JPH09102548A - Ic trimming circuit - Google Patents

Ic trimming circuit

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JPH09102548A
JPH09102548A JP18762796A JP18762796A JPH09102548A JP H09102548 A JPH09102548 A JP H09102548A JP 18762796 A JP18762796 A JP 18762796A JP 18762796 A JP18762796 A JP 18762796A JP H09102548 A JPH09102548 A JP H09102548A
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JP
Japan
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trimming
zapping
circuit
group
zener diodes
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JP18762796A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Agata
和夫 縣
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To trim an IC by zapping an IC chip after the IC chip is assembled (by molding, etc.). SOLUTION: An IC trimming circuit is provided with a plurality of Zener diodes (30A-30C), a group of transistor switches (31A-31C) for selectively zapping the Zener diodes (30A-30C), and a group of gates (32A-32C) for transmitting control signals to the bases of the switches (31A-31C) and the gates (32A-32C) are set to nonoperating states in accordance with a trimming terminating signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アナログIC内部
のトリミング回路に関するもので、特にICチップを組
み立てた(モールド他)後にザッピングによりトリミン
グを行うトリミング回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a trimming circuit inside an analog IC, and more particularly to a trimming circuit for trimming by zapping after assembling (molding etc.) an IC chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平6−140512号に示されるよ
うに、ICチップを組み立てた後にザッピングによりI
C内部の回路の特性などのトリミングを行うトリミング
回路が知られている。同公報によれば、ICを組み立て
た後に内部回路の測定を行い、その結果に基づいてトリ
ミングできるので、精度のよいトリミングが可能とな
る。
2. Description of the Related Art As shown in Japanese Patent Laid-Open No. 6-140512, after assembling an IC chip, I
A trimming circuit for trimming the characteristics of the circuit inside C is known. According to the publication, the internal circuit is measured after the IC is assembled, and trimming can be performed based on the result, so that accurate trimming can be performed.

【0003】図2は、そのようなICのトリミング回路
を示すもので、パッド(ICピン)(28)(29)に
は、データとクロックが印加され、バスデコーダ(B2
1)でデコードされる。バスデコーダ(B21)でデコ
ードされた出力信号に応じて、スイッチS21乃至S2
3のいずれかが選択されて閉じる。例えば、スイッチS
21のみが閉じて、スイッチS22、スイッチS23が
開いているとする。この状態で、パッドP20にザッピ
ングパルスが印加されると、パッドP20、ダイオード
Q27、ツェナーダイオードZ21、トランジスタQ2
4の経路で電流が流れ、ツェナーダイオードZ21が破
壊される。ツェナーダイオードZ22、ツェナーダイオ
ードZ23には電流が流れずそのままとなる。
FIG. 2 shows a trimming circuit for such an IC. Data and a clock are applied to pads (IC pins) (28) and (29), and a bus decoder (B2) is used.
It is decoded in 1). According to the output signal decoded by the bus decoder (B21), the switches S21 to S2
Any one of 3 is selected and closed. For example, switch S
It is assumed that only 21 is closed and the switches S22 and S23 are open. When a zapping pulse is applied to the pad P20 in this state, the pad P20, the diode Q27, the zener diode Z21, and the transistor Q2.
A current flows through the path of 4, and the Zener diode Z21 is destroyed. A current does not flow through the Zener diode Z22 and the Zener diode Z23 and remains as it is.

【0004】その為、トランジスタQ21のベースには
グランドレベルが印加され、トランジスタQ21はオフ
する。又、トランジスタQ22、トランジスタQ23の
ベースには電源電圧VCCが印加されるので、トランジス
タQ22及びトランジスタQ23は、オンする。従っ
て、トランジスタQ21乃至Q23のコレクタよりトリ
ミング結果を示す制御信号がD/A変換回路(1)に印
加される。
Therefore, the ground level is applied to the base of the transistor Q21, and the transistor Q21 is turned off. Since the power supply voltage Vcc is applied to the bases of the transistors Q22 and Q23, the transistors Q22 and Q23 are turned on. Therefore, a control signal indicating the trimming result is applied to the D / A conversion circuit (1) from the collectors of the transistors Q21 to Q23.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2の
トリミング回路ではザッピングによるトリミングが終了
し、実際にICが動作状態にある時に、バスデコーダB
21が誤動作を起こすとトリミング値が変動してしまう
という恐れがあった。即ち、実際にICが動作状態にあ
る時には、各調整スイッチのオンオフは、ツェナーザッ
プダイオードの短絡か否かで定めなければならない。つ
まり、スイッチS21乃至S23は、全て閉じている必
要がある。
However, in the trimming circuit of FIG. 2, when the trimming by zapping is completed and the IC is actually in the operating state, the bus decoder B
There is a fear that the trimming value may fluctuate if 21 malfunctions. That is, when the IC is actually in operation, ON / OFF of each adjustment switch must be determined by whether or not the Zener zap diode is short-circuited. That is, all the switches S21 to S23 need to be closed.

【0006】この状態で、実際にICが動作状態にある
時に、バスデコーダB21が誤動作を起こし、例えばス
イッチS21が開いてしまい、トランジスタQ24がオ
フしてしまうとトランジスタQ21には電源電圧が印加
されてしまう。すると、本来オフしているものがオンす
ることとなり、誤ったトリミング値がD/A変換回路
(1)に印加されてしまう。
In this state, when the IC is actually in operation, the bus decoder B21 malfunctions, the switch S21 is opened, and the transistor Q24 is turned off, so that the power supply voltage is applied to the transistor Q21. Will end up. Then, what is originally off is turned on, and an incorrect trimming value is applied to the D / A conversion circuit (1).

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の点に鑑
みなされたもので、複数のツェナーダイオードと、該複
数のツェナーダイオードを選択的にザッピングするため
のトランジスタスイッチ群と、該トランジスタスイッチ
群のベースに制御信号を伝えるか否かを切り換えるゲー
ト群とを備え、トリミングの終了信号に応じて前記ゲー
ト群が不動作状態となるようにしたことを特徴とする。
The present invention has been made in view of the above points, and a plurality of zener diodes, a transistor switch group for selectively zapping the plurality of zener diodes, and the transistor switch. A group of gates for switching whether or not to transmit a control signal to the base of the group, and the group of gates is made inoperative according to a trimming end signal.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1は、本発明のICのトリミン
グ回路を示すもので、(30A)乃至(30C)はザッ
ピングの対象となるツェナーダイオード、(31A)乃
至(31C)は複数のツェナーダイオード(30A)乃
至(30C)を選択的にザッピングするためのトランジ
スタスイッチ、(32A)乃至(32C)はトランジス
タスイッチ(31A)乃至(31C)のベースに制御信
号を伝えるか否かを切り換えるアンドゲート、(33)
は複数のツェナーダイオード(30A)乃至(30C)
に共通してザッピングパルス及び電源電圧を印加する電
源ライン、(34A)乃至(34C)はコンパレータ、
(35A)乃至(35C)はオアゲート、(36)はト
リミング値を示すデジタル信号をアナログ信号に変換す
るD/A変換回路、(37)はD/A変換回路(36)の
出力アナログ信号に応じて、回路の特性(例えば、フィ
ルタの中心周波数や遮断周波数、抵抗値など)が制御さ
れる被制御回路、(38)はIC(39)に対してシリ
アルバス制御を用いたザッピングによるトリミングを行
うテスター、(40)はテスター(38)からピン(4
1)を介して印加されるデータが到来するバスライン
(データとクロックの2ピンを使用する方式でもよ
い)、(42)はバスラインからザッピング用の必要な
データを選択して取り込むアドレス指定回路、(43)
はアドレス指定回路(42)からのシリアルデータをパ
ラレルデータに変換するシリアルパラレル変換回路、
(44)はトリミングの終了信号に応じてザッピングさ
れるツェナーダイオード(45)を含み前記アンドゲー
ト(32A)乃至(32C)が不動作状態となるような
「L」レベルの制御信号を前記アンドゲート(32A)
乃至(32C)に印加する制御回路である。
1 shows a trimming circuit for an IC according to the present invention. (30A) to (30C) are zener diodes to be zapping, and (31A) to (31C) are a plurality of zener diodes. Transistor switches for selectively zapping the diodes (30A) to (30C), and (32A) to (32C) that switch whether to transmit a control signal to the bases of the transistor switches (31A) to (31C). , (33)
Is a plurality of Zener diodes (30A) to (30C)
, A power supply line for applying a zapping pulse and a power supply voltage, (34A) to (34C) are comparators,
(35A) to (35C) are OR gates, (36) is a D / A conversion circuit for converting a digital signal indicating a trimming value into an analog signal, and (37) is an output analog signal of the D / A conversion circuit (36). And (38) performs trimming by zapping using serial bus control on the IC (39), and the controlled circuit whose circuit characteristics (for example, filter center frequency, cutoff frequency, resistance value, etc.) are controlled. Tester, (40) is pin (4) from tester (38)
1) A bus line to which data applied through (arrival to data) (a system using 2 pins of data and clock may be used), (42) is an addressing circuit for selecting and fetching necessary data for zapping from the bus line , (43)
Is a serial-parallel conversion circuit for converting serial data from the addressing circuit (42) into parallel data,
(44) includes a Zener diode (45) that is zapped in response to a trimming end signal, and outputs an "L" level control signal for deactivating the AND gates (32A) to (32C). (32A)
To (32C).

【0009】まず、ザッピングを行う前にザッピングの
ために必要なデータをテスター(38)により測定する
ことから説明する。図1のIC(39)は、いわゆる組
立が完了し、チップがモールドされている状態である。
従って、IC(39)の内部をトリミングするにはピン
を利用する。テスター(38)は、被制御回路(37)
をトリミングするためのデータを発生し、該データはバ
スラインに乗る形でピン(41)からIC(39)内部
のバスライン(40)に供給される。アドレス指定回路
(42)は、被制御回路(37)をトリミングするため
のデータが到来したことを判別し、該データをシリアル
パラレル変換回路(43)に印加する。
First, the data required for zapping will be measured by a tester (38) before zapping will be described. The IC (39) in FIG. 1 is in a state where the so-called assembly is completed and the chip is molded.
Therefore, pins are used to trim the inside of the IC (39). The tester (38) is a controlled circuit (37).
Data for trimming is generated, and the data is supplied from the pin (41) to the bus line (40) inside the IC (39) while riding on the bus line. The addressing circuit (42) determines that the data for trimming the controlled circuit (37) has arrived, and applies the data to the serial-parallel conversion circuit (43).

【0010】シリアルパラレル変換回路(43)は、シ
リアルデータをパラレルデータに変換し、ラッチを行
う。ラッチされたパラレルデータは、信号ラインa、
b、cからオアゲート(35A)乃至(35C)を介し
てD/A変換回路(36)に印加される。D/A変換回路
(36)はデジタル・アナログ変換を行い、その出力ア
ナログ信号に応じて、被制御回路(37)の回路特性を
変化させる。すると、被制御回路(37)の回路特性を
示す出力信号がピン(46)を介してテスター(38)
に印加される。
The serial-parallel conversion circuit (43) converts serial data into parallel data and latches it. The latched parallel data is the signal line a,
It is applied to the D / A conversion circuit (36) from b and c through the OR gates (35A) to (35C). The D / A conversion circuit (36) performs digital / analog conversion, and changes the circuit characteristic of the controlled circuit (37) according to the output analog signal. Then, the output signal indicating the circuit characteristic of the controlled circuit (37) is transmitted through the pin (46) to the tester (38).
Is applied to

【0011】テスター(38)は、被制御回路(37)
の回路特性を示す出力信号が所定範囲内にあるか否か判
別し、ないときには一致する方向となる新たなデータを
発生してピン(41)に印加する。以降、前述と同じル
ートで信号が伝わる。この作業を何回か行った結果、被
制御回路(37)をトリミングするためのデータがテス
ター(38)に記憶される。
The tester (38) has a controlled circuit (37).
It is determined whether or not the output signal indicating the circuit characteristic of is within a predetermined range, and if not, new data having the same direction is generated and applied to the pin (41). After that, the signal is transmitted through the same route as above. As a result of performing this operation several times, data for trimming the controlled circuit (37) is stored in the tester (38).

【0012】次に、テスター(38)に記憶されたデー
タをツェナーダイオード(30A)乃至(30C)を用
いて、IC(39)内部に記憶させる作業について説明
する。ツェナーダイオード(30A)乃至(30C)の
ザッピングは、1回のザッピングパルスにより1個のツ
ェナーダイオードを破壊するようにして行う。
Next, the operation of storing the data stored in the tester (38) inside the IC (39) using the Zener diodes (30A) to (30C) will be described. Zapping of the Zener diodes (30A) to (30C) is performed by destroying one Zener diode by one zapping pulse.

【0013】今、仮にツェナーダイオード(30A)及
び(30C)を破壊し、ツェナーダイオード(30B)
を生かすようにすると仮定する。この時、シリアルパラ
レル変換回路(43)は「H、L、H」のデータを保持
することとなり、ツェナーダイオード(30A)の破壊
から始める。シリアルパラレル変換回路(43)は、信
号ラインaにのみ出力信号を発生し、信号ラインb、c
には出力信号を発生しない。信号ラインaには「H」レ
ベルの出力信号を発生しアンドゲート(32A)に印加
する。
Now, it is assumed that the Zener diodes (30A) and (30C) are destroyed and the Zener diode (30B) is
Suppose to make use of. At this time, the serial-parallel conversion circuit (43) holds the data of "H, L, H", and starts from the destruction of the Zener diode (30A). The serial-parallel conversion circuit (43) generates an output signal only on the signal line a, and outputs the signal lines b, c.
Does not generate an output signal. An "H" level output signal is generated on the signal line a and applied to the AND gate (32A).

【0014】一方、制御回路(44)は、トリミング終
了信号が印加されるまで不動作であるので、トランジス
タ(47)はオフしている。この為、プルダウン抵抗
(48)によりアンドゲート(32A)には「H」レベ
ルの信号が印加されている。この為、アンドゲート(3
2A)の出力信号は「H」レベルとなり、トランジスタ
スイッチ(31A)のベースに印加される。
On the other hand, since the control circuit (44) does not operate until the trimming end signal is applied, the transistor (47) is off. Therefore, the signal of "H" level is applied to the AND gate (32A) by the pull-down resistor (48). Therefore, AND gate (3
The output signal of 2A) becomes "H" level and is applied to the base of the transistor switch (31A).

【0015】この状態になると、テスター(38)は、
ツェナーダイオード(30A)を破壊できる高電圧のザ
ッピングパルスをピン(49)に印加し電源ライン(3
3)に印加する。すると、ツェナーダイオード(30
A)及びトランジスタスイッチ(31A)を介して電流
が流れツェナーダイオード(30A)が破壊される。ツ
ェナーダイオード(30A)が破壊されると、ツェナー
ダイオード(30A)は、短絡状態となる。
In this state, the tester (38)
A high voltage zapping pulse capable of destroying the Zener diode (30A) is applied to the pin (49) to supply the power line (3
3) is applied. Then Zener diode (30
A current flows through A) and the transistor switch (31A), and the Zener diode (30A) is destroyed. When the Zener diode (30A) is destroyed, the Zener diode (30A) is short-circuited.

【0016】次に、シリアルパラレル変換回路(43)
は、信号ラインcにのみ出力信号を発生し、信号ライン
a、bには出力信号を発生しない。信号ラインcには
「H」レベルの出力信号を発生しアンドゲート(32
C)に印加する。そして、信号ラインaの時と同様に、
ツェナーダイオード(30C)を破壊し、ツェナーダイ
オード(30C)を短絡状態とする。
Next, a serial / parallel conversion circuit (43)
Generates an output signal only on the signal line c, and does not generate an output signal on the signal lines a and b. An "H" level output signal is generated on the signal line c and the AND gate (32
C). Then, as in the case of the signal line a,
The Zener diode (30C) is destroyed and the Zener diode (30C) is short-circuited.

【0017】これにより、テスター(38)に記憶され
たデータをツェナーダイオード(30A)乃至(30
C)を用いて、IC(39)内部に記憶させる作業は、
終了する。必要なツェナーダイオードの破壊が終了する
と、テスター(38)は、最後にアンドゲート(32
A)乃至(32C)を不動作状態とする。この目的は、
シリアルパラレル変換回路(43)の誤動作等により、
「H」レベルの信号がアンドゲート(32A)乃至(3
2C)に印加され、トランジスタスイッチ(31A)乃
至(31C)に誤って印加されるのを防止するためであ
る。
As a result, the data stored in the tester (38) is transferred to the Zener diodes (30A) to (30A).
Using C), the work to store in the IC (39) is
finish. When the necessary Zener diode destruction is completed, the tester (38) finally ends with the AND gate (32
A) to (32C) are made inoperative. The purpose is
Due to malfunction of the serial-parallel conversion circuit (43), etc.
The "H" level signal is output from AND gates (32A) to (3
2C) to prevent the transistor switches (31A) to (31C) from being erroneously applied.

【0018】その動作について説明する。必要なツェナ
ーダイオードの破壊が終了すると、テスター(38)は
シリアルパラレル変換回路(43)から制御回路(4
4)に「H」レベルの信号を印加し、その後、高電圧の
ザッピングパルスをピン(49)に印加し電源ライン
(33)に印加する。すると、ツェナーダイオード(4
5)及びトランジスタ(47)を介して電流が流れツェ
ナーダイオード(45)が破壊される。
The operation will be described. When the destruction of the necessary Zener diode is completed, the tester (38) moves from the serial / parallel conversion circuit (43) to the control circuit (4).
A signal of "H" level is applied to 4), and then a high voltage zapping pulse is applied to the pin (49) and applied to the power supply line (33). Then Zener diode (4
5) and a current flows through the transistor (47), and the Zener diode (45) is destroyed.

【0019】これにより、IC(39)がセットに搭載
されてピン(49)に外部から電源電圧が印加されるの
に対する準備が完了する。IC(39)がセットに搭載
されてピン(49)に外部から電源電圧が印加される
と、該電源ライン(33)に印加される。すると、ツェ
ナーダイオード(30A)、(30C)及び(45)
は、短絡されているので、コンパレータ(34A)乃至
(34C)には「H、L、H」の信号が印加され、該信
号がオアゲート(35A)乃至(35C)を介してD/
A変換器(36)に印加される。
This completes the preparation for mounting the IC (39) on the set and externally applying the power supply voltage to the pin (49). When the IC (39) is mounted on a set and a power supply voltage is applied to the pin (49) from the outside, it is applied to the power supply line (33). Then Zener diodes (30A), (30C) and (45)
Is short-circuited, the signals of "H, L, H" are applied to the comparators (34A) to (34C), and the signals are applied to D / via the OR gates (35A) to (35C).
It is applied to the A converter (36).

【0020】従って、図1の回路によれば、ザッピング
により得たトリミングで被制御回路(37)を制御でき
る。また、前記電源電圧により「L」レベルの信号がア
ンドゲート(32A)乃至(32C)に印加されるの
で、トランジスタスイッチ(31A)乃至(31C)が
誤って動作する恐れがない。
Therefore, according to the circuit of FIG. 1, the controlled circuit (37) can be controlled by the trimming obtained by zapping. Further, since the "L" level signal is applied to the AND gates (32A) to (32C) by the power supply voltage, there is no possibility that the transistor switches (31A) to (31C) will operate erroneously.

【0021】ところで、図1の説明ではザッピングの対
象としてツェナーダイオード(30A)乃至(30C)
を使用しているが、ツェナーダイオードを破壊するのに
は比較的大なる電流を必要とする。このため、ICのマ
スク設計の際は、これらの配線経路が大電流に耐えられ
るように配慮しなければならない。そこで、ザッピング
の対象としてツェナーダイオードの代わりにMOS容量
又はMIS容量を使用すればよい。これらの容量に絶縁
破壊電圧(5〜10MV/cm)以上の電圧を印加すれ
ば、前述のツェナーダイオードと同様に短絡状態とな
る。MOS容量又はMIS容量であれば局所的に貫通電
流が流れる程度であり、流れる電流はわずかである。
By the way, in the explanation of FIG. 1, zener diodes (30A) to (30C) are targeted for zapping.
However, it requires a relatively large current to destroy the Zener diode. For this reason, when designing the mask of the IC, it is necessary to consider so that these wiring paths can withstand a large current. Therefore, a MOS capacitor or a MIS capacitor may be used instead of the Zener diode as an object of zapping. If a voltage of dielectric breakdown voltage (5 to 10 MV / cm) or more is applied to these capacitors, a short-circuit state is created like the Zener diode described above. If it is a MOS capacitor or a MIS capacitor, a through current will flow locally, and a small current will flow.

【0022】又、酸化膜や窒化膜の厚さを200オング
ストローム程度に設定すれば20V程度で破壊が可能と
なる。
Further, if the thickness of the oxide film or the nitride film is set to about 200 Å, the breakdown can be achieved at about 20V.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、組み
立てられたICに対して、ザッピングによるトリミング
ができるとともに、ICの内部回路の誤動作によるトリ
ミング値の変動がないICのトリミング回路を提供でき
る。又、本発明によればザッピングの対象としてツェナ
ーダイオードの代わりにMOS容量を使っているので破
壊時に大電流が流れることがなくIC化に適する。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a trimming circuit for an IC which is capable of trimming an assembled IC by zapping and which does not change in trimming value due to malfunction of an internal circuit of the IC. it can. Further, according to the present invention, since the MOS capacitance is used as the object of zapping instead of the Zener diode, a large current does not flow at the time of destruction, which is suitable for an IC.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のICのトリミング回路を示す回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a trimming circuit of an IC of the present invention.

【図2】従来のICのトリミング回路を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional IC trimming circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(30A)及び(30C) ツェナーダイオード (31A)乃至(31C) トランジスタスイッチ (32A)乃至(32C) アンドゲート (30A) and (30C) Zener diode (31A) to (31C) Transistor switch (32A) to (32C) AND gate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のツェナーダイオードと、 該複数のツェナーダイオードを選択的にザッピングする
ためのトランジスタスイッチ群と、 該トランジスタスイッチ群のベースに制御信号を伝える
か否かを切り換えるゲート群と、を備え、トリミングの
終了信号に応じて前記ゲート群が不動作状態となるよう
にしたことを特徴とするICのトリミング回路。
1. A plurality of Zener diodes, a transistor switch group for selectively zapping the plurality of Zener diodes, and a gate group for switching whether to transmit a control signal to the base of the transistor switch group. An IC trimming circuit, characterized in that the gate group is made inoperative according to a trimming end signal.
【請求項2】 複数のツェナーダイオードと、 該複数のツェナーダイオードを選択的にザッピングする
ためのトランジスタスイッチ群と、 該トランジスタスイッチ群のベースに制御信号を伝える
か否かを切り換えるゲート群と、トリミングの終了信号
に応じてザッピングされるツェナーダイオードを含み前
記ゲート群が不動作状態となるような制御信号を前記ゲ
ート群に印加する制御回路と、を備えることを特徴とす
るICのトリミング回路。
2. A plurality of Zener diodes, a transistor switch group for selectively zapping the plurality of Zener diodes, a gate group for switching whether to transmit a control signal to the base of the transistor switch group, and trimming. A trimming circuit for an IC, comprising: a control circuit including a Zener diode that is zapping in accordance with the end signal of 1) and applying a control signal to the gate group such that the gate group is in an inoperative state.
【請求項3】 複数のツェナーダイオードと、 該複数のツェナーダイオードを選択的にザッピングする
ためのトランジスタスイッチ群と、 該トランジスタスイッチ群のベースに制御信号を伝える
か否かを切り換えるゲート群と、 前記複数のツェナーダイオードに共通してザッピングパ
ルス及び電源電圧を印加する電源ラインと、を備え、ト
リミングの終了信号に応じて前記ゲート群が不動作状態
となるようにしたことを特徴とするICのトリミング回
路。
3. A plurality of Zener diodes, a transistor switch group for selectively zapping the plurality of Zener diodes, a gate group for switching whether to transmit a control signal to the base of the transistor switch group, and A trimming of an IC, comprising: a plurality of Zener diodes, a power supply line for applying a zapping pulse and a power supply voltage in common, and the gate group being inoperative according to a trimming end signal. circuit.
【請求項4】 複数のMOS容量と、 該複数のMOS容量を選択的にザッピングするためのト
ランジスタスイッチ群と、 該トランジスタスイッチ群のベースに制御信号を伝える
か否かを切り換えるゲート群と、を備え、トリミングの
終了信号に応じて前記ゲート群が不動作状態となるよう
にしたことを特徴とするICのトリミング回路。
4. A plurality of MOS capacitors, a transistor switch group for selectively zapping the plurality of MOS capacitors, and a gate group for switching whether to transmit a control signal to the base of the transistor switch group. An IC trimming circuit, characterized in that the gate group is made inoperative according to a trimming end signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999050912A1 (en) * 1998-04-01 1999-10-07 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device and manufacture thereof

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