JPH0850299A - Electrode contact structure of integral type information recording medium - Google Patents
Electrode contact structure of integral type information recording mediumInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光センサ及び液晶記録
媒体を積層し、液晶記録媒体の配向を変化させて画像記
録する一体型情報記録媒体の電極接点構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode contact structure of an integrated type information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal recording medium are laminated and an image is recorded by changing the orientation of the liquid crystal recording medium.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、樹脂相と液晶相とが相分離した状
態で存在する液晶高分子複合体層を電極上に形成した高
分子分散型液晶記録媒体と、電極層上に光導電層が形成
された光センサとを積層し、電圧印加露光により画像記
録する一体型情報記録媒体が知られている。図1はこの
ような一体型情報記録媒体を示しており、図中、10は
光センサ、20は液晶記録媒体をそれぞれ示している。
光センサ10は透明支持体11上に透明電極12、光導
電層13が順次積層され、液晶記録媒体20は、透明電
極22上に樹脂相と液晶相とが相分離した状態で存在す
る液晶高分子複合体層23が積層されている。光導電層
13は、無機光導電層としてアモルファスセレン、アモ
ルファスシリコン等、有機光導電層としてポリビニルカ
ルバゾールにトリニトロフルオレノンを添加した単層構
造のものや、電荷発生層としてアゾ系の顔料をポリビニ
ルブチラール等の樹脂中に分散したものと電荷移動層と
してヒドラゾン誘導体をポリカーボネート等の樹脂と混
合したものを積層したもの等が使用可能である。一体型
情報記録媒体では、図1(a)に示すように光センサ上
に液晶記録媒体を直接積層するものと、図1(b)に示
すように、透明な誘電体の中間層24を介在させた透過
型のもの、または中間層を誘電体ミラーとした反射型の
ものとがある。2. Description of the Related Art Conventionally, a polymer-dispersed liquid crystal recording medium having a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are separated from each other and formed on an electrode, and a photoconductive layer on the electrode layer There is known an integrated information recording medium in which the formed optical sensor is laminated and an image is recorded by voltage application exposure. FIG. 1 shows such an integrated information recording medium. In the figure, 10 is an optical sensor and 20 is a liquid crystal recording medium.
In the optical sensor 10, a transparent electrode 12 and a photoconductive layer 13 are sequentially laminated on a transparent support 11, and a liquid crystal recording medium 20 has a liquid crystal layer having a resin phase and a liquid crystal phase separated on a transparent electrode 22. The molecular complex layer 23 is laminated. The photoconductive layer 13 has a single layer structure such as amorphous selenium or amorphous silicon as an inorganic photoconductive layer, polyvinylcarbazole to which trinitrofluorenone is added as an organic photoconductive layer, or polyvinyl butyral as an azo pigment as a charge generation layer. It is possible to use, for example, a layer in which a charge dispersion layer is dispersed in a resin such as the above and a layer in which a hydrazone derivative is mixed with a resin such as a polycarbonate as a charge transfer layer are laminated. In the integrated information recording medium, as shown in FIG. 1A, a liquid crystal recording medium is directly laminated on an optical sensor, and as shown in FIG. 1B, a transparent dielectric intermediate layer 24 is interposed. There are a transmissive type and a reflective type in which the intermediate layer is a dielectric mirror.
【0003】図2に示すように、このような一体型情報
記録媒体の電極12、22間に電源30により電圧を印
加し、書き込み光として可視光を照射すると、露光強度
に応じて光導電層13の導電性が変化し、液晶高分子複
合体層23にかかる電界が変化して液晶の配向状態が変
化し、印加電圧をOFFして電界を取り除いた後もその
状態が維持され、画像情報の記録が行われる。As shown in FIG. 2, when a voltage is applied between the electrodes 12 and 22 of such an integral type information recording medium by a power source 30 and visible light is irradiated as writing light, the photoconductive layer is generated according to the exposure intensity. The conductivity of 13 changes, the electric field applied to the liquid crystal polymer composite layer 23 changes, and the alignment state of the liquid crystal changes, which state is maintained even after the applied voltage is turned off and the electric field is removed. Will be recorded.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶記録媒
体と光センサの層厚は、それぞれ6μm、10μm程度
で、一体型情報記録媒体全体の層厚も20μm未満と非
常に薄い。このような記録媒体を、例えば、カメラなど
に収納して撮影しようとした場合、電圧印加のために電
極接点を所定の圧力で押しつけると対向電極との間で導
通が起こってしまったり、あるいは放電が発生して記録
媒体を損傷するなどの問題がある。By the way, the layer thicknesses of the liquid crystal recording medium and the optical sensor are about 6 μm and 10 μm, respectively, and the layer thickness of the entire integrated information recording medium is very thin, less than 20 μm. When such a recording medium is stored in a camera, for example, and an image is taken, if the electrode contact is pressed with a predetermined pressure to apply a voltage, conduction occurs between the recording medium and the counter electrode, or a discharge occurs. Occurs and damages the recording medium.
【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、一体型情報記録媒体の電極接点部における導通や
放電の発生を防止し、カメラ等の製品化に対応できるよ
うにした一体型情報記録媒体の電極接点構造を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and prevents the occurrence of electrical continuity or discharge at the electrode contact portions of the integrated information recording medium, thereby enabling the commercialization of a camera or the like. An object is to provide an electrode contact structure of a recording medium.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂相と液晶
相とが相分離した状態で存在する液晶高分子複合体層を
電極層上に積層した液晶記録媒体と、透明基板上に電極
層、光導電層を形成した光センサとを液晶高分子複合体
層と光導電層が対向するように直接または中間層を介在
させて積層した一体型情報記録媒体において、前記両電
極の一方をパターン状電極、他方を共通電極とし、各パ
ターン状電極と共通電極は、互いに一体型情報記録媒体
の左右反対側の一方の端部が非電極部となっており、各
電極の接点を、相手方電極の非電極部または非電極部と
対向する位置に設けたことを特徴とする。また本発明
は、樹脂相と液晶相とが相分離した状態で存在する液晶
高分子複合体層を電極層上に積層した液晶記録媒体と、
透明基板上に電極層、光導電層を形成した光センサとを
液晶高分子複合体層と光導電層が対向するように直接ま
たは中間層を介在させて積層した一体型情報記録媒体に
おいて、前記両電極の両方ともパターン状電極とし、各
パターン状電極は、互いに一体型情報記録媒体の左右反
対側の一方の端部が非電極部となっており、各電極の接
点を、相手方電極の非電極部または非電極部と対向する
位置に設けたことを特徴とする。また本発明は、樹脂相
と液晶相とが相分離した状態で存在する液晶高分子複合
体層を電極層上に積層した液晶記録媒体と、透明基板上
に電極層、光導電層を形成した光センサとを液晶高分子
複合体層と光導電層が対向するように中間層を介在させ
て積層した一体型情報記録媒体において、前記両電極の
一方をパターン状、他方を共通電極とし、各パターン状
電極と共通電極は、互いに一体型情報記録媒体の左右反
対側の一方の端部が非電極部となっており、さらに中間
層の液晶高分子複合体層側の面の一部に光反射層を形成
するとともに、光センサの電極層と一部重なるように中
間層の液晶高分子複合体層側の面の端部から記録媒体上
面または裏面に引き回して電流モニタ用電極を形成し、
パターン状電極、共通電極、電流モニタ用電極の各接点
を、前記非電極部または非電極部と対向する位置に設け
たことを特徴とする。また本発明は、樹脂相と液晶相と
が相分離した状態で存在する液晶高分子複合体層を電極
層上に積層した液晶記録媒体と、透明基板上に電極層、
光導電層を形成した光センサとを液晶高分子複合体層と
光導電層が対向するように中間層を介在させて積層した
一体型情報記録媒体において、前記両電極の両方ともパ
ターン状電極とし、各パターン状電極は、互いに一体型
情報記録媒体の左右反対側の一方の端部が非電極部とな
っており、さらに中間層の液晶高分子複合体層側の面の
一部に光反射層を形成するとともに、光センサの電極層
と一部重なるように中間層の液晶高分子複合体層側の面
の端部から記録媒体上面または裏面に引き回して電流モ
ニタ用電極を形成し、各パターン状電極、電流モニタ用
電極の各接点を、前記非電極部または非電極部と対向す
る位置に設けたことを特徴とする。The present invention is directed to a liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode on a transparent substrate. Layer, a photosensor having a photoconductive layer formed thereon is laminated directly or with an intermediate layer interposed so that the liquid crystal polymer composite layer and the photoconductive layer face each other. The patterned electrode and the other electrode are used as a common electrode, and the patterned electrode and the common electrode have a non-electrode portion at one end on the left and right opposite sides of the integrated information recording medium. It is characterized in that it is provided at a non-electrode portion of the electrode or at a position facing the non-electrode portion. Further, the present invention is a liquid crystal recording medium comprising a liquid crystal polymer composite layer, which is present in a state where a resin phase and a liquid crystal phase are phase-separated, laminated on an electrode layer,
In an integrated information recording medium, an electrode layer on a transparent substrate, and an optical sensor having a photoconductive layer formed thereon are laminated directly or with an intermediate layer interposed so that the liquid crystal polymer composite layer and the photoconductive layer face each other. Both of the electrodes are patterned electrodes, and one end of each of the patterned electrodes on the opposite side of the integrated information recording medium is a non-electrode part, and the contact of each electrode is the non-electrode part of the other electrode. It is characterized in that it is provided at a position facing the electrode part or the non-electrode part. Further, according to the present invention, a liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode layer and a photoconductive layer are formed on a transparent substrate. In an integrated information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal polymer composite layer and a photoconductive layer are laminated with an intermediate layer interposed, one of the electrodes is patterned and the other is a common electrode. The patterned electrodes and the common electrode have a non-electrode portion at one end on the opposite side of the integrated information recording medium, and a part of the intermediate liquid crystal polymer composite layer side surface is exposed to light. A reflective layer is formed, and a current monitor electrode is formed by drawing the intermediate layer from the end of the liquid crystal polymer composite layer side surface of the intermediate layer to the upper surface or the back surface of the recording medium so as to partially overlap with the electrode layer of the optical sensor.
Each of the contacts of the patterned electrode, the common electrode, and the current monitoring electrode is provided at the non-electrode portion or at a position facing the non-electrode portion. Further, the present invention is a liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer existing in a state where a resin phase and a liquid crystal phase are phase-separated, and an electrode layer on a transparent substrate,
In an integrated information recording medium in which a photosensor having a photoconductive layer is laminated with an intermediate layer interposed so that the liquid crystal polymer composite layer and the photoconductive layer face each other, both electrodes are patterned electrodes. In each of the patterned electrodes, one end portion on the opposite side of the integrated information recording medium is a non-electrode portion, and light is reflected by a part of the surface of the intermediate layer on the liquid crystal polymer composite layer side. A current monitor electrode is formed by forming a layer and drawing it from the end of the liquid crystal polymer composite layer side surface of the intermediate layer to the upper surface or the back surface of the recording medium so as to partially overlap with the electrode layer of the photosensor. Each of the contact points of the patterned electrode and the current monitoring electrode is provided at the non-electrode portion or at a position facing the non-electrode portion.
【0007】[0007]
【作用】本発明は液晶記録記録媒体の電極と光センサの
電極の記録媒体の左右反対側の一方の端部をエッチング
等により除去して非電極部とし、各電極の接点を、相手
方電極の非電極部または非電極部と対向する位置に設
け、さらに中間層に光反射層を形成するとともに、光セ
ンサの電極層と一部重なるように中間層から記録媒体上
面または裏面に引き回して電流モニタ用電極を形成し、
前記非電極部または非電極部と対向する位置に接点を設
けることにより電気接点部における導通や放電の発生を
防止することができる。According to the present invention, one end of the electrode of the liquid crystal recording medium and the end of the electrode of the photosensor on the left and right sides of the recording medium are removed by etching or the like to form a non-electrode portion, and the contact point of each electrode is the contact of the other electrode. It is provided at the non-electrode part or at a position facing the non-electrode part, and a light reflecting layer is further formed on the intermediate layer, and it is drawn from the intermediate layer to the top surface or the back surface of the recording medium so as to partially overlap with the electrode layer of the photosensor, and the current monitor Forming electrodes for
By providing a contact at the non-electrode part or at a position facing the non-electrode part, it is possible to prevent conduction or discharge from occurring in the electrical contact part.
【0008】[0008]
【実施例】図3は本発明の液晶高分子複合体層を有する
記録媒体の電極配置構造を説明する図で、30は基板、
31は情報記録層、32は下部共通電極、33は上部パ
ターン電極である。樹脂相と液晶相とが相分離した状態
で存在する液晶高分子複合体層を有する記録媒体は全体
として20μm程度の厚みであり、これをカメラ等に収
納して銀塩フィルムの代わりの記録媒体として使用する
場合には、電極接点をどのように設けるかは重要な問題
となる。即ち、記録媒体に電圧印加するために電極接点
に電極を押しつけ押圧すると、記録媒体が非常に薄いた
め導通したり、放電が発生する場合があるからである。EXAMPLE FIG. 3 is a view for explaining an electrode arrangement structure of a recording medium having a liquid crystal polymer composite layer of the present invention, 30 is a substrate,
Reference numeral 31 is an information recording layer, 32 is a lower common electrode, and 33 is an upper pattern electrode. A recording medium having a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase-separated state has a thickness of about 20 μm as a whole, and is housed in a camera or the like to replace the silver salt film. When it is used as, it is an important issue how to provide the electrode contact. That is, when the electrode is pressed against the electrode contact to apply a voltage to the recording medium, the recording medium is so thin that conduction or discharge may occur.
【0009】図3(a)に示す断面図、図3(b)の上
面図に示すように、本実施例においては、情報記録層3
1の上側に設けられる電極はパターン状に形成され、情
報記録層31の下側に設けられる電極が共通電極となっ
ており、上部パターン電極33は、右端にエッジから幅
W(非電極部)を残して左端より右端に向かって形成さ
れ、一方、下部共通電極32は、情報記録層31の下面
全面にわたり媒体の左端側にエッジから所定間隔(非電
極部)だけ残して全面に形成され、さらに基板30の側
面を通して裏側に回して形成されている。また、接点C
1は上部パターン電極の左端側で下部共通電極の非電極
部と対向位置(図3の「*」を付した位置)に、一方、
下部共通電極側の接点C2は基板30の裏側で上部パタ
ーン電極33の非電極部の対向位置に設けられている。As shown in the sectional view of FIG. 3A and the top view of FIG. 3B, the information recording layer 3 is used in this embodiment.
The electrode provided on the upper side of 1 is formed in a pattern, the electrode provided on the lower side of the information recording layer 31 is a common electrode, and the upper pattern electrode 33 has a width W (non-electrode portion) from the edge to the right end. Is formed from the left end to the right end, while the lower common electrode 32 is formed on the entire lower surface of the information recording layer 31 on the left end side of the medium, leaving a predetermined interval (non-electrode portion) from the edge. Further, it is formed so as to pass through the side surface of the substrate 30 and turn to the back side. Also, contact point C
1 is a left end side of the upper pattern electrode at a position facing the non-electrode part of the lower common electrode (position marked with “*” in FIG. 3),
The contact C2 on the lower common electrode side is provided on the back side of the substrate 30 at a position facing the non-electrode portion of the upper pattern electrode 33.
【0010】このように接点位置の対向側には相手電極
が形成されておらず、また接点同士は反対側の面に形成
されているため、電極を押圧しても上部パターン電極の
接点C1と下部共通電極32の接点C2間での導通は発
生せず、カメラ等に組み込んでも問題は生じない。As described above, since the mating electrode is not formed on the opposite side of the contact point and the contacts are formed on the opposite side, even if the electrodes are pressed, the contact point C1 of the upper pattern electrode is formed. Conduction does not occur between the contacts C2 of the lower common electrode 32, and there is no problem even when incorporated in a camera or the like.
【0011】図4は本発明の他の実施例を示す図で、図
3の例と違うところは、上部パターン電極33を基板3
0の裏側へ回し、基板の裏側に接点C1を設けた点のみ
である。この例では上部パターン電極と下部共通電極の
接点C1,C2は共に基板30の裏面左端と右端となる
ため電極接点間の導通は発生しない。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. The difference from the example of FIG.
The point is that the contact C1 is provided on the back side of the substrate by turning it to the back side of 0. In this example, the contacts C1 and C2 of the upper pattern electrode and the lower common electrode are both the left end and the right end of the back surface of the substrate 30, so that no conduction occurs between the electrode contacts.
【0012】なお、図3、図4において、電極を基板裏
側に下回りさせる場合、金属箔をはりつけたり、あるい
はスポット溶接等により金属を設けるようにするか、あ
るいはイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等任意の
方法により電極形成すれば良い。In FIGS. 3 and 4, when the electrode is placed below the back side of the substrate, a metal foil is attached or a metal is provided by spot welding, or ion plating, vapor deposition, sputtering, etc. are arbitrarily performed. The electrode may be formed by the above method.
【0013】図5は接点C1,C2に補強電極をさらに
積層するようにした例を示しており、図5(a)、図5
(b)に示すように、例えば上部電極、または下部電極
32(33)に対してAl電極、金電極等コーティン
グ、蒸着 あるいはコーティングとアニールの組み合わ
せ等により形成することにより、接点部分の電極を補強
し、接点不良を起こさないようにしている。この場合、
上部電極や下部電極は強度的に弱いITO等の電極から
なっており、補強電極を設けることによりカメラ等の製
品に適用したときに極めて有効である。FIG. 5 shows an example in which reinforcing electrodes are further laminated on the contacts C1 and C2.
As shown in (b), for example, the upper electrode or the lower electrode 32 (33) is reinforced by forming an Al electrode, a gold electrode, or the like by coating, vapor deposition, or a combination of coating and annealing. However, I try not to cause contact failure. in this case,
The upper electrode and the lower electrode are made of electrodes such as ITO which are weak in strength, and by providing reinforcing electrodes, they are extremely effective when applied to products such as cameras.
【0014】図6は液晶記録媒体への印加電圧あるいは
電圧印加時間の制御のために液晶高分子複合体層の光透
過率あるいは暗部の導電性を測定するようにした電極接
点配置構造の実施例を示す図である。図6の例は、上部
パターン電極、下部共通電極、及び電極接点配置は図3
で示したものと同様であり、これにさらに光反射層、電
流モニタ用電極を設けたものである。FIG. 6 shows an embodiment of an electrode contact arrangement structure in which the light transmittance of a liquid crystal polymer composite layer or the conductivity of a dark part is measured in order to control the applied voltage or voltage application time to a liquid crystal recording medium. FIG. In the example of FIG. 6, the upper pattern electrode, the lower common electrode, and the electrode contact arrangement are shown in FIG.
This is the same as the one shown in (3) above, and is further provided with a light reflecting layer and a current monitor electrode.
【0015】図6において、光導電層13と液晶高分子
複合体層23間の中間層24の面に光反射層42を配置
し、発光ダイオード40より光を照射してその反射光を
CCDセンサ等の受光素子41で受光し、液晶高分子複
合体層23の配向状態を検出する。一方、電流モニタ用
電極43を中間層24の面より、一部が上部電極33と
重なり部分を有するようにして基板30の裏側に下回し
して形成し、下部共通電極32と電流モニタ用電極43
との間に流れる電流を測定することにより、光センサの
導電率を測定するようにしている。この液晶高分子複合
体層の光透過率あるいは光センサの導電性を測定するこ
とにより撮影条件を最適状態に設定できる。なお、図6
において、上部電極の接点C1は下部電極がエッチング
された部分で、かつ電流モニタ用電極43と交差しない
ような部分に設け、下部共通電極の接点C2は基板裏面
とし、電流モニタ用電極43の接点C3は基板裏面とし
て接点C2と反対側としている。また、上部電極のパタ
ーニング法としては、マスクドライパターニングが望ま
しく、また、下部電極はレジストパターニング、マスク
ドライパターン、レジストドライエッチング等により形
成すれば良い。In FIG. 6, a light reflection layer 42 is arranged on the surface of the intermediate layer 24 between the photoconductive layer 13 and the liquid crystal polymer composite layer 23, and light is emitted from the light emitting diode 40 to reflect the reflected light. The light is received by the light receiving element 41 such as, and the alignment state of the liquid crystal polymer composite layer 23 is detected. On the other hand, the current monitoring electrode 43 is formed below the surface of the intermediate layer 24 so as to partially overlap the upper electrode 33, and is formed below the back surface of the substrate 30 to form the lower common electrode 32 and the current monitoring electrode. 43
The electrical conductivity of the optical sensor is measured by measuring the current flowing between the sensor and the sensor. By measuring the light transmittance of the liquid crystal polymer composite layer or the conductivity of the photosensor, the photographing condition can be set to the optimum state. Note that FIG.
, The contact C1 of the upper electrode is provided in a portion where the lower electrode is etched and does not intersect with the current monitoring electrode 43, and the contact C2 of the lower common electrode is the back surface of the substrate, and the contact of the current monitoring electrode 43. C3 is the back surface of the substrate and is on the opposite side of the contact C2. Further, as the patterning method of the upper electrode, mask dry patterning is desirable, and the lower electrode may be formed by resist patterning, mask dry pattern, resist dry etching or the like.
【0016】次に図7,図8により下部電極を共通電極
とし、上部電極をパターン形状としたときの電極配置の
組み合わせについて説明する。なお、図7(a)〜
(d)、図8(a)〜(d)において、同図(a−1)
〜(d−1)は上面図、同図(a−2)〜(d−2)は
側面図である。Next, a combination of electrode arrangements when the lower electrode is a common electrode and the upper electrode is a pattern will be described with reference to FIGS. In addition, FIG.
(D) and FIGS. 8 (a) to 8 (d), (a-1) in FIG.
-(D-1) is a top view, (a-2)-(d-2) is a side view.
【0017】図7(a)に示す例は、上部電極、下部共
通電極の接点C1,C2とも記録層の上面側に設けたも
ので、上部電極の接点C1は下部共通電極32がエッチ
ングされた部分、下部共通電極32の接点C2は、電極
の一部を記録層の上面まで上回しして上部電極を避けた
位置としている。従って、図7(a)の例では、上部電
極、下部共通電極とも上面側が電気接点部となる。In the example shown in FIG. 7A, the contacts C1 and C2 of the upper electrode and the lower common electrode are both provided on the upper surface side of the recording layer, and the lower common electrode 32 is etched at the contact C1 of the upper electrode. The contact C2 of the partial and lower common electrode 32 is located at a position avoiding the upper electrode by moving a part of the electrode to the upper surface of the recording layer. Therefore, in the example of FIG. 7A, the upper surface of both the upper electrode and the lower common electrode serves as an electrical contact portion.
【0018】図7(b)の例では、下部共通電極32の
接点C2は、電極の一部を基板の裏側へ下回りさせて上
部電極を避けた位置に設け、上部電極の接点C1は記録
層の上面で下部電極を避けた位置としており、各電極の
電気接点部は互いに反対側の面となる。In the example of FIG. 7B, the contact C2 of the lower common electrode 32 is provided at a position where a part of the electrode is lowered to the back side of the substrate to avoid the upper electrode, and the contact C1 of the upper electrode is the recording layer. The upper surface of the electrode is located so as to avoid the lower electrode, and the electric contact portions of the respective electrodes are surfaces on the opposite sides.
【0019】図7(c)は上部電極33は下回りさせて
基板の裏側の右端を接点C1とし、下部共通電極32の
接点C2は、電極の一部を上回りさせて媒体の上側で上
部電極を避けた右端ととして、互いに媒体の上側および
基板裏面側が電気接点部となるようにしている。In FIG. 7 (c), the upper electrode 33 is turned downward and the right end on the back side of the substrate is used as a contact point C1, and the contact C2 of the lower common electrode 32 is turned over a part of the electrode so that the upper electrode is turned above the medium. As the right end that is avoided, the upper side of the medium and the back side of the substrate serve as electrical contact portions.
【0020】図7(d)は上部電極、下部共通電極とも
基板裏側へ下回りさせ、互いに電極が重ならない位置を
接点C1,C2としている。In FIG. 7 (d), both the upper electrode and the lower common electrode are lowered to the back side of the substrate, and the positions where the electrodes do not overlap each other are defined as contacts C1 and C2.
【0021】図8(a)は上部電極と下部電極とも媒体
の上面の左右反対側位置に電極接点を設けた例であり、
互いに相手側電極の非電極部または非電極部と対向する
位置を接点C1,C2としている。FIG. 8A shows an example in which electrode contacts are provided on the opposite sides of the upper surface of the medium to the left and right sides of both the upper electrode and the lower electrode.
Contact points C1 and C2 are the non-electrode portions of the counter electrodes or the positions facing the non-electrode portions.
【0022】図8(b),(c),(d)は、図7
(b),(c),(d)に対して接点C1,C2の位置
が左右反対側となるようにしている以外は同じである。8 (b), (c) and (d) are shown in FIG.
It is the same as (b), (c) and (d) except that the positions of the contacts C1 and C2 are on the left and right sides.
【0023】このように、上部電極と下部電極の接点C
1,C2の配置例は、媒体の上下、媒体の左右を考慮し
てこれら8通りが考えられ、互いの接点を通して導通が
生じないように工夫することが可能である。このような
上部電極と下部電極の接点位置の組み合わせに加えて、
さらに図6で説明した電流モニタ電極を媒体の上下、媒
体の左右に設ける組み合わせも可能であり、これら各組
み合わせに基づいてそれぞれの接点を設けることが可能
である。In this way, the contact point C between the upper electrode and the lower electrode
Considering the upper and lower sides of the medium and the right and left sides of the medium, eight examples of the arrangement examples of C1 and C2 are possible, and it is possible to devise so that conduction does not occur through the mutual contact points. In addition to such combinations of contact positions of the upper and lower electrodes,
Further, it is possible to combine the current monitor electrodes described above with reference to FIG. 6 above and below the medium and to the left and right of the medium, and it is possible to provide respective contacts based on these combinations.
【0024】図9、図10は下部電極をパターン状電
極、上部電極を共通電極とした実施例を示す図である。
図9の例においては、下部電極32を基板30の裏側へ
下回りさせ、上部共通電極33、下部電極32がそれぞ
れエッチングされて相手方電極が存在しない端部位置に
接点C1,C2を形成している。本実施例においても、
図3〜図8で説明したように、媒体の上下、媒体の左右
を考慮して互いの接点が短絡しないような組み合わせと
することが可能である。9 and 10 are views showing an embodiment in which the lower electrode is a patterned electrode and the upper electrode is a common electrode.
In the example of FIG. 9, the lower electrode 32 is lowered to the back side of the substrate 30, and the upper common electrode 33 and the lower electrode 32 are respectively etched to form contacts C1 and C2 at the end positions where the opposite electrode does not exist. . Also in this embodiment,
As described with reference to FIGS. 3 to 8, it is possible to consider the upper and lower sides of the medium and the right and left sides of the medium so that the contact points of the two are not short-circuited.
【0025】図10はさらに液晶透過率測定用反射層、
光センサの暗電流測定用電極を設けた例を示しており、
上部電極を共通電極、下部電極をパターン状電極とした
点を除けば、図6に示した例と同様で、この場合も上部
電極と下部電極の接点位置の組み合わせに対して、さら
に図電流モニタ電極を媒体の上下、媒体の左右に設ける
組み合わせも可能である。FIG. 10 further shows a reflective layer for measuring liquid crystal transmittance,
It shows an example of providing a dark current measurement electrode of the optical sensor,
Similar to the example shown in FIG. 6, except that the upper electrode is a common electrode and the lower electrode is a patterned electrode. In this case as well, the current monitor for the combination of the contact positions of the upper electrode and the lower electrode is further illustrated. A combination in which electrodes are provided above and below the medium and on the left and right of the medium is also possible.
【0026】図11は上部電極、下部電極ともパターン
状とした例を示している。なお、図11(a),(b)
において、同図(a−1),(b−1)は側面図、同図
(a−2),(b−2)は上面図である。図11(a)
においては、上部電極、下部電極とも下回りさせて基板
の裏側より接点C1,C2を取り出し、一方、図11
(b)の例においては、下部電極のみ下回りさせ、上部
電極は上面に接点C1、下部電極は基板裏側に接点C2
を設けている。FIG. 11 shows an example in which both the upper electrode and the lower electrode are patterned. In addition, FIG. 11 (a), (b)
In the figure, (a-1) and (b-1) are side views and (a-2) and (b-2) are top views. FIG. 11 (a)
In FIG. 11, the contacts C1 and C2 are taken out from the back side of the substrate by lowering both the upper electrode and the lower electrode.
In the example of (b), only the lower electrode is turned downward, the upper electrode has a contact point C1 on the upper surface, and the lower electrode has a contact point C2 on the back side of the substrate.
Is provided.
【0027】図12は上部電極、下部電極ともパターン
状とした場合に、さらに光反射層42、電流モニタ用電
極43を設けた例を示したものである。図12(a)は
正面図、図12(b)は上面図、図12(c)は側面図
であり、本実施例においては、上部電極、下部電極、電
流モニタ用電極とも下回りさせて、基板の裏側に接点C
1,C2,C3を設け、電流モニタ用電極43は図12
(b)に示すように、非画像部Aに設けるようにして暗
電流の測定を行えるようにしている。FIG. 12 shows an example in which a light reflecting layer 42 and a current monitoring electrode 43 are further provided when both the upper electrode and the lower electrode are patterned. 12 (a) is a front view, FIG. 12 (b) is a top view, and FIG. 12 (c) is a side view. In the present embodiment, the upper electrode, the lower electrode, and the current monitoring electrode are both lowered, Contact C on the back side of the board
1, C2, C3 are provided, and the current monitoring electrode 43 is shown in FIG.
As shown in (b), it is provided in the non-image portion A so that the dark current can be measured.
【0028】図13は上部電極、下部電極ともパターン
状として、かつ光反射層、電流モニタ用電極を設けた他
の実施例を示しており、本実施例においては、上部電極
の接点C1を上面に,下部電極の接点C2は下回しして
基板裏面に、電流モニタ用電極の接点C3は下回しして
基板裏面に設けている。FIG. 13 shows another embodiment in which both the upper electrode and the lower electrode are patterned, and a light reflecting layer and a current monitor electrode are provided. In this embodiment, the contact C1 of the upper electrode is on the upper surface. Further, the contact C2 of the lower electrode is provided on the back surface of the substrate while being lowered, and the contact C3 of the electrode for current monitoring is provided on the back surface of the substrate.
【0029】〔光センサの構成及び材料説明〕本発明の
光センサの光導電層は単層から構成されている場合と積
層体から構成されている場合があり、ここでは積層型光
センサについて説明する。図14は積層型光センサを説
明するための断面図であり、図中11は基板、12は電
極、13は光導電層で、13′は電荷発生層、13″は
電荷輸送層である。図に示すように、積層型光センサは
電極上に電荷発生層、電荷輸送層を順次積層して形成さ
れる。電荷発生層13′は電荷発生性物質とバインダか
らなる。電荷発生性物質としては、ピリリウム系染料、
アズレニウム系染料、スクアリリウム塩系染料、フタロ
シアニン系顔料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、
インジゴ系顔料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等の染
料、顔料を単独あるいは複数のものを組み合わせて使用
することができる。バインダとしては、例えばポリカー
ボネート樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセター
ル樹脂、ビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙
げられ、それぞれバインダ樹脂を単独または複数のもの
を組み合わせて使用することができる。これらの電荷発
生剤とバインダの混合比は、電荷発生剤1重量部に対し
てバインダを0.1〜10重量部、好ましくは0.2〜
1重量部の割合で使用することが望ましい。電荷発生層
は乾燥後膜厚として0.01〜1μmであり、好ましく
は0.1〜0.5μmとするとよく、このような膜厚と
することによって良好な感度と画質を示す。また、先に
示した電荷発生性物質で蒸着可能のものは、バインダを
用いず、単独で成膜することもできる。[Structure and Material Description of Optical Sensor] The photoconductive layer of the optical sensor of the present invention may be composed of a single layer or a laminated body. Here, the laminated optical sensor will be described. To do. FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining the laminated photosensor, in which 11 is a substrate, 12 is an electrode, 13 is a photoconductive layer, 13 'is a charge generation layer, and 13' is a charge transport layer. As shown in the figure, the stacked photosensor is formed by sequentially stacking a charge generation layer and a charge transport layer on an electrode, and the charge generation layer 13 'includes a charge generation substance and a binder. Is a pyrylium dye,
Azurenium dye, squarylium salt dye, phthalocyanine pigment, perylene pigment, polycyclic quinone pigment,
Indigo pigments, pyrrole pigments, azo pigments, and other dyes and pigments can be used alone or in combination. Examples of the binder include polycarbonate resin, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, vinyl butyral resin, polyester resin, acrylic resin, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin and the like. The binder resins may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the charge generating agent and the binder is 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.2 to 10 parts by weight of the binder with respect to 1 part by weight of the charge generating agent.
It is desirable to use 1 part by weight. The thickness of the charge generation layer after drying is 0.01 to 1 μm, preferably 0.1 to 0.5 μm, and such a film thickness shows good sensitivity and image quality. In addition, the above-described charge-generating substance that can be vapor-deposited can also be formed alone without using a binder.
【0030】電荷輸送層13″は電荷輸送性物質とバイ
ンダとからなる。電荷輸送性物質は、電荷発生層で発生
した電荷の輸送特性が良い物質であり、例えば、オキサ
ゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチ
リル系、スチルベン系、ヒドラゾン系、カルバゾール
系、エナミン系、芳香族アミン系、トリフェニルアミン
系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系等があり、ホー
ル輸送特性の良い物質とすることが必要である。バイン
ダとしては、前記した電荷発生層におけるバインダと同
様のもの、さらにスチレン樹脂、スチレン―ブタジエン
共重合体樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂が
使用できるが、好ましくはスチレン樹脂、スチレン―ブ
タジエン共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂である。
バインダは電荷輸送性物質1重量部に対して0.1〜1
0重量部、好ましくは0.1〜1重量部の割合で使用す
ることが望ましい。電荷輸送層は乾燥後膜厚として1〜
50μmであり、好ましくは3〜20μmとするとよ
く、このような膜厚とすることによって良好な感度と画
質が得られる。The charge-transporting layer 13 "comprises a charge-transporting substance and a binder. The charge-transporting substance is a substance having a good property of transporting charges generated in the charge-generating layer, and is, for example, an oxazole-based, thiazole-based or triazole-based. There are phenylmethane type, styryl type, stilbene type, hydrazone type, carbazole type, enamine type, aromatic amine type, triphenylamine type, butadiene type, polycyclic aromatic compound type, etc., and make them substances with good hole transport properties. As the binder, the same binders as those in the charge generation layer described above, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, polyarylate resin, phenoxy resin can be used, but preferably styrene resin, These are styrene-butadiene copolymer resins and polycarbonate resins.
The binder is 0.1 to 1 with respect to 1 part by weight of the charge transport material.
It is desirable to use 0 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight. The thickness of the charge transport layer after drying is 1 to
The thickness is 50 μm, preferably 3 to 20 μm. With such a thickness, good sensitivity and image quality can be obtained.
【0031】電極12は、後述する情報記録媒体が不透
明であれば透明性を有することが必要であるが、情報記
録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いずれで
もよく、106Ω・cm以下の比抵抗を安定して与える
材料、例えば金、白金、亜鉛、チタン、銅、鉄、錫等の
金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の金
属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導電膜等
を、単独あるいは二種以上の複合材料として用いること
ができる。なかでも酸化物導電体が好ましく、特に酸化
インジウム錫(ITO)が好ましい。The electrodes 12, it is necessary to have a transparency if opaque later information recording medium, transparent if the information recording medium has a transparency may be either opaque, 10 6 Omega · A material that stably gives a specific resistance of not more than cm, for example, a metal thin film conductive film of gold, platinum, zinc, titanium, copper, iron, tin, tin oxide, indium oxide, zinc oxide,
A metal oxide conductive film such as titanium oxide, tungsten oxide or vanadium oxide, an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt or the like can be used alone or as a composite material of two or more kinds. Of these, oxide conductors are preferable, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferable.
【0032】電極12は蒸着、スパッタリング、CV
D、コーティング、メッキ、ディッピング、電界重合等
の方法により形成される。またその膜厚は電極を構成す
る材料の電気特性、および情報記録の際の印加電圧によ
り変化させる必要があるが、例えばITO膜では10〜
300nm程度であり、情報記録層との間の全面、或い
は任意のパターンに合わせて形成される。また、二種類
以上の材料を積層して用いることもできる。The electrode 12 is formed by vapor deposition, sputtering or CV.
It is formed by a method such as D, coating, plating, dipping, or electric field polymerization. The film thickness needs to be changed depending on the electrical characteristics of the material forming the electrodes and the applied voltage at the time of recording information.
It has a thickness of about 300 nm and is formed over the entire surface between the information recording layer and an arbitrary pattern. Further, two or more kinds of materials can be laminated and used.
【0033】基板11は、後述する情報記録媒体が不透
明であれば透明性を有することが必要であるが、情報記
録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いずれで
もよく、カード、フィルム、テープ、シート、ディスク
等の形状を有し、光センサを強度的に支持するものであ
る。例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、或いは
ガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチ
ルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等の
プラスチックシート、カード等の剛体が使用される。The substrate 11 is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque, but if the information recording medium is transparent, it may be transparent or opaque. It has a shape of a tape, a sheet, a disk, etc. and strongly supports the optical sensor. For example, a flexible plastic film, a plastic sheet such as glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyester, polycarbonate, or a rigid body such as a card is used.
【0034】なお、基板の電極12が設けられる面の他
方の面には、電極12が透明であれば必要に応じて反射
防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効果を
発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、更に両者を組
み合わせることにより反射防止性を付与するとよい。If the electrode 12 is transparent, a layer having an antireflection effect may be laminated on the other surface of the substrate on which the electrode 12 is provided, or the antireflection effect may be exhibited. The antireflection property may be imparted by adjusting the thickness of the transparent substrate or by combining the two.
【0035】光導電層には電子受容性物質、増感色素、
酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤等を添加してもよ
い。電子受容性物質および増感色素にはベース電流の調
整、ベース電流の安定化、増感等の作用がある。それぞ
れ光導電性物質1重量部に対して0.001〜10重量
部、好ましくは0.01〜1重量部の割合で添加され
る。0.001重量部よりも少ないと作用を示さず,1
0重量部よりも多い場合には、画質に悪影響を与える。The photoconductive layer contains an electron-accepting substance, a sensitizing dye,
Antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers and the like may be added. The electron-accepting substance and the sensitizing dye have the functions of adjusting the base current, stabilizing the base current, and sensitizing. Each is added in an amount of 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the photoconductive substance. If it is less than 0.001 part by weight, it does not show any action,
If the amount is more than 0 parts by weight, the image quality is adversely affected.
【0036】また、光センサの電極と光導電層の間に光
誘起電流増幅層を設けてもよい。A photo-induced current amplification layer may be provided between the photosensor electrode and the photoconductive layer.
【0037】光誘起電流増幅層は、電極12と光導電層
13または電荷発生層13′間に設けられるもので、そ
の詳細な理由は不明であるが、光センサにおける光誘起
によって発生した電流を増幅する作用や、電極12から
光導電層13または電荷発生層13′への電荷キャリヤ
注入性を制御して情報記録媒体に実質的に印加される電
圧を調節する作用、および、電極12から光導電層13
または電荷発生層13′への電荷キャリヤ注入性を均一
化し、情報記録媒体へ記録する情報のノイズ、ムラ等を
軽減する作用を有している。The photo-induced current amplification layer is provided between the electrode 12 and the photoconductive layer 13 or the charge generation layer 13 '. The detailed reason for this is unknown, but the current generated by photo induction in the photosensor is The function of amplifying, controlling the charge carrier injecting property from the electrode 12 to the photoconductive layer 13 or the charge generating layer 13 'to control the voltage substantially applied to the information recording medium, and the function of amplifying the light from the electrode 12 Conductive layer 13
Alternatively, it has a function of making charge carrier injecting property into the charge generation layer 13 'uniform and reducing noise and unevenness of information recorded on the information recording medium.
【0038】光誘起電流増幅層には、前記した電荷発生
層におけるバインダと同様のものが使用可能であり、さ
らに、可溶性ポリアミド、フェノール樹脂、ポリウレタ
ン、ポチウレア、カゼイン、ポリペプチド、ポリビニル
アルコール、ポリビニルピロリドン、無水マレイン酸エ
ステル重合体、第四級アンモニウム塩含有重合体、セル
ロース化合物等を使用することができ、それぞれバイン
ダ樹脂を単独または複数のものを組み合わせて使用する
ことができる。特にビニルホルマール樹脂、ビニルアセ
タール樹脂、ビニルブチラール樹脂が好ましい。光誘起
電流増幅層の厚さは、0.01〜10μm,好ましくは
0.3〜3μmが良く、ディップコーティング、ロール
コーティング、スピンコーティング等の方法によって塗
布することができる。0.01μmよりも薄いと、画像
ノイズの軽減作用はなくなり、また10μmよりも厚い
と電極から電荷発生層への電荷キャリヤ注入を妨げてし
まう。For the photoinduced current amplification layer, the same binders as those used in the charge generation layer described above can be used, and further, soluble polyamide, phenol resin, polyurethane, potiurea, casein, polypeptide, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone. , A maleic anhydride polymer, a quaternary ammonium salt-containing polymer, a cellulose compound and the like can be used, and the binder resins can be used alone or in combination of two or more. Particularly, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, and vinyl butyral resin are preferable. The thickness of the photoinduced current amplification layer is preferably 0.01 to 10 μm, preferably 0.3 to 3 μm, and it can be applied by a method such as dip coating, roll coating, spin coating or the like. If it is thinner than 0.01 μm, the effect of reducing image noise is lost, and if it is thicker than 10 μm, injection of charge carriers from the electrode to the charge generation layer is hindered.
【0039】また、光誘起電流増幅層には必要に応じ
て、各種の電子受容性物質、光導電性物質、無機塩類、
有機塩類が添加され、それぞれ添加物を単独または複数
のものを組み合わせて使用することができる。If necessary, the photoinduced current amplification layer may include various electron-accepting substances, photoconductive substances, inorganic salts,
Organic salts are added, and the additives can be used alone or in combination of two or more.
【0040】これらの添加物は、バインダ樹脂100ユ
ニットモル部に対して、0.1〜1000モル部、好ま
しくは1〜100モル部の割合で添加され、それぞれ添
加物を単独または複数のものを組み合わせて使用するこ
とができ、特に、置換ベンゾキノン類とアゾ顔料との組
合せのように電子受容性化合物と有機光導電性顔料を組
み合わせて用いることにより大きな増幅作用が得られ好
ましい。These additives are added in a proportion of 0.1 to 1000 parts by mol, preferably 1 to 100 parts by mol, relative to 100 parts by mol of the binder resin. They can be used in combination, and in particular, it is preferable to use a combination of an electron-accepting compound and an organic photoconductive pigment such as a combination of a substituted benzoquinone and an azo pigment because a large amplifying effect can be obtained.
【0041】〔積層型光センサの作製〕充分洗浄した厚
さ1.1mmのガラス基板上に、スパッタリングにより
面積抵抗80Ω/口、膜厚100nmのITO膜を成膜
し、電極を得た。電極をスクラバー洗浄機(商品名プレ
ートクリーナー モデル602 ウルトラテック社)に
て、純水噴射2秒、スクラバー洗浄20秒、純水リンス
15秒、高速回転による水分の除去25秒、赤外線乾燥
55秒の洗浄処理を2回行った。その電極上に電荷発生
性物質をして下記構造[Production of Laminated Photosensor] An ITO film having a sheet resistance of 80 Ω / port and a film thickness of 100 nm was formed by sputtering on a sufficiently washed glass substrate having a thickness of 1.1 mm to obtain an electrode. The electrode is cleaned with a scrubber cleaning machine (trade name: Plate Cleaner Model 602 Ultratech Co., Ltd.) for 2 seconds of pure water injection, 20 seconds of scrubber cleaning, 15 seconds of pure water rinse, 25 seconds of water removal by high speed rotation, 55 seconds of infrared drying. The washing process was performed twice. A charge generating substance is placed on the electrode and the following structure
【0042】[0042]
【化1】 Embedded image
【0043】を有するビスアゾ顔料3重量部、塩化ビニ
ル―酢酸ビニル混合樹脂(電気化学工業製 デンカビニ
ール #1000Dとアルドリッチ社製 18,32
5.89J 酢酸ビニル樹脂との75:25の混合物)
1重量部とを、1,4―ジオキサン98重量部、シクロ
ヘキサノン98重量部と混合し、混合機により充分に混
練を行い塗布液とし、スピンナーにて1400rpm、
0.4秒でコーティングし、コーティング後、塗膜の表
面に皮膜が形成されて、塗膜の表面が付着しなくなるま
での間、無塵下で放置しレベリング乾燥を行った後、1
00℃,1時間乾燥して膜厚300nmの電荷発生層を
積層した。3 parts by weight of a bisazo pigment having a vinyl chloride-vinyl acetate mixed resin (Denka Vinyl # 1000D manufactured by Denki Kagaku Kogyo and 18,32 manufactured by Aldrich).
5.89J 75:25 mixture with vinyl acetate resin)
1 part by weight was mixed with 98 parts by weight of 1,4-dioxane and 98 parts by weight of cyclohexanone, and sufficiently kneaded with a mixer to obtain a coating solution, which was spun at 1400 rpm,
After coating for 0.4 seconds, after coating, a film is formed on the surface of the coating film, and the coating film surface is left without dust until leveling and drying, and then 1
After drying at 00 ° C. for 1 hour, a charge generation layer having a film thickness of 300 nm was laminated.
【0044】この電荷発生層上に、電荷輸送性物質とし
て下記構造On the charge generating layer, the following structure was formed as a charge transporting substance.
【0045】[0045]
【化2】 Embedded image
【0046】を有するブタジエン誘導体(アナン製 T
―405)50重量部とスチレン―ブタジエン共重合体
樹脂(電気化学工業製 クリアレン730L)10重量
部とをクロロベンゼン68重量部、ジクロロメタン68
重量部、1,1,2―トリクロロエタン136重量部と
を均一に溶解し塗布液とし、スピンナーにて350rp
m、0.4秒でコーティングし、塗膜の表面に皮膜が形
成されて、塗膜の表面が付着しなくなるまでの間、無風
下で放置しレベリング乾燥を行った後、80℃、2時間
乾燥して電荷輸送層を積層し、電荷発生層と電荷輸送層
とからなる膜厚20μmの光導電層を有する本発明にお
ける光センサを作製し、室温、相対湿度60%以下の暗
所下で3日間エージングを行った。A butadiene derivative having
-405) 50 parts by weight and 10 parts by weight of styrene-butadiene copolymer resin (Clearene 730L manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) were added to 68 parts by weight of chlorobenzene and 68 parts of dichloromethane.
Parts by weight and 136 parts by weight of 1,1,2-trichloroethane are uniformly dissolved to obtain a coating solution, which is 350 rpm with a spinner.
After coating for 0.4 m, the film is formed on the surface of the film, and the film is left in the windless state until leveling does not occur. After leveling and drying, 80 ° C for 2 hours. An optical sensor according to the present invention having a photoconductive layer having a film thickness of 20 μm, which comprises a charge generation layer and a charge transport layer, is prepared by drying and stacking the charge transport layer, and the photosensor is manufactured at room temperature and a relative humidity of 60% or less in a dark place. It was aged for 3 days.
【0047】〔情報記録媒体の構成及び材料〕情報記録
媒体20について説明する。まず、本発明における情報
記録媒体としては、その情報記録層が高分子分散型液晶
とする場合が挙げられる。[Structure and Material of Information Recording Medium] The information recording medium 20 will be described. First, as an information recording medium in the present invention, a case where the information recording layer is a polymer dispersed liquid crystal is mentioned.
【0048】高分子分散型液晶は液晶相中に樹脂粒子が
分散した構造を有しているが、液晶材料は、スメクチッ
ク液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶あるいは
これらの混合物を使用することができる。液晶として
は、その配向性を保持し、情報を永続的に保持させる、
所謂メモリー性の観点から、スメクチック液晶を使用す
るのが好ましい。The polymer-dispersed liquid crystal has a structure in which resin particles are dispersed in the liquid crystal phase, and the liquid crystal material may be a smectic liquid crystal, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof. As a liquid crystal, it retains its orientation and holds information permanently,
From the viewpoint of so-called memory property, it is preferable to use a smectic liquid crystal.
【0049】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素基が長いシアノビフェニル系、シ
ノターフェニル系、フェニルエステル系、更にフッソ系
等のスメクチックA相を呈する液晶物資、強誘電性液晶
として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物資、
或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶物質
等が挙げられる。Examples of the smectic liquid crystal include a liquid crystal substance exhibiting a smectic A phase such as a cyanobiphenyl type, a sinoterphenyl type, a phenyl ester type having a long carbon group as a terminal group of a substance exhibiting liquid crystallinity, and a ferroelectric substance having a ferroelectric property. A liquid crystal material exhibiting a smectic C phase used as a liquid crystal,
Alternatively, a liquid crystal substance exhibiting smectic H, G, E, F or the like can be given.
【0050】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマ
ーオリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性を
有するものを好ましく使用できる。このような紫外線硬
化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メタク
リル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料と共
通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、
例えばアクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリスチレン樹脂、およびこれらを主体とした共重
合体等、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用しても
よい。The material for forming the resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin which is compatible with the liquid crystal material in the state of monomer or oligomer, or a solvent common to the liquid crystal material in the state of monomer oligomer. Those having compatibility can be preferably used. Examples of such an ultraviolet curable resin include acrylic acid ester and methacrylic acid ester. In addition, a solvent-soluble thermosetting resin having compatibility with a liquid crystal material and a common solvent,
For example, an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyester resin, a polystyrene resin, a copolymer containing these as a main component, an epoxy resin, a silicone resin, or the like may be used.
【0051】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
率が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、10重量%未
満であると情報記録により液晶相が配向しても光透過性
が低く、また、90重量%を越えると液晶しみ出し等の
現象が生じ、画像むらが生じ好ましくない。The ratio of the liquid crystal material to the resin used is such that the liquid crystal content is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight.
It is preferable to use it in an amount of 80% by weight, and if it is less than 10% by weight, the light transmittance is low even if the liquid crystal phase is aligned due to information recording, and if it exceeds 90% by weight, a phenomenon such as liquid crystal bleeding occurs. However, image unevenness is not preferable.
【0052】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmをするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。Since the film thickness of the information recording layer affects the resolution, the film thickness after drying is 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm.
It is preferable that the thickness is in the range of 8 μm to 8 μm, and the operating voltage can be lowered while maintaining high resolution. If the film thickness is too thin, the contrast of the information recording portion will be low, and if it is too thick, the operating voltage will be high, which is not preferable.
【0053】〔情報記録媒体の作製〕厚さ1.1mmの
ガラス基板上に導電層として、膜厚100nmのITO
膜をスパッタリングにより成膜、電極を得たのち、表面
洗浄を行った。[Fabrication of Information Recording Medium] ITO having a thickness of 100 nm was formed as a conductive layer on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm.
After the film was formed by sputtering and the electrode was obtained, the surface was washed.
【0054】この電極上に、多官能性モノマー(ジペン
タエリストールヘキサアクリレート、東亜合成化学製、
M―400)40重量部、光硬化開始剤(2―ヒドロキ
シ―2―メチル―1―フェニルプロパン―1―オン、―
チバガイギー社製、ダロキュア1173)2重量部、液
晶を50重量部(そのうちスメクチック液晶(メルク社
製、S―6)が90%、ネマチック液晶(メルク社製、
E31LV)が10%)、界面活性剤(住友スリーエム
社製、フロラードFC―430)3重量部をキシレン9
6重量部中に均一に溶解して得た塗布液を、50μmの
ギャップを設けたブレードコーターを用いてコーティン
グした後、47℃で3分間乾燥し、次いで47℃で2分
間減圧乾燥を行い、直ちに0.3J/cm2の紫外線照
射によって塗布膜を硬化させ、膜厚6μmの情報記録層
を有する情報記録媒体を得た。On this electrode, a polyfunctional monomer (dipentaerythritol hexaacrylate, manufactured by Toagosei Kagaku,
M-400) 40 parts by weight, photo-curing initiator (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one,-
Ciba Geigy, Darocure 1173) 2 parts by weight, liquid crystal 50 parts by weight (90% of smectic liquid crystal (Merck S-6), nematic liquid crystal (Merck),
10% of E31LV), 3 parts by weight of a surfactant (Sumitomo 3M, Florard FC-430) in xylene 9
The coating solution obtained by uniformly dissolving in 6 parts by weight was coated using a blade coater having a gap of 50 μm, dried at 47 ° C. for 3 minutes, and then dried at 47 ° C. for 2 minutes under reduced pressure. Immediately, the coating film was cured by irradiation with 0.3 J / cm 2 of ultraviolet rays to obtain an information recording medium having an information recording layer having a film thickness of 6 μm.
【0055】情報記録層面を熱メタノールを用いて液晶
を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡(日立製作
所製 S―800)で1000倍で内部構造を観察した
ところ、層の表面は0.6μmの紫外線硬化型樹脂で覆
われ、層内部には連続層を成す液晶相中に、粒径0.1
μmの樹脂粒子相が充填した構造を有していた。After the liquid crystal was extracted from the information recording layer surface with hot methanol and dried, the internal structure was observed with a scanning electron microscope (S-800 manufactured by Hitachi, Ltd.) at 1000 times. It is covered with a UV-curable resin of 0.6 μm and has a particle size of 0.1 in the liquid crystal phase forming a continuous layer inside the layer.
It had a structure filled with a resin particle phase of μm.
【0056】〔一体型の中間層の構成及び材料〕図15
は本発明の情報記録システムの例を示す断面図であり、
図中21は基板、22は電極、23は情報記録層、24
は誘電体層であり、また、図2と同一符号は同一内容を
示す。[Structure and Material of Integrated Intermediate Layer] FIG.
Is a cross-sectional view showing an example of the information recording system of the present invention,
In the figure, 21 is a substrate, 22 is an electrode, 23 is an information recording layer, 24
Is a dielectric layer, and the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same contents.
【0057】この情報記録システムは、光センサと情報
記録体とを直接積層するか、あるいは両者を分離して対
向配置する情報記録システムに対して、光センサと情報
記録体とを誘電体層20を介して直接積層したものであ
る。この情報記録システムは、光センサにおける光導電
層が溶媒を使用して塗布形成される場合に特に適してお
り、光導電層上に情報記録層を直接塗布形成すると、そ
れらの相互作用により情報記録における液晶が溶出した
り、又、情報記録層形成用の溶媒により光導電材料が溶
出することによる画像ムラを防止することができ、また
光センサと情報記録媒体との一体化を可能とするもので
ある。In this information recording system, the optical sensor and the information recording body are directly laminated, or the optical sensor and the information recording body are separated from each other and opposed to each other. It is directly laminated through. This information recording system is particularly suitable when the photoconductive layer in the optical sensor is formed by coating using a solvent, and when the information recording layer is directly formed by coating on the photoconductive layer, the information recording is caused by their interaction. Which can prevent image unevenness due to liquid crystal elution in the above or the photoconductive material being eluted due to the solvent for forming the information recording layer, and also enables integration of the optical sensor and the information recording medium. Is.
【0058】誘電体層24は、その形成にあたたて、光
導電層形成材料、情報記録層形成材料にいずれに対して
も溶解性を有しないことが必要であり、また導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層にかかる分
配電圧を低下させたり、或いは解像性を悪化させるの
で、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とするとよい
が、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用による
画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際にピン
ホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピンホール
等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分比
率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布され
るものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm
以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmと
するとよい。さらに、各層に掛かる電圧分配を考慮した
場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。In forming the dielectric layer 24, it is necessary that the dielectric layer 24 is insoluble in both the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material, and also has conductivity. It is necessary not to. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, the dielectric layer lowers the distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution. Therefore, it is preferable that the film thickness is thin, and it is preferable that the film thickness be 2 μm or less. In addition to the generation of image noise due to various interactions, there is a problem of penetration due to defects such as pinholes in the multilayer coating. The penetrability due to defects such as pinholes depends on the solid content ratio of the material to be laminated and coated, the type of solvent, and the viscosity, so the film thickness of the laminated coating is set appropriately, but at least 10 μm
The following film thickness is preferable, and 0.1 to 3 μm is preferable. Further, in consideration of the voltage distribution applied to each layer, it is preferable to use a material having a high dielectric constant as well as a thin film.
【0059】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料では、SiO2,TiO2,CeO2,Al2O3,Ge
O2,Si3N4,AiN,TiN,MgF2,ZnS,二
酸化珪素と二酸化チタンの組合せ、硫化亜鉛と弗化マグ
ネシウムの組合せ、酸化アルミニウムとゲルマニウムの
組合せ等を使用し、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着(C
VD)法等により積層して形成するとよい。また、有機
溶剤に対して相溶性の少ない水溶性樹脂、例えばポリビ
ニルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス等の水溶
液を使用し、スピンコート法、ブレードコート法、ロー
ルコート法等により積層してもよい。更に、塗布可能な
フッ素樹脂を使用してもよく、この場合にはフッ素系溶
剤に溶解し、スピンコート法により塗布するか、またブ
レードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。As the material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 and Ge are used.
O 2, Si 3 N 4, AiN, TiN, MgF 2, ZnS, a combination of a titanium dioxide silicon dioxide, a combination of zinc sulfide and magnesium fluoride, using a combination of aluminum oxide and germanium, evaporation, sputtering , Chemical vapor deposition (C
It may be formed by stacking by the VD) method or the like. Alternatively, a water-soluble resin having a low compatibility with an organic solvent, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol, water-based polyurethane, water glass, or the like may be used and laminated by a spin coating method, a blade coating method, a roll coating method, or the like. Further, a coatable fluororesin may be used, and in this case, it may be dissolved in a fluorine-based solvent and applied by a spin coating method, or may be laminated by a blade coating method, a roll coating method or the like.
【0060】塗布可能なフッ素樹脂としては、例えば特
開平4−24722号公報等に開示されたフッ素樹脂、
更に真空系で膜形成されるポリパラキシリレンやポリビ
ニルアルコール等の有機材料を好ましく使用することが
できる。As the fluororesin which can be applied, for example, the fluororesin disclosed in JP-A-4-24722,
Furthermore, organic materials such as polyparaxylylene and polyvinyl alcohol, which are film-formed in a vacuum system, can be preferably used.
【0061】以上、情報記録媒体として、情報露光によ
る記録を液晶の配向により可視化した状態とするもので
あるが、液晶と樹脂との組合せを選ぶことにより、一旦
配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付与す
ることができる。また、等方相転移付近の高温に加熱す
ると、メモリ性を消去することができるので、再度の情
報記録に使用することができる。As described above, as the information recording medium, the recording by the information exposure is visualized by the orientation of the liquid crystal. However, by selecting the combination of the liquid crystal and the resin, the information is oriented once and the visualized information is erased. Instead, a memory property can be provided. Further, by heating to a high temperature near the isotropic phase transition, the memory property can be erased, so that it can be used for information recording again.
【0062】〔光センサの光誘起電流増幅作用〕本発明
の光センサは光センサへの光照射時において情報記録媒
体に付与される電界または電荷量が光照射につれて経時
的に増幅され、また光照射を終了した後でも電圧を印加
し続けるとその増加した導電性を緩和減衰的に持続し、
引き続き電界または電荷量を情報記録媒体に付与し続け
る作用を有している。[Photo-induced Current Amplification Function of Optical Sensor] In the optical sensor of the present invention, the electric field or the amount of electric charge applied to the information recording medium at the time of irradiating light to the optical sensor is amplified with the irradiation of light and If the voltage is continuously applied even after the irradiation is finished, the increased conductivity is sustained by relaxation decay,
It has the function of continuously applying the electric field or the amount of charge to the information recording medium.
【0063】本発明の光センサにおける光誘起電流増幅
作用について詳細に説明する。増幅作用測定用光センサ
として、透明ガラス上にITO電極が設けられ、該電極
上に光導電層が積層された光センサにおいて、その光導
電層上に0.16cm2の金電極を積層する。そして、
この両電極間にITO電極を正極として直流の一定電圧
を印加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基板側
0.033秒間光照射し、測定時間中の光センサにおけ
る電流値の挙動を、光照射開始時(t=0)から測定す
る。なお、照射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス
社製L2274)を光源に、グリーンフィルター(日本
真空光学社製)により、縁色光を選択して照射し、照射
光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、20ルック
スのものとする。図16にそのフィルター特性を示す。The photo-induced current amplifying action in the optical sensor of the present invention will be described in detail. In an optical sensor in which an ITO electrode is provided on transparent glass and a photoconductive layer is laminated on the electrode as an optical sensor for measuring amplification effect, a gold electrode of 0.16 cm 2 is laminated on the photoconductive layer. And
A constant DC voltage is applied between the two electrodes with the ITO electrode as a positive electrode, and light is irradiated for 0.033 seconds on the substrate side 0.5 seconds after the start of voltage application, and the behavior of the current value in the photosensor during the measurement time is measured. The measurement is performed from the start of light irradiation (t = 0). The irradiation light is a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source, and green light (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) is used to select and irradiate the edge light, and the irradiation light intensity is measured by an illuminance meter (manufactured by Minolta) Measured at 20 lux. FIG. 16 shows the filter characteristic.
【0064】この光強度で光照射したとき、透明基材、
ITO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には、光電流としては単位
面積当たり1.35×10-6A/cm2の電流が発生す
る。When irradiated with light at this light intensity, a transparent substrate,
Considering the light transmittance of the ITO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds are incident on the photoconductive layer. When all the incident photons are converted into photocarriers, theoretically, a current of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 is generated as a photocurrent per unit area.
【0065】ここで、前記測定装置により測定する場合
に、理論的光電流に対して、光センサで実際に発生した
光誘起電流の割合(光センサで実際に発生した光誘起電
流値/理論的光電流値)をその光センサにおける量子効
率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の電流値
から光を照射しない部分で流れる電流であるベース電流
値を差し引いたものであり光照射中あるいは光照射後も
ベース電流以上の光照射に起因する電流が流れるものを
いい、いわゆる光電流とは相違する。本発明の光センサ
における光誘起電流増幅作用とは、このような光誘起電
流の挙動のことであると定義する。Here, in the case of measuring with the measuring device, the ratio of the photo-induced current actually generated by the photosensor to the theoretical photocurrent (the photo-induced current value actually generated by the photosensor / theoretical The photocurrent value) is defined as the quantum efficiency of the photosensor. The photo-induced current is the current value of the light irradiation part minus the base current value, which is the current flowing in the part not irradiated with light, and is caused by light irradiation above the base current during or after light irradiation. It means that a current flows, which is different from so-called photocurrent. The photoinduced current amplification action in the photosensor of the present invention is defined as such behavior of photoinduced current.
【0066】本発明における光誘起電流増幅作用を有す
る光センサと、光誘起電流増幅作用を有しない光センサ
(以下、比較センサという)とを、前記測定装置での測
定結果を使用して説明する。まず、比較センサについて
の測定結果を図17に示す。図17において、(m)線
は、前記理論値(1.35×106A/cm2)を示す参
考線で、光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧
印加を継続した状態を示す。(n)線は光誘起電流増幅
作用を有しない光センサの実測線で光照射中の光電流の
増加は小さく、その値も理論値(1.35×106A/
cm2)を越えず、この比較センサにおける量子効率は
ほぼ0.4と一定である。この比較センサにおける光照
射中の量子効率の変化は図18に示すようになる。An optical sensor having a photo-induced current amplifying action and an optical sensor having no photo-induced current amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described by using the measurement result of the measuring device. . First, the measurement result of the comparative sensor is shown in FIG. In FIG. 17, the (m) line is a reference line showing the theoretical value (1.35 × 10 6 A / cm 2 ), and the state where the light irradiation was performed for 0.033 seconds and the voltage application was continued after the light irradiation. Indicates. Line (n) is a measured line of an optical sensor that does not have a photoinduced current amplification effect, and the increase in photocurrent during light irradiation is small, and its value is also a theoretical value (1.35 × 10 6 A /
cm 2 ) and the quantum efficiency in this comparative sensor is constant at approximately 0.4. The change in quantum efficiency during light irradiation in this comparative sensor is as shown in FIG.
【0067】これに対して、本発明の光センサは一例と
して図19の(n)に示すように、光照射時は光誘電起
電流が増加する。なお、(m)線は、理論値(1.35
×106A/cm2)を示している。この光センサの量子
効率は図20に示すようになり、これから明らかなよう
に、約0.01秒で量子効率は1を越え、その後も量子
効率は増加を続けることがわかる。また、比較センサで
は光照射終了と同時に光電流が急激に減衰するため、光
照射後継続して電圧印加しても光情報として有効な電流
は得られない。これに対して本発明の光センサにおいて
は、光照射後も電圧印加を継続することにより光誘起電
流が継続して流れ、引き続いて光誘起電流を取り出すこ
とができ、光情報を続けて得ることができる。On the other hand, in the photosensor of the present invention, as an example, as shown in FIG. 19 (n), the photoelectromotive force increases during light irradiation. The line (m) is the theoretical value (1.35).
× 10 6 A / cm 2 ). The quantum efficiency of this optical sensor is as shown in FIG. 20, and as is clear from this, it can be seen that the quantum efficiency exceeds 1 in about 0.01 seconds and continues to increase thereafter. Further, in the comparative sensor, the photocurrent abruptly attenuates at the same time as the light irradiation is completed, so that even if the voltage is continuously applied after the light irradiation, the effective current as the light information cannot be obtained. On the other hand, in the photosensor of the present invention, the photoinduced current continues to flow by continuing the voltage application even after the light irradiation, and the photoinduced current can be subsequently taken out to continuously obtain the optical information. You can
【0068】〔光センサの半導電性〕また、本発明の光
センサは素子全体として半導電性であり、流れる電流密
度から暗時の比抵抗率が109 〜1013Ω・cmである
ことが好ましい。特に比抵抗が1010〜1011Ω・cm
の範囲のもので増幅作用が顕著である。比抵抗が1013
Ω・cmよりも大きい光センサでは105 〜106 V/
cmの電界強度範囲では本発明の光センサのような増幅
作用を示さない。また、比抵抗が109 Ω・cm未満の
光センサでは、電流が非常に多く流れ、電流によるノイ
ズが発生しやすく好ましくない。[Semi-Conductivity of Optical Sensor] The optical sensor of the present invention is semi-conductive as a whole, and the specific resistance in the dark is 10 9 to 10 13 Ω · cm from the flowing current density. Is preferred. Particularly, the specific resistance is 10 10 to 10 11 Ω · cm
The amplification effect is remarkable in the range of. Resistivity is 10 13
For optical sensors larger than Ω · cm, 10 5 to 10 6 V /
In the electric field strength range of cm, it does not exhibit the amplifying action as in the optical sensor of the present invention. Further, in an optical sensor having a specific resistance of less than 10 9 Ω · cm, a large amount of current flows, and noise due to the current is likely to occur, which is not preferable.
【0069】これに対して一般の電子写真用で用いられ
ている感光体素子は、暗抵抗率が1014〜1016Ω・c
mのもが用いられており、本発明のセンサは電子写真に
おいて、その目的を達することができず、また、一般の
電子写真用の暗抵抗率が大きな光導電層を有する光セン
サは、本発明の目的には使用することができない。On the other hand, the photosensitive element used for general electrophotography has a dark resistivity of 10 14 to 10 16 Ω · c.
m is used, the sensor of the present invention cannot achieve its purpose in electrophotography, and a photosensor having a photoconductive layer having a large dark resistivity for electrophotography is generally used. It cannot be used for the purposes of the invention.
【0070】また、情報記録媒体における情報記録層が
特に高分子分散型液晶である場合には、液晶の動作電圧
領域に光センサの感度を設定することが必要である。When the information recording layer of the information recording medium is a polymer dispersed liquid crystal, it is necessary to set the sensitivity of the optical sensor in the operating voltage range of the liquid crystal.
【0071】すなわち、露光部において、情報記録媒体
に印加される電位(明電位)と未露光部において情報記
録媒体に印加される電位(暗電位)との差であるコント
ラスト電圧が情報記録媒体における液晶の動作電圧領域
において一定の大きさをとることが必要となる。That is, the contrast voltage, which is the difference between the potential (light potential) applied to the information recording medium in the exposed area and the potential (dark potential) applied to the information recording medium in the unexposed area, is the contrast voltage in the information recording medium. It is necessary to have a certain size in the operating voltage region of the liquid crystal.
【0072】そのため、例えば光センサの未露光部の液
晶層に印加される暗電位は、液晶の動作開始電位程度に
設定する必要がある。したがって、情報記録媒体の抵抗
率が常温で1010〜1013Ω・cmであり、光センサに
105 〜106 V/cmの電界が与えられた状態で、1
0-4〜10-7A/cm2 のベース電流が生じる程度の導
電性が要求され、好ましくは10-5〜10-6Acm2 の
範囲がよい。Therefore, for example, the dark potential applied to the liquid crystal layer in the unexposed portion of the photosensor needs to be set to about the operation start potential of the liquid crystal. Therefore, when the resistivity of the information recording medium is 10 10 to 10 13 Ω · cm at room temperature and the electric field of 10 5 to 10 6 V / cm is applied to the optical sensor,
The conductivity is required to the extent that a base current of 0 −4 to 10 −7 A / cm 2 is generated, and the range of 10 −5 to 10 −6 Acm 2 is preferable.
【0073】ベース電流が10-7 A/cm2 未満の光
センサでは液晶層が露光状態でも配向せず、また10-4
A/cm2 以上のベース電流での光センサでは未露光状
態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が配向
し、露光したとしても未露光部との間で透過率の差が得
られない。また、液晶によって動作電圧及び範囲が異な
るものもあるので、印加電圧及び電圧印加時間を設定す
るにあたっては、情報記録媒体における電圧配分を考慮
する必要がある。[0073] In the optical sensor of the base current is less than 10 -7 A / cm 2 without alignment in the liquid crystal layer is exposed state and 10-4
In an optical sensor with a base current of A / cm 2 or more, a large amount of current flows at the same time as voltage application even in the unexposed state, and the liquid crystal is aligned, and even if exposed, no difference in transmittance can be obtained between the exposed portion and the unexposed portion. . In addition, since there are some liquid crystals having different operating voltages and ranges, it is necessary to consider the voltage distribution in the information recording medium when setting the applied voltage and the voltage application time.
【0074】[0074]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光センサ
と液晶記録媒体とを一体化した情報記録媒体という極め
て薄い記録媒体の電極接点を電圧印加のために金属接点
等で押圧しても電極間の導通や放電の発生を防止するこ
とができるので、カメラ等に組み込んでも適正に電圧印
加を行って良好な画像露光を行うことが可能となる。As described above, according to the present invention, an electrode contact of an extremely thin recording medium, which is an information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal recording medium are integrated, is pressed by a metal contact or the like to apply a voltage. Since it is possible to prevent conduction between electrodes and the occurrence of discharge, it is possible to properly apply a voltage and perform good image exposure even when incorporated in a camera or the like.
【図1】 光センサ及び液晶記録媒体を説明する図であ
る。FIG. 1 is a diagram illustrating an optical sensor and a liquid crystal recording medium.
【図2】 一体型液晶記録媒体を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an integrated liquid crystal recording medium.
【図3】 本発明の記録媒体の電極配置構造を説明する
図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an electrode arrangement structure of the recording medium of the present invention.
【図4】 本発明の他の実施例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
【図5】 接点部に補強電極を積層するようにした例を
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example in which a reinforcing electrode is laminated on a contact portion.
【図6】 電極配置構造の他の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another embodiment of the electrode arrangement structure.
【図7】 下部電極を共通電極とし、上部電極をパター
ン形状としたときの電極配置の組み合わせについて説明
する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a combination of electrode arrangements when the lower electrode is a common electrode and the upper electrode is a pattern shape.
【図8】 下部電極を共通電極とし、上部電極をパター
ン形状としたときの電極配置の組み合わせについて説明
する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a combination of electrode arrangements when the lower electrode is a common electrode and the upper electrode is a pattern shape.
【図9】 下部電極をパターン状、上部電極を共通電極
とした実施例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example in which a lower electrode is patterned and an upper electrode is a common electrode.
【図10】 光反射層、暗電流測定用電極を設けた例を
示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example in which a light reflecting layer and a dark current measuring electrode are provided.
【図11】 上部電極、下部電極ともパターン状とした
実施例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example in which both the upper electrode and the lower electrode are patterned.
【図12】 上部電極、下部電極ともパターン状とし、
さらに光反射層、電流モニタ用電極を設けた例を示す図
である。FIG. 12 is a pattern of both the upper electrode and the lower electrode,
It is a figure which shows the example which provided the light reflection layer and the electrode for a current monitor further.
【図13】 上部電極、下部電極ともパターン状とし、
さらに光反射層、電流モニタ用電極を設けた他の実施例
を示す図である。FIG. 13 is a pattern of both the upper electrode and the lower electrode,
It is a figure which shows another Example which provided the light reflection layer and the electrode for a current monitor further.
【図14】 積層型光センサを説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a stacked optical sensor.
【図15】 光センサと情報記録体とを誘電体層を介し
て直接積層した例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an example in which an optical sensor and an information recording body are directly laminated via a dielectric layer.
【図16】 フィルター特性を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a filter characteristic.
【図17】 比較センサについての測定結果を示す図で
ある。FIG. 17 is a diagram showing a measurement result of a comparative sensor.
【図18】 量子効率特性を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing quantum efficiency characteristics.
【図19】 本発明における光センサの電流変化を示す
図である。FIG. 19 is a diagram showing a current change of an optical sensor according to the present invention.
【図20】 図19の光センサの量子効率特性を示す図
である。20 is a diagram showing quantum efficiency characteristics of the optical sensor of FIG.
10…光センサ、20…液晶記録媒体、24…中間層、
30…基板、31…情報記録層、32…下部電極、33
…上部電極、40…発光素子、41…受光素子、42…
光反射層、43…電流モニタ用電極。10 ... Optical sensor, 20 ... Liquid crystal recording medium, 24 ... Intermediate layer,
30 ... Substrate, 31 ... Information recording layer, 32 ... Lower electrode, 33
... upper electrode, 40 ... light emitting element, 41 ... light receiving element, 42 ...
Light-reflecting layer, 43 ... Electrodes for current monitoring.
Claims (6)
在する液晶高分子複合体層を電極層上に積層した液晶記
録媒体と、透明基板上に電極層、光導電層を形成した光
センサとを液晶高分子複合体層と光導電層が対向するよ
うに直接または中間層を介在させて積層した一体型情報
記録媒体において、前記両電極の一方をパターン状電
極、他方を共通電極とし、各パターン状電極と共通電極
は、互いに一体型情報記録媒体の左右反対側の一方の端
部が非電極部となっており、各電極の接点を、相手方電
極の非電極部または非電極部と対向する位置に設けたこ
とを特徴とする一体型情報記録媒体の電極接点構造。1. A liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode layer and a photoconductive layer are formed on a transparent substrate. In an integrated type information recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer and a photoconductive layer are laminated directly or with an intermediate layer interposed, one of the electrodes is a patterned electrode and the other is a common electrode. Each of the patterned electrodes and the common electrode has a non-electrode portion at one end on the left-right opposite side of the integrated information recording medium, and the contact of each electrode is the non-electrode portion or the non-electrode of the counterpart electrode. An electrode contact structure for an integrated information recording medium, characterized in that the electrode contact structure is provided at a position facing the section.
各パターン状電極及び/または共通電極を記録媒体の上
面または裏面まで引き回して形成し、引き回して形成さ
れた上面または裏面の電極部に接点を形成したことを特
徴とする一体型情報記録媒体の電極接点構造。2. The electrode contact structure according to claim 1,
An electrode of an integrated information recording medium, characterized in that each patterned electrode and / or common electrode is formed by drawing it to the upper surface or the back surface of the recording medium, and a contact is formed on the electrode part of the drawn upper surface or the back surface. Contact structure.
在する液晶高分子複合体層を電極層上に積層した液晶記
録媒体と、透明基板上に電極層、光導電層を形成した光
センサとを液晶高分子複合体層と光導電層が対向するよ
うに直接または中間層を介在させて積層した一体型情報
記録媒体において、前記両電極の両方ともパターン状電
極とし、各パターン状電極は、互いに一体型情報記録媒
体の左右反対側の一方の端部が非電極部となっており、
各電極の接点を、相手方電極の非電極部または非電極部
と対向する位置に設けたことを特徴とする一体型情報記
録媒体の電極接点構造。3. A liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode layer and a photoconductive layer are formed on a transparent substrate. In an integrated information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal polymer composite layer and a photoconductive layer are laminated so as to face each other directly or with an intermediate layer interposed, both electrodes are patterned electrodes, and each patterned The electrode has a non-electrode portion at one end on the left-right opposite side of the integrated information recording medium,
An electrode contact structure for an integrated information recording medium, characterized in that the contact of each electrode is provided at the non-electrode part of the counter electrode or at a position facing the non-electrode part.
パターン状の両電極の少なくとも1方を一体型情報記録
媒体の上面または裏面に引き回して形成し、引き回して
形成された上面または裏面の電極部に接点を形成したこ
とを特徴とする一体型情報記録媒体の電極接点構造。4. The electrode contact structure according to claim 3,
At least one of both patterned electrodes is formed by being drawn to the upper surface or the back surface of the integrated information recording medium, and a contact is formed at the electrode portion of the drawn upper surface or the back surface. Electrode contact structure of medium.
在する液晶高分子複合体層を電極層上に積層した液晶記
録媒体と、透明基板上に電極層、光導電層を形成した光
センサとを液晶高分子複合体層と光導電層が対向するよ
うに中間層を介在させて積層した一体型情報記録媒体に
おいて、前記両電極の一方をパターン状、他方を共通電
極とし、各パターン状電極と共通電極は、互いに一体型
情報記録媒体の左右反対側の一方の端部が非電極部とな
っており、さらに中間層の液晶高分子複合体層側の面の
一部に光反射層を形成するとともに、光センサの電極層
と一部重なるように中間層の液晶高分子複合体層側の面
の端部から記録媒体上面または裏面に引き回して電流モ
ニタ用電極を形成し、パターン状電極、共通電極、電流
モニタ用電極の各接点を、前記非電極部または非電極部
と対向する位置に設けたことを特徴とする一体型情報記
録媒体の電極接点構造。5. A liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode layer and a photoconductive layer are formed on a transparent substrate. In an integrated information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal polymer composite layer and a photoconductive layer are laminated with an intermediate layer interposed, one of the electrodes is patterned and the other is a common electrode. The patterned electrodes and the common electrode have a non-electrode portion at one end on the opposite side of the integrated information recording medium, and a part of the intermediate liquid crystal polymer composite layer side surface is exposed to light. A reflective layer is formed, and a current monitor electrode is formed by drawing the intermediate layer from the end of the liquid crystal polymer composite layer side surface of the intermediate layer to the upper surface or the back surface of the recording medium so as to partially overlap the electrode layer of the optical sensor. Each contact of patterned electrode, common electrode and current monitor electrode An electrode contact structure for an integrated information recording medium, wherein dots are provided at the non-electrode part or at a position facing the non-electrode part.
在する液晶高分子複合体層を電極層上に積層した液晶記
録媒体と、透明基板上に電極層、光導電層を形成した光
センサとを液晶高分子複合体層と光導電層が対向するよ
うに中間層を介在させて積層した一体型情報記録媒体に
おいて、前記両電極の両方ともパターン状電極とし、各
パターン状電極は、互いに一体型情報記録媒体の左右反
対側の一方の端部が非電極部となっており、さらに中間
層の液晶高分子複合体層側の面の一部に光反射層を形成
するとともに、光センサの電極層と一部重なるように中
間層の液晶高分子複合体層側の面の端部から記録媒体上
面または裏面に引き回して電流モニタ用電極を形成し、
各パターン状電極、電流モニタ用電極の各接点を、前記
非電極部または非電極部と対向する位置に設けたことを
特徴とする一体型情報記録媒体の電極接点構造。6. A liquid crystal recording medium in which a liquid crystal polymer composite layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are present in a phase separated state is laminated on an electrode layer, and an electrode layer and a photoconductive layer are formed on a transparent substrate. In an integrated information recording medium in which an optical sensor and a liquid crystal polymer composite layer and a photoconductive layer are laminated with an intermediate layer interposed therebetween, both electrodes are patterned electrodes, and each patterned electrode is , The left and right opposite ends of the integral type information recording medium are non-electrode parts, and a light reflecting layer is formed on a part of the surface of the intermediate layer on the liquid crystal polymer composite layer side, An electrode for current monitoring is formed by drawing it from the end of the liquid crystal polymer composite layer side of the intermediate layer to the upper surface or the back surface of the recording medium so as to partially overlap with the electrode layer of the optical sensor,
An electrode contact structure for an integrated information recording medium, wherein each pattern electrode and each contact of the current monitoring electrode are provided at the non-electrode part or at a position facing the non-electrode part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28982694A JPH0850299A (en) | 1994-06-01 | 1994-11-24 | Electrode contact structure of integral type information recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12000794 | 1994-06-01 | ||
JP6-120007 | 1994-06-01 | ||
JP28982694A JPH0850299A (en) | 1994-06-01 | 1994-11-24 | Electrode contact structure of integral type information recording medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0850299A true JPH0850299A (en) | 1996-02-20 |
Family
ID=26457650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP28982694A Pending JPH0850299A (en) | 1994-06-01 | 1994-11-24 | Electrode contact structure of integral type information recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0850299A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005231342A (en) * | 2004-01-21 | 2005-09-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Image writing device |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP28982694A patent/JPH0850299A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005231342A (en) * | 2004-01-21 | 2005-09-02 | Fuji Xerox Co Ltd | Image writing device |
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