例で説明したように、板材の両面をケミカルエッチング
してリードを作製する際や、板材をプレス加工してリー
ドを作製する際に、リードの厚みを調節して、発光素子
４１ａを載置するリード４２ａの先端部を発光素子４１
ｂを載置するリード４２ｂの先端部より薄くして、発光
素子４１ａ，４１ｂの発光面が同一平面上に位置するよ
うにしてもよい。For example, as described in the modification of the first embodiment shown in FIG. 6, when both sides of a plate material are chemically etched to produce leads, or when the plate material is pressed to produce leads, By adjusting the thickness of the lead, the tip portion of the lead 42a on which the light emitting element 41a is mounted is attached to the light emitting element 41.
It may be made thinner than the tip portion of the lead 42b on which b is placed, so that the light emitting surfaces of the light emitting elements 41a and 41b are located on the same plane.
【００３９】また、たとえば、図７に示す第一実施形態
の他の変形例で説明したように、板材を重ね合わせてリ
ードを作製することによりリードの厚みを調節して、発
光素子４１ｂを載置するリード４２ｂの先端部を発光素
子４１ａを載置するリード４２ａの先端部より厚くし
て、発光素子４１ａ，４１ｂの発光面が同一平面上に位
置するようにしてもよい。Further, for example, as described in another modification of the first embodiment shown in FIG. 7, the leads are manufactured by stacking the plate materials to adjust the thickness of the leads and mount the light emitting element 41b. The tip of the lead 42b to be placed may be thicker than the tip of the lead 42a to place the light emitting element 41a so that the light emitting surfaces of the light emitting elements 41a and 41b are located on the same plane.
【００４０】次に、本発明の第三実施形態について図面
を参照して説明する。図１３は本発明の一実施形態であ
る発光ダイオードの概略正面図、図１４は図１３に示す
発光ダイオードのＣ−Ｃ矢視方向概略断面図、図１５は
図１３に示す発光ダイオードのＤ−Ｄ矢視方向概略断面
図である。本発明の第三実施形態である発光ダイオード
５は、図１３乃至図１５に示すように、発光面を同じ方
向に向けて一列に配列された複数の発光素子５１と、複
数の発光素子５１に各々電力を供給する複数のリード５
２ａ，５２ｂと、光透過性材料５３と、複数の発光素子
５１の背面側に設けられた平面状の放射面２５と、複数
の発光素子５１の発光面に対向するように設けられた、
断面形状が放物線を含む楕円形状又は発光素子から発
し、反射面で反射し、平面状の放射面で屈折した光が線
状に集光する凹面形状等の柱面状の反射面５４と、複数
の発光素子５１の背面側に設けられた平面状の放射面２
５とを有する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 13 is a schematic front view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, FIG. 14 is a schematic sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 13 taken along the line C-C, and FIG. It is a schematic sectional drawing of the D arrow direction. As shown in FIGS. 13 to 15, the light emitting diode 5 according to the third embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting elements 51 arranged in a line with their light emitting surfaces facing the same direction, and a plurality of light emitting elements 51. A plurality of leads 5 each supplying power
2a and 52b, the light-transmissive material 53, the planar emission surface 25 provided on the back side of the plurality of light emitting elements 51, and the light emitting surfaces of the plurality of light emitting elements 51 are provided so as to face each other.
A columnar reflecting surface 54 such as a concave surface that collects linearly the light emitted from an elliptical shape including a parabola or a light emitting element, reflected by a reflecting surface, and refracted by a flat emitting surface; Plane emission surface 2 provided on the back side of the light emitting element 51 of
And 5.
【００４１】複数の発光素子５１は、柱面状の反射面５
４の中心軸と平行になるように配列されている。また、
複数の発光素子５１には、ＧａＡｌＡｓを用いた赤色光
を発する発光素子５１ａと、ＧａＰを用いた黄緑色光を
発する発光素子５１ｂと、ＧａＮを用いた青色光を発す
る発光素子５１ｃとが用いられる。発光素子５１ａ及び
発光素子５１ｂは、リード５２ａの先端部に載置され、
ワイヤ（不図示）により対応するリード５２ｂと電気的
に接続されている。また、発光素子５１ｃは、リード５
２ａの先端部にスペーサ５７を介して載置され、ワイヤ
（不図示）により対応するリード５２ａ，５２ｂと電気
的に接続されている。上述したように、ＧａＡｌＡｓを
用いた発光素子及びＧａＰを用いた発光素子は約０．３
ｍｍの厚みに形成されており、またＧａＮを用いた発光
素子は、０．１〜０．２ｍｍの厚みに形成されている。
そこで、本実施形態では、発光素子５１ｃとリード５２
ａとの間にスペーサ５７を介在させることにより、各発
光素子５１ａ〜５１ｃの発光面が同一平面上に位置する
ように調節している。光透過性材料５３は、発光素子５
１と、リード５２ａ，５２ｂの一部とを一体的に封止す
るようにモールド成形される。反射面５４と放射面５５
とは、光透過性材料５３の表面に形成されている。反射
面５４は、光透過性材料５３の表面に鍍金、金属蒸着等
により鏡面加工を施すことによって形成される。The plurality of light emitting elements 51 have a cylindrical reflecting surface 5
4 are arranged so as to be parallel to the central axis. Also,
As the plurality of light emitting elements 51, a light emitting element 51a that emits red light using GaAlAs, a light emitting element 51b that emits yellow-green light using GaP, and a light emitting element 51c that emits blue light using GaN are used. . The light emitting element 51a and the light emitting element 51b are mounted on the tips of the leads 52a,
It is electrically connected to the corresponding lead 52b by a wire (not shown). In addition, the light emitting element 51c includes the lead 5
It is placed on the tip of 2a via a spacer 57 and is electrically connected to the corresponding leads 52a, 52b by wires (not shown). As described above, the light emitting element using GaAlAs and the light emitting element using GaP are about 0.3.
The light emitting element using GaN has a thickness of 0.1 to 0.2 mm.
Therefore, in the present embodiment, the light emitting element 51c and the lead 52 are
By interposing a spacer 57 between a and a, the light emitting surfaces of the light emitting elements 51a to 51c are adjusted to be located on the same plane. The light transmissive material 53 is used as the light emitting element 5.
1 and a part of the leads 52a and 52b are integrally molded. Reflecting surface 54 and emitting surface 55
Are formed on the surface of the light transmissive material 53. The reflecting surface 54 is formed by subjecting the surface of the light transmissive material 53 to mirror finishing by plating, metal deposition or the like.
【００４２】上記構成の発光ダイオード５は、複数の発
光素子５１が発した光を柱面状の反射面５４で反射した
後、放射面５５から前方に放射する。ここで、放射面５
５から放射された光は、放射方向が反射面５４によって
制御され、所定位置において細い線幅の線状に集光され
る。これにより、カラー感光材料の露光用光源やカラー
複写機の読取り用光源として最適な発光ダイオードを提
供することができる。尚、発光素子５１ａ〜５１ｃの配
列順序は、図１５に示すものに限定されるものではない
が、各発光素子が発する光のバランスを考慮して配置す
ることが好ましい。また、ＧａＰを用いた発光素子が発
する緑色光の光量は、ＧａＡｌＡｓを用いた発光素子が
発する赤色光及びＧａＮを用いた発光素子が発する青色
光の光量に比べ少ないので、各色光の光量を均一にする
ために、発光素子５１ｂを発光素子５１ａ，５１ｃより
多く配置することが好ましい。In the light emitting diode 5 having the above structure, the light emitted from the plurality of light emitting elements 51 is reflected by the cylindrical reflecting surface 54 and then emitted from the emitting surface 55 forward. Here, radiation surface 5
The emission direction of the light emitted from the optical fiber 5 is controlled by the reflecting surface 54, and the light is condensed into a linear shape having a narrow line width at a predetermined position. This makes it possible to provide a light emitting diode which is optimal as a light source for exposing a color light-sensitive material or a light source for reading a color copying machine. Although the order of arranging the light emitting elements 51a to 51c is not limited to that shown in FIG. 15, it is preferable to arrange the light emitting elements 51a to 51c in consideration of the balance of light emitted by each light emitting element. In addition, since the amount of green light emitted from the light emitting element using GaP is smaller than the amount of red light emitted from the light emitting element using GaAlAs and the amount of blue light emitted from the light emitting element using GaN, the light intensity of each color light is uniform. Therefore, it is preferable to dispose more light emitting elements 51b than light emitting elements 51a and 51c.
【００４３】本発明の第三実施形態によれば、発光素子
５１ａ〜５１ｃを反射面５４の中心軸と平行になるよう
に配置すると共に、発光素子５１ｃとリード５２ａとの
間にスペーサ５７を介在させることにより、発光素子５
１ａ〜５１ｃの発光面が同一平面上に位置するように調
節しているので、発光素子５１ａが発した赤色光、発光
素子５１ｂが発した黄緑色光、および発光素子５１ｃが
発した青色光を同じ配光特性で外部に放射し、被照射部
に同じ効率で集光することができる。According to the third embodiment of the present invention, the light emitting elements 51a to 51c are arranged so as to be parallel to the central axis of the reflecting surface 54, and the spacer 57 is interposed between the light emitting element 51c and the lead 52a. By making the light emitting element 5
Since the light emitting surfaces of 1a to 51c are adjusted so as to be located on the same plane, the red light emitted by the light emitting element 51a, the yellow green light emitted by the light emitting element 51b, and the blue light emitted by the light emitting element 51c are adjusted. It can be emitted to the outside with the same light distribution characteristic and can be condensed on the irradiated portion with the same efficiency.
【００４４】尚、発光素子５１ｃをリード５２ａの先端
部に直接載置した場合、発光素子５１ｃの反射面５４に
対する位置が発光素子５１ａ，５１ｂの反射面５４に対
する位置より遠くなるので、発光素子５１ｃが発する青
色光を、発光素子５１ａが発する赤色光及び発光素子５
１ｂが発する黄緑色光の集光点で集光させることができ
ない。このため、青色光の照射密度を十分に確保するこ
とができない。また、青色光の照射密度を上げるため、
発光素子５１ｃに供給する電力を増加させると、発光素
子５１ｃの発熱量が増加する。When the light emitting element 51c is directly mounted on the tip portion of the lead 52a, the position of the light emitting element 51c with respect to the reflecting surface 54 becomes farther than the position of the light emitting elements 51a and 51b with respect to the reflecting surface 54, and therefore the light emitting element 51c. The blue light emitted by the red light emitted by the light emitting element 51a and the light emitting element 5
It cannot be condensed at the condensing point of the yellow-green light emitted by 1b. Therefore, the irradiation density of blue light cannot be sufficiently secured. In addition, in order to increase the irradiation density of blue light,
When the power supplied to the light emitting element 51c is increased, the amount of heat generated by the light emitting element 51c increases.
【００４５】上記の第三実施形態では、発光素子５１ａ
〜５１ｃの発光面が同一平面上に位置するように配列す
るために、発光素子５１ｃとリード５２ａとの間にスペ
ーサ５７を介在させたものについて説明したが、本発明
はこれに限定されるものではない。本発明は、リード５
２ａの先端部の肉厚を調節することにより、発光素子５
１ａ〜５１ｃの発光面が同一平面上に位置するように配
列してもよい。In the third embodiment, the light emitting element 51a is used.
Although the spacer 57 is interposed between the light emitting element 51c and the lead 52a in order to arrange the light emitting surfaces of the light emitting elements 51c to 51c on the same plane, the present invention is not limited to this. is not. The present invention uses the lead 5
By adjusting the thickness of the tip of 2a, the light emitting element 5
You may arrange so that the light emission surface of 1a-51c may be located on the same plane.
【００４６】たとえば、図６に示す第一実施形態の変形
例で説明したように、板材の両面をケミカルエッチング
してリードを作製する際や、板材をプレス加工してリー
ドを作製する際に、リードの厚みを調節して、発光素子
５１ｃを載置するリード５２ａの先端部を発光素子５１
ａ及び発光素子５１ｂを載置するリード５２ａの先端部
より薄くして、発光素子５１ａ〜５１ｃの発光面が同一
平面上に位置するようにしてもよい。For example, as described in the modified example of the first embodiment shown in FIG. 6, when both sides of the plate material are chemically etched to produce leads, or when the plate material is pressed to produce leads. The thickness of the lead is adjusted so that the tip of the lead 52a on which the light emitting element 51c is mounted is attached to the light emitting element 51.
The light emitting surface of the light emitting elements 51a to 51c may be located on the same plane by making it thinner than the tip portion of the lead 52a on which the a and the light emitting element 51b are mounted.
【００４７】また、たとえば、図７に示す第一実施形態
の他の変形例で説明したように、板材を重ね合わせてリ
ードを作製することによりリードの厚みを調節して、発
光素子５１ｃを載置するリード５２ａの先端部を発光素
子５１ａ及び発光素子５１ｂを載置するリード５２ａの
先端部より厚くして、発光素子５１ａ〜４１ｃの発光面
が同一平面上に位置するようにしてもよい。Further, for example, as described in another modified example of the first embodiment shown in FIG. 7, the leads are manufactured by stacking the plate materials to adjust the thickness of the leads and mount the light emitting element 51c. The tips of the leads 52a to be placed may be made thicker than the tips of the leads 52a on which the light emitting element 51a and the light emitting element 51b are placed so that the light emitting surfaces of the light emitting elements 51a to 41c are located on the same plane.
【００４８】本発明は上記の各実施形態に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能であ
る。たとえば、上記の各実施形態では、発光ダイオード
として、発光素子の発光面に対向するように反射面が設
けられた所謂反射型発光ダイオードを用いたものについ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、発光素子の発光面側にレンズ面が設けられた所謂レ
ンズ型発光ダイオードを用いたものでもよい。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but various modifications can be made within the scope of the gist thereof. For example, in each of the above-described embodiments, a so-called reflection type light emitting diode in which a reflecting surface is provided so as to face the light emitting surface of the light emitting element is used as the light emitting diode, but the present invention is not limited to this. Instead of this, a so-called lens type light emitting diode in which a lens surface is provided on the light emitting surface side of the light emitting element may be used.
【００４９】また、上記の各実施形態では、赤色光を発
するＧａＡｌＡｓの発光素子と、黄緑色光を発するＧａ
Ｐの発光素子と、青色光を発するＧａＮの発光素子とを
用いたものについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。本発明は、厚みの異なる発光素子を
用いる場合に、各発光素子の光学系に対する位置が同じ
になるようにしたものであればよい。In each of the above embodiments, a GaAlAs light-emitting element that emits red light and a Ga element that emits yellow-green light.
Although the one using the light emitting element of P and the light emitting element of GaN that emits blue light has been described, the present invention is not limited to this. In the present invention, when light emitting elements having different thicknesses are used, the positions of the respective light emitting elements with respect to the optical system may be the same.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、前記の構成によって、発光素子の光学系に
対する位置が同じになるように構成したことにより、厚
みの異なる発光素子を用いたときでも、各発光ダイオー
ドの配光特性を同じにすることができ、これにより、視
野範囲内での色バランスを均一にすることができる発光
ダイオード配列体を提供することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the light-emitting elements having different thicknesses are formed by the above-described structure so that the positions of the light-emitting elements with respect to the optical system are the same. Even when used, the light distribution characteristics of the respective light emitting diodes can be made to be the same, and thus, it is possible to provide the light emitting diode array which can make the color balance uniform within the visual field range.
【００５１】請求項９記載の発明によれば、前記の構成
によって、複数の発光素子を、光学系に対して軸対称と
なるように、且つ発光面が同一平面上に位置するように
配置したことにより、厚みの異なる発光素子を用いたと
きでも、各発光素子が発する光を軸対称の配光特性で外
部に放射することができる発光ダイオードを提供するこ
とができる。請求項１０記載の発明によれば、前記の構
成によって、複数の発光素子を、光学系の中心軸と平行
になるように、且つ発光面が同一平面上に位置するよう
に配列したことにより、厚みの異なる発光素子を用いた
ときでも、各発光素子が発する光を同じ配光特性で外部
に放射することができ、これにより、線状光の光照射密
度を均一にすることができる発光ダイオードを提供する
ことができる。According to the ninth aspect of the present invention, with the above structure, the plurality of light emitting elements are arranged so as to be axially symmetric with respect to the optical system, and the light emitting surfaces are located on the same plane. As a result, it is possible to provide a light emitting diode capable of radiating light emitted from each light emitting element to the outside with axially symmetrical light distribution characteristics even when light emitting elements having different thicknesses are used. According to the tenth aspect of the invention, with the above configuration, the plurality of light emitting elements are arranged so as to be parallel to the central axis of the optical system and the light emitting surfaces are located on the same plane. Even when light emitting elements having different thicknesses are used, the light emitted by each light emitting element can be radiated to the outside with the same light distribution characteristic, whereby the light irradiation density of linear light can be made uniform. Can be provided.
【図１】本発明の第一実施形態である発光ダイオード配
列体の概略正面図である。FIG. 1 is a schematic front view of a light emitting diode array according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す発光ダイオード配列体に用いる発光
ダイオードの配列を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining an array of light emitting diodes used in the light emitting diode array shown in FIG.
【図３】図１に示す発光ダイオード配列体に用いる赤色
光及び黄緑色光を発する発光ダイオードの概略正面図で
ある。FIG. 3 is a schematic front view of a light emitting diode that emits red light and yellow green light used in the light emitting diode array shown in FIG.
【図４】図３に示す発光ダイオードのＡ−Ａ矢視方向概
略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of the light emitting diode shown in FIG.
【図５】図１に示す発光ダイオード配列体に用いる青色
光を発する発光ダイオードの概略断面図であり、図４に
相当する図である。5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode that emits blue light used in the light emitting diode array shown in FIG. 1 and corresponds to FIG.
【図６】第一実施形態の変形例を説明するための図であ
り、（ａ）は先端部にＧａＡｌＡｓの発光素子が載置さ
れたリードの概略正面図及び概略底面図、（ｂ）は先端
部にＧａＰの発光素子が載置されたリードの概略正面図
及び概略底面図、（ｃ）は先端部にＧａＮの発光素子が
載置されたリードの概略正面図及び概略底面図である。6A and 6B are views for explaining a modified example of the first embodiment, in which FIG. 6A is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a light emitting element of GaAlAs mounted on a tip thereof, and FIG. FIG. 3C is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead on which a GaP light emitting element is mounted on the tip, and FIG. 7C is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead on which a GaN light emitting element is mounted on the tip.
【図７】第一実施形態の他の変形例を説明するための図
であり、（ａ）は先端部にＧａＡｌＡｓの発光素子が載
置されたリードの概略正面図及び概略底面図、（ｂ）は
先端部にＧａＰの発光素子が載置されたリードの概略正
面図及び概略底面図、（ｃ）は先端部にＧａＮの発光素
子が載置されたリードの概略正面図及び概略底面図であ
る。7A and 7B are views for explaining another modification of the first embodiment, in which FIG. 7A is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a GaAlAs light emitting element mounted on the tip thereof; ) Is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a GaP light emitting element mounted on its tip, and (c) is a schematic front view and a schematic bottom view of a lead having a GaN light emitting element mounted on its tip. is there.
【図８】本発明の第二実施形態である発光ダイオード配
列体の概略正面図である。FIG. 8 is a schematic front view of a light emitting diode array according to a second embodiment of the present invention.
【図９】図８に示す発光ダイオード配列体に用いる発光
ダイオードの配列を説明するための図である。9 is a diagram for explaining an array of light emitting diodes used in the light emitting diode array shown in FIG. 8. FIG.
【図１０】図８に示す発光ダイオード配列体に用いる第
一発光ダイオードの概略正面図である。FIG. 10 is a schematic front view of a first light emitting diode used in the light emitting diode array shown in FIG.
【図１１】図１０に示す第一発光ダイオードのＢ−Ｂ矢
視方向概略断面図である。11 is a schematic cross-sectional view of the first light emitting diode shown in FIG. 10 as viewed in the direction of arrow BB.
【図１２】図８に示す発光ダイオード配列体に用いる第
二発光ダイオードの概略断面図であり、図１１に相当す
る図である。12 is a schematic cross-sectional view of a second light emitting diode used in the light emitting diode array shown in FIG. 8, and is a view corresponding to FIG. 11.
【図１３】本発明の第三実施形態である発光ダイオード
の概略正面図である。FIG. 13 is a schematic front view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
【図１４】図１３に示す発光ダイオードのＣ−Ｃ矢視方
向概略断面図である。14 is a schematic cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 13 taken along the line C-C.
【図１５】図１３に示す発光ダイオードのＤ−Ｄ矢視方
向概略断面図である。15 is a schematic cross-sectional view of the light emitting diode shown in FIG. 13, taken in the direction of arrows D-D.
１，２ 発光ダイオード配列体 ５，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，４０ａ，４０ｂ 発光
ダイオード ２０ 黒色樹脂 ３０ ケース １１，１１ａ，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 発光素子 １２ａ，１２ｂ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，５２ａ，５
２ｂ リード １３，４３ａ，４３ｂ ワイヤ １４，４４，５３ 光透過性材料 １５，４５，５４ 反射面 １６，４６，５５ 放射面 １７，４７，５７ スペーサ1, 2 light emitting diode array 5, 10a, 10b, 10c, 40a, 40b light emitting diode 20 black resin 30 case 11, 11a, 41a, 41b, 41c light emitting element 12a, 12b, 42a, 42b, 42c, 52a, 5
2b Lead 13,43a, 43b Wire 14,44,53 Light transmissive material 15,45,54 Reflective surface 16,46,55 Radiating surface 17,47,57 Spacer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/33 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location G09F 9/33
Claims (9)
置された前記発光素子に電力を供給するリードと、前記
発光素子が発した光の放射方向を制御する光学系とを具
備する発光ダイオードが、複数個並置されて構成された
発光ダイオード配列体において、 前記複数の発光ダイオードの少なくとも一つは、厚みの
異なる前記発光素子を有し、且つこの前記発光素子の発
光面の前記光学系に対する位置が他の前記発光ダイオー
ドのものと同じになるように構成されていることを特徴
とする発光ダイオード配列体。1. A light emitting element, a lead for supplying electric power to the light emitting element mounted on the tip of the light emitting element, and an optical system for controlling a radiation direction of light emitted from the light emitting element. In a light emitting diode array composed of a plurality of light emitting diodes arranged side by side, at least one of the plurality of light emitting diodes has the light emitting element having a different thickness, and the optical surface of the light emitting surface of the light emitting element. A light emitting diode array characterized in that its position relative to the system is the same as that of the other light emitting diodes.
一つに、前記発光素子と前記リードとの間にスペーサを
介在させることにより、前記発光素子の発光面の前記光
学系に対する位置を他の前記発光ダイオードのものと同
じにしたことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオー
ド配列体。2. A spacer is interposed between at least one of the plurality of light emitting diodes and between the light emitting element and the lead, so that a position of a light emitting surface of the light emitting element with respect to the optical system is changed to another light emitting element. 2. A light emitting diode array as claimed in claim 1, characterized in that it is identical to that of a diode.
一つに、肉厚が異なる前記リードを用いることにより、
前記発光素子の発光面の前記光学系に対する位置を他の
前記発光ダイオードのものと同じにしたことを特徴とす
る請求項１記載の発光ダイオード配列体。3. By using the leads having different wall thicknesses for at least one of the plurality of light emitting diodes,
The light emitting diode array according to claim 1, wherein the position of the light emitting surface of the light emitting element with respect to the optical system is the same as that of the other light emitting diodes.
対向するように設けられた、前記発光素子が発した光を
反射する反射面であることを特徴とする請求項１、２又
は３記載の発光ダイオード配列体。4. The optical system is a reflecting surface that is provided so as to face a light emitting surface of the light emitting element and that reflects light emitted by the light emitting element. 3. The light emitting diode array described in 3.
少なくとも一つは厚みが異なる複数の発光素子と、前記
発光素子が先端部に載置された、前記発光素子に電力を
供給する複数のリードと、前記複数の発光素子が発した
光の放射方向を制御するすり鉢状の光学系と、を具備す
る発光ダイオードにおいて、 前記複数の発光素子は、前記光学系の対称軸に対して左
右対称となるように、且つ、前記同一平面に含まれるよ
うに配置されていることを特徴とする発光ダイオード。5. The light emitting surfaces are arranged in the same direction,
At least one of a plurality of light emitting elements having different thicknesses, a plurality of leads having the light emitting element mounted on a tip portion thereof, for supplying power to the light emitting element, and a radiation direction of light emitted by the plurality of light emitting elements A mortar-shaped optical system for controlling, and a plurality of light-emitting elements are symmetrical with respect to the axis of symmetry of the optical system, and are included in the same plane. A light emitting diode characterized by being arranged.
れた、少なくとも一つは厚みが異なる複数の発光素子
と、前記発光素子が先端部に載置された、前記発光素子
に電力を供給する複数のリードと、前記複数の発光素子
が発した光の放射方向を制御する柱面状の光学系と、を
具備する発光ダイオードにおいて、 前記複数の発光素子は、前記光学系の中心軸と平行にな
るように、且つ、発光面が同一平面上に位置するように
配列されていることを特徴とする発光ダイオード。6. A plurality of light emitting elements, at least one of which has a different thickness, are arranged linearly with their light emitting surfaces oriented in the same direction, and power is applied to the light emitting element having the light emitting element mounted on the tip. In a light emitting diode comprising a plurality of leads for supplying a plurality of leads and a columnar optical system for controlling the emission direction of the light emitted by the plurality of light emitting elements, the plurality of light emitting elements are at the center of the optical system. A light emitting diode, wherein the light emitting diodes are arranged so as to be parallel to an axis and have light emitting surfaces located on the same plane.
これに対応する前記リードとの間に、スペーサを介在さ
せることにより、前記複数の発光素子の発光面が同一平
面上に位置するようにしたことを特徴とする請求項５又
は６記載の発光ダイオード。7. A spacer is interposed between at least one of the plurality of light emitting elements and the lead corresponding thereto so that the light emitting surfaces of the plurality of light emitting elements are located on the same plane. The light emitting diode according to claim 5 or 6, characterized in that:
厚が異なるものを用いることにより、前記複数の発光素
子の発光面が同一平面上に位置するようにしたことを特
徴とする請求項５又は６記載の発光ダイオード。8. The light emitting surfaces of the plurality of light emitting elements are located on the same plane by using at least one of the plurality of leads having different thicknesses. Alternatively, the light emitting diode according to item 6.
対向するように設けられた、前記発光素子が発した光を
反射する反射面であることを特徴とする請求項５、６、
７又は８記載の発光ダイオード。9. The optical system according to claim 5, wherein the optical system is a reflecting surface that is provided so as to face a light emitting surface of the light emitting element and that reflects light emitted by the light emitting element.
7. The light emitting diode according to 7 or 8.
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| JP3612693B2 JP3612693B2 (en) | 2005-01-19 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135123A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Opto Device Kenkyusho:Kk | High-power reflection type light emitting diode and its manufacturing method |
| JP2006332692A (en) * | 1996-07-29 | 2006-12-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28310995A patent/JP3612693B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332692A (en) * | 1996-07-29 | 2006-12-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device |
| JP2006135123A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Opto Device Kenkyusho:Kk | High-power reflection type light emitting diode and its manufacturing method |
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