JPH09116219A - Laser light generating equipment and laser application equipment - Google Patents

Laser light generating equipment and laser application equipment

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Publication number
JPH09116219A
JPH09116219A JP7272407A JP27240795A JPH09116219A JP H09116219 A JPH09116219 A JP H09116219A JP 7272407 A JP7272407 A JP 7272407A JP 27240795 A JP27240795 A JP 27240795A JP H09116219 A JPH09116219 A JP H09116219A
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JP
Japan
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laser
crystal
wavelength
light
resonator
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Application number
JP7272407A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Ando
哲生 安藤
Takeshi Miyai
剛 宮井
Satoshi Makio
諭 牧尾
Yasunori Furukawa
保典 古川
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize output by constituting a resonator in such a manner that the extinction ratio of a fundamental wave light which is emitted from a laser crystal having a wavelength sweeping range larger than or equal to a specific value and resonated in a resonator is equal to a specific value. SOLUTION: LiSAF crystal is used as a laser crystal 21. The left end surface 24 of the crystal is subjected to nonreflection coating whose reflectivity to excitation wavelength is at most 2%, and subjected to high reflection coating whose reflectivity to fundamental wavelength is at least 99%. In the right vicinity of the laser crystal 24, a double refraction filter 9 is arranged and so inclined that the incident surface contains the (c) axis of the laser crystal 24 and the optical axis and make the Brewster angle to the optical axis. In the right vicinity of the double refraction filter 9, nonlinear optical crystal 22 is arranged. By adjusting the optical axis of the laser crystal 21, the double refraction filter 9 and the nonlinear optical crystal 22, and setting the quenching ratio to be 3000 (at least 1000), SHG having a wavelength of 430nm is stably obtained with output error of ±6% or less, and stabilization of output is possible. SHG is second harmonic wave of a light.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光エレクトロニクス
分野、特にレーザプリンタ装置、パーティクルカウンタ
装置、医療検査装置、光造形装置および光ディスク装置
などに用いられるレーザ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of optoelectronics, and more particularly to a laser device used in a laser printer device, a particle counter device, a medical inspection device, a stereolithography device, an optical disk device and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】高度情報化時代の進展に伴い、光ディス
ク装置やレーザプリンタ装置などのコンピュータ周辺レ
ーザ応用装置において記録密度向上や高速印刷の要求を
満足するため、短波長化への要求が高まっている。しか
し製品化レベルで要求の高い青色領域を満足する光源と
してはHe−Cd(ヘリウムーカドミウム)レーザ装置
やAr(アルゴン)レーザ装置などのガスレーザ装置し
かなく、大型で消費電力が大きく、デスクトップサイズ
が主流のオフィス環境および住宅環境に適応できない問
題があった。
2. Description of the Related Art With the progress of the advanced information age, demands for shorter wavelengths are increasing in order to satisfy the demands for recording density improvement and high speed printing in computer peripheral laser application devices such as optical disc devices and laser printer devices. There is. However, gas laser devices such as He-Cd (helium-cadmium) laser devices and Ar (argon) laser devices are the only light sources that satisfy the highly demanded blue region at the commercialization level. There was a problem that it could not be adapted to the mainstream office environment and residential environment.

【0003】またレーザ装置は投入電力からレーザ光へ
の変換効率が小さく、消費電力の多くは熱となるため冷
却手段を必要とし、レーザ応用装置のサイズが大きくな
る問題があった。またこの冷却手段の振動による光学系
のズレがレーザ応用装置の信頼性を劣化させる等の問題
があった。さらにガスの劣化等により、ガスあるいはそ
れを封入したチューブの交換が必要となり、連続使用時
間が短く、それによりレーザ応用装置の連続使用時間が
短く、またガスチューブ交換の際には光学系の再調整も
必要となる、などの問題があった。
Further, the laser device has a low conversion efficiency from input power to laser light, and most of the power consumption becomes heat, so that a cooling means is required and the size of the laser application device becomes large. Further, there is a problem that the deviation of the optical system due to the vibration of the cooling means deteriorates the reliability of the laser application device. Furthermore, due to deterioration of the gas, it is necessary to replace the gas or the tube containing it, which shortens the continuous use time, which shortens the continuous use time of the laser application device, and also requires replacement of the optical system when replacing the gas tube. There was a problem that adjustment was necessary.

【0004】これに対し、固体レーザの共振器内部に非
線形光学結晶を挿入し固体レーザからの発振波である第
1のレーザビーム(以下場合によっては基本波と称す)
の1/2の波長に変換する光第2高調波発生(以下単に
SHG;Second HarmonicGeneration)などの波長変換
技術を適応することで、レーザの短波長化が出来ること
を利用して前述のようなガスレーザの問題点を解消する
試みがなされてきた。例えば800〜900nm帯の波
長領域で発振可能なレーザ結晶であるCr:LiSrAlF6(クロ
ム添加のフッ化リチウムストロンチウムアルミニウム;
以下単にLiSAFと称す)を用いた固体レーザのSH
G方式が提案された。(エフ. ハ゛レンホ゛ワ-ル、 ヒ゜ー. シ゛ョルシ゛ュ、
エフ.エス. アラン,「Cr添加の LiSrAlF6レーザの内部共振器
型周波数逓倍による波長チューニング可能な青色光源」
応用物理通信61巻20号2381頁(1992年)、F.Balembois,
P.Georges, F. Salin,G.Roger,and A. Brun,"Tunable b
lue light source by intracavity frequency doubling
of a Cr-dope LiSrAlF6laser", Appl.Phys.Lett.,Vol.
61,No.20,p.2381(1992))。しかし、前記Balembois等は
LiSAF結晶の励起光源としてKr(クリプトン)レ
ーザを用いており、前述のHe−CdおよびArレーザ
の問題点を改善するものではなかった。
On the other hand, a first laser beam (hereinafter referred to as a fundamental wave in some cases) which is an oscillating wave from the solid-state laser by inserting a nonlinear optical crystal inside the resonator of the solid-state laser.
By applying a wavelength conversion technique such as optical second harmonic generation (hereinafter simply referred to as SHG; Second Harmonic Generation) that converts the wavelength to 1/2 of Attempts have been made to overcome the problems of gas lasers. For example, Cr: LiSrAlF 6 (chromium-added lithium strontium aluminum fluoride, which is a laser crystal capable of oscillating in the wavelength range of 800 to 900 nm band;
SH of solid-state laser using (hereinafter simply referred to as LiSAF)
The G method was proposed. (F. Ballenwall, P.J.,
F. S. Alan, “Blue light source with wavelength tuning by internal cavity type frequency doubling of Cr-doped LiSrAlF 6 laser”
Applied Physics Communication Vol. 61, No. 20, pp. 2381 (1992), F. Balembois,
P. Georges, F. Salin, G. Roger, and A. Brun, "Tunable b
lue light source by intracavity frequency doubling
of a Cr-dope LiSrAlF 6 laser ", Appl.Phys.Lett., Vol.
61, No. 20, p. 2381 (1992)). However, Balembois et al. Uses a Kr (krypton) laser as an excitation light source for a LiSAF crystal and does not solve the above-mentioned problems of He-Cd and Ar lasers.

【0005】これに対し本発明者等は半導体レーザを励
起光源とするLiSAFレーザのSHG方式を提案した
(宮井、牧尾、古川、佐藤、「半導体レーザ励起Cr:LiS
rAlF6レーザの内部共振器型SHG方式を用いた10m
W青色レーザ」、第42回応用物理学関係連合講演会、
28p-ZQ-10(1995年))。
On the other hand, the present inventors have proposed an SHG method of a LiSAF laser using a semiconductor laser as an excitation light source (Miyai, Makio, Furukawa, Sato, “Semiconductor laser excited Cr: LiS
10m using internal cavity type SHG method of rAlF 6 laser
"W Blue Laser", 42nd Joint Lecture on Applied Physics,
28p-ZQ-10 (1995)).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】LiSAFに代表され
るような10nm以上の比較的広い波長掃引幅を有する
固体レーザでは、例えば波長掃引素子により特定の波長
領域における損失を、他の波長の損失より相対的に低く
して前記特定の波長領域のレーザ光を発振させる構成と
なっている。しかしながら、本発明者らが検討した結
果、前記共振器中に非線形光学結晶、すなわち前記特定
のSHGのような、ある波長を異なる波長に変換する素
子を挿入した場合つまり新たな損失が発生した場合に、
レーザ出力およびSHG出力が不安定になることが分か
った。
In a solid-state laser having a relatively wide wavelength sweep width of 10 nm or more as represented by LiSAF, for example, a wavelength sweep element causes a loss in a specific wavelength region to be smaller than a loss of another wavelength. It is configured to be relatively low to oscillate the laser light in the specific wavelength range. However, as a result of examination by the present inventors, when a non-linear optical crystal, that is, an element that converts a certain wavelength into a different wavelength, such as the specific SHG, is inserted in the resonator, that is, when a new loss occurs. To
It was found that the laser output and SHG output became unstable.

【0007】本発明はこの点を考慮したもので、LiS
AFに代表されるような比較的広い波長掃引幅を有する
固体レーザを使用したSHGにおいて、その出力を安定
化させたレーザ装置を提供することにある。
The present invention takes this point into consideration.
An object of the present invention is to provide a laser device whose output is stabilized in SHG using a solid-state laser having a relatively wide wavelength sweep width as represented by AF.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、少な
くとも10nm以上の波長掃引範囲を有するレーザ結晶
と、前記レーザ結晶を含む共振器からなるレーザ光発生
装置において、前記レーザ結晶から発光され、前記共振
器中で共振される基本波光の消光比が1000以上とな
るように前記共振器を構成したことを特徴とするレーザ
光発生装置である。
That is, the present invention provides a laser light generator comprising a laser crystal having a wavelength sweep range of at least 10 nm or more and a resonator including the laser crystal, wherein the laser crystal emits light. In the laser light generator, the resonator is configured such that the extinction ratio of the fundamental wave light resonated in the resonator is 1000 or more.

【0009】また前記共振器中に少なくとも10nm以
上の波長掃引範囲を有するレーザ結晶と、前記レーザ結
晶からの発光の発振波長を掃引するための波長掃引素子
と、前記基本波光の光の一部を異なる波長の第2のレー
ザ光に変換する非線形光学結晶を有することを特徴とす
るレーザ光発生装置である。さらに前記レーザ結晶とし
てCr:LiSrAlF6(クロム添加のフッ化リチウムストロン
チウムアルミニウム:LiSAFと略す)、Cr:LiSrGaF
6(クロム添加のフッ化リチウムストロンチウムガリウ
ム)、Ti:Al2O3(チタン添加のサファイア)、Cr:BeAl2
O4(アレキサンドライト)のうちのいずれかを用いる。
また前記非線形光学結晶としてLiB3O5(三ほう酸リチウ
ム:LBOと略す)、CsLiB6O10(ホウ酸リチウムセシ
ウム)、β-BaB2O4(ホウ酸バリウム)、KNbO3(ニオブ
酸カリウム)、KLiNbO(ニオブ酸リチウム−カリウ
ム)、またはLiIO3(ヨウ酸リチウム)のうちのいずれ
かを用いる。
Further, a laser crystal having a wavelength sweep range of at least 10 nm or more in the resonator, a wavelength sweep element for sweeping an oscillation wavelength of light emitted from the laser crystal, and a part of the light of the fundamental wave light. It is a laser light generator characterized by having a non-linear optical crystal for converting into a second laser light of a different wavelength. Further, as the laser crystal, Cr: LiSrAlF 6 (abbreviated as chromium-added lithium strontium aluminum fluoride: LiSAF), Cr: LiSrGaF
6 (lithium strontium gallium fluoride with chromium added), Ti: Al 2 O 3 (sapphire with titanium added), Cr: BeAl 2
Use one of O 4 (Alexandrite).
Further, as the non-linear optical crystal, LiB 3 O 5 (lithium triborate: abbreviated as LBO), CsLiB 6 O 10 (lithium cesium borate), β-BaB 2 O 4 (barium borate), KNbO 3 (potassium niobate). , KLiNbO (lithium-niobate-potassium), or LiIO 3 (lithium iodate).

【0010】本発明者らは、10nm以上の比較的広い
波長掃引幅を有する固体レーザの一例としてLiSAF
レーザの発振特性を検討した。その結果、固体レーザ出
力の偏光状態とレーザ出力の不安定性との間に関係があ
ることを見い出した。図1はLiSAFレーザの基本波
の消光比とSHG出力安定性の相関関係を説明するため
の図である。消光比は、例えばLiSAF結晶のC軸と
非線形光学結晶であるLBO結晶のC軸のなす角を調整
することに変更することが出来る。図1よりSHG出力
の変動は、消光比が比較的高い直線偏光と考えられる領
域では小さく、消光比が小さくなるに従って変動は大き
くなっている。定量的に見ると、消光比が3200から
900に低下すると、出力変動率が0.5%から1.2
%へ増大することがわかる。
The present inventors have used LiSAF as an example of a solid-state laser having a relatively wide wavelength sweep width of 10 nm or more.
The oscillation characteristics of the laser were examined. As a result, it was found that there is a relation between the polarization state of the solid-state laser output and the instability of the laser output. FIG. 1 is a diagram for explaining the correlation between the extinction ratio of the fundamental wave of the LiSAF laser and the SHG output stability. The extinction ratio can be changed, for example, by adjusting the angle between the C axis of the LiSAF crystal and the C axis of the LBO crystal that is a nonlinear optical crystal. From FIG. 1, the fluctuation of the SHG output is small in the region where the extinction ratio is considered to be linearly polarized light, and the fluctuation increases as the extinction ratio decreases. Quantitatively, when the extinction ratio decreases from 3200 to 900, the output fluctuation rate changes from 0.5% to 1.2%.
It turns out that it increases to%.

【0011】また図2はLiSAFレーザの消光比と発
振波長の縦モードの数の相関関係を説明するための図で
ある。図2より消光比が3200から900に低下する
と、縦モード数が3本から9本へと増加することが分か
る。さらに消光比が1000以下に低下すると縦モード
が5本と4本の2つのグループに分離することが判っ
た。
FIG. 2 is a diagram for explaining the correlation between the extinction ratio of the LiSAF laser and the number of longitudinal modes of the oscillation wavelength. It can be seen from FIG. 2 that when the extinction ratio decreases from 3200 to 900, the number of longitudinal modes increases from 3 to 9. Further, it was found that when the extinction ratio is reduced to 1000 or less, the longitudinal mode is separated into two groups of 5 and 4.

【0012】一般に、発振波長の縦モード数が増加する
とモード競合によるノイズが発生しやすくなると考えら
れる。よって、縦モード数の少なくなる消光比の大きい
状態がSHG出力安定化のためには望ましい。さらにレ
ーザ応用装置としては±1%以下の安定性は必要と考え
られるから、図1および図2より固体レーザ出力の消光
比は1000以上であることが望ましいことがわかる。
Generally, it is considered that noise due to mode competition easily occurs when the number of longitudinal modes of the oscillation wavelength increases. Therefore, a state in which the number of longitudinal modes is small and the extinction ratio is large is desirable for stabilizing the SHG output. Further, since it is considered that stability of ± 1% or less is required for a laser application device, it is understood from FIGS. 1 and 2 that the extinction ratio of solid-state laser output is preferably 1000 or more.

【0013】図3は消光比が低下する原因の一例を説明
するための図である。少なくとも10nm以上の波長掃
引幅を有するレーザ結晶として、LiSAF結晶以外に
Cr:LiSrGaF6(クロム添加のフッ化リチウムストロンチ
ウムガリウム)、Ti:Al2O3(チタン添加のサファイ
ア)、Cr:BeAl2O4(アレキサンドライト)などのレーザ
結晶が存在し、いずれも異方性を有するため直線偏光で
発振する。図3に示した構成では代表的な波長掃引素子
として、複屈折フィルタを用いている。複屈折フィルタ
はレーザ結晶の異方性で決まる偏光方向(紙面内)にお
いて損失が理論上0となるブリュースター角に配置され
ている。ここで複屈折フィルタとは、異なる屈折率を持
つ結晶軸が面内になるように結晶を切り出し、2つの平
面の平行度と面精度が高くなるように研磨したものであ
る。この平面を共振器中の光軸に対してブリュースター
角になるように配置すると、ある特定波長の発光の偏光
方向を複屈折フィルタ中で整数回の回転の後に通過さ
せ、かつ複屈折フィルタ両面が形成するブリュースター
窓において特定の偏光方向のみ無損失で通過させる効果
を用いて、この波長を選択しレーザ発振させることがで
きる。ここで、前記の特定波長のレーザ光は共振器中を
何度も往復するため、ブリュースター窓で消光比の高い
直線偏光となる。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of the cause of the decrease in extinction ratio. As a laser crystal having a wavelength sweep width of at least 10 nm, other than a LiSAF crystal
There are laser crystals such as Cr: LiSrGaF 6 (lithium strontium gallium fluoride with chromium added), Ti: Al 2 O 3 (sapphire with titanium added), and Cr: BeAl 2 O 4 (alexandrite), all of which are anisotropic. Therefore, it oscillates with linearly polarized light. In the configuration shown in FIG. 3, a birefringent filter is used as a typical wavelength sweep element. The birefringent filter is arranged at a Brewster angle at which loss is theoretically 0 in the polarization direction (in the plane of the paper) determined by the anisotropy of the laser crystal. Here, the birefringent filter is a crystal cut so that crystal axes having different refractive indices are in-plane and polished so that the parallelism between two planes and the surface accuracy are improved. If this plane is arranged at Brewster's angle with respect to the optical axis in the resonator, the polarization direction of the light emission of a specific wavelength will pass through the birefringent filter after being rotated an integral number of times, and This wavelength can be selected to cause laser oscillation by utilizing the effect of passing only a specific polarization direction without loss in the Brewster window formed by. Here, since the laser light of the above-mentioned specific wavelength reciprocates in the resonator many times, it becomes a linearly polarized light having a high extinction ratio in the Brewster window.

【0014】ここで共振器中に特定の波長において損失
を与える場合について考察する。たとえば共振器中に非
線形光学結晶を配置し、前記特定の波長のレーザ光(以
下場合によって基本波と称す)の一部をSHGに変換す
る場合を考える。そもそも基本波は複屈折フィルタによ
って最も損失の小さくなる波長の光が共振器中で増幅さ
れたものである。この基本波の一部がSHGに変換され
ると、基本波に損失が生じることになる。
Now, let us consider a case where a loss is applied to a resonator at a specific wavelength. For example, consider a case where a non-linear optical crystal is arranged in a resonator and a part of the laser light of the specific wavelength (hereinafter referred to as a fundamental wave) is converted into SHG. In the first place, the fundamental wave is the light having the wavelength with the smallest loss amplified by the birefringent filter in the resonator. When a part of this fundamental wave is converted into SHG, a loss occurs in the fundamental wave.

【0015】図4は基本波波長近傍の損失状態と発振波
長を示した図である。図4(a)はSHGに変換される
前の状態で、損失のもっとも小さい波長で基本波が発振
することを示している。図4(b)はSHGが発振して
いるときの基本波の状態を示している。図4(b)では
SHGに変換された基本波波長(図4(a)の発振波
長)の損失は増大し、両隣の波長の波長の損失が相対的
に小さくなる。このため、基本波波長は損失の小さな両
隣のいずれか第二候補波長にシフトする。第二候補波長
の偏光は複屈折フィルタ中を整数倍から僅かにずれて回
転し通過するため、異方性を持つレーザ結晶および非線
形光学結晶において直角偏光から楕円偏光となる。偏光
の楕円率は消光比と呼ばれ異方性を持つレーザ結晶中に
消光比の低い光が入射すると、偏光状態が異なるレーザ
光が同時発振する。異なる偏光間において共振器長が僅
かに異なり、各偏光状態に依存してレーザ光の波長に差
が生じることとなる。すなわち図2と同様に縦モードの
マルチ化が進み、多モードによる基本波のモード競合ノ
イズが発生することとなる。このような消光比の低下は
図3においてレーザ結晶の異方性で決まる偏光面と前記
ブリュースター窓が正確な角度で配置されない場合も起
こりうる現象である。
FIG. 4 is a diagram showing a loss state near the fundamental wavelength and an oscillation wavelength. FIG. 4A shows that the fundamental wave oscillates at the wavelength with the smallest loss before being converted into SHG. FIG. 4B shows the state of the fundamental wave when the SHG is oscillating. In FIG. 4B, the loss of the fundamental wave wavelength converted to SHG (oscillation wavelength of FIG. 4A) increases, and the loss of the wavelengths of the adjacent wavelengths becomes relatively small. For this reason, the fundamental wavelength shifts to either of the adjacent second candidate wavelengths with small loss. Since the polarized light of the second candidate wavelength rotates and passes through the birefringent filter with a slight deviation from an integral multiple, it passes from orthogonally polarized light to elliptically polarized light in the anisotropic laser crystal and nonlinear optical crystal. The ellipticity of polarized light is called an extinction ratio. When light with a low extinction ratio enters a laser crystal having anisotropy, laser lights with different polarization states oscillate simultaneously. The resonator lengths are slightly different between different polarizations, and a difference occurs in the wavelength of the laser light depending on each polarization state. That is, as in the case of FIG. 2, the multimode of the longitudinal mode progresses, and the mode competition noise of the fundamental wave due to the multimode is generated. Such a decrease in the extinction ratio is a phenomenon that can occur even when the polarization plane determined by the anisotropy of the laser crystal and the Brewster window are not arranged at an accurate angle in FIG.

【0016】また、図4で説明した基本波波長から第二
候補波長へシフトが前記非線形光学結晶のSHG位相整
合の波長許容幅の外にはずれた場合、SHGへの変換は
行われずSHG出力は0となる。このとき、図4(b)
で見られた損失の原因は消滅し、図4(a)の状態に回
復する。このように基本波波長のシフトは繰り返される
のでSHG出力変動は繰り返されることとなる。また、
前記レーザ光発生装置がレーザプリンタ装置、パーティ
クルカウンタ装置、光ディスク装置などのレーザ応用装
置に搭載されるとこのましい。
Further, when the shift from the fundamental wave wavelength to the second candidate wavelength explained in FIG. 4 is out of the wavelength allowable range of the SHG phase matching of the nonlinear optical crystal, the SHG output is not performed and the SHG output is obtained. It becomes 0. At this time, FIG.
The cause of the loss seen in FIG. 4 disappears and the state shown in FIG. Since the fundamental wavelength shift is repeated in this manner, the SHG output fluctuation is repeated. Also,
It is preferable that the laser light generator is mounted on a laser application device such as a laser printer device, a particle counter device, and an optical disk device.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(実施例1)図5は本発明の一実施例を説明するための
図でレーザ装置の構造を示している。半導体レーザ11
から出射された励起ビーム31はコリメータ12、単レ
ンズ14からなる集光光学系によりレーザ結晶21内部
に集光され、レーザ結晶21を励起する。半導体レーザ
11はSDL(Spectra Diode Lab.)社製AlGaInP系半
導体レーザを用い、出力500mW、発振波長680n
mである。励起されたレーザ結晶21はその左端面に形
成された入射側共振器ミラー24と出力ミラー25から
なる固体レーザ共振器20で第1のレーザビーム32を
発振する。このとき共振器構造20は平凹式共振器であ
り、出力ミラー25の曲率半径は150mm、実効光路
長は曲率半径よりわずかに短くした。
(Embodiment 1) FIG. 5 is a view for explaining an embodiment of the present invention and shows the structure of a laser device. Semiconductor laser 11
The excitation beam 31 emitted from the laser beam is condensed inside the laser crystal 21 by the condensing optical system including the collimator 12 and the single lens 14, and excites the laser crystal 21. The semiconductor laser 11 is an AlGaInP-based semiconductor laser manufactured by SDL (Spectra Diode Lab.), And has an output of 500 mW and an oscillation wavelength of 680 n.
m. The excited laser crystal 21 oscillates a first laser beam 32 in the solid-state laser resonator 20 formed of an incident side resonator mirror 24 and an output mirror 25 formed on the left end surface thereof. At this time, the resonator structure 20 is a plano-concave resonator, the radius of curvature of the output mirror 25 is 150 mm, and the effective optical path length is slightly shorter than the radius of curvature.

【0018】レーザ結晶21にはCr添加量1.5mo
l%のLiSAF結晶(φ3×5mm)を用いた。結晶の
左端面24には励起波長に対して反射率2%以下の無反
射(以下単にAR;Anti-Reflection)コーティング、
基本波波長に対して反射率99%以上の高反射(以下単
にHR;High-Reflection)コーティングを施した。結
晶の右端面には基本波波長に対して反射率2%以下のA
Rコーティングを施した。レーザ結晶24のすぐ右隣に
は波長選択素子の複屈折フィルタ9を配置し、その入射
面がレーザ結晶24のc軸と光軸とを含み、光軸に対し
ブリュースター角となるように傾けた。基本波の波長選
択は複屈折フィルタ9の入射境界面の法線に対し回転さ
せて行った。
The laser crystal 21 has a Cr addition amount of 1.5 mo.
A 1% LiSAF crystal (φ3 × 5 mm) was used. The left end face 24 of the crystal has a non-reflection (hereinafter simply referred to as AR; Anti-Reflection) coating having a reflectance of 2% or less with respect to the excitation wavelength,
A high reflection (hereinafter simply referred to as HR; High-Reflection) coating having a reflectance of 99% or more with respect to the fundamental wave wavelength was applied. A with a reflectance of 2% or less for the fundamental wavelength on the right end face of the crystal
R coating was applied. A birefringent filter 9 of a wavelength selection element is arranged immediately to the right of the laser crystal 24, and its incident surface includes the c-axis and the optical axis of the laser crystal 24 and is tilted so as to have a Brewster angle with respect to the optical axis. It was The wavelength of the fundamental wave was selected by rotating the birefringent filter 9 with respect to the normal to the incident boundary surface.

【0019】複屈折フィルタ9のすぐ右隣には非線形光
学結晶22を配置した。非線形光学結晶として、LBO
を波長860nmでTYPEIの位相整合が取れる方位
に切り出したものに、860nmにおいて反射率が1%
以下のARコーティングを施したものを用いた。また、
非線形光学結晶22はCLBO、BBO、KN、KL
N、またはLIOのうちのいずれを用いても良い。レー
ザ結晶21、複屈折フィルタ9、非線形光学結晶22の
間隔はできるだけ短くなるようにし、波長の変換効率を
高めた。まず、レーザ結晶21、複屈折フィルタ9、非
線形光学結晶22の光軸を調整して図6の(a)に示す
ように消光比3000に調整し、波長430nmのSH
Gが出力誤差±6%以内で安定して得られた。
A nonlinear optical crystal 22 is arranged immediately to the right of the birefringent filter 9. LBO as a nonlinear optical crystal
Is cut out in the azimuth where the phase matching of TYPEI can be taken at a wavelength of 860 nm, and the reflectance at 860 nm is 1%.
The following AR coating was used. Also,
The non-linear optical crystal 22 is CLBO, BBO, KN, KL
Either N or LIO may be used. The laser crystal 21, the birefringent filter 9, and the non-linear optical crystal 22 are arranged so that the distance between them is as short as possible to improve the wavelength conversion efficiency. First, the optical axes of the laser crystal 21, the birefringent filter 9, and the nonlinear optical crystal 22 are adjusted to an extinction ratio of 3000 as shown in FIG.
G was stably obtained within an output error of ± 6%.

【0020】次に比較のためにレーザ結晶21、複屈折
フィルタ9、非線形光学結晶22の光軸を調整して図6
の(b)に示すように消光比800に調整した。波長4
30nmのSHGが得られたが、その出力は安定せず出
力誤差が±23%見られた。レーザ結晶、非線形光学結
晶、複屈折フィルタの順に配置した場合に比べて、基本
波の消光比が高くなりSHG出力が安定した。
Next, for comparison, the optical axes of the laser crystal 21, the birefringent filter 9 and the non-linear optical crystal 22 are adjusted as shown in FIG.
The extinction ratio was adjusted to 800 as shown in FIG. Wavelength 4
Although SHG of 30 nm was obtained, the output was not stable and an output error of ± 23% was observed. The extinction ratio of the fundamental wave was higher and the SHG output was stable compared to the case where the laser crystal, the nonlinear optical crystal, and the birefringent filter were arranged in that order.

【0021】(実施例2)図7も本発明の一実施例を説
明しており、図5同様レーザ装置の構造を示している。
励起光源11、集光光学系、は(実施例1)と同様であ
る。共振器内部も、PBS(偏光ビームスプリッタ)2
7が挿入されていることを除けば同じである。PBS2
7は光軸と直交する2つの平面に、基本波に対するAR
コーティングを施し、レーザ結晶22のc軸方向と平行
な偏光の基本波が99%以上透過するように配置した。
このPBS27により基本波の消光比が高くなり、SH
G出力誤差が少なくなり安定した出力が得られた。この
方式の場合も、非線形光学結晶22はCLBO、BB
O、KN、KLN、またはLIOのうちのいずれを用い
ても良い。
(Embodiment 2) FIG. 7 also explains an embodiment of the present invention, and shows the structure of a laser device as in FIG.
The excitation light source 11 and the focusing optical system are the same as in (Example 1). Inside the resonator, PBS (polarizing beam splitter) 2
It is the same except that 7 is inserted. PBS2
7 is an AR for the fundamental wave on two planes orthogonal to the optical axis.
A coating was applied, and the laser crystal 22 was arranged so that 99% or more of the fundamental wave of polarized light parallel to the c-axis direction was transmitted.
This PBS27 increases the extinction ratio of the fundamental wave,
G output error was reduced and stable output was obtained. Also in this system, the nonlinear optical crystal 22 is CLBO or BB.
Any of O, KN, KLN, or LIO may be used.

【0022】(実施例3)図8も本発明の一実施例を説
明しており、図5同様レーザ装置の構造を示している。
励起光源11、集光光学系は(実施例1)と同様であ
る。共振器内部に使用されているレーザ結晶21と非線
形光学結晶22は(実施例1)と材質は同じだがそれぞ
れの複屈折フィルタ9側の端面をブリュースター角にカ
ットした。この2つの面と複屈折フィルタの2面の計4
面のブリュースター窓により、基本波の消光比は高くな
り、SHG出力誤差が少なく安定した出力が得られた。
この方式の場合も、非線形光学結晶22はCLBO、B
BO、KN、KLN、またはLIOのうちのいずれを用
いても良い。
(Embodiment 3) FIG. 8 also explains one embodiment of the present invention, and shows the structure of a laser device as in FIG.
The excitation light source 11 and the condensing optical system are the same as in (Example 1). The laser crystal 21 and the non-linear optical crystal 22 used in the resonator are made of the same material as that of the first embodiment, but the end faces on the birefringent filter 9 side are cut to Brewster's angle. A total of 4 of these two surfaces and the birefringent filter surface.
Due to the Brewster window on the surface, the extinction ratio of the fundamental wave was increased, and the SHG output error was small and stable output was obtained.
Also in this system, the nonlinear optical crystal 22 is made of CLBO, B
Any of BO, KN, KLN, or LIO may be used.

【0023】(実施例4)図9は本発明の一実施例をレ
ーザプリンタ装置に用いた応用例を説明するための図で
ある。図7で説明したSHGレーザ光源100から出射
されたSHGレーザ出力33は、音響光学(以下単にA
O;Acousto-Optical)変調器51、ビームエキスパン
ダ52、回転多面鏡53、fθレンズ54を通過し、感
光ドラム55に集光される。AO変調器51は画像情報
に応じてSHG出力33の変調を行い、回転多面鏡53
は水平(紙面内)方向に走査する。この組合せで2次元
情報は感光ドラム55に部分的な電位差として記録され
る。感光ドラム55は前記電位差に応じてトナーを付着
して回転し、記録用紙に情報を再生する。このとき感光
ドラム55に塗布された感光体はセレン(Se)であ
り、SHGレーザ光源100の出力10mWとした。こ
こで感光体はSe以外のものを用いてもよい。
(Embodiment 4) FIG. 9 is a diagram for explaining an application example in which one embodiment of the present invention is used in a laser printer. The SHG laser output 33 emitted from the SHG laser light source 100 described with reference to FIG.
After passing through an O; Acousto-Optical) modulator 51, a beam expander 52, a rotary polygon mirror 53, and an fθ lens 54, the light is condensed on a photosensitive drum 55. The AO modulator 51 modulates the SHG output 33 according to the image information, and the rotary polygon mirror 53
Scans horizontally (in the plane of the paper). With this combination, the two-dimensional information is recorded on the photosensitive drum 55 as a partial potential difference. The photosensitive drum 55 attaches toner according to the potential difference and rotates to reproduce information on a recording sheet. At this time, the photosensitive body applied to the photosensitive drum 55 was selenium (Se), and the output of the SHG laser light source 100 was set to 10 mW. Here, the photoreceptor may be other than Se.

【0024】(実施例5)図10は本発明の一実施例を
光ディスク装置に用いた応用例を説明するための図であ
る。光ディスク装置は光磁気記録方式を採用した。SH
Gレーザ光源100より出射されたSHGレーザ出力3
3はビームエキスパンダ52で拡大された後平行光とな
る。ビームスプリッタ72で一部はねられた光は前方モ
ニタ73に取り込まれる。ビームスプリッタ72を通過
したビームは集光光学系74で媒体75に集光され、反
射された光はビームスプリッタ72で一部反射された後
2つのビームに分離され2つのディテクタ76に各々取
り込まれる。前方モニタ73ではSHGレーザ出力33
をモニタしてSHGレーザ出力33の制御を行う。ま
た、ビームスプリッタ72後の2つのディテクタ76で
オートフォーカス、トラッキング、信号検出を行う。媒
体75には一定の磁界が印加されており、SHGレーザ
出力33を変調させて媒体75のキュリー温度まで焦点
の温度を上げて磁化を反転することにより記録を行っ
た。出力ON時には媒体の磁界が反転し、出力OFF時には
磁界反転が行われず信号記録が可能となる。なお、記録
周波数は10MHzとした。また信号再生時には記録時
と同様のSHGレーザ光源100を用い、良好な再生信
号を得た。
(Embodiment 5) FIG. 10 is a view for explaining an application example in which an embodiment of the present invention is applied to an optical disk device. The optical disk device adopts a magneto-optical recording method. SH
SHG laser output 3 emitted from the G laser light source 100
3 is collimated after being expanded by the beam expander 52. The light partially bounced by the beam splitter 72 is captured by the front monitor 73. The beam that has passed through the beam splitter 72 is condensed on the medium 75 by the condensing optical system 74, and the reflected light is partially reflected by the beam splitter 72 and then separated into two beams, which are respectively taken into two detectors 76. . The SHG laser output 33 is displayed on the front monitor 73.
Is monitored to control the SHG laser output 33. Further, two detectors 76 after the beam splitter 72 perform autofocus, tracking, and signal detection. A constant magnetic field was applied to the medium 75, and recording was performed by modulating the SHG laser output 33 to raise the focus temperature to the Curie temperature of the medium 75 and reversing the magnetization. When the output is ON, the magnetic field of the medium is reversed, and when the output is OFF, the magnetic field is not reversed and signal recording is possible. The recording frequency was 10 MHz. Further, when reproducing the signal, the same SHG laser light source 100 as that used for recording was used to obtain a good reproduced signal.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明は、10nm以上の波長掃引範囲
を有するレーザ結晶を用いた第2高調波発生レーザ(S
HGレーザ)の出力安定性を向上させることができ、安
定したレーザが必要な装置に応用できるという効果を奏
する。
The present invention provides a second harmonic generation laser (S) using a laser crystal having a wavelength sweep range of 10 nm or more.
It is possible to improve the output stability of the (HG laser) and to apply it to an apparatus that requires a stable laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】基本波の消光比とSHG出力の安定度の相関を
示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a correlation between an extinction ratio of a fundamental wave and stability of an SHG output.

【図2】基本波の消光比とそのときの基本波縦モードの
スペクトラムを示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing an extinction ratio of a fundamental wave and a spectrum of a fundamental wave longitudinal mode at that time.

【図3】基本波の波長選択素子として複屈折フィルタの
使用方法を示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a method of using a birefringent filter as a wavelength selection element for a fundamental wave.

【図4】非線形光学結晶の有無で共振器内の波長に対す
る損失と発振レーザの波長の変化を示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing changes with respect to the wavelength in the resonator and the wavelength of the oscillation laser with and without the nonlinear optical crystal.

【図5】本発明のレーザ装置の一実施例を説明するため
の図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining an embodiment of a laser device of the present invention.

【図6】基本波の消光比と、SHGの出力安定度を示し
た図である。
FIG. 6 is a diagram showing an extinction ratio of a fundamental wave and an output stability of SHG.

【図7】本発明のレーザ装置の一実施例を説明するため
の図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining one embodiment of the laser device of the present invention.

【図8】本発明のレーザ装置の一実施例を説明するため
の図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining an embodiment of a laser device of the present invention.

【図9】本発明の一実施例をレーザプリンタ装置に用い
た応用例を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining an application example in which an embodiment of the present invention is used in a laser printer device.

【図10】本発明の一実施例を光ディスク装置に用いた
応用例を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining an application example in which an embodiment of the present invention is applied to an optical disc device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9 複屈折フィルタ、 11 半導体レーザ、 12
コリメータ、14 単レンズ、 20 共振器、 21
レーザ結晶、22 非線形光学結晶、 23 波長チ
ューニング素子、24 共振器ミラー、 25 共振器
ミラー、 26 共振器ミラー、27 PBS(偏向ビ
ームスプリッタ)、 31 励起ビーム、32 基本
波、 33 SHGレーザ、 51 AOM、52 ビ
ームエキスパンダ、 53 回転多面鏡、 54 fθ
レンズ、55 感光ドラム、 72 ビームスプリッ
タ、 73 前方モニタ、74 集光光学系、 75
媒体、 76 ディテクタ、100 SHG光源。
9 birefringence filter, 11 semiconductor laser, 12
Collimator, 14 single lens, 20 resonator, 21
Laser crystal, 22 Non-linear optical crystal, 23 Wavelength tuning element, 24 Cavity mirror, 25 Cavity mirror, 26 Cavity mirror, 27 PBS (deflecting beam splitter), 31 Excitation beam, 32 fundamental wave, 33 SHG laser, 51 AOM , 52 beam expander, 53 rotating polygon mirror, 54 fθ
Lens, 55 Photosensitive drum, 72 Beam splitter, 73 Front monitor, 74 Condensing optical system, 75
Medium, 76 detector, 100 SHG light source.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B41J 2/44 B41J 3/00 D (72)発明者 古川 保典 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地日立金属株式 会社磁性材料研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location // B41J 2/44 B41J 3/00 D (72) Inventor Yasunori Furukawa 5200 Mikageri, Kumagaya, Saitama Prefecture Hitachi Metals Co., Ltd. Magnetic Materials Research Center

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも10nm以上の波長掃引範囲
を有するレーザ結晶と、前記レーザ結晶を含む共振器か
らなるレーザ光発生装置において、前記レーザ結晶から
発光され、前記共振器中で共振される基本波光の消光比
が1000以上となるように前記共振器を構成したこと
を特徴とするレーザ光発生装置。
1. A laser light generator comprising a laser crystal having a wavelength sweep range of at least 10 nm or more and a resonator including the laser crystal, wherein a fundamental light emitted from the laser crystal and resonated in the resonator. The laser light generating device is characterized in that the resonator is configured so that the extinction ratio of is equal to or more than 1000.
【請求項2】 前記共振器中に少なくとも10nm以上
の波長掃引範囲を有するレーザ結晶と、前記レーザ結晶
からの発光の発振波長を掃引するための波長掃引素子
と、前記基本波光の光の一部を異なる波長の第2のレー
ザ光に変換する非線形光学結晶を有することを特徴とす
る請求項1に記載のレーザ光発生装置。
2. A laser crystal having a wavelength sweep range of at least 10 nm or more in the resonator, a wavelength sweep element for sweeping an oscillation wavelength of light emitted from the laser crystal, and a part of the light of the fundamental wave light. The laser light generator according to claim 1, further comprising a nonlinear optical crystal that converts the light into a second laser light having a different wavelength.
【請求項3】 前記レーザ結晶がCr:LiSrAlF6(クロム
添加のフッ化リチウムストロンチウムアルミニウム)、
Cr:LiSrGaF6(クロム添加のフッ化リチウムストロンチ
ウムガリウム)、Ti:Al2O3(チタン添加のサファイ
ア)、Cr:BeAl2O4(アレキサンドライト)のうちのいず
れかであることを特徴とする請求項1または請求項2に
記載のレーザ光発生装置。
3. The laser crystal is Cr: LiSrAlF 6 (chromium-added lithium strontium aluminum fluoride),
Cr: LiSrGaF 6 (chromium-added lithium strontium gallium fluoride), Ti: Al 2 O 3 (titanium-added sapphire), or Cr: BeAl 2 O 4 (Alexandrite) The laser light generator according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記非線形光学結晶がLiB3O5(三ほう酸
リチウム)、CsLiB6O10(ホウ酸リチウムセシウム)、
β-BaB2O4(ホウ酸バリウム)、KNbO3(ニオブ酸カリウ
ム)、KLiNbO(ニオブ酸リチウム−カリウム)、または
LiIO3(ヨウ酸リチウム)のうちのいずれかであること
を特徴とする請求項2または請求項3に記載のレーザ光
発生装置。
4. The non-linear optical crystal is LiB 3 O 5 (lithium triborate), CsLiB 6 O 10 (lithium cesium borate),
β-BaB 2 O 4 (barium borate), KNbO 3 (potassium niobate), KLiNbO (lithium-potassium niobate), or
LiIO 3 laser light generating apparatus according to claim 2 or claim 3, characterized in that any of a (lithium iodide acid).
【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
のレーザ光発生装置を用いたことを特徴とするレーザ応
用装置。
5. A laser application apparatus using the laser light generator according to claim 1. Description:
【請求項6】 前記レーザ応用装置がレーザプリンタ装
置であることを特徴とする請求項5に記載のレーザ応用
装置。
6. The laser application apparatus according to claim 5, wherein the laser application apparatus is a laser printer apparatus.
【請求項7】 前記レーザ応用装置がパーティクルカウ
ンタ装置であることを特徴とする請求項5に記載のレー
ザ応用装置。
7. The laser application apparatus according to claim 5, wherein the laser application apparatus is a particle counter apparatus.
【請求項8】 前記レーザ応用装置が光ディスク装置で
あることを特徴とする請求項5に記載のレーザ応用装
置。
8. The laser application apparatus according to claim 5, wherein the laser application apparatus is an optical disk apparatus.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2773880A1 (en) * 1998-01-19 1999-07-23 Cilas Device for determining the granular spread in a mixture of particles, in a liquid or gas flow.
WO2009016709A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Mitsubishi Electric Corporation Wavelength conversion laser device
WO2012065149A2 (en) * 2010-11-14 2012-05-18 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2773880A1 (en) * 1998-01-19 1999-07-23 Cilas Device for determining the granular spread in a mixture of particles, in a liquid or gas flow.
WO2009016709A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Mitsubishi Electric Corporation Wavelength conversion laser device
US8073024B2 (en) 2007-07-30 2011-12-06 Mitsubishi Electronics Corporation Wavelength conversion laser device
WO2012065149A2 (en) * 2010-11-14 2012-05-18 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
WO2012065149A3 (en) * 2010-11-14 2012-08-16 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
US8711470B2 (en) 2010-11-14 2014-04-29 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
US9152008B1 (en) 2010-11-14 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
US9753352B1 (en) 2010-11-14 2017-09-05 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system

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