JPH08287465A - 相変化型光ディスク用記録方法 - Google Patents
相変化型光ディスク用記録方法Info
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- JPH08287465A JPH08287465A JP7087295A JP8729595A JPH08287465A JP H08287465 A JPH08287465 A JP H08287465A JP 7087295 A JP7087295 A JP 7087295A JP 8729595 A JP8729595 A JP 8729595A JP H08287465 A JPH08287465 A JP H08287465A
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- Japan
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- pulse
- phase
- recording
- recording mark
- cooling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種要因によって生ずることがある記録マー
クのエッジシフトを適正に補正して、記録マーク間隔の
ジッタを抑制できるようにすること。 【構成】 書込対象となる記録マーク長Ｍ１に基づいて
その先頭加熱パルスＡ直後の先頭冷却パルスＣF の前エ
ッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するよ
うにした。
クのエッジシフトを適正に補正して、記録マーク間隔の
ジッタを抑制できるようにすること。 【構成】 書込対象となる記録マーク長Ｍ１に基づいて
その先頭加熱パルスＡ直後の先頭冷却パルスＣF の前エ
ッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するよ
うにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相変化型光ディスク用
記録方法に関する。
記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い、音楽用の
ＣＤ（コンパクトティスク）やＣＤ−ＲＯＭなどの再生
専用メディアや情報再生装置が実用化されている。最近
では、色素メディアを用いた追記型光ディスクや光磁気
メディアを用いた書換え可能なＭＯディスクの他に、相
変化型光ディスクも注目されている。この相変化型光デ
ィスクは記録材料を結晶相とアモルファス相とで可逆的
に相変化させて情報を記録するものである。この際、Ｍ
Ｏメディアなどと異なり、外部磁界を必要とせず、レー
ザ光だけで記録・再生を行うことができ、かつ、情報の
記録と消去とをレーザ光の照射により一度に行えるオー
バライト記録も可能であるという特徴を持つ。
ＣＤ（コンパクトティスク）やＣＤ−ＲＯＭなどの再生
専用メディアや情報再生装置が実用化されている。最近
では、色素メディアを用いた追記型光ディスクや光磁気
メディアを用いた書換え可能なＭＯディスクの他に、相
変化型光ディスクも注目されている。この相変化型光デ
ィスクは記録材料を結晶相とアモルファス相とで可逆的
に相変化させて情報を記録するものである。この際、Ｍ
Ｏメディアなどと異なり、外部磁界を必要とせず、レー
ザ光だけで記録・再生を行うことができ、かつ、情報の
記録と消去とをレーザ光の照射により一度に行えるオー
バライト記録も可能であるという特徴を持つ。
【０００３】ところで、相変化型光ディスクにおける一
般的な記録波形としては、図１６に示すような単パルス
発光波形によりレーザ光源を駆動させることにより、記
録マークを形成することで記録する単パルス記録方式が
ある。しかし、このような記録方式では、蓄熱した熱の
ために記録マークに図１６中に示すような涙状の歪を生
じたり、冷却速度が不足してアモルファス相（記録マー
クはアモルファス相により形成される）の形成が不十分
となって、アモルファス相による低反射が得られない、
といった問題がある。これは、記録層の状態が到達温度
と冷却速度とに依存して決定されるヒートモードにより
記録が行われるため、記録過程で熱的な非線形歪みが発
生しやすい性質を持つからである。
般的な記録波形としては、図１６に示すような単パルス
発光波形によりレーザ光源を駆動させることにより、記
録マークを形成することで記録する単パルス記録方式が
ある。しかし、このような記録方式では、蓄熱した熱の
ために記録マークに図１６中に示すような涙状の歪を生
じたり、冷却速度が不足してアモルファス相（記録マー
クはアモルファス相により形成される）の形成が不十分
となって、アモルファス相による低反射が得られない、
といった問題がある。これは、記録層の状態が到達温度
と冷却速度とに依存して決定されるヒートモードにより
記録が行われるため、記録過程で熱的な非線形歪みが発
生しやすい性質を持つからである。
【０００４】このようなことから、実際には、図１７に
示すように、多段の記録パワーを用いたマルチパルス記
録方式により記録マークを形成することで記録するよう
にしている。このような記録方式は、例えば、テレビジ
ョン学会技術報告（1993年12月16日）（ITE Technical
Report Vol.17.No.79.PP.7〜12 VIR'93-83）の「相変化
ディスク用 高速記録レート・高密度記録方式の検討」
（文献１）中で発表されている。
示すように、多段の記録パワーを用いたマルチパルス記
録方式により記録マークを形成することで記録するよう
にしている。このような記録方式は、例えば、テレビジ
ョン学会技術報告（1993年12月16日）（ITE Technical
Report Vol.17.No.79.PP.7〜12 VIR'93-83）の「相変化
ディスク用 高速記録レート・高密度記録方式の検討」
（文献１）中で発表されている。
【０００５】ここに、マルチパルス記録方式にあって
は、先頭加熱パルスＡと、後続の連続加熱パルスＢと、
これらのパルス間に位置する連続冷却パルスＣとによ
り、記録マークを形成するように、マルチパルス発光波
形が構成されている。また、各々のパルスの記録発光パ
ワーは、ＰWB≧ＰWA＞ＰWC≒ＰR （＝再生パワー）に設
定されている。即ち、マルチパルス波形は強度変調され
た波形とされている。また、記録マーク間に位置するス
ペース部用にイレースパルスＤが用意されており、その
消去発光パワーＰEDは、ＰWA＜ＰED＜ＰWCに設定されて
いる。このようなマルチパルス発光波形に基づきレーザ
光源を制御して駆動させることにより、記録マークとス
ペースとの間に十分な反射率差を持たせることができ
る。
は、先頭加熱パルスＡと、後続の連続加熱パルスＢと、
これらのパルス間に位置する連続冷却パルスＣとによ
り、記録マークを形成するように、マルチパルス発光波
形が構成されている。また、各々のパルスの記録発光パ
ワーは、ＰWB≧ＰWA＞ＰWC≒ＰR （＝再生パワー）に設
定されている。即ち、マルチパルス波形は強度変調され
た波形とされている。また、記録マーク間に位置するス
ペース部用にイレースパルスＤが用意されており、その
消去発光パワーＰEDは、ＰWA＜ＰED＜ＰWCに設定されて
いる。このようなマルチパルス発光波形に基づきレーザ
光源を制御して駆動させることにより、記録マークとス
ペースとの間に十分な反射率差を持たせることができ
る。
【０００６】一方、情報の記録方式としては、マークポ
ジション記録方式（ＰＰＭ＝パルス位置変調方式）と、
長さが情報を担う形態で記録マークを形成するマークエ
ッジ記録方式（ＰＷＭ＝パルス幅変調方式）とがある
が、最近では、一層の高密度化に対応できるマークエッ
ジ記録方式が用いられる傾向にある。このマークエッジ
記録方式の場合、記録マークの前エッジと後エッジとが
各々符号語ビットに対応するため、エッジ位置に正確さ
が要求される。しかし、現実には、相変化型光ディスク
にマークエッジ記録方式により記録を行うと、前述した
ような涙状の歪みの他に、記録マーク長に応じて加熱＋
冷却条件が異なるため、記録マークの前エッジ或いは後
エッジにエッジシフトを生ずることが知られている。
ジション記録方式（ＰＰＭ＝パルス位置変調方式）と、
長さが情報を担う形態で記録マークを形成するマークエ
ッジ記録方式（ＰＷＭ＝パルス幅変調方式）とがある
が、最近では、一層の高密度化に対応できるマークエッ
ジ記録方式が用いられる傾向にある。このマークエッジ
記録方式の場合、記録マークの前エッジと後エッジとが
各々符号語ビットに対応するため、エッジ位置に正確さ
が要求される。しかし、現実には、相変化型光ディスク
にマークエッジ記録方式により記録を行うと、前述した
ような涙状の歪みの他に、記録マーク長に応じて加熱＋
冷却条件が異なるため、記録マークの前エッジ或いは後
エッジにエッジシフトを生ずることが知られている。
【０００７】このようなエッジシフトに対する対策とし
て、例えば、特公平６−６４７４１号公報によれば、直
前のパルスとの間隔、即ち、記録マークの直前のスペー
ス長に応じて、記録パルスの前エッジタイミングを変化
させることにより、記録パルスの幅を変化させて補正す
るようにしたものがある。また、前述した文献１によれ
ば、相変化型光ディスクに記録する際に、エッジシフト
を生じやすい２Ｔマーク／スペースといった特定の記録
パターンで発生するエッジシフトを補正するために、特
定の記録パターンが検出された場合には、ディレイライ
ンの設定値をリアルタイムで切り換えることにより、記
録パルスの前エッジタイミングと後エッジタイミングと
を微調整するようにしたものがある。これらの補正方式
を要約して、マルチパルス記録方式で考えると、図１８
に示すように、先頭加熱パルスＡの前エッジタイミング
又は最終加熱パルスＢL の後エッジタイミングを補正す
る手法といえる。
て、例えば、特公平６−６４７４１号公報によれば、直
前のパルスとの間隔、即ち、記録マークの直前のスペー
ス長に応じて、記録パルスの前エッジタイミングを変化
させることにより、記録パルスの幅を変化させて補正す
るようにしたものがある。また、前述した文献１によれ
ば、相変化型光ディスクに記録する際に、エッジシフト
を生じやすい２Ｔマーク／スペースといった特定の記録
パターンで発生するエッジシフトを補正するために、特
定の記録パターンが検出された場合には、ディレイライ
ンの設定値をリアルタイムで切り換えることにより、記
録パルスの前エッジタイミングと後エッジタイミングと
を微調整するようにしたものがある。これらの補正方式
を要約して、マルチパルス記録方式で考えると、図１８
に示すように、先頭加熱パルスＡの前エッジタイミング
又は最終加熱パルスＢL の後エッジタイミングを補正す
る手法といえる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、相変化型光
ディスクにおいて、記録マーク＝アモルファス相は急冷
（加熱→冷却）により形成されるので、図１８に示すよ
うな加熱パルス幅の補正では急冷条件が満足されないた
め、補正精度があまりよくなく、記録マーク間の間隔の
ジッタが大きい現状にある。これは、図１９に示すよう
に、加熱パルスの補正量（前後エッジ補正量）と形成さ
れる記録マークのエッジシフト変化量との関係におい
て、補正量に対してエッジシフト変化量が非常に少ない
ため、補正量の設定が困難であり、適正に補正できない
ためと考えられる。
ディスクにおいて、記録マーク＝アモルファス相は急冷
（加熱→冷却）により形成されるので、図１８に示すよ
うな加熱パルス幅の補正では急冷条件が満足されないた
め、補正精度があまりよくなく、記録マーク間の間隔の
ジッタが大きい現状にある。これは、図１９に示すよう
に、加熱パルスの補正量（前後エッジ補正量）と形成さ
れる記録マークのエッジシフト変化量との関係におい
て、補正量に対してエッジシフト変化量が非常に少ない
ため、補正量の設定が困難であり、適正に補正できない
ためと考えられる。
【０００９】また、記録マークのエッジシフトは他の要
因によっても発生するので、加熱パルス幅の補正方式で
は不十分である。このエッジシフトの要因は、記録マー
クの前後のスペース長に依存した隣接記録マークとの熱
的干渉によるエッジシフトである。即ち、この熱的干渉
は書込対象となる記録マークの前エッジ及び後エッジ
が、その記録マークの直前及び直後の記録マークの加熱
の影響を受けるためである。熱的干渉の程度は、書込対
象となる記録マークの直前及び直後のスペース長によっ
て異なり、そのスペース長が長いほど影響は小さく、ス
ペース長が短いほど影響が大きくなり、記録マークが長
くなる方向にエッジシフトを生ずる。このような要因の
エッジシフトの場合も、前述したような加熱パルス幅の
補正方式では、その補正量に対するエッジシフト変化量
が少な過ぎるため、補正量の設定が困難であり、適正に
補正できない。
因によっても発生するので、加熱パルス幅の補正方式で
は不十分である。このエッジシフトの要因は、記録マー
クの前後のスペース長に依存した隣接記録マークとの熱
的干渉によるエッジシフトである。即ち、この熱的干渉
は書込対象となる記録マークの前エッジ及び後エッジ
が、その記録マークの直前及び直後の記録マークの加熱
の影響を受けるためである。熱的干渉の程度は、書込対
象となる記録マークの直前及び直後のスペース長によっ
て異なり、そのスペース長が長いほど影響は小さく、ス
ペース長が短いほど影響が大きくなり、記録マークが長
くなる方向にエッジシフトを生ずる。このような要因の
エッジシフトの場合も、前述したような加熱パルス幅の
補正方式では、その補正量に対するエッジシフト変化量
が少な過ぎるため、補正量の設定が困難であり、適正に
補正できない。
【００１０】さらに、マークエッジ記録方式は高密度化
に適しているが、高密度化が進むと、熱干渉によるエッ
ジシフトの他に、直前の記録マーク長に依存した直前の
記録マークの蓄熱によるエッジシフトも存在する。これ
は、直前の記録マーク長に応じて蓄熱された熱量が異な
るため、記録すべき記録マークの前エッジがその熱量の
影響を受けてエッジシフトを生ずるためである。蓄熱の
程度は、直前の記録マーク長により異なり、その記録マ
ーク長が短いほど影響は小さく、長いほど影響が大きく
なり、記録マークが長くなる方向にエッジシフトを生ず
る。このようなエッジシフト成分を補正するためには、
記録すべき記録マーク長とその直前のスペース長とその
直前の記録マーク長との組合せに応じて、記録パルス＝
加熱パルスを補正すればよい。しかし、このような加熱
パルス幅の補正方式では、その補正量に対するエッジシ
フト変化量が少な過ぎるため、補正量の設定が困難であ
り、適正に補正できない。
に適しているが、高密度化が進むと、熱干渉によるエッ
ジシフトの他に、直前の記録マーク長に依存した直前の
記録マークの蓄熱によるエッジシフトも存在する。これ
は、直前の記録マーク長に応じて蓄熱された熱量が異な
るため、記録すべき記録マークの前エッジがその熱量の
影響を受けてエッジシフトを生ずるためである。蓄熱の
程度は、直前の記録マーク長により異なり、その記録マ
ーク長が短いほど影響は小さく、長いほど影響が大きく
なり、記録マークが長くなる方向にエッジシフトを生ず
る。このようなエッジシフト成分を補正するためには、
記録すべき記録マーク長とその直前のスペース長とその
直前の記録マーク長との組合せに応じて、記録パルス＝
加熱パルスを補正すればよい。しかし、このような加熱
パルス幅の補正方式では、その補正量に対するエッジシ
フト変化量が少な過ぎるため、補正量の設定が困難であ
り、適正に補正できない。
【００１１】そこで、本発明は、各種要因によって生ず
ることがある記録マークのエッジシフトを適正に補正し
て、記録マーク間隔のジッタを抑制することができる相
変化型光ディスク用記録方法を提供すること目的とす
る。
ることがある記録マークのエッジシフトを適正に補正し
て、記録マーク間隔のジッタを抑制することができる相
変化型光ディスク用記録方法を提供すること目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の相
変化型光ディスク用記録方法は、結晶相とアモルファス
相とで可逆的に相変化する記録層を有する相変化型光デ
ィスクに対して、先頭加熱パルスと後続の連続加熱パル
スとこれらのパルス間に位置する連続冷却パルスとから
なる強度変調されたマルチパルスレーザ光を照射して、
長さが情報を担う記録マークを形成することにより情報
を記録するようにした相変化型光ディクスク用記録方法
において、書込対象となる記録マーク長に基づいてその
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
変化型光ディスク用記録方法は、結晶相とアモルファス
相とで可逆的に相変化する記録層を有する相変化型光デ
ィスクに対して、先頭加熱パルスと後続の連続加熱パル
スとこれらのパルス間に位置する連続冷却パルスとから
なる強度変調されたマルチパルスレーザ光を照射して、
長さが情報を担う記録マークを形成することにより情報
を記録するようにした相変化型光ディクスク用記録方法
において、書込対象となる記録マーク長に基づいてその
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
【００１３】請求項２記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長に基づいてその最終加熱パルス直後の最終冷却パル
スの後エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補
正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長に基づいてその最終加熱パルス直後の最終冷却パル
スの後エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補
正するようにした。
【００１４】請求項３記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長に基づいて、その先頭加熱パルス直後の先頭冷却パ
ルスの前エッジタイミングを変化させるとともに、その
最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミ
ングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補
正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長に基づいて、その先頭加熱パルス直後の先頭冷却パ
ルスの前エッジタイミングを変化させるとともに、その
最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミ
ングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補
正するようにした。
【００１５】請求項４記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直前のスペース長に基づいて先頭加熱パルス直後の
先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先頭
冷却時間を補正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直前のスペース長に基づいて先頭加熱パルス直後の
先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先頭
冷却時間を補正するようにした。
【００１６】請求項５記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直後のスペース長に基づいて最終加熱パルス直後の
最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最終
冷却時間を補正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直後のスペース長に基づいて最終加熱パルス直後の
最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最終
冷却時間を補正するようにした。
【００１７】請求項６記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直前のスペース長に基づいて先頭加熱パルス直後の
先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させるとと
もに、書込対象となる記録マークの直後のスペース長に
基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッ
ジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却
時間を補正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
クの直前のスペース長に基づいて先頭加熱パルス直後の
先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させるとと
もに、書込対象となる記録マークの直後のスペース長に
基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッ
ジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却
時間を補正するようにした。
【００１８】請求項７記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直前のスペース長に基づいて
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直前のスペース長に基づいて
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
【００１９】請求項８記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づいて
最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミ
ングを変化させて最終冷却時間を補正するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づいて
最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミ
ングを変化させて最終冷却時間を補正するようにした。
【００２０】請求項９記載の発明の相変化型光ディスク
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直前のスペース長に基づいて
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させるとともに、書込対象となる記録マーク
長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づいて最
終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミン
グを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正
するようにした。
用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型光
ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マー
ク長及びこの記録マークの直前のスペース長に基づいて
先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミ
ングを変化させるとともに、書込対象となる記録マーク
長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づいて最
終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミン
グを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正
するようにした。
【００２１】請求項１０記載の発明の相変化型光ディス
ク用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型
光ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マ
ーク長、この記録マークの直前のスペース長、及び、こ
のスペースの直前の記録マーク長に基づいてその先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
ク用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型
光ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マ
ーク長、この記録マークの直前のスペース長、及び、こ
のスペースの直前の記録マーク長に基づいてその先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させて先頭冷却時間を補正するようにした。
【００２２】請求項１１記載の発明の相変化型光ディス
ク用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型
光ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マ
ーク長、この記録マークの直前のスペース長、及び、こ
のスペースの直前の記録マーク長に基づいてその先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させるとともに、書込対象となる記録マーク長及び
この記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加熱
パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変
化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正するよ
うにした。
ク用記録方法は、請求項１記載の発明と同様な相変化型
光ディスク用記録方法において、書込対象となる記録マ
ーク長、この記録マークの直前のスペース長、及び、こ
のスペースの直前の記録マーク長に基づいてその先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させるとともに、書込対象となる記録マーク長及び
この記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加熱
パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変
化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正するよ
うにした。
【００２３】請求項１２記載の発明は、請求項１，２，
３，４，５，６，７，８，９，１０又は１１記載の相変
化型光ディスク用記録方法であって、記録用の連続加熱
パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信号周波数と
同一の基準クロックと、この基準クロックに対して整数
倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミングを変化
させる補正量の最小単位を、この整数倍クロックによる
パルス幅に設定した。
３，４，５，６，７，８，９，１０又は１１記載の相変
化型光ディスク用記録方法であって、記録用の連続加熱
パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信号周波数と
同一の基準クロックと、この基準クロックに対して整数
倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミングを変化
させる補正量の最小単位を、この整数倍クロックによる
パルス幅に設定した。
【００２４】請求項１３記載の発明は、請求項１，２，
３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２記載
の相変化型光ディスク用記録方法であって、記録層がＡ
ｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光ディス
クを対象とした。
３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２記載
の相変化型光ディスク用記録方法であって、記録層がＡ
ｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光ディス
クを対象とした。
【００２５】
【作用】請求項１記載の発明においては、書込対象とな
る記録マーク長に基づいてその先頭加熱パルス直後の先
頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先頭冷
却時間を補正するので、急冷条件を満たすことにより、
記録マークの前エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
る記録マーク長に基づいてその先頭加熱パルス直後の先
頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先頭冷
却時間を補正するので、急冷条件を満たすことにより、
記録マークの前エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００２６】請求項２記載の発明においては、書込対象
となる記録マーク長に基づいてその最終加熱パルス直後
の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最
終冷却時間を補正するので、急冷条件を満たすことによ
り、記録マークの後エッジシフトが低減するように適正
に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マーク長に基づいてその最終加熱パルス直後
の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最
終冷却時間を補正するので、急冷条件を満たすことによ
り、記録マークの後エッジシフトが低減するように適正
に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００２７】請求項３記載の発明においては、書込対象
となる記録マーク長に基づいて、その先頭加熱パルス直
後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させる
とともに、その最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの
後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最
終冷却時間を補正するので、急冷条件を満たすことによ
り、記録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトが
低減するように適正に補正でき、スペース間隔のジッタ
が悪化することなく、記録マーク間隔のジッタが低減す
る。
となる記録マーク長に基づいて、その先頭加熱パルス直
後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させる
とともに、その最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの
後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最
終冷却時間を補正するので、急冷条件を満たすことによ
り、記録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトが
低減するように適正に補正でき、スペース間隔のジッタ
が悪化することなく、記録マーク間隔のジッタが低減す
る。
【００２８】請求項４記載の発明においては、書込対象
となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させて先頭冷却時間を補正するので、直前のスペー
ス長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マ
ークの前エッジシフトに対する冷却条件を満たすことに
なり、記録マークの前エッジシフトが低減するように適
正に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させて先頭冷却時間を補正するので、直前のスペー
ス長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マ
ークの前エッジシフトに対する冷却条件を満たすことに
なり、記録マークの前エッジシフトが低減するように適
正に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００２９】請求項５記載の発明においては、書込対象
となる記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加
熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを
変化させて最終冷却時間を補正するので、直後のスペー
ス長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マ
ークの後エッジシフトに対する冷却条件を満たすことに
なり、記録マークの後エッジシフトが低減するように適
正に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加
熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを
変化させて最終冷却時間を補正するので、直後のスペー
ス長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マ
ークの後エッジシフトに対する冷却条件を満たすことに
なり、記録マークの後エッジシフトが低減するように適
正に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００３０】請求項６記載の発明においては、書込対象
となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させるとともに、書込対象となる記録マークの直後
のスペース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却
パルスの後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時
間及び最終冷却時間を補正するので、直前及び直後のス
ペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記
録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトに対する
冷却条件を満たすことになり、記録マークの前エッジシ
フト及び後エッジシフトが低減するように適正に補正で
き、スペース間隔のジッタが悪化することなく、記録マ
ーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加
熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを
変化させるとともに、書込対象となる記録マークの直後
のスペース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却
パルスの後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時
間及び最終冷却時間を補正するので、直前及び直後のス
ペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記
録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトに対する
冷却条件を満たすことになり、記録マークの前エッジシ
フト及び後エッジシフトが低減するように適正に補正で
き、スペース間隔のジッタが悪化することなく、記録マ
ーク間隔のジッタが低減する。
【００３１】請求項７記載の発明においては、書込対象
となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペー
ス長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの
前エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正す
るので、記録マーク長及び直前のスペース長に依存した
記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの前エッジ
シフトに対する冷却条件を満たすことになり、記録マー
クの前エッジシフトが低減するように適正に補正でき、
記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペー
ス長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの
前エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正す
るので、記録マーク長及び直前のスペース長に依存した
記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの前エッジ
シフトに対する冷却条件を満たすことになり、記録マー
クの前エッジシフトが低減するように適正に補正でき、
記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００３２】請求項８記載の発明においては、書込対象
となる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペー
ス長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの
後エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補正す
るので、記録マーク長及び直後のスペース長に依存した
記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの後エッジ
シフトに対する冷却条件を満たすことになり、記録マー
クの後エッジシフトが低減するように適正に補正でき、
記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペー
ス長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの
後エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補正す
るので、記録マーク長及び直後のスペース長に依存した
記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの後エッジ
シフトに対する冷却条件を満たすことになり、記録マー
クの後エッジシフトが低減するように適正に補正でき、
記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００３３】請求項９記載の発明においては、書込対象
となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペー
ス長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの
前エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象と
なる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース
長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終
冷却時間を補正するので、記録マーク長並びに直前及び
直後のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉
による記録マークの前エッジシフト及び後エッジシフト
に対する冷却条件を満たすことになり、記録マークの前
エッジシフト及び後エッジシフトが低減するように適正
に補正でき、スペース間隔のジッタが悪化することな
く、記録マーク間隔のジッタが低減する。
となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペー
ス長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの
前エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象と
なる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース
長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終
冷却時間を補正するので、記録マーク長並びに直前及び
直後のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉
による記録マークの前エッジシフト及び後エッジシフト
に対する冷却条件を満たすことになり、記録マークの前
エッジシフト及び後エッジシフトが低減するように適正
に補正でき、スペース間隔のジッタが悪化することな
く、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００３４】請求項１０記載の発明においては、書込対
象となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペー
ス長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づ
いてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッ
ジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するの
で、直前の記録マーク長に依存した蓄熱による記録マー
クの前エッジシフト、直前のスペース長に依存した記録
マークの前エッジシフト、及び、記録マーク長に依存し
た熱干渉による前エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことになり、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように高精度に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低
減する。
象となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペー
ス長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づ
いてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッ
ジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するの
で、直前の記録マーク長に依存した蓄熱による記録マー
クの前エッジシフト、直前のスペース長に依存した記録
マークの前エッジシフト、及び、記録マーク長に依存し
た熱干渉による前エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことになり、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように高精度に補正でき、記録マーク間隔のジッタが低
減する。
【００３５】請求項１１記載の発明においては、書込対
象となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペー
ス長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づ
いてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッ
ジタイミングを変化させるとともに、書込対象となる記
録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基
づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジ
タイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時
間を補正するので、殆ど全ての要因による記録マークの
エッジシフトに対する冷却条件を満たすことになり、記
録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトが低減す
るように高精度に補正でき、スペース間隔のジッタが悪
化することなく、記録マーク間隔のジッタが低減する。
象となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペー
ス長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づ
いてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッ
ジタイミングを変化させるとともに、書込対象となる記
録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基
づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジ
タイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時
間を補正するので、殆ど全ての要因による記録マークの
エッジシフトに対する冷却条件を満たすことになり、記
録マークの前エッジシフト及び後エッジシフトが低減す
るように高精度に補正でき、スペース間隔のジッタが悪
化することなく、記録マーク間隔のジッタが低減する。
【００３６】請求項１２記載の発明においては、記録用
の連続加熱パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信
号周波数と同一の基準クロックと、この基準クロックに
対して整数倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミ
ングを変化させる補正量の最小単位を、この整数倍クロ
ックによるパルス幅に設定しているので、エッジタイミ
ングの補正を含めて全てロジック回路で実現できること
になり、低コストで小規模な補正回路で済む。
の連続加熱パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信
号周波数と同一の基準クロックと、この基準クロックに
対して整数倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミ
ングを変化させる補正量の最小単位を、この整数倍クロ
ックによるパルス幅に設定しているので、エッジタイミ
ングの補正を含めて全てロジック回路で実現できること
になり、低コストで小規模な補正回路で済む。
【００３７】請求項１３記載の発明においては、記録層
がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光デ
ィスクを対象としているので、熱干渉や蓄熱作用による
エッジシフトに対して記録層の特性に合った正確な補正
が行える。
がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光デ
ィスクを対象としているので、熱干渉や蓄熱作用による
エッジシフトに対して記録層の特性に合った正確な補正
が行える。
【００３８】
【実施例】請求項１及び１３記載の発明の一実施例を図
１及び図２に基づいて説明する。本実施例は、ＣＤ−Ｒ
ＯＭフォーマットのコードデータを相変化型光ディスク
を用いて記録（オーバライト）する記録方式に適用した
ものであり、データ変調方式としては、例えば、ＥＦＭ
（Eight Fourteen Modulation） 変調コードを用いて、
マークエッシ記録方式で記録するものとする。よって、
実際の記録に当ってはこのような記録データを用いてレ
ーザダイオードを図１７で説明したようなマルチパルス
発光波形に従い発光させて記録マーク＝アモルファス相
を形成することにより、情報の記録を行うことになる。
１及び図２に基づいて説明する。本実施例は、ＣＤ−Ｒ
ＯＭフォーマットのコードデータを相変化型光ディスク
を用いて記録（オーバライト）する記録方式に適用した
ものであり、データ変調方式としては、例えば、ＥＦＭ
（Eight Fourteen Modulation） 変調コードを用いて、
マークエッシ記録方式で記録するものとする。よって、
実際の記録に当ってはこのような記録データを用いてレ
ーザダイオードを図１７で説明したようなマルチパルス
発光波形に従い発光させて記録マーク＝アモルファス相
を形成することにより、情報の記録を行うことになる。
【００３９】まず、図１（ｂ）は記録マーク長Ｍ１の記
録マークを形成しようする場合の補正前のマルチパルス
発光波形を示す。そこで、補正のない場合の記録マーク
の前エッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録す
べき書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応
じて、図１（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直
後の先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミングを変化さ
せる。これにより、先頭冷却時間を補正するようにした
ものである。本実施例では、書込対象となる記録マーク
の前エッジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト
量と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣ
F の前エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正
している。
録マークを形成しようする場合の補正前のマルチパルス
発光波形を示す。そこで、補正のない場合の記録マーク
の前エッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録す
べき書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応
じて、図１（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直
後の先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミングを変化さ
せる。これにより、先頭冷却時間を補正するようにした
ものである。本実施例では、書込対象となる記録マーク
の前エッジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト
量と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣ
F の前エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正
している。
【００４０】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの前エッジシフトを低
減させることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの前エッジシフトを低
減させることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。
【００４１】特に、本実施例の記録方法は、記録マーク
の前エッジシフトが顕著に発生する記録層構成や記録波
形を対象とする場合に効果的である。この点について、
図２を参照して説明する。一般に、相変化型光ディスク
の記録層の記録材料としては、ＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＴ
ｅＳｂＳ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＧｅＴｅＳｎ系、Ｓ
ｂＳｅ系、ＳｂＳｅＴｅ系、ＳｎＳｅＴｅ系、ＧａＳｅ
Ｔｅ系、ＧａＳｅＴｅＧｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｅ
系、ＩｎＳｅＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などがある。
このような記録材料による記録層を備えた相変化型光デ
ィスクにデータの記録を行うとき、先頭冷却パルスＣF
の前エッジタイミングを変化させてそのパルス幅（＝先
頭冷却時間）を標準値から変化させて記録を行うと、図
２に示すように、パルス幅の変化量（＝時間の変化量）
に対して記録パルスのエッジシフト変化量がほぼ直線的
な関係として現れる傾向にある。特に、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系の記録材料を用いた場合には顕著に現れる。このよ
うな傾向は、後述する実施例のように、最終冷却パルス
ＣL の後エッジタイミングを変化させてそのパルス幅
（＝最終冷却時間）を標準値から変化させて記録する場
合も同様である。これは、このような記録層が先頭冷却
パルスＣF の前エッジタイミング及び最終冷却パルスＣ
L の後エッジタイミングに対して、形成される記録マー
クのエッジが正確に対応しているからである、と考えら
れる。従って、後述する実施例のように、熱干渉や蓄熱
作用によるエッジシフトに対して正確に補正できるの
で、効果的となる。
の前エッジシフトが顕著に発生する記録層構成や記録波
形を対象とする場合に効果的である。この点について、
図２を参照して説明する。一般に、相変化型光ディスク
の記録層の記録材料としては、ＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＴ
ｅＳｂＳ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＧｅＴｅＳｎ系、Ｓ
ｂＳｅ系、ＳｂＳｅＴｅ系、ＳｎＳｅＴｅ系、ＧａＳｅ
Ｔｅ系、ＧａＳｅＴｅＧｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｅ
系、ＩｎＳｅＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などがある。
このような記録材料による記録層を備えた相変化型光デ
ィスクにデータの記録を行うとき、先頭冷却パルスＣF
の前エッジタイミングを変化させてそのパルス幅（＝先
頭冷却時間）を標準値から変化させて記録を行うと、図
２に示すように、パルス幅の変化量（＝時間の変化量）
に対して記録パルスのエッジシフト変化量がほぼ直線的
な関係として現れる傾向にある。特に、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系の記録材料を用いた場合には顕著に現れる。このよ
うな傾向は、後述する実施例のように、最終冷却パルス
ＣL の後エッジタイミングを変化させてそのパルス幅
（＝最終冷却時間）を標準値から変化させて記録する場
合も同様である。これは、このような記録層が先頭冷却
パルスＣF の前エッジタイミング及び最終冷却パルスＣ
L の後エッジタイミングに対して、形成される記録マー
クのエッジが正確に対応しているからである、と考えら
れる。従って、後述する実施例のように、熱干渉や蓄熱
作用によるエッジシフトに対して正確に補正できるの
で、効果的となる。
【００４２】なお、補正すべき記録マーク長Ｍ１及び補
正量は、変調コードや記録密度などにより異なるので、
要は、再生信号の許容ジッタを満足するように設定すれ
ばよい。従って、許容ジッタのマージンが厳しい場合に
は全記録マーク長或いは複数の記録マーク長に対する最
小補正量を小さく設定して高精度に補正するようにすれ
ばよい。また、補正した先頭冷却パルスＣF を多段で精
度よく発生させる手段としては、マルチタップのディレ
イラインや複数のモノマルチバイブレータなどの遅延回
路を設けて、記録マーク長に応じてリアルタイムに切り
換えるように構成すればよい（以下の各実施例でも同様
である）。
正量は、変調コードや記録密度などにより異なるので、
要は、再生信号の許容ジッタを満足するように設定すれ
ばよい。従って、許容ジッタのマージンが厳しい場合に
は全記録マーク長或いは複数の記録マーク長に対する最
小補正量を小さく設定して高精度に補正するようにすれ
ばよい。また、補正した先頭冷却パルスＣF を多段で精
度よく発生させる手段としては、マルチタップのディレ
イラインや複数のモノマルチバイブレータなどの遅延回
路を設けて、記録マーク長に応じてリアルタイムに切り
換えるように構成すればよい（以下の各実施例でも同様
である）。
【００４３】また、本実施例では、ＣＤ−ＲＯＭフォー
マットのＥＦＭ変調によるコードデータを記録する例で
説明したが、他のフォーマットや他の変調コードに従い
記録する場合にも同様に適用できる（以下の各実施例で
も、同様に適用できる）。さらに、本実施例では、先頭
加熱パルスＡのパルス幅を一定としているが、この先頭
加熱パルスＡの前エッジタイミングを固定とし、先頭冷
却パルスＣF の補正（前エッジタイミングの変更）に応
じて、先頭加熱パルスＡの幅が変化するように構成して
もよい（この点についても、以下の各実施例で、同様に
適用できる）。
マットのＥＦＭ変調によるコードデータを記録する例で
説明したが、他のフォーマットや他の変調コードに従い
記録する場合にも同様に適用できる（以下の各実施例で
も、同様に適用できる）。さらに、本実施例では、先頭
加熱パルスＡのパルス幅を一定としているが、この先頭
加熱パルスＡの前エッジタイミングを固定とし、先頭冷
却パルスＣF の補正（前エッジタイミングの変更）に応
じて、先頭加熱パルスＡの幅が変化するように構成して
もよい（この点についても、以下の各実施例で、同様に
適用できる）。
【００４４】つづいて、請求項２記載の発明の一実施例
を図３により説明する。なお、本実施例を含む以下の各
実施例でも、基本的な記録方式及び記録波形は前記実施
例の場合と同様であり、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコ
ードデータを相変化型光ディスクを用いて記録する記録
方式に、ＥＦＭ変調コードなるデータ変調方式を用い
て、マークエッシ記録方式で記録する例とする。
を図３により説明する。なお、本実施例を含む以下の各
実施例でも、基本的な記録方式及び記録波形は前記実施
例の場合と同様であり、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコ
ードデータを相変化型光ディスクを用いて記録する記録
方式に、ＥＦＭ変調コードなるデータ変調方式を用い
て、マークエッシ記録方式で記録する例とする。
【００４５】本実施例では、補正のない場合の記録マー
クのエッジシフト量を測定した結果に基づき、書込対象
となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応じて、図３
（ｃ）に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終
冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。こ
れにより、最終冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの後エッ
ジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同一
の時間（タイミング）だけ、最終冷却パルスＣLの後エ
ッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
クのエッジシフト量を測定した結果に基づき、書込対象
となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応じて、図３
（ｃ）に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終
冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。こ
れにより、最終冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの後エッ
ジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同一
の時間（タイミング）だけ、最終冷却パルスＣLの後エ
ッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
【００４６】このように最終冷却パルスＣL の後エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの後エッジシフトを低
減させることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。特に、本実施例の記録方法は、記
録マークの後エッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの後エッジシフトを低
減させることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。特に、本実施例の記録方法は、記
録マークの後エッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。
【００４７】請求項３記載の発明の一実施例を図４及び
図５により説明する。本実施例は、前述した２つの実施
例を組み合わせたものである。補正のない場合の記録マ
ークのエッジシフト量を測定した結果に基づき、書込対
象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応じて、図４
（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣF の前エッジタイミングを変化させるととも
に、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の
後エッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷
却時間及び最終冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの前後の
エッジシフトを打ち消すように、各々のエッジシフト量
と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF
の前エッジタイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジ
タイミングが遅く又は早くなるように補正している。
図５により説明する。本実施例は、前述した２つの実施
例を組み合わせたものである。補正のない場合の記録マ
ークのエッジシフト量を測定した結果に基づき、書込対
象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１に応じて、図４
（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣF の前エッジタイミングを変化させるととも
に、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の
後エッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷
却時間及び最終冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの前後の
エッジシフトを打ち消すように、各々のエッジシフト量
と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF
の前エッジタイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジ
タイミングが遅く又は早くなるように補正している。
【００４８】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトを低減さ
せることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑え
ることができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マ
ークの前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。さらに
は、前又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正
を行うことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッ
ジシフトも防止することができる。よって、スペース間
隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジ
ッタを小さく抑えることができる。
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトを低減さ
せることができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑え
ることができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マ
ークの前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。さらに
は、前又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正
を行うことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッ
ジシフトも防止することができる。よって、スペース間
隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジ
ッタを小さく抑えることができる。
【００４９】ところで、本実施例の記録方法を実現する
ための回路構成例を図５により説明する。ＥＦＭ変調コ
ードによるデータを入力とするデータ補正検出部１とマ
ルチパルス発生部２とが設けられ、これらのデータ補正
検出部１とマルチパルス発生部２との出力を基に、補正
処理を実行するデータ補正部３が設けられ、このデータ
補正部３の出力に基づき各パルスＡ，Ｂ，Ｃを出力する
出力タイミングジェネレータ４を制御して、レーザダイ
オード（図示せず）に対するＬＤパワー制御信号が生成
されるように構成されている。
ための回路構成例を図５により説明する。ＥＦＭ変調コ
ードによるデータを入力とするデータ補正検出部１とマ
ルチパルス発生部２とが設けられ、これらのデータ補正
検出部１とマルチパルス発生部２との出力を基に、補正
処理を実行するデータ補正部３が設けられ、このデータ
補正部３の出力に基づき各パルスＡ，Ｂ，Ｃを出力する
出力タイミングジェネレータ４を制御して、レーザダイ
オード（図示せず）に対するＬＤパワー制御信号が生成
されるように構成されている。
【００５０】ここに、データ補正検出部１はＥＦＭデー
タ中で記録マークとスペースとを区別するマーク／スペ
ース検出器５と、このマーク／スペース検出器５の検出
結果に応じた選択信号を出力するマーク／スペースセレ
クタ６と、ＥＦＭデータ中の記録マークとスペースとに
ついてその長さを計数するマーク／スペース長カウンタ
７と、その計数結果をマーク／スペースセレクタ６の選
択信号に応じて記憶させるマーク／スペース長レジスタ
８とにより形成されている。一方、マルチパルス発生部
２は、先頭加熱パルスＡ用のジェネレータ９と、連続加
熱パルスＢ用のジェネレータ１０と、連続冷却パルスＣ
用のジェネレータ１１とにより形成されている。連続冷
却パルスＣ用のジェネレータ１１は、先頭冷却パルスＣ
F 用のジェネレータ１１ａと、最終冷却パルスＣL 用の
ジェネレータ１１ｂとを備えている。また、データ補正
部３は、記録マーク長やスペース長に基づいて補正量が
予め格納された補正データＲＯＭテーブル１２と、先頭
加熱パルスＡ用のジェネレータ９と最終冷却パルスＣL
用のジェネレータ１１ｂとに各々接続された多段のディ
レイライン１３，１４と、これらのディレインライン１
３，１４及び補正データＲＯＭテーブル１２に接続され
たマルチプレクサ１５，１６とにより形成されている。
なお、先頭加熱パルスＡ用のマルチプレクサ１５の出力
は、出力タイミングジェネレータ４に入力されていると
ともに、先頭冷却パルスＣF 用のジェネレータ１１ａに
も与えられている。この先頭冷却パルスＣF 用のジェネ
レータ１１ａの出力は直接出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。また、最終冷却パルスＣL 用のマ
ルチプレクサ１６の出力は出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。なお、連続加熱パルスＢ用のジェ
ネレータ１０の出力は直接出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。
タ中で記録マークとスペースとを区別するマーク／スペ
ース検出器５と、このマーク／スペース検出器５の検出
結果に応じた選択信号を出力するマーク／スペースセレ
クタ６と、ＥＦＭデータ中の記録マークとスペースとに
ついてその長さを計数するマーク／スペース長カウンタ
７と、その計数結果をマーク／スペースセレクタ６の選
択信号に応じて記憶させるマーク／スペース長レジスタ
８とにより形成されている。一方、マルチパルス発生部
２は、先頭加熱パルスＡ用のジェネレータ９と、連続加
熱パルスＢ用のジェネレータ１０と、連続冷却パルスＣ
用のジェネレータ１１とにより形成されている。連続冷
却パルスＣ用のジェネレータ１１は、先頭冷却パルスＣ
F 用のジェネレータ１１ａと、最終冷却パルスＣL 用の
ジェネレータ１１ｂとを備えている。また、データ補正
部３は、記録マーク長やスペース長に基づいて補正量が
予め格納された補正データＲＯＭテーブル１２と、先頭
加熱パルスＡ用のジェネレータ９と最終冷却パルスＣL
用のジェネレータ１１ｂとに各々接続された多段のディ
レイライン１３，１４と、これらのディレインライン１
３，１４及び補正データＲＯＭテーブル１２に接続され
たマルチプレクサ１５，１６とにより形成されている。
なお、先頭加熱パルスＡ用のマルチプレクサ１５の出力
は、出力タイミングジェネレータ４に入力されていると
ともに、先頭冷却パルスＣF 用のジェネレータ１１ａに
も与えられている。この先頭冷却パルスＣF 用のジェネ
レータ１１ａの出力は直接出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。また、最終冷却パルスＣL 用のマ
ルチプレクサ１６の出力は出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。なお、連続加熱パルスＢ用のジェ
ネレータ１０の出力は直接出力タイミングジェネレータ
４に入力されている。
【００５１】これにより、ジェネレータ９から出力され
る先頭加熱パルスＡは多段のディレイライン１３によっ
て遅延され、同時に、ジェネレータ１１ｂから出力され
る最終冷却パルスＣL は多段のディレイライン１４によ
って遅延される。一方、データ補正検出部１で検出され
た記録マーク長Ｍ１に基づき補正データＲＯＭテーブル
１２を参照して補正量を決定し、マルチプレクサ１５，
１６に出力することにより、先頭加熱パルスＡと最終冷
却パルスＣL との補正量を選定する。次に、マルチプレ
クサ１５で選定された補正済みの先頭加熱パルスＡを基
にジェネレータ１１ａから先頭冷却パルスＣF を発生さ
せる。これらの先頭加熱パルスＡと先頭冷却パルスＣF
とジェネレータ１０による連続加熱パルスＢと最終冷却
パルスＣL とを出力タイミングジェネレータ４に出力す
ることにより、各々のタイミングに合わせたＬＤパワー
制御信号が生成され、図４で説明したようなパワー制御
が実行される。
る先頭加熱パルスＡは多段のディレイライン１３によっ
て遅延され、同時に、ジェネレータ１１ｂから出力され
る最終冷却パルスＣL は多段のディレイライン１４によ
って遅延される。一方、データ補正検出部１で検出され
た記録マーク長Ｍ１に基づき補正データＲＯＭテーブル
１２を参照して補正量を決定し、マルチプレクサ１５，
１６に出力することにより、先頭加熱パルスＡと最終冷
却パルスＣL との補正量を選定する。次に、マルチプレ
クサ１５で選定された補正済みの先頭加熱パルスＡを基
にジェネレータ１１ａから先頭冷却パルスＣF を発生さ
せる。これらの先頭加熱パルスＡと先頭冷却パルスＣF
とジェネレータ１０による連続加熱パルスＢと最終冷却
パルスＣL とを出力タイミングジェネレータ４に出力す
ることにより、各々のタイミングに合わせたＬＤパワー
制御信号が生成され、図４で説明したようなパワー制御
が実行される。
【００５２】なお、図５に示したタイミング制御の回路
構成は、他の実施例についても同様に適用できる。例え
ば、後述する実施例の場合であれば、各々の実施例に応
じて、補正データＲＯＭテーブル１２中に記録マーク長
の他に直前又は直後のスペース長や直前の記録マーク長
などに基づいた補正量を格納しておき、それに応じて先
頭冷却パルスＣF や最終冷却パルスＣL のタイミングを
補正するようにすればよい。
構成は、他の実施例についても同様に適用できる。例え
ば、後述する実施例の場合であれば、各々の実施例に応
じて、補正データＲＯＭテーブル１２中に記録マーク長
の他に直前又は直後のスペース長や直前の記録マーク長
などに基づいた補正量を格納しておき、それに応じて先
頭冷却パルスＣF や最終冷却パルスＣL のタイミングを
補正するようにすればよい。
【００５３】請求項４記載の発明の一実施例を図６によ
り説明する。相変化型光ディスクにあっては、書込対象
となる記録マークの直前のスペース長に依存した直前の
記録マークとの熱的干渉によってもエッジシフトを生じ
ることがあるが、本実施例では、このような熱的干渉に
よるエッジシフトを補正するようにしたものである。そ
こで、補正のない場合の記録マークの前エッジのシフト
量を測定した結果に基づき、記録すべき書込対象となる
記録マークの直前のスペース長Ｓ１に応じて、図６
（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣF の前エッジタイミングを変化させる。これ
により、先頭冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの前エッ
ジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同一
の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エ
ッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
り説明する。相変化型光ディスクにあっては、書込対象
となる記録マークの直前のスペース長に依存した直前の
記録マークとの熱的干渉によってもエッジシフトを生じ
ることがあるが、本実施例では、このような熱的干渉に
よるエッジシフトを補正するようにしたものである。そ
こで、補正のない場合の記録マークの前エッジのシフト
量を測定した結果に基づき、記録すべき書込対象となる
記録マークの直前のスペース長Ｓ１に応じて、図６
（ｃ）に示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣF の前エッジタイミングを変化させる。これ
により、先頭冷却時間を補正するようにしたものであ
る。本実施例では、書込対象となる記録マークの前エッ
ジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同一
の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エ
ッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
【００５４】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの熱的干渉による前エ
ッジシフトの低減を高精度に行うことができ、記録マー
ク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本実施例
の記録方法も、記録マークの前エッジシフトが顕著に発
生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材
料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に効果的
である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの熱的干渉による前エ
ッジシフトの低減を高精度に行うことができ、記録マー
ク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本実施例
の記録方法も、記録マークの前エッジシフトが顕著に発
生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材
料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に効果的
である。
【００５５】請求項５記載の発明の一実施例を図７によ
り説明する。本実施例は、書込対象となる記録マークの
直後のスペース長に依存した直後の記録マークとの熱的
干渉によるエッジシフトを補正するようにしたものであ
る。そこで、補正のない場合の記録マークの後エッジの
シフト量を測定した結果に基づき、記録すべき書込対象
となる記録マークの直後のスペース長Ｓ２に応じて、図
７（ｃ）に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最
終冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。
これにより、最終冷却時間を補正するようにしたもので
ある。本実施例では、書込対象となる記録マークの後エ
ッジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同
一の時間（タイミング）だけ、最終冷却パルスＣL の後
エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
り説明する。本実施例は、書込対象となる記録マークの
直後のスペース長に依存した直後の記録マークとの熱的
干渉によるエッジシフトを補正するようにしたものであ
る。そこで、補正のない場合の記録マークの後エッジの
シフト量を測定した結果に基づき、記録すべき書込対象
となる記録マークの直後のスペース長Ｓ２に応じて、図
７（ｃ）に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最
終冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。
これにより、最終冷却時間を補正するようにしたもので
ある。本実施例では、書込対象となる記録マークの後エ
ッジシフトを打ち消すように、そのエッジシフト量と同
一の時間（タイミング）だけ、最終冷却パルスＣL の後
エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正してい
る。
【００５６】このように最終冷却パルスＣL の後エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの熱的干渉による後エ
ッジシフトの低減を高精度に行うことができ、記録マー
ク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本実施例
の記録方法も、記録マークの後エッジシフトが顕著に発
生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材
料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に効果的
である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの熱的干渉による後エ
ッジシフトの低減を高精度に行うことができ、記録マー
ク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本実施例
の記録方法も、記録マークの後エッジシフトが顕著に発
生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材
料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に効果的
である。
【００５７】請求項６記載の発明の一実施例を図８によ
り説明する。本実施例は、図６及び図７で前述した２つ
の実施例を組み合わせて、書込対象となる記録マークの
前後のスペース長に依存した前後の記録マークとの熱的
干渉によるエッジシフトを補正するようにしたものであ
る。補正のない場合の記録マークのエッジシフト量を測
定した結果に基づき、書込対象となる記録マークの直前
のスペース長Ｓ１に応じて、図８（ｃ）に示すように、
先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣFの前エッ
ジタイミングを変化させるとともに、書込対象となる記
録マークの直後のスペース長Ｓ２に応じて、図８（ｃ）
に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パ
ルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。これによ
り、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正するようにし
たものである。本実施例では、書込対象となる記録マー
クの前後のエッジシフトを打ち消すように、各々のエッ
ジシフト量と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却
パルスＣF の前エッジタイミングや最終冷却パルスＣL
の後エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正し
ている。
り説明する。本実施例は、図６及び図７で前述した２つ
の実施例を組み合わせて、書込対象となる記録マークの
前後のスペース長に依存した前後の記録マークとの熱的
干渉によるエッジシフトを補正するようにしたものであ
る。補正のない場合の記録マークのエッジシフト量を測
定した結果に基づき、書込対象となる記録マークの直前
のスペース長Ｓ１に応じて、図８（ｃ）に示すように、
先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣFの前エッ
ジタイミングを変化させるとともに、書込対象となる記
録マークの直後のスペース長Ｓ２に応じて、図８（ｃ）
に示すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パ
ルスＣL の後エッジタイミングを変化させる。これによ
り、先頭冷却時間及び最終冷却時間を補正するようにし
たものである。本実施例では、書込対象となる記録マー
クの前後のエッジシフトを打ち消すように、各々のエッ
ジシフト量と同一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却
パルスＣF の前エッジタイミングや最終冷却パルスＣL
の後エッジタイミングが遅く又は早くなるように補正し
ている。
【００５８】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの熱的干渉による前後のエッジ
シフトの低減を高精度に行うことができ、記録マーク間
隔のジッタを小さく抑えることができる。特に、本実施
例の記録方法は、記録マークの前後のエッジシフトが顕
著に発生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の
記録材料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に
効果的である。さらには、前又は後の片側のエッジだけ
で記録マーク長の補正を行うことに起因する前後のスペ
ース長の片寄ったエッジシフトも防止することができ
る。よって、スペース間隔のジッタを悪化させることな
く、記録マーク間隔のジッタを小さく抑えることができ
る。
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの熱的干渉による前後のエッジ
シフトの低減を高精度に行うことができ、記録マーク間
隔のジッタを小さく抑えることができる。特に、本実施
例の記録方法は、記録マークの前後のエッジシフトが顕
著に発生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の
記録材料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に
効果的である。さらには、前又は後の片側のエッジだけ
で記録マーク長の補正を行うことに起因する前後のスペ
ース長の片寄ったエッジシフトも防止することができ
る。よって、スペース間隔のジッタを悪化させることな
く、記録マーク間隔のジッタを小さく抑えることができ
る。
【００５９】請求項７記載の発明の一実施例を図９によ
り説明する。本実施例は、図１及び図６により説明した
実施例を組み合わせたもので、書込対象となる記録マー
ク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録マ
ークの直前のスペース長に依存した直前の記録マークと
の熱的干渉によるエッジシフトを補正するようにしたも
のである。そこで、補正のない場合の記録マークの前エ
ッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録すべき書
込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直
前のスペース長Ｓ１に応じて、図９（ｃ）に示すよう
に、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷却
時間を補正するようにしたものである。本実施例では、
書込対象となる記録マークの前エッジシフトを打ち消す
ように、そのエッジシフト量と同一の時間（タイミン
グ）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミングが
遅く又は早くなるように補正している。
り説明する。本実施例は、図１及び図６により説明した
実施例を組み合わせたもので、書込対象となる記録マー
ク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録マ
ークの直前のスペース長に依存した直前の記録マークと
の熱的干渉によるエッジシフトを補正するようにしたも
のである。そこで、補正のない場合の記録マークの前エ
ッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録すべき書
込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直
前のスペース長Ｓ１に応じて、図９（ｃ）に示すよう
に、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷却
時間を補正するようにしたものである。本実施例では、
書込対象となる記録マークの前エッジシフトを打ち消す
ように、そのエッジシフト量と同一の時間（タイミン
グ）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミングが
遅く又は早くなるように補正している。
【００６０】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの前エッジシフトの低
減を前述した図１や図６の実施例の場合よりも一層高精
度に行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。本実施例の記録方法も、記録マー
クの前エッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの前エッジシフトの低
減を前述した図１や図６の実施例の場合よりも一層高精
度に行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。本実施例の記録方法も、記録マー
クの前エッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。
【００６１】請求項８記載の発明の一実施例を図１０に
より説明する。本実施例は、図３及び図７により説明し
た実施例を組み合わせたもので、書込対象となる記録マ
ーク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録
マークの直後のスペース長に依存した直後の記録マーク
との熱的干渉によるエッジシフトを補正するようにした
ものである。そこで、補正のない場合の記録マークの後
エッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録すべき
書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１、及び、
その直後のスペース長Ｓ２に応じて、図１０（ｃ）に示
すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルス
ＣL の後エッジタイミングを変化させる。これにより、
最終冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの後エッジシフトを
打ち消すように、そのエッジシフト量と同一の時間（タ
イミング）だけ、最終冷却パルスＣL の後エッジタイミ
ングが遅く又は早くなるように補正している。
より説明する。本実施例は、図３及び図７により説明し
た実施例を組み合わせたもので、書込対象となる記録マ
ーク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録
マークの直後のスペース長に依存した直後の記録マーク
との熱的干渉によるエッジシフトを補正するようにした
ものである。そこで、補正のない場合の記録マークの後
エッジのシフト量を測定した結果に基づき、記録すべき
書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１、及び、
その直後のスペース長Ｓ２に応じて、図１０（ｃ）に示
すように、最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルス
ＣL の後エッジタイミングを変化させる。これにより、
最終冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの後エッジシフトを
打ち消すように、そのエッジシフト量と同一の時間（タ
イミング）だけ、最終冷却パルスＣL の後エッジタイミ
ングが遅く又は早くなるように補正している。
【００６２】このように最終冷却パルスＣL の後エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの後エッジシフトの低
減を前述した図３や図７の実施例の場合よりも一層高精
度に行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。本実施例の記録方法も、記録マー
クの後エッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、エッジ
シフトによる記録マーク長の変動分をキャンセルするこ
とができる。よって、記録マークの後エッジシフトの低
減を前述した図３や図７の実施例の場合よりも一層高精
度に行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく
抑えることができる。本実施例の記録方法も、記録マー
クの後エッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。
【００６３】請求項９記載の発明の一実施例を図１１に
より説明する。本実施例は、図４及び図８で前述した２
つの実施例を組み合わせて、書込対象となる記録マーク
長に依存したエッジシフトと、その前後のスペース長に
依存した前後の記録マークとの熱的干渉によるエッジシ
フトを補正するようにしたものである。補正のない場合
の記録マークのエッジシフト量を測定した結果に基づ
き、書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及び
その直前のスペース長Ｓ１に応じて、図１１（ｃ）に示
すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣ
F の前エッジタイミングを変化させるとともに、書込対
象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直後の
スペース長Ｓ２に応じて、図１１（ｃ）に示すように、
最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の後エ
ッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷却時
間及び最終冷却時間を補正するようにしたものである。
本実施例では、書込対象となる記録マークの前後のエッ
ジシフトを打ち消すように、各々のエッジシフト量と同
一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイ
ミングが遅く又は早くなるように補正している。
より説明する。本実施例は、図４及び図８で前述した２
つの実施例を組み合わせて、書込対象となる記録マーク
長に依存したエッジシフトと、その前後のスペース長に
依存した前後の記録マークとの熱的干渉によるエッジシ
フトを補正するようにしたものである。補正のない場合
の記録マークのエッジシフト量を測定した結果に基づ
き、書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及び
その直前のスペース長Ｓ１に応じて、図１１（ｃ）に示
すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣ
F の前エッジタイミングを変化させるとともに、書込対
象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直後の
スペース長Ｓ２に応じて、図１１（ｃ）に示すように、
最終加熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の後エ
ッジタイミングを変化させる。これにより、先頭冷却時
間及び最終冷却時間を補正するようにしたものである。
本実施例では、書込対象となる記録マークの前後のエッ
ジシフトを打ち消すように、各々のエッジシフト量と同
一の時間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイ
ミングが遅く又は早くなるように補正している。
【００６４】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトの低減を
前述した図４や図８の実施例の場合よりも一層高精度に
行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑え
ることができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マ
ークの前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。さらに
は、前又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正
を行うことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッ
ジシフトも防止することができる。よって、スペース間
隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジ
ッタを小さく抑えることができる。
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、エッジシフトによ
る記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトの低減を
前述した図４や図８の実施例の場合よりも一層高精度に
行うことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑え
ることができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マ
ークの前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成
（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）
や記録波形を対象とする場合に効果的である。さらに
は、前又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正
を行うことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッ
ジシフトも防止することができる。よって、スペース間
隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジ
ッタを小さく抑えることができる。
【００６５】請求項１０記載の発明の一実施例を図１２
により説明する。相変化型光ディスクにあっては、書込
対象となる記録マークの直前の記録マーク長に依存した
先行する記録マークの蓄熱によるエッジシフトを生じる
ことがある。そこで、本実施例では、図９により説明し
た請求項７記載の発明の実施例に加えて、このような先
行する記録マークの蓄熱によるエッジシフト成分をも補
正するようにしたものである。そこで、補正のない場合
の記録マークの前エッジのシフト量を測定した結果に基
づき、記録すべき書込対象となる記録マークの記録マー
ク長Ｍ１、その直前のスペース長Ｓ１、及び、その直前
の記録マークのマーク長Ｍ２に応じて、図１２（ｃ）に
示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルス
ＣF の前エッジタイミングを変化させる。これにより、
先頭冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの前エッジシフトを
打ち消すように、そのエッジシフト量と同一の時間（タ
イミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミ
ングが遅く又は早くなるように補正している。
により説明する。相変化型光ディスクにあっては、書込
対象となる記録マークの直前の記録マーク長に依存した
先行する記録マークの蓄熱によるエッジシフトを生じる
ことがある。そこで、本実施例では、図９により説明し
た請求項７記載の発明の実施例に加えて、このような先
行する記録マークの蓄熱によるエッジシフト成分をも補
正するようにしたものである。そこで、補正のない場合
の記録マークの前エッジのシフト量を測定した結果に基
づき、記録すべき書込対象となる記録マークの記録マー
ク長Ｍ１、その直前のスペース長Ｓ１、及び、その直前
の記録マークのマーク長Ｍ２に応じて、図１２（ｃ）に
示すように、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルス
ＣF の前エッジタイミングを変化させる。これにより、
先頭冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの前エッジシフトを
打ち消すように、そのエッジシフト量と同一の時間（タ
イミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジタイミ
ングが遅く又は早くなるように補正している。
【００６６】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、直前の
記録マーク長Ｍ２による蓄熱作用と直前のスペース長Ｓ
１に依存した熱的干渉によるエッジシフトで生じた記録
マーク長の変動分をキャンセルすることができる。よっ
て、記録マークの前エッジシフトの低減を前述した図９
の実施例の場合よりも一層高精度に行うことができ、記
録マーク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本
実施例の記録方法も、記録マークの前エッジシフトが顕
著に発生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の
記録材料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に
効果的である。
タイミングを補正することにより、対象とする記録マー
クの平均エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するの
で、急冷のための冷却条件を満たすことになり、直前の
記録マーク長Ｍ２による蓄熱作用と直前のスペース長Ｓ
１に依存した熱的干渉によるエッジシフトで生じた記録
マーク長の変動分をキャンセルすることができる。よっ
て、記録マークの前エッジシフトの低減を前述した図９
の実施例の場合よりも一層高精度に行うことができ、記
録マーク間隔のジッタを小さく抑えることができる。本
実施例の記録方法も、記録マークの前エッジシフトが顕
著に発生する記録層構成（特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の
記録材料を用いたもの）や記録波形を対象とする場合に
効果的である。
【００６７】請求項１１記載の発明の一実施例を図１３
により説明する。本実施例は、書込対象となる記録マー
ク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録マ
ークの前後のスペース長に依存した前後の記録マークと
の熱的干渉によるエッジシフトの他に、直前の記録マー
ク長に依存した記録マークの蓄熱によるエッジシフト成
分をも補正するようにしたものである。補正のない場合
の記録マークのエッジシフト量を測定した結果に基づ
き、書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１、そ
の直前のスペース長Ｓ１、及びその直前の記録マークの
記録マーク長Ｍ２に応じて、図１３（ｃ）に示すよう
に、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象とな
る記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直後のスペー
ス長Ｓ２に応じて、図１３（ｃ）に示すように、最終加
熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の後エッジタ
イミングを変化させる。これにより、先頭冷却時間及び
最終冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの前後のエッジシフ
トを打ち消すように、各々のエッジシフト量と同一の時
間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイミング
が遅く又は早くなるように補正している。
により説明する。本実施例は、書込対象となる記録マー
ク長に依存したエッジシフトや、書込対象となる記録マ
ークの前後のスペース長に依存した前後の記録マークと
の熱的干渉によるエッジシフトの他に、直前の記録マー
ク長に依存した記録マークの蓄熱によるエッジシフト成
分をも補正するようにしたものである。補正のない場合
の記録マークのエッジシフト量を測定した結果に基づ
き、書込対象となる記録マークの記録マーク長Ｍ１、そ
の直前のスペース長Ｓ１、及びその直前の記録マークの
記録マーク長Ｍ２に応じて、図１３（ｃ）に示すよう
に、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣF の前
エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象とな
る記録マークの記録マーク長Ｍ１及びその直後のスペー
ス長Ｓ２に応じて、図１３（ｃ）に示すように、最終加
熱パルスＢL の直後の最終冷却パルスＣL の後エッジタ
イミングを変化させる。これにより、先頭冷却時間及び
最終冷却時間を補正するようにしたものである。本実施
例では、書込対象となる記録マークの前後のエッジシフ
トを打ち消すように、各々のエッジシフト量と同一の時
間（タイミング）だけ、先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイミング
が遅く又は早くなるように補正している。
【００６８】このように先頭冷却パルスＣF の前エッジ
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、直前の記録マーク
長Ｍ２による蓄熱作用と前後のスペース長Ｓ１，Ｓ２に
依存した記録マークの熱的干渉によるエッジシフトで生
じた記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトの低減を
前述した図１１の実施例の場合よりも一層高精度に行う
ことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑えるこ
とができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マーク
の前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。さらには、前
又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正を行う
ことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッジシフ
トも防止することができる。よって、スペース間隔のジ
ッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを
小さく抑えることができる。
タイミング及び最終冷却パルスＣLの後エッジタイミン
グを補正することにより、対象とする記録マークの平均
エッジ間隔が、補正量と同じだけ変化するので、急冷の
ための冷却条件を満たすことになり、直前の記録マーク
長Ｍ２による蓄熱作用と前後のスペース長Ｓ１，Ｓ２に
依存した記録マークの熱的干渉によるエッジシフトで生
じた記録マーク長の変動分をキャンセルすることができ
る。よって、記録マークの前後のエッジシフトの低減を
前述した図１１の実施例の場合よりも一層高精度に行う
ことができ、記録マーク間隔のジッタを小さく抑えるこ
とができる。特に、本実施例の記録方法は、記録マーク
の前後のエッジシフトが顕著に発生する記録層構成（特
に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料を用いたもの）や記
録波形を対象とする場合に効果的である。さらには、前
又は後の片側のエッジだけで記録マーク長の補正を行う
ことに起因する前後のスペース長の片寄ったエッジシフ
トも防止することができる。よって、スペース間隔のジ
ッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを
小さく抑えることができる。
【００６９】請求項１２記載の発明の一実施例を図１４
及び図１５により説明する。本実施例は、前述した何れ
の実施例にも適用可能なものであり、まず、マルチパル
ス発光波形中、先頭加熱パルスＡを除く、連続加熱パル
スＢと連続冷却パルスＣとによる発光部分の記録信号
は、これらの記録信号周波数と同一の周波数を持つ基準
クロック又は２倍クロックから生成するように設定され
ている。
及び図１５により説明する。本実施例は、前述した何れ
の実施例にも適用可能なものであり、まず、マルチパル
ス発光波形中、先頭加熱パルスＡを除く、連続加熱パル
スＢと連続冷却パルスＣとによる発光部分の記録信号
は、これらの記録信号周波数と同一の周波数を持つ基準
クロック又は２倍クロックから生成するように設定され
ている。
【００７０】次に、先頭冷却パルスＣF の前エッジタイ
ミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変
化させて記録マークの前エッジ又は後エッジの補正を行
う方法について説明する。一般には、このための補正パ
ルスを生成するには信号遅延手段が必要であり、通常
は、信号遅延手段として図５にも示したようにマルチタ
ップのディレイラインＩＣや多段のモノマルチバイブレ
ータが用いられるが、これでは、回路規模が大きくなっ
てしまい、コスト高となり、実装面積も増大してしま
う。この点、本実施例では、基準クロックの整数ｎ倍ク
ロックを用いて、補正後の先頭冷却パルスＣF 又は最終
冷却パルスＣL を生成する方法とされている。基準クロ
ックのパルス幅は前述した連続加熱パルスＢや連続冷却
パルスＣのパルス幅と同一のＴ／２であり、ｎ倍クロッ
クのパルス幅はＴ／２ｎとなる。よって、立上りエッジ
でｎ倍クロックのパルスを計数することにより、Ｔ／ｎ
ステップでパルス幅の増減する補正後の先頭冷却パルス
ＣF 又は最終冷却パルスＣL を生成することができる。
これと同時に、ｎ倍クロックの立下りエッジでｎ倍クロ
ックのパルスを計数することにより、パルス幅の増減す
る補正後の先頭冷却パルスＣF 又は最終冷却パルスＣL
を生成すれば、合わせて、Ｔ／２ｎステップで補正パル
スを増減させることができる。例えば、図１４中に示す
ように基準クロックの４倍クロックを用いて補正した先
頭冷却パルスＣF 又は最終冷却パルスＣLを生成するよ
うにすれば、Ｔ／８ステップで補正が可能となる。
ミングや最終冷却パルスＣL の後エッジタイミングを変
化させて記録マークの前エッジ又は後エッジの補正を行
う方法について説明する。一般には、このための補正パ
ルスを生成するには信号遅延手段が必要であり、通常
は、信号遅延手段として図５にも示したようにマルチタ
ップのディレイラインＩＣや多段のモノマルチバイブレ
ータが用いられるが、これでは、回路規模が大きくなっ
てしまい、コスト高となり、実装面積も増大してしま
う。この点、本実施例では、基準クロックの整数ｎ倍ク
ロックを用いて、補正後の先頭冷却パルスＣF 又は最終
冷却パルスＣL を生成する方法とされている。基準クロ
ックのパルス幅は前述した連続加熱パルスＢや連続冷却
パルスＣのパルス幅と同一のＴ／２であり、ｎ倍クロッ
クのパルス幅はＴ／２ｎとなる。よって、立上りエッジ
でｎ倍クロックのパルスを計数することにより、Ｔ／ｎ
ステップでパルス幅の増減する補正後の先頭冷却パルス
ＣF 又は最終冷却パルスＣL を生成することができる。
これと同時に、ｎ倍クロックの立下りエッジでｎ倍クロ
ックのパルスを計数することにより、パルス幅の増減す
る補正後の先頭冷却パルスＣF 又は最終冷却パルスＣL
を生成すれば、合わせて、Ｔ／２ｎステップで補正パル
スを増減させることができる。例えば、図１４中に示す
ように基準クロックの４倍クロックを用いて補正した先
頭冷却パルスＣF 又は最終冷却パルスＣLを生成するよ
うにすれば、Ｔ／８ステップで補正が可能となる。
【００７１】このような方法で補正パルスを生成するも
のとすれば、全て、ロジック回路で構成でき、低下コス
トで小規模な補正回路で済み、部品点数及び実装面積の
増加を最小限に抑えることができる。このようなロジッ
ク回路は、例えば、図５に示した回路において、先頭加
熱パルスＡ用のジェネレータ９と最終冷却パルスＣL用
のジェネレータ１１ｂと、これらに対するディレイライ
ン１３，１４との部分に適用すればよい。
のとすれば、全て、ロジック回路で構成でき、低下コス
トで小規模な補正回路で済み、部品点数及び実装面積の
増加を最小限に抑えることができる。このようなロジッ
ク回路は、例えば、図５に示した回路において、先頭加
熱パルスＡ用のジェネレータ９と最終冷却パルスＣL用
のジェネレータ１１ｂと、これらに対するディレイライ
ン１３，１４との部分に適用すればよい。
【００７２】なお、レーザダイオード２１に対するドラ
イバ回路としては、図１５に示すように、先頭加熱パル
スＡ用の発光パワーＰWA、連続加熱パルスＢ用の発光パ
ワーＰWB、連続冷却パルスＣ用の発光パワーＰWCに各々
パワー設定された定電流源２２，２３，２４を設け、各
々Ａ，Ｂ，Ｃパルス制御信号によりスイッチングされる
スイッチング素子２５，２６，２７で選択的に駆動させ
るようにすればよく、簡易で低コスト回路で済む。
イバ回路としては、図１５に示すように、先頭加熱パル
スＡ用の発光パワーＰWA、連続加熱パルスＢ用の発光パ
ワーＰWB、連続冷却パルスＣ用の発光パワーＰWCに各々
パワー設定された定電流源２２，２３，２４を設け、各
々Ａ，Ｂ，Ｃパルス制御信号によりスイッチングされる
スイッチング素子２５，２６，２７で選択的に駆動させ
るようにすればよく、簡易で低コスト回路で済む。
【００７３】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、書込対象
となる記録マーク長に基づいてその先頭加熱パルス直後
の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先
頭冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満た
すことができ、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
となる記録マーク長に基づいてその先頭加熱パルス直後
の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて先
頭冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満た
すことができ、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
【００７４】請求項２記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マーク長に基づいてその最終加熱パルス直後の
最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最終
冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満たす
ことができ、記録マークの後エッジシフトが低減するよ
うに適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減さ
せることができる。
なる記録マーク長に基づいてその最終加熱パルス直後の
最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて最終
冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満たす
ことができ、記録マークの後エッジシフトが低減するよ
うに適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減さ
せることができる。
【００７５】請求項３記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マーク長に基づいて、その先頭加熱パルス直後
の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させると
ともに、その最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終
冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満たす
ことができ、記録マークの前後のエッジシフトが低減す
るように適正に補正でき、よって、スペース間隔のジッ
タを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを低
減させることができる。
なる記録マーク長に基づいて、その先頭加熱パルス直後
の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させると
ともに、その最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終
冷却時間を補正するようにしたので、急冷条件を満たす
ことができ、記録マークの前後のエッジシフトが低減す
るように適正に補正でき、よって、スペース間隔のジッ
タを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを低
減させることができる。
【００７６】請求項４記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加熱
パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変
化させて先頭冷却時間を補正するようにしたので、直前
のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉によ
る記録マークの前エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
なる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加熱
パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変
化させて先頭冷却時間を補正するようにしたので、直前
のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉によ
る記録マークの前エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの前エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
【００７７】請求項５記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加熱
パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変
化させて最終冷却時間を補正するようにしたので、直後
のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉によ
る記録マークの後エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの後エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
なる記録マークの直後のスペース長に基づいて最終加熱
パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変
化させて最終冷却時間を補正するようにしたので、直後
のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉によ
る記録マークの後エッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの後エッジシフトが低減する
ように適正に補正でき、記録マーク間隔のジッタを低減
させることができる。
【００７８】請求項６記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加熱
パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変
化させるとともに、書込対象となる記録マークの直後の
スペース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パ
ルスの後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間
及び最終冷却時間を補正するようにしたので、前後のス
ペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記
録マークの前後のエッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの前後のエッジシフトが低減
するように適正に補正でき、よって、スペース間隔のジ
ッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを
低減させることができる。
なる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭加熱
パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変
化させるとともに、書込対象となる記録マークの直後の
スペース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パ
ルスの後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間
及び最終冷却時間を補正するようにしたので、前後のス
ペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉による記
録マークの前後のエッジシフトに対する冷却条件を満た
すことができ、記録マークの前後のエッジシフトが低減
するように適正に補正でき、よって、スペース間隔のジ
ッタを悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを
低減させることができる。
【００７９】請求項７記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペース
長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正する
ようにしたので、記録マーク長及び直前のスペース長に
依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの
前エッジシフトに対する冷却条件を満たすことができ、
記録マークの前エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタを低減させることがで
きる。
なる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペース
長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正する
ようにしたので、記録マーク長及び直前のスペース長に
依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの
前エッジシフトに対する冷却条件を満たすことができ、
記録マークの前エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタを低減させることがで
きる。
【００８０】請求項８記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース
長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補正する
ようにしたので、記録マーク長及び直後のスペース長に
依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの
後エッジシフトに対する冷却条件を満たすことができ、
記録マークの後エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタを低減させることがで
きる。
なる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース
長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後
エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補正する
ようにしたので、記録マーク長及び直後のスペース長に
依存した記録マーク同士の熱的干渉による記録マークの
後エッジシフトに対する冷却条件を満たすことができ、
記録マークの後エッジシフトが低減するように適正に補
正でき、記録マーク間隔のジッタを低減させることがで
きる。
【００８１】請求項９記載の発明によれば、書込対象と
なる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペース
長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象とな
る記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長
に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エ
ッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷
却時間を補正するようにしたので、記録マーク長並びに
前後のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉
による記録マークの前後のエッジシフトに対する冷却条
件を満たすことができ、記録マークの前後のエッジシフ
トが低減するように適正に補正でき、よって、スペース
間隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔の
ジッタを低減させることができる。
なる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペース
長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象とな
る記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長
に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エ
ッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷
却時間を補正するようにしたので、記録マーク長並びに
前後のスペース長に依存した記録マーク同士の熱的干渉
による記録マークの前後のエッジシフトに対する冷却条
件を満たすことができ、記録マークの前後のエッジシフ
トが低減するように適正に補正でき、よって、スペース
間隔のジッタを悪化させることなく、記録マーク間隔の
ジッタを低減させることができる。
【００８２】請求項１０記載の発明によれば、書込対象
となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペース
長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づい
てその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジ
タイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するように
したので、直前の記録マーク長に依存した蓄熱による記
録マークの前エッジシフト、直前のスペース長に依存し
た記録マークの前エッジシフト、及び、記録マーク長に
依存した熱干渉による前エッジシフトに対する冷却条件
を満たすことができ、記録マークの前エッジシフトが低
減するように高精度に補正でき、記録マーク間隔のジッ
タを低減させることができる。
となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペース
長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づい
てその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジ
タイミングを変化させて先頭冷却時間を補正するように
したので、直前の記録マーク長に依存した蓄熱による記
録マークの前エッジシフト、直前のスペース長に依存し
た記録マークの前エッジシフト、及び、記録マーク長に
依存した熱干渉による前エッジシフトに対する冷却条件
を満たすことができ、記録マークの前エッジシフトが低
減するように高精度に補正でき、記録マーク間隔のジッ
タを低減させることができる。
【００８３】請求項１１記載の発明によれば、書込対象
となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペース
長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づい
てその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジ
タイミングを変化させるとともに、書込対象となる記録
マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づ
いて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタ
イミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間
を補正するようにしたので、殆ど全ての要因による記録
マークのエッジシフトに対する冷却条件を満たすことが
でき、記録マークの前後のエッジシフトが低減するよう
に高精度に補正でき、よって、スペース間隔のジッタを
悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを低減さ
せることができる。
となる記録マーク長、この記録マークの直前のスペース
長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に基づい
てその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジ
タイミングを変化させるとともに、書込対象となる記録
マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長に基づ
いて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタ
イミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷却時間
を補正するようにしたので、殆ど全ての要因による記録
マークのエッジシフトに対する冷却条件を満たすことが
でき、記録マークの前後のエッジシフトが低減するよう
に高精度に補正でき、よって、スペース間隔のジッタを
悪化させることなく、記録マーク間隔のジッタを低減さ
せることができる。
【００８４】請求項１２記載の発明によれば、記録用の
連続加熱パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信号
周波数と同一の基準クロックと、この基準クロックに対
して整数倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミン
グを変化させる補正量の最小単位を、この整数倍クロッ
クによるパルス幅に設定したので、エッジタイミングの
補正を含めて全てロジック回路で実現でき、よって、低
コストで小規模な補正回路で達成できる。
連続加熱パルスと連続冷却パルスとを生成する記録信号
周波数と同一の基準クロックと、この基準クロックに対
して整数倍の整数倍クロックとを備え、エッジタイミン
グを変化させる補正量の最小単位を、この整数倍クロッ
クによるパルス幅に設定したので、エッジタイミングの
補正を含めて全てロジック回路で実現でき、よって、低
コストで小規模な補正回路で達成できる。
【００８５】請求項１３記載の発明によれば、記録層が
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光ディ
スクを対象としたので、熱干渉や蓄熱作用によるエッジ
シフトに対して記録層の特性に合った正確な補正を行う
ことができる。
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる相変化型光ディ
スクを対象としたので、熱干渉や蓄熱作用によるエッジ
シフトに対して記録層の特性に合った正確な補正を行う
ことができる。
【図１】請求項１及び１３記載の発明の一実施例を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図２】前後エッジ補正量とエッジシフト量との関係を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図３】請求項２記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図４】請求項３記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図５】補正回路構成を示すブロック図である。
【図６】請求項４記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図７】請求項５記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図８】請求項６記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図９】請求項７記載の発明の一実施例を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図１０】請求項８記載の発明の一実施例を示すタイム
チャートである。
チャートである。
【図１１】請求項９記載の発明の一実施例を示すタイム
チャートである。
チャートである。
【図１２】請求項１０記載の発明の一実施例を示すタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図１３】請求項１１記載の発明の一実施例を示すタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図１４】請求項１２記載の発明の一実施例を示すタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図１５】ＬＤドライブ回路を示すブロック図である。
【図１６】単パルス発光波形による記録マーク形成例を
示すタイムチャートである。
示すタイムチャートである。
【図１７】マルチパルス発光波形による記録マーク形成
例を示すタイムチャートである。
例を示すタイムチャートである。
【図１８】その加熱パルスの補正例を示すタイムチャー
トである。
トである。
【図１９】前後エッジ補正量とエッジシフト量との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
Ａ 先頭加熱パルス Ｂ 連続加熱パルス ＢL 最終加熱パルス Ｃ 連続冷却パルス ＣF 先頭冷却パルス ＣL 最終冷却パルス Ｍ１ 記録マーク長 Ｍ２ 直前の記録マーク長 Ｓ１ 直前のスペース長 Ｓ２ 直後のスペース長
Claims (13)
- 【請求項１】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長に基づいてその先頭加熱パルス直
後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させて
先頭冷却時間を補正するようにしたことを特徴とする相
変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項２】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長に基づいてその最終加熱パルス直
後の最終冷却パルスの後エッジタイミングを変化させて
最終冷却時間を補正するようにしたことを特徴とする相
変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項３】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長に基づいて、その先頭加熱パルス
直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミングを変化させ
るとともに、その最終加熱パルス直後の最終冷却パルス
の後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び
最終冷却時間を補正するようにしたことを特徴とする相
変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項４】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭
加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミング
を変化させて先頭冷却時間を補正するようにしたことを
特徴とする相変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項５】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マークの直後のスペース長に基づいて最終
加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エッジタイミング
を変化させて最終冷却時間を補正するようにしたことを
特徴とする相変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項６】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マークの直前のスペース長に基づいて先頭
加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前エッジタイミング
を変化させるとともに、書込対象となる記録マークの直
後のスペース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷
却パルスの後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却
時間及び最終冷却時間を補正するようにしたことを特徴
とする相変化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項７】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペ
ース長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルス
の前エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正
するようにしたことを特徴とする相変化型光ディスク用
記録方法。 - 【請求項８】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペ
ース長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルス
の後エッジタイミングを変化させて最終冷却時間を補正
するようにしたことを特徴とする相変化型光ディスク用
記録方法。 - 【請求項９】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に相
変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対して、
先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらのパル
ス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調され
たマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を担う
記録マークを形成することにより情報を記録するように
した相変化型光ディクスク用記録方法において、書込対
象となる記録マーク長及びこの記録マークの直前のスペ
ース長に基づいて先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルス
の前エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象
となる記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペー
ス長に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの
後エッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最
終冷却時間を補正するようにしたことを特徴とする相変
化型光ディスク用記録方法。 - 【請求項１０】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に
相変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対し
て、先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらの
パルス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調
されたマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を
担う記録マークを形成することにより情報を記録するよ
うにした相変化型光ディクスク用記録方法において、書
込対象となる記録マーク長、この記録マークの直前のス
ペース長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に
基づいてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させて先頭冷却時間を補正する
ようにしたことを特徴とする相変化型光ディスク用記録
方法。 - 【請求項１１】 結晶相とアモルファス相とで可逆的に
相変化する記録層を有する相変化型光ディスクに対し
て、先頭加熱パルスと後続の連続加熱パルスとこれらの
パルス間に位置する連続冷却パルスとからなる強度変調
されたマルチパルスレーザ光を照射して、長さが情報を
担う記録マークを形成することにより情報を記録するよ
うにした相変化型光ディクスク用記録方法において、書
込対象となる記録マーク長、この記録マークの直前のス
ペース長、及び、このスペースの直前の記録マーク長に
基づいてその先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの前
エッジタイミングを変化させるとともに、書込対象とな
る記録マーク長及びこの記録マークの直後のスペース長
に基づいて最終加熱パルス直後の最終冷却パルスの後エ
ッジタイミングを変化させて、先頭冷却時間及び最終冷
却時間を補正するようにしたことを特徴とする相変化型
光ディスク用記録方法。 - 【請求項１２】 記録用の連続加熱パルスと連続冷却パ
ルスとを生成する記録信号周波数と同一の基準クロック
と、この基準クロックに対して整数倍の整数倍クロック
とを備え、エッジタイミングを変化させる補正量の最小
単位を、この整数倍クロックによるパルス幅に設定した
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９，１０又は１１記載の相変化型光ディスク用記録
方法。 - 【請求項１３】 記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材
料からなる相変化型光ディスクを対象とすることを特徴
とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１
０，１１又は１２記載の相変化型光ディスク用記録方
法。
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| JPH08287465A true JPH08287465A (ja) | 1996-11-01 |
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Family
ID=13910833
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|---|---|---|---|
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