JPH0862621A - Inclined complex dielectric constant type spatial optical modulation element - Google Patents

Inclined complex dielectric constant type spatial optical modulation element

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JPH0862621A
JPH0862621A JP20179194A JP20179194A JPH0862621A JP H0862621 A JPH0862621 A JP H0862621A JP 20179194 A JP20179194 A JP 20179194A JP 20179194 A JP20179194 A JP 20179194A JP H0862621 A JPH0862621 A JP H0862621A
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film
layer
transparent electrode
dielectric constant
spatial light
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Kuniharu Takizawa
國治 滝沢
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Abstract

PURPOSE: To attain the higher fineness of images without increasing the.sizes of a projection type display and the image processor itself and without increasing the cost of manufacture by greatly improving the resolution of the element and displaying the high-fineness images without increasing the sizes of the element itself and respective optical systems. CONSTITUTION: This spatial optical modulation element is formed by laminating a first transparent electrode 3, a photoconductive layer 4, a light absorption layer 5, a multilayered dielectric film mirror 6, an optical modulation layer 7 and a second transparent electrode 8. The complex dielectric constants of the respective layers are so set that the absolute value of the complex dielectric constant of the layer nearer the optical modulation layer 7 of the two adjacent layers having the refractive indices different from each other among the respective layers constituting the multilayered dielectric film mirror 6 existing between the photoconductive layer 4 and the optical modulation layer 7 of the element described above does not attain the absolute value larger than the absolute value of the complex dielecteric constant of the layer nearer the photoconductive layer 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は第1透明電極、光導電
層、光吸収層、誘電体多層膜ミラー、光変調層および第
2透明電極を積層した空間光変調素子、または第1透明
電極、光導電層、誘電体多層膜ミラー、光変調層および
第2透明電極を積層した空間光変調素子、もしくは第1
透明電極、光導電層、誘電体多層膜ミラー、光変調層お
よび第2透明電極を持ち、前記光導電層と、前記第2透
明電極との間に、少なくとも2つ以上の透明な層(もし
くは、不透明な層)を有する空間光変調素子に係わり、
特に前記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電
体多層膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互
いに異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光
変調層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近
い方の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないよう
に、誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を
設定することにより、書込み光の形式で入射される画像
やデータパターンのような2次元情報を取り込むととも
に、入射された読み出し光に基づき前記2次元情報を高
精細に表示する傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spatial light modulator having a first transparent electrode, a photoconductive layer, a light absorption layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, or a first transparent electrode. A spatial light modulation element in which a photoconductive layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode are laminated, or a first
It has a transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and at least two or more transparent layers (or, between the photoconductive layer and the second transparent electrode). , A spatial light modulator having an opaque layer),
In particular, among the layers which are constituent elements of the dielectric multilayer mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer, the two adjacent layers having different refractive indexes and light modulation Set the complex permittivity of each layer that constitutes the dielectric multilayer mirror so that the absolute value of the complex permittivity closer to the layer does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer. Thereby, two-dimensional information such as an image or a data pattern that is incident in the form of writing light is captured, and the inclined complex dielectric constant type spatial light that highly accurately displays the two-dimensional information based on the incident reading light. It relates to a modulation element.

【0002】[発明の概要]本発明は第1透明電極、光
導電層、光吸収層、誘電体多層膜ミラー、光変調層およ
び第2透明電極を積層した空間光変調素子、または第1
透明電極、光導電層、誘電体多層膜ミラー、光変調層お
よび第2透明電極を積層した空間光変調素子、もしくは
第1透明電極、光導電層、誘電体多層膜ミラー、光変調
層および第2透明電極を持ち、前記光導電層と、前記第
2透明電極との間に、少なくとも2つ以上の透明な層
(もしくは、不透明な層)を有する空間光変調素子に関
するもので、前記光導電層と、光変調層との間に挿入さ
れる誘電体多層膜ミラーの構成要素となっている各層の
うち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの
層の、光変調層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導
電層に近い方の複素誘電率の絶対値よりも、大きくなら
ないように、誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素
誘電率を設定することにより、高い解像度を持つ画像を
表示できるようにしたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a spatial light modulation element in which a first transparent electrode, a photoconductive layer, a light absorption layer, a dielectric multilayer film mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode are laminated, or a first light modulation layer.
A spatial light modulation element in which a transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer film mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode are laminated, or a first transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer film mirror, a light modulation layer and a first transparent electrode. The present invention relates to a spatial light modulator having two transparent electrodes and having at least two or more transparent layers (or opaque layers) between the photoconductive layer and the second transparent electrode. Of the two layers that are constituent elements of the dielectric multilayer mirror that is inserted between the layer and the light modulation layer, the two adjacent layers that have different refractive indices and are closer to the light modulation layer By setting the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer mirror so that the absolute value of the complex permittivity of does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer, To be able to display images with resolution It is intended.

【0003】[0003]

【従来の技術】書込み光の形式で入射される画像やデー
タパターンのような2次元情報を取り込むとともに、入
射された読み出し光に基づき、前記2次元情報を高精細
に表示する空間光変調素子として、従来、米国特許N
o.4127322号に示す素子や文献(Rodony D.Ste
rling, Robert D.Te Kolste, Joseph M.Haggerty, Thom
asC.Borah and William P.Bleha: “Video-rate liquid
-crystal light-valve using an amorphous silicon ph
otoconductor"SID 90 Digest pp.327-329(1990))に示
す素子が知られている。
2. Description of the Related Art As a spatial light modulator that captures two-dimensional information such as an image or a data pattern that is incident in the form of writing light and that displays the two-dimensional information with high precision based on the incident readout light. , Conventionally, US Patent N
o. No. 4127322 device and reference (Rodony D. Ste
rling, Robert D. Te Kolste, Joseph M. Haggerty, Thom
asC.Borah and William P. Bleha: “Video-rate liquid
-crystal light-valve using an amorphous silicon ph
otoconductor "SID 90 Digest pp.327-329 (1990)) is known.

【0004】同特許明細書および同文献で示されている
空間光変調素子は図11に示す如くファイバープレート
基板101と、第1透明電極102と、光導電層103
と、光吸収層104と、誘電体多層膜ミラー105と、
第1配向層106と、ネマチック液晶層107と、第2
配向層108と、第2透明電極109と、石英基板11
0とを順次、密着積層して形成した素子であり、交流電
源111によって第1透明電極102と、第2透明電極
109との間に交流電圧を印加した状態で、ファイバー
プレート基板101側に光情報を含む書込み光112を
入射させることにより、前記光導電層103の抵抗値を
変化させてシール層113で密封されたネマチック液晶
層107に光情報を2次元的に書込み、石英基板110
側に入射される読み出し光114によって前記ネマチッ
ク液晶層107に書き込まれている情報を読み出し、こ
れを表示光115として出射させる。
As shown in FIG. 11, the spatial light modulator shown in the patent specification and the document is a fiber plate substrate 101, a first transparent electrode 102, and a photoconductive layer 103.
A light absorption layer 104, a dielectric multilayer mirror 105,
The first alignment layer 106, the nematic liquid crystal layer 107, the second
Alignment layer 108, second transparent electrode 109, quartz substrate 11
0 is an element formed by sequentially and closely adhering to each other, and light is emitted to the fiber plate substrate 101 side in a state where an AC voltage is applied between the first transparent electrode 102 and the second transparent electrode 109 by the AC power supply 111. When the writing light 112 containing information is made incident, the resistance value of the photoconductive layer 103 is changed and the optical information is two-dimensionally written in the nematic liquid crystal layer 107 sealed by the sealing layer 113.
The information written in the nematic liquid crystal layer 107 is read by the read light 114 incident on the side and emitted as display light 115.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の空間光変調素子においては、次に述べるような
問題があった。
However, the above-described conventional spatial light modulator has the following problems.

【0006】すなわち、光導電層103および光吸収層
104、誘電体多層膜ミラー105、ネマチック液晶層
107が全て薄膜で構成されているにもかかわらず、空
間光変調素子の解像度が低い。
That is, although the photoconductive layer 103, the light absorption layer 104, the dielectric multilayer mirror 105, and the nematic liquid crystal layer 107 are all thin films, the resolution of the spatial light modulator is low.

【0007】例えば、前記文献では、この文献内の図6
に示されるように、空間光変調素子を構成する光導電層
103上の1mm幅の間に、光情報として白黒1組の格
子を書込み、かつ第1配向層106、ネマチック液晶層
107、第2配向層108によって構成される液晶光変
調層116のネマチック液晶層107から読み出すこと
ができる格子数の最大値を限界解像度として定義し、こ
れをlp(line pairs)/mmと表わすとき、その限界
解像度を30lp/mm程度以上にすることが難しい。
このため、2インチ以上の対角長を持つ大型の空間光変
調素子にしなければ、高精細画像を表示することができ
ないという問題があった。
[0007] For example, in the above document, FIG.
As shown in FIG. 1, a set of black and white gratings is written as light information in a 1 mm width on the photoconductive layer 103 constituting the spatial light modulator, and the first alignment layer 106, the nematic liquid crystal layer 107, and the second The maximum value of the number of lattices that can be read from the nematic liquid crystal layer 107 of the liquid crystal light modulation layer 116 configured by the alignment layer 108 is defined as the limit resolution, and when this is expressed as lp (line pairs) / mm, the limit resolution is defined. It is difficult to set the value to about 30 lp / mm or more.
Therefore, there is a problem that a high-definition image cannot be displayed unless a large spatial light modulator having a diagonal length of 2 inches or more is used.

【0008】さらに、このように、空間光変調素子を大
型化すると、この空間光変調素子に画像を書き込む光学
系やこの空間光変調素子から画像を読み出す光学系も大
型化してしまうので、空間光変調素子を用いた投射型デ
ィスプレィや画像処理装置全体が大型化してしまうとと
もに、製作コストが増大してしまうという問題があっ
た。
Further, as the size of the spatial light modulator is increased, the size of the optical system for writing an image on the spatial light modulator and the size of the optical system for reading an image from the spatial light modulator also increase. There is a problem that the projection type display using the modulation element and the entire image processing apparatus are increased in size and the manufacturing cost is increased.

【0009】本発明は上記の事情に鑑み、素子自体の解
像度を大幅に向上させて、素子自体や各光学系を大型化
することなく、高精細画像を表示することができ、これ
によって投射型ディスプレィや画像処理装置自体を大型
化することなく、かつ製作コストを増大させることな
く、画像の高精細化を達成することができる傾斜状複素
誘電率型空間光変調素子を提供することを目的としてい
る。
In view of the above circumstances, the present invention can significantly improve the resolution of the element itself and display a high-definition image without increasing the size of the element itself or each optical system. With the object of providing an inclined complex dielectric constant type spatial light modulator capable of achieving high definition of an image without increasing the size of the display or the image processing apparatus itself and increasing the manufacturing cost. There is.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、請求項1の傾斜状複素誘電率型空間光変
調素子では、第1透明電極、光導電層、光吸収層、誘電
体多層膜ミラー、光変調層および第2透明電極を積層し
て形成され、前記第1透明電極と前記第2透明電極との
間に繰り返し電圧を印加しながら、前記第1透明電極側
から入射された書込み光に基づき、前記光導電層のイン
ピーダンスを変化させて前記光変調層の状態を変化さ
せ、前記第2透明電極側から入射された読み出し光を前
記光変調層によって2次元的に変調しながら、誘電体多
層膜ミラーによって反射して前記第2透明電極側から出
射させる空間光変調素子において、前記光導電層と、光
変調層との間に挿入される誘電体多層膜ミラーの構成要
素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を持
ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層に近い方の複素
誘電率の絶対値が、光導電層に近い方の複素誘電率の絶
対値よりも、大きくならないように、誘電体多層膜ミラ
ーを構成する各層の複素誘電率を設定することを特徴と
している。
To achieve the above object, the present invention provides a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein a first transparent electrode, a photoconductive layer, a light absorbing layer, It is formed by laminating a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and from the side of the first transparent electrode while repeatedly applying a voltage between the first transparent electrode and the second transparent electrode. Based on the incident writing light, the impedance of the photoconductive layer is changed to change the state of the light modulation layer, and the reading light incident from the second transparent electrode side is two-dimensionally changed by the light modulation layer. In a spatial light modulation element that is reflected by a dielectric multilayer mirror and emitted from the side of the second transparent electrode while modulating, a dielectric multilayer mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer. Each layer that is a component Of the two adjacent layers having different refractive indices, the absolute value of the complex permittivity closer to the light modulation layer does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer. As described above, the complex dielectric constant of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror is set.

【0011】また、請求項2の傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子では、第1透明電極、光導電層、誘電体多層
膜ミラー、光変調層および第2透明電極を積層して形成
され、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に繰
り返し電圧を印加しながら、前記第1透明電極側から入
射された書込み光に基づき、前記光導電層のインピーダ
ンスを変化させて前記光変調層の状態を変化させ、前記
第2透明電極側から入射された読み出し光を前記光変調
層によって2次元的に変調しながら、誘電体多層膜ミラ
ーによって反射して前記第2透明電極側から出射させる
空間光変調素子において、前記光導電層と、光変調層と
の間に挿入される誘電体多層膜ミラーの構成要素となっ
ている各層のうち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣
接する2つの層の、光変調層に近い方の複素誘電率の絶
対値が、光導電層に近い方の複素誘電率の絶対値より
も、大きくならないように、誘電体多層膜ミラーを構成
する各層の複素誘電率を設定することを特徴としてい
る。
In the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator of claim 2, the first transparent electrode, the photoconductive layer, the dielectric multilayer mirror, the light modulating layer and the second transparent electrode are laminated. While applying a voltage repeatedly between the first transparent electrode and the second transparent electrode, the impedance of the photoconductive layer is changed based on the writing light incident from the first transparent electrode side, and the light is changed. The state of the modulation layer is changed so that the read light incident from the second transparent electrode side is two-dimensionally modulated by the light modulation layer and is reflected by the dielectric multilayer mirror to be read from the second transparent electrode side. In the spatial light modulation element for emitting light, among the layers which are constituent elements of the dielectric multilayer film mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer, they have different refractive indexes and are adjacent to each other. Two layers Set the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror so that the absolute value of the complex permittivity closer to the light modulation layer does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer. It is characterized by setting.

【0012】また、請求項3の傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子では、第1透明電極、光導電層、誘電体多層
膜ミラー、光変調層および第2透明電極を持ち、前記光
導電層と、前記第2透明電極との間に、少なくとも、1
つ以上の透明な層、もしくは不透明な層を有し、前記第
1透明電極と前記第2透明電極との間に繰り返し電圧を
印加しながら、前記第1透明電極側から入射された書込
み光に基づき、前記光導電層のインピーダンスを変化さ
せて前記光変調層の状態を変化させ、前記第2透明電極
側から入射された読み出し光を前記光変調層によって2
次元的に変調し、出射させる空間光変調素子において、
前記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多
層膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互いに
異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調
層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定
することを特徴としている。
Further, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 3, there is provided a first transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and the photoconductive layer is provided. At least 1 layer between the layer and the second transparent electrode.
One or more transparent layers or opaque layers are provided, and the writing light incident from the first transparent electrode side is applied while repeatedly applying a voltage between the first transparent electrode and the second transparent electrode. Then, the impedance of the photoconductive layer is changed to change the state of the light modulation layer, and the read light incident from the second transparent electrode side is changed by the light modulation layer.
In a spatial light modulator that dimensionally modulates and emits,
Of the layers constituting the dielectric multilayer mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer, two adjacent light modulation layers having different refractive indexes from each other. So that the absolute value of the complex permittivity closer to is not larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer,
The feature is that the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror is set.

【0013】また、請求項4では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、ネマチック液晶、コレス
テリック液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液
晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶の混合物に
よって構成される群のいずれか1つ以上の液晶を選択し
て用いることを特徴としている。
According to a fourth aspect, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the light modulating layer, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, It is characterized in that one or more liquid crystals selected from the group consisting of a mixture of these nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystals, and smectic liquid crystals are used.

【0014】また、請求項5では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、ネマチック液晶、コレス
テリック液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液
晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶の混合物に
よって構成される群のいずれか1つ以上の液晶の常光屈
折率、異常光屈折率または前記液晶がランダムに配向し
た際の屈折率のいずれかと同等の屈折率を持つ樹脂中に
前記液晶を分散させた液晶・樹脂複合体、または前記液
晶中に前記樹脂を分散させた液晶・樹脂複合体のいずれ
か一方を用いることを特徴としている。
According to a fifth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the light modulating layer, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, The nematic liquid crystal, the cholesteric liquid crystal, and the smectic liquid crystal, which are equivalent to the ordinary refractive index, the extraordinary light refractive index, or the refractive index when the liquid crystal is randomly aligned, of one or more liquid crystals One of a liquid crystal / resin composite in which the liquid crystal is dispersed in a resin having a refractive index, or a liquid crystal / resin composite in which the resin is dispersed in the liquid crystal is used.

【0015】また、請求項6では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、LiNbO3 、LiTa
3、KDP、DKDP、ADP、KTP、KNb
3 、Srx Ba1-x Nb2 6、GaAs、InP、
GaP結晶によって構成される群から選択された1つ以
上の電気光学結晶を用いることを特徴としている。
According to a sixth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, the light modulating layer is LiNbO 3 , LiTa.
O 3 , KDP, DKDP, ADP, KTP, KNb
O 3 , Sr x Ba 1-x Nb 2 O 6 , GaAs, InP,
It is characterized by using one or more electro-optic crystals selected from the group consisting of GaP crystals.

【0016】また、請求項7では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、珪素、ゲルマニウム、炭
素によって構成される群のいずれか1つ以上の元素から
なるアモルファス膜を用いることを特徴としている。
According to a seventh aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, the photoconductive layer is made of silicon, germanium or carbon. It is characterized by using an amorphous film made of any one or more elements of the group.

【0017】また、請求項8では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、アモルファスシリコン
膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモルファスシリ
コンカーバイト膜、水素化アモルファスシリコンカーバ
イト膜、アモルファスセレン膜、アモルファスSeAs
膜、アモルファスZnS膜、アモルファスCdS膜、ア
モルファスCdSe膜によって構成される群のいずれか
1つ以上の膜を用いることを特徴としている。
Further, in claim 8, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of claims 1, 2 and 3, the photoconductive layer is an amorphous silicon film or a hydrogenated amorphous silicon film. , Amorphous silicon carbide film, hydrogenated amorphous silicon carbide film, amorphous selenium film, amorphous SeAs
It is characterized by using at least one film selected from the group consisting of a film, an amorphous ZnS film, an amorphous CdS film, and an amorphous CdSe film.

【0018】また、請求項9では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、GaAs結晶、GaP結
晶、Bi12SiO20結晶、Bi12GeO20結晶によって
構成される群から選択された1つ以上の結晶を用いるこ
とを特徴としている。
According to a ninth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the photoconductive layer, a GaAs crystal, a GaP crystal, and a Bi 12 SiO. 20 crystals, one or more crystals selected from the group consisting of Bi 12 GeO 20 crystals are used.

【0019】また、請求項10では、請求項1、2、3
のいずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子
において、前記光導電層として、フタロシアニン系顔
料、アゾ系顔料、多環キノン系顔料、ペリレン系顔料、
ペリノン系顔料、アントラキノン系顔料、インジゴ系顔
料、チオインジゴ系顔料、ジオキサジン系顔料、アゾレ
ーキ系顔料、チアピリリウム系色素、キナクリドン系顔
料、シアニン系色素、ピロル系顔料、ポルフィリン系顔
料、アンタントン系顔料、スクアリリウム色素、アズレ
ニウム色素、ZnO、TiO、CdSあるいはCdSe
を樹脂中に分散させた材料を用いることを特徴としてい
る。
Further, in the tenth aspect, the first, second, and third aspects are provided.
In the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the above, as the photoconductive layer, a phthalocyanine pigment, an azo pigment, a polycyclic quinone pigment, a perylene pigment,
Perinone pigments, anthraquinone pigments, indigo pigments, thioindigo pigments, dioxazine pigments, azo lake pigments, thiapyrylium pigments, quinacridone pigments, cyanine pigments, pyrrole pigments, porphyrin pigments, anthanton pigments, squarylium pigments. , Azurenium dye, ZnO, TiO, CdS or CdSe
It is characterized by using a material in which is dispersed in a resin.

【0020】また、請求項11では、請求項1、3のい
ずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子にお
いて、前記光吸収層として、CdTe膜、ダイヤモンド
ライクカーボン膜、珪素と炭素とゲルマニウムとから実
質的に構成されたアモルファス膜によって構成される群
から選択された1つ以上の膜を用いることを特徴として
いる。
Further, in claim 11, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of claims 1 and 3, the light absorbing layer is a CdTe film, a diamond-like carbon film, silicon and carbon. It is characterized by using one or more films selected from the group consisting of an amorphous film consisting essentially of and germanium.

【0021】また、請求項12では、請求項1、3のい
ずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子にお
いて、前記光吸収層として、無機顔料、有機顔料、カー
ボン、染料によって構成される群から選択された1つ以
上の材料を樹脂中に分散させた樹脂複合体を用いること
を特徴としている。
According to a twelfth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first and third aspects, the light absorption layer is made of an inorganic pigment, an organic pigment, carbon or a dye. It is characterized by using a resin composite in which one or more materials selected from the group described above are dispersed in a resin.

【0022】また、請求項13では、請求項1、2、3
のいずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子
において、前記誘電体多層膜ミラーとして、SiO
2 膜、TiO2 膜、HfO2 膜、Ta2 5 膜、ZnS
膜、Al2 3 膜、Na2 AlF6 膜、MgF2 膜、L
aF3 膜、GdF3 膜、SmF3 膜、CeF3 膜、Zr
2 膜、CeO2 膜によって構成される群から選択され
た2つ以上の膜を積層した多層膜を用いることを特徴と
している。
In the thirteenth aspect, the first, second, and third aspects are provided.
In the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the items 1 to 3,
2 film, TiO 2 film, HfO 2 film, Ta 2 O 5 film, ZnS
Film, Al 2 O 3 film, Na 2 AlF 6 film, MgF 2 film, L
aF 3 film, GdF 3 film, SmF 3 film, CeF 3 film, Zr
It is characterized by using a multilayer film in which two or more films selected from the group consisting of an O 2 film and a CeO 2 film are laminated.

【0023】[0023]

【作用】上記の構成において、請求項1の傾斜状複素誘
電率型空間光変調素子では、第1透明電極、光導電層、
光吸収層、誘電体多層膜ミラー、光変調層および第2透
明電極を積層して形成され、前記第1透明電極と前記第
2透明電極との間に繰り返し電圧を印加しながら、前記
第1透明電極側から入射された書込み光に基づき、前記
光導電層のインピーダンスを変化させて前記光変調層の
状態を変化させ、前記第2透明電極側から入射された読
み出し光を前記光変調層によって2次元的に変調しなが
ら、誘電体多層膜ミラーによって反射して前記第2透明
電極側から出射させる空間光変調素子において、前記光
導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多層膜ミ
ラーの構成要素となっている各層のうち、互いに異なる
屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層に近
い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方の複素
誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体
多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定するこ
とにより、素子自体の解像度を大幅に向上させて、素子
自体や各光学系を大型化することなく、高精細画像を表
示し、これによって投射型ディスプレィや画像処理装置
自体を大型化することなく、かつ製作コストを増大させ
ることなく画像の高精細化を達成する。
In the above structure, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator of claim 1, the first transparent electrode, the photoconductive layer,
It is formed by laminating a light absorption layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and while applying a voltage repeatedly between the first transparent electrode and the second transparent electrode, the first transparent electrode is formed. Based on the write light incident from the transparent electrode side, the impedance of the photoconductive layer is changed to change the state of the light modulation layer, and the read light incident from the second transparent electrode side is changed by the light modulation layer. In a spatial light modulator that reflects two-dimensionally by a dielectric multilayer film mirror and emits from the side of the second transparent electrode, a dielectric material inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer. Of the layers that are the constituent elements of the multilayer mirror, the two adjacent layers that have different refractive indices and the absolute value of the complex dielectric constant of the one that is closer to the light modulation layer is the one that is closer to the photoconductive layer. Is the absolute value of the complex permittivity of Also, by setting the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror so that it does not become large, the resolution of the element itself is significantly improved, without increasing the size of the element itself or each optical system. A high-definition image is displayed, whereby a high-definition image is achieved without increasing the size of the projection display or the image processing apparatus itself and increasing the manufacturing cost.

【0024】また、請求項2の傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子では、第1透明電極、光導電層、誘電体多層
膜ミラー、光変調層および第2透明電極を積層して形成
され、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に繰
り返し電圧を印加しながら、前記第1透明電極側から入
射された書込み光に基づき、前記光導電層のインピーダ
ンスを変化させて前記光変調層の状態を変化させ、前記
第2透明電極側から入射された読み出し光を前記光変調
層によって2次元的に変調しながら、誘電体多層膜ミラ
ーによって反射して前記第2透明電極側から出射させる
空間光変調素子において、前記光導電層と、光変調層と
の間に挿入される誘電体多層膜ミラーの構成要素となっ
ている各層のうち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣
接する2つの層の、光変調層に近い方の複素誘電率の絶
対値が、光導電層に近い方の複素誘電率の絶対値より
も、大きくならないように、誘電体多層膜ミラーを構成
する各層の複素誘電率を設定することにより、素子自体
の解像度を大幅に向上させて、素子自体や各光学系を大
型化することなく、高精細画像を表示し、これによって
投射型ディスプレィや画像処理装置自体を大型化するこ
となく、かつ製作コストを増大させることなく画像の高
精細化を達成する。
In the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator of claim 2, the first transparent electrode, the photoconductive layer, the dielectric multilayer mirror, the light modulating layer and the second transparent electrode are laminated. While applying a voltage repeatedly between the first transparent electrode and the second transparent electrode, the impedance of the photoconductive layer is changed based on the writing light incident from the first transparent electrode side, and the light is changed. The state of the modulation layer is changed so that the read light incident from the second transparent electrode side is two-dimensionally modulated by the light modulation layer and is reflected by the dielectric multilayer mirror to be read from the second transparent electrode side. In the spatial light modulation element for emitting light, among the layers which are constituent elements of the dielectric multilayer film mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer, they have different refractive indexes and are adjacent to each other. Two layers Set the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror so that the absolute value of the complex permittivity closer to the light modulation layer does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer. By setting it, the resolution of the element itself is significantly improved, and a high-definition image is displayed without increasing the size of the element itself or each optical system, thereby enlarging the projection type display or the image processing apparatus itself. And high definition of an image is achieved without increasing the manufacturing cost.

【0025】また、請求項3の傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子では、第1透明電極、光導電層、誘電体多層
膜ミラー、光変調層および第2透明電極を持ち、前記光
導電層と、前記第2透明電極との間に、少なくとも2つ
以上の透明な層、もしくは不透明な層を有し、前記第1
透明電極と前記第2透明電極との間に繰り返し電圧を印
加しながら、前記第1透明電極側から入射された書込み
光に基づき、前記光導電層のインピーダンスを変化させ
て前記光変調層の状態を変化させ、前記第2透明電極側
から入射された読み出し光を前記光変調層によって2次
元的に変調し、出射させる空間光変調素子において、前
記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多層
膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互いに異
なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層
に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方の
複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、誘
電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定す
ることにより、素子自体の解像度を大幅に向上させて、
素子自体や各光学系を大型化することなく、高精細画像
を表示し、これによって投射型ディスプレィや画像処理
装置自体を大型化することなく、かつ製作コストを増大
させることなく画像の高精細化を達成する。
The inclined complex dielectric constant type spatial light modulator of claim 3 has a first transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and the photoconductive layer is provided. At least two or more transparent layers or opaque layers are provided between the layer and the second transparent electrode.
While repeatedly applying a voltage between the transparent electrode and the second transparent electrode, the impedance of the photoconductive layer is changed based on the writing light incident from the first transparent electrode side to change the state of the light modulation layer. In the spatial light modulator in which the light modulating layer two-dimensionally modulates the read light incident from the second transparent electrode side and emits the read light, in the space between the photoconductive layer and the light modulating layer. Of the layers that are the constituent elements of the inserted dielectric multilayer mirror, the absolute values of the complex permittivities of the two adjacent layers that have different refractive indices and are closer to the light modulation layer are By setting the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror so that it does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the conductive layer, the resolution of the element itself is significantly improved,
High-definition images are displayed without increasing the size of the element itself or each optical system, thereby increasing the definition of images without increasing the size of the projection display or the image processing device itself and increasing the manufacturing cost. To achieve.

【0026】また、請求項4では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、ネマチック液晶、コレス
テリック液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液
晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶の混合物に
よって構成される群のいずれか1つ以上の液晶を選択し
て用いることにより、素子を構成する各要素を特定し、
現存する材料によって請求項1、2、3に示す効果を得
る。
According to a fourth aspect, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the light modulating layer, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, By selecting and using one or more liquid crystals selected from the group consisting of a mixture of these nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystals, and smectic liquid crystals, each element constituting the element is specified,
The effects shown in claims 1, 2 and 3 can be obtained by existing materials.

【0027】また、請求項5では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、ネマチック液晶、コレス
テリック液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液
晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶の混合物に
よって構成される群のいずれか1つ以上の液晶の常光屈
折率、異常光屈折率または前記液晶がランダムに配向し
た際の屈折率のいずれかと同等の屈折率を持つ樹脂中に
前記液晶を分散させた液晶・樹脂複合体、または前記液
晶中に前記樹脂を分散させた液晶・樹脂複合体のいずれ
か一方を用いることにより、素子を構成する各要素を特
定し、現存する材料によって請求項1、2、3に示す効
果を得る。
According to a fifth aspect, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the light modulating layer, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, The nematic liquid crystal, the cholesteric liquid crystal, and the smectic liquid crystal, which are equivalent to the ordinary refractive index, the extraordinary light refractive index, or the refractive index when the liquid crystal is randomly aligned, of one or more liquid crystals Each element constituting an element by using one of a liquid crystal / resin composite in which the liquid crystal is dispersed in a resin having a refractive index, or a liquid crystal / resin composite in which the resin is dispersed in the liquid crystal Is specified, and the effects shown in claims 1, 2 and 3 are obtained depending on the existing material.

【0028】また、請求項6では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光変調層として、LiNbO3 、LiTa
3、KDP、DKDP、ADP、KTP、KNb
3 、Srx Ba1-x Nb2 6、GaAs、InP、
GaP結晶によって構成される群から選択された1つ以
上の電気光学結晶を用いることにより、素子を構成する
各要素を特定し、現存する材料によって請求項1、2、
3に示す効果を得る。
According to a sixth aspect of the present invention, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, LiNbO 3 , LiTa is used as the light modulating layer.
O 3 , KDP, DKDP, ADP, KTP, KNb
O 3 , Sr x Ba 1-x Nb 2 O 6 , GaAs, InP,
A method according to claim 1, wherein each element constituting the device is specified by using one or more electro-optic crystals selected from the group consisting of GaP crystals, and the existing material is used.
The effect shown in 3 is obtained.

【0029】また、請求項7では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、珪素、ゲルマニウム、炭
素によって構成される群のいずれか1つ以上の元素から
なるアモルファス膜を用いることにより、素子を構成す
る各要素を特定し、現存する材料によって請求項1、
2、3に示す効果を得る。
According to a seventh aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, the photoconductive layer is made of silicon, germanium or carbon. The use of an amorphous film composed of any one or more elements of the group to specify each element constituting the element, and to use the existing material to claim 1.
The effects shown in 2 and 3 are obtained.

【0030】また、請求項8では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、アモルファスシリコン
膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモルファスシリ
コンカーバイト膜、水素化アモルファスシリコンカーバ
イト膜、アモルファスセレン膜、アモルファスSeAs
膜、アモルファスZnS膜、アモルファスCdS膜、ア
モルファスCdSe膜によって構成される群のいずれか
1つ以上の膜を用いることにより、素子を構成する各要
素を特定し、現存する材料によって請求項1、2、3に
示す効果を得る。
Further, in the eighth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, the photoconductive layer is an amorphous silicon film or a hydrogenated amorphous silicon film. , Amorphous silicon carbide film, hydrogenated amorphous silicon carbide film, amorphous selenium film, amorphous SeAs
A film, an amorphous ZnS film, an amorphous CdS film, or an amorphous CdSe film is used to identify each element constituting the element by using one or more films, and the present invention may be applied according to claim 1. The effect shown in 3 is obtained.

【0031】また、請求項9では、請求項1、2、3の
いずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子に
おいて、前記光導電層として、GaAs結晶、GaP結
晶、Bi12SiO20結晶、Bi12GeO20結晶によって
構成される群から選択された1つ以上の結晶を用いるこ
とにより、素子を構成する各要素を特定し、現存する材
料によって請求項1、2、3に示す効果を得る。
According to a ninth aspect, in the gradient complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first, second and third aspects, as the photoconductive layer, a GaAs crystal, a GaP crystal, and a Bi 12 SiO. By using one or more crystals selected from the group consisting of 20 crystal and Bi 12 GeO 20 crystal, each element constituting the element is specified, and the present invention shows the present invention according to claims 1, 2 and 3. Get the effect.

【0032】また、請求項10では、請求項1、2、3
のいずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子
において、前記光導電層として、フタロシアニン系顔
料、アゾ系顔料、多環キノン系顔料、ペリレン系顔料、
ペリノン系顔料、アントラキノン系顔料、インジゴ系顔
料、チオインジゴ系顔料、ジオキサジン系顔料、アゾレ
ーキ系顔料、チアピリリウム系色素、キナクリドン系顔
料、シアニン系色素、ピロル系顔料、ポルフィリン系顔
料、アンタントン系顔料、スクアリリウム色素、アズレ
ニウム色素、ZnO、TiO、CdSあるいはCdSe
を樹脂中に分散させた材料を用いることにより、素子を
構成する各要素を特定し、現存する材料によって請求項
1、2、3に示す効果を得る。
In the tenth aspect, the first, second, and third aspects are provided.
In the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the above, as the photoconductive layer, a phthalocyanine pigment, an azo pigment, a polycyclic quinone pigment, a perylene pigment,
Perinone pigments, anthraquinone pigments, indigo pigments, thioindigo pigments, dioxazine pigments, azo lake pigments, thiapyrylium pigments, quinacridone pigments, cyanine pigments, pyrrole pigments, porphyrin pigments, anthanton pigments, squarylium pigments. , Azurenium dye, ZnO, TiO, CdS or CdSe
By using a material in which is dispersed in a resin, each element constituting the element is specified, and the effects shown in claims 1, 2 and 3 are obtained depending on the existing material.

【0033】また、請求項11では、請求項1、3のい
ずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子にお
いて、前記光吸収層として、CdTe膜、ダイヤモンド
ライクカーボン膜、珪素と炭素とゲルマニウムとから実
質的に構成されたアモルファス膜によって構成される群
から選択された1つ以上の膜を用いることにより、素子
を構成する各要素を特定し、現存する材料によって請求
項1、3に示す効果を得る。
In the eleventh aspect, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first and third aspects, the light absorbing layer is a CdTe film, a diamond-like carbon film, silicon and carbon. The elements constituting the element are specified by using one or more films selected from the group consisting of an amorphous film substantially composed of and germanium. The effect shown in is obtained.

【0034】また、請求項12では、請求項1、3のい
ずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子にお
いて、前記光吸収層として、無機顔料、有機顔料、カー
ボン、染料によって構成される群から選択された1つ以
上の材料を樹脂中に分散させた樹脂複合体を用いること
により、素子を構成する各要素を特定し、現存する材料
によって請求項1、3に示す効果を得る。
According to a twelfth aspect, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the first and third aspects, the light absorption layer is made of an inorganic pigment, an organic pigment, carbon or a dye. By using a resin composite in which one or more materials selected from the group described above are dispersed in a resin, each element constituting the element is specified, and the effects shown in claims 1 and 3 are obtained depending on the existing materials. obtain.

【0035】また、請求項13では、請求項1、2、3
のいずれかに記載の傾斜状複素誘電率型空間光変調素子
において、前記誘電体多層膜ミラーとして、SiO
2 膜、TiO2 膜、HfO2 膜、Ta2 5 膜、ZnS
膜、Al2 3 膜、Na2 AlF6 膜、MgF2 膜、L
aF3 膜、GdF3 膜、SmF3 膜、CeF3 膜、Zr
2 膜、CeO2 膜によって構成される群から選択され
た2つ以上の膜を積層した多層膜を用いることにより、
素子を構成する各要素を特定し、現存する材料によって
請求項1、2、3に示す効果を得る。
In the thirteenth aspect, the first, second, and third aspects are provided.
In the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to any one of the items 1 to 3,
2 film, TiO 2 film, HfO 2 film, Ta 2 O 5 film, ZnS
Film, Al 2 O 3 film, Na 2 AlF 6 film, MgF 2 film, L
aF 3 film, GdF 3 film, SmF 3 film, CeF 3 film, Zr
By using a multilayer film in which two or more films selected from the group consisting of O 2 film and CeO 2 film are laminated,
Each element constituting the element is specified, and the effects shown in claims 1, 2 and 3 are obtained depending on the existing material.

【0036】[0036]

【実施例】【Example】

《基本原理の説明》まず、従来から知られている空間光
変調素子の解像度がなぜ低いのか、その原因を考えたと
ころ、光導電層103と、液晶光変調層116との間に
挿入される誘電体多層膜ミラー105の構成要素となっ
ている各層のうち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣
接する2つの層の、液晶光変調層116に近い方の複素
誘電率の絶対値が、光導電層103に近い方の複素誘電
率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層
膜ミラー105を構成する各層の複素誘電率が設定され
ていないためではないかという結論に達した。
<< Description of Basic Principle >> First, the reason why the resolution of the conventionally known spatial light modulation element is low is considered, and the reason is that it is inserted between the photoconductive layer 103 and the liquid crystal light modulation layer 116. Of the layers that are constituent elements of the dielectric multilayer mirror 105, the absolute values of the complex permittivities of the two adjacent layers having different refractive indexes and closer to the liquid crystal light modulation layer 116 are the optical values. It was concluded that the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 105 is not set so as not to be larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the conductive layer 103.

【0037】すなわち、米国特許No.4127322
号の明細書では、第9ページの第30行から第35行ま
でや、第9ページの第15行から第20行までの記述内
容から、同明細書に記述された空間光変調素子の誘電体
多層膜ミラー105は、TiO2 薄膜と、SiO2 薄膜
とで構成され、1.54μmの厚さと、1010Ω/□以
上のシート抵抗を持つことだけが明記されている。これ
は言い替えると、この誘電体多層膜ミラー105は、
1.54×106 Ωcm以上の比抵抗を持つと表現する
ことができる。
That is, US Pat. 4127322
In the specification of the issue, the dielectric content of the spatial light modulator described in the specification is described from line 30 to line 35 of page 9 and line 15 to line 20 of page 9. It is specified that the body multilayer film mirror 105 is composed of a TiO 2 thin film and a SiO 2 thin film and has a thickness of 1.54 μm and a sheet resistance of 10 10 Ω / □ or more. In other words, the dielectric multilayer mirror 105 is
It can be expressed as having a specific resistance of 1.54 × 10 6 Ωcm or more.

【0038】しかしながら、一般的には、液晶光変調層
116に液晶を用いる空間光変調素子を交流電圧で駆動
するため、空間光変調素子を構成する誘電体多層膜ミラ
ー105のシート抵抗もしくは比抵抗だけを電気的パラ
メータとする同特許明細書の素子設計法は、明らかに間
違っている。
However, in general, since the spatial light modulation element using liquid crystal for the liquid crystal light modulation layer 116 is driven by an AC voltage, the sheet resistance or the specific resistance of the dielectric multilayer film mirror 105 constituting the spatial light modulation element. The device design method of the patent specification, in which only the electrical parameter is used, is obviously wrong.

【0039】したがって、交流電圧で駆動される空間光
変調素子の設計には、誘電体多層膜ミラー105の比抵
抗、誘電率および駆動電圧の周波数を含む複素誘電率を
電気的パラメータとして、前記誘電体多層膜ミラー10
5を構成している各層の電気的特性を適正に定めること
が必要である。特に、高解像度の空間光変調素子を設計
するためには、光導電層103と、液晶光変調層116
との間に挿入される誘電体多層膜ミラー105の構成要
素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を持
ち、かつ隣接する2つの層の、液晶光変調層116に近
い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層103に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラー105を構成する各層の複素誘電率
が設定しなければならない。
Therefore, in designing a spatial light modulator driven by an AC voltage, the dielectric constant of the dielectric multilayer film mirror 105, the permittivity, and the complex permittivity including the frequency of the drive voltage are used as electrical parameters for the dielectric constant. Body multilayer mirror 10
It is necessary to properly determine the electrical characteristics of each layer that constitutes No. 5. In particular, in order to design a high resolution spatial light modulation element, the photoconductive layer 103 and the liquid crystal light modulation layer 116 are used.
Among the layers that are constituent elements of the dielectric multilayer mirror 105 that is inserted between and, the two adjacent layers that have different refractive indexes and that are closer to the liquid crystal light modulation layer 116 have a complex dielectric constant. The absolute value of the refractive index should not be larger than the absolute value of the complex dielectric constant closer to the photoconductive layer 103.
The complex permittivity of each layer forming the dielectric multilayer film mirror 105 must be set.

【0040】以下では、米国特許No.4127322
号に記載された空間光変調素子の実施例を用いて、誘電
体多層膜ミラー105を構成する各層のうち、互いに屈
折率が異なる2種類の誘電体薄膜の複素誘電率の絶対値
を求め、上述した空間光変調素子の解像度が低い理由
を、数値的に明らかにする。
In the following, US Pat. 4127322
Using the example of the spatial light modulation element described in No. 5, the absolute value of the complex permittivity of two types of dielectric thin films having different refractive indexes among the layers forming the dielectric multilayer mirror 105 is obtained. The reason why the spatial light modulator described above has a low resolution will be clarified numerically.

【0041】まず、米国特許No.4127322号に
記載された空間光変調素子の誘電体多層膜ミラー105
を構成しているTiO2 薄膜の比誘電率と、SiO2
膜の比誘電率とを求める。これらの材料の比誘電率は、
米国特許No.4127322号の明細書には、記載さ
れていないが、一般には、表1に示す値を有している。
ただし、この表1には、TiO2 単結晶のC軸方向の比
誘電率(εe )と、C軸に垂直な方向の比誘電率
(εo )および溶融水晶の比誘電率(εc )とを記載し
ている。これらの数値は、文献によって多少の差異があ
るが、何れも一般的に良く知られた値である。
First, US Pat. No. 4127322, the dielectric multilayer mirror 105 of the spatial light modulator.
The relative permittivity of the TiO 2 thin film and the relative permittivity of the SiO 2 thin film constituting the above are calculated. The relative permittivity of these materials is
US Patent No. Although not described in the specification of No. 4127322, it generally has the values shown in Table 1.
However, in Table 1, the relative permittivity (ε e ) of the TiO 2 single crystal in the C-axis direction, the relative permittivity (ε o ) in the direction perpendicular to the C-axis, and the relative permittivity (ε c of the fused quartz) are shown. ) Is described. These numerical values are generally well known, although there are some differences depending on the literature.

【0042】[0042]

【表1】 そして、誘電体多層膜ミラー105を構成するSiO2
膜の比誘電率(εS )は、溶融水晶の比誘電率および屈
折率とほぼ等価であり、 εS ≒εc =4.1 …(1) で与えられる。
[Table 1] Then, SiO 2 forming the dielectric multilayer mirror 105
The relative permittivity (ε S ) of the film is almost equivalent to the relative permittivity and refractive index of fused quartz, and is given by ε S ≈ε c = 4.1 (1).

【0043】一方、誘電体多層膜ミラー105を構成す
るTiO2 膜は、多結晶性を持つと考えられるため、そ
の比誘電率εT は、 εT =(2εo +εe )/3 …(2) として差し支えない。これらの値と表1に示す各値とに
より、TiO2 膜の比誘電率εT は、 εT =148.9 …(3) となる。
On the other hand, since the TiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 105 is considered to have polycrystallinity, its relative dielectric constant ε T is ε T = (2ε o + ε e ) / 3 (( 2) It does not matter as. From these values and the values shown in Table 1, the relative permittivity ε T of the TiO 2 film is ε T = 148.9 (3).

【0044】そして、誘電体多層膜ミラー105を構成
するTiO2 膜の比抵抗と、SiO2 膜の比抵抗とを、
それぞれρT 、ρS とし、空間光変調素子を駆動する交
流電圧の角周波数をωとすると、TiO2 膜の複素誘電
率εZTおよびSiO2 膜の複素誘電率εZSは、それぞ
れ、 εZT=εV εT +(jωρT -1 …(4) εZS=εV εS +(jωρS -1 …(5) で与えられる。ただし、εV は真空中の誘電率、jはj
2 =−1で表される虚数単位である。これにより、Ti
2 膜の複素誘電率εZTおよびSiO2 膜の複素誘電率
εZSの絶対値|εZT|、|εZS|は、それぞれ、
Then, the specific resistance of the TiO 2 film and the specific resistance of the SiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 105 are
Let ρ T and ρ S , respectively, and let the angular frequency of the AC voltage that drives the spatial light modulator be ω, then the complex permittivity ε ZT of the TiO 2 film and the complex permittivity ε ZS of the SiO 2 film are respectively ε ZT = Ε V ε T + (jωρ T ) −1 (4) ε ZS = ε V ε S + (jωρ S ) −1 (5) Where ε V is the permittivity in vacuum and j is j
It is an imaginary unit represented by 2 = -1. This allows Ti
The absolute values of the complex permittivity ε ZT of the O 2 film and the complex permittivity ε ZS of the SiO 2 film are | ε ZT | and | ε ZS |, respectively.

【数1】 |εZT|={(εV εT 2 +(ωρT -20.5 …(6) |εZS|={(εV εS 2 +(ωρS -20.5 …(7) となる。ここで、この(6)式および(7)式の両辺を
真空の誘電率εV で割ったものを、複素比誘電率の絶対
値|εZCT |、|εZCS |と定義すると、これら複素比
誘電率の絶対値|εZCT |および|εZCS |は、それぞ
れ、 |εZCT |=|εZT|/εV …(8) |εZCS |=|εZS|/εV …(9) で与えられる。
[Equation 1] | ε ZT | = {(ε V ε T ) 2 + (ωρ T ) −2 } 0.5 (6) | ε ZS │ = {(ε V ε S ) 2 + (ωρ S ) −2 } 0.5 becomes (7). Here, by dividing both sides of the equations (6) and (7) by the vacuum permittivity ε V , the absolute values of the complex relative permittivity are defined as | ε ZCT | and | ε ZCS | The absolute values of relative permittivity | ε ZCT | and | ε ZCS | are | ε ZCT | = | ε ZT | / ε V ... (8) | ε ZCS | = | ε ZS | / ε V … (9) ) Is given by.

【0045】そして、前記(1)式から(9)式を用い
ると、米国特許No.4127322号に記載された空
間光変調素子の誘電体多層膜ミラー105を構成するT
iO2 膜の複素比誘電率の絶対値|εZCT |と、SiO
2 膜の複素比誘電率の絶対値|εZCS |とを容易に導出
することができる。
If the above equations (1) to (9) are used, US Pat. T constituting the dielectric multilayer mirror 105 of the spatial light modulator described in Japanese Patent No. 4127322.
The absolute value of the complex relative permittivity of the iO 2 film | ε ZCT |
The absolute value of the complex relative permittivity | ε ZCS | of the two films can be easily derived.

【0046】一例として、表1に示す特性を持つTiO
2 膜の複素比誘電率の絶対値|εZC T |と、SiO2
の複素比誘電率の絶対値|εZCS |とを求める。ただ
し、TiO2 膜の比抵抗ρT およびSiO2 膜の比抵抗
ρS は、いずれも107 〜1011Ωcmの範囲に属する
ものとする。これらの数値は、表1に示す米国特許N
o.4127322号に記載された空間光変調素子の誘
電体多層膜ミラー105の諸条件を十分に満足してい
る。
As an example, TiO having the characteristics shown in Table 1
The absolute value of the complex relative permittivity of 2 film | epsilon ZC T | and the absolute value of the complex relative permittivity of the SiO 2 film | epsilon ZCS | and seek. However, both the specific resistance ρ T of the TiO 2 film and the specific resistance ρ S of the SiO 2 film belong to the range of 10 7 to 10 11 Ωcm. These numerical values are shown in Table 1
o. The conditions of the dielectric multilayer film mirror 105 of the spatial light modulator described in No. 4127322 are sufficiently satisfied.

【0047】さらに、ここで、空間光変調素子を駆動す
る交流電圧の周波数fを10〜104 Hzとし、かつT
iO2 膜の比抵抗ρT およびSiO2 膜の比抵抗ρS
数値および表1に示す値を(1)式から(9)式に代入
して、誘電体多層膜ミラー105の構成要素であるSi
2 膜の複素比誘電率の絶対値|εZCS |と、TiO2
膜の複素比誘電率|εZCT |とを計算したところ、表
2、表3に示す値を得ることができた。
Further, here, the frequency f of the AC voltage for driving the spatial light modulator is set to 10 to 10 4 Hz, and T
By substituting the numerical values of the specific resistance ρ T of the iO 2 film and the specific resistance ρ S of the SiO 2 film and the values shown in Table 1 into the formulas (1) to (9), the components of the dielectric multilayer film mirror 105 are calculated. There is Si
O 2 film absolute value of the complex relative permittivity of | epsilon ZCS | a, TiO 2
When the complex relative dielectric constant | ε ZCT | of the film was calculated, the values shown in Tables 2 and 3 could be obtained.

【0048】[0048]

【表2】 [Table 2]

【表3】 そして、表2はTiO2 膜の比抵抗ρT および周波数f
の変化に応じて、TiO2 膜の複素比誘電率の絶対値|
εZCT |が17993から148.87まで変わること
を示し、また表3はSiO2 膜の比抵抗ρS および周波
数fの変化に応じて、SiO2 膜の複素比誘電率の絶対
値|εZCS |が17993から4.1まで変わることを
示している。
[Table 3] Table 2 shows the specific resistance ρ T and frequency f of the TiO 2 film.
Absolute value of the complex relative permittivity of the TiO 2 film according to the change of
epsilon ZCT | indicates vary from 17,993 to 148.87, also Table 3 in accordance with a change in the resistivity [rho S and the frequency f of the SiO 2 film, the absolute value of the complex relative permittivity of the SiO 2 film | epsilon ZCS It is shown that | changes from 17993 to 4.1.

【0049】ここで、表2の内容と、表3の内容とを比
較すると、TiO2 膜の比抵抗ρTおよびSiO2 膜の
比抵抗ρS が、ρT =ρS =107 Ωcmで、かつ周波
数fがf=10Hzの場合を除き、TiO2 膜とSiO
2 膜とが互いに異なる複素比誘電率を有しているのが分
かる。
Here, comparing the contents of Table 2 with the contents of Table 3, the specific resistance ρ T of the TiO 2 film and the specific resistance ρ S of the SiO 2 film are ρ T = ρ S = 10 7 Ωcm. And, except when the frequency f is f = 10 Hz, the TiO 2 film and SiO
It can be seen that the two films have different complex relative permittivities.

【0050】ところで、良く知られているように、2N
+1(Nは1より大きい正整数)の多層膜から構成され
る誘電体多層膜ミラー105は、N+1層の高屈折率薄
膜(米国特許No.4127322号に記載された空間
光変調素子では、TiO2 膜がこれに相当する)と、N
層の低屈折率薄膜(米国特許No.4127322号に
記載された空間光変調素子では、SiO2 膜がこれに相
当する)とが交互に積み重ねられて構成されている。
By the way, as is well known, 2N
The dielectric multilayer mirror 105 composed of +1 (N is a positive integer larger than 1) multilayer film has a high refractive index thin film of N + 1 layers (in the spatial light modulator described in US Pat. No. 4,127,322, TiO.sub.2). 2 films correspond to this) and N
The low-refractive-index thin films of layers (the SiO 2 film corresponds to this in the spatial light modulator described in US Pat. No. 4,127,322) are alternately stacked.

【0051】つまり、米国特許No.4127322号
に記載された空間光変調素子を始め、従来の方法では、
誘電体多層膜ミラー105を製作する際、N+1層のT
iO2 膜を同じ成膜条件で製作しているので、誘電体多
層膜ミラー105を構成するどのTiO2 膜でも、ほぼ
同じ電気的特性を持っている。言い替えると、各TiO
2 膜はほぼ同じ比抵抗と、誘電率(あるいは、ほぼ同じ
複素比誘電率)とを持っている。
That is, US Pat. In the conventional method including the spatial light modulator described in No. 4127322,
When manufacturing the dielectric multilayer film mirror 105, the N + 1 layer T
Since the iO 2 film is manufactured under the same film forming conditions, any TiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 105 has substantially the same electrical characteristics. In other words, each TiO
The two films have almost the same specific resistance and dielectric constant (or almost the same complex relative dielectric constant).

【0052】同様に、誘電体多層膜ミラー105を構成
するN層のSiO2 膜でも、各層がほぼ同じ電気的特
性、すなわちN層のSiO2 膜はいずれもほぼ同じ比抵
抗と、誘電率(あるいは、複素比誘電率)とを持ってい
る。
Similarly, even in the N-layer SiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 105, each layer has substantially the same electrical characteristics, that is, the N-layer SiO 2 film has almost the same specific resistance and dielectric constant ( Alternatively, it has a complex relative permittivity).

【0053】以上述べたことを要約すると、誘電体多層
膜ミラー105は、その構成要素である屈折率が異なる
2種類の層が、異なる複素誘電率を有し、かつこれら2
種類の層が交互に積層されているので、米国特許No.
4127322号に記載された空間光変調素子の誘電体
多層膜ミラー105を始め、従来の誘電体多層膜ミラー
全てが、厚さ方向に対し、周期性を持つことになり、こ
の周期性が、空間光変調素子の解像度を大きく劣化させ
る原因になっていると考えられる。
To summarize the above description, in the dielectric multilayer mirror 105, the two types of layers which are the constituent elements and have different refractive indices have different complex permittivities, and these two layers have different complex permittivities.
Due to the alternating layers of different types, US Pat.
No. 4,127,322, the dielectric multilayer mirror 105 of the spatial light modulation element described above, and all conventional dielectric multilayer mirrors have periodicity in the thickness direction. It is considered that this is a cause of significant deterioration in the resolution of the light modulation element.

【0054】すなわち、複素比誘電率の絶対値が小さい
層(米国特許No.4127322号に記載された空間
光変調素子では、SiO2 膜がこれに相当する)から複
素比誘電率の絶対値が大きい層(米国特許No.412
7322号に記載された空間光変調素子では、TiO2
膜がこれに相当する)に向かって電気力線が進むとき、
これら複素比誘電率の絶対値が小さい層と、複素比誘電
率の絶対値が大きい層との境界で、電力線が屈折し、誘
電体多層膜ミラー105の厚さ方向と直交する方向に広
がって、空間光変調素子の解像度が低下してしまう。
That is, the absolute value of the complex relative permittivity is determined from the layer having a small absolute value of the complex relative permittivity (the SiO 2 film corresponds to this in the spatial light modulator described in US Pat. No. 4127322). Large layer (US Pat. No. 412
In the spatial light modulator described in No. 7322, TiO 2
When the electric lines of force move toward (the membrane corresponds to this),
At the boundary between the layer having a small absolute value of the complex relative permittivity and the layer having a large absolute value of the complex relative permittivity, the power line is refracted and spreads in a direction orthogonal to the thickness direction of the dielectric multilayer mirror 105. However, the resolution of the spatial light modulator decreases.

【0055】一般に、高屈折率層の誘電率は、低屈折率
層の誘電率よりも大きいため、米国特許No.4127
322号に記載された空間光変調素子だけでなく、これ
までの空間光変調素子では、素子の構成要素である誘電
体多層膜ミラー105を構成している各層の複素誘電率
の周期性により、素子の解像度が大幅に低下してしま
う。
In general, the dielectric constant of the high refractive index layer is larger than that of the low refractive index layer, so that US Pat. 4127
In the conventional spatial light modulators as well as the spatial light modulator described in No. 322, due to the periodicity of the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer mirror 105 that is a constituent element of the element, The resolution of the device is greatly reduced.

【0056】以上述べたことから明らかなように、光導
電層103と、第2透明電極109との間に挿入される
誘電体多層膜ミラー105の比抵抗だけを定めた空間光
変調素子(米国特許No.4127322号に記載され
た空間光変調素子)では、表2、表3に示す場合だけで
なく、多くの場合で上記の不整合が成立することにな
り、この空間光変調素子の解像度が大幅に低下してしま
う。
As is clear from the above description, the spatial light modulator which determines only the specific resistance of the dielectric multilayer mirror 105 inserted between the photoconductive layer 103 and the second transparent electrode 109 (US In the spatial light modulator described in Japanese Patent No. 4127322), the above mismatch is established not only in the cases shown in Tables 2 and 3 but also in many cases, and the resolution of the spatial light modulator is Will be significantly reduced.

【0057】そこで、本発明による傾斜状複素誘電率型
空間光変調素子では、光導電層103と、液晶光変調層
116との間に挿入される誘電体多層膜ミラー105の
構成要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率
を持ち、かつ隣接する2つの層の、液晶光変調層116
に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層103に近
い方の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないよう
に、誘電体多層膜ミラー105を構成する各層の複素誘
電率を設定することにより、空間光変調素子の解像度を
高くすることを基本原理としている。
Therefore, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention, it serves as a constituent element of the dielectric multilayer film mirror 105 inserted between the photoconductive layer 103 and the liquid crystal light modulation layer 116. Of the two adjacent layers having different refractive indices from each other, the liquid crystal light modulation layer 116.
The complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 105 is set so that the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 103 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 103. By doing so, the basic principle is to increase the resolution of the spatial light modulator.

【0058】《第1実施例の説明》図1は上述した基本
原理に基づく、本発明による傾斜状複素誘電率型空間光
変調素子の第1実施例を示す構造図である。
<< Description of First Embodiment >> FIG. 1 is a structural diagram showing a first embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention based on the above-mentioned basic principle.

【0059】<第1実施例の全体構成の説明>この図に
示す傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1は第1透明基
板2と、第1透明電極3と、光導電層4と、光吸収層5
と、誘電体多層膜ミラー6と、光変調層7と、第2透明
電極8と、第1反射防止膜9と、第2透明基板10と、
第2反射防止膜11とを順次、密着積層して形成した素
子であり、交流電源12によって第1透明電極2と、第
2透明電極8との間に交流電圧を印加した状態で、第1
透明基板2側に書込み光13を入射させることにより、
光導電層4の抵抗値を変化させて光変調層7に光情報を
2次元的に書込み、第2反射防止膜11側に読み出し光
14を入射させることにより、前記光変調層7に書き込
まれている情報を読み出し、これを表示光15として外
部に出射する。
<Explanation of Overall Structure of First Embodiment> The inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 shown in this figure has a first transparent substrate 2, a first transparent electrode 3, a photoconductive layer 4 and Light absorption layer 5
A dielectric multilayer film mirror 6, a light modulation layer 7, a second transparent electrode 8, a first antireflection film 9, a second transparent substrate 10,
This is an element formed by sequentially and closely stacking a second antireflection film 11 on the first transparent electrode 2 and the second transparent electrode 8 by an alternating current power supply 12 and applying the alternating voltage to the first transparent electrode 2.
By making the writing light 13 incident on the transparent substrate 2 side,
By changing the resistance value of the photoconductive layer 4 to write two-dimensionally optical information in the light modulation layer 7 and causing the read light 14 to enter the second antireflection film 11 side, the light information is written in the light modulation layer 7. The displayed information is read out and emitted as display light 15 to the outside.

【0060】<交流電源12の説明>前記交流電源12
は予め設定されている所定電圧値以上の電圧値を持つ交
流電圧、すなわち光変調層7を構成する液晶・樹脂複合
体19(図2、3、4参照)中にある液晶分子の長軸を
印加電界の方向と一致させるのに必要な交流電圧の実効
値よりも大きな実効値を持つ交流電圧値、例えば10〜
200V程度の電圧値を持つ交流電圧を生成し、これを
前記第1透明電極3と、第2透明電極8とに印加する。
<Description of AC Power Supply 12> The AC power supply 12
Is an AC voltage having a voltage value equal to or higher than a preset predetermined voltage value, that is, the long axis of liquid crystal molecules in the liquid crystal / resin composite body 19 (see FIGS. 2, 3, and 4) forming the light modulation layer 7. An AC voltage value having an effective value larger than the effective value of the AC voltage required to match the direction of the applied electric field, for example, 10 to
An alternating voltage having a voltage value of about 200 V is generated and applied to the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8.

【0061】<第1透明基板2の説明>また、前記第1
透明基板2はこの傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1
の基板となる平板状のガラス基板などによって構成され
ており、その一面と光導電層4の一面との間に前記第1
透明電極3が挿入される。
<Description of First Transparent Substrate 2> The first transparent substrate 2
The transparent substrate 2 is the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1
Is formed of a flat glass substrate or the like serving as the substrate, and the first surface is provided between the one surface and the one surface of the photoconductive layer 4.
The transparent electrode 3 is inserted.

【0062】<第1透明電極3の説明>第1透明電極3
は前記光導電層4の一面と、前記第1透明基板2の一面
との間に、例えばIn2 3 に5%のSnを添加して形
成した厚さ0.05μmのITO透明電極膜であり、前
記交流電源12から供給される交流電圧に基づいて前記
光導電層4に電圧を印加する。
<Description of First Transparent Electrode 3> First Transparent Electrode 3
Is an ITO transparent electrode film having a thickness of 0.05 μm formed between one surface of the photoconductive layer 4 and one surface of the first transparent substrate 2 by adding, for example, 5% Sn to In 2 O 3. Yes, a voltage is applied to the photoconductive layer 4 based on the AC voltage supplied from the AC power supply 12.

【0063】<光導電層4の説明>光導電層4は珪素、
ゲルマニウム、炭素によって構成される群から選択され
た1つ以上の元素からなるアモルファス膜、アモルファ
スシリコン膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモル
ファスシリコンカーバイト膜、水素化アモルファスシリ
コンカーバイト膜など、光照射によってインピーダンス
が大幅に変化する材料によって構成され、その一面に前
記光吸収層5が積層される。
<Description of Photoconductive Layer 4> The photoconductive layer 4 is made of silicon.
Amorphous film consisting of one or more elements selected from the group consisting of germanium and carbon, amorphous silicon film, hydrogenated amorphous silicon film, amorphous silicon carbide film, hydrogenated amorphous silicon carbide film, etc. It is made of a material whose impedance changes significantly, and the light absorption layer 5 is laminated on one surface thereof.

【0064】また、光導電層4として、上述した材料以
外にも、例えばアモルファスセレン膜、アモルファスS
eAs膜、アモルファスZnS膜、アモルファスCdS
膜あるいはアモルファスCdSe膜なども使用すること
ができる。さらに、光導電層4として、GaAs結晶、
GaP結晶、Bi12SiO20結晶、あるいはBi12Ge
20結晶など、光照射によりインピーダンスが大幅に変
化する結晶も適している。
Further, as the photoconductive layer 4, in addition to the above-mentioned materials, for example, an amorphous selenium film or amorphous S is used.
eAs film, amorphous ZnS film, amorphous CdS
A film or an amorphous CdSe film can also be used. Further, as the photoconductive layer 4, a GaAs crystal,
GaP crystal, Bi 12 SiO 20 crystal, or Bi 12 Ge
Crystals such as O 20 crystals whose impedance changes significantly by light irradiation are also suitable.

【0065】そのほか、光導電層4として、光導電物質
からなる粒子を樹脂中に分散した分散型光導電膜を用い
ることもできる。この場合、分散型光導電膜に用いる光
導電材料としては、フタロシアニン系顔料、アゾ系顔
料、多環キノン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔
料、アントラキノン系顔料、インジゴ系顔料、チオイン
ジゴ系顔料、ジオキサジン系顔料、アゾレーキ系顔料、
チアピリリウム系色素、キナクリドン系顔料、シアニン
系色素、ピロル系顔料、ポルフィリン系顔料、アンタン
トン系顔料、スクアリリウム色素、アズレニウム色素、
ZnO、TiO、CdS、あるいはCdSeなどを使用
することができる。
In addition, as the photoconductive layer 4, it is also possible to use a dispersion type photoconductive film in which particles of a photoconductive substance are dispersed in a resin. In this case, as the photoconductive material used for the dispersion type photoconductive film, a phthalocyanine pigment, an azo pigment, a polycyclic quinone pigment, a perylene pigment, a perinone pigment, an anthraquinone pigment, an indigo pigment, a thioindigo pigment, Dioxazine pigments, azo lake pigments,
Thiapyrylium pigments, quinacridone pigments, cyanine pigments, pyrrole pigments, porphyrin pigments, antanton pigments, squarylium pigments, azurenium pigments,
ZnO, TiO, CdS, CdSe, or the like can be used.

【0066】<光吸収層5の説明>光吸収層5はCdT
e膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、珪素と炭素とゲ
ルマニウムとから実質的に構成されたアモルファス膜に
よって構成される群から選択された1つ以上の膜、ある
いは無機顔料、有機顔料、カーボン、染料によって構成
される群から選択された1つ以上の材料を樹脂中に分散
させた樹脂複合体などで構成され、特に書込み光13や
読み出し光14を吸収しても、その比抵抗の変化が少な
く、かつ読み出し光14を特に強く吸収する材料によっ
て構成され、その一面に誘電体多層膜ミラー6が積層さ
れる。
<Description of Light Absorption Layer 5> The light absorption layer 5 is made of CdT.
e film, diamond-like carbon film, one or more films selected from the group consisting of an amorphous film substantially composed of silicon, carbon and germanium, or composed of an inorganic pigment, an organic pigment, carbon or a dye It is composed of a resin composite or the like in which one or more materials selected from the group 1) are dispersed in a resin, and even if the writing light 13 and the reading light 14 are absorbed, the change in the specific resistance thereof is small, and It is made of a material that particularly strongly absorbs the readout light 14, and the dielectric multilayer mirror 6 is laminated on one surface thereof.

【0067】<誘電体多層膜ミラー6の説明>誘電体多
層膜ミラー6はSiO2 膜、TiO2 膜、HfO2 膜、
Ta2 5 膜、ZnS膜、Al2 3 膜、Na2 AlF
6 膜、MgF2 膜、LaF3 膜、GdF3 膜、SmF3
膜、CeF3 膜、ZrO2 膜およびCeO2 膜によって
構成される群から選択された2つ以上の膜を積層した多
層膜によって構成され、その一面に前記光変調層7が積
層される。
<Description of Dielectric Multilayer Film Mirror 6> The dielectric multilayer film mirror 6 includes a SiO 2 film, a TiO 2 film, a HfO 2 film,
Ta 2 O 5 film, ZnS film, Al 2 O 3 film, Na 2 AlF
6 film, MgF 2 film, LaF 3 film, GdF 3 film, SmF 3
The film is composed of a multilayer film in which two or more films selected from the group consisting of a film, a CeF 3 film, a ZrO 2 film and a CeO 2 film are laminated, and the light modulation layer 7 is laminated on one surface thereof.

【0068】そして、この第1実施例の傾斜状複素誘電
率型空間光変調素子1では、光導電層4と、第2透明電
極8との間に挿入される層の中で、光導電層4と、光変
調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構成
要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を持
ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7に近い方の複
素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電率
の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層膜
ミラー6を構成する各層の複素誘電率が設定されてい
る。
In the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of the first embodiment, the photoconductive layer among the layers inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8. 4 and the light modulation layer 7 among the layers that are the constituent elements of the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the light modulation layer 7 and the light modulation layer 7 that are adjacent to each other. The complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is set so that the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4. Has been done.

【0069】<光変調層7の説明>光変調層7は図2に
示す如くネマチック液晶、コレステリック液晶、スメク
チック液晶あるいはこれら各液晶の混合物によって構成
される群から選択された1つ以上の液晶17と、この液
晶17の常光屈折率、異常光屈折率または前記液晶17
がランダムに配向した際の屈折率のいずれかと同等な屈
折率を持ち、前記液晶17が分散される透明樹脂18と
によって構成される液晶・樹脂複合体19、または図3
に示す如く前記液晶17中に前記透明樹脂18を分散さ
せた液晶・樹脂複合体19を備えており、第1透明基板
2側から書込み光13が入射され、これが第1透明電極
3を透過して光導電層4に入射し、この光導電層4のイ
ンピーダンスが変化して光変調層7に印加される電界の
変化が変化したとき、液晶17の屈折率が変化する。そ
して、第2反射防止膜11側から読み出し光14が入射
され、これが第2透明基板10、第1反射防止膜9、第
2透明電極8を透過して入射したとき、液晶17の屈折
率に応じてこれを2次元的に変調した後、透過光を誘電
体多層膜ミラー6によって反射させ、表示光15として
出射する。
<Description of Light Modulating Layer 7> As shown in FIG. 2, the light modulating layer 7 is composed of one or more liquid crystals 17 selected from the group consisting of nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystals, smectic liquid crystals, and mixtures of these liquid crystals. And the ordinary or extraordinary refractive index of the liquid crystal 17 or the liquid crystal 17
Liquid crystal / resin composite 19 having a refractive index equivalent to any of the refractive indices when randomly aligned, and a transparent resin 18 in which the liquid crystal 17 is dispersed, or FIG.
As shown in FIG. 3, a liquid crystal / resin composite body 19 in which the transparent resin 18 is dispersed in the liquid crystal 17 is provided. Writing light 13 is incident from the first transparent substrate 2 side, and this is transmitted through the first transparent electrode 3. When incident on the photoconductive layer 4 and the impedance of the photoconductive layer 4 changes to change the electric field applied to the light modulation layer 7, the refractive index of the liquid crystal 17 changes. Then, when the reading light 14 is incident from the second antireflection film 11 side and is transmitted through the second transparent substrate 10, the first antireflection film 9, and the second transparent electrode 8, the reading light 14 has a refractive index of the liquid crystal 17. Accordingly, the light is two-dimensionally modulated, and then the transmitted light is reflected by the dielectric multilayer film mirror 6 and emitted as the display light 15.

【0070】この場合、液晶・樹脂複合体19が、その
構成要素である液晶17の常光屈折率または異常光屈折
率と、透明樹脂18の屈折率とがほぼ一致している液晶
・樹脂複合体19である場合には、液晶・樹脂複合体1
9に電界が印加されていないとき、液晶17の屈折率
と、透明樹脂18の屈折率とが食い違うことから、この
液晶・樹脂複合体19に読み出し光14が入射したと
き、これが液晶・樹脂複合体19中で散乱し、また前記
液晶・樹脂複合体19に十分大きな電界が印加されてい
るとき、液晶17の屈折率と、透明樹脂18の屈折率と
がほぼ一致することから、この液晶・樹脂複合体19に
読み出し光14が入射したとき、これが液晶・樹脂複合
体19で散乱されることなく、透過する。
In this case, the liquid crystal / resin composite 19 is a liquid crystal / resin composite in which the refractive index of the transparent resin 18 and the ordinary or extraordinary refractive index of the liquid crystal 17, which is a component thereof, are substantially the same. When it is 19, the liquid crystal / resin composite 1
When the electric field is not applied to the liquid crystal 9, the refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are different from each other. Therefore, when the reading light 14 is incident on the liquid crystal / resin composite 19, this is the liquid crystal / resin composite. When the liquid crystal is scattered in the body 19 and a sufficiently large electric field is applied to the liquid crystal / resin composite body 19, the refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same. When the reading light 14 is incident on the resin composite body 19, it is transmitted without being scattered by the liquid crystal / resin composite body 19.

【0071】また、液晶・樹脂複合体19が、その構成
要素である液晶17がランダムに配向した際の屈折率
と、透明樹脂18の屈折率とがほぼ一致している液晶・
樹脂複合体19である場合には、液晶・樹脂複合体19
に電界が印加されていないとき、液晶17の屈折率と、
透明樹脂18の屈折率とが一致していることから、前記
液晶・樹脂複合体19に読み出し光14が入射したと
き、これがそのまま透過し、また前記液晶・樹脂複合体
19に十分大きな電界が印加されているとき、液晶17
の屈折率と、透明樹脂18の屈折率とが食い違うことか
ら、この液晶・樹脂複合体19に書込み光14が入射し
たとき、これが液晶・樹脂複合体19で散乱される。
Further, in the liquid crystal / resin composite 19, the refractive index when the liquid crystal 17 which is a constituent element thereof is randomly aligned and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same.
In the case of the resin composite 19, the liquid crystal / resin composite 19
When no electric field is applied to the
Since the refractive index of the transparent resin 18 is the same as that of the transparent resin 18, when the read light 14 is incident on the liquid crystal / resin composite 19, this is transmitted as it is, and a sufficiently large electric field is applied to the liquid crystal / resin composite 19. LCD 17
Therefore, when the writing light 14 is incident on the liquid crystal / resin composite 19, the writing light 14 is scattered by the liquid crystal / resin composite 19.

【0072】このように、この第1実施例では、これら
両方の液晶・樹脂複合体19を使用することができる。
しかし、これらの各液晶・樹脂複合体19のうち、前者
の液晶・樹脂複合体19のように、液晶17の常光屈折
率または異常光屈折率と、透明樹脂18の屈折率とがほ
ぼ一致しているタイプを使用する方が望ましい。これ
は、液晶17がランダムに配向した際の屈折率と、透明
樹脂18の屈折率とがほぼ一致しているタイプの液晶・
樹脂複合体19では、液晶・樹脂複合体19全面の各部
分をマクロ的に見ると、各部分毎に、液晶17のランダ
ムな状態が異なり、光透過状態時にムラがあるように見
えるためである。これに対し、液晶17の常光屈折率ま
たは異常光屈折率と、透明樹脂18の屈折率とが一致し
ているタイプの液晶・樹脂複合体19では、電界が印加
されて液晶分子が一定の方向に配列された状態で、光透
過状態になるため、ランダム配向時に偏った配向をして
いても、ほぼ均一に光を透過することになる。また、電
界が印加されていない状態では、液晶17の分子が透明
樹脂18の壁面に配列し、ランダムに配向しているとき
と、実質的に同じ状態になる。この状態は、光散乱状態
であり、光透過状態とは異なり、わずかに屈折率がずれ
ていても、目立ち難い。したがって、光変調層7とし
て、このタイプの液晶・樹脂複合体19を使用した空間
光変調素子では、ムラになって認識されることはほとん
どない。
As described above, both liquid crystal / resin composites 19 can be used in the first embodiment.
However, in each of the liquid crystal / resin composites 19, like the former liquid crystal / resin composite 19, the ordinary or extraordinary refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same. It is preferable to use the type that has. This is a liquid crystal of a type in which the refractive index when the liquid crystal 17 is randomly aligned and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same.
This is because, in the resin composite body 19, when each portion of the entire surface of the liquid crystal / resin composite body 19 is viewed macroscopically, the random state of the liquid crystal 17 is different for each portion, and it appears that there is unevenness in the light transmitting state. . On the other hand, in the liquid crystal / resin composite 19 of the type in which the ordinary or extraordinary refractive index of the liquid crystal 17 and the transparent resin 18 are the same, the electric field is applied to the liquid crystal molecules in a certain direction. Since the light is transmitted in the state of being arranged in the above arrangement, light is transmitted almost uniformly even if the alignment is biased at the time of random alignment. In addition, in a state in which no electric field is applied, the molecules of the liquid crystal 17 are substantially aligned with those when the molecules of the liquid crystal 17 are arranged on the wall surface of the transparent resin 18 and are randomly oriented. This state is a light-scattering state, and unlike the light-transmitting state, even if the refractive index is slightly deviated, it is inconspicuous. Therefore, in the spatial light modulation element using the liquid crystal / resin composite body 19 of this type as the light modulation layer 7, unevenness is hardly recognized.

【0073】特に、これらの中でも、液晶17の常光屈
折率と、透明樹脂18の屈折率とがほぼ一致しているタ
イプの液晶・樹脂複合体19がその性能上、最適であ
る。
Among these, the liquid crystal / resin composite 19 of the type in which the ordinary refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same is most preferable in terms of performance.

【0074】そして、この液晶・樹脂複合体19は液晶
17と、透明樹脂18を構成する材料とを混ぜ合わせて
溶液状またはラテックス状にしておいて、これを光硬
化、熱硬化、溶媒除去による硬化、反応硬化等により、
透明樹脂18と液晶17とを分離させて、図2に示すよ
うに透明樹脂18中に液晶17が粒子状に分散した状
態、もしくは図4に示すように透明樹脂18中に液晶1
7が連通状に分散した状態、あるいは図3に示すように
前記液晶17中に透明樹脂18が分散した状態にするこ
とにより、製作される。
The liquid crystal / resin composite 19 is mixed with the liquid crystal 17 and the material forming the transparent resin 18 to form a solution or latex, which is then photo-cured, heat-cured, or solvent-removed. By curing, reaction curing, etc.,
The transparent resin 18 and the liquid crystal 17 are separated, and the liquid crystal 17 is dispersed in the transparent resin 18 in the form of particles as shown in FIG. 2, or the liquid crystal 1 is dispersed in the transparent resin 18 as shown in FIG.
It is manufactured by making 7 dispersed in a continuous state, or by making transparent resin 18 dispersed in the liquid crystal 17 as shown in FIG.

【0075】この場合、光硬化または熱硬化タイプの透
明樹脂18は密閉系内で硬化させることができるため、
素子製作上、このタイプの透明樹脂18を使用すること
が好ましい。特に、光硬化タイプの透明樹脂18は短時
間で硬化させることができるとともに、一旦硬化した後
では、熱による影響を受け難いので、これを使用するこ
とが好ましい。
In this case, since the photocurable or thermosetting type transparent resin 18 can be cured in a closed system,
It is preferable to use this type of transparent resin 18 in manufacturing the device. In particular, the photo-curing type transparent resin 18 can be cured in a short time, and once cured, it is not easily affected by heat, so that it is preferable to use it.

【0076】具体的な製法としては、従来のツイステッ
ドネマチック液晶と同様に、シール材を用いてセルを形
成し、注入口から液晶17となる未硬化のネマチック液
晶と、透明樹脂18となる樹脂前駆体(樹脂が硬化する
前の状態、ここでは、例えばモノマーあるいはオリゴマ
ー等の状態の総称として用いる)を封入した後、硬化さ
せることもできる。
As a specific manufacturing method, as in the conventional twisted nematic liquid crystal, a cell is formed by using a sealing material, and an uncured nematic liquid crystal that becomes the liquid crystal 17 from the injection port and a resin precursor that becomes the transparent resin 18 are formed. The body (the state before the resin is cured, which is used here as a generic term for the state of, for example, a monomer or an oligomer) can be encapsulated and then cured.

【0077】また、本発明の液晶・樹脂複合体19の場
合、シール材を用いずに、例えば第1透明基板2上に第
1透明電極3、光導電層4、光吸収層5および誘電体多
層膜ミラー6を重ねて密着し、その上に未硬化の前記樹
脂前駆体と液晶17との混合物を塗布し、さらに第2透
明電極8、第1反射防止膜9、第2透明基板10、第2
反射防止膜11を積層後、光照射等により前記樹脂前駆
体を硬化させて、液晶・樹脂複合体19を有する傾斜状
複素誘電率型空間光変調素子1を形成することもでき
る。勿論、その後、周囲にシール材を塗布しても良い。
この製法によれば、単に未硬化の液晶17と、前記樹脂
前駆体との混合物をロールコート、スピンコート、印
刷、ディスペンサーによる塗布等で供給すれば良く、注
入工程が簡単であることから、生産性を大幅に向上させ
ることができる。
Further, in the case of the liquid crystal / resin composite body 19 of the present invention, the first transparent electrode 3, the photoconductive layer 4, the light absorption layer 5 and the dielectric material are formed on the first transparent substrate 2 without using a sealing material. The multilayer film mirror 6 is superposed and adhered, a mixture of the uncured resin precursor and the liquid crystal 17 is applied thereon, and the second transparent electrode 8, the first antireflection film 9, the second transparent substrate 10, Second
After laminating the antireflection film 11, the resin precursor may be cured by light irradiation or the like to form the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 having the liquid crystal / resin composite 19. Of course, after that, a sealing material may be applied to the periphery.
According to this manufacturing method, the mixture of the uncured liquid crystal 17 and the resin precursor may be simply supplied by roll coating, spin coating, printing, coating with a dispenser, or the like, and the injection process is simple, It is possible to significantly improve the sex.

【0078】また、これら未硬化の樹脂前駆体と、液晶
17との混合物には、基板間隙制御用のセラミック粒
子、プラスチック粒子、ガラス粒子、ガラス繊維等のス
ペーサ、顔料、色素、粘度調整剤、その他、本発明の性
能に悪影響を与えない添加剤を添加しても良い。
Further, in the mixture of the uncured resin precursor and the liquid crystal 17, spacers such as ceramic particles for controlling the substrate gap, plastic particles, glass particles, spacers such as glass fibers, pigments, dyes, viscosity modifiers, In addition, additives that do not adversely affect the performance of the present invention may be added.

【0079】<第2透明基板10の説明>また、第2透
明基板10はこの傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1
の基板となる平板状のガラス基板などによって構成さ
れ、その一面に第1反射防止膜9が積層されるととも
に、その他面に第2反射防止膜11が積層される。
<Explanation of Second Transparent Substrate 10> Further, the second transparent substrate 10 is the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator 1.
The first antireflection film 9 is laminated on one surface and the second antireflection film 11 is laminated on the other surface.

【0080】<第2反射防止膜11の説明>第2反射防
止膜11はSiO2 膜、TiO2 膜、HfO2 膜、Ta
2 5 膜、ZnS膜、Na2 AlF6 膜、MgF2 膜、
CeF3 膜、ZrO2 膜、CeO2膜によって構成され
る群から選択された1つ以上の膜を積層した多層膜によ
って構成される。
<Description of Second Antireflection Film 11> The second antireflection film 11 is a SiO 2 film, a TiO 2 film, a HfO 2 film, Ta.
2 O 5 film, ZnS film, Na 2 AlF 6 film, MgF 2 film,
It is composed of a multilayer film in which one or more films selected from the group consisting of a CeF 3 film, a ZrO 2 film and a CeO 2 film are laminated.

【0081】<第1反射防止膜9の説明>また、第1反
射防止膜9はSiO2 膜、TiO2 膜、HfO2 膜、T
2 5膜、ZnS膜、Na2 AlF6 膜、MgF
2 膜、CeF3 膜、ZrO2 膜、CeO2 膜によって構
成される群から選択された1つ以上の膜を積層した多層
膜によって構成され、その一面に第2透明電極8が積層
される。
<Description of First Antireflection Film 9> The first antireflection film 9 is a SiO 2 film, a TiO 2 film, a HfO 2 film, or a T film.
a 2 O 5 film, ZnS film, Na 2 AlF 6 film, MgF
It is composed of a multi-layered film in which one or more films selected from the group consisting of two films, CeF 3 film, ZrO 2 film, and CeO 2 film are laminated, and the second transparent electrode 8 is laminated on one surface thereof.

【0082】<第2透明電極8の説明>第2透明電極8
は前記第1反射防止膜9上に、例えばIn2 3 に5%
のSnを添加して形成した厚さ0.05μmのITO透
明電極膜であり、前記交流電源12から供給される交流
電圧に基づいて前記光変調層7に電界を印加する。
<Description of Second Transparent Electrode 8> Second Transparent Electrode 8
Is 5% on the first antireflection film 9, for example, In 2 O 3.
Is an ITO transparent electrode film having a thickness of 0.05 μm formed by adding Sn, and an electric field is applied to the light modulation layer 7 based on an AC voltage supplied from the AC power supply 12.

【0083】このように、この第1実施例においては、
光導電層4と、第2透明電極8との間に挿入される層の
中で、光導電層4と、光変調層7との間に挿入される誘
電体多層膜ミラー6の構成要素となっている各層のう
ち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層
の、光変調層7に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導
電層4に近い方の複素誘電率の絶対値よりも、大きくな
らないように、誘電体多層膜ミラー6を構成する各層の
複素誘電率を設定するようにしたので、素子自体の解像
度を大幅に向上させて、素子自体や各光学系を大型化す
ることなく、高精細画像を表示することができ、これに
よって投射型ディスプレィや画像処理装置自体を大型化
することなく、かつ製作コストを増大させることなく、
画像の高精細化を達成することができる。
As described above, in the first embodiment,
Among the layers inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8, the components of the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the photoconductive layer 4 and the light modulation layer 7 The absolute value of the complex permittivity of the two adjacent layers having different refractive indexes from each other, which is closer to the light modulation layer 7, is the complex permittivity of the one closer to the photoconductive layer 4. Since the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is set so as not to be larger than the absolute value, the resolution of the element itself is significantly improved, and the element itself and each optical system are improved. It is possible to display a high-definition image without increasing the size, and thereby without increasing the size of the projection display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost.
Higher definition of an image can be achieved.

【0084】また、この第1実施例においては、第1、
第2反射防止膜9、11を使用するようにしているが、
これら第1、第2反射防止膜9、11のいずれか一方、
あるいは両方を削除しても、この第1実施例と同様な効
果を得ることができる。
In the first embodiment, the first,
Although the second antireflection films 9 and 11 are used,
One of the first and second antireflection films 9 and 11,
Alternatively, even if both are deleted, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0085】また、この第1実施例においては、第2透
明電極8と第2透明基板10との間に、第1反射防止膜
9を配置するようにしているが、第2透明電極8と第1
反射防止膜9とを入れ替えて、第1反射防止膜9と、第
2透明基板10との間に、第2透明電極8を配置するよ
うにしても同様な、効果を得ることができる。
In the first embodiment, the first antireflection film 9 is arranged between the second transparent electrode 8 and the second transparent substrate 10. First
Even if the antireflection film 9 is replaced and the second transparent electrode 8 is disposed between the first antireflection film 9 and the second transparent substrate 10, the same effect can be obtained.

【0086】《第2実施例の説明》図5は本発明による
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の第2実施例を示す
断面図である。なお、この図において、図1の各部と同
じ部分には、同じ符号が付してある。
<< Explanation of Second Embodiment >> FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【0087】<第2実施例の全体構成の説明>この図に
示す傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1が図1に示す
素子と異なる点は、図1に示す傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子1から光吸収層5を除き、第1透明基板2
と、第1透明電極3と、光導電層4と、誘電体多層膜ミ
ラー6と、光変調層7と、第2透明電極8と、第1反射
防止膜9と、第2透明基板10と、第2反射防止膜11
とを順次、密着積層して形成したことである。
<Description of Overall Configuration of Second Embodiment> The gradient complex dielectric constant type spatial light modulator 1 shown in this figure differs from the element shown in FIG. 1 in that the gradient complex dielectric constant type shown in FIG. The light absorption layer 5 is removed from the spatial light modulator 1 and the first transparent substrate 2
A first transparent electrode 3, a photoconductive layer 4, a dielectric multilayer mirror 6, a light modulation layer 7, a second transparent electrode 8, a first antireflection film 9, and a second transparent substrate 10. , Second antireflection film 11
It is formed by sequentially and closely adhering and.

【0088】そして、交流電源12によって第1透明電
極3と、第2透明電極8との間に交流電圧を印加した状
態で、第1透明基板2側に書込み光13を入射させるこ
とにより、光導電層4の抵抗値を変化させて光変調層7
に光情報を2次元的に書込み、第2反射防止膜11側に
読み出し光14を入射させることにより、前記光変調層
7に書き込まれている情報を読み出し、これを表示光1
5として外部に出射する。
Then, while the AC voltage is applied between the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8 by the AC power source 12, the writing light 13 is made incident on the first transparent substrate 2 side to thereby generate light. By changing the resistance value of the conductive layer 4, the light modulation layer 7
Information is written in the light modulating layer 7 by reading two-dimensionally the optical information into the second light-reflecting film 11 and causing the reading light 14 to enter the second antireflection film 11 side.
5 is emitted to the outside.

【0089】この場合、この第2実施例の傾斜状複素誘
電率型空間光変調素子1では、光導電層4と、第2透明
電極8との間に挿入される層の中で、光導電層4と、光
変調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構
成要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を
持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7に近い方の
複素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電
率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層
膜ミラー6を構成する各層の複素誘電率が設定される。
In this case, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of the second embodiment, the photoconductive layer is inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8. Of the layers constituting the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the layer 4 and the light modulation layer 7, two adjacent light modulation layers having different refractive indexes from each other 7 so that the absolute value of the complex permittivity closer to 7 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4, the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is Is set.

【0090】このようにしても、上述した第1実施例と
同様に、素子自体の解像度を大幅に向上させて、素子自
体や各光学系を大型化することなく、高精細画像を表示
することができ、これによって投射型ディスプレィや画
像処理装置自体を大型化することなく、かつ製作コスト
を増大させることなく画像の高精細化を達成することが
できる。
Even in this case, similarly to the first embodiment described above, the resolution of the element itself is greatly improved, and a high-definition image can be displayed without increasing the size of the element itself or each optical system. As a result, it is possible to achieve high-definition images without increasing the size of the projection type display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost.

【0091】また、この第2実施例においては、第1、
第2反射防止膜9、11を使用するようにしているが、
これら第1、第2反射防止膜9、11のいずれか一方、
あるいは両方を削除しても、この第2実施例と同様な効
果を得ることができる。
Further, in the second embodiment, the first,
Although the second antireflection films 9 and 11 are used,
One of the first and second antireflection films 9 and 11,
Alternatively, even if both are deleted, the same effect as that of the second embodiment can be obtained.

【0092】また、この第2実施例においては、光変調
層7と、第1反射防止膜9との間に第2透明電極8を挿
入しているが、第1反射防止膜9と、第2透明電極8と
を入れ替えて、光変調層7と、第2透明電極8との間に
第1反射防止膜9を挿入するようにしても、同様な効果
を得ることができる。
Further, in the second embodiment, the second transparent electrode 8 is inserted between the light modulation layer 7 and the first antireflection film 9, but the first antireflection film 9 and the first antireflection film 9 are provided. The same effect can be obtained by replacing the two transparent electrodes 8 and inserting the first antireflection film 9 between the light modulation layer 7 and the second transparent electrode 8.

【0093】《第3実施例の説明》図6は本発明による
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の第3実施例を示す
断面図である。なお、この図において、図1の各部と同
じ部分には、同じ符号が付してある。
<< Explanation of Third Embodiment >> FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【0094】<第3実施例の全体構成の説明>この図に
示す傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1が図1に示す
素子と異なる点は、光変調層7として、ネマチック液
晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶およびこれ
らのネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチッ
ク液晶の混合物によって構成される群から選択された1
つ以上の液晶を用いるとともに、誘電体多層膜ミラー6
と光変調層7との間に、液晶分子を配向させる第1配向
層20を設け、さらに前記光変調層7と第2透明電極8
との間に、液晶分子を配向させる第2配向層21を設
け、これら第1透明基板2と、第1透明電極3と、光導
電層4と、光吸収層5と、誘電体多層膜ミラー6と、第
1配向層20と、光変調層7と、第2配向層21と、第
2透明電極8と、第1反射防止膜9と、第2透明基板1
0と、第2反射防止膜11とを順次、密着積層して形成
したことである。
<Explanation of Overall Structure of Third Embodiment> The tilted complex dielectric constant type spatial light modulation element 1 shown in this figure is different from the element shown in FIG. 1 in that a nematic liquid crystal, cholesteric is used as the light modulation layer 7. 1 selected from the group consisting of liquid crystals, smectic liquid crystals and mixtures of these nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystals, smectic liquid crystals
One or more liquid crystals are used, and the dielectric multilayer film mirror 6 is used.
And a light modulation layer 7, a first alignment layer 20 for aligning liquid crystal molecules is provided, and the light modulation layer 7 and the second transparent electrode 8 are further provided.
A second alignment layer 21 for aligning liquid crystal molecules is provided between the first transparent substrate 2, the first transparent electrode 3, the photoconductive layer 4, the light absorption layer 5, and the dielectric multilayer film mirror. 6, the first alignment layer 20, the light modulation layer 7, the second alignment layer 21, the second transparent electrode 8, the first antireflection film 9, and the second transparent substrate 1
0 and the second antireflection film 11 are formed by sequentially adhering and laminating.

【0095】そして、交流電源12によって第1透明電
極3と、第2透明電極8との間に交流電圧を印加した状
態で、第1透明基板2側に書込み光13を入射させるこ
とにより、光導電層4の抵抗値を変化させて光変調層7
に光情報を2次元的に書込み、第2反射防止膜11側に
読み出し光14を入射させることにより、前記光変調層
7に書き込まれている情報を読み出し、これを表示光1
5として外部に出射する。
Then, while the AC voltage is applied between the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8 by the AC power source 12, the writing light 13 is made incident on the first transparent substrate 2 side to thereby generate light. By changing the resistance value of the conductive layer 4, the light modulation layer 7
Information is written in the light modulating layer 7 by reading two-dimensionally the optical information into the second light-reflecting film 11 and causing the reading light 14 to enter the second antireflection film 11 side.
5 is emitted to the outside.

【0096】この場合、この第3実施例の傾斜状複素誘
電率型空間光変調素子1では、光導電層4と、第2透明
電極8との間に挿入される層の中で、光導電層4と、光
変調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構
成要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を
持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7に近い方の
複素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電
率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層
膜ミラー6を構成する各層の複素誘電率が設定される。
In this case, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of the third embodiment, the photoconductive layer 4 is inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8. Of the layers constituting the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the layer 4 and the light modulation layer 7, two adjacent light modulation layers having different refractive indexes from each other 7 so that the absolute value of the complex permittivity closer to 7 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4, the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is Is set.

【0097】このようにしても、上述した第1実施例と
同様に、素子自体の解像度を大幅に向上させて、素子自
体や各光学系を大型化することなく、高精細画像を表示
することができ、これによって投射型ディスプレィや画
像処理装置自体を大型化することなく、かつ製作コスト
を増大させることなく画像の高精細化を達成することが
できる。
Even in this case, similarly to the first embodiment described above, the resolution of the element itself is greatly improved, and a high-definition image is displayed without increasing the size of the element itself or each optical system. As a result, it is possible to achieve high-definition images without increasing the size of the projection type display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost.

【0098】また、この第3実施例においては、第1、
第2反射防止膜9、11を使用するようにしているが、
これら第1、第2反射防止膜9、11のいずれか一方、
あるいは両方を削除しても、この第3実施例と同様な効
果を得ることができる。
Further, in the third embodiment, the first,
Although the second antireflection films 9 and 11 are used,
One of the first and second antireflection films 9 and 11,
Alternatively, even if both are deleted, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.

【0099】また、この第3実施例においては、光変調
層7と、第1反射防止膜9との間に第2透明電極8を挿
入しているが、第1反射防止膜9と、第2透明電極8と
を入れ替えて、光変調層7と、第2透明電極8との間に
第1反射防止膜9を挿入するようにしても、同様な効果
を得ることができる。
Also, in the third embodiment, the second transparent electrode 8 is inserted between the light modulation layer 7 and the first antireflection film 9, but the first antireflection film 9 and The same effect can be obtained by replacing the two transparent electrodes 8 and inserting the first antireflection film 9 between the light modulation layer 7 and the second transparent electrode 8.

【0100】《第4実施例の説明》図7は本発明による
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の第4実施例を示す
断面図である。なお、この図において、図1の各部と同
じ部分には、同じ符号が付してある。
<< Explanation of Fourth Embodiment >> FIG. 7 is a sectional view showing a fourth embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【0101】<第4実施例の全体構成の説明>この図に
示す傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1が図1に示す
素子と異なる点は、図1に示す傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子1から第1反射防止膜9と、第2透明基板1
0と、第2反射防止膜11とを除くとともに、光変調層
7として、LiNbO3 、LiTaO3 、KDP、DK
DP、ADP、KTP、KNbO3 、Srx Ba1-x
2 6 、GaAs、InP、GaP結晶によって構成
される群から選択された1つ以上の電気光学結晶を用
い、さらに光変調層7と、第2透明電極8との間に反射
防止膜22を挿入し、これら第1透明基板2と、第1透
明電極3と、光導電層4と、光吸収層5と、誘電体多層
膜ミラー6と、光変調層7と、反射防止膜22と、第2
透明電極8とを順次、密着積層して形成したことであ
る。
<Explanation of Overall Configuration of Fourth Embodiment> The gradient complex dielectric constant type spatial light modulator 1 shown in this figure differs from the element shown in FIG. 1 in that the gradient complex dielectric constant type shown in FIG. From the spatial light modulator 1 to the first antireflection film 9 and the second transparent substrate 1
0 and the second antireflection film 11 are removed, and as the light modulation layer 7, LiNbO 3 , LiTaO 3 , KDP, DK
DP, ADP, KTP, KNbO 3 , Sr x Ba 1-x N
One or more electro-optic crystals selected from the group consisting of b 2 O 6 , GaAs, InP, and GaP crystals are used, and the antireflection film 22 is provided between the light modulation layer 7 and the second transparent electrode 8. To insert the first transparent substrate 2, the first transparent electrode 3, the photoconductive layer 4, the light absorption layer 5, the dielectric multilayer mirror 6, the light modulation layer 7, and the antireflection film 22. , Second
That is, the transparent electrode 8 and the transparent electrode 8 are sequentially formed in close contact with each other.

【0102】そして、交流電源12によって第1透明電
極3と、第2透明電極8との間に交流電圧を印加した状
態で、第1透明基板2側に書込み光13を入射させるこ
とにより、光導電層4の抵抗値を変化させて光変調層7
に光情報を2次元的に書込み、第2透明電極8側に読み
出し光14を入射させることにより、前記光変調層7に
書き込まれている情報を読み出し、これを表示光15と
して外部に出射する。
Then, while the AC voltage is applied between the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8 by the AC power supply 12, the writing light 13 is made incident on the first transparent substrate 2 side to thereby generate light. By changing the resistance value of the conductive layer 4, the light modulation layer 7
The information written in the light modulation layer 7 is read out by writing the optical information two-dimensionally to the second transparent electrode 8 and making the reading light 14 incident on the second transparent electrode 8 side, and the information is emitted to the outside as the display light 15. .

【0103】この場合、この第4実施例の傾斜状複素誘
電率型空間光変調素子1では、光導電層4と、第2透明
電極8との間に挿入される層の中で、光導電層4と、光
変調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構
成要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を
持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7に近い方の
複素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電
率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層
膜ミラー6を構成する各層の複素誘電率が設定される。
In this case, in the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of the fourth embodiment, the photoconductive layer is inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8. Of the layers constituting the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the layer 4 and the light modulation layer 7, two adjacent light modulation layers having different refractive indexes from each other 7 so that the absolute value of the complex permittivity closer to 7 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4, the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is Is set.

【0104】このようにしても、上述した第1実施例と
同様に、素子自体の解像度を大幅に向上させて、素子自
体や各光学系を大型化することなく、高精細画像を表示
することができ、これによって投射型ディスプレィや画
像処理装置自体を大型化することなく、かつ製作コスト
を増大させることなく画像の高精細化を達成することが
できる。
Even in this case, similarly to the first embodiment described above, the resolution of the element itself is significantly improved, and a high-definition image can be displayed without increasing the size of the element itself or each optical system. As a result, it is possible to achieve high-definition images without increasing the size of the projection type display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost.

【0105】また、この第4実施例においては、交流電
源12を使用して第1透明電極3と、第2透明電極8と
に交流電圧を印加するようにしているが、交流電源12
に代えて、直流電源を使用し、第1透明電極3と、第2
透明電極8とに直流電圧を印加するようにしても良い。
In the fourth embodiment, the AC power source 12 is used to apply the AC voltage to the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8, but the AC power source 12 is used.
Instead of using the DC power supply, the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 3
A DC voltage may be applied to the transparent electrode 8.

【0106】《第5実施例の説明》図8は本発明による
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の第5実施例を示す
断面図である。なお、この図において、図1の各部と同
じ部分には、同じ符号が付してある。
<< Description of Fifth Embodiment >> FIG. 8 is a sectional view showing a fifth embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【0107】<第5実施例の全体構成の説明>この図に
示す傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1が図1に示す
素子と異なる点は、図1に示す傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子1から第1反射防止膜9を除き、第2透明電
極8と光変調層7との間に反射防止膜23を挿入すると
ともに、第2透明電極8、第2透明基板10および第2
反射防止膜11の形状を大きし、さらに光変調層7とし
て、LiNbO3 、LiTaO3 、KDP、DKDP、
ADP、KTP、KNbO3 、Srx Ba1-x Nb2
6 、GaAs、InP、GaP結晶によって構成される
群から選択された1つ以上の電気光学結晶を用い、これ
ら第1透明基板2と、第1透明電極3と、光導電層4
と、光吸収層5と、誘電体多層膜ミラー6と、光変調層
7と、反射防止膜23と、第2透明電極8と、第2透明
基板10と、第2反射防止膜11とを順次、密着積層し
て形成したことである。
<Description of Overall Configuration of Fifth Embodiment> The gradient complex dielectric constant type spatial light modulator 1 shown in this figure differs from the element shown in FIG. 1 in that the gradient complex permittivity type shown in FIG. The first antireflection film 9 is removed from the spatial light modulator 1, the antireflection film 23 is inserted between the second transparent electrode 8 and the light modulation layer 7, and the second transparent electrode 8, the second transparent substrate 10 and Second
The shape of the antireflection film 11 is enlarged, and further, as the light modulation layer 7, LiNbO 3 , LiTaO 3 , KDP, DKDP,
ADP, KTP, KNbO 3 , Sr x Ba 1-x Nb 2 O
6 , one or more electro-optic crystals selected from the group consisting of GaAs, InP, and GaP crystals are used, and these first transparent substrate 2, first transparent electrode 3, and photoconductive layer 4 are used.
A light absorption layer 5, a dielectric multilayer film mirror 6, a light modulation layer 7, an antireflection film 23, a second transparent electrode 8, a second transparent substrate 10, and a second antireflection film 11. That is, they are formed by sequentially and closely laminating.

【0108】そして、交流電源12によって第1透明電
極3と、第2透明電極8との間に交流電圧を印加した状
態で、第1透明基板2側に書込み光13を入射させるこ
とにより、光導電層4の抵抗値を変化させて光変調層7
に光情報を2次元的に書込み、第2反射防止膜11側に
読み出し光14を入射させることにより、前記光変調層
7に書き込まれている情報を読み出し、これを表示光1
5として外部に出射する。
Then, while the AC voltage is applied between the first transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8 by the AC power source 12, the writing light 13 is made incident on the first transparent substrate 2 side to thereby generate light. By changing the resistance value of the conductive layer 4, the light modulation layer 7
Information is written in the light modulating layer 7 by reading two-dimensionally the optical information into the second light-reflecting film 11 and causing the reading light 14 to enter the second antireflection film 11 side.
5 is emitted to the outside.

【0109】この場合、この第5実施例の傾斜状複素誘
電率型空間光変調素子1では、光導電層4と、第2透明
電極8との間に挿入される層の中で、光導電層4と、光
変調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構
成要素となっている各層のうち、互いに異なる屈折率を
持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7に近い方の
複素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電
率の絶対値よりも、大きくならないように、誘電体多層
膜ミラー6を構成する各層の複素誘電率が設定される。
In this case, in the tilted complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of the fifth embodiment, the photoconductive layer is inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8. Of the layers constituting the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the layer 4 and the light modulation layer 7, two adjacent light modulation layers having different refractive indexes from each other 7 so that the absolute value of the complex permittivity closer to 7 does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4, the complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is Is set.

【0110】このようにしても、上述した第1実施例と
同様に、素子自体の解像度を大幅に向上させて、素子自
体や各光学系を大型化することなく、高精細画像を表示
することができ、これによって投射型ディスプレィや画
像処理装置自体を大型化することなく、かつ製作コスト
を増大させることなく画像の高精細化を達成することが
できる。
Even in this case, similarly to the first embodiment described above, the resolution of the element itself is greatly improved, and a high-definition image is displayed without increasing the size of the element itself or each optical system. As a result, it is possible to achieve high-definition images without increasing the size of the projection type display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost.

【0111】また、この第5実施例においては、反射防
止膜23と、第2反射防止膜11とを使用するようにし
ているが、これら反射防止膜23、第2反射防止膜11
のいずれか一方、あるいは両方を削除しても、この第5
実施例と同様な効果を得ることができる。
In the fifth embodiment, the antireflection film 23 and the second antireflection film 11 are used, but the antireflection film 23 and the second antireflection film 11 are used.
Even if you delete one or both of the
The same effect as that of the embodiment can be obtained.

【0112】さらに、この第5実施例においては、光変
調層7と、第2透明電極8との間に反射防止膜23を挿
入しているが、反射防止膜23と、第2透明電極8とを
入れ替えて、光変調層7と、反射防止膜23との間に第
2透明電極8を挿入するようにしても、同様な効果を得
ることができる。
Further, in the fifth embodiment, the antireflection film 23 is inserted between the light modulation layer 7 and the second transparent electrode 8, but the antireflection film 23 and the second transparent electrode 8 are inserted. The same effect can be obtained by replacing the and by inserting the second transparent electrode 8 between the light modulation layer 7 and the antireflection film 23.

【0113】《傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の動
作》次に、液晶17の常光屈折率と、透明樹脂18の屈
折率とがほぼ一致し、かつ図2の構成の液晶・樹脂複合
体19を光変調層7とする図1の傾斜状複素誘電率型空
間光変調素子1を例にとり、本発明の傾斜状複素誘電率
型空間変調素子の動作を説明する。
<< Operation of Inclined Complex Permittivity-Type Spatial Light Modulating Element >> Next, the ordinary light refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are substantially the same, and the liquid crystal / resin composite having the configuration of FIG. The operation of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator of the present invention will be described by taking the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 of FIG. 1 in which the body 19 is the light modulation layer 7.

【0114】まず、書込み光13が無い場合には、傾斜
状複素誘電率型空間光変調素子1に印加される電圧の大
部分が光導電層4に印加され、光変調層7である液晶・
樹脂複合体19に加わる電圧が小さいことから、透明樹
脂18の不規則な壁面に応じて、液晶17の分子が様々
な方向を向く。
First, when there is no writing light 13, most of the voltage applied to the inclined complex dielectric constant type spatial light modulation element 1 is applied to the photoconductive layer 4, and the liquid crystal which is the light modulation layer 7
Since the voltage applied to the resin composite 19 is small, the molecules of the liquid crystal 17 are oriented in various directions depending on the irregular wall surface of the transparent resin 18.

【0115】このとき、液晶17がこの液晶17を囲む
透明樹脂18の屈折率と異なる屈折率を持つため、読み
出し光14が入射したとき、これが液晶・樹脂複合体1
9の中で散乱される。
At this time, since the liquid crystal 17 has a refractive index different from that of the transparent resin 18 surrounding the liquid crystal 17, when the reading light 14 is incident, this is the liquid crystal / resin composite 1.
Scattered in 9.

【0116】次に、光導電層4側に書込み光13が入射
すると、書込み光13の強度に応じて光導電層4のイン
ピーダンスが減少し、液晶・樹脂複合体19に印加され
る電圧が増大する。そして、前記書込み光13の強度が
十分大きいとき、液晶分子の長軸が電界の印加方向を向
くことから、液晶・樹脂複合体19にほぼ垂直に入射し
た読み出し光14に対し、液晶17の中で、液晶17の
常光屈折率とほぼ同じ屈折率が与えられる。このとき、
液晶17の常光屈折率と、透明樹脂18の屈折率とが極
めて近いため、読み出し光14が散乱されずに、液晶・
樹脂複合体19中を直進し、誘電体多層膜ミラー6で反
射された後、再び液晶・樹脂複合体19を直進した後、
第2透明電極8、第1反射防止膜9、第2透明基板1
0、第2反射防止膜11を透過して傾斜状複素誘電率型
空間光変調素子1の外に出射される。
Next, when the writing light 13 is incident on the side of the photoconductive layer 4, the impedance of the photoconductive layer 4 decreases according to the intensity of the writing light 13, and the voltage applied to the liquid crystal / resin composite 19 increases. To do. When the intensity of the writing light 13 is sufficiently high, the long axes of the liquid crystal molecules are oriented in the direction of applying the electric field, so that the reading light 14 incident almost perpendicularly to the liquid crystal / resin composite 19 is contained in the liquid crystal 17. Thus, a refractive index almost the same as the ordinary refractive index of the liquid crystal 17 is given. At this time,
Since the ordinary light refractive index of the liquid crystal 17 and the refractive index of the transparent resin 18 are extremely close to each other, the reading light 14 is not scattered and the liquid crystal
After going straight through the resin composite 19 and being reflected by the dielectric multilayer film mirror 6, after going straight through the liquid crystal / resin composite 19 again,
Second transparent electrode 8, first antireflection film 9, second transparent substrate 1
0, the light passes through the second antireflection film 11 and is emitted to the outside of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1.

【0117】《傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の使
用例》このように、本発明による傾斜状複素誘電率型空
間光変調素子1は書込み光13の強度に応じて、読み出
し光14を散乱あるいは直進させるようにしているの
で、図9に示す如く傾斜状複素誘電率型空間光変調素子
1と、レンズ25と、アパーチャ26とを組み合わせ、
散乱光をアパーチャ26で遮断すれば、波長変換対象と
なる画像や2次元パターンを含む書込み光13を傾斜状
複素誘電率型空間光変調素子1の一面側に入射させなが
ら、前記書込み光13の波長と異なる波長を持つ読み出
し光14を前記傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1の
他面側に入射させることにより、前記書込み光13に含
まれている画像や2次元のデータパターンを読み出し光
14の波長に変換して、これを高いコントラスト比で表
示することができる。
<< Example of Use of Inclined Complex Permittivity-Type Spatial Light Modulator >> As described above, the inclined complex dielectric constant-type spatial light modulator 1 according to the present invention changes the read light 14 according to the intensity of the write light 13. Since the light is scattered or goes straight, the inclined complex dielectric constant spatial light modulator 1, the lens 25, and the aperture 26 are combined as shown in FIG.
If the scattered light is blocked by the aperture 26, the writing light 13 including the image or the two-dimensional pattern to be wavelength-converted is incident on one surface side of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 while the writing light 13 A read light 14 having a wavelength different from the wavelength is incident on the other surface side of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 to read an image or a two-dimensional data pattern included in the write light 13. It can be converted to the wavelength of the light 14 and displayed with a high contrast ratio.

【0118】《傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の試
作例》次に、光導電層4として厚さ0.25mmのBi
12SiO20結晶板を用い、光吸収層5として厚さ1.3
μmのダイヤモンドライクカーボン膜を用い、誘電体多
層膜ミラー6としてTiO2 膜とSiO2 膜とを交互に
17層重ねた厚さ1.3μmの多層膜を用い、また光変
調層7で使用される液晶・樹脂複合体19として表4に
示す特性のネマチック液晶と、表5に示す特性の透明樹
脂前駆体とを1:1の重量比で混合した厚さ10μmの
複合膜を用い、第1透明電極3および第2透明電極8と
してIn2 3 に5%のSnを添加した厚さ0.05μ
mのITO透明電極膜を用い、さらに第1反射防止膜9
としてMgF2 膜を用い、第2反射防止膜11としてC
eF3 膜およびZrO2 膜、MgF2 膜を用いた傾斜状
複素誘電率型空間光変調素子1を例にとって、その作製
方法を詳細に述べる。
<< Prototype Example of Inclined Complex Permittivity-Type Spatial Light Modulator >> Next, as the photoconductive layer 4, a Bi film having a thickness of 0.25 mm was used.
The thickness of the light absorption layer 5 is 1.3 using a 12 SiO 20 crystal plate.
A diamond-like carbon film having a thickness of 1.3 μm is used as the dielectric multilayer film mirror 6, and a multilayer film having a thickness of 1.3 μm in which 17 layers of TiO 2 films and SiO 2 films are alternately laminated is used. As the liquid crystal / resin composite 19 having the properties shown in Table 4, a nematic liquid crystal having the properties shown in Table 4 and a transparent resin precursor having the properties shown in Table 5 are mixed in a weight ratio of 1: 1 to form a composite film having a thickness of 10 μm. As the transparent electrode 3 and the second transparent electrode 8, a thickness of 0.05 μm in which 5% Sn is added to In 2 O 3
m ITO transparent electrode film, and further the first antireflection film 9
The MgF 2 film is used as, C as a second anti-reflection film 11
A method of manufacturing the inclined complex dielectric constant spatial light modulator 1 using the eF 3 film, the ZrO 2 film, and the MgF 2 film will be described in detail as an example.

【0119】[0119]

【表4】 [Table 4]

【表5】 まず、Bi12SiO20結晶から適当な厚さのウェハーを
切り出し、これを0.25mmの厚さに光学研磨して光
導電層4とした後、この光導電層4の一方の表面に厚さ
0.05μmのITO透明電極を蒸着して第1透明電極
3を形成する。
[Table 5] First, a wafer having an appropriate thickness was cut out from a Bi 12 SiO 20 crystal, and this was optically polished to a thickness of 0.25 mm to form a photoconductive layer 4. The first transparent electrode 3 is formed by depositing an ITO transparent electrode having a thickness of 0.05 μm.

【0120】次に、メタンガスを原料としてプラズマC
VD法によりBi12SiO20結晶の他の表面に厚さ1.
3μmのダイヤモンドライクカーボン膜を形成してこれ
を光吸収層5とする。このとき得られたダイヤモンドラ
イクカーボン膜は、波長450nmの光に対して0.0
2%の透過率を示し、また、その比抵抗は2.2×10
8 Ωcmであった。
Next, plasma C using methane gas as a raw material
The thickness of the other surface of the Bi 12 SiO 20 crystal was measured by the VD method.
A diamond-like carbon film having a thickness of 3 μm is formed and used as the light absorption layer 5. The diamond-like carbon film obtained at this time is 0.0 with respect to light having a wavelength of 450 nm.
It shows a transmittance of 2% and its specific resistance is 2.2 × 10.
It was 8 Ωcm.

【0121】次に、イオンビームアシスト(IAD)法
を用いて前記ダイヤモンドライクカーボン膜上に、Ti
2 膜と、SiO2 膜とを交互に17層積層して厚さ
1.3μmの誘電体多層膜ミラー6を形成する。この場
合、IAD法は電子ビーム蒸着中において、蒸着膜を形
成する基板上に低エネルギーの酸素イオンを照射する成
膜法であり、低温で高屈折率・低光吸収特性を持つ薄膜
を作成することができる。そして、この誘電体多層膜ミ
ラー6を形成している最中において、基板に照射する酸
素イオンビームのエネルギーを変えることにより、誘電
体多層膜ミラー6の比抵抗の制御して、これを所望の値
にする。
Next, by using the ion beam assist (IAD) method, Ti is deposited on the diamond-like carbon film.
17 layers of O 2 films and SiO 2 films are alternately laminated to form a dielectric multilayer mirror 6 having a thickness of 1.3 μm. In this case, the IAD method is a film forming method of irradiating a substrate on which a vapor-deposited film is formed with low-energy oxygen ions during electron beam evaporation, and forms a thin film having a high refractive index and a low light absorption property at a low temperature. be able to. Then, while the dielectric multi-layered film mirror 6 is being formed, the energy of the oxygen ion beam with which the substrate is irradiated is changed to control the specific resistance of the dielectric multi-layered film mirror 6 to obtain a desired value. Value.

【0122】これによって、誘電体多層膜ミラー6を構
成するTiO2 膜の層とSiO2 膜の層において、光変
調層7に近い層の複素誘電率の絶対値が光導電層4に近
い層の複素誘電率の絶対値よりも大きくならないよう
に、各層毎にその比抵抗が制御される。
As a result, in the layer of TiO 2 film and the layer of SiO 2 film which compose the dielectric multilayer mirror 6, the layer close to the light modulation layer 7 in absolute value of complex permittivity is close to the photoconductive layer 4. The specific resistance of each layer is controlled so as not to become larger than the absolute value of the complex dielectric constant of.

【0123】上記の方法により、得られた誘電体多層膜
ミラー6は、波長500〜590nmの光に対して、9
8%以上の高反射率を示すとともに、傾斜状複素誘電率
型空間光変調素子1の駆動電圧の周波数fが100Hz
のとき、表6および表7に示すような比抵抗と、複素比
誘電率の絶対値|εZCT |、|εZCS |とを持ってい
た。ただし、|εZCT |は誘電体多層膜ミラー6を構成
するTiO2 膜の絶対値であり、また|εZCS |は誘電
体多層膜ミラー6を構成するSiO2 膜の絶対値であ
る。また、層番号は誘電体多層膜ミラー6の構成要素で
ある9層のTiO2膜と、8層のSiO2 膜に付けられ
た番号であり、光変調層7を構成する液晶・樹脂複合体
19に接するTiO2 膜を第1層、このTiO2 膜に接
するSiO2膜を第2層、さらにこのSiO2 膜に接す
るTiO2 膜を第3層というように、TiO2 膜に奇数
番号が付けられ、SiO2 膜に偶数番号が付けられてい
る。
The dielectric multi-layered film mirror 6 obtained by the above-described method has a wavelength of 9 to 9 nm with respect to light having a wavelength of 500 to 590 nm.
It exhibits a high reflectance of 8% or more, and the frequency f of the driving voltage of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 is 100 Hz.
At that time, it had the specific resistances shown in Tables 6 and 7 and the absolute values of the complex relative permittivity | ε ZCT | and | ε ZCS |. However, | ε ZCT | is the absolute value of the TiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 6, and | ε ZCS | is the absolute value of the SiO 2 film forming the dielectric multilayer mirror 6. The layer number is a number assigned to the 9-layer TiO 2 film and the 8-layer SiO 2 film, which are the constituent elements of the dielectric multilayer mirror 6, and is a liquid crystal / resin composite that constitutes the light modulation layer 7. the TiO 2 film in contact with the 19 first layer, the SiO 2 film in contact with the TiO 2 film second layer, a TiO 2 film in contact with the SiO 2 film and so third layer further odd number TiO 2 film And the SiO 2 films are even numbered.

【0124】[0124]

【表6】 [Table 6]

【表7】 これら表6および表7に示す如く、誘電体多層膜ミラー
6を構成するTiO2膜およびSiO2 膜は、各層に付
けられた番号が大きいほど、複素比誘電率の絶対値が大
きくなっており、本発明による傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子1の「光導電層4と、第2透明電極8との間
に挿入される層の中で、光導電層4と、光変調層7との
間に挿入される誘電体多層膜ミラー6の構成要素となっ
ている各層のうち、互いに異なる屈折率を持ち、かつ隣
接する2つの層の、光変調層7に近い方の複素誘電率の
絶対値が、光導電層4に近い方の複素誘電率の絶対値よ
りも、大きくならないように、誘電体多層膜ミラー6を
構成する各層の複素誘電率を設定する」という条件を満
たしている。
[Table 7] As shown in Tables 6 and 7, in the TiO 2 film and the SiO 2 film forming the dielectric multilayer film mirror 6, the larger the number attached to each layer, the larger the absolute value of the complex relative dielectric constant. In the layer inserted between the photoconductive layer 4 and the second transparent electrode 8 of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 according to the present invention, the photoconductive layer 4 and the light modulating layer 7 are included. Among the layers that are constituent elements of the dielectric multilayer mirror 6 inserted between and, the two adjacent layers having different refractive indices and the complex permittivity closer to the light modulation layer 7 The complex permittivity of each layer constituting the dielectric multilayer film mirror 6 is set so that the absolute value of does not become larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4. " There is.

【0125】次いで、第2透明基板10となるガラス基
板の前記光変調層7が積層される側に、電子ビーム蒸着
法によってMgF2 膜を形成してこれを第1反射防止膜
9とするとともに、前記ガラス基板の他方の面に、電子
ビーム蒸着法によってCeF3 膜、ZrO2 膜およびM
gF2 膜を形成してこれを第2反射防止膜11とした
後、前記第1反射防止膜9上に、In2 3 に5%のS
nを添加した厚さ0.05μmのITO層を形成してこ
れを第2透明電極8とする。
Then, a MgF 2 film is formed on the side of the glass substrate to be the second transparent substrate 10 on which the light modulation layer 7 is laminated by an electron beam evaporation method to form a first antireflection film 9. , A CeF 3 film, a ZrO 2 film, and M on the other surface of the glass substrate by an electron beam evaporation method.
After forming a gF 2 film and using it as the second antireflection film 11, 5% S in In 2 O 3 is formed on the first antireflection film 9.
An ITO layer having a thickness of 0.05 μm formed by adding n is formed and used as the second transparent electrode 8.

【0126】次に、表4に示す特性のネマチック液晶
と、表5に示す特性の透明樹脂前駆体とを1:1の重量
比で混合し、直径10μmのスペーサ球を適当量だけ加
えた後、この混合液を前記誘電体多層膜ミラー6と、前
記第1反射防止膜9、第2透明電極8および第2反射防
止膜11が積層されたガラス基板(第2透明基板10)
とで挟み、これに波長365nm、光強度20mW/c
2 の紫外線を照射して厚さ10μm、比抵抗2×10
10Ωcmの液晶・樹脂複合体19(光変調層7)を形成
して傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1を製作した。
Next, a nematic liquid crystal having the characteristics shown in Table 4 and a transparent resin precursor having the characteristics shown in Table 5 were mixed in a weight ratio of 1: 1 and spacer balls having a diameter of 10 μm were added in an appropriate amount. A glass substrate (second transparent substrate 10) in which this mixed liquid is laminated with the dielectric multilayer film mirror 6, the first antireflection film 9, the second transparent electrode 8 and the second antireflection film 11 are laminated.
It is sandwiched between and a wavelength of 365nm, light intensity 20mW / c
Irradiated with m 2 of ultraviolet rays, the thickness is 10 μm, and the specific resistance is 2 × 10.
A liquid crystal / resin composite 19 (light modulation layer 7) having a thickness of 10 Ωcm was formed to fabricate a tilted complex dielectric constant type spatial light modulation element 1.

【0127】《傾斜状複素誘電率型空間光変調素子の画
像特性例》そして、上述したプロセスで作成された本発
明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1の性能
と、従来の空間光変調素子の性能とを比較するため、各
々、3個ずつの空間光変調素子を作製して、本発明によ
る傾斜状複素誘電率型空間光変調素子1の性能と、従来
の空間光変調素子の性能とを評価した。
<< Example of Image Characteristics of Inclined Complex Permittivity-Type Spatial Light Modulator >> The performance of the inclined complex dielectric constant-type spatial light modulator 1 according to the present invention produced by the above-described process and the conventional spatial light In order to compare the performance of the modulator, three spatial light modulators each were manufactured, and the performance of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 according to the present invention and the conventional spatial light modulator were compared. The performance was evaluated.

【0128】第1群は、第1透明電極3としてIn2
3 に5%のSnを添加した厚さ0.05μmのITO膜
を用い、光導電層4として厚さ0.25mmのBi12
iO20結晶板を用い、光吸収層5として厚さ1.3μ
m、比抵抗2.2×108 Ωcmのダイヤモンドライク
カーボン膜を用い、誘電体多層膜ミラー6としてIAD
法で作製したTiO2 膜とSiO2 膜とを交互に17層
だけ重ねた厚さ1.3μmの多層膜を用い、また光変調
層7となる液晶・樹脂複合体19として表4に示すネマ
チック液晶と、表5に示す透明樹脂前駆体とを1:1の
重量比で混合した厚さ10μmの液晶・樹脂複合膜を用
い、第2透明電極8としてIn2 3 に5%のSnを添
加した厚さ0.05μmのITO膜を用い、さらに第1
反射防止膜9としてMgF2 膜を用い、第2反射防止膜
11としてCeF3 膜、ZrO2 膜およびMgF2 膜を
用いた、本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子1となる空間光変調素子である。この場合、この第1
群に属する各空間光変調素子は、素子毎に、誘電体多層
膜ミラー6の比抵抗が異なる以外、どの素子も同じく構
成されている。
The first group includes In 2 O as the first transparent electrode 3.
An ITO film having a thickness of 0.05 μm in which 5% Sn is added to 3 is used, and a Bi 12 S film having a thickness of 0.25 mm is used as the photoconductive layer 4.
A light absorbing layer 5 having a thickness of 1.3 μm is formed using an iO 20 crystal plate.
m, a diamond-like carbon film having a specific resistance of 2.2 × 10 8 Ωcm, and IAD as the dielectric multilayer film mirror 6.
A nematic layer shown in Table 4 is used as a liquid crystal / resin composite 19 for the light modulation layer 7 by using a multilayer film having a thickness of 1.3 μm in which 17 layers of TiO 2 films and SiO 2 films produced by the method are alternately stacked. A liquid crystal / resin composite film having a thickness of 10 μm in which liquid crystal and the transparent resin precursor shown in Table 5 were mixed at a weight ratio of 1: 1 was used, and 5% Sn was added to In 2 O 3 as the second transparent electrode 8. Using the added ITO film with a thickness of 0.05 μm,
A space to be the gradient complex dielectric constant type spatial light modulator 1 according to the present invention, which uses the MgF 2 film as the antireflection film 9 and the CeF 3 film, the ZrO 2 film and the MgF 2 film as the second antireflection film 11. It is an optical modulator. In this case, this first
Each spatial light modulation element belonging to the group has the same configuration except that the specific resistance of the dielectric multilayer film mirror 6 is different for each element.

【0129】そして、この第1群に属する第1、第2、
第3の空間光変調素子の誘電体多層膜ミラー6を構成す
る9層のTiO2 膜および8層のSiO2 膜は、それぞ
れ表6、7、表8、9、表10、11に示すように、種
々の比抵抗と、複素比誘電率の絶対値|εZCT |、|ε
ZCS |(f=100Hzの値)とを持っている。ただ
し、|εZCT |はTiO2 膜(奇数番号を持つ層)の複
素比誘電率の絶対値であり、|εZCS |はSiO2
(偶数番号を持つ層)の複素比誘電率の絶対値である。
Then, the first, second, and
The nine layers of TiO 2 film and the eight layers of SiO 2 film forming the dielectric multilayer film mirror 6 of the third spatial light modulation element are as shown in Tables 6, 7, 8, 9 and 10, 11, respectively. , Various specific resistances and absolute values of complex relative permittivity | ε ZCT | 、 | ε
ZCS | (value of f = 100 Hz) and. Where | ε ZCT | is the absolute value of the complex relative permittivity of the TiO 2 film (the layer having an odd number), and | ε ZCS | is the absolute value of the complex relative permittivity of the SiO 2 film (the layer having an even number). It is a value.

【0130】[0130]

【表8】 [Table 8]

【表9】 [Table 9]

【表10】 [Table 10]

【表11】 これらの表6、7、表8、9、表10、11から明らか
なように、本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調
素子1となる空間光変調素子は、光変調層7を構成する
液晶・樹脂複合体層に最も近いTiO2 膜が最も小さい
複素比誘電率の絶対値|εZCT |を持ち、光導電層4に
最も近いTiO2 膜が最も大きい複素比誘電率の絶対値
|εZCT |を持つように、製作されている。
[Table 11] As is clear from these Tables 6, 7, 8, 9 and 10, 11, the spatial light modulator that is the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 according to the present invention has the light modulation layer 7. The TiO 2 film closest to the liquid crystal / resin composite layer has the smallest absolute value of complex relative permittivity | ε ZCT |, and the TiO 2 film closest to the photoconductive layer 4 has the largest absolute value of complex relative permittivity. Manufactured to have | ε ZCT |.

【0131】一方、第2群に属する各空間光変調素子
は、第1群に属する各空間光変調素子に比べて、誘電体
多層膜ミラー6の電気的特性だけが異なる従来の空間光
変調素子である。
On the other hand, the spatial light modulators belonging to the second group are different from the spatial light modulators belonging to the first group only in the conventional spatial light modulators in which the electric characteristics of the dielectric multilayer film mirror 6 are different. Is.

【0132】すなわち、第2群に属する第1、第2、第
3の空間光変調素子の誘電体多層膜ミラー6を構成する
9層のTiO2 膜および8層のSiO2 膜は、層番号に
依存しない一定の比抵抗を有し、これらの各薄膜で構成
された誘電体多層膜ミラー6が表12に示すような比抵
抗ρM を持っている。
[0132] That is, first belonging to the second group, the second, third spatial light dielectric multilayer TiO 2 film of nine layers constituting the membrane mirror 6 and 8 layer SiO 2 film of the modulation element, layer number The dielectric multilayer mirror 6 composed of these thin films has a specific resistance ρ M as shown in Table 12.

【0133】[0133]

【表12】 そして、これらの空間光変調素子を、図10に示す光学
系30内に設置してその画像特性を測定した。
[Table 12] Then, these spatial light modulators were installed in the optical system 30 shown in FIG. 10 and the image characteristics thereof were measured.

【0134】この光学系30では、キセノンランプ31
および反射鏡32で構成される書込み用光源33によっ
て書込み光13を生成し、紫外線カットフィルタ34、
赤外線カットフィルタ35、400〜500nmの透過
帯域を持つカラーフィルタ36によって前記書込み光1
3を青色光に変換するとともに、レンズ37によって前
記青色光を並行光線にした後、これを解像度評価用パタ
ーン38に照射させ、レンズ39によって前記解像度評
価用パターン38を透過した書込み光(画像を含む青色
光)13を、80V(実効値)の電圧値および300H
zの繰り返し周波数を持つ矩形波電圧(交流電圧)が印
加されている測定用の空間光変調素子上に結像させる。
In this optical system 30, the xenon lamp 31 is used.
The writing light source 33 composed of the reflecting mirror 32 and the writing light 13 generates the writing light 13, and the ultraviolet cut filter 34,
The writing light 1 is converted by the infrared cut filter 35 and the color filter 36 having a transmission band of 400 to 500 nm.
3 is converted into blue light, and the blue light is converted into parallel light rays by the lens 37, which is then irradiated on the resolution evaluation pattern 38, and the writing light transmitted through the resolution evaluation pattern 38 by the lens 39 (image (Including blue light) 13, voltage value of 80V (effective value) and 300H
An image is formed on the spatial light modulator for measurement to which a rectangular wave voltage (AC voltage) having a z repetition frequency is applied.

【0135】このとき、解像度評価用パターン38とし
て、USAF1951解像度チャートを使用し、レンズ
39を通して空間光変調素子の位置に結像したとき、1
00lp/mmまで認識することができた。
At this time, when the USAF1951 resolution chart is used as the resolution evaluation pattern 38 and an image is formed at the position of the spatial light modulator through the lens 39, 1
It was possible to recognize up to 00 lp / mm.

【0136】一方、キセノンランプ45および反射鏡4
6で構成される読み出し用光源47によって読み出し光
14を生成し、紫外線カットフィルタ48、赤外線カッ
トフィルタ49、500〜590nmの透過帯域を持つ
カラーフィルタ50によって前記読み出し光14を緑色
光に変換するとともに、レンズ51によって前記緑色光
を集光させながら、反射鏡52によって光路変更した
後、レンズ53によって前記読み出し光(緑色光)を空
間光変調素子に照射させる。
On the other hand, the xenon lamp 45 and the reflecting mirror 4
The reading light source 47 configured by 6 generates the reading light 14, and the reading light 14 is converted into green light by the ultraviolet cut filter 48, the infrared cut filter 49, and the color filter 50 having a transmission band of 500 to 590 nm. After the green light is condensed by the lens 51 and the optical path is changed by the reflecting mirror 52, the read light (green light) is emitted to the spatial light modulator by the lens 53.

【0137】そして、レンズ53によってこの空間光変
調素子からの表示光15を取込み、これを集光させなが
ら、アパーチャ54によって前記表示光15に含まれて
いる散乱光を遮断し、表示画像のコントラスト比を向上
させた後、レンズ55によってスクリーン56上に対角
長2mのサイズに拡大投射させる。
Then, the lens 53 takes in the display light 15 from the spatial light modulator, and while condensing it, the aperture 54 cuts off the scattered light contained in the display light 15 to make a contrast of the display image. After the ratio is improved, it is enlarged and projected on the screen 56 by the lens 55 to have a diagonal length of 2 m.

【0138】以上述べた手順で、第1群に属する各空間
光変調素子の解像度と、第2群に属する各空間光変調素
子の解像度とを測定したところ、第1群の各空間光変調
素子について、表13に示す解像度特性を得ることがで
き、また第2群の各空間光変調素子について、表12に
示す解像度特性を得ることができた。
When the resolution of each spatial light modulation element belonging to the first group and the resolution of each spatial light modulation element belonging to the second group were measured by the procedure described above, each spatial light modulation element of the first group was measured. Regarding the above, the resolution characteristics shown in Table 13 could be obtained, and the resolution characteristics shown in Table 12 could be obtained for each spatial light modulator of the second group.

【0139】[0139]

【表13】 これら表12および表13から明らかなように、光導電
層4と、光変調層7との間に挿入される誘電体多層膜ミ
ラー6の構成要素となっている各層のうち、互いに異な
る屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調層7
に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層4に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラー6を構成する各層の複素誘電率を設
定するようにした本発明による傾斜状複素誘電率型空間
光変調素子1では、高い解像度を示すが、この設定以外
の複素比誘電率の絶対値を持つ誘電体層膜ミラー6で構
成された従来の空間光変調素子では、低い解像度にな
る。
[Table 13] As is clear from Table 12 and Table 13, among the layers constituting the dielectric multilayer mirror 6 inserted between the photoconductive layer 4 and the light modulation layer 7, the refractive indexes different from each other. Light modulation layer 7 having two adjacent layers
, So that the absolute value of the complex permittivity closer to is not larger than the absolute value of the complex permittivity closer to the photoconductive layer 4,
The inclined complex dielectric constant type spatial light modulator 1 according to the present invention in which the complex dielectric constants of the respective layers forming the dielectric multilayer film mirror 6 are set exhibits high resolution, but complex relative dielectric constants other than this setting are shown. In the conventional spatial light modulator including the dielectric layer film mirror 6 having the absolute value of, the resolution is low.

【0140】[0140]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、請
求項1、2、3では、素子自体の解像度を大幅に向上さ
せて、素子自体や各光学系を大型化することなく、高精
細画像を表示することができ、これによって投射型ディ
スプレィや画像処理装置自体を大型化することなく、か
つ製作コストを増大させることなく画像の高精細化を達
成することができる。また、請求項4〜13では、素子
を構成する各要素を特定することにより、現存する材料
によって請求項1、2、3に示す効果を得ることができ
る。
As described above, according to the present invention, in the first, second and third aspects, the resolution of the element itself is significantly improved, and the element itself and each optical system are increased in size without increasing in size. A high-definition image can be displayed, whereby a high-definition image can be achieved without increasing the size of the projection display or the image processing apparatus itself and without increasing the manufacturing cost. Further, in claims 4 to 13, the effects shown in claims 1, 2, and 3 can be obtained by the existing material by specifying each element constituting the element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の第1実施例を示す構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram showing a first embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図2】図1に示す光変調層を構成する液晶・樹脂複合
体の一例を示す断面図である。
2 is a cross-sectional view showing an example of a liquid crystal / resin composite constituting the light modulation layer shown in FIG.

【図3】図1に示す光変調層を構成する液晶・樹脂複合
体の他の例を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of a liquid crystal / resin composite which constitutes the light modulation layer shown in FIG.

【図4】図1に示す光変調層を構成する液晶・樹脂複合
体の他の例を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of a liquid crystal / resin composite forming the light modulation layer shown in FIG.

【図5】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の第2実施例を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図6】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の第3実施例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図7】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の第4実施例を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a fourth embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図8】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の第5実施例を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a fifth embodiment of a tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図9】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調素
子の使用例を示す構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram showing an example of use of the inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to the present invention.

【図10】本発明による傾斜状複素誘電率型空間光変調
素子を含む複数の複素比誘電率の絶対値を持つ空間光変
調素子の画像特性を測定するときの光学系を示す構成図
である。
FIG. 10 is a configuration diagram showing an optical system when measuring image characteristics of a spatial light modulation element having a plurality of absolute values of complex relative dielectric constants including a tilted complex dielectric constant type spatial light modulation element according to the present invention. .

【図11】従来から知られている空間光変調素子の一例
を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a conventionally known spatial light modulator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 傾斜状複素誘電率型空間光変調素子 2 第1透明基板 3 第1透明電極 4 光導電層 5 光吸収層 6 誘電体多層膜ミラー 7 光変調層 8 第2透明電極 9 第1反射防止膜 10 第2透明基板 11 第2反射防止膜 12 交流電源 13 書込み光 14 読み出し光 15 表示光 17 液晶 18 透明樹脂 19 液晶・樹脂複合体 1 Inclined Complex Permittivity-Type Spatial Light Modulator 2 First Transparent Substrate 3 First Transparent Electrode 4 Photoconductive Layer 5 Light Absorption Layer 6 Dielectric Multilayer Mirror 7 Light Modulation Layer 8 Second Transparent Electrode 9 First Antireflection Film 10 Second Transparent Substrate 11 Second Antireflection Film 12 AC Power Supply 13 Writing Light 14 Reading Light 15 Display Light 17 Liquid Crystal 18 Transparent Resin 19 Liquid Crystal / Resin Composite

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1透明電極、光導電層、光吸収層、誘
電体多層膜ミラー、光変調層および第2透明電極を積層
して形成され、前記第1透明電極と前記第2透明電極と
の間に繰り返し電圧を印加しながら、前記第1透明電極
側から入射された書込み光に基づき、前記光導電層のイ
ンピーダンスを変化させて前記光変調層の状態を変化さ
せ、前記第2透明電極側から入射された読み出し光を前
記光変調層によって2次元的に変調しながら、誘電体多
層膜ミラーによって反射して前記第2透明電極側から出
射させる空間光変調素子において、 前記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多
層膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互いに
異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調
層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定
する、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
1. A first transparent electrode, a photoconductive layer, a light absorption layer, a dielectric multi-layer film mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, which are formed by laminating the first transparent electrode and the second transparent electrode. While repeatedly applying a voltage between the first transparent electrode and the second transparent electrode, the impedance of the photoconductive layer is changed to change the state of the light modulation layer based on the writing light incident from the first transparent electrode side. In the spatial light modulator in which the read light incident from the electrode side is two-dimensionally modulated by the light modulating layer and is reflected by the dielectric multilayer film mirror and emitted from the second transparent electrode side, the photoconductive layer Of the two layers that are adjacent to the light modulation layer and have different refractive indexes from each other, which are the constituent elements of the dielectric multilayer mirror that is inserted between the light modulation layer and the light modulation layer. The absolute value of complex permittivity is Than the absolute value of the closer complex permittivity of the conductive layer, so as not to increase,
A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator which sets a complex dielectric constant of each layer constituting a dielectric multilayer film mirror.
【請求項2】 第1透明電極、光導電層、誘電体多層膜
ミラー、光変調層および第2透明電極を積層して形成さ
れ、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に繰り
返し電圧を印加しながら、前記第1透明電極側から入射
された書込み光に基づき、前記光導電層のインピーダン
スを変化させて前記光変調層の状態を変化させ、前記第
2透明電極側から入射された読み出し光を前記光変調層
によって2次元的に変調しながら、誘電体多層膜ミラー
によって反射して前記第2透明電極側から出射させる空
間光変調素子において、 前記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多
層膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互いに
異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調
層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定
する、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
2. A first transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multi-layer film mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, which are formed by laminating, and between the first transparent electrode and the second transparent electrode. While applying a voltage repeatedly, the impedance of the photoconductive layer is changed based on the writing light incident from the first transparent electrode side to change the state of the light modulation layer, and the light is incident from the second transparent electrode side. In the spatial light modulator in which the read light thus read is two-dimensionally modulated by the light modulation layer and reflected by the dielectric multilayer mirror and emitted from the second transparent electrode side, the photoconductive layer and the light modulation layer are provided. Of the layers that are the constituent elements of the dielectric multilayer film mirror that is inserted between the two layers, the two adjacent layers having different refractive indexes and the complex dielectric constants of the two layers that are closer to the light modulation layer Absolute value in the photoconductive layer Than the absolute value of the stomach the way the complex dielectric constant of, so as not to become larger,
A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator which sets a complex dielectric constant of each layer constituting a dielectric multilayer film mirror.
【請求項3】 第1透明電極、光導電層、誘電体多層膜
ミラー、光変調層および第2透明電極を持ち、前記光導
電層と、前記第2透明電極との間に、少なくとも2つ以
上の透明な層、もしくは不透明な層を有し、前記第1透
明電極と前記第2透明電極との間に繰り返し電圧を印加
しながら、前記第1透明電極側から入射された書込み光
に基づき、前記光導電層のインピーダンスを変化させて
前記光変調層の状態を変化させ、前記第2透明電極側か
ら入射された読み出し光を前記光変調層によって2次元
的に変調し、出射させる空間光変調素子において、 前記光導電層と、光変調層との間に挿入される誘電体多
層膜ミラーの構成要素となっている各層のうち、互いに
異なる屈折率を持ち、かつ隣接する2つの層の、光変調
層に近い方の複素誘電率の絶対値が、光導電層に近い方
の複素誘電率の絶対値よりも、大きくならないように、
誘電体多層膜ミラーを構成する各層の複素誘電率を設定
する、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
3. A first transparent electrode, a photoconductive layer, a dielectric multilayer mirror, a light modulation layer and a second transparent electrode, and at least two are provided between the photoconductive layer and the second transparent electrode. Based on the writing light incident from the first transparent electrode side, the transparent layer or the opaque layer described above is provided, and the voltage is repeatedly applied between the first transparent electrode and the second transparent electrode. Spatial light that changes the impedance of the photoconductive layer to change the state of the light modulation layer, two-dimensionally modulates the read light incident from the second transparent electrode side by the light modulation layer, and emits the read light. In the modulation element, of the layers that are constituent elements of the dielectric multilayer mirror inserted between the photoconductive layer and the light modulation layer, two layers that have different refractive indexes and are adjacent to each other , Complex dielectric closer to the light modulation layer Absolute value of, than the absolute value of the complex dielectric constant which is closer to the photoconductive layer, so as not to increase,
A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator which sets a complex dielectric constant of each layer constituting a dielectric multilayer film mirror.
【請求項4】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光変調層として、ネマチック液晶、コレステリック
液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクチック液晶の混合物によって構
成される群のいずれか1つ以上の液晶を選択して用い
る、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
4. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the light modulation layer is a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, these nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystal. A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator, characterized in that one or more liquid crystals selected from the group consisting of a mixture of liquid crystals and smectic liquid crystals are selected and used.
【請求項5】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光変調層として、ネマチック液晶、コレステリック
液晶、スメクチック液晶、これらネマチック液晶、コレ
ステリック液晶、スメクチック液晶の混合物によって構
成される群のいずれか1つ以上の液晶の常光屈折率、異
常光屈折率または前記液晶がランダムに配向した際の屈
折率のいずれかと同等の屈折率を持つ樹脂中に前記液晶
を分散させた液晶・樹脂複合体、または前記液晶中に前
記樹脂を分散させた液晶・樹脂複合体のいずれか一方を
用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
5. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the light modulation layer is a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, a smectic liquid crystal, these nematic liquid crystals, cholesteric liquid crystal. A resin having a refractive index equivalent to any one of ordinary liquid crystal refractive index, extraordinary light refractive index, and refractive index when the liquid crystal is randomly aligned, of any one or more liquid crystal of a group formed by a mixture of liquid crystal and smectic liquid crystal. One of a liquid crystal / resin composite in which the liquid crystal is dispersed therein, or a liquid crystal / resin composite in which the resin is dispersed in the liquid crystal is used. Modulation element.
【請求項6】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光変調層として、LiNbO3 、LiTaO3 、K
DP、DKDP、ADP、KTP、KNbO3 、Srx
Ba1-x Nb2 6 、GaAs、InP、GaP結晶に
よって構成される群から選択された1つ以上の電気光学
結晶を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
6. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the light modulation layer is LiNbO 3 , LiTaO 3 , or K.
DP, DKDP, ADP, KTP, KNbO 3 , Sr x
A tilted complex dielectric constant spatial light modulator characterized by using one or more electro-optic crystals selected from the group consisting of Ba 1-x Nb 2 O 6 , GaAs, InP, and GaP crystals.
【請求項7】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光導電層として、珪素、ゲルマニウム、炭素によっ
て構成される群のいずれか1つ以上の元素からなるアモ
ルファス膜を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
7. The gradient complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, 2, or 3, wherein the photoconductive layer is made of silicon, germanium, or carbon. A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator characterized by using an amorphous film composed of three or more elements.
【請求項8】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光導電層として、アモルファスシリコン膜、水素化
アモルファスシリコン膜、アモルファスシリコンカーバ
イト膜、水素化アモルファスシリコンカーバイト膜、ア
モルファスセレン膜、アモルファスSeAs膜、アモル
ファスZnS膜、アモルファスCdS膜、アモルファス
CdSe膜によって構成される群のいずれか1つ以上の
膜を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
8. The graded complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the photoconductive layer is an amorphous silicon film, a hydrogenated amorphous silicon film, or an amorphous silicon carbide. A film, a hydrogenated amorphous silicon carbide film, an amorphous selenium film, an amorphous SeAs film, an amorphous ZnS film, an amorphous CdS film, or an amorphous CdSe film is used, and at least one film is used. Inclined complex permittivity spatial light modulator.
【請求項9】 請求項1、2、3のいずれかに記載の傾
斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光導電層として、GaAs結晶、GaP結晶、Bi
12SiO20結晶、Bi12GeO20結晶によって構成され
る群から選択された1つ以上の結晶を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
9. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the photoconductive layer is a GaAs crystal, a GaP crystal, or a Bi.
A tilted complex dielectric constant type spatial light modulator comprising one or more crystals selected from the group consisting of 12 SiO 20 crystals and Bi 12 GeO 20 crystals.
【請求項10】 請求項1、2、3のいずれかに記載の
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光導電層として、フタロシアニン系顔料、アゾ系顔
料、多環キノン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔
料、アントラキノン系顔料、インジゴ系顔料、チオイン
ジゴ系顔料、ジオキサジン系顔料、アゾレーキ系顔料、
チアピリリウム系色素、キナクリドン系顔料、シアニン
系色素、ピロル系顔料、ポルフィリン系顔料、アンタン
トン系顔料、スクアリリウム色素、アズレニウム色素、
ZnO、TiO、CdSあるいはCdSeを樹脂中に分
散させた材料を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
10. The inclined complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the photoconductive layer is a phthalocyanine pigment, an azo pigment, a polycyclic quinone pigment, Perylene pigments, perinone pigments, anthraquinone pigments, indigo pigments, thioindigo pigments, dioxazine pigments, azo lake pigments,
Thiapyrylium pigments, quinacridone pigments, cyanine pigments, pyrrole pigments, porphyrin pigments, antanton pigments, squarylium pigments, azurenium pigments,
A tilted complex dielectric constant spatial light modulator characterized by using a material in which ZnO, TiO, CdS or CdSe is dispersed in a resin.
【請求項11】 請求項1、3のいずれかに記載の傾斜
状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光吸収層として、CdTe膜、ダイヤモンドライク
カーボン膜、珪素と炭素とゲルマニウムとから実質的に
構成されたアモルファス膜によって構成される群から選
択された1つ以上の膜を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
11. The gradient complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the light absorption layer is substantially composed of a CdTe film, a diamond-like carbon film, silicon, carbon and germanium. An inclined complex dielectric constant type spatial light modulator comprising one or more films selected from the group consisting of amorphous films that are configured in a similar manner.
【請求項12】 請求項1、3のいずれかに記載の傾斜
状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記光吸収層として、無機顔料、有機顔料、カーボン、
染料によって構成される群から選択された1つ以上の材
料を樹脂中に分散させた樹脂複合体を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
12. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the light absorption layer is an inorganic pigment, an organic pigment, carbon,
A graded complex dielectric constant spatial light modulator comprising a resin composite in which one or more materials selected from the group consisting of dyes are dispersed in a resin.
【請求項13】 請求項1、2、3のいずれかに記載の
傾斜状複素誘電率型空間光変調素子において、 前記誘電体多層膜ミラーとして、SiO2 膜、TiO2
膜、HfO2 膜、Ta2 5 膜、ZnS膜、Al2 3
膜、Na2 AlF6 膜、MgF2 膜、LaF3膜、Gd
3 膜、SmF3 膜、CeF3 膜、ZrO2 膜、CeO
2 膜によって構成される群から選択された2つ以上の膜
を積層した多層膜を用いる、 ことを特徴とする傾斜状複素誘電率型空間光変調素子。
13. The tilted complex dielectric constant type spatial light modulator according to claim 1, wherein the dielectric multilayer mirror is a SiO 2 film or a TiO 2 film.
Film, HfO 2 film, Ta 2 O 5 film, ZnS film, Al 2 O 3
Film, Na 2 AlF 6 film, MgF 2 film, LaF 3 film, Gd
F 3 film, SmF 3 film, CeF 3 film, ZrO 2 film, CeO
Using a multilayer film formed by laminating two or more films selected from the group constituted by 2 film, inclined complex dielectric constant spatial light modulator, characterized in that.
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JP2015118371A (en) * 2013-11-15 2015-06-25 Tdk株式会社 Optical modulator

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