JPH0894999A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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JPH0894999A
JPH0894999A JP22764794A JP22764794A JPH0894999A JP H0894999 A JPH0894999 A JP H0894999A JP 22764794 A JP22764794 A JP 22764794A JP 22764794 A JP22764794 A JP 22764794A JP H0894999 A JPH0894999 A JP H0894999A
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JP
Japan
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charge
liquid crystal
potential
data
pixel
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JP22764794A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Danjo
信二 檀上
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

PURPOSE: To make it possible to rapidly charge the charges meeting the potential of data signals to pixel capacitors and to rapidly execute rewriting to pixels. CONSTITUTION: A liquid crystal element 10 is provided with plural TFTs 17 respective corresponding to the respective data lines 13 thereof. The gate electrodes G' of the respective TFTs 17 are connected to a control element 18 and the source electrodes S' are connected to a prescribed potential terminal 19 connected to the prescribed electric charge reference potential VL. The drain electrodes D' are connected respectively to the respective data lines 14 and a charge control section 32 for supplying the signals to turn the TFTs 17 on in the initial period of the selection period of the respective address lines 13 is connected to the control terminal 18.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタを能
動素子とするアクティブマトリックス型液晶素子を用い
たアクティブマトリックス液晶表示装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device using an active matrix type liquid crystal element having a thin film transistor as an active element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜トランジスタを能動素子とす
るアクティブマトリックス型液晶素子を用いたアクティ
ブマトリックス液晶表示装置は、前記アクティブマトリ
ックス型液晶素子と、この液晶素子の各アドレスライン
にゲート信号を供給するアドレスドライバと、前記液晶
素子の各データラインにデータ信号を供給するデータド
ライバとによって構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an active matrix type liquid crystal display device using an active matrix type liquid crystal element having a thin film transistor as an active element has an address for supplying a gate signal to the active matrix type liquid crystal element and each address line of the liquid crystal element. It is composed of a driver and a data driver for supplying a data signal to each data line of the liquid crystal element.

【0003】上記アクティブマトリックス型液晶素子
は、液晶層をはさんで対向する一対の透明基板の一方
に、行方向および列方向に並べてマトリックス状に配列
された複数の画素電極と、これら各画素電極にそれぞれ
対応させて配置された薄膜トランジスタからなる能動素
子と、各画素電極行ごとにその一側に沿わせて配線され
た複数のアドレスラインと、各画素電極列ごとにその一
側に沿わせて配線された複数のデータラインとを設け、
他方の基板に、前記各画素電極に対向する対向電極を設
けたものであり、このアクティブマトリックス型液晶素
子としては、一般に、液晶の分子を両基板間においてツ
イスト配向させ、両基板の外面にそれぞれ偏光板を配置
した、ツィステッド・ネマティック方式のものが利用さ
れている。
The above-mentioned active matrix type liquid crystal element has a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a row direction and a column direction on one of a pair of transparent substrates facing each other across a liquid crystal layer, and each of these pixel electrodes. To each of the pixel electrode rows, a plurality of address lines wired along one side of each pixel electrode row, and each pixel electrode column along one side thereof. Providing a plurality of wired data lines,
The other substrate is provided with a counter electrode facing each of the pixel electrodes.In this active matrix type liquid crystal element, generally, liquid crystal molecules are twist-aligned between the two substrates, and the outer surfaces of the two substrates are respectively arranged. A twisted nematic type with a polarizing plate is used.

【0004】このアクティブマトリックス液晶表示装置
は、上記液晶素子の各アドレスラインに順次アドレスド
ライバからゲート信号を供給し、そのタイミングに合わ
せてデータドライバから画像データに応じたデータ信号
を各データラインに供給して液晶素子を駆動するもの
で、アドレスラインにゲート信号を供給すると、このア
ドレスラインに対応する行の各能動素子(薄膜トランジ
スタ)がゲート信号の印加によってオン状態になり、そ
の行の各画素電極と対向電極との間に、データドライバ
から各データラインに供給されるデータ信号の電位に応
じた電圧が印加されて、その電荷が画素電極と対向電極
とその間の液晶層とで構成される容量(以下、画素容量
という)にチャージされ、画素が書込み状態になる。
In this active matrix liquid crystal display device, a gate signal is sequentially supplied from an address driver to each address line of the liquid crystal element, and a data signal corresponding to image data is supplied to each data line from a data driver at the timing. When a gate signal is supplied to an address line, each active element (thin film transistor) in the row corresponding to the address line is turned on by the application of the gate signal, and each pixel electrode in that row is driven. A voltage corresponding to the potential of the data signal supplied to each data line from the data driver is applied between the counter electrode and the counter electrode, and the charge is a capacitance formed by the pixel electrode, the counter electrode, and the liquid crystal layer between them. (Hereinafter, referred to as pixel capacitance) is charged, and the pixel is in a writing state.

【0005】そして、前記アドレスラインの選択期間
(ゲート信号の供給期間)が経過し、そのアドレスライ
ンへのゲート信号の供給が断たれると、このアドレスラ
インに対応する行の各能動素子がオフ状態になって前記
画素容量にチャージされた電荷が次の選択期間まで保持
され、画素が書込み状態に保たれる。
When the address line selection period (gate signal supply period) elapses and the gate signal supply to the address line is cut off, each active element in the row corresponding to the address line is turned off. In this state, the electric charge charged in the pixel capacitor is held until the next selection period, and the pixel is held in the written state.

【0006】また、前記アドレスラインの非選択期間が
経過して次の選択期間になり、このアドレスラインに再
びゲート信号が供給されると、このアドレスラインに対
応する行の各能動素子がオン状態になるとともに、この
選択期間に供給されるデータ信号の電位に応じた電荷が
前記画素容量にチャージされて画素が新たな書込み状態
になり、その書込み状態が次の選択期間まで保持され
る。以下は、上記動作の繰返しであり、各アドレスライ
ンの選択期間ごとに、その行の各画素が書替えられる。
When the non-selection period of the address line elapses and the next selection period starts, and the gate signal is supplied to this address line again, each active element in the row corresponding to this address line is turned on. At the same time, the electric charge according to the potential of the data signal supplied in this selection period is charged in the pixel capacitor to put the pixel in a new writing state, and the writing state is held until the next selection period. The following is a repetition of the above operation, and each pixel in the row is rewritten every selection period of each address line.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アクテ
ィブマトリックス液晶表示装置における液晶素子の各画
素容量への電荷のチャージは、データドライバから供給
されるデータ信号の電位と、前記画素容量に保持されて
いる電荷量に基づく画素電極の電位との差に対応し、デ
ータ信号の電位が画素電極の電位より高い場合は正のチ
ャージ(データドライバから画素容量への電荷の注入)
となり、データ信号の電位が画素電極の電位より低い場
合は負のチャージ、すなわち放電(画素容量からデータ
ドライバへの電荷の吸い込み)となる。
By the way, the charge of each pixel capacitance of the liquid crystal element in the above active matrix liquid crystal display device is held by the potential of the data signal supplied from the data driver and the pixel capacitance. Corresponding to the difference from the pixel electrode potential based on the amount of charge that is present, positive charge when the data signal potential is higher than the pixel electrode potential (injection of charge from the data driver to the pixel capacitance)
When the potential of the data signal is lower than the potential of the pixel electrode, negative charge, that is, discharge (absorption of charge from the pixel capacitance to the data driver) is performed.

【0008】しかし、従来のアクティブマトリックス液
晶表示装置は、画素容量への電荷のチャージをデータド
ライバで行なうものであるため、上記負のチャージに時
間がかかっていた。これは、データドライバのデータ信
号出力側から見たインピーダンスが高いためである。
However, since the conventional active matrix liquid crystal display device charges the pixel capacitance with the data driver, the negative charge takes time. This is because the impedance seen from the data signal output side of the data driver is high.

【0009】そして、従来のアクティブマトリックス液
晶表示装置では、各行の画素への書込み時間、つまり各
アドレスラインの選択期間の長さを、画素容量の充電お
よび放電に要する時間を基準として設定しているが、放
電に要する時間が上述したように長いため、各アドレス
ラインの選択期間をある程度長くとらなければならず、
したがって、液晶素子の駆動デューティを高くすること
ができなかった。
In the conventional active matrix liquid crystal display device, the writing time to the pixels in each row, that is, the length of the selection period of each address line is set with reference to the time required to charge and discharge the pixel capacitance. However, since the time required for discharging is long as described above, the selection period of each address line must be set to a certain length,
Therefore, the drive duty of the liquid crystal element cannot be increased.

【0010】本発明は、データ信号の電位に応じた電荷
を画素容量に速やかにチャージして短時間で画素への書
替えを行なうことができる、高デューティでの時分割駆
動が可能なアクティブマトリックス液晶表示装置を提供
することを目的としたものである。
According to the present invention, an active matrix liquid crystal capable of time division driving with high duty capable of rapidly charging a pixel capacitance with electric charges according to the potential of a data signal to rewrite a pixel in a short time. It is intended to provide a display device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタを能動素子とするアクティブマトリックス型液晶素
子と、前記液晶素子の各アドレスラインにゲート信号を
供給するアドレスドライバと、前記液晶素子の各データ
ラインにデータ信号を供給するデータドライバとを備え
たアクティブマトリックス液晶表示装置において、前記
液晶素子の一対の基板のうち、画素電極と能動素子とア
ドレスラインおよびデータラインが設けられている基板
に、前記各データラインにそれぞれ対応する複数の薄膜
トランジスタを設け、これら各薄膜トランジスタのゲー
ト電極を制御端子につなぎ、ソース,ドレイン電極の一
方を所定の電位に接続される所定電位端子につなぎ、前
記ソース,ドレイン電極の他方を前記各データラインに
それぞれつなぐとともに、前記制御端子に、前記各アド
レスラインの選択期間の初期に前記薄膜トランジスタを
オンさせる信号を供給する手段を接続したことを特徴と
するものである。
According to the present invention, an active matrix type liquid crystal element having a thin film transistor as an active element, an address driver for supplying a gate signal to each address line of the liquid crystal element, and each data line of the liquid crystal element. In the active matrix liquid crystal display device including a data driver for supplying a data signal to a substrate, among the pair of substrates of the liquid crystal element, the substrate on which the pixel electrode, the active element, the address line and the data line are provided, A plurality of thin film transistors corresponding to the data lines are provided, the gate electrodes of these thin film transistors are connected to the control terminal, and one of the source and drain electrodes is connected to a predetermined potential terminal connected to a predetermined potential, and the source and drain electrodes If the other is connected to each of the data lines, Moni, to the control terminal, is characterized in that it has connecting means for supplying a signal for turning on the TFT early in the selection period of each address line.

【0012】本発明において、前記所定の電位は、デー
タ信号の電位のうち最も低い電位付近に設定するのが望
ましい。また、前記所定電位端子と制御端子はそれぞれ
1つずつでよく、その場合は、各薄膜トランジスタのゲ
ート電極を前記制御端子に共通接続し、ソース,ドレイ
ン電極の一方を前記所定電位端子に共通接続すればよ
い。
In the present invention, it is desirable that the predetermined potential is set near the lowest potential of the potentials of the data signal. In addition, one each of the predetermined potential terminal and the control terminal may be used. In that case, the gate electrode of each thin film transistor may be commonly connected to the control terminal, and one of the source and drain electrodes may be commonly connected to the predetermined potential terminal. Good.

【0013】[0013]

【作用】本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置
は、各アドレスラインの選択期間の初期に、各データラ
インにそれぞれ接続されている各薄膜トランジスタをオ
ンさせることにより、選択されたアドレスラインに対応
する行の各画素電極を一時的にアドレスラインおよび前
記薄膜トランジスタを介して所定の電位につなぎ、その
行の画素容量と所定の電位との間で前記画素電極の電位
と所定電位との差に応じた電荷の授受を行なわせて、前
記画素容量に保持されている電荷の量を前記所定の電位
に応じた所定の電荷量にし、その後前記画素容量に、こ
の画素容量の保持電荷量とデータドライバから供給され
るデータ信号の電位に応じた電荷量との差分の電荷をチ
ャージして、この画素容量に、データ信号に応じた量の
電荷を保持させるようにしたものである。
In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, by turning on each thin film transistor connected to each data line at the beginning of the selection period of each address line, the row corresponding to the selected address line is turned on. Each pixel electrode is temporarily connected to a predetermined potential via the address line and the thin film transistor, and a charge corresponding to the difference between the pixel electrode potential and the predetermined potential between the pixel capacitance of the row and the predetermined potential is applied. By carrying out transfer, the amount of electric charge held in the pixel capacitor is made a predetermined amount of electric charge corresponding to the predetermined electric potential, and then the amount of electric charge held in the pixel capacitor and the data driver are supplied to the pixel capacitor. A charge having a difference from the charge amount according to the potential of the data signal is charged, and the pixel capacitor holds the charge according to the data signal. Those were Unishi.

【0014】このアクティブマトリックス液晶表示装置
においては、選択期間の初期における画素容量と所定の
電位との間での電荷の授受が、薄膜トランジスタで構成
される低インピーダンスの回路を介して行なわれるた
め、画素容量に保持されている電荷の量を所定量にする
のに要する時間は極く僅かである。
In this active-matrix liquid crystal display device, since charges are transferred between the pixel capacitance and a predetermined potential in the initial stage of the selection period through a low impedance circuit formed of thin film transistors, The time required to bring the amount of charge held in the capacitor to a predetermined amount is extremely short.

【0015】また、このアクティブマトリックス液晶表
示装置においては、選択期間の初期に一旦画素容量に保
持されている電荷の量を所定の電荷量にしてから、この
画素容量に、その保持電荷量とデータドライバから供給
されるデータ信号の電位に応じた電荷量との差分の電荷
をチャージするため、前記所定の電位を、データ信号の
電位のうち最も低い電位付近に設定しておけば、画素容
量の保持電荷量を所定の電荷量にした後における前記画
素容量への電荷のチャージがほとんど正のチャージ(デ
ータドライバから画素容量への電荷の注入)となるか
ら、画素容量にデータ信号に応じた電荷を保持させるの
に要する時間も短くてよい。
Further, in this active matrix liquid crystal display device, the amount of electric charge held in the pixel capacitor is once set to a predetermined amount of electric charge at the beginning of the selection period, and then the held electric charge amount and data are stored in this pixel capacitor. In order to charge a charge having a difference from the charge amount corresponding to the potential of the data signal supplied from the driver, if the predetermined potential is set near the lowest potential of the data signal, the pixel capacitance Since the charge to the pixel capacitance after making the retained charge amount to a predetermined charge amount is almost positive charge (charge injection from the data driver to the pixel capacitance), the charge corresponding to the data signal is applied to the pixel capacitance. The time required to hold the can be short.

【0016】したがって、このアクティブマトリックス
液晶表示装置によれば、データ信号の電位に応じた電荷
を画素容量に速やかにチャージして短時間で画素への書
替えを行なうことができるから、高デューティでの時分
割駆動が可能である。
Therefore, according to this active matrix liquid crystal display device, charges corresponding to the potential of the data signal can be quickly charged to the pixel capacitance and rewriting to the pixel can be performed in a short time. Time division drive is possible.

【0017】しかも、このアクティブマトリックス液晶
表示装置は、選択期間の初期に画素容量の保持電荷量を
所定量にするための回路を構成する薄膜トランジスタ等
を、液晶素子の一対の基板のうちの画素電極と能動素子
とアドレスラインおよびデータラインを設ける基板に設
けたものであるため、この基板上に前記能動素子等を形
成する工程を利用して前記薄膜トランジスタ等を同時に
形成することができ、したがって、液晶素子の製造コス
トが高くなることはないし、また、前記回路を液晶素子
に組込んでいるため、液晶表示装置の構成が複雑化する
こともない。
In addition, in this active matrix liquid crystal display device, a thin film transistor or the like which forms a circuit for making the amount of charge held in the pixel capacitance to a predetermined amount in the initial period of the selection period is provided with the pixel electrode of the pair of substrates of the liquid crystal element. Since it is provided on the substrate on which the active element, the address line and the data line are provided, the thin film transistor and the like can be formed at the same time by using the process of forming the active element and the like on the substrate. The manufacturing cost of the device does not increase, and since the circuit is incorporated in the liquid crystal device, the structure of the liquid crystal display device does not become complicated.

【0018】さらに、本発明のアクティブマトリックス
液晶表示装置において、前記所定電位端子と制御端子を
それぞれ1つずつとし、各薄膜トランジスタのゲート電
極を前記制御端子に共通接続し、ソース,ドレイン電極
の一方を前記所定電位端子に共通接続すれば、前記所定
の電位および薄膜トランジスタをオンさせる信号の供給
手段をそれぞれ1箇所で液晶素子に接続できるため、液
晶表示装置の構成をより簡単にすることができる。
Further, in the active matrix liquid crystal display device of the present invention, the predetermined potential terminal and the control terminal are each one, the gate electrode of each thin film transistor is commonly connected to the control terminal, and one of the source and drain electrodes is connected. If the common connection is made to the predetermined potential terminal, the supply means for supplying the predetermined potential and the signal for turning on the thin film transistor can be connected to the liquid crystal element at one location respectively, so that the configuration of the liquid crystal display device can be simplified.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1および図2を
参照して説明する。図1は、この実施例のアクティブマ
トリックス液晶表示装置の構成を等価回路的に示す図で
あり、この液晶表示装置は、アクティブマトリックス型
液晶素子10と、この液晶素子10を駆動するアドレス
ドライバ30およびデータドライバ31と、チャージ制
御部32とによって構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit of the structure of the active matrix liquid crystal display device of this embodiment. This liquid crystal display device includes an active matrix liquid crystal element 10, an address driver 30 for driving the liquid crystal element 10, and The data driver 31 and the charge controller 32 are included.

【0020】まず、上記アクティブマトリックス型液晶
素子10の構成を説明すると、この液晶素子10は、そ
の具体的な構造は図示しないが、液晶層をはさんで対向
する一対の透明基板の一方に、行方向および列方向に並
べてマトリックス状に配列された複数の透明な画素電極
11と、これら各画素電極11にそれぞれ対応させて配
置された薄膜トランジスタからなる能動素子12と、各
画素電極行ごとにその一側に沿わせて配線された複数の
アドレスライン13と、各画素電極列ごとにその一側に
沿わせて配線された複数のデータライン14とを設け、
他方の基板に、前記各画素電極に対向する透明な対向電
極15を設けたものであり、この実施例では、液晶の分
子を両基板間においてツイスト配向させ、両基板の外面
にそれぞれ偏光板を配置した、ツィステッド・ネマティ
ック方式のものを用いている。
First, the structure of the active matrix type liquid crystal element 10 will be described. The liquid crystal element 10 has a specific structure, which is not shown in the figure. A plurality of transparent pixel electrodes 11 arranged in a matrix in the row direction and the column direction, active elements 12 made of thin film transistors arranged corresponding to the respective pixel electrodes 11, and the pixel electrodes for each pixel electrode row. A plurality of address lines 13 wired along one side and a plurality of data lines 14 wired along one side for each pixel electrode column are provided.
The other substrate is provided with a transparent counter electrode 15 facing each pixel electrode. In this embodiment, liquid crystal molecules are twist-aligned between the two substrates, and a polarizing plate is provided on the outer surface of each substrate. It uses the arranged twisted nematic type.

【0021】上記能動素子(薄膜トランジスタ)12
は、基板上に形成されたゲート電極と、このゲート電極
を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成さ
れたa−Si (アモルファスシリコン)等からなるi型
半導体膜と、このi型半導体膜の上に不純物をドープし
たa−Si 等からなるn型半導体膜を介して設けられた
ソース電極およびドレイン電極とからなっており、前記
n型半導体膜は、ソース電極とドレイン電極との間の部
分、つまり前記i型半導体膜のチャンネル領域において
切離されている。図1において、Gは上記能動素子12
のゲート電極、Sはソース電極、Dはドレイン電極であ
る。
The active element (thin film transistor) 12
Is a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film covering the gate electrode, an i-type semiconductor film made of a-Si (amorphous silicon) or the like formed on the gate insulating film, and the i A source electrode and a drain electrode provided on an n-type semiconductor film via an n-type semiconductor film made of, for example, a-Si doped with impurities. The n-type semiconductor film includes a source electrode and a drain electrode. Are separated from each other, that is, in the channel region of the i-type semiconductor film. In FIG. 1, G is the active element 12
Is a gate electrode, S is a source electrode, and D is a drain electrode.

【0022】また、上記アドレスライン13は、前記基
板上に配線されており、能動素子12のゲート電極Gは
このアドレスライン13に一体に形成されている。な
お、能動素子12のゲート絶縁膜(窒化シリコン等から
なる透明膜)は、全ての能動素子12のゲート電極Gお
よびアドレスライン13を覆って基板のほぼ全面に設け
られており、各アドレスライン13の端子部13aは、
前記ゲート絶縁膜に開口を設けることによって露出され
ている。
The address line 13 is wired on the substrate, and the gate electrode G of the active element 12 is formed integrally with the address line 13. The gate insulating film of the active element 12 (a transparent film made of silicon nitride or the like) is provided on almost the entire surface of the substrate so as to cover the gate electrodes G and the address lines 13 of all the active elements 12, and each address line 13 is provided. The terminal portion 13a of
It is exposed by providing an opening in the gate insulating film.

【0023】そして、各画素電極11は、上記ゲート絶
縁膜の上に各能動素子12にそれぞれ対応させて形成さ
れており、この画素電極11はその端縁部において対応
する各能動素子12のソース電極Sに接続されている。
Each pixel electrode 11 is formed on the gate insulating film so as to correspond to each active element 12, and the pixel electrode 11 has the source of each active element 12 at its edge. It is connected to the electrode S.

【0024】また、上記データライン14は、上記ゲー
ト絶縁膜の上に各データライン14の配線領域にそれぞ
れ対応させて設けた層間絶縁膜の上に形成されており、
このデータライン14は、前記層間絶縁膜およびゲート
絶縁膜に設けたコンタクト孔において能動素子12のド
レイン電極Dに接続されている。
Further, the data line 14 is formed on an interlayer insulating film provided on the gate insulating film so as to correspond to the wiring regions of the data lines 14, respectively.
The data line 14 is connected to the drain electrode D of the active element 12 through a contact hole provided in the interlayer insulating film and the gate insulating film.

【0025】さらに、上記液晶素子10の一対の基板の
うち、画素電極11と能動素子12とアドレスライン1
3およびデータライン14が設けられている基板(以
下、能動素子形成基板という)には、液晶素子10の表
示領域(画素電極11の配列領域)を避けて、電荷チャ
ージ制御回路16が形成されている。
Further, among the pair of substrates of the liquid crystal element 10, the pixel electrode 11, the active element 12 and the address line 1 are provided.
A charge charge control circuit 16 is formed on a substrate (hereinafter referred to as an active element formation substrate) on which the liquid crystal 3 and the data line 14 are provided, while avoiding the display area of the liquid crystal element 10 (arrangement area of the pixel electrodes 11). There is.

【0026】上記電荷チャージ制御回路16は、各アド
レスライン13の選択期間の初期に、選択された行の各
画素容量(画素電極11と対向電極15とその間の液晶
層とで構成される容量)CLCの保持電荷量を所定量にす
るための回路であり、この電荷チャージ制御回路16
は、上記能動素子形成基板のデータライン端子部14a
を配列した側とは反対側に設けられている。
The charge / charge control circuit 16 has each pixel capacitance of the selected row at the beginning of the selection period of each address line 13 (capacity composed of the pixel electrode 11, the counter electrode 15 and the liquid crystal layer between them). This is a circuit for setting the amount of charge held in CLC to a predetermined amount.
Is the data line terminal portion 14a of the active element forming substrate.
Is provided on the side opposite to the side where the are arranged.

【0027】なお、この実施例では、液晶素子10の液
晶充填領域(一対の基板を接合する枠状シール材で囲ま
れた領域)を前記表示領域より大きくして、この液晶充
填領域内に電荷チャージ制御回路16を設け、この電荷
チャージ制御回路16を設けた領域を、一対の基板のう
ちの表示面側の基板に遮光膜を設けることによってマス
クしている。
In this embodiment, the liquid crystal filling area of the liquid crystal element 10 (the area surrounded by the frame-like sealing material that joins the pair of substrates) is made larger than the display area, and charges are stored in the liquid crystal filling area. The charge control circuit 16 is provided, and the region where the charge control circuit 16 is provided is masked by providing a light-shielding film on the substrate on the display surface side of the pair of substrates.

【0028】上記電荷チャージ制御回路16は、上記能
動素子形成基板の上に各データライン14にそれぞれ対
応させて複数の薄膜トランジスタ(以下、TFTと記
す)17を設けるとともに、これら各TFT17のゲー
ト電極G′を前記基板の縁部に設けた制御端子18につ
なぐとともに、この各TFT17のソース,ドレイン電
極の一方、例えばソース電極S′を、前記基板の縁部に
設けた所定電位端子19につなぎ、さらに、各TFT1
7のソース,ドレイン電極の他方、例えばドレイン電極
D′を、前記各データライン14の末端にそれぞれつな
いで構成されている。
The charge / charge control circuit 16 is provided with a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) 17 corresponding to the data lines 14 on the active element formation substrate, and the gate electrodes G of the respective TFTs 17. ′ Is connected to a control terminal 18 provided on the edge of the substrate, and one of the source and drain electrodes of each TFT 17, for example, the source electrode S ′ is connected to a predetermined potential terminal 19 provided on the edge of the substrate. Furthermore, each TFT1
The other of the source and drain electrodes of 7, such as a drain electrode D ', is connected to the end of each data line 14, respectively.

【0029】また、この実施例では、上記制御端子18
と所定電位端子19とをそれぞれ1つずつ設け、各TF
T17のゲート電極G′をゲート配線20を介して1つ
の制御端子18に共通接続し、各TFT17のソース電
極S′をソース配線21を介して1つの所定電位端子1
9に共通接続している。
Also, in this embodiment, the control terminal 18 is
And one predetermined potential terminal 19 are provided for each TF
The gate electrode G'of T17 is commonly connected to one control terminal 18 via the gate wiring 20, and the source electrode S'of each TFT 17 is connected to one predetermined potential terminal 1 via the source wiring 21.
9 is commonly connected.

【0030】上記TFT17は、上記能動素子12に用
いた薄膜トランジスタと同じ構造のものであり、このT
FT17のゲート電極とゲート配線20および制御端子
18は、能動素子12のゲート電極Gおよびアドレスラ
イン13と同じ金属膜によって基板上に形成されてい
る。
The TFT 17 has the same structure as the thin film transistor used for the active element 12, and
The gate electrode of the FT 17, the gate wiring 20, and the control terminal 18 are formed on the substrate by the same metal film as the gate electrode G of the active element 12 and the address line 13.

【0031】また、上記TFT17のゲート絶縁膜は上
記能動素子12のゲート絶縁膜と一体の膜であり、TF
T17のi型半導体膜およびn型半導体膜とソース,ド
レイン電極S′,D′はそれぞれ上記能動素子12のも
のと同じ半導体膜および金属膜で形成されている。な
お、上記ゲート配線20は前記ゲート絶縁膜で覆われて
おり、制御端子18はゲート絶縁膜に開口を設けること
によって露出されている。
The gate insulating film of the TFT 17 is a film integrated with the gate insulating film of the active element 12, and TF
The i-type semiconductor film and the n-type semiconductor film of T17 and the source and drain electrodes S'and D'are formed of the same semiconductor film and metal film as those of the active element 12, respectively. The gate wiring 20 is covered with the gate insulating film, and the control terminal 18 is exposed by forming an opening in the gate insulating film.

【0032】さらに、上記各データライン14の配線領
域にそれぞれ対応させて設けられている上述した層間絶
縁膜は、電荷チャージ制御回路16の形成領域にもその
ほぼ全体にわたって形成されており、各データライン1
4は、各TFT17上の部分まで延長され、前記層間絶
縁膜およびゲート絶縁膜に設けたコンタクト孔において
各TFT17のドレイン電極D′にそれぞれ接続されて
いる。
Further, the above-mentioned interlayer insulating film provided corresponding to the wiring region of each data line 14 is also formed almost entirely in the formation region of the charge / charge control circuit 16, and each data region is formed. Line 1
Reference numeral 4 extends to a portion above each TFT 17 and is connected to the drain electrode D ′ of each TFT 17 through a contact hole formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film.

【0033】また、上記ソース配線21と所定電位端子
19は、前記層間絶縁膜の上にデータライン14と同じ
金属膜によって形成されており、前記ソース配線21
は、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜に設けたコンタクト
孔においてTFT17のソース電極S′に接続されてい
る。
The source wiring 21 and the predetermined potential terminal 19 are formed of the same metal film as the data line 14 on the interlayer insulating film.
Are connected to the source electrode S'of the TFT 17 through contact holes provided in the interlayer insulating film and the gate insulating film.

【0034】そして、上記液晶素子10の各アドレスラ
イン13の端子部13aには、これら各アドレスライン
13に順次ゲート信号を供給するアドレスドライバ30
が接続され、各データライン14の端子部14aには、
これら各データライン14に画像データに応じた電位の
データ信号を供給するデータドライバ31が接続されて
おり、また電荷チャージ制御回路16の制御端子18に
はチャージ制御部32が接続されている。
An address driver 30 for sequentially supplying a gate signal to each address line 13 is provided to the terminal portion 13a of each address line 13 of the liquid crystal element 10.
Is connected to the terminal portion 14a of each data line 14,
A data driver 31 for supplying a data signal having a potential corresponding to image data is connected to each of the data lines 14, and a charge control unit 32 is connected to a control terminal 18 of the charge / charge control circuit 16.

【0035】上記アドレスドライバ30は、上記各アド
レスライン13を順次選択してこれらアドレスライン1
3に順次ゲート信号を供給するもので、このゲート信号
の電位は、図示しない電源部でつくられてアドレスドラ
イバ30に供給される。
The address driver 30 sequentially selects the address lines 13 to select the address lines 1
3, a gate signal is sequentially supplied to the gate signal 3, and the potential of this gate signal is supplied to the address driver 30 after being generated by a power supply unit (not shown).

【0036】また、データドライバ31は、全てのアド
レスライン13の選択期間ごとに各データライン14に
それぞれデータ信号を供給するもので、各データライン
14に供給されるデータ信号の電位も、前記電源部でつ
くられてデータドライバ31に供給される。
The data driver 31 supplies a data signal to each data line 14 in every selection period of all the address lines 13, and the potential of the data signal supplied to each data line 14 is also the power supply. And is supplied to the data driver 31.

【0037】一方、チャージ制御部32は、全てのアド
レスライン13の選択期間の初期に、電荷チャージ制御
回路16のTFT17をオンさせる信号(以下、チャー
ジ制御信号という)を制御端子18に供給するもので、
このチャージ制御信号の電位も、前記電源部でつくられ
て電荷チャージ制御部32に供給される。
On the other hand, the charge control section 32 supplies a signal (hereinafter referred to as a charge control signal) for turning on the TFT 17 of the charge charge control circuit 16 to the control terminal 18 at the beginning of the selection period of all the address lines 13. so,
The potential of the charge control signal is also generated by the power supply unit and supplied to the charge charge control unit 32.

【0038】さらに、上記電源部には、対向電極15に
供給する電位と、電荷チャージ制御回路16によって制
御する電荷チャージの基準となる所定の電位(以下、電
荷チャージ基準電位という)とが設定されており、液晶
素子10の対向電極15は前記電源部の対向電極電位に
接続され、電荷チャージ制御回路16の所定電位端子1
9は前記電源部の電荷チャージ基準電位VL に接続され
ている。
Further, a potential to be supplied to the counter electrode 15 and a predetermined potential (hereinafter referred to as a charge charge reference potential) which is a reference for charge charge controlled by the charge charge control circuit 16 are set in the power supply section. Therefore, the counter electrode 15 of the liquid crystal element 10 is connected to the counter electrode potential of the power source unit, and the predetermined potential terminal 1 of the charge charge control circuit 16 is connected.
Reference numeral 9 is connected to the charge charge reference potential VL of the power source section.

【0039】上記のように構成されたアクティブマトリ
ックス液晶表示装置の動作を説明すると、この液晶表示
装置では、液晶素子10の各画素への書込みを次のよう
な方法で行なう。
The operation of the active matrix liquid crystal display device configured as described above will be described. In this liquid crystal display device, writing to each pixel of the liquid crystal element 10 is performed by the following method.

【0040】図2は、上記液晶素子10の第1行のアド
レスライン13に供給するゲート信号の波形と、電荷チ
ャージ制御回路16の制御端子18に供給するチャージ
制御信号の波形と、1つのデータライン14に供給する
データ信号の波形と、第1行の1つの画素の電極間電圧
(画素電極11と対向電極15との間の電圧)の変化と
を示している。
FIG. 2 shows the waveform of the gate signal supplied to the address line 13 of the first row of the liquid crystal element 10, the waveform of the charge control signal supplied to the control terminal 18 of the charge charge control circuit 16, and one data. The waveform of the data signal supplied to the line 14 and the change in the inter-electrode voltage (voltage between the pixel electrode 11 and the counter electrode 15) of one pixel in the first row are shown.

【0041】図2において、TF は1フレーム期間、T
s は各アドレスライン13の選択期間であり、この選択
期間Ts の初期の時間t1 は、画素容量CLCの保持電荷
量を所定量にするための電荷量制御時間とされ、残りの
時間t2 が画素容量CLCにデータ信号の電位に応じた電
荷をチャージする書込み時間とされている。
In FIG. 2, TF is one frame period and T
s is a selection period of each address line 13, an initial time t1 of the selection period Ts is a charge amount control time for making the amount of charge held in the pixel capacitance CLC a predetermined amount, and the remaining time t2 is a pixel period. The writing time is set to charge the capacitor CLC with electric charges according to the potential of the data signal.

【0042】上記ゲート信号は、このゲート信号が供給
されるアドレスライン13の選択期間Ts に能動素子1
2をオンさせる電位になる信号であり、能動素子12
は、選択期間Ts 中だけ前記ゲート信号によってオン状
態になる。
The gate signal is supplied to the active element 1 during the selection period Ts of the address line 13 to which the gate signal is supplied.
2 is a signal which becomes a potential to turn on the active element 12
Is turned on by the gate signal only during the selection period Ts.

【0043】また、上記チャージ制御信号は、全てのア
ドレスライン13の選択期間Ts の初期、つまり電荷量
制御時間t1 に、電荷チャージ制御回路16のTFT1
7をオンさせる電位になる信号であり、電荷チャージ制
御回路16の各TFT17は、各アドレスライン13の
選択期間Ts ごとに、その初期の電荷量制御時間t1だ
けオン状態になる。
The charge control signal is applied to the TFT1 of the charge charge control circuit 16 at the beginning of the selection period Ts of all the address lines 13, that is, at the charge amount control time t1.
This is a signal which becomes a potential for turning on 7, and each TFT 17 of the charge charge control circuit 16 is turned on for the initial charge amount control time t1 every selection period Ts of each address line 13.

【0044】一方、データ信号は、全てのアドレスライ
ン13の選択期間Ts ごとに、そのときの画像データに
応じて電位が変化する信号であり、このデータ信号は、
各アドレスライン13の選択期間Ts の初期に、上記電
荷量制御時間t1 だけ上記電荷チャージ基準電位VL に
なり、その後に画像データに応じた電位になる。
On the other hand, the data signal is a signal whose potential changes every selection period Ts of all the address lines 13 according to the image data at that time, and this data signal is
At the beginning of the selection period Ts of each address line 13, the charge charge reference potential VL is reached for the charge amount control time t1, and then the potential according to the image data is reached.

【0045】なお、図2に示したデータ信号の波形は、
画素電極11と対向電極15との間に印加する電圧の極
性(対向電極15に供給する電位V0 に対する極性)を
1フレームTF ごとに反転させる場合の波形である。
The waveform of the data signal shown in FIG.
This is a waveform when the polarity of the voltage applied between the pixel electrode 11 and the counter electrode 15 (the polarity with respect to the potential V0 supplied to the counter electrode 15) is inverted every frame TF.

【0046】また、上記電荷チャージ基準電位VL は、
データ信号の画像データに応じた電位のうちの最も低い
電位(負の極性で絶対値が最も大きい電位)の付近に設
定されている。
The charge charge reference potential VL is
It is set near the lowest potential (potential of negative polarity and largest absolute value) of the potentials corresponding to the image data of the data signal.

【0047】この液晶表示装置においては、各アドレス
ライン13の選択期間Ts ごとに、選択されたアドレス
ライン13に対応する行の各能動素子12が前記アドレ
スライン13に供給されるゲート信号によってオン状態
となり、その行の各画素電極11がそれぞれ能動素子1
2を介してアドレスライン13と導通するとともに、前
記選択期間Ts の初期に、電荷量制御時間t1 だけ、電
荷チャージ制御回路16の各TFT17が、チャージ制
御部32から供給されるチャージ制御信号によってオン
状態になる。
In this liquid crystal display device, each active element 12 in the row corresponding to the selected address line 13 is turned on by the gate signal supplied to the address line 13 in each selection period Ts of each address line 13. And each pixel electrode 11 in that row is an active element 1
2 is electrically connected to the address line 13 via 2 and at the beginning of the selection period Ts, each TFT 17 of the charge / charge control circuit 16 is turned on by the charge control signal supplied from the charge control unit 32 for the charge amount control time t1. It becomes a state.

【0048】そして、前記電荷チャージ制御回路16の
各TFT17がオン状態になると、選択されたアドレス
ライン13に対応する行の各画素電極11が、アドレス
ライン13および前記TFT17を介して、所定電位端
子19に接続されている電荷チャージ基準電位VL につ
ながり、この画素容量11と電荷チャージ基準電位VL
との間で、画素電極11と電荷チャージ基準電位VL と
の電位差に応じた電荷の授受が行なわれる。
When each TFT 17 of the charge / charge control circuit 16 is turned on, each pixel electrode 11 of the row corresponding to the selected address line 13 is connected to the predetermined potential terminal via the address line 13 and the TFT 17. 19 is connected to the charge charge reference potential VL, and the pixel capacitor 11 and the charge charge reference potential VL are connected.
Between the pixel electrode 11 and the charge-charge reference potential VL, the charge is exchanged according to the potential difference.

【0049】この場合、画素電極11の電位は画素容量
CLCに保持されている電荷量(前の選択期間の書込み状
態に対応する電荷量)に基づく電位であり、それに対し
て電荷チャージ基準電位VL はデータ信号の画像データ
に応じた電位のうちの最も低い電位付近に設定されてい
るため、画素容量11と電荷チャージ基準電位VL との
間での電荷の授受は、画素容量CLCから電荷チャージ基
準電位VL への電荷の吸い込みであり、この電荷の授受
により、画素容量CLCに保持されている電荷の量が、電
荷チャージ基準電位VL の電位に応じた所定の電荷量、
つまり画素電極11の電位が電荷チャージ基準電位VL
と等しくなる電荷量になる。
In this case, the potential of the pixel electrode 11 is a potential based on the amount of charge (the amount of charge corresponding to the write state in the previous selection period) held in the pixel capacitance CLC, whereas the charge charge reference potential VL. Is set near the lowest potential of the potentials corresponding to the image data of the data signal, the charge transfer between the pixel capacitance 11 and the charge charge reference potential VL is performed from the pixel capacitance CLC. This is the absorption of electric charge into the electric potential VL, and by the transfer of this electric charge, the amount of electric charge retained in the pixel capacitance CLC is a predetermined electric charge amount according to the electric potential of the electric charge charge reference electric potential VL,
That is, the potential of the pixel electrode 11 is the charge charge reference potential VL.
Is equal to

【0050】このときの画素電極11と対向電極15と
の間の電極間電圧は、図2のように、対向電極15の電
位V0 と、電荷チャージ基準電位VL との差、V0 −
(VL)である。
At this time, the inter-electrode voltage between the pixel electrode 11 and the counter electrode 15 is, as shown in FIG. 2, the difference between the potential V0 of the counter electrode 15 and the charge charge reference potential VL, V0 −.
(VL).

【0051】なお、上記画素電極11は、能動素子12
がオン状態にある選択期間Ts 中、データライン14を
介してデータドライバ31につながっているが、このデ
ータドライバ31のデータ信号出力側から見たインピー
ダンスが高いため、電荷チャージ制御回路16のTFT
17がオン状態にある間は、画素容量CLCとの電荷の授
受が電荷チャージ基準電位VL との間で行なわれる。
The pixel electrode 11 is the active element 12
Is connected to the data driver 31 via the data line 14 during the selection period Ts in which is on, the TFT of the charge / charge control circuit 16 has a high impedance as seen from the data signal output side of the data driver 31.
While 17 is in the ON state, the charge is transferred to and from the pixel capacitor CLC with the charge charge reference potential VL.

【0052】また、選択期間Ts の初期の電荷量制御時
間t1 が経過すると、電荷チャージ制御回路16の各T
FT17が、チャージ制御部32からのチャージ制御信
号がオフ電位となることによってオフし、前記画素電極
11と電荷チャージ基準電位VL との導通状態が断たれ
る。
When the initial charge amount control time t1 of the selection period Ts elapses, each T of the charge charge control circuit 16 is changed.
The FT 17 is turned off when the charge control signal from the charge control section 32 becomes the off potential, and the conduction state between the pixel electrode 11 and the charge charge reference potential VL is cut off.

【0053】そして、データドライバ31から各データ
ライン14に供給されるデータ信号の電位は、選択期間
Ts の初期の電荷量制御時間t1 中は電荷チャージ基準
電位VL であるが、その後の残りの時間t2 になると、
このデータ信号の電位が画像データに応じた電位になる
ため、前記残りの時間t2 に、画素電極11と対向電極
15との間に前記データ信号の電位に応じた電圧が図2
のように印加されて、前記画素容量CLCに、その保持電
荷量(電荷量制御時間t1 が経過した時点での電荷量)
とデータドライバ31から供給されるデータ信号の電位
に応じた電荷量との差分の電荷がチャージされ、この画
素容量CLCにデータ信号に応じた量の電荷が保持され
て、画素が新たな書込み状態になる。
The potential of the data signal supplied from the data driver 31 to each data line 14 is the charge charge reference potential VL during the initial charge amount control time t1 of the selection period Ts, but the remaining time thereafter. At t2,
Since the potential of the data signal becomes a potential corresponding to the image data, a voltage corresponding to the potential of the data signal is applied between the pixel electrode 11 and the counter electrode 15 during the remaining time t2.
And the amount of charge held in the pixel capacitor CLC (charge amount at the time when the charge amount control time t1 has elapsed).
And a charge amount of a difference between the charge amount according to the potential of the data signal supplied from the data driver 31 is charged, the charge corresponding to the data signal is held in the pixel capacitance CLC, and the pixel is newly written. become.

【0054】この場合、前記画素容量CLCの保持電荷量
は、上述した電荷チャージ基準電位VL との間での電荷
の授受によって、画素電極11の電位が電荷チャージ基
準電位VL と等しくなる電荷量になっており、この電荷
チャージ基準電位VL は、データ信号の画像データに応
じた電位のうちの最も低い電位付近に設定されているた
め、画素容量CLCへのデータ信号の電位に応じた電荷の
チャージのほとんどが、データドライバ31から画素容
量CLCに電荷を注入する正のチャージとなり、したがっ
て、この電荷のチャージは短時間で行なわれる。
In this case, the amount of charge held in the pixel capacitor CLC becomes the amount of charge at which the electric potential of the pixel electrode 11 becomes equal to the electric charge charge reference potential VL by the transfer of electric charge with the above-mentioned electric charge charge reference potential VL. Since the charge charge reference potential VL is set near the lowest potential of the potentials corresponding to the image data of the data signal, the charge of the charge corresponding to the potential of the data signal to the pixel capacitance CLC is performed. Most of the charges are positive charges for injecting charges from the data driver 31 to the pixel capacitance CLC, and thus the charges are charged in a short time.

【0055】また、前記アドレスライン13の選択期間
Ts が経過し、そのアドレスライン13へのゲート信号
の供給が断たれると、このアドレスライン13に対応す
る行の各能動素子12がオフ状態になって前記画素容量
CLCにチャージされた電荷が次の選択期間Ts まで保持
され、画素が書込み状態に保たれる。
When the selection period Ts of the address line 13 has passed and the supply of the gate signal to the address line 13 is cut off, each active element 12 in the row corresponding to the address line 13 is turned off. Then, the charges charged in the pixel capacitance CLC are held until the next selection period Ts, and the pixel is kept in the written state.

【0056】以下は、上記動作の繰返しであり、各アド
レスライン13の選択期間Ts ごとに、その行の各画素
容量CLCの保持電荷量がまず電荷チャージ基準電位VL
の電位に応じた所定の電荷量になり、その後この各画素
容量CLCにデータ信号の電位に応じた電荷がチャージさ
れて、その行の各画素が書替えられる。
The following is a repetition of the above-described operation. For each selection period Ts of each address line 13, the amount of charge held in each pixel capacitance CLC of that row is first the charge charge reference potential VL.
A predetermined charge amount corresponding to the electric potential of the data signal becomes, and then each pixel capacitance CLC is charged with an electric charge according to the electric potential of the data signal, and each pixel in the row is rewritten.

【0057】すなわち、上記液晶表示装置は、各アドレ
スライン13の選択期間の初期に、各データライン14
にそれぞれ接続されている電荷チャージ制御回路16の
各TFT17をオンさせることにより、選択されたアド
レスライン13に対応する行の各画素電極11を一時的
にアドレスライン13および前記TFT17を介して所
定の電荷チャージ基準電位VL につなぎ、その行の画素
容量CLCと前記電荷チャージ基準電位VL との間で、画
素電極11の電位と電荷チャージ基準電位VLとの電位
差に応じた電荷の授受を行なわせて、前記画素容量CLC
に保持されている電荷の量を前記電荷チャージ基準電位
VL に応じた所定の電荷量にし、その後前記画素容量C
LCに、その保持電荷量とデータドライバ31から供給さ
れるデータ信号の電位に応じた電荷量との差分の電荷を
チャージして、この画素容量CLCにデータ信号に応じた
量の電荷を保持させるようにしたものである。
That is, in the liquid crystal display device, each data line 14 is set at the beginning of the selection period of each address line 13.
By turning on each TFT 17 of the charge charge control circuit 16 which is connected to the pixel electrode 11, each pixel electrode 11 of the row corresponding to the selected address line 13 is temporarily driven through the address line 13 and the TFT 17. By connecting to the charge charge reference potential VL, charge is transferred between the pixel capacitance CLC of the row and the charge charge reference potential VL in accordance with the potential difference between the pixel electrode 11 potential and the charge charge reference potential VL. , The pixel capacitance CLC
The amount of electric charge held in the pixel capacitor C is set to a predetermined amount according to the electric charge charge reference potential VL,
The LC is charged with a charge having a difference between the held charge amount and the charge amount according to the potential of the data signal supplied from the data driver 31, and the pixel capacitor CLC is made to hold the charge according to the data signal. It was done like this.

【0058】そして、この液晶表示装置においては、選
択期間Ts の初期における画素容量CLCと前記電荷チャ
ージ基準電位VL との間での電荷の授受が、TFT17
で構成される低インピーダンスの電荷チャージ制御回路
16を介して行なわれるため、画素容量CLCに保持され
ている電荷の量を所定量にするのに要する時間は極く僅
かであり、したがって、選択期間Ts の初期に確保する
電荷量制御時間時間t1 は極く短かい時間でよい。
In this liquid crystal display device, the transfer of charges between the pixel capacitance CLC and the charge charge reference potential VL at the beginning of the selection period Ts is performed by the TFT 17
Since it is performed via the low-impedance charge charge control circuit 16 configured by, the time required to bring the amount of charge held in the pixel capacitance CLC to a predetermined amount is extremely short, and therefore the selection period The charge amount control time t1 secured at the beginning of Ts may be a very short time.

【0059】また、この液晶表示装置においては、選択
期間Ts の初期に一旦画素容量CLCに保持されている電
荷の量を所定の電荷量にしてから、この画素容量CLC
に、その保持電荷量とデータドライバ31から供給され
るデータ信号の電位に応じた電荷量との差分の電荷をチ
ャージするため、前記電荷チャージ基準電位VL を、デ
ータ信号の電位のうち最も低い電位付近に設定しておけ
ば、画素容量CLCの保持電荷量を所定の電荷量にした後
における前記画素容量CLCへの電荷のチャージがほとん
ど正のチャージ(データドライバ31から画素容量CLC
への電荷の注入)となるから、画素容量CLCにデータ信
号に応じた電荷を保持させるのに要する時間も短くてよ
い。
Further, in this liquid crystal display device, after the amount of electric charge held in the pixel capacitance CLC is set to a predetermined electric charge at the beginning of the selection period Ts, the pixel capacitance CLC is changed.
In order to charge the difference between the held charge amount and the charge amount corresponding to the potential of the data signal supplied from the data driver 31, the charge charge reference potential VL is set to the lowest potential of the data signal. If it is set in the vicinity, the charge of the pixel capacitance CLC after the held charge amount of the pixel capacitance CLC is set to a predetermined charge amount is almost positive (from the data driver 31 to the pixel capacitance CLC.
Since the charge is injected into the pixel capacitor CLC, the time required to hold the charge corresponding to the data signal in the pixel capacitor CLC may be short.

【0060】したがって、上記液晶表示装置によれば、
データ信号の電位に応じた電荷を画素容量CLCに速やか
にチャージして短時間で画素への書替えを行なうことが
できるから、高デューティでの時分割駆動が可能であ
る。
Therefore, according to the above liquid crystal display device,
Since the electric charge according to the potential of the data signal can be quickly charged to the pixel capacitor CLC to rewrite the pixel in a short time, it is possible to perform time division driving with high duty.

【0061】しかも、上記液晶表示装置は、選択期間T
s の初期に画素容量CLCの保持電荷量を所定量にするた
めの電荷チャージ制御回路16を構成するTFT17等
を、液晶素子10の一対の基板のうちの画素電極11と
能動素子12とアドレスライン13およびデータライン
14を設ける基板に設けたものであるため、この基板上
に前記能動素子12等を形成する工程を利用して前記電
荷チャージ制御回路16のTFT17等を同時に形成す
ることができ、したがって、液晶素子10の製造コスト
が高くなることはないし、また、前記電荷チャージ制御
回路16を液晶素子10に組込んでいるため、液晶表示
装置の構成が複雑化することもない。
Moreover, the liquid crystal display device has the selection period T
In the initial stage of s, the TFT 17 and the like constituting the charge charge control circuit 16 for setting the amount of charge held in the pixel capacitance CLC to a predetermined amount are formed by the pixel electrode 11 of the pair of substrates of the liquid crystal element 10, the active element 12, the address line 13 and the data line 14 are provided on the substrate, the TFT 17 of the charge charge control circuit 16 and the like can be simultaneously formed by using the process of forming the active element 12 and the like on the substrate. Therefore, the manufacturing cost of the liquid crystal element 10 does not increase, and since the charge charge control circuit 16 is incorporated in the liquid crystal element 10, the structure of the liquid crystal display device does not become complicated.

【0062】さらに、上記液晶表示装置においては、前
記電荷チャージ制御回路16の所定電位端子19と制御
端子18をそれぞれ1つずつとし、各TFT17のゲー
ト電極G′を前記制御端子18に共通接続し、ソース,
ドレイン電極S′,D′一方(上記実施例ではソース電
極S′)を前記所定電位端子19に共通接続しているた
め、前記電荷チャージ基準電位VL およびTFT17を
オンさせるチャージ制御信号を供給するチャージ制御部
32をそれぞれ1箇所で液晶素子10に接続できるた
め、液晶表示装置の構成をより簡単にすることができ
る。
Further, in the above liquid crystal display device, the charge charge control circuit 16 has one predetermined potential terminal 19 and one control terminal 18, and the gate electrode G'of each TFT 17 is commonly connected to the control terminal 18. ,Source,
Since one of the drain electrodes S'and D '(source electrode S'in the above embodiment) is commonly connected to the predetermined potential terminal 19, the charge charge reference signal VL and a charge control signal for turning on the TFT 17 are supplied. Since the controller 32 can be connected to the liquid crystal element 10 at each one location, the configuration of the liquid crystal display device can be simplified.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明のアクティブマトリックス液晶表
示装置は、液晶素子に、その各データラインにそれぞれ
対応する複数のTFTを設け、これら各TFTのゲート
電極を制御端子につなぎ、ソース,ドレイン電極の一方
を所定の電位に接続される所定電位端子につなぎ、前記
ソース,ドレイン電極の他方を前記各データラインにそ
れぞれつなぐとともに、前記制御端子に、前記各アドレ
スラインの選択期間の初期に前記TFTをオンさせる信
号を供給する手段を接続したものであるから、データ信
号の電位に応じた電荷を画素容量に速やかにチャージし
て短時間で画素への書替えを行なうことができ、したが
って、高デューティでの時分割駆動が可能である。
In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, the liquid crystal element is provided with a plurality of TFTs corresponding to the respective data lines, and the gate electrodes of these TFTs are connected to the control terminals to form the source and drain electrodes. One of them is connected to a predetermined potential terminal connected to a predetermined potential, the other of the source and drain electrodes is connected to each of the data lines, and the control terminal is connected to the TFT at the beginning of the selection period of each of the address lines. Since the means for supplying the signal for turning on is connected, the electric charge according to the potential of the data signal can be quickly charged to the pixel capacitance to rewrite the pixel in a short time. It is possible to drive in time division.

【0064】しかも、このアクティブマトリックス液晶
表示装置は、選択期間の初期に画素容量の保持電荷量を
所定量にするための回路を構成するTFT等を、液晶素
子の一対の基板のうちの画素電極と能動素子とアドレス
ラインおよびデータラインを設ける基板に設けたもので
あるため、この基板上に前記能動素子等を形成する工程
を利用して前記TFT等を同時に形成することができ、
したがって、液晶素子の製造コストが高くなることはな
いし、また、前記回路を液晶素子に組込んでいるため、
液晶表示装置の構成が複雑化することもない。
Moreover, in this active matrix liquid crystal display device, a TFT or the like which constitutes a circuit for setting the amount of charge held in the pixel capacitance to a predetermined amount at the beginning of the selection period is provided with the pixel electrode of the pair of substrates of the liquid crystal element. Since it is provided on the substrate on which the active element, the address line and the data line are provided, the TFT and the like can be simultaneously formed by utilizing the step of forming the active element and the like on the substrate,
Therefore, the manufacturing cost of the liquid crystal element does not increase, and since the circuit is incorporated in the liquid crystal element,
The configuration of the liquid crystal display device does not become complicated.

【0065】さらに、本発明のアクティブマトリックス
液晶表示装置において、前記所定電位端子と制御端子を
それぞれ1つずつとし、各薄膜トランジスタのゲート電
極を前記制御端子に共通接続し、ソース,ドレイン電極
の一方を前記所定電位端子に共通接続すれば、前記所定
の電位および薄膜トランジスタをオンさせる信号の供給
手段をそれぞれ1箇所で液晶素子に接続できるため、液
晶表示装置の構成をより簡単にすることができる。
Further, in the active matrix liquid crystal display device of the present invention, each of the predetermined potential terminal and the control terminal is provided, the gate electrode of each thin film transistor is commonly connected to the control terminal, and one of the source and drain electrodes is connected. If the common connection is made to the predetermined potential terminal, the supply means for supplying the predetermined potential and the signal for turning on the thin film transistor can be connected to the liquid crystal element at one location respectively, so that the configuration of the liquid crystal display device can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例によるアクティブマトリック
ス液晶表示装置の構成を等価回路的に示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit configuration of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】液晶素子の第1行のアドレスラインに供給する
ゲート信号の波形と、電荷チャージ制御回路の制御端子
に供給するチャージ制御信号の波形と、1つのデータラ
インに供給するデータ信号の波形と、第1行の1つの画
素の電極間電圧の変化とを示す図。
FIG. 2 is a waveform of a gate signal supplied to an address line of a first row of a liquid crystal element, a waveform of a charge control signal supplied to a control terminal of a charge charge control circuit, and a waveform of a data signal supplied to one data line. FIG. 6 is a diagram showing changes in the inter-electrode voltage of one pixel in the first row.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…液晶素子 11…画素電極 12…能動素子 13…アドレスライン 14…データライン 15…対向電極 CLC…画素容量 16…電荷回路 17…TFT 18…制御端子 19…所定電位端子 30…アドレスドライバ 31…データドライバ 32…チャージ制御部 10 ... Liquid crystal element 11 ... Pixel electrode 12 ... Active element 13 ... Address line 14 ... Data line 15 ... Counter electrode CLC ... Pixel capacitance 16 ... Charge circuit 17 ... TFT 18 ... Control terminal 19 ... Predetermined potential terminal 30 ... Address driver 31 ... Data driver 32 ... Charge control unit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】薄膜トランジスタを能動素子とするアクテ
ィブマトリックス型液晶素子と、前記液晶素子の各アド
レスラインにゲート信号を供給するアドレスドライバ
と、前記液晶素子の各データラインにデータ信号を供給
するデータドライバとを備えたアクティブマトリックス
液晶表示装置であって、 前記液晶素子の一対の基板のうち、画素電極と能動素子
とアドレスラインおよびデータラインが設けられている
基板に、前記各データラインにそれぞれ対応する複数の
薄膜トランジスタが設けられ、これら各薄膜トランジス
タのゲート電極が制御端子につながり、ソース,ドレイ
ン電極の一方が所定の電位に接続される所定電位端子に
つながり、前記ソース,ドレイン電極の他方が前記各デ
ータラインにそれぞれつながっているとともに、 前記制御端子に、前記各アドレスラインの選択期間の初
期に前記薄膜トランジスタをオンさせる信号を供給する
手段が接続されていることを特徴とするアクティブマト
リックス液晶表示装置。
1. An active matrix type liquid crystal element using a thin film transistor as an active element, an address driver for supplying a gate signal to each address line of the liquid crystal element, and a data driver for supplying a data signal to each data line of the liquid crystal element. An active matrix liquid crystal display device comprising: a pair of substrates of the liquid crystal element, the substrate having pixel electrodes, active elements, address lines and data lines respectively corresponding to the data lines. A plurality of thin film transistors are provided, a gate electrode of each thin film transistor is connected to a control terminal, one of a source electrode and a drain electrode is connected to a predetermined potential terminal connected to a predetermined potential, and the other of the source and drain electrodes is connected to each of the data terminals. While connected to each line, The serial control terminal, an active matrix liquid crystal display device characterized by means for supplying a signal for turning on the TFT early in the selection period of each address line is connected.
【請求項2】所定の電位は、データ信号の電位のうち最
も低い電位付近に設定されていることを特徴とする請求
項1に記載のアクティブマトリックス液晶表示装置。
2. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the predetermined potential is set near the lowest potential of the potentials of the data signals.
【請求項3】所定電位端子と制御端子はそれぞれ1つず
つ設けられており、各薄膜トランジスタのゲート電極が
前記制御端子に共通接続され、ソース,ドレイン電極の
一方が前記所定電位端子に共通接続されていることを特
徴とする請求項1または請求項2に記載のアクティブマ
トリックス液晶表示装置。
3. A predetermined potential terminal and a control terminal are respectively provided, the gate electrode of each thin film transistor is commonly connected to the control terminal, and one of the source and drain electrodes is commonly connected to the predetermined potential terminal. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006003920A (en) * 1997-10-31 2006-01-05 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, electronic apparatus, and projection display device
CN103886843A (en) * 2013-11-01 2014-06-25 友达光电股份有限公司 Display device and driving method thereof
JP2017085119A (en) * 2009-09-24 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006003920A (en) * 1997-10-31 2006-01-05 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, electronic apparatus, and projection display device
JP2017085119A (en) * 2009-09-24 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
US10181481B2 (en) 2009-09-24 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN103886843A (en) * 2013-11-01 2014-06-25 友达光电股份有限公司 Display device and driving method thereof
CN103886843B (en) * 2013-11-01 2016-06-01 友达光电股份有限公司 Display device and driving method thereof

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