JPH09115976A - 半導体の広がり抵抗測定法 - Google Patents
半導体の広がり抵抗測定法Info
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- JPH09115976A JPH09115976A JP27316495A JP27316495A JPH09115976A JP H09115976 A JPH09115976 A JP H09115976A JP 27316495 A JP27316495 A JP 27316495A JP 27316495 A JP27316495 A JP 27316495A JP H09115976 A JPH09115976 A JP H09115976A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体の広がり抵抗を高精度で測定すること
ができる半導体の広がり抵抗測定法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１の表面上に、所定の間隔を
おいて、複数のオーム性の電極２を形成し、これらの電
極２にそれぞれ探針３を接触させて、前記半導体基板１
の広がり抵抗を測定することを特徴とする。
ができる半導体の広がり抵抗測定法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１の表面上に、所定の間隔を
おいて、複数のオーム性の電極２を形成し、これらの電
極２にそれぞれ探針３を接触させて、前記半導体基板１
の広がり抵抗を測定することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の広が
り抵抗を高精度で測定することを図った、半導体の広が
り抵抗測定法に関するものである。
り抵抗を高精度で測定することを図った、半導体の広が
り抵抗測定法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料を評価したり、素子への利用
を図る際には、その半導体材料の電気的特性を予め測定
しておく必要がある。従来、半導体の広がり抵抗を測定
する方法としては、半導体基板表面に複数の探針を直接
接触させて、この探針間に電流を流し、この探針間の電
圧を測定することによって抵抗を求める方法があった。
を図る際には、その半導体材料の電気的特性を予め測定
しておく必要がある。従来、半導体の広がり抵抗を測定
する方法としては、半導体基板表面に複数の探針を直接
接触させて、この探針間に電流を流し、この探針間の電
圧を測定することによって抵抗を求める方法があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
広がり抵抗測定法にあっては、探針を半導体基板に直接
接触させるため、探針と半導体との間に生じる接触抵抗
が大きくなってしまうという欠点があった。このため、
上述の測定法により求められた抵抗値のうちに占める接
触抵抗の影響を無視することができず、ここで求められ
た抵抗値は、半導体基板の広がり抵抗を正確に反映する
ものではなかった。
広がり抵抗測定法にあっては、探針を半導体基板に直接
接触させるため、探針と半導体との間に生じる接触抵抗
が大きくなってしまうという欠点があった。このため、
上述の測定法により求められた抵抗値のうちに占める接
触抵抗の影響を無視することができず、ここで求められ
た抵抗値は、半導体基板の広がり抵抗を正確に反映する
ものではなかった。
【０００４】また、半導体材料の広がり抵抗とキャリア
濃度とは、互いに相関関係にあることから、半導体基板
の広がり抵抗を正確に求めることができれば、この半導
体基板のキャリア濃度を決定することが可能であるが、
従来の測定方法においては、この接触抵抗が弊害とな
り、測定された抵抗値が正確な広がり抵抗と異なるた
め、この関係からは、その半導体材料のキャリア濃度を
求めることができなかった。本発明は、これらの事情に
鑑みてなされたものであって、半導体基板の広がり抵抗
を高精度で求めることを図った、半導体の広がり抵抗測
定法を提供することを目的としている。
濃度とは、互いに相関関係にあることから、半導体基板
の広がり抵抗を正確に求めることができれば、この半導
体基板のキャリア濃度を決定することが可能であるが、
従来の測定方法においては、この接触抵抗が弊害とな
り、測定された抵抗値が正確な広がり抵抗と異なるた
め、この関係からは、その半導体材料のキャリア濃度を
求めることができなかった。本発明は、これらの事情に
鑑みてなされたものであって、半導体基板の広がり抵抗
を高精度で求めることを図った、半導体の広がり抵抗測
定法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる目的を解決するた
めに、本発明の半導体の広がり抵抗測定法は、半導体基
板の表面上に、所定の間隔をおいて、複数のオーム性電
極を形成し、これらの電極にそれぞれ探針を接触させ
て、前記半導体基板の広がり抵抗を測定することを特徴
とする。この際、前記電極が、互いに縦横等間隔の直交
格子状に並ぶように形成されていることが好ましい。
めに、本発明の半導体の広がり抵抗測定法は、半導体基
板の表面上に、所定の間隔をおいて、複数のオーム性電
極を形成し、これらの電極にそれぞれ探針を接触させ
て、前記半導体基板の広がり抵抗を測定することを特徴
とする。この際、前記電極が、互いに縦横等間隔の直交
格子状に並ぶように形成されていることが好ましい。
【０００６】本発明の半導体の広がり抵抗測定法によれ
ば、半導体基板上に十分な厚さのオーム性電極を形成
し、該電極に探針を接触させて前記半導体基板の広がり
抵抗を測定することにより、探針と電極との間の接触抵
抗を小さく抑えることができ、半導体基板の広がり抵抗
を高精度で測定することができる。
ば、半導体基板上に十分な厚さのオーム性電極を形成
し、該電極に探針を接触させて前記半導体基板の広がり
抵抗を測定することにより、探針と電極との間の接触抵
抗を小さく抑えることができ、半導体基板の広がり抵抗
を高精度で測定することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体の広がり抵
抗測定法について、図面を参照しながら詳しく説明す
る。図１は、本発明の、半導体の広がり抵抗測定法の一
例を示すもので、図中符号１は半導体基板、２は電極、
３は探針、４は電流計、５は電圧計である。前記半導体
基板１としては、特に限定するものではないが、例え
ば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、Ｃｕ2ＯおよびＰｂ
ｓ等の、IIIーV族化合物半導体、IIーVI族化合物半導体等
の半導体材料が挙げられる。前記電極２の材質として
は、前記半導体基板１との間でオーム性接触を形成する
ものであればよく、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｔｉなど
の金属やこれらを積層したもの、またはＡｕＺｎ合金、
ＩｎＺｎ合金等の合金などが挙げられる。
抗測定法について、図面を参照しながら詳しく説明す
る。図１は、本発明の、半導体の広がり抵抗測定法の一
例を示すもので、図中符号１は半導体基板、２は電極、
３は探針、４は電流計、５は電圧計である。前記半導体
基板１としては、特に限定するものではないが、例え
ば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、Ｃｕ2ＯおよびＰｂ
ｓ等の、IIIーV族化合物半導体、IIーVI族化合物半導体等
の半導体材料が挙げられる。前記電極２の材質として
は、前記半導体基板１との間でオーム性接触を形成する
ものであればよく、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｔｉなど
の金属やこれらを積層したもの、またはＡｕＺｎ合金、
ＩｎＺｎ合金等の合金などが挙げられる。
【０００８】また、オーム性接触を形成し、かつ、接触
抵抗を無視できるくらいに小さく抑えることができる電
極の形成時の厚さは、前記半導体基板１や電極２の種類
によって変わるものであるため、これらの組み合せに応
じて予め調べておく必要がある。この電極２の厚さを調
べるための予備測定に関しては、後に例を挙げて詳説す
るが、その一例として、半導体基板１がＩｎＰである場
合に対しては、Ｚｎを５％含有するＡｕＺｎ合金からな
る電極２を、その厚さが８０００〜１２０００オングス
トロームになるように形成することが好ましい。実際に
半導体の広がり抵抗を測定する際には、前記半導体基板
１上に、この条件を満たす一定の厚さの電極２を形成す
る。
抵抗を無視できるくらいに小さく抑えることができる電
極の形成時の厚さは、前記半導体基板１や電極２の種類
によって変わるものであるため、これらの組み合せに応
じて予め調べておく必要がある。この電極２の厚さを調
べるための予備測定に関しては、後に例を挙げて詳説す
るが、その一例として、半導体基板１がＩｎＰである場
合に対しては、Ｚｎを５％含有するＡｕＺｎ合金からな
る電極２を、その厚さが８０００〜１２０００オングス
トロームになるように形成することが好ましい。実際に
半導体の広がり抵抗を測定する際には、前記半導体基板
１上に、この条件を満たす一定の厚さの電極２を形成す
る。
【０００９】この電極２は、平面状であることが好まし
く、その形状は特に限定するものではないが、円形状、
三角状、四角状などが挙げられる。また、該電極２は、
上記半導体基板１の表面上に、互いに接触することがな
いように形成する必要がある。前記電極２の平面的な配
置状態としては、その測定目的や技術レベルなどに応じ
て、単に二点を形成したものや、格子状や放射状などの
規則的な配列をとったものなどが挙げられる。
く、その形状は特に限定するものではないが、円形状、
三角状、四角状などが挙げられる。また、該電極２は、
上記半導体基板１の表面上に、互いに接触することがな
いように形成する必要がある。前記電極２の平面的な配
置状態としては、その測定目的や技術レベルなどに応じ
て、単に二点を形成したものや、格子状や放射状などの
規則的な配列をとったものなどが挙げられる。
【００１０】また、図１に示したように、上記電極２
を、縦横等間隔の直交格子状に配置すれば、前記半導体
基板１の広がり抵抗分布およびキャリア濃度分布を求め
る際に好適である。この場合、例えば、その径が１０〜
２５０μｍである円形平面状の電極を、これらの間隔が
２０〜５００μｍ程度になるように形成すれば、本測定
には十分である。尚、この電極２の面積および配置間隔
を小さくすれば、より詳細な測定が可能となる。
を、縦横等間隔の直交格子状に配置すれば、前記半導体
基板１の広がり抵抗分布およびキャリア濃度分布を求め
る際に好適である。この場合、例えば、その径が１０〜
２５０μｍである円形平面状の電極を、これらの間隔が
２０〜５００μｍ程度になるように形成すれば、本測定
には十分である。尚、この電極２の面積および配置間隔
を小さくすれば、より詳細な測定が可能となる。
【００１１】前記電極２を半導体基板１上に形成する方
法としては、上記半導体基板１の電極２の形成部以外に
予めレジストを形成しておき、この電極２の材料となる
蒸発源を前記半導体基板１に蒸着させる蒸着法や、光を
用いてパターンを蝕刻するフォトリソグラフィー、マス
ク蒸着等が挙げられる。また、上記半導体基板１を切断
し、その切断表面に、上記と同様に電極２を形成した場
合には、この半導体基板１の深さ方向の広がり抵抗を求
めることができる。
法としては、上記半導体基板１の電極２の形成部以外に
予めレジストを形成しておき、この電極２の材料となる
蒸発源を前記半導体基板１に蒸着させる蒸着法や、光を
用いてパターンを蝕刻するフォトリソグラフィー、マス
ク蒸着等が挙げられる。また、上記半導体基板１を切断
し、その切断表面に、上記と同様に電極２を形成した場
合には、この半導体基板１の深さ方向の広がり抵抗を求
めることができる。
【００１２】つぎに、半導体基板の広がり抵抗およびキ
ャリア濃度を求める方法を詳しく説明する。まず、被測
定物である上記半導体基板１上に設けられた上記電極２
から選ばれた二つの電極２、２に、ＷまたはＷＯｓから
なる二本の探針３、３をそれぞれ接触させる。次に、こ
の二本の探針３、３間に一定の電流１ｍＡを流し、この
探針３、３間の電圧を電圧計５によって測定し、この電
流値と電圧値とから前記二つの電極２、２間の抵抗値を
求める。
ャリア濃度を求める方法を詳しく説明する。まず、被測
定物である上記半導体基板１上に設けられた上記電極２
から選ばれた二つの電極２、２に、ＷまたはＷＯｓから
なる二本の探針３、３をそれぞれ接触させる。次に、こ
の二本の探針３、３間に一定の電流１ｍＡを流し、この
探針３、３間の電圧を電圧計５によって測定し、この電
流値と電圧値とから前記二つの電極２、２間の抵抗値を
求める。
【００１３】ここで求められた抵抗値は、半導体基板１
の電気的特性の一つである広がり抵抗をほぼ正確に反映
するものである。これは、探針３、３を半導体基板１上
に直接接触させるのではなく、探針３、３を半導体基板
上１に形成された電極２、２に接触させることにより、
求められた抵抗値に占める接触抵抗の影響を無視できる
ほど小さくすることができるからである。このため、半
導体基板の広がり抵抗を高い精度で求めることができ
る。
の電気的特性の一つである広がり抵抗をほぼ正確に反映
するものである。これは、探針３、３を半導体基板１上
に直接接触させるのではなく、探針３、３を半導体基板
上１に形成された電極２、２に接触させることにより、
求められた抵抗値に占める接触抵抗の影響を無視できる
ほど小さくすることができるからである。このため、半
導体基板の広がり抵抗を高い精度で求めることができ
る。
【００１４】さらに、この広がり抵抗を、前記半導体基
板１に適合した標準試料の広がり抵抗とキャリア濃度と
の関係から得られる校正曲線と照合することにより、上
記方法により求められた広がり抵抗から半導体基板のキ
ャリア濃度を容易に決定することができる。また、この
操作を互いに隣接する全ての電極２、２間の組に対して
行い、これらの広がり抵抗およびキャリア濃度を逐一求
めることにより、半導体材料を評価する上で重要な要素
である、広がり抵抗分布およびキャリア濃度分布を得る
ことができる。尚、四探針法やファンデァパウ法などの
ように、半導体基板に探針を接触させてその電気的特性
を測定する他の方法に対しても、上記と同様に電極を形
成して、この電極に探針を接触させて測定を行うことに
より、接触抵抗の影響を抑えることができ、より精度の
高い測定が可能となる。
板１に適合した標準試料の広がり抵抗とキャリア濃度と
の関係から得られる校正曲線と照合することにより、上
記方法により求められた広がり抵抗から半導体基板のキ
ャリア濃度を容易に決定することができる。また、この
操作を互いに隣接する全ての電極２、２間の組に対して
行い、これらの広がり抵抗およびキャリア濃度を逐一求
めることにより、半導体材料を評価する上で重要な要素
である、広がり抵抗分布およびキャリア濃度分布を得る
ことができる。尚、四探針法やファンデァパウ法などの
ように、半導体基板に探針を接触させてその電気的特性
を測定する他の方法に対しても、上記と同様に電極を形
成して、この電極に探針を接触させて測定を行うことに
より、接触抵抗の影響を抑えることができ、より精度の
高い測定が可能となる。
【００１５】ここで、探針を接触させた際に生じる接触
抵抗を無視することができるほど小さく抑えることので
きる前記電極２の厚さが、上記半導体基板１およびこれ
に蒸着する電極２の種類に応じて変わることから、形成
すべき前記電極２の厚さを調べる方法について述べる。
その一例として、半導体基板１にＩｎＰ、電極２にＺｎ
を５％含有するＡｕＺｎ合金を使用した場合について調
べた。
抵抗を無視することができるほど小さく抑えることので
きる前記電極２の厚さが、上記半導体基板１およびこれ
に蒸着する電極２の種類に応じて変わることから、形成
すべき前記電極２の厚さを調べる方法について述べる。
その一例として、半導体基板１にＩｎＰ、電極２にＺｎ
を５％含有するＡｕＺｎ合金を使用した場合について調
べた。
【００１６】
【実施例】図２は、この測定方法を示す斜視図である。
半導体基板１としては、ＩｎＰからなる標準試料を用
い、そのキャリア濃度が５．５×１０18ｃｍ-3、径５ｍ
ｍ、厚さ３５０μｍの円盤状ウェーハを準備した。この
半導体基板１の表裏の各面に、同じ形状、同じ厚さの電
極２を１つずつ形成した。該電極２は、Ｚｎを５％含有
するＡｕＺｎ合金からなり、その形状は、径が０．５ｍ
ｍの円形の平面状とした。尚、本測定において形成した
電極２の厚さとしては、６００、１２００、２０００、
４３００、１１０００オングストロームの５種類であ
る。
半導体基板１としては、ＩｎＰからなる標準試料を用
い、そのキャリア濃度が５．５×１０18ｃｍ-3、径５ｍ
ｍ、厚さ３５０μｍの円盤状ウェーハを準備した。この
半導体基板１の表裏の各面に、同じ形状、同じ厚さの電
極２を１つずつ形成した。該電極２は、Ｚｎを５％含有
するＡｕＺｎ合金からなり、その形状は、径が０．５ｍ
ｍの円形の平面状とした。尚、本測定において形成した
電極２の厚さとしては、６００、１２００、２０００、
４３００、１１０００オングストロームの５種類であ
る。
【００１７】前記電極２を形成するにあたっては、上記
半導体基板１上のこの電極２を形成する以外の部分にメ
タルマスクでレジストを形成し、この電極２の材料とな
る蒸発源を前記半導体基板１に蒸着させた。尚、この工
程において、半導体基板１を冷却および加熱することは
なかった。次に、半導体基板を４５０℃、Ｈ2中で１０
分間熱処理した。
半導体基板１上のこの電極２を形成する以外の部分にメ
タルマスクでレジストを形成し、この電極２の材料とな
る蒸発源を前記半導体基板１に蒸着させた。尚、この工
程において、半導体基板１を冷却および加熱することは
なかった。次に、半導体基板を４５０℃、Ｈ2中で１０
分間熱処理した。
【００１８】次に、この一対の電極２、２に一対の探針
３、３を接触させ、前記探針３、３間に流れる電流を
０．１〜１００ｍＡの間で変化させ、前記探針３、３間
に発生する電圧を電圧計５によって逐一測定した。また
さらに、流れる電流の向きを変えて同様に測定を行っ
た。尚、本測定は室温にて行った。図３は、上記の測定
結果を図示したものであって、縦軸は前記探針３、３間
に流れる電流、横軸は前記探針３、３間に発生する電圧
をそれぞれ示している。この図３は、測定方法を示した
前記図２において、半導体基板１を挟んで下から上への
向きを電流の正の方向と決め、正の向きの電流が流れた
際に生ずる電圧値を正の値、負の向きの電流が流れた際
に生ずる電圧値を負の値で示したものである。ここで、
（ａ）は、前記電極２の厚さが６００オングストロー
ム、（ｂ）は１２００オングストローム、（ｃ）は２０
００オングストローム、（ｄ）は４３００オングストロ
ーム、（ｅ）は１１０００オングストロームであるとき
の、前記電流値と電圧値の関係をそれぞれ示したもので
ある。
３、３を接触させ、前記探針３、３間に流れる電流を
０．１〜１００ｍＡの間で変化させ、前記探針３、３間
に発生する電圧を電圧計５によって逐一測定した。また
さらに、流れる電流の向きを変えて同様に測定を行っ
た。尚、本測定は室温にて行った。図３は、上記の測定
結果を図示したものであって、縦軸は前記探針３、３間
に流れる電流、横軸は前記探針３、３間に発生する電圧
をそれぞれ示している。この図３は、測定方法を示した
前記図２において、半導体基板１を挟んで下から上への
向きを電流の正の方向と決め、正の向きの電流が流れた
際に生ずる電圧値を正の値、負の向きの電流が流れた際
に生ずる電圧値を負の値で示したものである。ここで、
（ａ）は、前記電極２の厚さが６００オングストロー
ム、（ｂ）は１２００オングストローム、（ｃ）は２０
００オングストローム、（ｄ）は４３００オングストロ
ーム、（ｅ）は１１０００オングストロームであるとき
の、前記電流値と電圧値の関係をそれぞれ示したもので
ある。
【００１９】この図３によれば、本測定例においては、
前記電極２の形成時の厚さを、２０００オングストロー
ム以上にした場合に、上記の半導体基板１と電極２との
間に、オーム性接触が形成されることがわかる。また、
図４は、電極２と探針３との間に生じる接触抵抗の大き
さを、上記電極２の厚さに対して対数で表示したもので
あって、横軸は電極３の厚さ、縦軸は接触抵抗の大きさ
を示したものである。以上の結果から、本測定例の半導
体基板１と電極２の組合せにおいては、約４０００オン
グストローム以上の厚さの電極を形成した場合に、オー
ム性電極を形成し、なおかつ接触抵抗を無視できるほど
に小さく抑えることができるため、ＩｎＰからなるこの
半導体基板の広がり抵抗を求める際には、この条件を満
たす電極を形成すればよいということが示唆された。
前記電極２の形成時の厚さを、２０００オングストロー
ム以上にした場合に、上記の半導体基板１と電極２との
間に、オーム性接触が形成されることがわかる。また、
図４は、電極２と探針３との間に生じる接触抵抗の大き
さを、上記電極２の厚さに対して対数で表示したもので
あって、横軸は電極３の厚さ、縦軸は接触抵抗の大きさ
を示したものである。以上の結果から、本測定例の半導
体基板１と電極２の組合せにおいては、約４０００オン
グストローム以上の厚さの電極を形成した場合に、オー
ム性電極を形成し、なおかつ接触抵抗を無視できるほど
に小さく抑えることができるため、ＩｎＰからなるこの
半導体基板の広がり抵抗を求める際には、この条件を満
たす電極を形成すればよいということが示唆された。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体の
広がり抵抗およびキャリア濃度の測定方法は、被測定物
である半導体基板上に十分な厚さのオーム性電極を形成
して、この電極に探針を接触させて測定を行なうもので
あるから、測定の際に生じる接触抵抗を無視できるほど
小さくすることができる。従って、探針間で測定された
抵抗値を、正確な広がり抵抗とみなすことができ、半導
体基板のキャリア濃度に依存して変化する物理量である
広がり抵抗を精度よく測定することができる。また、半
導体基板に適合した校正曲線を用いることにより、求め
られた抵抗値、すなわち広がり抵抗からその半導体基板
のキャリア濃度を容易に求めることができる。
広がり抵抗およびキャリア濃度の測定方法は、被測定物
である半導体基板上に十分な厚さのオーム性電極を形成
して、この電極に探針を接触させて測定を行なうもので
あるから、測定の際に生じる接触抵抗を無視できるほど
小さくすることができる。従って、探針間で測定された
抵抗値を、正確な広がり抵抗とみなすことができ、半導
体基板のキャリア濃度に依存して変化する物理量である
広がり抵抗を精度よく測定することができる。また、半
導体基板に適合した校正曲線を用いることにより、求め
られた抵抗値、すなわち広がり抵抗からその半導体基板
のキャリア濃度を容易に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体の広がり抵抗測定法の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】本測定例の、接触抵抗を小さくする電極の厚さ
を調べる方法を示す斜視図である。
を調べる方法を示す斜視図である。
【図３】本測定例における探針３、３間の電流値と電圧
値との関係を示した図である。
値との関係を示した図である。
【図４】本測定例における電極の厚みと接触抵抗との関
係を示した図である。
係を示した図である。
１・・・半導体基板 ２・・・電極 ３・・・探針 ４・・・電流計 ５・・・電圧計。
フロントページの続き (72)発明者 山口 裕美 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面上に、所定の間隔をお
いて、複数のオーム性電極を形成し、これらの電極にそ
れぞれ探針を接触させて、前記半導体基板の広がり抵抗
を測定することを特徴とする半導体の広がり抵抗測定
法。 - 【請求項２】 前記電極が、互いに縦横等間隔の直交格
子状に並ぶように形成されていることを特徴とする請求
項１記載の半導体の広がり抵抗測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27316495A JPH09115976A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体の広がり抵抗測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27316495A JPH09115976A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体の広がり抵抗測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115976A true JPH09115976A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17523998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27316495A Withdrawn JPH09115976A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体の広がり抵抗測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267956A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の電気的特性の測定方法 |
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1995
- 1995-10-20 JP JP27316495A patent/JPH09115976A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267956A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の電気的特性の測定方法 |
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