JPH0844042A - Transmittancee modulation type photomask and its production and production of optical element formed by using the same - Google Patents

Transmittancee modulation type photomask and its production and production of optical element formed by using the same

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JPH0844042A
JPH0844042A JP17815594A JP17815594A JPH0844042A JP H0844042 A JPH0844042 A JP H0844042A JP 17815594 A JP17815594 A JP 17815594A JP 17815594 A JP17815594 A JP 17815594A JP H0844042 A JPH0844042 A JP H0844042A
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JP
Japan
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photomask
light
layer
substrate
shape
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JP17815594A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumiyoshi Imamura
文美 今村
Tetsuya Ishii
哲也 石井
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0844042A publication Critical patent/JPH0844042A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a transmittance modulation type photomask which is easily producible while having the performance equivalent to the performance of the conventional photomasks and a process for production thereof and an optical element formed by using the same. CONSTITUTION:A light absorption layer 3 having absorptivity to light of a prescribed wavelength region is formed on at least one surface of a substrate 2 for the photomask which is substantially plane on both surfaces and is substantially transparent to light of the prescribed wavelength region. This light absorption layer 3 is formed to a shape having a prescribed depth distribution. As a result, the transmittance of light is given according to the depth distribution when the light of the prescribed wavelength region is transmitted through this layer. The transmittance of the light is higher at the points where the depth is deeper and the transmittance of the light is lower at the points where the depth is shallower and, therefore, this photomask acts as the transmittance modulation type photomask 1. The photomask is more easily producible than the photomask formed with the prescribed shape on the substrate itself for the photomask.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、透過率変調型フォト
マスク及びその製造方法及びそれを用いた光学素子の製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmittance modulation type photomask, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an optical element using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光学系の小型軽量化の要求に伴
い、回折光学素子や非球面レンズが注目されている。ま
た、ローパスフィルタとして回折格子がよく利用されて
いる。回折光学素子の製造方法として様々な方法がある
が、透過率変調型フォトマスクを用いた方法、すなわ
ち、光学素子用基板上にレジストを塗布した後、透過率
変調型フォトマスクを介した露光及び現像処理を行って
レジストに所定のバターンを形成し、その後、ドライエ
ッチングによりレジストのパターン形状を光学素子用基
板に転写する方法が一つの方法として知られている。こ
の方法は、露光が1回で済むので、光学素子用基板がガ
ラスであっても容易に効率よく製作することができ、大
量生産も可能である。また、マスクの透過率分布がブレ
ーズ化されていれば、ブレーズ形状を階段近似するバイ
ナリー手法に比べ、容易に回折効率の高い回折光学素子
を製作することができる。
2. Description of the Related Art In recent years, diffractive optical elements and aspherical lenses have attracted attention due to the demand for smaller and lighter optical systems. A diffraction grating is often used as a low pass filter. There are various methods for manufacturing a diffractive optical element, but a method using a transmittance modulation type photomask, that is, after applying a resist on the optical element substrate, exposure through the transmittance modulation type photomask and A method is known in which a predetermined pattern is formed on a resist by performing a development process, and then the pattern shape of the resist is transferred to a substrate for an optical element by dry etching. Since this method requires only one exposure, it can be easily and efficiently manufactured even if the optical element substrate is glass, and mass production is also possible. In addition, if the mask has a blazed transmittance distribution, it is possible to easily manufacture a diffractive optical element having a high diffraction efficiency as compared with the binary method in which the blazed shape is approximated by steps.

【0003】ところで、透過率変調型フォトマスクの製
造方法としては、 イ.例えば、特開昭63−271265号公報に開示さ
れているように、ダイヤモンドバイトを装着した切削装
置やルーリングエンジン等を用いて透明なフォトマスク
用基板もしくは光吸収剤を含むフォトマスク用基板に溝
を形成し、溝を形成した面に光吸収剤もしくは透明な材
料をコートして研磨する方法。 ロ.例えば、特開平1−200258号公報に開示され
ているように、ルーリングエンジンやダイヤモンドバイ
トを用いて透明なフォトマスク用基板に塑性加工を行っ
て透明なフォトマスク用基板上に凹凸を形成し、凸部分
をラッピングして除去し、凹部分に紫外線吸収剤を埋設
して研磨し、平坦化する方法。 ハ.例えば、特開昭63−271265号公報に開示さ
れているように、非対称二光束露光法によりレジストに
所定のパターンを形成し、このパターンをプラズマエッ
チング等によりフォトマスク用基板に転写し、パターン
を形成した面に光吸収剤もしくは透明な材料をコートし
て研磨する方法。 ニ.例えば、特開昭63−271265号公報に開示さ
れているように、各種ビームのドーズを変化させて透明
なフォトマスク用基板上のレジストに照射することによ
りレジストに所定のパターンを形成し、このパターンを
プラズマエッチング等によりフォトマスク用基板に転写
し、パターンを形成した面に光吸収剤もしくは透明な材
料をコートして研磨する方法。 ホ.例えば、特開昭63−271265号公報に開示さ
れているように、フォトマスク用基板上のレジストに任
意の方法でパターンを形成し、そのパターンをマスクと
して各種ビームで斜めエッチングを行い、フォトマスク
用基板に所定のパターンを転写し、パターンを形成した
面に光吸収剤もしくは透明な材料をコートして研磨する
方法。 ヘ.例えば、特開平2−82202号公報に開示されて
いるように、電子ビーム描画プロッタを用いて濃度フィ
ルタを得る方法。 等が知られている。
By the way, as a method of manufacturing a transmittance modulation type photomask, For example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-271265, a groove is formed in a transparent photomask substrate or a photomask substrate containing a light absorber by using a cutting device equipped with a diamond tool, a ruling engine, or the like. And a surface on which the groove is formed is coated with a light absorber or a transparent material and polished. B. For example, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-200258, a transparent photomask substrate is subjected to plastic working using a ruling engine or a diamond tool to form irregularities on the transparent photomask substrate, A method of lapping a convex portion to remove it, embedding an ultraviolet absorber in the concave portion and polishing it to flatten it. C. For example, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-271265, a predetermined pattern is formed on a resist by an asymmetric two-beam exposure method, and this pattern is transferred to a photomask substrate by plasma etching or the like to form the pattern. A method in which the formed surface is coated with a light absorber or a transparent material and polished. D. For example, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-271265, a predetermined pattern is formed on a resist by irradiating the resist on a transparent photomask substrate while changing the dose of various beams. A method in which a pattern is transferred to a photomask substrate by plasma etching or the like, and the surface on which the pattern is formed is coated with a light absorber or a transparent material and polished. E. For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-271265, a pattern is formed on a resist on a photomask substrate by an arbitrary method, and the pattern is used as a mask to perform oblique etching with various beams. A method in which a predetermined pattern is transferred to a substrate for coating, a surface on which the pattern is formed is coated with a light absorbent or a transparent material, and then polished. F. For example, as disclosed in JP-A-2-82202, a method of obtaining a density filter using an electron beam drawing plotter. Etc. are known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記各方法には、様々
な問題がある。第1に、上記イ及びロの方法では、フォ
トマスク用基板を直接加工するため、例えばフォトマス
ク用基板にガラスを用いた場合には工具の摩耗が著しく
なる問題があり、また、加工効率が低いため、実用的な
面積のフォトマスクを製作するには、多額の費用と膨大
な時間がかかってしまうことから、フォトマスク用基板
の材料としては加工性のよい材料に限定されてしまうと
いう問題がある。第2に、上記ハの方法では、大面積の
フォトマスクを製作することが可能であるが、フォトマ
スクの形状が限定されてしまうという問題がある。
There are various problems in each of the above methods. First, in the above methods (a) and (b), since the photomask substrate is directly processed, there is a problem that the tool is significantly worn when glass is used for the photomask substrate, and the processing efficiency is high. Since it is low, it takes a large amount of money and an enormous amount of time to manufacture a photomask having a practical area. Therefore, the material of the photomask substrate is limited to a material with good workability. There is. Secondly, with the method (c) described above, a photomask having a large area can be manufactured, but there is a problem that the shape of the photomask is limited.

【0005】第3に、上記ニの方法では、レジストの特
性に合わせて露光量を精密に制御しなければならないた
め、装置が複雑化して高価になり、大面積のフォトマス
クの製作が困難になるという問題がある。第4に、上記
ニの方法では、露光に用いる電子線、遠紫外光、紫外光
等のレジスト内での散乱あるいは近接効果によって、微
細パターン部分でパターン形状が設計値から大きくずれ
る場合があるため、フォトマスクを効率よく高精度で製
造することが困難になるという問題がある。
Thirdly, in the above method (2), since the exposure amount must be precisely controlled in accordance with the resist characteristics, the apparatus becomes complicated and expensive, and it becomes difficult to manufacture a large-area photomask. There is a problem of becoming. Fourthly, in the above method (d), the pattern shape may be largely deviated from the design value in the fine pattern portion due to scattering of electron beams used for exposure, far-ultraviolet light, ultraviolet light, or the like in the resist or proximity effect. However, there is a problem that it becomes difficult to efficiently manufacture a photomask with high precision.

【0006】第5に、上記ホの方法では、例えばビーム
にイオンビームを用いた場合、加工速度が遅いため、加
工に非常に時間がかかるという問題がある。第6に、上
記ヘの方法では、装置が複雑で高価になるという問題が
ある。第7に、上記ヘの方法では、所望の形状をレジス
トの残膜特性曲線から見積もり、それに合わせて電子ビ
ームで描画するため、製作作業が煩雑で時間がかかると
いう問題がある。
Fifth, the method (e) has a problem that, when an ion beam is used as the beam, the processing speed is slow, and therefore the processing takes a very long time. Sixth, the above method has a problem that the device is complicated and expensive. Seventh, the above method has a problem that the desired shape is estimated from the residual film characteristic curve of the resist and the electron beam is used to draw the desired shape, so that the manufacturing work is complicated and takes time.

【0007】第8に、上記イ〜ホの方法では、製作した
フォトマスクが2種類の材料から成るため、繰り返し使
用する内に両材料の境界部分で剥がれるおそれがある。
第9に、上記イ〜ホの方法では、2種類の材料の境界部
分で反射が起こり、入射光と干渉することによって、形
成されるパターンが崩れるおそれがある。
Eighth, in the above methods (a) to (e), since the manufactured photomask is made of two kinds of materials, there is a possibility that the photomask may be peeled off at the boundary between both materials during repeated use.
Ninth, in the above methods (a) to (e), reflection occurs at the boundary portion between the two kinds of materials and interferes with the incident light, so that the formed pattern may be destroyed.

【0008】以上の問題から明らかなように、従来の方
法で製造した透過率変調型フォトマスクを用いて光学素
子を製造した場合、フォトマスク製造に時間や費用がか
かり、光学素子も高価になってしまう。また、フォトマ
スクの精度が低くなった場合、光学素子も精度が低くな
ってしまう。
As is apparent from the above problems, when an optical element is manufactured by using the transmittance modulation type photomask manufactured by the conventional method, it takes time and cost to manufacture the photomask, and the optical element also becomes expensive. Will end up. Further, when the accuracy of the photomask becomes low, the accuracy of the optical element also becomes low.

【0009】この発明は、上述した種々の問題に着目し
てなされたものであり、従来と同等の性能を有しつつ製
造が容易な透過率変調型フォトマスクを提供することを
第1の目的とする。また、この発明は、高精度の透過率
変調型フォトマスクを容易に製造し得る透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法を提供することを第2の目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems, and it is a first object of the present invention to provide a transmittance modulation type photomask which has the same performance as the conventional one and is easy to manufacture. And A second object of the present invention is to provide a manufacturing method of a transmittance modulation type photomask which can easily manufacture a highly accurate transmittance modulation type photomask.

【0010】また、この発明は、高精度で耐久性に優れ
た透過率変調型フォトマスクを容易に製造し得る透過率
変調型フォトマスクの製造方法を提供することを第3の
目的とする。さらに、この発明は、本発明の透過率変調
型フォトマスクを用いて高精度の光学素子を容易に再現
性よく製造し得る光学素子の製造方法を提供することを
第4の目的とする。
A third object of the present invention is to provide a manufacturing method of a transmittance modulation type photomask which can easily manufacture a highly accurate and excellent transmittance modulation type photomask. Further, a fourth object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical element which can easily manufacture a highly accurate optical element with good reproducibility by using the transmittance modulation type photomask of the present invention.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るため、第1発明の透過率変調型フォトマスクは、両面
が実質的に平面であって所定波長域の光に対し実質的に
透明であるフォトマスク用基板の少なくとも一面の上
に、前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収層
が形成され、該光吸収層は所定の深さ分布を有する形状
に形成されて成ることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned first object, the transmittance modulation type photomask of the first invention is substantially flat on both sides and is substantially effective for light in a predetermined wavelength range. On at least one surface of the transparent photomask substrate, a light absorbing layer having absorptivity for light in the predetermined wavelength range is formed, and the light absorbing layer is formed in a shape having a predetermined depth distribution. It is characterized by being formed.

【0012】また、上記第2の目的を達成するため、第
2発明の透過率変調型フォトマスクの製造方法は、両面
が実質的に平面であって所定波長域の光に対し実質的に
透明であるフォトマスク用基板の少なくとも一面の上
に、該フォトマスク用基板よりも機械加工が容易でかつ
前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収層を形
成し、該光吸収層を、所定の深さ分布を有する形状に機
械加工によって形成することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned second object, in the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask of the second invention, both surfaces are substantially flat and are substantially transparent to light in a predetermined wavelength range. On at least one surface of the photomask substrate is a light absorption layer which is easier to machine than the photomask substrate and has absorptivity for light in the predetermined wavelength range, and the light absorption layer is formed. It is characterized by being machined into a shape having a predetermined depth distribution.

【0013】また、上記第3の目的を達成するため、第
3発明の透過率変調型フォトマスクの製造方法は、所定
波長域の光に対し吸収性を有するフォトマスク用基板上
に、該フォトマスク用基板に比べ機械加工の容易な材料
より成る加工層を形成し、該加工層を、機械加工により
所定の深さ分布を有する形状に形成し、該加工層に形成
された形状を異方性エッチングにより前記フォトマスク
用基板に相似的に転写することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned third object, the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask of the third invention is such that the photomask substrate having absorptivity for light in a predetermined wavelength range is formed on the photomask substrate. A processed layer made of a material that is easier to machine than a mask substrate is formed, the processed layer is formed into a shape having a predetermined depth distribution by machining, and the shape formed on the processed layer is anisotropic. It is characterized in that the pattern is transferred to the photomask substrate in a similar manner by means of reactive etching.

【0014】また、上記第4の目的を達成するため、第
4発明の光学素子の製造方法は、光学素子用基板上に感
光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層上に、両面が実質
的に平面であって所定波長域の光に対し実質的に透明で
あるフォトマスク用基板上に前記所定波長域の光に対し
吸収性を有する光吸収層が形成され、該光吸収層は所定
の深さ分布を有する形状に形成されて成る透過率変調型
フォトマスクを、密着もしくは僅かの隙間を隔てて近接
配置し、該透過率変調型フォトマスクを介して前記感光
性樹脂層を露光し、現像し、現像後に残った感光性樹脂
層の形状を異方性エッチングにより前記光学素子用基板
に相似的に転写することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned fourth object, in the method for manufacturing an optical element of the fourth invention, a photosensitive resin layer is formed on an optical element substrate, and both surfaces are formed on the photosensitive resin layer. A light absorption layer having an absorption property for light in the predetermined wavelength range is formed on a photomask substrate that is substantially flat and substantially transparent for light in the predetermined wavelength range, and the light absorption layer is A transmittance modulation type photomask formed in a shape having a predetermined depth distribution is closely contacted or closely arranged with a slight gap, and the photosensitive resin layer is exposed through the transmittance modulation type photomask. The shape of the photosensitive resin layer remaining after the development is transferred to the optical element substrate in a similar manner by anisotropic etching.

【0015】また、上記第4の目的を達成するため、第
5発明の光学素子の製造方法は、光学素子用基板上に感
光性樹脂層を形成し、両面が実質的に平面であって所定
波長域の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用基
板上に前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収
層が形成され、該光吸収層は所定の深さ分布を有する形
状に形成されて成る透過率変調型フォトマスク、および
投影光学系を介して前記感光性樹脂層を露光し、現像
し、現像後に残った感光性樹脂層の形状を異方性エッチ
ングにより前記光学素子用基板に相似的に転写すること
を特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned fourth object, the method for manufacturing an optical element according to the fifth aspect of the present invention is such that a photosensitive resin layer is formed on an optical element substrate, and both surfaces are substantially flat and predetermined. A light-absorbing layer having absorptivity for light in the predetermined wavelength range is formed on a photomask substrate that is substantially transparent to light in the wavelength range, and the light-absorbing layer has a predetermined depth distribution. The photosensitive element is exposed to light through a transmittance modulation type photomask formed on the substrate and a projection optical system, developed, and the shape of the photosensitive resin layer remaining after development is anisotropically etched to obtain the optical element. It is characterized in that the transfer is similar to the substrate for use.

【0016】[0016]

【作用】上記第1発明によれば、所定波長域の光に対し
吸収性を有する光吸収層が、所定の深さ分布を有する形
状に形成されているので、前記所定波長域の光を透過さ
せたとき前記深さ分布に応じて光の透過率が与えられ
る。すなわち、深さが深い所ほど光の透過率が高く、浅
い所ほど光の透過率が低くなる。したがって透過率変調
型フォトマスクとして作用する。
According to the first aspect of the invention, since the light absorption layer having absorptivity for the light in the predetermined wavelength range is formed in the shape having the predetermined depth distribution, the light in the predetermined wavelength range is transmitted. When this is done, the light transmittance is given according to the depth distribution. That is, the light transmittance is higher at a deeper place and lower at a shallower place. Therefore, it acts as a transmittance modulation type photomask.

【0017】上記第2発明によれば、フォトマスク用基
板は該フォトマスク用基板よりも機械加工が容易でかつ
所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収層を支持す
る。該光吸収層は、機械加工層としても作用し、所定の
深さ分布を有する形状に機械加工によって形成される。
According to the second aspect of the present invention, the photomask substrate supports the light absorption layer which is easier to machine than the photomask substrate and has the absorptivity for the light in the predetermined wavelength range. The light absorption layer also functions as a machining layer, and is formed by machining into a shape having a predetermined depth distribution.

【0018】上記第3発明によれば、フォトマスク用基
板に直接機械加工することが実質的に不可能な場合であ
っても、該フォトマスク用基板上に、機械加工が可能な
材料より成る加工層を設け、該加工層に所定の機械加工
を施した後、該加工層に形成された形状を異方性エッチ
ングにより前記フォトマスク用基板に相似的に転写する
ので、該フォトマスク用基板に所定の深さ分布を有する
形状を付与することができる。
According to the third aspect of the present invention, even when it is substantially impossible to directly machine the photomask substrate, the photomask substrate is made of a machinable material. Since a processing layer is provided and the processing layer is subjected to a predetermined mechanical processing, the shape formed on the processing layer is transferred to the photomask substrate by anisotropy in an anisotropic manner. It is possible to give a shape having a predetermined depth distribution.

【0019】上記第4発明によれば、光学素子用基板上
に感光性樹脂層を設け、該感光性樹脂層の上に、所定波
長域の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用基板
上に前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収層
を形成し、該光吸収層は所定の深さ分布を有する形状に
形成されて成る透過率変調型フォトマスクを、密着もし
くは僅かの隙間を隔てて近接配置し、該透過率変調型フ
ォトマスクを介して前記感光性樹脂層を露光、現像する
ことにより、前記透過率変調型フォトマスクの透過率分
布に応じた感光性樹脂のパターンが形成される。このパ
ターンを異方性エッチングにより前記光学素子用基板に
相似的に転写するので、光学素子用基板に直接機械加工
することが実質上不可能な場合であっても、該光学素子
用基板に所定の深さ分布を有する形状を付与することが
できる。
According to the fourth aspect, a photosensitive resin layer is provided on the optical element substrate, and the photomask substrate is substantially transparent to light in a predetermined wavelength range on the photosensitive resin layer. A light absorption layer having an absorptivity for light in the predetermined wavelength region is formed on the light absorption layer, and the light absorption layer is formed into a shape having a predetermined depth distribution. Of the photosensitive resin according to the transmittance distribution of the transmittance modulation type photomask by exposing and developing the photosensitive resin layer through the transmittance modulation type photomask. A pattern is formed. Since this pattern is transferred analogously to the optical element substrate by anisotropic etching, even if it is practically impossible to directly machine the optical element substrate, a predetermined pattern is formed on the optical element substrate. A shape having a depth distribution of can be provided.

【0020】上記第5発明によれば、光学素子用基板上
に感光性樹脂層を設け、両面が実質的に平面であって所
定波長域の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用
基板上に前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸
収層が形成され、該光吸収層は所定の深さ分布を有する
形状に形成されて成る透過率変調型フォトマスク、およ
び投影光学系を介して該感光性樹脂層を露光、現像する
ことにより、前記透過率変調型フォトマスクの透過率分
布に応じた感光性樹脂のパターンが形成される。このパ
ターンを異方性エッチングにより前記光学素子用基板に
相似的に転写するので、光学素子用基板に直接機械加工
することが実質上不可能な場合であっても、該光学素子
用基板に所定の深さ分布を有する形状を付与することが
できる。
According to the fifth aspect of the invention, a photomask substrate is provided in which a photosensitive resin layer is provided on the optical element substrate, and both surfaces are substantially flat and substantially transparent to light in a predetermined wavelength range. A transmittance modulation type photomask having a light absorption layer having an absorptivity for light in the predetermined wavelength region formed thereon, and the light absorption layer having a shape having a predetermined depth distribution, and a projection optical system. By exposing and developing the photosensitive resin layer through the, a pattern of the photosensitive resin according to the transmittance distribution of the transmittance modulation type photomask is formed. Since this pattern is transferred analogously to the optical element substrate by anisotropic etching, even if it is practically impossible to directly machine the optical element substrate, a predetermined pattern is formed on the optical element substrate. A shape having a depth distribution of can be provided.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。図1は本発明の透過率変調型フォトマスクの
一実施例を示す図であり、図中1は、透過率変調型フォ
トマスク(以下、フォトマスクと称す)を示す。フォト
マスク1は、所定波長域の光、例えば水銀ランプのg線
やh線、i線やその他の紫外線等に対し実質的に透明で
あって、両面が実質的に平面であるフォトマスク用基板
2と、フォトマスク用基板2の上に形成され、前記所定
波長域の光に対し吸収性を有するとともに、所定の深さ
分布を有する形状の光吸収層3とから成る。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a transmittance modulation type photomask of the present invention, in which 1 denotes a transmittance modulation type photomask (hereinafter referred to as a photomask). The photomask 1 is a substrate for a photomask that is substantially transparent to light in a predetermined wavelength range, such as g-line, h-line, i-line, and other ultraviolet rays of a mercury lamp, and has substantially flat surfaces on both sides. 2 and a light absorption layer 3 formed on the photomask substrate 2 and having a shape having a predetermined depth distribution while absorbing the light in the predetermined wavelength range.

【0022】一般に、光を吸収する層に光を入射したと
き、その層の透過率Tと層の厚さの間には次のような関
係が成立する。 1n(1/T)∝(層の厚さ) すなわち、光吸収層の断面形状、つまり深さ分布は、透
過率と関連性がある。例えば、図1のフォトマスク1の
場合、光吸収層3の深さ分布が鋸歯形状になっており、
このフォトマスク1に所定波長域の光を入射すると、そ
の光に対する透過率分布は光吸収層3の深さ分布を反映
して鋸歯様形状になるので、透過光強度分布も鋸歯様形
状になる。なお、本発明は、図1に示したような光吸収
層3の深さ分布が鋸歯形状の場合のみに限定されず、様
々な深さ分布の場合にも適用可能である。
Generally, when light is incident on a layer that absorbs light, the following relationship is established between the transmittance T of the layer and the thickness of the layer. 1n (1 / T) ∝ (layer thickness) That is, the cross-sectional shape of the light absorption layer, that is, the depth distribution is related to the transmittance. For example, in the case of the photomask 1 of FIG. 1, the depth distribution of the light absorption layer 3 has a sawtooth shape,
When light in a predetermined wavelength range is incident on the photomask 1, the transmittance distribution for the light has a sawtooth-like shape reflecting the depth distribution of the light absorption layer 3, so that the transmitted light intensity distribution also has a sawtooth-like shape. . The present invention is not limited to the case where the depth distribution of the light absorption layer 3 as shown in FIG. 1 has a sawtooth shape, but is applicable to various depth distributions.

【0023】本実施例のフォトマスク1は、露光時、フ
ォトマスク用基板2が所定の深さ分布を有する従来の透
過率変調型フォトマスクと同様の効果を有しているが、
フォトマスク用基板上に形成した光吸収層3が所定の深
さ分布を有するため、従来のものより容易に製造するこ
とができる。ところで、一般にフォトマスクを用いて光
学素子を作製するする場合、露光光が短波長であればあ
るほど分解能を高めることができ、光学素子に細かいパ
ターンを形成することができる。このことから、短波長
の光を透過するフォトマスクを作製することが望まれ
る。ここで短波長としては450nm以下であることが
望ましい。一方、波長が190nm以下の光を用いる
と、空気に吸収されてしまい、また、使用し得る光学材
料もほとんど存在しない。そのため、露光光としては、
波長が450nm以下190nm以上の範囲にある光が
特に好適である。したがって、波長が上記範囲にある光
を透過するフォトマスクを本発明により作製し、上記範
囲の光を露光光として光学素子を作製すれば、より細か
いパターンを有する光学素子を作製することができる。
The photomask 1 of this embodiment has the same effect as the conventional transmittance modulation type photomask in which the photomask substrate 2 has a predetermined depth distribution during exposure.
Since the light absorption layer 3 formed on the photomask substrate has a predetermined depth distribution, it can be manufactured more easily than the conventional one. By the way, generally, when an optical element is manufactured using a photomask, the shorter the exposure light is, the higher the resolution can be, and the fine pattern can be formed on the optical element. Therefore, it is desired to manufacture a photomask that transmits light of short wavelength. Here, the short wavelength is preferably 450 nm or less. On the other hand, when light with a wavelength of 190 nm or less is used, it is absorbed by air, and there are almost no usable optical materials. Therefore, as the exposure light,
Light having a wavelength in the range of 450 nm or less and 190 nm or more is particularly suitable. Therefore, if a photomask that transmits light having a wavelength in the above range is produced according to the present invention and an optical element is produced using light in the above range as exposure light, an optical element having a finer pattern can be produced.

【0024】次に、本発明の透過率変調型フォトマスク
の製造方法について、図2A〜Fを参照して説明する。
図2A〜Fは、本発明を回折光学素子に対応した透過率
変調型フォトマスクの製造に適用した実施例を説明する
ための図である。まず、図2Aに示すように、両面を研
磨され、所定波長域の光、例えば水銀ランプのg線や紫
外線に対し実質的に透明なフォトマスク用基板2の片面
に、フォトマスク用基板2に比べて加工の容易な光吸収
層3を所定の厚さtで形成する。ここで、厚さtの値
は、後述する最大加工深さdmax より大きい値を用い
る。また、加工が容易とは、ここでは工具の摩耗が少な
く、加工率がよいことを表わす。フォトマスク用基板2
としては、前記所定波長域の光を透過する材料全般が使
用可能である。例えば露光光に紫外線を用いる場合、石
英、合成石英、SiO2系ガラス,LiF,MgF2
CaF2 ,BaF2 ,サファイア,KBr,KIなどが
よい。また、等方性や耐環境性等の点から、特に合成石
英やSiO2 系ガラス,CaF2 が好ましい。
Next, a method of manufacturing the transmittance modulation type photomask of the present invention will be described with reference to FIGS.
2A to 2F are views for explaining an embodiment in which the present invention is applied to manufacture of a transmittance modulation type photomask corresponding to a diffractive optical element. First, as shown in FIG. 2A, one surface of the photomask substrate 2 which is substantially transparent to light in a predetermined wavelength range, for example, g-rays or ultraviolet rays of a mercury lamp is polished on both sides of the photomask substrate 2 as shown in FIG. 2A. By comparison, the light absorption layer 3 which is easier to process is formed with a predetermined thickness t. Here, as the value of the thickness t, a value larger than the maximum processing depth d max described later is used. Further, "easy to machine" means that the tool is less worn and the machining rate is good. Photomask substrate 2
As the material, any material that transmits light in the predetermined wavelength range can be used. For example, when ultraviolet rays are used as exposure light, quartz, synthetic quartz, SiO 2 type glass, LiF, MgF 2 ,
CaF 2 , BaF 2 , sapphire, KBr, KI and the like are preferable. In addition, synthetic quartz, SiO 2 -based glass, and CaF 2 are particularly preferable in terms of isotropy and environment resistance.

【0025】光吸収層3の材料としては、前記所定波長
域の光に対し吸収性を有し、フォトマスク用基板2より
も機械加工の容易な材料を用いることができる。例えば
露光光に紫外線を使用する場合、高分子材料やガラス、
金属酸化物、窒化物等があり、光吸収層3とフォトマス
ク用基板2との境界面での反射を防止するため、屈折率
がフォトマスク用基板2の屈折率とほぼ等しいことが望
ましい。以下、紫外線を使用する場合についてさらに詳
細に説明する。
As the material of the light absorption layer 3, a material having an absorptivity for the light in the predetermined wavelength range and easier to machine than the photomask substrate 2 can be used. For example, when using ultraviolet light as exposure light, polymer materials, glass,
There are metal oxides, nitrides and the like, and it is desirable that the refractive index thereof is substantially equal to the refractive index of the photomask substrate 2 in order to prevent reflection at the boundary surface between the light absorption layer 3 and the photomask substrate 2. Hereinafter, the case of using ultraviolet rays will be described in more detail.

【0026】光吸収層3が高分子材料である場合、バイ
ンダー材料として適切な高分子材料、例えば樹脂等に適
切な紫外線吸収剤、例えばサリチル酸誘導体や2−ヒド
ロキシベンゾフェノン誘導体、あるいはガラスや金属酸
化物や窒化物等の粒子を混合し、ディップコーティング
法やスピンコーティング法等を用いてフォトマスク用基
板2に膜を形成し、加熱することにより有機溶剤を飛散
させる。その際、バインダー材料を適切に選択すること
により、その屈折率をフォトマスク用基板2と等しくす
ることができる。また、混合する紫外線吸収剤の量を変
更することにより光吸収層3の吸収係数を調整すること
ができ、透過率の点から決定される深さ分布を加工に適
した深さに適合させることができる。
When the light absorption layer 3 is a polymer material, a polymer material suitable as a binder material, for example, an ultraviolet absorber suitable for a resin, such as a salicylic acid derivative or a 2-hydroxybenzophenone derivative, or glass or a metal oxide. And particles of nitride or the like are mixed, a film is formed on the photomask substrate 2 by a dip coating method, a spin coating method, or the like, and the organic solvent is scattered by heating. At that time, the refractive index can be made equal to that of the photomask substrate 2 by appropriately selecting the binder material. Further, the absorption coefficient of the light absorption layer 3 can be adjusted by changing the amount of the ultraviolet absorber to be mixed, and the depth distribution determined from the viewpoint of the transmittance can be adapted to the depth suitable for processing. You can

【0027】光吸収層3がガラスである場合、例えばS
iO2 系ガラスやカルコゲナイドガラス等が適してい
る。光吸収層3の形成方法としては、ゾル・ゲル法やL
PD法(液相析出法)、CVD法(化学蒸着法)等を用
いて膜を形成する方法がある。ゾル・ゲル法を用いる場
合、低温で膜の材料を合成することができる。また、高
純度の材料を作りやすく、均一な厚みが得られるため、
容易に高品質の膜を得ることができる。また、コーティ
ングに適用し得る元素が極めて多いため、様々な膜を形
成することができ、適切に材料を選択することにより、
光吸収層3の屈折率をフォトマスクの基板2と等しくす
ることができる。
When the light absorption layer 3 is glass, for example, S
io 2 glass and chalcogenide glass are suitable. The light absorption layer 3 may be formed by a sol-gel method or L method.
There is a method of forming a film by using a PD method (liquid phase deposition method), a CVD method (chemical vapor deposition method) or the like. When using the sol-gel method, the material of the film can be synthesized at a low temperature. In addition, because it is easy to make high-purity materials and a uniform thickness can be obtained,
A high quality film can be easily obtained. Also, since there are so many elements that can be applied to the coating, various films can be formed, and by appropriately selecting the material,
The refractive index of the light absorption layer 3 can be made equal to that of the photomask substrate 2.

【0028】LPD法を用いる場合、低温で膜を形成す
ることができ、また、加熱温度を適切に設定することに
より、光吸収層3の屈折率をフォトマスク用基板2と等
しくすることができる。さらに、LPD法は被膜性がよ
く、不純物の少ない膜を得ることができるため、フォト
マスク用基板2が複雑な異形表面から成っていても、高
品質で欠陥の少ない膜を得ることができる。また、その
構造が緻密なため、加熱処理に伴う膜厚変化が小さく、
精度よく層を形成することができる。CVD法の特長
は、高融点物質を低温で合成できること、フォトマスク
用基板形状によらず効率よく均一に成膜できること、高
純度な原料ガスを用いることにより不純物を低減できる
こと、堆積物の組成や構造形態を制御しやすいことなど
である。したがって、CVD法を用いる場合、高純度で
均一な層を低温で容易に形成することができる。光吸収
層3が金属酸化物、窒化物である場合、真空蒸着法やス
パッタリング法、CVD法等により光吸収層3を形成す
ることができる。
When the LPD method is used, the film can be formed at a low temperature, and the refractive index of the light absorption layer 3 can be made equal to that of the photomask substrate 2 by appropriately setting the heating temperature. . Furthermore, since the LPD method has a good film-forming property and a film with few impurities can be obtained, a high-quality film with few defects can be obtained even if the photomask substrate 2 has a complicated irregular surface. Also, since the structure is dense, the change in film thickness due to heat treatment is small,
The layer can be formed with high accuracy. The features of the CVD method are that a high-melting point substance can be synthesized at a low temperature, that a film can be formed efficiently and uniformly regardless of the shape of the photomask substrate, that impurities can be reduced by using a high-purity source gas, and the composition of the deposit and It is easy to control the structural form. Therefore, when the CVD method is used, a highly pure and uniform layer can be easily formed at a low temperature. When the light absorption layer 3 is a metal oxide or a nitride, the light absorption layer 3 can be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method or the like.

【0029】以上、前記所定波長域が紫外域である場合
について説明したが、紫外域以外、例えば可視域や赤外
域でも、フォトマスク用基板2や光吸収層3の材料とし
て適切なものを選択することにより、同様な効果が得ら
れる。また、特に所定波長域が450nm以下190n
m以上の範囲にある場合、前述の理由により、分解能が
さらに良好になるように露光し得るフォトマスクを製造
することができる。
Although the case where the predetermined wavelength range is the ultraviolet range has been described above, an appropriate material is selected as the material for the photomask substrate 2 and the light absorbing layer 3 other than the ultraviolet range, for example, the visible range and the infrared range. By doing so, the same effect can be obtained. Further, in particular, the predetermined wavelength range is 450 nm or less and 190 n
When it is in the range of m or more, it is possible to manufacture a photomask which can be exposed so that the resolution is further improved for the above-mentioned reason.

【0030】次に、光吸収層3を所望の深さ分布を有す
る形状に形成する機械加工を行う。例えば図2B〜図2
Eに示すように、光吸収層3を加工機、例えば数値制御
旋盤型加工機や数値制御フライス盤型加工機、ルーリン
グエンジン型加工機等により所望の形状に加工する。あ
るいは図2Fに示すように、光吸収層3に型4を押し付
けることにより光吸収層3を所望の形状に加工する。そ
の際、フォトマスク用基板2よりも機械加工の容易な光
吸収層3を機械加工するため、フォトマスク用基板2を
直接加工する場合よりも容易に機械加工することがで
き、フォトマスク用基板2としては機械加工の困難な材
料も使用することができる。また、光吸収層3の加工
後、そのまま透過率変調型フォトマスクとして使用する
ため、さらに他の材料をコートしたり研磨する必要がな
い。さらに、露光工程がなく機械加工だけで光吸収層3
に所定の形状を形成するため、露光時に発生する近接効
果等による加工精度の低下が生じない。
Next, mechanical processing is performed to form the light absorption layer 3 into a shape having a desired depth distribution. For example, FIGS.
As shown in E, the light absorption layer 3 is processed into a desired shape by a processing machine such as a numerically controlled lathe type processing machine, a numerically controlled milling machine type processing machine, or a ruling engine type processing machine. Alternatively, as shown in FIG. 2F, the light absorbing layer 3 is processed into a desired shape by pressing the mold 4 against the light absorbing layer 3. At this time, since the light absorption layer 3 that is easier to machine than the photomask substrate 2 is machined, the photomask substrate 2 can be machined more easily than when directly processed. A material that is difficult to machine can be used as 2. Further, since the light absorption layer 3 is used as it is as a transmittance modulation type photomask after processing, it is not necessary to coat or polish another material. Furthermore, there is no exposure step and the light absorption layer 3 can be formed only by machining.
Since the predetermined shape is formed on the substrate, the processing accuracy does not deteriorate due to the proximity effect or the like that occurs during exposure.

【0031】次に、光吸収層3を所望の形状に機械加工
する工程において、同心円形状の回折光学素子、例えば
ブレーズ化した回折型レンズに対応した透過率変調型フ
ォトマスクを製造する場合について説明する。切削加工
機、例えば数値制御旋盤型加工機(図示せず)に、図2
Bに示すように、ワークとして光吸収層3を形成したフ
ォトマスク用基板2を取り付ける。そして、ワークを回
転させながら製造すべきフォトマスクの設計データに基
づいてバイト5を移動させ、光吸収層3を所望の形状に
切削加工する。この際、フォトマスク用基板2を直接加
工するのではないため、フォトマスク用基板2の加工性
にかかわらず容易に、かつ高速に切削加工することがで
きる。したがって、大面積のフォトマスクでも、容易に
製造することができる。また、異なる断面形状を有する
ものでも、加工データを変更することにより容易に対応
することができ、様々な形状の光学素子に対応したフォ
トマスクを製造することができる。
Next, a description will be given of a case of manufacturing a concentric diffractive optical element, for example, a transmittance modulation type photomask corresponding to a blazed diffractive lens, in the step of machining the light absorption layer 3 into a desired shape. To do. If a cutting machine, for example, a numerically controlled lathe type machine (not shown) is used,
As shown in B, the photomask substrate 2 having the light absorption layer 3 formed thereon is attached as a work. Then, while rotating the work, the cutting tool 5 is moved based on the design data of the photomask to be manufactured, and the light absorption layer 3 is cut into a desired shape. At this time, since the photomask substrate 2 is not directly processed, cutting can be performed easily and at high speed regardless of the workability of the photomask substrate 2. Therefore, even a large-area photomask can be easily manufactured. Further, even those having different cross-sectional shapes can be easily dealt with by changing the processing data, and photomasks corresponding to optical elements of various shapes can be manufactured.

【0032】ここで、複数の波長に対し最適化した回折
光学素子等、リングの深さが各リングで異なる場合、そ
れに対応したフォトマスクもリングの深さが各リングで
異なることになる。その場合、リングの最大加工深さを
max とすると、t>dmaxとするのが好ましい。光吸
収層3の厚さtを最大加工深さdmax より僅かでも大き
くした場合、バイト5の動きに多少の誤差があっても、
バイト5がフォトマスク用基板2に接触するのを有効に
防止することができる。
Here, when the ring depth is different for each ring, such as a diffractive optical element optimized for a plurality of wavelengths, the photomask corresponding thereto also has a different ring depth for each ring. In that case, it is preferable that t> d max , where d max is the maximum working depth of the ring. When the thickness t of the light absorption layer 3 is made slightly larger than the maximum processing depth d max , even if there is some error in the movement of the cutting tool 5,
It is possible to effectively prevent the cutting tool 5 from coming into contact with the photomask substrate 2.

【0033】一方、直線形状の回折光学素子、例えば回
折格子に対応した透過率変調型フォトマスクを製造する
場合には、切削加工機、例えば数値制御フライス盤型加
工機やルーリングエンジン型加工機等を用いて、図2C
〜図2Eに示すように、バイト5を固定しワークを上下
左右に動かすか、もしくはワークを固定しバイト5を上
下左右に動かして光吸収層3を所望の形状に切削加工す
る。この際、フォトマスク用基板2を加工するのではな
いため、同心円形状の回折光学素子の場合と同様に、フ
ォトマスク用基板2の加工性に依らず容易に、かつ高速
に切削加工することができ、大面積のフォトマスクで
も、容易に製造することができる。また、加工データを
変更することにより容易に様々な形状の光学素子に対応
したフォトマスクを製造することができる。
On the other hand, in the case of manufacturing a linearly shaped diffractive optical element, for example, a transmittance modulation type photomask corresponding to a diffraction grating, a cutting machine, for example, a numerical control milling machine type machine or a ruling engine type machine is used. Using FIG. 2C
As shown in FIG. 2E, the cutting tool 5 is fixed and the work is moved vertically and horizontally, or the work is fixed and the cutting tool 5 is moved vertically and horizontally to cut the light absorption layer 3 into a desired shape. At this time, since the photomask substrate 2 is not processed, it can be easily and rapidly cut regardless of the workability of the photomask substrate 2 as in the case of the concentric circular diffractive optical element. Therefore, even a large-area photomask can be easily manufactured. Moreover, by changing the processing data, it is possible to easily manufacture photomasks corresponding to optical elements of various shapes.

【0034】以上のように光吸収層3を切削加工するこ
とにより、所望の深さ分布を有する形状を容易に得るこ
とができる。また、近年の数値制御加工機はサブミクロ
ンの加工精度があり、高精度に所望する形状を得ること
ができる。さらに、加工データを変更することにより、
図2Bから図2Eに例示した形状に限らず、様々な形状
の光学素子、例えば非球面レンズやフレネルレンズ、回
折型シリンドリカルレンズ等に対応したフォトマスクを
容易に製造することができる。また、例えば旋盤型加工
機やフライス盤型加工機、ルーリングエンジン型加工機
は汎用性があり、同じ加工機を様々な目的に用いること
ができるため、フォトマスク製造に対応する費用を抑え
ることができる。
By cutting the light absorption layer 3 as described above, a shape having a desired depth distribution can be easily obtained. Further, recent numerical control processing machines have a processing accuracy of submicron, and can obtain a desired shape with high accuracy. Furthermore, by changing the processing data,
Not limited to the shapes illustrated in FIGS. 2B to 2E, it is possible to easily manufacture photomasks corresponding to optical elements of various shapes, such as aspherical lenses, Fresnel lenses, and diffractive cylindrical lenses. Further, for example, a lathe type processing machine, a milling machine type processing machine, and a ruling engine type processing machine are versatile, and the same processing machine can be used for various purposes, so that the cost for manufacturing a photomask can be suppressed. .

【0035】次に、光吸収層3を所望の深さ分布を有す
る形状に機械加工する工程において、型加工を行う場合
について説明する。図2Fに示すように、所定の形状を
有する型4、例えば金型などを光吸収層3に押し付け、
光吸収層3に所望の形状を形成する。この場合、型加工
を行うことにより、再現性よく所望の形状を形成するこ
とができる。また、所望の形状を容易に効率よく形成す
ることができるため、大量生産も容易に行うことができ
る。以上の説明から明らかなように、本実施例によれ
ば、様々なパターンの透過率変調型フォトマスクを容易
に高精度で製造することができる。
Next, description will be given of the case where the die machining is performed in the step of machining the light absorption layer 3 into a shape having a desired depth distribution. As shown in FIG. 2F, a mold 4 having a predetermined shape, for example, a mold is pressed against the light absorption layer 3,
A desired shape is formed on the light absorption layer 3. In this case, it is possible to form a desired shape with good reproducibility by performing the mold processing. Moreover, since a desired shape can be easily and efficiently formed, mass production can be easily performed. As is clear from the above description, according to the present embodiment, it is possible to easily manufacture the transmittance modulation type photomask having various patterns with high accuracy.

【0036】次に、本発明を回折光学素子に対応した透
過率変調型フォトマスクの製造に適用した実施例につい
て、図3A〜Eを参照して説明する。まず、図3Aに示
すように、所定波長域の光に対し吸収性を有する両面を
研磨したフォトマスク用基板6の片面に、加工層7を所
定の厚さtで形成する。ここで、厚さtの値は、前述の
実施例で述べたように最大加工深さdmax より大きい値
にする。フォトマスク用基板6としては、前記所定波長
域の光に対し吸収性を有する材料全般が使用できる。例
えば、露光光として紫外線を使用する場合、紫外線を吸
収する材料全般、特にSiO2 系ガラスやカルコゲナイ
ドガラス、UVフィルタ等が耐久性やエッチングの面で
好ましい。
Next, an example in which the present invention is applied to manufacture of a transmittance modulation type photomask corresponding to a diffractive optical element will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 3A, a processing layer 7 is formed with a predetermined thickness t on one surface of a photomask substrate 6 whose both surfaces are absorptive to light in a predetermined wavelength range. Here, the value of the thickness t is set to a value larger than the maximum working depth d max as described in the above embodiment. As the photomask substrate 6, all materials having absorptivity for the light in the predetermined wavelength range can be used. For example, when ultraviolet rays are used as the exposure light, general materials that absorb ultraviolet rays, particularly SiO 2 glass, chalcogenide glass, UV filters, etc. are preferable in terms of durability and etching.

【0037】加工層の材料としては、フォトマスク用基
板6よりも機械加工の容易な材料、例えば樹脂や、機械
加工の容易な金属等を用いることができる。機械加工の
容易な金属としては、例えばAlやP−Ni(無電解ニ
ッケル)等を用いることができる。加工層7の形成は、
加工層7が樹脂からなる場合、スピンコーターなどを用
いて行なうことができる。ベーキング条件を選ぶことに
より、その後の工程に適した硬さにすることができる。
加工層7が金属から成る場合、真空蒸着やスパッタリン
グ、メッキ等により加工層7を形成することができる。
As the material of the processing layer, a material that can be machined more easily than the photomask substrate 6, for example, a resin or a metal that can be machined easily can be used. As the metal that can be easily machined, for example, Al or P—Ni (electroless nickel) can be used. The processing layer 7 is formed by
When the processed layer 7 is made of resin, it can be performed using a spin coater or the like. By selecting the baking conditions, the hardness suitable for the subsequent process can be obtained.
When the processing layer 7 is made of metal, the processing layer 7 can be formed by vacuum vapor deposition, sputtering, plating or the like.

【0038】次に、加工層7を所望の形状に機械加工す
る。例えば図3Bに示すように、切削加工機、例えば数
値制御旋盤型加工機(図示せず)にワークとして加工層
7を形成したフォトマスク用基板6を取り付け、ワーク
を回転させながら製造すべきフォトマスクの設計データ
に基づいてバイト5を移動させ、加工層7を所定の形状
に加工する。あるいは、加工層7が樹脂から成る場合に
は、図3Cに示すように、加工層7に所定の形状を有す
る型4a(例えば金型等)を押し付けることにより加工
層7を所望の形状に形成する。この際、加工層7を加工
するため、非対称二光束露光法やビーム露光によって加
工層7を所望の形状に形成する場合に比べて、大面積で
あっても容易に所望の形状に形成することができる。ま
た、フォトマスク用基板6よりも機械加工の容易な加工
層を加工するので、フォトマスク用基板6としては機械
加工の困難な材料も使用することができる。さらに、露
光工程がなく機械加工だけで加工層7に所定の形状を形
成するため、露光時に発生する近接効果等による加工精
度の低下が生じない。
Next, the processed layer 7 is machined into a desired shape. For example, as shown in FIG. 3B, a photomask substrate 6 on which a processing layer 7 is formed as a work is attached to a cutting machine, for example, a numerically controlled lathe type machine (not shown), and a photo to be manufactured while rotating the work. The tool 5 is moved based on the mask design data to process the processing layer 7 into a predetermined shape. Alternatively, when the processing layer 7 is made of resin, as shown in FIG. 3C, the processing layer 7 is formed into a desired shape by pressing a mold 4a (for example, a mold) having a predetermined shape against the processing layer 7. To do. At this time, since the processing layer 7 is processed, it is possible to easily form the processing layer 7 into a desired shape even if it has a large area, as compared with the case where the processing layer 7 is formed into a desired shape by an asymmetric two-beam exposure method or beam exposure. You can Further, since a processing layer that is easier to machine than the photomask substrate 6 is processed, a material that is difficult to machine can be used as the photomask substrate 6. Furthermore, since a predetermined shape is formed in the processed layer 7 only by mechanical processing without an exposure step, processing accuracy does not decrease due to the proximity effect or the like that occurs during exposure.

【0039】切削加工の場合、近年の数値制御加工機は
極めて高い加工精度を有しているので、加工層7を極め
て高い精度で所望の形状に加工することができる。ま
た、加工データを変更することにより、図4A〜Eに示
すように、非球面レンズやフレネルレンズ等、様々な光
学素子に対応したフォトマスクを容易に製造することが
できる。さらに、フライス盤型加工機やルーリングエン
ジン型加工機等を用いれば、直線形状の回折光学素子な
どに対応したフォトマスクも容易に製造することができ
る。また、これらの加工機は汎用性があり、他の目的に
も用いることができるため、フォトマスク製造に対応す
る費用を抑えることができる。型加工の場合、加工層7
を再現性よく、しかも短時間で効率よく所望の形状に形
成することができるので、大量生産が可能である。
In the case of cutting, since the numerical control processing machines of recent years have extremely high processing accuracy, the processing layer 7 can be processed into a desired shape with extremely high accuracy. Further, by changing the processing data, as shown in FIGS. 4A to 4E, photomasks corresponding to various optical elements such as aspherical lenses and Fresnel lenses can be easily manufactured. Further, by using a milling machine type processing machine, a ruling engine type processing machine or the like, it is possible to easily manufacture a photomask corresponding to a linear diffractive optical element or the like. Further, since these processing machines have versatility and can be used for other purposes, the cost for manufacturing a photomask can be suppressed. In the case of die processing, processing layer 7
Since it can be reproducibly formed into a desired shape efficiently in a short time, mass production is possible.

【0040】機械加工終了後、フォトマスク用基板6及
び加工層7を浸食加工する。浸食加工としては、図3D
に示すような異方性エッチング、例えば反応性イオンエ
ッチング等が適している。これにより、加工層7の形状
がフォトマスク用基板6に深さ方向に相似的に転写され
る。加工層7の形状がフォトマスク用基板6に転写され
るまで浸食加工を行うことにより、図3Eに示すような
透過率変調型フォトマスクを製造することができる。こ
の時、エッチングガス8の組成を調整することにより、
フォトマスク用基板6と加工層7のエッチングの選択比
を変化させることができ、選択比を1:1にすれば、加
工層7の形状がそのままフォトマスク用基板6に転写さ
れる。選択比を1:1以外にした場合は、加工層7の形
状が深さ方向に拡大、あるいは縮小されて相似的にフォ
トマスク用基板6に転写されるため、選択比に応じて加
工層7に形成するパターンの深さ方向の値を決定すれば
よい。
After the mechanical processing is completed, the photomask substrate 6 and the processing layer 7 are eroded. For erosion processing, see Fig. 3D.
Anisotropic etching as shown in, for example, reactive ion etching is suitable. As a result, the shape of the processed layer 7 is transferred to the photomask substrate 6 in a similar manner in the depth direction. By performing erosion processing until the shape of the processing layer 7 is transferred to the photomask substrate 6, a transmittance modulation type photomask as shown in FIG. 3E can be manufactured. At this time, by adjusting the composition of the etching gas 8,
The etching selection ratio of the photomask substrate 6 and the processing layer 7 can be changed, and if the selection ratio is set to 1: 1, the shape of the processing layer 7 is directly transferred to the photomask substrate 6. When the selection ratio is other than 1: 1, the shape of the processing layer 7 is enlarged or reduced in the depth direction and is transferred to the photomask substrate 6 in a similar manner. The value in the depth direction of the pattern to be formed may be determined.

【0041】上記においては、加工層7に形成した形状
を浸食加工によりフォトマスク用基板6に転写するた
め、フォトマスクの材料はフォトマスク用基板6の材料
のみとなる。そこで、このフォトマスクを用いれば露光
時に異なる材料の境界で起こる反射がなく、反射光と入
射光との干渉によるレジストパターンの崩れが生じな
い。したがって、精度よくレジストパターンを形成する
ことのできる性能のよいフォトマスクを得ることができ
る。また、異なる材料の境界で剥がれることもなく、耐
久性に優れたフォトマスクを製造することができる。ま
た、特に波長が450nm以下190nm以上の範囲に
ある光に対しフォトマスク用基板6が吸収性を有する場
合、前述の理由により、分解能がさらに良好になるよう
に露光し得るフォトマスクを製造することができる。
In the above, since the shape formed on the processing layer 7 is transferred to the photomask substrate 6 by erosion processing, the photomask material is only the material of the photomask substrate 6. Therefore, if this photomask is used, there is no reflection that occurs at the boundary between different materials during exposure, and the resist pattern does not collapse due to interference between reflected light and incident light. Therefore, it is possible to obtain a photomask with high performance capable of forming a resist pattern with high accuracy. In addition, a photomask having excellent durability can be manufactured without peeling at the boundary between different materials. Further, especially when the photomask substrate 6 has absorptivity for light having a wavelength of 450 nm or less and 190 nm or more, a photomask which can be exposed so that the resolution is further improved for the reasons described above. You can

【0042】本実施例は、回折光学素子の製作に適した
フォトマスクの製作に限定されず、例えば図4A〜Eに
示すようにして、非球面レンズや、フレネルレンズ等に
適したフォトマスクの製作にも適用することができる。
以上の説明から明らかなように、本実施例によれば、耐
久性に優れ、高性能で大面積の透過率変調型フォトマス
クを容易に高精度で製造することができる。
This embodiment is not limited to the production of a photomask suitable for producing a diffractive optical element, and for example, as shown in FIGS. 4A to 4E, a photomask suitable for an aspherical lens, a Fresnel lens, etc. It can also be applied to production.
As is clear from the above description, according to the present embodiment, it is possible to easily and highly accurately manufacture a high-performance, large-area transmittance modulation type photomask having excellent durability.

【0043】次に、図5A〜Eを参照して、本発明を光
学素子の製造に適用した実施例について説明する。ま
ず、図5Aに示すように、所定の材質、例えば光学ガラ
スより成る光学素子用基板9の片面に感光性樹脂層10
を所定の厚さで形成する。その後、適切な条件でプリベ
ークを行う。
Next, an embodiment in which the present invention is applied to manufacture of an optical element will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 5A, the photosensitive resin layer 10 is formed on one surface of the optical element substrate 9 made of a predetermined material, for example, optical glass.
Is formed with a predetermined thickness. After that, pre-baking is performed under appropriate conditions.

【0044】次に図5Bに示すように、感光性樹脂層1
0の上面に密着するように透過率変調型フォトマスク1
1を配置し、透過率変調型フォトマスク11を介して感
光性樹脂層10が感光する波長の露光光12によって感
光性樹脂層10を露光する。露光後現像を行うと、感光
性樹脂層10がポジ型の感光性樹脂から成る場合、露光
光12の強度が強い部分は感光性樹脂層10の残膜厚さ
が薄くなるか、あるいは膜が残らない。一方、露光光1
2の強度が弱い部分は残膜厚さが厚くなり、露光光12
の強度分布に従って図5Cに示すように感光性樹脂層1
0に深さ形状が形成される。一方、感光性樹脂層10が
ネガ型の感光性樹脂から成る場合、ポジ型とは逆に露光
光12の強度が強い部分は残膜厚さが厚く、強度が弱い
部分は残膜厚さが薄くなり、感光性樹脂層10にネガ型
の場合と逆の深さ形状が形成される。
Next, as shown in FIG. 5B, the photosensitive resin layer 1
Transmittance modulation type photomask 1 so as to be in close contact with the upper surface of 0.
1 is arranged, and the photosensitive resin layer 10 is exposed through the transmittance modulation type photomask 11 with the exposure light 12 having a wavelength that the photosensitive resin layer 10 is exposed to. When the development is performed after exposure, when the photosensitive resin layer 10 is made of a positive type photosensitive resin, the residual film thickness of the photosensitive resin layer 10 becomes thin in the portion where the intensity of the exposure light 12 is strong, or the film is formed. It does not remain. On the other hand, exposure light 1
In the portion of 2 where the intensity is weak, the residual film thickness becomes thicker and the exposure light 12
5C according to the intensity distribution of the photosensitive resin layer 1
A depth profile is formed at 0. On the other hand, when the photosensitive resin layer 10 is made of a negative type photosensitive resin, the residual film thickness is large in a portion where the intensity of the exposure light 12 is strong and the remaining film thickness is weak in a portion where the intensity of the exposure light 12 is opposite to the positive type. The photosensitive resin layer 10 becomes thinner and has a depth shape opposite to that of the negative type.

【0045】ポストベーク後、図5Dに示すように異方
性エッチング、例えば反応性イオンエッチングを行う。
これにより感光性樹脂層10の形状がフォトマスク用基
板9に深さ方向に相似的に転写される。感光性樹脂層1
0の形状が完全に光学素子用基板9に転写されるまでエ
ッチングを行うことによって、図5Eに示すような光学
素子を製造することができる。この時、エッチングガス
8aの組成を調整することにより、光学素子用基板9と
感光性樹脂層10のエッチングの選択比の値を変化させ
ることができる。
After the post-baking, anisotropic etching such as reactive ion etching is performed as shown in FIG. 5D.
As a result, the shape of the photosensitive resin layer 10 is transferred to the photomask substrate 9 in a similar manner in the depth direction. Photosensitive resin layer 1
By performing etching until the shape of 0 is completely transferred to the optical element substrate 9, an optical element as shown in FIG. 5E can be manufactured. At this time, by adjusting the composition of the etching gas 8a, the value of the etching selection ratio between the optical element substrate 9 and the photosensitive resin layer 10 can be changed.

【0046】なお、露光時に、フォトマスク11を感光
性樹脂層10と僅かの隙間を隔てて近接配置して露光を
行うようにしてもよい。密着させた場合、分解能よく露
光することができ、僅かに離した場合、感光性樹脂層1
0やフォトマスク11を傷めずに露光することができ
る。また、特に波長が450nm以下190nm以上の
範囲にある光に対し吸収性を有するフォトマスクを用い
て、波長がこの範囲にある光で露光すると、前述の理由
により、分解能をさらに良好にするように露光すること
ができる。
At the time of exposure, the photomask 11 may be placed close to the photosensitive resin layer 10 with a slight gap between them to perform exposure. When they are brought into close contact with each other, exposure can be performed with good resolution, and when they are slightly separated, the photosensitive resin layer 1
It is possible to perform exposure without damaging 0 or the photomask 11. Further, when a photomask having an absorptivity for light having a wavelength of 450 nm or less and 190 nm or more is used, and exposure is performed with light having a wavelength of this range, the resolution is further improved for the above reason. It can be exposed.

【0047】本実施例の製造方法によれば、バイナリー
手法を用いて図5Cのようなブレーズ形状を形成する場
合にはブレーズ形状が近似的な形状しか得られないのに
対し、本発明では、階段近似することなく図5Cのよう
なブレーズ形状を得ることができる。また、フォトマス
ク11を用いて1回の露光により感光性樹脂層10を所
望の形状に形成するため、工程数がバイナリー手法に比
べ少なくなる。また、マスクの重ね合わせ誤差がなく、
精度よく所定の形状を形成することができる。そこで、
短時間に光学素子を大量に精度良く複製することができ
る。
According to the manufacturing method of this embodiment, when the blazed shape as shown in FIG. 5C is formed by using the binary method, only the approximate blazed shape can be obtained. A blazed shape as shown in FIG. 5C can be obtained without stepwise approximation. Moreover, since the photosensitive resin layer 10 is formed into a desired shape by one exposure using the photomask 11, the number of steps is smaller than that of the binary method. Also, there are no mask overlay errors,
It is possible to accurately form a predetermined shape. Therefore,
A large number of optical elements can be accurately duplicated in a short time.

【0048】なお、本実施例では、上述した図1の透過
率変調型フォトマスクを用いるものとするが、上述した
図2〜図4の製造方法によって製造した透過率変調型フ
ォトマスクを用いてもよい。以上の説明から明らかなよ
うに、本実施例によれば、光学素子を容易に製造するこ
とができる。また、フォトマスクに応じて例えば回折光
学レンズや回折格子、非球面レンズ、フレネルレンズな
ど、様々な形状の光学素子を容易に製造することができ
る。
In this embodiment, the transmittance modulation type photomask shown in FIG. 1 is used, but the transmittance modulation type photomask manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. 2 to 4 is used. Good. As is clear from the above description, according to this embodiment, the optical element can be easily manufactured. Further, optical elements having various shapes such as a diffractive optical lens, a diffraction grating, an aspherical lens, and a Fresnel lens can be easily manufactured according to the photomask.

【0049】次に、図5A〜Eおよび図6を参照して、
本発明を光学素子の製造に適用した他の実施例について
説明する。まず、図5Aに示すように、所定の材質、例
えば光学ガラスから成る光学素子用基板9の片面に感光
性樹脂層10を所定の厚さで形成する。その後、適切な
条件でプリベークを行う。
Next, referring to FIGS.
Another embodiment in which the present invention is applied to manufacture of an optical element will be described. First, as shown in FIG. 5A, a photosensitive resin layer 10 is formed with a predetermined thickness on one surface of an optical element substrate 9 made of a predetermined material, for example, optical glass. After that, pre-baking is performed under appropriate conditions.

【0050】次に、感光性樹脂層10を露光光で投影露
光する。図6は、投影露光系としてレンズを用いる場合
の構成を示す図である。13は照明系であり、透過率変
調型フォトマスク11を照射している。フォトマスク1
1と感光性樹脂層10とは共役関係にあり、収差が非常
に小さい投影レンズ14によってフォトマスク11の像
が感光性樹脂層10上に結像され、感光性樹脂層10を
フォトマスク11の透過率分布に対応して露光する。こ
のとき、感光性樹脂層10上の像は、投影レンズ14の
倍率に応じて、等倍あるいは縮小した像となる。縮小投
影の場合、その倍率に応じてフォトマスクが大きくな
り、フォトマスク11の製作が容易になる。例えば、感
光性樹脂層10上に形成するパターンのピッチが10μ
mであり、投影レンズの倍率が1/5倍であるとき、フ
ォトマスクのピッチは50μmとなる。また、使用する
露光光の波長は、感光性樹脂が感光する波長域内にある
ようにする。特に露光光として波長が450nm以下1
90以上の範囲にある光を用いると、前述の理由によ
り、分解能がさらに良好になるように露光することがで
きる。
Next, the photosensitive resin layer 10 is projected and exposed with exposure light. FIG. 6 is a diagram showing a configuration when a lens is used as a projection exposure system. An illumination system 13 illuminates the transmittance modulation type photomask 11. Photo mask 1
1 and the photosensitive resin layer 10 are in a conjugate relationship, and the image of the photomask 11 is formed on the photosensitive resin layer 10 by the projection lens 14 having a very small aberration, and the photosensitive resin layer 10 is separated from the image of the photomask 11 by the projection lens 14. Exposure is performed according to the transmittance distribution. At this time, the image on the photosensitive resin layer 10 becomes an image of equal size or reduced size according to the magnification of the projection lens 14. In the case of reduction projection, the photomask becomes large according to the magnification, and the photomask 11 is easily manufactured. For example, the pitch of the pattern formed on the photosensitive resin layer 10 is 10 μm.
m, and when the magnification of the projection lens is 1/5, the pitch of the photomask is 50 μm. Further, the wavelength of the exposure light used is within the wavelength range where the photosensitive resin is exposed. Especially as the exposure light, the wavelength is 450 nm or less 1
When the light in the range of 90 or more is used, it is possible to perform exposure so that the resolution is further improved due to the above reason.

【0051】露光後、前述した実施例と同様に現像を行
い、感光性樹脂層10に深さ形状を形成する。そして、
ポストベークおよび異方性エッチングを行って光学素子
用基板9に感光性樹脂層10の形状を深さ方向に相似的
に転写し、光学素子を製造する。
After the exposure, the photosensitive resin layer 10 is developed in the same manner as in the above-described embodiment to form a depth shape. And
Post-baking and anisotropic etching are performed to transfer the shape of the photosensitive resin layer 10 to the optical element substrate 9 in a similar manner in the depth direction to manufacture an optical element.

【0052】本実施例においては、前述の実施例と同様
に、所望の形状を階段近似することなく得ることができ
る。また、フォトマスク11と感光性樹脂層10が接触
しないため、レジストの剥がれ等による欠陥がない。ま
た、光学素子用基板9との接触によるマスクの破損も防
止することができる。また、フォトマスク11を用いて
1回の露光により感光性樹脂層10を所望の形状に形成
するため、工程数がバイナリー手法に比べ少なくなる。
また、マスクの重ね合わせ誤差がなく、精度よく所定の
形状を形成することができる。そこで、短時間に光学素
子を大量に精度よく複製することができる。また、フォ
トマスクを変更することにより、容易に様々な形状の光
学素子を製造することができる。
In this embodiment, a desired shape can be obtained without stepwise approximation as in the above-described embodiments. Further, since the photomask 11 and the photosensitive resin layer 10 do not come into contact with each other, there is no defect such as peeling of the resist. Further, damage to the mask due to contact with the optical element substrate 9 can be prevented. Moreover, since the photosensitive resin layer 10 is formed into a desired shape by one exposure using the photomask 11, the number of steps is smaller than that of the binary method.
Further, it is possible to form a predetermined shape with high accuracy without a mask overlay error. Therefore, a large number of optical elements can be accurately duplicated in a short time. Further, by changing the photomask, optical elements of various shapes can be easily manufactured.

【0053】本実施例では、投影光学系として投影レン
ズを用いる場合について説明したが、投影光学系として
ミラーを用いたミラープロジェクションを使用すること
もできる。以上の説明から明らかなように、本実施例に
よれば、光学素子を容易に製造することができる。ま
た、例えば回折光学レンズや回折格子、非球面レンズ、
フルネルレンズ等、様々な形状の光学素子を容易に製造
することができる。
In the present embodiment, the case where the projection lens is used as the projection optical system has been described, but a mirror projection using a mirror may be used as the projection optical system. As is clear from the above description, according to this embodiment, the optical element can be easily manufactured. Also, for example, a diffractive optical lens, a diffraction grating, an aspherical lens,
Optical elements of various shapes such as a Fresnel lens can be easily manufactured.

【0054】なお、本発明は上述した実施例のみに限定
されるものではなく、様々な変形または変更を加えるこ
とができる。例えば、上記請求項1記載の透過率変調型
フォトマスクにおいて、前記所定波長域が、波長450
nm以下190nm以上の範囲にあるようにするのが好
ましい。その場合、前記所定波長域が、波長450nm
以下190nm以上の範囲にある光に対し吸収性を有す
る光吸収層が、所定の深さ分布を有する形状に形成され
るので、波長が前記範囲にある光を透過させると深さ分
布に応じて光の透過率が付与され、深さが深い所ほど光
の透過率が高くなり、浅い所ほど光の透過率が低くな
り、透過率変調型フォトマスクとして作用する。したが
って、請求項1の効果に加えて、露光光として前記範囲
にある光を用いて露光することができるため、分解能を
良好にするように露光することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications or changes can be added. For example, in the transmittance-modulated photomask according to claim 1, the predetermined wavelength range is wavelength 450.
It is preferable that the thickness is in the range of not more than 190 nm and not less than 190 nm. In that case, the predetermined wavelength range is 450 nm.
Since the light absorption layer having an absorptivity for light in the range of 190 nm or more is formed in a shape having a predetermined depth distribution, when light having a wavelength in the above range is transmitted, the light absorption layer is changed according to the depth distribution. Light transmittance is imparted, and the light transmittance increases as the depth increases, and the light transmittance decreases as the depth decreases, and the light transmittance acts as a transmittance modulation photomask. Therefore, in addition to the effect of the first aspect, it is possible to perform the exposure by using the light in the above range as the exposure light, so that it is possible to perform the exposure so as to improve the resolution.

【0055】また、上記請求項2記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記光吸収層の機械加
工が、旋盤型加工機を用いた加工であるのが好ましい。
その場合、上記請求項2と同様に、フォトマスク用基板
は、該フォトマスク用基板よりも機械加工の容易な光吸
収層を支持し、また光吸収層は機械加工層としても作用
するので、旋盤型加工機を用いてワークを回転させるこ
とにより、光吸収層が所定の深さ分布を有する形状に形
成される。したがって、請求項2の効果に加えて、加工
精度のよい旋盤型加工機を用いて光吸収層の加工を行う
ことにより、同心円状の回折光学素子や非球面レンズ等
に対応した透過率変調型フォトマスクを、容易に高精度
で製造することができる。また、効率よく、安価にフォ
トマスクを製造することができる。また、様々な形状の
フォトマスクを容易に製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask according to claim 2, it is preferable that the light absorption layer is machined using a lathe machine.
In that case, the photomask substrate supports a light absorption layer that is easier to machine than the photomask substrate, and the light absorption layer also functions as a machining layer, as in the case of claim 2. By rotating the work using a lathe type processing machine, the light absorption layer is formed into a shape having a predetermined depth distribution. Therefore, in addition to the effect of claim 2, by processing the light absorption layer by using a lathe type processing machine with high processing accuracy, a transmittance modulation type corresponding to a concentric diffractive optical element, an aspherical lens, or the like can be obtained. The photomask can be easily manufactured with high precision. Further, the photomask can be manufactured efficiently and inexpensively. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0056】また、上記請求項2記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記光吸収層の機械加
工が、フライス盤型加工機またはルーリングエンジン型
加工機を用いた加工であるのが好ましい。その場合、請
求項2と同様に、フォトマスク用基板は、該フォトマス
ク用基板よりも機械加工の容易な光吸収層を支持し、ま
た、光吸収層は機械加工層としても作用するので、フラ
イス盤型加工機またはルーリングエンジン型加工機を用
いて、バイトを固定しワークを上下左右に動かすか、も
しくはワークを固定しバイトを上下左右に動かすことに
より、光吸収層が所定の深さ分布を有する形状に形成さ
れる。したがって、請求項2の効果に加えて、加工精度
のよいフライス旋盤型加工機またはルーリングエンジン
型加工機を用いて光吸収層の加工を行うことにより、直
線形状の回折光学素子等に対応した透過率変調型フォト
マスクを、容易に高精度で製造することができる。ま
た、効率よく、安価にフォトマスクを製造することがで
きる。また、様々な形状のフォトマスクを容易に製造す
ることができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask according to claim 2, it is preferable that the light absorption layer is machined by using a milling machine type machine or a ruling engine type machine. . In that case, similarly to claim 2, the photomask substrate supports a light absorption layer that is easier to machine than the photomask substrate, and the light absorption layer also functions as a machining layer. Use a milling machine type processing machine or a ruling engine type processing machine to fix the cutting tool and move the work up, down, left or right, or fix the work and move the cutting tool up, down, left or right to move the light absorption layer to a predetermined depth distribution. It is formed into a shape having. Therefore, in addition to the effect of the second aspect, by processing the light absorption layer using a milling lathe type processing machine or a ruling engine type processing machine with high processing accuracy, the transmission corresponding to a linear diffractive optical element or the like can be achieved. A rate modulation type photomask can be easily manufactured with high precision. Further, the photomask can be manufactured efficiently and inexpensively. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0057】また、上記請求項2記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記光吸収層の機械加
工が、型加工であるのが好ましい。その場合、請求項2
と同様に、フォトマスク用基板は、該フォトマスク用基
板よりも機械加工の容易な光吸収層を支持し、また光吸
収層は機械加工層としても作用するので、型を押し付け
ることにより光吸収層が所定の深さ分布を有する形状に
される。したがって、請求項2の効果に加えて、型加工
によって光吸収層の加工を行うことにより、透過率変調
型フォトマスクを型の精度で再現性よく高効率で大量生
産することができる。また、様々な形状のフォトマスク
を容易に製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance-modulated photomask according to claim 2, it is preferable that the machining of the light absorption layer is die machining. In that case, claim 2
Similarly, the photomask substrate supports a light absorption layer that is easier to machine than the photomask substrate, and the light absorption layer also functions as a machining layer. The layers are shaped to have a predetermined depth distribution. Therefore, in addition to the effect of the second aspect, by processing the light absorption layer by mold processing, it is possible to mass-produce the transmittance modulation type photomask with high accuracy and reproducibility with mold accuracy. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0058】また、上記請求項2記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記所定波長域が、波
長450nm以下190nm以上の範囲にあるのが好ま
しい。その場合、フォトマスク用基板は、該フォトマス
ク用基板より機械加工が容易で、かつ波長域が波長45
0nm以下190nm以上の範囲にある光に対し吸収性
を有する光吸収層を支持し、また光吸収層は機械加工層
としても作用するので、光吸収層が所定の深さ分布を有
する形状に形成され、波長が前記範囲にある波長の光に
対する前記フォトマスク用基板の透過率に所定の分布を
付与することができる。したがって、請求項2の効果に
加えて、露光光として波長が450nm以下190nm
以上の範囲にある光を用いて露光することができるた
め、分解能を良好にするように露光し得るフォトマスク
を製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask according to claim 2, it is preferable that the predetermined wavelength range is in the range of 450 nm to 190 nm. In that case, the photomask substrate is easier to machine than the photomask substrate and has a wavelength range of 45 nm.
The light absorbing layer has a shape having a predetermined depth distribution because it supports a light absorbing layer having an absorptivity for light in the range of 0 nm or less and 190 nm or more, and the light absorbing layer also functions as a machining layer. Thus, a predetermined distribution can be given to the transmittance of the photomask substrate with respect to light having a wavelength in the above range. Therefore, in addition to the effect of claim 2, the wavelength of the exposure light is 450 nm or less and 190 nm or less.
Since exposure can be performed using light in the above range, a photomask that can be exposed so as to improve resolution can be manufactured.

【0059】また、上記請求項3記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記加工層の機械加工
が、旋盤型加工機を用いた加工であるのが好ましい。そ
の場合、請求項3の加工層への機械加工において、旋盤
型加工機を用いてワークを回転させることにより、加工
層が所定の形状に形成される。したがって、請求項3の
効果に加えて、加工精度のよい旋盤型加工機を用いて効
率よく加工層の加工を行うため、同心円状の回折光学素
子や非球面レンズ等に対応した透過率変調型フォトマス
クを、容易に高精度で安価に製造することができる。ま
た、様々な形状のフォトマスクを容易に製造することが
できる。
In the method of manufacturing a transmittance-modulated photomask according to the third aspect, it is preferable that the machining layer is machined by using a lathe machine. In that case, in the machining of the machining layer according to the third aspect, the machining layer is formed into a predetermined shape by rotating the work using a lathe type machining machine. Therefore, in addition to the effect of claim 3, in order to efficiently process the processing layer using a lathe type processing machine with high processing accuracy, a transmittance modulation type corresponding to a concentric diffractive optical element, an aspherical lens or the like. The photomask can be easily manufactured with high precision and at low cost. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0060】また、上記請求項3記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記加工層の機械加工
が、フライス盤型加工機またはルーリングエンジン型加
工機を用いた加工であるのが好ましい。その場合、請求
項3の加工層への機械加工において、フライス盤型加工
機または、ルーリングエンジン型加工機を用いてバイト
を固定しワークを上下左右に動かすか、もしくはワーク
を固定しバイトを上下左右に動かすことにより、加工層
が所定の形状に形成される。したがって、請求項3の効
果に加えて、加工精度のよいフライス旋盤型加工機また
はルーリングエンジン型加工機を用いて加工層の加工を
行うため、直線形状の回折光学素子等に対応した透過率
変調型フォトマスクを、容易に高精度で安価に製造する
ことができる。また、様々な形状のフォトマスクを容易
に製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance modulation type photomask according to claim 3, it is preferable that the machining layer is machined by using a milling machine type machine or a ruling engine type machine. In that case, in the machining of the machining layer according to claim 3, a milling machine type machine or a ruling engine type machine is used to fix the bite to move the work up and down, left and right, or to fix the work and move the bite up, down, left and right. The processed layer is formed into a predetermined shape by moving to. Therefore, in addition to the effect of claim 3, since the processing layer is processed by using the milling lathe type processing machine or the ruling engine type processing machine with high processing accuracy, the transmittance modulation corresponding to the linear diffractive optical element or the like is performed. The mold photomask can be easily manufactured with high precision and at low cost. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0061】また、上記請求項3記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記加工層の機械加工
が、型加工であるのが好ましい。その場合、請求項3の
加工層への機械加工において、型を押し付けることによ
り、加工層が所定の形状に形成される。したがって、請
求項3の効果に加えて、型加工により加工層の加工を行
うため、透過率変調型フォトマスクを型の精度で容易に
再現性よく大量生産することができる。また、様々な形
状のフォトマスクを容易に製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a transmittance-modulated photomask according to the third aspect, it is preferable that the machining of the machining layer is die machining. In that case, in the machining of the working layer according to claim 3, the working layer is formed into a predetermined shape by pressing the die. Therefore, in addition to the effect of the third aspect, since the processing layer is processed by the mold processing, the transmittance modulation type photomask can be mass-produced easily with good mold accuracy and reproducibility. Further, photomasks of various shapes can be easily manufactured.

【0062】また、上記請求項3記載の透過率変調型フ
ォトマスクの製造方法において、前記所定波長域が、波
長450nm以下190nm以上の範囲にあるのが好ま
しい。その場合、波長450nm以下190nm以上の
範囲にある光に対し吸収性を有するフォトマスク用基板
上に機械加工が可能な材料より成る加工層を設け、該加
工層に所定の機械加工を施し、異方性エッチングにより
加工層に形成された形状を相似的に前記フォトマスク用
基板に転写するので、前記フォトマスク用基板に所定の
深さ分布を有する形状を付与することができ、波長が前
記範囲にある光に対する前記フォトマスク用基板の透過
率に所定の分布を付与することができる。したがって、
請求項3の効果に加えて、露光光として波長が450n
m以下190nm以上の範囲にある光を用いて露光する
ことができるため、分解能を良好にするように露光し得
るフォトマスクを製造することができる。
Further, in the method for manufacturing a transmittance modulation type photomask according to claim 3, it is preferable that the predetermined wavelength range is within a range of 450 nm to 190 nm. In that case, a machining layer made of a machinable material is provided on a photomask substrate having absorptivity for light having a wavelength of 450 nm or less and 190 nm or more, and the machining layer is subjected to predetermined machining, Since the shape formed on the processed layer by the isotropic etching is transferred to the photomask substrate in a similar manner, it is possible to give the photomask substrate a shape having a predetermined depth distribution, and the wavelength is within the above range. A predetermined distribution can be given to the transmittance of the photomask substrate with respect to the light. Therefore,
In addition to the effect of claim 3, the exposure light has a wavelength of 450 n.
Since exposure can be performed using light in the range of m or less and 190 nm or more, a photomask that can be exposed so as to improve resolution can be manufactured.

【0063】また、上記請求項4,5記載の光学素子の
製造方法において、前記透過率変調型フォトマスクが、
請求項2(およびそれに上記機械加工等の限定を加えた
構成)または請求項3(およびそれに上記機械加工等の
限定を加えた構成)記載の製造方法を用いて製造したも
のであるのが好ましい。その場合、請求項4または5に
おいて、請求項2(およびそれに上記機械加工等の限定
を加えた構成)の製造方法を用いて容易に製造した高精
度な透過率変調型フォトマスク、または請求項3(およ
びそれに上記機械加工等の限定を加えた構成)の製造方
法を用いて容易に高精度に製造した耐久性の優れた透過
率変調型フォトマスクを用いて露光することにより、感
光性樹脂層に所定の形状が形成される。したがって、上
記透過率変調型フォトマスクを用いて露光することによ
り、容易で精度のよい光学素子を安価に製造することが
できる。また、様々な光学素子を容易に製造することが
できる。
Further, in the optical element manufacturing method according to any one of claims 4 and 5, the transmittance modulation type photomask is
It is preferable to manufacture by using the manufacturing method according to claim 2 (and a configuration to which the above-mentioned machining or the like is limited) or claim 3 (and to which the above-mentioned mechanical-processing or the like is limited). . In that case, in Claim 4 or 5, a highly accurate transmittance modulation type photomask which is easily manufactured by using the manufacturing method of Claim 2 (and a structure in which the limitation such as the above machining is added), or Claim 4. 3 (and a configuration in which the above-mentioned machining process and the like are added) are used to easily expose the photosensitive resin by exposure using a highly durable transmittance-modulated photomask manufactured with high precision. A predetermined shape is formed on the layer. Therefore, by exposing using the above transmittance modulation type photomask, an easy and accurate optical element can be manufactured inexpensively. Moreover, various optical elements can be easily manufactured.

【0064】[0064]

【発明の効果】上記第1発明によれば、フォトマスク用
基板の光吸収層には所定の形状が形成してあるため、フ
ォトマスク用基板自体に所定の形状が形成してあるフォ
トマスクに比べて容易に製造することができる。
According to the first aspect of the invention, since the light absorbing layer of the photomask substrate has a predetermined shape, the photomask substrate itself has a predetermined shape. It can be manufactured more easily.

【0065】上記第2発明によれば、フォトマスク用基
板上に形成された、該フォトマスク用基板に比べて加工
の容易な光吸収層を加工するため、フォトマスク用基板
の加工性に依存せず、光吸収層を容易に所定の深さ分布
を有する形状に形成することができる。
According to the second aspect of the invention, since the light absorption layer formed on the photomask substrate is processed more easily than the photomask substrate, it depends on the workability of the photomask substrate. Without doing so, the light absorption layer can be easily formed into a shape having a predetermined depth distribution.

【0066】上記第3発明によれば、フォトマスク用基
板の加工層を加工するため、フォトマスク用基板の加工
性に依存せず、容易に透過率変調型フォトマスクを製造
することができる。また、機械加工により加工層に所定
の形状を形成するため、露光による問題が発生せず、機
械加工の精度で加工することができる。また、加工層の
パターン形状をフォトマスク用基板に転写するため、耐
久性に優れ、露光時の干渉によるパターン形状の崩れが
生じない透過率変調型フォトマスクを、容易に製造する
ことができる。
According to the third aspect, since the processed layer of the photomask substrate is processed, the transmittance modulation type photomask can be easily manufactured without depending on the processability of the photomask substrate. In addition, since a predetermined shape is formed on the processing layer by machining, problems due to exposure do not occur, and machining can be performed with the accuracy of machining. Further, since the pattern shape of the processed layer is transferred to the photomask substrate, it is possible to easily manufacture a transmittance modulation type photomask which has excellent durability and in which the pattern shape does not collapse due to interference during exposure.

【0067】上記第4発明によれば、第1発明の透過率
変調型フォトマスクを用いて露光するため、容易に光学
素子を製造することができる。また、フォトマスクを変
更することにより、容易に様々な光学素子を製造するこ
とができる。
According to the fourth aspect of the invention, since the exposure is performed using the transmittance modulation type photomask of the first aspect of the invention, the optical element can be easily manufactured. Moreover, various optical elements can be easily manufactured by changing the photomask.

【0068】上記第5発明によれば、第1発明の透過率
変調型フォトマスクを用いて露光するため、容易に光学
素子を製造することができる。また、フォトマスクを変
更することにより、容易に様々な光学素子を製造するこ
とができる。さらに、フォトマスクと感光性樹脂との間
に投影光学系があり、マスクと感光性樹脂層が接触する
ことがないため、レジストの剥がれなどの欠陥やマスク
の損傷が発生せず、安価かつ容易に光学素子を製造する
ことができる。
According to the fifth aspect of the invention, since exposure is performed using the transmittance modulation type photomask of the first aspect of the invention, an optical element can be easily manufactured. Moreover, various optical elements can be easily manufactured by changing the photomask. Furthermore, since there is a projection optical system between the photomask and the photosensitive resin and the mask and the photosensitive resin layer do not come into contact with each other, defects such as resist peeling and damage to the mask do not occur, and it is cheap and easy. The optical element can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の透過率変調型フォトマスクの一実施例
を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of a transmittance modulation type photomask of the present invention.

【図2】A〜Fは、本発明を回折光学素子に対応した透
過率変調型フォトマスクの製造に適用した実施例を説明
するための図である。
2A to 2F are views for explaining an example in which the present invention is applied to manufacture of a transmittance modulation type photomask corresponding to a diffractive optical element.

【図3】A〜Eは、本発明を回折光学素子に対応した透
過率変調型フォトマスクの製造に適用した実施例を説明
するための図である。
3A to 3E are diagrams for explaining an example in which the present invention is applied to manufacture of a transmittance modulation type photomask corresponding to a diffractive optical element.

【図4】A〜Eは、本発明を光学素子の製造に適用した
実施例を説明するための図である。
4A to 4E are diagrams for explaining an example in which the present invention is applied to manufacture of an optical element.

【図5】A〜Eは、本発明を光学素子の製造に適用した
他の実施例を説明するための図である。
5A to 5E are views for explaining another embodiment in which the present invention is applied to manufacture of an optical element.

【図6】本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。
FIG. 6 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フォトマスク用基板 2 光吸収層 3 透過率変調型フォトマスク 4,4a 型 5 バイト 6 フォトマスク用基板 7 加工層 8,8a エッチングガス 9 光学素子用基板 10 感光性樹脂層 11 透過率変調型フォトマスク 12 露光光 13 照明系 14 投影レンズ 1 Photomask Substrate 2 Light Absorption Layer 3 Transmittance Modulation Photomask 4,4a Type 5 Byte 6 Photomask Substrate 7 Processing Layer 8, 8a Etching Gas 9 Optical Element Substrate 10 Photosensitive Resin Layer 11 Transmittance Modulation Type Photomask 12 Exposure light 13 Illumination system 14 Projection lens

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両面が実質的に平面であって所定波長域
の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用基板の少
なくとも一面の上に、前記所定波長域の光に対し吸収性
を有する光吸収層が形成され、該光吸収層は所定の深さ
分布を有する形状に形成されて成ることを特徴とする透
過率変調型フォトマスク。
1. A photomask substrate, both surfaces of which are substantially flat and which is substantially transparent to light in a predetermined wavelength range, has absorptivity for light in the predetermined wavelength range on at least one surface of the substrate. A transmittance modulation type photomask, wherein a light absorption layer is formed, and the light absorption layer is formed in a shape having a predetermined depth distribution.
【請求項2】 両面が実質的に平面であって所定波長域
の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用基板の少
なくとも一面の上に、該フォトマスク用基板よりも機械
加工が容易でかつ前記所定波長域の光に対し吸収性を有
する光吸収層を形成する工程と、 該光吸収層を、所定の深さ分布を有する形状に機械加工
によって形成する工程とを含むことを特徴とする透過率
変調型フォトマスクの製造方法。
2. A photomask substrate that is substantially flat on both sides and is substantially transparent to light in a predetermined wavelength range, and is easier to machine than the photomask substrate. And a step of forming a light absorbing layer having absorptivity for the light in the predetermined wavelength range, and a step of forming the light absorbing layer into a shape having a predetermined depth distribution by machining. Method for manufacturing a transmittance modulation type photomask.
【請求項3】 所定波長域の光に対し吸収性を有するフ
ォトマスク用基板上に、該フォトマスク用基板に比べ機
械加工の容易な材料より成る加工層を形成する工程と、 該加工層を、機械加工により所定の深さ分布を有する形
状に形成する工程と、 該加工層に形成された形状を異方性エッチングにより前
記フォトマスク用基板に相似的に転写する工程とを含む
ことを特徴とする透過率変調型フォトマスクの製造方
法。
3. A step of forming a processing layer made of a material that is easier to machine as compared with the photomask substrate, on the photomask substrate having absorptivity for light in a predetermined wavelength range, and the processing layer. A step of forming a shape having a predetermined depth distribution by machining, and a step of analogously transferring the shape formed on the processed layer to the photomask substrate by anisotropic etching. And a method for manufacturing a transmittance-modulated photomask.
【請求項4】 光学素子用基板上に感光性樹脂層を形成
する工程と、 該感光性樹脂層上に、両面が実質的に平面であって所定
波長域の光に対し実質的に透明であるフォトマスク用基
板上に前記所定波長域の光に対し吸収性を有する光吸収
層が形成され、該光吸収層は所定の深さ分布を有する形
状に形成されて成る透過率変調型フォトマスクを、密着
もしくは僅かの隙間を隔てて近接配置する工程と、 該透過率変調型フォトマスクを介して前記感光性樹脂層
を露光し、現像する工程と、 現像後に残った感光性樹脂層の形状を異方性エッチング
により前記光学素子用基板に相似的に転写する工程とを
含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
4. A step of forming a photosensitive resin layer on a substrate for an optical element, wherein both surfaces of the photosensitive resin layer are substantially flat and are substantially transparent to light in a predetermined wavelength range. A transmittance-modulation-type photomask in which a light-absorbing layer having absorptivity for light in the predetermined wavelength range is formed on a photomask substrate, and the light-absorbing layer is formed in a shape having a predetermined depth distribution. Are closely contacted or closely arranged with a slight gap therebetween, a step of exposing and developing the photosensitive resin layer through the transmittance modulation type photomask, and a shape of the photosensitive resin layer remaining after the development. Is transferred to the optical element substrate by anisotropic etching in a similar manner, and a method for manufacturing an optical element.
【請求項5】 光学素子用基板上に感光性樹脂層を形成
する工程と、 両面が実質的に平面であって所定波長域の光に対し実質
的に透明であるフォトマスク用基板上に前記所定波長域
の光に対し吸収性を有する光吸収層が形成され、該光吸
収層は所定の深さ分布を有する形状に形成されて成る透
過率変調型フォトマスク、および投影光学系を介して前
記感光性樹脂層を露光し、現像する工程と、 現像後に残った感光性樹脂層の形状を異方性エッチング
により前記光学素子用基板に相似的に転写する工程とを
含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
5. A step of forming a photosensitive resin layer on a substrate for an optical element, and the step of forming a photosensitive resin layer on a substrate for a photomask, both surfaces of which are substantially flat and substantially transparent to light in a predetermined wavelength range. A light absorption layer having an absorptivity for light in a predetermined wavelength range is formed, and the light absorption layer is formed into a shape having a predetermined depth distribution. It is characterized by including a step of exposing and developing the photosensitive resin layer, and a step of analogously transferring the shape of the photosensitive resin layer remaining after the development to the optical element substrate by anisotropic etching. Optical element manufacturing method.
JP17815594A 1994-07-29 1994-07-29 Transmittancee modulation type photomask and its production and production of optical element formed by using the same Withdrawn JPH0844042A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003521728A (en) * 2000-01-27 2003-07-15 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト Process for generating a grating structure, optical element, evanescent field sensor plate, microtiter plate, optical coupler for communication technology, and apparatus for wavelength monitoring
JP2008146029A (en) * 2006-11-02 2008-06-26 Applied Materials Inc Etching of nano-imprint template using etching reactor
CN100428055C (en) * 2003-10-15 2008-10-22 台湾积体电路制造股份有限公司 Photolithographic process, photomask and manufacturing thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003521728A (en) * 2000-01-27 2003-07-15 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト Process for generating a grating structure, optical element, evanescent field sensor plate, microtiter plate, optical coupler for communication technology, and apparatus for wavelength monitoring
CN100428055C (en) * 2003-10-15 2008-10-22 台湾积体电路制造股份有限公司 Photolithographic process, photomask and manufacturing thereof
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