JPH086232A - Method and apparatus for inspecting mask pattern - Google Patents
Method and apparatus for inspecting mask patternInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はフォトリソグラフィ用の
マスクのパターン検査方法および検査装置に関わり、特
に、同一パターンを複数包含するマスクのパターン検査
に適用して有効な、パターン検査に於けるデータ処理に
関わるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask pattern inspection method and inspection apparatus for photolithography, and in particular, data in a pattern inspection effective when applied to a pattern inspection of a mask including a plurality of identical patterns. It is related to processing.
【0002】最近のIC製造工程に於けるリソグラフィ
処理は、レチクルマスク(以下、単にマスク)を使用する
ものが主となっている。この方式では1〜2チップ分程
度の転写パターンを1枚のマスクに収めて使用すること
が多く、欠陥の有るパターンが作成されたり、作成後に
偶発的に付着したごみなどによりパターンに欠陥が発生
していると、全数或いは半数のチップが不良品となる。
そのため、綿密なパターン検査を行うことが必要である
が、ICの高集積化に伴ってパターンは微細化、複雑化
しており、パターン検査時間も長くなっている。IC製
造のスループットを短縮するのに、マスクの検査時間を
短縮することも必要であり、そのための方策が求められ
ている。The lithographic process in the recent IC manufacturing process mainly uses a reticle mask (hereinafter simply referred to as a mask). In this method, a transfer pattern of about 1 to 2 chips is often stored in one mask and used, and a pattern with a defect is created, or a defect occurs in the pattern due to dust that is accidentally attached after creation. If so, all or half of the chips are defective.
Therefore, it is necessary to perform a thorough pattern inspection, but the pattern is becoming finer and more complicated with the high integration of ICs, and the pattern inspection time is also long. In order to reduce the throughput of IC manufacturing, it is also necessary to shorten the mask inspection time, and a measure for that is required.
【0003】[0003]
【従来の技術】マスクパターン検査は、概念的に言え
ば、光学装置と光電変換装置を使用してマスクパターン
の電子的な形状情報である光学パターン情報を求め、こ
れとICの設計データを展開して得た設計パターン情報
とを比較することにより、マスクの欠陥の有無を判断す
るものである。現実には、パターンの微細化、複雑化に
対応すべく、この基本的構成に修正を加えた形で検査が
行われている。2. Description of the Related Art Conceptually, a mask pattern inspection uses an optical device and a photoelectric conversion device to obtain optical pattern information which is electronic shape information of a mask pattern, and develops this and IC design data. The presence or absence of a defect in the mask is determined by comparing the obtained design pattern information. In reality, in order to cope with the miniaturization and complexity of patterns, inspection is performed in a form in which this basic configuration is modified.
【0004】例えば、1枚のマスクに複数チップ分のパ
ターンが配置されている場合、最初にチップ内パターン
どうしを比較し、その違いに従って良/不良を判定し、
次に良品に対しては、両方のパターンに共通の欠陥が無
いことを確認するようにすれば、トータルの所要時間が
短縮される。この方式の処理を模式的に示したものが第
3図及び第4図であり、第3図には上記方式の第1の段
階であるマスクのパターンどうしを比較検査する処理手
順が、第4図には第2の段階であるマスクのパターンと
設計パターンとを比較検査する処理手順が夫々示されて
いる。以下これらの図面を参照しながら、従来のパター
ン検査方法を説明する。なお本明細書では、光学手段を
利用して得た実パターンの形状情報を光学パターン情報
(又は光学パターン)と呼び、設計データを展開して得た
パターン情報を設計パターン情報(又は設計パターン)と
呼んでいる。For example, when patterns for a plurality of chips are arranged on one mask, patterns in the chips are first compared with each other, and good / defective is judged according to the difference.
Next, for non-defective products, if it is confirmed that there is no common defect in both patterns, the total required time can be shortened. FIG. 3 and FIG. 4 schematically show the processing of this system, and FIG. 3 shows the processing procedure for comparing and inspecting the mask patterns, which is the first step of the above system, in the fourth processing. In the figure, the processing procedure for comparing and inspecting the mask pattern and the design pattern, which is the second stage, is shown respectively. A conventional pattern inspection method will be described below with reference to these drawings. In this specification, the shape information of the actual pattern obtained by using the optical means is referred to as optical pattern information.
(Or optical pattern), and pattern information obtained by expanding design data is called design pattern information (or design pattern).
【0005】第3図に於いて、光照射部1から読み取り
光が検査対象のマスク2に照射され、2組のレンズ系3に
よって生じた光学像は光電変換部4で処理されて光学パ
ターン情報(5a,5b)に変換される。前記2組のレンズ系
の光軸の間隔は同一パターンが配置されたマスク上の間
隔と一致するよう調整されている。両光学パターンは比
較部6aで演算処理され、差分が検出された場合は、それ
が許容範囲の欠陥であるか、を欠陥検出部7aで判定す
る。In FIG. 3, the reading light is irradiated from the light irradiation unit 1 to the mask 2 to be inspected, and the optical image generated by the two lens systems 3 is processed by the photoelectric conversion unit 4 to obtain optical pattern information. Converted to (5a, 5b). The distance between the optical axes of the two sets of lens systems is adjusted so as to match the distance on the mask on which the same pattern is arranged. Both optical patterns are arithmetically processed by the comparison unit 6a, and when a difference is detected, the defect detection unit 7a determines whether or not the difference is a defect within an allowable range.
【0006】第4図に於いても、第3図に於けると同
様、光学パターンを得て処理が進められる。1は光照射
部、2は検査対象のマスク、3はレンズ系である。光電変
換部4の出力である光学パターン5と、設計データ8を展
開して得た設計パターン9が比較部6bで演算処理され、
両パターンに差分があれば、それが許容範囲内である
か、を欠陥検出部7bで判定する。In FIG. 4 as well, in the same manner as in FIG. 3, the optical pattern is obtained and the process proceeds. 1 is a light irradiation part, 2 is a mask to be inspected, and 3 is a lens system. The optical pattern 5 which is the output of the photoelectric conversion unit 4, and the design pattern 9 obtained by expanding the design data 8 are processed by the comparison unit 6b,
If there is a difference between the two patterns, the defect detection unit 7b determines whether or not it is within the allowable range.
【0007】このように検査を2段階に分ければ、前段
の検査だけで不良と判定されたものは、後段の検査を行
うまでもなく排除することができるので、スループット
が向上する。If the inspection is divided into two stages in this way, the one determined to be defective only by the previous stage inspection can be eliminated without performing the subsequent stage inspection, so that the throughput is improved.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記2種類の比較検査
を一連の作業として実行する場合を考えてみると、準備
すべき光学装置と光電変換装置は同一のものでよく、比
較と良否判定の作業を一台のコンピュータで処理するこ
とは当然であるから、連続処理によって装置の重複が避
けられ、作業時間も短縮されることになる。Considering a case where the above-mentioned two types of comparative inspections are executed as a series of operations, the optical device and the photoelectric conversion device to be prepared may be the same, and the comparison and the pass / fail judgment may be performed. Since it is natural that the work is processed by a single computer, the continuous processing avoids duplication of the devices and shortens the work time.
【0009】しかしそのためには、基準値である設計パ
ターンを予め用意した上で作業を開始しなければなら
ず、異種のマスクを連続して検査する場合など、設計情
報からパターン情報を得る処理が遅れると、マスクをそ
の場に止めて待つことになり、次の工程に送ることがで
きないという問題がある。However, for that purpose, the work must be started after preparing a design pattern which is a reference value in advance, and a process for obtaining pattern information from the design information, such as when successively inspecting different kinds of masks, is required. If it is delayed, the mask will be stopped on the spot and wait, and there is a problem that it cannot be sent to the next step.
【0010】また、光学パターンどうしの比較でどちら
かが不良と判定された時には、設計パターンとの比較は
必要でなくなるから、不要になるかもしれない設計パタ
ーン情報は、必要なものだけを展開することが望まし
い。Further, when either one of the optical patterns is determined to be defective, the comparison with the design pattern is not necessary, so that only the necessary design pattern information that may be unnecessary is developed. Is desirable.
【0011】本発明の目的は、上記の問題を解決し、設
計パターンの展開の遅速には無関係にマスクを次の処理
に進めることのできる2段階パターン検査法を提供する
ことである。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a two-step pattern inspection method capable of advancing a mask to the next processing regardless of the slowness of development of a design pattern.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、光学装置および光電変換装置を用いて得た光
学パターン情報をハードディスクのような補助記憶装置
に格納し、これを必要に応じて読み出し得るように構成
されている。In order to achieve the above object, the present invention stores optical pattern information obtained by using an optical device and a photoelectric conversion device in an auxiliary storage device such as a hard disk, and stores it as necessary. It is configured so that it can be read out.
【0013】即ち、本発明のマスクパターン検査方法
は、同一マスク上の複数の実パターンより得た光学パタ
ーン情報どうしを比較すると共に、該パターン情報の一
つを補助記憶装置に格納し、該補助記憶装置から読み出
した該パターン情報を、該マスクの設計情報より得た設
計パターン情報と比較する処理を包含して成るものであ
り、更に本発明のマスクパターン検査装置は、同一マス
ク上の複数の実パターンの形状から光学パターン情報を
得る装置と、該光学パターン情報を記憶する補助記憶装
置と、該補助記憶装置から読み出した該光学パターン情
報と該マスクの設計データを展開して得た設計パターン
情報とを比較する装置とを備えて成ることを特徴として
いる。That is, the mask pattern inspection method of the present invention compares optical pattern information obtained from a plurality of real patterns on the same mask, stores one of the pattern information in an auxiliary storage device, and stores the auxiliary information in the auxiliary storage device. The mask pattern inspection apparatus according to the present invention includes a process of comparing the pattern information read from the storage device with design pattern information obtained from the design information of the mask. A device for obtaining optical pattern information from the shape of an actual pattern, an auxiliary storage device for storing the optical pattern information, and a design pattern obtained by expanding the optical pattern information read from the auxiliary storage device and the design data of the mask. It is characterized by comprising a device for comparing information.
【0014】[0014]
【作用】本発明では、マスク内のパターンどうしを比較
検査するために得た光学的パターン情報をハードディス
ク等の補助記憶装置に格納しておき、設計データを展開
して得た設計パターン情報の比較は格納された該情報を
読み出して行うため、被検体であるマスクを検査装置内
に止めておくことは不要となる。従って、マスク内パタ
ーンどうしの比較検査のために光学的パターン情報を読
み取った後、直ちにマスクを次の工程に進めることで、
マスク検査に起因する遅滞は解消される。According to the present invention, the optical pattern information obtained for the comparative inspection of the patterns in the mask is stored in the auxiliary storage device such as a hard disk and the design pattern information obtained by expanding the design data is compared. Since the stored information is read out and stored, it is not necessary to keep the mask, which is the subject, in the inspection apparatus. Therefore, by reading the optical pattern information for the comparative inspection of the patterns in the mask, immediately moving the mask to the next step,
The delay caused by mask inspection is eliminated.
【0015】[0015]
【実施例】第1図に本発明の第1の実施例の処理手順が
模式的に示されている。以下、同図を参照しながら説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 schematically shows the processing procedure of the first embodiment of the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to FIG.
【0016】光照射部1、レンズ系3から成る光学系によ
り、マスク2の光像が作成され、これは光電変換部4で処
理されて、電子的情報である光学パターン5a及び5bとし
て出力される。これ等の情報は比較部6aで比較演算さ
れ、差分が求められる。ここで差分が存在することは、
本来同一であるべき両パターンに相違する部分があるこ
とを意味する。An optical system of the light irradiation unit 1 and the lens system 3 forms an optical image of the mask 2, which is processed by the photoelectric conversion unit 4 and output as optical patterns 5a and 5b which are electronic information. It These pieces of information are compared and calculated by the comparison unit 6a to obtain the difference. The existence of the difference here means that
It means that there are different parts in both patterns that should be originally the same.
【0017】この相違が許容範囲内のものであるかどう
かは、欠陥検出部7aで差分情報を分析して判定される。
基本的には相違部分の面積が規準値を越えていないか、
をチェックするが、差分がどの領域で発生したかによっ
ても許容量が変動するので、それを勘案して判定するこ
とが望ましい。この差分が許容値を越えていれば、一方
のパターンに許容範囲を越える欠陥があると判断し、そ
のマスクを不良とする。Whether or not this difference is within the allowable range is determined by analyzing the difference information in the defect detecting section 7a.
Basically, is the area of the difference part not exceeding the standard value?
However, since the allowable amount varies depending on in which area the difference occurs, it is desirable to make the determination in consideration of it. If this difference exceeds the allowable value, it is determined that one pattern has a defect exceeding the allowable range, and the mask is determined to be defective.
【0018】この比較処理の結果、差異が小であれば両
パターン共に良品である可能性が高くなるが、両パター
ンに共通の欠陥が存在することも考えられるので、その
一方の情報、例えば5aと、設計データを展開して得た設
計パターン情報9を比較する段階に進む。設計データは
パターン形状に関わる情報であるが、ベクトルデータで
あるから、これから直ちに光学パターンとの差分を求め
ることはできず、これを展開してイメージデータ即ち設
計パターン情報とする処理が必要である。As a result of this comparison process, if the difference is small, it is highly possible that both patterns are non-defective products. However, since there may be a common defect in both patterns, one of the information, for example, 5a. Then, the process proceeds to the stage of comparing the design pattern information 9 obtained by expanding the design data. The design data is information relating to the pattern shape, but since it is vector data, it is not possible to immediately obtain the difference from the optical pattern, and it is necessary to develop this to be image data, that is, design pattern information. .
【0019】本実施例では、光学パターン5aは補助記憶
装置10にも送られて記憶されており、ここから読み出し
た光学パターン情報5aと設計パターン情報9が比較部6b
で比較演算される。その差分のデータに基づいて欠陥検
出部7bでマスクの良否を判定する。この作業内容は光学
パターンどうしを比較する処理に類似するものである
が、差分の内容は全て光学パターンの欠陥を示している
から、許容規準はその点を勘案して設定される。In the present embodiment, the optical pattern 5a is also sent to and stored in the auxiliary storage device 10, and the optical pattern information 5a and the design pattern information 9 read from this are stored in the comparison section 6b.
Is compared and calculated. Based on the difference data, the defect detection unit 7b determines the quality of the mask. This work content is similar to the processing of comparing optical patterns, but since the content of the difference indicates all defects in the optical pattern, the acceptance criterion is set in consideration of that point.
【0020】第二段階の比較処理を開始する時点で設計
パターン情報9が準備済みであれば、光学パターン情報
を補助記憶装置に入力することなく、光電変換部4から
直接取り込んで比較処理を行っても良い。いずれにして
も光学パターン情報を得た後は、被検体であるマスクを
検査装置に保留することは不要であり、これを使用する
装置に送って準備態勢を整えることが可能となる。If the design pattern information 9 is prepared at the time of starting the comparison process of the second stage, the comparison process is performed by directly importing the optical pattern information from the photoelectric conversion unit 4 without inputting it to the auxiliary storage device. May be. In any case, after obtaining the optical pattern information, it is not necessary to hold the mask, which is the subject, in the inspection apparatus, and it is possible to send the mask to the apparatus that uses it and prepare for the preparation.
【0021】上記の比較部6a,6b及び欠陥検出部7a,7bの
実体は1台のコンピュータに必要なプログラムを搭載し
たものである。また、補助記憶装置はアクセスが高速で
且つ記憶容量が大であることが要求され、例えばハード
ディスクが適している。一般的に言って、図形情報は文
字情報に較べてサイズが大きく、数百KBにおよぶ場合
もあるが、ハードディスクは記憶容量が1GBを越える
ものも提供されており、容量は十分である。更に、必要
な場合には光学パターン情報を圧縮して書き込むこと
で、実効容量を増すこともできる。The comparison units 6a and 6b and the defect detection units 7a and 7b are essentially the one computer equipped with the necessary programs. Further, the auxiliary storage device is required to be accessed at high speed and has a large storage capacity, and for example, a hard disk is suitable. Generally speaking, the size of the graphic information is larger than that of the character information and may reach several hundred KB, but the hard disk having a storage capacity exceeding 1 GB is also provided and the capacity is sufficient. Further, if necessary, the optical capacity can be increased by compressing and writing the optical pattern information.
【0022】第2図に本発明の第2の実施例の処理手順
が示されている。この実施例が上記第1の実施例と異な
るのは、補助記憶装置に格納される光学パターン情報5c
が比較部6aから出力される点である。この情報は比較処
理される一方の光学パターン情報に、差分情報を付加し
たものであって、かかる情報を用いて第2段階の比較処
理を行うことは、実質的に2つの光学パターンと設計パ
ターンとの比較を行うのと等価である。FIG. 2 shows the processing procedure of the second embodiment of the present invention. This embodiment differs from the first embodiment in that the optical pattern information 5c stored in the auxiliary storage device is used.
Is the point output from the comparison unit 6a. This information is obtained by adding difference information to one of the optical pattern information to be subjected to the comparison processing, and performing the second-stage comparison processing by using such information is substantially two optical patterns and a design pattern. Is equivalent to making a comparison with.
【0023】このようにして比較処理を行えば、第一段
階の比較では差分の大きさから不良である公算の大きい
マスクでも、設計パターンとの比較では両パターン共に
許容範囲で良品であることが判明する場合もあり、論理
演算が若干複雑化するものの、より適切に良/不良を判
定することが出来る。If the comparison process is performed in this manner, even if the mask is highly likely to be defective due to the size of the difference in the first-stage comparison, both patterns are acceptable in the allowable range in comparison with the design pattern. In some cases, it may become clear that the logical operation may be slightly complicated, but it is possible to more appropriately determine the pass / fail.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、光
学パターン情報どうしの比較と光学パターン情報と設計
パターン情報の比較とを行うパターン検査に於いて、両
検査を連続処理とする際に、設計パターン情報の準備完
了を待つ必要がなく、一旦光学パターン情報を取得した
後は、マスクを次の工程に進めることができ、検査工程
のスループットが向上する。As described above, according to the present invention, in the pattern inspection in which the optical pattern information is compared with each other and the optical pattern information and the design pattern information are compared with each other, when both the inspections are continuously processed, It is not necessary to wait for the preparation of the design pattern information, and once the optical pattern information is acquired, the mask can be advanced to the next step, and the throughput of the inspection step is improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】 第1の実施例の構成を示す図FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment.
【図2】 第2の実施例の構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a second embodiment.
【図3】 従来技術の第1段階を示す図FIG. 3 is a diagram showing a first stage of the prior art.
【図4】 従来技術の第2段階を示す図FIG. 4 shows a second stage of the prior art.
1 光照射部 2 マスク 3 レンズ系 4 光電変換部 5,5a,5b 光学パターン 6a,6b 比較部 7a,7b 欠陥検出部 8 設計データ 9 設計パターン 10 補助記憶装置 1 Light irradiation part 2 Mask 3 Lens system 4 Photoelectric conversion part 5,5a, 5b Optical pattern 6a, 6b Comparison part 7a, 7b Defect detection part 8 Design data 9 Design pattern 10 Auxiliary storage device
Claims (3)
た光学パターン情報どうしを比較すると共に、該光学パ
ターン情報を補助記憶装置に格納し、該補助記憶装置か
ら読み出した該光学パターン情報を、該マスクの設計デ
ータより得た設計パターン情報と比較する処理を包含し
て成ることを特徴とするマスクパターン検査方法。1. Optical pattern information obtained from a plurality of real patterns on the same mask are compared with each other, the optical pattern information is stored in an auxiliary storage device, and the optical pattern information read from the auxiliary storage device is stored in the auxiliary storage device. A mask pattern inspection method comprising a process of comparing with design pattern information obtained from design data of the mask.
形状を各々の光学パターン情報(5a,5b)に変換する装置
(1,3,4)と、 該光学パターン情報(5a)を記憶する補助記憶装置(10)
と、 該補助記憶装置(10)から読み出した該光学パターン情報
(5a)と、該マスクの設計データ(8)を展開して得た設計
パターン情報(9)とを比較する装置(6b)とを備えて成る
ことを特徴とするマスクパターン検査装置。2. A device for converting the shapes of a plurality of real patterns on the same mask (2) into respective optical pattern information (5a, 5b).
(1, 3, 4) and an auxiliary storage device (10) for storing the optical pattern information (5a)
And the optical pattern information read from the auxiliary storage device (10)
A mask pattern inspection apparatus comprising: (5a) and an apparatus (6b) for comparing design pattern information (9) obtained by developing the design data (8) of the mask.
に、その一方の光学パターン情報に該両光学パターン情
報の差分を補足した光学パターン情報(5c)を出力する装
置(6a)を備え、 前記補助記憶装置は該差分補足光学パターン情報を記憶
するよう構成されて成ることを特徴とするマスクパター
ン検査装置。3. In addition to the configuration of claim 2, the optical pattern information (5a, 5b) is compared with each other, and the optical pattern information (5a, 5b) is supplemented with the difference between the two optical pattern information. A mask pattern inspection apparatus comprising a device (6a) for outputting 5c), wherein the auxiliary storage device is configured to store the differential complementary optical pattern information.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14309894A JPH086232A (en) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | Method and apparatus for inspecting mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14309894A JPH086232A (en) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | Method and apparatus for inspecting mask pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH086232A true JPH086232A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15330869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14309894A Pending JPH086232A (en) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | Method and apparatus for inspecting mask pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH086232A (en) |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14309894A patent/JPH086232A/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021112 |