JPH0833999B2 - Method for manufacturing titanium magnetic disk substrate - Google Patents

Method for manufacturing titanium magnetic disk substrate

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JPH0833999B2
JPH0833999B2 JP1094391A JP9439189A JPH0833999B2 JP H0833999 B2 JPH0833999 B2 JP H0833999B2 JP 1094391 A JP1094391 A JP 1094391A JP 9439189 A JP9439189 A JP 9439189A JP H0833999 B2 JPH0833999 B2 JP H0833999B2
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thin film
titanium
magnetic disk
disk substrate
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英明 深井
博義 末永
邦典 皆川
賢 小野
洋 木部
正彦 直江
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日本鋼管株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、表面性状が良好なチタン製磁気ディスク
基板の製造方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a titanium magnetic disk substrate having good surface properties.

[従来の技術] コンピュータ用記録媒体として使用されている磁気デ
ィスクは、ディスク基板と、その上に形成された磁性薄
膜とを具備している。このうち、磁気ディスク基板には
以下のような特性が要求される。
[Prior Art] A magnetic disk used as a recording medium for a computer includes a disk substrate and a magnetic thin film formed thereon. Of these, the magnetic disk substrate is required to have the following characteristics.

(a)磁気ヘッドが安定してディスク上を走行すること
ができるように、あるいは磁気的エラーが少なく安定し
た磁気特性が得られるように、精密研磨又は精密研削後
の表面性状が良好であること。
(A) The surface quality after precision polishing or precision grinding is good so that the magnetic head can stably run on the disk, or stable magnetic characteristics with few magnetic errors can be obtained. .

(b)基板表面に形成される磁性膜の欠陥となるような
基板表面の突起又は穴がないこと。
(B) There are no protrusions or holes on the substrate surface that would cause defects in the magnetic film formed on the substrate surface.

(c)基板製造の際の高速回転に耐え得る強度及び剛性
を有すること。
(C) It has strength and rigidity that can withstand high-speed rotation when manufacturing a substrate.

(d)磁性膜を形成する際の加熱に耐え得ること。(D) Being able to withstand heating when forming a magnetic film.

(e)軽量かつ非磁性であること。(E) Light weight and non-magnetic.

(f)ある程度の耐蝕性を有すること。(F) It has a certain degree of corrosion resistance.

このような特性を満たす基板材料として、従来、A1−
Mg系合金等のアルミニウム合金が用いられている。
Conventionally, A1−
Aluminum alloys such as Mg alloys are used.

一方、近時、磁気ディスクは、高記録密度化、及び小
型化の傾向にあり、このため次のようなことが要求され
るようになっている。
On the other hand, recently, magnetic disks tend to have higher recording densities and smaller sizes. Therefore, the following is required.

(A)高記録密度化のために磁性薄膜の形成をスパタリ
ングで行なわれつつあるが、その際の基板の温度上昇に
対する耐熱性があること。
(A) A magnetic thin film is being formed by sputtering for the purpose of increasing the recording density, but it must have heat resistance against the temperature rise of the substrate at that time.

(B)スペーシングロスを最小限に抑え高密度化を達成
するために磁気ヘッドの浮上量を減少させるが、この際
に磁気ヘッドが安定してディスク上を走行することがで
きるように表面の平滑性が優れていること。
(B) The flying height of the magnetic head is reduced in order to minimize the spacing loss and achieve high density, but at this time, the magnetic head can be stably run on the disk so that the magnetic head is stable. Excellent smoothness.

しかしながら、従来基板材料として用いられているA1
−Mg系合金等のアルミニウム合金では、耐熱性が不十分
であり、また、今以上の高性能化を期待することができ
ない。
However, A1 which is conventionally used as a substrate material
-Aluminum alloys such as Mg-based alloys have insufficient heat resistance, and further higher performance cannot be expected.

これに伴って、従来のアルミニウム合金に代え、チタ
ンを用いた磁気ディスク基板が種々提案されている。
Along with this, various magnetic disk substrates using titanium instead of the conventional aluminum alloy have been proposed.

例えば特開昭52-105804号公報には、表面に酸化又は
窒化により酸化被膜又は窒化被膜が形成されたチタン又
はチタン合金性の磁気ディスク基板が、特開昭63-14252
1号公報には、チタン又はチタン合金からなる芯板と、
インサート層と、ニッケル,チタン,ニッケル合金,又
はチタン合金からなる層と、ガラス又はセラミックスか
らなる層とをこの順に積層してなる磁気ディスク基板
が、特開昭59-178625号公報には、記録媒体用基板の表
面を硬い弁金属、又はその窒化物で覆い、更に、その表
面にその弁金属の酸化物からなる層を形成したディスク
基板が夫々開示されている。また、特開昭61-199232i号
公報には、非磁性基板と、その上に被覆された非磁性硬
化層と、この非磁性硬化層に被覆されSi,Ti,Mo,W及びZr
のうちいずれか一種よりなる非磁性下地層と、この非磁
性下地層に被覆された磁性媒体層とを備えた磁気媒体
が、特開昭61−199224号公報には、非磁性基板とを、そ
の上に被覆された非磁性硬化層と、この非磁性硬化層に
被覆されTiO2,TiC,及びTiNのうちいずれか一種よりなる
非磁性下地層と、この非磁性下地層に被覆された磁性媒
体層とを備えた磁気媒体が夫々開示されている。
For example, JP-A-52-105804 discloses a titanium or titanium alloy magnetic disk substrate having an oxide film or a nitride film formed on its surface by oxidation or nitriding.
No. 1 publication, a core plate made of titanium or titanium alloy,
A magnetic disk substrate formed by laminating an insert layer, a layer made of nickel, titanium, a nickel alloy, or a titanium alloy and a layer made of glass or ceramics in this order is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-178625. Disc substrates in which a surface of a medium substrate is covered with a hard valve metal or its nitride and a layer made of an oxide of the valve metal is formed on the surface are disclosed. Further, JP-A-61-199232i discloses a non-magnetic substrate, a non-magnetic hardened layer coated on the non-magnetic substrate, and Si, Ti, Mo, W and Zr coated on the non-magnetic hardened layer.
A magnetic medium comprising a non-magnetic underlayer made of any one of the above, and a magnetic medium layer covered with the non-magnetic underlayer, JP-A-61-199224 discloses a non-magnetic substrate, A non-magnetic hardened layer coated on it, a non-magnetic underlayer made of any one of TiO 2 , TiC, and TiN coated on this non-magnetic hardened layer, and a magnetic layer coated on this non-magnetic under layer. A magnetic medium with a medium layer is disclosed respectively.

[発明が解決しようとする課題] ところで、チタンの平均結晶粒径は通常50μm程度と
比較的大きいから、磁気ディスク基板としてチタンを用
いた場合には、精密研磨又は精密研削の際に結晶による
段差が生じるため、良好な表面性状を得ることが困難で
ある。これを回避するためには、加工、熱処理を制御
することによって結晶粒径を微細化すること、チタン
基板表面上に微細な結晶を有する物質の膜を形成した構
造にすることの2つが考えられる。しかし、の場合に
は、10μm程度が結晶粒径の微細化の限度であり、この
程度の粒径でも結晶方位による段差のため、十分に満足
するような表面性状を得ることができない。また、の
場合にも以下に示すように種々の問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, since the average crystal grain size of titanium is usually as large as about 50 μm, when titanium is used as the magnetic disk substrate, a step due to the crystal during precision polishing or precision grinding is used. Therefore, it is difficult to obtain a good surface quality. In order to avoid this, it is considered that the crystal grain size is made finer by controlling the processing and heat treatment, and the structure in which a film of a substance having fine crystals is formed on the surface of the titanium substrate. . In this case, however, about 10 μm is the limit for making the crystal grain size finer, and even with this grain size, a sufficiently satisfactory surface quality cannot be obtained because of the step due to the crystal orientation. Also, in the case of, there are various problems as shown below.

すなわち、前述した特開昭52-105804がこのの例で
あるが、この場合には、チタン基板表面では種々の方位
の結晶が存在し、その結晶方位によって酸化又は窒化の
速度が異なるため均一な酸化又は窒化が困難であり、歩
留り低下及び製造コストの上昇を招いてしまう。ポリッ
シング後に高度のレベルの表面性状が得られるような厚
さまで、チタン基体上に酸化によって酸化膜を形成する
場合には、厚さ1500Å以上の白色の酸化被膜を形成する
必要があることが報告されている(日本接着協会誌vol.
21 No.1,1985年,32頁)。しかし、チタン上に白色の酸
化被膜を形成した場合には、その被膜は剥離しやすく
(チタニウム・ジルコニウムvol.32 No.1,昭和59年1
月,19頁)、歩留りの低下及び製造コストの上昇につな
がる。また、ポリッシング後に高度のレベルの表面性状
が得られるような厚さまで、チタン基体上に窒化によっ
て窒化膜を形成する場合には、表面の窒化膜に割れが生
じやすく(日本金属学会誌,1966年,第30巻28頁の写真
参照)、やはり歩留りの低下及び製造コストの上昇を招
いてしまう。
That is, the above-mentioned JP-A-52-105804 is an example of this, but in this case, there are crystals of various orientations on the surface of the titanium substrate, and the rate of oxidation or nitridation varies depending on the crystal orientation, so that the orientation is uniform. Oxidation or nitridation is difficult, resulting in a decrease in yield and an increase in manufacturing cost. It has been reported that it is necessary to form a white oxide film with a thickness of 1500 Å or more when forming an oxide film by oxidation on a titanium substrate to a thickness such that a high level surface texture can be obtained after polishing. Yes (Japanese Adhesive Society magazine vol.
21 No. 1, 1985, p. 32). However, when a white oxide film is formed on titanium, the film is easily peeled off (titanium / zirconium vol.32 No.1, 1984 1
Month, p. 19), which leads to lower yields and higher manufacturing costs. In addition, when a nitride film is formed on a titanium substrate by nitriding to a thickness such that a high level surface texture can be obtained after polishing, the surface nitride film is apt to crack (Metal Society of Japan, 1966). , Refer to the photograph on page 28 of Volume 30), which also leads to a decrease in yield and an increase in manufacturing cost.

前述した特開昭63-142521号公報に開示された技術の
場合には、工程数が多いため、製造コストが高く、製造
時間も長くなってしまう。また、最外層にセラミックス
を用いた場合には、セラミックスに気孔が多く存在する
ため、十分な表面性状を得ることができない。また、ガ
ラスの場合にはRa=0.05μm程度という極めて高いレベ
ルの表面性状を得ることができるが、この場合にはヘッ
ドがディスク表面とスティッキングを起こすため好まし
くない。更に、ガラス表面の場合には、磁性薄膜形成の
際の基板温度の上昇に伴い、ガラス中の不純物であるN
a,Ca等が磁性薄膜中に拡散し、磁気記録媒体の磁気特性
に悪影響を及ぼす。
In the case of the technique disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 63-142521, since the number of steps is large, the manufacturing cost is high and the manufacturing time is long. Further, when ceramics is used for the outermost layer, a large number of pores are present in the ceramics, so that sufficient surface texture cannot be obtained. Further, in the case of glass, an extremely high level of surface texture of Ra = 0.05 μm can be obtained, but in this case, the head causes sticking with the disk surface, which is not preferable. Further, in the case of the glass surface, N that is an impurity in the glass is increased as the substrate temperature rises when forming the magnetic thin film.
a, Ca, etc. diffuse into the magnetic thin film and adversely affect the magnetic characteristics of the magnetic recording medium.

また、前述した特開昭59-178625号公報、特開昭61-19
9232号公報、及び特開昭61-199224号公報に開示された
技術のように、基体上に金属層、又はその酸化物、窒化
物、若しくは炭化物の層をオーバーコートしただけで
は、ポリッシングを行った後の表面性状が十分とはいえ
ない。
In addition, the above-mentioned JP-A-59-178625 and JP-A-61-19.
As in the technique disclosed in JP 9232 and JP-A 61-199224, polishing is performed only by overcoating a metal layer, or an oxide, nitride, or carbide layer thereof on a substrate. It cannot be said that the surface quality after the cleaning is sufficient.

このように、チタンを主体とする磁気ディスク基板で
も、未だ良好な特性を有するものが得られていないのが
現状である。
As described above, the present situation is that a magnetic disk substrate mainly composed of titanium has not yet been obtained with good characteristics.

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、高度のレベルの表面性状を有するチタン製磁気ディ
スク基板を簡便に製造することができるチタン製磁気デ
ィスク基板の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a titanium magnetic disk substrate capable of easily manufacturing a titanium magnetic disk substrate having a high level surface texture. And

[課題を解決するための手段及び作用] 本願発明者等がチタン製ディスク基板の性能向上につ
いて種々検討を重ねた結果、ある程度表面性状を向上さ
せたチタン製基体上に一定の非磁性遷移金属元素の薄膜
を所定の厚みで形成し、これらをポリッシングすること
により、高度の表面性状を有するチタン製磁気ディスク
基板を製造し得ることを見出した。
[Means and Actions for Solving the Problems] As a result of various investigations by the inventors of the present invention for improving the performance of a titanium disk substrate, a certain nonmagnetic transition metal element was formed on a titanium substrate whose surface texture was improved to some extent. It has been found that a titanium magnetic disk substrate having a high degree of surface texture can be manufactured by forming a thin film having a predetermined thickness and polishing these.

すなわち、表面性状がRaで表わして0.05μmのチタン
製基体の表面上に、周期表第IVA族、第VA族、第VIA族、
第VIIA族、及び第VIIIA族元素のいずれかに属する非磁
性遷移金属元素の薄膜を0.5μm以上10μm以下の膜厚
で形成し、その後表面をポリッシングすることによって
上記目的を達成することができる。
That is, on the surface of a titanium substrate having a surface texture represented by Ra of 0.05 μm, a periodic table group IVA, group VA, group VIA,
The above object can be achieved by forming a thin film of a non-magnetic transition metal element belonging to any one of Group VIIA and Group VIIIA to a film thickness of 0.5 μm or more and 10 μm or less and then polishing the surface.

この場合に、非磁性遷移金属元素の薄膜は、イオンプ
レーティング、スパッタリング、真空蒸着、及びCVDに
より好適に形成することができる。更に、表面のポリッ
シングは、研磨液又は研磨布で行うことが好ましい。
In this case, the thin film of non-magnetic transition metal element can be preferably formed by ion plating, sputtering, vacuum deposition, and CVD. Further, it is preferable to polish the surface with a polishing liquid or a polishing cloth.

なお、ここでいうチタンは純チタン及びチタン合金を
両方とも含む概念である。
Note that titanium as used herein is a concept including both pure titanium and titanium alloy.

以下、この発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

チタンは融点が1650℃程度と高いので、磁気ディスク
基板としてチタンを用いた場合には、スパッタリングに
より磁性薄膜を形成する際の基板温度上昇に対する耐熱
性は十分である。また、チタン基体に、イオンプレーテ
ィング、スパッタリング、真空蒸着、又はCVD等により
周期表第IVA族、第VA族、第VIA族、第VIIA族、及び第VI
IIA族元素のうちの非磁性遷移金属元素の薄膜を形成す
ることによって、表面を極めて微細な組織にすることが
できる。結晶粒径が大きい場合には、表面の結晶方位の
違いにより加工速度が変化し、結晶間に段差ができる
が、このように表面の組織が微細であれば隣接する結晶
間の方位の差が小さくなり、結晶間の段差を小さくする
ことができるので、高度のレベルの表面性状を得ること
ができる。更に、イオンプレーティング、スパッタリン
グ、真空蒸着、又はCVD等で前述の非磁性遷移金属元素
の薄膜を形成するので密着性に優れている。更にまた、
周期表第IVA族、第VA族、第VIA族、第VIIA族、及び第VI
IIA族元素のうちの非磁性遷移金属元素は、その融点が1
200℃以上であるから、磁性薄膜形成のためのスパッタ
リングの際に、チタン基体のみならず、これらの元素で
形成された薄膜も十分な耐熱性を維持する。
Since titanium has a high melting point of about 1650 ° C., when titanium is used as the magnetic disk substrate, the heat resistance against the substrate temperature rise when forming the magnetic thin film by sputtering is sufficient. In addition, a titanium substrate is subjected to ion plating, sputtering, vacuum deposition, CVD, or the like by periodic table group IVA, group VA, group VIA, group VIIA, and group VI.
By forming a thin film of a non-magnetic transition metal element of the IIA group elements, the surface can have an extremely fine structure. When the crystal grain size is large, the processing speed changes due to the difference in the crystal orientation of the surface, and a step is formed between the crystals. However, if the surface texture is fine, the difference in the orientation between adjacent crystals is Since it becomes smaller and the step between crystals can be made smaller, a high level surface texture can be obtained. Further, since the thin film of the above-mentioned non-magnetic transition metal element is formed by ion plating, sputtering, vacuum deposition, CVD or the like, it has excellent adhesion. Furthermore,
Periodic Table Group IVA, Group VA, Group VIA, Group VIIA, and Group VI
The non-magnetic transition metal element of the IIA group elements has a melting point of 1
Since the temperature is 200 ° C. or higher, not only the titanium substrate but also the thin film formed of these elements maintain sufficient heat resistance during the sputtering for forming the magnetic thin film.

イオンプテーテイング、スパッタリング、真空蒸着、
又はCVD等で薄膜形成する場合には、その膜厚の上限は
高々10μmであるので、基体表面に沿って形成された非
磁性遷移金属元素の薄膜表面に基体表面形状の影響が残
存している。従って、基体の表面性状が悪いと、その上
の薄膜をポリッシングしても高度のレベルの表面性状を
得ることが困難となる。このため、チタン製基体の表面
性状がRa≦0.05μmであることが必要となる。
Ion plating, sputtering, vacuum deposition,
Alternatively, when a thin film is formed by CVD or the like, the upper limit of the film thickness is at most 10 μm, so that the influence of the substrate surface shape remains on the thin film surface of the non-magnetic transition metal element formed along the substrate surface. . Therefore, if the surface properties of the substrate are poor, it becomes difficult to obtain a high level of surface properties even if the thin film thereon is polished. Therefore, it is necessary that the surface quality of the titanium substrate is Ra ≦ 0.05 μm.

しかし、このようにして薄膜を形成しただけでは基体
の結晶粒の影響のため所望の表面性状を得ることができ
ない。このため、この発明においては薄膜表面をポリッ
シングして基体の影響を消すことにより所望の表面性状
を得る。この場合に、研磨液又は研磨布によるポリッシ
ングを行うことにより、極めて良好な表面性状を得るこ
とができる。
However, the desired surface texture cannot be obtained by only forming the thin film in this way due to the influence of the crystal grains of the substrate. Therefore, in the present invention, the desired surface texture is obtained by polishing the surface of the thin film to eliminate the influence of the substrate. In this case, by polishing with a polishing liquid or a polishing cloth, extremely good surface properties can be obtained.

また、ポリッシングにより基体の表面性状の影響を消
失させるためには、薄膜の厚みを少なくても0.5μmに
する必要がある。
Further, in order to eliminate the influence of the surface properties of the substrate by polishing, the thickness of the thin film needs to be at least 0.5 μm.

なお、非磁性遷移金属元素の薄膜の厚みが10μmを超
えると膜の性状が悪化するため、その上限は10μmであ
る。従って、非磁性遷移金属の薄膜の厚みは0.5μm以
上10μm以下とする。
If the thickness of the thin film of nonmagnetic transition metal element exceeds 10 μm, the properties of the film deteriorate, so the upper limit is 10 μm. Therefore, the thickness of the thin film of non-magnetic transition metal is 0.5 μm or more and 10 μm or less.

このように、この発明では、工程数が比較的少ない簡
便な工程により極めて表面性状が優れたチタン製磁気デ
ィスク基板を製造することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a titanium magnetic disk substrate having an extremely excellent surface property by a simple process having a relatively small number of processes.

[実施例] 以下、この発明の実施例について説明する。[Examples] Examples of the present invention will be described below.

この実施例においては、厚みが1.5mmのCP−2種純Ti
冷延板から、外径95mm、内径25mmの円環状平板を作成し
てブランク材とし、このブランク材に研磨を施してチタ
ン製基体を作成し、これに非磁性遷移金属の薄膜を形成
し、その後薄膜表面を研磨液又は研磨布で研磨して磁気
ディズク基板サンプルを作成した。このサンプルの製造
に当っては、製造条件を種々変化させ、この発明の範囲
内の条件で製造した実施例1〜15及びこの発明の範囲か
ら外れる条件で製造した比較例1〜13の合計28個のサン
プルを製造した。
In this example, CP-2 type pure Ti with a thickness of 1.5 mm
From the cold-rolled sheet, an outer diameter of 95 mm, an annular flat plate having an inner diameter of 25 mm is prepared as a blank material, a titanium substrate is prepared by polishing the blank material, and a thin film of a non-magnetic transition metal is formed on it. Then, the surface of the thin film was polished with a polishing liquid or a polishing cloth to prepare a magnetic disc substrate sample. In the production of this sample, the production conditions were variously changed, and the total of Examples 1 to 15 produced under the conditions within the scope of the present invention and Comparative Examples 1 to 13 produced under the conditions outside the scope of the present invention Samples were produced.

この際の各サンプルの製造条件及び表面性状を第1表
及び第2表に示す。なお、第1表に実施例1〜15、第2
表に比較例1〜13を示している。
The manufacturing conditions and surface properties of each sample at this time are shown in Tables 1 and 2. In Table 1, Examples 1 to 15 and 2
Comparative Examples 1 to 13 are shown in the table.

次に、各サンプルの製造条件及び表面性状について詳
細に説明する。
Next, the manufacturing conditions and surface properties of each sample will be described in detail.

実施例1 前述のブランク材を#400、#800、#1500、#4000の
番定の砥石により、順次研磨を行い、その後アルミナ砥
粒とバフ布を用いたポリッシングを行い、基体とした。
この際の研磨条件は、以下に示すものとした。砥石研磨
では、どの番定の砥石の場合にも、5%の防錆剤を含ん
だ水を1/分で流しながら、被研磨体への押し付け圧
力を80g/cm2、定盤の回転数を40rpmにして両面を研磨し
た。ポリッシングでは、平均粒径1μm以下のアルミナ
粒子を15gと20%の過酸化水素水とを含んだ研磨液を1
/分で流しながら、被研磨体への押し付け圧力を80g/
cm2、定盤の回転数を40rpmにして両面を研磨した。
Example 1 The above blank material was sequentially polished with a # 400, # 800, # 1500, and # 4000 numbered grindstone, and then polished with alumina abrasive grains and a buff cloth to obtain a substrate.
The polishing conditions at this time were as shown below. In the case of grinding stones, with any number of grinding stones, water containing 5% rust preventive agent is run at a rate of 1 / min, the pressing pressure against the object to be polished is 80 g / cm 2 , the number of rotations of the platen. At 40 rpm to polish both sides. In polishing, 1 g of an alumina particle having an average particle size of 1 μm or less and 1% of a polishing liquid containing 20% hydrogen peroxide solution were used.
/ G / min, pressing pressure against the object to be polished is 80g /
Both sides were polished at cm 2 and the number of rotations of the platen of 40 rpm.

これら砥石研磨及びポリッシングの際には、夫々第1
図(a)及び(b)に示す装置を用いた。この装置は略
円筒状の本体10の内周部に内歯車7が設けられ、本体10
の内部中央には回転軸9に固定された太陽歯車6が設け
られている。これら内歯車7及び太陽歯車6の間には、
これらに噛合された状態で、遊星歯車としての動作を行
う試料ホルダー2が複数セットされる。この試料ホルダ
ー2には研磨しようとするサンプル1がセットされる。
試料ホルダー2の両側には上定盤4及び下定盤5に夫々
保持された研磨部材、すなわち第1図(a)では砥石
8、(b)では研磨布保持定盤11及びその表面に研磨布
12が設けられており、このような研磨部材が所定の圧力
でサンプル11に押し付けられる。上定盤4及び上定盤4
に保持された研磨部材には研磨液を供給するための研磨
液供給孔3が設けられている。そして、図示しないモー
タにより回転軸9を回転させることにより、太陽歯車6
を回転させ、試料ホルダー2を自転及び公転させること
によりサンプル1の両面が研磨される。このような装置
により研磨しポリッシングした後の基体の表面性状はRa
=0.03μmであった。
When these grindstones are polished and polished, the first
The devices shown in FIGS. (A) and (b) were used. In this device, an internal gear 7 is provided on the inner peripheral portion of a substantially cylindrical main body 10, and
A sun gear 6 fixed to a rotating shaft 9 is provided at the center of the inside of the. Between these internal gear 7 and sun gear 6,
A plurality of sample holders 2 that operate as planetary gears in a state of being meshed with these are set. The sample 1 to be polished is set on the sample holder 2.
Polishing members held on the upper surface plate 4 and the lower surface plate 5 on both sides of the sample holder 2, that is, a grindstone 8 in FIG. 1A, a polishing cloth holding surface plate 11 in FIG. 1B and a polishing cloth on the surface thereof.
12 is provided, and such a polishing member is pressed against the sample 11 with a predetermined pressure. Upper surface plate 4 and upper surface plate 4
The polishing member held by is provided with a polishing liquid supply hole 3 for supplying a polishing liquid. Then, by rotating the rotating shaft 9 by a motor (not shown), the sun gear 6
Both sides of the sample 1 are polished by rotating the sample holder 2 to rotate and revolve the sample holder 2. The surface texture of the substrate after polishing and polishing with such an apparatus is Ra
= 0.03 μm.

この基体上に第2図に示すようなイオンプレーティン
グ装置を用いて、チタン膜をイオンプレーティングによ
り3μmの厚みで形成した。この装置は、図示しない真
空容器内にチタン製基板21が配設され、この基体21に対
向するように蒸発材22が設けられており、更にその下に
電子銃23が設けられている。蒸発材22と基体21との間に
はアノード24が配置されている。そして、基体21とアノ
ード24との間に電場を印加した状態で、電子銃23により
蒸発材22に電子を衝突させ、蒸発材22からイオン25を射
出させる。このイオン25は電場により加速されて、基体
21の下面に薄膜が形成される。この実施例における薄膜
形成条件は、アノード電圧を30V、バイアスを‐500V、
真空度を10-5Torrとした。なお、この実施例ではチタン
薄膜として純度99.9重量%のものを用いた。以下の実施
例でも同様である。
A titanium film having a thickness of 3 μm was formed on this substrate by ion plating using an ion plating apparatus as shown in FIG. In this apparatus, a titanium substrate 21 is provided in a vacuum container (not shown), an evaporation material 22 is provided so as to face the base 21, and an electron gun 23 is provided below the evaporation material 22. An anode 24 is arranged between the evaporation material 22 and the substrate 21. Then, in a state where an electric field is applied between the substrate 21 and the anode 24, electrons are made to collide with the evaporation material 22 by the electron gun 23, and ions 25 are ejected from the evaporation material 22. The ions 25 are accelerated by the electric field,
A thin film is formed on the lower surface of 21. The thin film forming conditions in this embodiment are as follows: anode voltage is 30V, bias is -500V,
The degree of vacuum was set to 10 -5 Torr. In this example, a titanium thin film having a purity of 99.9% by weight was used. The same applies to the following embodiments.

その後、薄膜表面を前述の第1図(b)に示す装置に
て基体のポリッシングと同様にしてポリッシングを行な
い磁気ディスク基板サンプルとした。
Thereafter, the thin film surface was polished in the same manner as the polishing of the substrate by the apparatus shown in FIG. 1 (b) described above to obtain a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは0.002μmと極め
て良好な値となった。すなわち、チタン薄膜をイオンプ
レーティングにより形成した後にポリッシングすること
により表面性状が著しく向上することが確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.002 μm. That is, it was confirmed that the surface texture was remarkably improved by polishing the titanium thin film by ion plating.

なお、ここでRaは、第3図に示すように、被測定面に
垂直な平面で被測定物を切断した際に、その切断面に現
れる輪郭の曲線から低周波成分を除去するような測定方
法で粗さ曲線を求め、この曲線の面方向の長さLの部分
を抜き取り、抜き取り部の中心線をx軸、縦倍率方向を
y軸とした粗さ曲線を、y=f(x)と表わしたとき、
以下の式(1)で与えられる値をμm単位で表わしたも
のである。
Here, Ra is a measurement that removes low-frequency components from the contour curve appearing on the cut surface when the DUT is cut on a plane perpendicular to the measured surface, as shown in FIG. A roughness curve is obtained by the method, a portion having a length L in the surface direction of this curve is extracted, and a roughness curve with the center line of the extraction portion as the x-axis and the vertical magnification direction as the y-axis is y = f (x) When expressed as
The value given by the following equation (1) is expressed in μm.

また、このようにして形成したディスク基板サンプル
表面を微分干渉顕微鏡で観察した結果、第7図(a)に
示すように極めて良好な表面性状が得られていることを
確認することができた。
As a result of observing the surface of the disk substrate sample thus formed with a differential interference microscope, it was confirmed that extremely good surface properties were obtained as shown in FIG. 7 (a).

実施例2 実施例1と同様の方法で基体を作成し、この基体上に
第4図に示すようなスパッタリング装置用いて、チタン
膜をスパッタッリングにより3μmの厚みで形成した。
この装置は、図示しない真空容器内に設けられた一対の
対向ターゲット32a,32bを有し、その間の側方に薄膜が
形成される基体31が設置される。ターゲット32a,32bに
夫々隣接して永久磁石が34,35が設けられており、これ
ら永久磁石によりターゲット間に磁場38を形成する。そ
して、ターゲット2a,2b間に電圧を印加することによ
り、ターゲット2aからマイナスイオン36及びエレクトロ
ン37がターゲット間の空間に飛出し、エレクトロン37は
ターゲット32bに衝突してマイナスイオンを叩き出す。
このように叩き出されたマイナスイオンがプラスに架電
された基体31の表面に堆積される。なお、参照符号33は
アノードである。この実施例においては、スパッタリン
グの際の真空容器内の作動ガス圧を10-4Torrとした。
Example 2 A substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and a titanium film was formed on the substrate with a thickness of 3 μm by sputtering using a sputtering apparatus as shown in FIG.
This apparatus has a pair of opposed targets 32a and 32b provided in a vacuum container (not shown), and a base 31 on which a thin film is formed is installed laterally between them. Permanent magnets 34, 35 are provided adjacent to the targets 32a, 32b, respectively, and a magnetic field 38 is formed between the targets by these permanent magnets. Then, by applying a voltage between the targets 2a and 2b, the negative ions 36 and the electrons 37 fly out from the target 2a into the space between the targets, and the electrons 37 collide with the target 32b and knock out the negative ions.
The negative ions knocked out in this way are deposited on the surface of the base 31 that is positively charged. The reference numeral 33 is an anode. In this example, the working gas pressure in the vacuum container during sputtering was set to 10 −4 Torr.

薄膜形成後、実施例1と同様にしてその表面をポリッ
シングして磁気ディスク基板サンプルを作成した。
After forming the thin film, the surface thereof was polished in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは実施例1と同様、
0.002μmと極めて良好な値となった。すなわち、チタ
ン薄膜をスパッタリングにより形成した後にポリッシン
グすることにより表面性状が著しく向上することが確認
された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra is the same as in Example 1.
It was a very good value of 0.002 μm. That is, it was confirmed that the surface properties are remarkably improved by polishing the titanium thin film after sputtering.

また、このようにして形成したディスク基板サンプル
表面を、実施例1と同様に微分干渉顕微鏡で観察した結
果、第7図(b)に示すように極めて良好な表面形状が
得られていることを確認することができた。
Further, as a result of observing the surface of the disk substrate sample thus formed with a differential interference microscope as in Example 1, it was confirmed that an extremely good surface shape was obtained as shown in FIG. 7 (b). I was able to confirm.

実施例3 実施例1と同様の方法で基体を作成し、この基体上に
第5図に示すような真空蒸着装置用いて、チタン膜を真
空蒸着により3μmの厚みで形成した。この装置は、図
示しない真空容器内に基体41が設置され、基体41に対向
するように蒸発材42が設けられており、更にその下に電
子銃43が設けられている。そして、電子銃43により蒸発
材42の表面から蒸気44を蒸発させ、この蒸気を基体41の
表面に堆積させる。この実施例においては、真空容器内
の真空度を10-6Torrとした。
Example 3 A substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and a titanium film was formed on the substrate with a thickness of 3 μm by vacuum evaporation using a vacuum evaporation apparatus as shown in FIG. In this apparatus, a base 41 is installed in a vacuum container (not shown), an evaporation material 42 is provided so as to face the base 41, and an electron gun 43 is further provided below the evaporation material 42. Then, the vapor 44 is evaporated from the surface of the evaporation material 42 by the electron gun 43, and this vapor is deposited on the surface of the base 41. In this example, the degree of vacuum in the vacuum container was 10 −6 Torr.

薄膜形成後、実施例1と同様にしてその表面をポリッ
シングして磁気ディスク基板サンプルを作成した。
After forming the thin film, the surface thereof was polished in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは0.003μmと極め
て良好な値となった。すなわち、チタン薄膜を真空蒸着
により形成した後にポリッシングすることにより表面性
状が著しく向上することが確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.003 μm. That is, it was confirmed that the surface properties were remarkably improved by polishing the titanium thin film by vacuum deposition and then polishing.

実施例4 実施例1と同様の方法で基体を作成し、この基体上に
第6図に示すようなCVD装置用いて、チタン膜をCVDによ
り3μmの厚みで形成した。この装置は、チャンバー53
内に基体51が設置され、基体51の上方にガス供給部52が
設けられている。ガス供給部55にはガス供給系55が接続
されており、このガス供給系55からガス供給部52を介し
て金属化合物塩蒸気等の反応ガス及びキャリヤガスがチ
ャンバー53内に導入される。また、チャンバー53には排
気系54が接続されている。そして、基体51に所定の電圧
が印加された状態で反応ガスの反応により生成された金
属が基体51上に堆積される。この際の成膜条件は、金属
化合物塩として四塩化チタン、キャリヤガスとしてアル
ゴンガスを用い、作動ガス圧を4×102Torr、基体51へ
の印加電圧を1000Vとした。
Example 4 A substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and a titanium film was formed on the substrate to a thickness of 3 μm by CVD using a CVD apparatus as shown in FIG. This equipment is chamber 53
A substrate 51 is installed inside, and a gas supply unit 52 is provided above the substrate 51. A gas supply system 55 is connected to the gas supply unit 55, and a reaction gas such as a metal compound salt vapor and a carrier gas are introduced into the chamber 53 from the gas supply system 55 via the gas supply unit 52. An exhaust system 54 is connected to the chamber 53. Then, the metal generated by the reaction of the reaction gas is deposited on the base 51 while a predetermined voltage is applied to the base 51. The film forming conditions at this time were that titanium tetrachloride was used as the metal compound salt, argon gas was used as the carrier gas, the working gas pressure was 4 × 10 2 Torr, and the applied voltage to the substrate 51 was 1000V.

薄膜形成後、実施例1と同様にしてその表面をポリッ
シングして磁気ディスク基板サンプルを作成した。
After forming the thin film, the surface thereof was polished in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは0.003μmと極め
て良好な値となった。すなわち、チタン薄膜をCVDによ
り形成した後にポリッシングすることにより表面性状が
著しく向上することが確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.003 μm. That is, it was confirmed that the surface properties were significantly improved by polishing the titanium thin film by CVD and then polishing.

実施例5 実施例1に用いたブランク材と同等のものを同様の研
磨条件で#400、#800、#1500、#4000の番定の砥石に
より、順次研磨し、ポリッシングを行なわずに基体とし
た。この基体の表面性状Raは、0.05μmであった。この
基体の表面に実施例1と同様、イオンプレーティングに
よりチタン薄膜を3μmの厚みで形成し、実施例1と同
様にしてその表面をポリッシングし、磁気ディスク基板
サンプルを作成した。
Example 5 A blank material equivalent to the blank material used in Example 1 was sequentially polished under the same polishing conditions with a numbered grinding stone of # 400, # 800, # 1500, and # 4000 to obtain a substrate without polishing. did. The surface texture Ra of this substrate was 0.05 μm. A titanium thin film having a thickness of 3 μm was formed on the surface of this substrate by ion plating in the same manner as in Example 1, and the surface was polished in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは0.003μmと極め
て良好な値となった。すなわち、基体表面をポリッシン
グしなくても、その表面性状Raが0.05μmであればチタ
ン薄膜をイオンプレーティングにより形成した後にその
表面をポリッシングすることにより表面性状が著しく向
上することが確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.003 μm. That is, it was confirmed that even if the surface of the substrate was not polished, if the surface texture Ra was 0.05 μm, the surface texture was remarkably improved by forming the titanium thin film by ion plating and then polishing the surface.

実施例6 実施例5と同等の基体を作成し、この基体表面に実施
例2と同様、スパッタリングによりチタン薄膜を3μm
の厚みで形成し、実施例1と同様にしてその表面をポリ
ッシングし、磁気ディスク基板サンプルを作成した。
Example 6 A substrate equivalent to that of Example 5 was prepared, and a titanium thin film of 3 μm was formed on the surface of the substrate by sputtering in the same manner as in Example 2.
And the surface thereof was polished in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample.

第1表に示すように、表面性状Raは0.002μmと極め
て良好な値となった。すなわち、基体表面をポリッシン
グしなくても、その表面性状Raが0.05μmであればチタ
ン薄膜をスパッタリングにより形成した後にその表面を
ポリッシングすることにより表面性状が著しく向上する
ことが確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.002 μm. That is, it was confirmed that even if the surface of the substrate was not polished, if the surface texture Ra was 0.05 μm, the surface texture was remarkably improved by forming the titanium thin film by sputtering and then polishing the surface.

実施例7 実施例5と同等の基体を作成し、この基体表面に実施
例3と同様、真空蒸着によりチタン薄膜を3μmの厚み
で形成し、実施例1と同様にしてその表面をポリッシン
グし、磁気ディスク基板サンプルを作成した。
Example 7 A substrate equivalent to that of Example 5 was prepared, a titanium thin film was formed on the surface of the substrate by vacuum vapor deposition to a thickness of 3 μm as in Example 3, and the surface was polished in the same manner as in Example 1. A magnetic disk substrate sample was prepared.

第1表に示すように、表面性状Raは0.004μmと極め
て良好な値となった。すなわち、基体表面をポリッシン
グしなくても、その表面性状Raが0.05μmであればチタ
ン薄膜を真空蒸着により形成した後にその表面をポリッ
シングすることにより表面性状が著しく向上することが
確認された。
As shown in Table 1, the surface texture Ra was a very good value of 0.004 μm. That is, it was confirmed that even if the surface of the substrate was not polished, if the surface texture Ra was 0.05 μm, the surface texture was remarkably improved by forming the titanium thin film by vacuum deposition and then polishing the surface.

実施例8 イオンプレーティングによって形成したチタン薄膜の
厚みが0.5μmであること以外は、実施例1と同様の条
件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示
すように、表面性状Raは0.004μmと極めて良好な値で
あり、ポリッシングにより表面性状が向上することが確
認された。
Example 8 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the titanium thin film formed by ion plating was 0.5 μm. As shown in Table 1, the surface texture Ra was 0.004 μm, which was an extremely good value, and it was confirmed that the surface texture was improved by polishing.

実施例9 イオンプレーティングによって形成したチタン薄膜の
厚みが9μmであること以外は、実施例1と同様の条件
で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示す
ように、表面性状Raは0.004μmと極めて良好な値であ
り、ポリッシングにより表面性状が向上することが確認
された。
Example 9 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the titanium thin film formed by ion plating was 9 μm. As shown in Table 1, the surface texture Ra was 0.004 μm, which was an extremely good value, and it was confirmed that the surface texture was improved by polishing.

実施例10 ズパッタリングによって形成したチタン薄膜の厚みが
0.5μmであること以外は、実施例2と同様の条件で磁
気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよう
に、表面性状Raは0.004μmと極めて良好な値であり、
ポリッシングにより表面性状が向上することが確認され
た。
Example 10 The thickness of the titanium thin film formed by sputtering is
A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 2 except that the thickness was 0.5 μm. As shown in Table 1, the surface texture Ra is 0.004 μm, which is an extremely good value.
It was confirmed that the surface properties were improved by polishing.

実施例11 イオンプレーティングによって形成した薄膜が、バナ
ジウム薄膜であること以外は、実施例1と同様の条件で
磁気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよ
うに、表面性状Raは0.004μmと極めて良好な値であ
り、ポリッシングにより表面性状が向上することが確認
された。なお、バナジウムは99.9重量%の純度のものを
用いた。
Example 11 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thin film formed by ion plating was a vanadium thin film. As shown in Table 1, the surface texture Ra was 0.004 μm, which was an extremely good value, and it was confirmed that the surface texture was improved by polishing. The vanadium used had a purity of 99.9% by weight.

実施例12 イオンプレーティングによって形成した薄膜が、クロ
ム薄膜であること以外は、実施例1と同様の条件で磁気
ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよう
に、表面性状Raは0.003μmと極めて良好な値であり、
ポリッシングにより表面性状が向上することが確認され
た。なお、クロムは99.9重量%の純度のものを用いた。
Example 12 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thin film formed by ion plating was a chromium thin film. As shown in Table 1, the surface texture Ra is 0.003 μm, which is an extremely good value.
It was confirmed that the surface properties were improved by polishing. The chromium used had a purity of 99.9% by weight.

実施例13 イオンプレーティングによって形成した薄膜が、マン
ガン薄膜であること以外は、実施例1と同様の条件で磁
気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよう
に、表面性状Raは0.004μmと極めて良好な値であり、
ポリッシングにより表面性状が向上することが確認され
た。なお、マンガンは99.9重量%の純度のものを用い
た。
Example 13 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thin film formed by ion plating was a manganese thin film. As shown in Table 1, the surface texture Ra is 0.004 μm, which is an extremely good value.
It was confirmed that the surface properties were improved by polishing. The manganese used had a purity of 99.9% by weight.

実施例14 イオンプレーティングによって形成した薄膜が、ルテ
ニウム薄膜であること以外は、実施例1と同様の条件で
磁気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよ
うに、表面性状Raは0.003μmと極めて良好な値であ
り、ポリッシングにより表面性状が向上することが確認
された。なお、ルテニウムは99.9重量%の純度のものを
用いた。
Example 14 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thin film formed by ion plating was a ruthenium thin film. As shown in Table 1, the surface texture Ra was 0.003 μm, which was a very good value, and it was confirmed that the surface texture was improved by polishing. The ruthenium used had a purity of 99.9% by weight.

実施例15 イオンプレーティングによって形成した薄膜が、パラ
ジウム薄膜であること以外は、実施例1と同様の条件で
磁気ディスク基板サンプルを作成した。第1表に示すよ
うに、表面性状Raは0.003μmと極めて良好な値であ
り、ポリッシングにより表面性状が向上することが確認
された。なお、パラジウムは99.9重量%の純度のものを
用いた。
Example 15 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thin film formed by ion plating was a palladium thin film. As shown in Table 1, the surface texture Ra was 0.003 μm, which was a very good value, and it was confirmed that the surface texture was improved by polishing. The palladium used had a purity of 99.9% by weight.

比較例1 実施例1と同様のブランク材を実施例1のチタン製基
体と同様の条件で研磨及びポリッシングして磁気ディス
ク基板サンプルとした。つまり、このサンプルは実施例
1のサンプルからチタン薄膜を除いたものである。この
サンプルの表面性状Raは第2表に示すように0.03μmで
あった。磁気ディスク基板として使用するためには、表
面性状Raが0.02μm以下であることが必要であるから、
この比較例1ではこの条件を満たしていないことが確認
された。
Comparative Example 1 A blank material similar to that of Example 1 was polished and polished under the same conditions as the titanium substrate of Example 1 to obtain a magnetic disk substrate sample. That is, this sample is obtained by removing the titanium thin film from the sample of Example 1. The surface texture Ra of this sample was 0.03 μm as shown in Table 2. In order to use it as a magnetic disk substrate, the surface texture Ra must be 0.02 μm or less,
In Comparative Example 1, it was confirmed that this condition was not satisfied.

また、このようにして形成したディスク基板サンプル
表面を微分干渉顕微鏡で観察した結果、第8図(a)に
示すように、結晶間の段差が明瞭に確認することがで
き、第7図に示す実施例1、2のサンプルよりも表面性
状が明らかに悪いことが確認された。
Further, as a result of observing the surface of the disk substrate sample thus formed with a differential interference microscope, as shown in FIG. 8 (a), a step between crystals can be clearly confirmed, and as shown in FIG. It was confirmed that the surface properties were clearly worse than those of the samples of Examples 1 and 2.

比較例2 実施例1に用いたブランク材を同様の研磨条件で#40
0、#800、#1500の番定の砥石により順次研磨を行な
い、これを基体とした。この基体の表面性状Raは0.08μ
mであった。この基体の表面に実施例1と同様、イオン
プレーティングによりチタン薄膜を3μmの厚みで形成
し、実施例1と同様にしてその表面をポリッシングし、
磁気ディスク基板サンプルを作成した。
Comparative Example 2 The blank material used in Example 1 was subjected to # 40 under the same polishing conditions.
Polishing was sequentially carried out with a numbered grindstone of 0, # 800 and # 1500, and this was used as a base. The surface texture Ra of this substrate is 0.08μ
It was m. A titanium thin film having a thickness of 3 μm was formed on the surface of this substrate by ion plating in the same manner as in Example 1, and the surface was polished in the same manner as in Example 1,
A magnetic disk substrate sample was prepared.

第2表に示すように、表面性状Raは0.07μmであっ
た。磁気ディスク基板として使用するためには、表面性
状Raが0.02μm以下であることが必要であるから、この
比較例2ではこの条件を満たしていない。すなわち、基
体の表面性状Raが0.05μmを超えると、優れた表面性状
が得られないことが確認された。
As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.07 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, it is necessary that the surface texture Ra be 0.02 μm or less, so that this comparative example 2 does not satisfy this condition. That is, it was confirmed that when the surface texture Ra of the substrate exceeds 0.05 μm, excellent surface texture cannot be obtained.

比較例3 比較例2と同様にしてチタン基体を作成し、この基体
の表面に実施例2と同様、スパッタリングによりチタン
薄膜を3μmの厚みで形成し、実施例2と同様にしてそ
の表面をポリッシングし、磁気ディスク基板サンプルを
作成した。
Comparative Example 3 A titanium substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 2, and a titanium thin film having a thickness of 3 μm was formed on the surface of this substrate by sputtering in the same manner as in Example 2, and the surface was polished in the same manner as in Example 2. Then, a magnetic disk substrate sample was prepared.

第2表に示すように、表面性状Raは0.06μmであっ
た。磁気ディスク基板として使用するためには、表面性
状Raが0.02μm以下であることが必要であるから、この
比較例3ではこの条件を満たしていないことが確認され
た。
As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.06 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, it is necessary that the surface texture Ra be 0.02 μm or less, so it was confirmed that this comparative example 3 did not satisfy this condition.

比較例4 比較例2と同様にしてチタン基体を作成し、この基体
の表面に実施例3と同様、真空蒸着によりチタン薄膜を
3μmの厚みで形成し、実施例3と同様にしてその表面
をポリッシングし、磁気ディスク基板サンプルを作成し
た。
Comparative Example 4 A titanium substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 2, and a titanium thin film was formed on the surface of this substrate by vacuum vapor deposition to a thickness of 3 μm in the same manner as in Example 3, and the surface was formed in the same manner as in Example 3. Polishing was performed to prepare a magnetic disk substrate sample.

第2表に示すように、表面性状Raは0.06μmであっ
た。磁気ディスク基板として使用するためには、表面性
状Raが0.02μm以下であることが必要であるから、この
比較例4ではこの条件を満たしていないことが確認され
た。
As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.06 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, it is necessary that the surface texture Ra be 0.02 μm or less, so that it was confirmed in Comparative Example 4 that this condition was not satisfied.

比較例5 比較例2と同様にしてチタン基体を作成し、この基体
の表面に実施例4と同様、CVDによりチタン薄膜を3μ
mの厚みで形成し、実施例4と同様にしてその表面をポ
リッシングし、磁気ディスク基板サンプルを作成した。
Comparative Example 5 A titanium substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 2, and a titanium thin film of 3 μm was formed on the surface of this substrate by CVD as in Example 4.
A magnetic disk substrate sample was prepared by forming the magnetic disk substrate with a thickness of m and polishing the surface in the same manner as in Example 4.

第2表に示すように、表面性状Raは0.06μmであっ
た。磁気ディスク基板として使用するためには、表面性
状Raが0.02μm以下であることが必要であるから。この
比較例5ではこの条件を満たしていないことが確認され
た。
As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.06 μm. The surface texture Ra must be 0.02 μm or less for use as a magnetic disk substrate. In this Comparative Example 5, it was confirmed that this condition was not satisfied.

比較例6 実施例1と同様にしてチタン製基体を作成し、この基
体表面に実施例1と同様にイオンプレーティングにより
チタン薄膜を3μmの厚みで形成し、ポリッシングを行
なわずに磁気ディスク基板サンプルとした。
Comparative Example 6 A titanium substrate was prepared in the same manner as in Example 1, and a titanium thin film having a thickness of 3 μm was formed on the surface of the substrate by ion plating in the same manner as in Example 1 to prepare a magnetic disk substrate sample without polishing. And

第2表に示すように、表面性状Raは0.04μmであっ
た。磁気ディスク基板として使用するためには、表面性
状Raが0.02μm以下であることが必要であるから。この
比較例6ではこの条件を満たしていない。すなわち、薄
膜を形成しても、その後その表面をポリッシングしなけ
れば優れた表面性状が得られないことが確認された。
As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.04 μm. The surface texture Ra must be 0.02 μm or less for use as a magnetic disk substrate. This comparative example 6 does not satisfy this condition. That is, it was confirmed that even if a thin film was formed, excellent surface properties could not be obtained unless the surface was polished thereafter.

また、このようにして形成したディスク基板サンプル
表面を微分干渉顕微鏡で観察した結果、第8図(b)に
示すように、結晶間の段差が明瞭に確認することがで
き、第7図に示す実施例1、2のサンプルよりも表面性
状が明らかに悪いことが確認された。
Also, as a result of observing the surface of the disk substrate sample thus formed with a differential interference microscope, as shown in FIG. 8 (b), a step between crystals can be clearly confirmed, and as shown in FIG. It was confirmed that the surface properties were clearly worse than those of the samples of Examples 1 and 2.

比較例7 イオンプレーティングによって形成したチタン薄膜の
厚みが0.2μmであること以外は、実施例1と同様の条
件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表に示
すように、表面性状Raは0.06μmであった。磁気ディス
ク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02μm
以下であることが必要であるから。この比較例7ではこ
の条件を満たしていない。すなわち、薄膜の厚みが薄す
ぎる場合には優れた表面性状が得られないことが確認さ
れた。
Comparative Example 7 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the titanium thin film formed by ion plating had a thickness of 0.2 μm. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.06 μm. The surface texture Ra is 0.02μm for use as a magnetic disk substrate.
Because it needs to be: This comparative example 7 does not satisfy this condition. That is, it was confirmed that when the thickness of the thin film was too thin, excellent surface properties could not be obtained.

比較例8 イオンプレーティングによって形成したチタン薄膜の
厚みが15μmであること以外は、実施例1と同様の条件
で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表に示す
ように、表面性状Raは0.08μmであった。磁気ディスク
基板として使用するためには、表面性状Raが0.02μm以
下であることが必要であるから。この比較例8ではこの
条件を満たしていない。すなわち、薄膜の厚みが薄すぎ
る場合には優れた表面性状が得られないことが確認され
た。
Comparative Example 8 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the titanium thin film formed by ion plating was 15 μm. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.08 μm. The surface texture Ra must be 0.02 μm or less for use as a magnetic disk substrate. This comparative example 8 does not satisfy this condition. That is, it was confirmed that when the thickness of the thin film was too thin, excellent surface properties could not be obtained.

比較例9 薄膜をバナジウムで形成した以外は、比較例7と同様
の条件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表
に示すように、表面性状Raは0.07μmであった。磁気デ
ィスク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02
μm以下であることが必要であるから。この比較例9で
はこの条件を満たしていないことが確認された。
Comparative Example 9 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Comparative Example 7 except that the thin film was formed of vanadium. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.07 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, the surface texture Ra is 0.02.
Because it needs to be less than μm. In Comparative Example 9, it was confirmed that this condition was not satisfied.

比較例10 薄膜をクロムで形成した以外は、比較例7と同様の条
件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表に示
すように、表面性状Raは0.07μmであった。磁気ディス
ク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02μm
以下であることが必要であるから。この比較例10ではこ
の条件を満たしていないことが確認された。
Comparative Example 10 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Comparative Example 7 except that the thin film was formed of chromium. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.07 μm. The surface texture Ra is 0.02μm for use as a magnetic disk substrate.
Because it needs to be: It was confirmed in Comparative Example 10 that this condition was not satisfied.

比較例11 薄膜をマンガンで形成した以外は、比較例7と同様の
条件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表に
示すように、表面性状Raは0.06μmであった。磁気ディ
スク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02μ
m以下であることが必要であるから。この比較例11はこ
の条件を満たしていないことが確認された。
Comparative Example 11 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Comparative Example 7 except that the thin film was formed of manganese. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.06 μm. The surface texture Ra is 0.02μ for use as a magnetic disk substrate.
Because it is necessary to be m or less. It was confirmed that this Comparative Example 11 did not satisfy this condition.

比較例12 薄膜をルテニウムで形成した以外は、比較例7と同様
の条件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表
に示すように、表面性状Raは0.08μmであった。磁気デ
ィスク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02
μm以下であることが必要であるから。この比較例12は
この条件を満たしていないことが確認された。
Comparative Example 12 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Comparative Example 7 except that the thin film was formed of ruthenium. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.08 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, the surface texture Ra is 0.02.
Because it needs to be less than μm. It was confirmed that this Comparative Example 12 did not satisfy this condition.

比較例13 薄膜をパラジウムで形成した以外は、比較例7と同様
の条件で磁気ディスク基板サンプルを作成した。第2表
に示すように、表面性状Raは0.09μmであった。磁気デ
ィスク基板として使用するためには、表面性状Raが0.02
μm以下であることが必要であるから。この比較例13は
この条件を満たしていないことが確認された。
Comparative Example 13 A magnetic disk substrate sample was prepared under the same conditions as in Comparative Example 7 except that the thin film was formed of palladium. As shown in Table 2, the surface texture Ra was 0.09 μm. In order to use it as a magnetic disk substrate, the surface texture Ra is 0.02.
Because it needs to be less than μm. It was confirmed that this Comparative Example 13 did not satisfy this condition.

以上の実施例から、この発明に規定する条件を満たす
限り、優れた表面性状を有する磁気ディスク基板が得ら
れることが確認された。
From the above examples, it was confirmed that a magnetic disk substrate having excellent surface properties can be obtained as long as the conditions specified in the present invention are satisfied.

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではな
い。例えば、薄膜を一種の元素で形成したが、他の条件
がこの発明に規定する範囲内である限り、二種以上の元
素を含む薄膜であってもよいし、多層膜にすることもで
きる。また、研磨条件も例示に過ぎず、これに限るもの
ではない。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the thin film is formed of one kind of element, but as long as the other conditions are within the range specified in the present invention, the thin film may be a thin film containing two or more kinds of elements or may be a multi-layer film. Further, the polishing conditions are merely examples, and the polishing conditions are not limited to these.

[発明の効果] この発明によれば、優れた表面性状を有するチタン製
磁気ディスク基板を簡便な工程で得ることができる。こ
のため、この発明は極めて実用性が高い。
[Effect of the Invention] According to the present invention, a titanium magnetic disk substrate having excellent surface properties can be obtained in a simple process. Therefore, the present invention is extremely practical.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の実施例に用いられる研磨装置の概略
図、第2図はチタン製基体状に薄膜を形成するためのイ
オンプレーティング装置の概略図、第3図はRaの求め方
を説明するための図、第4図はチタン製基体状に薄膜を
形成するためのスパッタリング装置の概略図、第5図は
チタン製基体状に薄膜を形成するための真空蒸着装置の
概略図、第6図はチタン製基体状に薄膜を形成するため
のCVD装置の概略図、第7図及び第8図は基板サンプル
表面の金属組織を示す写真である。 1;サンプル、2;ホルダー、3;孔、4,5;定盤、6;太陽歯
車、7;内歯車、8:砥石、9;軸、10;本体、11;研磨布保持
定盤、12;研磨布、21,31,41,51;基体、22,42;蒸発材、2
3,43;電子銃、24,33;アノード、32a,32b;ターゲット、3
4;35;永久磁石、38;磁場、52;ガス供給部、53;チャンバ
ー、54;排気系、55;ガス供給系。
FIG. 1 is a schematic diagram of a polishing apparatus used in an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of an ion plating apparatus for forming a thin film on a titanium substrate, and FIG. 3 is a method for obtaining Ra. FIG. 4 is a schematic diagram of a sputtering apparatus for forming a thin film on a titanium substrate, FIG. 5 is a schematic view of a vacuum deposition apparatus for forming a thin film on a titanium substrate, FIG. FIG. 6 is a schematic view of a CVD apparatus for forming a thin film on a titanium substrate, and FIGS. 7 and 8 are photographs showing the metallographic structure of the substrate sample surface. 1; sample, 2; holder, 3; hole, 4,5; surface plate, 6; sun gear, 7; internal gear, 8: grindstone, 9; shaft, 10; body, 11; polishing cloth holding surface plate, 12 Polishing cloth, 21,31,41,51; substrate, 22,42; evaporation material, 2
3,43; electron gun, 24,33; anode, 32a, 32b; target, 3
4; 35; permanent magnet, 38; magnetic field, 52; gas supply part, 53; chamber, 54; exhaust system, 55; gas supply system.

フロントページの続き (72)発明者 小野 賢 東京都千代田区丸の内1丁目1番2号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 木部 洋 東京都千代田区丸の内1丁目1番2号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 直江 正彦 東京都目黒区大岡山2―10―40 CDの3 (56)参考文献 特開 昭62−157326(JP,A)Front Page Continuation (72) Inventor Ken Ono Marunouchi 1-2-2 Nihon Steel Pipe Co., Ltd., Chiyoda-ku, Tokyo Japan Steel Pipe Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Kibe 1-2-1 Marunouchi Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Steel Pipe Incorporated (72) Inventor Masahiko Naoe 2-10-40 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 3 of CD (56) Reference JP-A-62-157326 (JP, A)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面性状がRaで表わして0.05μm以下のチ
タン製基体の表面上に、周期表第IVA族、第VA族、第VIA
族、第VIIA族、及び第VIIIA族元素のいずれかに属する
非磁性遷移金属元素の薄膜を0.5μm以上10μm以下の
膜厚で形成し、その後表面をポリッシングすることを特
徴とするチタン製ディスク基板の製造方法。
1. A group IVA, VA, VIA of the periodic table on the surface of a titanium substrate having a surface texture represented by Ra of 0.05 μm or less.
A disk substrate made of titanium, characterized in that a thin film of a nonmagnetic transition metal element belonging to any one of Group III, Group VIIA, and Group VIIIA is formed to a thickness of 0.5 μm or more and 10 μm or less, and then the surface is polished. Manufacturing method.
【請求項2】前記薄膜は、イオンプレーティング、スパ
ッタリング、真空蒸着、又はCVDで形成されることを特
徴とする請求項1に記載のチタン製ディスク基板の製造
方法。
2. The method for manufacturing a titanium disk substrate according to claim 1, wherein the thin film is formed by ion plating, sputtering, vacuum deposition, or CVD.
JP1094391A 1989-04-14 1989-04-14 Method for manufacturing titanium magnetic disk substrate Expired - Lifetime JPH0833999B2 (en)

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