JPH08333672A - Production of optical parts - Google Patents
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- JPH08333672A JPH08333672A JP13917095A JP13917095A JPH08333672A JP H08333672 A JPH08333672 A JP H08333672A JP 13917095 A JP13917095 A JP 13917095A JP 13917095 A JP13917095 A JP 13917095A JP H08333672 A JPH08333672 A JP H08333672A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂材料からなるレン
ズ等の光学部品に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical component such as a lens made of a resin material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レンズ等の光学部品の材質には、ガラス
よりも安価で、軽量で、耐衝撃性や易加工性に優れるプ
ラスチックが幅広く用いられる。しかし、プラスチック
からなる光学部品はガラスに比べて硬度が低いため耐擦
傷性が劣る。そこで、プラスチックからなる光学部品
に、例えばシリコン樹脂や多官能アクリレート樹脂等の
高硬度の樹脂をコーティングすることが試みられてい
る。シリコン樹脂コーティングについては、コロイド状
の２酸化ケイ素等の樹脂材料を含む液体を光学部品に塗
布し、熱硬化させる。また、多官能アクリレート樹脂コ
ーティングについては、ポリオールアクリレート等のア
クリレート樹脂材料を含む液体を光学部品に塗布し、紫
外線等により硬化させる。2. Description of the Related Art As a material for optical parts such as lenses, plastics, which are cheaper and lighter than glass, and which are excellent in impact resistance and easy to process, are widely used. However, since the optical component made of plastic has a lower hardness than glass, it has poor scratch resistance. Therefore, it has been attempted to coat an optical component made of plastic with a resin having a high hardness such as a silicone resin or a polyfunctional acrylate resin. With respect to the silicone resin coating, a liquid containing a resin material such as colloidal silicon dioxide is applied to the optical component and thermally cured. Further, regarding the polyfunctional acrylate resin coating, a liquid containing an acrylate resin material such as polyol acrylate is applied to the optical component and cured by ultraviolet rays or the like.
【０００３】また、プラスチックからなる光学部品は、
例えばレンズでは、レンズ表面で入射光が反射してゴー
ストやチラツキが生じるのを防止し、また、レンズを通
した視界の明るさを保つために、その表面を反射防止膜
で被覆する場合が多い。この反射防止膜の材質及び膜厚
は、普通は該膜で被覆された光学部品の使用する波長の
光に対する反射が最も少なくなるように定める。反射防
止膜は、その屈折率と膜厚の積を、該膜で被覆しようと
する光学部品基体の屈折率、空気の屈折率及び所定の光
の波長によって決まる一定の値としたとき、その光の反
射を最も少なくすることができる。また、この様に反射
防止膜を単層コーティングするに際して、屈折率が異な
る複数の物質の混合物からなる膜をコーティングする場
合もある。その他、屈折率や膜厚が異なる複数の膜を積
層して複数層コーティングし、全体として反射防止効果
を発揮させる方法も行われている。複数の膜を積層した
反射防止膜で被覆した光学部品では、単層の反射防止膜
で被覆した光学部品に比べてより広い波長領域の光の反
射を抑制することができる。Optical parts made of plastic are
For example, in a lens, in order to prevent ghost and flicker from occurring due to reflection of incident light on the lens surface, and in order to maintain the brightness of the field of view through the lens, the surface is often coated with an antireflection film. . The material and film thickness of the antireflection film are usually determined so that the reflection of the light of the wavelength used by the optical component covered with the film is minimized. When the product of the refractive index and the film thickness is a constant value determined by the refractive index of the optical component substrate to be covered with the film, the refractive index of air and the wavelength of a predetermined light, the antireflection film Can be minimized. In addition, when the antireflection film is coated as a single layer, a film made of a mixture of a plurality of substances having different refractive indexes may be coated. In addition, there is also a method in which a plurality of films having different refractive indexes and film thicknesses are laminated and coated in a plurality of layers to exert an antireflection effect as a whole. An optical component coated with an antireflection film in which a plurality of films are laminated can suppress reflection of light in a wider wavelength range than an optical component coated with a single-layer antireflection film.
【０００４】反射防止膜の材質は、前記のような屈折率
を有する他、使用する光の波長領域で光を吸収せず、透
明であることが求められる。このような材質として、シ
リコン酸化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、ア
ルミニウム酸化物、タンタル酸化物等が用いられる。こ
れらの反射防止膜は、通常、真空蒸着法により光学部品
基体上に形成される。The material of the antireflection film is required to be transparent, in addition to having the above-mentioned refractive index, not absorbing light in the wavelength range of light used. As such a material, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, or the like is used. These antireflection films are usually formed on the optical component substrate by a vacuum vapor deposition method.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高硬度
樹脂膜で被覆したプラスチックからなる光学部品も、ガ
ラスからなる光学部品に比べると耐擦傷性が低い。ま
た、光学部品基体上に前記高硬度樹脂膜が形成されてお
り、さらにその上に膜形成されて全体として反射防止膜
となる場合は、高硬度樹脂膜とその上に形成された膜と
の密着性が悪いこともある。この点、シリコン樹脂から
なる高硬度膜は、前記反射防止膜との密着性は比較的良
いが、シリコン樹脂は熱硬化させるのに数時間かかるた
め生産性が悪い。またシリコン樹脂からなる高硬度膜
は、光学部品基体の材質がアクリル樹脂である場合は、
該基体との密着性に劣る。However, an optical component made of plastic coated with a high-hardness resin film also has lower scratch resistance than an optical component made of glass. Further, when the high hardness resin film is formed on the optical component substrate and further formed into a film to form an antireflection film as a whole, the high hardness resin film and the film formed thereon are The adhesion may be poor. In this respect, the high-hardness film made of silicon resin has relatively good adhesion to the antireflection film, but the silicon resin takes several hours to be thermally cured, and thus the productivity is poor. In addition, the high hardness film made of silicon resin, when the material of the optical component base is acrylic resin,
Poor adhesion to the substrate.
【０００６】このように、樹脂材料からなる光学部品で
あって、反射防止機能と高い耐擦傷性を兼ね備え、実用
に供し得るものは未だ開発されていないのが現状であ
る。そこで本発明は、樹脂材料からなる基体上に、実用
に供し得る耐擦傷性及び所望の反射防止機能を有する膜
を密着性良好に備えた光学部品を、生産性良く製造する
ことができる光学部品の製造方法を提供することを課題
とする。As described above, at present, an optical component made of a resin material, which has both an antireflection function and a high scratch resistance, and which can be put to practical use, has not yet been developed. Therefore, the present invention is capable of producing an optical component having good adhesion with a film having a scratch resistance and a desired antireflection function that can be put to practical use on a substrate made of a resin material with high productivity. It is an object to provide a manufacturing method of
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、次のの光学部品の製造方法を提供す
る。 樹脂からなる光学部品基体上に、蒸着とイオン照射
を併用してシリコン酸化物膜を形成し、その外側に、シ
リコン酸化物膜、チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化物
膜、アルミニウム酸化物膜及びタンタル酸化物膜からな
る群より選ばれた１又は複数の膜を形成する、さらに言
うと、該１又は複数の膜を前記当初形成のシリコン酸化
物膜と共に所定の波長の光に対して反射防止効果が得ら
れるように形成することを特徴とする光学部品の製造方
法。 樹脂からなる光学部品基体上に、蒸着とイオン照射
を併用してシリコン窒化物膜を形成し、その外側にシリ
コン酸化物膜、チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化物
膜、アルミニウム酸化物膜及びタンタル酸化物膜からな
る群より選ばれた１又は複数の膜を形成する、さらに言
うと、該１又は複数の膜を前記シリコン窒化物膜と共に
所定の波長の光に対して反射防止効果が得られるように
形成することを特徴とする光学部品の製造方法。 樹脂からなる光学部品基体上に、蒸着とイオン照射
を併用してシリコン酸化物膜を形成し、その外側に、シ
リコン窒化物膜と、シリコン酸化物膜、チタン酸化物
膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム酸化物膜及び
タンタル酸化物膜からなる群から選ばれた１又は複数の
膜とを形成し、さらに言うと、該シリコン窒化物膜と該
１又は複数の膜とを前記当初形成のシリコン酸化物膜と
共に所定の波長の光に対して反射防止効果が得られるよ
うに形成し、該シリコン窒化物膜の形成は蒸着とイオン
照射とを併用して行うことを特徴とする光学部品の製造
方法。In order to solve the above problems, the present invention provides the following method for manufacturing an optical component. A silicon oxide film is formed on a resin optical component substrate by using both vapor deposition and ion irradiation, and a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and tantalum are formed on the outside of the silicon oxide film. Forming one or more films selected from the group consisting of oxide films, and more specifically, the one or more films together with the initially formed silicon oxide film have an antireflection effect against light of a predetermined wavelength. A method for manufacturing an optical component, which is characterized in that A silicon nitride film is formed on a resin optical component substrate by using both vapor deposition and ion irradiation, and a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film are formed on the outside of the silicon nitride film. Forming one or a plurality of films selected from the group consisting of a material film, and more specifically, providing the one or a plurality of films together with the silicon nitride film to provide an antireflection effect for light of a predetermined wavelength. A method for manufacturing an optical component, which comprises: A silicon oxide film is formed by using vapor deposition and ion irradiation together on an optical component substrate made of resin, and a silicon nitride film, a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, and One or a plurality of films selected from the group consisting of an aluminum oxide film and a tantalum oxide film is formed, and further, the silicon nitride film and the one or a plurality of films are formed by the silicon oxide film that is initially formed. A method for manufacturing an optical component, characterized in that the silicon nitride film is formed so as to obtain an antireflection effect with respect to light having a predetermined wavelength, and the silicon nitride film is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination. .
【０００８】本明細書において、「光学部品」とは、望
遠鏡等の光学機器、眼鏡、拡大鏡等におけるレンズ等の
光を透過させる部品を指す。本発明の前記、及び
の各方法における蒸着は、電子ビーム、抵抗、レーザ、
高周波等により蒸発物質を加熱して蒸発させる真空蒸着
及びイオンビーム、マグネトロン、高周波等の手段によ
りターゲットをスパッタするスパッタ蒸着等であること
が考えられる。In the present specification, the "optical component" refers to a component such as a telescope or the like, a component such as a lens in glasses, a magnifying glass or the like that transmits light. The vapor deposition in the above and each method of the present invention includes electron beam, resistance, laser,
It is considered to be vacuum vapor deposition in which an evaporated substance is heated and vaporized by high frequency or the like, and sputter vapor deposition in which a target is sputtered by means such as ion beam, magnetron or high frequency.
【０００９】本発明の前記、及びの各方法におい
て、イオン照射時の加速エネルギは５０ｅＶ以上４０ｋ
ｅＶ以下とすることが考えられる。これは、５０ｅＶよ
り小さいとイオン照射による効果が十分に得られないか
らであり、４０ｋｅＶより大きいと基体に熱的損傷を与
えるため好ましくないからである。なお、基体へのイオ
ン入射角度は特に制限はなく、基体を回転させながらイ
オン注入を行ってもよい。イオン源の方式も特に制限は
なく、例えばカウフマン型、バケット型等のものが考え
られる。In the above and each of the methods of the present invention, the acceleration energy during ion irradiation is 50 eV or more and 40 k.
It may be considered to be eV or less. This is because if it is less than 50 eV, the effect of ion irradiation cannot be sufficiently obtained, and if it is greater than 40 keV, the substrate is thermally damaged, which is not preferable. The angle of incidence of ions on the substrate is not particularly limited, and ion implantation may be performed while rotating the substrate. The ion source system is also not particularly limited, and for example, Kauffman type, bucket type, etc. are conceivable.
【００１０】本発明の前記、及びの各方法におい
て、蒸着とイオン照射を併用して膜形成を行う場合、蒸
着と同時、交互又は該蒸着後にイオンを照射することが
考えられる。本発明の及びの各方法において、基体
上に蒸着とイオン照射を併用してシリコン酸化物膜を形
成する際の、蒸発物質と照射イオンの組み合わせとして
は、シリコン（Ｓｉ）単体と酸素（Ｏ）イオン、シリコ
ン単体と酸素イオン及び不活性ガスイオン（ヘリウム
（Ｈｅ）イオン、ネオン（Ｎｅ）イオン、アルゴン（Ａ
ｒ）イオン、クリプトン（Ｋｒ）イオン、キセノン（Ｘ
ｅ）イオン）、シリコン酸化物と不活性ガスイオン、シ
リコン酸化物と不活性ガスイオン及び酸素イオン等の組
み合わせを挙げることができる。In the above and each of the methods of the present invention, when the film formation is carried out by using vapor deposition and ion irradiation in combination, it is conceivable that the ions are irradiated simultaneously with the vapor deposition, alternately or after the vapor deposition. In each of the methods (1) and (2) of the present invention, when a silicon oxide film is formed on a substrate by using vapor deposition and ion irradiation in combination, a combination of a vaporized substance and irradiation ions is silicon (Si) simple substance and oxygen (O). Ion, silicon simple substance and oxygen ion and inert gas ion (helium (He) ion, neon (Ne) ion, argon (A
r) ion, krypton (Kr) ion, xenon (X
e) ion), a combination of a silicon oxide and an inert gas ion, a silicon oxide and an inert gas ion, an oxygen ion and the like.
【００１１】本発明の及びの各方法において、基体
上に蒸着とイオン照射を併用してシリコン窒化物膜を形
成する際の、蒸発物質と照射イオンの組み合わせとして
は、シリコン単体と窒素（Ｎ）イオン、シリコン単体と
窒素イオン及び不活性ガスイオン等の組み合わせを挙げ
ることができる。本発明の、及びの各方法におい
て、反射防止効果を得るために、シリコン酸化物膜、チ
タン酸化物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム酸
化物膜及びタンタル酸化物膜からなる群より選ばれた１
又は複数の膜を形成するにあたっては、前記真空蒸着
法、前記スパッタ蒸着法等の蒸着法で行うことが考えら
れる。このとき蒸発物質としては、それぞれシリコン酸
化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、アルミニウ
ム酸化物、タンタル酸化物等を用いることができる。In each of the methods (1) and (2) of the present invention, when forming a silicon nitride film on a substrate by using vapor deposition and ion irradiation in combination, a combination of an evaporated substance and irradiated ions is silicon simple substance and nitrogen (N). Examples thereof include a combination of ions, silicon simple substance, nitrogen ions, inert gas ions and the like. In each of the methods 1 and 2 of the present invention, in order to obtain an antireflection effect, 1 selected from the group consisting of a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film.
Alternatively, when forming a plurality of films, it is conceivable to perform the vapor deposition method such as the vacuum vapor deposition method or the sputter vapor deposition method. At this time, as the evaporation material, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, or the like can be used.
【００１２】また、本発明の、及びの各方法にお
いて、前記光学部品基体からみて最も外側の膜を、蒸着
とイオン照射とを併用して形成することが考えられる。
このとき、蒸発物質と照射イオンの組み合わせとして
は、該膜の酸素元素を除く構成元素の単体と酸素イオ
ン、該元素単体と酸素イオン及び不活性ガスイオン、該
膜の構成物質である酸化物と不活性ガスイオン、該酸化
物と不活性ガスイオン及び酸素イオン等の組み合わせを
挙げることができる。Further, in the methods of and of the present invention, it is conceivable that the outermost film as viewed from the optical component substrate is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination.
At this time, as the combination of the vaporized substance and the irradiation ions, a simple substance of constituent elements other than the oxygen element of the film and oxygen ions, a simple substance of the element and oxygen ions and inert gas ions, and an oxide that is a constituent material of the film Examples thereof include an inert gas ion, a combination of the oxide, an inert gas ion, and an oxygen ion.
【００１３】本発明のの方法において、前記蒸着とイ
オン照射併用によるシリコン酸化物膜形成後におけるシ
リコン酸化物膜、チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化物
膜、アルミニウム酸化物膜及びタンタル酸化物膜からな
る群より選ばれた１又は複数の膜を、前記蒸着とイオン
照射併用による当初形成のシリコン酸化物膜と共に所定
の波長の光に対して所望の反射防止効果が得られるよう
に形成するにあたっては、また、本発明の及びの各
方法において、シリコン窒化物膜と、シリコン酸化物
膜、チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニ
ウム酸化物膜及びタンタル酸化物膜からなる群より選ば
れた１又は複数の膜とを、基体上の膜全体として所定の
波長の光に対して所望の反射防止効果が得られるように
形成するにあたっては、次のようにして膜の種類、膜厚
及び複数の膜を形成する場合にはその積層順序を定め
る。In the method of the present invention, a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film are formed after the formation of the silicon oxide film by the combined use of the vapor deposition and the ion irradiation. In forming one or more films selected from the group together with the initially formed silicon oxide film by the combined use of vapor deposition and ion irradiation so as to obtain a desired antireflection effect with respect to light of a predetermined wavelength, In each of the methods 1 and 2 of the present invention, 1 or more selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film. In forming a plurality of films so as to obtain a desired antireflection effect with respect to light having a predetermined wavelength as the entire film on the substrate, Film type and manner, in the case of forming a film thickness and a plurality of film defining the stacking order.
【００１４】すなわち、膜構成物質の屈折率と膜厚の積
の膜形成順序に従う配列が、所定の光の波長に対して所
望の反射防止効果が得られるような配列となるように膜
形成する。また、蒸着とイオン照射を併用してシリコン
酸化物膜を形成し、その外側に、蒸着のみによりシリコ
ン酸化物膜を形成する場合は、該両膜は合わせて単一の
シリコン酸化物膜とみなす。That is, the film is formed such that the array according to the film forming order of the product of the refractive index of the film constituent substance and the film thickness is such that a desired antireflection effect can be obtained for a predetermined wavelength of light. . When a silicon oxide film is formed by using both vapor deposition and ion irradiation and a silicon oxide film is formed on the outer side of the silicon oxide film only by vapor deposition, the both films are regarded as a single silicon oxide film together. .
【００１５】[0015]
【作用】本発明のの光学部品の製造方法によると、光
学部品基体上に蒸着とイオン照射を併用してシリコン酸
化物膜を形成することにより、該シリコン酸化物膜は、
照射イオンの作用で緻密で高硬度なものとなり、耐擦傷
性を有する、光学部品基体の保護膜として機能する。ま
た、照射イオンの作用で、基体表面が清浄化されるとと
もに、基体とシリコン酸化物膜との間に該両者の構成原
子からなる混合層が形成されるため、該膜は基体に対す
る密着性が良好なものとなる。さらに、該シリコン酸化
物膜上に形成されて、該シリコン酸化物膜と共に反射防
止機能を発揮する各膜は、互いの密着性が優れるととも
に、前記シリコン酸化物膜との密着性に優れている。こ
れらにより、密着性良好な膜を被覆して、耐擦傷性及び
反射防止機能を有する光学部品を得ることができる。According to the method of manufacturing an optical component of the present invention, a silicon oxide film is formed on an optical component substrate by both vapor deposition and ion irradiation, whereby the silicon oxide film is
It becomes dense and highly hard by the action of the irradiation ions, and functions as a protective film for the optical component base having scratch resistance. In addition, the action of the irradiation ions cleans the surface of the substrate and forms a mixed layer composed of the constituent atoms of the both, between the substrate and the silicon oxide film, so that the film has no adhesion to the substrate. It will be good. Further, each film formed on the silicon oxide film and exhibiting an antireflection function together with the silicon oxide film has excellent adhesiveness to each other and also has excellent adhesiveness to the silicon oxide film. . With these, an optical component having a scratch resistance and an antireflection function can be obtained by coating a film having good adhesion.
【００１６】本発明のの光学部品の製造方法による
と、光学部品基体上に蒸着とイオン照射を併用して高硬
度なシリコン窒化物からなる膜を形成することにより、
該シリコン窒化物膜は照射イオンの作用で緻密で一層高
硬度となり、耐擦傷性を有する、光学部品基体の保護膜
として機能する。また、照射イオンの作用で、基体表面
が清浄化されるとともに、基体とシリコン窒化物膜との
間に該両者の構成原子からなる混合層が形成されるた
め、該膜は基体に対する密着性が良好なものとなる。さ
らに、該シリコン窒化物膜上に形成されて、該シリコン
窒化物膜と共に反射防止機能を発揮する各膜は、互いの
密着性が優れるとともに、前記シリコン窒化物膜との密
着性に優れている。これらにより、密着性良好な膜を被
覆して、耐擦傷性及び反射防止機能を有する光学部品を
得ることができる。According to the method of manufacturing an optical component of the present invention, a film made of a high hardness silicon nitride is formed on an optical component substrate by using both vapor deposition and ion irradiation.
The silicon nitride film is dense and has a higher hardness due to the action of irradiation ions, and has a scratch resistance and functions as a protective film of the optical component substrate. Further, the action of the irradiation ions cleans the surface of the substrate and forms a mixed layer composed of the constituent atoms of the both, between the substrate and the silicon nitride film, so that the film has no adhesion to the substrate. It will be good. Further, each film formed on the silicon nitride film and exhibiting an antireflection function together with the silicon nitride film has excellent adhesiveness to each other and also has excellent adhesiveness to the silicon nitride film. . With these, an optical component having a scratch resistance and an antireflection function can be obtained by coating a film having good adhesion.
【００１７】本発明のの光学部品の製造方法による
と、本発明のの方法において、耐擦傷性を有するシリ
コン酸化物膜上に積層形成されて、該シリコン酸化物膜
と共に反射防止機能を発揮する２以上の膜中に、蒸着と
イオン照射を併用して形成された高硬度なシリコン窒化
物膜が含まれるため、耐擦傷性が一層優れた光学部品が
得られる。According to the method of manufacturing an optical component of the present invention, in the method of the present invention, it is laminated on a silicon oxide film having scratch resistance and exhibits an antireflection function together with the silicon oxide film. Since the high hardness silicon nitride film formed by using both vapor deposition and ion irradiation is included in the two or more films, an optical component having more excellent scratch resistance can be obtained.
【００１８】本発明の、及びの光学部品の製造方
法において、前記光学部品基体からみて最も外側の膜
を、蒸着とイオン照射とを併用して形成するときには、
該膜が照射イオンの作用で緻密で高硬度になり、該膜は
その内側の膜を保護することができるとともに、一層優
れた耐擦傷性を有する光学部品が得られる。In the method of manufacturing the optical component of the present invention and, when the outermost film as viewed from the optical component substrate is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination,
The film becomes dense and has a high hardness due to the action of irradiation ions, the film inside can be protected, and an optical component having more excellent scratch resistance can be obtained.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の光学部品の製造方法の実施に用い
る成膜装置例の概略構成を示す図である。この装置は、
真空容器１１、１２・・・１ｎを有し、これらはゲート
弁Ｇ１・・・Ｇ（ｎ−１）を介してこの順に連設されて
いる。容器１１と外部との間にはゲート弁Ｇ０が、容器
１ｎと外部との間にはゲート弁Ｇｎが設けられている。
真空容器１１、１２・・・１ｎにはそれぞれ排気装置２
１、２２・・・２ｎが付設されて内部を所定の真空度に
することができる。容器１１内には被成膜光学部品基体
Ｓを支持するホルダ３１、並びにこれに対向する位置
に、蒸発源４１及びイオン源５１が設置されている。ま
た基体ホルダ３１付近には、膜厚モニタ６１、及びイオ
ン電流測定器７１が配置されている。容器１２・・・１
ｎ内には基体ホルダが配置される位置に対向する位置
に、蒸発源４２・・・４ｎが設置されている。また基体
ホルダが配置される位置の付近には、膜厚モニタ６２・
・・６ｎが配置されている。なお、基体Ｓはホルダ３１
ごと図示しない搬送手段にて容器間に移動させられ、所
定の成膜位置に配置される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a film forming apparatus used for carrying out the method for manufacturing an optical component of the present invention. This device
1n are provided, which are connected in this order via gate valves G1 ... G (n-1). A gate valve G0 is provided between the container 11 and the outside, and a gate valve Gn is provided between the container 1n and the outside.
Each of the vacuum containers 11, 12 ... 1n has an exhaust device 2
1, 22 ... 2n are attached to the inside to make a predetermined degree of vacuum. Inside the container 11, a holder 31 that supports the film-forming optical component substrate S, and an evaporation source 41 and an ion source 51 are installed at positions facing the holder 31. A film thickness monitor 61 and an ion current measuring device 71 are arranged near the substrate holder 31. Container 12 ... 1
In the n, evaporation sources 42 ... 4n are installed at positions facing the positions where the substrate holders are arranged. In addition, a film thickness monitor 62 ...
..6n is placed. The substrate S is a holder 31.
Each of them is moved between the containers by a transporting means (not shown) and placed at a predetermined film forming position.
【００２０】真空容器の数ｎは、基体Ｓ上に形成する膜
材質の種類の数に応じて定め、各容器内に設置する蒸発
源は特定の物質を蒸発させるものとし、１の容器内では
特定の１種類の膜を形成するようにする。但し、本発明
の及びの各方法において反射防止膜にシリコン酸化
物膜が含まれる場合、蒸着とイオン照射を併用したシリ
コン酸化物膜形成と、蒸着のみによるシリコン酸化物膜
形成を異なる容器内で行うように真空容器の数ｎを設定
してもよい。また、形成する膜の種類が少ない場合は、
１又は少ない数の複数の容器内のそれぞれに複数の蒸発
源を設置するなどして該容器内で成膜を行うことも可能
である。The number n of vacuum containers is determined according to the number of kinds of film materials formed on the substrate S, and the evaporation source installed in each container is supposed to evaporate a specific substance. A specific type of film is formed. However, in the case where a silicon oxide film is included in the antireflection film in each of the methods 1 and 2 of the present invention, the formation of the silicon oxide film using both vapor deposition and ion irradiation and the formation of the silicon oxide film only by vapor deposition in different containers are performed. You may set the number n of vacuum containers so that it may perform. If there are few types of films to be formed,
It is also possible to form a film in each container by installing a plurality of evaporation sources in one or a small number of containers.
【００２１】また、ここでは各真空容器に別々の排気装
置を接続しているが、各容器又は複数の容器ごと等に共
通の排気装置を用いることも考えられる。また、ゲート
弁Ｇ１・・・Ｇ（ｎ−１）は必ずしも設置する必要はな
く、場合によっては真空容器１１・・・１ｎの全て、又
は複数個ごと等に同一圧力とすることも考えられる。こ
の装置を用いて本発明のの光学部品の製造方法を実施
するにあたっては、当初全てのゲート弁を閉じておき、
ゲート弁Ｇ０を開けて光学部品基体Ｓを容器１１内に搬
入し、ホルダ３１に支持させた後、ゲート弁Ｇ０を閉じ
て容器１１内を所定の真空度にする。次いで、基体Ｓに
向けて蒸発源４１からシリコン単体又はシリコン酸化物
からなる蒸発物質４１ａを蒸着させ、これと同時、交互
又は該蒸着後に、イオン源５１から該蒸着面に向けて、
蒸発物質４１ａとともに作用してシリコン酸化物膜を形
成できるイオンを照射する。このようにして、基体Ｓ上
にシリコン酸化物膜を形成する。Further, although a separate exhaust device is connected to each vacuum container here, it is conceivable to use a common exhaust device for each container or a plurality of containers. Further, the gate valves G1 ... G (n-1) do not necessarily have to be installed, and in some cases, it is conceivable that the same pressure is applied to all or a plurality of vacuum containers 11 ... 1n. When carrying out the method for manufacturing an optical component of the present invention using this apparatus, initially all gate valves are closed,
After the gate valve G0 is opened and the optical component substrate S is carried into the container 11 and supported by the holder 31, the gate valve G0 is closed to bring the container 11 to a predetermined degree of vacuum. Then, an evaporation material 41a made of silicon simple substance or silicon oxide is vapor-deposited from the evaporation source 41 toward the substrate S, and at the same time, alternately or after the vapor deposition, from the ion source 51 toward the vapor deposition surface,
Irradiation is performed with ions capable of forming a silicon oxide film by acting together with the evaporation material 41a. In this way, a silicon oxide film is formed on the substrate S.
【００２２】次いで、次に形成しようとする膜に応じて
容器１２・・・１ｎのうちのいずれか特定の容器内に、
基体Ｓを外気に曝すことなく搬入し、該容器内を所定の
真空度とした後、蒸発源から基体Ｓに対して蒸発物質を
蒸着させる。蒸発源４２・・・４ｎに収める蒸発物質
は、形成しようとする膜の構成物質である酸化物とす
る。但し、シリコン酸化物膜の形成は容器１１内で行う
こともでき、このときは、イオン源５１からのイオン照
射を行わず、蒸発源４１からのシリコン酸化物４１ａの
蒸着のみにより膜形成する。このようにして、前記形成
されたシリコン酸化物膜上にシリコン酸化物膜、チタン
酸化物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム酸化物
膜及びタンタル酸化物膜からなる群より選ばれた１又は
複数の膜を、当初形成したシリコン酸化物膜と共に所定
の波長の光に対して所望の反射防止効果が得られるよう
に形成する。Then, depending on the film to be formed next, in any one of the containers 12 ... 1n,
After the substrate S is carried in without being exposed to the outside air and the inside of the container is set to a predetermined vacuum degree, the evaporation substance is vapor-deposited from the evaporation source onto the substrate S. Evaporation substances contained in the evaporation sources 42 ... 4n are oxides which are constituent substances of the film to be formed. However, the silicon oxide film can also be formed in the container 11. At this time, the film is formed only by vapor deposition of the silicon oxide 41a from the evaporation source 41 without performing ion irradiation from the ion source 51. In this way, one or more selected from the group consisting of a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film is formed on the formed silicon oxide film. The film is formed together with the initially formed silicon oxide film so as to obtain a desired antireflection effect with respect to light having a predetermined wavelength.
【００２３】なお、チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化
物膜、アルミニウム酸化物膜、タンタル酸化物膜のいず
れかの膜を、蒸着とイオン照射を併用して形成するとき
には、該当する容器内にイオン源を設置し、前記の基体
Ｓ上への当初のシリコン酸化物膜の形成と同様にして、
チタン、ジルコニウム、アルミニウム、タンタルのいず
れかの単体又は各膜の構成物質である酸化物からなる蒸
発物質の蒸着と、該蒸発物質とともに作用して目的の膜
を形成できるイオンの照射を組み合わせて、成膜を行
う。When any one of a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film, and a tantalum oxide film is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination, an ion source is placed in a corresponding container. And the same as the initial formation of the silicon oxide film on the substrate S,
Titanium, zirconium, aluminum, tantalum alone or a combination of vapor deposition of an evaporation material consisting of an oxide that is a constituent material of each film, and irradiation of ions that can work with the evaporation material to form a target film, A film is formed.
【００２４】なお、容器１１又は容器１ｎから外部へ基
体Ｓを搬出するにあたっては、該容器を大気圧又はその
近傍圧に戻した後、ゲート弁Ｇ０又はゲート弁Ｇｎを開
けるようにする。全体として反射防止膜となる各膜形成
時の膜材質の種類及び膜厚は、膜構成物質の屈折率ｎと
膜厚ｄの積ｎｄの、膜形成順序に従う配列が、所定の光
の波長に対して所定の割合の値の配列になるような膜厚
とする。例えば、屈折率１．５のポリカーボネートから
なる基体Ｓ上に、屈折率ｎ＝１．４６の２酸化シリコン
（ＳｉＯ 2）と屈折率ｎ＝２．０の２酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ 2）を用いて波長λ＝５２０ｎｍの光に対して
反射防止機能を発揮する膜を形成するにあたっては、こ
れらの材質及び膜厚を適宜組み合わせて、基体Ｓの側か
らｎｄ＝０．２５λ、０．１３λ、０．０６λ、０．２
５λ、０．２５λとなるように膜を積層形成することに
より、良好な反射防止効果が得られる。When the substrate S is carried out of the container 11 or the container 1n to the outside, the gate valve G0 or the gate valve Gn is opened after the container is returned to the atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof. The kind and film thickness of the film material when forming each film that becomes the antireflection film as a whole is such that the product nd of the refractive index n of the film constituent substance and the film thickness d is arranged according to the film formation order at a predetermined wavelength of light. On the other hand, the film thickness is set so that the values are arranged in a predetermined ratio. For example, on a substrate S made of polycarbonate having a refractive index of 1.5, silicon dioxide (SiO 2 ) having a refractive index n = 1.46 and zirconium dioxide (ZrO 2 ) having a refractive index n = 2.0 are used. In forming a film exhibiting an antireflection function for light having a wavelength λ = 520 nm, these materials and film thicknesses are appropriately combined and nd = 0.25λ, 0.13λ, 0. 06λ, 0.2
A good antireflection effect can be obtained by laminating the films so as to be 5λ and 0.25λ.
【００２５】前記各膜形成時の照射イオンの加速エネル
ギは、５０ｅＶ以上４０ｋｅＶ以下とする。また、この
装置を用いて本発明のの光学部品の製造方法を実施す
るにあたっては、前記本発明のの方法において、容器
１内での蒸着とイオン照射を併用したシリコン酸化物膜
の形成に代えて、蒸着とイオン照射を併用してシリコン
窒化物膜を形成する。このとき、蒸発物質４１ａと照射
イオンの組み合わせとして、シリコン単体と窒素イオ
ン、又はシリコン単体と窒素イオン及び不活性ガスイオ
ンの組み合わせを採用する。次いで、真空容器１２・・
・１ｎのいずれかの中でシリコン酸化物膜、チタン酸化
物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム酸化物膜及
びタンタル酸化物膜からなる群より選ばれた１又は複数
の膜を蒸着法により形成する。このとき、先に形成した
シリコン窒化物膜と共に反射防止効果が得られるように
する。シリコン酸化物膜を形成する場合は、容器１２・
・・１ｎのいずれかの中で蒸着法により行う。The acceleration energy of the irradiation ions at the time of forming each film is set to 50 eV or more and 40 keV or less. Further, in carrying out the method for manufacturing an optical component of the present invention using this apparatus, in the method of the present invention, instead of forming a silicon oxide film by using vapor deposition in the container 1 and ion irradiation in combination, Then, vapor deposition and ion irradiation are used together to form a silicon nitride film. At this time, a combination of silicon simple substance and nitrogen ion, or a combination of silicon simple substance and nitrogen ion and inert gas ion is adopted as a combination of the evaporated substance 41a and irradiation ions. Then, the vacuum container 12 ...
Forming one or more films selected from the group consisting of a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film by vapor deposition in any of 1n . At this time, an antireflection effect is obtained together with the silicon nitride film previously formed. When forming a silicon oxide film, the container 12
.. Performed by vapor deposition in any of 1n.
【００２６】また、この装置を用いて本発明のの光学
部品の製造方法を実施するにあたっては、まず、前記本
発明のの方法と同様にして、容器１１内で蒸着とイオ
ン照射を併用してシリコン酸化物膜を形成する。次い
で、その膜上にシリコン窒化膜と、シリコン酸化物膜、
チタン酸化物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム
酸化物膜及びタンタル酸化物膜からなる群より選ばれた
１又は複数の膜とを、適宜組み合わせて基体Ｓ上の膜全
体として反射防止効果が得られるように形成する。この
際、シリコン窒化物膜の形成は、容器１２・・・１ｎの
いずれかにイオン源を設置し、該容器内で蒸着とイオン
照射を併用して行い、他の膜の形成は、他の容器のいず
れかの中で、蒸着法により行う。In carrying out the method for manufacturing an optical component of the present invention using this apparatus, first, in the same manner as the method of the present invention, vapor deposition and ion irradiation are performed in the container 11 together. A silicon oxide film is formed. Then, a silicon nitride film, a silicon oxide film, and
An antireflection effect can be obtained as a whole film on the substrate S by appropriately combining one or a plurality of films selected from the group consisting of a titanium oxide film, a zirconium oxide film, an aluminum oxide film and a tantalum oxide film. To form. At this time, the silicon nitride film is formed by installing an ion source in any of the containers 12 ... 1n, and performing vapor deposition and ion irradiation in the container together, and forming other films is performed by other methods. Performed by vapor deposition in any of the vessels.
【００２７】次に、図１に示す装置を用いた本発明方法
実施の具体例について説明する。 実験例１ 図１の装置においてｎ＝３とし、真空容器１１、１２、
１３が連設された装置とした。ポリカーボネートからな
る光学部品基体Ｓを容器１１内に搬入し、ホルダ３１支
持させ、当初真空容器１内を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下の
真空度とした。その後、２酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）４
１ａを電子ビーム蒸発源４１を用いて蒸気化し、基体Ｓ
上に成膜した。それと同時にイオン源５１に容器１内が
５×１０ -5Ｔｏｒｒになるまでアルゴンガスを導入し、
イオン化させ、アルゴンイオンを基体Ｓに対し１ｋｅＶ
の加速エネルギで照射した。このようにして、耐擦傷性
を有する２酸化シリコン膜を膜厚１０００ｎｍ形成し
た。Next, the method of the present invention using the apparatus shown in FIG.
A specific example of implementation will be described. Experimental Example 1 In the apparatus of FIG. 1, n = 3, and the vacuum vessels 11, 12,
A device in which 13 are connected in series is used. Made from polycarbonate
The optical component substrate S to be loaded into the container 11 and supported by the holder 31.
Initially hold 2 x 10 in the vacuum container 1-6Below Torr
The degree of vacuum was set. After that, silicon dioxide (SiO 22) 4
1a is vaporized by using the electron beam evaporation source 41, and the substrate S
The film was formed on top. At the same time, the ion source 51
5 × 10 -FiveArgon gas is introduced until it becomes Torr,
Ionized, and the argon ion is 1 keV with respect to the substrate S.
It was irradiated with the acceleration energy of. In this way, scratch resistance
Forming a silicon dioxide film having a thickness of 1000 nm
It was
【００２８】次いで、基体Ｓを容器１２内に搬入し、容
器１２内を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした。そ
の後、２酸化シリコン４２ａを電子ビーム蒸発源４２を
用いて蒸気化し、前記形成した耐擦傷性を有する２酸化
シリコン膜上に成膜した。次いで、基体Ｓを容器１３内
に搬入し、容器１３内を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空
度とした。その後、２酸化ジルコニウム４３ａを電子ビ
ーム蒸発源４３を用いて蒸気化し、前記２酸化シリコン
膜上に成膜した。Next, the substrate S was carried into the container 12, and the inside of the container 12 was set to a vacuum degree of 2 × 10 -6 Torr or less. Then, the silicon dioxide 42a was vaporized using the electron beam evaporation source 42, and was formed on the formed silicon dioxide film having scratch resistance. Next, the substrate S was loaded into the container 13, and the inside of the container 13 was set to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less. Thereafter, the zirconium dioxide 43a was vaporized using the electron beam evaporation source 43, and deposited on the silicon dioxide film.
【００２９】さらに、容器１２内での２酸化シリコン膜
の形成、容器１３内での２酸化ジルコニウム膜の形成及
び容器１２内での２酸化シリコン膜の形成を順に行っ
た。各膜の膜厚は、基体Ｓに近い内側から、波長λ＝５
２０ｎｍの光に対して、容器１１内で形成した２酸化シ
リコン膜及び容器１２内で形成した２酸化シリコン膜か
らなる２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）、２酸化
ジルコニウム膜（ｎｄ＝０．１３λ）、２酸化シリコン
膜（ｎｄ＝０．０６λ）、２酸化ジルコニウム膜（ｎｄ
＝０．２５λ）、２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．２５
λ）となるようにし、全体として反射防止効果を有する
膜とした。 実験例２ 実験例１において、基体Ｓからみて最も外側の２酸化シ
リコン膜の形成を真空容器１１内で行い、蒸発源４１か
ら、２酸化シリコン４１ａを蒸発させて成膜すると同時
に、イオン源５１からアルゴンイオンを加速エネルギ
０．５ｋｅＶで照射して、ｎｄ＝０．２５λとなる膜厚
ｄの２酸化シリコン膜を形成した。その他の条件は実験
例１と同様とした。 実験例３ 図１の装置においてｎ＝２とし、真空容器１１、１２が
連設された装置とした。ポリカーボネートからなる光学
部品基体Ｓを容器１１内に搬入し、ホルダ３１に支持さ
せ、真空容器１内を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度と
した。その後、シリコン単体（Ｓｉ）４１ａを電子ビー
ム蒸発源４１を用いて蒸気化し、基体Ｓ上に成膜した。
それと同時にイオン源５１から窒素イオンを基体Ｓに対
して０．５ｋｅＶの加速エネルギで照射した。Further, the formation of the silicon dioxide film in the container 12, the formation of the zirconium dioxide film in the container 13, and the formation of the silicon dioxide film in the container 12 were sequentially performed. The thickness of each film is such that the wavelength λ = 5 from the inside close to the substrate S.
A silicon dioxide film (nd = 0.25λ) consisting of a silicon dioxide film formed in the container 11 and a silicon dioxide film formed in the container 12 with respect to 20 nm light, and a zirconium dioxide film (nd = 0). .13λ), a silicon dioxide film (nd = 0.06λ), a zirconium dioxide film (nd)
= 0.25λ), a silicon dioxide film (nd = 0.25)
λ) so that the film as a whole has an antireflection effect. Experimental Example 2 In Experimental Example 1, the outermost silicon dioxide film as viewed from the substrate S is formed in the vacuum container 11, and the silicon dioxide 41a is evaporated from the evaporation source 41 to form a film. At the same time, the ion source 51 is formed. Was irradiated with argon ions at an acceleration energy of 0.5 keV to form a silicon dioxide film having a film thickness d of nd = 0.25λ. Other conditions were the same as in Experimental Example 1. Experimental Example 3 In the apparatus of FIG. 1, n = 2, and the vacuum vessels 11 and 12 were connected in series. The optical component substrate S made of polycarbonate was loaded into the container 11, supported by the holder 31, and the inside of the vacuum container 1 was set to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less. After that, silicon simple substance (Si) 41a was vaporized using the electron beam evaporation source 41, and a film was formed on the substrate S.
At the same time, the substrate S was irradiated with nitrogen ions from the ion source 51 at an acceleration energy of 0.5 keV.
【００３０】次いで、基体Ｓを容器１２内に搬入し、真
空容器１２内を２×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした
後、２酸化シリコン４２ａを電子ビーム蒸発源４２を用
いて蒸気化し、基体Ｓ上に成膜した。このようにして、
容器１１内での窒化シリコン膜の形成と容器１２内での
２酸化シリコン膜の形成とを交互に繰り返し、波長λ＝
５２０ｎｍの光に対して、基体Ｓに近い内側から窒化シ
リコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）、２酸化シリコン膜（ｎ
ｄ＝０．１３λ）、窒化シリコン膜（ｎｄ＝０．０６
λ）、２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）、窒化シ
リコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）となるように順次膜形成
して、全体として反射防止効果を有する膜とした。 実験例４ 図１の装置においてｎ＝３とし、容器１１、１２、１３
が連設された装置とした。また、容器１３内にイオン源
５３を設けた。Next, the substrate S is carried into the container 12, the inside of the vacuum container 12 is set to a vacuum degree of 2 × 10 -6 Torr or less, and then the silicon dioxide 42a is vaporized by using the electron beam evaporation source 42. A film was formed on the substrate S. In this way,
The formation of the silicon nitride film in the container 11 and the formation of the silicon dioxide film in the container 12 are alternately repeated, and the wavelength λ =
For light of 520 nm, a silicon nitride film (nd = 0.25λ) and a silicon oxide film (n
d = 0.13λ, silicon nitride film (nd = 0.06)
λ), a silicon dioxide film (nd = 0.25λ) and a silicon nitride film (nd = 0.25λ) were sequentially formed to obtain a film having an antireflection effect as a whole. Experimental Example 4 In the apparatus of FIG. 1, n = 3, and the containers 11, 12, 13
Was set up in series. Further, the ion source 53 is provided in the container 13.
【００３１】先ず、実験例１における耐擦傷性を有する
２酸化シリコン膜の形成と同様にして、容器１１内で２
酸化シリコン４１ａを蒸着すると同時にアルゴンイオン
を照射して、膜厚１０００ｎｍの２酸化シリコン膜を形
成した。次いで、実験例３と同様にして（但し、容器１
２内で２酸化シリコン膜を形成し、容器１３内で窒化シ
リコン膜を形成する。）、２酸化シリコン４２ａの蒸着
による２酸化シリコン膜の形成と、シリコン単体４３ａ
の蒸着と窒素イオンの照射とを同時に行うことによる窒
化シリコンの形成を交互に繰り返し、波長λ＝５２０ｎ
ｍの光に対して、基体Ｓに近い最も内側から、容器１１
内で形成した２酸化シリコン膜及び容器１２内で形成し
た２酸化シリコン膜からなる２酸化シリコン膜（ｎｄ＝
０．２５λ）、窒化シリコン膜（ｎｄ＝０．１３λ）、
２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．０６λ）、窒化シリコン
膜（ｎｄ＝０．２５λ）、２酸化シリコン膜（ｎｄ＝
０．２５λ）となるように順次膜形成して、全体として
反射防止効果を有する膜とした。 実験例５ 実験例４において、基体Ｓからみて最も外側の２酸化シ
リコン膜の形成を真空容器１１内で行い、蒸発源４１か
ら、２酸化シリコン４１ａを蒸発させて成膜すると同時
に、イオン源５１からアルゴンイオンを加速エネルギ
０．５ｋｅＶで照射して形成した。その他の条件は実験
例４と同様とした。 比較例 実験例１において、容器１１内での蒸着とイオン照射を
併用した２酸化シリコン膜形成を行わず、その他の条件
は実験例１と同様として、容器１２内での蒸着法による
２酸化シリコン膜形成と容器１３内での蒸着法による２
酸化ジルコニウム膜形成とを交互に行い、基体Ｓに近い
内側から、波長λ＝５２０ｎｍの光に対して、２酸化シ
リコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）、２酸化ジルコニウム膜
（ｎｄ＝０．１３λ）、２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．
０６λ）、２酸化ジルコニウム膜（ｎｄ＝０．２５
λ）、２酸化シリコン膜（ｎｄ＝０．２５λ）となるよ
うにし、全体として反射防止効果を有する膜とした。First, in the same manner as in the formation of the scratch-resistant silicon dioxide film in Experimental Example 1, the 2nd film was formed in the container 11.
Simultaneously with vapor deposition of silicon oxide 41a, irradiation with argon ions was performed to form a silicon dioxide film having a film thickness of 1000 nm. Then, in the same manner as in Experimental Example 3, except that the container 1
A silicon dioxide film is formed in 2 and a silicon nitride film is formed in the container 13. ) Formation of a silicon dioxide film by vapor deposition of silicon dioxide 42a, and silicon simple substance 43a
Formation of silicon nitride by performing simultaneous vapor deposition of nitrogen and irradiation of nitrogen ions at a wavelength of λ = 520n
For the light of m, from the innermost side close to the substrate S, the container 11
A silicon dioxide film composed of a silicon dioxide film formed inside and a silicon dioxide film formed inside the container 12 (nd =
0.25λ), a silicon nitride film (nd = 0.13λ),
Silicon dioxide film (nd = 0.06λ), silicon nitride film (nd = 0.25λ), silicon oxide film (nd =
The film was sequentially formed so as to have a thickness of 0.25λ) to obtain a film having an antireflection effect as a whole. Experimental Example 5 In Experimental Example 4, the outermost silicon dioxide film as viewed from the substrate S is formed in the vacuum container 11, and the silicon dioxide 41a is evaporated from the evaporation source 41 to form a film. At the same time, the ion source 51 is formed. Was irradiated with argon ions at an acceleration energy of 0.5 keV. Other conditions were the same as in Experimental Example 4. Comparative Example In Experimental Example 1, the silicon dioxide film was not formed by using vapor deposition and ion irradiation in the container 11, and the other conditions were the same as in Experimental Example 1, and the silicon dioxide by the vapor deposition method in the container 12 was used. 2 by film formation and vapor deposition in container 13
Zirconium oxide film formation is performed alternately, and a silicon dioxide film (nd = 0.25λ) and a zirconium dioxide film (nd = 0.13λ) are applied to light having a wavelength λ = 520 nm from the inside close to the substrate S. , A silicon dioxide film (nd = 0.
06λ), a zirconium dioxide film (nd = 0.25)
λ) and a silicon dioxide film (nd = 0.25λ) so that the film as a whole has an antireflection effect.
【００３２】次に、実験例１から５及び比較例により得
られた光学部品の表面硬度をモース硬度計により測定し
た結果を次表に示す。 実験例１から５による光学部品はいずれも、イオン照射
を含む工程により形成されているため、比較例による光
学部品より高硬度であった。また、膜の密着性も比較例
による光学部品より優れていた。Next, the results of measuring the surface hardness of the optical parts obtained in Experimental Examples 1 to 5 and Comparative Example with a Mohs hardness meter are shown in the following table. Since the optical parts according to Experimental Examples 1 to 5 were all formed by a process including ion irradiation, they had higher hardness than the optical parts according to the comparative examples. Also, the adhesion of the film was superior to that of the optical component according to the comparative example.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明によると、樹脂材料からなる基体
上に、実用に供し得る耐擦傷性及び所望の反射防止機能
を有する膜を密着性良好に備えた光学部品を、生産性良
く製造することができる光学部品の製造方法を提供する
ことができる。さらに説明すると、本発明によると、蒸
着（及びイオン照射）により全ての膜を形成できるた
め、保護膜を樹脂材料の硬化により形成する方法に比べ
ると、生産性良く、耐擦傷性及び所望の反射防止機能を
有する膜を密着性良好に形成することができる。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, an optical component having a film having a scratch resistance that can be put to practical use and a desired antireflection function on a substrate made of a resin material and having good adhesion is manufactured with high productivity. It is possible to provide a method of manufacturing an optical component capable of performing the same. More specifically, according to the present invention, since all the films can be formed by vapor deposition (and ion irradiation), the productivity is better, the scratch resistance and the desired reflection are higher than the method of forming the protective film by curing the resin material. A film having a preventive function can be formed with good adhesion.
【００３４】また、本発明方法によると、比較的低温下
で密着性良好な膜を形成することができる。Further, according to the method of the present invention, a film having good adhesion can be formed at a relatively low temperature.
【図１】本発明方法の実施に用いる成膜装置例の概略構
成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a film forming apparatus used for carrying out a method of the present invention.
１１・・・１ｎ 真空容器 ２１・・・２ｎ 排気装置 ３１ 基体ホルダ ４１・・・４ｎ 蒸発源 ４１ａ・・・４ｎａ 蒸発物質 ５１・・・５ｎ イオン源 ６１・・・６ｎ 膜厚モニタ ７１・・・７ｎ イオン電流測定器 Ｇ０・・・Ｇｎ ゲート弁 Ｓ 光学部品基体 11 ... 1n Vacuum container 21 ... 2n Exhaust device 31 Substrate holder 41 ... 4n Evaporation source 41a ... 4na Evaporation material 51 ... 5n Ion source 61 ... 6n Film thickness monitor 71 ... 7n Ion current measuring device G0 ... Gn Gate valve S Optical component substrate
Claims (4)
イオン照射を併用してシリコン酸化物膜を形成し、その
外側に、シリコン酸化物膜、チタン酸化物膜、ジルコニ
ウム酸化物膜、アルミニウム酸化物膜及びタンタル酸化
物膜からなる群より選ばれた１又は複数の膜を形成する
ことを特徴とする光学部品の製造方法。1. A silicon oxide film is formed on a resin-made optical component substrate by both vapor deposition and ion irradiation, and a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, and aluminum are formed on the outside thereof. A method of manufacturing an optical component, comprising forming one or a plurality of films selected from the group consisting of oxide films and tantalum oxide films.
イオン照射を併用してシリコン窒化物膜を形成し、その
外側にシリコン酸化物膜、チタン酸化物膜、ジルコニウ
ム酸化物膜、アルミニウム酸化物膜及びタンタル酸化物
膜からなる群より選ばれた１又は複数の膜を形成するこ
とを特徴とする光学部品の製造方法。2. A silicon nitride film is formed on an optical component substrate made of resin by using both vapor deposition and ion irradiation, and a silicon oxide film, a titanium oxide film, a zirconium oxide film, and an aluminum oxide film are formed on the outside thereof. A method of manufacturing an optical component, which comprises forming one or a plurality of films selected from the group consisting of a physical film and a tantalum oxide film.
イオン照射を併用してシリコン酸化物膜を形成し、その
外側に、シリコン窒化物膜と、シリコン酸化物膜、チタ
ン酸化物膜、ジルコニウム酸化物膜、アルミニウム酸化
物膜及びタンタル酸化物膜からなる群から選ばれた１又
は複数の膜とを形成し、該シリコン窒化物膜の形成は蒸
着とイオン照射とを併用して行うことを特徴とする光学
部品の製造方法。3. A silicon oxide film is formed on an optical component substrate made of resin by using both vapor deposition and ion irradiation, and a silicon nitride film, a silicon oxide film, and a titanium oxide film are formed on the outside thereof. One or a plurality of films selected from the group consisting of a zirconium oxide film, an aluminum oxide film, and a tantalum oxide film are formed, and the silicon nitride film is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination. And a method for manufacturing an optical component.
を、蒸着とイオン照射とを併用して形成する請求項１、
２又は３記載の光学部品の製造方法。4. The outermost film as viewed from the optical component substrate is formed by using vapor deposition and ion irradiation in combination.
2. The method for manufacturing an optical component according to 2 or 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13917095A JPH08333672A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Production of optical parts |
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|---|---|---|---|
| JP13917095A JPH08333672A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Production of optical parts |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08333672A true JPH08333672A (en) | 1996-12-17 |
Family
ID=15239214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13917095A Withdrawn JPH08333672A (en) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Production of optical parts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08333672A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001188115A (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | Diffraction grating mask |
| JP2014141473A (en) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Tosoh Corp | Group 5 metal oxo-alkoxo complex, method of producing the same, and method of forming group 5 metal oxide film |
| JP2015124159A (en) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東ソー株式会社 | Tantalum oxo-alkoxo complex, method of producing the same, and method of making tantalum oxide film |
-
1995
- 1995-06-06 JP JP13917095A patent/JPH08333672A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001188115A (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | Diffraction grating mask |
| JP2014141473A (en) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Tosoh Corp | Group 5 metal oxo-alkoxo complex, method of producing the same, and method of forming group 5 metal oxide film |
| JP2015124159A (en) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東ソー株式会社 | Tantalum oxo-alkoxo complex, method of producing the same, and method of making tantalum oxide film |
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