JPH083740A - Magnetic circuit for magnetron sputtering - Google Patents

Magnetic circuit for magnetron sputtering

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JPH083740A
JPH083740A JP15794194A JP15794194A JPH083740A JP H083740 A JPH083740 A JP H083740A JP 15794194 A JP15794194 A JP 15794194A JP 15794194 A JP15794194 A JP 15794194A JP H083740 A JPH083740 A JP H083740A
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JP
Japan
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magnet
target
width
magnetic circuit
shaped
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Application number
JP15794194A
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Japanese (ja)
Inventor
Shiyoushiyoku Boku
章 植 朴
Shunichi Imamura
俊一 今村
Koji Hane
功二 羽根
Seisuke Sueshiro
政輔 末代
Hiroyuki Hirano
裕之 平野
Hidenori Suwa
秀則 諏訪
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Abstract

PURPOSE:To improve the efficiency of using a target and to improve the film thickness distribution of films by increasing the width of a bar-shaped magnet in the central part of a magnetic circuit disposed behind the target and the width of peripheral edge magnet part parallel therewith. CONSTITUTION:The peripheral edge magnets 16 consisting of the ferritic magnets 4, 6 varying in polarities are erected at the peripheral edges of a flat planar rectangular yoke 3 made of pure iron. The central part 13 consisting of the bar-shaped rare earth magnet 5 and ferritic magnet 7 varying in polarities is erected at the central part thereof. Further, an intermediate part ferrite magnet 8 is disposed. The magnetic circuit obtd. in such a manner is arranged on the rear surface of the flat planar target by which magnetron sputtering is executed. The width of the central part magnet 13 of the magnetic circuit for magnetron sputtering is made larger than the width of the outer magnets 11, 12. Further, the width in the bar-shaped part of the peripheral edge magnets 16 which are parallel therewith and have the same length is set larger than the width of the outer magnets 14, 15. As a result, the magnetic field intensity is intensified and the erosion of the target is made uniform.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はターゲットの使用効率
および膜の膜厚分布の向上を図るマグネトロンスパッタ
用磁気回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic circuit for magnetron sputtering for improving the use efficiency of a target and the film thickness distribution of a film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路
は図5および図6に示されており、同図において、平板
状の矩形ターゲット1の裏面には磁気回路2が配設され
ている。磁気回路2の一部を構成する純鉄製の平板状の
矩形ヨーク3はその周縁部に沿って周縁部フェライト系
磁石4が立設されている。そのため、周縁部フェライト
系磁石4は矩形ヨーク3上においてリング状をした長方
形になるように配置されている。矩形ヨーク3の中央部
には棒状の中央部希土類系磁石5が立設されている。周
縁部フェライト系磁石2の内側には極性の異なる周縁部
内側フェライト系磁石6が矩形ヨーク3上に立設されて
いる。中央部希土類系磁石5の外側にはこれを囲むよう
に極性の異なる中央部外側フェライト系磁石7が矩形ヨ
ーク3上に立設されている。周縁部内側フェライト系磁
石6と中央部外側フェライト系磁石7との間の矩形ヨー
ク3には中間部フェライト系磁石8がリング状をした長
方形状に立設されている。
2. Description of the Related Art A conventional magnetic circuit for magnetron sputtering is shown in FIGS. 5 and 6, in which a magnetic circuit 2 is arranged on the back surface of a flat rectangular target 1. A plate-shaped rectangular yoke 3 made of pure iron, which constitutes a part of the magnetic circuit 2, has a peripheral ferrite magnet 4 provided upright along the peripheral edge thereof. Therefore, the peripheral ferrite magnets 4 are arranged on the rectangular yoke 3 so as to form a ring-shaped rectangle. At the center of the rectangular yoke 3, a rod-shaped center rare earth magnet 5 is erected. Inside the peripheral ferrite magnet 2, a peripheral inner ferrite magnet 6 having different polarities is erected on the rectangular yoke 3. Outside the central rare earth magnet 5, a central outer ferrite magnet 7 having a different polarity is provided upright on the rectangular yoke 3 so as to surround it. An intermediate ferrite magnet 8 is erected in a ring-shaped rectangular shape on the rectangular yoke 3 between the peripheral inner ferrite magnet 6 and the central outer ferrite magnet 7.

【0003】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路に
おける磁場分布が図7に示されており、同図において、
横軸はターゲット1の中心軸からの距離、縦軸は磁場強
度であり、B1はターゲット1に垂直な磁場強度を示す
曲線、B2はターゲット1に平行な磁場強度を示す曲線
である。
The magnetic field distribution in the conventional magnetic circuit for magnetron sputtering is shown in FIG.
The horizontal axis is the distance from the center axis of the target 1, the vertical axis is the magnetic field strength, B1 is the curve showing the magnetic field strength perpendicular to the target 1, and B2 is the curve showing the magnetic field strength parallel to the target 1.

【0004】このような従来のマグネトロンスパッタ用
磁気回路において、ターゲット1表面近傍の空間は、磁
場の作用により、高密度プラズマが発生するようになる
が、特に、ターゲット1に垂直な磁場強度B1が0にな
る領域、即ち、図7のa領域においてプラズマの密度が
高くなる。そのため、ターゲット1のa領域を中心とし
て、プラズマ中のイオンがスパツタするようになる。
In such a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering, high-density plasma is generated in the space near the surface of the target 1 due to the action of the magnetic field. In particular, the magnetic field strength B1 perpendicular to the target 1 is The density of the plasma increases in the region where 0, that is, the region a in FIG. Therefore, the ions in the plasma are scattered around the region a of the target 1.

【0005】ターゲット1におけるエロージョンの状況
を説明するために、図8に示されターゲット1におい
て、B−B’線とC−C’線との間を直線部、C−C’
線よりターゲット1の端までをコーナー部と区分する。
In order to explain the erosion situation in the target 1, in the target 1 shown in FIG. 8, a straight line portion between the line BB ′ and the line CC ′, CC ′, is shown.
The line from the line to the end of the target 1 is separated from the corner.

【0006】ターゲット1の直線部でのエロージョンの
深さは図9に示されるようにαとなり、一方、ターゲッ
ト1のコーナー部でのエロージョンの深さは図10に示
されるようにβとなる。
The erosion depth at the straight portion of the target 1 becomes α as shown in FIG. 9, while the erosion depth at the corner portion of the target 1 becomes β as shown in FIG.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のマグネトロンス
パッタ用磁気回路は、上記のようにターゲット1に垂直
な磁場強度B1が0になる領域にプラズマの密度が高く
なり、その領域を中心にエロージョンが進行するように
なる。しかし、同じターゲット1であっても、ターゲッ
ト1を直線部とコーナー部とに区分すると、コーナー部
でのエロージョンの深さβは直線部でのエロージョンの
深さαより大きくなり、ターゲットの使用効率が悪くな
って、ターゲットの寿命が短くなるとともに、基板に形
成される膜の膜厚分布も悪くなる等の問題が起きた。
In the conventional magnetic circuit for magnetron sputtering, the plasma density becomes high in the region where the magnetic field strength B1 perpendicular to the target 1 becomes 0 as described above, and the erosion is centered on that region. It will progress. However, even if the target 1 is the same, if the target 1 is divided into a straight part and a corner part, the erosion depth β at the corner part becomes larger than the erosion depth α at the straight part, and the target usage efficiency is increased. And the life of the target is shortened, and the film thickness distribution of the film formed on the substrate is also deteriorated.

【0008】この発明の目的は、従来の問題を解決し
て、ターゲットの使用効率を良くしてターゲットの寿命
が長くするとともに、基板に形成される膜の膜厚分布を
良くするマグネトロンスパッタ用磁気回路を提供するも
のである。
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, improve the efficiency of use of the target, prolong the life of the target, and improve the film thickness distribution of the film formed on the substrate. A circuit is provided.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、平板状の矩形ヨークと、この平板状の
矩形ヨークの周縁部に沿って立設することによって、矩
形ヨーク上でリング状をした長方形に配置された周縁部
磁石と、矩形ヨークの中央部で、矩形ヨークの一辺と同
方向に立設された棒状の中央部磁石とを、ターゲットの
背後に配設して、レーストラック状の磁場を形成するマ
グネトロンスパッタ用磁気回路において、上記棒状の中
央部磁石の幅を大きくするとともに、上記周縁部磁石に
おける上記棒状の中央部磁石と平行する上記棒状の中央
部磁石とほぼ同じ長さの部分の幅のみを大きくしたこと
を特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a flat plate-shaped rectangular yoke and a flat plate-shaped rectangular yoke which is erected on the rectangular yoke so as to stand on the rectangular yoke. A peripheral magnet arranged in a ring-shaped rectangle, and a bar-shaped central magnet standing upright in the same direction as one side of the rectangular yoke at the central portion of the rectangular yoke are arranged behind the target, In a magnetron sputtering magnetic circuit that forms a racetrack-shaped magnetic field, the width of the rod-shaped central portion magnet is increased, and the rod-shaped central portion magnet that is parallel to the rod-shaped central portion magnet in the peripheral edge magnet is almost the same as the rod-shaped central portion magnet. The feature is that only the width of the portion of the same length is increased.

【0010】[0010]

【作用】この発明においては、棒状の中央部磁石の幅
と、周縁部磁石における棒状の中央部磁石と平行する棒
状の中央部磁石とほぼ同じ長さの部分の幅とを大きくし
ているので、ターゲットの直線部の磁場分布の形を変え
ることなく、磁場強度を強くすることができる。そのた
め、ターゲットの直線部とコーナー部とにおけるエロー
ジョンの深さに差異がなくなるとともに、基板に形成さ
れる膜の膜厚分布が良くなる。
In the present invention, the width of the bar-shaped central magnet and the width of the portion of the peripheral magnet that is approximately the same length as the bar-shaped central magnet parallel to the bar-shaped central magnet are increased. The magnetic field strength can be increased without changing the shape of the magnetic field distribution in the straight part of the target. Therefore, the difference in erosion depth between the straight line portion and the corner portion of the target is eliminated, and the film thickness distribution of the film formed on the substrate is improved.

【0011】[0011]

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のマグネトロンス
パッタ用磁気回路は図1および図2に示されており、こ
れらの図において、マグネトロンスパッタ用磁気回路1
0は平板状の矩形ターゲット1の裏面に配設されてい
る。マグネトロンスパッタ用磁気回路10の一部を構成
する純鉄製の平板状の矩形ヨーク3はその周縁部に沿っ
て周縁部フェライト系磁石4が立設されている。そのた
め、周縁部フェライト系磁石4は矩形ヨーク3上におい
てリング状をした長方形になるように配置されている。
周縁部フェライト系磁石2の内側には極性の異なる周縁
部内側フェライト系磁石6が矩形ヨーク3上に立設され
ている。矩形ヨーク3の中央部には棒状の中央部希土類
系磁石5が立設されている。棒状の中央部希土類系磁石
5の両側には中央部希土類系外側磁石11が設けられて
いる。中央部希土類系外側磁石11の外周にはこれを囲
むように極性の異なる中央部外側フェライト系磁石7が
矩形ヨーク3上に立設されている。中央部外側フェライ
ト系磁石7の両側には中央部フェライト系外側磁石12
が設けられている。したがって、中央部磁石13は中央
部希土類系磁石5、中央部希土類系外側磁石11、中央
部外側フェライト系磁石7、中央部フェライト系外側磁
石12によって、その幅が大きくなっている。また、周
縁部内側フェライト系磁石6の内側には棒状の中央部希
土類系磁石5と平行し、かつ、これとほぼ同じ長さをも
つ周縁部フェライト系内側磁石14が設けられている。
周縁部フェライト系磁石4の外側には棒状の中央部希土
類系磁石5と平行し、かつ、これとほぼ同じ長さをもつ
周縁部フェライト系外側磁石15が設けられている。し
たがって、周縁部磁石16は周縁部フェライト系磁石
4、周縁部内側フェライト系磁石6、周縁部フェライト
系内側磁石14、周縁部フェライト系外側磁石15によ
って、その幅が中央部希土類系磁石5と平行かつ同じ長
さだけ大きくなっている。周縁部内側フェライト系磁石
6と中央部外側フェライト系磁石7との間の矩形ヨーク
3には中間部フェライト系磁石8がリング状をした長方
形状に立設されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A magnetic circuit for magnetron sputtering according to an embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 and 2, and in these drawings, the magnetic circuit for magnetron sputtering 1
0 is disposed on the back surface of the flat rectangular target 1. A flat iron plate-shaped rectangular yoke 3 forming a part of the magnetron sputtering magnetic circuit 10 is provided with a peripheral ferrite magnet 4 standing along the peripheral edge thereof. Therefore, the peripheral ferrite magnets 4 are arranged on the rectangular yoke 3 so as to form a ring-shaped rectangle.
Inside the peripheral ferrite magnet 2, a peripheral inner ferrite magnet 6 having different polarities is erected on the rectangular yoke 3. At the center of the rectangular yoke 3, a rod-shaped center rare earth magnet 5 is erected. Central outer rare earth magnets 11 are provided on both sides of the rod-shaped central rare earth magnet 5. On the outer circumference of the central rare earth-based outer magnet 11, a central outer ferrite-based magnet 7 having different polarities is erected on the rectangular yoke 3 so as to surround it. On both sides of the central outer ferrite-based magnet 7, the central outer ferrite-based magnet 12 is provided.
Is provided. Therefore, the width of the central magnet 13 is increased by the central rare earth magnet 5, the central rare earth outer magnet 11, the central outer ferrite magnet 7, and the central ferrite outer magnet 12. Further, inside the peripheral edge inner ferrite-based magnet 6, a peripheral edge ferrite-based inner magnet 14 which is parallel to the rod-shaped central portion rare earth-based magnet 5 and has substantially the same length as this is provided.
On the outer side of the peripheral ferrite magnet 4, a peripheral ferrite outer magnet 15 is provided which is parallel to the rod-shaped central rare earth magnet 5 and has substantially the same length. Therefore, the peripheral edge magnet 16 includes the peripheral edge ferrite-based magnet 4, the peripheral edge inner ferrite-based magnet 6, the peripheral edge ferrite-based inner magnet 14, and the peripheral edge ferrite-based outer magnet 15 so that the width thereof is parallel to the central rare-earth magnet 5. And they are increased by the same length. An intermediate ferrite magnet 8 is erected in a ring-shaped rectangular shape on the rectangular yoke 3 between the peripheral inner ferrite magnet 6 and the central outer ferrite magnet 7.

【0012】このような実施例における磁場分布が図3
に示されており、同図において、破線は実施例の磁場分
布を示し、実線は従来例の磁場分布を示している。な
お、同図において、横軸はターゲット1の中心軸からの
距離、縦軸は磁場強度であり、B1はターゲット1に垂
直な磁場強度を示す曲線、B2はターゲット1に平行な
磁場強度を示す曲線である。
The magnetic field distribution in such an embodiment is shown in FIG.
In the same figure, the broken line shows the magnetic field distribution of the example, and the solid line shows the magnetic field distribution of the conventional example. In the figure, the horizontal axis is the distance from the center axis of the target 1, the vertical axis is the magnetic field strength, B1 is a curve showing the magnetic field strength perpendicular to the target 1, and B2 is the magnetic field strength parallel to the target 1. It is a curve.

【0013】このような実施例においにおいては、従来
例と同様に、ターゲット1のa領域を中心として、プラ
ズマ中のイオンがスパツタするようになるが、中央部磁
石13の幅と、周縁部磁石16における棒状の中央部磁
石13と平行する棒状の中央部磁石13とほぼ同じ長さ
の部分の幅とを大きくしているので、ターゲット1のの
直線部の磁場分布の形を変えることなく、磁場強度を強
くすることができる。そのため、ターゲット1の直線部
とコーナー部とにおけるエロージョンの深さに差異がな
くなるとともに、基板に形成される膜の膜厚分布が良く
なる。
In such an embodiment, as in the conventional example, the ions in the plasma are sputtered around the region a of the target 1, but the width of the central magnet 13 and the peripheral magnets. Since the width of the portion having substantially the same length as the rod-shaped central magnet 13 parallel to the rod-shaped central magnet 13 in 16 is increased, the shape of the magnetic field distribution in the linear portion of the target 1 is not changed. The magnetic field strength can be increased. Therefore, the difference in erosion depth between the straight line portion and the corner portion of the target 1 is eliminated, and the film thickness distribution of the film formed on the substrate is improved.

【0014】なお、ターゲット1は、図4に示されるよ
うにB−B’線とC−C’線との間を直線部、C−C’
線よりターゲット1の端までをコーナー部と区分してい
る。
As shown in FIG. 4, the target 1 has a straight line portion CC-C 'between the line BB' and the line CC '.
The area from the line to the end of the target 1 is separated from the corner.

【0015】ところで、上記実施例において、ターゲッ
トのコーナー部背後の周縁部磁石を削って、ターゲット
の直線部背後の周縁部磁石の幅より狭くしてもよく、ま
た、ターゲットの直線部背後の周縁部磁石の縦断面を紡
錘形にすることによって、周縁部磁石の幅を大きくして
もよい。更に、中央部磁石や周縁部磁石は電磁石または
永久磁石であってもよい。
By the way, in the above-described embodiment, the peripheral edge magnet behind the target corner portion may be shaved so as to be narrower than the width of the peripheral edge magnet behind the target linear portion, or the peripheral edge behind the target linear portion. The width of the peripheral magnet may be increased by making the longitudinal cross section of the partial magnet into a spindle shape. Further, the central magnet and the peripheral magnet may be electromagnets or permanent magnets.

【0016】[0016]

【発明の効果】この発明は、棒状の中央部磁石の幅と、
周縁部磁石における棒状の中央部磁石と平行する棒状の
中央部磁石とほぼ同じ長さの部分の幅とを大きくしてい
るので、ターゲットの直線部の磁場分布の形を変えるこ
となく、磁場強度を強くすることができる。そのため、
ターゲットの直線部とコーナー部とにおけるエロージョ
ンの深さに差異がなくなるとともに、基板に形成される
膜の膜厚分布が良くなる。
According to the present invention, the width of the bar-shaped central magnet,
Since the width of the portion of the peripheral magnet that is approximately the same length as the rod-shaped central magnet parallel to the rod-shaped central magnet is increased, the magnetic field strength can be changed without changing the shape of the magnetic field distribution in the linear portion of the target. Can be stronger. for that reason,
The difference in erosion depth between the straight line portion and the corner portion of the target is eliminated, and the film thickness distribution of the film formed on the substrate is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例の平面図FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例の断面図FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例における磁場分布を示すグラ
FIG. 3 is a graph showing a magnetic field distribution in the example of the present invention.

【図4】この発明の実施例の説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.

【図5】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路の平面
FIG. 5 is a plan view of a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図6】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路の断面
FIG. 6 is a sectional view of a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図7】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路におけ
る磁場分布を示すグラフ
FIG. 7 is a graph showing a magnetic field distribution in a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図8】従来のマグネトロンスパッタ用磁気回路FIG. 8: Conventional magnetic circuit for magnetron sputtering

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・・・ターゲット 3・・・・・・・矩形ヨーク 4・・・・・・・周縁部フェライト系磁石 5・・・・・・・中央部希土類系磁石 6・・・・・・・周縁部内側フェライト系磁石 7・・・・・・・中央部外側フェライト系磁石 8・・・・・・・中間部フェライト系磁石 10・・・・・・・マグネトロンスパッタ用磁気回路 11・・・・・・・中央部希土類系外側磁石 12・・・・・・・中央部フェライト系外側磁石 13・・・・・・・中央部磁石 14・・・・・・・周縁部フェライト系内側磁石 15・・・・・・・周縁部フェライト系外側磁石 16・・・・・・・周縁部磁石 1 ・ ・ ・ ・ Target 3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Rectangular yoke 4 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnet on the periphery 5 ・ ・ ・ ・ Rare earth magnet on the center 6 ・ ・ ・・ ・ ・ Ferrite magnets on the periphery 7 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnets on the center 8 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnets on the middle 10 ・ ・ ・ Magnetic circuit for magnetron sputtering 11・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center rare earth system outer magnet 12 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center center ferrite system outer magnet 13 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center center magnet 14 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Peripheral part ferrite system Inner magnet 15 ・ ・ ・ ・ Ferrite outer magnet 16 ・ ・ ・

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─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年3月28日[Submission date] March 28, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例の平面図FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例の断面図FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例における磁場分布を示すグラ
FIG. 3 is a graph showing a magnetic field distribution in the example of the present invention.

【図4】この発明の実施例の説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.

【図5】従来のマグネトロンスパツタ用磁気回路の平面
FIG. 5 is a plan view of a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図6】従来のマグネトロンスパツタ用磁気回路の断面
FIG. 6 is a sectional view of a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図7】従来のマグネトロンスパツタ用磁気回路におけ
る磁場分布を示すグラフ
FIG. 7 is a graph showing a magnetic field distribution in a conventional magnetic circuit for magnetron sputtering.

【図8】従来のマグネトロンスパツタ用磁気回路FIG. 8: Magnetic circuit for conventional magnetron spatter

【図9】図8のA−A’線より見た断面図9 is a sectional view taken along the line A-A ′ in FIG.

【図10】図8のコーナー部(例えばB−B’線より上
部)の断面図
FIG. 10 is a cross-sectional view of a corner portion (for example, above the line BB ′) of FIG.

【符号の説明】 1・・・・・・・・ターゲット 3・・・・・・・・矩形ヨーク 4・・・・・・・・周縁部フェライト系磁石 5・・・・・・・・中央部希上類系磁石 6・・・・・・・・周縁部内側フェライト系磁石 7・・・・・・・・中央部外側フェライト系磁石 8・・・・・・・・中間部フェライト系磁石 10・・・・・・・マグネトロンスパッタ用磁気回路 11・・・・・・・中央部希土類系外側磁石 12・・・・・・・中央部フェライト系外側磁石 13・・・・・・・中央部磁石 14・・・・・・・周縁部フェライト系内側磁石 15・・・・・・・周縁部フェライト系外側磁石 16・・・・・・・周縁部磁石[Explanation of Codes] 1 ... Target 3 ... Rectangular yoke 4 ... Perimeter ferrite magnet 5 ... Center Rare type magnet 6 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnet on the periphery 7 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnet on the center 8 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ferrite magnet on the middle 10 ・ ・ ・ ・ Magnetic circuit for magnetron sputtering 11 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center Rare earth system outer magnet 12 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center center ferrite system outer magnet 13 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Center Part magnet 14 ・ ・ ・ ・ Ferrite part ferrite inner magnet 15 ・ ・ ・ ・ Peripheral ferrite system outer magnet 16 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Peripheral part magnet

フロントページの続き (72)発明者 末代 政輔 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 平野 裕之 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 諏訪 秀則 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内Front page continued (72) Inventor Masasuke Sushiro, 2500 Hagien, Chigasaki City, Kanagawa, Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Inventor Hidenori Suwa Inside 2500 Vacuum Hagizono, Chigasaki City, Kanagawa Japan Vacuum Technology Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平板状の矩形ヨークと、この平板状の矩形
ヨークの周縁部に沿って立設することによって、矩形ヨ
ーク上でリング状をした長方形に配置された周縁部磁石
と、矩形ヨークの中央部で、矩形ヨークの一辺と同方向
に立設された棒状の中央部磁石とを、ターゲットの背後
に配設して、レーストラック状の磁場を形成するマグネ
トロンスパッタ用磁気回路において、上記棒状の中央部
磁石の幅を大きくするとともに、上記周縁部磁石におけ
る上記棒状の中央部磁石と平行する上記棒状の中央部磁
石とほぼ同じ長さの部分の幅のみを大きくしたことを特
徴とするマグネトロンスパッタ用磁気回路。
1. A flat plate-shaped rectangular yoke, a peripheral edge magnet arranged in a ring-shaped rectangular shape on the rectangular yoke by standing upright along the peripheral part of the flat plate-shaped rectangular yoke, and a rectangular yoke. In the magnetic circuit for magnetron sputtering, a bar-shaped central magnet standing upright in the same direction as one side of the rectangular yoke is disposed behind the target in the central part of the magnetic circuit for magnetron sputtering. The width of the rod-shaped central portion magnet is increased, and only the width of a portion of the peripheral edge magnet that is substantially the same length as the rod-shaped central portion magnet parallel to the rod-shaped central portion magnet is increased. Magnetic circuit for magnetron sputtering.
JP15794194A 1994-06-15 1994-06-15 Magnetic circuit for magnetron sputtering Pending JPH083740A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15794194A JPH083740A (en) 1994-06-15 1994-06-15 Magnetic circuit for magnetron sputtering

Applications Claiming Priority (1)

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JP15794194A JPH083740A (en) 1994-06-15 1994-06-15 Magnetic circuit for magnetron sputtering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH083740A true JPH083740A (en) 1996-01-09

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