JPH09120075A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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JPH09120075A
JPH09120075A JP21997696A JP21997696A JPH09120075A JP H09120075 A JPH09120075 A JP H09120075A JP 21997696 A JP21997696 A JP 21997696A JP 21997696 A JP21997696 A JP 21997696A JP H09120075 A JPH09120075 A JP H09120075A
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JP
Japan
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spacer
liquid crystal
crystal display
display element
element according
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JP21997696A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Kurauchi
内 昭 一 倉
Daisuke Miyazaki
崎 大 輔 宮
Hitoshi Hado
藤 仁 羽
Teruyuki Midorikawa
川 輝 行 緑
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive element of a color display type with which the display performance and yield are improved without using plastic beads and the number of stages is decreased. SOLUTION: The spacers 33 are composed of laminates (33R, 33G, 33B) of colored layers constituting color filters and are arranged in the position of an active matrix substrate 10 where the dielectric breakdown strength is high. As a result, the plastic beads are not used and, therefore, the display performance is improved and the insulation is maintained. If the spacers are formed into a reverse taper shape, conductive layers are not formed on the flanks and, therefore, the contact positions of the spacers are freely selectable. While the spacers are disposed on a counter substrate 30, the spacers may be disposed on the active matrix 10 side as well.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子に係
り、特に表示性能が良く、歩留りが高く、工程数の少な
い液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display element, and more particularly to a liquid crystal display element having good display performance, high yield, and a small number of steps.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
素子は、電極を有する2枚のガラス基板を対向させて、
その2枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で固
定され、2枚の基板間に液晶が挟持され、液晶封入口が
封止剤で封止された構成となっている。この2枚の基板
間の距離を一定に保つためのスペーサとして粒径の均一
なプラスティックビーズ等を基板間に散在させている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display element that is generally used at present has two glass substrates having electrodes facing each other.
The periphery of the two substrates is fixed with an adhesive except the liquid crystal sealing port, the liquid crystal is sandwiched between the two substrates, and the liquid crystal sealing port is sealed with a sealing agent. As spacers for keeping the distance between the two substrates constant, plastic beads having a uniform particle diameter are scattered between the substrates.

【0003】カラー表示用の液晶表示素子は2枚のガラ
ス基板の内1枚にRGBの着色層のついたカラーフィル
タが形成してある。例えば、単純マトリクス駆動のカラ
ー型ドットマトリクス液晶表示素子においては、横
(Y)方向に帯状にパターニングされたY電極を有する
Y基板と縦(X)方向に帯状にパターニングされたX電
極の下に着色層を有するX基板とを、Y電極とX電極が
ほぼ直交するように対向設置し、その間に液晶組成物を
挟持した構成を持っている。液晶表示素子の表示方式と
しては、例えばTN(Twisted Nematic )形、STN
(Super Twisted Nematic )形、GH(Guest Host)
形、あるいはECB(Electrically ControlledBirefri
ngence )形や強誘電性液晶などが用いられる。封止剤
としては、例えば熱または紫外線硬化型のアクリル系ま
たはエポキシ系の接着剤などが用いられる。
In a liquid crystal display element for color display, one of two glass substrates is provided with a color filter having an RGB coloring layer. For example, in a simple matrix-driven color dot matrix liquid crystal display element, a Y substrate having Y electrodes patterned in a horizontal (Y) direction in a strip shape and an X electrode patterned in a strip shape in a vertical (X) direction are formed below the Y electrodes. An X substrate having a colored layer is arranged so as to face each other so that the Y electrode and the X electrode are substantially orthogonal to each other, and the liquid crystal composition is sandwiched therebetween. A liquid crystal display device has a display method, for example, TN (Twisted Nematic) type, STN
(Super Twisted Nematic) type, GH (Guest Host)
Shape, or ECB (Electrically Controlled Birefri
ngence) type and ferroelectric liquid crystal are used. As the sealant, for example, a heat- or UV-curable acrylic or epoxy adhesive or the like is used.

【0004】また、カラー型アクティブマトリクス駆動
液晶表示素子においては、スイッチング素子、例えばア
モルファスシリコン(a−Si)を半導体層とした薄膜
トランジスタ(TFT)とそれに接続された画素電極と
信号線、ゲート線が形成されたアクティブマトリクス基
板であるTFTアレイ基板とそれに対向設置された共通
電極を有し、RGBカラーフィルタを対向基板上に形成
し、アクティブマトリクス基板上から対向基板へ電圧を
印加する電極転移部材(トランスファー)として銀ペー
スト等を画面周辺部に配置し、この電極転移材で2枚の
基板を電気的に接続し、この2枚の間に液晶組成物を挟
持した構成を有している。さらに、この2枚の両側に偏
光板を挟持している。
Further, in a color type active matrix drive liquid crystal display element, a switching element, for example, a thin film transistor (TFT) having a semiconductor layer of amorphous silicon (a-Si), a pixel electrode connected to it, a signal line and a gate line are provided. An electrode transfer member which has a TFT array substrate which is a formed active matrix substrate and a common electrode which is installed opposite to the TFT array substrate, forms an RGB color filter on the opposite substrate, and applies a voltage from the active matrix substrate to the opposite substrate ( As a transfer), a silver paste or the like is arranged in the peripheral portion of the screen, the two substrates are electrically connected by this electrode transition material, and the liquid crystal composition is sandwiched between the two substrates. Further, polarizing plates are sandwiched on both sides of these two sheets.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラス
ティックビーズ等をスペーサとして用いるこれらの液晶
表示素子では、2枚の基板間に散在させたスペーサ周辺
の液晶の配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れコン
トラストが低下してしまうという問題がある。また、ス
ペーサを均一に分散させることは困難であり、スペーサ
を基板上に散在させる工程でスペーサが不均一に配置さ
れ、表示不良となり歩留りの低下を招いていた。
However, in these liquid crystal display elements using plastic beads or the like as spacers, the alignment of the liquid crystal around the spacers scattered between the two substrates is disturbed, and light leaks from the periphery of the spacers. There is a problem that the contrast is reduced. Further, it is difficult to disperse the spacers uniformly, and the spacers are non-uniformly arranged in the step of dispersing the spacers on the substrate, resulting in a display failure and a reduction in yield.

【0006】このため、プラスティックビーズ等を使用
しない液晶表示素子を実現するため、TFT部にカラー
フィルタの複数の着色層を積層して柱状スペーサを形成
するようにしたものが提案されている。
Therefore, in order to realize a liquid crystal display device that does not use plastic beads or the like, there has been proposed a device in which a plurality of colored layers of a color filter are laminated on a TFT portion to form a columnar spacer.

【0007】また、柱状スペーサをアクティブマトリク
ス用の配線のうち、ゲート線または信号線に位置する配
線上にスペーサを配置することやフォトレジスト等で非
画素部に柱状のスペーサを形成することも提案されてい
る。
Further, it is also proposed that the columnar spacer is arranged on the wiring located in the gate line or the signal line among the wirings for the active matrix, or that the columnar spacer is formed in the non-pixel portion with photoresist or the like. Has been done.

【0008】しかしながら、カラーフィルタ基板側に柱
状スペーサを形成し、この柱状スペーサを含む基板全面
に共通電極の形成した液晶表示素子では共通電極である
ITO(Indium Tin Oxide)膜が柱状スペーサの頂部、
側部にも被膜されるために、アクティブマトリクス基板
側に形成された配線や電極等と電気的短絡が発生して表
示不良を招くという問題があった。
However, in a liquid crystal display element in which a columnar spacer is formed on the color filter substrate side and a common electrode is formed on the entire surface of the substrate including the columnar spacer, an ITO (Indium Tin Oxide) film which is a common electrode is formed on the top of the columnar spacer.
Since the film is also formed on the side portions, there is a problem that an electrical short circuit occurs with wirings, electrodes, etc. formed on the active matrix substrate side, resulting in display failure.

【0009】さらに、電極転移部材を画面周辺部に配設
する関係上、液晶表示素子の非表示領域の面積を減少さ
せるのは困難であった。
Further, it is difficult to reduce the area of the non-display area of the liquid crystal display element because the electrode transition member is arranged in the peripheral portion of the screen.

【0010】本発明の主要な目的は、表示性能が良いカ
ラー液晶表示素子を提供することである。
A main object of the present invention is to provide a color liquid crystal display device having good display performance.

【0011】本発明の更なる目的は、製造歩留りが高い
カラー液晶表示素子を提供することである。
A further object of the present invention is to provide a color liquid crystal display device having a high manufacturing yield.

【0012】本発明の他の目的は、工程数が少なく安価
なカラー液晶表示素子を提供することである。
Another object of the present invention is to provide an inexpensive color liquid crystal display device having a small number of steps.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、カラー
フィルタ基板側に、柱状スペーサを形成し、この柱状ス
ペーサを含む基板全面に共通電極が形成された液晶表示
素子において、スペーサの形成位置をアクティブマトリ
クス基板の絶縁破壊強度の高い箇所に配置している。具
体的には下層配線上、中間配線上、上層配線上に配置す
る場合、非画素非配線領域に配置する場合、非画素部と
画素部との境界部に配置する場合があり、各々、アクテ
ィブマトリクス基板上に形成される絶縁膜を介してスペ
ーサを配置することができる。これにより、プラスティ
ックビーズを使用せず、かつスペーサ部の絶縁性が向上
することにより、アクティブマトリクス基板と対向基板
間の距離を安定に保つことにより表示性能が向上すると
ともに、製造も容易となって、歩留りやコストの低減が
可能となる。
According to the present invention, in a liquid crystal display device in which a columnar spacer is formed on the color filter substrate side and a common electrode is formed on the entire surface of the substrate including the columnar spacer, the spacer formation position is formed. Are arranged at locations where the dielectric breakdown strength of the active matrix substrate is high. Specifically, it may be arranged on the lower layer wiring, the intermediate wiring, the upper layer wiring, the non-pixel non-wiring area, or the boundary portion between the non-pixel portion and the pixel portion. Spacers can be arranged through an insulating film formed on the matrix substrate. As a result, the plastic beads are not used and the insulating property of the spacer portion is improved, so that the display performance is improved by keeping the distance between the active matrix substrate and the counter substrate stable, and the manufacturing is facilitated. The yield and cost can be reduced.

【0014】また、本発明によれば、スペーサの断面形
状を逆テーパ状としているので、スペーサ側面への導電
性膜形成を防止することによって、スペーサ上の共通電
極とアクティブマトリクス基板側に形成される配線や電
極との間に生じる不必要な電気的容量が発生したり、電
気的短絡が生じることを防止することができる。
Further, according to the present invention, since the cross-sectional shape of the spacer is inversely tapered, the formation of the conductive film on the side surface of the spacer is prevented, so that the common electrode on the spacer and the active matrix substrate side are formed. It is possible to prevent generation of unnecessary electric capacitance between the wiring and the electrodes, or an electric short circuit.

【0015】さらに、この逆テーパ形状を有するスペー
サをカラーフィルター形成時に柱状の着色層を上層が大
径となるように形成することにより、スペーサをカラー
フィルタと同時に形成できる。
Further, the spacer having the inverse taper shape is formed at the same time as the color filter by forming the columnar colored layer so that the upper layer has a large diameter when the color filter is formed.

【0016】また、スペーサの外周に柱状スペーサの高
さより低く同心に配置された円筒状壁体を設けることに
より、スペーサ側面への導電膜の付着を防止することが
でき、柱状スペーサに対して配向膜の配向処理方向の進
入側の位置に前記柱状スペーサの高さより低い柱状障壁
を設けることにより、配向膜のラビングによる配向処理
の際、ラビングの外力で柱状スペーサの脱落を防止でき
信頼性を増加することができる。
Further, by providing a cylindrical wall body arranged concentrically lower than the height of the columnar spacers on the outer periphery of the spacers, it is possible to prevent the conductive film from adhering to the side surfaces of the spacers, and to align with the columnar spacers. By providing a columnar barrier lower than the height of the columnar spacers at the position on the entry side in the alignment treatment direction of the film, it is possible to prevent the columnar spacers from falling off by the external force of the rubbing during the alignment treatment by rubbing the alignment film, which increases reliability. can do.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のいく
つかを詳述する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, some of the embodiments of the present invention will be described in detail.

【0018】図1は本発明による第1の実施の形態にか
かるアクティブマトリクス液晶表示素子の断面図であ
る。この断面図は図2に示される平面図における一点鎖
線で描いた切断線に沿ったものを主要部分として含む。
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板10と
対向基板30とが対向配置され、それらの間に液晶組成
物40が封入されている。
FIG. 1 is a sectional view of an active matrix liquid crystal display element according to the first embodiment of the present invention. This cross-sectional view includes, as a main part, a cross-section taken along a dashed line in the plan view shown in FIG.
In this liquid crystal display element, an active matrix substrate 10 and a counter substrate 30 are arranged so as to face each other, and a liquid crystal composition 40 is sealed between them.

【0019】図3は図1の液晶表示素子に用いられるア
クティブマトリクス基板10の構成を詳しく示す断面図
であり、この断面図は図2に示される平面図における一
点鎖線で描いた切断線に沿ったものを主要部分として含
む。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing in detail the structure of the active matrix substrate 10 used in the liquid crystal display element of FIG. 1, and this cross-sectional view is taken along the cutting line drawn by the one-dot chain line in the plan view shown in FIG. The main parts are included.

【0020】この図は図4に示す平面図に対応するもの
である。アクティブマトリクス基板はTFT部が逆スタ
ガ型と称される構造となっている。ガラス基板11の主
面側のTFT部にはゲート電極12が、配線部には走査
線13がそれぞれ配設され、これらの上には窒化珪素の
絶縁膜14が堆積されている。この絶縁膜14上でゲー
ト電極12の上方にはアモルファスシリコンよりなる半
導体膜15が形成され、この半導体膜15および絶縁膜
14にまたがるようにソース16およびドレイン17が
半導体膜15の中央部に所定の距離を隔てて対向するよ
うに形成されている。ドレイン17には信号線18が連
結されて形成され、ソース16には画素電極19が連結
形成されている。そして、TFT部および配線部の全面
に酸化珪素の保護膜20が形成され、画素部の全面には
配向膜21が形成されている。なお、図3においては図
1と同じ要素には同じ参照番号を付してあるが、発明を
よりわかりやすくするため、一部形状を変えてある。
This figure corresponds to the plan view shown in FIG. The TFT portion of the active matrix substrate has a structure called an inverted stagger type. A gate electrode 12 is provided in the TFT portion on the main surface side of the glass substrate 11, a scanning line 13 is provided in the wiring portion, and an insulating film 14 of silicon nitride is deposited thereon. A semiconductor film 15 made of amorphous silicon is formed on the insulating film 14 and above the gate electrode 12, and a source 16 and a drain 17 are provided in a central portion of the semiconductor film 15 so as to extend over the semiconductor film 15 and the insulating film 14. Are formed so as to face each other with a distance of. A signal line 18 is connected to the drain 17, and a pixel electrode 19 is connected to the source 16. Then, a protective film 20 of silicon oxide is formed on the entire surface of the TFT portion and the wiring portion, and an alignment film 21 is formed on the entire surface of the pixel portion. In FIG. 3, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, but some of the shapes are changed to make the invention easier to understand.

【0021】再び図1を参照すると、上側の対向基板3
0は、ガラス基板31上に画素位置に合わせて形成され
た赤、緑、青のカラーフィルタ32R、32G、32B
を有し、各カラーフィルタの間には遮光膜36が形成さ
れている。また、これらのカラーフィルタ材料が積層さ
れ、柱状のスペーサ33が形成されている。このスペー
サ33は赤色層33R、緑色層33G、青色層33Bよ
りなっており、これらはカラーフィルタ32R、32
G、32Bに対応するものである。そして全面に透明電
極膜34および配向膜35が堆積されている。
Referring again to FIG. 1, the upper counter substrate 3
0 is red, green, and blue color filters 32R, 32G, and 32B formed on the glass substrate 31 in accordance with pixel positions.
And a light shielding film 36 is formed between the color filters. Further, these color filter materials are laminated to form a columnar spacer 33. The spacer 33 includes a red layer 33R, a green layer 33G, and a blue layer 33B, which are color filters 32R and 32R.
It corresponds to G and 32B. Then, the transparent electrode film 34 and the alignment film 35 are deposited on the entire surface.

【0022】両基板は対向され、対向基板30のスペー
サ33はアクティブマトリクス基板10の走査線13に
当接するようにされている。図1からわかるように、最
下層である走査線の上には2層の絶縁層14および20
が存在し、スペーサ33が当接しても絶縁性が損なわれ
てショート等の欠陥が発生することはきわめて少ない。
そして両基板の間には液晶組成物40が充填封入されて
いる。
The two substrates are opposed to each other, and the spacers 33 of the counter substrate 30 are brought into contact with the scanning lines 13 of the active matrix substrate 10. As can be seen from FIG. 1, two insulating layers 14 and 20 are provided on the scanning line which is the lowermost layer.
Therefore, even if the spacers 33 come into contact with each other, it is extremely unlikely that the insulating property is deteriorated and a defect such as a short circuit occurs.
The liquid crystal composition 40 is filled and sealed between both substrates.

【0023】次にこのような液晶表示素子の製法を説明
する。まず、通常TFTを形成するプロセスと同様に厚
さ1.1mmのコーニング社製の#7059ガラス基板
11上に成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トラン
ジスタと電極配線をマトリクス状に形成する。ここでは
縦横それぞれ100画素、合計10000画素とアモル
ファスシリコンTFTアレイを有するアクティブマトリ
クス基板10を形成するものとする。このアクティブマ
トリクス基板においては、走査線が最下層に配置されて
おり、その上部には、2層の絶縁膜14、20が形成さ
れている。その後配向膜材料としてAL−1051(日
本合成ゴム(株)製)を全面に500オングストローム
の厚さで塗布し、ラビング処理を行い、配向膜21を形
成する。
Next, a method of manufacturing such a liquid crystal display element will be described. First, similar to the process of forming a normal TFT, film formation and patterning are repeated on a # 7059 glass substrate 11 made by Corning and having a thickness of 1.1 mm to form thin film transistors and electrode wirings in a matrix. Here, it is assumed that an active matrix substrate 10 having an amorphous silicon TFT array with 100 pixels vertically and horizontally, 10000 pixels in total is formed. In this active matrix substrate, the scanning line is arranged in the lowermost layer, and two layers of insulating films 14 and 20 are formed on the scanning line. After that, AL-1051 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) as an alignment film material is applied to the entire surface in a thickness of 500 angstrom, and a rubbing treatment is performed to form an alignment film 21.

【0024】次に対向基板30は次のようにして形成さ
れる。厚さ1.1mmのコーニング社製の#7059ガ
ラス基板31上に、感光性の黒色樹脂CK−2000
(富士ハントテクノロジー(株)製)をスピンナーを用
いて塗布し、90℃ 10分の乾燥後、所定のパターン
形状のフォトマスクを用いて365nmの波長で、30
0mJ/cm2 の露光量で露光した後、pH11.5の
アルカリ水溶液にて現像し、200℃ 60分の焼成を
行って膜厚 2.0μmの遮光層36を形成する。つい
で、赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂
レジストCR−2000(富士ハントテクノロジー
(株)製)をスピンナーで全面に塗布し、スペーサの形
成予定箇所および赤色フィルタ形成予定箇所に光が照射
されるようなフォトマスクを用いて365nmの波長で
100mJ/cm2 照射し、KOHの1%水溶液で10
秒間現像し、その部分に赤の着色層を形成する。ここで
は、スペーサの配置位置は対向するアクティブマトリク
ス基板の走査線と相対する場所とし、信号線やTFT、
画素電極との重なり部を避けた場所とする。これは、前
述したように、アクティブマトリクス基板における最下
層である走査線の上には少なくとも2層の絶縁膜14、
20が形成されているため、スペーサの当接によって絶
縁が損なわれるようなことが極めて少ないためである。
Next, the counter substrate 30 is formed as follows. A photosensitive black resin CK-2000 is formed on a # 7059 glass substrate 31 made by Corning having a thickness of 1.1 mm.
(Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) is applied using a spinner, dried at 90 ° C. for 10 minutes, and then a photomask having a predetermined pattern shape is used to apply light at a wavelength of 365 nm at 30 nm.
After exposure with an exposure amount of 0 mJ / cm 2, the film is developed with an alkaline aqueous solution having a pH of 11.5 and baked at 200 ° C. for 60 minutes to form a light shielding layer 36 having a film thickness of 2.0 μm. Then, a UV-curable acrylic resin resist CR-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) in which a red pigment is dispersed is applied to the entire surface by a spinner, and light is irradiated to the planned spacer formation locations and the red filter formation locations. Irradiate 100 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm using a photomask as described above, and use a 1% KOH solution for 10 times.
It is developed for a second, and a red colored layer is formed on that portion. Here, the arrangement position of the spacer is set to a position facing the scanning line of the active matrix substrate which is opposed to the signal line, the TFT,
The place where it overlaps with the pixel electrode is avoided. As described above, this is because at least two layers of the insulating film 14 are formed on the scanning line which is the lowermost layer in the active matrix substrate.
The reason for this is that since the spacers 20 are formed, the insulation is hardly damaged by the contact of the spacers.

【0025】同様に緑、青の着色層をそれぞれ塗布、露
光、現像してスペーサおよびカラーフィルタを形成し、
最終的に230℃で1時間焼成する。ここでは緑の着色
材料は、CG−2000(富士ハントテクノロジー
(株)製)、青の着色層はCB−2000(富士ハント
テクノロジー(株)製)を用いる。その後、透明電極3
4としてITO膜を1500Aの厚さにスパッタ法で成
膜し、その上に同様の配向膜材料を形成した後、ラビン
グ処理を行い、配向膜35を形成する。
Similarly, green and blue colored layers are respectively applied, exposed and developed to form spacers and color filters,
Finally, it is baked at 230 ° C. for 1 hour. Here, CG-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) is used as the green coloring material, and CB-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) is used as the blue coloring layer. After that, the transparent electrode 3
An ITO film having a thickness of 1500 A is formed as a film 4 by a sputtering method, a similar alignment film material is formed thereon, and then a rubbing process is performed to form an alignment film 35.

【0026】その後、対向基板30の配向膜35の周辺
に沿って接着剤37を液晶注入口(図示せず)を除いて
印刷し、アクティブマトリクス基板から共通電極に電圧
を印加するための電極転移剤を接着剤37の周辺の電極
転移電極上に形成する。次に両基板の配向膜21、35
が対向し、またそれぞれのラビング方向が90度となる
よう基板10,30を配置し、接着剤を加熱硬化させ基
板10,30を貼り合わせる。次に通常の方法により注
入口より液晶組成物40として、ZLI−1565
(E.メルク社製)にS811を0.1wt%添加した
ものを注入し、この後注入口を紫外線硬化樹脂で封止す
る。
Thereafter, an adhesive 37 is printed along the periphery of the alignment film 35 of the counter substrate 30 except for a liquid crystal injection port (not shown), and an electrode transfer for applying a voltage from the active matrix substrate to the common electrode. The agent is formed on the electrode transfer electrode around the adhesive 37. Next, the alignment films 21 and 35 on both substrates
Are opposed to each other, and the substrates 10 and 30 are arranged so that the rubbing directions thereof are 90 degrees, and the adhesive is heated and cured to bond the substrates 10 and 30. Then, as a liquid crystal composition 40 from the injection port, ZLI-1565 was prepared by an ordinary method.
(Manufactured by E. Merck & Co., Inc.) is injected with 0.18% by weight of S811, and then the injection port is sealed with an ultraviolet curable resin.

【0027】このようにして形成されたカラー表示型ア
クティブマトリクス液晶表示素子は、プラスティックビ
ーズを用いていないためコントラスト比が高く、質の良
い表示が得られ、しかも高い信頼性が得られた。
The color display type active matrix liquid crystal display element thus formed has a high contrast ratio because it does not use plastic beads, and a high quality display is obtained, and high reliability is obtained.

【0028】この実施の形態において説明され、後続の
実施の形態においても適用可能な材料は限定的なもので
はなく、他のものも使用できる。例えば、遮光層形成の
ための黒色樹脂として非感光性のものを使用することが
でき、また、着色層を形成するための着色材料としての
染料を分散させたアクリル樹脂として、赤はPicRe
d02、緑はPic Green02、青はPic B
lue02(いずれもブリューワーサイエンス(株)
製)を用いても良い。
The materials described in this embodiment and applicable in the following embodiments are not limited, and other materials can be used. For example, a non-photosensitive resin can be used as the black resin for forming the light-shielding layer, and an acrylic resin in which a dye is dispersed as a coloring material for forming the colored layer can be used as red resin in PicRe.
d02, green is Pic Green02, blue is Pic B
lue02 (both are Brewer Science Co., Ltd.)
Manufactured) may be used.

【0029】なお、この実施の形態ではアクティブマト
リクス基板はTFT部が逆スタガ型と称される構造とな
っており、スペーサは走査線上に当接するようにしてい
たが、一般的に走査線と同層に形成される補助容量線の
上でも良く、また他の形式のアクティブマトリクス基板
においても最下層で、かつこの最下層配線上であって、
他の配線及び電極が形成されていない位置に当接させる
ことにより同様の効果が期待できる。
In this embodiment, the active matrix substrate has a structure in which the TFT portion is called an inverted stagger type, and the spacer is in contact with the scanning line, but it is generally the same as the scanning line. It may be on the auxiliary capacitance line formed in a layer, or on the lowermost layer in other types of active matrix substrates, and on this lowermost layer wiring,
The same effect can be expected by bringing it into contact with a position where no other wiring or electrode is formed.

【0030】補助容量線上で、かつ他の配線や電極が形
成されない位置にスペーサを形成した場合、補助容量線
とスペーサ上の共通電極との間で短絡が生じても問題な
い。なぜなら、補助容量線、共通電極は、同一レベルの
電位が供給されているため、短絡しても、動作特性上問
題ないからである。したがって、最下層でなくとも、補
助容量線上にスペーサを配置すれば、短絡が生じても問
題ない。
When the spacer is formed on the auxiliary capacitance line and at a position where no other wiring or electrode is formed, there is no problem even if a short circuit occurs between the auxiliary capacitance line and the common electrode on the spacer. This is because the storage capacitor line and the common electrode are supplied with the same level of potential, so that even if they are short-circuited, there is no problem in operating characteristics. Therefore, even if it is not the bottom layer, if a spacer is arranged on the auxiliary capacitance line, there is no problem even if a short circuit occurs.

【0031】本実施の形態のスペーサと当接する最下層
である走査線または補助容量線上には酸化膜、窒化膜の
2層の絶縁膜が形成されているが、少なくとも1層の絶
縁膜が形成されていれば良い。
Although two layers of insulating films, that is, an oxide film and a nitride film, are formed on the scanning line or the auxiliary capacitance line, which is the lowermost layer in contact with the spacer of this embodiment, at least one insulating film is formed. It should be done.

【0032】本実施の形態では、アクティブマトリスク
基板上に形成される配線層のうち、最も基板側に近い配
線上、すなわち最下層配線上で、かつこの配線上には他
の配線及び電極などの導電性物質が形成されず、酸化
膜、窒化膜などの無機絶縁膜が形成されている絶縁破壊
強度の高い箇所に、スペーサを形成されているため、ス
ペーサ上に形成される共通電極と最下層配線との短絡を
防止することができる。更に、最下層配線上にスペーサ
を配置した場合には、最下層配線上に形成される絶縁
膜、他の配線層、この場合信号線上に形成される絶縁膜
の2層が少なくとも形成されることになり、最下層配線
以外の配線である信号線上にスペーサを配置した場合よ
りも、短絡の発生はより少なくなる。
In the present embodiment, among the wiring layers formed on the active matrix substrate, on the wiring closest to the substrate side, that is, on the lowermost layer wiring, and on this wiring, other wiring and electrodes, etc. Since the conductive material is not formed and the inorganic insulating film such as the oxide film or the nitride film is formed, the spacer is formed at the portion having high dielectric breakdown strength. It is possible to prevent a short circuit with the lower layer wiring. Further, when the spacer is arranged on the lowermost layer wiring, at least two layers of an insulating film formed on the lowermost layer wiring, another wiring layer, and an insulating film formed on the signal line in this case are formed. Therefore, the occurrence of the short circuit is less than that in the case where the spacer is arranged on the signal line which is the wiring other than the lowermost layer wiring.

【0033】図5は第2の実施の形態として正スタガ型
と称されるアクティブマトリクス基板50の断面構造を
示す。ガラス基板51の主面側のTFT部にはソース5
2、ドレイン53が所定距離を隔てて対向配設されてい
る。これらの間とソース、ドレインの一部にかけてアモ
ルファスシリコンよりなる半導体膜54が形成され、ド
レイン53には信号線55が連結されて形成されてい
る。これらの全面には絶縁膜56が堆積されている。先
に説明したソース、ドレイン間の上方の絶縁膜56上に
はゲート電極57が形成される。また、配線部において
は絶縁膜56上に走査線58が形成されている。そし
て、TFT部および配線部の全面に絶縁膜59が形成さ
れている。また、図3の場合と同様に、画素部の全面に
は配向膜21が形成されている。
FIG. 5 shows a sectional structure of an active matrix substrate 50 called a positive stagger type according to the second embodiment. The source 5 is provided in the TFT portion on the main surface side of the glass substrate 51.
2. The drains 53 are arranged facing each other with a predetermined distance. A semiconductor film 54 made of amorphous silicon is formed between these and a part of the source and drain, and a signal line 55 is connected to the drain 53. An insulating film 56 is deposited on the entire surface of these. The gate electrode 57 is formed on the insulating film 56 between the source and the drain described above. Further, in the wiring portion, the scanning line 58 is formed on the insulating film 56. An insulating film 59 is formed on the entire surface of the TFT section and the wiring section. Further, as in the case of FIG. 3, the alignment film 21 is formed on the entire surface of the pixel portion.

【0034】このような正スタガ型アクティブマトリク
ス基板を用いた場合には、スペーサを当接する位置は最
下層である信号線55とする。この場合も信号線55の
上には2層の絶縁層56、59が形成されており、スペ
ーサを当接させた場合に絶縁特性が劣化する可能性が最
も少ない。
When such a positive stagger type active matrix substrate is used, the position where the spacer contacts is the signal line 55 which is the lowermost layer. In this case as well, the two insulating layers 56 and 59 are formed on the signal line 55, and there is the least possibility that the insulating characteristics will deteriorate when the spacers are brought into contact with each other.

【0035】なお、スペーサが当接する最下層配線層上
での面積について検討すると、面積が大きいほどスペー
サとしての機能を安定に発揮するようになるが、あまり
大きいとゲート線とスペーサ上に形成される共通電極と
の間で形成される寄生容量が無視できなくなり、印加電
圧波形のなまりや遅延を生じ、表示特性を劣化させる。
このため、スイッチング素子、例えばトランジスタの合
計面積の2倍以下であることが望ましい。しかし、基板
間距離を安定に維持するため、スペーサが当接する最下
層配線上での合計面積は、スイッチング素子、例えばト
ランジスタの合計面積の20分の1以上であることが必
要である。なお、ここでスイッチング素子面積とは半導
体層の面積をいう。
Examining the area on the lowermost wiring layer with which the spacer abuts, the larger the area, the more stable the function of the spacer becomes. However, if the area is too large, the spacer is formed on the gate line and the spacer. The parasitic capacitance formed between the common electrode and the common electrode cannot be neglected, and the waveform of the applied voltage is blunted or delayed and the display characteristics are deteriorated.
Therefore, it is desirable that the total area of the switching elements, for example, the transistors is twice or less. However, in order to maintain a stable substrate-to-substrate distance, the total area on the lowermost layer wiring with which the spacer abuts needs to be 1/20 or more of the total area of the switching element, for example, the transistor. Here, the switching element area means the area of the semiconductor layer.

【0036】また、最下層配線層上に当接するスペーサ
の数については、スイッチング素子、例えばトランジス
タの数に応じた数が必要であること、マトリクスの端部
に全体の大きさに応じた一定数が必要であることから、
スイッチング素子、例えばトランジスタの数に対して一
次関数の関係にあることが必要であり、これにより表示
領域のスペーサは均一に分散して形成され、セルギャッ
プが均一となることは明らかである。
Further, the number of spacers abutting on the lowermost wiring layer must be a number corresponding to the number of switching elements, for example, transistors, and a fixed number according to the overall size at the end of the matrix. Is necessary,
It is necessary to have a linear function relationship with the number of switching elements, for example, transistors, and it is obvious that the spacers in the display region are uniformly distributed and the cell gap is uniform.

【0037】以上の実施の形態によれば、スペーサは最
下層の配線層に当接するようにしているが、絶縁破壊強
度の高い位置であれば他の層でも良い。そのような実施
の形態のいくつかを以下に示す。
According to the above-mentioned embodiments, the spacer is made to contact the lowermost wiring layer, but it may be another layer as long as it has a high dielectric breakdown strength. Some of such embodiments are shown below.

【0038】図6は本発明の第3の実施の形態にかかる
アクティブマトリクス液晶素子の素子断面図であり、こ
の断面図は図7に示される平面図における一点鎖線で描
いた切断線に沿ったものを主要部分として含む。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention. This cross-sectional view is taken along the cutting line drawn by the one-dot chain line in the plan view shown in FIG. Including things as main parts.

【0039】この液晶表示素子は、逆スタガ型のアクテ
ィブマトリクス基板60と対向基板80とが対向配置さ
れ、それらの間に液晶組成物40が封入されている構成
となっている。
In this liquid crystal display element, an inverted stagger type active matrix substrate 60 and a counter substrate 80 are arranged so as to face each other, and a liquid crystal composition 40 is sealed between them.

【0040】アクティブマトリクス基板60はTFT部
が逆スタガ構造となっており、ガラス基板61の主面側
のTFT部にはゲート電極62が配設され、この上には
窒化珪素からなる絶縁膜63が堆積されている。この絶
縁膜63上でゲート電極62の上方にはアモルファスシ
リコンよりなる半導体膜64が形成され、この半導体膜
64および絶縁膜63にまたがるようにソース65およ
びドレイン66が半導体膜64の中央部に所定の距離を
隔てて対向するように形成されている。ドレイン66に
は信号線67が連結されて形成され、ソース65には画
素電極68が連結形成されている。そして、TFT部の
全面に絶縁膜69が形成され、画素部の全面には配向膜
71が形成されている。図 6から明らかなように、ゲー
ト電極配線62は上層配線である信号線67よりも下に
位置している。
The TFT portion of the active matrix substrate 60 has an inverted staggered structure, the gate electrode 62 is disposed on the TFT portion on the main surface side of the glass substrate 61, and the insulating film 63 made of silicon nitride is formed thereon. Have been deposited. A semiconductor film 64 made of amorphous silicon is formed on the insulating film 63 and above the gate electrode 62, and a source 65 and a drain 66 are formed in a predetermined central portion of the semiconductor film 64 so as to extend over the semiconductor film 64 and the insulating film 63. Are formed so as to face each other with a distance of. A signal line 67 is connected to the drain 66, and a pixel electrode 68 is connected to the source 65. An insulating film 69 is formed on the entire surface of the TFT portion, and an alignment film 71 is formed on the entire surface of the pixel portion. As is clear from FIG. 6, the gate electrode wiring 62 is located below the signal line 67 which is the upper layer wiring.

【0041】また、上側の対向基板80は、ガラス基板
81上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカ
ラーフィルタ82R、82G、82Bを有している。ま
た、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のス
ペーサ83が形成されている。このスペーサ83は赤色
層83R、緑色層83G、青色層83Bよりなってお
り、これらはカラーフィルタ82R、82G、82Bに
対応するものである。そして全面に共通電極84および
配向膜85が堆積されており、各カラーフィルタ間には
遮光膜であるブラックマトリクス86が形成されてい
る。
The upper counter substrate 80 has red, green, and blue color filters 82R, 82G, and 82B formed on the glass substrate 81 in accordance with pixel positions. Further, these color filter materials are laminated to form a columnar spacer 83. The spacer 83 includes a red layer 83R, a green layer 83G and a blue layer 83B, which correspond to the color filters 82R, 82G and 82B. A common electrode 84 and an alignment film 85 are deposited on the entire surface, and a black matrix 86, which is a light shielding film, is formed between the color filters.

【0042】両基板60および80は対向され、接着剤
87で固定される。そして両基板の間には液晶組成物4
0が充填封入されている。
Both substrates 60 and 80 are opposed to each other and fixed with an adhesive 87. The liquid crystal composition 4 is provided between both substrates.
0 is filled and sealed.

【0043】本実施の形態では、アクティブマトリスク
基板上に形成される配線層のうち、最も基板側から離れ
た配線上、すなわち最上層配線上で、かっこの配線上に
は他の配線及び電極などの導電性物質が形成されず、窒
化膜などの無機絶縁膜が形成されている絶縁破壊強度の
高い箇所にスペーサを形成されているため、スペーサ上
に形成される共通電極と最上層配線である信号線との短
絡を防止することができる。
In the present embodiment, of the wiring layers formed on the active matrix substrate, the wiring farthest from the substrate side, that is, the uppermost wiring, other wirings and electrodes on the wirings in brackets. Since a conductive material such as is not formed, and a spacer is formed at a place with high dielectric breakdown strength where an inorganic insulating film such as a nitride film is formed, the common electrode and the top layer wiring formed on the spacer It is possible to prevent a short circuit with a certain signal line.

【0044】図8は本発明の第4の実施の形態を示すア
クティブマトリクス液晶素子の素子断面図であり、これ
は図9に示す平面図に対応するものである。
FIG. 8 is an element cross-sectional view of an active matrix liquid crystal element showing a fourth embodiment of the present invention, which corresponds to the plan view shown in FIG.

【0045】この液晶表示素子は、逆スタガ型のアクテ
ィブマトリクス基板90と対向基板100とが対向配置
され、それらの間に液晶組成物40が封入されている構
成となっている。
In this liquid crystal display device, an inverted stagger type active matrix substrate 90 and a counter substrate 100 are arranged so as to face each other, and a liquid crystal composition 40 is sealed between them.

【0046】アクティブマトリクス基板90はガラス基
板91の主面上に画素電極93が存在する画素領域92
とTFTが形成された素子部94とが繰り返し形成され
た構成となっている。
The active matrix substrate 90 has a pixel region 92 in which a pixel electrode 93 is present on the main surface of a glass substrate 91.
And the element portion 94 in which the TFT is formed are repeatedly formed.

【0047】対向基板100は、ガラス基板101上に
画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィ
ルタ102R、102G、102Bを有している。ま
た、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のス
ペーサ103が形成されている。
The counter substrate 100 has red, green, and blue color filters 102R, 102G, and 102B formed on the glass substrate 101 so as to match the pixel positions. Further, these color filter materials are laminated to form a columnar spacer 103.

【0048】そして、スペーサは画素領域と素子領域の
間の非配線領域でアクティブマトリクス基板と当接する
ようになっている。ただし、このような非画素非配線領
域は非常に狭いため、スペーサの直径は3〜4μmとす
る必要がある。
The spacer contacts the active matrix substrate in the non-wiring area between the pixel area and the element area. However, since such a non-pixel non-wiring region is very narrow, the diameter of the spacer needs to be 3 to 4 μm.

【0049】逆スタガ型構造の液晶表示素子の製造方法
では、ソース、ドレイン、信号線を同層で形成した後、
ソースに接続されるように画素電極を形成、その後、全
面に絶縁膜を形成し、画素電極形状にほぼ沿った形状で
画素電極パターンに対応した部分の絶縁膜を除去してい
る。画素電極形成時では、画素電極と信号線とが短絡し
ないように形成する必要があるのに対し、走査線は絶縁
膜を介して画素電極が形成されることになるため、画素
電極と信号線との距離を例えば5μmに、画素電極と走
査線との距離4μmよりも幅を広くとる必要がある。こ
のような設計の場合、スペーサを幅の広い画素電極と走
査線との間に配置する方が、画素電極と信号線との間に
配置するよりも、画素電極とスペーサ上に共通電極との
短絡の発生をより一層防止でき、好ましい。
In the method of manufacturing the liquid crystal display device having the inverted stagger type structure, after the source, drain and signal line are formed in the same layer,
A pixel electrode is formed so as to be connected to the source, then an insulating film is formed on the entire surface, and the insulating film in a portion substantially corresponding to the pixel electrode shape and corresponding to the pixel electrode pattern is removed. When forming the pixel electrode, it is necessary to form the pixel electrode and the signal line so that they are not short-circuited. However, since the pixel electrode is formed through the insulating film on the scanning line, the pixel electrode and the signal line are formed. To be 5 μm, for example, and to be wider than the distance 4 μm between the pixel electrode and the scanning line. In the case of such a design, arranging the spacer between the pixel electrode having a wide width and the scanning line causes the formation of the common electrode on the pixel electrode and the spacer rather than arranging between the pixel electrode and the signal line. This is preferable because the occurrence of a short circuit can be further prevented.

【0050】この実施の形態の場合にはショートの虞れ
は全くなく、高い信頼性を維持することができる。
In the case of this embodiment, there is no fear of a short circuit, and high reliability can be maintained.

【0051】図10は本発明の第5の実施の形態にかか
るアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図であり、
対向基板に設けられた柱状スペーサをアクティブマトリ
クス基板の非画素部と画素部の双方にわたって、すなわ
ち境界部に当接させるようにしたものである。この断面
図は図11に示される平面図における一点鎖線で描いた
切断線に沿ったものを主要部分として含む。
FIG. 10 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal device according to a fifth embodiment of the present invention,
The columnar spacers provided on the counter substrate are brought into contact with both the non-pixel portion and the pixel portion of the active matrix substrate, that is, the boundary portion. This cross-sectional view includes, as a main part, a cross section taken along a dashed line in the plan view shown in FIG.

【0052】この液晶表示素子は、アクティブマトリク
ス基板90と対向基板110とが対向配置され、それら
の間に液晶組成物40が封入されている構成となってい
る。なお、アクティブマトリクス基板90の構成は図8
の場合と全く同じであるので、同じ構成要素には同じ参
照番号を付して説明を省略する。
In this liquid crystal display element, the active matrix substrate 90 and the counter substrate 110 are arranged so as to face each other, and the liquid crystal composition 40 is sealed between them. The structure of the active matrix substrate 90 is shown in FIG.
Since it is exactly the same as in the above case, the same components are given the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0053】対向基板110は、ガラス基板111上に
画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィ
ルタ112R、112G、112Bを有している。ま
た、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のス
ペーサ113が形成されている。この柱状スペーサ11
3は、緑色のフィルタ112Gには設けられていない。
これは、人間の視覚の性質上、3原色のうちで最も認識
されやすい色は緑であるため、欠陥があった場合も最も
目立つためである。したがって、画素部をもまたがって
スペーサを設ける場合、スペーサがまたがる画素領域と
しては青のみ、赤のみ、あるいは青と赤の組み合わせが
好ましい。
The counter substrate 110 has red, green, and blue color filters 112R, 112G, and 112B formed on the glass substrate 111 in accordance with pixel positions. Further, these color filter materials are laminated to form a columnar spacer 113. This columnar spacer 11
3 is not provided in the green filter 112G.
This is because the color that is most easily recognized among the three primary colors is green due to the nature of human vision, and is most noticeable even when there is a defect. Therefore, when the spacer is provided so as to extend over the pixel portion, it is preferable that only the blue region, the red region, or the combination of the blue region and the red region be used as the pixel region that the spacer extends.

【0054】なお、画素部をもまたがってスペーサが配
置される場合、スペーサが当接される画素電極の一部を
除去し、スペーサが直接画素電極に突き当たらないよう
にすることにより、スペーサ上に形成される共通電極と
画素電極とのショートの可能性を減少させることができ
る。
When the spacer is arranged so as to extend over the pixel portion, a part of the pixel electrode with which the spacer abuts is removed so that the spacer does not directly abut the pixel electrode. It is possible to reduce the possibility of short circuit between the common electrode and the pixel electrode formed on the pixel electrode.

【0055】また、アクティブマトリスク基板に当接す
る部分のスペーサ上に形成される電極を、例えば、スペ
ーサの側面に電極を形成しない構造にすることによっ
て、共通電極と非接続状態にすれば、画素電極の一部を
除去しなくとも短絡を防止できる。
Further, if the electrodes formed on the spacers in the portions contacting the active matrix substrate are not connected to the common electrode by, for example, a structure in which the electrodes are not formed on the side surfaces of the spacers, the pixel is formed. A short circuit can be prevented without removing a part of the electrode.

【0056】更に、逆スタガ型構造において、信号線上
の絶縁膜をパターニングする際に、画素電極パターンの
周縁部と絶縁膜が重なるように絶縁膜をパターニングし
た場合、画素電極にまたがって形成されるスペーサ部分
を、この画素電極と絶縁膜が重なった領域に配置すれ
ば、短絡の発生は防止できる。
Further, in the inverted stagger type structure, when patterning the insulating film on the signal line, if the insulating film is patterned so that the peripheral portion of the pixel electrode pattern overlaps the insulating film, it is formed across the pixel electrodes. By disposing the spacer portion in the region where the pixel electrode and the insulating film overlap, the occurrence of short circuit can be prevented.

【0057】また、図示されたのは画素部とこれに隣接
する非画素部の上にスペーサが当接するものであった
が、スペーサの径が大きい場合、スイッチング素子の一
部もまたがって配置されても差し支えない。
Although the spacer is in contact with the pixel portion and the non-pixel portion adjacent to the pixel portion as shown in the figure, when the diameter of the spacer is large, a part of the switching element is also disposed so as to straddle it. It doesn't matter.

【0058】さらに、スペーサの当接場所は画素部内で
のラビング最終位置であると、ラビング時のスペーサ存
在による配向不良領域が隣の画素に及ばず、良好なラビ
ングを行える。
Further, if the spacer abutment position is the final rubbing position in the pixel portion, the misaligned region due to the presence of the spacer during rubbing does not reach the adjacent pixel, and good rubbing can be performed.

【0059】また、本実施の形態のように、スペーサの
位置場所が画素部、非画素部をまたがる場合に限らず、
あらゆるスイッチング素子構造のあらゆるスペーサの配
置パターンにおいて、配向膜のラビング処理時のスペー
サの存在によるラビング不良領域が少なくとも緑画素に
含まれないようにスペーサを配置すること、スペーサの
配置場所を1画素内でのラビング最終位置にすることは
有効である。
Further, the present invention is not limited to the case where the position of the spacer extends over the pixel portion and the non-pixel portion as in the present embodiment.
In every spacer arrangement pattern of every switching element structure, arrange the spacers so that at least the green pixel does not include a defective rubbing area due to the presence of the spacers during the rubbing process of the alignment film, and the spacer arrangement location is within one pixel. It is effective to set the rubbing final position in.

【0060】図12は本発明の第6の実施の形態を示す
アクティブマトリクス液晶素子の素子断面図であり、こ
の断面図は図13に示される平面図における一点鎖線で
描いた切断線に沿ったものを主要部分として含む。
FIG. 12 is an element cross-sectional view of an active matrix liquid crystal element showing a sixth embodiment of the present invention. This cross-sectional view is taken along the cutting line drawn by the alternate long and short dash line in the plan view shown in FIG. Including things as main parts.

【0061】この液晶表示素子は、逆スタガ型のアクテ
ィブマトリクス基板120と対向基板130とが対向配
置され、それらの間に液晶組成物40が封入されている
構成となっている。アクティブマトリクス基板120は
これまでの実施の形態と同様にスイッチング素子として
のTFTと画素部が設けられているが、TFTの構成に
ついては同じであるため説明を省略する。画素部におい
ては、ガラス基板121上に最下層配線としての補助容
量線122が形成され、この補助容量線122を含む画
素領域全体が絶縁膜123で覆われ、その上に画素電極
124が形成されている。そして、補助容量線に対応し
た位置の画素電極の上には絶縁膜125が形成されてい
る。さらに全体に配向膜126が形成されている。
In this liquid crystal display device, an inverted stagger type active matrix substrate 120 and a counter substrate 130 are arranged so as to face each other, and a liquid crystal composition 40 is sealed between them. The active matrix substrate 120 is provided with the TFTs as the switching elements and the pixel portion as in the previous embodiments, but the description of the TFTs is omitted because they have the same configuration. In the pixel portion, the auxiliary capacitance line 122 as the lowermost layer wiring is formed on the glass substrate 121, the entire pixel region including the auxiliary capacitance line 122 is covered with the insulating film 123, and the pixel electrode 124 is formed thereon. ing. An insulating film 125 is formed on the pixel electrode at a position corresponding to the auxiliary capacitance line. Further, an alignment film 126 is formed on the entire surface.

【0062】補助容量線が、非透明膜、例えば、MoT
aで形成されている場合、補助容量線上は非表示領域と
なるため、その上にスペーサが形成されていても、表示
上の影響はない。
The auxiliary capacitance line is made of a non-transparent film such as MoT.
In the case of being formed of a, the auxiliary capacitance line is a non-display area, so that even if a spacer is formed thereon, it does not affect the display.

【0063】対向基板130は、ガラス基板131上に
画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィ
ルタ132R、132G、132Bを有している。これ
らのカラーフィルタ間には遮光膜であるブラックマトリ
クス136が配設されている。また、これらのカラーフ
ィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ133が形成さ
れている。この柱状スペーサ133はそれぞれアクティ
ブマトリクス基板120の補助容量線122に対応する
位置に設けられている。
The counter substrate 130 has red, green, and blue color filters 132R, 132G, and 132B formed on the glass substrate 131 in accordance with pixel positions. A black matrix 136, which is a light-shielding film, is arranged between these color filters. Further, these color filter materials are laminated to form a columnar spacer 133. The columnar spacers 133 are provided at positions corresponding to the auxiliary capacitance lines 122 of the active matrix substrate 120.

【0064】アクティブマトリクス基板120と対向基
板130は対向され、接着剤137で固定される。そし
て両基板の間には液晶組成物40が充填封入される。
The active matrix substrate 120 and the counter substrate 130 are opposed to each other and fixed with an adhesive 137. The liquid crystal composition 40 is filled and sealed between both substrates.

【0065】この実施の形態では、柱状スペーサ133
は補助容量線122に対応した位置に設けられるため、
柱状スペーサがアクティブマトリクス基板120と強く
接触しても素子の信頼性等を損なうことはない。また、
絶縁膜125が画素電極上に設けられているため、配向
膜126が破壊した場合でも絶縁性を保つことができ
る。
In this embodiment, the columnar spacer 133 is used.
Is provided at a position corresponding to the auxiliary capacitance line 122,
Even if the columnar spacers are in strong contact with the active matrix substrate 120, the reliability of the device is not impaired. Also,
Since the insulating film 125 is provided on the pixel electrode, the insulating property can be maintained even if the alignment film 126 is broken.

【0066】図14は本発明の第7の実施の形態を示す
アクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
FIG. 14 is an element cross-sectional view of an active matrix liquid crystal element showing a seventh embodiment of the present invention.

【0067】この液晶表示素子は、アクティブマトリク
ス基板140と対向基板130とが対向配置され、それ
らの間に液晶組成物40が封入されている構成となって
いる。対向基板130については図12の場合と同じで
あるので説明を省略する。
In this liquid crystal display element, the active matrix substrate 140 and the counter substrate 130 are arranged so as to face each other, and the liquid crystal composition 40 is sealed between them. Since the counter substrate 130 is the same as that in the case of FIG. 12, description thereof will be omitted.

【0068】アクティブマトリクス基板140はこれま
での実施の形態と異なり、スイッチング素子としてのT
FTは正スタガ型となっている。
The active matrix substrate 140 is different from the above-described embodiments in that the T as a switching element is used.
The FT is a positive stagger type.

【0069】ガラス基板141の主面側のTFT部には
アモルファスシリコンよりなる半導体膜142が形成さ
れ、この半導体膜142を挟んでソース146およびド
レイン147が対向するように形成されている。半導体
膜142の上には絶縁膜145を介してゲート電極14
8が形成されている。このようなTFT部の全面には絶
縁膜149が堆積されている。ソース146には画素電
極150が連結して形成されている。その中央部にはゲ
ート電極と同じポリシリコンでゲート電極と同一工程で
作られた補助容量線152が絶縁膜151を介して形成
されている。そして、画素部の全面には配向膜153が
形成されている。
A semiconductor film 142 made of amorphous silicon is formed in the TFT portion on the main surface side of the glass substrate 141, and a source 146 and a drain 147 are formed so as to face each other with the semiconductor film 142 interposed therebetween. A gate electrode 14 is formed on the semiconductor film 142 via an insulating film 145.
8 are formed. An insulating film 149 is deposited on the entire surface of such a TFT portion. The pixel electrode 150 is connected to the source 146. An auxiliary capacitance line 152 made of the same polysilicon as the gate electrode and formed in the same step as the gate electrode is formed in the central portion through an insulating film 151. An alignment film 153 is formed on the entire surface of the pixel portion.

【0070】アクティブマトリクス基板140と対向基
板130は対向され、接着剤137で固定される。そし
て両基板の間には液晶組成物40が充填封入される。
The active matrix substrate 140 and the counter substrate 130 are opposed to each other and fixed with an adhesive 137. The liquid crystal composition 40 is filled and sealed between both substrates.

【0071】この実施の形態では、薄い配向膜135お
よび153が圧力で破壊すると柱状スペーサ133は補
助容量線152に直接当接することになるが、補助容量
線152と共通電極134は同電位が供給させているた
め、両者が短絡したとしても動作特性上問題はない。ま
た、絶縁膜151が画素電極上に設けられているため、
スペーサ部の配向膜135、136が破壊した場合でも
画素電極150と共通電極134との短絡は防止でき、
絶縁性を保つことができる。
In this embodiment, when the thin alignment films 135 and 153 are broken by pressure, the columnar spacer 133 directly contacts the auxiliary capacitance line 152, but the auxiliary capacitance line 152 and the common electrode 134 are supplied with the same potential. Therefore, even if both are short-circuited, there is no problem in operating characteristics. Further, since the insulating film 151 is provided on the pixel electrode,
Even if the alignment films 135 and 136 of the spacer portion are broken, a short circuit between the pixel electrode 150 and the common electrode 134 can be prevented,
Insulation can be maintained.

【0072】また、例えば、スペーサを積極的に導電体
として用いることができる。すなわち、カラーフィルタ
材をそれぞれ導電性のものとすれば、アクティブマトリ
クス基板から共通板電極134へ電圧を補助容量線15
2を介して印加させるための電極転移部材(トランスフ
ァ)の役割をスペーサ133に果たさせることができ
る。この電極転移部材は通常銀ペーストで作られるが、
スペーサが兼用することとすれば、この銀ペーストが不
要となる。また電極転移部材は画素画素周辺部に作らざ
るを得ず、抵抗が大きかったが、この実施の形態のよう
にスペーサが電極転移部材の役割を果たす場合には、多
数の電極転移部材を画素領域内で形成することができる
ため、抵抗を下げることができる。
Further, for example, the spacer can be positively used as a conductor. That is, if each of the color filter materials is made conductive, a voltage is applied from the active matrix substrate to the common plate electrode 134.
The spacer 133 can play a role of an electrode transfer member (transfer) for applying the voltage via the spacer 133. This electrode transfer member is usually made of silver paste,
If the spacer is also used, this silver paste becomes unnecessary. In addition, the electrode transfer member had to be formed in the peripheral portion of the pixel pixel and had a large resistance. However, when the spacer functions as the electrode transfer member as in this embodiment, a large number of electrode transfer members are formed in the pixel region. Since it can be formed inside, the resistance can be reduced.

【0073】この実施の形態においても前述した各実施
の形態と同様に、スペーサを非画素領域に形成できるた
め、スペーサ周辺の光漏れやスペーサの不均一拡散によ
る表示不良を無くすことができ、コントラストや明度等
の表示性能が高く、しかも安価な液晶表示素子を提供す
ることができる。
In this embodiment as well, as in each of the above-described embodiments, since the spacer can be formed in the non-pixel region, it is possible to eliminate display defects due to light leakage around the spacer and uneven diffusion of the spacer, and to improve the contrast. It is possible to provide an inexpensive liquid crystal display device having high display performance such as brightness and brightness.

【0074】なお、図12では画素電極の上に絶縁膜を
介して補助容量線を形成しているが、スペーサが当接す
る画素電極部分を除去し、そこに絶縁膜を形成してスペ
ーサを突き当てるようにしても良い。
Although the auxiliary capacitance line is formed on the pixel electrode via the insulating film in FIG. 12, the pixel electrode portion with which the spacer abuts is removed, and the insulating film is formed there to project the spacer. You may try to hit it.

【0075】図15および図16はこのような例を示す
もので、図12における補助容量線部分の変形例を示す
部分拡大断面図である。
FIG. 15 and FIG. 16 show such an example and are partial enlarged sectional views showing a modification of the auxiliary capacitance line portion in FIG.

【0076】図15においては、スペーサが当接される
部分の画素電極124が除去されている。この場合に
は、画素電極と共通電極とのショートを効果的に防止で
きる。
In FIG. 15, the pixel electrode 124 in the portion where the spacer contacts is removed. In this case, a short circuit between the pixel electrode and the common electrode can be effectively prevented.

【0077】図16においては、スペーサが当接される
部分の画素電極124およびその下の絶縁膜123が除
去されている。この場合には、スペーサと補助容量線1
22が当接することになり、画素電極と共通電極とのシ
ョートを効果的に防止できる。この場合、スペーサ上に
絶縁膜が形成されていなければ、スペーサを前述した電
極転移部材として用いることが可能となる。
In FIG. 16, the pixel electrode 124 and the insulating film 123 thereunder are removed from the portion where the spacer is in contact. In this case, the spacer and the auxiliary capacitance line 1
Since 22 contacts, the short circuit between the pixel electrode and the common electrode can be effectively prevented. In this case, if the insulating film is not formed on the spacer, the spacer can be used as the electrode transfer member described above.

【0078】図17はアクティブマトリクス基板の中間
配線層に対応する位置にスペーサを設けた第8の実施の
形態を示す。この図において、図5に対応する部分には
同じ番号を付すことにする。
FIG. 17 shows an eighth embodiment in which a spacer is provided at a position corresponding to the intermediate wiring layer of the active matrix substrate. In this figure, the parts corresponding to those in FIG. 5 are given the same numbers.

【0079】ガラス基板51の主面側のTFT部にはポ
リシリコンでなる半導体層54が設けられ、その上には
ゲート絶縁膜56が形成され、その上にはゲート電極5
7およびこれと同一工程で形成された補助容量線67が
設けられている。これらの上には酸化珪素よりなる絶縁
膜59、窒化珪素膜14が形成されている。ゲート電極
の両側に対応する位置には、ソース電極52およびドレ
イン電極53が窒化珪素膜14、絶縁膜59、ゲート絶
縁膜56を貫通して半導体層54に達している。ドレイ
ン電極は信号線(図示せず)に接続されている。ゲート
電極57および補助容量線67は共に中間層配線をな
す。
A semiconductor layer 54 made of polysilicon is provided in the TFT portion on the main surface side of the glass substrate 51, a gate insulating film 56 is formed thereon, and the gate electrode 5 is formed thereon.
7 and an auxiliary capacitance line 67 formed in the same process as the above. An insulating film 59 made of silicon oxide and a silicon nitride film 14 are formed on these. At positions corresponding to both sides of the gate electrode, the source electrode 52 and the drain electrode 53 penetrate the silicon nitride film 14, the insulating film 59, and the gate insulating film 56 to reach the semiconductor layer 54. The drain electrode is connected to the signal line (not shown). The gate electrode 57 and the auxiliary capacitance line 67 together form an intermediate layer wiring.

【0080】また、これらの全体に表面が平坦化された
絶縁層221が堆積され、表面に画素電極222が形成
されている。この画素電極はソース電極52とコンタク
トホール223に充填されたアルミニウム等の材料によ
り接続されている。
Further, an insulating layer 221 whose surface is flattened is deposited on the whole of these, and a pixel electrode 222 is formed on the surface. The pixel electrode is connected to the source electrode 52 by a material such as aluminum filled in the contact hole 223.

【0081】なお、補助容量線は画素電極と電気的に接
続されており、半導体層と同層で形成された層との間で
ゲート絶縁膜を介して容量Csを形成している。
The auxiliary capacitance line is electrically connected to the pixel electrode, and forms a capacitance Cs between the semiconductor layer and a layer formed in the same layer through a gate insulating film.

【0082】スペーサ224は図17から明らかなよう
に、中間層配線であるゲート電極57上で、かつ他の配
線及び電極が形成されていない位置に対応した位置に設
けられる。ただし、スペーサ224’のように、画素電
極に当接する場合で、頂部、側部表面に共通電極である
ITO(Indium Tin Oxide)膜が形成されているような
場合には、電気的な短絡が起こるのでこのような箇所に
はスペーサは設けられない。
As is apparent from FIG. 17, the spacer 224 is provided on the gate electrode 57, which is an intermediate wiring, and at a position corresponding to a position where no other wiring or electrode is formed. However, if the ITO (Indium Tin Oxide) film, which is the common electrode, is formed on the top and side surfaces when contacting the pixel electrode like the spacer 224 ', an electrical short circuit may occur. As such, no spacers are provided at such locations.

【0083】また、この実施の形態では半導体層として
従来のアモルファスシリコンではなくポリシリコンを用
いるようにしているので、電荷の移動度が良好である
他、液晶表示素子のドライバ部分と同時に半導体層を形
成できるため、コストの低減にも寄与できる。
In this embodiment, since polysilicon is used as the semiconductor layer instead of the conventional amorphous silicon, the charge mobility is good, and the semiconductor layer is formed simultaneously with the driver portion of the liquid crystal display element. Since it can be formed, it can also contribute to cost reduction.

【0084】以上、本発明では、対向基板上にスペーサ
が形成され、このスペーサを含む基板前面に共通電極が
形成されている液晶表示素子において、アクティブマト
リスク基板上に形成される無機絶縁膜を介してスペーサ
を配置することによって、スペーサ上に形成される共通
電極とアクティブマトリスク基板上の配線や電極等の導
電性物質との短絡を防止でき、歩留まり良く、表示が良
好な液晶表示素子が得られる。また、着色層積層型の柱
状スペーサに限らず、単層の樹脂からなる柱状スペーサ
でも同様の効果を得ることができる。着色層が形成され
る基板と同一の基板上にスペーサを形成する場合は、着
色層形成時に同時にスペーサが形成できるため、着色層
積層型スペーサは、従来の球状のスペーサの散布工程を
削減できる。
As described above, in the present invention, in the liquid crystal display element in which the spacer is formed on the counter substrate and the common electrode is formed on the front surface of the substrate including the spacer, the inorganic insulating film formed on the active matrix substrate is used. By arranging the spacers via the spacers, it is possible to prevent a short circuit between the common electrode formed on the spacers and the conductive material such as wiring or electrodes on the active matrix substrate, and a liquid crystal display device with good yield and good display can be provided. can get. Further, the same effect can be obtained not only by the columnar spacer of the laminated layer of the colored layer but also by the columnar spacer made of a single layer of resin. When the spacer is formed on the same substrate as the substrate on which the colored layer is formed, the spacer can be formed at the same time when the colored layer is formed. Therefore, the colored layer-stacked spacer can reduce the conventional spherical spacer spraying process.

【0085】図18〜20は本発明の第9の実施の形態
を示す素子断面図である。この実施の形態では、図1〜
3で図示した第1の実施の形態の場合のよう柱状スペー
サを形成する点では同じであるが、柱状スペーサの当接
位置を問わない構成となっている。
18 to 20 are element sectional views showing a ninth embodiment of the present invention. In this embodiment, FIG.
Although the columnar spacers are formed in the same manner as in the case of the first embodiment illustrated in FIG. 3, the contact position of the columnar spacers does not matter.

【0086】すなわち、図18を参照すると、下側のア
クティブマトリクス基板161の表面上の一画素に対応
する領域にはゲート線164、その上にゲート絶縁膜1
62を介して形成されたアモルファスシリコンからなる
薄膜トランジスタ(図示せず)、その左右に信号線16
3、ITOからなる画素電極165がそれぞれ形成さ
れ、これらの上には配向膜166が形成されている。こ
れらは画素単位で繰り返し形成されている。
That is, referring to FIG. 18, a gate line 164 is formed in a region corresponding to one pixel on the surface of the lower active matrix substrate 161, and the gate insulating film 1 is formed thereon.
A thin film transistor (not shown) made of amorphous silicon formed via 62, and the signal lines 16 on the left and right sides thereof.
3 and pixel electrodes 165 made of ITO are respectively formed, and an alignment film 166 is formed thereon. These are repeatedly formed in pixel units.

【0087】上側の対向基板170においては、一画素
に対応する領域には、ガラス基板171の表面に遮光層
172および着色層173が形成されている。着色層は
画素とに赤色173R、緑色173G、青色173Bの
順に繰り返し形成されている。遮光層の一部には逆テー
パを有する円柱状のレジストでなるスペーサ174が形
成されており、その先端および各着色層の上には共通電
極175および配向膜176が形成されている。このよ
うにスペーサが逆テーパ状となっているため、スパッタ
リングによる共通電極形成の際、オーバーハングによっ
てスペーサの側面には膜が形成されず、スペーサ自体が
導電体とはならない。したがって、このようなスペーサ
は絶縁性であるから、その当接場所は問われない。した
がって、不必要な電気的容量が発生したり、電気的短絡
が生じることを防止することができ、任意の層に対して
当接させることができるため、設計の自由度が増加す
る。
In the upper counter substrate 170, a light shielding layer 172 and a coloring layer 173 are formed on the surface of a glass substrate 171 in a region corresponding to one pixel. The colored layer is repeatedly formed on the pixel in the order of red 173R, green 173G, and blue 173B. A spacer 174 made of a cylindrical resist having an inverse taper is formed on a part of the light shielding layer, and a common electrode 175 and an alignment film 176 are formed on the tip and each colored layer. Since the spacer has an inverse tapered shape in this manner, when forming the common electrode by sputtering, a film is not formed on the side surface of the spacer due to overhang, and the spacer itself does not serve as a conductor. Therefore, since such a spacer is insulative, it does not matter where it abuts. Therefore, it is possible to prevent generation of unnecessary electric capacity and electric short circuit, and it is possible to make contact with any layer, thus increasing the degree of freedom in design.

【0088】次にこのような液晶表示素子の製法を説明
する。まず、アクティブマトリクス基板を製作する。通
常TFTを形成するプロセスと同様に厚さ1.1mmの
コーニング社製の#7059ガラス基板161上に成膜
とパターニングを繰り返し、アモルファスシリコンから
なる薄膜トランジスタと信号線163、ゲート線16
4、ITOからなる画素電極165を形成したアレイ基
板を形成する。その後配向膜材料としてAL−1051
(日本合成ゴム(株)製)を全面に500オングストロ
ームの厚さで塗布し、ラビング処理を行い、配向膜16
6を形成する。
Next, a method of manufacturing such a liquid crystal display element will be described. First, an active matrix substrate is manufactured. Similar to the process of forming a normal TFT, film formation and patterning are repeated on a # 7059 glass substrate 161 manufactured by Corning Co. having a thickness of 1.1 mm to form a thin film transistor made of amorphous silicon, a signal line 163, and a gate line 16.
4. An array substrate having a pixel electrode 165 made of ITO is formed. After that, as an alignment film material, AL-1051
(Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is applied over the entire surface to a thickness of 500 angstrom, and a rubbing treatment is performed to form an alignment film 16
6 is formed.

【0089】次に対向基板を準備する。その方法は、第
1の実施の形態の場合と同様の条件により、コーニング
社製の#7059ガラス基板171上に、感光性の黒色
樹脂CK−2000(富士ハントテクノロジー(株)
製)を塗布し、露光したあと現像し、焼成を行って膜厚
2.0μmの遮光層172を形成する。ついで、赤色の
顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストC
R−2000(富士ハントテクノロジー(株)製)を用
いて赤の着色層173Rを形成し、同様に緑、青の着色
層173G、173Bを繰り返し形成し、それぞれ23
0℃で1時間焼成する。ここでは緑の着色材料は、CG
−2000(富士ハントテクノロジー(株)製)、青の
着色材はCB−2000(富士ハントテクノロジー
(株)製)を用い、R,G,Bの膜厚はそれぞれ1.5
μmとした。
Next, a counter substrate is prepared. The method is the same as in the case of the first embodiment, on the # 7059 glass substrate 171 manufactured by Corning, a photosensitive black resin CK-2000 (Fuji Hunt Technology Co., Ltd.).
(Manufactured), applied, exposed, and developed, and baked to form a light-shielding layer 172 having a film thickness of 2.0 μm. Then, a UV curable acrylic resin resist C in which a red pigment is dispersed
R-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) was used to form a red colored layer 173R, and similarly green and blue colored layers 173G and 173B were repeatedly formed to form 23 layers each.
Bake at 0 ° C. for 1 hour. Here, the green coloring material is CG
-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.), CB-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) is used as the blue coloring material, and the R, G, and B film thicknesses are each 1.5.
μm.

【0090】次に顔料の入ってない紫外線硬化型アクリ
ル樹脂レジストをスピンナーにて全面塗布し、遮光層上
の所望のスペーサ形成位置に光が照射されるようなフォ
トマスクを用いて365nmの波長で100mJ/cm
2 照射し、KOHの1%水溶液で30秒間現像し、膜厚
4μmのスペーサ174を形成する。このときの現像は
強めに行う。これにより、光が充分当たって硬化が充分
な先端部の径は予定どおり維持されるが、硬化が必ずし
も充分でない根元部では過剰にエッチングされて逆テー
パ状となる。その後、透明電極175としてITO膜を
1500オングストロームの厚さになるよう、スパッタ
法にて成膜し、その上に同様の配向膜材料を形成した後
ラビング処理を行い、配向膜176を形成した。スペー
サ174は逆テーパ状で上部がオーバーハングした形状
となっているため、このスパッタの際、スペーサの側面
にはITO膜、配向膜は堆積されない。なお、透明電極
形成前にスペーサを形成することでスペーサの密着力が
得られる。
Next, a UV-curable acrylic resin resist containing no pigment is applied over the entire surface with a spinner, and a photomask is used to irradiate the desired spacer formation positions on the light-shielding layer with light having a wavelength of 365 nm. 100 mJ / cm
Irradiate 2 and develop with a 1% aqueous solution of KOH for 30 seconds to form spacers 174 having a film thickness of 4 μm. The development at this time is strongly performed. As a result, the diameter of the tip portion which is sufficiently irradiated with light and is sufficiently hardened is maintained as planned, but the root portion, which is not always sufficiently hardened, is excessively etched to form an inverse tapered shape. After that, an ITO film was formed as the transparent electrode 175 by a sputtering method so as to have a thickness of 1500 angstrom, a similar alignment film material was formed thereon, and then a rubbing treatment was performed to form an alignment film 176. Since the spacer 174 has an inversely tapered shape and has an overhanging upper portion, the ITO film and the alignment film are not deposited on the side surface of the spacer during this sputtering. In addition, by forming the spacer before forming the transparent electrode, the adhesion of the spacer can be obtained.

【0091】この後、基板171上の配向膜176の周
辺に沿って接着剤を注入口(図示せず)を除いて印刷
し、アクティブマトリクス基板から共通電極に電圧を印
加するための電極転移材(図示せず)を接着剤の周辺の
電極転移電極上に形成する。
Thereafter, an adhesive is printed along the periphery of the alignment film 176 on the substrate 171 except for the injection port (not shown), and an electrode transfer material for applying a voltage from the active matrix substrate to the common electrode. (Not shown) is formed on the electrode transfer electrode around the adhesive.

【0092】次に配向膜176および166が対向し、
またそれぞれのラビング方向が90度となるよう基板1
60および170を配置し、加熱して接着剤を硬化させ
て貼り合わせる。次に通常の方法により注入口より液晶
組成物40として、ZLI−1565(E.メルク社
製)にS811を0.1wt%添加したものを注入し、
この後注入口を紫外線硬化樹脂で封止することにより完
成する。
Next, the alignment films 176 and 166 face each other,
In addition, the substrate 1 is set so that each rubbing direction is 90 degrees.
Place 60 and 170 and heat to cure the adhesive and bond them together. Then, as a liquid crystal composition 40, a liquid crystal composition 40 containing ZLI-1565 (manufactured by E. Merck) containing 0.18 wt% of S811 was injected by an ordinary method.
After that, the injection port is sealed with an ultraviolet curable resin to complete the process.

【0093】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス液晶表示素子は、プラスティックビー
ズ等を用いない形式のものであり、スペーサを任意の層
に当接させることができるため、スペーサからの光漏れ
がなく、かつ短絡はもちろん配線とスペーサ間で発生す
る寄生容量による印加電圧のなまりや遅延の発生も防ぐ
ことが出来、表示性能の高い、信頼性のある液晶表示素
子を得ることができた。
The color display type active matrix liquid crystal display element thus formed is of a type that does not use plastic beads or the like, and since the spacer can be brought into contact with an arbitrary layer, light leakage from the spacer is prevented. In addition, it is possible to prevent a short circuit and to prevent the occurrence of delay and delay of the applied voltage due to the parasitic capacitance generated between the wiring and the spacer, and it is possible to obtain a reliable liquid crystal display device with high display performance.

【0094】なお、オーバーハングを有する形状を得る
ため、この実施の形態では現像で調整したが、露光時に
照射光を弱めることにより表面のみ硬化させることによ
っても実現できる。図19は図18に示した実施の形態
の変形例であり、図18と同一の要素には同一の参照番
号を付してその詳細な説明を省略する。
In order to obtain a shape having an overhang, adjustment was made by development in this embodiment, but it can be realized by hardening only the surface by weakening the irradiation light at the time of exposure. FIG. 19 is a modification of the embodiment shown in FIG. 18, and the same elements as those in FIG. 18 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0095】この実施の形態によれば、アクティブマト
リクス基板160の構成は全く同じであり、対向基板1
70’が3つの着色層177R、177G、177Bよ
りなるスペーサ77となっている点のみが異なる。この
3つの着色層177R、177G、177Bは先端の層
ほど大径になるように形成されており、全体としてほぼ
逆テーパ状となっている。
According to this embodiment, the structure of the active matrix substrate 160 is exactly the same, and the counter substrate 1
The only difference is that 70 'is a spacer 77 composed of three colored layers 177R, 177G, and 177B. The three colored layers 177R, 177G, and 177B are formed such that the diameters of the layers at the tip end are larger, and are substantially inversely tapered as a whole.

【0096】次にこの液晶表示素子の製法について説明
する。アクティブマトリクス基板160の製造および全
体の組立については図17の場合と全く同じであるので
省略し、対向基板170’の製造について説明する。
Next, a method of manufacturing this liquid crystal display element will be described. Since the manufacturing of the active matrix substrate 160 and the whole assembly are the same as those in FIG. 17, the description thereof is omitted, and the manufacturing of the counter substrate 170 ′ will be described.

【0097】ガラス基板171上に、感光性の黒色樹脂
CK−2000(富士ハントテクノロジー(株)製)を
用いて膜厚2.0μmの遮光層172を形成する。つい
で、同様の手法により、赤の着色層173R、177
R、緑の着色層173G、177G、青の着色層173
B、177Bを繰り返し形成する。ここで用いる赤の着
色材料はCR−2000(富士ハントテクノロジー
(株)製)、緑の着色材料は、CG−2000(富士ハ
ントテクノロジー(株)製)、青の着色材はCB−20
00(富士ハントテクノロジ(株)製)であり、各着色
層の膜厚は1.5μmである。スペーサ77において
は、3色の着色層が積層されるが、各層の直径はR;1
0μm、G;13μm、B;16μmとして上層に行く
ほど径を増加させている。このようにして、カラーフィ
ルタ形成と同時にスペーサの形成が可能となる。
On the glass substrate 171, a light-shielding layer 172 having a thickness of 2.0 μm is formed by using a photosensitive black resin CK-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.). Then, by the same method, the red colored layers 173R, 177
R, green colored layer 173G, 177G, blue colored layer 173
B and 177B are repeatedly formed. The red coloring material used here is CR-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.), the green coloring material is CG-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.), and the blue coloring material is CB-20.
00 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.), and the thickness of each colored layer is 1.5 μm. In the spacer 77, colored layers of three colors are laminated, but the diameter of each layer is R; 1
0 μm, G; 13 μm, B; 16 μm, and the diameter is increased toward the upper layer. In this way, the spacers can be formed simultaneously with the formation of the color filters.

【0098】その後、共通電極175としてITO膜を
1500オングストロームの厚さにスパッタ法にて成膜
し、その上に同様の配向膜材料を形成した後ラビング処
理を行い、配向膜176を形成する。スペーサ部におい
ては、上層に行くほど径が増加するオーバーハングを有
する形状となっているため、ITO膜および配向膜をス
パッタにより堆積させる際、側面には付着せずスペーサ
の絶縁性が保たれる点は図18の場合と同じである。
After that, an ITO film is formed as the common electrode 175 to a thickness of 1500 angstrom by the sputtering method, a similar alignment film material is formed thereon, and then a rubbing process is performed to form an alignment film 176. Since the spacer portion has a shape having an overhang whose diameter increases toward the upper layer, when the ITO film and the alignment film are deposited by sputtering, the spacer does not adhere to the side surface and the insulating property of the spacer is maintained. The points are the same as in the case of FIG.

【0099】このような対向基板を用いて形成された液
晶表示素子においても、スペーサを任意の層に当接させ
ることができるため、かつ短絡はもちろん配線とスペー
サ間で発生する寄生容量による印加電圧のなまりや遅延
の発生も防ぐことが出来、表示性能の高い、信頼性のあ
る液晶表示素子を得ることができた。
Also in the liquid crystal display element formed by using such a counter substrate, since the spacer can be brought into contact with an arbitrary layer, not only short circuit but also the applied voltage due to the parasitic capacitance generated between the wiring and the spacer is caused. It was possible to prevent the occurrence of dullness and delay, and to obtain a reliable liquid crystal display device with high display performance.

【0100】以上のように、アクティブマトリスク基板
に当接する部分のスペーサ上に形成される電極と共通電
極とを非接続状態にする構造として、基板からみて上層
にいくに従って、スペーサの太さが細い部分から太い部
分に変化している部分をスペーサに設ければ、この部分
は、透明電極の形成時に透明電極が形成されにくくな
り、結果的に、スペーサ上に形成される電極部分と共通
電極とが非接続状態となる。
As described above, as a structure in which the electrode formed on the spacer at the portion contacting the active matrix substrate and the common electrode are in a non-connected state, the thickness of the spacer becomes smaller toward the upper layer as seen from the substrate. If the spacer is provided with a portion that changes from a thin portion to a thick portion, it becomes difficult for the transparent electrode to be formed at the time of forming the transparent electrode, and as a result, the electrode portion formed on the spacer and the common electrode are formed. And are disconnected.

【0101】図20は、図19に示した実施の形態の変
形例を示す部分断面図である。この実施の形態では、ス
ペーサ形成時にスペーサ177と同心に2層の円筒壁体
178Rおよび178Gを形成している。このような構
成では円筒壁体は2色分積層されているのでスペーサよ
りも低い高さとなっている。この同心円筒壁体は斜め方
向からのスパッタ粒子の進入を阻止してスペーサの側壁
に成膜が行われることを防止し、かつラビング時にスペ
ーサが脱落することを防止するので、信頼性を向上させ
るのに有効である。
FIG. 20 is a partial sectional view showing a modification of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, two layers of cylindrical walls 178R and 178G are formed concentrically with the spacer 177 when forming the spacer. In such a structure, since the cylindrical wall bodies are stacked for two colors, the height is lower than that of the spacer. This concentric cylindrical wall body prevents the sputtered particles from entering from an oblique direction, prevents the film formation on the sidewall of the spacer, and prevents the spacer from falling off during rubbing, thus improving reliability. It is effective for

【0102】図21は、図19に示した実施の形態の他
の変形例を示す部分断面図である。この実施の形態で
は、柱状スペーサ177に対して配向膜の配向処理方向
の進入側の位置に直径10μmの2層の柱状障壁層17
9R、179Gが設けられている。
FIG. 21 is a partial sectional view showing another modification of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, two columnar barrier layers 17 having a diameter of 10 μm are provided at a position on the entry side in the alignment treatment direction of the alignment film with respect to the columnar spacers 177.
9R and 179G are provided.

【0103】この実施の形態によれば、配向処理の際、
ラビングの外力で柱状スペーサの脱落を防止でき、信頼
性を増加することができる。この実施の形態は図20に
示したような同心円筒壁体を形成する充分なスペースが
ない場合にも実施可能である。
According to this embodiment, during the alignment treatment,
The columnar spacers can be prevented from falling off by the external force of the rubbing, and the reliability can be increased. This embodiment can be carried out even when there is not enough space to form the concentric cylindrical wall body as shown in FIG.

【0104】図21に示した実施の形態についてはさら
に各種の変形が可能であり、例えば、オーバーハングを
有する柱状スペーサを図1に示したように最下層配線層
に対応した位置で当接させることができる。
Various modifications can be made to the embodiment shown in FIG. 21. For example, a columnar spacer having an overhang is brought into contact with the lowermost wiring layer at a position corresponding to that shown in FIG. be able to.

【0105】図22は本発明の第10の実施の形態を示
す断面図であり、アクティブマトリクス基板側にカラー
フィルタを形成した液晶表示素子に応用したものであ
る。
FIG. 22 is a sectional view showing a tenth embodiment of the present invention, which is applied to a liquid crystal display device having a color filter formed on the active matrix substrate side.

【0106】このアクティブマトリクス基板180はガ
ラス基板181の主面上にゲート電極182、走査線1
83、画素電極188がそれぞれ配設され、ゲート電極
182および走査線183の上には絶縁膜184が堆積
されている。この絶縁膜184上でゲート電極182の
上方にはアモルファスシリコンよりなる半導体膜185
が形成され、この半導体膜185および絶縁膜184に
またがるようにソース187およびドレイン186が半
導体膜185の中央部に所定の距離を隔てて対向するよ
うに形成されている。ドレイン86には信号線(図示せ
ず)が連結されて形成され、ソース187と画素電極1
88とは連結されている。画素電極188上にはカラー
フィルタをなす赤色層189R、緑色層189G、青色
層189Bが画素ごとに順次形成されている。これらの
全面には配向膜190が形成されている。
This active matrix substrate 180 has a gate electrode 182 and a scanning line 1 on the main surface of a glass substrate 181.
83 and a pixel electrode 188 are respectively arranged, and an insulating film 184 is deposited on the gate electrode 182 and the scanning line 183. A semiconductor film 185 made of amorphous silicon is formed on the insulating film 184 and above the gate electrode 182.
A source 187 and a drain 186 are formed so as to straddle the semiconductor film 185 and the insulating film 184 so as to face the central portion of the semiconductor film 185 with a predetermined distance therebetween. A signal line (not shown) is connected to the drain 86 to form the source 187 and the pixel electrode 1.
88 is connected. A red layer 189R, a green layer 189G, and a blue layer 189B that form a color filter are sequentially formed on the pixel electrode 188 for each pixel. An alignment film 190 is formed on the entire surface of these.

【0107】上側の対向基板200は、ガラス基板20
1上に全面に透明電極膜202および配向膜203が堆
積されている。また、アクティブマトリクス基板180
の走査線183に対応して赤色層204R、緑色層20
4G、青色層204Bが積層され、柱状のスペーサ20
4が形成されている。
The counter substrate 200 on the upper side is the glass substrate 20.
A transparent electrode film 202 and an alignment film 203 are deposited on the entire surface of the film 1. In addition, the active matrix substrate 180
Corresponding to the scan line 183 of the red layer 204R and the green layer 20
A columnar spacer 20 in which 4G and a blue layer 204B are laminated
4 are formed.

【0108】そしてこれら両基板は対向され、対向基板
200のスペーサ204はアクティブマトリクス基板1
80の最下層である走査線の上に当接するようにされて
いる。
These two substrates are opposed to each other, and the spacer 204 of the counter substrate 200 is the active matrix substrate 1
It is arranged to abut on the scanning line which is the lowermost layer of 80.

【0109】画素電極上に通常のカラーフィルタが形成
されている構成では、着色層による電圧降下の問題があ
るが、着色層を導電性とすることにより、電圧降下の問
題を解決できる。しかし、このような導電性着色層を積
層してスペーサを形成する場合、最下層上にこのスペー
サを形成すれば、図1の場合と同様に、最下層である走
査線の上には2層の絶縁層が存在し、スペーサ204が
当接しても絶縁性が損なわれてショート等の欠陥が発生
することはきわめて少ない。そして両基板は接着層19
1により接着され、両基板の間には液晶組成物40が充
填封入されている。
In the structure in which the normal color filter is formed on the pixel electrode, there is a problem of voltage drop due to the colored layer, but the problem of voltage drop can be solved by making the colored layer conductive. However, when a spacer is formed by laminating such conductive colored layers, if the spacer is formed on the lowermost layer, two layers are formed on the scanning line which is the lowermost layer, as in the case of FIG. The insulating layer is present, and even if the spacers 204 come into contact with each other, it is extremely unlikely that a defect such as a short circuit occurs due to loss of the insulating property. And both substrates are adhesive layers 19
1, and the liquid crystal composition 40 is filled and sealed between both substrates.

【0110】なお、このような構成を実現するには、前
述した図1とほぼ同様にアレイ形成を行い、その後、画
素電極上に選択的に着色層を形成させればよい。
In order to realize such a structure, an array may be formed almost in the same manner as in FIG. 1 described above, and then a colored layer may be selectively formed on the pixel electrode.

【0111】また、導電性着色層が電極として十分に機
能するならば、画素電極を別に形成する必要はない。
If the conductive colored layer functions sufficiently as an electrode, it is not necessary to separately form the pixel electrode.

【0112】図23は本発明の第11の実施の形態を示
す素子断面図であり、アクティブマトリクス基板160
と対向基板210が対向配置され、両基板の間に液晶組
成物40が封入された構成となっている。アクティブマ
トリクス基板160については図18と全く同じである
ので、その説明を省略する。
FIG. 23 is an element sectional view showing an eleventh embodiment of the present invention, which is an active matrix substrate 160.
And the counter substrate 210 are arranged so as to face each other, and the liquid crystal composition 40 is sealed between the both substrates. Since the active matrix substrate 160 is exactly the same as that shown in FIG. 18, its description is omitted.

【0113】対向基板210は、ガラス基板211の表
面に遮光層212および赤色着色層213R、緑色着色
層213G、青色着色層213Bの順に繰り返し形成さ
れている。遮光層212の一部には赤色着色層213
R、緑色着色層213G、青色着色層213にそれぞれ
対応する層214R、214G、214Bが積層された
柱状スペーサ214が形成されている。このスペーサの
先端および各着色層の上には共通電極215および配向
膜216が形成されている。さらに柱状スペーサの先端
部分には絶縁膜217が形成されている。
The counter substrate 210 is formed by repeatedly forming a light shielding layer 212, a red coloring layer 213R, a green coloring layer 213G, and a blue coloring layer 213B on the surface of the glass substrate 211. A red coloring layer 213 is formed on a part of the light shielding layer 212.
A columnar spacer 214 is formed by stacking layers 214R, 214G, and 214B corresponding to R, the green coloring layer 213G, and the blue coloring layer 213, respectively. A common electrode 215 and an alignment film 216 are formed on the tip of the spacer and each colored layer. Further, an insulating film 217 is formed on the tip portion of the columnar spacer.

【0114】図24および図25はスペーサの先端部の
構成に着目して描いた簡略断面図であり、図24はスペ
ーサ214の先端面のみに透明電極(ITO膜)215
が形成され、スペーサの全面を絶縁膜217で覆った場
合を、図25は、スペーサ214全体を絶縁膜217で
覆い、先端部のみに透明電極(ITO膜)215が形成
された場合を示している。このようにすることにより、
スペーサ部材から不純物成分が溶出して素子に対して与
える悪影響を抑制することができ、更に共通電極とアク
ティブマトリクス基板上に形成される導電膜との短絡を
防止できる。
24 and 25 are simplified sectional views drawn by paying attention to the structure of the tip portion of the spacer, and FIG. 24 is a transparent electrode (ITO film) 215 only on the tip surface of the spacer 214.
25 shows the case where the entire surface of the spacer is covered with the insulating film 217, and FIG. 25 shows the case where the entire spacer 214 is covered with the insulating film 217 and the transparent electrode (ITO film) 215 is formed only on the tip. There is. By doing this,
It is possible to suppress the adverse effect that the impurity component is eluted from the spacer member and exerts on the element, and further it is possible to prevent a short circuit between the common electrode and the conductive film formed on the active matrix substrate.

【0115】以上説明した実施の形態以外にも本発明は
さらに種々の変形が可能である。
The present invention can be modified in various ways other than the embodiment described above.

【0116】例えば、図8に示した着色層を階段状に形
成したスペーサを図1に示すような最下層の配線層に当
接させるようにした場合には、スペーサ部における絶縁
性をさらに高めることができる。
For example, when the spacer having the colored layer shown in FIG. 8 formed stepwise is brought into contact with the lowermost wiring layer as shown in FIG. 1, the insulating property in the spacer portion is further enhanced. be able to.

【0117】また、各実施の形態における着色層の形成
順は一例でありこれに限定されるものではない。
The order of forming the colored layers in each of the embodiments is an example, and the order is not limited to this.

【0118】さらに、各実施の形態では積層スペーサは
3色の着色層を積層しているが、着色層の厚さを適当に
選択することにより、2色の着色層の積層で構成するこ
とも可能である。また、積層スペーサとしては、積層状
態で先端から根元にかけてその径が連続的に減少するも
のや、特定の層が上から下に径が漸減し、その減少した
径が下層で維持されるようなものも含まれる。
Further, in each of the embodiments, the laminated spacer is formed by laminating the colored layers of three colors, but it may be formed by laminating the colored layers of two colors by appropriately selecting the thickness of the colored layers. It is possible. Further, as the laminated spacer, one whose diameter is continuously reduced from the tip to the root in a laminated state, or the diameter of a specific layer is gradually reduced from top to bottom, and the reduced diameter is maintained in the lower layer Things are also included.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、カラー
フィルタの着色層を重ねてスペーサを形成し、アクティ
ブマトリクス基板の絶縁破壊強度の高い位置に配置する
ようにしているため、プラスティックビーズを使用せ
ず、かつスペーサ部の絶縁性が向上することにより、表
示性能や歩留りを向上させ、低コストを実現することが
できる。
As described above, according to the present invention, the colored layers of the color filter are overlapped to form the spacers, and the spacers are arranged at the positions where the dielectric breakdown strength of the active matrix substrate is high. It is possible to improve the display performance and the yield and to realize the low cost because the spacer is not used and the insulating property of the spacer is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる液晶表示素子の第1の実施の形
態の概略構成を示す素子断面図である。
FIG. 1 is an element cross-sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of a liquid crystal display element according to the present invention.

【図2】図1の断面箇所を示す素子平面図である。FIG. 2 is a device plan view showing a cross-sectional portion of FIG.

【図3】図1の液晶表示素子に用いられるアクティブマ
トリクス基板の詳細な構成を示す断面図である。
3 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of an active matrix substrate used in the liquid crystal display element of FIG.

【図4】図3の断面箇所を示す素子平面図である。FIG. 4 is a device plan view showing a cross-sectional portion of FIG.

【図5】本発明の第2の実施の形態にかかる正スタガ型
のアクティブマトリクス基板の構造を示す素子断面図で
ある。
FIG. 5 is an element sectional view showing a structure of a positive stagger type active matrix substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施の形態にかかる逆スタガ型
アクティブマトリクス基板を用いた構成を示す断面図で
ある。
FIG. 6 is a sectional view showing a configuration using an inverted staggered active matrix substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図7】図6の断面箇所を示す素子平面図である。7 is a device plan view showing a cross-sectional portion of FIG. 6. FIG.

【図8】本発明の第4の実施の形態を示すもので、非画
素非配線領域でスペーサを当接させた実施の形態の概略
構成を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the present invention and showing a schematic configuration of an embodiment in which a spacer is brought into contact with a non-pixel non-wiring region.

【図9】図8の断面箇所を示す素子平面図である。9 is a plan view of an element showing a cross section of FIG. 8. FIG.

【図10】本発明の第5の実施の形態を示すもので、非
画素領域と画素領域にまたがってスペーサを当接させた
実施の形態の概略構成を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the present invention and showing a schematic configuration of an embodiment in which a spacer is in contact with a non-pixel region and a pixel region.

【図11】図10の断面箇所を示す素子平面図である。11 is a plan view of an element showing a cross-sectional portion of FIG.

【図12】本発明の第6の実施の形態を示すもので、補
助容量線に対応してスペーサを当接させるようにした実
施の形態の概略構成を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a sixth embodiment of the present invention and showing a schematic configuration of an embodiment in which a spacer is brought into contact with an auxiliary capacitance line.

【図13】図12の断面箇所を示す素子平面図である。FIG. 13 is a device plan view showing a cross-sectional portion of FIG. 12;

【図14】本発明の第7の実施の形態を示すもので、補
助容量線に対応してスペーサを当接させるようにした実
施の形態の概略構成を示す断面図である。
FIG. 14 shows a seventh embodiment of the present invention and is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the embodiment in which a spacer is brought into contact with the auxiliary capacitance line.

【図15】図14の補助容量線部分の変形例を示す部分
拡大断面図である。
15 is a partial enlarged cross-sectional view showing a modified example of the auxiliary capacitance line portion of FIG.

【図16】図14の補助容量線部分の変形例を示す部分
拡大断面図である。
16 is a partial enlarged cross-sectional view showing a modified example of the auxiliary capacitance line portion of FIG.

【図17】本発明の第8の実施の形態を示すもので、中
間配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成
を示す断面図である。
FIG. 17 shows an eighth embodiment of the present invention and is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an embodiment in which a spacer is brought into contact with an intermediate wiring layer.

【図18】本発明の第9の実施の形態を示すもので、中
間配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成
を示す断面図である。
FIG. 18 shows a ninth embodiment of the present invention and is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an embodiment in which a spacer is brought into contact with an intermediate wiring layer.

【図19】図18に示した実施の形態の変形例を示す部
分断面図である。
19 is a partial cross-sectional view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.

【図20】図18に示した実施の形態の変形例を示す部
分断面図である。
20 is a partial cross-sectional view showing a modified example of the embodiment shown in FIG.

【図21】配向処理の際に柱状スペーサの脱落を防止し
た変形例を示す部分断面図である。
FIG. 21 is a partial cross-sectional view showing a modified example in which the columnar spacers are prevented from falling off during the alignment treatment.

【図22】本発明の第10の実施の形態を示すもので、
アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタを設けた
いわゆるカラーフィルタオンアレイ型に適用した概略構
成を示す断面図である。
FIG. 22 shows a tenth embodiment of the present invention,
It is sectional drawing which shows the schematic structure applied to what is called a color filter on array type which provided the color filter in the active matrix substrate side.

【図23】本発明の第11の実施の形態を示すもので、
スペーサを絶縁型としたものの概略構成を示す断面図で
ある。
FIG. 23 shows an eleventh embodiment of the present invention,
It is sectional drawing which shows the schematic structure of what made the spacer an insulation type.

【図24】スペーサの部分拡大図である。FIG. 24 is a partially enlarged view of a spacer.

【図25】スペーサの部分拡大図である。FIG. 25 is a partially enlarged view of a spacer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,50,60,90,120,140,160,1
80 アクティブマトリクス基板 11,31,51,61,71,81,91,100,
121,131,141,161,171,181,2
01,211 ガラス基板 12,57,62,148,164,182 ゲート電
極 13,54 走査線 14,20,56,59,123,221 絶縁膜 15,54,64,185 半導体膜 16,52,63,65,146 ソース 17,53,66,147 ドレイン 18,55,163 信号線 16,68,124,222 画素電極 21,35,66,85,153,166,176,1
90,203,216配向膜 30,80,100,110,130,170,20
0,210 対向基板 32R,32G,32B,33R,33G,33B,8
2R,82G,82B,83R,83G,83B,10
2R,102G,102B,112R,112G,11
2B,132R,132G,132B,133R,13
3G,133B,173R,173G,173B,17
7R,177G,177B,204R,204G,20
4B 着色層 33,74,83,103,113,133 スペーサ 34,175,202,215 共通電極 35,86,103,136,172 遮光膜 40 液晶組成物 61,122,152,183 補助容量線
10, 50, 60, 90, 120, 140, 160, 1
80 active matrix substrate 11, 31, 51, 61, 71, 81, 91, 100,
121, 131, 141, 161, 171, 181, 2
01, 211 glass substrate 12, 57, 62, 148, 164, 182 gate electrode 13, 54 scanning line 14, 20, 56, 59, 123, 221 insulating film 15, 54, 64, 185 semiconductor film 16, 52, 63 , 65,146 Source 17, 53, 66, 147 Drain 18, 55, 163 Signal line 16, 68, 124, 222 Pixel electrode 21, 35, 66, 85, 153, 166, 176, 1
90, 203, 216 Alignment film 30, 80, 100, 110, 130, 170, 20
0, 210 counter substrate 32R, 32G, 32B, 33R, 33G, 33B, 8
2R, 82G, 82B, 83R, 83G, 83B, 10
2R, 102G, 102B, 112R, 112G, 11
2B, 132R, 132G, 132B, 133R, 13
3G, 133B, 173R, 173G, 173B, 17
7R, 177G, 177B, 204R, 204G, 20
4B Colored layers 33, 74, 83, 103, 113, 133 Spacers 34, 175, 202, 215 Common electrode 35, 86, 103, 136, 172 Light-shielding film 40 Liquid crystal composition 61, 122, 152, 183 Storage capacitance line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽 藤 仁 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 緑 川 輝 行 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Jin Hafuji 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Yokohama Office (72) Inventor Teruyuki Midorikawa 7 Nisshincho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken Address 1 Inside Toshiba Electronics Engineering Co., Ltd.

Claims (48)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一主面上に互いに交差するよう配列された
複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び前
記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信号
線に接続されたスイッチング素子と、このスイッチング
素子ごとに接続された画素電極と、補助容量線とを配設
したアクティブマトリクス基板と、 一主面上に柱状突起をなすスペーサを有し、前記スペー
サを含む基板全面に形成された共通電極を有する対向基
板とを備え、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板の主面どうしを対向させ、これらの間に液晶組成物
を挾持した液晶表示素子において、 前記スペーサは前記アクティブマトリクス基板の絶縁破
壊強度の高い位置に形成されていることを特徴とする液
晶表示素子。
1. A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other on one main surface, and formed at each intersection of the scanning lines and the signal lines. An active matrix substrate having connected switching elements, pixel electrodes connected to each switching element, and auxiliary capacitance lines, and a spacer having a columnar protrusion on one main surface, and including the spacer. In a liquid crystal display device comprising a counter substrate having a common electrode formed on the entire surface of the substrate, the active matrix substrate and the main faces of the counter substrate are opposed to each other, and a liquid crystal composition is sandwiched between these spacers, A liquid crystal display element, which is formed at a position where the dielectric breakdown strength of the active matrix substrate is high.
【請求項2】請求項1に記載の液晶表示素子において、 前記スペーサは、前記走査線信号線又は補助容量線のう
ちの前記アクティブマトリクス基板側に最も近く形成さ
れた下層配線層上であって、導電性物質が形成されてい
ない位置に形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。
2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer is on a lower wiring layer formed closest to the active matrix substrate side of the scanning line signal line or the auxiliary capacitance line. A liquid crystal display element, characterized in that it is formed at a position where a conductive substance is not formed.
【請求項3】請求項2に記載の液晶表示素子において、 少なくとも前記スペーサと当接する前記下層配線層部分
上に2層以上の絶縁膜が形成されている事を特徴とする
液晶表示素子。
3. The liquid crystal display element according to claim 2, wherein two or more insulating films are formed on at least the lower wiring layer portion contacting the spacer.
【請求項4】請求項3に記載の液晶表示素子において、 前記スイッチング素子上に絶縁膜を介して前記走査線が
形成されており、前記スペーサが当接する下層配線層が
前記信号線であることを特徴とする液晶表示素子。
4. The liquid crystal display element according to claim 3, wherein the scanning line is formed on the switching element via an insulating film, and the lower wiring layer with which the spacer contacts is the signal line. Liquid crystal display device characterized by.
【請求項5】請求項3に記載の液晶表示素子において、 前記走査線上に絶縁膜を介して、前記スイッチンク素子
が形成されており、前記スペーサが当接する下層配線層
が前記走査線あるいは前記走査線と同層で形成される補
助容量線であることを特徴とする液晶表示素子。
5. The liquid crystal display element according to claim 3, wherein the switching element is formed on the scanning line via an insulating film, and the lower wiring layer with which the spacer abuts has the scanning line or the scanning line. A liquid crystal display element characterized by being an auxiliary capacitance line formed in the same layer as a scanning line.
【請求項6】請求項3に記載の液晶表示素子において、 前記2層の絶縁膜は酸化膜および窒化膜であることを特
徴とする液晶表示素子。
6. The liquid crystal display element according to claim 3, wherein the two layers of insulating films are an oxide film and a nitride film.
【請求項7】請求項1に記載の液晶表示素子において、 前記スペーサは前記走査線信号線又は補遺所容量線の配
線層のうち、前記アクティブマトリクス基板側と最も離
れて形成された上層配線層上であって、導電性物質が形
成されていない位置に形成されていることを特徴とする
液晶表示素子。
7. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer is an upper wiring layer formed farthest from the active matrix substrate side in the wiring layer of the scanning line signal line or the supplement capacitance line. A liquid crystal display device, characterized in that the liquid crystal display device is formed at a position above which a conductive substance is not formed.
【請求項8】請求項7に記載の液晶表示素子において、 少なくとも前記スペーサと当接する前記上層配線層部分
上に少なくとも1層の絶縁膜が形成されていることを特
徴とする液晶表示素子。
8. The liquid crystal display element according to claim 7, wherein at least one insulating film is formed on at least the upper wiring layer portion contacting the spacer.
【請求項9】請求項8に記載の液晶表示素子において、 前記絶縁膜は窒化膜であることを特徴とする液晶表示素
子。
9. The liquid crystal display element according to claim 8, wherein the insulating film is a nitride film.
【請求項10】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサは、下層配線層である前記補助容量線上で
かつ前記画素電極が絶縁膜を介して画素電極が形成され
た位置に配置され、前記スペーサの配置位置に対応した
画素電極部分が除去されていることを特徴とする液晶表
示素子。
10. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer is arranged on the auxiliary capacitance line, which is a lower wiring layer, and at the position where the pixel electrode is formed with the pixel electrode via an insulating film. A liquid crystal display element, wherein a pixel electrode portion corresponding to the arrangement position of the spacer is removed.
【請求項11】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には前記スペーサが形成され、前記スペ
ーサを含む前記対向基板上に前記共通電極が形成されて
おり、前記スペーサは下層配線層である前記補助容量線
上に形成され、かつ前記スペーサ上の共通電極と前記補
助容量線とが電気的に接続されていることを特徴とする
液晶表示素子。
11. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer is formed on the counter substrate, the common electrode is formed on the counter substrate including the spacer, and the spacer is a lower layer. A liquid crystal display element, which is formed on the auxiliary capacitance line which is a wiring layer, and a common electrode on the spacer is electrically connected to the auxiliary capacitance line.
【請求項12】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には着色層が形成され、前記スペーサは
前記着色層を複数層積層してなり、前記着色層及び前記
スペーサを含む基板上に前記共通電極が形成されている
ことを特徴とする液晶表示素子。
12. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein a colored layer is formed on the counter substrate, the spacer is formed by stacking a plurality of the colored layers, and includes the colored layer and the spacer. A liquid crystal display device, wherein the common electrode is formed on a substrate.
【請求項13】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが当接する部分のスペーサ面積の合計が、
スイッチング素子の合計面積の20分の1以上2倍以下
であることを特徴とする液晶表示素子。
13. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein a total of spacer areas of portions where the spacers abut is:
A liquid crystal display element, which is 1/20 or more and 2 times or less of the total area of the switching elements.
【請求項14】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの数が、スイッチング素子の数に対して一
次関数の関係であることを特徴とする液晶表示素子。
14. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the number of the spacers has a linear function relationship with the number of switching elements.
【請求項15】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサがその径が先端から根元まで単調に減少す
る逆テーパ状をなすことを特徴とする液晶表示素子。
15. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the spacer has an inverse taper shape in which the diameter thereof monotonically decreases from the tip to the root.
【請求項16】請求項15に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの外周に前記スペーサの高さより低く、か
つ前記スペーサと同心に配置された円筒壁体をさらに備
えたことを特徴とする液晶表示の素子。
16. The liquid crystal display device according to claim 15, further comprising a cylindrical wall body, which is lower than a height of the spacer and is concentric with the spacer, on an outer periphery of the spacer. Display element.
【請求項17】請求項1に記載の液晶表示素子におい
て、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に
はそれぞれ配向膜が形成され、前記柱状スペーサに対し
て前記配向膜の配向処理方向の進入側の位置に前記スペ
ーサの高さより低い柱状障壁を備えたことを特徴とする
液晶表示素子。
17. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein an alignment film is formed on each of the active matrix substrate and the counter substrate, and the alignment film is provided on the entry side of the alignment film in the alignment treatment direction with respect to the columnar spacer. A liquid crystal display device, comprising a columnar barrier at a position lower than the height of the spacer.
【請求項18】一主面上に形成された半導体層と、前記
半導体層上に第1の絶縁膜を介して形成された走査線及
び前記走査線と同一層で形成された補助容量線と、これ
らの上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜
上に形成された信号線、前記半導体層と前記第1の絶縁
膜に形成された第1のスルーホールを介して接続された
ドレイン電極及びソース電極と、 前記第2の絶縁膜の第2のスルーホールを介して前記ソ
ース電極と接続された第2の絶縁膜上に形成された画素
電極とからなり、前記ドレイン電極と前記信号線とは接
続されているアクティブマトリクス基板と、 一主面上に形成された共通電極とからなる対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の主面同
士を対向させ、これらの間に挟持された液晶組成物と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との2枚
の基板間距離を保持する柱状突起とを有する液晶表示素
子。
18. A semiconductor layer formed on one main surface, a scanning line formed on the semiconductor layer via a first insulating film, and an auxiliary capacitance line formed in the same layer as the scanning line. Via the second insulating film formed thereon, the signal line formed on the second insulating film, and the first through hole formed in the semiconductor layer and the first insulating film. A drain electrode and a source electrode connected to each other, and a pixel electrode formed on the second insulating film connected to the source electrode through the second through hole of the second insulating film, An active matrix substrate in which the drain electrode and the signal line are connected to each other, a counter substrate including a common electrode formed on one main surface, and the main surfaces of the active matrix substrate and the counter substrate are opposed to each other, Liquid crystal composition sandwiched between these When a liquid crystal display device and a pillar projection for holding between the two substrates a distance between said active matrix substrate and the counter substrate.
【請求項19】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが、中間層配線である前記走査線上または
前記補助容量線上てあって、導電性物質が形成されてい
ない位置に配置されていることを特徴とする液晶表示素
子。
19. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the spacer is arranged on the scanning line or the auxiliary capacitance line, which is an intermediate layer wiring, and at a position where no conductive substance is formed. A liquid crystal display device characterized in that
【請求項20】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが、前記第2の絶縁膜の形成工程と同一工
程で形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
20. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the spacer is formed in the same step as the step of forming the second insulating film.
【請求項21】請求項20に記載の液晶表示素子におい
て、 前記第2の絶縁膜は着色層からなり、前記スペーサは前
記着色層を複数層積層してなることを特徴とする液晶表
示素子。
21. The liquid crystal display element according to claim 20, wherein the second insulating film is formed of a colored layer, and the spacer is formed by laminating a plurality of the colored layers.
【請求項22】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には複数の着色層が形成され前記スペー
サは前記着色層を複数層積層して形成され、前記着色層
及び前記スペーサを含む基板上に前記共通電極が形成さ
れていることを特徴とする液晶表示素子。
22. The liquid crystal display device according to claim 18, wherein a plurality of colored layers are formed on the counter substrate, and the spacer is formed by laminating a plurality of the colored layers. A liquid crystal display device, wherein the common electrode is formed on a substrate including the.
【請求項23】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサは、中間配線層である前記補助容量線上で
かつ前記画素電極が絶縁膜を介して画素電極が形成され
た位置に配置され、前記スペーサの配置位置に対応した
画素電極部分が除去されていることを特徴とする液晶表
示素子。
23. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the spacer is arranged on the auxiliary capacitance line, which is an intermediate wiring layer, and at a position where the pixel electrode is formed with the pixel electrode via an insulating film. A liquid crystal display element, wherein a pixel electrode portion corresponding to the arrangement position of the spacer is removed.
【請求項24】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には前記スペーサが形成され、前記スペ
ーサを含む前記対向基板上に前記共通電極が形成されて
おり、前記スペーサは中間配線層である前記補助容量線
上に形成され、かつ前記スペーサ上の共通電極と前記補
助容量線とが電気的に接続されていることを特徴とする
液晶表示素子。
24. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the spacer is formed on the counter substrate, the common electrode is formed on the counter substrate including the spacer, and the spacer is an intermediate layer. A liquid crystal display element, which is formed on the auxiliary capacitance line which is a wiring layer, and a common electrode on the spacer is electrically connected to the auxiliary capacitance line.
【請求項25】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが当接する部分のスペーサ面積の合計が、
スイッチング素子の合計面積の20分の1以上2倍以下
であることを特徴とする液晶表示素子。
25. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein a total of spacer areas of portions where the spacers abut is:
A liquid crystal display element, which is 1/20 or more and 2 times or less of the total area of the switching elements.
【請求項26】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの数が、スイッチング素子の数に対して一
次関数の関係であることを特徴とする液晶表示素子。
26. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the number of spacers has a linear function relationship with the number of switching elements.
【請求項27】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサがその径が先端から根元まで単調に減少す
る逆テーパ状をなすことを特徴とする液晶表示素子。
27. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein the spacer has an inverse taper shape in which the diameter thereof monotonically decreases from the tip to the root.
【請求項28】請求項27に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの外周に前記スペーサの高さより低く、か
つ前記スペーサと同心に配置された円筒壁体をさらに備
えたことを特徴とする液晶表示の素子。
28. The liquid crystal display device according to claim 27, further comprising a cylindrical wall body, which is lower than a height of the spacer and is concentric with the spacer, on an outer periphery of the spacer. Display element.
【請求項29】請求項18に記載の液晶表示素子におい
て、前記アクティブマトリクス基板及び前記基板にはそ
れぞれ配向膜が形成され、前記柱状スペーサに対して前
記配向膜の配向処理方向の進入側の位置に前記スペーサ
の高さより低い柱状障壁を備えたことを特徴とする液晶
表示素子。
29. The liquid crystal display element according to claim 18, wherein an alignment film is formed on each of the active matrix substrate and the substrate, and the position of the columnar spacer on the entry side in the alignment treatment direction of the alignment film. A liquid crystal display device comprising a columnar barrier having a height lower than that of the spacer.
【請求項30】一主面上に互いに交差するよう配列され
た複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び
前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
号線に接続されたスイッチング素子と、このスイッチン
グ素子ごとに接続された画素電極と、補助容量線とを配
設したアクティブマトリクス基板と、 一主面上に共通電極を有する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板間に設け
られた柱状突起をなすスペーサを備え、 前記スペーサは非画素領域で非配線部に設けられ、前記
アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面ど
うしを対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液
晶表示素子。
30. A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other on one main surface, and formed at each intersection of the scanning lines and the signal lines. An active matrix substrate having connected switching elements, a pixel electrode connected to each switching element, and an auxiliary capacitance line, an opposite substrate having a common electrode on one main surface, and the active matrix substrate A spacer that forms a columnar protrusion is provided between the counter substrates, the spacer is provided in a non-wiring portion in a non-pixel region, and main surfaces of the active matrix substrate and the counter substrate are opposed to each other, and a space between them is provided. A liquid crystal display device sandwiching a liquid crystal composition.
【請求項31】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサは対向基板側に設けられ、前記共通電極が
形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
31. The liquid crystal display element according to claim 30, wherein the spacer is provided on the counter substrate side and the common electrode is formed.
【請求項32】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、 前記アクティブマトリクス基板上には着色層及び前記ス
ペーサが形成され前記スペーサは前記スペーサが前記着
色層を複数層積層して形成されたことを特徴とする液晶
表示素子。
32. The liquid crystal display device according to claim 30, wherein a colored layer and the spacer are formed on the active matrix substrate, and the spacer is formed by laminating a plurality of the colored layers. Liquid crystal display device characterized by.
【請求項33】請求項31に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には着色層及び前記スペーサが形成され
前記スペーサが着色層を複数層積層して形成したことを
特徴とする液晶表示素子。
33. The liquid crystal display device according to claim 31, wherein a colored layer and the spacer are formed on the counter substrate, and the spacer is formed by laminating a plurality of colored layers. element.
【請求項34】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが当接する部分のスペーサ面積の合計が、
スイッチング素子の合計面積の20分の1以上2倍以下
であることを特徴とする液晶表示素子。
34. The liquid crystal display element according to claim 30, wherein a total of spacer areas of portions where the spacers abut is:
A liquid crystal display element, which is 1/20 or more and 2 times or less of the total area of the switching elements.
【請求項35】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの数が、スイッチング素子の数に対して一
次関数の関係であることを特徴とする液晶表示素子。
35. The liquid crystal display element according to claim 30, wherein the number of the spacers has a linear function relationship with the number of switching elements.
【請求項36】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサがその径が先端から根元まで単調に減少す
る逆テーパ状をなすことを特徴とする液晶表示素子。
36. The liquid crystal display element according to claim 30, wherein the spacer has an inverse tapered shape in which the diameter thereof monotonically decreases from the tip to the root.
【請求項37】請求項36に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの外周に前記スペーサの高さより低く、か
つ前記スペーサと同心に配置された円筒壁体をさらに備
えたことを特徴とする液晶表示の素子。
37. The liquid crystal display device according to claim 36, further comprising a cylindrical wall body, which is lower than a height of the spacer and is concentric with the spacer, on an outer periphery of the spacer. Display element.
【請求項38】請求項30に記載の液晶表示素子におい
て、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板に
はそれぞれ配向膜が形成され、前記柱状スペーサに対し
て前記配向膜の配向処理方向の進入側の位置に前記スペ
ーサの高さより低い柱状障壁を備えたことを特徴とする
液晶表示素子。
38. The liquid crystal display element according to claim 30, wherein an alignment film is formed on each of the active matrix substrate and the counter substrate, and the alignment film is provided on the entry side of the alignment film with respect to the columnar spacer. A liquid crystal display device, comprising a columnar barrier at a position lower than the height of the spacer.
【請求項39】一主面上に互いに交差するよう配列され
た複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び
前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
号線に接続されたとスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子ごとに接続された画素電極とを配設したアクテ
ィブマトリクス基板と、 一主面上に共通電極、を有する対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板間に設け
られたスペーサとを備え、 前記スペーサが前記アクティブマトリクス基板の非画素
部と画素部の境界部を含んで当接するように前記アクテ
ィブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを
対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液晶表示
素子。
39. A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other on one main surface, and formed at each intersection of the scanning lines and the signal lines. An active matrix substrate having switching elements connected to each other and pixel electrodes connected to each switching element, and a counter substrate having a common electrode on one main surface, and between the active matrix substrate and the counter substrate. A main surface of the active matrix substrate and a main surface of the counter substrate are opposed to each other so that the spacer abuts including a boundary portion between the non-pixel portion and the pixel portion of the active matrix substrate. A liquid crystal display device in which a liquid crystal composition is sandwiched between.
【請求項40】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサは対向基板側に設けられ、前記スペーサを
含む基板上に前記共通電極が形成されており、前記、ス
ペーサと前記画素部との間に絶縁膜が形成されているこ
とを特徴とする液晶表示素子。
40. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein the spacer is provided on a counter substrate side, the common electrode is formed on a substrate including the spacer, and the spacer and the pixel portion are provided. A liquid crystal display element, characterized in that an insulating film is formed between them.
【請求項41】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサは対向基板側に設けられ、前記スペーサを
含む基板上に前記共通電極が形成されており、前記非画
素部と画素部の境界領域に存在する画素電極の一部が除
去されたことを特徴とする液晶表示素子。
41. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein the spacer is provided on a counter substrate side, the common electrode is formed on a substrate including the spacer, and the non-pixel portion and the pixel portion are formed. A liquid crystal display device, wherein a part of the pixel electrode existing in the boundary region is removed.
【請求項42】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記アクティブマトリクス基板上には着色層及び前記ス
ペーサが形成され、前記スペーサは前記着色層を複数層
積層して形成されたことを特徴とする液晶表示素子。
42. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein a colored layer and the spacer are formed on the active matrix substrate, and the spacer is formed by laminating a plurality of the colored layers. Liquid crystal display device.
【請求項43】請求項40に記載の液晶表示素子におい
て、 前記対向基板上には着色層及び前記スペーサが形成さ
れ、前記スペーサが着色層を複数層以上積層して形成さ
れたことを特徴とする液晶表示素子。
43. The liquid crystal display element according to claim 40, wherein a colored layer and the spacer are formed on the counter substrate, and the spacer is formed by laminating a plurality of colored layers. Liquid crystal display device.
【請求項44】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサが当接する部分のスペーサ面積の合計が、
スイッチング素子の合計面積の20分の1以上2倍以下
であることを特徴とする液晶表示素子。
44. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein a total of spacer areas of portions where the spacer contacts is:
A liquid crystal display element, which is 1/20 or more and 2 times or less of the total area of the switching elements.
【請求項45】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの数が、スイッチング素子の数に対して一
次関数の関係であることを特徴とする液晶表示素子。
45. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein the number of the spacers has a linear function relationship with the number of switching elements.
【請求項46】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサがその径が先端から根元まで単調に減少す
る逆テーパ状をなすことを特徴とする液晶表示素子。
46. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein the spacer has an inverse taper shape whose diameter decreases monotonically from the tip to the root.
【請求項47】請求項46に記載の液晶表示素子におい
て、 前記スペーサの外周に前記スペーサの高さより低く、か
つ前記スペーサと同心に配置された円筒壁体をさらに備
えたことを特徴とする液晶表示の素子。
47. The liquid crystal display device according to claim 46, further comprising a cylindrical wall body, which is lower than a height of the spacer and is concentric with the spacer, on an outer periphery of the spacer. Display element.
【請求項48】請求項39に記載の液晶表示素子におい
て、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板上
にはそれぞれ配向膜が成形され、前記柱状スペーサに対
して前記配向膜の配向処理方向の進入側の位置に前記ス
ペーサの高さより低い柱状障壁を備えたことを特徴とす
る液晶表示素子。
48. The liquid crystal display element according to claim 39, wherein an alignment film is formed on each of the active matrix substrate and the counter substrate, and the alignment film is formed on an entrance side of the alignment film with respect to the columnar spacer. 2. A liquid crystal display device, characterized in that a columnar barrier lower than the height of the spacer is provided at the position.
JP21997696A 1995-08-21 1996-08-21 Liquid crystal display element Withdrawn JPH09120075A (en)

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