JPH08330948A - Method and equipment for phase deviation clock generation - Google Patents
Method and equipment for phase deviation clock generationInfo
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- JPH08330948A JPH08330948A JP8152969A JP15296996A JPH08330948A JP H08330948 A JPH08330948 A JP H08330948A JP 8152969 A JP8152969 A JP 8152969A JP 15296996 A JP15296996 A JP 15296996A JP H08330948 A JPH08330948 A JP H08330948A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル回路、特
に、位相同期ループ回路(PLL)から複数の位相偏移
クロックを生成するための回路に関する。更に詳しくい
えば、本発明は、中央PLLから出力される最小数の信
号を用いて、集積回路(IC)チップ上の様々な局部位
置で複数の位相偏移クロックを生成するための方法並び
に装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital circuit, and more particularly to a circuit for generating a plurality of phase shift clocks from a phase locked loop circuit (PLL). More specifically, the present invention is a method and apparatus for generating a plurality of phase shift clocks at various local locations on an integrated circuit (IC) chip using a minimum number of signals output from a central PLL. Regarding
【0002】[0002]
【従来の技術】最近の小型化及び組立技術の進歩によ
り、マイクロプロセッサ等の論理回路構成が実現されて
いるチップ上に、直接PLL回路を形成することが可能
になった。内蔵PLL回路(オンボードPLL回路)を
用いることによって、一つあるいは複数の位相偏移クロ
ックを好適に用いた論理設計が容易になる。位相偏移ク
ロックとは、基本的に互いに同一の周波数を有し、且
つ、周波数に依存した態様で、遅延される、即ち、位相
偏移されるクロックのことである。位相偏移クロックを
用いることにより、どの動作周波数においてもクロック
間の相対的なタイミングと回路周期とが重要になるよう
な所定のタイプの論理回路、例えば、ダイナミックCM
OS論理回路やポジティブ・フィードバックアンプ等の
設計を簡略化し、且つ、その性能を改善することができ
る。2. Description of the Related Art Recent miniaturization and advances in assembly technology have made it possible to directly form a PLL circuit on a chip having a logic circuit configuration such as a microprocessor. The use of the built-in PLL circuit (on-board PLL circuit) facilitates the logic design that preferably uses one or a plurality of phase shift clocks. A phase-shifted clock is a clock that has basically the same frequency and is delayed, ie, phase-shifted, in a frequency-dependent manner. By using a phase shift clock, a given type of logic circuit, such as a dynamic CM, in which the relative timing between clocks and the circuit period are important at any operating frequency.
It is possible to simplify the design of the OS logic circuit, the positive feedback amplifier, etc., and improve the performance thereof.
【0003】従来は、複数の位相偏移クロックを、集中
的に配置されたPLLで生成し、その後、チップ上を、
独立した複数の導体を介して、そのクロックが実際に用
いられる局部位置まで伝送する方法が用いられている。
しかし、複数の導体を用いて、集中的に生成された位相
偏移クロックを、そのクロックが実際に必要とされる局
部位置まで伝送する方法には、多くの問題点があること
が知られている。Conventionally, a plurality of phase shift clocks are generated by centrally arranged PLLs, and then on-chip.
A method is used in which the clock is transmitted via a plurality of independent conductors to a local position where the clock is actually used.
However, it is known that there are many problems in the method of transmitting a centrally generated phase shift clock to a local position where the clock is actually required by using a plurality of conductors. There is.
【0004】図1は、複数の位相偏移クロックを集中的
に生成する従来のPLL回路を示す概略図であり、この
PLL回路には、集中的に生成された位相偏移クロック
をチップを横切って伝送するために必要な導体が備えら
れている。図1に示すように、集積回路(IC)チップ
100は、集中的に配置されたPLL102を備える。
ここで、PLLに関係する機能を果たす回路がチップ上
の単一の位置に集中されてさえいれば、その位置がチッ
プの中央か、あるいは、チップの周辺近傍か、にかかわ
らず、「PLLが集中的に配置されている」、と定義す
る。集中的に配置されたPLL102は、複数の位相偏
移クロックを生成し、この生成された位相偏移クロック
の一部あるいは全部を、3つの局部位置104、10
6、108のそれぞれに伝送する。図示の都合上、図1
に示すPLL102では、6つの位相偏移クロックが生
成され、6つの導体111〜116のそれぞれに出力さ
れる。6つの導体111〜116は、全て、これらの導
体を必要とする局部位置106に供給される。また、6
つの内の5つの導体112〜115は、更に、局部位置
104に導かれて、局所的に用いられる。更に、別の5
つの導体111〜115は、別の局部位置108に導か
れ、その位置で用いられる。図からも明らかなように、
従来技術の方法では、集中的に生成された位相偏移クロ
ックを、そのクロックが必要とされる局部位置に供給す
るために、多数の導体が必要となる。FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional PLL circuit for centrally generating a plurality of phase shift clocks, in which the centrally generated phase shift clocks are traversed across a chip. It is equipped with the conductors necessary for transmission. As shown in FIG. 1, an integrated circuit (IC) chip 100 includes centrally arranged PLLs 102.
Here, as long as the circuits performing the functions related to the PLL are concentrated at a single position on the chip, regardless of whether the position is at the center of the chip or near the periphery of the chip, the "PLL They are centrally located. ” The centrally located PLL 102 generates a plurality of phase-shifted clocks, and some or all of the generated phase-shifted clocks are stored at three local positions 104, 10.
6 and 108 respectively. For convenience of illustration, FIG.
In the PLL 102 shown in (6), six phase shift clocks are generated and output to each of the six conductors 111 to 116. All six conductors 111-116 are provided to local locations 106 that require these conductors. Also, 6
Five of the five conductors 112-115 are further directed to the local location 104 for local use. Furthermore, another 5
One conductor 111-115 is directed to and used at another local location 108. As is clear from the figure,
Prior art methods require multiple conductors to provide a centrally generated phase shift clock to the local location where the clock is needed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】位相偏移クロックが集
中的に生成された場合、集中的に生成された位相偏移ク
ロックを局部位置まで伝送するために、多数の導体が必
要になる。しかし、多数の導体を用いると、チップ上の
空間を大きく占有することになり、場合によっては、既
存の設計規準に従って上記多数の導体を収容するため
に、チップを大きくする必要に迫られる。また、チップ
上に多数の導体を配置することにより、レイアウトが複
雑になり、集中的に生成可能なクロックの総数が限定さ
れることになる。このような制限があることから、回路
設計に複数の位相偏移クロックを用いる方法は、一般的
な支持を得ていない。即ち、空間、レイアウト、並び
に、パワーが制限されるため、数個以上の位相偏移クロ
ックを集中的に生成して、これらのクロックをチップを
横切って伝送する方法は非実用的である、と考えられて
きた。When the phase shift clock is centrally generated, a large number of conductors are required to transmit the centrally generated phase shift clock to a local location. However, using a large number of conductors occupies a large amount of space on the chip, and in some cases requires the chip to be large in order to accommodate the large number of conductors according to existing design criteria. In addition, arranging a large number of conductors on the chip complicates the layout and limits the total number of clocks that can be centrally generated. Due to such limitations, the method of using a plurality of phase shift clocks for circuit design has not gained general support. That is, because space, layout, and power are limited, it is impractical to centrally generate more than one phase-shifted clock and transmit those clocks across the chip. Has been considered.
【0006】集中的に位相偏移クロックを生成して、こ
れらのクロックをチップを横切って伝送する従来技術の
方法において、各々が高周波数クロックを伝送するため
の複数の長い導体を用いると、最終的な設計が電磁気的
干渉を受け易いものになる。更に、これらの長い導体に
関係する静電容量により、中央PLLの部分で、より高
い駆動電流が必要となり、この結果、電力消費が増大
し、しばしばチップの故障の原因ともなる熱エネルギー
が生成される。In the prior art method of centrally generating phase shift clocks and transmitting these clocks across the chip, the use of multiple long conductors each for transmitting a high frequency clock would result in Conventional design is susceptible to electromagnetic interference. In addition, the capacitance associated with these long conductors requires higher drive currents in the central PLL, resulting in increased power consumption and the generation of thermal energy that often causes chip failure. It
【0007】また、位相偏移クロックを集中的に生成し
た場合、局部位置にクロックを一つ追加する、あるい
は、削除する毎に、チップ全体を修正しなければならな
い、という問題もあった。例えば、従来技術において、
5つのクロックの内の1つが所定の局部位置で不要にな
った場合、そのクロック信号を中央PLLからその局部
位置まで伝送する導体を除去する必要があり、更に、場
合によっては、全体のレイアウトの最適化をやり直さな
ければならなくなる。設計の後半段階で、あるクロック
ラインを別のクロックラインに置き換える必要がでてき
た場合、従来技術の方法では、適切なクロックラインを
そのクロックを必要とする局部位置に供給するために用
いられる導体のルートを考え直さなければならない。集
中的に生成されるクロックの内のどの一つを変更する場
合でも、設計モジュール性に悪い影響が生じ、設計に要
する時間と費用もかさむ結果となる。Further, when the phase shift clocks are centrally generated, there is also a problem that the entire chip must be corrected every time one clock is added or deleted at the local position. For example, in the prior art,
If one of the five clocks is no longer needed at a given local location, then it is necessary to remove the conductors that carry that clock signal from the central PLL to that local location, and possibly even the overall layout. The optimization will have to be redone. If later in the design it becomes necessary to replace one clock line with another, the prior art method uses the conductors used to supply the appropriate clock line to the local location that requires it. I have to rethink the route. Changing any one of the centrally generated clocks has a negative effect on design modularity, resulting in increased design time and cost.
【0008】上記の問題点を解決するために、可能な限
り少数の集中的に生成されるPLL信号から、それぞれ
の局部位置において、位相偏移クロックを生成するため
の装置並びに方法の改善が求められている。改良された
装置並びに方法では、好ましくは基準クロックと基準信
号のみを生成させるように中央PLLの設計を簡略化
し、基準クロックと基準信号から位相偏移クロックを要
求に応じて局所的に生成する。これにより、中央PLL
から延びる導体の数を減らして、チップ上の空間占有
率、電力消費、及び電磁気的干渉に対する感受性を低下
させることが可能である。In order to solve the above problems, there is a need for an improved apparatus and method for generating a phase-shifted clock at each local location from as few centrally generated PLL signals as possible. Has been. The improved apparatus and method preferably simplifies the design of the central PLL to generate only the reference clock and the reference signal, and locally generates the phase shift clock from the reference clock and the reference signal on demand. This allows the central PLL
It is possible to reduce the number of conductors extending from to reduce space occupancy on the chip, power consumption, and susceptibility to electromagnetic interference.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明は、
ICチップ上の局部位置で複数の位相偏移クロックを生
成させるための第1の装置を提供する。本発明の第1の
装置は、基準クロックと基準電圧とを発生する中央PL
Lと、前記局部位置に設けられた局所クロック生成回路
と、前記中央PLLを前記局所クロック生成回路に接続
するための一組の導体と、を備える。前記一組の導体
は、前記基準クロックを伝送するための第1の導体と、
前記基準電圧を伝送するための第2の導体と、を備え、
前記局所クロック生成回路は、前記基準クロックと前記
基準電圧とを用いて、前記局部位置で前記複数の位相偏
移クロックを生成する。Means for Solving the Problems and Their Actions / Effects In order to solve at least some of the above problems, the present invention provides
A first apparatus is provided for generating a plurality of phase shift clocks at a local location on an IC chip. A first device of the present invention is a central PL that generates a reference clock and a reference voltage.
L, a local clock generation circuit provided at the local position, and a set of conductors for connecting the central PLL to the local clock generation circuit. The set of conductors includes a first conductor for transmitting the reference clock,
A second conductor for transmitting the reference voltage,
The local clock generation circuit uses the reference clock and the reference voltage to generate the plurality of phase shift clocks at the local position.
【0010】また、本発明は、ICチップ上の局部位置
で複数の位相偏移クロックを生成させるための第1の方
法を提供する。この第1の方法は、基準クロックと基準
電圧とを発生する中央PLLを準備する(設ける)工程
と、前記局部位置に局所クロック生成回路を準備する工
程と、を備える。更に、本発明の第1の方法は、前記中
央PLLと前記局所クロック生成回路とを一組の導体で
連結する工程を備える。前記一組の導体は、前記基準ク
ロックを伝送するための第1の導体と、前記基準電圧を
伝送するための第2の導体と、を備え、前記局所クロッ
ク生成回路は、前記基準クロックと前記基準電圧とを用
いて、前記局部位置で前記複数の位相偏移クロックを生
成する。The present invention also provides a first method for generating a plurality of phase shift clocks at local locations on an IC chip. The first method comprises the steps of preparing (providing) a central PLL that generates a reference clock and a reference voltage, and preparing a local clock generation circuit at the local location. Further, the first method of the present invention comprises the step of connecting the central PLL and the local clock generation circuit with a pair of conductors. The set of conductors includes a first conductor for transmitting the reference clock and a second conductor for transmitting the reference voltage, and the local clock generation circuit includes the reference clock and the A plurality of phase shift clocks are generated at the local position using a reference voltage.
【0011】更に、本発明は、ICチップ上の局部位置
で複数の位相偏移クロックを生成させるための第2の方
法を提供する。この第2の方法は、前記ICチップ上に
中央に配置されたPLLを準備する工程と、前記中央に
配置されたPLLを用いて、基準クロックと基準電圧信
号とを生成する工程と、前記局部位置に局所クロック生
成回路を準備する工程と、を備える。更に、本発明の第
2の方法は、前記局所クロック生成回路を第1の組の導
体に接続する工程を備える。前記第1の組の導体は、前
記中央に配置されたPLLを前記局所クロック生成回路
に接続し、前記中央に配置されたPLLから前記局所ク
ロック生成回路に、前記基準クロックと前記基準電圧信
号とを伝送する。本発明の第2の方法は、更に、前記基
準クロックと前記基準電圧信号とに応じて、前記局所ク
ロック生成回路を用いて、前記局部位置で局所的に前記
複数の位相偏移クロックを生成する工程を備える。The present invention further provides a second method for generating a plurality of phase shift clocks at local locations on an IC chip. The second method comprises the steps of preparing a centrally arranged PLL on the IC chip, generating a reference clock and a reference voltage signal using the centrally arranged PLL, and the local portion. Providing a local clock generation circuit at the location. Further, the second method of the present invention comprises the step of connecting the local clock generation circuit to the first set of conductors. The first set of conductors connects the centrally disposed PLL to the local clock generation circuit, and the centrally disposed PLL directs the local clock generation circuit to the reference clock and the reference voltage signal. To transmit. The second method of the present invention further uses the local clock generation circuit to locally generate the plurality of phase shift clocks at the local position in response to the reference clock and the reference voltage signal. It has a process.
【0012】また、本発明は、ICチップ上で複数の位
相偏移クロックを生成するための第2の装置を提供す
る。本発明の第2の装置は、第1の位置に設けられて基
準クロックと基準電圧とを発生するPLLと、第2の位
置に設けられた局所クロック生成回路と、前記PLLと
前記局所クロック生成回路との両方に接続されて、前記
PLLから前記局所クロック生成回路に前記基準クロッ
クを伝送するための第1の導体と、を備える。本発明の
第2の装置は、更に、前記PLLと前記局所クロック生
成回路とに接続されて、前記PLLから前記局所クロッ
ク生成回路に前記基準電圧を伝送するための第2の導体
を備えており、前記基準電圧と前記基準クロックとに応
じて、前記局所クロック生成回路を用いて、前記第2の
位置で前記複数の位相偏移クロックが生成される。The present invention also provides a second apparatus for generating a plurality of phase shift clocks on an IC chip. A second device of the present invention includes a PLL provided at a first position to generate a reference clock and a reference voltage, a local clock generation circuit provided at a second position, the PLL and the local clock generation. A first conductor connected to both the circuit and for transmitting the reference clock from the PLL to the local clock generation circuit. The second device of the present invention further includes a second conductor that is connected to the PLL and the local clock generation circuit and that transmits the reference voltage from the PLL to the local clock generation circuit. , The plurality of phase shift clocks are generated at the second position by using the local clock generation circuit according to the reference voltage and the reference clock.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。図2は、本発明によるPLL回路
150と、複数の局部位置158、160、162にそ
れぞれ関連付けられた局所クロック生成回路152、1
54、156と、を備える本発明の実施例を示す概略図
である。本発明のPLL回路150で生成された基準電
圧170及び基準クロック172は、それぞれの局部位
置に伝送されて、必要な位相偏移クロックを局所的に生
成するために用いられる。例えば、基準電圧170と基
準クロック172は、各々、局所クロック生成回路15
2に供給されて、局部位置158で用いられる6つの位
相偏移クロックを局所的に生成する。更に、基準電圧1
70と基準クロック172は、局所クロック生成回路1
54に送られて、局部位置160で用いられる5つの位
相偏移クロックを局所的に生成する。図1の従来技術の
回路と比べて、本発明の回路では、集中的に生成すべき
信号の総数を減らすことにより、集中的に配置されたP
LL150の構成が簡略化されている。更に、中央PL
L150を各局部位置に接続するために必要な導体の数
を減らすことにより、レイアウトを単純化し、また、何
れかの局部位置で位相偏移クロックを加える、あるい
は、除去する必要がある場合に、その変化を局部的に限
定することができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described based on examples. 2 shows a PLL circuit 150 according to the present invention and local clock generation circuits 152, 1 associated with a plurality of local locations 158, 160, 162, respectively.
FIG. 54 is a schematic view showing an embodiment of the present invention including 54 and 156. The reference voltage 170 and the reference clock 172 generated by the PLL circuit 150 of the present invention are transmitted to respective local positions and used to locally generate a necessary phase shift clock. For example, the reference voltage 170 and the reference clock 172 are respectively the local clock generation circuit 15
2 to locally generate the six phase shift clocks used at the local location 158. Furthermore, the reference voltage 1
70 and the reference clock 172 are the local clock generation circuit 1
Sent to 54 to locally generate the five phase shift clocks used at the local location 160. Compared to the prior art circuit of FIG. 1, the circuit of the present invention reduces the total number of signals to be generated in a centralized manner, so
The structure of the LL 150 is simplified. Furthermore, the central PL
Simplifying the layout by reducing the number of conductors required to connect L150 to each local location, and also if it is necessary to add or remove the phase shift clock at any local location, The change can be locally limited.
【0014】図3は、導体306上の外部基準クロック
CLKXと、導体308上のフィードバック・クロック
CLKFBとに応じて、導体302上に基準クロックR
EFCLKと、随意に(オプションとして)、導体30
4上にその相補基準クロックREFCLKBと、を生成
する本発明のPLL回路300を示す概略回路図であ
る。PLL300回路は、通常、チップ上に設計される
が、従来技術のように、別個のチップとして備えるよう
にしてもよい。PLL回路300は、外部基準クロック
CLKXの周波数と位相をフィードバック・クロックC
LKFBに対して固定する。基準クロックREFCLK
と随意基準クロックREFCLKBとは、局部位置に伝
送されて、局所的に位相偏移クロックを生成するための
基準システムクロックの標準型と相補型である。PLL
回路300は、更に、導体310上に基準電圧信号VR
EFNを出力する。基準電圧信号VREFNは、基準ク
ロックREFCLK及び随意基準クロックREFCLK
Bと同様に、ICチップ上の局部位置に送られて、その
位置で、必要な位相偏移クロックを局所的に生成する。FIG. 3 illustrates a reference clock R on conductor 302 in response to an external reference clock CLKX on conductor 306 and a feedback clock CLKFB on conductor 308.
EFCLK and optionally (optionally) conductor 30
4 is a schematic circuit diagram showing a PLL circuit 300 of the present invention for generating the complementary reference clock REFCLKB on the H.4. The PLL 300 circuit is typically designed on-chip, but may be provided as a separate chip, as in the prior art. The PLL circuit 300 uses the feedback clock C as the frequency and phase of the external reference clock CLKX.
Fix to LKFB. Reference clock REFCLK
And the optional reference clock REFCLKB are complementary to the standard type of reference system clocks transmitted to the local location to locally generate the phase shift clock. PLL
Circuit 300 further includes a reference voltage signal VR on conductor 310.
Output EFN. The reference voltage signal VREFN is a reference clock REFCLK and an optional reference clock REFCLK.
Similar to B, it is sent to a local location on the IC chip to locally generate the required phase shift clock at that location.
【0015】図4は、図3のPLL回路300の詳細を
示す図である。図4には、導体306上の外部基準クロ
ックCLKXが示されている。この外部基準クロックC
LKXは、例えば、公知の水晶回路によって生成される
ものでもよい。図4に示すフィードバック・クロックC
LKFBは、外部基準クロックCLKXと共に、PLL
回路300の位相周波数検出器312に入力される。位
相周波数検出器312は、外部基準クロックCLKXの
周波数と位相をフィードバック・クロックCLKFBの
周波数と比較する。外部基準クロックCLKXがフィー
ドバック・クロックCLKFBよりも速い場合には、位
相周波数検出器312は、アップ信号314を生成し、
PLL回路300のチャージポンプ316に出力する。
一方、外部基準クロックCLKXがフィードバック・ク
ロックCLKFBよりも遅い場合には、位相周波数検出
器312は、ダウン信号318を生成し、チャージポン
プ316に出力する。FIG. 4 is a diagram showing details of the PLL circuit 300 shown in FIG. In FIG. 4, the external reference clock CLKX on conductor 306 is shown. This external reference clock C
The LKX may be generated by a known crystal circuit, for example. Feedback clock C shown in FIG.
LKFB is PLL with external reference clock CLKX.
It is input to the phase frequency detector 312 of the circuit 300. The phase frequency detector 312 compares the frequency and phase of the external reference clock CLKX with the frequency of the feedback clock CLKFB. If the external reference clock CLKX is faster than the feedback clock CLKFB, the phase frequency detector 312 produces an up signal 314,
The signal is output to the charge pump 316 of the PLL circuit 300.
On the other hand, when the external reference clock CLKX is slower than the feedback clock CLKFB, the phase frequency detector 312 generates the down signal 318 and outputs it to the charge pump 316.
【0016】チャージポンプ316は、アップ信号31
4あるいはダウン信号318を受け取り、その信号に応
じて、導体320上に制御電圧VCTLを出力する。チ
ャージポンプ316にアップ信号314が入力された場
合には、制御電圧VCTLが高くなる。逆に、チャージ
ポンプ316にダウン信号318が入力された場合に
は、制御電圧VCTLが低くなる。この制御電圧VCT
Lは、PLL回路300の電圧制御発振器(VCO)3
22に入力される。VCO322は、例えば、所望の数
の周知の電圧制御発振器により実現される。電圧制御発
振器322の出力は、導体302上に基準クロックRE
FCLKを生成し、また、随意に、導体304上に基準
クロックREFCLKBを発生させるために、バッファ
324に入力される。基準クロックREFCLK及びR
EFCLKBの何れか一つ、あるいは、何れかからの誘
導クロックを、フィードバック・クロックCLKFBに
接続してもよい。チャージポンプ316から出力された
制御電圧VCTLは、更に、PLL回路300の単位ゲ
インアンプ(ユニティゲインアンプ)326に入力され
る。単位ゲインアンプ326は、制御電圧VCTLをバ
ッファして、導体310上に基準電圧信号VREFNを
出力する。The charge pump 316 has an up signal 31.
4 or down signal 318, and outputs control voltage VCTL on conductor 320 in response to the signal. When the up signal 314 is input to the charge pump 316, the control voltage VCTL becomes high. Conversely, when the down signal 318 is input to the charge pump 316, the control voltage VCTL becomes low. This control voltage VCT
L is a voltage controlled oscillator (VCO) 3 of the PLL circuit 300.
22 is input. VCO 322 is implemented, for example, by a desired number of well-known voltage controlled oscillators. The output of voltage controlled oscillator 322 is a reference clock RE on conductor 302.
Input to buffer 324 to generate FCLK and, optionally, reference clock REFCLKB on conductor 304. Reference clocks REFCLK and R
Any one of the EFCLKBs or an inductive clock from any of the EFCLKBs may be connected to the feedback clock CLKFB. The control voltage VCTL output from the charge pump 316 is further input to the unit gain amplifier (unity gain amplifier) 326 of the PLL circuit 300. The unity gain amplifier 326 buffers the control voltage VCTL and outputs the reference voltage signal VREFN on the conductor 310.
【0017】図4に示す例では、PLL回路300が、
ただ一つの基準電圧信号VREFNしか生成していない
が、PLL回路300に関連付けられた適当なバッファ
を用いることによって、基準電圧信号VREFNと相補
基準電圧信号VREFPの両方を中央で生成し、これら
の両方の基準電圧信号を局部位置に送って、複数の位相
偏移クロック発生させるように構成することもできる。
また、PLL回路300により、基準クロックREFC
LKとREFCLKBを中央で生成し、両方の基準クロ
ックを局部位置に伝送する構成も可能であるが、基準ク
ロックを一つだけ、即ち、REFCLKかREFCLK
Bの何れか一つだけを生成して、その基準クロック信号
を局部位置に供給し、必要に応じて、生成されたクロッ
ク信号に遅延を生じさせないようなクロック生成方法に
従って、その局部位置で相補クロックを局所的に生成す
るように構成してもよい。In the example shown in FIG. 4, the PLL circuit 300 is
Only one reference voltage signal VREFN is generated, but by using an appropriate buffer associated with the PLL circuit 300, both the reference voltage signal VREFN and the complementary reference voltage signal VREFP are generated centrally and both of them are generated. It is also possible to send the reference voltage signal of 1 to a local position to generate a plurality of phase shift clocks.
Further, the PLL circuit 300 allows the reference clock REFC
A configuration in which LK and REFCLKB are generated centrally and both reference clocks are transmitted to a local position is also possible, but only one reference clock, that is, REFCLK or REFCLK
Only one of B's is generated and its reference clock signal is supplied to the local position, and if necessary, the complementary clock is generated at the local position according to a clock generation method that does not cause a delay in the generated clock signal. The clock may be generated locally.
【0018】PLL(例えば図4のPLL回路300)
に、分周器を備えるようにしてもよい。この分周器は、
必ずというわけではないが、多くの場合、VCO322
とバッファ/ドライバ324の間に配置され、システム
クロック上で50%のデューティサイクルを達成する。
この場合、所定の数のステージに対してより多くの位相
を備えるように構成することにより、粒度(グラニュラ
リティ)を改善することができる。PLL (eg PLL circuit 300 of FIG. 4)
Alternatively, a frequency divider may be provided. This divider
Often, but not always, the VCO 322
And a buffer / driver 324 to achieve a 50% duty cycle on the system clock.
In this case, the granularity can be improved by configuring the predetermined number of stages to have more phases.
【0019】ただ一つの基準電圧信号、例えば、VRE
FNが中央PLLから局部位置に伝送される場合、相補
基準電圧信号、例えば、VREFPを局部位置あるいは
その近傍で生成する必要がある。図5は、与えられた電
圧信号の入力に応じて、相補電圧信号を生成・出力する
相補電圧生成回路を示す概略回路図である。図示の都合
上、望ましくは位相偏移クロックを生成する局部位置、
あるいは、その近傍に配置される単純反転増幅器(simp
le inverting amplifier,単純反転アンプ)350を図
5に示す。単純反転増幅器350は、入力信号のミラー
イメージを出力する回路と考えることもできる。Only one reference voltage signal, eg VRE
If the FN is transmitted from the central PLL to a local location, a complementary reference voltage signal, eg VREFP, must be generated at or near the local location. FIG. 5 is a schematic circuit diagram showing a complementary voltage generation circuit that generates and outputs a complementary voltage signal in response to the input of a given voltage signal. For convenience of illustration, preferably a local position that produces the phase-shifted clock,
Alternatively, a simple inverting amplifier (simp
FIG. 5 shows a le inverting amplifier) 350. The simple inverting amplifier 350 can also be considered as a circuit that outputs a mirror image of an input signal.
【0020】図5に示すように、pチャンネルデバイス
352は、nチャンネルデバイス354並びに供給電圧
Vdd、Vssと直列に接続されている。pチャンネル
デバイス352のゲートは、ノード(節点)356に連
結され、ノード356は、更に、pチャンネルデバイス
352とnチャンネルデバイス354に接続されてい
る。ノード356は、相補基準電圧信号VREFPが出
力される回路ノードである。一方、nチャンネルデバイ
ス354のゲートは、中央PLL、例えば、図4に示す
PLL300、から出力される基準電圧信号VREFN
により制御される。As shown in FIG. 5, p-channel device 352 is connected in series with n-channel device 354 and supply voltages Vdd and Vss. The gate of the p-channel device 352 is connected to a node (node) 356, and the node 356 is further connected to the p-channel device 352 and the n-channel device 354. The node 356 is a circuit node to which the complementary reference voltage signal VREFP is output. On the other hand, the gate of the n-channel device 354 has a reference voltage signal VREFN output from the central PLL, for example, the PLL 300 shown in FIG.
Controlled by.
【0021】実際の動作では、基準電圧信号VREFN
が高くなると、nチャンネルデバイス354がオンにな
り、ノード356が電圧Vssの方向に引っ張られ、相
補基準電圧信号VREFPが低くなる。逆に、基準電圧
信号VREFNが低くなると、nチャンネルデバイス3
54が徐々にオフ状態になり、ノード356、即ち、相
補基準電圧信号VREFPが高くなる。以上の説明から
明らかなように、基準電圧信号VREFPは、基準電圧
信号VREFNのミラーイメージである。pチャンネル
デバイス352は、図5に示す回路の電流源として働
く。In actual operation, the reference voltage signal VREFN
Goes high, the n-channel device 354 turns on, pulling node 356 toward voltage Vss, causing complementary reference voltage signal VREFP to go low. Conversely, when the reference voltage signal VREFN becomes low, the n-channel device 3
54 is gradually turned off, and the node 356, that is, the complementary reference voltage signal VREFP goes high. As is clear from the above description, the reference voltage signal VREFP is a mirror image of the reference voltage signal VREFN. P-channel device 352 serves as the current source for the circuit shown in FIG.
【0022】図5の回路は、相補電圧生成回路、即ち、
供給された基準電圧信号VREFNから相補基準電圧信
号VREFPを局所的に生成させる回路の、ほんの一例
を示しているにすぎない。当業者に周知のように、公知
の別の種類の回路を用いて、供給された電圧から相補電
圧を生成するようにしてもよい。基準電圧信号VREF
Nが長い導体を通って伝達される場合には、通常、VR
EFNを供給電圧Vssと結合させて、VREFN導体
ラインあるいはVssライン上の過渡ノイズを除去す
る。The circuit of FIG. 5 is a complementary voltage generating circuit, that is,
Only one example of a circuit for locally generating the complementary reference voltage signal VREFP from the supplied reference voltage signal VREFN is shown. As is well known to those skilled in the art, another type of circuit known in the art may be used to generate the complementary voltage from the supplied voltage. Reference voltage signal VREF
If N is transmitted through a long conductor, usually VR
The EFN is coupled to the supply voltage Vss to eliminate transient noise on the VREFN conductor line or Vss line.
【0023】基準電圧信号、即ち、VREFN及び/ま
たはVREFPを出力する回路を、基準クロック、即
ち、REFCLK及び/またはREFCLKBを出力す
る回路から分離することが望ましい場合もある。2組の
回路を分離することにより、基準クロック出力に悪影響
を与える可能性のある干渉を減らすことができる。図6
は、基準クロックを生成する回路から基準電圧信号を生
成する回路を分離するための回路を示す概略図である。It may be desirable to separate the circuit that outputs the reference voltage signal, VREFN and / or VREFP, from the circuit that outputs the reference clock, REFCLK and / or REFCLKB. Separating the two sets of circuits reduces interference that can adversely affect the reference clock output. Figure 6
FIG. 4 is a schematic diagram showing a circuit for separating a circuit for generating a reference voltage signal from a circuit for generating a reference clock.
【0024】図4に示す回路が位相周波数検出器をただ
一つだけ備えているのに比して、図6に示す回路は、2
つの位相周波数検出器を備える。但し、2つの周波数検
出器には、両方とも、同じ外部基準クロック並びにフィ
ードバック・クロックが入力される。一方の位相周波数
検出器が基準電圧の生成に用いられ、他方が基準クロッ
クの生成に用いられる。更に、図6の回路は、チャージ
ポンプ回路を2つ備える。一方のチャージポンプ回路は
基準電圧の生成に、また、他方は基準クロックの生成に
用いられる。基準クロックを発生させる回路は、更に、
上述した電圧制御発振器と、オプションのバッファ/ド
ライバとを備える。バッファ回路を用いるか否かに係わ
らず、チャージポンプ回路の出力から直接、基準電圧を
生成するようにしてもよい。In contrast to the circuit shown in FIG. 4 which has only one phase frequency detector, the circuit shown in FIG.
Equipped with one phase frequency detector. However, the same external reference clock and feedback clock are both input to the two frequency detectors. One phase frequency detector is used to generate the reference voltage and the other is used to generate the reference clock. Further, the circuit of FIG. 6 includes two charge pump circuits. One charge pump circuit is used to generate a reference voltage, and the other is used to generate a reference clock. The circuit that generates the reference clock is
It comprises the voltage controlled oscillator described above and an optional buffer / driver. The reference voltage may be generated directly from the output of the charge pump circuit regardless of whether or not the buffer circuit is used.
【0025】図7は、局部位置で複数の位相偏移クロッ
クを生成するために用いられる局所クロック生成回路を
示す概略回路図である。図7に示すように、開ループ位
相偏移クロック生成回路400は、6つの可変遅延ステ
ージ402、404、406、408、410、並びに
412を備える。図7には、最初の3つの遅延ステージ
402、404、406のみが詳細に示されている。他
のステージ408、410、及び412も、ステージ4
02、404、406と同様に構成されているが、図示
の都合上、これらは簡略化されている。また、図7の回
路には6つの可変遅延ステージが示されているが、必要
に応じて、位相偏移クロック生成回路毎のステージ数を
増減させてもよい。位相偏移クロック生成回路400に
おいては、導体414、416上に基準電圧信号VRE
FN、VREFPがそれぞれ入力される。また、導体4
18上に基準クロックREFCLKが入力される。FIG. 7 is a schematic circuit diagram showing a local clock generation circuit used to generate a plurality of phase shift clocks at a local position. As shown in FIG. 7, the open loop phase shift clock generation circuit 400 comprises six variable delay stages 402, 404, 406, 408, 410 and 412. Only the first three delay stages 402, 404, 406 are shown in detail in FIG. The other stages 408, 410, and 412 are also stage 4
02, 404, and 406, but these are simplified for convenience of illustration. Although six variable delay stages are shown in the circuit of FIG. 7, the number of stages for each phase shift clock generation circuit may be increased or decreased as necessary. In the phase shift clock generation circuit 400, the reference voltage signal VRE is placed on the conductors 414 and 416.
FN and VREFP are input respectively. Also, the conductor 4
The reference clock REFCLK is input onto the line 18.
【0026】可変遅延ステージ402は、導体416上
の基準電圧信号VREFPに接続されたゲートを有する
pチャンネルデバイス420を備える。pチャンネルデ
バイス420は、更に、電圧Vddとpチャンネルデバ
イス422に接続されている。図7に示すように、pチ
ャンネルデバイス422とnチャンネルデバイス424
のゲートは、導体418上の基準クロックREFCLK
に接続されている。pチャンネルデバイス422とnチ
ャンネルデバイス424は、両方とも導体426に接続
されており、これによって可変遅延ステージ402の出
力を形成している。nチャンネルデバイス424は、n
チャンネルデバイス428と直列に接続されており、ま
た、nチャンネルデバイス428のゲートは、導体41
4上の基準電圧信号VREFNに接続されている。nチ
ャンネルデバイス428は、更に、電圧Vssに接続さ
れている。このように、可変遅延ステージ402は、4
つの直列に接続されデバイスで構成されている。即ち、
基準電圧信号VREFPにより制御されるゲートを有す
るpチャンネルデバイス420と、pチャンネルデバイ
ス422とnチャンネルデバイス424とで構成される
インバータであって、基準クロックREFCLKにより
その入力が制御され、また、その出力が可変遅延ステー
ジ402の出力となるようなインバータと、基準電圧信
号VREFNにより制御されるゲートを有するnチャン
ネルデバイス428と、を備えている。これ以外の可変
遅延ステージ404、406、408、410、412
も同様に構成されている。但し、可変遅延ステージ40
2を構成するpチャンネル及びnチャンネルデバイス
と、これ以降のステージのpチャンネル及びnチャンネ
ルデバイスは、必ずしも同じ大きさではない。これは、
可変遅延ステージの出力と入力との間の遅れを増減する
ためである。例えば、より細かな粒度が求められる場合
には、所定のステージに関連するファンアウトを減少さ
せてもよい。一方、より粗い粒度が適している場合に
は、ファンアウトを増加させてもよい。Variable delay stage 402 comprises a p-channel device 420 having a gate connected to a reference voltage signal VREFP on conductor 416. The p-channel device 420 is further connected to the voltage Vdd and the p-channel device 422. As shown in FIG. 7, p-channel device 422 and n-channel device 424
Has a reference clock REFCLK on conductor 418.
It is connected to the. P-channel device 422 and n-channel device 424 are both connected to conductor 426, thereby forming the output of variable delay stage 402. The n-channel device 424 has n
It is connected in series with the channel device 428, and the gate of the n-channel device 428 is connected to the conductor 41.
4 to the reference voltage signal VREFN. The n-channel device 428 is also connected to the voltage Vss. Thus, the variable delay stage 402 has four
It consists of two devices connected in series. That is,
An inverter configured by a p-channel device 420 having a gate controlled by a reference voltage signal VREFP, a p-channel device 422 and an n-channel device 424, the input of which is controlled by a reference clock REFCLK, and the output of which is Is an output of the variable delay stage 402, and an n-channel device 428 having a gate controlled by the reference voltage signal VREFN. Other variable delay stages 404, 406, 408, 410, 412
Is similarly configured. However, the variable delay stage 40
The p-channel and n-channel devices that make up No. 2 and the p-channel and n-channel devices of the subsequent stages are not necessarily the same size. this is,
This is to increase or decrease the delay between the output and the input of the variable delay stage. For example, the fanout associated with a given stage may be reduced if finer granularity is desired. On the other hand, if a coarser grain size is suitable, fanout may be increased.
【0027】動作時には、可変遅延ステージ402は、
中央PLL(例えば、図4のPLL300)から導体4
18上の基準クロックREFCLKを受け取り、入力さ
れた基準クロックを位相偏移させたものを導体426上
に出力する。可変遅延ステージ402における導体42
6上の出力クロックと導体418上の入力クロックとの
間の遅延は、基準電圧信号VREFNとその双対基準電
圧信号VREFPの強度(レベル)に依存する。基準電
圧信号VREFPの強度が増加すると、その双対基準電
圧信号VREFNの強度がこれに対応して低下する。こ
の場合、可変遅延ステージ402内のデバイスを通る電
流が減少して、導体418上の入力信号に対する導体4
26上の出力信号の遅れが増大する。In operation, the variable delay stage 402
Conductor 4 from the central PLL (eg, PLL 300 in FIG. 4)
It receives the reference clock REFCLK on 18 and outputs a phase-shifted version of the input reference clock on conductor 426. Conductor 42 in Variable Delay Stage 402
The delay between the output clock on 6 and the input clock on conductor 418 depends on the strength of the reference voltage signal VREFN and its dual reference voltage signal VREFP. As the strength of the reference voltage signal VREFP increases, the strength of the dual reference voltage signal VREFN correspondingly decreases. In this case, the current through the device in the variable delay stage 402 is reduced to allow conductor 4 to respond to the input signal on conductor 418.
The delay of the output signal on 26 increases.
【0028】逆に、基準電圧信号VREFPの強度が減
少すると、その双対基準電圧信号VREFNの強度がこ
れに対応して増大する。この場合には、可変遅延ステー
ジ402内のデバイスを通る電流が増加して、導体41
8上の入力信号に対する導体426上の出力信号の遅れ
が減少する。可変遅延ステージ402の出力は、次の可
変遅延ステージ404に与えられるとともに、導出位相
偏移クロックCLK2Bとして出力される。可変遅延ス
テージ402において、デバイス422及び424から
構成されるインバータの符号変換作用により、導出位相
偏移クロックCLK2Bは遅延される(即ち、位相偏移
される)ばかりではなく、導体418上の入力基準クロ
ックREFCLKに対して逆の位相となる。Conversely, as the strength of the reference voltage signal VREFP decreases, the strength of the dual reference voltage signal VREFN increases correspondingly. In this case, the current through the device in the variable delay stage 402 will increase and conductor 41 will
The delay of the output signal on conductor 426 relative to the input signal on 8 is reduced. The output of the variable delay stage 402 is given to the next variable delay stage 404 and also output as the derived phase shift clock CLK2B. In the variable delay stage 402, the derived phase-shifted clock CLK2B is not only delayed (ie, phase-shifted) but also the input reference on conductor 418 due to the transcoding action of the inverter composed of devices 422 and 424. The phase is opposite to that of the clock REFCLK.
【0029】同様に、可変遅延ステージ404は、導体
426上の導出位相偏移クロックCLK2Bを受け取
り、導体416上の基準電圧信号VREFP並びに導体
414上の基準電圧信号VREFNに応じて、導体43
0上に導出位相偏移クロックCLK3を出力する。導出
位相偏移クロックCLK3は、可変遅延ステージ404
の作用により、導出位相偏移クロックCLK2Bから遅
延している。導出位相偏移クロックCLK2Bは、それ
自身が導体418上の基準クロックREFCLKから遅
延しているため、当然のことであるが、導出位相偏移ク
ロックCLK2Bに比べて、導出位相偏移クロックCL
K3の方が、基準クロックREFCLKからの位相偏移
の程度が大きい。その後に続く可変遅延ステージ40
6、408、410、412も、同様に、導出位相偏移
クロックCLK4B、CLK5、CLK6B、CLK7
を発生する。Similarly, variable delay stage 404 receives derived phase shift clock CLK2B on conductor 426 and, in response to reference voltage signal VREFP on conductor 416 and reference voltage signal VREFN on conductor 414, conductor 43.
The derived phase shift clock CLK3 is output on 0. The derived phase shift clock CLK3 is fed to the variable delay stage 404.
Is delayed from the derived phase shift clock CLK2B. Of course, the derived phase shift clock CLK2B is delayed from the reference clock REFCLK on the conductor 418, as compared to the derived phase shift clock CLK2B.
K3 has a larger degree of phase deviation from the reference clock REFCLK. Variable delay stage 40 that follows
6, 408, 410, and 412 are similarly derived phase shift clocks CLK4B, CLK5, CLK6B, and CLK7.
Occurs.
【0030】以上の説明から明らかなように、中央PL
Lから送られる3つの信号(即ち、基準クロックREF
CLK等の基準クロック、基準電圧信号VREFN等の
基準電圧信号、並びに、基準電圧信号VREFP等の双
対基準電圧信号)から、局部位置において、任意の数の
位相偏移クロックが生成される。前述したように、VR
EFP等の基準電圧信号が、PLLから与えられたVR
EFN等の双対基準電圧信号から、非遅延クロック生成
法に従って、局部位置あるいはその近傍において生成さ
れる場合には、中央PLLから伝送される2つの信号
(例えば、単一の基準クロック信号と単一の基準電圧信
号)のみを用いて、局部位置で複数の位相偏移クロック
を局所的に発生させることができる。遅延ステージ内の
インバータの働きにより、位相偏移クロックは、1つお
きに、供給された基準クロックと逆位相になることに留
意しなければならない。例えば、位相偏移クロックCL
K2B、CLK4B、並びに、CLK6Bは、入力基準
クロックREFCLKから遅延していると共に、これと
は逆の位相を有している。適用分野によっては、完全な
位相偏移クロックの組、例えば、反転した位相偏移クロ
ックと反転していない位相偏移クロックの両方を発生さ
せることが要求される。このような場合に、2つの位相
偏移クロック生成回路を用いるようにしてもよい。この
一方の回路には信号REFCLKを基準クロック信号と
して入力し、他方の回路には信号REFCLKBを基準
クロック信号として入力することにより、前述した完全
な組を生成することができる。As is clear from the above description, the central PL
Three signals sent from L (ie reference clock REF
An arbitrary number of phase-shifted clocks are generated at the local position from a reference clock such as CLK, a reference voltage signal such as reference voltage signal VREFN, and a dual reference voltage signal such as reference voltage signal VREFP. As mentioned above, VR
The reference voltage signal such as EFP is VR supplied from the PLL.
When generated from a dual reference voltage signal such as an EFN according to a non-delayed clock generation method at or near a local location, two signals transmitted from the central PLL (eg, a single reference clock signal and a single reference clock signal). It is possible to locally generate a plurality of phase shift clocks at a local position using only the reference voltage signal of the above. It should be noted that due to the action of the inverter in the delay stage, every other phase-shifted clock is out of phase with the supplied reference clock. For example, the phase shift clock CL
K2B, CLK4B, and CLK6B are delayed from the input reference clock REFCLK and have opposite phases. Some applications require the generation of a complete set of phase-shifted clocks, eg both inverted and non-inverted phase-shifted clocks. In such a case, two phase shift clock generation circuits may be used. By inputting the signal REFCLK as the reference clock signal to one circuit and inputting the signal REFCLKB to the other circuit as the reference clock signal, the above-described complete set can be generated.
【0031】図8は、図7の基準クロックREFCLK
と導出位相偏移クロックCLK2B、CLK3、CLK
4B、CLK5との関係を示すタイミングチャートであ
る。図8に示すクロックREFCLKは、図7に示す位
相偏移クロック生成回路400に入力される基準クロッ
クである。基準クロックREFCLKの周期はTref
である。導出位相偏移クロックCLK2Bは、可変遅延
時間Tfd1だけ入力クロックREFCLKから位相偏
移されている。また、導出位相偏移クロックCLK2B
は、入力クロックREFCLKとほぼ同じ周期Tref
を有している。前述したように、導出位相偏移クロック
CLK2Bは、入力クロックREFCLKから遅延して
いるばかりでなく、可変遅延ステージ402内のインバ
ータの働きにより、入力クロックREFCLKと極性が
逆になっている。FIG. 8 shows the reference clock REFCLK of FIG.
And derived phase shift clocks CLK2B, CLK3, CLK
4B is a timing chart showing the relationship with 4B and CLK5. The clock REFCLK shown in FIG. 8 is a reference clock input to the phase shift clock generation circuit 400 shown in FIG. The cycle of the reference clock REFCLK is Tref
Is. The derived phase shift clock CLK2B is phase shifted from the input clock REFCLK by the variable delay time Tfd1. In addition, the derived phase shift clock CLK2B
Is almost the same period Tref as the input clock REFCLK.
have. As described above, the derived phase shift clock CLK2B is not only delayed from the input clock REFCLK but also has the polarity opposite to that of the input clock REFCLK due to the function of the inverter in the variable delay stage 402.
【0032】導出位相偏移クロックCLK3は、更に、
可変遅延ステージ404によって反転されるので、入力
基準クロックREFCLKから遅延しているが、入力基
準クロックREFCLKと同じ極性を有している。ま
た、導出位相偏移クロックCLK3は、導出位相偏移ク
ロックCLK2Bから可変遅延時間Tfd2だけ遅延し
ている。以上から明らかなように、導出位相偏移クロッ
クCLK3は、可変遅延時間の合計分(Tfd1+Tf
d2)だけ、入力基準クロックREFCLKから遅延す
る。The derived phase shift clock CLK3 further includes
Since it is inverted by the variable delay stage 404, it is delayed from the input reference clock REFCLK, but has the same polarity as the input reference clock REFCLK. The derived phase shift clock CLK3 is delayed from the derived phase shift clock CLK2B by the variable delay time Tfd2. As is clear from the above, the derived phase shift clock CLK3 is equal to the total variable delay time (Tfd1 + Tf).
Delayed from the input reference clock REFCLK by d2).
【0033】同様に、導出位相偏移クロックCLK4B
は、導出位相偏移クロックCLK3から可変遅延時間T
fd3だけ位相偏移されて、遅延する。また、導出位相
偏移クロックCLK5は、導出位相偏移クロックCLK
4Bから可変遅延時間Tfd4だけ位相偏移されて、遅
延する。Similarly, the derived phase shift clock CLK4B
Is a variable delay time T from the derived phase shift clock CLK3.
It is delayed by being phase-shifted by fd3. Further, the derived phase shift clock CLK5 is the derived phase shift clock CLK.
4B is phase-shifted by a variable delay time Tfd4 and delayed.
【0034】導出位相偏移クロックは、周波数に依存す
る遅延時間だけ次々と遅延するため、動作周波数にかか
わりなく、その相対的な位相差は一定に保たれる。更
に、一つの局部位置に複数の位相偏移クロックが存在す
るため、より高周波数のクロックを発生させることが可
能になる。即ち、基準クロックREFCLK等の入力ク
ロックの周波数の2倍、3倍、あるいはそれ以上の周波
数を有するクロックを発生させることができる。このよ
うな高周波クロックを発生させるために、本発明に開示
されている回路によって複数の適切に位相偏移された複
数のクロックを生成し、これら複数のクロックを、OR
回路等の論理ゲートや総和アンプ等の総和回路によって
合成するようにしてもよい。このように、入力された基
準クロックから、より高い動作周波数を持つクロックを
局所的に導出する能力は、本発明の別の利点である。Since the derived phase shift clocks are delayed one after another by the delay time depending on the frequency, the relative phase difference is kept constant regardless of the operating frequency. Further, since there are a plurality of phase shift clocks at one local position, it becomes possible to generate a higher frequency clock. That is, it is possible to generate a clock having a frequency that is twice, triple, or higher than the frequency of the input clock such as the reference clock REFCLK. To generate such a high frequency clock, the circuit disclosed in the present invention generates a plurality of appropriately phase-shifted clocks and ORs the plurality of clocks.
The synthesis may be performed by a logic gate such as a circuit or a summing circuit such as a summing amplifier. Thus, the ability to locally derive a clock with a higher operating frequency from an input reference clock is another advantage of the present invention.
【0035】複数のクロックを用いることにより、自己
計時回路(self-timed circuits )を必要としないとい
う利点もある。図9は、例えば、マイクロプロセッサー
の設計に用いられるポジティブ・フィードバックアンプ
回路600を示す概略回路図である。ポジティブ・フィ
ードバックアンプ回路は、複数の位相偏移クロックの使
用による利点が得られる回路の他の例である。図9に示
す素子602は、導体604を介して与えられるクロッ
クCLK1によってストローブされるまでデータを保存
する記憶素子である。例えば、メモリ・アレイ、ラッ
チ、メモリ・キャッシュ等を素子602として用いるこ
とができる。クロックCLK1によってストローブされ
ると、素子602は、導体606及び608を介して、
データをポジティブ・フィードバックアンプ素子610
に出力する。ポジティブ・フィードバックアンプ素子6
10は、次に、導体612を介して与えられるクロック
CLK2によってストローブされ、導体614上に標準
出力Toを、また、導体616上に相補出力Coを出力
する。By using a plurality of clocks, there is also an advantage that a self-timed circuit is not required. FIG. 9 is a schematic circuit diagram showing a positive feedback amplifier circuit 600 used, for example, in the design of a microprocessor. Positive feedback amplifier circuits are another example of a circuit that would benefit from the use of multiple phase shifted clocks. The element 602 shown in FIG. 9 is a storage element that stores data until strobed by the clock CLK1 provided through the conductor 604. For example, a memory array, a latch, a memory cache, or the like can be used as the element 602. When strobed by clock CLK1, element 602 is routed through conductors 606 and 608.
Positive feedback amplifier element 610 for data
Output to. Positive feedback amplifier element 6
10 is then strobed by the clock CLK2 provided via conductor 612 to output the standard output To on conductor 614 and the complementary output Co on conductor 616.
【0036】動作時において、クロックCLK1が素子
602をストローブすると、導体606及び608上
に、それぞれデータが出力される。導体606及び60
8上に出力されたデータは、導体612上のストローブ
・クロックCLK2に応じて、ポジティブ・フィードバ
ックアンプ素子610により増幅される。その結果、導
体614及び616上にそれぞれ増幅信号が出力され
る。回路600の出力が、クロックCLK1によって素
子602からストローブ出力されたデータを正確に反映
していることを保証するために、クロックCLK1の励
起後にクロックCLK2を励起する必要があり、また、
クロックCLK1の励起とクロックCLK2の励起との
間の最小遅延時間が守られなければならない。In operation, when clock CLK1 strobes element 602, data is output on conductors 606 and 608, respectively. Conductors 606 and 60
The data output on 8 is amplified by positive feedback amplifier element 610 in response to strobe clock CLK2 on conductor 612. As a result, amplified signals are output on the conductors 614 and 616, respectively. Clock CLK2 must be excited after clock CLK1 to ensure that the output of circuit 600 accurately reflects the data strobed from element 602 by clock CLK1, and also
The minimum delay time between the excitation of clock CLK1 and the excitation of clock CLK2 must be observed.
【0037】従来技術では、クロックCLK1及びCL
K2は、固定遅延素子によって同じクロックから生成さ
れていた。この結果、従来のポジティブ・フィードバッ
クアンプ回路には、固定遅延素子を用いた設計に関連す
る問題点があった。例えば、動作周波数の変化に対して
融通がきかないこと、クロック間の余裕時間が充分でな
いこと、非モジュール性等である。これに対して、本発
明のように、複数の位相偏移クロックをクロックCLK
1及びCLK2の制御に用いる場合には、初期状態で、
クロックCLK1とCLK2との間に充分な余裕時間を
設定し、また、図9の回路がその最大周波数で動作する
ように設定することが可能になる。位相偏移クロックC
LK1とCLK2との間に初期設定された余裕時間が不
十分であることが明らかになった場合には、動作クロッ
ク(例えば、図3の回路を用いた場合には、外部基準ク
ロック信号CLKX(306))の周波数を低下させる
ことにより、簡単にこの余裕時間を長くすることがで
き、その結果、位相偏移クロックCLK1とCLK2と
の間の遅延を増大させることができる。あるいは、複数
の位相偏移クロックが生成されており、これらが局所的
に利用可能である場合には、クロックCLK1とCLK
2との間の余裕時間を長くするために外部基準クロック
の周波数を下げる必要はない。この代わりに、高い動作
周波数で回路の動作を続け、利用可能な位相偏移クロッ
クの中からCLK2に適した複数の位相偏移クロックを
単に選択することにより、必要な余裕時間を得ることが
できる。In the prior art, the clocks CLK1 and CL
K2 was generated from the same clock by a fixed delay element. As a result, the conventional positive feedback amplifier circuit has a problem related to the design using the fixed delay element. For example, they are inflexible with respect to changes in operating frequency, have insufficient time margin between clocks, and are non-modular. On the other hand, as in the present invention, a plurality of phase shift clocks are clocked by the clock CLK.
When used to control 1 and CLK2, in the initial state,
It becomes possible to set a sufficient margin time between the clocks CLK1 and CLK2 and set the circuit of FIG. 9 to operate at its maximum frequency. Phase shift clock C
When it is revealed that the margin time initially set between LK1 and CLK2 is insufficient, the operation clock (for example, when the circuit of FIG. 3 is used, the external reference clock signal CLKX ( By reducing the frequency of (306)), this margin time can be easily lengthened, and as a result, the delay between the phase shift clocks CLK1 and CLK2 can be increased. Alternatively, if multiple phase-shifted clocks have been generated and these are locally available, then clocks CLK1 and CLK
It is not necessary to lower the frequency of the external reference clock in order to increase the margin time between the two. Instead, the circuit can continue to operate at a high operating frequency, and the necessary margin time can be obtained by simply selecting a plurality of phase shift clocks suitable for CLK2 from the available phase shift clocks. .
【0038】図10は、2つの異なった局部位置におい
て、同じ基準クロックから生成された2つの位相偏移ク
ロックを用いて、クロック間の余裕時間を最小にする一
方、データの転送と処理を調停するための回路を示す概
略回路図である。図10に示すように、第1の回路部7
00は、素子702と論理回路部704とを備える。第
1の回路部700は、導体706から入力データを受け
取り、位相偏移クロックCLKAを用いてこの入力デー
タをラッチする。例えば、位相偏移クロックCLKAに
よりストローブ出力されるデータを内部に記憶するレジ
スタあるいはメモリを素子702として用いてもよい。FIG. 10 uses two phase-shifted clocks generated from the same reference clock at two different local locations to minimize the margin between clocks while arbitrating data transfer and processing. It is a schematic circuit diagram which shows the circuit for doing. As shown in FIG. 10, the first circuit unit 7
00 includes an element 702 and a logic circuit portion 704. The first circuit portion 700 receives input data from the conductor 706 and latches this input data using the phase shift clock CLKA. For example, a register or a memory that internally stores the data strobed by the phase shift clock CLKA may be used as the element 702.
【0039】素子702からの出力データは論理回路部
704に入力される。論理回路部704は、ラッチされ
たデータに対して論理演算を行い、論理演算の結果を示
すデータDATA−Rを導体708上に出力する回路で
ある。DATA−Rは、チップ上を横切って、図10の
負荷712で特徴づけられるような長い導体を通って伝
送され、第2の回路部714に入力される。導体708
を介したDATA−Rの転送が完了して、この長距離に
わたる転送に関連するRC遅延が起こった場合には、導
体708から第2の回路部714に入力される信号は著
しく減衰している可能性がある。例えば、負荷712に
関係するRC遅延が遷移エッジを劣化させて、その結
果、信号DATA−Rのパルスの上昇と下降の傾きが緩
やかにる。Output data from the element 702 is input to the logic circuit section 704. The logic circuit portion 704 is a circuit that performs a logical operation on the latched data and outputs data DATA-R indicating the result of the logical operation on the conductor 708. The DATA-R is transmitted across the chip, through a long conductor as characterized by the load 712 in FIG. 10 and input to the second circuit portion 714. Conductor 708
When the DATA-R transfer is completed through the R and the RC delay associated with the transfer over this long distance occurs, the signal input to the second circuit portion 714 from the conductor 708 is significantly attenuated. there is a possibility. For example, the RC delay associated with load 712 degrades the transition edge, resulting in a gradual rising and falling slope of the pulse of signal DATA-R.
【0040】第2の回路部714の素子720は、導体
708から入力された信号の強度を高め(強調し)、こ
れを第2の回路部714における後段の論理回路722
に出力する回路である。例えば、信号DATA−Rの電
圧レベルが所定レベルよりも高くなった場合に、素子7
20がハイ(高)信号を出力し、逆に、信号DATA−
Rの電圧レベルが所定レベルよりも低くなった場合に、
素子720がロウ(低)信号を出力するように構成して
もよい。このような増幅を行うために適した回路とし
て、例えば、図10に示すようなポジティブ・フィード
バックアンプを用いることもできる。The element 720 of the second circuit section 714 enhances (emphasizes) the strength of the signal input from the conductor 708, and this is applied to the subsequent logic circuit 722 in the second circuit section 714.
Is a circuit that outputs to. For example, when the voltage level of the signal DATA-R becomes higher than a predetermined level, the element 7
20 outputs a high signal and, conversely, the signal DATA-
When the voltage level of R becomes lower than a predetermined level,
Element 720 may be configured to output a low signal. As a circuit suitable for performing such amplification, for example, a positive feedback amplifier as shown in FIG. 10 can be used.
【0041】図10の回路において、導体708上のD
ATA−Rは、次の処理のために論理回路部722に入
力されるのに先立ち、位相偏移クロックCLKBにより
ストローブ入力される。前述の説明から明らかなよう
に、図10の回路を正しく作動させるためには、クロッ
クCLKAを励起した後にクロックCLKBを励起する
必要があり、好ましくは、適当な遅延時間が経過した後
にクロックCLKBを励起する必要がある。ここで、ク
ロックCLKAの励起とクロックCLKBの励起との間
の遅延時間は、少なくとも、導体706上のデータが素
子702と、論理回路部704と、長い導体708とを
通過するのに充分な時間でなければならない。素子70
2及び720の制御に位相偏移クロックをそれぞれ用い
る場合には、最初の設計段階で、クロックCLKAとC
LKBとの間に充分な余裕時間を設定し、また、図10
の回路をその最大周波数で動作させるように設定するこ
とが可能になる。負荷712が、クロックCLKAとC
LKBとの間に最初に設定された余裕時間よりも長い余
裕時間を必要とすることが明らかになった場合には、入
力された基準クロック(例えば、図3の回路を用いてク
ロックCLKAとCLKBとを発生させるようにした場
合には、外部基準クロック信号CLKX(306))の
周波数を低下させることにより、簡単に、クロックCL
KAとCLKBとの間に必要な余裕時間を設定すること
ができる。あるいは、複数の位相偏移クロックが生成さ
れ、局所的に利用可能である場合には、上述したよう
に、クロックCLKAとCLKBとの間の余裕時間を長
くするために外部基準クロックの周波数を下げる必要は
ない。この代わりに、高い動作周波数で回路の動作を続
け、利用可能な複数の位相偏移クロックの中からクロッ
クCLKBに適した位相偏移クロックを単に選択するこ
とにより、必要な余裕時間が得られる。In the circuit of FIG. 10, D on conductor 708
The ATA-R is strobeed by the phase shift clock CLKB before being input to the logic circuit section 722 for the next processing. As is apparent from the above description, in order for the circuit of FIG. 10 to operate properly, it is necessary to excite the clock CLKA and then the clock CLKB, and preferably, the clock CLKB is activated after an appropriate delay time has elapsed. Need to be excited. Here, the delay time between the excitation of the clock CLKA and the excitation of the clock CLKB is at least a time sufficient for the data on the conductor 706 to pass through the element 702, the logic circuit portion 704, and the long conductor 708. Must. Element 70
If phase shift clocks are used to control 2 and 720, respectively, the clocks CLKA and C
A sufficient margin time is set between the LKB and FIG.
Circuit can be set to operate at its maximum frequency. The load 712 has clocks CLKA and C
When it becomes clear that a margin time longer than that initially set with the LKB is required, an input reference clock (for example, clocks CLKA and CLKB using the circuit of FIG. 3 is used. In the case of generating the clock CL and the clock CL, the frequency of the external reference clock signal CLKX (306) is lowered to easily generate the clock CL.
A necessary margin time can be set between KA and CLKB. Alternatively, when a plurality of phase shift clocks are generated and locally available, the frequency of the external reference clock is lowered to lengthen the margin time between the clocks CLKA and CLKB, as described above. No need. Instead, the required margin time can be obtained by continuing the operation of the circuit at a high operating frequency and simply selecting a phase shift clock suitable for the clock CLKB from the plurality of available phase shift clocks.
【0042】以上、理解を助ける目的で、本発明を好適
な実施例に基づいて説明したが、クレームに記載される
本発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な態様で実施可
能なことはいうまでもない。例えば、PLL回路の詳細
に付いて説明したが、当業者ならば明らかなように、P
LL回路がフィルター等のサブ回路を備えるように構成
することもできる。あるいは、周波数に依存した適当な
遅延を発生させる目的ために、本発明の電圧制御発振器
ではインバータを用いているが、他の種類の回路を用い
ることも可能である。更に、一つの局部位置で複数の位
相偏移クロックを発生させるための1つの局所クロック
生成回路を詳細に説明しているが、同数の、あるいは異
なった数の位相偏移クロックを各々生成する複数の局所
クロック生成回路を一つの局部位置に備えるようにして
もよい。特に、ある種の適用分野では、2組の相補的位
相偏移クロックを一つの局部位置で発生させるために、
2つの局所クロック生成回路を用いることが望ましい。
本発明の範囲は、何等上記の実施例によって限定される
ものではなく、請求の範囲によって説明されるものであ
る。Although the present invention has been described based on the preferred embodiments for the purpose of facilitating understanding, it can be implemented in various modes without departing from the scope of the invention described in the claims. There is no end. For example, although the details of the PLL circuit have been described, it will be apparent to those skilled in the art that P
The LL circuit can be configured to include a sub circuit such as a filter. Alternatively, although the voltage controlled oscillator of the present invention uses an inverter for the purpose of generating an appropriate delay depending on the frequency, it is also possible to use other types of circuits. Further, although one local clock generation circuit for generating a plurality of phase shift clocks at one local position is described in detail, a plurality of local clock generation circuits each generating the same number or different number of phase shift clocks are described. The local clock generation circuit of 1 may be provided at one local position. In particular, in some applications, in order to generate two sets of complementary phase shift clocks at one local location,
It is desirable to use two local clock generation circuits.
The scope of the invention is not limited by the above embodiments in any way, but is defined by the scope of the claims.
【図1】複数の位相偏移クロックを集中的に生成する従
来のPLL回路を、その集中的に生成された位相偏移ク
ロックをチップを横切って伝送するために必要な導体と
共に示す概略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional PLL circuit that centrally generates a plurality of phase-shifted clocks along with the conductors required to transmit the centrally-generated phase-shifted clocks across a chip.
【図2】本発明によるPLL回路と、ICチップ上の局
部位置に関連付けられた局所クロック生成回路と、を備
える本発明の実施例を示す概略図。FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention including a PLL circuit according to the present invention and a local clock generation circuit associated with a local position on an IC chip.
【図3】外部基準クロックとフィードバック・クロック
とに応じて、基準クロックと、オプションとしてその相
補基準クロックと、を生成する本発明のPLL回路を示
す概略回路図。FIG. 3 is a schematic circuit diagram showing a PLL circuit of the present invention that generates a reference clock and optionally its complementary reference clock in response to an external reference clock and a feedback clock.
【図4】図3のPLL回路の詳細を示す図。FIG. 4 is a diagram showing details of the PLL circuit of FIG. 3;
【図5】与えられた電圧信号の入力に応じて、相補電圧
信号を生成・出力する相補電圧生成回路を示す概略回路
図。FIG. 5 is a schematic circuit diagram showing a complementary voltage generation circuit that generates and outputs a complementary voltage signal in response to an input of a given voltage signal.
【図6】基準クロックを生成する回路から基準電圧信号
を生成する回路を分離するための回路を示す概略図。FIG. 6 is a schematic diagram showing a circuit for separating a circuit for generating a reference voltage signal from a circuit for generating a reference clock.
【図7】局部位置で複数の位相偏移クロックを生成する
ために用いられる局所クロック生成回路を示す概略回路
図。FIG. 7 is a schematic circuit diagram showing a local clock generation circuit used to generate a plurality of phase shift clocks at a local position.
【図8】図7に示す基準クロックと複数の位相偏移クロ
ックとの関係を示すタイミングチャート。8 is a timing chart showing the relationship between the reference clock shown in FIG. 7 and a plurality of phase shift clocks.
【図9】動作中に複数の位相偏移クロックを使用するこ
とによる利点があるタイプの回路の一例として、ポジテ
ィブ・フィードバックアンプ回路を示す概略回路図。FIG. 9 is a schematic circuit diagram showing a positive feedback amplifier circuit as an example of a type of circuit that has the advantage of using multiple phase shifted clocks during operation.
【図10】2つの異なった局部位置において同じ基準ク
ロックから生成された2つの位相偏移クロックを用い
て、クロック間の余裕時間を最小にしつつ、データの転
送と処理を調停するための回路を示す概略回路図。FIG. 10 shows a circuit for arbitrating data transfer and processing while using two phase shift clocks generated from the same reference clock at two different local positions to minimize the margin time between the clocks. The schematic circuit diagram shown.
100…チップ 102…PLL 104…局部位置 106…局部位置 108…局部位置 111〜116…導体 150…PLL回路 152…局所クロック生成回路 154…局所クロック生成回路 158…局部位置 160…局部位置 170…基準電圧 172…基準クロック 300…PLL回路 302…導体 304…導体 306…導体 308…導体 310…導体 312…位相周波数検出器 314…アップ信号 316…チャージポンプ 318…ダウン信号 320…導体 322…VCO(電圧制御発振器) 324…バッファ/ドライバ 326…単位ゲインアンプ 350…単純反転増幅器 352…pチャンネルデバイス 354…nチャンネルデバイス 356…ノード 400…開ループ位相偏移クロック生成回路 402…可変遅延ステージ 404…可変遅延ステージ 406…可変遅延ステージ 408…可変遅延ステージ 414…導体 416…導体 418…導体 420…pチャンネルデバイス 422…pチャンネルデバイス 424…nチャンネルデバイス 426…導体 428…nチャンネルデバイス 430…導体 600…フィードバックアンプ回路 602…素子 604…導体 606…導体 610…フィードバックアンプ素子 612…導体 614…導体 616…導体 700…回路部 702…素子 704…論理回路部 706…導体 708…導体 712…負荷 714…回路部 720…素子 722…論理回路部 100 ... Chip 102 ... PLL 104 ... Local position 106 ... Local position 108 ... Local position 111-116 ... Conductor 150 ... PLL circuit 152 ... Local clock generation circuit 154 ... Local clock generation circuit 158 ... Local position 160 ... Local position 170 ... Reference Voltage 172 ... Reference clock 300 ... PLL circuit 302 ... Conductor 304 ... Conductor 306 ... Conductor 308 ... Conductor 310 ... Conductor 312 ... Phase frequency detector 314 ... Up signal 316 ... Charge pump 318 ... Down signal 320 ... Conductor 322 ... VCO (voltage Controlled oscillator) 324 ... Buffer / driver 326 ... Unit gain amplifier 350 ... Simple inverting amplifier 352 ... P-channel device 354 ... N-channel device 356 ... Node 400 ... Open loop phase shift clock generation circuit 402 ... Variable delay stage 404 ... Variable delay stage 406 ... Variable delay stage 408 ... Variable delay stage 414 ... Conductor 416 ... Conductor 418 ... Conductor 420 ... P-channel device 422 ... P-channel device 424 ... N-channel device 426 ... Conductor 428 ... N-channel device 430 ... Conductor 600 ... Feedback amplifier circuit 602 ... Element 604 ... Conductor 606 ... Conductor 610 ... Feedback amplifier element 612 ... Conductor 614 ... Conductor 616 ... Conductor 700 ... Circuit part 702 ... Element 704 ... Logic circuit part 706 ... Conductor 708 ... Conductor 712 ... Load 714 ... Circuit part 720 ... Element 722 ... Logic circuit part
Claims (18)
移クロックを生成するための装置であって、 基準クロックと基準電圧とを発生する中央PLLと、 前記局部位置に設けられた局所クロック生成回路と、 前記中央PLLを前記局所クロック生成回路に接続する
ための一組の導体であって、前記基準クロックを伝送す
るための第1の導体と前記基準電圧を伝送するための第
2の導体とを備える一組の導体と、を備え、 前記複数の位相偏移クロックは、前記局所クロック生成
回路によって、前記基準クロックと前記基準電圧とを用
いて前記局部位置において生成されることを特徴とする
位相偏移クロック生成装置。1. An apparatus for generating a plurality of phase shift clocks at a local position on an IC chip, comprising: a central PLL generating a reference clock and a reference voltage; and a local clock provided at the local position. A generator circuit and a set of conductors for connecting the central PLL to the local clock generator circuit, a first conductor for transmitting the reference clock and a second conductor for transmitting the reference voltage. A set of conductors comprising a conductor, the plurality of phase shift clocks being generated at the local location by the local clock generation circuit using the reference clock and the reference voltage. And a phase shift clock generator.
置であって、 前記中央PLLが、更に、相補基準クロックを発生させ
るとともに、 前記一組の導体は、更に、前記相補基準クロックを前記
中央PLLから前記局所クロック生成回路に伝送するた
めの第3の導体を備える、位相偏移クロック生成装置。2. The phase shift clock generator of claim 1, wherein the central PLL further generates a complementary reference clock, and the set of conductors further includes the complementary reference clock. A phase shift clock generator comprising a third conductor for transmission from a central PLL to the local clock generator.
置であって、さらに、 前記局部位置の近傍に配置され、前記基準電圧から相補
基準電圧を生成する相補電圧生成回路を備える、位相偏
移クロック生成装置。3. The phase shift clock generation device according to claim 2, further comprising a complementary voltage generation circuit which is arranged near the local position and which generates a complementary reference voltage from the reference voltage. Transfer clock generator.
置であって、 前記相補電圧生成回路が反転アンプを備える、位相偏移
クロック生成装置。4. The phase shift clock generating apparatus according to claim 3, wherein the complementary voltage generating circuit includes an inverting amplifier.
置であって、 前記中央PLLが、前記基準電圧信号を生成するための
単位ゲインアンプを備える、位相偏移クロック生成装
置。5. The phase shift clock generator of claim 2, wherein the central PLL comprises a unity gain amplifier for generating the reference voltage signal.
置であって、 前記局所クロック生成回路が複数の遅延ステージを備
え、 前記複数の遅延ステージの各々の出力が位相偏移クロッ
クである、位相偏移クロック生成装置。6. The phase shift clock generator according to claim 2, wherein the local clock generation circuit includes a plurality of delay stages, and an output of each of the plurality of delay stages is a phase shift clock. Phase shift clock generator.
置であって、 前記複数の遅延ステージの一つは、 前記基準電圧の相補的信号である相補基準電圧によって
制御される第1のpチャンネルデバイスゲートを有する
第1のpチャンネルデバイスと、 前記第1のpチャンネルデバイスと直列に接続されたイ
ンバータであって、前記基準電圧に接続されたインバー
タ入力と、位相偏移クロックを出力するためのインバー
タ出力とを備えるインバータと、 前記インバータと直列に接続された第1のnチャンネル
デバイスであって、前記基準電圧によって制御される第
1のnチャンネルデバイスゲートを有する第1のnチャ
ンネルデバイスとを備える、位相偏移クロック生成装
置。7. The phase shift clock generation device according to claim 6, wherein one of the plurality of delay stages is controlled by a complementary reference voltage which is a complementary signal of the reference voltage. A first p-channel device having a channel device gate, an inverter connected in series with the first p-channel device, the inverter input connected to the reference voltage, and for outputting a phase shift clock An inverter output, and a first n-channel device connected in series with the inverter, the first n-channel device having a first n-channel device gate controlled by the reference voltage. And a phase shift clock generator.
移クロックを生成するための方法であって、 基準クロックと基準電圧とを発生する中央PLLを準備
する工程と、 前記局部位置に局所クロック生成回路を準備する工程
と、 前記中央PLLと前記局所クロック生成回路とを一組の
導体で接続する工程と、を備え、 前記一組の導体は、前記基準クロックを伝送するための
第1の導体と、前記基準電圧を伝送するための第2の導
体とを備え、 前記複数の位相偏移クロックは、前記局所クロック生成
回路によって、前記基準クロックと前記基準電圧とを用
いて前記局部位置で生成されることを特徴とする位相偏
移クロック生成方法。8. A method for generating a plurality of phase shift clocks at a local location on an IC chip, the method comprising: providing a central PLL for generating a reference clock and a reference voltage; and localizing at the local location. A step of preparing a clock generation circuit; and a step of connecting the central PLL and the local clock generation circuit with a set of conductors, the set of conductors being a first for transmitting the reference clock. And a second conductor for transmitting the reference voltage, wherein the plurality of phase shift clocks are generated by the local clock generation circuit using the reference clock and the reference voltage. A phase shift clock generation method characterized by being generated by.
法であって、 前記中央PLLを準備する工程は、更に、相補基準クロ
ックを生成するためのバッファを準備する工程を備え、 前記一組の導体は、更に、前記相補基準クロックを前記
中央PLLから前記局所クロック生成回路に伝送するた
めの第3の導体を備える、位相偏移クロック生成方法。9. The phase-shifted clock generation method according to claim 8, wherein the step of preparing the central PLL further comprises the step of preparing a buffer for generating a complementary reference clock. The method of claim 2, further comprising a third conductor for transmitting the complementary reference clock from the central PLL to the local clock generation circuit.
方法であって、さらに、 前記局部位置の近傍に、前記基準電圧から相補基準電圧
を生成するための相補電圧生成回路を準備する工程を備
える、位相偏移クロック生成方法。10. The phase shift clock generation method according to claim 9, further comprising the step of preparing a complementary voltage generation circuit for generating a complementary reference voltage from the reference voltage in the vicinity of the local position. A method for generating a phase shift clock, comprising:
成方法であって、 前記相補電圧生成回路は反転アンプを備える、位相偏移
クロック生成方法。11. The phase shift clock generation method according to claim 10, wherein the complementary voltage generation circuit includes an inverting amplifier.
方法であって、 前記中央PLLを準備する工程は、前記基準電圧信号を
生成するための単位ゲインアンプを準備する工程を備え
る、位相偏移クロック生成方法。12. The phase-shifted clock generation method according to claim 9, wherein the step of preparing the central PLL comprises the step of preparing a unity gain amplifier for generating the reference voltage signal. Transfer clock generation method.
方法であって、 前記局所クロック生成回路を準備する工程は、各々の出
力が位相偏移クロックである複数の遅延ステージを準備
する工程を備える、位相偏移クロック生成方法。13. The method of generating a phase-shifted clock according to claim 9, wherein the step of preparing the local clock generation circuit comprises the step of preparing a plurality of delay stages, each output of which is a phase-shifted clock. A method for generating a phase shift clock, comprising:
成方法であって、 前記複数の遅延ステージを準備する工程は、 前記基準電圧の相補的信号である相補基準電圧に接続さ
れた第1のpチャンネルデバイスゲートを有する第1の
pチャンネルデバイスを準備する工程と、 前記基準電圧に接続されたインバータ入力と位相偏移ク
ロックを出力するためのインバータ出力とを備えるイン
バータを、前記第1のpチャンネルデバイスと直列に接
続する工程と、 前記基準電圧により制御される第1のnチャンネルデバ
イスゲートを有する第1のnチャンネルデバイスを、前
記インバータと直列に接続する工程と、を備える、位相
偏移クロック生成方法。14. The phase shift clock generation method according to claim 13, wherein the step of preparing the plurality of delay stages comprises a first reference voltage connected to a complementary reference voltage which is a complementary signal of the reference voltage. providing an inverter having a first p-channel device having a p-channel device gate, an inverter input connected to the reference voltage and an inverter output for outputting a phase shift clock, the first p-channel device Connecting in series with a channel device, and connecting in series with the inverter a first n-channel device having a first n-channel device gate controlled by the reference voltage. Clock generation method.
偏移クロックを生成するための位相偏移クロック生成方
法であって、 前記ICチップ上に中央配置PLLを準備する工程と、 前記中央配置PLLを用いて、基準クロックと基準電圧
信号とを生成する工程と、 前記局部位置に局所クロック生成回路を準備する工程
と、 前記中央配置PLLを前記局所クロック生成回路に接続
して、前記中央配置PLLから前記局所クロック生成回
路に前記基準クロックと前記基準電圧信号とを伝送する
ための第1組の導体を、前記局所クロック生成回路に接
続する工程と、 前記基準クロックと前記基準電圧信号とに応じて、前記
局所クロック生成回路を用いて、前記局部位置で局所的
に前記複数の位相偏移クロックを生成する工程と、を備
えることを特徴とする位相偏移クロック生成方法。15. A phase shift clock generation method for generating a plurality of phase shift clocks at a local position on an IC chip, comprising: preparing a centrally arranged PLL on the IC chip; Generating a reference clock and a reference voltage signal using a PLL; preparing a local clock generating circuit at the local position; connecting the centrally arranged PLL to the local clock generating circuit; Connecting a first set of conductors for transmitting the reference clock and the reference voltage signal from the PLL to the local clock generation circuit to the local clock generation circuit; and connecting the reference clock and the reference voltage signal to each other. Accordingly, the step of locally generating the plurality of phase shift clocks at the local position using the local clock generation circuit is included. Phase shift clock generation method for the.
成方法であって、さらに、 相補電圧生成回路を用いて、実質的に前記基準電圧のミ
ラー・イメージである相補基準電圧を生成する工程と、 前記相補基準電圧を前記局所クロック生成回路に伝送し
て入力する工程と、を備える位相偏移クロック生成方
法。16. The method of generating a phase shift clock according to claim 15, further comprising: using a complementary voltage generating circuit to generate a complementary reference voltage that is substantially a mirror image of the reference voltage. Transmitting the complementary reference voltage to the local clock generating circuit and inputting the complementary reference voltage to the local clock generating circuit.
成方法であって、 前記局所クロック生成回路は、前記基準電圧と前記相補
基準電圧と前記基準クロックとを入力として受け取って
位相偏移クロックを出力する遅延ステージを備え、 前記位相偏移クロックは、前記基準クロックの周波数と
等しい周波数を有し、前記基準電圧の強度が増加した時
に前記基準クロックに対する前記位相偏移クロックの遅
延時間が増加し、逆に、前記基準電圧の強度が減少した
時に前記基準クロックに対する前記位相偏移クロックの
遅延時間が減少する、位相偏移クロック生成方法。17. The phase shift clock generation method according to claim 16, wherein the local clock generation circuit receives the reference voltage, the complementary reference voltage, and the reference clock as inputs and outputs the phase shift clock. The phase shift clock has a frequency equal to the frequency of the reference clock, and the delay time of the phase shift clock with respect to the reference clock increases when the strength of the reference voltage increases. On the contrary, the phase shift clock generation method wherein the delay time of the phase shift clock with respect to the reference clock decreases when the intensity of the reference voltage decreases.
クを生成するための装置であって、 第1の位置に設けられ、基準クロックと基準電圧とを生
成するPLLと、 第2の位置に設けられた局所クロック生成回路と、 前記PLLと前記局所クロック生成回路とに接続され、
前記PLLから前記局所クロック生成回路に前記基準ク
ロックを伝送するための第1の導体と、 前記PLLと前記局所クロック生成回路とに接続され、
前記PLLから前記局所クロック生成回路に前記基準電
圧を伝送するための第2の導体と、を備え、 前記複数の位相偏移クロックは、前記局所クロック生成
回路を用いて、前記基準電圧と前記基準クロックとに応
じて前記第2の位置で生成されることを特徴とする位相
偏移クロック生成装置。18. An apparatus for generating a plurality of phase shift clocks on an IC chip, comprising a PLL provided at a first position for generating a reference clock and a reference voltage, and a second position. A local clock generation circuit provided, connected to the PLL and the local clock generation circuit,
A first conductor for transmitting the reference clock from the PLL to the local clock generation circuit; connected to the PLL and the local clock generation circuit;
A second conductor for transmitting the reference voltage from the PLL to the local clock generation circuit, the plurality of phase shift clocks using the local clock generation circuit, the reference voltage and the reference voltage. A phase shift clock generation device, wherein the phase shift clock generation device is generated at the second position according to a clock.
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US08/449,355 | 1995-05-24 | ||
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007519097A (en) * | 2003-12-19 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Clock distribution in integrated circuits. |
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- 1996-05-24 JP JP8152969A patent/JPH08330948A/en not_active Ceased
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JP2007519097A (en) * | 2003-12-19 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Clock distribution in integrated circuits. |
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KR100353903B1 (en) | 2003-01-06 |
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