JPH0878342A - Formation method of n-type amorphous semiconductor and manufacture of photovoltaic device - Google Patents
Formation method of n-type amorphous semiconductor and manufacture of photovoltaic deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法等の
気相成長法を用いてｎ型非晶質半導体を形成する方法、
及び、この形成方法を利用して非晶質光起電力装置を製
造する方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an n-type amorphous semiconductor by using a vapor phase growth method such as a plasma CVD method,
And a method for manufacturing an amorphous photovoltaic device using this forming method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、クリーンなエネルギとして、太陽
光発電が注目されており、その中でも特に非晶質半導体
を用いた非晶質太陽電池は、コストの面で他の種類の太
陽電池よりも有望であるので、その研究開発が積極的に
進められている。2. Description of the Related Art In recent years, photovoltaic power generation has been attracting attention as clean energy. Among them, an amorphous solar cell using an amorphous semiconductor is more cost effective than other types of solar cells. Since it is promising, its research and development is being actively pursued.
【０００３】一般的な非晶質太陽電池は、ガラス基板の
上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透明導電膜、ｐ型，ｉ型，
ｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜、Ａｇ，Ａｕ等の裏
面電極をこの順に積層形成して構成されている。このａ
−Ｓｉ膜は、特開昭60-30182号公報にも開示されている
ように、ｐ型，ｉ型，ｎ型の各層を別々のプラズマＣＶ
Ｄ装置内で順次形成する、所謂、連続分離方式にて作製
されている。A typical amorphous solar cell has a transparent conductive film such as ITO or SnO 2 on a glass substrate, p-type, i-type,
An n-type amorphous silicon (a-Si) film and back electrodes such as Ag and Au are laminated in this order. This a
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 30182/1985, the -Si film is formed by separate plasma CV for p-type, i-type and n-type layers.
It is manufactured by a so-called continuous separation method in which the layers are sequentially formed in the D device.
【０００４】ところで、半導体材料としてのａ−Ｓｉの
歴史は、1975年にダンディ大学のSpear らが、水素でＳ
ｉの未結合手をターミネートすることによって膜の欠陥
を減らして価電子（ｐｎ）制御に成功したことから始ま
っており、現在までに既に20年近くの年数を経過してい
る。しかしながら、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＨ 4
ガスを分解してｉ型ａ−Ｓｉ層を形成し、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いてドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 を添加しな
がらＳｉＨ4 ガスを分解してｐ型ａ−Ｓｉ層を形成し、
プラズマＣＶＤ法を用いてドーピングガスとしてＰＨ3
を添加しながらＳｉＨ4 ガスを分解してｎ型ａ−Ｓｉ層
を形成するという手法は、現在に至るまで基本的には変
化していない。By the way, of a-Si as a semiconductor material
History is that in 1975, Spear et al.
Defects in the film due to termination of unbonded hands of i
It started from the fact that valence electron (pn) control was succeeded by reducing
It has been nearly 20 years to date.
It However, using the plasma CVD method, SiH Four
Gas is decomposed to form an i-type a-Si layer, plasma CV
B as a doping gas using method D2H6Do not add
Rattle SiHFourGas is decomposed to form a p-type a-Si layer,
PH as a doping gas using the plasma CVD method3
While adding SiHFourN-type a-Si layer by decomposing gas
The method of forming
It hasn't.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】民生用のａ−Ｓｉ光起
電力装置は、今日まで順調にその製品化が進められてき
たが、今後、ａ−Ｓｉ光起電力装置の電力用への実用化
を促進するためには、その光電変換の高効率化が最も重
要な課題である。即ち、具体的には、ａ−Ｓｉ光起電力
装置の光電変換体を構成しているｐｉｎ各層の更なる高
品質化が問題である。Consumer-use a-Si photovoltaic devices have been successfully commercialized to date, but in the future, practical use of a-Si photovoltaic devices for power will be realized. In order to accelerate the conversion, increasing the efficiency of photoelectric conversion is the most important issue. That is, specifically, there is a problem in further improving the quality of each pin layer forming the photoelectric conversion body of the a-Si photovoltaic device.
【０００６】これまで、ｉ型ａ−Ｓｉについては、低不
純化または反応条件の最適化などの点で、ｐ型ａ−Ｓｉ
については、炭素化またはドーピングガスとしてトリメ
チルボロン（Ｂ（ＣＨ3 ）3 ）の使用などの点でそれぞ
れに改善がなされており、かなりの成果をあげている。
しかしながら、ｎ型ａ−Ｓｉについては、窒素化または
微結晶化などの点においていろいろな試みがなされてい
るが、所望の成果をあげていないのが現状である。[0006] Up to now, regarding the i-type a-Si, p-type a-Si has been considered in terms of reduction of impurities or optimization of reaction conditions.
With respect to the above, the respective improvements have been made in terms of the use of trimethylboron (B (CH 3 ) 3 ) as a carbonization or doping gas, and considerable results have been achieved.
However, with respect to n-type a-Si, various attempts have been made in terms of nitriding or microcrystallization, but the current situation is that desired results have not been achieved.
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、ドーピングガスとしてターシャリブチルホスフ
ィンを用いることにより、ドーピング特性の改善を図っ
たｎ型非晶質半導体を形成できるｎ型非晶質半導体の形
成方法、及び、この形成方法を利用した光起電力装置の
製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and by using tert-butylphosphine as a doping gas, an n-type amorphous semiconductor capable of forming an n-type amorphous semiconductor with improved doping characteristics can be formed. It is an object of the present invention to provide a method for forming a high quality semiconductor and a method for manufacturing a photovoltaic device using this method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願の請求項１に係るｎ
型非晶質半導体の形成方法は、ドーピングガスとしてタ
ーシャリブチルホスフィンを用いることを特徴とする。N according to claim 1 of the present application
A method of forming a type amorphous semiconductor is characterized by using tert-butylphosphine as a doping gas.
【０００９】本願の請求項２に係るｎ型非晶質半導体の
形成方法は、真空容器内に導入したガスを分解して、ｎ
型非晶質半導体を形成する方法において、導電型を決定
するために添加するドーピングガスとしてターシャリブ
チルホスフィンを用いることを特徴とする。In the method of forming an n-type amorphous semiconductor according to claim 2 of the present application, the gas introduced into the vacuum chamber is decomposed to generate n
In a method of forming a type amorphous semiconductor, tert-butylphosphine is used as a doping gas added to determine the conductivity type.
【００１０】本願の請求項３に係るｎ型非晶質半導体の
形成方法は、請求項２において、前記ｎ型非晶質半導体
の主たる構成材料が、シリコンまたはゲルマニウム、或
いは、これらの酸化物，窒化物，炭化物であることを特
徴とする。In the method of forming an n-type amorphous semiconductor according to claim 3 of the present application, in claim 2, the main constituent material of the n-type amorphous semiconductor is silicon or germanium, or an oxide thereof. It is characterized by being nitride and carbide.
【００１１】本願の請求項４に係る光起電力装置の製造
方法は、光電変換層としてｐｉｎ接合の非晶質半導体膜
を有する光起電力装置を製造する方法において、ドーピ
ングガスとしてターシャリブチルホスフィンを用いて、
前記非晶質半導体膜のｎ層を形成することを特徴とす
る。The method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 4 of the present application is the method for manufacturing a photovoltaic device having a pin junction amorphous semiconductor film as a photoelectric conversion layer, wherein tert-butylphosphine is used as a doping gas. Using,
An n layer of the amorphous semiconductor film is formed.
【００１２】[0012]
【作用】本発明では、非晶質半導体の導電型（ｎ型）を
決定するために添加するドーピングガスとしてターシャ
リブチルホスフィン（（ＣＨ3 ）3 ＣＰＨ2 ）を使用す
る。よって、ドーピングガスとしてＰＨ3 ホスフィン
（ＰＨ3 ）を使用していた従来例に比べて、格段にドー
ピング特性が改善される。従って、本発明にて形成した
ｎ型非晶質半導体を非晶質光起電力装置に用いた場合、
変換効率等の装置特性を向上することが可能となる。In the present invention, tert-butylphosphine ((CH 3 ) 3 CPH 2 ) is used as a doping gas added to determine the conductivity type (n type) of an amorphous semiconductor. Therefore, the doping characteristics are significantly improved as compared with the conventional example in which PH 3 phosphine (PH 3 ) is used as the doping gas. Therefore, when the n-type amorphous semiconductor formed according to the present invention is used in an amorphous photovoltaic device,
It is possible to improve device characteristics such as conversion efficiency.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments.
【００１４】図１は、本発明のｎ型非晶質半導体の形成
方法の実施状態を示す概略図であり、図中１は真空チャ
ンバである。真空チャンバ１内には、上部放電電極2a、
及びヒータを内蔵した下部放電電極2bが対向して配置さ
れている。下部放電電極2b上には、成膜対象のガラス基
板３が載置されている。真空チャンバ１には、高周波電
源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧が印加される。ま
た、真空チャンバ１には排気システム５が接続されてお
り、その内部が真空状態に維持される。そして、上部放
電電極2a，下部放電電極2b間に真空放電が生じてプラズ
マが発生するようになっている。FIG. 1 is a schematic view showing an implementation state of the method for forming an n-type amorphous semiconductor of the present invention, in which 1 is a vacuum chamber. In the vacuum chamber 1, the upper discharge electrode 2a,
And a lower discharge electrode 2b containing a heater is arranged so as to face each other. The glass substrate 3 to be film-formed is placed on the lower discharge electrode 2b. A high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of 13.56 MHz to the vacuum chamber 1. An exhaust system 5 is connected to the vacuum chamber 1 and the inside thereof is maintained in a vacuum state. Then, a vacuum discharge is generated between the upper discharge electrode 2a and the lower discharge electrode 2b so that plasma is generated.
【００１５】真空チャンバ１は、配管９を介してＳｉＨ
4 ボンベ６及びターシャリブチルホスフィン（以下ＴＢ
Ｐという）ボンベ７に連結されている。配管９の中途に
は、ＳｉＨ4 のガス流量を制御するマスフローコントロ
ーラ8aとＴＢＰのガス流量を制御するマスフローコント
ローラ8bとが設けられている。ＴＢＰボンベ７の周囲に
はＴＢＰを気化するためのヒータ10が設置されている。
また、配管９にはその内部を加温するためのコイル11が
囲繞されている。The vacuum chamber 1 is connected to the SiH via a pipe 9.
4 cylinders 6 and tertiary butyl phosphine (hereinafter TB
It is connected to the cylinder 7 (referred to as P). A mass flow controller 8a for controlling the gas flow rate of SiH 4 and a mass flow controller 8b for controlling the gas flow rate of TBP are provided in the middle of the pipe 9. A heater 10 for vaporizing TBP is installed around the TBP cylinder 7.
A coil 11 for heating the inside of the pipe 9 is surrounded.
【００１６】次に、動作について説明する。真空チャン
バ１内の下部放電電極2b上にガラス基板３を載置し、排
気システム５により真空チャンバ１内を真空状態に維持
し、高周波電源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧を印
加する。一方、ＳｉＨ4 ボンベ６からマスフローコント
ローラ8aにてその流量を制御したＳｉＨ4 ガスを、コイ
ル11への通電により内部を50℃程度に維持した配管９を
介して真空チャンバ１内に導入する。また、ヒータ10に
て30〜40℃に加熱して気化させたＴＢＰボンベ７内のＴ
ＢＰガスを、マスフローコントローラ8bにてその流量を
制御し、配管９を介して真空チャンバ１内に導入する。
上部放電電極2a，下部放電電極2b間にプラズマが発生し
てＳｉＨ4 が分解され、またＴＢＰから解離されたＰが
ドープされて、ガラス基板３上にｎ型ａ−Ｓｉ層が成膜
される。Next, the operation will be described. The glass substrate 3 is placed on the lower discharge electrode 2b in the vacuum chamber 1, the vacuum chamber 1 is maintained in a vacuum state by the exhaust system 5, and the high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of 13.56 MHz. On the other hand, the SiH 4 gas controlling the flow rate from the SiH 4 gas cylinder 6 by a mass flow controller 8a, introduced into the vacuum chamber 1 through the pipe 9 that maintained internal to about 50 ° C. by energizing the coil 11. In addition, the T in the TBP cylinder 7 heated to 30 to 40 ° C. by the heater 10 and vaporized
The flow rate of the BP gas is controlled by the mass flow controller 8b, and is introduced into the vacuum chamber 1 through the pipe 9.
Plasma is generated between the upper discharge electrode 2a and the lower discharge electrode 2b to decompose SiH 4 , and P dissociated from TBP is doped to form an n-type a-Si layer on the glass substrate 3. .
【００１７】上述の実施例において、ＴＢＰのガス流量
とＳｉＨ4 のガス流量との比を変化させて形成したｎ型
ａ−Ｓｉ層の暗導電率の変化を図２に示す。図２におい
て、横軸は両ガスの流量比（ＮTBP ／ＮSiH4）を示し、
縦軸は暗導電率〔Ω-1cm-1〕を示す。また、比較のため
に、ドーピングガスとしてＰＨ3 を使用した従来例にお
けるＰＨ3 とＳｉＨ4 とのガス流量の比（ＮPH3 ／Ｎ
SiH4）と形成したｎ型ａ−Ｓｉ層の暗導電率との関係
を、図２と同様に、図３に示す。何れの例においても、
プラズマＣＶＤ反応の条件は、圧力：10Ｐａ，基板温
度：200 ℃，高周波電力：30Ｗ，トータルガス流量：10
ＳＣＣＭ（一定）とした。FIG. 2 shows changes in the dark conductivity of the n-type a-Si layer formed by changing the ratio of the gas flow rate of TBP to the gas flow rate of SiH 4 in the above-mentioned embodiment. In FIG. 2, the horizontal axis represents the flow rate ratio of both gases (N TBP / N SiH4 ),
The vertical axis represents dark conductivity [Ω -1 cm -1 ]. For comparison, the gas flow ratio of PH 3 and SiH 4 in the conventional example using PH 3 as a doping gas (N PH3 / N
Similar to FIG. 2, the relationship between SiH4 ) and the dark conductivity of the formed n-type a-Si layer is shown in FIG. In either example,
The conditions of the plasma CVD reaction are: pressure: 10 Pa, substrate temperature: 200 ° C., high frequency power: 30 W, total gas flow rate: 10
SCCM (constant) was used.
【００１８】図２，図３の比較から、ＴＢＰを用いる本
発明例ではＰＨ3 を用いる従来例に比べて、約１桁少な
い流量比で同じ暗導電率が得られ、また、１％以上ドー
ピングした場合には５倍以上の高い暗導電率が得られる
ことが分かる。From the comparison of FIGS. 2 and 3, the present invention example using TBP can obtain the same dark conductivity at a flow rate ratio that is about an order of magnitude less than that of the conventional example using PH 3, and doping of 1% or more is possible. It can be seen that in this case, a high dark conductivity of 5 times or more can be obtained.
【００１９】本発明のようにＴＢＰを用いた場合に、Ｐ
Ｈ3 を用いる従来例よりドーピング特性が改善される理
由としては、ＴＢＰとＰＨ3 ではＰの同位体の割合が異
なっていてドーパントとしての活性化率が違ってくる、
または、ＰＨ3 ではＰ原子が３個の水素原子と結合して
いるがＴＢＰではＰ原子が２個の水素原子及び１個の炭
素原子と結合していてＰの解離度が異なってくる等の理
由が考えられる。When TBP is used as in the present invention, P
The reason why the doping characteristics are improved as compared with the conventional example using H 3 is that TBP and PH 3 have different isotope ratios of P and thus different activation rates as dopants.
Alternatively, in PH 3 , the P atom is bonded to three hydrogen atoms, but in TBP, the P atom is bonded to two hydrogen atoms and one carbon atom, and the dissociation degree of P is different. The reason can be considered.
【００２０】次に、本発明（ＴＢＰ使用）により形成し
たｎ型非晶質半導体を光電変換体のｐｉｎ結合のｎ層に
用いたａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換
特性を測定した。また、比較例として、上述した従来例
（ＰＨ3 使用）のｎ型非晶質半導体を同じくｎ層に用い
たａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換特性
を測定した。これらの結果を下記表１に示す。なお、こ
れらのａ−Ｓｉ光起電力装置においては、ｐｉｎ結合の
ｎ層のみが異なっているだけであり、ｐ層，ｉ層を含め
て他の形成条件は同一である。Next, an a-Si photovoltaic device in which the n-type amorphous semiconductor formed according to the present invention (using TBP) is used for the pin-bonded n-layer of the photoelectric conversion body is manufactured, and its photoelectric conversion characteristics are obtained. Was measured. In addition, as a comparative example, an a-Si photovoltaic device in which the n-type amorphous semiconductor of the above-mentioned conventional example (using PH 3 ) was also used in the n-layer was manufactured, and its photoelectric conversion characteristics were measured. The results are shown in Table 1 below. In these a-Si photovoltaic devices, only the n layer of pin coupling is different, and other forming conditions including the p layer and the i layer are the same.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】表１の結果から分かるように、本発明によ
り形成したｎ型非晶質半導体を使用したａ−Ｓｉ光起電
力装置では、従来例により形成したｎ型非晶質半導体を
使用したａ−Ｓｉ光起電力装置に比べて、ｎ層の改善に
より、内部電界の強化，ｉ層とｎ層との界面での再結合
の減少及び直列抵抗の減少を図ることができ、開放電圧
（ＶOC），短絡電流（ＩSC），曲線因子（ＦＦ），変換
効率というすべての特性についての向上を実現できてい
る。As can be seen from the results in Table 1, in the a-Si photovoltaic device using the n-type amorphous semiconductor formed according to the present invention, the a-Si photovoltaic device formed by the conventional example is used. As compared with the -Si photovoltaic device, the improvement of the n layer can enhance the internal electric field, reduce the recombination at the interface between the i layer and the n layer, and reduce the series resistance. Improvements in all characteristics such as OC ), short circuit current (I SC ), fill factor (FF) and conversion efficiency have been realized.
【００２３】なお、上述の実施例では、プラズマＣＶＤ
法を用いたが、公知の光ＣＶＤ法またはマイクロＣＶＤ
法等を用いても同様の効果を得ることができる。In the above embodiment, plasma CVD is used.
The known photo-CVD method or micro-CVD method was used.
The same effect can be obtained by using the method.
【００２４】また、ｎ型非晶質半導体の材料としてａ−
Ｓｉの場合について説明したが、ａ−ＳｉＧｅ，ａ−Ｓ
ｉＮ，ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＯ等の他の非晶質半導体に
ついても全く同様に行えることは勿論であり、同様の効
果が得られる。As a material for the n-type amorphous semiconductor, a-
Although the case of Si has been described, a-SiGe, a-S
Of course, the same effect can be obtained with other amorphous semiconductors such as iN, a-SiC, and a-SiO, and similar effects can be obtained.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上のように本発明では、従来のような
ＰＨ3 に代えてＴＢＰを使用するので、従来例に比べて
暗導電率に優れたｎ型非晶質半導体を形成することがで
き、この形成したｎ型非晶質半導体を光起電力装置に使
用した場合にその特性を著しく向上することが可能とな
る。本発明で使用するＴＢＰはＰＨ3 と比較してドーピ
ング効率に優れているので、少量の使用により同等以上
の膜特性を得ることができる。また、ＴＢＰはＰＨ3 よ
りも格段に毒性が弱いので、最近問題となっている特殊
材料ガスに対する防災上の処理も簡易となる。As described above, in the present invention, since TBP is used in place of PH 3 as in the prior art, it is possible to form an n-type amorphous semiconductor having a dark conductivity superior to that of the prior art. Therefore, when the formed n-type amorphous semiconductor is used in a photovoltaic device, its characteristics can be significantly improved. Since the TBP used in the present invention is superior in doping efficiency as compared with PH 3 , it is possible to obtain equivalent or better film characteristics by using a small amount. In addition, since TBP is much less toxic than PH 3, the disaster prevention treatment for special material gas, which has become a problem recently, can be simplified.
【図１】本発明のｎ型非晶質半導体の形成方法の実施状
態を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an implementation state of a method for forming an n-type amorphous semiconductor of the present invention.
【図２】本発明の形成方法にて形成したｎ型非晶質半導
体の材料ガス流量比（ＴＢＰ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率と
の関係を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a relationship between a material gas flow rate ratio (TBP / SiH 4 ) of an n-type amorphous semiconductor formed by the forming method of the present invention and dark conductivity.
【図３】従来の形成方法にて形成したｎ型非晶質半導体
の材料ガス流量比（ＰＨ3 ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率との
関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a material gas flow rate ratio (PH 3 / SiH 4 ) of an n-type amorphous semiconductor formed by a conventional forming method and dark conductivity.
１ 真空チャンバ 2a 上部放電電極 2b 下部放電電極 ３ ガラス基板 ４ 高周波電源 ５ 排気系 ６ ＳｉＨ4 ボンベ ７ ＴＢＰボンベ 8a，8b マスフローコントローラ ９ 配管 10 ヒータ 11 コイル1 Vacuum chamber 2a Upper discharge electrode 2b Lower discharge electrode 3 Glass substrate 4 High frequency power supply 5 Exhaust system 6 SiH 4 cylinder 7 TBP cylinder 8a, 8b Mass flow controller 9 Piping 10 Heater 11 Coil
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Claims (4)
ホスフィンを用いることを特徴とするｎ型非晶質半導体
の形成方法。1. A method for forming an n-type amorphous semiconductor, wherein tert-butylphosphine is used as a doping gas.
ｎ型非晶質半導体を形成する方法において、導電型を決
定するために添加するドーピングガスとしてターシャリ
ブチルホスフィンを用いることを特徴とするｎ型非晶質
半導体の形成方法。2. The gas introduced into the vacuum vessel is decomposed,
A method for forming an n-type amorphous semiconductor, characterized in that tert-butylphosphine is used as a doping gas added to determine the conductivity type in the method for forming an n-type amorphous semiconductor.
が、シリコンまたはゲルマニウム、或いは、これらの酸
化物，窒化物，炭化物であることを特徴とする請求項２
記載のｎ型非晶質半導体の形成方法。3. The main constituent material of the n-type amorphous semiconductor is silicon or germanium, or an oxide, nitride, or carbide thereof.
A method for forming an n-type amorphous semiconductor according to claim 1.
導体膜を有する光起電力装置を製造する方法において、
ドーピングガスとしてターシャリブチルホスフィンを用
いて、前記非晶質半導体膜のｎ層を形成することを特徴
とする光起電力装置の製造方法。4. A method of manufacturing a photovoltaic device having a pin-junction amorphous semiconductor film as a photoelectric conversion layer, comprising:
A method of manufacturing a photovoltaic device, wherein the n-layer of the amorphous semiconductor film is formed by using tert-butylphosphine as a doping gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213793A JPH0878342A (en) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | Formation method of n-type amorphous semiconductor and manufacture of photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213793A JPH0878342A (en) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | Formation method of n-type amorphous semiconductor and manufacture of photovoltaic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878342A true JPH0878342A (en) | 1996-03-22 |
Family
ID=16645149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6213793A Pending JPH0878342A (en) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | Formation method of n-type amorphous semiconductor and manufacture of photovoltaic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878342A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134541A (en) * | 2009-02-17 | 2012-07-12 | Korea Inst Of Industrial Technology | Solar cell manufacturing method making use of inductive coupling plasma chemical vapor deposition method |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP6213793A patent/JPH0878342A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134541A (en) * | 2009-02-17 | 2012-07-12 | Korea Inst Of Industrial Technology | Solar cell manufacturing method making use of inductive coupling plasma chemical vapor deposition method |
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