JPH0856367A - Acc検波回路 - Google Patents
Acc検波回路Info
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- JPH0856367A JPH0856367A JP18966194A JP18966194A JPH0856367A JP H0856367 A JPH0856367 A JP H0856367A JP 18966194 A JP18966194 A JP 18966194A JP 18966194 A JP18966194 A JP 18966194A JP H0856367 A JPH0856367 A JP H0856367A
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- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体トランジスタに前記寄生素子が発生し
ても、正確なオート・クロマ・コントロール検波が行え
る回路を提供することを目的とする。 【構成】 ACC検波回路における検波期間以外は、ト
ランジスタQ2及びQ5により電流変換された第1及び
第2の検波信号(基準副搬送波)は、トランジスタQ
1,Q4,Q7,Q9により構成される、スイッチ回路
1により遮断される。また同時に、エミッタ−サブスト
レート間の寄生容量に起因するエミッタ・ピーキングの
影響による第1及び第2の検波信号(基準副搬送波)
の、トランジスタQ2及びQ5のコレクタからの漏洩
も、前記スイッチ回路1により遮断される。
ても、正確なオート・クロマ・コントロール検波が行え
る回路を提供することを目的とする。 【構成】 ACC検波回路における検波期間以外は、ト
ランジスタQ2及びQ5により電流変換された第1及び
第2の検波信号(基準副搬送波)は、トランジスタQ
1,Q4,Q7,Q9により構成される、スイッチ回路
1により遮断される。また同時に、エミッタ−サブスト
レート間の寄生容量に起因するエミッタ・ピーキングの
影響による第1及び第2の検波信号(基準副搬送波)
の、トランジスタQ2及びQ5のコレクタからの漏洩
も、前記スイッチ回路1により遮断される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カラーテレビジョン受
像機等のクロマ信号の振幅を一定に保つ、ACC(Auto
matic Color Control)検波回路に関する。
像機等のクロマ信号の振幅を一定に保つ、ACC(Auto
matic Color Control)検波回路に関する。
【0002】
【従来の技術】カラーテレビジョン受像機において、受
信チャンネルを切り換えたり、受信電波の変動やアンテ
ナ系の不整合が発生することによって、輝度信号に比べ
搬送色信号のレベルが変化し、画面の色の濃さが変わ
る。このような現象の発生を抑制するため、従来より、
帯域増幅回路中に、第1帯域増幅回路の利得、即ち増幅
率を自動的に調整する回路が設けられており、これによ
り色復調回路に加える搬送色信号のレベルが一定に保た
れるようになっている。この回路が、ACC(以降オー
ト・クロマ・コントロールともいう)検波回路である。
信チャンネルを切り換えたり、受信電波の変動やアンテ
ナ系の不整合が発生することによって、輝度信号に比べ
搬送色信号のレベルが変化し、画面の色の濃さが変わ
る。このような現象の発生を抑制するため、従来より、
帯域増幅回路中に、第1帯域増幅回路の利得、即ち増幅
率を自動的に調整する回路が設けられており、これによ
り色復調回路に加える搬送色信号のレベルが一定に保た
れるようになっている。この回路が、ACC(以降オー
ト・クロマ・コントロールともいう)検波回路である。
【0003】図3は、帯域増幅回路の構成を示すブロッ
ク図である。図3において、入力端1は、図示せぬ第1
映像増幅回路と接続されており、入力端1は、第1帯域
増幅回路2に接続されている。第1帯域増幅回路2は、
色の濃さ調節回路3、バースト信号増幅回路7、及びA
CC検波回路5に接続されている。バースト信号増幅回
路7は、ACC検波回路5、カラーキラー回路6及び
3.58MHz信号発生回路8と接続されている。色の濃
さ調節回路3は、第2帯域増幅回路4と接続されてお
り、カラーキラー回路6は、バースト信号増幅回路7、
3.58MHz 信号発生回路8及び第2帯域増幅回路4と
接続されている。また、3.58MHz 信号発生回路8
は、ACC検波回路5、カラーキラー回路6及びバース
ト信号増幅回路7と接続されており、それぞれに基準副
搬送波(3.58MHz)を送出すると同時に、次段の、図
示せぬ色復調回路へも基準副搬送波(3.58MHz)を送
出している。さらに、第2帯域増幅回路4は、搬送色信
号を次段の図示せぬ色復調回路へ送出している。
ク図である。図3において、入力端1は、図示せぬ第1
映像増幅回路と接続されており、入力端1は、第1帯域
増幅回路2に接続されている。第1帯域増幅回路2は、
色の濃さ調節回路3、バースト信号増幅回路7、及びA
CC検波回路5に接続されている。バースト信号増幅回
路7は、ACC検波回路5、カラーキラー回路6及び
3.58MHz信号発生回路8と接続されている。色の濃
さ調節回路3は、第2帯域増幅回路4と接続されてお
り、カラーキラー回路6は、バースト信号増幅回路7、
3.58MHz 信号発生回路8及び第2帯域増幅回路4と
接続されている。また、3.58MHz 信号発生回路8
は、ACC検波回路5、カラーキラー回路6及びバース
ト信号増幅回路7と接続されており、それぞれに基準副
搬送波(3.58MHz)を送出すると同時に、次段の、図
示せぬ色復調回路へも基準副搬送波(3.58MHz)を送
出している。さらに、第2帯域増幅回路4は、搬送色信
号を次段の図示せぬ色復調回路へ送出している。
【0004】そして、前記帯域増幅回路9中のACC検
波回路5は、放送局から送信されるバースト信号の振幅
が常に一定であることを利用して、バースト信号増幅回
路7よりのカラー・バースト信号の振幅を検出すること
で、前記した理由(受信チャンネルを切り換えたり、受
信電波の変動やアンテナ系の不整合が発生する等)によ
る、本来起こって欲しくない搬送色信号の振幅の変動を
検知し、第1帯域増幅回路2の利得を変化させること
で、テレビジョン受像機の画面の色の濃さが、常に一定
となるよう制御を行っている。
波回路5は、放送局から送信されるバースト信号の振幅
が常に一定であることを利用して、バースト信号増幅回
路7よりのカラー・バースト信号の振幅を検出すること
で、前記した理由(受信チャンネルを切り換えたり、受
信電波の変動やアンテナ系の不整合が発生する等)によ
る、本来起こって欲しくない搬送色信号の振幅の変動を
検知し、第1帯域増幅回路2の利得を変化させること
で、テレビジョン受像機の画面の色の濃さが、常に一定
となるよう制御を行っている。
【0005】図4は、ACC検波回路の基本回路例とそ
の動作を示す図である。ACC検波回路はACC検波に
よってカラー・バースト信号の振幅を検出し、これを基
にして作った直流電圧によって第1帯域増幅回路2の利
得を制限する。即ち、図4(a)に示すように、入力端
子11より、トランジスタQ1のベースには基準副搬送
波1が、また入力端子12より、トランジスタQ2のベ
ースには基準副搬送波2が、さらに入力端子13より、
トランジスタQ3のベースにはカラー・バースト信号
が、それぞれ加わる。
の動作を示す図である。ACC検波回路はACC検波に
よってカラー・バースト信号の振幅を検出し、これを基
にして作った直流電圧によって第1帯域増幅回路2の利
得を制限する。即ち、図4(a)に示すように、入力端
子11より、トランジスタQ1のベースには基準副搬送
波1が、また入力端子12より、トランジスタQ2のベ
ースには基準副搬送波2が、さらに入力端子13より、
トランジスタQ3のベースにはカラー・バースト信号
が、それぞれ加わる。
【0006】一方、図4(b)に示すように、(1)基
準副搬送波は常に一定の振幅で入力されている。(2)
カラー・バースト信号の振幅が変わると、(3)トラン
ジスタQ2のコレコタ電流は、それによって変化し、ト
ランジスタQ2のコレコタからは、カラー・バースト信
号の振幅の大きさに応じた信号が取り出される。これを
コンデンサーCによって積分することで、カラー・バー
スト信号の振幅応じた直流電圧の信号を取り出すことが
できる。この信号をACC検波電圧という。
準副搬送波は常に一定の振幅で入力されている。(2)
カラー・バースト信号の振幅が変わると、(3)トラン
ジスタQ2のコレコタ電流は、それによって変化し、ト
ランジスタQ2のコレコタからは、カラー・バースト信
号の振幅の大きさに応じた信号が取り出される。これを
コンデンサーCによって積分することで、カラー・バー
スト信号の振幅応じた直流電圧の信号を取り出すことが
できる。この信号をACC検波電圧という。
【0007】以上がACC検波回路の基本動作である
が、このようにして作られた信号、即ちACC検波電圧
を、第1帯域増幅回路2に出力することで、第1帯域増
幅回路2の利得を制限(制御)し、前記した、本来起こ
って欲しくない搬送色信号の振幅の変動を除去すること
が可能となり、テレビジョン受像機の、画面の色の濃さ
が、常に一定に保たれるようになっている。
が、このようにして作られた信号、即ちACC検波電圧
を、第1帯域増幅回路2に出力することで、第1帯域増
幅回路2の利得を制限(制御)し、前記した、本来起こ
って欲しくない搬送色信号の振幅の変動を除去すること
が可能となり、テレビジョン受像機の、画面の色の濃さ
が、常に一定に保たれるようになっている。
【0008】ところで、前述のACC検波回路を容量内
蔵を行いIC化する場合において、図5に示す回路が従
来から存在している。
蔵を行いIC化する場合において、図5に示す回路が従
来から存在している。
【0009】図5で、トランジスタQ1及びQ4で構成
されたスイッチ回路のトランジスタQ4のベースには、
電圧源V1のプラス側が接続されており、トランジスタ
Q1のベースには、入力端子23からのスイッチ制御信
号即ち、直流電圧のレベルが前記電圧源V1の電圧と等
しい前記カラー・バースト信号が入力されており、同ト
ランジスタQ1のコレクタは、電源Vcc26に接続さ
れている。また、トランジスタQ1及びQ4のエミッタ
の接続点には電流源I1が接続されている。トランジス
タQ4のコレクタは、トランジスタQ2,Q5及びQ7
のエミッタに接続されており、トランジスタQ2及びQ
5のベースには、それぞれ入力端子21及び22からの
検波信号1及び2、即ち前記基準副搬送波1及び2が入
力されている。トランジスタQ7のベースには、電圧源
V2が接続されている。
されたスイッチ回路のトランジスタQ4のベースには、
電圧源V1のプラス側が接続されており、トランジスタ
Q1のベースには、入力端子23からのスイッチ制御信
号即ち、直流電圧のレベルが前記電圧源V1の電圧と等
しい前記カラー・バースト信号が入力されており、同ト
ランジスタQ1のコレクタは、電源Vcc26に接続さ
れている。また、トランジスタQ1及びQ4のエミッタ
の接続点には電流源I1が接続されている。トランジス
タQ4のコレクタは、トランジスタQ2,Q5及びQ7
のエミッタに接続されており、トランジスタQ2及びQ
5のベースには、それぞれ入力端子21及び22からの
検波信号1及び2、即ち前記基準副搬送波1及び2が入
力されている。トランジスタQ7のベースには、電圧源
V2が接続されている。
【0010】ここで、図6は、カレントミラー効果を用
いた基本回路図である。図6に示す回路は、本来、基準
電流Iref と等しい電流IC2を独立した電位にある負荷
抵抗Rに流すための回路である。同図からわかるよう
に、トランジスタQ1はコレクタとベースを結合したい
わゆるダイオード結合であるが、単なるダイオードでは
ない。
いた基本回路図である。図6に示す回路は、本来、基準
電流Iref と等しい電流IC2を独立した電位にある負荷
抵抗Rに流すための回路である。同図からわかるよう
に、トランジスタQ1はコレクタとベースを結合したい
わゆるダイオード結合であるが、単なるダイオードでは
ない。
【0011】一般に、シリコントランジスタでは、コレ
クタ・エミッタ間の飽和電圧CCESは、ベース・エミッ
タ間の電圧VBEより低い。従って、Q1は飽和状態でな
く、IC1=hFE・Ib1なる基本的な関係が、ダイオード
接続のような極端な場合でも成り立つ。hFEの大きなト
ランジスタでは、Ib1<<IC1の関係が、顕著であるか
ら、ベース電流を無視すれば、Iref =IC1と考えられ
る。また、Q1には、IC1というコレクタ電流を流すた
めのバイアス電圧VBEがベース・エミッタ間に加わって
いるが、同時に同一の電圧VBEがQ2のベース・エミッ
タ間にも与えられているので、Q1とQ2の特性がそろ
っていれば、IC1=IC2即ち、Iref =IC2という目的
とする関係が生じることとなる。
クタ・エミッタ間の飽和電圧CCESは、ベース・エミッ
タ間の電圧VBEより低い。従って、Q1は飽和状態でな
く、IC1=hFE・Ib1なる基本的な関係が、ダイオード
接続のような極端な場合でも成り立つ。hFEの大きなト
ランジスタでは、Ib1<<IC1の関係が、顕著であるか
ら、ベース電流を無視すれば、Iref =IC1と考えられ
る。また、Q1には、IC1というコレクタ電流を流すた
めのバイアス電圧VBEがベース・エミッタ間に加わって
いるが、同時に同一の電圧VBEがQ2のベース・エミッ
タ間にも与えられているので、Q1とQ2の特性がそろ
っていれば、IC1=IC2即ち、Iref =IC2という目的
とする関係が生じることとなる。
【0012】一方、図5で、トランジスタQ2及びQ5
のコレクタの接続点には、前述したカレントミラー回路
1を構成しているトランジスタQ3のコレクタ・ベース
及びトランジスタQ10のベースが接続されており、こ
のカレントミラー回路1の出力に容量C1が接続されて
いる。また、トランジスタQ7のコレクタは、カレント
ミラー回路2を構成しているトランジスタQ6のコレク
タ・ベース及びトランジスタQ8のベースが接続されて
いる。このカレントミラー回路1及びカレントミラー回
路2に流れる電流によって上記容量C1を充放電し、こ
の電圧を基準としてACC検波回路の利得制御が行われ
る。
のコレクタの接続点には、前述したカレントミラー回路
1を構成しているトランジスタQ3のコレクタ・ベース
及びトランジスタQ10のベースが接続されており、こ
のカレントミラー回路1の出力に容量C1が接続されて
いる。また、トランジスタQ7のコレクタは、カレント
ミラー回路2を構成しているトランジスタQ6のコレク
タ・ベース及びトランジスタQ8のベースが接続されて
いる。このカレントミラー回路1及びカレントミラー回
路2に流れる電流によって上記容量C1を充放電し、こ
の電圧を基準としてACC検波回路の利得制御が行われ
る。
【0013】検波期間、即ちカラー・バースト信号を受
信している期間は、トランジスタQ1及びQ4で構成さ
れるスイッチ回路により、スイッチ回路の上部に接続さ
れたトランジスタQ2,Q5及びQ7を動作させ、トラ
ンジスタQ2及びQ5のベースに入力された検波信号1
及び検波信号2(前記基準副搬送波1及び2)を電流変
換し、カレントミラー回路1に電流を伝えている。この
ときトランジスタQ7のベースに入力される電圧によっ
て検波信号(基準副搬送波)を電流変換する割合を決め
ている。
信している期間は、トランジスタQ1及びQ4で構成さ
れるスイッチ回路により、スイッチ回路の上部に接続さ
れたトランジスタQ2,Q5及びQ7を動作させ、トラ
ンジスタQ2及びQ5のベースに入力された検波信号1
及び検波信号2(前記基準副搬送波1及び2)を電流変
換し、カレントミラー回路1に電流を伝えている。この
ときトランジスタQ7のベースに入力される電圧によっ
て検波信号(基準副搬送波)を電流変換する割合を決め
ている。
【0014】ところで、図7は最も一般的なトランジス
タの製造工程を示す図である。図7では製造工程をトラ
ンジスタ1個分の断面で表わしているが、実際には直径
3〜4インチのウェハー上に1個のトランジスタを含む
0.4〜2mmのペレットを数万〜数十万個同時に形成し
ている。同図を用いて、npnトランジスタの製造方法
について説明する。
タの製造工程を示す図である。図7では製造工程をトラ
ンジスタ1個分の断面で表わしているが、実際には直径
3〜4インチのウェハー上に1個のトランジスタを含む
0.4〜2mmのペレットを数万〜数十万個同時に形成し
ている。同図を用いて、npnトランジスタの製造方法
について説明する。
【0015】先ず、(1)n形のSiウェハー表面に、
(2)酸化雰囲気中での高温処理により酸化膜を成長さ
せる。次いで、(3)フォトエッチングによりベース部
分の酸化膜に窓あけし、p形不純物としてほう素(B)
を熱拡散し、ベース層を形成する。さらに、(4)エミ
ッタ部分の酸化膜に窓あけし、n形不純物としてりん
(P)を熱拡散し、エミッタ層を形成する。次に、
(5)再び酸化膜にコンタクト用の窓あけを行い、
(6)オーミックコンタクト用金属を全面に蒸着する。
最も一般的に用いられている金属はアルミニウム(A
l)である。(7)全面蒸着されたAlをフォトエッチ
ングにより電極パターンに整形する。
(2)酸化雰囲気中での高温処理により酸化膜を成長さ
せる。次いで、(3)フォトエッチングによりベース部
分の酸化膜に窓あけし、p形不純物としてほう素(B)
を熱拡散し、ベース層を形成する。さらに、(4)エミ
ッタ部分の酸化膜に窓あけし、n形不純物としてりん
(P)を熱拡散し、エミッタ層を形成する。次に、
(5)再び酸化膜にコンタクト用の窓あけを行い、
(6)オーミックコンタクト用金属を全面に蒸着する。
最も一般的に用いられている金属はアルミニウム(A
l)である。(7)全面蒸着されたAlをフォトエッチ
ングにより電極パターンに整形する。
【0016】以上のようにしてできた、サブストレート
npn形トランジスタの断面図を図8に示す。図8で、
基板となるn形シリコンを、サブストレートという。サ
ブストレート56をコレクタ53に、ベース拡散55を
ベース52に、エミッタ拡散54をエミッタ51に使用
すればnpn形トランジスタとなる。
npn形トランジスタの断面図を図8に示す。図8で、
基板となるn形シリコンを、サブストレートという。サ
ブストレート56をコレクタ53に、ベース拡散55を
ベース52に、エミッタ拡散54をエミッタ51に使用
すればnpn形トランジスタとなる。
【0017】図9は、トランジスタの構造に付随的に発
生する寄生素子を表わす等価回路を示している。上述の
ようにつくられたトランジスタには、構造的に、寄生抵
抗、空乏層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダク
タンス等の寄生素子が存在している。
生する寄生素子を表わす等価回路を示している。上述の
ようにつくられたトランジスタには、構造的に、寄生抵
抗、空乏層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダク
タンス等の寄生素子が存在している。
【0018】図9(a)は、トランジスタ構造とその等
価回路モデルを表わす図である。
価回路モデルを表わす図である。
【0019】図9で、rcはコレクタ広がり抵抗、r
b′はベース抵抗、rbはエミッタ直下の抵抗成分、r
sは外部ベースの抵抗成分、rconはベースコンタク
トの抵抗成分、Ccはコレクタ容量、Ciはエミッタ直
下のコレクタ容量成分、Csはエミッタ外部のコレクタ
容量成分をそれぞれ示しており、それぞれ、以下の関係
式を満たしている。
b′はベース抵抗、rbはエミッタ直下の抵抗成分、r
sは外部ベースの抵抗成分、rconはベースコンタク
トの抵抗成分、Ccはコレクタ容量、Ciはエミッタ直
下のコレクタ容量成分、Csはエミッタ外部のコレクタ
容量成分をそれぞれ示しており、それぞれ、以下の関係
式を満たしている。
【0020】 rb′=rb+rs+rcom ……… 式1 Cc =Ci+Cs ……… 式2 ところで、トランジスタの動作はエミッタから注入され
た少数キャリアがコレクタに到達するまでの過程に基づ
く、いわゆるトランジスタ作用と、このトランジスタ作
用を行わせるために付随して発生する寄用的作用に分離
して考えると理解しやすくなる。前者を真性部分(intr
insic)、後者を寄生部分(extrinsic)と呼び、この両者
を正しく組み合わせることによって特性表示を等価回路
で表現することができる。
た少数キャリアがコレクタに到達するまでの過程に基づ
く、いわゆるトランジスタ作用と、このトランジスタ作
用を行わせるために付随して発生する寄用的作用に分離
して考えると理解しやすくなる。前者を真性部分(intr
insic)、後者を寄生部分(extrinsic)と呼び、この両者
を正しく組み合わせることによって特性表示を等価回路
で表現することができる。
【0021】図9(b)は、トランジスタの真性部分
(点線内)と寄生部分とを分けて表現したトランジスタ
等価回路を表わす図である。図中、Cccs,Ccb
s,Ccbsは各端子間の浮遊容量であり、Le,L
b,Lcは、各端子間のリードインダクタンス成分であ
る。
(点線内)と寄生部分とを分けて表現したトランジスタ
等価回路を表わす図である。図中、Cccs,Ccb
s,Ccbsは各端子間の浮遊容量であり、Le,L
b,Lcは、各端子間のリードインダクタンス成分であ
る。
【0022】寄生素子は、トランジスタの特性を劣化さ
せる要因であり、これらを必要最小限にするように設計
することによって、低雑音特性、高周波特性あるいはス
イッチング特性等の性能向上が達成される。
せる要因であり、これらを必要最小限にするように設計
することによって、低雑音特性、高周波特性あるいはス
イッチング特性等の性能向上が達成される。
【0023】一方、図5において、検波期間以外、即ち
カラー・バースト信号を受信していない期間は、トラン
ジスタQ1及びQ4で構成されるスイッチ回路により、
スイッチ回路の上部に接続されたトランジスタQ2,Q
5及びQ7は、非動作状態となり、トランジスタQ2及
びQ5のベースに入力された検波信号1及び検波信号2
即ち、基準副搬送波1及び基準副搬送波2は、電流変換
されず、カレントミラー回路1に電流変化を発生させな
いことが理想であるが、前述した通り、トランジスタの
製造に付随的に発生する寄生素子、即ち寄生抵抗、空乏
層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等
により、カレントミラー回路1に電流変化が発生してい
る。
カラー・バースト信号を受信していない期間は、トラン
ジスタQ1及びQ4で構成されるスイッチ回路により、
スイッチ回路の上部に接続されたトランジスタQ2,Q
5及びQ7は、非動作状態となり、トランジスタQ2及
びQ5のベースに入力された検波信号1及び検波信号2
即ち、基準副搬送波1及び基準副搬送波2は、電流変換
されず、カレントミラー回路1に電流変化を発生させな
いことが理想であるが、前述した通り、トランジスタの
製造に付随的に発生する寄生素子、即ち寄生抵抗、空乏
層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等
により、カレントミラー回路1に電流変化が発生してい
る。
【0024】図5に示す回路において、上記寄生素子に
よる不具合が発生する原因の1つとして、エミッタ−サ
ブストレート間の寄生容量によるものが挙げられる。即
ち、トランジスタQ2及びQ5にエミッタピーキングが
発生し、トランジスタQ2及びQ5のエミッタと、コレ
クタ(サブストレート56)とが、前記寄生容量によ
り、高周波レベルで導通状態となり、トランジスタQ2
及びQ5のベースからエミッタへ流れ込んできた検波信
号即ち、基準副搬送波により、トランジスタQ2及びQ
5のコレクタ(サブストレート56)へ、検波信号即
ち、基準副搬送波が流れ込んでしまった(高周波漏洩)
場合である。尚、図9(a)及び(b)に示す寄生素子
によれば、トランジスタQ2及びQ5のベースからコレ
クタ(サブストレート56)へ、エミッタを経由しない
でコレクタ(サブストレート56)へ、検波信号即ち、
基準副搬送波が流れ込んでしまう場合も想定できる。
よる不具合が発生する原因の1つとして、エミッタ−サ
ブストレート間の寄生容量によるものが挙げられる。即
ち、トランジスタQ2及びQ5にエミッタピーキングが
発生し、トランジスタQ2及びQ5のエミッタと、コレ
クタ(サブストレート56)とが、前記寄生容量によ
り、高周波レベルで導通状態となり、トランジスタQ2
及びQ5のベースからエミッタへ流れ込んできた検波信
号即ち、基準副搬送波により、トランジスタQ2及びQ
5のコレクタ(サブストレート56)へ、検波信号即
ち、基準副搬送波が流れ込んでしまった(高周波漏洩)
場合である。尚、図9(a)及び(b)に示す寄生素子
によれば、トランジスタQ2及びQ5のベースからコレ
クタ(サブストレート56)へ、エミッタを経由しない
でコレクタ(サブストレート56)へ、検波信号即ち、
基準副搬送波が流れ込んでしまう場合も想定できる。
【0025】ところで、トランジスタQ2及びQ5のコ
レクタ(サブストレート56)に漏れ出た電流は、カレ
ントミラー回路1を通し容量C1に電圧変化を生じさせ
る。この電圧変化によってオート・クロマ・コントロー
ル検波に、不具合が発生することとなる。
レクタ(サブストレート56)に漏れ出た電流は、カレ
ントミラー回路1を通し容量C1に電圧変化を生じさせ
る。この電圧変化によってオート・クロマ・コントロー
ル検波に、不具合が発生することとなる。
【0026】即ち、上記の回路には、上述した通り、エ
ミッタ−サブストレート間の寄生容量の影響により検波
期間以外、即ちカラー・バースト信号を受信している期
間以外にも検波信号の漏洩が発生し、カレントミラー回
路を通して容量C1に影響が及び、その結果、正確なA
CC検波が行えないという問題があった。
ミッタ−サブストレート間の寄生容量の影響により検波
期間以外、即ちカラー・バースト信号を受信している期
間以外にも検波信号の漏洩が発生し、カレントミラー回
路を通して容量C1に影響が及び、その結果、正確なA
CC検波が行えないという問題があった。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、トランジ
スタの構造により付随的に発生する寄生素子、即ち寄生
抵抗、空乏層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダ
クタンス等により、従来回路では正確なACC検波が行
えないという問題があった。
スタの構造により付随的に発生する寄生素子、即ち寄生
抵抗、空乏層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダ
クタンス等により、従来回路では正確なACC検波が行
えないという問題があった。
【0028】そこで、本発明はこのような問題に鑑み、
半導体トランジスタに前記寄生素子が発生しても、正確
なオート・クロマ・コントロール検波が行える回路を提
供することを目的とするものである。
半導体トランジスタに前記寄生素子が発生しても、正確
なオート・クロマ・コントロール検波が行える回路を提
供することを目的とするものである。
【0029】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明によ
るACC検波回路は、エミッタ同士及びコレクタ同士が
共通に接続された、第1及び第2のトランジスタ、およ
び前記共通エミッタに結合した電流源とを有し、前記第
1及び第2のトランジスタのベースに基準信号が供給さ
れる信号入力手段と、エミッタ同士が共通に前記第1及
び第2のトランジスタのコレクタに接続された、第3及
び第4のトランジスタを有し、前記第3のトランジスタ
のベースにスイッチ制御信号を供給し、前記第4のトラ
ンジスタのベースに基準電圧を供給してなるスイッチ手
段と、前記第3及び第4のトランジスタのいずれか一方
のコレクタに結合し、前記基準信号と前記スイッチ制御
信号に応答して変化する電流を生成する電流回路と、前
記電流回路にて生成した電流に応じた電荷が蓄積される
容量と、前記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを
具備したことを特徴とする。
るACC検波回路は、エミッタ同士及びコレクタ同士が
共通に接続された、第1及び第2のトランジスタ、およ
び前記共通エミッタに結合した電流源とを有し、前記第
1及び第2のトランジスタのベースに基準信号が供給さ
れる信号入力手段と、エミッタ同士が共通に前記第1及
び第2のトランジスタのコレクタに接続された、第3及
び第4のトランジスタを有し、前記第3のトランジスタ
のベースにスイッチ制御信号を供給し、前記第4のトラ
ンジスタのベースに基準電圧を供給してなるスイッチ手
段と、前記第3及び第4のトランジスタのいずれか一方
のコレクタに結合し、前記基準信号と前記スイッチ制御
信号に応答して変化する電流を生成する電流回路と、前
記電流回路にて生成した電流に応じた電荷が蓄積される
容量と、前記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを
具備したことを特徴とする。
【0030】請求項2記載の発明によるACC検波回路
は、請求項1記載のACC検波回路において、前記基準
信号は基準副搬送波であり、前記スイッチ制御信号はカ
ラー・バースト信号であることを特徴とする。
は、請求項1記載のACC検波回路において、前記基準
信号は基準副搬送波であり、前記スイッチ制御信号はカ
ラー・バースト信号であることを特徴とする。
【0031】請求項3記載の発明によるACC検波回路
は、エミッタ同士が共通に接続された第1及び第2及び
第3のトランジスタ、およびこれらトランジスタの共通
エミッタに結合した電流源とを有し、前記第1及び第2
のトランジスタのコレクタ同士が共通に接続され、前記
第1及び第2のトランジスタのベースに基準信号が供給
され、前記第3のトランジスタのベースが基準電位点に
結合されてなる信号入力手段と、エミッタ同士が共通に
前記第1及び第2のトランジスタの共通コレクタに結合
した第4及び第5のトランジスタを含む第1の差動回
路、およびエミッタ同士が共通に前記第3のトランジス
タのコレクタに結合した第6及び第7のトランジスタを
含む第2の差動回路とを有し、前記第4及び第7のトラ
ンジスタのベースにスイッチ制御信号が供給され、前記
第5及び第6のトランジスタのベースが基準電位点にさ
れてなるスイッチ手段と、入力端が前記第1の差動回路
の出力端に結合された第1のカレントミラー回路と、入
力端が前記第2の差動回路の出力端に結合された第2の
カレントミラー回路と、前記第1のカレントミラー回路
の出力端電流と、前記第2のカレントミラー回路の出力
端電流との差電流に応じた電荷が蓄積される容量と、前
記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを具備したこ
とを特徴とする。
は、エミッタ同士が共通に接続された第1及び第2及び
第3のトランジスタ、およびこれらトランジスタの共通
エミッタに結合した電流源とを有し、前記第1及び第2
のトランジスタのコレクタ同士が共通に接続され、前記
第1及び第2のトランジスタのベースに基準信号が供給
され、前記第3のトランジスタのベースが基準電位点に
結合されてなる信号入力手段と、エミッタ同士が共通に
前記第1及び第2のトランジスタの共通コレクタに結合
した第4及び第5のトランジスタを含む第1の差動回
路、およびエミッタ同士が共通に前記第3のトランジス
タのコレクタに結合した第6及び第7のトランジスタを
含む第2の差動回路とを有し、前記第4及び第7のトラ
ンジスタのベースにスイッチ制御信号が供給され、前記
第5及び第6のトランジスタのベースが基準電位点にさ
れてなるスイッチ手段と、入力端が前記第1の差動回路
の出力端に結合された第1のカレントミラー回路と、入
力端が前記第2の差動回路の出力端に結合された第2の
カレントミラー回路と、前記第1のカレントミラー回路
の出力端電流と、前記第2のカレントミラー回路の出力
端電流との差電流に応じた電荷が蓄積される容量と、前
記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを具備したこ
とを特徴とする。
【0032】請求項4記載の発明によるACC検波回路
は、請求項3記載のACC検波回路において、前記基準
信号は基準副搬送波であり、前記スイッチ制御信号はカ
ラー・バースト信号であることを特徴とする。
は、請求項3記載のACC検波回路において、前記基準
信号は基準副搬送波であり、前記スイッチ制御信号はカ
ラー・バースト信号であることを特徴とする。
【0033】請求項5記載の発明によるACC検波回路
は、請求項3記載のACC検波回路において、前記容量
に電荷を蓄積する手段は、入力端が前記第2のカレント
ミラー回路の出力端に結合され、出力端が前記第1のカ
レントミラー回路の出力端に結合された第3のカレント
ミラー回路とを具備し、前記第1のカレントミラー回路
の出力端と前記第3のカレントミラー回路の出力端に前
記容量の一端を結合してなることを特徴とする。
は、請求項3記載のACC検波回路において、前記容量
に電荷を蓄積する手段は、入力端が前記第2のカレント
ミラー回路の出力端に結合され、出力端が前記第1のカ
レントミラー回路の出力端に結合された第3のカレント
ミラー回路とを具備し、前記第1のカレントミラー回路
の出力端と前記第3のカレントミラー回路の出力端に前
記容量の一端を結合してなることを特徴とする。
【0034】
【作用】本発明によれば、半導体トランジスタの構造に
より付随的に発生する寄生素子即ち、寄生抵抗、空乏層
容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等の
中で、特に寄生容量による、第1及び第2の検波信号即
ち、第1及び第2の基準副搬送波(3.58MHz)の漏洩
を遮断するスイッチ回路を設けたので、前記検波信号の
漏洩により、不正確なオート・クロマ・コントロール検
波の発生を防止できる効果がある。
より付随的に発生する寄生素子即ち、寄生抵抗、空乏層
容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等の
中で、特に寄生容量による、第1及び第2の検波信号即
ち、第1及び第2の基準副搬送波(3.58MHz)の漏洩
を遮断するスイッチ回路を設けたので、前記検波信号の
漏洩により、不正確なオート・クロマ・コントロール検
波の発生を防止できる効果がある。
【0035】
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。図
1は本発明であるACC検波回路の一実施例を示す回路
図である。
1は本発明であるACC検波回路の一実施例を示す回路
図である。
【0036】図2は、複合カラー映像信号61を信号成
分により分解した図であり、複合カラー映像信号61を
分解して得られる、同期信号62、映像(輝度)信号6
3、カラー・バースト信号64、クロミナンス信号65
を表わしている。
分により分解した図であり、複合カラー映像信号61を
分解して得られる、同期信号62、映像(輝度)信号6
3、カラー・バースト信号64、クロミナンス信号65
を表わしている。
【0037】図1において、トランジスタQ2とQ5の
コレクタ及びエミッタが互いに接続され、同トランジス
タQ2とQ5のエミッタの接続点が電流源I1及びトラ
ンジスタQ8のエミッタに接続されている。トランジス
タQ2及びQ5のベースにはそれぞれ入力端子41から
の検波信号1即ち、3.58MHz 信号発生回路8からの
基準副搬送波1が、入力端子42からの検波信号2即
ち、3.58MHz 信号発生回路8からの基準副搬送波2
が入力されている。トランジスタQ8のベースには、電
圧源V2が接続されている。トランジスタQ2及びQ5
のコレクタの接続点は、スイッチ回路1を構成している
トランジスタQ1及びQ4のエミッタの接続点に接続さ
れている。トランジスタQ8のコレクタは、スイッチ回
路2を構成しているトランジスタQ7及びQ9のエミッ
タの接続点に接続されている。 トランジスタQ1及び
Q4で構成されるスイッチ回路1の、トランジスタQ1
のコレクタは、Vcc46(電源)に接続され、同スイ
ッチ回路1のトランジスタQ4のコレクタには、カレン
トミラー回路1を構成しているトランジスタQ3のコレ
クタ・ベース及びトランジスタQ12のベースが接続さ
れており、同カレントミラー回路1の出力には容量C1
が接続されている。
コレクタ及びエミッタが互いに接続され、同トランジス
タQ2とQ5のエミッタの接続点が電流源I1及びトラ
ンジスタQ8のエミッタに接続されている。トランジス
タQ2及びQ5のベースにはそれぞれ入力端子41から
の検波信号1即ち、3.58MHz 信号発生回路8からの
基準副搬送波1が、入力端子42からの検波信号2即
ち、3.58MHz 信号発生回路8からの基準副搬送波2
が入力されている。トランジスタQ8のベースには、電
圧源V2が接続されている。トランジスタQ2及びQ5
のコレクタの接続点は、スイッチ回路1を構成している
トランジスタQ1及びQ4のエミッタの接続点に接続さ
れている。トランジスタQ8のコレクタは、スイッチ回
路2を構成しているトランジスタQ7及びQ9のエミッ
タの接続点に接続されている。 トランジスタQ1及び
Q4で構成されるスイッチ回路1の、トランジスタQ1
のコレクタは、Vcc46(電源)に接続され、同スイ
ッチ回路1のトランジスタQ4のコレクタには、カレン
トミラー回路1を構成しているトランジスタQ3のコレ
クタ・ベース及びトランジスタQ12のベースが接続さ
れており、同カレントミラー回路1の出力には容量C1
が接続されている。
【0038】トランジスタQ7及びQ9で構成されるス
イッチ回路2の、トランジスタQ9のコレクタは、Vc
c46(電源)に接続され、同スイッチ回路2のトラン
ジスタQ7のコレクタには、カレントミラー回路2を構
成しているトランジスタQ6のコレクタ・ベース及びト
ランジスタQ10のベースが接続されている。また、ス
イッチ回路1を構成するトランジスタQ4のベースと、
スイッチ回路2を構成するトランジスタQ7のベースが
接続されていて、その接続点に電圧源V1が接続されて
いる。
イッチ回路2の、トランジスタQ9のコレクタは、Vc
c46(電源)に接続され、同スイッチ回路2のトラン
ジスタQ7のコレクタには、カレントミラー回路2を構
成しているトランジスタQ6のコレクタ・ベース及びト
ランジスタQ10のベースが接続されている。また、ス
イッチ回路1を構成するトランジスタQ4のベースと、
スイッチ回路2を構成するトランジスタQ7のベースが
接続されていて、その接続点に電圧源V1が接続されて
いる。
【0039】一方、トランジスタQ11,Q12,Q1
3,Q14,Q15は、カレントミラー回路3を構成し
ていて、トランジスタQ11のベース及びコレクタが入
力端となり、トランジスタQ13のコレクタが出力端と
なって、前記トランジスタQ3及びQ12で構成され
る、カレントミラー回路1の出力電流と、前記トランジ
スタQ6及びQ10で構成される、カレントミラー回路
2の出力電流との差電流が、トランジスタQ13のコレ
クタに生じる。
3,Q14,Q15は、カレントミラー回路3を構成し
ていて、トランジスタQ11のベース及びコレクタが入
力端となり、トランジスタQ13のコレクタが出力端と
なって、前記トランジスタQ3及びQ12で構成され
る、カレントミラー回路1の出力電流と、前記トランジ
スタQ6及びQ10で構成される、カレントミラー回路
2の出力電流との差電流が、トランジスタQ13のコレ
クタに生じる。
【0040】これにより、前記カレントミラー回路1及
びカレントミラー回路2に流れる電流によって、上記容
量C1が充放電し、前記容量C1の両端にかかる電圧を
基準として、第1帯域増幅回路2の利得制御が行われ
る。
びカレントミラー回路2に流れる電流によって、上記容
量C1が充放電し、前記容量C1の両端にかかる電圧を
基準として、第1帯域増幅回路2の利得制御が行われ
る。
【0041】次に、動作(作用)について説明する。本
発明において、検波期間及び非検波期間の識別は、従来
例と同様、スイッチ制御信号、即ち図2に示すカラー・
バースト信号64を用いて行っている。
発明において、検波期間及び非検波期間の識別は、従来
例と同様、スイッチ制御信号、即ち図2に示すカラー・
バースト信号64を用いて行っている。
【0042】図1において、検波期間、即ち入力端子4
3からのスイッチ制御信号(カラー・バースト信号)を
受信している期間においては、入力端子41及び42に
入力された、第1及び第2の検波信号(第1及び第2の
基準副搬送波)は、トランジスタQ2及びQ5により、
電流変換され、コレクタより出力され、スイッチ回路1
によってカレントミラー回路1を介し、このカレントミ
ラー回路1の出力に接続された容量C1の充放電を行
い、前記容量C1の両端にかかる電圧を基準として、第
1帯域増幅回路2の利得制御を行う。
3からのスイッチ制御信号(カラー・バースト信号)を
受信している期間においては、入力端子41及び42に
入力された、第1及び第2の検波信号(第1及び第2の
基準副搬送波)は、トランジスタQ2及びQ5により、
電流変換され、コレクタより出力され、スイッチ回路1
によってカレントミラー回路1を介し、このカレントミ
ラー回路1の出力に接続された容量C1の充放電を行
い、前記容量C1の両端にかかる電圧を基準として、第
1帯域増幅回路2の利得制御を行う。
【0043】また、検波期間以外、即ち入力端子43か
らのスイッチ制御信号(カラー・バースト信号)を受信
していない期間においては、トランジスタQ2及びQ5
により電流変換された、第1及び第2の検波信号(第1
及び第2の基準副搬送波)は、スイッチ回路1により遮
断される。同様に、エミッタ−サブストレート間の寄生
容量に起因する、エミッタ・ピーキングの影響による検
波信号1及び2(基準副搬送波)の、トランジスタQ2
及びQ5のコレクタからの漏洩も、スイッチ回路1によ
り遮断される。
らのスイッチ制御信号(カラー・バースト信号)を受信
していない期間においては、トランジスタQ2及びQ5
により電流変換された、第1及び第2の検波信号(第1
及び第2の基準副搬送波)は、スイッチ回路1により遮
断される。同様に、エミッタ−サブストレート間の寄生
容量に起因する、エミッタ・ピーキングの影響による検
波信号1及び2(基準副搬送波)の、トランジスタQ2
及びQ5のコレクタからの漏洩も、スイッチ回路1によ
り遮断される。
【0044】したがって、前記カレントミラー回路1
に、電流変化の発生することがないので、従来例のよう
に、容量C1への、充放電は行われない。これにより、
検波期間以外、即ち入力端子43からのスイッチ制御信
号(カラー・バースト信号)を受信していない期間にお
いて、前記容量C1の両端にかかる電圧が、前記カレン
トミラー回路1の電流の変化を原因として変動すること
がなくなるので、本発明の目的とする、正確なオート・
クロマ・コントロール検波回路を、実現することができ
る。
に、電流変化の発生することがないので、従来例のよう
に、容量C1への、充放電は行われない。これにより、
検波期間以外、即ち入力端子43からのスイッチ制御信
号(カラー・バースト信号)を受信していない期間にお
いて、前記容量C1の両端にかかる電圧が、前記カレン
トミラー回路1の電流の変化を原因として変動すること
がなくなるので、本発明の目的とする、正確なオート・
クロマ・コントロール検波回路を、実現することができ
る。
【0045】尚、上記実施例では、本発明をオート・ク
ロマ・コントロール検波回路に適用した場合について説
明したが、本発明はこれに限定されず、トランジスタの
構造に付随的に発生する寄生素子、即ち寄生抵抗、空乏
層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等
が問題となる、例えば比較的高周波の信号処理を行う回
路(IC回路を含む)や装置等に応用することが可能で
ある。
ロマ・コントロール検波回路に適用した場合について説
明したが、本発明はこれに限定されず、トランジスタの
構造に付随的に発生する寄生素子、即ち寄生抵抗、空乏
層容量、端子間の浮遊容量及びリードインダクタンス等
が問題となる、例えば比較的高周波の信号処理を行う回
路(IC回路を含む)や装置等に応用することが可能で
ある。
【0046】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、エミ
ッタ−サブストレート間の寄生容量に起因した、エミッ
タ・ピーキングの影響による検波信号(基準副搬送波)
の漏洩によるACC回路への悪影響(誤動作)を防止
し、正確なACC検波を行うことができるという効果が
ある。
ッタ−サブストレート間の寄生容量に起因した、エミッ
タ・ピーキングの影響による検波信号(基準副搬送波)
の漏洩によるACC回路への悪影響(誤動作)を防止
し、正確なACC検波を行うことができるという効果が
ある。
【図1】本発明であるACC検波回路の一実施例を示す
回路図。
回路図。
【図2】複合カラー映像信号61を信号成分により分解
した図。
した図。
【図3】帯域増幅回路の構成を示すブロック図。
【図4】ACC検波回路の基本回路例とその動作を示す
図。
図。
【図5】従来のACC検波回路を示す回路図。
【図6】カレントミラー効果を用いた基本回路図。
【図7】最も一般的なトランジスタの製造工程を示す
図。
図。
【図8】サブストレートnpn形トランジスタの断面
図。
図。
【図9】トランジスタの構造に付随的に発生する寄生素
子を表わす等価回路を示す図。
子を表わす等価回路を示す図。
41 入力端子 42 入力端子 43 入力端子 44 出力端子 45 GND(接地) 46 Vcc(電源) Q1〜Q15 トランジスタ R1〜R4 抵抗 C1 容量 V1,V2 電圧源 I1 電流源
Claims (5)
- 【請求項1】エミッタ同士及びコレクタ同士が共通に接
続された、第1及び第2のトランジスタ、および前記共
通エミッタに結合した電流源とを有し、前記第1及び第
2のトランジスタのベースに基準信号が供給される信号
入力手段と、 エミッタ同士が共通に前記第1及び第2のトランジスタ
のコレクタに接続された、第3及び第4のトランジスタ
を有し、前記第3のトランジスタのベースにスイッチ制
御信号を供給し、前記第4のトランジスタのベースに基
準電圧を供給してなるスイッチ手段と、 前記第3及び第4のトランジスタのいずれか一方のコレ
クタに結合し、前記基準信号と前記スイッチ制御信号に
応答して変化する電流を生成する電流回路と、 前記電流回路にて生成した電流に応じた電荷が蓄積され
る容量と、 前記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを具備した
ことを特徴とするACC検波回路。 - 【請求項2】前記基準信号は基準副搬送波であり、前記
スイッチ制御信号はカラー・バースト信号であることを
特徴とする請求項1記載のACC検波回路。 - 【請求項3】エミッタ同士が共通に接続された第1及び
第2及び第3のトランジスタ、およびこれらトランジス
タの共通エミッタに結合した電流源とを有し、前記第1
及び第2のトランジスタのコレクタ同士が共通に接続さ
れ、前記第1及び第2のトランジスタのベースに基準信
号が供給され、前記第3のトランジスタのベースが基準
電位点に結合されてなる信号入力手段と、 エミッタ同士が共通に前記第1及び第2のトランジスタ
の共通コレクタに結合した第4及び第5のトランジスタ
を含む第1の差動回路、およびエミッタ同士が共通に前
記第3のトランジスタのコレクタに結合した第6及び第
7のトランジスタを含む第2の差動回路とを有し、前記
第4及び第7のトランジスタのベースにスイッチ制御信
号が供給され、前記第5及び第6のトランジスタのベー
スが基準電位点にされてなるスイッチ手段と、 入力端が前記第1の差動回路の出力端に結合された第1
のカレントミラー回路と、 入力端が前記第2の差動回路の出力端に結合された第2
のカレントミラー回路と、 前記第1のカレントミラー回路の出力端電流と、前記第
2のカレントミラー回路の出力端電流との差電流に応じ
た電荷が蓄積される容量と、 前記容量に蓄積された電荷を利用する手段とを具備した
ことを特徴とするACC検波回路。 - 【請求項4】前記基準信号は基準副搬送波であり、前記
スイッチ制御信号はカラー・バースト信号であることを
特徴とする請求項3記載のACC検波回路。 - 【請求項5】前記容量に電荷を蓄積する手段は、 入力端が前記第2のカレントミラー回路の出力端に結合
され、出力端が前記第1のカレントミラー回路の出力端
に結合された第3のカレントミラー回路とを具備し、 前記第1のカレントミラー回路の出力端と前記第3のカ
レントミラー回路の出力端に前記容量の一端を結合して
なることを特徴とする請求項3記載のACC検波回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18966194A JPH0856367A (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Acc検波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18966194A JPH0856367A (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Acc検波回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0856367A true JPH0856367A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16245062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18966194A Pending JPH0856367A (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Acc検波回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0856367A (ja) |
-
1994
- 1994-08-11 JP JP18966194A patent/JPH0856367A/ja active Pending
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