JPH0851354A - Pass transistor type selector circuit and logic circuit - Google Patents

Pass transistor type selector circuit and logic circuit

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JPH0851354A
JPH0851354A JP6185808A JP18580894A JPH0851354A JP H0851354 A JPH0851354 A JP H0851354A JP 6185808 A JP6185808 A JP 6185808A JP 18580894 A JP18580894 A JP 18580894A JP H0851354 A JPH0851354 A JP H0851354A
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pass transistor
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Abstract

PURPOSE:To realize a stable operation at high speed. CONSTITUTION:A circuit 4 which individually supplies the two kinds of control signals with phases opposite each other is connected to the gate electrodes of a pair of signal selecting nMOS transistors 1 and 2 with mutually connected drain electrode as an output terminal and the above circuit is provided with means 11 and 12 for generating the control signal and the means for executing an operation synchronously with a clock signal clk and stopping the supply of the control signal to the signal selecting transistors 1 and 2 during a period when the clock signal is at a low level. The supply stop of the control signal is realized, for example, by connecting discharging nMOS transistors 13 and 14 between the control signal generating means 11, 12 and a grounded terminal, and permitting the transistors to be a conductive state during the period when the clock signal is at the low level and discharging the control signal. The output terminal is connected to charging pMOS transistors 7 and 8 and the high level voltage reduced by a threshold value voltage is restored as a power source potential.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パストランジスタ型セ
レクタ回路及び当該回路を用いて構成したデジタル論理
回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pass transistor type selector circuit and a digital logic circuit constructed by using the circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】パストランジスタ型セレクタ回路は、例
えば図8に示すように、一対の信号選択用nMOSトラ
ンジスタ1及び2(パストランジスタ)のドレイン電極
Dを相互に接続して構成するものであり、各トランジス
タのソース電極Sに入力信号を供給し、ゲート電極Gに
制御信号を供給することにより、2入力の排他的論理和
回路として機能させることができる〔例えば1985年
Addison-Wesley 出版社発行“Principles of CMOS VLS
I Design”(N. Weste 及び K. Eshraghian 共著)の第1
72頁〜第175頁参照〕。
2. Description of the Related Art A pass transistor type selector circuit is constructed by connecting drain electrodes D of a pair of signal selecting nMOS transistors 1 and 2 (pass transistors) to each other, as shown in FIG. By supplying an input signal to the source electrode S of each transistor and a control signal to the gate electrode G, it is possible to function as a two-input exclusive OR circuit [eg, 1985.
Published by Addison-Wesley Publisher “Principles of CMOS VLS
First of "I Design" (co-authored by N. Weste and K. Eshraghian)
See pages 72 to 175].

【0003】パストランジスタ型セレクタ回路は、少な
い素子数で所望の論理関数を実現することが可能である
ため、特にVLSI(very large scale integration)
の場合に適しているほか、動作速度が高いnMOSトラ
ンジスタを信号選択用トランジスタとして使用すること
が可能であるため、高速の論理回路を実現することがで
きるという優れた特長があるが、その反面、一対の信号
選択用トランジスタ1及び2の導通/非導通が切り替わ
る際、両トランジスタが同時に導通して高速動作が阻害
されるという好ましくない問題がある。
Since a pass transistor type selector circuit can realize a desired logical function with a small number of elements, it is particularly useful for VLSI (very large scale integration).
In addition to being suitable for the case of, it is possible to use an nMOS transistor having a high operation speed as a signal selection transistor, and thus it has an excellent feature that a high-speed logic circuit can be realized. When the conduction / non-conduction of the pair of signal selection transistors 1 and 2 is switched, there is an unfavorable problem that both transistors are simultaneously conducted and the high speed operation is hindered.

【0004】パストランジスタ型セレクタ回路において
使用する制御信号の波形例を図9aに示す。第1制御信
号Z(トランジスタ1のゲート電極に供給する信号)
は、論理値“1”を表現する期間はハイレベルとなり、
論理値“0”を表現する期間はローレベルとなる信号で
ある。一方、第2制御信号Z* (トランジスタ2のゲー
ト電極に供給する信号)は、第1制御信号Zの位相を反
転させた否定信号であって、第1制御信号Zがハイレベ
ルの期間はローレベルとなり、同信号がローレベルの期
間はハイレベルとなる信号である。両制御信号は、その
一方の信号レベルがハイからローに遷移する場合、他方
の信号レベルがローからハイに同時に遷移するが、その
遷移の途中、信号レベルが共に一定の閾(しきい)値を
超える期間Tが存在するため、一時的ではあるが、両ト
ランジスタ1,2が同時に導通状態になる。この現象が
発生すると、ソース電極Sに供給された二つの入力信号
が両トランジスタ1,2を共に通過してドレイン電極D
側(出力端子)で衝突する結果、回路の安定化が遅れ、
高速動作阻害の原因となる。同様の現象は、インバータ
回路により、一方の制御信号の位相を反転して他方の制
御信号として使用する場合にも発生する。インバータ回
路による遅延時間のため、位相反転させた他方の制御信
号がハイレベルからローレベルに遷移するタイミングが
遅れ、その間、両トランジスタ1,2が同時に導通状態
となるからである。
An example of the waveform of the control signal used in the pass transistor type selector circuit is shown in FIG. 9a. First control signal Z (signal supplied to the gate electrode of the transistor 1)
Is high level while the logical value "1" is expressed,
The signal is at a low level during the period in which the logical value "0" is expressed. On the other hand, the second control signal Z * (signal supplied to the gate electrode of the transistor 2) is a negative signal obtained by inverting the phase of the first control signal Z, and is low when the first control signal Z is at high level. It is a signal that becomes high level while the signal becomes low and the signal is low level. When one of the control signals makes a transition from high to low, the other control signal makes a transition from low to high at the same time, but during the transition, the signal levels are both constant threshold values. Since there is a period T that exceeds, both transistors 1 and 2 are simultaneously turned on, although temporarily. When this phenomenon occurs, the two input signals supplied to the source electrode S pass through both the transistors 1 and 2 and the drain electrode D
As a result of collision on the side (output terminal), stabilization of the circuit is delayed,
It causes high speed operation obstruction. The same phenomenon occurs when the phase of one control signal is inverted by the inverter circuit and used as the other control signal. This is because the delay time due to the inverter circuit delays the timing at which the other phase-inverted control signal changes from the high level to the low level, during which both transistors 1 and 2 are simultaneously turned on.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前記問題点を解消し、高速かつ安定な動作を実現
することができるパストランジスタ型セレクタ回路を提
供すること及び当該セレクタ回路を用いた新規なディジ
タル論理回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a pass transistor type selector circuit which can solve the above-mentioned problems of the prior art and realize a high speed and stable operation, and the selector circuit. It is to provide a novel digital logic circuit used.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、ク
ロック信号に同期して動作し、同信号がローレベルであ
る期間中、信号選択用トランジスタに対する制御信号の
供給を停止するための手段を設けることによって解決す
ることができる。制御信号の供給停止は、制御信号生成
手段と接地端子との間に、例えば、放電用nMOSトラ
ンジスタを接続し、クロック信号がローレベルである期
間中、当該トランジスタを導通状態にして制御信号を放
電させることによって容易に実現することが可能であ
り、しかも、この種の断続手段を含む制御信号供給回路
は、後で実施例を参照して詳しく説明するが、例えば、
公知のドミノ型論理回路(前記文献の第168頁〜第1
69頁参照)などを用いて容易に構成することが可能で
ある。
The object of the present invention is to operate in synchronism with a clock signal and to stop the supply of a control signal to a signal selecting transistor during the period when the signal is at a low level. Can be solved by providing. To stop the supply of the control signal, for example, a discharging nMOS transistor is connected between the control signal generating means and the ground terminal, and the transistor is made conductive during the period when the clock signal is at the low level to discharge the control signal. The control signal supply circuit including the interrupting means of this kind will be described in detail later with reference to an embodiment.
Known Domino type logic circuits (pages 168 to 1 of the above document)
(See page 69) and the like.

【0007】[0007]

【作用】クロック信号がローレベルである期間中、制御
信号を放電させることにより、制御信号の波形は、図9
bに示すように変化する。両制御信号とも、信号がハイ
レベルからローレベルに遷移するときのみ、図中の矢印
で示す方向に遷移がずれて、一点鎖線の波形から実線の
波形になる。このずれは、概ねクロック信号のローレベ
ルの期間の時間程度である。信号がローレベルからハイ
レベルへ変化する遷移はずれず、元のままである。従っ
て、互いに反転している制御信号の間で存在していた時
間Tを消滅させることができ、両トランジスタが同時に
導通して入力信号が衝突する不都合を回避することがで
きる。これによって、セレクタ回路の高速動作を確保す
ることができる。
By discharging the control signal during the period when the clock signal is at the low level, the waveform of the control signal is as shown in FIG.
It changes as shown in b. Only when the control signals change from the high level to the low level, the transitions of the both control signals are shifted in the directions indicated by the arrows in the figure, and the waveforms of the alternate long and short dash line become the waveforms of the solid line. This shift is about the time of the low level period of the clock signal. The transition from the low level to the high level of the signal is not lost and remains unchanged. Therefore, it is possible to eliminate the time T existing between the control signals that are inverted with each other, and avoid the inconvenience that both transistors are simultaneously turned on and the input signals collide. This ensures high-speed operation of the selector circuit.

【0008】制御信号生成供給回路は、その出力端子に
おいて、クロック信号がローレベルの期間中、充電する
手段を有し、同端子の出力信号を反転して制御信号とす
るインバータ回路を包含することが望ましい。インバー
タ回路を構成する放電用nMOSトランジスタが、クロ
ック信号がローレベルの期間中、導通状態になり、制御
信号を放電することができるからである。
The control signal generating / supplying circuit includes an inverter circuit which has means for charging the output terminal thereof while the clock signal is at a low level and inverts the output signal of the terminal to obtain a control signal. Is desirable. This is because the discharging nMOS transistor forming the inverter circuit is in a conductive state while the clock signal is at the low level, and the control signal can be discharged.

【0009】信号選択用トランジスタの出力端子と電源
端子との間に、電圧補償用pMOSトランジスタを接続
することが望ましい。出力端子の信号のハイレベルが、
トランジスタの閾値電圧分低下する問題を回避すること
ができるからである。即ち、信号選択用トランジスタの
ゲート電極に供給する制御信号と、ソース電極に供給す
る入力信号がともにハイレベルであるとき、出力信号は
ハイレベルになるが、MOSトランジシスタには閾値電
圧があり、その電圧分出力信号のハイレベルの電位が低
下する。セレクタ回路を従属接続して用いるときに、低
下電圧分が累積して低下分が大きくなり、非導通状態で
ある次段に貫通電流が流れ、消費電力が増大する不都合
を生じる可能性がある。電圧補償用pMOSトランジス
タがクロック信号に同期して動作し、同信号がローレベ
ルの期間中、導通して出力端子の電位を電源電圧に復帰
する。
It is desirable to connect a voltage compensating pMOS transistor between the output terminal of the signal selecting transistor and the power supply terminal. The high level of the signal at the output terminal
This is because it is possible to avoid the problem that the threshold voltage of the transistor is lowered. That is, when the control signal supplied to the gate electrode of the signal selection transistor and the input signal supplied to the source electrode are both at high level, the output signal becomes high level, but the MOS transistor has a threshold voltage, The high-level potential of the output signal decreases by that amount. When the selector circuits are used in a cascade connection, the amount of voltage drop is accumulated and the amount of voltage drop is large, and a through current may flow to the next stage that is in a non-conducting state, resulting in an increase in power consumption. The voltage compensating pMOS transistor operates in synchronization with the clock signal, and is conductive during the low level period of the signal to restore the potential of the output terminal to the power supply voltage.

【0010】上記したセレクタ回路を複数個使用して、
論理演算回路網を構成することができ、同回路網に対し
て必要な入力信号を供給ための回路を各セレクタ回路の
信号選択用トランジスタのソース電極に接続することが
望ましい。所望の論理演算を行なわせることができる。
By using a plurality of the selector circuits described above,
It is desirable to connect a circuit for forming a logical operation circuit network and supplying a necessary input signal to the circuit network to the source electrode of the signal selection transistor of each selector circuit. A desired logical operation can be performed.

【0011】論理演算回路網を構成するセレクタ回路の
信号選択用トランジスタに制御信号を供給するための回
路は、上記したセレクタ回路を複数個組み合わせて構成
することができる。高機能の論理演算回路網を実現する
ことができる。
A circuit for supplying a control signal to the signal selecting transistor of the selector circuit forming the logical operation circuit network can be formed by combining a plurality of the above selector circuits. A highly functional logical operation circuit network can be realized.

【0012】なお、信号選択用トランジスタのソース電
極に接続する入力信号を供給するための回路は、後で実
施例を参照して詳しく説明するが、例えば公知のダイナ
ミック型論理回路(前記文献の第168,169頁参
照)などを用いて容易に構成することができる。同論理
回路の電源側に充電用pMOSトランジスタを接続し、
クロック信号がローレベルの期間中、同充電用pMOS
トランジスタが導通して入力信号生成手段を充電するこ
とが望ましい。入力信号はクロック信号がローレベルの
期間中、ハイレベルになり、一方、同じ期間中、当該信
号選択用トランジスタのゲート電極は、前記したよう
に、ローレベルを維持する。これによって、当該信号選
択用トランジスタの動作を安定確実なものとすることが
できるからである。なお、クロック信号がローレベルの
期間中、充電が行なわれるので、入力信号をクロック信
号によってのみローレベルからハイレベルに遷移する信
号とすることができる。これによって、信号選択用トラ
ンジスタの誤動作の原因となる、クロック信号がハイレ
ベルの期間で起こる入力信号のローレベルからハイレベ
ルへの遷移を、回避することができる。
A circuit for supplying an input signal connected to the source electrode of the signal selecting transistor will be described in detail later with reference to an embodiment. For example, a known dynamic logic circuit (see the above-mentioned document). (See page 168, 169) and the like. Connect a charging pMOS transistor to the power supply side of the logic circuit,
While the clock signal is at low level, the same charging pMOS
It is desirable for the transistor to conduct and charge the input signal generating means. The input signal becomes high level while the clock signal is low level, while the gate electrode of the signal selecting transistor maintains low level as described above during the same period. This is because the operation of the signal selection transistor can be made stable and reliable. Since charging is performed while the clock signal is at the low level, the input signal can be a signal that transits from the low level to the high level only by the clock signal. With this, it is possible to avoid the transition from the low level to the high level of the input signal, which occurs during the period when the clock signal is at the high level, which causes the malfunction of the signal selecting transistor.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明に係るパストランジスタ型セレ
クタ回路及び論理回路を図面に示した幾つかの実施例を
参照して、更に詳細に説明する。なお、図1、図3及び
図5〜図7における同一の記号は、同一物又は類似物を
表示するものとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The pass transistor type selector circuit and logic circuit according to the present invention will be described below in more detail with reference to some embodiments shown in the drawings. Note that the same symbols in FIGS. 1, 3 and 5 to 7 indicate the same or similar items.

【0014】<実施例1>図1において、1,2はパス
トランジスタ型セレクタ回路の一対の信号選択用nMO
Sトランジスタ、3は同トランジスタのドレイン電極を
相互に結んだ出力端子、4はドミノ型回路によって構成
した制御信号供給回路、5,6はインバータ回路、7,
8,17,18は充電用pMOSトランジスタ、11,
12は制御信号生成手段として使用するドミノ型論理回
路のnMOS論理回路網、15は電圧補償用pMOSト
ランジスタ、16はダイナミック型回路を利用した入力
信号供給回路、21,22は入力信号生成手段として使
用するダイナミック型論理回路のnMOS論理回路網を
示す。
<Embodiment 1> In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 designate a pair of signal selecting nMOs of a pass transistor type selector circuit.
S transistor, 3 is an output terminal in which drain electrodes of the same transistor are connected to each other, 4 is a control signal supply circuit configured by a domino type circuit, 5 and 6 are inverter circuits, 7,
8, 17, 18 are pMOS transistors for charging, 11,
Reference numeral 12 is an nMOS logic circuit network of a domino type logic circuit used as control signal generating means, 15 is a pMOS transistor for voltage compensation, 16 is an input signal supply circuit using a dynamic type circuit, and 21 and 22 are used as input signal generating means. 3 shows an nMOS logic circuit network of a dynamic logic circuit that operates.

【0015】信号選択用nMOSトランジスタ1,2の
ゲート電極に、インバータ回路5,6の出力端子を接続
する。インバータ回路5,6の入力端子に充電用pMO
Sトランジスタ7,8のドレイン電極及び制御信号生成
手段として使用するドミノ型論理回路のnMOS論理回
路網11,12の一方の出力端子9,10を接続する。
これによって、信号選択用nMOSトランジスタ1,2
のゲート電極に、nMOS論理回路網11,12の出力
信号が反転され、制御信号として供給される。nMOS
論理回路網11と12は、互いに反対位相の論理信号を
生成する。
The output terminals of the inverter circuits 5 and 6 are connected to the gate electrodes of the signal selecting nMOS transistors 1 and 2. PMO for charging the input terminals of the inverter circuits 5 and 6
The drain electrodes of the S transistors 7 and 8 are connected to one output terminals 9 and 10 of the nMOS logic networks 11 and 12 of the domino type logic circuit used as the control signal generating means.
Thereby, the nMOS transistors 1 and 2 for signal selection
The output signals of the nMOS logic circuits 11 and 12 are inverted and supplied to the gate electrode of the control signal. nMOS
The logic networks 11 and 12 generate logic signals having mutually opposite phases.

【0016】インバータ回路5,6は、図2に示すよう
に、放電用nMOSトランジスタ24と充電用pMOS
トランジスタ25を用い、ゲート電極を互いに結んで入
力端子23とし、ドレイン電極を互いに結んで出力端子
26とする。放電用nMOSトランジスタ24のソース
電極を接地し、充電用pMOSトランジスタ25のソー
ス電極を電源端子に接続する。入力端子23の信号がハ
イレベルのときに、放電用nMOSトランジスタ24が
導通状態になり、出力端子26の電気的容量に蓄積して
いる電荷を接地へ放電する。これによって、出力端子2
6はローレベルになる。電気的容量は、信号選択用nM
OSトランジスタ1,2のゲート電極のゲート容量、放
電用nMOSトランジスタ24及び充電用pMOSトラ
ンジスタ25ドレイン電極の接合容量、配線の浮遊容量
によって形成される。また、入力端子23の信号がロー
レベルのときに、充電用pMOSトランジスタ25が導
通状態になり、出力端子26の電気的容量を充電し、出
力端子26はハイレベルになる。
The inverter circuits 5 and 6 are, as shown in FIG. 2, composed of a discharging nMOS transistor 24 and a charging pMOS.
Using the transistor 25, the gate electrodes are connected to each other to form the input terminal 23, and the drain electrodes are connected to each other to form the output terminal 26. The source electrode of the discharging nMOS transistor 24 is grounded, and the source electrode of the charging pMOS transistor 25 is connected to the power supply terminal. When the signal at the input terminal 23 is at a high level, the discharging nMOS transistor 24 becomes conductive, and the electric charge accumulated in the electric capacitance at the output terminal 26 is discharged to the ground. As a result, the output terminal 2
6 goes low. Electrical capacity is nM for signal selection
It is formed by the gate capacitance of the gate electrodes of the OS transistors 1 and 2, the junction capacitance of the drain electrodes of the discharge nMOS transistor 24 and the charging pMOS transistor 25, and the floating capacitance of the wiring. Further, when the signal at the input terminal 23 is at low level, the charging pMOS transistor 25 becomes conductive, charges the electric capacity of the output terminal 26, and the output terminal 26 becomes high level.

【0017】充電用pMOSトランジスタ7,8のゲー
ト電極にクロック信号clk を供給し、ソース電極を電源
端子に接続する。クロック信号clk がローレベルの期間
中、充電用pMOSトランジスタ7,8は導通状態にな
り、nMOS論理回路網11,12の他方の出力端子に
接続した放電用nMOSトランジスタ13,14は非導
通状態になって、出力端子9,10を開放する。従っ
て、充電用pMOSトランジスタ7,8は出力端子9,
10の電気的容量を充電し、出力端子9,10をハイレ
ベルにする。
The clock signal clk is supplied to the gate electrodes of the charging pMOS transistors 7 and 8 and the source electrodes are connected to the power supply terminals. While the clock signal clk is at the low level, the charging pMOS transistors 7 and 8 are in the conducting state, and the discharging nMOS transistors 13 and 14 connected to the other output terminals of the nMOS logic networks 11 and 12 are in the non-conducting state. Then, the output terminals 9 and 10 are opened. Therefore, the charging pMOS transistors 7 and 8 are connected to the output terminal 9,
The electric capacity of 10 is charged, and the output terminals 9 and 10 are set to high level.

【0018】続いて、クロック信号clk がハイレベルに
なると、充電用pMOSトランジスタ7,8が非導通状
態になり、放電用nMOSトランジスタ13,14は導
通状態になって、nMOS論理回路網11,12の他方
の出力端子を接地する。一方、nMOS論理回路網1
1,12は、論理演算結果に応じて、クロック信号clk
がハイレベルになるときに、その両出力端子の間を非導
通或いは導通にする。以上の結果、出力端子9,10
は、その電気的容量に充電した電荷を保持して、ハイレ
ベルのままになるか(両出力端子の間が非導通状態のと
き)、或いは、同電荷を放電して、ローレベルになるか
(両出力端子の間が導通状態のとき)のいずれかとな
る。ここで、ハイレベルのままになるということは、ク
ロック信号がローレベルの期間中に先行して、充電によ
ってハイレベルになっているからに他ならない。nMO
S論理回路網11,12は互いに反対位相の論理信号を
生成するため、例えば、nMOS論理回路網11が非導
通になるとき、nMOS論理回路網12は導通になり、
出力端子9はハイレベル、出力端子10はローレベルに
なる。この出力端子9は、クロック信号によって、概略
クロック信号のローレベルの期間の時間程度先行して、
ハイレベルになっている。即ち、出力端子10がローレ
ベルになるときに、出力端子9が先行してハイレベルに
なり、両者に時間のずれが生じる。従って、これを反転
した制御信号は、図9に示した通りとなる。なお、出端
子9がローレベルに、出力端子10がハイレベルになる
ときは、逆に出力端子10が先行してハイレベルにな
る。以上によって、一対の信号選択用nMOSトランジ
スタ1,2の両者が同時に導通して、入力信号が衝突す
る不都合を回避することができ、セレクタ回路の高速動
作を確保することができた。
Subsequently, when the clock signal clk becomes high level, the charging pMOS transistors 7 and 8 become non-conductive, the discharging nMOS transistors 13 and 14 become conductive, and the nMOS logic networks 11 and 12 are formed. The other output terminal of is grounded. On the other hand, the nMOS logic circuit network 1
1 and 12 are clock signals clk according to the logical operation result.
Becomes high level, the two output terminals are made non-conductive or conductive. As a result, the output terminals 9 and 10
Holds the electric charge charged to its electric capacity and stays at the high level (when there is no conduction between both output terminals), or discharges the same electric charge and becomes the low level. (When both output terminals are in a conductive state). Here, the fact that the clock signal remains at the high level is nothing but because the clock signal precedes during the period of the low level and becomes the high level due to charging. nMO
Since the S logic networks 11 and 12 generate logic signals having mutually opposite phases, for example, when the nMOS logic network 11 becomes non-conductive, the nMOS logic network 12 becomes conductive,
The output terminal 9 becomes high level and the output terminal 10 becomes low level. This output terminal 9 is preceded by the clock signal by about the time of the low level period of the clock signal,
It is at a high level. That is, when the output terminal 10 becomes low level, the output terminal 9 precedes to high level and a time lag occurs between them. Therefore, the inverted control signal is as shown in FIG. When the output terminal 9 goes low and the output terminal 10 goes high, the output terminal 10 goes high first. As described above, it is possible to avoid the inconvenience that the pair of signal selecting nMOS transistors 1 and 2 are turned on at the same time and the input signals collide, and the high speed operation of the selector circuit can be ensured.

【0019】なお、クロック信号clk がハイレベルの期
間の中間において、nMOS論理回路網11又は12が
導通から非導通に変化するようなことがあると、端子9
又は10は、ハイレベルを維持すべきが放電が起こって
レベルが下がり、誤動作となる可能性を生じる。このよ
うな不都合が起きないよう、nMOS論理回路網11,
12への入力信号は、少なくともクロック信号clk がハ
イレベルになるまでに、状態が完了している必要があ
る。図3の回路は、このような入力信号を得るために採
用した波形整形回路である。端子27に入力信号を与
え、フリップフロップ回路28でクロック信号clk がハ
イレベルになるときに状態が確定するようにし、ドミノ
型論理回路を利用して、クロック信号clk がローレベル
の期間中に毎サイクルローレベルになる信号にして、端
子29に出力する。
If the nMOS logic circuit network 11 or 12 may change from conducting to non-conducting in the middle of the high level period of the clock signal clk, the terminal 9
Or, 10 should maintain the high level, but the level is lowered due to discharge, which may cause a malfunction. In order to prevent such inconvenience, the nMOS logic circuit network 11,
The state of the input signal to 12 must be completed at least until the clock signal clk becomes high level. The circuit of FIG. 3 is a waveform shaping circuit adopted to obtain such an input signal. An input signal is applied to the terminal 27 so that the flip-flop circuit 28 determines the state when the clock signal clk goes high. The signal is changed to the cycle low level and output to the terminal 29.

【0020】次に、信号選択用nMOSトランジスタ
1、2の出力端子3に電圧補償用pMOSトランジスタ
15を接続する。そのベース電極にクロック信号clk を
供給し、ソース電極を電源端子に接続する。クロック信
号clk がローレベルの期間中、電圧補償用pMOSトラ
ンジスタ15が導通して、出力端子3を充電し、信号選
択用トランジスタ1、2の閾値電圧分下がる同端子のレ
ベルを、電源電位に維持する。
Next, the voltage compensating pMOS transistor 15 is connected to the output terminals 3 of the signal selecting nMOS transistors 1 and 2. The clock signal clk is supplied to the base electrode, and the source electrode is connected to the power supply terminal. While the clock signal clk is at a low level, the voltage compensating pMOS transistor 15 conducts to charge the output terminal 3 and maintain the level of the signal selecting transistors 1 and 2 lower by the threshold voltage at the power supply potential. To do.

【0021】また、信号選択用nMOSトランジスタ1
のソース電極に、入力信号生成手段として使用するダイ
ナミック型論理回路のnMOS論理回路網21の一方の
出力端子19を接続し、信号選択用nMOSトランジス
タ2のソース電極に、nMOS論理回路網22の一方の
出力端子20を、駆動力の大きいバッファ回路を介して
接続する。これによって、nMOS論理回路網21,2
2の出力信号が信号選択用nMOSトランジスタ1,2
の両ソース電極へ、その入力信号として供給される。出
力端子19,20に、充電用pMOSトランジスタ1
7,18のドレイン電極を接続する。同トランジスタの
ゲート電極にクロック信号clk を供給し、ソース電極を
電源端子に接続する。クロック信号clk がローレベルの
期間中、充電用pMOSトランジスタ17,18は導通
状態になり、出力端子19,20の電気的容量を充電
し、出力端子19,20をハイレベルにする。
In addition, the signal selection nMOS transistor 1
To the source electrode of the nMOS logic circuit network 21 of the dynamic logic circuit used as the input signal generating means, and the source electrode of the signal selecting nMOS transistor 2 is connected to one of the nMOS logic circuit networks 22. The output terminal 20 of is connected through a buffer circuit having a large driving force. As a result, the nMOS logic circuits 21 and 2 are
2 output signals are signal selection nMOS transistors 1 and 2.
Is supplied as an input signal to both source electrodes. The charging pMOS transistor 1 is connected to the output terminals 19 and 20.
The drain electrodes of 7 and 18 are connected. The clock signal clk is supplied to the gate electrode of the transistor and the source electrode is connected to the power supply terminal. While the clock signal clk is at the low level, the charging pMOS transistors 17 and 18 become conductive, charge the electric capacitances of the output terminals 19 and 20, and set the output terminals 19 and 20 to the high level.

【0022】続いて、クロック信号clk がハイレベルの
期間中、充電用pMOSトランジスタ17,18が非導
通になる一方、nMOS論理回路網21,22は、論理
演算結果に応じて、その両出力端子の間を非導通或いは
導通にする。その結果、出力端子19,20は、その電
気的容量に充電した電荷を保持してハイレベルのままに
なるか、或いは、同電荷を放電してローレベルになるか
のいずれかとなる。nMOS論理回路網21,22への
入力信号は、前記の図3の回路を経た信号を用いる。以
上の結果、出力端子19,20の信号は、クロック信号
clk がローレベルの期間中、毎サイクルハイレベルにな
り、クロック信号clk がハイレベルになるときに、nM
OS論理回路網21,22の論理演算結果に応じてロー
レベルになる。従って、信号選択用nMOSトランジス
タ1,2への入力信号は、制御信号と同じく、クロック
信号clk に同期した信号になり、かつ、クロック信号cl
kがハイレベルの期間の中間で、誤ってレベルが下がる
ようなことのない信号になる。これによって、信号選択
用nMOSトランジスタ1,2の誤動作を回避し、その
動作を確実なものとすることができた。
Subsequently, while the clock signal clk is at the high level, the charging pMOS transistors 17 and 18 are rendered non-conductive, while the nMOS logic circuit networks 21 and 22 output their output terminals in accordance with the result of the logical operation. It is made non-conducting or conducting between. As a result, the output terminals 19 and 20 either hold the electric charge charged in the electric capacitance and remain at the high level, or discharge the electric charge and become the low level. As the input signal to the nMOS logic circuit networks 21 and 22, the signal passed through the circuit of FIG. 3 is used. As a result, the signals at the output terminals 19 and 20 are clock signals.
When clk is low level, it goes high every cycle, and when the clock signal clk goes high nM
It goes low according to the result of the logical operation of the OS logic circuits 21 and 22. Therefore, the input signal to the signal selecting nMOS transistors 1 and 2 becomes a signal synchronized with the clock signal clk as well as the control signal, and the clock signal clk
In the middle of the period when k is at the high level, the signal is such that the level does not fall accidentally. As a result, the malfunction of the signal selecting nMOS transistors 1 and 2 can be avoided and the operation can be ensured.

【0023】本実施例において、具体的には、信号A,
B,C,D及びその否定信号のA*,B*,C*,D*
与えて、AとBの論理積A∧B(以下、論理積演算を∧
で示す)と、CとDの論理和C∨D(以下、論理和演算
を∨で示す)の二者に対する排他的論理和Fを得た。二
つの制御信号は、A∧B及びその否定の(A∧B)*
ある。実際に、2.5Vの電源電圧を用い、図4に示
す、低電位レベルが0V、高電位レベルが+2.5V、
繰り返し周波数が400MHz 、低電位レベルの期間及
び高電位レベルの期間が1.25nsで等しいクロック
信号を用いて、信号Fが安定に得られることを確認する
ことができた。
In this embodiment, specifically, the signals A,
B, C, D and their negation signals A * , B * , C * , D * are given, and the logical product A∧B of A and B (hereinafter, the logical product operation is ∧
, And a logical sum C∨D of C and D (hereinafter, the logical sum operation is represented by ∨). The two control signals are A∧B and its negation (A∧B) * . Actually, using a power supply voltage of 2.5V, as shown in FIG. 4, the low potential level is 0V, the high potential level is + 2.5V,
It was confirmed that the signal F was stably obtained by using the same clock signal with the repetition frequency of 400 MHz, the period of the low potential level and the period of the high potential level being 1.25 ns.

【0024】<実施例2>図5において、30は、本発
明のパストランジスタ型セレクタ回路で構成した制御信
号供給回路、31は、ダイナミック型論理回路を利用し
た入力信号供給回路、32,33は、入力信号生成手段
として使用するダイナミック論理回路のnMOS論理回
路網、1a,2aは、信号選択用nMOSトランジスタ
1,2と構成が同一で反対位相の論理信号を出力する信
号選択用nMOSトランジスタを示す。
<Embodiment 2> In FIG. 5, reference numeral 30 is a control signal supply circuit constituted by the pass transistor type selector circuit of the present invention, 31 is an input signal supply circuit utilizing a dynamic logic circuit, and 32 and 33 are. , NMOS logic circuit networks 1a and 2a of the dynamic logic circuit used as the input signal generating means are signal selection nMOS transistors which have the same configuration as the signal selection nMOS transistors 1 and 2 and which output logic signals of opposite phases. .

【0025】制御信号供給回路30は、基本的には構成
が実施例1と同一であるがソース電極への接続を反転し
た二組のセレクタ回路を用い、信号Fと、これを反転し
た信号F*を出力する。この制御信号を、信号選択用n
MOSトランジスタ1,2,1a,2aのゲート電極に
供給する。制御信号供給回路30における信号選択用n
MOSトランジスタの出力端子に、電圧補償用pMOS
トランジスタを接続した後、インバータ回路を介して、
制御信号が出力される。インバータ回路は、先のインバ
ータ回路5,6と同種のもので、同回路の放電用nMO
Sトランジスタが、信号の断続と放電をおこない、充電
用pMOSトランジスタが、充電を行なう。
The control signal supply circuit 30 basically has the same configuration as that of the first embodiment, but uses two sets of selector circuits in which the connection to the source electrode is inverted, and the signal F and the inverted signal F are used. Output * . This control signal is used for signal selection n
It is supplied to the gate electrodes of the MOS transistors 1, 2, 1a and 2a. N for signal selection in the control signal supply circuit 30
A voltage compensating pMOS is connected to the output terminal of the MOS transistor.
After connecting the transistor, through the inverter circuit,
The control signal is output. The inverter circuit is of the same type as the inverter circuits 5 and 6 described above.
The S-transistor interrupts and discharges the signal, and the charging pMOS transistor charges.

【0026】信号選択用nMOSトランジスタ1,2の
出力端子、及び信号選択用nMOSトランジスタ1a,
2aの出力端子に、それぞれ電圧補償用pMOSトラン
ジスタを接続し、閾値電圧分低下するハイレベルを電源
電圧のレベルに復帰する。
Output terminals of the signal selection nMOS transistors 1 and 2, and signal selection nMOS transistors 1a,
A voltage compensating pMOS transistor is connected to each of the output terminals of 2a to restore the high level lowered by the threshold voltage to the level of the power supply voltage.

【0027】信号選択用nMOSトランジスタ1,2,
1a,2aのソース電極に、実施例1と同様に、ダイナ
ミック型論理回路を利用した入力信号供給回路31を接
続する。ただし、実施例1の一方のダイナミック型論理
回路に用いたバッファ回路は除いている。nMOS論理
回路網32,33の出力端子に充電用pMOSトランジ
スタを接続する。nMOS論理回路網32,33への入
力信号は、図3の波形整形回路を経た信号を用いる。
Signal selection nMOS transistors 1, 2,
An input signal supply circuit 31 using a dynamic logic circuit is connected to the source electrodes 1a and 2a as in the first embodiment. However, the buffer circuit used in one dynamic logic circuit of the first embodiment is excluded. A charging pMOS transistor is connected to the output terminals of the nMOS logic networks 32 and 33. As the input signal to the nMOS logic circuit networks 32 and 33, the signal that has passed through the waveform shaping circuit of FIG. 3 is used.

【0028】本実施例において、具体的には、実施例1
の場合に加えて、信号G,H,G*,H* を新たに与え
て、Fと、GとHの論理積G∧Hとの排他的論理和Eお
よびその否定E*を得た。本実施例においても、2.5
Vの電源電圧を用い、図4に示す、低電位レベルが0
V、高電位レベルが+2.5V、繰り返し周波数が40
0MHz 、低電位レベルの期間及び高電位レベルの期間
が1.25nsで等しいクロック信号を用いて、信号E
及びE*が安定に得られることを確認することができ
た。
In this embodiment, specifically, the first embodiment
In addition to the above case, signals G, H, G * , and H * are newly given to obtain an exclusive OR E of F and a logical product G∧H of G and H and its negation E * . Also in this embodiment, 2.5
Using the power supply voltage of V, the low potential level shown in FIG.
V, high potential level + 2.5V, repetition frequency 40
0 MHz, a low potential level period and a high potential level period are equal to 1.25 ns.
It was confirmed that E and E * were stably obtained.

【0029】<実施例3>図6において、34は、ドミ
ノ型論理回路を利用した制御信号供給回路、35,36
は、制御信号生成手段として使用するドミノ型論理回路
のnMOS論理回路網、37は、本発明のパストランジ
スタ型セレクタ回路によって構成した入力信号供給回
路、38,39はバッファ回路を示す。
<Third Embodiment> In FIG. 6, reference numeral 34 is a control signal supply circuit using a domino type logic circuit, and 35 and 36.
Is an nMOS logic circuit network of a domino type logic circuit used as control signal generating means, 37 is an input signal supply circuit constituted by the pass transistor type selector circuit of the present invention, and 38 and 39 are buffer circuits.

【0030】制御信号供給回路34は、実施例1と同じ
構成のドミノ型論理回路を利用した回路で、制御信号生
成手段として使用するnMOS論理回路網35,36
に、実施例2と同じ信号G,H,G*,H*を供給して、
G∧H及びその否定(G∧H)*の制御信号を得ること
ができる。これを信号選択用nMOSトランジスタ1,
2,1a,2aのゲート電極に供給する。
The control signal supply circuit 34 is a circuit utilizing a domino type logic circuit having the same configuration as that of the first embodiment, and nMOS logic circuit networks 35 and 36 used as control signal generating means.
To the same signal G, H, G * , H * as in the second embodiment,
It is possible to obtain control signals of G∧H and its negation (G∧H) * . This is a signal selection nMOS transistor 1,
Supply to the gate electrodes 2, 1a and 2a.

【0031】信号選択用nMOSトランジスタ1,2、
及び1a,2aの出力端子に、それぞれ電圧補償用pM
OSトランジスタを接続する。
NMOS transistors 1 and 2 for signal selection,
And the output terminals of 1a and 2a have pMs for voltage compensation, respectively.
Connect the OS transistor.

【0032】信号選択用nMOSトランジスタ1,2、
及び1a,2aのソース電極に、パストランジスタ型セ
レクタ回路による入力信号供給回路37を接続する。同
回路は実施例2で制御信号供給回路30として用いたも
のと同種の回路であるが、インバータ回路は、バッファ
回路38,39に替えている。入力信号供給回路37
は、実施例2と同じ信号F及びF*を、信号選択用nM
OSトランジスタ1,2、及び1a,2aへの入力信号
として出力する。本実施例は、以上の構成により、信号
FとG∧Hとの排他的論理和を演算し、実施例2と同じ
信号E及びE*を得た。本実施例においても、2.5V
の電源電圧を用い、図4に示す、低電位レベルが0V、
高電位レベルが+2.5V、繰り返し周波数が400M
Hz 、低電位レベルの期間及び高電位レベルの期間が
1.25nsで等しいクロック信号を用いて、信号E及
びE*が安定に得られることを確認することができた。
NMOS transistors 1 and 2 for signal selection,
An input signal supply circuit 37 of a pass transistor type selector circuit is connected to the source electrodes of 1 and 2a. This circuit is the same type of circuit as that used as the control signal supply circuit 30 in the second embodiment, but the inverter circuits are replaced with buffer circuits 38 and 39. Input signal supply circuit 37
Are the same signals F and F * as those in the second embodiment,
It is output as an input signal to the OS transistors 1 and 2 and 1a and 2a. In the present embodiment, with the above configuration, the exclusive OR of the signals F and G∧H is calculated, and the same signals E and E * as in the second embodiment are obtained. Also in this embodiment, 2.5V
, The low potential level is 0 V, as shown in FIG.
High potential level is + 2.5V, repetition frequency is 400M
It can be confirmed that the signals E and E * can be stably obtained by using the clock signal in which the period of Hz, the period of the low potential level and the period of the high potential level are equal to each other at 1.25 ns.

【0033】なお、以上の実施例を基本にした応用例と
して、4:2コンプレッサ回路を構成した。4:2コン
プレッサ回路は、乗算器の基本ユニット(アダーアレ
イ)となるもので、その一つのブロックを図7の40に
示す。同ブロックは、4ビットの入力を加算して、2ビ
ットを出力する論理演算回路である。4ビットの入力信
号は、X1,X2,X3 及びX4 で、2ビットの加算結果
がS,Cである。特にCは、1桁上の位の加算結果であ
る。1桁上の位への桁上げ信号はCo、1桁下の位から
の桁上げ信号はCiである。
As an application example based on the above embodiment, a 4: 2 compressor circuit is constructed. The 4: 2 compressor circuit serves as a basic unit (adder array) of the multiplier, one block of which is shown at 40 in FIG. The block is a logical operation circuit that adds 4-bit input and outputs 2-bit. The 4-bit input signal is X 1 , X 2 , X 3 and X 4 , and the 2-bit addition result is S and C. In particular, C is the addition result of one digit higher. The carry signal to the digit one digit higher is Co, and the carry signal from the digit one digit lower is Ci.

【0034】本応用例においては、一対の信号選択用n
MOSトランジスタをペアとするパストランジスタ型セ
レクタ回路の組み合わせを、4組用いて構成した。本応
用例においても、繰り返し周波数が400MHz のクロ
ック信号に同期した、高速の各信号が安定に得られるこ
とを確認することができた。
In this application example, a pair of signal selecting n
Four combinations of pass transistor type selector circuits each including a MOS transistor as a pair were used. Also in this application example, it was confirmed that high-speed signals synchronized with the clock signal having the repetition frequency of 400 MHz were stably obtained.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、パストランジスタ型セ
レクタ回路及びそれらを複数個組み合わせた論理回路に
おいて、互いに反転位相の制御信号の間で、レベル遷移
の時間をずらすことができる。これによって、信号選択
用nMOSトランジスタの動作で信号の衝突が避けら
れ、回路の高速動作を確保することができる。また、閾
値電圧分低下する出力信号のレベル低下を解消し、更
に、クロック信号のハイレベルの期間中に起こる可能性
がある誤動作を回避でき、回路の安定動作を実現するこ
とができる。以上により、本発明の回路は、パストラン
ジスタ型セレクタ回路の有する回路規模が小さい特徴を
生かした大規模な集積回路に好適である。
According to the present invention, in the pass transistor type selector circuit and the logic circuit in which a plurality of them are combined, it is possible to shift the level transition time between the control signals having mutually inverted phases. As a result, collision of signals is avoided in the operation of the signal selection nMOS transistor, and high-speed operation of the circuit can be ensured. Further, it is possible to eliminate the decrease in the level of the output signal which is decreased by the threshold voltage, and further to avoid the malfunction that may occur during the high level period of the clock signal, and to realize the stable operation of the circuit. As described above, the circuit of the present invention is suitable for a large-scale integrated circuit that makes use of the feature that the pass transistor type selector circuit has a small circuit scale.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るMOSトランジスタ論理回路の第
1の実施例を説明するための回路図。
FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of a MOS transistor logic circuit according to the present invention.

【図2】インバータ回路の構成を説明するための回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration of an inverter circuit.

【図3】外部からの信号の波形を整形するために用いる
回路の構成を説明するための回路図。
FIG. 3 is a circuit diagram for explaining the configuration of a circuit used to shape the waveform of a signal from the outside.

【図4】本実施例で用いたクロック信号を説明するため
の回路図。
FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a clock signal used in this embodiment.

【図5】本発明に係るMOSトランジスタ論理回路の第
2の実施例を説明するための回路図。
FIG. 5 is a circuit diagram for explaining a second embodiment of the MOS transistor logic circuit according to the present invention.

【図6】本発明に係るMOSトランジスタ論理回路の第
3の実施例を説明するための回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram for explaining a third embodiment of a MOS transistor logic circuit according to the present invention.

【図7】本発明に係るMOSトランジスタ論理回路の応
用例を説明するための回路図。
FIG. 7 is a circuit diagram for explaining an application example of a MOS transistor logic circuit according to the present invention.

【図8】従来のパストランジスタ型セレクタ回路を説明
するための回路図。
FIG. 8 is a circuit diagram for explaining a conventional pass transistor type selector circuit.

【図9】従来の制御信号並びに本発明の制御信号生成回
路による制御信号を説明するための信号波形図。
FIG. 9 is a signal waveform diagram for explaining conventional control signals and control signals by the control signal generation circuit of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2,1a,2a…信号選択用nMOSトランジスタ 3…パストランジスタ型セレクタ回路の出力端子 4,30,34…制御信号供給回路 5,6…インバータ回路 7,8,17,18…充電用pMOSトランジスタ 9,10……ドミノ型論理回路を利用したnMOS論理
回路網の一方の出力端子 11,12,35,36…制御信号生成手段として使用
するドミノ型論理回路のnMOS論理回路網 13,14…放電用nMOSトランジスタ 15…電圧補償用pMOSトランジスタ 16,31,37…入力信号供給回路 19,20……ダイナミック型論理回路を利用したnM
OS論理回路網の出力端子 21,22,32,33…入力信号生成手段として使用
するダイナミック型論理回路のnMOS論理回路網 23…インバータ回路の入力端子 24…インバータ回路の放電用nMOSトランジスタ 25…インバータ回路の充電用pMOSトランジスタ 26…インバータ回路の出力端子 27…波形整形回路の入力端子 28…波形整形回路のフリップフロップ回路 29…波形整形回路の出力端子 38,39…バッファ回路 40…4:2コンプレッサ回路の1ブロック
1, 2, 1a, 2a ... Signal selection nMOS transistor 3 ... Output terminal of pass transistor type selector circuit 4, 30, 34 ... Control signal supply circuit 5, 6 ... Inverter circuit 7, 8, 17, 18 ... Charging pMOS Transistors 9, 10 ... One output terminal of nMOS logic circuit network using domino type logic circuit 11, 12, 35, 36 ... nMOS logic circuit network 13, 14 of domino type logic circuit used as control signal generating means NMOS transistor for discharge 15 ... pMOS transistor for voltage compensation 16, 31, 37 ... Input signal supply circuit 19, 20 ... nM using dynamic logic circuit
OS logic circuit network output terminals 21, 22, 32, 33 ... nMOS logic circuit network of dynamic type logic circuit used as input signal generating means 23 ... Inverter circuit input terminal 24 ... Inverter circuit discharging nMOS transistor 25 ... Inverter Circuit charging pMOS transistor 26 ... Inverter circuit output terminal 27 ... Waveform shaping circuit input terminal 28 ... Waveform shaping circuit flip-flop circuit 29 ... Waveform shaping circuit output terminal 38, 39 ... Buffer circuit 40 ... 4: 2 Compressor 1 block of circuit

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ドレイン電極を相互に接続して出力端子と
し、各ソース電極を入力端子とする一対の信号選択用n
MOSトランジスタと、当該トランジスタのゲート電極
に反対位相の2種類の制御信号を個別に供給するための
回路を少なくとも備え、当該制御信号供給回路は、制御
信号を生成するための手段及び制御信号の供給を断続す
るための手段を含むものであり、かつ、後者の制御信号
断続手段は、クロック信号に同期して動作し、同信号が
ローレベルである期間中、信号選択用トランジスタに対
する制御信号の供給を停止するものであることを特徴と
するパストランジスタ型セレクタ回路。
1. A pair of signal selecting n having drain electrodes connected to each other as output terminals and each source electrode as input terminals.
A MOS transistor and at least a circuit for individually supplying two types of control signals having opposite phases to the gate electrode of the transistor are provided, and the control signal supply circuit supplies means for generating a control signal and supply of the control signal. The control signal connecting / disconnecting means of the latter operates in synchronization with the clock signal, and supplies the control signal to the signal selecting transistor during the period when the signal is at the low level. A pass-transistor type selector circuit, which is characterized in that
【請求項2】前記制御信号断続手段は、前記制御信号生
成手段と接地端子との間に接続された放電用nMOSト
ランジスタをもって構成されており、かつ、当該トラン
ジスタは、クロック信号がローレベルである期間中、導
通して制御信号を放電するように機能するものであるこ
とを特徴とする請求項1に記載のパストランジスタ型セ
レクタ回路。
2. The control signal connecting / disconnecting means comprises a discharging nMOS transistor connected between the control signal generating means and a ground terminal, and the transistor has a clock signal at a low level. 2. The pass transistor type selector circuit according to claim 1, wherein the pass transistor type selector circuit is configured to be conductive during the period to discharge the control signal.
【請求項3】前記制御信号供給回路は、前記制御信号生
成手段及び前記制御信号断続手段のほか、前記制御信号
生成手段を充電するための手段を含むものであり、か
つ、当該充電手段は、クロック信号に同期して動作し、
同信号がローレベルである期間中、前記制御信号生成手
段を充電するように機能するものであることを特徴とす
る請求項1又は2に記載のパストランジスタ型セレクタ
回路。
3. The control signal supply circuit includes means for charging the control signal generating means, in addition to the control signal generating means and the control signal interrupting means, and the charging means includes: It operates in synchronization with the clock signal,
3. The pass transistor type selector circuit according to claim 1, wherein the pass transistor type selector circuit functions to charge the control signal generating means during a period when the signal is at a low level.
【請求項4】前記充電手段は、前記制御信号生成手段と
電源端子との間に接続された充電用pMOSトランジス
タをもって構成されており、かつ、当該トランジスタ
は、クロック信号がローレベルである期間中、導通して
前記制御信号生成手段を充電するように機能するもので
あることを特徴とする請求項3に記載のパストランジス
タ型セレクタ回路。
4. The charging means comprises a charging pMOS transistor connected between the control signal generating means and a power supply terminal, and the transistor is provided during a period when a clock signal is at a low level. 4. The pass transistor type selector circuit according to claim 3, wherein the pass transistor type selector circuit is configured to be conductive so as to charge the control signal generating means.
【請求項5】ドレイン電極を相互に接続して出力端子と
し、各ソース電極を入力端子とする一対の信号選択用n
MOSトランジスタと、当該トランジスタのゲート電極
に反対位相の2種類の制御信号を個別に供給するための
回路を備えたパストランジスタ型セレクタ回路であっ
て、前記制御信号供給回路をドミノ型論理回路をもって
構成することにより、同論理回路のnMOS論理回路網
を制御信号生成手段として使用し、同論理回路の電源側
に接続された充電用pMOSトランジスタを制御信号生
成手段の充電手段として使用し、同論理回路の接地側に
接続された放電用nMOSトランジスタを制御信号生成
手段の放電手段として使用することを特徴とするパスト
ランジスタ型セレクタ回路。
5. A pair of signal selecting n having drain electrodes connected to each other as output terminals and each source electrode as input terminals.
A pass transistor type selector circuit including a MOS transistor and a circuit for individually supplying two types of control signals of opposite phases to the gate electrode of the transistor, wherein the control signal supply circuit comprises a domino type logic circuit. Thus, the nMOS logic circuit network of the same logic circuit is used as the control signal generating means, and the charging pMOS transistor connected to the power supply side of the same logic circuit is used as the charging means of the control signal generating means. A pass transistor type selector circuit characterized in that a discharging nMOS transistor connected to the ground side of is used as a discharging means of the control signal generating means.
【請求項6】前記充電用pMOSトランジスタは、クロ
ック信号に同期して動作し、同信号がローレベルである
期間中、導通して前記制御信号生成手段を充電するよう
に機能するものであり、かつ、前記放電用nMOSトラ
ンジスタは、クロック信号に同期して動作し、同信号が
ローレベルである期間中、導通して制御信号を放電する
ように機能するものであることを特徴とする請求項5に
記載のパストランジスタ型セレクタ回路。
6. The charging pMOS transistor operates in synchronization with a clock signal and functions to charge the control signal generating means by conducting during a period in which the signal is at a low level. The discharge nMOS transistor operates in synchronization with a clock signal and conducts to discharge a control signal while the signal is at a low level. 5. A pass transistor type selector circuit according to item 5.
【請求項7】前記制御信号供給回路は、その出力端子側
に接続されたインバータ回路を包含し、当該回路は、制
御信号生成手段の出力信号の位相を反転した後、当該反
転信号を制御信号として前記信号選択用トランジスタに
供給するように機能するものであることを特徴とする請
求項1〜請求項6のいずれか一に記載のパストランジス
タ型セレクタ回路。
7. The control signal supply circuit includes an inverter circuit connected to the output terminal side thereof, and the circuit inverts the phase of the output signal of the control signal generation means, and then outputs the inverted signal to the control signal. The pass transistor type selector circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein the pass transistor type selector circuit functions as supplying a signal to the signal selecting transistor.
【請求項8】前記信号選択用トランジスタの出力端子と
電源端子との間には、電圧補償用pMOSトランジスが
接続されており、当該トランジスタは、クロック信号に
同期して動作し、同信号がローレベルである期間中、導
通して前記信号選択用トランジスタの出力端子を電位を
電源電圧に復帰させるように機能するものであることを
特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一に記載のパ
ストランジスタ型セレクタ回路。
8. A voltage compensating pMOS transistor is connected between an output terminal and a power supply terminal of the signal selecting transistor, the transistor operating in synchronization with a clock signal, and the signal is low. 8. The device functions as conducting during a period of being at a level so as to restore the potential of the output terminal of the signal selection transistor to the power supply voltage. Pass transistor type selector circuit.
【請求項9】請求項1〜請求項8のいずれか一に記載の
セレクタ回路を1個又は複数個使用して所望の論理演算
回路網を構成し、かつ、当該回路網に対して必要な入力
信号を供給するための回路を各セレクタ回路の信号選択
用トランジスタのソース電極に接続したことを特徴とす
るパストランジスタ型論理回路。
9. A desired logical operation circuit network is constructed by using one or a plurality of selector circuits according to any one of claims 1 to 8 and is required for the circuit network. A pass transistor type logic circuit characterized in that a circuit for supplying an input signal is connected to a source electrode of a signal selecting transistor of each selector circuit.
【請求項10】論理演算回路網を構成する前記セレクタ
回路の信号選択用トランジスタに制御信号を供給するた
めの回路は、請求項1〜請求項8のいずれか一に記載の
セレクタ回路を複数個組み合わせることによって構成さ
れていることを特徴とする請求項9に記載のパストラン
ジスタ型論理回路。
10. A circuit for supplying a control signal to a signal selecting transistor of the selector circuit which constitutes a logical operation circuit network, comprises a plurality of selector circuits according to any one of claims 1 to 8. 10. The pass transistor type logic circuit according to claim 9, wherein the pass transistor type logic circuit is configured by combining them.
【請求項11】請求項1〜請求項8のいずれか一に記載
のセレクタ回路の信号選択用トランジスタのソース電極
に接続した入力信号を供給するための回路をダイナミッ
ク型論理回路をもって構成することにより、同論理回路
のnMOS論理回路網を入力信号生成手段として使用
し、同論理回路の電源側に接続された充電用pMOSト
ランジスタを入力信号生成手段の充電手段として使用す
ることを特徴とするパストランジスタ型セレクタ回路。
11. A circuit for supplying an input signal connected to a source electrode of a signal selecting transistor of a selector circuit according to claim 1, comprising a dynamic logic circuit. A pass transistor characterized by using an nMOS logic circuit network of the same logic circuit as an input signal generating means and using a charging pMOS transistor connected to a power supply side of the same logic circuit as a charging means of the input signal generating means. Type selector circuit.
【請求項12】請求項11に記載の充電用pMOSトラ
ンジスタは、クロック信号に同期して動作し、同クロッ
ク信号がローレベルである期間中、導通して前記入力信
号生成手段を充電するように機能するものであり、同ク
ロック信号がハイレベルである期間中、非導通になって
入力信号生成手段を開放するものであることを特徴とす
る請求項11に記載のパストランジスタ型セレクタ回
路。
12. The charging pMOS transistor according to claim 11 operates in synchronization with a clock signal, and conducts during the period when the clock signal is at a low level to charge the input signal generating means. 12. The pass transistor type selector circuit according to claim 11, which functions, and becomes non-conductive during a period in which the clock signal is at a high level to open the input signal generation means.
【請求項13】論理演算回路網を構成する前記セレクタ
回路の信号選択用トランジスタに入力信号を供給するた
めの回路は、請求項1〜請求項8、請求項11又は請求
項12のいずれか一に記載のセレクタ回路を複数個組み
合わせることによって構成されていることを特徴とする
請求項9又は請求項10に記載のパストランジスタ型論
理回路。
13. A circuit for supplying an input signal to a signal selecting transistor of the selector circuit which constitutes a logical operation circuit network, according to any one of claims 1 to 8, claim 11 and claim 12. 11. The pass transistor type logic circuit according to claim 9 or 10, which is configured by combining a plurality of the selector circuits according to claim 9.
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