JPH08316519A

JPH08316519A - 赤外線検知装置

Info

Publication number: JPH08316519A
Application number: JP7115581A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Tanaka; 昌弘田中
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-05-15
Filing date: 1995-05-15
Publication date: 1996-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】赤外線検知装置に関し、画素に於ける光電変
換効率を向上させると共に迷光に起因する解像度の低下
を解消し、画素を明確化して鮮明な表示を得る。【構成】例えばｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層１２とｎ⁺−
不純物領域１３とで構成され、ＣｄＺｎＴｅ基板１１側
から入射する赤外光を検知する裏面入射型赤外線フォト
・ダイオード・アレイに於いて、そのフォト・ダイオー
ド・アレイ上に第一の保護絶縁膜１４及び第二の保護絶
縁膜１６が積層形成され、第一の保護絶縁膜１４及び第
二の保護絶縁膜１６の間或いは第一の保護絶縁膜１４の
表面に各フォト・ダイオードに対応して反射兼導電膜１
５が形成され、各フォト・ダイオードと第一の保護絶縁
膜１４との界面で反射した光及び反射兼導電膜１５で反
射した光それぞれの位相が一致するよう各フォト・ダイ
オードと各反射兼導電膜１５との間に介在する第一の保
護絶縁膜１４の厚さを選択する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、赤外線に対して透明で
ある基板側から光を入射させる形式の裏面入射型と呼ば
れる赤外線検知装置の改良に関する。

【０００２】現在、赤外線検知装置に於いては、光電変
換素子を２次元或いは１次元に配列して光電変換部分を
構成しているので、そのアレイになっている光電変換素
子の一つ一つに信号処理回路を結合することが必要であ
り、その場合の容易性が高いことから、光電変換部分と
信号処理回路とを対向して結合し、基板側から光を入射
させる裏面入射型のものが主流となっている。

【０００３】ところが、その光電変換部分と信号処理回
路との結合構造に起因して解像度が低下する旨の問題が
起こっているので、それを改善しなければならず、本発
明に依れば、その問題を解決することができる。

【０００４】

【従来の技術】図４は標準的な裏面入射型赤外線検知装
置を表す要部切断側面図である。図に於いて、１はＣｄ
ＺｎＴｅ基板、２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層、３はｎ⁺
−不純物領域、４は保護絶縁膜、５は金属コンタクト部
分、６は金属バンプ、７は信号処理回路、８は信号処理
回路の配線をそれぞれ示している。

【０００５】図４に見られる裏面入射型赤外線検知装置
を作成するには、（１）エピタキシャル成長法を適用して、赤外線に対
して透明であるＣｄＺｎＴｅ基板１上にｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ結晶層２をエピタキシャル成長させる。

【０００６】（２）次いで、イオン注入法を適用し、
ｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層２にｎ型不純物を導入してｎ⁺
−不純物領域３を形成する。

【０００７】（３）次いで、真空蒸着（或いは抵抗加
熱、或いはスパッタリング、或いは電子ビーム加熱）法
を適用し、全面に保護絶縁膜４を形成する。

【０００８】（４）次いで、リソグラフィ技術を適用
し、保護絶縁膜４のエッチングを行ってコンタクト・ホ
ールを形成する。

【０００９】（５）次いで、リソグラフィ技術に於け
るレジスト・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を
適用することに依り、ｎ⁺−不純物領域３とコンタクト
し、且つ、前記コンタクト・ホールを埋める金属コンタ
クト部分５を形成する。

【００１０】（６）次いで、リソグラフィ技術に於け
るレジスト・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を
適用することに依り、金属コンタクト部分５と導電接続
されているバンプ６を形成する。

【００１１】（７）この後、バンプ６を利用し、配線
８をもつ信号処理回路７と結合する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図４について説明した
赤外線検知装置に於いて、入射光は、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
結晶層２とｎ⁺−不純物領域３とで生成されたｐｎ接合
からなるフォト・ダイオードに依って光電変換されるの
であるが、全ての入射光が光電変換されるわけではな
く、一部の入射光は、金属コンタクト部分５で反射され
たり、また、一部は保護絶縁膜４を透過して例えばバン
プ６、信号処理回路７の表面、配線８などに依って反射
される。

【００１３】このように、種々な部分から反射光は、い
わゆる、迷光と呼ばれ、画素サイズを不確定なものと
し、解像度を低下させる原因になる。

【００１４】本発明は、簡単な構造改変に依って、画素
に於ける光電変換効率を向上させると共に迷光に起因す
る解像度の低下を解消して画素を明確化し、鮮明な表示
を得られるようにする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理を説
明する為の赤外線検知装置を表す要部切断側面図であ
る。

【００１６】図に於いて、１１はＣｄＺｎＴｅ又はＣｄ
Ｔｅからなる基板、１２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層、１
３はｎ⁺−不純物領域、１４は第一の保護絶縁膜、１５
は反射兼導電膜、１６は第二の保護絶縁膜、１７は金属
コンタクト部分、１８は金属バンプ、１９は信号処理回
路、２０は信号処理回路の配線、Ｌは波長λの入射赤外
光、Ｒ₁及びＲ₂は反射光をそれぞれ示している。

【００１７】図示の赤外線検知装置に於いて、第一の保
護絶縁膜１４は、その屈折率がｎ₁であるとした場合、
厚さｄ₁は、ｄ₁＝λ／４ｎ₁ となるよう選択され、また、赤外光に対して透明であ
る。

【００１８】また、金属コンタクト部分１７と金属バン
プ１８との間のオーミック・コンタクト性を高めている
反射兼導電膜１５の大きさは画素サイズの大きさにす
る。

【００１９】第二の保護絶縁膜１６は、赤外光を反射す
る機能、若しくは、赤外光を吸収する機能をもち、その
厚さを前記各機能が充分に発揮できるように選択する。

【００２０】前記したところから、本発明に依る赤外線
検知装置に於いては、（１）基板（例えばＣｄＺｎＴｅ基板１１）側から入射
する赤外光を検知する裏面入射型赤外線フォト・ダイオ
ード（例えばｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層１２とｎ⁺−不純
物領域１３とで構成）・アレイに於いて、前記フォト・
ダイオード・アレイ上に積層形成された複数層からなる
保護絶縁膜（例えば第一の保護絶縁膜１４及び第二の保
護絶縁膜１６など）と、前記複数層からなる保護絶縁膜
の間或いは表面に前記各フォト・ダイオードに対応して
形成された反射兼導電膜（例えば反射兼導電膜１５）と
を備えて、前記フォト・ダイオードと前記保護絶縁膜と
の界面で反射した光及び前記反射兼導電膜で反射した光
それぞれの位相が一致するよう前記各フォト・ダイオー
ドと前記各反射兼導電膜との間に介在する保護絶縁膜の
厚さを選択することを特徴とするか、又は、

【００２１】（２）前記（１）に於いて、赤外光を反射
する材料（例えばＳｉＯ₂或いはサファイア）で構成さ
れ且つ反射兼導電膜（例えば反射兼導電膜１５）の光反
射面より表面側に形成された保護絶縁膜（例えば第二の
保護絶縁膜１６）を備え、フォト・ダイオード間に入射
した光のうち、結晶層界面（例えばＨｇＣｄＴｅ結晶層
１２の表面）で反射される光及び反射兼導電膜が形成さ
れている保護絶縁膜界面で反射される光それぞれの位相
を反転させて相互に打ち消し合わせることを特徴とする
か、又は、

【００２２】（３）前記（１）に於いて、赤外光を吸収
する材料（例えばＳｉＮ_x）で構成され且つ反射兼導電
膜の光反射面より表面側に形成された保護絶縁膜（例え
ば第二の保護絶縁膜１６）を備え、フォト・ダイオード
間に入射した光を吸収して該領域に於ける反射光の強度
を低減させることを特徴とするか、又は、

【００２３】（４）前記（１）に於いて、波長λの赤外
光（例えば波長が１０〔μｍ〕の赤外光）に透明な屈折
率ｎの材料（例えばＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＳｅ、ＢａＦ₂、ＡｇＢｒ、ＣｓＩ等）で構
成され且つ反射兼導電膜（例えば反射兼導電膜１５）の
光反射面（フォト・ダイオード側表面）より表面側に２
ｎｄ＝λの式を満たす厚さｄ（例えば１．８５〔μ
ｍ〕）をもって形成された保護絶縁膜（例えば第二の保
護絶縁膜１６）を備え、フォト・ダイオード間（画素
間）に入射した光のうち、結晶層界面（例えばＨｇＣｄ
Ｔｅ結晶層１２の表面）で反射される光及び反射兼導電
膜が形成されている保護絶縁膜界面（例えば第一の保護
絶縁膜１４と第二の保護絶縁膜１６との界面）で反射さ
れる光それぞれの位相を反転させて相互に打ち消し合わ
せて反射光の強度を低減させることを特徴とするか、又
は、

【００２４】（５）前記（４）に於いて、屈折率がｎ及
び厚さがｄである保護絶縁膜上に反射効率を向上させる
赤外光反射膜（例えばＳｉＯ₂やサファイアからなる反
射膜２１）を形成してなることを特徴とするか、又は、

【００２５】（６）前記（１）乃至（５）の何れか１項
に於いて、反射兼導電膜（金属コンタクト部分と兼ねさ
せる）がフォト・ダイオード（例えばｎ⁺−不純物領域
１３）とのコンタクトをとる金属コンタクト部分（反射
兼導電膜と兼ねさせる）と同一材料（例えばＩｎ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｎｉなど）で構成されてなることを特徴とす
るか、又は、

【００２６】（７）前記（１）乃至（６）の何れか１項
に於いて、反射兼導電膜がフォト・ダイオード（例えば
ｎ⁺−不純物領域１３）との金属コンタクト部分（例え
ばＡｕ）と信号処理回路との金属接続部分（例えばＩ
ｎ）との反応を抑止するバリヤ金属（例えばＣｒ）で構
成されてなることを特徴とする。

【００２７】

【作用】前記手段を採ることに依って、ＨｇＣｄＴｅ結
晶層１２に於いて光電変換されなかった光のうち、フォ
ト・ダイオードに入射した光で光電変化されなかった光
は、その一部がＨｇＣｄＴｅ結晶層１２と第一の保護絶
縁膜１４との界面で反射され、そして、残りが光路長λ
／２の途中に在る反射兼導電膜１５で位相を反転されて
反射される為、それぞれの反射光Ｒ₁及びＲ₂の位相が
揃い、フォト・ダイオードに依って再び光電変換され
る。また、フォト・ダイオード間に入射した光は、Ｈｇ
ＣｄＴｅ結晶層１２と第一の保護絶縁膜１４との界面、
第一の保護絶縁膜１４と第二の保護絶縁膜１６との界
面、第二の保護絶縁膜１６の表面などに於いて反射され
るのであるが、それ等の反射光は位相が反転しているの
で打ち消しあい、その強度は小さくなってしまう。この
結果、赤外線検知装置の感光面積は、反射兼導電膜１５
に依って規定されることとなり、画素は明確に画定され
るので、解像度は向上し、鮮明な表示を行うことが可能
である。

【００２８】

【実施例】本発明の原理を解説するのに用いた図１に見
られる赤外線検知装置を具体化したものを第一実施例と
し、次に、これを製造する場合について説明する。尚、
第一実施例は、波長λが８〔μｍ〕乃至１０〔μｍ〕の
赤外光を検知するものとする。

【００２９】（１）液相エピタキシャル成長法を適用す
ることに依り、ＣｄＺｎＴｅ基板１１上に厚さを例えば
１０〔μｍ〕としたＨｇＣｄＴｅ結晶層１２をエピタキ
シャル成長させる。

【００３０】（２）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセスを適用することに依り、２５〔μｍ〕□の開
口をもったレジスト・マスクを形成する。

【００３１】（３）イオン注入法を適用することに依っ
て、ドーズ量を例えば１×１０¹³〜１×１０¹⁵〔cm^-2〕
とし、また、イオン加速エネルギを１００〔ｋｅＶ〕〜
２００〔ｋｅＶ〕として、ＨｇＣｄＴｅ結晶層１２にレ
ジスト・マスクの開口を介してホウ素イオンの打ち込み
を行って、ｎ⁺−不純物領域１３を形成する。

【００３２】（４）真空蒸着法を適用することに依り、
屈折率ｎ₃＝２．２であるＺｎＳからなる第一の保護絶
縁膜１４を波長λ＝１０〔μｍ〕の赤外光に対して２ｎ
₃ｄ₃＝λ／２となる厚さｄ₃＝１１３６４〔Å〕に形
成する。このＺｎＳからなる第一の保護絶縁膜１４は赤
外光に対して透明である。第一の保護絶縁膜１４の材料
としては、ＺｎＳの他、ＳｉＮ_x、ＣｄＺｎＴｅ、Ｃｄ
Ｔｅ、ＺｎＳｅ、陽極硫化膜などの一種を選択して良
い。

【００３３】（５）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用するこ
とに依り、ｎ⁺−不純物領域１３に対向する位置の第一
の保護絶縁膜１４上に厚さが例えば１〔μｍ〕、大きさ
が２５〔μｍ〕□のＡｌからなる反射兼導電膜１５を形
成する。尚、この場合、２５〔μｍ〕□が画素の大きさ
であることは云うまでもない。

【００３４】（６）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、スパッタリング法、リフト・オフ法を適用
することに依り、反射兼導電膜１５の表面を露出する開
口をもった厚さ０．５〔μｍ〕のＳｉＯ₂からなる第二
の保護絶縁膜１６を形成する。尚、第二の保護絶縁膜１
６は、赤外光に対して反射膜として作用し、また、その
材料をサファイア（アルミナ）に代替しても同効であ
る。

【００３５】（７）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、及び、エッチャントをリン酸と硝酸の混合
液（Ａｌ用）及び塩酸（ＺｎＳ用）とするウエット・エ
ッチング法を適用することに依り、反射兼導電膜１５及
び第一の保護絶縁膜１４に直径が例えば４〔μｍ〕の電
極コンタクト孔を形成する。尚、電極コンタクト孔の直
径は３〔μｍ〕から５〔μｍ〕の範囲で選択して良い。

【００３６】（８）前記工程（７）で形成したレジスト
膜を残した状態で真空蒸着法及びリフト・オフ法を適用
することに依り、厚さが例えば１．２〔μｍ〕のＩｎか
らなる金属コンタクト部分１７を形成し、第一の保護絶
縁膜１４に設けられた電極コンタクト孔を埋める。

【００３７】（９）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用するこ
とに依り、厚さが例えば１０〔μｍ〕のＩｎからなる金
属バンプ１８を形成する。

【００３８】（１０）この後、通常の技法を適用するこ
とに依り、信号処理回路１９と対向させて結合する。

【００３９】本発明に於ける第二実施例として、前記第
一実施例の改変例を説明する。（１）前記工程に於いて、例えばＺｎＳからなる第一の
保護絶縁膜１４を形成してから、リソグラフィ技術に於
けるレジスト・プロセス、及び、エッチャントを塩酸と
するウエット・エッチング法を適用することに依り、第
一の保護絶縁膜１４のエッチングを行って、５〔μｍ〕
φの開口を形成し、その中にｎ⁺不純物領域１３の一部
表面を露出させる。

【００４０】（２）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用するこ
とに依り、前記露出されたｎ⁺−不純物領域１３とコン
タクトする２５〔μｍ〕□の反射兼導電膜を形成する。
尚、この場合、反射兼導電膜の材料としては、Ｉｎ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｎｉなどから適宜に選択して良い。

【００４１】（３）この後、第一実施例と同様にして、
第二の保護絶縁膜１６の形成、金属バンプ１８の形成な
どを行う。

【００４２】第二実施例に依ると、金属コンタクト部分
１７の形成に関連する工程は不要になって簡略化され
る。

【００４３】本発明に於ける第三実施例として、前記第
一実施例の改変例を説明する。（１）第一の保護絶縁膜１４を形成してから、リソグラ
フィ技術を適用することに依り、第一の保護絶縁膜１４
に電極コンタクト孔を形成する。

【００４４】（２）前記電極コンタクト孔を形成した際
にマスクとして用いたレジスト膜を残した状態で真空蒸
着法及びリフト・オフ法を適用することに依り、厚さが
例えば１．２〔μｍ〕のＡｕからなる金属コンタクト部
分１７を形成し、第一の保護絶縁膜１４に形成した電極
コンタクト孔を埋める。

【００４５】（３）リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用するこ
とに依り、ｎ⁺−不純物領域１３及び金属コンタクト部
分１７に対向する位置の第一の保護絶縁膜１４上に画素
と同じ大きさのＣｒからなる反射兼導電膜１５を形成す
る。尚、反射兼導電膜１５の材料は、Ｃｒの他、同効の
材料に代替することができる。

【００４６】（４）この後、第一実施例と同様にして、
第二の保護絶縁膜１６の形成、金属バンプ１８の形成な
どを行う。

【００４７】第三実施例に依ると、Ａｕからなる金属コ
ンタクト部分１７とＩｎからなる金属バンプ１８との間
には、それ等の反応を防ぐことが可能なバリヤ・メタル
であるＣｒからなる反射兼導電膜１５が介在しているの
で、光電変換部分と信号処理回路との結合が経時劣化す
るなどのおそれはなくなる。

【００４８】本発明に於ける第四実施例として、赤外光
に対する反射膜として作用する第二の保護絶縁膜１６の
材料に赤外光に対して透明な絶縁膜を採用し、その膜厚
を適切に選択した例を挙げる。

【００４９】この場合、材料として、例えばＣｄＴｅ、
ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＳｅ、ＢａＦ₂、ＡｇＢｒ、ＣｓＩ、Ｓｉ、
Ｇｅなどから選択することができ、それ等の屈折率をｎ
₄とした場合、厚さｄ₄は、２ｎ₄ｄ₄＝λ、の式を満
たすように選択すると良い。尚、ＣｄＴｅを用いた場
合、赤外光の波長λが１０〔μｍ〕であれば、厚さｄ₄
は１８５００〔Å〕である。

【００５０】図２は本発明に於ける第五実施例を説明す
る為の赤外線検知装置を表す要部切断側面図であり、図
１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。

【００５１】第五実施例が第一実施例と相違するところ
は、第四実施例と同様、第二の保護絶縁膜１６の材料と
して、赤外光に透明な材料であるＣｄＴｅを採用し、且
つ、その膜厚を１８５００〔Å〕に選択し、更に第四実
施例に於ける赤外光の反射効果を補強する為、第二の保
護絶縁膜１６上に厚さを例えば０．５〔μｍ〕としたＳ
ｉＯ₂或いはサファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる反射膜
２１を形成した点に在る。

【００５２】第五実施例に依ると、他の実施例に比較し
て、フォト・ダイオード間に入射した光、即ち、画素間
に入射した光の打ち消しを強力に行うことができ、画素
の更なる明確化、従って、表示の鮮明度を向上させるの
に有効である。尚、第四実施例及び第五実施例に於ける
第二の保護絶縁膜１６は、例えばＳｉＮ_xなど赤外光を
吸収する材料膜に代替しても良い。

【００５３】図３は本発明に於ける第六実施例を説明す
る為の赤外線検知装置を表す要部切断側面図であり、図
１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。

【００５４】第六実施例が第一実施例と相違するところ
は、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層１２上にＺｎＳ膜のみから
なる第一の保護絶縁膜１４でなく、陽極硫化膜１４Ａと
ＺｎＳ膜１４Ｂとからなる複合膜である第一の保護絶縁
膜１４を形成した点に在る。

【００５５】第六実施例に依ると、入射赤外光、即ち、
取り扱う赤外光の波長範囲が拡がるので、赤外検知装置
の用途も拡げることができる。尚、複合膜としては、前
記陽極硫化膜＋ＺｎＳ膜の他にＣｄＴｅ膜或いはＣｄＺ
ｎＴｅ膜とＺｎＳ膜との組み合わせを選択することもで
きる。

【００５６】

【発明の効果】本発明に依る赤外検知装置に於いては、
裏面入射型赤外線フォト・ダイオード・アレイ上に積層
形成された複数層からなる保護絶縁膜と、複数層からな
る保護絶縁膜の間或いは表面に各フォト・ダイオードに
対応して形成された反射兼導電膜とを備え、フォト・ダ
イオードと保護絶縁膜との界面で反射した光及び前記反
射兼導電膜で反射した光それぞれの位相が一致するよう
各フォト・ダイオードと各反射兼導電膜との間に介在す
る保護絶縁膜の厚さを選択する。

【００５７】前記構成を採ることに依り、画素上では光
の反射が増加し、画素間では光の反射が減少するので、
光電変換効率は上昇し、画素が明確に画定され、迷光が
防止されるので、鮮明な表示を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明する為の赤外線検知装置を
表す要部切断側面図である。

【図２】本発明に於ける第五実施例を説明する為の赤外
線検知装置を表す要部切断側面図である。

【図３】本発明に於ける第六実施例を説明する為の赤外
線検知装置を表す要部切断側面図である。

【図４】標準的な裏面入射型赤外線検知装置を表す要部
切断側面図である。

【符号の説明】１１ＣｄＺｎＴｅ又はＣｄＴｅからなる基板１２ｐ型ＨｇＣｄＴｅ結晶層１３ｎ⁺−不純物領域１４第一の保護絶縁膜１５反射兼導電膜１６第二の保護絶縁膜１７金属コンタクト部分１８金属バンプ１９信号処理回路２０信号処理回路の配線Ｌ波長λの入射赤外光Ｒ₁ 反射光Ｒ₂ 反射光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板側から入射する赤外光を検知する裏面
入射型赤外線フォト・ダイオード・アレイに於いて、前記フォト・ダイオード・アレイ上に積層形成された複
数層からなる保護絶縁膜と、前記複数層からなる保護絶縁膜の間或いは表面に前記各
フォト・ダイオードに対応して形成された反射兼導電膜
とを備えて、前記フォト・ダイオードと前記保護絶縁膜との界面で反
射した光及び前記反射兼導電膜で反射した光それぞれの
位相が一致するよう前記各フォト・ダイオードと前記各
反射兼導電膜との間に介在する保護絶縁膜の厚さを選択
することを特徴とする赤外線検知装置。
【請求項２】赤外光を反射する材料で構成され且つ反射
兼導電膜の光反射面より表面側に形成された保護絶縁膜
を備え、フォト・ダイオード間に入射した光のうち、結晶層界面
で反射される光及び反射兼導電膜が形成されている保護
絶縁膜界面でき反射される光それぞれの位相を反転させ
て相互に打ち消し合わせて反射光の強度を低減させるこ
とを特徴とする請求項１記載の赤外線検知装置。
【請求項３】赤外光を吸収する材料で構成され且つ反射
兼導電膜の光反射面より表面側に形成された保護絶縁膜
を備え、フォト・ダイオード間に入射した光を吸収して該領域に
於ける反射光の強度を低減させることを特徴とする請求
項１記載の赤外線検知装置。
【請求項４】波長λの赤外光に透明な屈折率ｎの材料で
構成され且つ反射兼導電膜の光反射面より表面側に２ｎ
ｄ＝λの式を満たす厚さｄをもって形成された保護絶縁
膜を備え、フォト・ダイオード間に入射した光のうち、結晶層界面
で反射される光及び反射兼導電膜が形成されている保護
絶縁膜界面で反射される光それぞれの位相を反転させて
相互に打ち消し合わせて反射光の強度を低減させること
を特徴とする請求項１記載の赤外線検知装置。
【請求項５】屈折率がｎ及び厚さがｄである保護絶縁膜
上に反射効率を向上させる赤外光反射膜を形成してなる
ことを特徴とする請求項４記載の赤外線検知装置。
【請求項６】反射兼導電膜がフォト・ダイオードとのコ
ンタクトをとる金属コンタクト部分と同一材料で構成さ
れてなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項
に記載の赤外線検知装置。
【請求項７】反射兼導電膜がフォト・ダイオードとの金
属コンタクト部分と信号処理回路との金属接続部分との
反応を抑止するバリヤ金属で構成されてなることを特徴
とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の赤外線検知
装置。