JPH08306857A - Protective structure of circuit pattern in integrated circuit - Google Patents

Protective structure of circuit pattern in integrated circuit

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JPH08306857A
JPH08306857A JP12893295A JP12893295A JPH08306857A JP H08306857 A JPH08306857 A JP H08306857A JP 12893295 A JP12893295 A JP 12893295A JP 12893295 A JP12893295 A JP 12893295A JP H08306857 A JPH08306857 A JP H08306857A
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JP
Japan
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circuit pattern
integrated circuit
protective layer
circuit
substrate
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JP12893295A
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Hideki Suzue
秀規 鈴江
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Abstract

PURPOSE: To prevent direct contact of a circuit pattern formed in an integrated circuit with other members like a collet portion of an automatic mounter, so as to realize protection of the circuit pattern in a mounting process of the integrated circuit and improvement in yield of the integrated circuit in a production process. CONSTITUTION: In an integrated circuit 10 having a circuit pattern formed on the surface of a substrate 102, a protective layer 14 made of an insulating material having a height greater than the height of the highest portion of the circuit pattern is formed on a metal electrode of the circuit pattern on the surface of the substrate 102.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路における回路
パターンの保護構造に関し、さらに詳細には、構成素子
として抵抗、インダクタあるいはコンデンサなどを含
み、通信分野などにおいて使用されるモノリシック・マ
イクロ波集積回路(Monolithic
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit pattern protection structure in an integrated circuit, and more particularly to a monolithic microwave integrated circuit including a resistor, an inductor or a capacitor as a constituent element and used in the field of communication. Circuit (Monolithic

【0002】Microwave Integrate
d Circuit:MMIC)やマイクロ波IC(M
icrowave Integrated Circu
it:MIC)などのマイクロ波用の集積回路に用いて
好適な集積回路における回路パターンの保護構造に関す
る。
Microwave Integrate
d Circuit: MMIC) and microwave IC (M
microwave Integrated Circuit
The present invention relates to a circuit pattern protection structure in an integrated circuit suitable for use in an integrated circuit for microwaves such as it: MIC).

【0003】[0003]

【従来の技術】一般に、MMICやMICなどのマイク
ロ波用の集積回路は、構成素子として抵抗、インダクタ
あるいはコンデンサなどを含んでおり、多層配線構造に
より上記した抵抗、インダクタあるいはコンデンサなど
を適宜形成するようになされている。
2. Description of the Related Art Generally, microwave integrated circuits such as MMIC and MIC include resistors, inductors or capacitors as constituent elements, and the resistors, inductors or capacitors described above are appropriately formed by a multilayer wiring structure. It is done like this.

【0004】図4には、こうしたマイクロ波用の集積回
路の一例の断面構造の説明図が示されているが、集積回
路100は、基板102の表面に形成された他の配線と
接触することなしに適宜配線を行うためのエアー・ブリ
ッジ(空中配線)104や、薄膜を積層させた薄膜積層
構造106などを用いて回路パターンを形成し、基板1
02上にキャパシタやインダクタなどを形成するように
なされている。
FIG. 4 shows an explanatory view of a cross-sectional structure of an example of such an integrated circuit for microwaves, but the integrated circuit 100 should be in contact with other wiring formed on the surface of the substrate 102. A circuit pattern is formed using an air bridge (in-air wiring) 104 for performing appropriate wiring without using the above, a thin film laminated structure 106 in which thin films are laminated, and the like, and the substrate 1
A capacitor, an inductor, etc. are formed on 02.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図4に示す
ようなエアー・ブリッジ104や薄膜積層構造106を
有する回路パターンを備えた集積回路100の実装工程
においては、自動マウンターのコレット部200に集積
回路100を吸着させて、集積回路100の移動などを
行っていた。
By the way, in the mounting process of the integrated circuit 100 having the circuit pattern having the air bridge 104 and the thin film laminated structure 106 as shown in FIG. 4, the integrated circuit is integrated in the collet part 200 of the automatic mounter. The circuit 100 is sucked and the integrated circuit 100 is moved.

【0006】このため、基板100の表面に形成された
回路パターンとコレット部200との直接的な接触によ
って回路パターンが破壊されてしまう場合があり、生産
工程における集積回路の歩止まり低下の要因となってい
たという問題点があった。
Therefore, the circuit pattern may be destroyed by the direct contact between the circuit pattern formed on the surface of the substrate 100 and the collet portion 200, which may cause a decrease in the yield of the integrated circuit in the production process. There was a problem that it had become.

【0007】特に、基板102の上方へ立ち上がり形成
されたエアー・ブリッジ104は機械的強度が低いの
で、集積回路100が自動マウンターのコレット部20
0に吸着される際に相対的に生ずる圧力Fにより下方へ
押し潰されることがあり、エアー・ブリッジ104が下
方へ押し潰されたために他の配線とショートすると、そ
うした集積回路100は廃棄せざるを得なかった。
In particular, since the air bridge 104 formed so as to rise above the substrate 102 has low mechanical strength, the integrated circuit 100 has the collet portion 20 of the automatic mounter.
When the air bridge 104 is crushed downward due to the pressure F relatively generated when it is adsorbed to 0, and the air bridge 104 is crushed downward and short-circuited with another wiring, such an integrated circuit 100 must be discarded. Didn't get

【0008】また、エアー・ブリッジ104が押しつぶ
されることにより上記した圧力Fが薄膜積層構造106
に及ぶと、機械的強度の低い薄膜積層構造106を構成
する各薄膜が損傷されて薄膜積層構造106が破壊され
ることになり、そうした集積回路100も廃棄せざるを
得なかった。
Further, when the air bridge 104 is crushed, the above-mentioned pressure F is applied to the thin film laminated structure 106.
Then, the thin films forming the thin film laminated structure 106 having low mechanical strength are damaged and the thin film laminated structure 106 is destroyed, and such an integrated circuit 100 must be discarded.

【0009】本発明は、従来の技術の有するこのような
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、集積回路に形成された回路パターンと自
動マウンターのコレット部などのような他の部材との直
接的な接触を防止して、集積回路の実装工程などにおい
て回路パターンの保護を図り、生産工程における集積回
路の歩止まりを向上させるようにした集積回路における
回路パターンの保護構造を提供しようとするものであ
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems of the prior art, and an object thereof is a circuit pattern formed on an integrated circuit and a collet portion of an automatic mounter. The circuit pattern in the integrated circuit is designed to prevent direct contact with other members such as, to protect the circuit pattern in the mounting process of the integrated circuit and to improve the yield of the integrated circuit in the production process. It is intended to provide a protective structure of.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明による集積回路における回路パタ
ーンの保護構造は、基板表面に回路パターンを形成した
集積回路において、基板表面における回路パターンの形
成されていない部位に、回路パターンの最も高い部位の
高さよりも高い保護層を形成するようにしたものであ
る。
In order to achieve the above-mentioned object, a circuit pattern protective structure in an integrated circuit according to the present invention is a circuit pattern protection structure for an integrated circuit in which a circuit pattern is formed on a substrate surface. The protective layer having a height higher than the height of the highest portion of the circuit pattern is formed on the portion not formed.

【0011】そして、基板表面に保護層を形成する際に
は、保護層を回路パターンの周辺にリング状に形成し、
保護層により回路パターンを取り囲むようにしてもよ
い。
When the protective layer is formed on the surface of the substrate, the protective layer is formed in a ring shape around the circuit pattern,
The circuit pattern may be surrounded by the protective layer.

【0012】また、基板表面に回路パターンを形成した
集積回路において、基板表面における回路パターン上の
部位に、回路パターンの最も高い部位の高さよりも高い
保護層を形成するようにしてもよい。
Further, in an integrated circuit having a circuit pattern formed on the surface of the substrate, a protective layer higher than the height of the highest portion of the circuit pattern may be formed at a portion on the circuit pattern on the surface of the substrate.

【0013】さらに、回路パターン上の部位に保護層を
形成する際には、回路パターン上の強度の高い部位に形
成するようにしてもよい。
Further, when forming the protective layer on the portion on the circuit pattern, it may be formed on the portion having high strength on the circuit pattern.

【0014】ここで、回路パターン上の強度の高い部位
とは、エアー・ブリッジや薄膜積層構造などの機械的強
度の比較的低い部位ではなくて、例えば、厚膜により構
成された部位や基板表面に形成された金属電極部位など
の機械的強度の比較的高い部位である。
Here, the high-strength portion on the circuit pattern is not a portion having a relatively low mechanical strength such as an air bridge or a thin film laminated structure, but is, for example, a thick film portion or a substrate surface. It is a part having a relatively high mechanical strength such as a metal electrode part formed on.

【0015】このように、集積回路の基板表面に回路パ
ターンの高さよりも高い保護層を形成することにより、
例えば、自動マウンターのコレット部に集積回路が吸着
される際の接触面は保護層となり、自動マウンターのコ
レット部と回路パターンとの直接的な接触が防止され、
回路パターンを保護することができる。
As described above, by forming the protective layer higher than the height of the circuit pattern on the surface of the substrate of the integrated circuit,
For example, the contact surface when the integrated circuit is adsorbed by the collet part of the automatic mounter becomes a protective layer, preventing direct contact between the collet part of the automatic mounter and the circuit pattern,
The circuit pattern can be protected.

【0016】保護層の材料としては、絶縁材料や金属材
料を適宜選択して用いることができる。
As a material for the protective layer, an insulating material or a metal material can be appropriately selected and used.

【0017】保護層が形成される部位の材料が絶縁材料
である場合には、保護層として導電性の金属材料を用い
たとしても、保護層を設けることにより保護層が形成さ
れる部位の電気的特性に影響を及ぼす恐れがないので、
保護層の材料としては金属材料を用いることができる。
When the material of the portion where the protective layer is formed is an insulating material, even if a conductive metal material is used as the protective layer, the electric power of the portion where the protective layer is formed is provided by providing the protective layer. Since it does not affect the physical characteristics,
A metal material can be used as the material of the protective layer.

【0018】なお、保護層が形成される部位の材料が絶
縁材料である場合に、保護層の材料として絶縁材料を用
いてもよいことは勿論である。
When the material of the portion where the protective layer is formed is an insulating material, it goes without saying that an insulating material may be used as the material of the protective layer.

【0019】一方、保護層が形成される部位の材料が金
属材料などの導電性材料である場合には、保護層として
導電性の金属材料を用いると、保護層を設けることによ
り保護層が形成される部位の電気的特性に影響を及ぼす
恐れがあるので、保護層の材料としては絶縁材料を用い
るようにする。
On the other hand, when the material of the portion where the protective layer is formed is a conductive material such as a metal material, if a conductive metal material is used as the protective layer, the protective layer is formed by providing the protective layer. An insulating material is used as the material of the protective layer because it may affect the electrical characteristics of the exposed portion.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面に基づいて、本発明による集積回
路における回路パターンの保護構造を詳細に説明するも
のとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A circuit pattern protection structure in an integrated circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0021】なお、図4と同一あるいは相当する構成に
は、本発明の理解を容易にするとともに説明を簡略化す
るために、図4と同一の符号を付して示すこととする。
It should be noted that, in order to facilitate understanding of the present invention and to simplify the description, the same or corresponding components as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals as those in FIG.

【0022】図1は、本発明の第1の実施例による集積
回路における回路パターンの保護構造を実施した集積回
路の断面構造を示す説明図であり、集積回路10におい
ては、基板102の上面にエアー・ブリッジ104や薄
膜積層構造106などにより回路パターンが形成されて
いるとともに、基板102の上面に形成された回路パタ
ーン上の強度の高い部位である金属電極12上に、保護
層14が突出形成されている。
FIG. 1 is an explanatory view showing a cross-sectional structure of an integrated circuit in which a circuit pattern protection structure is implemented in the integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. A circuit pattern is formed by the air bridge 104, the thin film laminated structure 106, and the like, and a protective layer 14 is formed to project on the metal electrode 12 which is a high-strength portion of the circuit pattern formed on the upper surface of the substrate 102. Has been done.

【0023】この保護層14は、基板102の表面に形
成された回路パターンの最も高い部位の高さL1より
も、より高い高さL2まで突出するように形成されてい
る。
The protective layer 14 is formed so as to protrude to a height L2 higher than the height L1 of the highest portion of the circuit pattern formed on the surface of the substrate 102.

【0024】また、金属電極12に電気的影響を与える
ことがないようにするために、保護層14は絶縁材料に
より形成されているが、絶縁材料としては、絶縁性があ
って所定の厚さに形成できるものが好ましい。
Further, in order to prevent the metal electrode 12 from being electrically affected, the protective layer 14 is made of an insulating material. The insulating material has an insulating property and has a predetermined thickness. Those that can be formed are preferred.

【0025】以上の構成において、集積回路10の実装
工程において自動マウンターのコレット部200に集積
回路10が吸着される際には、コレット部200と保護
層14とが接触することになり、回路パターンとコレッ
ト部200とが直接的に接触することはない。
In the above structure, when the integrated circuit 10 is adsorbed by the collet part 200 of the automatic mounter in the mounting process of the integrated circuit 10, the collet part 200 and the protective layer 14 come into contact with each other, and the circuit pattern is formed. The collet portion 200 does not directly contact with the collet portion 200.

【0026】このため、回路パターンとコレット部20
0との接触に起因するエアー・ブリッジ104や薄膜積
層構造106などの回路パターンの破壊が防止されるの
で、生産工程における集積回路10の歩止まりを向上す
ることができる。
Therefore, the circuit pattern and the collet portion 20
Since the destruction of the circuit patterns such as the air bridge 104 and the thin film laminated structure 106 due to the contact with 0 can be prevented, the yield of the integrated circuit 10 in the production process can be improved.

【0027】また、図2は、本発明の第2の実施例によ
る集積回路における回路パターンの保護構造を実施した
集積回路の断面構造を示す説明図であり、集積回路20
においては、基板102の上面にエアー・ブリッジ10
4や薄膜積層構造106などにより回路パターンが形成
されているとともに、これらエアー・ブリッジ104な
らびに薄膜積層構造106上に保護層22が突出形成さ
れている。
FIG. 2 is an explanatory view showing a sectional structure of an integrated circuit in which a circuit pattern protection structure in the integrated circuit according to the second embodiment of the present invention is implemented.
, The air bridge 10 is provided on the upper surface of the substrate 102.
4, a thin film laminated structure 106 and the like form a circuit pattern, and a protective layer 22 is formed so as to project on the air bridge 104 and the thin film laminated structure 106.

【0028】なお、保護層22としては、回路パターン
に電気的影響を与えることがなく、しかも所定の厚さに
形成できて弾力性を備えていることが望ましく、例え
ば、有機系材料のポリイミドなどを用いることができ
る。
It is desirable that the protective layer 22 does not have an electrical influence on the circuit pattern and can be formed to have a predetermined thickness and has elasticity, for example, polyimide of an organic material. Can be used.

【0029】この集積回路20においては、適宜の器具
300により保護層22を把持して集積回路20の移動
などを行うことができるので、集積回路20のハンドリ
ング性を著しく向上することができる。
In this integrated circuit 20, since the protective layer 22 can be grasped and moved by an appropriate instrument 300, the handling property of the integrated circuit 20 can be remarkably improved.

【0030】器具300により保護層22を把持する際
に保護層22に加えられる圧力や衝撃は、保護層22の
弾性力によるクッション作用により保護層22に吸収さ
れるので、当該圧力や衝撃によりエアー・ブリッジ10
4や薄膜積層構造106が影響されて破壊されることが
なくなり、回路パターンの保護が図られる。このため、
生産工程における集積回路10の歩止まりを向上するこ
とができる。
The pressure and impact applied to the protective layer 22 when the instrument 300 grips the protective layer 22 is absorbed by the protective layer 22 due to the cushioning action of the elastic force of the protective layer 22, so that the pressure and the impact cause the air to flow.・ Bridge 10
4 and the thin film laminated structure 106 are not affected and destroyed, and the circuit pattern is protected. For this reason,
The yield of the integrated circuit 10 in the production process can be improved.

【0031】図3は、本発明の第3の実施例による集積
回路における回路パターンの保護構造を実施した集積回
路の概略構成を示す平面説明図であり、集積回路30に
おいては、回路パターンが形成された基板102表面に
おける回路パターンが形成されていない部位に、柱状の
保護層32とリング状の保護層34とが設けられてい
る。
FIG. 3 is a plan view showing a schematic structure of an integrated circuit in which a circuit pattern protection structure in an integrated circuit according to a third embodiment of the present invention is implemented. In the integrated circuit 30, a circuit pattern is formed. A columnar protective layer 32 and a ring-shaped protective layer 34 are provided on the surface of the formed substrate 102 where the circuit pattern is not formed.

【0032】即ち、柱状の保護層32は基板102表面
の回路パターンの間隙に配置されており、リング状の保
護層34は回路パターンを取り囲むようにして配置され
ている。
That is, the columnar protective layer 32 is disposed in the gap between the circuit patterns on the surface of the substrate 102, and the ring-shaped protective layer 34 is disposed so as to surround the circuit pattern.

【0033】これら柱状の保護層32およびリング状の
保護層34は、上記した第1の実施例および第2の実施
例における保護層14、22と同様に、絶縁材料により
基板102の表面に形成された回路パターンの最も高い
部位の高さよりも高い高さまで突出するように形成され
ている。
The columnar protective layer 32 and the ring-shaped protective layer 34 are formed on the surface of the substrate 102 by an insulating material, similarly to the protective layers 14 and 22 in the first and second embodiments described above. It is formed so as to project to a height higher than the height of the highest portion of the formed circuit pattern.

【0034】従って、この集積回路30の実装工程にお
いて自動マウンターのコレット部に集積回路30が吸着
される際には、コレット部と柱状の保護層32ならびに
リング状の保護層34とが接触することになり、回路パ
ターンとコレット部とが直接的に接触することはない。
Therefore, when the integrated circuit 30 is attracted to the collet portion of the automatic mounter in the mounting process of the integrated circuit 30, the collet portion and the columnar protective layer 32 and the ring-shaped protective layer 34 are in contact with each other. Therefore, the circuit pattern and the collet portion do not come into direct contact with each other.

【0035】このため、回路パターンとコレット部との
接触に起因する回路パターンの破壊が防止されるので、
生産工程における集積回路30の歩止まりを向上するこ
とができる。
Therefore, the circuit pattern is prevented from being broken due to the contact between the circuit pattern and the collet portion.
The yield of the integrated circuit 30 in the production process can be improved.

【0036】なお、上記した各実施例においては、回路
パターンを保護するための保護層14、22、32、3
4を絶縁材料により形成したが、例えば、基板102に
形成された絶縁膜上に保護層を形成する場合などのよう
に、回路パターンに電気的な影響を与える恐れがない場
合には、金属材料を用いて保護層を形成してもよい。
In each of the embodiments described above, the protective layers 14, 22, 32, 3 for protecting the circuit pattern are provided.
4 is formed of an insulating material, but a metal material is used when there is no risk of electrically affecting the circuit pattern, for example, when a protective layer is formed on the insulating film formed on the substrate 102. You may form a protective layer using.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、集積回路に形成された回路パターンと自動
マウンターのコレット部などのような他の部材との直接
的な接触を防することができ、集積回路の実装工程など
において回路パターンの確実な保護を図ることができ、
生産工程における集積回路の歩止まりを著しく向上させ
ることができるという優れた効果を奏する。
Since the present invention is constructed as described above, it prevents direct contact between the circuit pattern formed on the integrated circuit and other members such as the collet portion of the automatic mounter. It is possible to secure the protection of the circuit pattern in the mounting process of the integrated circuit,
It has an excellent effect that the yield of the integrated circuit in the production process can be remarkably improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による集積回路における
回路パターンの保護構造を実施した集積回路の断面構造
を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an integrated circuit in which a circuit pattern protection structure is implemented in the integrated circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例による集積回路における
回路パターンの保護構造を実施した集積回路の断面構造
を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an integrated circuit in which a circuit pattern protection structure in the integrated circuit according to the second embodiment of the present invention is implemented.

【図3】本発明の第3の実施例による集積回路における
回路パターンの保護構造を実施した集積回路の概略構成
を示す平面説明図である。
FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of an integrated circuit having a circuit pattern protection structure in the integrated circuit according to the third embodiment of the present invention.

【図4】従来のマイクロ波用の集積回路の一例の断面構
造を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an example of a conventional integrated circuit for microwaves.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20、30、100 集積回路 12 金属電極 14、22、32、34 保護層 102 基板 104 エアー・ブリッ
ジ 106 薄膜積層構造 200 コレット部 300 器具
10, 20, 30, 100 Integrated circuit 12 Metal electrode 14, 22, 32, 34 Protective layer 102 Substrate 104 Air bridge 106 Thin film laminated structure 200 Collet part 300 Instrument

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板表面に回路パターンを形成した集積
回路において、 前記基板表面における前記回路パターンの形成されてい
ない部位に、前記回路パターンの最も高い部位の高さよ
りも高い保護層を形成したことを特徴とする集積回路に
おける回路パターンの保護構造。
1. An integrated circuit having a circuit pattern formed on a substrate surface, wherein a protective layer having a height higher than a height of the highest portion of the circuit pattern is formed on a portion of the substrate surface where the circuit pattern is not formed. A protection structure for a circuit pattern in an integrated circuit characterized by the above.
【請求項2】 前記保護層は前記回路パターンの周辺に
リング状に形成され、前記保護層が前記回路パターンを
取り囲む請求項1記載の集積回路における回路パターン
の保護構造。
2. The protection structure for a circuit pattern in an integrated circuit according to claim 1, wherein the protection layer is formed in a ring shape around the circuit pattern, and the protection layer surrounds the circuit pattern.
【請求項3】 基板表面に回路パターンを形成した集積
回路において、 前記基板表面における前記回路パターン上の部位に、前
記回路パターンの最も高い部位の高さよりも高い保護層
を形成したことを特徴とする集積回路における回路パタ
ーンの保護構造。
3. An integrated circuit having a circuit pattern formed on a surface of a substrate, wherein a protective layer having a height higher than a height of the highest portion of the circuit pattern is formed on a portion of the substrate surface on the circuit pattern. Circuit pattern protection structure for integrated circuits.
【請求項4】 基板表面に回路パターンを形成した集積
回路において、 前記基板表面における前記回路パターン上の強度の高い
部位に、前記回路パターンの最も高い部位の高さよりも
高い保護層を形成したことを特徴とする集積回路におけ
る回路パターンの保護構造。
4. An integrated circuit having a circuit pattern formed on a substrate surface, wherein a protective layer having a height higher than a height of the highest portion of the circuit pattern is formed on a portion of the substrate surface having a high strength on the circuit pattern. A protection structure for a circuit pattern in an integrated circuit characterized by the above.
【請求項5】 前記保護層は絶縁材料よりなる請求項
1、2、3または4のいずれか1項に記載の集積回路に
おける回路パターンの保護構造。
5. The protective structure for a circuit pattern in an integrated circuit according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the protective layer is made of an insulating material.
【請求項6】 前記保護層は金属材料よりなる請求項
1、2、3または4のいずれか1項に記載の集積回路に
おける回路パターンの保護構造。
6. The protection structure for a circuit pattern in an integrated circuit according to claim 1, wherein the protection layer is made of a metal material.
JP12893295A 1995-04-28 1995-04-28 Protective structure of circuit pattern in integrated circuit Pending JPH08306857A (en)

Priority Applications (1)

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JP12893295A JPH08306857A (en) 1995-04-28 1995-04-28 Protective structure of circuit pattern in integrated circuit

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JP12893295A JPH08306857A (en) 1995-04-28 1995-04-28 Protective structure of circuit pattern in integrated circuit

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JPH08306857A true JPH08306857A (en) 1996-11-22

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