JPH08279447A - Beam position detector and exposure apparatus having it - Google Patents
Beam position detector and exposure apparatus having itInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光な
どのビーム位置を計測する装置やこれを用いた露光装置
などに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for measuring the beam position of synchrotron radiation light, an exposure apparatus using the same, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シンクロトロン放射光の利用技術の一つ
であるＸ線リソグラフィにおいては、シートビーム状の
シンクロトロン放射光を、Ｘ線ミラーを用いてシンクロ
トロン軌道の垂直方向に拡げて、広い露光量域を得てい
る。2. Description of the Related Art In X-ray lithography, which is one of the applications of synchrotron radiation, a sheet beam of synchrotron radiation is spread in a vertical direction of a synchrotron orbit by using an X-ray mirror to widen it. The exposure amount range is obtained.
【０００３】シンクロトロン放射光、Ｘ線ミラー、及び
露光装置は、互いの位置関係を高精度に保たなければな
らない。そこで、外乱振動に対してもそれを打ち消すよ
うな機構があるほうが望ましい。この具体例として特開
平５−１０００９８号公報に記載される装置では、ビー
ム位置ディテクタを設けてビーム位置の変動を検出し、
この検出に基づいて駆動手段によりＸ線ミラーの位置を
制御することで、ビームとＸ線ミラーとの位置ずれが起
きないようにしている。The positional relationship between the synchrotron radiation, the X-ray mirror, and the exposure apparatus must be maintained with high precision. Therefore, it is desirable to have a mechanism that cancels the disturbance vibration. As a concrete example of this, in the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 5-100098, a beam position detector is provided to detect a change in beam position,
By controlling the position of the X-ray mirror by the drive means based on this detection, the positional deviation between the beam and the X-ray mirror does not occur.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上記
従来例では、放射光によってディテクタが損傷を受ける
と、ディテクタの故障あるいは劣化の原因となり、信頼
性が低下する。これによって位置検出の測定値が本来の
値からずれると、最悪の場合、Ｘ線ミラーの駆動手段が
暴走してＸ線ミラーの位置ずれや落下を引き起こす畏れ
がある。However, in the above-mentioned conventional example, when the detector is damaged by the radiated light, it causes failure or deterioration of the detector, which lowers reliability. If the measured value for position detection deviates from the original value due to this, in the worst case, there is a fear that the driving means of the X-ray mirror may run out of control and cause displacement or drop of the X-ray mirror.
【０００５】本発明は上記課題を解決するものであり、
信頼性の高いビーム位置検出装置を提供すること、更に
はこれを有する信頼性の高い高精度な露光装置を提供す
ることを目的とする。The present invention is intended to solve the above problems,
It is an object of the present invention to provide a highly reliable beam position detecting device, and further to provide a highly reliable and highly accurate exposure device having the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、シンクロトロ
ン放射光などのビーム位置を検出する装置において、デ
ィテクタの機能（故障もしくは劣化）を診断する手段を
設けたことを特徴とする。診断の方法としては、ディテ
クタの出力値と閾値とに基づいて診断を行う、あるいは
シンクロトロン放射源の電流値とディテクタ出力値とに
基づいて診断を行う。The present invention is characterized in that a device for detecting the beam position of synchrotron radiation or the like is provided with means for diagnosing the function (failure or deterioration) of the detector. As a method of diagnosis, the diagnosis is performed based on the output value of the detector and the threshold value, or the diagnosis is performed based on the current value of the synchrotron radiation source and the detector output value.
【０００７】[0007]
＜実施例１＞以下、図面を用いて本発明の第１の実施例
を説明する。<First Embodiment> A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００８】図１はＸ線露光システムの全体図である。
同図における座標は、水平方向をｘ、重力方向をｙ、露
光光の進行方向をｚと定義する。１０１は光源であるシ
ンクロトロン放射源、１０２はミラーチャンバ、１０３
はマスク及びウエハを収納するＸ線露光装置で、それぞ
れはビームライン１０４により接続されている。ミラー
チャンバ１０２の内部には、シンクロトロン放射光を図
中ｙ方向に拡大するためのＸ線ミラー１０５が格納され
ている。Ｘ線ミラー１０５はミラー支持体１０６により
保持されており、駆動機構１０８によりミラー支持体１
０６を変位させることで、Ｘ線ミラー１０５の位置及び
姿勢制御を行っている。更にミラー支持体１０６と一体
にビーム位置ディテクタ１０７が設けられている。この
ビーム位置ディテクタ１０７は２個の光電素子を有し、
露光画角を遮ぎらない位置でシンクロトロン放射光を受
光している。ディテクタ１０７の各素子の出力はコント
ローラ１０９に入力され、コントローラ１０９ではシン
クロトロン放射光のビーム位置、ビーム強度、ビームプ
ロファイルなどの算出、さらにはディテクタの故障及び
劣化などの機能診断を行なう。コントローラ１０９は、
前記算出値に基づいて駆動機構１０８に駆動量を指令す
ることで、Ｘ線ミラー１０５の位置を自動調整する。FIG. 1 is an overall view of an X-ray exposure system.
The coordinates in the figure define the horizontal direction as x, the gravity direction as y, and the exposure light traveling direction as z. 101 is a synchrotron radiation source as a light source, 102 is a mirror chamber, 103
Is an X-ray exposure apparatus that accommodates a mask and a wafer, and they are connected by a beam line 104. Inside the mirror chamber 102, an X-ray mirror 105 for expanding the synchrotron radiation light in the y direction in the drawing is stored. The X-ray mirror 105 is held by a mirror support 106, and a drive mechanism 108 drives the mirror support 1
The position and orientation of the X-ray mirror 105 is controlled by displacing 06. Further, a beam position detector 107 is provided integrally with the mirror support body 106. This beam position detector 107 has two photoelectric elements,
Synchrotron radiation is received at a position that does not block the exposure angle of view. The output of each element of the detector 107 is input to the controller 109, and the controller 109 calculates the beam position, beam intensity, beam profile and the like of the synchrotron radiation, and further performs functional diagnosis such as detector failure and deterioration. The controller 109
The position of the X-ray mirror 105 is automatically adjusted by instructing the drive amount to the drive mechanism 108 based on the calculated value.
【０００９】図２に示すグラフ図は、シンクロトロン放
射光のミラーチャンバ１０２におけるビームプロファイ
ルである。シンクロトロン放射光はｘ方向には強度が均
一で、ｙ方向には同図のように鋭いピークを持つ。この
ままでは、露光画角（１５〜３０ｍｍ□）に露光光を照
射することができないので、Ｘ線ミラーの反射面をシリ
ンドリカルな形状にしたり、あるいはＸ線ミラーの反射
面を揺動することにより、露光ビームを拡大して所望の
露光画角を確保している。The graph shown in FIG. 2 is a beam profile of the synchrotron radiation in the mirror chamber 102. The intensity of synchrotron radiation is uniform in the x direction and has a sharp peak in the y direction as shown in the figure. As it is, it is impossible to irradiate the exposure light to the exposure angle of view (15 to 30 mm □). Therefore, by making the reflection surface of the X-ray mirror a cylindrical shape or by swinging the reflection surface of the X-ray mirror, The exposure beam is expanded to secure the desired exposure field angle.
【００１０】図３に示すグラフ図は、シンクロトロン放
射光のビーム強度プロファイルであり、ビーム位置ディ
テクタ１０７を駆動機構１０８によりｙ方向に走査して
得られた出力結果である。２個の素子のうち、上側の素
子をＡ、下側の素子をＢとしている。同図から分かるよ
うに、素子Ａと素子Ｂは４ｍｍの間隔をおいて配置され
ている。これら２素子の電流出力をＩA、ＩBとすると、
それらの差を和で割った値Ｒを次の式（１）のように定
義する。The graph shown in FIG. 3 is a beam intensity profile of synchrotron radiation, and is an output result obtained by scanning the beam position detector 107 by the drive mechanism 108 in the y direction. Of the two elements, the upper element is A and the lower element is B. As can be seen from the figure, the element A and the element B are arranged at a distance of 4 mm. If the current outputs of these two elements are I A and I B ,
A value R obtained by dividing the difference by the sum is defined as the following Expression (1).
【００１１】 Ｒ＝（ＩA−ＩB）／（ＩA＋ＩB） （１）[0011] R = (I A -I B) / (I A + I B) (1)
【００１２】図４より、Ｒはｙの関数になっていること
がわかる。つまり図４のようなｙとＲとの関係の情報を
コントローラ１０９が持っていれば、ビーム位置ディテ
クタ１０７の出力ＩA、ＩBよりビーム位置ｙを求めるこ
とができる。同図から分かるように、ＩA≒ＩB（Ｒ≒
０）のときに位置ｙに対する感度が最もよく、これは信
号に対してノイズが乗っている場合でも同様である。From FIG. 4, it can be seen that R is a function of y. That is, if the controller 109 has the information on the relationship between y and R as shown in FIG. 4, the beam position y can be obtained from the outputs I A and I B of the beam position detector 107. As can be seen from the figure, I A ≈I B (R ≈
In the case of 0), the sensitivity to the position y is the best, and this is the same even when noise is added to the signal.
【００１３】ここで仮に、シンクロトロン放射光により
ディテクタが損傷し、どちらか一方の受光素子が故障し
てその信号出力が０になってしまうと、Ｒ＝＋１か−１
のいずれかとなる。現実にはノイズ成分が付加されるの
で、Ｒ≒＋１の場合は素子Ｂが、Ｒ≒−１の場合は素子
Ａが故障の疑いがあるといえる。If the detector is damaged by the synchrotron radiation and one of the light receiving elements fails and the signal output becomes 0, then R = + 1 or -1.
Will be either. In reality, since a noise component is added, it can be said that the element B is suspected of failure when R≈ + 1 and the element A is suspected when R≈−1.
【００１４】これを判定するため、図４に示すように、
しきい値ε（０＜ε＜１）を設けて、Ｒが±εの範囲に
収まっていない場合、コントローラ１０９は直ちに駆動
機構１０８を停止させ、故障判定シーケンスに入るよう
にする。In order to judge this, as shown in FIG.
A threshold value ε (0 <ε <1) is provided, and when R is not within the range of ± ε, the controller 109 immediately stops the drive mechanism 108 and enters the failure determination sequence.
【００１５】故障判定シーケンスでは、駆動機構１０８
をｙ方向に走査し、図３のグラフ図のようなデータを取
る。このデータと過去のデータとを比較して、以下の点
を判断することで素子の故障及び劣化の診断を行う。In the failure determination sequence, the drive mechanism 108
Is scanned in the y direction to obtain data as shown in the graph of FIG. By comparing this data with past data and judging the following points, the failure or deterioration of the element is diagnosed.
【００１６】（１） 出力が出ているか （２） 感度にばらつきがないか （３） ノイズが増えていないか(1) Is the output output? (2) Is the sensitivity uniform? (3) Is the noise increased?
【００１７】なお、より高い精度で故障及び劣化の診断
を行うために、図５のようにミラー支持体１０６にディ
テクタ検査専用の光源５０１を固定して設置するように
しても良い。光源５０１は出力強度が安定したものと
し、露光光を遮らない位置に設置する。この光源からの
光をディテクタ１０７で受光して、露光動作中以外の期
間に定期的にディテクタの機能診断を行う。判断事項は
上記（１）、（２）、（３）と同様であるが、光源５０
１の出力が安定しているので、ディテクタ素子の故障診
断と共に劣化度合いの診断も高精度に行うことができ
る。In order to diagnose failure and deterioration with higher accuracy, a light source 501 for detector inspection may be fixedly installed on the mirror support 106 as shown in FIG. The light source 501 has a stable output intensity and is installed at a position where the exposure light is not blocked. Light from this light source is received by the detector 107, and the function of the detector is periodically diagnosed during a period other than during the exposure operation. The judgment items are the same as in (1), (2), and (3) above, but the light source 50
Since the output of 1 is stable, the failure degree of the detector element and the degree of deterioration can be diagnosed with high accuracy.
【００１８】＜実施例２＞次に、本発明の第２の実施例
を説明する。<Embodiment 2> Next, a second embodiment of the present invention will be described.
【００１９】図６において、先の図１と同一の符号は同
一の部材を表す。図中、ミラーチャンバ１０２のシンク
ロトロン放射光導入部には、露光画角を遮らないように
ＰＳＤ６０１が固定されている。これによりシンクロト
ロン放射光のビーム位置及びビーム強度を計測してい
る。なお、ＰＳＤ６０１はＣＣＤに代替することも可能
である。また、シンクロトロン放射源１０１には、蓄積
電流値をモニタするための電流値モニタ手段６０２が設
置されており、モニタしたデータをコントローラ１０９
に送っている。In FIG. 6, the same reference numerals as in FIG. 1 above represent the same members. In the figure, a PSD 601 is fixed to the synchrotron radiation introducing section of the mirror chamber 102 so as not to block the exposure angle of view. With this, the beam position and beam intensity of the synchrotron radiation are measured. The PSD 601 can be replaced with a CCD. Further, the synchrotron radiation source 101 is provided with a current value monitor means 602 for monitoring the accumulated current value, and the monitored data is stored in the controller 109.
I am sending it to.
【００２０】コントローラ１０９では、ＰＳＤ６０１の
出力ＩA、ＩBに基づいて、ビーム位置を以下の式（２）
ように算出する。In the controller 109, based on the outputs I A and I B of the PSD 601, the beam position is calculated by the following equation (2).
To calculate.
【００２１】 ｙ＝Ｋy×（ＩA−ＩB）／（ＩA＋ＩB） （２） ここで、Ｋyは係数である。算出した値ｙに基づいて、
Ｘ線ミラー１０５の位置がシンクロトロン放射ビームと
所望の位置関係になるように駆動手段１０８を駆動す
る。Y = K y × (I A −I B ) / (I A + I B ) (2) Here, K y is a coefficient. Based on the calculated value y,
The driving means 108 is driven so that the position of the X-ray mirror 105 and the synchrotron radiation beam have a desired positional relationship.
【００２２】ここで仮に、シンクロトロン放射光により
ＰＳＤ６０１が損傷すると、ビーム強度を正確に検出で
きず、Ｘ線ミラー１０５の位置がシンクロトロン放射光
の光軸とが規定の位置関係からずれてしまうため、Ｘ線
露光装置１０３において、露光量むらが発生してしま
う。Here, if the PSD 601 is damaged by the synchrotron radiation, the beam intensity cannot be detected accurately, and the position of the X-ray mirror 105 deviates from the prescribed positional relationship with the optical axis of the synchrotron radiation. Therefore, in the X-ray exposure apparatus 103, uneven exposure amount occurs.
【００２３】ところで、ＰＳＤ６０１の出力信号ＩA、
ＩBの和は、シンクロトロンの蓄積電流値Ｉに比例する
ため、係数をＫＩとすると、次の式（３）の関係が成り
立つ。By the way, the output signal I A of the PSD 601 is
Since the sum of I B is proportional to the accumulated current value I of the synchrotron, if the coefficient is KI, the following equation (3) holds.
【００２４】Ｉ ＝ＫＩ（ ＩA＋ＩB ） （３）[0024] I = KI (I A + I B) (3)
【００２５】そこで、ＰＳＤ６０１の損傷の度合いを判
断するために、ＰＳＤ６０１の出力信号の和と電流値モ
ニタ手段６０２の出力とを、コントローラ１０９にて比
較する。電流値モニタ手段６０２の出力とＰＳＤ６０１
のビーム強度出力の関係は、図７のグラフ図ようにな
る。同図において、７０１はＰＳＤ６０１が損傷を受け
る前の状態、７０２は損傷後の状態を示す。損傷後の７
０２は損傷前７０１に比べて、ゲインが低下しノイズも
増加していることが分かる。Therefore, in order to judge the degree of damage to the PSD 601, the controller 109 compares the sum of the output signals of the PSD 601 and the output of the current value monitor means 602. Output of current value monitor means 602 and PSD 601
The relationship of the beam intensity output of is as shown in the graph of FIG. In the figure, 701 shows a state before the PSD 601 is damaged, and 702 shows a state after the damage. 7 after damage
It can be seen that in No. 02, the gain is decreased and the noise is increased as compared with 701 before damage.
【００２６】７０２のようになった場合、ゲインの補正
やフィルタリングによってある程度は補償することがで
きため、定期的な損傷測定とコントローラ１０９のパラ
メータ変更で補償する、更に損傷が進んで性能が維持で
きなくなってきたらＰＳＤ６０１を新しいものに交換す
る。In the case of 702, since it can be compensated to some extent by gain correction or filtering, it is compensated by periodical damage measurement and parameter change of the controller 109. When it disappears, replace the PSD 601 with a new one.
【００２７】＜実施例３＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。<Embodiment 3> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described.
【００２８】図８は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。FIG. 8 shows a flow of manufacturing a minute device (semiconductor chip such as IC or LSI, liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head, micromachine, etc.). Step 1
In (Circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed.
In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００２９】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。FIG. 9 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００３０】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。By using the manufacturing method of this embodiment, a highly integrated semiconductor device, which has been difficult to manufacture in the past, can be manufactured at low cost.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、シンクロトロン放射光
によるビーム位置ディテクタの故障や劣化などを簡便に
診断することができ、ビーム位置検出の信頼性が向上す
る。このビーム位置検出装置を用いて露光装置を構成す
れば、高信頼性及び高精度な露光が可能な露光装置を提
供することができる。According to the present invention, the failure or deterioration of the beam position detector due to the synchrotron radiation can be easily diagnosed, and the reliability of beam position detection is improved. If an exposure apparatus is configured using this beam position detection apparatus, it is possible to provide an exposure apparatus that can perform highly reliable and highly accurate exposure.
【図１】第１実施例のＸ線露光システムの全体図であ
る。FIG. 1 is an overall view of an X-ray exposure system according to a first embodiment.
【図２】シンクロトロン放射光のビームプロファイルを
示すグラフ図である。FIG. 2 is a graph showing a beam profile of synchrotron radiation light.
【図３】ビーム位置ディテクタの出力を示すグラフ図で
ある。FIG. 3 is a graph showing the output of a beam position detector.
【図４】ビーム位置ディテクタの出力とｙ座標の関係を
示すグラフ図である。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the output of the beam position detector and the y coordinate.
【図５】出力検査用光源を設けた変形例の説明図であ
る。FIG. 5 is an explanatory diagram of a modified example in which a light source for output inspection is provided.
【図６】第２実施例のＸ線露光システムの全体図であ
る。FIG. 6 is an overall view of an X-ray exposure system according to a second embodiment.
【図７】電流値モニタとＰＳＤ出力の関係を示すグラフ
図である。FIG. 7 is a graph showing a relationship between a current value monitor and a PSD output.
【図８】デバイス生産フローを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a device production flow.
【図９】ウエハプロセスのフローを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a flow of a wafer process.
１０１ シンクロトロン放射源 １０２ ミラーチャンバ １０３ 露光装置 １０４ ビームポート １０５ Ｘ線ミラー １０６ ミラー支持体 １０７ ビーム位置ディテクタ １０８ 駆動機構 １０９ コントローラ 101 Synchrotron Radiation Source 102 Mirror Chamber 103 Exposure Device 104 Beam Port 105 X-ray Mirror 106 Mirror Support 107 Beam Position Detector 108 Drive Mechanism 109 Controller
Claims (7)
において、ディテクタの機能を診断する手段を設けたこ
とを特徴とするビーム位置検出装置。1. A beam position detecting device having a detector, comprising means for diagnosing the function of the detector.
出することを特徴とする請求項１記載のビーム位置検出
装置。2. The beam position detecting device according to claim 1, wherein the beam position of the synchrotron radiation is detected.
タ診断用の光源を設けたことを特徴とする請求項２記載
のビーム位置検出装置。3. The beam position detecting apparatus according to claim 2, wherein a light source for detector diagnosis is provided separately from the synchrotron radiation source.
素子の出力を基にビーム位置を検出するものである請求
項１記載のビーム位置検出装置。4. The beam position detecting device according to claim 1, wherein the detector has a plurality of light receiving elements, and detects the beam position based on the output of each element.
とに基づいて、ディテクタの故障もしくは劣化を診断す
ることを特徴とする請求項１記載のビーム位置検出装
置。5. The beam position detecting apparatus according to claim 1, wherein the diagnosing means diagnoses a detector failure or deterioration based on an output value of the detector and a threshold value.
流値とディテクタ出力値とに基づいて、ディテクタの故
障もしくは劣化を診断することを特徴とする請求項１記
載のビーム位置検出装置。6. The beam position detecting apparatus according to claim 1, wherein the diagnosing means diagnoses the detector failure or deterioration based on the current value of the synchrotron radiation source and the detector output value.
位置検出装置を有することを特徴とする露光装置。7. An exposure apparatus comprising the beam position detecting device according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078775A JPH08279447A (en) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Beam position detector and exposure apparatus having it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7078775A JPH08279447A (en) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Beam position detector and exposure apparatus having it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279447A true JPH08279447A (en) | 1996-10-22 |
Family
ID=13671285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7078775A Withdrawn JPH08279447A (en) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | Beam position detector and exposure apparatus having it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279447A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031854A3 (en) * | 2002-09-30 | 2004-08-26 | Zeiss Carl Smt Ag | Illumination system for a wavelength = 193 nm, comprising sensors for determining the illumination |
| KR100956440B1 (en) * | 2008-04-16 | 2010-05-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | Photon Beam Position Monitor Device |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP7078775A patent/JPH08279447A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031854A3 (en) * | 2002-09-30 | 2004-08-26 | Zeiss Carl Smt Ag | Illumination system for a wavelength = 193 nm, comprising sensors for determining the illumination |
| JP2006501660A (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Illumination system for wavelengths ≦ 193 nm comprising a sensor for illumination identification |
| US7473907B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a wavelength of ≦ 193 nm, with sensors for determining an illumination |
| KR100956440B1 (en) * | 2008-04-16 | 2010-05-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | Photon Beam Position Monitor Device |
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