JPH08287427A

JPH08287427A - Composite thin film magnetic head

Info

Publication number: JPH08287427A
Application number: JP11533495A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sato; 順一佐藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1995-04-18
Filing date: 1995-04-18
Publication date: 1996-11-01

Abstract

PURPOSE: To prevent short circuit even when an insulating gap layer is made thin by forming an insulating layer to insulate a lead conductor from a shield layer and forming a short circuit preventing film between a nonflat part of the shield layer and the lead conductor. CONSTITUTION: A base layer 100 such as Al2 O3 is formed on a nonmagnetic substrate such as ALTiC, and a lower shield layer 101 having a tapered part is patterned to leave an MR element part on the base layer 100. The layer 101 is formed by plating or sputtering of NiFe or FeAlSi to form a soft magnetic film of 1 to 3μm thickness and then patterning the film by milling or wet etching. A short circuit preventing film 113 is formed on the edge part 101a (nonflat part) of the lower shield layer 101 to over the edge part 101 except for the area near the ABS face of a magnetic head. The short circuit preventing film is then patterned by photolithography and hardened by heat treatment. Then an insulating layer 102 such as Al2 O3 is formed on the lower shield layer 101 and the short circuit preventing film 113.

Description

【発明の詳細な説明】【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、記録再生の機能を分離
した複合型薄膜磁気ヘッドに関する。【０００２】【従来の技術】磁気記録の高密度化を図るために、記録
再生の機能を分離した複合型薄膜磁気ヘッドは公知であ
る。図１０は、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を用いたＭＲ
再生ヘッド部上にインダクティブ磁気記録ヘッド部を積
層してなる複合型薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を示し
た断面図である。同図において、１０００は非磁性基板
上に形成された下地層を示している。この下地層１００
０上には、ＭＲヘッド部の下部シールド層１００１が積
層されており、その上には絶縁層（下部ギャップ層）１
００２を介してＮｉＦｅ合金からなるＭＲ層１００３が
積層されている。さらにその上には、絶縁層（上部ギャ
ップ層）１００５を介してＭＲヘッド部の上部シールド
層１００６が積層されている。この上部シールド層１０
０６は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも
兼ねている。下部磁極層が別個に設けられている場合も
ある。上部シールド層１００６上には下部絶縁層１００
８が積層されており、この下部絶縁層１００８上に導体
コイル１００９が形成されている。導体コイル１００９
上には上部絶縁層１０１０が設けられており、この上部
絶縁層１０１０上には上部磁極層１０１１及び保護膜１
０１２が積層されている。【０００３】このように基板上に各層を平坦に積層した
構造の磁気ヘッドは、記録ヘッド部の形状及びシールド
層の形状についての配慮が充分でないため、記録磁界を
効率良く発生することができない。このため、下部シー
ルド層をＭＲ層の存在するＡＢＳ面（浮上面）側の一部
のみに形成して記録ヘッド部側の下部磁極層に段差が生
じるように基板上に凹部を形成し、これによって素子形
成の高精度化を図ると共にヘッドの効率を向上させた複
合型薄膜磁気ヘッドが提案されている（例えば、特開昭
６４−８２３１２号公報及び特開平５−２９８６２４号
公報）。【０００４】図１１は、この種の複合型薄膜磁気ヘッド
の構造を示した断面図である。同図において、１１００
は非磁性基板上に形成された下地層を示している。この
下地層１１００上には、ＭＲ素子部分を残すようにパタ
ーニングされたテーパ状の下部シールド層１１０１が積
層されている。この下部シールド層１１０１の上及び下
地層１１００上には絶縁層（下部ギャップ層）１１０２
が設けられている。ＡＢＳ面の近傍の絶縁層１１０２上
にはＮｉＦｅ合金からなるＭＲ層１１０３が積層されて
いる。ＭＲ層１１０３にはＭＲリード導体１１０４が接
続されている。さらにその上には、絶縁層（上部ギャッ
プ層）１１０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層
１１０６が積層されている。この上部シールド層１１０
６は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼
ねており、前述のごとく下部シールド層１１０１がテー
パ状となっているため、ＡＢＳ面側が高くなるような段
差を有することとなる。上部シールド層１１０６上には
書込みギャップ層１１０７が積層されており、その上に
は下部絶縁層１１０８が積層されている。この下部絶縁
層１１０８上に導体コイル１１０９が形成されている。
導体コイル１１０９上には上部絶縁層１１１０が設けら
れており、この上部絶縁層１１１０上には上部磁極層１
１１１及び保護膜１１１２が積層されている。【０００５】基板上に凹部を形成する他の方法として、
下部シールド層をパターニングするのではなく下地層を
パターニングすることも考えられる。特開昭６２−２２
９１４１２号公報には、このような構造を有するインダ
クティブ磁気ヘッド（複合型薄膜磁気ヘッドではない）
が開示されている。【０００６】図１２は、この種の構造を有する複合型薄
膜磁気ヘッドを示した断面図である。同図において、１
２００は非磁性基板上に形成された下地層を示してい
る。この下地層１２００は、ＡＢＳ面側が高くなるよう
に段差が設けられている。この下地層１２００上には、
下部シールド層１２０１が積層されている。この下部シ
ールド層１２０１の上には絶縁層（下部ギャップ層）１
２０２が設けられている。ＡＢＳ面の近傍の絶縁層１２
０２上にはＮｉＦｅ合金からなるＭＲ層１２０３が積層
されている。ＭＲ層１２０３にはＭＲリード導体１２０
４が接続されている。さらにその上には、絶縁層（上部
ギャップ層）１２０５を介してＭＲヘッド部の上部シー
ルド層１２０６が積層されている。この上部シールド層
１２０６は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層
をも兼ねており、前述のごとく下地層１２００に段差が
設けられているので、ＡＢＳ面側が高くなるような段差
を有することとなる。上部シールド層１２０６上には書
込みギャップ層１２０７が積層されており、その上には
下部絶縁層１２０８が積層されている。この下部絶縁層
１２０８上に導体コイル１２０９が形成されている。導
体コイル１２０９上には上部絶縁層１２１０が設けられ
ており、この上部絶縁層１２１０上には上部磁極層１２
１１及び保護膜１２１２が積層されている。【０００７】【発明が解決しようとする課題】近年、ＭＲヘッドは、
高記録密度化に対応するために、その下部シールド層及
び上部シールド層の間隔であるリードギャップを狭くす
ることが要求されている。周知のように、ＭＲヘッドの
リードギャップは、その電磁特性を決める重要な要素で
あり、狭くなればなるほどより高記録密度化に対応可能
となる。しかしながら、リードギャップを狭くすると、
下部シールド層の非平坦部（本明細書においては、シー
ルド層が部分的に形成されている場合にはその端面部、
及びシールド層が段差を有するように形成されている場
合にはその段差部を示すものとする）とＭＲリード導体
とが短絡又は短絡に近い状態となってしまうので、高性
能なヘッドを得ることが難しい。【０００８】従って本発明は、リードギャップを狭くし
てもＭＲリード導体とＭＲ層のシールド層との短絡が生
じない高記録密度対応の複合型薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的としている。【０００９】【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、複合型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果ヘッド部が、
磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層に接続されるリード
導体と、非平坦部を有しており磁気抵抗効果層をシール
ドするためのシールド層と、リード導体をシールド層か
ら絶縁するための絶縁層と、少なくともシールド層の非
平坦部とリード導体との間に付加的に形成された短絡防
止膜とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。【００１０】シールド層が部分的に形成されている場合
にはその端面部、及びシールド層が段差を有するように
形成されている場合にはその段差部であるシールド層の
少なくとも非平坦部とリード導体との間に絶縁層に対し
て付加的に短絡防止膜が形成されている。絶縁性が平坦
部より悪くなると思われる非平坦部に、このように短絡
防止膜を付加することにより、シールド層とリード導体
との絶縁性がより一層向上することとなる。【００１１】本発明の一実施態様によれば、短絡防止膜
は、少なくとも下部シールド層の非平坦部とリード導体
との間に形成された膜である。【００１２】本発明の一実施態様によれば、短絡防止膜
は、少なくとも上部シールド層の非平坦部とリード導体
との間に形成された膜である。上部シールド層の非平坦
部とリード導体との間及び下部シールド層の非平坦部と
リード導体との間に短絡防止膜を形成してもよい。【００１３】本発明の一実施態様によれば、短絡防止膜
は、下部シールド層の非平坦部のうち、磁気ヘッドの浮
上面近傍を除く該非平坦部を覆う膜である。【００１４】本発明の一実施態様によれば、短絡防止膜
は、レジスト等の有機絶縁膜により形成されているが、
これは絶縁層とは別個の無機絶縁膜であってもよい。【００１５】【実施例】以下本発明の実施例を詳細に説明する。図１
は本発明の一実施例の構成を概略的に示す断面図であ
り、図２は図１に示す一部の膜を透視的に見た図であ
る。なお、図１は図２のＡ−Ａ線断面図に相当してい
る。【００１６】これらの図において、１００はＡｌ₂ Ｏ₃
−ＴｉＣ（アルティック）等の非磁性基板上に形成され
たＡｌ₂ Ｏ₃ 等の下地層を示している。この下地層１０
０上には、ＭＲ素子部分を残すようにパターニングされ
たテーパ状の下部シールド層１０１が積層されている。
この下部シールド層１０１は、数μｍ好ましくは１〜３
μｍの厚さの例えばＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性
膜をめっき又はスパッタリングすることにより形成した
後、ミリング又はウエットエッチングでパターニングす
ることにより形成される。【００１７】下部シールド層１０１のテーパ状の端面部
１０１ａ（非平坦部）上には、磁気ヘッドのＡＢＳ面近
傍を除いてこの端面部１０１ａを覆うように短絡防止膜
１１３が形成されている。この短絡防止膜１１３は、好
ましくはレジスト等の有機絶縁膜を形成し、これをフォ
トリソグラフィーによりパターニングした後熱処理によ
り硬化させて形成する。または、短絡防止膜１１３は、
Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂等の無機絶縁膜をイオンビームス
パッタリング等でスパッタリングした後リフトオフ法等
を用いてパターニングして形成するか又はスパッタリン
グの後エッチングによりパターニングして形成する。【００１８】下部シールド層１０１及び短絡防止膜１１
３の上、並びに下部シールド層１０１及び短絡防止膜１
１３の部分を除く下地層１００上には絶縁層（下部ギャ
ップ層）１０２が設けられている。この下部ギャップ層
１０２は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングし
て形成したコンマ数μｍの無機絶縁膜である。【００１９】ＡＢＳ面の近傍の絶縁層１０２上には、本
実施例ではＮｉＦｅ、Ｔａ及びＮｉＦｅＸ（ただし、Ｘ
＝Ｃｒ又はＲｈ等）の三層膜からなるＭＲ層１０３が積
層されている。このＭＲ層１０３は、数百Åの膜厚を有
しており、スパッタリングにより形成される。ＭＲ層１
０３には、Ｔａ、Ｗ又はＣｕ等をスパッタリングして形
成した膜厚が千〜数千ÅのＭＲリード導体１０４が接続
されている。【００２０】さらにその上には、絶縁層（上部ギャップ
層）１０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層１０
６が積層されている。上部ギャップ層１０５は、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ
数μｍの無機絶縁膜である。上部シールド層１０６は、
数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅや
ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッタリング
することにより形成される。この上部シールド層１０６
は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼ね
ており、前述のごとく下部シールド層１０１がテーパ状
となっているため、ＡＢＳ面側が高くなるような段差を
有することとなる。上部シールド層と下部磁極層とが別
個に設けられる場合もある。【００２１】上部シールド層１０６上には書込みギャッ
プ層１０７が積層されている。この書込みギャップ層１
０７は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして
形成した０．４〜０．５μｍの無機絶縁膜である。書込
みギャップ層１０７の上には下部絶縁層１０８が積層さ
れている。この下部絶縁層１０８上には、Ｃｕをめっき
してパターニングすることにより数μｍの膜厚の導体コ
イル１０９が形成されている。導体コイル１０９上には
上部絶縁層１１０が設けられている。下部絶縁層１０８
及び上部絶縁層１１０は、数μｍの膜厚のレジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりパターニン
グした後、熱処理により硬化させて形成されている。【００２２】この上部絶縁層１１０上には上部磁極層１
１１及び保護膜１１２が積層されている。上部磁極層１
１１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮ
ｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッ
タリングすることにより形成される。【００２３】図２から明らかのように、本実施例におい
ては、下部シールド層１０１のテーパ状の端面部１０１
ａ上の、磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍を除いた部分にこの
端面部１０１ａを覆うように短絡防止膜１１３が形成さ
れている。これによって、下部シールド層１０１の端面
部１０１ａとＭＲリード導体１０４との間の絶縁性がよ
り高くなり、絶縁層（下部ギャップ層）１０２をより薄
くした場合にも短絡を防止することができる。前述した
ように、短絡防止膜１１３は、レジスト等の有機絶縁膜
で形成することがピンホールの発生がなく工程を比較的
簡単にできるので好ましいが、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等
の無機絶縁膜であってもよい。後者の場合、絶縁層１０
２とは異なる工程で形成すると、ピンホールが発生して
もその部分の重なりが避けられるため、短絡等の発生を
防止できる。【００２４】短絡防止膜１１３は、磁気ヘッドのＡＢＳ
面近傍を除く下部シールド層１０１上全体に設けても良
いし、下部シールド層１０１のテーパ状の端面部１０１
ａ上のみに設けても良い。端面部１０１ａ上であって
も、ＭＲリード導体１０４の存在しない部分には設けな
くとも良い。【００２５】ＭＲリード導体は、図２に示した形状の他
に、例えば図３に示したように種々の形状を取り得る。
図３の例において、３０１は下部シールド層、３０１ａ
はそのテーパ状の端面部、３０３はＭＲ層、３０４はＭ
Ｒリード導体、３１３は短絡防止膜である。いずれの形
状の場合にも、短絡防止膜１１３又は３１３は、少なく
とも、下部シールド層１０１又は３０１のテーパ状の端
面部１０１ａ又は３０１ａとＭＲリード導体１０４又は
３０４との間に付加的に設けられる。図３の例におい
て、ＭＲリード導体の形状を除く構成及び変更態様は前
述した図１及び図２の実施例の場合と全く同様である。【００２６】下部シールド層１０１及び３０１の端面部
１０１ａ及び３０１ａは上述した例ではテーパ状となっ
ているが、下部シールド層をめっきで形成するとその端
面部はステップ状となる。図４及び図５は、このように
ステップ状の端面部を有する場合の、下部シールド層４
０１及び５０１、それらのステップ状端面部４０１ａ及
び５０１ａ、ＭＲ層４０３及び５０３、ＭＲリード導体
４０４及び５０４、並びに短絡防止膜４１３及び５１３
をそれぞれ表わしている。図４及び図５の例において、
端面部の形状及び短絡防止膜４１３及び５１３の平面形
状を除く構成及び変更態様は前述した図１及び図２の実
施例の場合と全く同様である。【００２７】図１及び図２の実施例において、ＭＲ層１
０３を形成した後、絶縁層（下部ギャップ層）１０２の
ピンホール等を埋めてその耐圧を向上させるために、Ｍ
Ｒ素子形成部を除く平坦部にリフトオフ法等を用いて無
機絶縁膜を形成してもよい。ただし、短絡防止膜１１３
を磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍を除く下部シールド層１０
１上全体に設ければ、このような平坦部の無機絶縁膜を
省略することができる。【００２８】図６は本発明の他の実施例の構成を概略的
に示す断面図である。この実施例は、図１及び図２の実
施例のごとく下部シールド層が部分的に形成されている
のではなく、下地層上にその全面に渡って下部シールド
層が形成されている例である。【００２９】図６において、６００はＡｌ₂ Ｏ₃ −Ｔｉ
Ｃ（アルティック）等の非磁性基板上に形成されたＡｌ
₂ Ｏ₃ 等の下地層を示している。この下地層６００に
は、成膜した後に適度な穴を形成することによりテーパ
状の段差部が設けられている。下地層６００上には、そ
の全面に渡って下部シールド層６０１が積層されてい
る。この下部シールド層６０１は、数μｍ好ましくは１
〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟
磁性膜をめっき又はスパッタリングすることにより形成
される。下地層６００がテーパ状の段差部を有している
ため、その上に積層された下部シールド層６０１も当然
にテーパ状の段差部６０１ａ（非平坦部）を有してい
る。【００３０】下部シールド層６０１のテーパ状の段差部
６０１ａ上には、磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍を除いてこ
の段差部６０１ａを覆うように短絡防止膜６１３が形成
されている。この短絡防止膜６１３は、好ましくはレジ
スト等の有機絶縁膜を形成し、これをフォトリソグラフ
ィーによりパターニングした後熱処理により硬化させて
形成する。または、短絡防止膜６１３は、Ａｌ₂ Ｏ₃ や
ＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜をイオンビームスパッタリング
等でスパッタリングした後リフトオフ法等を用いてパタ
ーニングして形成するか又はスパッタリングの後エッチ
ングによりパターニングして形成する。【００３１】下部シールド層６０１及び短絡防止膜６１
３の上には絶縁層（下部ギャップ層）６０２が設けられ
ている。この下部ギャップ層６０２は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳ
ｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ数μｍの
無機絶縁膜である。【００３２】ＡＢＳ面の近傍の絶縁層６０２上には、本
実施例ではＮｉＦｅ、Ｔａ及びＮｉＦｅＸ（ただし、Ｘ
＝Ｃｒ又はＲｈ等）の三層膜からなるＭＲ層６０３が積
層されている。このＭＲ層６０３は、数百Åの膜厚を有
しており、スパッタリングにより形成される。ＭＲ層６
０３には、Ｔａ、Ｗ又はＣｕ等をスパッタリングして形
成した膜厚が千〜数千ÅのＭＲリード導体６０４が接続
されている。【００３３】さらにその上には、絶縁層（上部ギャップ
層）６０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層６０
６が積層されている。上部ギャップ層６０５は、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ
数μｍの無機絶縁膜である。上部シールド層６０６は、
数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅや
ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッタリング
することにより形成される。この上部シールド層６０６
は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼ね
ており、前述のごとく下部シールド層６０１の段差部が
テーパ状となっているため、ＡＢＳ面側が高くなるよう
な段差を有することとなる。上部シールド層と下部磁極
層とが別個に設けられる場合もある。【００３４】上部シールド層６０６上には書込みギャッ
プ層６０７が積層されている。この書込みギャップ層６
０７は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして
形成した０．４〜０．５μｍの無機絶縁膜である。書込
みギャップ層６０７の上には下部絶縁層６０８が積層さ
れている。この下部絶縁層６０８上には、Ｃｕをめっき
してパターニングすることにより数μｍの膜厚の導体コ
イル６０９が形成されている。導体コイル６０９上には
上部絶縁層６１０が設けられている。下部絶縁層６０８
及び上部絶縁層６１０は、数μｍの膜厚のレジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりパターニン
グした後、熱処理により硬化させて形成されている。【００３５】この上部絶縁層６１０上には上部磁極層６
１１及び保護膜６１２が積層されている。上部磁極層６
１１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮ
ｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッ
タリングすることにより形成される。【００３６】本実施例においては、下部シールド層６０
１のテーパ状の段差部６０１ａ上の、磁気ヘッドのＡＢ
Ｓ面近傍を除いた部分にこの段差部６０１ａを覆うよう
に短絡防止膜６１３が形成されている。これによって、
下部シールド層６０１の段差部６０１ａとＭＲリード導
体６０４との間の絶縁性がより高くなり、絶縁層（下部
ギャップ層）６０２をより薄くした場合にも短絡を防止
することができる。前述したように、短絡防止膜６１３
は、レジスト等の有機絶縁膜で形成することがピンホー
ルの発生がなく工程を比較的簡単にできるので好ましい
が、Ａｌ₂ Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜であってもよ
い。後者の場合、絶縁層６０２とは異なる工程で形成す
ると、ピンホールが発生してもその部分の重なりが避け
られるため、短絡等の発生を防止できる。本実施例のそ
の他の構成及び変更態様は前述した図１及び図２の実施
例の場合と全く同様である。【００３７】図７は本発明のさらに他の実施例の構成を
概略的に示す断面図である。この実施例は、図１及び図
２の実施例のごとく下部シールド層の上に短絡防止膜が
形成されているのではなく、絶縁層（下部ギャップ層）
を形成後、その下部ギャップ層上に短絡防止膜が形成さ
れている例である。【００３８】図７において、７００はＡｌ₂ Ｏ₃ −Ｔｉ
Ｃ（アルティック）等の非磁性基板上に形成されたＡｌ
₂ Ｏ₃ 等の下地層を示している。この下地層７００上に
は、ＭＲ素子部分を残すようにパターニングされたテー
パ状の下部シールド層７０１が積層されている。この下
部シールド層７０１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの
厚さの例えばＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめ
っき又はスパッタリングすることにより形成した後、ミ
リング又はウエットエッチングでパターニングすること
により形成される。【００３９】下部シールド層７０１上には絶縁層（下部
ギャップ層）７０２が設けられている。この下部ギャッ
プ層７０２は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリン
グして形成したコンマ数μｍの無機絶縁膜である。【００４０】下部ギャップ層７０２上の、下部シールド
層７０１のテーパ状の端面部７０１ａ（非平坦部）に対
応する部分には、磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍を除いてこ
の端面部対応部分を覆うように短絡防止膜７１３が形成
されている。この短絡防止膜７１３は、好ましくはレジ
スト等の有機絶縁膜を形成し、これをフォトリソグラフ
ィーによりパターニングした後熱処理により硬化させて
形成する。または、短絡防止膜７１３は、Ａｌ₂ Ｏ₃ や
ＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜をイオンビームスパッタリング
等でスパッタリングした後リフトオフ法等を用いてパタ
ーニングして形成するか又はスパッタリングの後エッチ
ングによりパターニングして形成する。この短絡防止膜
７１３の形成は、後述するＭＲ層７０３の形成前であっ
ても後であってもよい。【００４１】ＡＢＳ面の近傍の絶縁層７０２上には、本
実施例ではＮｉＦｅ、Ｔａ及びＮｉＦｅＸ（ただし、Ｘ
＝Ｃｒ又はＲｈ等）の三層膜からなるＭＲ層７０３が積
層されている。このＭＲ層７０３は、数百Åの膜厚を有
しており、スパッタリングにより形成される。ＭＲ層７
０３には、Ｔａ、Ｗ又はＣｕ等をスパッタリングして形
成した膜厚が千〜数千ÅのＭＲリード導体７０４が接続
されている。【００４２】さらにその上には、絶縁層（上部ギャップ
層）７０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層７０
６が積層されている。上部ギャップ層７０５は、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ
数μｍの無機絶縁膜である。上部シールド層７０６は、
数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅや
ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッタリング
することにより形成される。この上部シールド層７０６
は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼ね
ており、前述のごとく下部シールド層７０１がテーパ状
となっているため、ＡＢＳ面側が高くなるような段差を
有することとなる。上部シールド層と下部磁極層とが別
個に設けられる場合もある。【００４３】上部シールド層７０６上には書込みギャッ
プ層７０７が積層されている。この書込みギャップ層７
０７は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして
形成した０．４〜０．５μｍの無機絶縁膜である。書込
みギャップ層７０７の上には下部絶縁層７０８が積層さ
れている。この下部絶縁層７０８上には、Ｃｕをめっき
してパターニングすることにより数μｍの膜厚の導体コ
イル７０９が形成されている。導体コイル７０９上には
上部絶縁層７１０が設けられている。下部絶縁層７０８
及び上部絶縁層７１０は、数μｍの膜厚のレジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりパターニン
グした後、熱処理により硬化させて形成されている。【００４４】この上部絶縁層７１０上には上部磁極層７
１１及び保護膜７１２が積層されている。上部磁極層７
１１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮ
ｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッ
タリングすることにより形成される。【００４５】本実施例においては、下部ギャップ層７０
２上の、下部シールド層７０１のテーパ状の端面部７０
１ａ（非平坦部）に対応する部分には、磁気ヘッドのＡ
ＢＳ面近傍を除いてこの端面部対応部分を覆うように短
絡防止膜７１３が形成されている。これによって、下部
シールド層７０１の端面部７０１ａとＭＲリード導体７
０４との間の絶縁性がより高くなり、絶縁層（下部ギャ
ップ層）７０２をより薄くした場合にも短絡を防止する
ことができる。前述したように、短絡防止膜７１３は、
レジスト等の有機絶縁膜で形成することがピンホールの
発生がなく工程が比較的簡単にできるので好ましいが、
Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜であってもよい。
後者の場合、絶縁層７０２とは異なる工程で形成する
と、ピンホールが発生してもその部分の重なりが避けら
れるため、短絡等の発生を防止できる。本実施例のその
他の構成及び変更態様は前述した図１及び図２の実施例
の場合と全く同様である。【００４６】図８は本発明のまたさらに他の実施例の構
成を概略的に示す断面図である。この実施例は、図１及
び図２の実施例のごとく下部シールド層の上に短絡防止
膜が形成されているのではなく、ＭＲリード導体の上に
短絡防止膜が形成されている例である。【００４７】図８において、８００はＡｌ₂ Ｏ₃ −Ｔｉ
Ｃ（アルティック）等の非磁性基板上に形成されたＡｌ
₂ Ｏ₃ 等の下地層を示している。この下地層８００上に
は、ＭＲ素子部分を残すようにパターニングされたテー
パ状の下部シールド層８０１が積層されている。この下
部シールド層８０１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの
厚さの例えばＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめ
っき又はスパッタリングすることにより形成した後、ミ
リング又はウエットエッチングでパターニングすること
により形成される。【００４８】下部シールド層８０１上には絶縁層（下部
ギャップ層）８０２が設けられている。この下部ギャッ
プ層８０２は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリン
グして形成したコンマ数μｍの無機絶縁膜である。【００４９】ＡＢＳ面の近傍の絶縁層（下部ギャップ
層）８０２上には、本実施例ではＮｉＦｅ、Ｔａ及びＮ
ｉＦｅＸ（ただし、Ｘ＝Ｃｒ又はＲｈ等）の三層膜から
なるＭＲ層８０３が積層されている。このＭＲ層８０３
は、数百Åの膜厚を有しており、スパッタリングにより
形成される。ＭＲ層８０３には、Ｔａ、Ｗ又はＣｕ等を
スパッタリングして形成した膜厚が千〜数千ÅのＭＲリ
ード導体８０４が接続されている。【００５０】ＭＲリード導体８０４上の、後述する上部
シールド層８０６のテーパ状の段差部８０６ａ（非平坦
部）に対応する部分には、磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍を
除いてこの段差部対応部分を覆うように短絡防止膜８１
３が形成されている。この短絡防止膜８１３は、好まし
くはレジスト等の有機絶縁膜を形成し、これをフォトリ
ソグラフィーによりパターニングした後熱処理により硬
化させて形成する。または、短絡防止膜８１３は、Ａｌ
₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜をイオンビームスパッ
タリング等でスパッタリングした後リフトオフ法等を用
いてパターニングして形成するか又はスパッタリングの
後エッチングによりパターニングして形成する。【００５１】さらにその上には、絶縁層（上部ギャップ
層）８０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層８０
６が積層されている。上部ギャップ層８０５は、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ
数μｍの無機絶縁膜である。上部シールド層８０６は、
数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅや
ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッタリング
することにより形成される。この上部シールド層８０６
は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼ね
ており、前述のごとく下部シールド層８０１がテーパ状
の端面を有しているため、これに対応する部分にＡＢＳ
面側が高くなるような段差部を有することとなる。上部
シールド層と下部磁極層とが別個に設けられる場合もあ
る。【００５２】上部シールド層８０６上には書込みギャッ
プ層８０７が積層されている。この書込みギャップ層８
０７は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして
形成した０．４〜０．５μｍの無機絶縁膜である。書込
みギャップ層８０７の上には下部絶縁層８０８が積層さ
れている。この下部絶縁層８０８上には、Ｃｕをめっき
してパターニングすることにより数μｍの膜厚の導体コ
イル８０９が形成されている。導体コイル８０９上には
上部絶縁層８１０が設けられている。下部絶縁層８０８
及び上部絶縁層８１０は、数μｍの膜厚のレジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりパターニン
グした後、熱処理により硬化させて形成されている。【００５３】この上部絶縁層８１０上には上部磁極層８
１１及び保護膜８１２が積層されている。上部磁極層８
１１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮ
ｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッ
タリングすることにより形成される。【００５４】本実施例においては、ＭＲリード導体８０
４上の、上部シールド層８０６のテーパ状の段差部８０
６ａ（非平坦部）に対応する部分には、磁気ヘッドのＡ
ＢＳ面近傍を除いてこの段差部対応部分を覆うように短
絡防止膜８１３が形成されている。これによって、上部
シールド層８０６の段差部８０６ａとＭＲリード導体８
０４との間の絶縁性がより高くなり、絶縁層（上部ギャ
ップ層）８０５をより薄くした場合にも短絡を防止する
ことができる。前述したように、短絡防止膜８１３は、
レジスト等の有機絶縁膜で形成することがピンホールの
発生がなく工程を比較的簡単にできるので好ましいが、
Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜であってもよい。
後者の場合、絶縁層（上部ギャップ層）８０５とは異な
る工程で形成すると、ピンホールが発生してもその部分
の重なりが避けられるため、短絡等の発生を防止でき
る。本実施例のその他の構成及び変更態様は前述した図
１及び図２の実施例の場合と全く同様である。【００５５】図９は本発明のさらに他の実施例の構成を
概略的に示す断面図である。この実施例は、図１及び図
２の実施例のごとく下部シールド層の上に短絡防止膜が
形成されているのではなく、上部ギャップ層の上に短絡
防止膜が形成されている例である。【００５６】図９において、９００はＡｌ₂ Ｏ₃ −Ｔｉ
Ｃ（アルティック）等の非磁性基板上に形成されたＡｌ
₂ Ｏ₃ 等の下地層を示している。この下地層９００上に
は、ＭＲ素子部分を残すようにパターニングされたテー
パ状の下部シールド層９０１が積層されている。この下
部シールド層９０１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの
厚さの例えばＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめ
っき又はスパッタリングすることにより形成した後、ミ
リング又はウエットエッチングでパターニングすること
により形成される。【００５７】下部シールド層９０１上には絶縁層（下部
ギャップ層）９０２が設けられている。この下部ギャッ
プ層９０２は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリン
グして形成したコンマ数μｍの無機絶縁膜である。【００５８】ＡＢＳ面の近傍の絶縁層（下部ギャップ
層）９０２上には、本実施例ではＮｉＦｅ、Ｔａ及びＮ
ｉＦｅＸ（ただし、Ｘ＝Ｃｒ又はＲｈ等）の三層膜から
なるＭＲ層９０３が積層されている。このＭＲ層９０３
は、数百Åの膜厚を有しており、スパッタリングにより
形成される。ＭＲ層９０３には、Ｔａ、Ｗ又はＣｕ等を
スパッタリングして形成した膜厚が千〜数千ÅのＭＲリ
ード導体９０４が接続されている。【００５９】さらにその上には、絶縁層（上部ギャップ
層）９０５を介してＭＲヘッド部の上部シールド層９０
６が積層されている。上部ギャップ層９０５は、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして形成したコンマ
数μｍの無機絶縁膜である。上部シールド層９０６は、
数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮｉＦｅや
ＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッタリング
することにより形成される。この上部シールド層９０６
は、インダクティブ記録ヘッド部の下部磁極層をも兼ね
ており、前述のごとく下部シールド層９０１がテーパ状
の端面を有しているため、これに対応する部分にＡＢＳ
面側が高くなるような段差部を有することとなる。上部
シールド層と下部磁極層とが別個に設けられる場合もあ
る。【００６０】絶縁層（上部ギャップ層）９０５上の、上
部シールド層９０６のテーパ状の段差部９０６ａ（非平
坦部）に対応する部分には、磁気ヘッドのＡＢＳ面近傍
を除いてこの段差部対応部分を覆うように短絡防止膜９
１３が形成されている。この短絡防止膜９１３は、好ま
しくはレジスト等の有機絶縁膜を形成し、これをフォト
リソグラフィーによりパターニングした後熱処理により
硬化させて形成する。または、短絡防止膜９１３は、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜をイオンビームスパ
ッタリング等でスパッタリングした後リフトオフ法等を
用いてパターニングして形成するか又はスパッタリング
の後エッチングによりパターニングして形成する。【００６１】上部シールド層９０６上には書込みギャッ
プ層９０７が積層されている。この書込みギャップ層９
０７は、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等をスパッタリングして
形成した０．４〜０．５μｍの無機絶縁膜である。書込
みギャップ層９０７の上には下部絶縁層９０８が積層さ
れている。この下部絶縁層９０８上には、Ｃｕをめっき
してパターニングすることにより数μｍの膜厚の導体コ
イル９０９が形成されている。導体コイル９０９上には
上部絶縁層９１０が設けられている。下部絶縁層９０８
及び上部絶縁層９１０は、数μｍの膜厚のレジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィーによりパターニン
グした後、熱処理により硬化させて形成されている。【００６２】この上部絶縁層９１０上には上部磁極層９
１１及び保護膜９１２が積層されている。上部磁極層９
１１は、数μｍ好ましくは１〜３μｍの厚さの例えばＮ
ｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等の軟磁性膜をめっき又はスパッ
タリングすることにより形成される。【００６３】本実施例においては、絶縁層（上部ギャッ
プ層）９０５上の、上部シールド層９０６のテーパ状の
段差部９０６ａ（非平坦部）に対応する部分には、磁気
ヘッドのＡＢＳ面近傍を除いてこの段差部対応部分を覆
うように短絡防止膜９１３が形成されている。これによ
って、上部シールド層９０６の段差部９０６ａとＭＲリ
ード導体９０４との間の絶縁性がより高くなり、絶縁層
（上部ギャップ層）９０５をより薄くした場合にも短絡
を防止することができる。前述したように、短絡防止膜
９１３は、レジスト等の有機絶縁膜で形成することがピ
ンホールの発生がなく工程が比較的簡単にできるので好
ましいが、Ａｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の無機絶縁膜であっ
てもよい。後者の場合、絶縁層（上部ギャップ層）９０
５とは異なる工程で形成すると、ピンホールが発生して
もその部分の重なりが避けられるため、短絡等の発生を
防止できる。本実施例のその他の構成及び変更態様は前
述した図１及び図２の実施例の場合と全く同様である。【００６４】以上述べた実施例は全て本発明を例示的に
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。【００６５】【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、複合型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果ヘッド部が、
磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層に接続されるリード
導体と、非平坦部を有しており磁気抵抗効果層をシール
ドするためのシールド層と、リード導体をシールド層か
ら絶縁するための絶縁層と、少なくともシールド層の非
平坦部とリード導体との間に付加的に形成された短絡防
止膜とを備えているため、シールド層とリード導体との
絶縁性がより一層向上することとなり、絶縁ギャップ層
の膜厚をさらに薄くしても短絡を防止することができ
る。その結果、高記録密度対応で信頼性の高い複合型薄
膜磁気ヘッドを提供できる。Detailed Description of the Invention [0001] The present invention separates the recording and reproducing functions.
And a composite type thin film magnetic head. [0002] 2. Description of the Related Art In order to increase the density of magnetic recording, recording
A composite type thin film magnetic head having a separated reproducing function is known.
It FIG. 10 shows an MR using a magnetoresistive (MR) element.
Stack the inductive magnetic recording head on the reproducing head.
The basic structure of a layered composite thin film magnetic head is shown.
FIG. In the figure, 1000 is a non-magnetic substrate
The underlayer formed above is shown. This underlayer 100
0, the lower shield layer 1001 of the MR head is stacked.
Layer, on top of which an insulating layer (lower gap layer) 1
002 through the MR layer 1003 made of a NiFe alloy
It is stacked. On top of that, an insulating layer (upper
Top layer of the MR head through the upper layer 1005
Layers 1006 are stacked. This upper shield layer 10
06 also includes the lower magnetic pole layer of the inductive recording head portion.
Also serves as. Even if the bottom pole layer is provided separately
is there. The lower insulating layer 100 is formed on the upper shield layer 1006.
8 is laminated, and a conductor is formed on the lower insulating layer 1008.
The coil 1009 is formed. Conductor coil 1009
An upper insulating layer 1010 is provided on the upper
The upper magnetic pole layer 1011 and the protective film 1 are formed on the insulating layer 1010.
012 is laminated. In this way, each layer was laminated flat on the substrate.
The structure of the magnetic head consists of the shape of the recording head and the shield.
Since the layer shape is not considered enough, the recording magnetic field is
It cannot be generated efficiently. Because of this, the lower sea
Part of the ABS layer (air bearing surface) side where the MR layer exists
Formed on the bottom pole layer on the side of the recording head.
To form a recess on the substrate,
Which improves the efficiency of the head and improves the accuracy of the composition.
A combined type thin film magnetic head has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
64-82312 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-298624.
Gazette). FIG. 11 shows a composite type thin film magnetic head of this type.
3 is a cross-sectional view showing the structure of FIG. In the figure, 1100
Indicates an underlayer formed on the non-magnetic substrate. this
A pattern is formed on the underlayer 1100 so as to leave the MR element portion.
A tapered lower shield layer 1101
Layered. Above and below this lower shield layer 1101
An insulating layer (lower gap layer) 1102 is formed on the formation 1100.
Is provided. On the insulating layer 1102 near the ABS surface
Is laminated with an MR layer 1103 made of a NiFe alloy.
There is. An MR lead conductor 1104 is in contact with the MR layer 1103.
Has been continued. Furthermore, an insulating layer (upper gap)
Upper shield layer of the MR head through
1106 are stacked. This upper shield layer 110
6 also serves as the lower magnetic pole layer of the inductive recording head section.
As described above, the lower shield layer 1101 is
Because it is a pad, the step where the ABS side is higher
There will be a difference. On the upper shield layer 1106
A write gap layer 1107 is laminated on the write gap layer 1107.
A lower insulating layer 1108 is laminated. This bottom insulation
A conductor coil 1109 is formed on the layer 1108.
An upper insulating layer 1110 is provided on the conductor coil 1109.
The upper magnetic pole layer 1 is formed on the upper insulating layer 1110.
111 and the protective film 1112 are laminated. As another method for forming a recess on a substrate,
Instead of patterning the bottom shield layer,
Patterning is also conceivable. JP-A-62-22
Japanese Patent No. 91412 discloses an inder having such a structure.
Active magnetic head (not a composite thin film magnetic head)
Is disclosed. FIG. 12 shows a composite thin film having this type of structure.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a film magnetic head. In the figure, 1
Reference numeral 200 denotes an underlayer formed on the non-magnetic substrate
It The base layer 1200 should be high on the ABS side.
There is a step on the. On this base layer 1200,
The lower shield layer 1201 is laminated. This lower part
An insulating layer (lower gap layer) 1 is formed on the shield layer 1201.
202 is provided. Insulating layer 12 near the ABS surface
MR layer 1203 made of NiFe alloy is laminated on 02.
Has been done. The MR lead 120 is formed on the MR layer 1203.
4 is connected. On top of that, an insulating layer (top
The upper seam of the MR head part through the gap layer) 1205.
The field layer 1206 is laminated. This upper shield layer
Reference numeral 1206 denotes a lower magnetic pole layer of the inductive recording head section.
As described above, the step is formed on the underlayer 1200.
Since it is provided, a step that makes the ABS surface side higher
Will have. Write on top shield layer 1206
A gap layer 1207 is laminated, and on top of that,
A lower insulating layer 1208 is laminated. This lower insulating layer
A conductor coil 1209 is formed on 1208. Guidance
An upper insulating layer 1210 is provided on the body coil 1209.
The upper magnetic pole layer 12 is formed on the upper insulating layer 1210.
11 and the protective film 1212 are laminated. [0007] In recent years, MR heads have been
In order to support high recording density, its lower shield layer and
The lead gap, which is the distance between the
Is required. As is well known,
The lead gap is an important factor that determines its electromagnetic characteristics.
Yes, the narrower it is, the higher recording density can be supported
Becomes However, if the lead gap is narrowed,
The non-flat portion of the lower shield layer (in this specification, the
If the rudder layer is partially formed, its end face portion,
And the shield layer is formed to have steps.
If so, the stepped portion will be shown) and the MR lead conductor
Is short-circuited or close to short-circuit
It is difficult to get a good head. Therefore, the present invention reduces the lead gap.
Even if a short circuit occurs between the MR lead conductor and the MR layer shield layer
We provide a composite type thin film magnetic head compatible with high recording density.
The purpose is to [0009] Means and Actions for Solving the Problems According to the present invention
For example, the magnetoresistive head of the composite thin film magnetic head
Magnetoresistive layer and leads connected to the magnetoresistive layer
Seals the magnetoresistive layer with conductors and non-flat parts
The shield layer for connecting the lead conductor and the shield layer
Insulation layer to insulate the
Short circuit protection additionally formed between the flat part and the lead conductor
A composite thin film magnetic head having a stop film is provided. When the shield layer is partially formed
So that its end face and the shield layer have steps
If it is formed, the step of the shield layer
At least between the non-flat part and the lead conductor with respect to the insulating layer
In addition, a short-circuit prevention film is additionally formed. Flat insulation
This is a short circuit in the non-flat part that seems to be worse than the part
Shield layer and lead conductor by adding the prevention film
The insulating property with respect to is further improved. According to one embodiment of the present invention, a short circuit prevention film
Is at least the non-flat part of the lower shield layer and the lead conductor.
It is a film formed between and. According to one embodiment of the present invention, a short circuit prevention film
At least the non-flat part of the upper shield layer and the lead conductor
It is a film formed between and. Non-flat top shield layer
Section and the lead conductor and the non-flat part of the lower shield layer
You may form a short circuit prevention film between a lead conductor. According to one embodiment of the present invention, a short circuit prevention film
Is the floating portion of the magnetic head in the non-flat part of the bottom shield layer.
The film covers the non-flat portion except the vicinity of the upper surface. According to one embodiment of the present invention, a short circuit prevention film
Is formed of an organic insulating film such as a resist,
This may be an inorganic insulating film separate from the insulating layer. [0015] Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG.
FIG. 3 is a sectional view schematically showing the configuration of an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a part of the film shown in FIG.
It Note that FIG. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
It In these figures, 100 is Al₂ O₃
-Formed on a non-magnetic substrate such as TiC (Altic)
Al₂ O₃ Etc., the underlayer is shown. This underlayer 10
0 is patterned to leave the MR element portion.
A tapered lower shield layer 101 is laminated.
The lower shield layer 101 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3
Soft magnetic material with a thickness of μm, such as NiFe or FeAlSi
Formed by plating or sputtering the film
After that, patterning by milling or wet etching
It is formed by Tapered end face portion of the lower shield layer 101
On the 101a (non-flat portion), near the ABS surface of the magnetic head
A short-circuit prevention film so as to cover this end surface portion 101a except the side
113 is formed. This short-circuit prevention film 113 is suitable
Preferably, an organic insulating film such as a resist is formed and this is used as a photoresist.
After patterning by lithographic process
It is cured and formed. Alternatively, the short-circuit prevention film 113 is
Al₂ O₃ And SiO₂Inorganic insulating films such as
Lift-off method after sputtering by sputtering
Formed by patterning or using sputter phosphorus.
Patterning by etching after etching. Lower shield layer 101 and short-circuit prevention film 11
3 and lower shield layer 101 and short-circuit prevention film 1
An insulating layer (lower gap) is formed on the underlayer 100 except for the portion 13
Up layer) 102 is provided. This lower gap layer
102 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputtering etc.
It is an inorganic insulating film having a comma size of several μm. On the insulating layer 102 near the ABS surface, a book is formed.
In the examples, NiFe, Ta and NiFeX (where X is
= MR or Rh) MR layer 103 formed of a three-layer film
Layered. This MR layer 103 has a film thickness of several hundred liters.
And is formed by sputtering. MR layer 1
03 is formed by sputtering Ta, W, Cu or the like.
The MR lead conductor 104 with a thickness of 1,000 to several thousand Å is connected
Has been done. On top of that, an insulating layer (upper gap)
Layer) 105 and the upper shield layer 10 of the MR head
6 are stacked. The upper gap layer 105 is made of Al₂
O₃And SiO₂ Comma formed by sputtering etc.
It is an inorganic insulating film of several μm. The upper shield layer 106 is
For example, NiFe having a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm
Plating or sputtering of soft magnetic film such as FeAlSi
It is formed by This upper shield layer 106
Also serves as the bottom pole layer of the inductive recording head.
As described above, the lower shield layer 101 has a tapered shape.
Therefore, there is a step that makes the ABS side higher.
Will have. Separate upper shield layer and lower pole layer
It may be provided individually. A write gap is formed on the upper shield layer 106.
The layer 107 is laminated. This write gap layer 1
07 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputter etc.
The formed inorganic insulating film has a thickness of 0.4 to 0.5 μm. write
A lower insulating layer 108 is laminated on the gap layer 107.
Have been. Cu is plated on the lower insulating layer 108.
And patterning the conductor conductor to a film thickness of several μm.
Ill 109 is formed. On the conductor coil 109
An upper insulating layer 110 is provided. Lower insulating layer 108
The upper insulating layer 110 is a resist film with a thickness of several μm.
Formed and patterned by photolithography
After being cured, it is formed by being cured by heat treatment. The upper magnetic pole layer 1 is formed on the upper insulating layer 110.
11 and the protective film 112 are laminated. Top pole layer 1
11 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm, for example N
Plating or spattering a soft magnetic film such as iFe or FeAlSi
It is formed by talling. As is apparent from FIG. 2, in the present embodiment,
The lower shield layer 101 has a tapered end face portion 101.
This is on the part on a except the ABS surface of the magnetic head.
A short-circuit prevention film 113 is formed so as to cover the end face portion 101a.
Have been. Thereby, the end surface of the lower shield layer 101
The insulation between the part 101a and the MR lead conductor 104 is good.
And the insulating layer (lower gap layer) 102 becomes thinner.
It is possible to prevent a short circuit even in the case of being damaged. Mentioned above
As described above, the short-circuit prevention film 113 is an organic insulating film such as a resist.
It can be formed with
Al is preferable because it can be done easily.₂ O₃ And SiO₂ etc
It may be an inorganic insulating film. In the latter case, the insulating layer 10
If it is formed by a process different from 2, there will be pinholes
Also, since the overlapping of the parts is avoided, the occurrence of short circuit etc.
It can be prevented. The short-circuit prevention film 113 is used for the ABS of the magnetic head.
It may be provided on the entire lower shield layer 101 except near the surface.
The lower end shield layer 101 has a tapered end surface portion 101.
It may be provided only on a. On the end face 101a
However, do not provide it in a portion where the MR lead conductor 104 does not exist.
At best The MR lead conductor has a shape other than that shown in FIG.
In addition, various shapes can be adopted as shown in FIG. 3, for example.
In the example of FIG. 3, 301 is a lower shield layer, 301a
Is the tapered end face, 303 is the MR layer, and 304 is M
The R lead conductor 313 is a short circuit prevention film. Any shape
The short-circuit prevention film 113 or 313 is less
Also, the tapered end of the lower shield layer 101 or 301
The surface portion 101a or 301a and the MR lead conductor 104 or
It is additionally provided between 304 and 304. In the example of Figure 3
The configuration and modification except the shape of the MR lead conductor are as described above.
This is exactly the same as the case of the embodiment shown in FIGS. End face portions of the lower shield layers 101 and 301
101a and 301a are tapered in the above example
However, when the lower shield layer is formed by plating, its edge
The surface portion has a step shape. 4 and 5 are
The lower shield layer 4 having a step-shaped end face portion
01 and 501, their stepped end face portions 401a and 401a
501a, MR layers 403 and 503, MR lead conductor
404 and 504, and short-circuit prevention films 413 and 513
Respectively. In the example of FIGS. 4 and 5,
The shape of the end face portion and the planar shape of the short-circuit prevention films 413 and 513
Except for the shape, the configuration and the modified mode are the same as those of FIGS.
This is exactly the same as the case of the example. In the embodiment of FIGS. 1 and 2, the MR layer 1
03 is formed, the insulating layer (lower gap layer) 102
In order to fill the pinhole etc. and improve the breakdown voltage, M
Nothing was done by using the lift-off method on the flat part except the R element forming part.
A machine insulating film may be formed. However, the short-circuit prevention film 113
Is the lower shield layer 10 excluding the vicinity of the ABS of the magnetic head.
1 If it is provided on the entire surface, such an inorganic insulating film of a flat portion is formed.
It can be omitted. FIG. 6 schematically shows the configuration of another embodiment of the present invention.
FIG. This embodiment is based on the implementation of FIGS.
The lower shield layer is partially formed as in the example.
Not the lower shield over the entire surface, but on the underlayer
This is an example in which layers are formed. In FIG. 6, 600 is Al₂ O₃ -Ti
Al formed on a non-magnetic substrate such as C (Altic)
₂ O₃ Etc., the underlayer is shown. This underlayer 600
Taper by forming appropriate holes after film formation
Shaped stepped portion is provided. On the base layer 600, the
The lower shield layer 601 is laminated over the entire surface of
It The lower shield layer 601 has a thickness of several μm, preferably 1 μm.
Soft such as NiFe or FeAlSi with a thickness of ~ 3 μm
Formed by plating or sputtering magnetic film
Is done. Underlayer 600 has a tapered step
Therefore, the lower shield layer 601 laminated on it is naturally
Has a tapered step portion 601a (non-flat portion)
It Tapered step portion of the lower shield layer 601
Except near the ABS surface of the magnetic head, on the 601a.
The short circuit prevention film 613 is formed so as to cover the step portion 601a of
Has been done. This short-circuit prevention film 613 is preferably a cash register.
An organic insulating film such as a strike is formed and this is photolithographically
After patterning with
Form. Alternatively, the short-circuit prevention film 613 is made of Al.₂ O₃ Or
SiO₂ Ion beam sputtering of inorganic insulating film such as
Pattern by using the lift-off method after sputtering with
Formed by firing or etched after sputtering
Formed by patterning. Lower shield layer 601 and short-circuit prevention film 61
3 is provided with an insulating layer (lower gap layer) 602
ing. The lower gap layer 602 is made of Al₂ O₃ And S
iO₂ With a comma of several μm formed by sputtering
It is an inorganic insulating film. On the insulating layer 602 near the ABS surface, a book is formed.
In the examples, NiFe, Ta and NiFeX (where X is
= Cr or Rh) MR layer 603 composed of a three-layer film
Layered. This MR layer 603 has a film thickness of several hundred Å.
And is formed by sputtering. MR layer 6
03 is formed by sputtering Ta, W, Cu or the like.
The MR lead conductor 604 with a thickness of 1,000 to several thousand Å is connected
Has been done. On top of that, an insulating layer (upper gap)
Layer) 605 and the upper shield layer 60 of the MR head
6 are stacked. The upper gap layer 605 is made of Al₂
O₃And SiO₂ Comma formed by sputtering etc.
It is an inorganic insulating film of several μm. The upper shield layer 606 is
For example, NiFe having a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm
Plating or sputtering of soft magnetic film such as FeAlSi
It is formed by This upper shield layer 606
Also serves as the bottom pole layer of the inductive recording head.
As described above, the step portion of the lower shield layer 601 is
Since it is tapered, the ABS surface side should be higher.
It will have a large step. Top shield layer and bottom pole
In some cases, the layers are provided separately. A write gap is formed on the upper shield layer 606.
The layer 607 is laminated. This write gap layer 6
07 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputter etc.
The formed inorganic insulating film has a thickness of 0.4 to 0.5 μm. write
A lower insulating layer 608 is laminated on the gap layer 607.
Have been. Cu is plated on the lower insulating layer 608.
And patterning the conductor conductor to a film thickness of several μm.
Ile 609 is formed. On the conductor coil 609
An upper insulating layer 610 is provided. Lower insulating layer 608
The upper insulating layer 610 is a resist film having a thickness of several μm.
Formed and patterned by photolithography
After being cured, it is formed by being cured by heat treatment. The upper magnetic pole layer 6 is formed on the upper insulating layer 610.
11 and the protective film 612 are laminated. Top pole layer 6
11 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm, for example N
Plating or spattering a soft magnetic film such as iFe or FeAlSi
It is formed by talling. In this embodiment, the lower shield layer 60
AB of the magnetic head on the tapered step portion 601a of No. 1
The stepped portion 601a should be covered on the portion excluding the vicinity of the S surface.
A short-circuit prevention film 613 is formed on. by this,
The step portion 601a of the lower shield layer 601 and the MR lead conductor
The insulation between the body 604 and the
Prevents short circuit even when the gap layer 602 is made thinner
can do. As described above, the short circuit prevention film 613
Can be made of organic insulating film such as resist.
It is preferable because there is no occurrence of cracks and the process can be relatively simple.
But Al₂ O₃And SiO₂ May be an inorganic insulating film such as
Yes. In the latter case, the insulating layer 602 is formed in a different process.
Then, even if pinholes occur, avoid overlapping of those parts.
Therefore, the occurrence of a short circuit or the like can be prevented. This example
The other configuration and modification of the configuration of FIG. 1 and FIG.
It is exactly the same as the example. FIG. 7 shows the configuration of another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows schematically. This embodiment is shown in FIG. 1 and FIG.
As in the second embodiment, a short-circuit prevention film is formed on the lower shield layer.
Insulating layer (lower gap layer), not formed
After formation, the short-circuit prevention film is formed on the lower gap layer.
This is an example. In FIG. 7, 700 is Al₂ O₃ -Ti
Al formed on a non-magnetic substrate such as C (Altic)
₂ O₃ Etc., the underlayer is shown. On this underlayer 700
Is patterned to leave the MR element portion.
A par-shaped lower shield layer 701 is laminated. Under this
The partial shield layer 701 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm.
Thickness of soft magnetic film such as NiFe or FeAlSi
After forming by sputtering or sputtering,
Patterning by ring or wet etching
Is formed by. An insulating layer (lower part) is formed on the lower shield layer 701.
A gap layer) 702 is provided. This lower gap
Layer 702 is made of Al₂ O₃ And SiO₂ Spatterin
It is an inorganic insulating film with a comma of several μm formed by etching. Lower shield on lower gap layer 702
The taper end surface portion 701a (non-flat portion) of the layer 701 is paired with
Except near the ABS surface of the magnetic head,
Of short circuit prevention film 713 is formed so as to cover the end face corresponding to
Has been done. This short-circuit prevention film 713 is preferably a cash register.
An organic insulating film such as a strike is formed and this is photolithographically
After patterning with
Form. Alternatively, the short-circuit prevention film 713 is made of Al.₂ O₃ Or
SiO₂ Ion beam sputtering of inorganic insulating film such as
Pattern by using the lift-off method after sputtering with
Formed by firing or etched after sputtering
Formed by patterning. This short circuit prevention film
713 was formed before the formation of the MR layer 703 described later.
It may be later or later. On the insulating layer 702 near the ABS surface, a book is formed.
In the examples, NiFe, Ta and NiFeX (where X is
An MR layer 703 composed of a three-layer film of Cr or Rh)
Layered. This MR layer 703 has a film thickness of several hundred Å.
And is formed by sputtering. MR layer 7
03 is formed by sputtering Ta, W, Cu or the like.
The MR lead conductor 704 with a thickness of 1,000 to several thousand Å is connected
Has been done. Further thereon, an insulating layer (upper gap
Layer) 705 and the upper shield layer 70 of the MR head
6 are stacked. The upper gap layer 705 is made of Al₂
O₃And SiO₂ Comma formed by sputtering etc.
It is an inorganic insulating film of several μm. The upper shield layer 706 is
For example, NiFe having a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm
Plating or sputtering of soft magnetic film such as FeAlSi
It is formed by This upper shield layer 706
Also serves as the bottom pole layer of the inductive recording head.
As described above, the lower shield layer 701 has a tapered shape.
Therefore, there is a step that makes the ABS side higher.
Will have. Separate upper shield layer and lower pole layer
It may be provided individually. A write gap is formed on the upper shield layer 706.
Layer 707 is stacked. This write gap layer 7
07 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputter etc.
The formed inorganic insulating film has a thickness of 0.4 to 0.5 μm. write
A lower insulating layer 708 is stacked on the gap layer 707.
Have been. Cu is plated on the lower insulating layer 708.
And patterning the conductor conductor to a film thickness of several μm.
Ile 709 is formed. On the conductor coil 709
An upper insulating layer 710 is provided. Lower insulating layer 708
The upper insulating layer 710 is a resist film with a thickness of several μm.
Formed and patterned by photolithography
After being cured, it is formed by being cured by heat treatment. The upper magnetic pole layer 7 is formed on the upper insulating layer 710.
11 and the protective film 712 are laminated. Top pole layer 7
11 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm, for example N
Plating or spattering a soft magnetic film such as iFe or FeAlSi
It is formed by talling. In this embodiment, the lower gap layer 70 is used.
2, the lower end shield layer 701 has a tapered end surface portion 70.
In the portion corresponding to 1a (non-flat portion), A of the magnetic head
Short to cover this end face corresponding part except near the BS surface
The anti-entanglement film 713 is formed. This allows the bottom
The end surface portion 701a of the shield layer 701 and the MR lead conductor 7
04, the insulation between them is higher and the insulation layer (lower gap
Prevents short circuit even when the thickness of the top layer 702 is made thinner.
be able to. As described above, the short circuit prevention film 713 is
Pinholes can be formed with an organic insulating film such as a resist.
It is preferable because it does not occur and the process can be relatively simple,
Al₂ O₃ And SiO₂ It may be an inorganic insulating film such as.
In the latter case, the insulating layer 702 is formed in a different step.
Even if a pinhole occurs, it is possible to avoid overlapping of that part.
Therefore, the occurrence of a short circuit or the like can be prevented. That of this embodiment
Other configurations and modifications are the same as those of the embodiment of FIGS. 1 and 2 described above.
Is exactly the same as the case. FIG. 8 shows the structure of still another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows an outline. This embodiment is shown in FIG.
And the short circuit prevention on the lower shield layer as in the embodiment of FIG.
The film is not formed on the MR lead conductor
This is an example in which a short circuit prevention film is formed. In FIG. 8, 800 is Al₂ O₃ -Ti
Al formed on a non-magnetic substrate such as C (Altic)
₂ O₃ Etc., the underlayer is shown. On this underlayer 800
Is patterned to leave the MR element portion.
A par-shaped lower shield layer 801 is laminated. Under this
The partial shield layer 801 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm.
Thickness of soft magnetic film such as NiFe or FeAlSi
After forming by sputtering or sputtering,
Patterning by ring or wet etching
Is formed by. An insulating layer (lower part) is formed on the lower shield layer 801.
A gap layer) 802 is provided. This lower gap
Layer 802 is made of Al₂ O₃ And SiO₂ Spatterin
It is an inorganic insulating film with a comma of several μm formed by etching. Insulating layer near the ABS surface (lower gap
Layer) 802, in this embodiment NiFe, Ta and N
From a three-layer film of iFeX (where X = Cr or Rh, etc.)
The MR layer 803 is formed. This MR layer 803
Has a film thickness of several hundred Å,
It is formed. The MR layer 803 is made of Ta, W, Cu, or the like.
An MR film with a thickness of 1,000 to several thousand Å formed by sputtering.
The ground conductor 804 is connected. An upper portion, which will be described later, on the MR lead conductor 804.
Tapered stepped portion 806a (non-flat) of the shield layer 806
The area corresponding to the part) is located near the ABS surface of the magnetic head.
The short-circuit prevention film 81 is covered so as to cover the portion corresponding to the step portion
3 is formed. This short-circuit prevention film 813 is preferable.
Or an organic insulating film such as a resist is formed, and the
Hardened by heat treatment after patterning by sography
To form. Alternatively, the short-circuit prevention film 813 is made of Al.
₂ O₃ And SiO₂ Inorganic insulating film such as
Lift off method after sputtering by sputtering
Patterning or sputtering or sputtering
It is formed by patterning by post-etching. Further on that, an insulating layer (upper gap
Layer) 805 and the upper shield layer 80 of the MR head
6 are stacked. The upper gap layer 805 is made of Al₂
O₃And SiO₂ Comma formed by sputtering etc.
It is an inorganic insulating film of several μm. The upper shield layer 806 is
For example, NiFe having a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm
Plating or sputtering of soft magnetic film such as FeAlSi
It is formed by This upper shield layer 806
Also serves as the bottom pole layer of the inductive recording head.
As described above, the lower shield layer 801 has a tapered shape.
Since it has an end face of
It will have a stepped portion such that the surface side becomes higher. Upper part
In some cases, the shield layer and the bottom pole layer are provided separately.
It A write gap is formed on the upper shield layer 806.
Layer 807 is laminated. This write gap layer 8
07 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputter etc.
The formed inorganic insulating film has a thickness of 0.4 to 0.5 μm. write
A lower insulating layer 808 is laminated on the gap layer 807.
Have been. Cu is plated on the lower insulating layer 808.
And patterning the conductor conductor to a film thickness of several μm.
Ile 809 is formed. On the conductor coil 809
An upper insulating layer 810 is provided. Lower insulating layer 808
The upper insulating layer 810 is a resist film having a thickness of several μm.
Formed and patterned by photolithography
After being cured, it is formed by being cured by heat treatment. The upper magnetic pole layer 8 is formed on the upper insulating layer 810.
11 and the protective film 812 are laminated. Top pole layer 8
11 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm, for example N
Plating or spattering a soft magnetic film such as iFe or FeAlSi
It is formed by talling. In the present embodiment, the MR lead conductor 80
4, the stepped portion 80 having a tapered shape of the upper shield layer 806.
In the portion corresponding to 6a (non-flat portion), A of the magnetic head
Short so as to cover this step-corresponding part except near the BS surface.
The anti-entanglement film 813 is formed. By this, the upper part
The stepped portion 806a of the shield layer 806 and the MR lead conductor 8
04, the insulating property between the
Top layer) 805 to prevent short circuit even when thinner
be able to. As described above, the short circuit prevention film 813 is
Pinholes can be formed with an organic insulating film such as a resist.
It is preferable because it does not occur and the process can be relatively simple,
Al₂ O₃ And SiO₂ It may be an inorganic insulating film such as.
In the latter case, it is different from the insulating layer (upper gap layer) 805.
If the pinhole is formed in the process
It is possible to prevent the occurrence of short circuit etc.
It Other configurations and modifications of the present embodiment are the same as those described above.
This is exactly the same as the case of the embodiment of FIG. 1 and FIG. FIG. 9 shows the configuration of still another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows schematically. This embodiment is shown in FIG. 1 and FIG.
As in the second embodiment, a short-circuit prevention film is formed on the lower shield layer.
Shorted above the top gap layer rather than formed
This is an example in which the prevention film is formed. In FIG. 9, 900 is Al₂ O₃ -Ti
Al formed on a non-magnetic substrate such as C (Altic)
₂ O₃ Etc., the underlayer is shown. On this underlayer 900
Is patterned to leave the MR element portion.
A par-shaped lower shield layer 901 is laminated. Under this
The partial shield layer 901 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm.
Thickness of soft magnetic film such as NiFe or FeAlSi
After forming by sputtering or sputtering,
Patterning by ring or wet etching
Is formed by. An insulating layer (lower part) is formed on the lower shield layer 901.
A gap layer) 902 is provided. This lower gap
Layer 902 is made of Al₂ O₃ And SiO₂ Spatterin
It is an inorganic insulating film with a comma of several μm formed by etching. Insulating layer near the ABS surface (lower gap
Layer) 902, in this embodiment, NiFe, Ta and N.
From a three-layer film of iFeX (where X = Cr or Rh, etc.)
The MR layer 903 is formed. This MR layer 903
Has a film thickness of several hundred Å,
It is formed. The MR layer 903 is made of Ta, W, Cu, or the like.
An MR film with a thickness of 1,000 to several thousand Å formed by sputtering.
The ground conductor 904 is connected. Further thereon, an insulating layer (upper gap)
Layer) 905 and the upper shield layer 90 of the MR head
6 are stacked. The upper gap layer 905 is made of Al₂
O₃And SiO₂ Comma formed by sputtering etc.
It is an inorganic insulating film of several μm. The upper shield layer 906 is
For example, NiFe having a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm
Plating or sputtering of soft magnetic film such as FeAlSi
It is formed by This upper shield layer 906
Also serves as the bottom pole layer of the inductive recording head.
As described above, the lower shield layer 901 has a tapered shape.
Since it has an end face of
It will have a stepped portion such that the surface side becomes higher. Upper part
In some cases, the shield layer and the bottom pole layer are provided separately.
It Above the insulating layer (upper gap layer) 905
Stepped portion 906a (non-flat surface) of the partial shield layer 906
The area corresponding to the carrier part) is near the ABS surface of the magnetic head
The short-circuit prevention film 9 is formed so as to cover this step-corresponding portion except
13 is formed. This short-circuit prevention film 913 is preferable.
Ideally, an organic insulating film such as a resist is formed, and the
After patterning by lithography, by heat treatment
It is formed by curing. Alternatively, the short-circuit prevention film 913 is A
l₂ O₃ And SiO₂ Inorganic insulation film such as ion beam spa
After sputtering by tattering etc., lift off method etc.
Patterned and formed using or sputtering
It is formed by patterning by post-etching. A write gap is formed on the upper shield layer 906.
Layer 907 is stacked. This write gap layer 9
07 is Al₂ O₃ And SiO₂ Sputter etc.
The formed inorganic insulating film has a thickness of 0.4 to 0.5 μm. write
A lower insulating layer 908 is laminated on the gap layer 907.
Have been. Cu is plated on the lower insulating layer 908.
And patterning the conductor conductor to a film thickness of several μm.
Ile 909 is formed. On the conductor coil 909
An upper insulating layer 910 is provided. Lower insulating layer 908
The upper insulating layer 910 is a resist film having a thickness of several μm.
Formed and patterned by photolithography
After being cured, it is formed by being cured by heat treatment. The upper magnetic pole layer 9 is formed on the upper insulating layer 910.
11 and the protective film 912 are laminated. Top pole layer 9
11 has a thickness of several μm, preferably 1 to 3 μm, for example N
Plating or spattering a soft magnetic film such as iFe or FeAlSi
It is formed by talling. In this embodiment, the insulating layer (upper gap)
Upper layer 905 on the upper shield layer 906.
In the portion corresponding to the step portion 906a (non-flat portion), the magnetic
Except for the area near the ABS surface of the head, cover this step-corresponding part.
Thus, the short-circuit prevention film 913 is formed. This
Therefore, the MR step and the stepped portion 906a of the upper shield layer 906 are
The insulation between the lead conductor 904 and the
(Upper gap layer) Short circuit even when 905 is made thinner
Can be prevented. As mentioned above, short-circuit prevention film
913 may be formed of an organic insulating film such as a resist.
Because there are no holes, the process is relatively easy
Alright, Al₂ O₃ And SiO₂ It is an inorganic insulating film such as
May be. In the latter case, the insulating layer (upper gap layer) 90
If formed in a process different from 5, pinholes will occur
Also, since the overlapping of the parts is avoided, the occurrence of short circuit etc.
It can be prevented. Other configurations and modifications of this embodiment are as described above.
This is exactly the same as the case of the embodiment shown in FIGS. All of the above-mentioned embodiments exemplify the present invention.
However, the present invention is not limited to the one shown.
It can be implemented in various other variations and modifications.
It Therefore, the scope of the present invention is defined by the claims and their equivalents.
It is only defined by range. [0065] As described in detail above, according to the present invention.
For example, the magnetoresistive head of the composite thin film magnetic head
Magnetoresistive layer and leads connected to the magnetoresistive layer
Seals the magnetoresistive layer with conductors and non-flat parts
The shield layer for connecting the lead conductor and the shield layer
Insulation layer to insulate the
Short circuit protection additionally formed between the flat part and the lead conductor
Since it has a stop film, the shield layer and the lead conductor
Insulation gap is further improved, and insulation gap layer
It is possible to prevent short circuit even if the film thickness of
It As a result, a highly reliable composite thin film that supports high recording density
A film magnetic head can be provided.

【図面の簡単な説明】【図１】本発明の一実施例の構成を概略的に示す断面図
である。【図２】図１に示す一部の膜を透視的に見た図である。【図３】ＭＲリード導体の形状が異なる場合の一部の膜
を透視的に見た図である。【図４】段差部がステップ状の場合の一部の膜を透視的
に見た図である。【図５】段差部がステップ状の場合の一部の膜を透視的
に見た図である。【図６】本発明の他の実施例の構成を概略的に示す断面
図である。【図７】本発明のさらに他の実施例の構成を概略的に示
す断面図である。【図８】本発明のまたさらに他の実施例の構成を概略的
に示す断面図である。【図９】本発明のさらに他の実施例の構成を概略的に示
す断面図である。【図１０】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの基本的な構造
を示した断面図である。【図１１】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの構造例を示し
た断面図である。【図１２】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの構造例を示し
た断面図である。【符号の説明】１００下地層１０１下部シールド層１０１ａ端面部１０２下部ギャップ層１０３ＭＲ層１０４ＭＲリード導体１０５上部ギャップ層１０６上部シールド層（下部磁極層）１０７書込みギャップ層１０８下部絶縁層１０９導体コイル１１０上部絶縁層１１１上部磁極層１１２保護膜BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a part of the film shown in FIG. FIG. 3 is a perspective view of a part of a film when the MR lead conductors have different shapes. FIG. 4 is a perspective view of a part of the film when the step portion has a step shape. FIG. 5 is a perspective view of a part of the film when the step portion has a step shape. FIG. 6 is a sectional view schematically showing the configuration of another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross sectional view schematically showing a configuration of still another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of still another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of still another embodiment of the present invention. FIG. 10 is a sectional view showing a basic structure of a conventional composite type thin film magnetic head. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a structural example of a conventional composite type thin film magnetic head. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a structural example of a conventional composite type thin film magnetic head. [Description of Reference Signs] 100 Underlayer 101 Lower shield layer 101a End face portion 102 Lower gap layer 103 MR layer 104 MR lead conductor 105 Upper gap layer 106 Upper shield layer (lower magnetic pole layer) 107 Write gap layer 108 Lower insulating layer 109 Conductor coil 110 upper insulating layer 111 upper magnetic pole layer 112 protective film

Claims

Claim: What is claimed is: 1. A composite thin-film magnetic head configured by combining a magnetoresistive effect head portion and an inductive head portion, wherein the magnetoresistive effect head portion includes a magnetoresistive effect layer, A lead conductor connected to the magnetoresistive effect layer, a shield layer having a non-flat portion for shielding the magnetoresistive effect layer, and an insulating layer for insulating the lead conductor from the shield layer. A thin film magnetic head additionally provided with a short-circuit prevention film additionally formed between the non-flat portion of the shield layer and the lead conductor. 2. The composite thin film magnetic head according to claim 1, wherein the short-circuit prevention film is a film formed at least between the non-flat portion of the lower shield layer and the lead conductor. 2. The composite type thin film magnetic according to claim 1, wherein the short-circuit prevention film is a film formed at least between the non-flat portion of the upper shield layer and the lead conductor. head. 4. The composite type according to claim 1, wherein the short-circuit prevention film is a film that covers the non-flat portion of the lower shield layer except for the vicinity of the air bearing surface of the magnetic head. Thin film magnetic head. 5. The composite type thin film magnetic head according to claim 1, wherein the short-circuit prevention film is formed of an organic insulating film. 6. The composite thin film magnetic head according to claim 1, wherein the short circuit prevention film is formed of an inorganic insulating film separate from the insulating layer.