JPH08505856A - １０−デスアセトキシバッカチン▲ｉｉｉ▼の製法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
タキサンからＣ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ置換基を脱離する方法であって、Ｃ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ置換タキサンと、二ヨウ化サマリウムとを反応させることを含んで成る方法。
Description
【発明の詳細な説明】
１０−デスアセトキシバッカチンIIIの製法
発明の背景
本発明は、１０−デスアセトキシタキソール、１０−デスアセトキシバッカチ
ンIII、並びに１０−デスアセトキシタキソールおよび１０−デスアセトキシバ
ッカチンIIIの誘導体の製法に関する。
タキソール（taxol）は、イチイの樹皮から抽出される天然物である。タキソ
ールは、インビボ動物モデルにおいて優れた抗腫瘍活性を示すことがわかってお
り、最近の研究により、その独特の作用型（異常なチューブリンの重合、および
有糸分裂の阻害を伴う）が解明されている。タキソールは現在、卵巣癌、乳癌お
よび他の癌に対して、フランスおよび米国で臨床試験中であり、予備試験の結果
から、非常に有望な化学療法剤であることが確認されている。タキソールの構造
と、通常用いられる位置番号は、下記の通りである。この位置番号は、本発明の
方法において使用する化合物にも適用することができる。
コリン（Colin）の米国特許第４８１４４７０号には、通常タキソテル（taxot
ere）と称されるタキソール誘導体は、タキソールよりも顕著に高い活性を有す
ると報告されている。タキソテルの構造は、次の通りである：
タキソールおよびタキソテルは有望な化学療法剤であるが、更なる化学療法剤
が依然必要とされている。タキソールの四環核はＣ１０アセトキシ置換基を有し
、タキソテルはＣ１０ヒドロキシ置換基を有するが、それを変化させれば、一連
のタキソール類似体を合成し得る。しかし、これまでのところ、Ｃ１０アセトキ
シおよびヒドロキシ基を選択的に変更するには、大きな問題が伴う。
本発明の概要
本発明の目的は、１０−デスアセトキシタキソール、１０−デスオキシタキソ
テル、１０−デスアセトキシバッカチンIII、並びに１０−デスアセトキシタキ
ソールおよび１０−デスアセトキシバッカチンIIIの誘導体を製造するための、
改善された方法を提供することである。
すなわち、本発明は、１０−デスアセトキシおよび１０−デスオキシタキサン
の製法に関する。本発明の方法によると、ヒドロキシ、アシルオキシまたはスル
ホニルオキシのようなＣ１０脱離基を有するタキサン（taxane）を、二ヨウ化サ
マリウムと反応させる。Ｃ１０脱離基は、選択的かつほぼ定量的にタキサンから
脱離する。
本発明の他の目的および特徴は、部分的には自明であり、部分的には以下の説
明において示す。
本発明の詳細な説明
本発明において、“Ａr”はアリール；“Ｐh”はフェニル；“Ａc”はアセチ
ル；“Ｅt”はエチル；“Ｒ”は特記しない限りアルキル；“Ｂu”はブチル；“
Ｐr”はプロピル；“ＴＥＳ”はトリエチルシリル；“ＴＭＳ”はトリメチルシ
リル；“ＴＰＡＰ”
は過ルテニウム酸テトラプロピルアンモニウム；“ＤＭＡＰ”はp−ジメチルア
ミノピリジン；“ＤＭＦ”はジメチルホルムアミド；“ＬＤＡ”はリチウムジイ
ソプロピルアミド；“ＬＨＭＤＳ”はリチウムヘキサメチルジシラジド；“ＬＡ
Ｗ”は水素化アルミニウムリチウム；“Red−Ａｌ”は水素化ナトリウムビス（
２−メトキシエトキシ)アルミニウム；“ＡＩＢＮ”はアゾ−（ビス）−イソブ
チロニトリル；“１０−ＤＡＢ”は１０−デスアセチルバッカチンIII；ＦＡＲ
は２−クロロ−１,１,２−トリフルオロトリエチルアミン；保護ヒドロキシは−
ＯＲ（Ｒはヒドロキシ保護基）である。スルフヒドリル保護基はヘミチオアセタ
ール、例えば１−エトキシエチルおよびメトキシメチル、チオエステル、または
チオカーボネートを包含するが、それらに限定されない。“アミン保護基”はカ
ルバメート、例えば２,２,２−トリクロロエチルカルバメートまたはt−ブチル
カルバメートを包含するが、それらに限定されない。“ヒドロキシ保護基”はエ
ーテル、例えばメチル、t−ブチル、ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニト
ロベンジル、アリル、トリチル、メトキシメチル、２−メトキシプロピル、メト
キシエトキシメチル、エトキシエチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチ
オピラニル、およびトリアルキルシリルエーテル（例えばトリメチルシリルエー
テル、トリエチルシリルエーテル、ジメチルアリールシリルエーテル、トリイソ
プロピルシリルエーテルおよびt−ブチルジメチルシリルエーテル）；エステル
、例えばベンゾイル、アセチル、フェニルアセチル、ホルミル、モノー、ジーお
よびトリハロアセチル（例えばクロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロ
アセチル、トリフルオロアセチル）；カーボネート、例えば炭素原子数１〜６の
アルキルカーボネート（例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、t−ブチル、イソブチルおよびn−ペンチル）、炭素原子数１〜６で、
１個またはそれ以上のハロゲン原子で置換されたアルキルカーボネート（例えば
２,２,２−トリクロロエトキシメチルおよび２,２,２−トリクロロ−エチル）、
炭素原子数２〜６のアルケニルカーボネート（例えばビニルおよびアリル）、炭
素原子数３〜６のシクロアルキルカーボネート（例えばシクロプロピル、シクロ
ブチル、シクロペンチルおよびシクロヘキシル）、１個またはそれ以上のＣ1-6
アルコキシまたはニトロで環が置換されてい
ることもあるフェニルまたはベンジルカーボネートを包含するが、それらに限定
されない。他のヒドロキシ、スルフヒドリルおよびアミン保護基は、「プロテク
ティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Protective Groups in
Organic Synthesis）」、ティ・ダブリュ・グリーン（Ｔ．Ｗ．Greene）、ジョ
ン・ワイリー・アンド・サンズ（John Wiley and Sons）、１９８１を参照し得
る。
アルキル基（不置換のもの、または本発明において定義する種々の置換基を有
するもの）は、好ましくは、主鎖の炭素原子数１〜６で、炭素原子数１５までの
低級アルキルである。アルキル基は置換基を有し得、直鎖、分枝または環状であ
ってよく、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル、シク
ロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどを包含する。
アルケニル基（不置換のもの、または本発明において定義する種々の置換基を
有するもの）は、好ましくは、主鎖の炭素原子数２〜６で、炭素原子数１５まで
の低級アルケニルである。アルケニル基は置換基を有し得、直鎖または分枝状で
あってよく、エテニル、プロペニル、イソプロペニル、ブテニル、イソブテニル
、ヘキセニルなどを包含する。
アルキニル基（不置換のもの、または本発明において定義する種々の置換基を
有するもの）は、好ましくは、主鎖の炭素原子数２〜６で、炭素原子数１５まで
の低級アルキニルである。アルキニル基は置換基を有し得、直鎖または分枝状で
あってよく、エチニル、プロピニル、ブチニル、イソブチニル、ヘキシニルなど
を包含する。
アリール基（不置換のもの、または種々の置換基を有するもの）は、炭素原子
数６〜１５で、フェニルを包含する。置換基は、アルカンオキシ、保護ヒドロキ
シ、ハロゲン、アルキル、アリール、アルケニル、アシル、アシルオキシ、ニト
ロ、アミノ、アミドなどを包含する。フェニルが好ましいアリールである。
ヘテロアリール基（不置換のもの、または種々の置換基を有するもの）は、炭
素原子数５〜１５で、フリル、チエニル、ピリジルなどを包含する。置換基は、
アルカンオキシ、保護ヒドロキシ、ハロゲン、アルキル、アリール、アルケニル
、
アシル、アシルオキシ、ニトロ、アミノおよびアミドを包含する。
アシルオキシ基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテ
ロアリール基を有する。
スルホニルオキシ基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたは
ヘテロアリール基を有する。
置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリール基並
びに本発明中に記載する基の置換基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロアリールであり得、および／または窒素、酸素、イオウ、ハロゲ
ンを含み得、例えば低級アルコキシ（例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ）、
ハロゲン（例えばクロロまたはフルオロ）、ニトロ、アミノおよびケトを包含す
る。
驚くべきことに、Ｃ１０ヒドロキシ、アジルオキシ（例えばアセトキシ）また
はスルホニルオキシ置換基を有するタキサンを、選択的かつほぼ定量的に、対応
する１０−デスアセトキシまたは１０−デスオキシタキサンに変換し得ることが
わかった。Ｃ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ置換タキサ
ンは三環または四環の核を有し得、式（１）で示される：
［式中、
Ｒ1は水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ14と共にカーボネートを
形成；
Ｒ2は水素、ヒドロキシ、−ＯＣＯＲ31、またはＲ2aと共にオキソを形成；
Ｒ2aは水素、またはＲ2と共にオキソを形成；
Ｒ4は水素、Ｒ4aと共にオキソ、オキシランもしくはメチレンを形成、または
Ｒ5aおよびそれらが結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成；
Ｒ4aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール
、シアノ、ヒドロキシ、−ＯＣＯＲ30、またはＲ4と共にオキソ、オキシランも
しくはメチレンを形成；
Ｒ5は水素、またはＲ5aと共にオキソを形成；
Ｒ5aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキシ、Ｒ5と共にオキソ
を形成、またはＲ4およびそれらが結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成
；
Ｒ6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア
リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ6aと共にオキソを形成；
Ｒ6aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア
リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ6と共にオキソを形成；
Ｒ7は水素、またはＲ7aと共にオキソを形成；
Ｒ7aは水素、ハロゲン、保護ヒドロキシ、−ＯＲ28、またはＲ7と共にオキソ
を形成；
Ｒ10はヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ；
Ｒ13はヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または
Ｒ14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア
リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ1と共にカーボネートを形成；
Ｒ14aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロア
リール；
Ｒ28は水素、アシル、ヒドロキシ保護基、またはタキサン誘導体の溶解性を高
める官能基；
Ｒ29、Ｒ30およびＲ31はそれぞれ水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、
単環アリールまたは単環ヘテロアリール；
Ｘ1は−ＯＸ6、−ＳＸ7または−ＮＸ8Ｘ9；
Ｘ2は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロアリ
ール；
Ｘ3およびＸ4はそれぞれ、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ルまたはヘテロアリール；
Ｘ5は−ＣＯＸ10、−ＣＯＯＸ10、−ＣＯＳＸ10、−ＣＯＮＸ8Ｘ10または−Ｓ
Ｏ2Ｘ11；
Ｘ6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール
、ヒドロキシ保護基、またはタキサン誘導体の水溶性を高める官能基；
Ｘ7はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリールまたは
スルフヒドリル保護基；
Ｘ8は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール
、またはヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテ
ロアリール；
Ｘ9はアミノ保護基；
Ｘ10はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、また
はヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリ
ール；
Ｘ11はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、−Ｏ
Ｘ10または−ＮＸ8Ｘ14；
Ｘ14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロアリ
ール。］。
本発明の反応を、反応式１に示す（式中、Ｒ1〜Ｒ14aは、前記と同意義である
）。タキサンと二ヨウ化サマリウムとの反応は、溶媒、例えばエーテル（例えば
テトラヒドロフラン）、双極性非プロトン性溶媒［例えばＨＭＰＡ（ヘキサメチ
ルホスホルアミド）またはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）］、またはそれらの
混合物中で、
約−７８〜１００℃、好ましくは０℃またはそれ以下の温度で行い得る。好都合
なことに、二ヨウ化サマリウムは、Ｃ１０脱離基を選択的に除去し、Ｃ１３側鎖
、および核の他の置換基は損なわれない。
反応式１
好ましくは、Ｃ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ置換タ
キサンは、四環で、下記式で示される：
［式中、
Ｒ7aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または−ＯＲ28；
Ｒ10はヒドロキシまたはアセトキシ；
Ｒ13はヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または
Ｒ28はアシル；
Ｒ30はアルキル；
Ｒ31は単環アリール；
Ｘ1〜Ｘ5は前記と同意義。］。
最も好ましくは、タキサンは、バッカチン（baccatin）III、１０−デスアセ
チルバッカチンIII、タキソール、タキソテル、またはＣ１３側鎖を有ずる他の
生物学的活性タキサンである。バッカチンIIIおよび１０−デスアセチルバッカ
チンIIIは、下記構造を有する：
バッカチンIII、１０−デスアセチルバッカチンIII、およびタキソールは、多
種のイチイ種の針葉、茎、樹皮または心材のような天然原料を抽出した混合物か
ら分離し得る。タキソテルおよび他の生物学的活性タキサンは、バッカチンIII
および１０−デスアセチルバッカチンIIIから、米国特許第４９２４０１１号お
よび第４９２４０１２号に記載のように、あるいは、β−ラクタムと、タキサン
三環または四環核およびＣ１３金属もしくはアンモニウムオキシド置換基を有す
るアルコキシドとの反応によって、半合成的に製造し得る。β−ラクタムは、構
造式：
［式中、Ｘ1〜Ｘ5は前記と同意義である。］
で示され、アルコキシドは、式：
［式中、Ｒ1〜Ｒ14aは前記と同意義であり、Ｍはアンモニウムを含んで成るか、
またはＩＡ族、IIＡ族および遷移金属から成る群から場合により選択する金属、
好ましくはＬi、Ｍg、Ｎa、ＫまたはＴiである。］
で示される。
Ｃ１０スルホニルオキシ置換基を有するタキサンは、１０−デスアセチルバッ
カチンIIIまたは他のＣ１０ヒドロキシ置換タキサンを、スルホニルクロリド（
例えばメタンスルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルクロリドまたはトルエン
スルホニルクロリド）、および第三級アミンと反応させることによって合成し得
る。
アセテート以外のＣ１０アシルオキシ置換基を有するタキサンは、反応式２に
示すように、１０−ＤＡＢを出発物質として合成することができる。１０−ＤＡ
Ｂを、シリルクロリド（例えばトリエチルシリルクロリド）またはアシル化剤（
例えば無水酢酸）と反応させることにより、Ｃ７を種々の保護基で容易に保護し
て、
７−保護１０−ＤＡＢ（１５）を得ることができる。次いで、７−保護１０−Ｄ
ＡＢ（１５）のＣ１０ヒドロキシ置換基を、通常のアシル化剤で容易にアシル化
して、新しいＣ１０アシルオキシ置換基を有する誘導体（１６）を得ることがで
き、要すればＣ７保護基を容易に除去し得る。
反応式２
別のＣ２および／またはＣ４エステル基を有するタキサンは、バッカチンIII
および１０−ＤＡＢを出発物質として合成し得る。バッカチンIIIおよび１０−
ＤＡＢのＣ２および／またはＣ４エステルを、ＬＡＨまたはＲed−Ａｌのような
還元剤を用いて、対応するアルコールに選択的還元し、次いで、無水物および酸
クロリドのような通常のアシル化剤を、ピリジン、トリエチルアミン、ＤＭＡＰ
またはジイソプロピルエチルアミンのようなアミンと組み合わせて使用して、新
しいエステルを形成し得る。また、Ｃ２および／またはＣ４アルコールを、新し
いＣ
２および／またはＣ４エステルに変換するために、アルコールをＬＤＡのような
適当な塩基で処理して対応するアルコキシドを形成後、酸クロリドのようなアシ
ル化剤で処理してもよい。
Ｃ２および／またはＣ４に種々の置換基を有するバッカチンIIIおよび１０−
ＤＡＢ類似体は、反応式３〜７に示すように合成し得る。説明を単純化するため
に、１０−ＤＡＢを出発物質として使用する。しかし、単に１０−ＤＡＢの代わ
りにバッカチンIIIを出発物質として使用することにより、バッカチンIII誘導体
または類似体も同様の反応経路（Ｃ１０ヒドロキシル基の保護を除く）で合成し
得ると理解すべきである。種々の位置（例えばＣ１、Ｃ２、Ｃ４、Ｃ７およびＣ
１３）に種々の置換基を有するバッカチンIIIおよび１０−ＤＡＢ類似体の誘導
体は、本明細書中に記載の他の反応、および当業者に可能な他の反応を更に行う
ことによって合成し得る。
反応式３においては、保護１０−ＤＡＢ（３）を水素化アルミニウムリチウム
でトリオール（１８）に変換する。その後、Ｃｌ2ＣＯ／ピリジン、次いで求核
剤（例えばグリニヤール試薬またはアルキルリチウム試薬）を用いて、トリオー
ル（１８）を対応するＣ４エステルに変換する。
反応式３
トリオール（１８）をＬＤＡで脱プロトン化し、次いで酸クロリドを導入する
と、Ｃ４エステルが選択的に生成する。例えば、塩化アセチルを使用して、トリ
オール（１８）を１,２−ジオール（４）に変換した（反応式４参照）。
トリオール（１８）は、１,２−カーボネート（１９）にも容易に変換し得る
。反応式５に示すように、通常の激しい条件下にカーボネート（１９）をアセチ
ル化して、カーボネート（２１）を得る；反応式３に示すように、カーボネート
（１９）にアルキルリチウムまたはグリニヤール試薬を付加すると、Ｃ４に遊離
ヒドロキシル基を有するＣ２エステルが生成する。
反応式４
反応式６に示すように、他のＣ４置換基を導入するには、カーボネート（１９
）と、酸クロリドおよび第三級アミンとの反応により、カーボネート（２２）を
得、それをアルキルリチウムまたはグリニヤール試薬と反応させて、Ｃ２に新し
い置換基を有する１０−ＤＡＢ誘導体を生成すればよい。
反応式６
また、バッカチンIIIを出発物質として使用して、反応式１０に示すように反
応させることもできる。バッカチンIIIを、Ｃ７およびＣ１３において保護した
後、ＬＡＨで還元して、１,２,４，１０−テトラオール（２４）を得る。テトラ
オール（２４）を、Ｃｌ2ＣＯおよびピリジンを用いてカーボネート（２５）に
変換し、カーボネート（２５）を、Ｃ１０において酸クロリドおよびピリジンで
アシル化してカーボネート（２６）（反応式に示す）を得るか、または無水酢酸
およびピリジンと反応させる（反応式に示さず）。カーボネート（２６）を通常
の激しい条件下にアセチル化してカーボネート（２７）を得、これをアルキルリ
チウムと反応させて、Ｃ２およびＣ１０に新しい置換基を有するバッカチンIII
誘導体を得る。Ｃ１０スルホニルオキシ類似体は、アシル化剤の代わりにスルホ
ニルクロリドとカーボネート（２５）を反応させて、カーボネート（２６）のＣ
１０スルホニルオキシ類似体を得、
次いで、反応式１０に記載のように反応を進めることによって合成し得る。
反応式７
Ｃ７ジヒドロおよび他のＣ７置換タキサンは、反応式８および９に示すように
合成し得る。
反応式９に示すように、バッカチンIIIをＴＨＦ溶液中、室温でＦＡＲにより
処理して、７−フルオロバッカチンIIIに変換し得る。遊離Ｃ７ヒドロキシル基
を有する他のバッカチン誘導体も、同様に反応する。７−クロロバッカチンIII
は、バッカチンIIIを、過剰のトリエチルアミンヒドロクロリドを含有する塩化
メチレン溶液中で、メタンスルホニルクロリドおよびトリエチルアミンで処理す
ることによって合成し得る。
反応式８
反応式９
種々の三環タキサンが天然に存在し、本明細書中に説明するものと同様の方法
で、そのＣ１３酸素に適当な側鎖を結合し得る。また、反応式１０に示すように
、７−Ｏ−トリエチルシリルバッカチンIIIを、塩化メチレン溶液中、テトラフ
ルオロホウ酸トリメチルオキソニウムの作用により、三環タキサンに変換し得る
。次いで、生成したジオールを四酢酸鉛と反応させて、対応するＣ４ケトンを得
ることができる。
反応式１０
最近、ヒドロキシル化タキサン（１４−ヒドロキシ−１０−デアセチルバッカ
チンIII）が、イチイ針葉抽出物中に見出された［ケミカル・アンド・エンジニ
アリング・ニューズ（Ｃ＆ＥＮ）、３６−３７頁、１９９３年４月１２日］。Ｃ
２、Ｃ４などに前記のような種々の官能基を有するヒドロキシル化タキサン誘導
体も、上記ヒドロキシル化タキサンを用いて合成し得る。更に、Ｃ１４ヒドロキ
シル基は、ケミカル・アンド・エンジニアリング・ニューズに記載のように１０
−ＤＡＢのＣ１ヒドロキシル基と共に１,２−カーボネートに変換でき、または
Ｃ２、Ｃ４、Ｃ７、Ｃ９、Ｃ１０およびＣ１３置換基に関して、本明細書中に説
明するような種々のエステルもしくは他の官能基に変換し得る。
以下の実施例により、本発明を更に説明する。
実施例１
１０−デスアセトキシバッカチンIII
窒素雰囲気中、０℃で、ＴＨＦ（０.０９ml）中のバッカチンIII（２０mg、０
.０３４ミリモル）の溶液に、ＴＨＦ中のＳmＩ2の溶液（０.１Ｍ、０.９ml、０.
０９ミリモル）を加えた。０℃で４５分間攪拌後、フラスコを空気中で開放し、
反応混合物を酢酸エチル（１０ml）で希釈した。混合物を水性ＨＣl（０.２Ｎ、
２５ml）に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、抽出物を飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および塩
水で順次洗い、Ｎa2ＳＯ4で乾燥し、蒸発させた。生成物をフラッシュクロマト
グラフィー（ＳiＯ2、８０％酢酸エチル−ヘキサン）により分離して、１０−デ
スアセトキシバッカチンIII１６.６mg（９２％）を得、これをＣＨＣl3−ヘキサ
ンから再結晶した。
mp＝２３０−２３２℃。
［α］25 D＝−１０３.６（c＝０.００１９５、ＣＨＣl3）。
ＩＲ（cm-1）：３１００、２９７０、２９５０、２９００、１７５０、１７１
０、１４６０、１３７０、１３２０、１２７０、１２５５、１１１０、９８０、
８９０、７６０、７００。
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨz、ＣＤＣl3）δ８.１１（dd；２Ｈ；J＝８.４，１.
２Ｈz；o−Ｂz）;７.６１（dt；１Ｈ；J＝７.５，１.２Ｈz；p−Ｂz）；７.４８
（br t；２Ｈ；J＝７.８Ｈz；m−Ｂz）；５.６６（br d；１Ｈ；J＝６.９Ｈz；
Ｈ−２β）；４.９８（br dd；１Ｈ；J＝９.４，２；Ｈ−５α）；４.８３（br
；１Ｈ；w１／２ １９Ｈz；Ｈ−１３β）；４.３４（bt；１Ｈ；J＝１１.２，７
.８Ｈz；Ｈ−７α）；４.３１（br d；１Ｈ；J＝８.４Ｈz；Ｈ−２０α）；４．
１７（br d；１Ｈ；J＝６.９Ｈz；Ｈ−３α）；４.１５（dd；１Ｈ；J＝８.４，
１Ｈz；Ｈ−２０β）；３.８４（d；１Ｈ；J＝１５.６Ｈz；Ｈ−１０α）：３.
４６（ddd；１Ｈ；J＝１５.６，３.７，１.６Ｈz；Ｈ−１０β）；２.６４（ddd
；１Ｈ；J＝１４.４，９.４，６.９Ｈz；Ｈ−６α）；２.２９（s；３Ｈ；４−
ＯＡc）；２．２８（m；２Ｈ；Ｈ−１４αおよびＨ−１４β）；１.９５（t；３
Ｈ；J＝１.６Ｈz；１８−Ｍe）；１.９４（d；１Ｈ；J＝６.８Ｈz；１３−ＯＨ
）；１.
７９（ddd；１Ｈ；J＝１４.４，１１.２，２.１Ｈz；Ｈ−６β）；１.６４（s；
３Ｈ；１９−Ｍe）；１.５８（s；１Ｈ；１−ＯＨ）；１.３８（d；１Ｈ；J＝７
.８Ｈz;７−ＯＨ）；１.１３（s；３Ｈ;１６−Ｍe）；１.０６（s；３Ｈ；１７
−Ｍe）。
実施例２
７−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバッカチンIII
窒素雰囲気中、室温で、無水ピリジン（０．０５ml）中の１０−デスアセトキ
シバッカチンIII（１０．０mg、０.０１９ミリモル）の攪拌した溶液に、トリエ
チルクロロシラン（１５１、０.０９ミリモル）を加え、その混合物を室温で４
８時間攪拌した。混合物を、酢酸エチル（５ml）で希釈後、飽和ＮaＨＣＯ3水溶
液（２５ml）に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出物を、水、１０％ＣuＳＯ4水
溶液、および塩水で順次洗い、Ｎa2ＳＯ4で乾燥し、蒸発させた。生成物をフラ
ッシュクロマトグラフィー（ＳiＯ2、４０％ＥＡ−ヘキサン）により精製して、
７−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバッカチンIII１１.１mg（９１％
）を得た。
実施例３
１０−デスアセトキシタキソール
窒素雰囲気中、０℃で、ＴＨＦ（０.１ml）中のタキソール（３５mg、０.０４
１ミリモル）の攪拌した溶液に、ＴＨＦ中のＳmＩ2の溶液（０.１Ｍ、１.０ml,
、０.１０ミリモル）を加えた。０℃で４５分間攪拌後、フラスコを空気中で開
放し、反応混合物を酢酸エチル（１０ml）で希釈した。混合物を水性ＨＣl（０.
２Ｎ、２５ml）に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、抽出物を飽和ＮaＨＣＯ3水溶液お
よび塩水で順次洗い、Ｎa2ＳＯ4で乾燥し、蒸発させた。生成物をフラッシュク
ロマトグラフィー（ＳiＯ2、８０％酢酸エチル−ヘキサン）により分離して、１
０−デスアセトキシタキソール２９.４mg（９０％）を得た。
実施例４
（６８−３）
３'−デスフェニル−３'−（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t
−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソールの製造
ＴＨＦ（０.７ml）中の７−Ｏ−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバ
ッカチン（III）（４７.５mg、０.０７３ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘ
キサン中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０８ml）を滴下した。−４
５℃で０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル
−３−トリエチルシリルオキシ−４−（２−チエニル）−アゼチジン−２−オン
（７０.０mg、０．１８２ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃
に昇温し、その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml
）を加えた。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘ
キサンに分配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することに
より精製して、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２',７−（ビス）−Ｏ−トリエチルシリル−
３'−デスフェニル−３'−（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−
ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソールおよび少量の（２'Ｓ,
３'Ｒ）異性体を含有する混合物６４.３mgを得た。
アセトニトリル（３.２ml）およびピリジン（０.１５ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（６４.３mg、０.０５６ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.５０ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した
。酢酸エ
チル溶液を蒸発して得た残渣４６.３mgを、フラッシュクロマトグラフィーによ
り精製して、３'−デスフェニル−３'−（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル
−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソール４０.１mg
（９１％）を得、これをメタノール／水から再結晶した。
m.p.１５８−１６０℃；［α］25 Na−５８.４°（c０.００２８、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１１（d、J＝６.９Ｈｚ、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６１（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７．５０（m
、２Ｈ、ベンゾエート メタ）、７.２７（dd、J＝５.５、１.２Ｈz、１Ｈ、チエ
ニル）、７.０６（d、J＝３.３Ｈz、１Ｈ、チエニル）、７.０１（dd、J＝５.７
、３.９Ｈz、１Ｈ、チエニル）、６.１３（td、J＝６.３、０.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ
１３）、５.７０（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.４９（d、J＝９.２Ｈz、
１Ｈ、ＮＨ）、５.３４（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.６２（dd、J＝５
.４ ２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.３０（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０α）、
４.２９（s、１Ｈ、Ｈ２'）、４.１７（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、４
.０６（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ７）、３.８１（d、J＝１５.３Ｈz、Ｈ１０α
）、３.５１（d、J＝６.６Ｈz、１Ｈ、Ｈ３）、３.４１（m、１Ｈ、２'ＯＨ）、
２.６１（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.３６（s、３Ｈ、４Ａc）、２.３０（m、１Ｈ
、Ｈ１０β）、２.１７（br s、１Ｈ、７ＯＨ）、２.０６（m、１Ｈ、Ｈ１４α
）、１.８１（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、１.７６（br s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.６
６（s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.６２（m、１Ｈ、Ｈ６β）、１.３５（s、９Ｈ、３
Ｍe t−ブトキシ）、１.２５（s、３Ｈ、Ｍe１７）、１.１９（s、３Ｈ、Ｍe１
９）、１.１７（s、３Ｈ、Ｍe１６）.
実施例５
（６８−４）
３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t
−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソールの製造
ＴＨＦ（０.８ml）中の７−Ｏ−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバ
ッカチン（III）（５０.０mg、０.０７７ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘ
キサン中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０９ml）を滴下した。−４
５℃で０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル
−３−（２−メトキシイソプロピルオキシ）−４−（イソブテニル）−アゼチジ
ン−２−オン（５８.０mg、０.１９３ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。
溶液を０℃に昇温し、その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％
溶液（１ml）を加えた。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸
エチル／ヘキサンに分配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過
することにより精製して、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２'−Ｏ−（２−メトキシイソプロ
ピル）−７−Ｏ−トリエチルシリル−３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル
）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセト
キシタキソールおよび少量の（２'Ｓ,３'Ｒ）異性体を含有する混合物６２.７mg
を得た。
アセトニトリル（３.５ml）およびピリジン（０.１６ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（６２.７mg、０.０５９ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.５５ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した
。酢酸エ
チル溶液を蒸発して得た残渣５１.５mgを、フラッシュクロマトグラフィーによ
り精製して、３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル）−Ｎ−デスベンゾイル
−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソール４３.０mg
（９５％）を得、これをメタノール／水から再結晶した。
m.p.１５３−１５５℃；［α］25 Na−５６.３°（c０.００３、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１０（d、J＝７.３Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６０（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.４７（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、６.１５（td、J＝８.５、１.８Ｈz、１Ｈ、Ｈ１３
）、５.６９（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.３２（d、J＝９.２Ｈz、１Ｈ
、ＮＨ）、４.９３（dd、J＝９.６、１.８Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.８２（d、J＝
８.７Ｈz、１Ｈ、Ｍe2Ｃ＝ＣＨ−）、４.７６（td、J＝８.７、２.７Ｈz、１Ｈ
、Ｈ３'）、４.３７（d、J＝８.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０α）、４.２２（d、J＝８.
７Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、４.１８（d、J＝２.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ２'）、４.０３
（d、J＝７.３Ｈz、１Ｈ、Ｈ７）、３.８２（d、Ｊ＝１５.２Ｈz、１Ｈ、Ｈ１０
α）、３.４７（m、１Ｈ、２'ＯＨ）、３.４１（d、J＝６.６Ｈz、１Ｈ、Ｈ３）
、２.６０（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.３９（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、２.３７（s、
３Ｈ、４Ａc）、２.１８（s、１Ｈ、７ＯＨ）、２.０８（m、１Ｈ、Ｈ１４α）
、１.７８（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、１.７６（s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.７４（s
、６Ｈ、２Ｍe イソブテニル）、１.６３（m、１Ｈ、Ｈ６β）、１.３６（s、９
Ｈ、３Ｍe t−ブトキシ）、１.２６（s、３Ｈ、Ｍe１７）、１.１８（s、３Ｈ、
Ｍe１９）、１.１５（s、３Ｈ、Ｍe１６）.
実施例６
（６９−１）
Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキ
シタキソールの製造
ＴＨＦ（０.８ml）中の７−Ｏ−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバ
ッカチン（III）（５０.０mg、０.０７７ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘ
キサン中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０９ml）を滴下した。−４
５℃で０.５時間後、ＴＨＦ（０.８ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル
−３−トリエチルシリルオキシ−４−フェニルーアゼチジン−２−オン（６７.
５mg、０.１９３ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃に昇温し
、その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml）を加え
た。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘキサンに
分配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することにより精製
して、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２',７−（ビス）−Ｏ−トリエチルシリル−Ｎ−デス
ベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソー
ルおよび少量の（２'Ｓ,３'Ｒ）異性体を含有する混合物７２.０mgを得た。
アセトニトリル（３.８ml）およびピリジン（０.１７ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（７２.０mg、０.０７１ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.６０ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した
。酢酸エチル溶液を蒸発して得た残渣５７.４mgを、フラッシュクロマトグラフ
ィーにより精製して、Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−
１０−デスアセトキシタキソール３９.４mg（７１％）を得、これをメタノール
／水から再結晶した。
m.p.１４５−１４７℃；［α］25 Na−５４.４°（c０.００２７、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１１（d、J＝７.１Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト)、７.６１−７.２３（m、８Ｈ、ベンゾエート、フェニル）
、６.１３（td、J＝６.３、０.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ１３）、５.６８（d、J＝６.９
Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.４３（d、J＝９.２Ｈz、１Ｈ、ＮＨ）、５.２６（d、J
＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.９６（dd、J＝５.４ ２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）
、４.３１（d、
J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ１２０α）、４.２２（s、１Ｈ、Ｈ２'）、４.１８（d、
J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、４.０３（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ７）、３
.８１（d、J＝１５.１Ｈz、Ｈ１０α）、３.４３（m、１Ｈ、２'ＯＨ）、３.４
０（d、J＝６.６Ｈz、１Ｈ、Ｈ３）、２.６０（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.３８（s
、３Ｈ、４Ａc）、２.３２（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、２.１５（br s、１Ｈ、７Ｏ
Ｈ）、２.０９（m、１Ｈ、Ｈ１４α）、１.８３（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、１.７
８（br s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.６６（s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.６３（m、１Ｈ
、Ｈ６β）、１.３６（s、９Ｈ、３Ｍe t−ブトキシ）、１.２５（s、３Ｈ、Ｍe
１７）、１.１８（s、３Ｈ、Ｍe１９）、１.１６（s、３Ｈ、Ｍe１６）.
実施例７
（６９−２）
３'−デスフェニル−３'−（２−フリル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−
ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソールの製造
ＴＨＦ（０.８ml）中の７−Ｏ−トリエチルシリル−１０−デスアセトキシバ
ッカチン（III）（５０.０mg、０.０７７ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘ
キサン中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０９ml）を滴下した。−４
５℃で０.５時間後、ＴＨＦ（０.８ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル
−３−トリエチルシリルオキシ−４−（２−フリル）−アゼチジン−２−オン（
７２.８mg、０.１９５ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃に昇
温し、その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml）を
加えた。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘキサ
ンに分配した。有機相
を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することにより精製して、（２'Ｒ,３
'Ｓ）−２',７−（ビス）−Ｏ−トリエチルシリル−３'−デスフェニル−３'−
（２−フリル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０
−デスアセトキシタキソールおよび少量の（２'Ｓ,３'Ｒ）異性体を含有する混
合物６９.４mgを得た。
アセトニトリル（３.８ml）およびピリジン（０.１７ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（６９.４mg、０.０６８ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.６０m1）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した
。酢酸エチル溶液を蒸発して得た残渣５９.０mgを、フラッシュクロマトグラフ
ィーにより精製して、３'−デスフェニル−３'−（２−フリル）−Ｎ−デスベン
ゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−１０−デスアセトキシタキソール４
１.０mg（７６％）を得、これをメタノール／水から再結晶した。
m.p.１５１−１５３℃；［α］25 Na−５６.５°（c０.００２５、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１１（d、J＝７.３Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６０（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.４９（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、７.４１（m、１Ｈ、フリル）、６.３７（m、１Ｈ
、フリル）、６.３４（m、１Ｈ、フリル）、６.１３（dd、J＝６.３、０.９Ｈz
、１Ｈ、Ｈ１３）、５.６９（d、J＝６.６Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.４９（d、J＝
９.２Ｈz、１Ｈ、ＮＨ）、５.３４（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.６２
（dd、J＝５.４、２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.３０（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、
Ｈ２０α）、４.２９（s、１Ｈ、Ｈ２'）、４.１７（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ
２０β）、４.０６（d、J＝６.９、１Ｈ、Ｈ７）、３.８１（d、J＝１５.３Ｈz
、１Ｈ、Ｈ１０α）、３.５１（d、J＝６.６Ｈz、１Ｈ、Ｈ３）、３.４１（m、
１Ｈ、２'ＯＨ）、２.６１（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.３６（s、３Ｈ、４Ａc）、
２.３２（m、２Ｈ、Ｈ１４α）、２.２８（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、２.１７（br
s、１Ｈ、７ＯＨ）、２.１４（m、１Ｈ、Ｈ１４α）、１.８２（m、１Ｈ、Ｈ１
４β）、１.７６（br s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.６６（s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.
６２（m、１Ｈ、Ｈ６β）、１.３５（s、９Ｈ、３Ｍe t
−ブトキシ）、１.２５（s、３Ｈ、Ｍe１７）、１.１９（s、３Ｈ、Ｍe１９）、
１.１６（s、３Ｈ、Ｍe１６）.
実施例８
（７２−１）
３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t
−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソー
ルの製造
ＴＨＦ（０.７ml）中の７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシバッカチ
ン（III）（２８.７mg、０．０５１ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘキサン
中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０６ml）を滴下した。−４５℃で
０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル−３−
（２−メトキシイソプロピルオキシ）−４−（イソブテニル）−アゼチジン−２
−オン（４７.３mg、０.１５ミリモル)の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０
℃に昇温し、その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１m
l）を加えた。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／
ヘキサンに分配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過すること
により精製して、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２'−Ｏ−（２−メトキシイソプロピル）−
３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−
ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソール
および少量の（２'Ｓ,３'Ｒ）異性体を含有する混合物４０.３mgを得た。
アセトニトリル（３.２ml）およびピリジン（０.１５ml）中の、上記反応によ
って
得た混合物（４０.３mg、０.０４６ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％ＨＦ水
溶液（０.４７ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃で１
３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した。酢
酸エチル溶液を蒸発して得た残渣３５.２mgを、フラッシュクロマトグラフィー
により精製して、３'−デスフェニル−３'−（イソブテニル）−Ｎ−デスベンゾ
イル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセ
トキシタキソール２４.０mg（７０％）を得、これをメタノール／水から再結晶
した。
m.p.１２２−１２５℃；［α］25 Na−６４.３°（c０.００２５、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１２（d、J＝７.１Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６０（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.４８（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、６.１１（td、J＝８.１、１.８Ｈz、１Ｈ、Ｈ１３
）、５.６８（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.２３（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ
、ＮＨ）、５.１２（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.９６（dd、J＝９.１
、２.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.８０（d、J＝８.７Ｈz、１Ｈ、Ｍe2Ｃ＝ＣＨ−
）、４.５８（dd、J＝５.７、２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２'）、４.３０（d、J＝８.１
、１Ｈ、Ｈ２０α）、４.１９（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、３.９７（
d、J＝６.９Ｈz、Ｈ３）、３.８３（d、J＝１６.５、１Ｈ、Ｈ１０α）、３.３
３（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、３.３０（m、１Ｈ、２'ＯＨ）、２.３９（m、１Ｈ、
Ｈ１４α）、２.３５（s、３Ｈ、４Ａc）、２.２６（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、２.
１９（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.１０（m、１Ｈ、Ｈ７α）、１.９５（m、１Ｈ、
Ｈ６β）、１.７３（s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.６９（s、６Ｈ、２Ｍe イソブテ
ニル）、１.６３（s、３Ｈ、Ｍe１９）、１.４４（m、１Ｈ、Ｈ７β）、１.３９
（br s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.３５（s、９Ｈ、３Ｍe t−ブトキシ）、１.２５（
s、３Ｈ、Ｍe１６）、１.１５（s、３Ｈ、Ｍe１７）.
実施例９
（７２−２）
３'−デスフェニル−３'−（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t
−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソー
ルの製造
ＴＨＦ（０.７ml）中の７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシバッカチ
ン（III）（２５.０mg、０.０４４ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘキサン
中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０５ml）を滴下した。−４５℃で
０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル−３−
トリエチルシリルオキシ−４−（２−チエニル）−アゼチジン−２−オン（５０
.０mg、０.１３ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃に昇温し、
その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml）を加えた
。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘキサンに分
配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することにより精製し
て、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２'−Ｏ−トリエチルシリル−３'−デスフェニル−３'−
（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−７
−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソールおよび少量の（２'Ｓ,３'
Ｒ）異性体を含有する混合物３５.４mgを得た。
アセトニトリル（３.２ml）およびピリジン（０.１５ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（３５.４mg、０.０３７ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.４７ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時
間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した。酢酸エ
チル溶液を蒸発して得た残渣３２.４mgを、フラッシュクロマトグラフィーによ
り精製して、３'−デスフェニル−３'−（２−チエニル）−Ｎ−デスベンゾイル
−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキ
シタキソール２０.５mg（７１％）を得、これをメタノール／水から再結晶した
。
m.p.１３２−１３４℃；［α］25 Na−６１.３°（c０.００２５、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１４（d、J＝７.１Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６１（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.５１（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、７.２９（dd、J＝５.４、１.２Ｈz、１Ｈ、チエニ
ル）、７.０９（d、J＝３.３Ｈz、１Ｈ、チエニル）、７.０１（dd、J＝５.４、
３.３Ｈz、１Ｈ、チエニル）、６.１４（td、J＝８.４、１.８Ｈz、１Ｈ、Ｈ１
３）、５.６９（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.２４（d、J＝９.９Ｈz、１
Ｈ、ＮＨ）、５.１９（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.９３（dd、J＝９.
３、２.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.６２（dd、J＝５.７、２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２'
）、４.３１（d、J＝８.１、１Ｈ、Ｈ２０α）、４.２１（d、J＝８.１Ｈｚ、１
Ｈ、Ｈ２０β）、３.９８（d、J＝６.９Ｈz、Ｈ３）、３.８４（d、J＝１６.５
、１Ｈ、Ｈ１０α）、３.３８（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、３.３３（m、１Ｈ、２'
ＯＨ）、２.４０（m、１Ｈ、Ｈ１４α）、２.３７（s、３Ｈ、４Ａc）、２.２７
（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、２.２０（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.１１（m、１Ｈ、Ｈ
７α）、１.９５（m、１Ｈ、Ｈ６β）、１.７４（s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.７１
（s、３Ｈ、Ｍe１９）、１.４６（m、１Ｈ、Ｈ７β）、１.４０（br s、１Ｈ、
１ＯＨ）、１.３４（s、９Ｈ、３Ｍe t−ブトキシ）、１.２４（s、３Ｈ、Ｍe１
６）、１.１３（s、３Ｈ、Ｍe１７）.
実施例１０
（７２−３）
３'−デスフェニル−３'−（２−フリル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−
ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソール
の製造
ＴＨＦ（０.８ml）中の７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシバッカチ
ン（III）（３５.０mg、０.０６１ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘキサン
中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０７ml）を滴下した。−４５℃で
０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル−３−
トリエチルシリルオキシ−４−（２−フリル）−アゼチジン−２−オン（６８.
０mg、０.１８ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃に昇温し、
その温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml）を加えた
。混合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘキサンに分
配した。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することにより精製し
て、（２'Ｒ,３'Ｓ）−２'−Ｏ−トリエチルシリル−３'−デスフェニル−３'−
（２−フリル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−７−
デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソールおよび少量の（２'Ｓ,３'Ｒ
）異性体を含有する混合物５６.３mgを得た。
アセトニトリル（４.６ml）およびピリジン（０.２２ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（５６.３mg、０.０６ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％ＨＦ
水溶液（０.６８ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃で
１３時間
攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した。酢酸エチ
ル溶液を蒸発して得た残渣４８.３mgを、フラッシュクロマトグラフィーにより
精製して、３'−デスフェニル−３'−（２−フリル）−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ
−（t−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタ
キソール３１.７mg（６９％）を得、これをメタノール／水から再結晶した。
m.p.１２８−１３１℃；［α］25 Na−６６.９°（c０.００２８、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１３（d、J＝６.９Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６０（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.４８（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、７.４０（m、１Ｈ、フリル）、６.３８（m、１Ｈ
、フリル）、６.３２（m、１Ｈ、フリル）、６.１２（td、J＝８.１、１.８Ｈz
、１Ｈ、Ｈ１３）、５.６７（d、J＝６.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ２）、５.２２（d、J＝
９.９Ｈz、１Ｈ、ＮＨ）、５.１７（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.９１
（dd、J＝９.１、２.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.６０（dd、J＝５.７、２.１Ｈz
、１Ｈ、Ｈ２'）、４.２８（d、J＝８.１、１Ｈ、Ｈ２０α）、４.２１（d、J＝
８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、３.９５（d、J＝６.９Ｈz、Ｈ３）、３.８２（d
、J＝１６.５、１Ｈ、Ｈ１０α）、３.３３（m、１Ｈ、Ｈ１０β）、３.３１（m
、１Ｈ、２'ＯＨ）、２.３８（m、１Ｈ、Ｈ１４α）、２.３５（s、３Ｈ、４Ａc
）、２.２３（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、２.２０（m、１Ｈ、Ｈ６α）、２.１１（m
、１Ｈ、Ｈ７α）、１.９４（m、１Ｈ、Ｈ６β）、１.７３（s、３Ｈ、Ｍe１８
）、１.７１（s、３Ｈ、Ｍe１９）、１.４３（m、１Ｈ、Ｈ７β）、１.３８（br
s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.３２（s、９Ｈ）３Ｍe t−ブトキシ）、１.２３（s、
３Ｈ、Ｍe１６）、１.１２（s、３Ｈ、Ｍe１７）.
実施例１１
（７２−４）
Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ
−１０−デスアセトキシタキソールの製造
ＴＨＦ（０.７ml）中の７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシバッカチ
ン（III）（２８.０mg、０.０４９ミリモル）の溶液に、−４５℃で、ヘキサン
中のＬiＮ（ＳiＭe3）2の０.９８Ｍ溶液（０.０６ml）を滴下した。−４５℃で
０.５時間後、ＴＨＦ（０.７ml）中のシス−１−t−ブトキシカルボニル−３−
トリエチルシリルオキシ−４−（フェニル）−アゼチジン−２−オン（５６.０m
g、０.１５ミリモル）の溶液を、混合物に滴下した。溶液を０℃に昇温し、その
温度に１時間保った後、ＴＨＦ中のＡcＯＨの１０％溶液（１ml）を加えた。混
合物を、飽和ＮaＨＣＯ3水溶液および６０／４０酢酸エチル／ヘキサンに分配し
た。有機相を蒸発して得た残渣を、シリカゲルで濾過することにより精製して、
（２'Ｒ,３'Ｓ）−２'−Ｏ−トリエチルシリル−Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t
−ブトキシカルボニル）−７−デスヒドロキシ−１０−デスアセトキシタキソー
ルおよび少量の（２'Ｓ,３'Ｒ）異性体を含有する混合物３８.４mgを得た。
アセトニトリル（３.２ml）およびピリジン（０.１５ml）中の、上記反応によ
って得た混合物（３８.４mg、０.０４１ミリモル）の溶液に、０℃で、４８％Ｈ
Ｆ水溶液（０.４６ml）を加えた。混合物を０℃で３時間、および次いで２５℃
で１３時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および酢酸エチルに分配した
。酢酸エチル溶液を蒸発して得た残渣３３.８mgを、フラッシュクロマトグラフ
ィーにより精製して、Ｎ−デスベンゾイル−Ｎ−（t−ブトキシカルボニル）−
７−デスヒ
ドロキシ−１０−デスアセトキシタキソール２７.４mg（７１％）を得、これを
メタノール／水から再結晶した。
m.p.１３５−１３８℃；［α］25 Na−６５.２°（c０.００２５、ＣＨＣl3）.1
Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3、３００ＭＨz）δ８.１２（d、J＝７.１Ｈz、２Ｈ、ベ
ンゾエート オルト）、７.６０（m、１Ｈ、ベンゾエート パラ）、７.５１（m、
２Ｈ、ベンゾエート メタ）、７.４２−７.２９（m、５Ｈ、フェニル）、６.１
２（td、J＝８.１、１.８Ｈz、１Ｈ、Ｈ１３）、５.６６（d、J＝６.９Ｈz、１
Ｈ、Ｈ２）、５.２１（d、J＝９.９Ｈz、１Ｈ、ＮＨ）、５.１６（d、J＝９.９
Ｈz、１Ｈ、Ｈ３'）、４.９２（dd、J＝９.１、２.７Ｈz、１Ｈ、Ｈ５）、４.５
８（dd、J＝５.７、２.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２'）、４.３０（d、J＝８.１、１Ｈ、
Ｈ２０α）、４.２１（d、J＝８.１Ｈz、１Ｈ、Ｈ２０β）、３.９７（d、J＝６
.９Ｈz、Ｈ３）、３.８２（d、J＝１６.５、１Ｈ、Ｈ１０α）、３.４１（m、１
Ｈ、Ｈ１０β）、３.３６（m、１Ｈ、２'ＯＨ）、２.４０（m、１Ｈ、Ｈ１４α
）、２.３８（s、３Ｈ、４Ａc）、２.２６（m、１Ｈ、Ｈ１４β）、２.２０（m
、１Ｈ、Ｈ６α）、２.１３（m、１Ｈ、Ｈ７α）、１.９３（m、１Ｈ、Ｈ６β）
、１.７３（s、３Ｈ、Ｍe１８）、１.７０（s、３Ｈ、Ｍe１９）、１.４３（m、
１Ｈ、Ｈ７β）、１.３８（br s、１Ｈ、１ＯＨ）、１.３２（s、９Ｈ、３Ｍe t
−ブトキシ）、１.２５（s、３Ｈ、Ｍe１６）、１.１５（s、３Ｈ、Ｍe１７）.
実施例１２
実施例４〜１１のタキサン６８−３、６８−４、６９−１、６９−２、７２−
１、７２−２、７２−３および７２−４のインビトロ細胞毒性活性を、ヒト結腸
癌細胞ＨＣＴ−１１６に対して試験した。ＨＣＴ−１１６細胞に対する細胞毒性
の評価は、ＸＴＴ（２,３−ビス（２−メトキシ−４−ニトロ−５−スルホフェ
ニル）−５−［（フェニルアミノ）カルボニル］−２Ｈ−テトラゾリウムヒドロ
キシド）アッセイによって行った［スクディエロ（Ｓcudiero）ら、「エバリュ
エーション・オブ・ア・ソルブル・テトラゾリウム／ホルマザン・アッセイ・フ
ォー・セル・グロース・アンド・ドラッグ・センシティビティ・イン・カルチャ
ー・ユージング・ヒューマン・アンド・アザー・テューマ・セル・ラインズ（Ｅ
valuation
of a soluble tetrazolium／formazan assay for cell growth and drug sensit
ivity in culture using human and other tumor cell lines）」、カンサー・
リサーチ（Ｃancer Ｒes．）４８：４８２７−４８３３、１９８８］。９６ウェ
ルマイクロタイタープレートで、４０００細胞／ウェルを培養し、２４時間後に
薬物を加え、段階希釈した。細胞を３７℃で７２時間インキュベート後、テトラ
ゾリウム色素ＸＴＴを加えた。生存細胞中のデヒドロゲナーゼ酵素はＸＴＴを還
元して、４５０nmの光を吸収する形態とするので、それを分光測光法によって定
量し得る。吸光度が高いほど、生存細胞数が多い。結果をＩＣ50として表す。Ｉ
Ｃ50は、未処理対照細胞と比較して細胞増殖（すなわち４５０nmにおける吸光度
）を５０％抑制するのに要する薬物濃度である。
全ての化合物が、ＩＣ50が０.１未満であり、細胞毒性活性であることがわか
った。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ
Ｃ０７Ｄ 305/14 7329−4Ｃ
407/12 ３０５ 7602−4Ｃ
409/12 ３０５ 7602−4Ｃ
// Ａ６１Ｋ 31/34 9454−4Ｃ
31/38 9454−4Ｃ
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，
ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ
Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＵ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＺ，Ｆ
Ｉ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＲ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＵＳ
(72)発明者 チャイ、キ‐ビュン
アメリカ合衆国32310フロリダ州タラハシ
ー、イースト・ポール・ダイラック・ドラ
イブ2035番、ハーブ・モーガン・ビルディ
ング109
(72)発明者 ソモサ、カーメン
アメリカ合衆国32310フロリダ州タラハシ
ー、イースト・ポール・ダイラック・ドラ
イブ2035番、ハーブ・モーガン・ビルディ
ング109
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．タキサンからＣ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ置 換基を脱離する方法であって、Ｃ１０ヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニ ルオキシ置換タキサンと、二ヨウ化サマリウムとを反応させることを含んで成る 方法。 ２．タキサンは式（１）で示される請求項１記載の方法： ［式中、 Ｒ1は水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ14と共にカーボネートを 形成； Ｒ2は水素、ヒドロキシ、−ＯＣＯＲ31、またはＲ2aと共にオキソを形成； Ｒ2aは水素、またはＲ2と共にオキソを形成； Ｒ4は水素、Ｒ4aと共にオキソ、オキシランもしくはメチレンを形成、または Ｒ5aおよびそれらが結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成； Ｒ4aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール 、シアノ、ヒドロキシ、−ＯＣＯＲ30、またはＲ4と共にオキソ、オキシランも しくはメチレンを形成； Ｒ5は水素、またはＲ5aと共にオキソを形成； Ｒ5aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキシ、Ｒ5と共にオキソ を形成、またはＲ4およびそれらが結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成 ； Ｒ6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ6aと共にオキソを形成； Ｒ6aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ6と共にオキソを形成； Ｒ7は水素、またはＲ7aと共にオキソを形成； Ｒ7aは水素、ハロゲン、保護ヒドロキシ、−ＯＲ28、またはＲ7と共にオキソ を形成； Ｒ10はヒドロキシ、アシルオキシまたはスルホニルオキシ； Ｒ13はヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または Ｒ14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロア リール、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはＲ1と共にカーボネートを形成； Ｒ14aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロア リール； Ｒ28は水素、アシル、ヒドロキシ保護基、またはタキサン誘導体の溶解性を高 める官能基； Ｒ29、Ｒ30およびR31はそれぞれ水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、 単環アリールまたは単環ヘテロアリール； Ｘ1は−ＯＸ6、−ＳＸ7または−ＮＸ8Ｘ9； Ｘ2は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロアリ ール； Ｘ3およびＸ4はそれぞれ、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー ルまたはヘテロアリール； Ｘ5は−ＣＯＸ10、−ＣＯＯＸ10、−ＣＯＳＸ10、−ＣＯＮＸ8Ｘ10または−Ｓ Ｏ2Ｘ11； Ｘ6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール 、ヒドロキシ保護基、またはタキサン誘導体の水溶性を高める官能基； Ｘ7はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリールまたは スルフヒドリル保護基； Ｘ8は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール 、またはヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテ ロアリール； Ｘ9はアミノ保護基； Ｘ10はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、また はヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリ ール； Ｘ11はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、−Ｏ Ｘ10または−ＮＸ8Ｘ14； Ｘ14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロアリ ール。］。 ３．タキサンはＣ１０ヒドロキシ置換基を有する請求項２記載の方法。 ４．タキサンはＣ１０ヒドロキシ置換基を有する請求項１記載の方法。 ５．タキサンはＣ１０アセトキシ置換基を有する請求項２記載の方法。 ６．タキサンはＣ１０アセトキシ置換基を有する請求項２記載の方法。 ７．タキサンは、式： ［式中、Ａｃはアセチル；Ｐｈはフェニル。］ で示される請求項１記載の方法。 ８．タキサンは、式： ［式中、Ａｃはアセチル；Ｐｈはフェニル；ｔＢｕはｔ−ブチル；Ａｃはアセチ ル。］ で示される請求項１記載の方法。 ９．タキサンは、式： ［式中、 Ｒ7aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または−ＯＲ28； Ｒ10はヒドロキシまたはアセトキシ； Ｒ13はヒドロキシ、保護ヒドロキシ、または Ｒ28はアシル； Ｒ30はアルキル； Ｒ31は単環アリール； Ｘ1〜Ｘ5は請求項２のものと同意義。］。 で示される請求項２記載の方法。
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