JPH09121140A - Tap coefficient memory - Google Patents

Tap coefficient memory

Info

Publication number
JPH09121140A
JPH09121140A JP27888595A JP27888595A JPH09121140A JP H09121140 A JPH09121140 A JP H09121140A JP 27888595 A JP27888595 A JP 27888595A JP 27888595 A JP27888595 A JP 27888595A JP H09121140 A JPH09121140 A JP H09121140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
tap coefficient
coefficient memory
tap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP27888595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kinya Sakurada
琴也 櫻田
Shigeo Oikawa
重男 及川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP27888595A priority Critical patent/JPH09121140A/en
Publication of JPH09121140A publication Critical patent/JPH09121140A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
  • Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To connect a sign spreading part to the output of a highest-order block by block-dividing a tap coefficient memory by means of an n-bit unit at every tap and removing the high-order bit memory which is occupied only by means of writing impulse response sign bits in accordance with the length of sign bit by means of a block unit. SOLUTION: The tap coefficient memory 20 is block-divided by the n-bit unit at every tap. Then, the high-order bit memory which is occupied only by the writing impulse response sign bits is removed in accordance with the length of the sign bit by the block unit. Then, the sign spreading part is added and connected to the output of the highest-order block of the memory in respective taps. In writing data in the tap coefficient memory 20, the signal bit corresponding to the removed memory is neglected. At the time of reading data from the tap coefficient memory, sign spreading is executed by the sign spreading part 30 in data which is written in the highest-order memory in the tap, so that the required tap number is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル信号処
理、特にエコーキャンセラや判定帰還型等化器において
用いられるインパルス応答信号データを蓄積するメモリ
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital signal processing, and more particularly to a memory for accumulating impulse response signal data used in an echo canceller or a decision feedback equalizer.

【0002】長距離電話回線で電話機が接続される加入
者線は2線式回線で信号の送信と受信を行うが、長距離
電話回線は送信と受信を分離した4線式回線であるた
め、接続点に2線─4線変換用のハイブリッド回路を用
いる。加入者線の線種や線路長の相違等により、接続点
のインピーダンス整合は困難である。そのため、加入者
側では4線入力側に入る受信信号が4線出力側に漏れ込
みエコーとなって送話者に戻って来て、通話の妨げとな
る。
A subscriber line to which a telephone is connected by a long-distance telephone line transmits and receives a signal by a two-wire line, but the long-distance telephone line is a four-wire line in which transmission and reception are separated. A hybrid circuit for 2-wire to 4-wire conversion is used at the connection point. Impedance matching at the connection point is difficult due to differences in subscriber line type and line length. Therefore, on the subscriber side, the received signal entering the 4-wire input side leaks to the 4-wire output side and becomes an echo and returns to the sender to interfere with the call.

【0003】そのため、図2に示す例のように、加入者
線側において、4線式回線から2線式回線に変換される
受信側入力信号を基に、ディジタル演算処理により擬似
エコーと称するエコーの推定信号を作成し、2線式回線
から4線式回線へ伝達される送信側入力信号から擬似エ
コーを差し引くことにより、送信側送出信号に含まれる
エコー信号を消去するエコーキャンセラが用いられてい
る。
Therefore, as shown in the example of FIG. 2, an echo called a pseudo echo is digitally processed on the subscriber line side based on a reception side input signal converted from a 4-wire line to a 2-wire line. An echo canceller is used that cancels the echo signal contained in the transmission signal on the transmission side by creating an estimated signal of the above and subtracting the pseudo echo from the input signal on the transmission side transmitted from the 2-wire line to the 4-wire line. There is.

【0004】エコーキャンセラ回路10のタップ係数メ
モリ14には、図2に示すように4線式入力側Sinか
らダブルトーク検出部16を介して取り出したエコー信
号であるインパルス応答が記憶保持される。
The tap coefficient memory 14 of the echo canceller circuit 10 stores and holds an impulse response which is an echo signal taken out from the 4-wire type input side Sin via the double talk detecting section 16 as shown in FIG.

【0005】4線区間4から伝達されるディジタル化さ
れた受信入力信号Xはエコーキャンセラ10内の受信信
号メモリ11に蓄積される。また、2線4線変換回路3
に伝達された受信入力信号Xから発生するエコー信号Y
は、2線区間2からの送信入力信号Sinに含まれて減
算器12に入力する。
The digitized reception input signal X transmitted from the 4-wire section 4 is stored in the reception signal memory 11 in the echo canceller 10. In addition, the 2-wire / 4-wire conversion circuit 3
Echo signal Y generated from the received input signal X transmitted to the
Is included in the transmission input signal Sin from the 2-wire section 2 and is input to the subtractor 12.

【0006】2線区間2が受話状態になると、4線区間
4の送信側入力信号Sinはエコー信号Yのみとなる。
擬似エコー生成部13は受信信号メモリ11に蓄積され
た受信側入力信号Xと、タップ係数メモリ14に蓄積さ
れたタップ係数Hとに対して(1)式に示す演算を行
い、擬似エコー信号Y’を生成する。
When the 2-wire section 2 enters the receiving state, the transmission side input signal Sin of the 4-wire section 4 is only the echo signal Y.
The pseudo echo generation unit 13 performs the calculation shown in the equation (1) on the reception side input signal X accumulated in the reception signal memory 11 and the tap coefficient H accumulated in the tap coefficient memory 14 to obtain the pseudo echo signal Y. 'Is generated.

【0007】 Y’n =Σ(Hn ・Xn-1 ) (1) 減算器12は、入力するエコー信号Yから、擬似エコー
生成部13が生成する擬似エコー信号Y’を減算し、残
った信号を送信側出力信号Soutとして4線区間2に
送出する。その結果、送信側出力信号Soutは、
(2)式で示す残留エコー信号Eのみとなる。
Y ′ n = Σ (H n · X n−1 ) (1) The subtractor 12 subtracts the pseudo echo signal Y ′ generated by the pseudo echo generation unit 13 from the input echo signal Y, and the remaining This signal is sent to the four-line section 2 as the output signal Sout on the transmission side. As a result, the transmission side output signal Sout is
Only the residual echo signal E shown in the equation (2) is obtained.

【0008】 En =Yn −Y’n (2) タップ係数修正部15は、減算器12から出力する残留
エコー信号Eを用いて学習同定法に基づき、(2)式の
演算を行って、タップ係数メモリ14に蓄積されるタッ
プ係数Hを補正し、残留エコー信号Eを極力減少させ
る。
E n = Y n −Y ′ n (2) The tap coefficient correction unit 15 uses the residual echo signal E output from the subtractor 12 to perform the calculation of the equation (2) based on the learning identification method. , The tap coefficient H accumulated in the tap coefficient memory 14 is corrected, and the residual echo signal E is reduced as much as possible.

【0009】エコーキャンセラの処理には、実時間動
作、高速、高精度が要求されるが、演算用のメモリはタ
ップ係数の精度とタップ数によって決定されるので、高
精度であれば、それだけ膨大なメモリ容量を必要とし、
また、多くなっただけ、メモリアクセスも多くなるた
め、消費電力も大きくなる。
The processing of the echo canceller requires real-time operation, high speed, and high accuracy, but the memory for calculation is determined by the accuracy of the tap coefficient and the number of taps. Memory requirements,
Moreover, as the number of memory accesses increases, the number of memory accesses also increases, resulting in higher power consumption.

【0010】また、伝送路に分岐された予備線路等が接
続されたままになっているような伝送路の受信側では、
この予備線路等での反射により、やや遅れて反射波が受
信し、符号間干渉と言われている雑音が発生するが、エ
コーキャンセラと同じように判定帰還型等化器を用いて
反射波雑音を除去している。
On the other hand, on the receiving side of the transmission line in which the spare line or the like branched to the transmission line remains connected,
Due to the reflection on the backup line, etc., the reflected wave is received with a slight delay, and noise called intersymbol interference occurs.However, like the echo canceller, the reflected wave noise is generated using a decision feedback equalizer. Have been removed.

【0011】この判定帰還型等化器にもこのタップ係数
メモリが用いられているため、エコーキャンセラと同じ
ことが言える。
Since this tap coefficient memory is also used in this decision feedback equalizer, the same thing as the echo canceller can be said.

【0012】[0012]

【従来の技術】図8〜図10を用いて従来技術を説明す
る。図8は従来例、図9は従来例におけるタップ係数メ
モリ構成例、図13は図3(2)に示すインパルス応答
値の従来例におけるタップ係数メモリへ書き込んだ例を
示す図である。
2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a conventional example, FIG. 9 is a configuration example of a tap coefficient memory in the conventional example, and FIG. 13 is a diagram illustrating an example of writing the impulse response value shown in FIG.

【0013】タップ係数メモリの構成は、図5にも示す
ように、通常は一定のビット幅、例えば16ビット幅を
持っており、すべてのタップ係数において同じ大きさの
メモリで構成している。
As shown in FIG. 5, the tap coefficient memory usually has a constant bit width, for example, a 16-bit width, and all tap coefficients have the same size.

【0014】そして、通常のエコーインパルス応答波形
は長く尾を引く波形となるが、例えば、図3(1)に示
すようなインパルス応答Yが発生したとすると、例え
ば、所定の周期でサンプリングし、(1)の0〜13に
示す位置でサンプリングする。そして、インパルス応答
の信号レベル値は、例えば、図3(2)に付記して示す
ように、レベルを表すのに、+方向,−方向も符号で表
現するために、2の補数で表し、表1,及び表2に示す
ような変換値により、読み取った2の補数値を16進数
で表現した値でカウントする。
The normal echo impulse response waveform has a long trailing waveform. If, for example, an impulse response Y as shown in FIG. 3 (1) occurs, it is sampled at a predetermined cycle, Sampling is performed at the positions indicated by 0 to 13 in (1). Then, the signal level value of the impulse response is represented by a two's complement in order to represent the level and also the + direction and the-direction with a sign, for example, as shown in FIG. 3 (2). With the conversion values as shown in Table 1 and Table 2, the read 2's complement value is counted as a value expressed in hexadecimal.

【0015】[0015]

【表1】 [Table 1]

【0016】[0016]

【表2】 [Table 2]

【0017】この16進数で表現した値が、タップ係数
メモリに書き込まれるときは、図10に示すように2進
数で表現する。表1,表2で判るように、2進数で表現
した値で、+の値は必ず最上位が“0”であり,−の値
は必ず最上位が“1”で表現されている。
When the value expressed in hexadecimal is written in the tap coefficient memory, it is expressed in binary as shown in FIG. As can be seen from Tables 1 and 2, the values expressed in binary numbers, the + value is always the highest level "0", and the-value is always the highest level "1".

【0018】例えば、図3(2)のサンプリングタイミ
ング“0”でサンプリングされたインパルス応答値が、
例えば、16進数で“21BCh”(hは16進数で表
現した数値であることを示す)であったとすると、この
数値を2進数で表現すると、図10の最上段に示すよう
に、“0010000110111100”と表現され
る。
For example, the impulse response value sampled at the sampling timing "0" in FIG.
For example, if the hexadecimal number is "21BCh" (h indicates a numerical value expressed in hexadecimal number), if this numerical value is expressed in binary number, "0010000110111100" is displayed as shown in the uppermost row of FIG. Is expressed as

【0019】次に、図8について、従来例におけるタッ
プ係数メモリ14へのインパルス応答値のデータ書込み
とデータ読出しについて説明する。図2におけるエコー
キャンセラ10に入力したエコー成分Yが入力すると、
インパルス応答としてダブルトーク検出部16で検出さ
れ、タップ係数修正部15を経て、タップ係数メモリ1
4に入力され、上述したように2進数で表現されたデー
タとなって記憶される。
Next, with reference to FIG. 8, data writing and data reading of impulse response values to the tap coefficient memory 14 in the conventional example will be described. When the echo component Y input to the echo canceller 10 in FIG. 2 is input,
The double-talk detection unit 16 detects the impulse response, the tap coefficient correction unit 15, and the tap coefficient memory 1
4 and is stored as data represented by a binary number as described above.

【0020】例えば、図3(2)のサンプリングタイミ
ング“0”においてサンプリングされたインパルス応答
値について説明すると、このサンプリングタイミングの
インパルス応答値は16進数で“21BC”であるが、
タップ係数メモリ14へ入力するときは、2進数に変換
されて、“0010000110111100”とな
る。
For example, the impulse response value sampled at the sampling timing "0" in FIG. 3 (2) will be described. Although the impulse response value at this sampling timing is "21BC" in hexadecimal,
When input to the tap coefficient memory 14, it is converted into a binary number and becomes “0010000110111100”.

【0021】そして、図示しない書込みデコーダにアド
レス“0”を指定する“0000”が入力すると、書込
みデコーダの出力端子“0”が例えば“H”となり、係
数メモリM0の各メモリのライトイネーブル端子(W
E)がONになり、係数メモリM0が動作状態となっ
て、16個のメモリが上位から順に“00100001
10111100”の所定のデータ(0或るいは1)を
記憶する。
When "0000" designating the address "0" is input to the write decoder (not shown), the output terminal "0" of the write decoder becomes "H", for example, and the write enable terminal ( W
E) is turned on, the coefficient memory M0 is in the operating state, and the 16 memories are sequentially operated from the higher order "00100001".
Predetermined data (0 or 1) of 10111100 "is stored.

【0022】他のメモリについても同じである。また、
データ読出しについて、同じ係数メモリM0を例に説明
すると、読出しデコーダ22にアドレス“0”を指定す
る“0000”が入力すると、出力端子“0”が例えば
“H”となり、係数メモリM0の各メモリのメモリ イ
ネーブル端子(ME)がONになり、係数メモリM0が
動作状態となって、16個のメモリから“001000
0110111100”の所定のデータをそれぞれ出力
する。
The same applies to the other memories. Also,
The same coefficient memory M0 will be described as an example for data reading. When "0000" designating the address "0" is input to the read decoder 22, the output terminal "0" becomes "H", for example, and each memory of the coefficient memory M0. The memory enable terminal (ME) of is turned on, the coefficient memory M0 is in the operating state, and “001000” is selected from 16 memories.
The predetermined data of "0110111100" is output.

【0023】他のメモリについても同じである。The same applies to the other memories.

【0024】[0024]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の技
術におけるエコーキャンセラに用いているタップ係数メ
モリに、インパルス応答値を書き込むと、入力するイン
パルス応答が尾を引く波形であるため、例えば、図10
に示すように係数メモリがM0〜MDまでの14タップ
のタップ係数メモリが用いられている場合、マクロに見
ても係数メモリM3程度〜係数メモリMA程度までの係
数メモリに関しては、少なくとも上位ビット側の半分の
ビット値は同じ値となり、+方向か、−方向かの符号を
示す符号ビットと同じ値が書き込まれることになる。
As described above, when the impulse response value is written in the tap coefficient memory used in the echo canceller in the conventional technique, the input impulse response has a trailing waveform. Figure 10
When a coefficient memory of 14 taps from M0 to MD is used as shown in FIG. 6, at least the higher-order bit side of the coefficient memory from M3 to MA as a coefficient memory is seen in macro. The bit value of half of the same becomes the same value, and the same value as the sign bit indicating the sign of + direction or − direction is written.

【0025】さらに、インパルス応答の尾に近い位置の
係数メモリMB以降については、各係数メモリの上位ビ
ット側が3/4について、方向を表現する符号と同じ値
が書き込まれている。
Further, with respect to the coefficient memory MB and the subsequent positions near the tail of the impulse response, the same value as the code expressing the direction is written for the upper bit side 3/4 of each coefficient memory.

【0026】このことは、図10の場合は、例えば、係
数メモリM3以降については、上位ビット側のメモリ
は、冗長なデータを記憶していると言ってよい。これを
一般的に説明すると、図9に示すように、各係数メモリ
について、“X”で表現する数値ビットと、“S”で表
現する符号ビットと同じ値のビットに区分することがで
き、“S”で表現されるビットには、“0”か“1”
か、いずれかの連続した値が書込まれることになる。従
って、上位の符号ビットと同じ値を保持しているブロッ
クは削除しても削除しないメモリに符号ビットが1ビッ
トでも記憶されていれば、問題が発生することはない。
In the case of FIG. 10, it can be said that, for example, in the coefficient memory M3 and thereafter, the memory on the high-order bit side stores redundant data. Generally speaking, as shown in FIG. 9, each coefficient memory can be divided into a numerical bit represented by “X” and a bit having the same value as a sign bit represented by “S”. The bit represented by "S" is "0" or "1"
Or, one of the consecutive values will be written. Therefore, even if the block holding the same value as the higher-order code bit is deleted, no problem will occur if even one code bit is stored in the memory that is not deleted.

【0027】一方、残留エコー成分の小さい擬似エコー
成分を得るためには、高精度で演算させる必要がある
が、そのために、タップ係数メモリのタップ数を多く取
り、さらに演算ビット数を増加させればよいが、現実に
は回路が増大するために、部品スペース、消費電力、コ
スト等の制限を受けることが多く、必ずしも希望通りの
擬似エコー成分を得ることができるとは限らないといっ
た問題があった。
On the other hand, in order to obtain a pseudo echo component having a small residual echo component, it is necessary to perform calculation with high accuracy. Therefore, the number of taps in the tap coefficient memory can be increased and the number of calculation bits can be further increased. However, in reality, the number of circuits is increased, so that component space, power consumption, cost, etc. are often limited, and it is not always possible to obtain the desired pseudo echo component. It was

【0028】本発明は、係る問題を解決するもので、エ
コーキャンセラ等におけるエコー成分除去のために大量
に使用されるタップ係数メモリ使用量を削減したタップ
係数メモリを提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve such a problem, and an object thereof is to provide a tap coefficient memory in which the usage amount of a tap coefficient memory used in a large amount for echo component removal in an echo canceller or the like is reduced.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明のタップ係数メモリは、負数が2の補数で
表現されたインパルス応答を畳み込み演算のためのタッ
プ係数として、複数タップ分を保持するタップ係数メモ
リにおいて、各タップ係数の記憶領域は、バイナリ符号
表現されたタップ係数の最上位ビットから同一値が連続
する上位側複数ビットの内の一部を削除した残りのビッ
トと、該上位側ビット以外の下位ビットとを記憶するビ
ット幅を有するよう、それぞれのタップ係数の大きさに
対応して定められている。そして、さらに各タップ係数
が同一ビット幅のデータとしてタップ係数メモリから出
力されるように、前記削除された上位側ビットを前記残
りのビットを基に複製し、前記記憶領域から読みだした
データに付加して出力する手段を有する。また、前記上
位側複数ビットの内の一部削除に伴って或るタップ係数
用の記憶領域から削除された記憶領域を他のタップ係数
の記憶領域の一部として使用するようにしている。
In order to solve the above-mentioned problems, the tap coefficient memory of the present invention uses a plurality of taps as a tap coefficient for convolution calculation of an impulse response expressed by a complement of 2 as a negative number. In the held tap coefficient memory, the storage area of each tap coefficient has a remaining bit obtained by deleting a part of upper bits of the same value consecutively from the most significant bit of the tap coefficient expressed in binary code, It is determined corresponding to the size of each tap coefficient so as to have a bit width for storing the lower bits other than the upper bits. Then, so that each tap coefficient is output from the tap coefficient memory as data having the same bit width, the deleted higher-order bits are duplicated based on the remaining bits, and the data read from the storage area is used. It has means for adding and outputting. Further, the storage area deleted from the storage area for a certain tap coefficient due to the partial deletion of the higher-order plural bits is used as a part of the storage area for another tap coefficient.

【0030】前記インパルス応答は、図3に示すよう
に、最初は大きな数値であっても後半は非常に小さな値
が続き、尾を引いたような波形になる。そのため、図3
のように数値を2の補数で表したとき、例えば、最初は
16ビットなければ表現できなかった値であっても、後
半は0に近い値に収束していくため、実際の波形値を表
す値である数値ビットは少ないビット数で表すことがで
き、上位のビットは符号ビットと同じ値のビットとな
る。
As shown in FIG. 3, the impulse response has a large value at the beginning, but a very small value in the latter half, and has a trailing waveform. Therefore, FIG.
When the numerical value is represented by 2's complement as shown in, the value that could not be represented unless 16 bits at the beginning converges to a value close to 0 in the latter half, and thus represents the actual waveform value. Numerical bits, which are values, can be represented by a small number of bits, and the upper bits have the same value as the sign bit.

【0031】このように、入力する前記インパルス応答
の頭の部分の波形値は大きく、収束しながら次第に小さ
くなって行くのに対応して、該インパルス応答の波形値
を2の補数値で表現するに必要な数値ビットと、少なく
とも1ビット以上の符号ビットを確保した上で、該符号
ビットと同一値のビットで占められる上位ビット側のメ
モリを削除する。
As described above, the waveform value of the input impulse response is large and the waveform value of the impulse response is expressed by a two's complement value in response to the waveform value gradually decreasing while converging. After securing the numerical bits and at least one or more sign bit required for the above, the memory on the upper bit side occupied by the bit having the same value as the sign bit is deleted.

【0032】また、該タップ係数メモリに書込まれたデ
ータを読出しするのに、符号ビットと同じ値のビットを
複製して付加する手段を設けたのでインパルス応答の頭
に近い波形値を記憶するタップの係数メモリの上位の空
白部分に配置された、インパルス応答の尾に近い波形を
記憶するタップの係数メモリのデータも、正しく読出し
することができる。
Further, in reading the data written in the tap coefficient memory, a means for copying and adding a bit having the same value as the sign bit is provided, so that the waveform value close to the head of the impulse response is stored. The data of the tap coefficient memory, which is arranged in the upper blank portion of the coefficient memory of the tap and stores the waveform close to the tail of the impulse response, can also be correctly read.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】実施例について、図1〜図8を用
いて説明する。図1は第1の実施例、図2はエコーキャ
ンセラ例、図3はインパルス応答例、図4は第1の実施
例のタップ係数メモリ構成例とインパルス応答値書込み
例、図5は第1の実施例/第2の実施例/従来例のタッ
プ係数メモリの構成例の比較、図6は第2の実施例(1
/2)、図7は第2の実施例(2/2)である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments will be described with reference to FIGS. 1 is a first embodiment, FIG. 2 is an echo canceller example, FIG. 3 is an impulse response example, FIG. 4 is a tap coefficient memory configuration example and impulse response value writing example of the first embodiment, and FIG. 5 is a first example. Comparison of configuration examples of tap coefficient memories of the embodiment / second embodiment / conventional example, FIG. 6 shows the second embodiment (1
2), and FIG. 7 shows the second embodiment (2/2).

【0034】図中、図8と同じ符号は同じものを示し、
20,40はタップ係数メモリ、21は書込みデコー
ダ、30,70は符号拡張部、31〜33,51〜5
7,81〜86はセレクタ、34〜37,41〜48,
61〜64,71〜78はORゲート、50は書込制御
部である。
In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
20 and 40 are tap coefficient memories, 21 is a write decoder, 30 and 70 are sign extension units, 31 to 33, 51 to 5.
7, 81-86 are selectors, 34-37, 41-48,
Reference numerals 61 to 64, 71 to 78 denote OR gates, and 50 denotes a write control unit.

【0035】まず、図4を用いて第1の実施例のタップ
係数メモリの構成例を説明する。インパルス応答をタッ
プ係数メモリ20に記憶するのに、16ビットのメモリ
で構成する係数メモリを用いて記憶する例であるが、1
6ビットで構成するメモリを4ビットずつのブロックに
区分けする。
First, a configuration example of the tap coefficient memory of the first embodiment will be described with reference to FIG. The impulse response is stored in the tap coefficient memory 20 by using a coefficient memory composed of a 16-bit memory.
The memory composed of 6 bits is divided into blocks of 4 bits each.

【0036】ここで、最下位ビット(LSB)を含むブ
ロックを第1ブロック,次のブロックを第2ブロック,
次のブロックを第3ブロック,最上位ビット(MSB)
を含むブロックを第4ブロックとする。
Here, the block containing the least significant bit (LSB) is the first block, the next block is the second block,
Next block is 3rd block, most significant bit (MSB)
A block including is referred to as a fourth block.

【0037】そして、図3に示すようなインパルス応答
波形についての処理を行うタップ係数メモリの場合は、
図4に太線で示すように数値ビットのメモリ領域は幾分
かの余裕を持ったメモリにし、また、符号ビット領域の
メモリは破線部分で示すメモリをブロック単位で削除し
た構成とする。
Then, in the case of the tap coefficient memory for processing the impulse response waveform as shown in FIG.
As shown by the bold line in FIG. 4, the memory area for the numerical bit is a memory with some margin, and the memory for the code bit area is configured by deleting the memory indicated by the broken line in block units.

【0038】タップ係数メモリ20を構成する各係数メ
モリM0〜M9,係数メモリMA〜MDについては、係
数メモリM0,M1は従来例と同じにする。しかし、係
数メモリM2,M3は第4ブロックを、また、係数メモ
リM4〜MBは、第4ブロックと第3ブロックを、係数
メモリMC〜MDは、第4,第3,及び第2ブロックを
それぞれ削除した構成とする。
Regarding the coefficient memories M0 to M9 and the coefficient memories MA to MD constituting the tap coefficient memory 20, the coefficient memories M0 and M1 are the same as those in the conventional example. However, the coefficient memories M2 and M3 have the fourth block, the coefficient memories M4 to MB have the fourth block and the third block, and the coefficient memories MC to MD have the fourth block, the third block, and the second block, respectively. Use the deleted configuration.

【0039】そして、各係数メモリM0〜MDの第1ブ
ロックの“0”〜“2”メモリは、単に符号拡張部30
を通過するのみであり、第1ブロックの“0”〜“2”
メモリ以外のメモリは、符号拡張部30のセレクタ31
〜33に接続されている。
The "0" to "2" memories of the first block of the coefficient memories M0 to MD are simply the code extension unit 30.
"0" to "2" in the first block
The memory other than the memory is the selector 31 of the sign extension unit 30.
~ 33.

【0040】図1における、タップ係数メモリ20に書
込まれたデータの読出し動作について説明する。データ
の読出しは、サンプリングタイミングと同じの所定の周
期で、係数メモリM0から順次メモリM1,M2,・・
・の順番に行われる。
The operation of reading the data written in the tap coefficient memory 20 in FIG. 1 will be described. The data is read from the coefficient memory M0 to the memories M1, M2, ... Sequentially at the same predetermined cycle as the sampling timing.
・ It will be done in order.

【0041】例として、係数メモリM0,M2,MCの
3つの係数メモリについてのデータ書込みを説明する。
まず、係数メモリM0のデータ読出しは、読出しデコー
ダ22のアドレス入力に、所定の読出しタイミングに、
係数メモリM0を指定するアドレス、例えば、“000
0”が入力する。
As an example, data writing to the three coefficient memories M0, M2, and MC will be described.
First, data reading from the coefficient memory M0 is performed by inputting an address to the read decoder 22 at a predetermined read timing.
An address that specifies the coefficient memory M0, for example, "000
Enter 0 ".

【0042】すると、デコーダ22の出力の“0”端子
のみが例えば“H”となり、係数メモリM0を構成する
16個のメモリのメモリ イネーブル端子(ME)をO
Nになり、16個のデータ、即ち16ビットのデータが
出力される。
Then, only the "0" terminal of the output of the decoder 22 becomes "H", for example, and the memory enable terminals (ME) of the 16 memories constituting the coefficient memory M0 are turned on.
It becomes N, and 16 pieces of data, that is, 16-bit data is output.

【0043】第1ブロックのメモリ“0”〜“3”の4
データは、単に符号拡張部30を通過するのみで出力さ
れる。ただし、メモリ“3”の出力はセレクタSEL1
31の“1”入力端子へも送られる。
4 of the memory "0" to "3" of the first block
The data is output simply by passing through the sign extension unit 30. However, the output of the memory “3” is the selector SEL 1
It is also sent to the 31 "1" input terminal.

【0044】第2ブロックの4データは、SEL1 31
の“0”入力端子に送られる。読出しタイミング“0”
のとき、ORゲート34の出力からのセレクト信号
“H”が入力しないので、SEL1 31は“L”の状態
に保持されて、第1ブロックの4データは阻止され、第
2ブロックの4データが選択され、SEL1 31から出
力される。
The 4th data of the second block is SEL 1 31
Sent to the "0" input terminal of. Read timing "0"
At this time, since the select signal "H" from the output of the OR gate 34 is not input, the SEL 1 31 is held in the "L" state, the 4 data of the first block is blocked, and the 4 data of the second block is blocked. Is selected and is output from SEL 1 31.

【0045】第3ブロックの4データ、および、第4ブ
ロックの4データも同様にし、それぞれSEL2 32,
SEL3 33から出力される。次に、メモリM2のデー
タ読出しは、読出しデコーダ22のアドレス入力に、読
み出しタイミング“1”において、係数メモリM2を指
定するアドレス、例えば、“0010”が入力する。
[0045] 4 data in the third block, and, also in the same manner 4 data of the fourth block, respectively SEL 2 32,
It is output from SEL 3 33. Next, in the data reading of the memory M2, an address designating the coefficient memory M2, for example, “0010” is input to the address input of the read decoder 22 at the read timing “1”.

【0046】すると、デコーダ22の出力の“2”端子
のみが例えば“H”(その他の端子はすべて“L”)と
なり、12個のメモリで構成する係数メモリM2の各メ
モリのメモリ イネーブル(ME)がONになり、係数
メモリM2が動作し、12個のデータ、即ち12ビット
のデータが出力される。
Then, only the "2" terminal of the output of the decoder 22 becomes, for example, "H" (all other terminals are "L"), and the memory enable (ME) of each memory of the coefficient memory M2 composed of 12 memories is set. ) Is turned on, the coefficient memory M2 operates, and 12 pieces of data, that is, 12-bit data is output.

【0047】同時に、デコーダ22の出力の“2”端子
の“H”は、ORゲート38にも送られるので、ORゲ
ート38の出力も“H”となる。同様にORゲート37
の出力も“H”となるので、SEL1 31,SEL2
2は不動作を継続、即ち、入力の“0”側を選択する
が、SEL3 33は動作し、入力の“1”側を選択す
る。その結果、係数メモリM2の第2,第3ブロックの
各4データがそれぞれSEL1 31,SEL2 32を経
由して出力される。
At the same time, the "H" at the "2" terminal of the output of the decoder 22 is also sent to the OR gate 38, so that the output of the OR gate 38 also becomes "H". Similarly, the OR gate 37
Output is also "H", so SEL 1 31 and SEL 2 3
2 continued inactive, ie, selects a "0" side input, SEL 3 33 operates to select "1" side input. As a result, each 4 data of the second and third blocks of the coefficient memory M2 is output via SEL 1 31 and SEL 2 32, respectively.

【0048】そして、第3ブロックのメモリ“B”がセ
レクタSEL2 32の出力で分岐されてSEL3 31の
“1”入力端子に入力しているが、SEL3 の33が動
作状態になるので、SEL3 33の“1”入力端子側が
選択されることになり、メモリ出力として送出される第
4ブロックの4データとしては、係数メモリM2の第3
ブロックの“B”、即ち、記憶されている係数メモリM
2のデータの最上位のメモリのデータが充当されること
になる。
Then, the memory "B" of the third block is branched by the output of the selector SEL 2 32 and inputted to the "1" input terminal of SEL 3 31. However, since 33 of SEL 3 is in the operating state. , SEL 3 33, the "1" input terminal side is selected, and the 4th data of the 4th block to be sent as the memory output is the 3rd of the coefficient memory M2.
"B" of the block, ie the stored coefficient memory M
The data of the uppermost memory of the data of 2 will be allocated.

【0049】次に、係数メモリMCのデータ読出しは、
読出しデコーダ22のアドレス入力に係数メモリM2を
指定するアドレス、例えば、“1100”が入力する。
すると、デコーダ22の出力の“C”端子のみが例えば
“H”となり、4個のメモリで構成する係数メモリMC
が動作し、4個のデータ、即ち4ビットのデータが出力
される。
Next, the data read from the coefficient memory MC is
An address designating the coefficient memory M2, for example, “1100” is input to the address input of the read decoder 22.
Then, only the "C" terminal of the output of the decoder 22 becomes "H", for example, and the coefficient memory MC including four memories is used.
Operates, and 4 data, that is, 4-bit data is output.

【0050】同時に、デコーダ22の出力の“C”端子
の“H”は、ORゲート34にも送られるので、ORゲ
ート34の出力も“H”となる。同様にORゲート36
の出力も“H”となり、続いてORゲート37の出力も
“H”となるので、SEL131,SEL2 32,SE
3 33すべてが動作状態になる。その結果、SEL 1
31の出力の4データは係数メモリMCの“3”を出力
し、また、SEL2 32の出力の4データも、SEL3
33の出力の4データも、それぞれ入力“1”側に入力
する係数メモリMCの“3”を出力する。
At the same time, the "C" terminal of the output of the decoder 22
"H" of is also sent to the OR gate 34, so
The output of the gate 34 also becomes "H". Similarly, the OR gate 36
Also becomes "H", and then the output of OR gate 37
Since it becomes “H”, SEL131, SELTwo32, SE
LThreeAll 33 are operational. As a result, SEL 1
4 data of 31 output outputs “3” of coefficient memory MC
And also SELTwo4 data of 32 outputs are also SELThree
4 data of 33 outputs are also input to the input "1" side.
"3" of the coefficient memory MC to be output is output.

【0051】このようにして、係数メモリMCのメモリ
出力として充当されるデータは、係数メモリMCの第1
ブロックの“3”、即ち、記憶されている係数メモリM
Cのデータの最上位のメモリのデータが充当されること
になる。
In this way, the data allocated as the memory output of the coefficient memory MC is the first data of the coefficient memory MC.
“3” of block, that is, stored coefficient memory M
The data in the uppermost memory of the C data will be used.

【0052】なお、タップ係数メモリ20の各係数メモ
リM0〜MDへのデータの書込みについては、従来と変
わるところがないので、説明は割愛するが、各メモリの
削除している上位側の領域部分へ書込まれるデータは、
同じ値の符号ビットデータであるので、データを破棄す
ることになる。データを破棄しても、破棄したデータと
同じデータが保存されるので、上述したようにデータ読
出しにおいて問題となることはない。
The writing of data to the coefficient memories M0 to MD of the tap coefficient memory 20 is the same as the conventional one, so the description thereof will be omitted, but the upper area region of each memory which is deleted is omitted. The data to be written is
Since the code bit data has the same value, the data will be discarded. Even if the data is discarded, the same data as the discarded data is saved, so there is no problem in reading the data as described above.

【0053】このようにして、従来例に比べて、タップ
係数メモリのメモリを約半分の使用量にすることができ
る。次に、図5〜図7を用いて第2の実施例について説
明する。
In this way, the memory of the tap coefficient memory can be used in about half the amount used in the conventional example. Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.

【0054】図5は第1の実施例/第2の実施例/従来
例のタップ係数メモリの構成例の比較を示す図、図6は
第2の実施例(1/2)で、タップ係数メモリへのデー
タの書込み部分を示す図、また、図7は第2の実施例
(2/2)で、タップ係数メモリからのデータの読出し
部分を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a comparison of the configuration examples of the tap coefficient memories of the first embodiment / second embodiment / conventional example, and FIG. 6 is the tap coefficient in the second embodiment (1/2). FIG. 7 is a diagram showing a portion for writing data to the memory, and FIG. 7 is a diagram showing a portion for reading data from the tap coefficient memory in the second embodiment (2/2).

【0055】第2の実施例は、図5の(2)に示すよう
に、第1の実施例において、係数メモリM2〜メモリM
7の削除したメモリ位置に、不要メモリを削除した係数
メモリM8〜メモリMDのメモリを実装配置して、タッ
プ係数メモリとして占めるスペースの小型化をはかるも
のである。
In the second embodiment, as shown in (2) of FIG. 5, in the first embodiment, the coefficient memories M2 to M are used.
The memory of the coefficient memory M8 to the memory MD in which the unnecessary memory is deleted is mounted and arranged at the deleted memory position 7 to reduce the space occupied as the tap coefficient memory.

【0056】なお、図6については、各係数メモリを構
成するメモリへ入出力するデータ線をブロック単位でま
とめ、4本あるデータ線を1本で表現してある。係数メ
モリM8〜MDのメモリの実装位置が、係数メモリM2
〜M7の実装位置の上位側に配置されたため、従来のメ
モリ入力データ線との接続を可能とするように、4つの
ORゲートと7つのセレクタとで構成する書込制御部5
0を付加するとともに、タップ係数メモリの各メモリの
ライトイネーブル(WE)端子にもORゲートを設けて
いる。
In FIG. 6, the data lines input to and output from the memories forming the coefficient memories are grouped in block units, and four data lines are represented by one. The mounting positions of the coefficient memories M8 to MD are the coefficient memory M2.
Since the write control unit 5 is arranged on the upper side of the mounting position of M7 to M7, it is composed of four OR gates and seven selectors so as to enable connection with the conventional memory input data line.
In addition to adding 0, an OR gate is also provided at the write enable (WE) terminal of each memory of the tap coefficient memory.

【0057】係数メモリM2〜M7へのデータ書込みの
際、同じタップに位置する係数メモリMD〜M8の記憶
内容が変更しないよう、また、係数メモリM8〜MDへ
のデータ書込みの際、同じ段に位置する係数メモリM7
〜M2の記憶内容が変更しないよう、出力したデータを
再入力させるフィードバック線を設けている。
When writing data to the coefficient memories M2 to M7, the stored contents of the coefficient memories MD to M8 located at the same tap are not changed, and when writing data to the coefficient memories M8 to MD, the same stage is used. Located coefficient memory M7
A feedback line for re-inputting the output data is provided so that the stored contents of M2 are not changed.

【0058】では、タップ係数メモリへのデータの書込
みについて、係数メモリM0,M3,MCを例にして説
明する。データの書込みは、例えば、図3(1)および
図3(2)に“0”〜“13”で示すサンプリング周期
と同じ周期で、係数メモリM0から順次メモリM1,M
2,・・・の順番に行われる。
Now, the writing of data to the tap coefficient memory will be described by taking the coefficient memories M0, M3 and MC as an example. Data writing is performed in the same cycle as the sampling cycle indicated by "0" to "13" in FIGS. 3A and 3B, for example, from the coefficient memory M0 to the memories M1 and M sequentially.
It is performed in order of 2, ...

【0059】まず、係数メモリM0へのデータの書込み
では、書込デコーダ21のアドレス入力部に、サンプリ
ングタイミング“0”に、係数メモリM0を指定するア
ドレス、例えば、“0000”が入力する。
First, in writing data to the coefficient memory M0, an address designating the coefficient memory M0, for example, "0000" is input to the address input section of the write decoder 21 at the sampling timing "0".

【0060】すると、デコーダ21の出力の“0”端子
のみが例えば“H”となる。すると、メモリM0を構成
する16個のメモリ素子のライトイネーブル端子(W
E)がONになり、16ビットのデータが入力される。
このとき、書込制御部50のすべてのセレクタのセレク
ト端子は“L”状態にあるので、セレクタの“0”側入
力のデータが選択されて出力することになる。
Then, only the "0" terminal of the output of the decoder 21 becomes "H", for example. Then, the write enable terminals (W
E) is turned on, and 16-bit data is input.
At this time, since the select terminals of all the selectors of the write controller 50 are in the "L" state, the data on the "0" side input of the selectors is selected and output.

【0061】その結果、メモリ入力される16ビットの
データがそのまま、セレクタを通過して係数メモリM0
の該当メモリに入力し記憶される。次に、係数メモリM
3へのデータの書込みは、書込みデコーダ21のアドレ
ス入力に、サンプリングタイミング“3”に、係数メモ
リM3を指定するアドレス、例えば、“0011”が入
力する。
As a result, the 16-bit data input to the memory passes through the selector as it is, and the coefficient memory M0
Is stored in the corresponding memory. Next, the coefficient memory M
For writing data to 3, an address for designating the coefficient memory M3, for example, “0011” is input to the address input of the write decoder 21 at the sampling timing “3”.

【0062】すると、デコーダ21の出力の“3”端子
のみが例えば“H”となる。すると、係数メモリM3を
構成する12個のメモリと、同じタップに位置する係数
メモリMCを構成する4個のメモリのライトイネーブル
端子(WE)をONにする。すると、係数メモリM3を
構成する12個のメモリへ入力データの最上位の4デー
タを除いた12ビットのデータが入力され、記憶され
る。
Then, only the "3" terminal of the output of the decoder 21 becomes "H", for example. Then, the write enable terminals (WE) of the 12 memories forming the coefficient memory M3 and the 4 memories forming the coefficient memory MC located at the same tap are turned on. Then, the 12-bit data excluding the uppermost 4 data of the input data is input to and stored in the twelve memories forming the coefficient memory M3.

【0063】また、デコーダ21の出力の“3”端子の
“H”が係数メモリM3と係数メモリMCのライトイネ
ーブル端子(WE)をONにすると同時に、デコーダ2
1の出力の“3”端子の“H”は、書込制御部50のO
Rゲート62にも送られるので、ORゲート62の出力
も“H”となり、SEL4 54が動作状態となる。
Further, the "H" at the "3" terminal of the output of the decoder 21 turns on the write enable terminals (WE) of the coefficient memory M3 and the coefficient memory MC, and at the same time, the decoder 2
The “H” at the “3” terminal of the output of 1 is O of the write control unit 50.
Since it is also sent to the R gate 62, the output of the OR gate 62 also becomes "H", and the SEL 4 54 is in the operating state.

【0064】その結果、セレクタ54へは係数メモリM
Cが出力するデータがフィードバックされてセレクタ5
4の入力“1”に入力するので、係数メモリMCへは自
分自身のデータが再入力されることになる。
As a result, the coefficient memory M is sent to the selector 54.
The data output by C is fed back to the selector 5
Since it is input to the input "1" of 4, the own data is re-input to the coefficient memory MC.

【0065】次に、係数メモリMCのデータ書込みは、
読出しデコーダ22のアドレス入力に、サンプリングタ
イミング“12”に、係数メモリMCを指定するアドレ
ス、例えば、“1100”が入力する。
Next, for writing data in the coefficient memory MC,
An address designating the coefficient memory MC, for example, “1100” is input to the address input of the read decoder 22 at the sampling timing “12”.

【0066】すると、デコーダ21の出力の“C”端子
のみが例えば“H”となる。すると、係数メモリMCを
構成する4個のメモリと、同じタップに位置する係数メ
モリM3を構成する12個のメモリのライトイネーブル
端子(WE)をONにし、係数メモリMCを構成する4
ビットのデータが入力され、記憶される。
Then, only the "C" terminal of the output of the decoder 21 becomes "H", for example. Then, the write enable terminals (WE) of the four memories forming the coefficient memory MC and the 12 memories forming the coefficient memory M3 located at the same tap are turned on to form the coefficient memory MC4.
Bit data is input and stored.

【0067】また、デコーダ21の出力の“C”端子の
“H”は係数メモリMCと係数メモリM3のライトイネ
ーブル端子(WE)をONにすると同時に、デコーダ2
1の出力の“C”端子の“H”は、書込制御部50のO
Rゲート63とORゲート64にも送られるので、OR
ゲート63の出力とORゲート64の出力も“H”とな
り、SEL1 51とSEL2 52とSEL5 55とSE
6 56とSEL7 57の5つのセレクタが動作状態と
なる。その結果、係数メモリMCへは、入力メモリ信号
の最下位の4データが、セレクタ51,53,54を経
由して入力することになる。
The "H" at the "C" terminal of the output of the decoder 21 turns on the write enable terminals (WE) of the coefficient memory MC and the coefficient memory M3, and at the same time, the decoder 2
The “H” of the “C” terminal of the output of 1 is O of the write control unit 50.
Since it is also sent to the R gate 63 and the OR gate 64, the OR
The output of the gate 63 and the output of the OR gate 64 also become “H”, and SEL 1 51, SEL 2 52, SEL 5 55, and SE.
The five selectors L 6 56 and SEL 7 57 are activated. As a result, the four least significant data of the input memory signal are input to the coefficient memory MC via the selectors 51, 53 and 54.

【0068】また、このとき、係数メモリM3の第1〜
第3ブロックへの各入力データは、それぞれ自分の出力
したデータがセレクタ56,55,54を経由して再入
力されることになる。
At this time, the first to
As for each input data to the third block, the data output by itself is re-input via the selectors 56, 55, 54.

【0069】このようにして、例えば、係数メモリM5
にデータ書込みするときは、入力メモリの下位側半分が
係数メモリM5に書込まれる。同時に、同じタップの係
数メモリMAでは係数メモリMAに書込まれていたデー
タが読出されてセレクタ55を経由して再度書込みが行
われる。
In this way, for example, the coefficient memory M5
When data is written in, the lower half of the input memory is written in the coefficient memory M5. At the same time, in the coefficient memory MA of the same tap, the data written in the coefficient memory MA is read and written again via the selector 55.

【0070】次に、図7を用いて第2の実施例における
データ読出しについて説明する。第2の実施例のデータ
読出し方法は、第1の実施例のデータ読出し方法と同じ
ように、削除した符号ビット領域のデータの再現に各係
数メモリの最上位のメモリデータを分岐して用いてい
る。
Next, data reading in the second embodiment will be described with reference to FIG. In the data reading method of the second embodiment, like the data reading method of the first embodiment, the highest memory data of each coefficient memory is branched and used to reproduce the data of the deleted code bit area. There is.

【0071】データ読出しについて、係数メモリM0,
M2、およびM8の3つの係数メモリを例に説明する。
まず、係数メモリM0のデータ読出しは、図示しない読
出しデコーダのアドレス入力に、読出しタイミング
“0”に、係数メモリM0を指定するアドレス、例え
ば、“0000”が入力する。
For data reading, the coefficient memory M0,
The three coefficient memories M2 and M8 will be described as an example.
First, when reading data from the coefficient memory M0, an address for designating the coefficient memory M0, for example, "0000" is input to the address input of a read decoder (not shown) at the read timing "0".

【0072】すると、デコーダの出力の“0”端子(図
7において、メモリアクセス番号の“0”)のみが例え
ば“H”となり、係数メモリM0を構成する16個のメ
モリ素子のメモリ イネーブル端子(ME)がONにな
り、16ビットのデータが出力される。
Then, only the output "0" terminal (memory access number "0" in FIG. 7) of the decoder becomes, for example, "H", and the memory enable terminals (16 memory elements of the coefficient memory M0 ( ME) is turned on and 16-bit data is output.

【0073】なお、係数メモリM0とM1に関しては、
符号拡張部70のORゲートに、デコーダの出力の
“0”端子が接続されていないので、すべてのセレクタ
は不動作状態を保持し、入力の“0”側が選択されるの
で、第1ブロックのメモリ素子“0”〜“3”の4デー
タは、セレクタSEL2 32を経て、メモリ出力部へ送
られる。
Regarding the coefficient memories M0 and M1,
Since the "0" terminal of the output of the decoder is not connected to the OR gate of the sign extension unit 70, all the selectors hold the inoperative state, and the "0" side of the input is selected. 4 the data of the memory device "0" to "3", via the selector SEL 2 32, is sent to the memory output section.

【0074】同様に、第2ブロックの4データはSEL
3 83およびSEL4 84を経てメモリ出力部へ送ら
れ、第3ブロックの4データはSEL5 85を経てメモ
リ出力部へ送られ、また、第4ブロックの4データは、
SEL6 86を経てメモリ出力部へ送られる。
Similarly, the 4th data of the second block is SEL.
3 83 and SEL 4 84 are sent to the memory output section, the 4th data of the third block is sent to the memory output section via SEL 5 85, and the 4th data of the 4th block is
Through the SEL 6 86 sent to the memory output section.

【0075】次に、係数メモリM2のデータ読出しは、
図示しない読出しデコーダのアドレス入力に、係数メモ
リM2を指定するアドレス、例えば、“0010”が入
力する。
Next, the data read from the coefficient memory M2 is
An address designating the coefficient memory M2, for example, "0010" is input to the address input of a read decoder (not shown).

【0076】すると、デコーダの出力の“2”端子のみ
が例えば“H”となり、12個のメモリ素子で構成する
メモリM2と、同じタップに位置している係数メモリM
Dが動作する。その結果、係数メモリM2の12ビット
のデータと、係数メモリMDの4ビットのデータが出力
される。
Then, only the "2" terminal of the output of the decoder becomes "H", for example, and the memory M2 composed of 12 memory elements and the coefficient memory M located at the same tap.
D works. As a result, 12-bit data of the coefficient memory M2 and 4-bit data of the coefficient memory MD are output.

【0077】同時に、デコーダの出力の“2”端子の
“H”は、符号拡張部70のORゲート78にも送られ
るので、ORゲート78の出力も“H”となる。同様に
ORゲート77の出力も“H”となるので、SEL6
6が動作し、入力の“1”側が選択されるので、メモリ
M2の第3ブロックの“B”がSEL6 86を経て出力
され、メモリMDの4個のデータの送出は阻止される。
At the same time, the "H" at the "2" terminal of the decoder output is also sent to the OR gate 78 of the sign extension unit 70, so that the output of the OR gate 78 also becomes "H". Since Similarly, the output of the OR gate 77 also becomes "H", SEL 6 8
Since 6 operates and the "1" side of the input is selected, the "B" of the third block of the memory M2 is output via the SEL 6 86, and the transmission of four data of the memory MD is blocked.

【0078】次に、係数メモリM8のデータ読出しは、
読出しデコーダのアドレス入力に係数メモリM8を指定
するアドレス、例えば、“0100”が入力する。する
と、デコーダの出力の“8”端子のみが例えば“H”と
なり、8個のメモリで構成する係数メモリM8と、同じ
タップに位置している係数メモリM7が動作する。その
結果、係数メモリM8の8ビットのデータと、係数メモ
リM7の8ビットのデータが出力される。
Next, the data read from the coefficient memory M8 is
An address designating the coefficient memory M8, for example, "0100" is input to the address input of the read decoder. Then, only the “8” terminal of the output of the decoder becomes “H”, for example, and the coefficient memory M8 composed of eight memories and the coefficient memory M7 located at the same tap operate. As a result, the 8-bit data of the coefficient memory M8 and the 8-bit data of the coefficient memory M7 are output.

【0079】同時に、デコーダの出力の“8”端子の
“H”は、符号拡張部70のORゲート73とORゲー
ト76にも送られる。その結果、第1に、ORゲート7
3に続いてORゲート72の出力が“H”となり、SE
1 が動作し、係数メモリM8の第1ブロック(“0”
〜“3”)のデータがSEL1 81,SEL2 82を経
てメモリ出力の最下位に送られる。
At the same time, the “H” at the “8” terminal of the output of the decoder is also sent to the OR gate 73 and the OR gate 76 of the sign extension unit 70. As a result, firstly, the OR gate 7
After 3, the output of the OR gate 72 becomes "H", and SE
L 1 operates and the first block (“0”) of the coefficient memory M8
Data ~ "3") is sent via the SEL 1 81, SEL 2 82 to the lowest memory output.

【0080】第2に、ORゲート73に続いてSEL2
が動作し、係数メモリM8の第2ブロック(“4”〜
“7”)のデータがSEL3 83,SEL4 84を経て
メモリ出力のデータ“4”〜“7”として送られる。
Second, the OR gate 73 is followed by SEL 2
Operates and the second block (“4”-
The data "7") is sent as the data "4" to "7" of the memory output through the SEL 3 83 and SEL 4 84.

【0081】第3に、ORゲート76に続いてORゲー
ト75がONになり、SEL5 85が動作し、M8の最
上位メモリ“7”のデータが符号拡張されてメモリ出力
のデータ“8”〜“B”として送られる。
Thirdly, the OR gate 75 is turned ON following the OR gate 76, the SEL 5 85 operates, the data of the uppermost memory "7" of M8 is sign-extended, and the data "8" of the memory output. ~ Sent as "B".

【0082】また、第4に、ORゲート75のONによ
り、ORゲート77がONになり、SEL6 86が動作
し、M8の最上位メモリ“7”のデータが符号拡張され
てメモリ出力のデータ“C”〜“F”として送られる。
Fourthly, when the OR gate 75 is turned ON, the OR gate 77 is turned ON, the SEL 6 86 is operated, the data of the uppermost memory "7" of M8 is sign-extended, and the data of the memory output is outputted. It is sent as "C" to "F".

【0083】ビット幅が固定されたメモリを使用する場
合に、上位の符号ビットのみの部分に他のタップ係数を
割り当てることにより、通常の約2倍のタップ係数を持
つことができる。
When a memory having a fixed bit width is used, it is possible to have a tap coefficient that is about twice the normal tap coefficient by assigning another tap coefficient to only the upper code bits.

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明を用いることにより、大量のタッ
プ係数を扱う場合でも必要とするメモリの量を大幅に減
らすことができるので、メモリに要する消費電力やメモ
リ自体に要するコストを削減することができる。
By using the present invention, the amount of memory required even when handling a large number of tap coefficients can be greatly reduced, so that the power consumption required for the memory and the cost required for the memory itself can be reduced. You can

【0085】また、削減したメモリの位置に別のタップ
位置のメモリを配置替えすることにより、レイアウト寸
法やコスト等の削減が期待できる。
Further, by arranging the memory at another tap position at the reduced memory position, it is possible to expect a reduction in layout size and cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1の実施例FIG. 1 is a first embodiment.

【図2】 エコーキャンセラ例[Fig. 2] Example of echo canceller

【図3】 インパルス応答例[Fig. 3] Example of impulse response

【図4】 第1の実施例のタップ係数メモリ構成例とイ
ンパルス応答値書込み例
FIG. 4 is a tap coefficient memory configuration example of the first embodiment and an impulse response value writing example.

【図5】 第1の実施例/第2の実施例/従来例のタッ
プ係数メモリの構成例の比較
FIG. 5 is a comparison of configuration examples of tap coefficient memories of the first embodiment / second embodiment / conventional example.

【図6】 第2の実施例(1/2)FIG. 6 Second embodiment (1/2)

【図7】 第2の実施例(2/2)FIG. 7: Second embodiment (2/2)

【図8】 従来例FIG. 8: Conventional example

【図9】 従来例のタップ係数メモリの構成例FIG. 9 is a configuration example of a tap coefficient memory of a conventional example.

【図10】 従来例のタップ係数メモリへのインパルス
応答値書込み例
FIG. 10 is an example of writing impulse response values to a tap coefficient memory of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 2線式区間線路 3 2線4線変換回路 4 4線式区間線路 10 エコーキャンセラ 11 受信信号メモリ 12 減算器 13 擬似エコー生成部 14,20,40 タップ係数メモリ 15 タップ係数修正部 16 ダブルトーク検出部 21,22 デコーダ 30,70 符号拡張部 31〜33,51〜57,81〜86 セレクタ(S
EL) 34〜37,41〜48,61〜64,71〜78
ORゲート 50 書込制御部 M0〜M9,MA〜MD 係数メモリ
2 2 wire section line 3 2 wire 4 wire conversion circuit 4 4 wire section line 10 Echo canceller 11 Received signal memory 12 Subtractor 13 Pseudo echo generator 14, 20, 40 Tap coefficient memory 15 Tap coefficient corrector 16 Double talk Detector 21,22 Decoder 30,70 Code extension 31-33,51-57,81-86 Selector (S
EL) 34-37, 41-48, 61-64, 71-78
OR gate 50 Write control unit M0 to M9, MA to MD Coefficient memory

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 3/23 H04B 3/23 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H04B 3/23 H04B 3/23

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 負数が2の補数で表現されたインパルス
応答を畳み込み演算のためのタップ係数として、複数タ
ップ分を保持するタップ係数メモリにおいて、 各タップ係数の記憶領域は、バイナリ符号表現されたタ
ップ係数の最上位ビットから同一値が連続する上位側複
数ビットの内の一部を削除した残りのビットと、該上位
側ビット以外の下位ビットとを記憶するビット幅を有す
るよう、それぞれのタップ係数の大きさに対応して定め
られていることを特徴とするタップ係数メモリ。
1. A tap coefficient memory for holding a plurality of taps, wherein a negative number is represented as a two's complement impulse response as a tap coefficient for a convolution operation, and a storage area of each tap coefficient is represented by a binary code. Each tap has a bit width for storing the remaining bits obtained by deleting a part of the upper-order bits having the same value consecutively from the most significant bit of the tap coefficient and the lower-order bits other than the higher-order bits. A tap coefficient memory characterized in that it is defined corresponding to the size of the coefficient.
【請求項2】請求項1記載のタップ係数メモリであっ
て、さらに、各タップ係数が同一ビット幅のデータとし
てタップ係数メモリから出力されるように、前記削除さ
れた上位側ビットを前記残りのビットを基に複製し、前
記記憶領域から読みだしたデータに付加して出力する手
段を有することを特徴とするタップ係数メモリ。
2. The tap coefficient memory according to claim 1, wherein the deleted higher-order bits are stored in the remaining bits so that each tap coefficient is output from the tap coefficient memory as data having the same bit width. A tap coefficient memory comprising means for copying based on bits, adding the data read from the storage area, and outputting the data.
【請求項3】前記上位側複数ビットの内の一部削除に伴
って或るタップ係数用の記憶領域から削除された記憶領
域を他のタップ係数の記憶領域の一部として使用するよ
うにしたことを特徴とする請求項1または2記載のタッ
プ係数メモリ。
3. A storage area deleted from a storage area for a certain tap coefficient due to partial deletion of a plurality of bits on the upper side is used as a part of a storage area for another tap coefficient. 3. The tap coefficient memory according to claim 1, wherein the tap coefficient memory is a tap coefficient memory.
JP27888595A 1995-10-26 1995-10-26 Tap coefficient memory Withdrawn JPH09121140A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27888595A JPH09121140A (en) 1995-10-26 1995-10-26 Tap coefficient memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27888595A JPH09121140A (en) 1995-10-26 1995-10-26 Tap coefficient memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09121140A true JPH09121140A (en) 1997-05-06

Family

ID=17603463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27888595A Withdrawn JPH09121140A (en) 1995-10-26 1995-10-26 Tap coefficient memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09121140A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1191273A (en) Memory module selection and reconfiguration apparatus in a data processing system
US5297071A (en) Arithmetic circuit, and adaptive filter and echo canceler using it
CA2020804C (en) Adaptive echo canceller
JPS61263331A (en) Adaption of non-linear filter, non-linear adaptive filter and echo canceller
JPH05113930A (en) Flexible n-way-memory interleaving method
EP0117756B1 (en) Data interpolating circuit
JP3135902B2 (en) Automatic equalizer and semiconductor integrated circuit
US4701873A (en) Method and a circuit arrangement for digital signal processing utilizing adaptive transversal filter techniques
EP0383360B1 (en) Adaptive recognising device
EP0998787A1 (en) Adaptive filter system having mixed fixed point or floating point and block scale floating point operators
US6127950A (en) Transmission circuit and reception circuit
JPH09121140A (en) Tap coefficient memory
US3898387A (en) Digital data switching system utilizing voice encoding and decoding circuitry
EP0122594A2 (en) Line circuit with echo compensation
EP0194738A1 (en) Multi-stage echo canceller
JPS59211338A (en) Echo canceller device
US20040158596A1 (en) Data processing apparatus
JPH05206899A (en) Far-end echo canceler
JPH08115268A (en) Memory circuit device
JPH0669759A (en) Adaptive signal processor
JP2985539B2 (en) Parallel time-division time slot replacement circuit
JPH08202615A (en) Storage
JPS58178646A (en) System for preventing wiretapping
JPH10285049A (en) Encoder, decoder, encoding and decoding device and arithmetic coder
JPH02113730A (en) Serial input/output supporting circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030107