JPH0868780A - Sensor with elastic surface wave element - Google Patents

Sensor with elastic surface wave element

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JPH0868780A
JPH0868780A JP6206203A JP20620394A JPH0868780A JP H0868780 A JPH0868780 A JP H0868780A JP 6206203 A JP6206203 A JP 6206203A JP 20620394 A JP20620394 A JP 20620394A JP H0868780 A JPH0868780 A JP H0868780A
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JP
Japan
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output
acoustic wave
surface acoustic
signal
idt electrode
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JP6206203A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobunari Araki
信成 荒木
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02845Humidity, wetness

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE: To simplify measurement means for sensor output. CONSTITUTION: On the surface of piezoelectric substrate 21, an input IDT electrode 22 and output IDT electrodes 23 and 24 are provided, and between output IDT electrodes 23 and 24, a functional film 25 with which propagation time of elastic surface wave is changed according to sticking and penetration of a sensing target is provided, and, the input IDT electrode 22 excites pulses of constant cycle with a pulse signal generator 26, and, depending on whether the elastic surface waves propagating on the substrate at that time reach the output IDT electrodes 23 and 24 at the same time or not, amplitude change is generated an the signal combined with the output, then, the change of the amplitude is detected with a signal level detector 27. Thus the degree in sticking and penetration of the sensing target is detected through amplitude changes in signal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波素子を用い
て湿度や匂いを検出するセンサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor for detecting humidity and odor using a surface acoustic wave element.

【0002】[0002]

【従来の技術】弾性表面波素子を用いたセンサには、
(1)弾性表面波フィルタを用いたものと、(2)弾性
表面波共振子を用いたものの2つに大別される。
2. Description of the Related Art A sensor using a surface acoustic wave element is
(1) A surface acoustic wave filter is used, and (2) A surface acoustic wave resonator is used.

【0003】図3は、弾性表面波フィルタによる構成を
示す。圧電性基板1の両側に10〜20対のすだれ状の
IDT(インター・ディジタル・トランスデューサ)電
極2、3を形成し、電極間になる基板1面にセンサ部材
となる機能性薄膜4を付着させる。
FIG. 3 shows a structure of a surface acoustic wave filter. 10 to 20 pairs of IDT (inter digital transducer) electrodes 2 and 3 are formed on both sides of the piezoelectric substrate 1, and a functional thin film 4 serving as a sensor member is attached to the surface of the substrate 1 between the electrodes. .

【0004】ネットワークアナライザ5は、IDT電極
2には所定周波数の信号を印加し、IDT電極2で励起
された弾性表面波をIDT電極3に伝搬させ、このID
T電極3の電気機械結合による出力周波数を測定する。
The network analyzer 5 applies a signal of a predetermined frequency to the IDT electrode 2, propagates the surface acoustic wave excited by the IDT electrode 2 to the IDT electrode 3, and
The output frequency due to the electromechanical coupling of the T electrode 3 is measured.

【0005】図4は、弾性表面波共振子による構成を示
す。圧電性基板6の中央部にIDT電極7を形成し、両
側に反射器8、9を形成し、電極7及び反射器8、9面
に渡って基板6面に機能性薄膜10を付着させる。
FIG. 4 shows a structure using a surface acoustic wave resonator. The IDT electrode 7 is formed in the central portion of the piezoelectric substrate 6, reflectors 8 and 9 are formed on both sides, and the functional thin film 10 is attached to the surface of the substrate 6 across the surfaces of the electrode 7 and the reflectors 8 and 9.

【0006】発振器11はIDT電極7を励起し、この
励起に対して周波数カウンタ12は弾性表面波共振子に
よる共振周波数を測定する。
The oscillator 11 excites the IDT electrode 7, and the frequency counter 12 measures the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator in response to the excitation.

【0007】ここで、機能性薄膜4又は10は、圧電性
基板面に付着されることで基板を伝搬する弾性表面波の
音速を低下させる。その度合いは、機能性薄膜のセンシ
ング状態に対応する。これにより、ネットワークアナラ
イザ5又は周波数カウンタ12で計測される周波数は、
機能性薄膜のセンシング状態により変化し、この周波数
変化をセンサ出力として利用することができる。
Here, the functional thin film 4 or 10 is attached to the surface of the piezoelectric substrate to reduce the sound velocity of the surface acoustic wave propagating through the substrate. The degree corresponds to the sensing state of the functional thin film. As a result, the frequency measured by the network analyzer 5 or the frequency counter 12 is
It changes depending on the sensing state of the functional thin film, and this frequency change can be used as a sensor output.

【0008】例えば、湿度センサを構成するには、機能
性薄膜を例えばポリイミド膜やアルミナ膜、酢酸セルロ
ースとし、、その水分の吸収度合いに応じて基板1の音
速を変化させる。
For example, to configure a humidity sensor, the functional thin film is, for example, a polyimide film, an alumina film, or cellulose acetate, and the sound velocity of the substrate 1 is changed according to the degree of water absorption.

【0009】また、ガスセンサは、ホルムアルデヒド脱
水素酵素とその補酵素を水晶基板の塗布膜としてホルム
アルデヒドの濃度を周波数変化として検出する。
Further, the gas sensor detects formaldehyde concentration as a frequency change by using formaldehyde dehydrogenase and its coenzyme as coating films on a quartz substrate.

【0010】また、匂いセンサは、例えばアラキン酸
(LB膜)を形成し、水晶振動子が持つ微量質量の高検
出感度を利用して匂いの元となる化学物質を周波数変化
として検出する。
Further, the odor sensor forms, for example, arachidic acid (LB film), and detects the chemical substance which is the source of the odor as a frequency change by utilizing the high detection sensitivity of the small amount of mass that the quartz oscillator has.

【0011】さらに、苦みセンサや金属の腐食センサな
どにもそれぞれの機能性薄膜を使った応用がなされる。
Further, the functional thin films are applied to bitterness sensors and metal corrosion sensors.

【0012】以上までの従来例は、いずれも圧電性基板
面に機能性薄膜を設ける場合であるが、圧電性基板のみ
で機能性薄膜を設けないものもある。このタイプは、圧
電性基板の表面に直接にセンシング対象物質が付着(基
板部分の質量変化)や湿度・温度等による基板そのもの
の特性の変化に伴う周波数の変化を利用してセンシング
を行う。
In all of the conventional examples up to this point, the functional thin film is provided on the surface of the piezoelectric substrate, but there is also one in which the functional thin film is not provided and only the piezoelectric substrate is provided. In this type, sensing is performed by using a change in frequency associated with a change in characteristics of the substrate itself due to a substance to be sensed being directly attached to the surface of the piezoelectric substrate (change in mass of the substrate portion) or humidity and temperature.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】従来構成において、圧
電性基板上に機能性薄膜をもつもの、あるいは機能性薄
膜を設けないもの、いずれのタイプにおいても、弾性表
面波素子の他に、計測手段としてネットワークアナライ
ザ5や発振器11、周波数カウンタ12といった機器が
必要となる。
In any of the conventional configurations, those having a functional thin film on the piezoelectric substrate or those not having the functional thin film, in either type, in addition to the surface acoustic wave element, measuring means Therefore, devices such as the network analyzer 5, the oscillator 11, and the frequency counter 12 are required.

【0014】また、センシング状態の変化を周波数の変
化として検出するため、周波数がある一定値を越えたと
きにスイッチ出力を得るというシステム構成にはさらに
複雑な計測手段を必要とする。
Further, since the change in the sensing state is detected as the change in frequency, a more complex measuring means is required for the system configuration in which the switch output is obtained when the frequency exceeds a certain value.

【0015】本発明の目的は、センサ出力の計測手段を
簡単にする弾性表面波素子を用いたセンサを提供するこ
とにある。
It is an object of the present invention to provide a sensor using a surface acoustic wave element that simplifies the sensor output measuring means.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、圧電性基板の表面に設けられ、一定の周
期を持つパルスで励起される入力用IDT電極と、前記
圧電性基板の表面に設けられ、前記入力用IDT電極か
ら該基板を伝搬してくる弾性表面波の進行方向に間隔を
有して設けられる複数の出力用IDT電極と、前記複数
の出力用IDT電極の信号出力を加え合わせた信号の振
幅を検出する信号レベル検出器とを備え、センシング対
象物質が前記圧電性基板に付着する度合いを前記信号レ
ベル検出器の入力信号の振幅変化として検出することを
特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides an input IDT electrode provided on the surface of a piezoelectric substrate and excited by a pulse having a constant period, and the piezoelectric substrate. A plurality of output IDT electrodes provided on the surface of the input IDT electrode and spaced from each other in the traveling direction of the surface acoustic wave propagating through the substrate from the input IDT electrode, and signals of the plurality of output IDT electrodes. A signal level detector for detecting an amplitude of a signal obtained by adding the outputs, and detecting a degree of a sensing target substance adhering to the piezoelectric substrate as an amplitude change of an input signal of the signal level detector. To do.

【0017】また、本発明は、前記出力用IDT電極間
に、センシング対象物質の付着・浸透によって弾性表面
波の伝搬速度を変える機能性薄膜を設けたことを特徴と
する。
Further, the present invention is characterized in that a functional thin film for changing the propagation velocity of the surface acoustic wave is provided between the output IDT electrodes by the attachment and permeation of the substance to be sensed.

【0018】[0018]

【作用】入力用IDT電極で発生され、圧電性基板を伝
搬する弾性表面波が複数の出力用IDT電極間を伝搬す
るときの遅延時間の変化によって出力用IDT電極の出
力を加え合わせたときのレベルに差を発生させ、これに
よりセンシング対象物質の付着又は浸透の度合いを信号
の振幅変化に対応させる。
When the output surface of the output IDT electrode is added together by the change in the delay time when the surface acoustic wave generated in the input IDT electrode and propagating through the piezoelectric substrate propagates between the plurality of output IDT electrodes. A difference is generated in the level so that the degree of adhesion or permeation of the substance to be sensed corresponds to the amplitude change of the signal.

【0019】[0019]

【実施例】図1は、本発明の一実施例を示すセンサ構成
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sensor configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【0020】圧電性基板21は、その表面の一方の側に
入力用IDT電極22が形成される。この電極22は、
10〜20対程度の正規型IDTにされる。
An input IDT electrode 22 is formed on one side of the surface of the piezoelectric substrate 21. This electrode 22 is
About 10 to 20 pairs of normal type IDTs are used.

【0021】また、圧電性基板21の他方の側に弾性表
面波の進行方向に間隔を設けて一対の出力用IDT電極
23、24がある距離をもって分割して設けられる。こ
れら電極23、24は、10〜20対程度のIDT電極
にされる。さらに、IDT電極23と24の間に機能性
薄膜25が設けられる。
In addition, a pair of output IDT electrodes 23, 24 are provided on the other side of the piezoelectric substrate 21 with a space in the traveling direction of the surface acoustic wave and are divided at a certain distance. These electrodes 23 and 24 are about 10 to 20 pairs of IDT electrodes. Further, a functional thin film 25 is provided between the IDT electrodes 23 and 24.

【0022】入力用IDT電極22には、励起電源とし
てのパルス発生器26が接続され、一定周期のパルスが
印加される。このパルスに対して、入力用IDT電極2
2は、電気機械結合によって圧電性基板21面に弾性表
面波を発生する。
A pulse generator 26 as an excitation power source is connected to the input IDT electrode 22, and a pulse having a constant cycle is applied. For this pulse, the input IDT electrode 2
2 generates a surface acoustic wave on the surface of the piezoelectric substrate 21 by electromechanical coupling.

【0023】出力用IDT電極23、24は、圧電性基
板21の表面を伝搬してくる弾性表面波を電気機械結合
によって電気信号に変換する。
The output IDT electrodes 23 and 24 convert surface acoustic waves propagating on the surface of the piezoelectric substrate 21 into electric signals by electromechanical coupling.

【0024】信号レベル検出器27は、出力用IDT電
極23、24からの電気信号出力のレベルが設定値より
も低下したか否かを検出し、これをセンサ出力信号とし
て得る。
The signal level detector 27 detects whether or not the level of the electric signal output from the output IDT electrodes 23 and 24 has dropped below a set value, and obtains this as a sensor output signal.

【0025】本実施例の動作を図2の各部波形図を参照
して以下に詳細に説明する。
The operation of this embodiment will be described below in detail with reference to the waveform chart of each part in FIG.

【0026】入力用IDT電極22にはパルス発生器2
6から遅延時間(周期)Tをもった連続パルス(図2の
a参照)が入力される。
The input IDT electrode 22 has a pulse generator 2
A continuous pulse (see a in FIG. 2) having a delay time (cycle) T is input from 6.

【0027】このパルス入力により、入力用IDT電極
22からは電極指の周期に応じた一定周波数の弾性表面
波が発生する(図2のb)。この弾性表面波は、矢印で
示す方向、すなわち出力用IDT電極23、24へ向か
って伝搬する。
By this pulse input, a surface acoustic wave having a constant frequency corresponding to the period of the electrode fingers is generated from the input IDT electrode 22 (b in FIG. 2). This surface acoustic wave propagates in the direction indicated by the arrow, that is, toward the output IDT electrodes 23 and 24.

【0028】ここで、機能性薄膜25にセンシング対象
となる物質が付着・浸透していない状態において、入力
用IDT電極22からの弾性表面波の伝搬が、出力用I
DT電極23に到達した後に遅延して出力用IDT電極
24に到達したとき、次の弾性表面波が出力用IDT電
極23に到達するように遅延時間Tを設定しておく。こ
の遅延時間Tは、出力用IDT電極23、24の分割距
離と弾性表面波伝搬速度及び機能性薄膜25によって設
計・調整される。
Here, the propagation of the surface acoustic wave from the input IDT electrode 22 is output I when the substance to be sensed is not adhering to or permeating the functional thin film 25.
The delay time T is set so that the next surface acoustic wave reaches the output IDT electrode 23 when the output surface is delayed after reaching the DT electrode 23 and reaches the output IDT electrode 24. This delay time T is designed and adjusted by the division distance of the output IDT electrodes 23 and 24, the surface acoustic wave propagation velocity, and the functional thin film 25.

【0029】このように、出力用IDT電極23、24
に同時に弾性表面波が到達する場合、信号レベル検出器
27に両IDT電極23、24からの電気出力が互いに
重畳され、その振幅は最大値になる(図2のd)。
In this way, the output IDT electrodes 23, 24
When a surface acoustic wave arrives at the same time, the electric outputs from the IDT electrodes 23 and 24 are superposed on the signal level detector 27, and the amplitude becomes maximum (d in FIG. 2).

【0030】次に、機能性薄膜25にセンシング対象と
なる物質が付着・浸透し、膜下の弾性表面波速度が低下
した場合、最初の弾性表面波が出力用IDT電極24に
到達する前に次の弾性表面波が出力用IDT電極23に
到達することになる。
Next, when the substance to be sensed adheres to and permeates the functional thin film 25 and the surface acoustic wave velocity under the film decreases, before the first surface acoustic wave reaches the output IDT electrode 24. The next surface acoustic wave reaches the output IDT electrode 23.

【0031】この場合には、出力波形の振幅は機能性薄
膜25に何も付着・浸透していない場合に比べて小さく
なる(図2のc)。
In this case, the amplitude of the output waveform becomes smaller than that in the case where nothing adheres to or penetrates the functional thin film 25 (c in FIG. 2).

【0032】したがって、機能性薄膜25にセンシング
対象となる物質が付着・浸透する度合いに応じて、出力
用IDT電極23、24の分割電極間の弾性表面波伝搬
速度が変化し、信号レベル検出器27で検出される信号
の振幅(レベル)が変化し、このレベルを検出すること
でセンシング対象物質の付着・浸透量を検出することが
できる。このレベル検出は、従来の周波数検出に比べて
回路構成が簡単になる。
Therefore, the surface acoustic wave propagation velocity between the divided electrodes of the output IDT electrodes 23 and 24 changes according to the degree to which the substance to be sensed adheres to or penetrates the functional thin film 25, and the signal level detector. The amplitude (level) of the signal detected at 27 changes, and by detecting this level, the amount of adhesion / permeation of the sensing target substance can be detected. This level detection has a simpler circuit configuration than the conventional frequency detection.

【0033】また、信号レベル検出器27にスレッショ
ールドレベルを設定することにより、一定値を越えるセ
ンシング対象物質の付着・浸透をオン/オフ信号として
得ることもできる。この場合は、信号レベル検出器27
の構成が一層簡単になる。
Further, by setting the threshold level in the signal level detector 27, it is possible to obtain the on / off signal as the adhesion / permeation of the substance to be sensed which exceeds a certain value. In this case, the signal level detector 27
The configuration of is simpler.

【0034】以上までの実施例では、機能性薄膜25を
設ける場合を示すものである。例えば、機能性薄膜25
には、湿度センサ、匂いセンサやガスセンサなどがこれ
に属し、湿気や匂い物質、ガスなどのセンシング対象物
質をトラップする性能が優れた部材が利用される。
The above embodiments show the case where the functional thin film 25 is provided. For example, the functional thin film 25
For this, a humidity sensor, an odor sensor, a gas sensor, and the like belong to this, and a member having excellent performance of trapping a substance to be sensed such as humidity, an odor substance, or a gas is used.

【0035】これに対し、機能性薄膜25を設けないセ
ンサ構成にして同等の作用効果を得ることができる。つ
まり、図1の構成で機能性薄膜25を省略した構成でセ
ンシング対象物質の検出に利用できる。
On the other hand, it is possible to obtain the same operation and effect by using the sensor structure in which the functional thin film 25 is not provided. That is, the configuration in which the functional thin film 25 is omitted in the configuration of FIG.

【0036】例えば、塵埃センサで出力用IDT電極2
3、24の間のスペースの圧電性基板21面に塵埃等が
付着・堆積することによる質量変化に伴う表面波の伝搬
速度の変化により、前記の実施例と同様に出力波形の振
幅の変化からセンシングを行うことができる。
For example, a dust sensor is used to output the IDT electrode 2
The change in the amplitude of the output waveform due to the change in the propagation velocity of the surface wave due to the change in mass due to the attachment and accumulation of dust or the like on the surface of the piezoelectric substrate 21 in the space between 3 and 24 causes the change in the amplitude of the output waveform as in the above-described embodiment. Sensing can be performed.

【0037】また、湿度センサ機能は、湿度による圧電
性基板21の表面波の伝搬速度の変化を利用することで
実現される。
The humidity sensor function is realized by utilizing the change in the propagation velocity of the surface wave of the piezoelectric substrate 21 due to humidity.

【0038】以上までの実施例において、出力用IDT
電極は、2つの場合を示すが、3つ以上の電極を等間隔
又は等比間隔に設け、それぞれの出力を加え合わせて信
号レベル検出器27に取り込む構成にすることもでき
る。
In the above embodiments, the output IDT
Although two electrodes are shown, three or more electrodes may be provided at equal intervals or in equal ratio intervals, and outputs of the respective electrodes may be added together and taken into the signal level detector 27.

【0039】また、実施例ではセンシング対象物質が機
能性薄膜や圧電性基板面に付着・浸透したときに出力用
IDT電極の信号出力の振幅が小さくなる場合を示す
が、逆にセンシング対象物質が付着・浸透したときに出
力用IDT電極の信号出力の振幅が大きくなるよう該電
極の間隔を変えた構成とすることもできる。
In the embodiment, the amplitude of the signal output of the output IDT electrode becomes small when the substance to be sensed adheres to or penetrates the surface of the functional thin film or the piezoelectric substrate. It is also possible to adopt a configuration in which the interval between the output IDT electrodes is changed so that the amplitude of the signal output of the output IDT electrodes becomes large when the electrodes are attached / permeated.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、圧電性
基板を伝搬する弾性表面波が複数の出力用IDT電極間
を伝搬するときの遅延時間の変化によって出力用IDT
電極の出力を加え合わせたときのレベルに差を発生さ
せ、これによりセンシング対象物質の付着・浸透の度合
いを信号の振幅変化に対応させるようにしたため、計測
手段としては信号レベル検出器など振幅の変化を検出で
きるもので良く、従来の周波数計測手段に比べて大幅に
簡単化できる効果がある。
As described above, according to the present invention, the output IDT is changed by the change of the delay time when the surface acoustic wave propagating through the piezoelectric substrate propagates between the plurality of output IDT electrodes.
A difference is generated in the level when the outputs of the electrodes are added, and the degree of adhesion / permeation of the sensing target substance is made to correspond to the amplitude change of the signal by this, so the signal level detector or other Anything that can detect the change is sufficient, and there is an effect that it can be greatly simplified compared to the conventional frequency measuring means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すセンサ構成図。FIG. 1 is a sensor configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】実施例の各部波形図。FIG. 2 is a waveform chart of each part of the embodiment.

【図3】従来のフィルタ構成例。FIG. 3 shows a conventional filter configuration example.

【図4】従来の共振子構成例。FIG. 4 shows a conventional resonator configuration example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21…圧電性基板 22…入力用IDT電極 23、24…出力用IDT電極 25…機能性薄膜 26…パルス発生器 27…信号レベル検出器 21 ... Piezoelectric substrate 22 ... Input IDT electrode 23, 24 ... Output IDT electrode 25 ... Functional thin film 26 ... Pulse generator 27 ... Signal level detector

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電性基板の表面に設けられ、一定の周
期を持つパルスで励起される入力用IDT電極と、 前記圧電性基板の表面に設けられ、前記入力用IDT電
極から該基板を伝搬してくる弾性表面波の進行方向に間
隔を有して設けられる複数の出力用IDT電極と、 前記複数の出力用IDT電極の信号出力を加え合わせた
信号の振幅を検出する信号レベル検出器とを備え、 センシング対象物質が前記圧電性基板に付着する度合い
を前記信号レベル検出器の入力信号の振幅変化として検
出することを特徴とする弾性表面波素子を用いたセン
サ。
1. An input IDT electrode provided on a surface of a piezoelectric substrate and excited by a pulse having a constant period, and an input IDT electrode provided on the surface of the piezoelectric substrate and propagating through the substrate from the input IDT electrode. A plurality of output IDT electrodes provided at intervals in the traveling direction of the incoming surface acoustic wave; and a signal level detector for detecting the amplitude of a signal obtained by adding the signal outputs of the plurality of output IDT electrodes. A sensor using a surface acoustic wave device, comprising: detecting the degree to which a substance to be sensed adheres to the piezoelectric substrate as a change in amplitude of an input signal of the signal level detector.
【請求項2】 前記出力用IDT電極間に、センシング
対象物質の付着・浸透によって弾性表面波の伝搬速度を
変える機能性薄膜を設けたことを特徴とする請求項1記
載の弾性表面波素子を用いたセンサ。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, further comprising a functional thin film provided between the output IDT electrodes, the functional thin film changing a propagation velocity of a surface acoustic wave by adhering / permeating a substance to be sensed. The sensor used.
JP6206203A 1994-08-31 1994-08-31 Sensor with elastic surface wave element Pending JPH0868780A (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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