JPH09101332A - 伝送特性評価装置 - Google Patents
伝送特性評価装置Info
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- JPH09101332A JPH09101332A JP7257506A JP25750695A JPH09101332A JP H09101332 A JPH09101332 A JP H09101332A JP 7257506 A JP7257506 A JP 7257506A JP 25750695 A JP25750695 A JP 25750695A JP H09101332 A JPH09101332 A JP H09101332A
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- transmission line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域の伝送特性を評価する伝送特性評価装
置を提供する。 【解決手段】 被測定伝送ラインの端部との間に構成さ
れる短電気パルス発生部１３および被測定伝送ラインと
の間に構成されるサンプリング検出部１４を半絶縁性半
導体基板８1 の表面に形成したフォトコンダクタ８、短
光パルス光源１、短光パルス光源１の発生する短光パル
スを２本の光パルスビームに分岐するビームスプリッタ
Ｍ1 、分岐された光パルスビームの一方を反射して短電
気パルス発生部１３を照射する短光パルスを形成する固
定鏡２、分岐された光パルスビームの他方を反射遅延し
てサンプリング検出部１４を照射する短光パルスを形成
する移動鏡３、サンプリング検出部１４の検出結果を入
力積分する検出器６、検出器６の出力を演算処理する演
算器１１を具備する伝送特性評価装置。
置を提供する。 【解決手段】 被測定伝送ラインの端部との間に構成さ
れる短電気パルス発生部１３および被測定伝送ラインと
の間に構成されるサンプリング検出部１４を半絶縁性半
導体基板８1 の表面に形成したフォトコンダクタ８、短
光パルス光源１、短光パルス光源１の発生する短光パル
スを２本の光パルスビームに分岐するビームスプリッタ
Ｍ1 、分岐された光パルスビームの一方を反射して短電
気パルス発生部１３を照射する短光パルスを形成する固
定鏡２、分岐された光パルスビームの他方を反射遅延し
てサンプリング検出部１４を照射する短光パルスを形成
する移動鏡３、サンプリング検出部１４の検出結果を入
力積分する検出器６、検出器６の出力を演算処理する演
算器１１を具備する伝送特性評価装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、伝送特性評価装
置に関し、特に、高周波伝送ラインの伝送特性を１ＴＨ
ｚに及ぶ広帯域に亘り評価することができる伝送特性評
価装置に関する。
置に関し、特に、高周波伝送ラインの伝送特性を１ＴＨ
ｚに及ぶ広帯域に亘り評価することができる伝送特性評
価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】伝送ラインの伝送特性は、従来、ネット
ワークアナライザを使用して評価してきた。しかし、ネ
ットワークアナライザの信号発生源の周波数特性、アナ
ライザ内部の接続部を構成するコネクタの周波数特性に
より、周波数測定は１００ＧＨｚ程度が限界とされてい
た。
ワークアナライザを使用して評価してきた。しかし、ネ
ットワークアナライザの信号発生源の周波数特性、アナ
ライザ内部の接続部を構成するコネクタの周波数特性に
より、周波数測定は１００ＧＨｚ程度が限界とされてい
た。
【０００３】ところで、タイムドメインリフレクトメー
タなる測定器が開発されており、これを図４を参照して
を説明する。図４において、パルス幅の極く短い短光パ
ルス光源である短レーザパルス光源１から放射された発
振光パルスをビームスプリッタＭ1 に入射し、２本の光
パルスに分岐する。ビームスプリッタＭ1 において反射
した光パルスは固定鏡２により逆向きに反射して半絶縁
性半導体基板８1 表面に形成される短電気パルス発生部
１３に入射する。この電気パルス発生部１３は半絶縁性
半導体基板８1 表面に形成される第１の電極Ｄ1 の端部
とリード電極ＤL の端部とを対向させることにより構成
される。ここで、第１の電極Ｄ1 にはＤＣ電源５から直
流電圧を印加しておく。短光パルスをこの短電気パルス
発生部１３に入射せしめることにより、ここにおいて光
電変換が発生し、短光パルスは数ピコ秒ないしサブピコ
秒のオーダーの極めて短いパルス幅の電気パルスに変換
する。この短電気パルスの半値幅がタイムドメインリフ
レクトメータの分解能を決定する。短電気パルス発生部
１３において発生した電気パルスはリード電極ＤL を介
してＤＵＴ７に送り込まれて、ＤＵＴ７において反射し
て反射パルスとして戻ってくる。
タなる測定器が開発されており、これを図４を参照して
を説明する。図４において、パルス幅の極く短い短光パ
ルス光源である短レーザパルス光源１から放射された発
振光パルスをビームスプリッタＭ1 に入射し、２本の光
パルスに分岐する。ビームスプリッタＭ1 において反射
した光パルスは固定鏡２により逆向きに反射して半絶縁
性半導体基板８1 表面に形成される短電気パルス発生部
１３に入射する。この電気パルス発生部１３は半絶縁性
半導体基板８1 表面に形成される第１の電極Ｄ1 の端部
とリード電極ＤL の端部とを対向させることにより構成
される。ここで、第１の電極Ｄ1 にはＤＣ電源５から直
流電圧を印加しておく。短光パルスをこの短電気パルス
発生部１３に入射せしめることにより、ここにおいて光
電変換が発生し、短光パルスは数ピコ秒ないしサブピコ
秒のオーダーの極めて短いパルス幅の電気パルスに変換
する。この短電気パルスの半値幅がタイムドメインリフ
レクトメータの分解能を決定する。短電気パルス発生部
１３において発生した電気パルスはリード電極ＤL を介
してＤＵＴ７に送り込まれて、ＤＵＴ７において反射し
て反射パルスとして戻ってくる。
【０００４】一方、ビームスプリッタＭ1 を透過して直
進した光パルスは、移動鏡３により逆向きに反射してビ
ームスプリッタＭ2 に入射し、これにより反射してサン
プリング検出部１４に入射する。このサンプリング検出
部１４も短電気パルス発生部１３と同様の光電変換が発
生する構成とされている。移動鏡３を経由した光パルス
が入射すると光励起されて導電状態となる。この移動鏡
３を経由した光パルスは、移動鏡３をステージ４上にお
いて移動して光路長を調整することにより、時間τだけ
遅延されている。
進した光パルスは、移動鏡３により逆向きに反射してビ
ームスプリッタＭ2 に入射し、これにより反射してサン
プリング検出部１４に入射する。このサンプリング検出
部１４も短電気パルス発生部１３と同様の光電変換が発
生する構成とされている。移動鏡３を経由した光パルス
が入射すると光励起されて導電状態となる。この移動鏡
３を経由した光パルスは、移動鏡３をステージ４上にお
いて移動して光路長を調整することにより、時間τだけ
遅延されている。
【０００５】ここで、短電気パルス発生部１３において
発生した短電気パルスがＤＵＴ７に送り込まれて戻って
きた反射短電気パルスは、移動鏡３を経由して時間τだ
け遅延せしめられた光パルスによりサンプリング検出部
１４を照射して発生せしめた短電気パルスとの間の自己
相関をとられる。自己相関関数Ｒxx（τ）は、時間関数
波形ｘ（ｔ）と遅延時間τを与えた時間関数波形ｘ（ｔ
＋τ）とにより以下の通りに表現することができる。
発生した短電気パルスがＤＵＴ７に送り込まれて戻って
きた反射短電気パルスは、移動鏡３を経由して時間τだ
け遅延せしめられた光パルスによりサンプリング検出部
１４を照射して発生せしめた短電気パルスとの間の自己
相関をとられる。自己相関関数Ｒxx（τ）は、時間関数
波形ｘ（ｔ）と遅延時間τを与えた時間関数波形ｘ（ｔ
＋τ）とにより以下の通りに表現することができる。
【０００６】 Ｒxx（τ）＝∫ｘ（ｔ）・ｘ（ｔ＋τ）ｄｔ Ｒxx（τ）はτ＝０で最大値となり、これを遅延時間の
基準とする。短電気パルスを被測定装置ＤＵＴ７に送り
込むと、上述した通りＤＵＴ７の内部において反射して
戻ってくる。短電気パルス発生部１３において発生した
短電気パルスとこのＤＵＴ７の内部から反射して戻って
くる短電気パルスとの間の自己相関演算をすることによ
り、反射に要した時間τを求めることができる。この反
射に要した時間τに基づいて被測定装置ＤＵＴ７内の反
射箇所を知ることができる。
基準とする。短電気パルスを被測定装置ＤＵＴ７に送り
込むと、上述した通りＤＵＴ７の内部において反射して
戻ってくる。短電気パルス発生部１３において発生した
短電気パルスとこのＤＵＴ７の内部から反射して戻って
くる短電気パルスとの間の自己相関演算をすることによ
り、反射に要した時間τを求めることができる。この反
射に要した時間τに基づいて被測定装置ＤＵＴ７内の反
射箇所を知ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上はタイムドメイン
リフレクトメータの概要であるが、この発明は、これを
使用して高周波伝送ラインの伝送特性を１ＴＨｚに及ぶ
広帯域に亘り評価することができる伝送特性評価装置を
構成するものである。
リフレクトメータの概要であるが、この発明は、これを
使用して高周波伝送ラインの伝送特性を１ＴＨｚに及ぶ
広帯域に亘り評価することができる伝送特性評価装置を
構成するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】被測定伝送ラインの端部
との間に構成される短電気パルス発生部１３および被測
定伝送ラインとの間に構成されるサンプリング検出部１
４を半絶縁性半導体基板８1 の表面に形成したフォトコ
ンダクタ８を具備し、短光パルス光源１を具備し、短光
パルス光源１の発生する短光パルスを２本の光パルスビ
ームに分岐するビームスプリッタＭ1 を具備し、分岐さ
れた光パルスビームの一方を反射して短電気パルス発生
部１３を照射する短光パルスを形成する固定鏡２を具備
し、分岐された光パルスビームの他方を反射遅延してサ
ンプリング検出部１４を照射する短光パルスを形成する
移動鏡３を具備し、サンプリング検出部１４の検出結果
を入力して積分する検出器６を具備し、検出器６の出力
を演算処理する演算器１１を具備する伝送特性評価装置
を構成した。
との間に構成される短電気パルス発生部１３および被測
定伝送ラインとの間に構成されるサンプリング検出部１
４を半絶縁性半導体基板８1 の表面に形成したフォトコ
ンダクタ８を具備し、短光パルス光源１を具備し、短光
パルス光源１の発生する短光パルスを２本の光パルスビ
ームに分岐するビームスプリッタＭ1 を具備し、分岐さ
れた光パルスビームの一方を反射して短電気パルス発生
部１３を照射する短光パルスを形成する固定鏡２を具備
し、分岐された光パルスビームの他方を反射遅延してサ
ンプリング検出部１４を照射する短光パルスを形成する
移動鏡３を具備し、サンプリング検出部１４の検出結果
を入力して積分する検出器６を具備し、検出器６の出力
を演算処理する演算器１１を具備する伝送特性評価装置
を構成した。
【０００９】そして、短電気パルス発生部１３は被測定
伝送ラインの一方の端部との間に構成し、第１のサンプ
リング検出部１４1 は被測定伝送ラインの一方の端部近
傍との間に構成し、第２のサンプリング検出部１４2 は
被測定伝送ラインの他方の端部との間に構成されるもの
である伝送特性評価装置を構成した。また、短電気パル
ス発生部１３は被測定伝送ラインの一方の端部との間に
構成し、第１のサンプリング検出部１４1 は被測定伝送
ラインの一方の端部近傍との間に構成し、被測定伝送ラ
インの一方の端部に第１の全反射端部１５1 を構成する
と共に被測定伝送ラインの他方の端部に第２の全反射端
部１５2 を構成したものである伝送特性評価装置を構成
した。
伝送ラインの一方の端部との間に構成し、第１のサンプ
リング検出部１４1 は被測定伝送ラインの一方の端部近
傍との間に構成し、第２のサンプリング検出部１４2 は
被測定伝送ラインの他方の端部との間に構成されるもの
である伝送特性評価装置を構成した。また、短電気パル
ス発生部１３は被測定伝送ラインの一方の端部との間に
構成し、第１のサンプリング検出部１４1 は被測定伝送
ラインの一方の端部近傍との間に構成し、被測定伝送ラ
インの一方の端部に第１の全反射端部１５1 を構成する
と共に被測定伝送ラインの他方の端部に第２の全反射端
部１５2 を構成したものである伝送特性評価装置を構成
した。
【００１０】更に、先の伝送特性評価装置において、フ
ォトコンダクタの短電気パルス発生部は半絶縁性半導体
基板８1 表面に形成される金属薄膜より成る電極Ｄ1 の
端部と伝送ライン７の端部とを対向させることにより構
成されるものであり、サンプリング検出部１３は半絶縁
性半導体基板８1 表面に形成される金属薄膜より成る電
極Ｄ2 の端部と伝送ライン７の一部とを対向させること
により構成されるものであり、短光パルス光源は短レー
ザパルス光源１である伝送特性評価装置を構成した。
ォトコンダクタの短電気パルス発生部は半絶縁性半導体
基板８1 表面に形成される金属薄膜より成る電極Ｄ1 の
端部と伝送ライン７の端部とを対向させることにより構
成されるものであり、サンプリング検出部１３は半絶縁
性半導体基板８1 表面に形成される金属薄膜より成る電
極Ｄ2 の端部と伝送ライン７の一部とを対向させること
により構成されるものであり、短光パルス光源は短レー
ザパルス光源１である伝送特性評価装置を構成した。
【００１１】また、先の伝送特性評価装置において、演
算器１１は伝送ライン７に入力された電気パルス波形ｆ
（ｔ）をフーリエ変換し、伝送ライン７を通過した後の
パルス波形をフーリエ変換し、両フーリエ変換結果の比
を取るものである伝送特性評価装置を構成した。
算器１１は伝送ライン７に入力された電気パルス波形ｆ
（ｔ）をフーリエ変換し、伝送ライン７を通過した後の
パルス波形をフーリエ変換し、両フーリエ変換結果の比
を取るものである伝送特性評価装置を構成した。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を、図１お
よび図２を参照して説明する。なお、図１および図２に
おいて、図４に示される部材と共通する部材には互に同
一の参照符号を付している。信号源である短レーザパル
ス光源１から放射された発振光パルスをビームスプリッ
タＭ1 に入射し、これを２本の光パルスに分岐する。ビ
ームスプリッタＭ1において反射した光パルスは固定鏡
２により逆向きに反射され、半絶縁性半導体基板８1 表
面に形成される短電気パルス発生部１３に入射する。こ
の電気パルス発生部１３は半絶縁性半導体基板８1 表面
に形成される４０００オングストローム程度の金属薄膜
より成る第１の電極Ｄ1 の端部と、ＤＵＴである金属薄
膜より成る高周波伝送ライン７の端部とを対向させるこ
とにより構成されている。第１の電極Ｄ1 には直流電源
５から直流電圧を印加しておく。短光パルスをこの短電
気パルス発生部１３に入射せしめることにより、ここで
光電変換が発生し、短光パルスは数ピコ秒ないしサブピ
コ秒のオーダーの極めて短いパルス幅の電気パルスに変
換する。この短電気パルスの半値幅がタイムドメインリ
フレクトメータの分解能を決定する。短電気パルス発生
部１３において発生した電気パルスはＤＵＴである高周
波伝送ライン７に送り込まれ、これを伝播する。
よび図２を参照して説明する。なお、図１および図２に
おいて、図４に示される部材と共通する部材には互に同
一の参照符号を付している。信号源である短レーザパル
ス光源１から放射された発振光パルスをビームスプリッ
タＭ1 に入射し、これを２本の光パルスに分岐する。ビ
ームスプリッタＭ1において反射した光パルスは固定鏡
２により逆向きに反射され、半絶縁性半導体基板８1 表
面に形成される短電気パルス発生部１３に入射する。こ
の電気パルス発生部１３は半絶縁性半導体基板８1 表面
に形成される４０００オングストローム程度の金属薄膜
より成る第１の電極Ｄ1 の端部と、ＤＵＴである金属薄
膜より成る高周波伝送ライン７の端部とを対向させるこ
とにより構成されている。第１の電極Ｄ1 には直流電源
５から直流電圧を印加しておく。短光パルスをこの短電
気パルス発生部１３に入射せしめることにより、ここで
光電変換が発生し、短光パルスは数ピコ秒ないしサブピ
コ秒のオーダーの極めて短いパルス幅の電気パルスに変
換する。この短電気パルスの半値幅がタイムドメインリ
フレクトメータの分解能を決定する。短電気パルス発生
部１３において発生した電気パルスはＤＵＴである高周
波伝送ライン７に送り込まれ、これを伝播する。
【００１３】一方、ビームスプリッタＭ1 を透過して直
進した光パルスは、移動鏡３により逆向きに反射してビ
ームスプリッタＭ2 に入射し、これにより反射してサン
プリング検出部１４に入射する。この移動鏡３を経由し
た光パルスは、移動鏡３をステージ４上において移動し
て光路長を調整することにより時間τだけ遅延されてい
る。このサンプリング検出部１４も短電気パルス発生部
１３と同様の光電変換が発生する構成とされており、移
動鏡３を経由した光パルスが入射すると光励起されて導
電状態となり、光パルス波形の入射と高周波伝送ライン
７を通過した後の電気パルス波形の到来とが同期する
と、この電気パルス波形を検出することができる。
進した光パルスは、移動鏡３により逆向きに反射してビ
ームスプリッタＭ2 に入射し、これにより反射してサン
プリング検出部１４に入射する。この移動鏡３を経由し
た光パルスは、移動鏡３をステージ４上において移動し
て光路長を調整することにより時間τだけ遅延されてい
る。このサンプリング検出部１４も短電気パルス発生部
１３と同様の光電変換が発生する構成とされており、移
動鏡３を経由した光パルスが入射すると光励起されて導
電状態となり、光パルス波形の入射と高周波伝送ライン
７を通過した後の電気パルス波形の到来とが同期する
と、この電気パルス波形を検出することができる。
【００１４】第１のサンプリング検出部１４1 は、ＤＵ
Ｔである高周波伝送ライン７と第２の電極Ｄ2 との間に
構成され、短電気パルス発生部１３の近傍に位置してい
る。固定鏡２を経由した光パルスが短電気パルス発生部
１３に入射すると、移動鏡３を経由した光パルスが第１
のサンプリング検出部１４1 に入射して短電気パルス発
生部１３に発生した電気パルスの波形を直ちに検出する
ことができる。これにより高周波伝送ライン７に送り込
む信号を測定したこととなる。
Ｔである高周波伝送ライン７と第２の電極Ｄ2 との間に
構成され、短電気パルス発生部１３の近傍に位置してい
る。固定鏡２を経由した光パルスが短電気パルス発生部
１３に入射すると、移動鏡３を経由した光パルスが第１
のサンプリング検出部１４1 に入射して短電気パルス発
生部１３に発生した電気パルスの波形を直ちに検出する
ことができる。これにより高周波伝送ライン７に送り込
む信号を測定したこととなる。
【００１５】第２のサンプリング検出器１４2 は、ＤＵ
Ｔである高周波伝送ライン７と第３の電極Ｄ3 との間に
構成され、高周波伝送ライン７終端の近傍に位置してい
る。第２のサンプリング検出器１４2 に対する移動鏡３
を経由した光パルスの入射と高周波伝送ライン７を通過
した後の電気パルス波形の到来とが同期すると、この電
気パルス波形を検出することができる。
Ｔである高周波伝送ライン７と第３の電極Ｄ3 との間に
構成され、高周波伝送ライン７終端の近傍に位置してい
る。第２のサンプリング検出器１４2 に対する移動鏡３
を経由した光パルスの入射と高周波伝送ライン７を通過
した後の電気パルス波形の到来とが同期すると、この電
気パルス波形を検出することができる。
【００１６】上述した通り、ＤＵＴである高周波伝送ラ
イン７は、短電気パルス発生部１３およびサンプリング
検出部１４と共にフォトコンダクタ８の半絶縁性半導体
基板８1 に形成して組み込んでおく。短電気パルス発生
部１３は高周波伝送ライン７の周波数特性を評価するに
必要とされる短電気パルスを発生する電気信号源とな
る。短レーザパルス光源１の発生する半値幅１００ｆｓ
の短光パルスを電気パルスに変換する訳であるが、フォ
トコンダクタ８は応答特性が高速であるので、半値幅
０. ５ｐｓ程度の短電気パルスを発生することができ
る。これは周波数的には８８０ＧＨｚもの高周波成分を
持っているので、広帯域の信号源として好適なものであ
る。
イン７は、短電気パルス発生部１３およびサンプリング
検出部１４と共にフォトコンダクタ８の半絶縁性半導体
基板８1 に形成して組み込んでおく。短電気パルス発生
部１３は高周波伝送ライン７の周波数特性を評価するに
必要とされる短電気パルスを発生する電気信号源とな
る。短レーザパルス光源１の発生する半値幅１００ｆｓ
の短光パルスを電気パルスに変換する訳であるが、フォ
トコンダクタ８は応答特性が高速であるので、半値幅
０. ５ｐｓ程度の短電気パルスを発生することができ
る。これは周波数的には８８０ＧＨｚもの高周波成分を
持っているので、広帯域の信号源として好適なものであ
る。
【００１７】ここで、固定鏡２を経由した光パルスを第
１のサンプリング検出部１４1 に入射して検出した短電
気パルス波形は短電気パルス発生部１３が発生して高周
波伝送ライン７に送り込まれた短電気パルス波形に相当
するが、これを検出器６に入力する。第１のサンプリン
グ検出部１４1 において得られるこの短電気パルス波形
は２個の波形の積を意味しており、自己相関関数Ｒ
xx（τ）の式の積分記号の後の被積分関数に相当する。
これを検出器６に入力して積分する。移動鏡３を経由し
て時間τだけ遅延せしめられた光パルスを第２のサンプ
リング検出部１４2に入射して検出した短電気パルス波
形は高周波伝送ライン７に送り込まれて通過した後の短
電気パルス波形であるが、これも同様に、検出器６に入
力して積分する。サンプリング検出部１４の検出した短
電気パルス波形を積分した検出器６の検出結果は、次い
で、Ａ／Ｄ変換器９に入力してＡ／Ｄ変換され、演算器
１１において演算処理される。
１のサンプリング検出部１４1 に入射して検出した短電
気パルス波形は短電気パルス発生部１３が発生して高周
波伝送ライン７に送り込まれた短電気パルス波形に相当
するが、これを検出器６に入力する。第１のサンプリン
グ検出部１４1 において得られるこの短電気パルス波形
は２個の波形の積を意味しており、自己相関関数Ｒ
xx（τ）の式の積分記号の後の被積分関数に相当する。
これを検出器６に入力して積分する。移動鏡３を経由し
て時間τだけ遅延せしめられた光パルスを第２のサンプ
リング検出部１４2に入射して検出した短電気パルス波
形は高周波伝送ライン７に送り込まれて通過した後の短
電気パルス波形であるが、これも同様に、検出器６に入
力して積分する。サンプリング検出部１４の検出した短
電気パルス波形を積分した検出器６の検出結果は、次い
で、Ａ／Ｄ変換器９に入力してＡ／Ｄ変換され、演算器
１１において演算処理される。
【００１８】以下、演算器１１における演算処理につい
て説明する。第１のサンプリング検出部１４1 により検
出されて高周波伝送ライン７に入力された電気パルス波
形をｆ（ｔ）とし、ｆ（ｔ）をフーリエ変換した結果を
Ｆ（ω）とする。同様に、第２のサンプリング検出器１
４2 の検出した高周波伝送ライン７を通過した後のパル
ス波形をｇ（ｔ）とし、ｇ（ｔ）をフーリエ変換した結
果をＧ（ω）とする。高周波伝送ライン７の伝送特性
は、これらフーリエ変換した結果の比であるＧ（ω）／
Ｆ（ω）を取ることにより求めることができる。
て説明する。第１のサンプリング検出部１４1 により検
出されて高周波伝送ライン７に入力された電気パルス波
形をｆ（ｔ）とし、ｆ（ｔ）をフーリエ変換した結果を
Ｆ（ω）とする。同様に、第２のサンプリング検出器１
４2 の検出した高周波伝送ライン７を通過した後のパル
ス波形をｇ（ｔ）とし、ｇ（ｔ）をフーリエ変換した結
果をＧ（ω）とする。高周波伝送ライン７の伝送特性
は、これらフーリエ変換した結果の比であるＧ（ω）／
Ｆ（ω）を取ることにより求めることができる。
【００１９】この伝送特性評価装置の測定することがで
きる測定帯域幅は高周波伝送ライン７に入力された電気
パルス波形ｆ（ｔ）をフーリエ変換した結果であるＦ
（ω）の含む周波数成分により決まる。即ち、電気パル
ス波形ｆ（ｔ）のパルス幅が狭ければ狭い程、Ｆ（ω）
の含む周波数帯域幅は広くなり、測定帯域幅はこれに対
応して広くすることができる。
きる測定帯域幅は高周波伝送ライン７に入力された電気
パルス波形ｆ（ｔ）をフーリエ変換した結果であるＦ
（ω）の含む周波数成分により決まる。即ち、電気パル
ス波形ｆ（ｔ）のパルス幅が狭ければ狭い程、Ｆ（ω）
の含む周波数帯域幅は広くなり、測定帯域幅はこれに対
応して広くすることができる。
【００２０】この発明の他の実施例として、フォトコン
ダクタ８を図３の如く構成することができる。図３
（ａ）はフォトコンダクタ８を説明する図であり、
（ｂ）は検出される波形を示す図である。図３におい
て、高周波伝送ライン７の短電気パルス発生部１３近傍
に第１の全反射端部１５1 を構成すると共に、終端に第
２の全反射端部１５2 を構成する。この様にして図３
（ｂ）に示されるが如き波形を得ることができる。図３
（ｂ）において、左端の第１のパルス波形は短電気パル
ス発生部１３において発生して第１のサンプリング検出
部１４1 により検出されると共に、高周波伝送ライン７
に入力される短電気パルスを示す。中央の第２のパルス
波形は終端の第２の全反射端部１５2 において反射して
戻り、第１のサンプリング検出部１４1 により検出され
た検出電気パルスである。そして、右端の第３のパルス
波形は、第２の全反射端部１５2 において反射して第１
の全反射端部１５1 に戻り、これにより反射して再び第
２の全反射端部１５2 に到達して反射し、第１のサンプ
リング検出部１４1 により検出された検出電気パルスで
ある。この実施例においては、サンプリング検出部１４
を１個にすることができる。そして、評価されるべき高
周波伝送ライン７の長さが短い場合であっても、多重反
射した反射波に着目することにより長距離伝送した電気
パルスの特性を評価することができる。
ダクタ８を図３の如く構成することができる。図３
（ａ）はフォトコンダクタ８を説明する図であり、
（ｂ）は検出される波形を示す図である。図３におい
て、高周波伝送ライン７の短電気パルス発生部１３近傍
に第１の全反射端部１５1 を構成すると共に、終端に第
２の全反射端部１５2 を構成する。この様にして図３
（ｂ）に示されるが如き波形を得ることができる。図３
（ｂ）において、左端の第１のパルス波形は短電気パル
ス発生部１３において発生して第１のサンプリング検出
部１４1 により検出されると共に、高周波伝送ライン７
に入力される短電気パルスを示す。中央の第２のパルス
波形は終端の第２の全反射端部１５2 において反射して
戻り、第１のサンプリング検出部１４1 により検出され
た検出電気パルスである。そして、右端の第３のパルス
波形は、第２の全反射端部１５2 において反射して第１
の全反射端部１５1 に戻り、これにより反射して再び第
２の全反射端部１５2 に到達して反射し、第１のサンプ
リング検出部１４1 により検出された検出電気パルスで
ある。この実施例においては、サンプリング検出部１４
を１個にすることができる。そして、評価されるべき高
周波伝送ライン７の長さが短い場合であっても、多重反
射した反射波に着目することにより長距離伝送した電気
パルスの特性を評価することができる。
【００２１】この発明の伝送特性評価装置は、数ｍｍ以
下の微小な伝送ラインを被測定伝送ラインとして伝送特
性評価の対象とするものである。例えば、ＩＣ或はＬＳ
Ｉその他の集積回路内の微小接続線、遅延線、受動回路
素子を伝送特性評価の対象とすることができる。これら
を被測定伝送ラインとしてフォトコンダクタを構成する
半絶縁性半導体基板表面に実際に組み込んで伝送特性評
価を実施する。
下の微小な伝送ラインを被測定伝送ラインとして伝送特
性評価の対象とするものである。例えば、ＩＣ或はＬＳ
Ｉその他の集積回路内の微小接続線、遅延線、受動回路
素子を伝送特性評価の対象とすることができる。これら
を被測定伝送ラインとしてフォトコンダクタを構成する
半絶縁性半導体基板表面に実際に組み込んで伝送特性評
価を実施する。
【００２２】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明により、
高周波伝送ラインの伝送特性をフォトコンダクタを使用
したサンプリング計測により行ない、１ＴＨｚ程度まで
の伝送特性を評価することができることとなる。測定帯
域幅は従来の１００ＧＨｚの１０倍程度の広帯域幅に拡
大することができる。
高周波伝送ラインの伝送特性をフォトコンダクタを使用
したサンプリング計測により行ない、１ＴＨｚ程度まで
の伝送特性を評価することができることとなる。測定帯
域幅は従来の１００ＧＨｚの１０倍程度の広帯域幅に拡
大することができる。
【００２３】そして、被測定伝送ラインの一方の端部に
第１の全反射端部を構成すると共に被測定伝送ラインの
他方の端部に第２の全反射端部を構成することにより、
サンプリング検出部を１個とすることができると共に多
重反射した反射波に着目することにより長距離伝送した
電気パルスの特性を評価する伝送特性評価装置を構成す
ることができる。
第１の全反射端部を構成すると共に被測定伝送ラインの
他方の端部に第２の全反射端部を構成することにより、
サンプリング検出部を１個とすることができると共に多
重反射した反射波に着目することにより長距離伝送した
電気パルスの特性を評価する伝送特性評価装置を構成す
ることができる。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】フォトコンダクタを説明する図。
【図３】第２の実施例を説明する図。
【図４】タイムドメインリフレクトメータを説明する
図。
図。
１ 短光パルス光源 ２ 固定鏡 ３ 移動鏡 ６ 検出器 ７ 伝送ライン ８ フォトコンダクタ ８1 半絶縁性半導体基板 １１ 演算器 １３ 短電気パルス発生部 １４ サンプリング検出部 Ｍ1 ビームスプリッタ
Claims (5)
- 【請求項１】 被測定伝送ラインの端部との間に構成さ
れる短電気パルス発生部および被測定伝送ラインとの間
に構成されるサンプリング検出部を半絶縁性半導体基板
表面に形成したフォトコンダクタを具備し、 短光パルス光源を具備し、 短光パルス光源の発生する短光パルスを２本の光パルス
ビームに分岐するビームスプリッタを具備し、 分岐された光パルスビームの一方を反射して短電気パル
ス発生部を照射する短光パルスを形成する固定鏡を具備
し、 分岐された光パルスビームの他方を反射遅延してサンプ
リング検出部を照射する短光パルスを形成する移動鏡を
具備し、 サンプリング検出部の検出結果を入力して積分する検出
器を具備し、 検出器の出力を演算処理する演算器を具備する、 ことを特徴とする伝送特性評価装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載される伝送特性評価装置
において、 短電気パルス発生部は被測定伝送ラインの一方の端部と
の間に構成し、第１のサンプリング検出部は被測定伝送
ラインの一方の端部近傍との間に構成し、第２のサンプ
リング検出部は被測定伝送ラインの他方の端部との間に
構成されるものである、 ことを特徴とする伝送特性評価装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載される伝送特性評価装置
において、 短電気パルス発生部は被測定伝送ラインの一方の端部と
の間に構成し、第１のサンプリング検出部は被測定伝送
ラインの一方の端部近傍との間に構成し、被測定伝送ラ
インの一方の端部に第１の全反射端部を構成すると共に
被測定伝送ラインの他方の端部に第２の全反射端部を構
成したものである、 ことを特徴とする伝送特性評価装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３の内の何れかに
記載される伝送特性評価装置において、 フォトコンダクタの短電気パルス発生部は半絶縁性半導
体基板表面に形成される金属薄膜より成る電極の端部と
伝送ラインの端部とを対向させることにより構成される
ものであり、サンプリング検出部は半絶縁性半導体基板
表面に形成される金属薄膜より成る電極の端部と伝送ラ
インの一部とを対向させることにより構成されるもので
あり、 短光パルス光源は短レーザパルス光源である、 ことを特徴とする伝送特性評価装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４の内の何れかに
記載される伝送特性評価装置において、 演算器は伝送ラインに入力された電気パルス波形をフー
リエ変換し、伝送ラインを通過した後のパルス波形をフ
ーリエ変換し、両フーリエ変換結果の比を取るものであ
る、 ことを特徴とする伝送特性評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257506A JPH09101332A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 伝送特性評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257506A JPH09101332A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 伝送特性評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09101332A true JPH09101332A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17307250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7257506A Withdrawn JPH09101332A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 伝送特性評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09101332A (ja) |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP7257506A patent/JPH09101332A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |