JPH0876857A - Ｉｃハンドラの恒温槽の温度制御方法 - Google Patents
Ｉｃハンドラの恒温槽の温度制御方法Info
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- JPH0876857A JPH0876857A JP6234187A JP23418794A JPH0876857A JP H0876857 A JPH0876857 A JP H0876857A JP 6234187 A JP6234187 A JP 6234187A JP 23418794 A JP23418794 A JP 23418794A JP H0876857 A JPH0876857 A JP H0876857A
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- JP
- Japan
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- temperature
- infrared
- devices
- thermal image
- constant temperature
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 恒温槽４に保持された各ＩＣデバイスの表面
温度を迅速に計測し、計測データにより内部温度を自動
制御して、各ＩＣデバイスの表面温度を、指定された数
ポイントの所定温度にそれぞれ維持する。 【構成】 恒温槽４の内壁を無反射塗装し、その上部
に、各ＩＣデバイス１のうちの、適当な１個の表面温度
を計測する赤外線放射温度計６と、すべてのＩＣデバイ
スの表面温度を計測する赤外線カメラ71と、その受光信
号を解析して各ＩＣデバイスの表面の熱画像データを出
力する熱画像解析部72よりなる赤外線熱画像解析装置
７、およびデータ処理部81と表示器82よりなるデータ処
理装置８とを設ける。
温度を迅速に計測し、計測データにより内部温度を自動
制御して、各ＩＣデバイスの表面温度を、指定された数
ポイントの所定温度にそれぞれ維持する。 【構成】 恒温槽４の内壁を無反射塗装し、その上部
に、各ＩＣデバイス１のうちの、適当な１個の表面温度
を計測する赤外線放射温度計６と、すべてのＩＣデバイ
スの表面温度を計測する赤外線カメラ71と、その受光信
号を解析して各ＩＣデバイスの表面の熱画像データを出
力する熱画像解析部72よりなる赤外線熱画像解析装置
７、およびデータ処理部81と表示器82よりなるデータ処
理装置８とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣハンドラの恒温
槽の温度を制御する方法に関する。
槽の温度を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣデバイスは、製造後ＩＣテスターに
より性能がテストされる。テストにおいては、複数個の
ＩＣデバイスをサブ基板に装着し、これをＩＣハンドラ
に設けた恒温槽に挿入して保持し、所定の温度条件によ
りテストされる。温度条件としては、例えば、１２５，
１００，７０，０，−３０，−５０°Ｃの６ポイントが
指定されている。図２はサブ基板２を示し、例えば３２
個のＩＣソケット２a が図示のように８列４行の格子状
に配列され、これらにＩＣデバイス１が装着されて同時
にテストされる。ＩＣソケット２a の個数は、今後増加
して８列８行の６４個となることが予想される。
より性能がテストされる。テストにおいては、複数個の
ＩＣデバイスをサブ基板に装着し、これをＩＣハンドラ
に設けた恒温槽に挿入して保持し、所定の温度条件によ
りテストされる。温度条件としては、例えば、１２５，
１００，７０，０，−３０，−５０°Ｃの６ポイントが
指定されている。図２はサブ基板２を示し、例えば３２
個のＩＣソケット２a が図示のように８列４行の格子状
に配列され、これらにＩＣデバイス１が装着されて同時
にテストされる。ＩＣソケット２a の個数は、今後増加
して８列８行の６４個となることが予想される。
【０００３】図３は、ＩＣハンドラに設けた恒温槽の構
成を示す。(a) は予熱恒温槽３で(b) はテスト用の恒温
槽４である。ＩＣデバイス１が装着されたサブ基板２
は、例えば９枚が、まず予熱恒温槽３に挿入され、一括
してプレヒートによりほぼ所定温度に調整された後、１
枚づつが取出されて恒温槽４に挿入されて水平に保持さ
れ、それぞれのＩＣソケット２a に対して、ＩＣテスタ
ー５のテストヘッド（ＴＨ）51が有するパホーマンスボ
ード（ＰＢ）52が接続される。恒温槽４には、２個の温
度センサ４a,４b と、窒素ガスＮ2 の吸入口４c 、およ
び窒素ガスＮ2 に対する温度制御機構４d が装備されて
おり、両温度センサ４a,４b は、白金抵抗体方式のもの
を用い、低温から高温の広い範囲を高精度で計測する。
温度センサ４a は恒温槽４の内壁に固定され、内部に吸
入された窒素ガスＮ2 の温度を計測して指示メータＭ1
に表示し、温度センサ４b は、移動可能とされ、これを
各ＩＣデバイス１の表面に順次に接触させ、それぞれの
表面温度を計測して指示メータＭ2 に表示する。
成を示す。(a) は予熱恒温槽３で(b) はテスト用の恒温
槽４である。ＩＣデバイス１が装着されたサブ基板２
は、例えば９枚が、まず予熱恒温槽３に挿入され、一括
してプレヒートによりほぼ所定温度に調整された後、１
枚づつが取出されて恒温槽４に挿入されて水平に保持さ
れ、それぞれのＩＣソケット２a に対して、ＩＣテスタ
ー５のテストヘッド（ＴＨ）51が有するパホーマンスボ
ード（ＰＢ）52が接続される。恒温槽４には、２個の温
度センサ４a,４b と、窒素ガスＮ2 の吸入口４c 、およ
び窒素ガスＮ2 に対する温度制御機構４d が装備されて
おり、両温度センサ４a,４b は、白金抵抗体方式のもの
を用い、低温から高温の広い範囲を高精度で計測する。
温度センサ４a は恒温槽４の内壁に固定され、内部に吸
入された窒素ガスＮ2 の温度を計測して指示メータＭ1
に表示し、温度センサ４b は、移動可能とされ、これを
各ＩＣデバイス１の表面に順次に接触させ、それぞれの
表面温度を計測して指示メータＭ2 に表示する。
【０００４】ＩＣデバイス１のテストにおいては、温度
制御機構４d により高温度に加熱され、または低温度に
冷却された窒素ガスＮ2 を、吸入口４c より吸入して内
部を対流させ、その温度を温度センサ４a により計測し
て所定温度に調整する。ついで、温度センサ４b を各Ｉ
Ｃデバイス１の表面に順次に接触させて、それぞれの表
面温度を計測し、これらにバラツキがなく所定温度に達
して安定したことが確認されると、計測した温度を書き
取って検査データとする。これがなされた後は、温度セ
ンサ４a により内部温度を監視しながら、温度制御機構
４d により窒素ガスＮ2 の温度または流量を制御して、
内部を所定温度に維持する。このような手順が繰り返さ
れて、指定された数ポイントの所定温度に対する各ＩＣ
デバイス１のテストがなされる。
制御機構４d により高温度に加熱され、または低温度に
冷却された窒素ガスＮ2 を、吸入口４c より吸入して内
部を対流させ、その温度を温度センサ４a により計測し
て所定温度に調整する。ついで、温度センサ４b を各Ｉ
Ｃデバイス１の表面に順次に接触させて、それぞれの表
面温度を計測し、これらにバラツキがなく所定温度に達
して安定したことが確認されると、計測した温度を書き
取って検査データとする。これがなされた後は、温度セ
ンサ４a により内部温度を監視しながら、温度制御機構
４d により窒素ガスＮ2 の温度または流量を制御して、
内部を所定温度に維持する。このような手順が繰り返さ
れて、指定された数ポイントの所定温度に対する各ＩＣ
デバイス１のテストがなされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記においては、温度
センサ４b による各ＩＣデバイス１の表面温度の計測
は、ＩＣデバイス１の個数が多く、それぞれが所定温度
に達する時間はマチマチであるため、これらの順次の計
測と、温度データの書き取りにはかなりの時間を要す
る。さらに所定温度は６ポイントあるので所要時間は６
倍となり、計測の作業性は良好でない。また、恒温槽４
の内の窒素ガスＮ2 の温度を温度センサ４a により計測
する方法は、各ＩＣデバイス１にとってはいわば間接的
であり、それぞれの温度を正確に示さない欠点がある。
これに対して、各ＩＣデバイス１の表面温度を直接、短
時間に計測し、かつ、計測データにより恒温槽４の内部
温度を自動制御する方法が望まれている。この発明は以
上に鑑みてなされたもので、各ＩＣデバイス１の表面温
度を短時間に計測し、かつ、計測データにより、温度制
御機構４d を自動制御して、各ＩＣデバイス１の表面温
度を数ポイントの所定温度にそれぞれ維持する、恒温槽
の温度制御方法を提供することを目的とする。
センサ４b による各ＩＣデバイス１の表面温度の計測
は、ＩＣデバイス１の個数が多く、それぞれが所定温度
に達する時間はマチマチであるため、これらの順次の計
測と、温度データの書き取りにはかなりの時間を要す
る。さらに所定温度は６ポイントあるので所要時間は６
倍となり、計測の作業性は良好でない。また、恒温槽４
の内の窒素ガスＮ2 の温度を温度センサ４a により計測
する方法は、各ＩＣデバイス１にとってはいわば間接的
であり、それぞれの温度を正確に示さない欠点がある。
これに対して、各ＩＣデバイス１の表面温度を直接、短
時間に計測し、かつ、計測データにより恒温槽４の内部
温度を自動制御する方法が望まれている。この発明は以
上に鑑みてなされたもので、各ＩＣデバイス１の表面温
度を短時間に計測し、かつ、計測データにより、温度制
御機構４d を自動制御して、各ＩＣデバイス１の表面温
度を数ポイントの所定温度にそれぞれ維持する、恒温槽
の温度制御方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成したＩＣハンドラの恒温槽の温度制御方法であっ
て、恒温槽の内壁を無反射塗装し、恒温槽の上部に赤外
線透過ガラスよりなるガラス窓を設ける。恒温槽に保持
された各ＩＣデバイスのうちの、適当な１個の表面より
放射され、ガラス窓を透過した赤外線を受光して、その
表面温度を計測する赤外線放射温度計と、すべてのＩＣ
デバイスの表面より放射され、ガラス窓を透過した赤外
線を受光する赤外線カメラ、および赤外線カメラの受光
信号を解析して、各ＩＣデバイスの表面の熱画像データ
を出力する熱画像解析部よりなる赤外線熱画像解析装置
とを設ける。温度制御機構により、恒温槽の内部を各ポ
イントの所定温度にそれぞれ調整し、各調整ごとに、赤
外線熱画像解析装置が出力する熱画像データを参照し
て、各ＩＣデバイスの表面がバラツキなく所定温度に達
したことを確認する。確認した以後は、赤外線放射温度
計により１個のＩＣデバイスの表面温度を計測し、計測
データを温度制御機構に入力して恒温槽の温度を自動制
御し、各ＩＣデバイスを高温度と低温度間の数ポイント
の所定温度にそれぞれ維持するものである。
を達成したＩＣハンドラの恒温槽の温度制御方法であっ
て、恒温槽の内壁を無反射塗装し、恒温槽の上部に赤外
線透過ガラスよりなるガラス窓を設ける。恒温槽に保持
された各ＩＣデバイスのうちの、適当な１個の表面より
放射され、ガラス窓を透過した赤外線を受光して、その
表面温度を計測する赤外線放射温度計と、すべてのＩＣ
デバイスの表面より放射され、ガラス窓を透過した赤外
線を受光する赤外線カメラ、および赤外線カメラの受光
信号を解析して、各ＩＣデバイスの表面の熱画像データ
を出力する熱画像解析部よりなる赤外線熱画像解析装置
とを設ける。温度制御機構により、恒温槽の内部を各ポ
イントの所定温度にそれぞれ調整し、各調整ごとに、赤
外線熱画像解析装置が出力する熱画像データを参照し
て、各ＩＣデバイスの表面がバラツキなく所定温度に達
したことを確認する。確認した以後は、赤外線放射温度
計により１個のＩＣデバイスの表面温度を計測し、計測
データを温度制御機構に入力して恒温槽の温度を自動制
御し、各ＩＣデバイスを高温度と低温度間の数ポイント
の所定温度にそれぞれ維持するものである。
【０００７】
【作用】上記の温度制御方法においては、恒温槽の内壁
の無反射塗装により、反射による迷光ノイズが防止さ
れ、赤外線放射温度計と、赤外線熱画像解析装置の赤外
線カメラとは、適当な１個の表面より放射されてガラス
窓を透過した赤外線と、すべてのＩＣデバイスの表面よ
り放射されてガラス窓を透過した赤外線とを、それぞれ
良好に受光する。赤外線カメラの受光信号は熱画像解析
部により解析されて、各ＩＣデバイスの表面の熱画像デ
ータが出力される。ＩＣデバイスのテストにおいては、
数ポイントの所定温度ごとに、温度制御機構により恒温
槽の温度を調整し、熱画像解析部が出力する熱画像デー
タを参照して、各ＩＣデバイスの表面がバラツキなく所
定温度に達したことが確認されると、この時点の熱画像
データが検査データとされる。これ以後は、赤外線放射
温度計により計測された１個のＩＣデバイスの表面温度
の計測データが、温度制御機構に入力して恒温槽の内部
温度が自動制御され、各ＩＣデバイスは数ポイントの所
定温度にそれぞれ維持されてテストされる。上記のよう
に、各ＩＣデバイスの表面温度は、赤外線熱画像解析装
置により迅速に計測されて熱画像データが出力されるの
で、従来のように、温度センサにより順次に各ＩＣデバ
イスの表面温度を計測して書き取る方法に比べて、計測
時間は著しく短縮される。また、テスト中における恒温
槽の内部温度は、赤外線放射温度計によりＩＣデバイス
の表面温度を直接計測し、この計測データにより自動制
御されるので、各ＩＣデバイスは正確に所定温度に維持
される。
の無反射塗装により、反射による迷光ノイズが防止さ
れ、赤外線放射温度計と、赤外線熱画像解析装置の赤外
線カメラとは、適当な１個の表面より放射されてガラス
窓を透過した赤外線と、すべてのＩＣデバイスの表面よ
り放射されてガラス窓を透過した赤外線とを、それぞれ
良好に受光する。赤外線カメラの受光信号は熱画像解析
部により解析されて、各ＩＣデバイスの表面の熱画像デ
ータが出力される。ＩＣデバイスのテストにおいては、
数ポイントの所定温度ごとに、温度制御機構により恒温
槽の温度を調整し、熱画像解析部が出力する熱画像デー
タを参照して、各ＩＣデバイスの表面がバラツキなく所
定温度に達したことが確認されると、この時点の熱画像
データが検査データとされる。これ以後は、赤外線放射
温度計により計測された１個のＩＣデバイスの表面温度
の計測データが、温度制御機構に入力して恒温槽の内部
温度が自動制御され、各ＩＣデバイスは数ポイントの所
定温度にそれぞれ維持されてテストされる。上記のよう
に、各ＩＣデバイスの表面温度は、赤外線熱画像解析装
置により迅速に計測されて熱画像データが出力されるの
で、従来のように、温度センサにより順次に各ＩＣデバ
イスの表面温度を計測して書き取る方法に比べて、計測
時間は著しく短縮される。また、テスト中における恒温
槽の内部温度は、赤外線放射温度計によりＩＣデバイス
の表面温度を直接計測し、この計測データにより自動制
御されるので、各ＩＣデバイスは正確に所定温度に維持
される。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明の温度制御方法を適用した
恒温槽４の一実施例における構成を示す。図１におい
て、恒温槽４は、従来と同様に、サブ基板２を水平に保
持し、これにＩＣテスター５のパホーマンスボードＰＢ
52が接続され、また恒温槽４は、温度センサ４b と、窒
素ガスＮ2 の吸入口４c 、および窒素ガスＮ2 に対する
温度制御機構４d を有する。この発明においては、恒温
槽４の内壁を黒色の無反射塗装し、その上部の２箇所
に、赤外線を透過する、例えばＢa Ｆ2 ガラスよりなる
ガラス窓４e と４f を設ける。ガラス窓４e の上側に赤
外線放射温度計６を固定し、図示の位置にある１個のＩ
Ｃデバイス１が放射する赤外線を受光する。この受光信
号に対する信号処理部61を設け、その出力側を温度制御
機構４d に接続する。また、ガラス窓４f の上側に赤外
カメラ71を固定し、これに接続された熱画像解析部72よ
りなる赤外線熱画像解析装置７と、データ処理部81，表
示器82よりなるデータ処理装置８とを設ける。なおこの
発明では、図３(b) の温度センサ４a は使用しない。赤
外線放射温度計６は、物体（黒体）の放射する全エネル
ギーが、その絶対温度の４乗に比例することを利用し、
赤外線を受光して受光エネルギーの強度分布より、温度
を逆算して計測するもので、各種の温度範囲に対するも
のがあり、この発明では、ー５０〜＋１２５°Ｃの温度
範囲のものを使用する。ただし赤外線放射温度計６は、
温度が相対値で計測される欠点があり、従って赤外線放
射温度計６を使用する場合は、適当な温度計により計測
温度をかならず較正することが必要である。この発明に
おいては、この較正に温度センサ４b を使用する。すな
わち、１個のＩＣデバイス１の表面に温度センサ４b を
接触して、絶対的な表面温度を計測し、赤外線放射温度
計６の計測温度をこれに一致するように較正する。一
方、赤外線熱画像解析装置７は各種が市販されており、
これらより上記の温度範囲に適するものを選択して使用
する。
恒温槽４の一実施例における構成を示す。図１におい
て、恒温槽４は、従来と同様に、サブ基板２を水平に保
持し、これにＩＣテスター５のパホーマンスボードＰＢ
52が接続され、また恒温槽４は、温度センサ４b と、窒
素ガスＮ2 の吸入口４c 、および窒素ガスＮ2 に対する
温度制御機構４d を有する。この発明においては、恒温
槽４の内壁を黒色の無反射塗装し、その上部の２箇所
に、赤外線を透過する、例えばＢa Ｆ2 ガラスよりなる
ガラス窓４e と４f を設ける。ガラス窓４e の上側に赤
外線放射温度計６を固定し、図示の位置にある１個のＩ
Ｃデバイス１が放射する赤外線を受光する。この受光信
号に対する信号処理部61を設け、その出力側を温度制御
機構４d に接続する。また、ガラス窓４f の上側に赤外
カメラ71を固定し、これに接続された熱画像解析部72よ
りなる赤外線熱画像解析装置７と、データ処理部81，表
示器82よりなるデータ処理装置８とを設ける。なおこの
発明では、図３(b) の温度センサ４a は使用しない。赤
外線放射温度計６は、物体（黒体）の放射する全エネル
ギーが、その絶対温度の４乗に比例することを利用し、
赤外線を受光して受光エネルギーの強度分布より、温度
を逆算して計測するもので、各種の温度範囲に対するも
のがあり、この発明では、ー５０〜＋１２５°Ｃの温度
範囲のものを使用する。ただし赤外線放射温度計６は、
温度が相対値で計測される欠点があり、従って赤外線放
射温度計６を使用する場合は、適当な温度計により計測
温度をかならず較正することが必要である。この発明に
おいては、この較正に温度センサ４b を使用する。すな
わち、１個のＩＣデバイス１の表面に温度センサ４b を
接触して、絶対的な表面温度を計測し、赤外線放射温度
計６の計測温度をこれに一致するように較正する。一
方、赤外線熱画像解析装置７は各種が市販されており、
これらより上記の温度範囲に適するものを選択して使用
する。
【０００９】ＩＣデバイス１のテストにおいては、温度
制御機構４d により恒温槽４の内部温度を調整して、数
ポイントのうちの、例えば最大の所定温度（１２５°
Ｃ）に設定する。すべてのＩＣデバイス１が放射する赤
外線を赤外線カメラ71により受光して、受光信号を熱画
像解析部72により解析し、これが出力する熱画像データ
をデータ処理部81により処理して表示器82に入力する
と、各ＩＣデバイス１の表面温度が数値表示される。こ
れを観察して各ＩＣデバイス１の表面温度にバラツキが
無く、所定温度に達して安定していることを確認し、こ
の時点の温度データを検査データとする。これ以後は、
赤外線放射温度計６により、１個のＩＣデバイス１が放
射する赤外線を受光して表面温度を計測し、計測データ
を信号処理回路61により制御電圧に変換して温度制御機
構４d に入力し、恒温槽４の内部温度を自動制御して１
２５°Ｃに維持し、全ＩＣデバイス１のテストを行う。
ついで残る各ポイント、１００，７０，０，−３０，−
５０°Ｃに対して、上記の手順を順次に繰り返して、そ
れぞれに対する全ＩＣデバイス１のテストを行うもので
ある。
制御機構４d により恒温槽４の内部温度を調整して、数
ポイントのうちの、例えば最大の所定温度（１２５°
Ｃ）に設定する。すべてのＩＣデバイス１が放射する赤
外線を赤外線カメラ71により受光して、受光信号を熱画
像解析部72により解析し、これが出力する熱画像データ
をデータ処理部81により処理して表示器82に入力する
と、各ＩＣデバイス１の表面温度が数値表示される。こ
れを観察して各ＩＣデバイス１の表面温度にバラツキが
無く、所定温度に達して安定していることを確認し、こ
の時点の温度データを検査データとする。これ以後は、
赤外線放射温度計６により、１個のＩＣデバイス１が放
射する赤外線を受光して表面温度を計測し、計測データ
を信号処理回路61により制御電圧に変換して温度制御機
構４d に入力し、恒温槽４の内部温度を自動制御して１
２５°Ｃに維持し、全ＩＣデバイス１のテストを行う。
ついで残る各ポイント、１００，７０，０，−３０，−
５０°Ｃに対して、上記の手順を順次に繰り返して、そ
れぞれに対する全ＩＣデバイス１のテストを行うもので
ある。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による恒
温槽の制御方法においては、全ＩＣデバイスの表面温度
がバラツキなく所定値に達したことが、赤外線熱画像解
析装置が出力する熱画像データを参照して迅速に確認さ
れ、これが確認された後は、赤外線放射温度計による１
個のＩＣデバイスの表面温度の計測データにより、恒温
槽の内部温度を自動制御して、各ＩＣデバイスを数ポイ
ントの所定温度にそれぞれ正確に維持してテストを行う
もので、各ＩＣデバイスの表面温度の計測の迅速化と、
テストスループットの向上に寄与する効果には大きいも
のがある。
温槽の制御方法においては、全ＩＣデバイスの表面温度
がバラツキなく所定値に達したことが、赤外線熱画像解
析装置が出力する熱画像データを参照して迅速に確認さ
れ、これが確認された後は、赤外線放射温度計による１
個のＩＣデバイスの表面温度の計測データにより、恒温
槽の内部温度を自動制御して、各ＩＣデバイスを数ポイ
ントの所定温度にそれぞれ正確に維持してテストを行う
もので、各ＩＣデバイスの表面温度の計測の迅速化と、
テストスループットの向上に寄与する効果には大きいも
のがある。
【図１】図１は、この発明の温度制御方法を適用した恒
温槽の一実施例における構成図である。
温槽の一実施例における構成図である。
【図２】図２は、複数のＩＣデバイスを装着するサブ基
板の外観図である。
板の外観図である。
【図３】図３は、ＩＣハンドラに設けた恒温槽の構成を
示し、(a) は予熱恒温槽の断面図、(b) はテスト用の恒
温槽の断面図である。
示し、(a) は予熱恒温槽の断面図、(b) はテスト用の恒
温槽の断面図である。
１…ＩＣデバイス、２…サブ基板、２a …ＩＣソケッ
ト、３…予熱恒温槽、４…テスト用の恒温槽、４a,４b
…温度センサ、４c …吸入口、４d …温度制御機構、４
e,４f …ガラス窓、５…ＩＣテスター、51…テストヘッ
ド（ＴＨ）、52…パホーマンスボード（ＰＢ）、６…赤
外線放射温度計、61…信号処理回路、７…赤外線熱画像
解析装置、71…赤外線カメラ、72…熱画像解析部、８…
データ処理装置、81…データ処理部、82…表示器。
ト、３…予熱恒温槽、４…テスト用の恒温槽、４a,４b
…温度センサ、４c …吸入口、４d …温度制御機構、４
e,４f …ガラス窓、５…ＩＣテスター、51…テストヘッ
ド（ＴＨ）、52…パホーマンスボード（ＰＢ）、６…赤
外線放射温度計、61…信号処理回路、７…赤外線熱画像
解析装置、71…赤外線カメラ、72…熱画像解析部、８…
データ処理装置、81…データ処理部、82…表示器。
Claims (1)
- 【請求項１】複数個のＩＣデバイスが装着されたサブ基
板を水平に保持し、ＩＣテスターに接続された該各ＩＣ
デバイスを、高温度と低温度間の数ポイントの所定温度
にそれぞれ維持する温度制御機構を有するＩＣハンドラ
の恒温槽において、該恒温槽の内壁を無反射塗装し、該
恒温槽の上部に赤外線透過ガラスよりなるガラス窓を設
け、前記各ＩＣデバイスのうちの適当な１個の表面より
放射され、該ガラス窓を透過した赤外線を受光して、該
表面の温度を計測する赤外線放射温度計と、すべての該
ＩＣデバイスの表面より放射され、該ガラス窓を透過し
た赤外線を受光する赤外線カメラ、および該赤外線カメ
ラの受光信号を解析して、該各ＩＣデバイスの表面の熱
画像データを出力する熱画像解析部よりなる赤外線熱画
像解析装置とを設け、前記温度制御機構により、前記恒
温槽の内部を各ポイントの所定温度にそれぞれ調整し、
該各調整ごとに、該赤外線熱画像解析装置が出力する熱
画像データを参照して、該各ＩＣデバイスの表面がバラ
ツキなく該所定温度に達したことを確認し、該確認した
以後は、前記赤外線放射温度計により前記１個のＩＣデ
バイスの表面温度を計測し、該計測データを前記温度制
御機構に入力して前記恒温槽の温度を自動制御し、前記
各ＩＣデバイスを前記数ポイントの所定温度にそれぞれ
維持することを特徴とする、ＩＣハンドラの恒温槽の温
度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234187A JPH0876857A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Ｉｃハンドラの恒温槽の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234187A JPH0876857A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Ｉｃハンドラの恒温槽の温度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0876857A true JPH0876857A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16967047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6234187A Pending JPH0876857A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Ｉｃハンドラの恒温槽の温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0876857A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023229B2 (en) | 2001-12-19 | 2006-04-04 | Fujitsu Limited | Dynamic burn-in equipment |
| JP2007225496A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Espec Corp | 環境試験装置 |
| KR100825781B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 열 분리기를 구비하는 반도체 소자용 테스트 핸들러 및이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법 |
| CN107765735A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-03-06 | 海隆管道工程技术服务有限公司 | 用于钢管外涂敷的温度自动连续监测装置及方法 |
-
1994
- 1994-09-02 JP JP6234187A patent/JPH0876857A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023229B2 (en) | 2001-12-19 | 2006-04-04 | Fujitsu Limited | Dynamic burn-in equipment |
| JP2007225496A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Espec Corp | 環境試験装置 |
| JP4554535B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-09-29 | エスペック株式会社 | 環境試験装置 |
| KR100825781B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 열 분리기를 구비하는 반도체 소자용 테스트 핸들러 및이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법 |
| CN107765735A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-03-06 | 海隆管道工程技术服务有限公司 | 用于钢管外涂敷的温度自动连续监测装置及方法 |
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