JPH08271439A - Inspection equipment and production of exposing system or device employing it - Google Patents

Inspection equipment and production of exposing system or device employing it

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JPH08271439A
JPH08271439A JP7332895A JP7332895A JPH08271439A JP H08271439 A JPH08271439 A JP H08271439A JP 7332895 A JP7332895 A JP 7332895A JP 7332895 A JP7332895 A JP 7332895A JP H08271439 A JPH08271439 A JP H08271439A
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JP
Japan
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signal
inspection
foreign matter
image sensor
optical system
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7332895A
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Kiyonari Miura
聖也 三浦
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To inspect the surface conditions conveniently and accurately by acquiring image information of a surface to be inspected using an image sensor in an optical system and passing the signal through an electrical low band cut filter. CONSTITUTION: A laser beam 6 emitted from a semiconductor laser 4 is converted through a collimator lens 5 into a parallel light and a linear illumination area on the pellicle face 2 of inspection surface is irradiated with a parallel beam 6. When a foreign matter 20 is present on the illumination area, scattering light is generated substantially isotropically and focused in the vicinity of a one-dimensional image sensor 8 through a distributed refractive index microlens array 7. Signals from the sensor 8 are converted at an analog preprocessing section 9 into time series signals and fed to a low band cut filter 10. Noise output of pellicle frame signal is lowered by taking advantage of the difference in frequency band between the foreign matter signal from the filter and the noise signal of scattering light from the pellicle frame but the level of foreign matter signal is not lowered. Magnitude of the foreign matter 20 is identified at a signal processing section 11 based on the signal from the filter 10 and the position is operated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は検査装置、例えば半導体
製造装置で使用されるレチクルやフォトマスクに付着す
る異物を検出する表面状態検査装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection apparatus, for example, a surface state inspection apparatus for detecting foreign substances attached to a reticle or a photomask used in a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC等の半導体デバイスの製造工程にお
いては、レチクル又はフォトマスク等の基板上に形成さ
れている露光用の回路パターンを半導体焼き付け装置
(ステッパ又はマスクアライナ)によりレジストが塗布
されたウエハ面上に転写して製造している。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor device such as an IC, a circuit pattern for exposure formed on a substrate such as a reticle or a photomask is coated with a resist by a semiconductor printing apparatus (stepper or mask aligner). It is manufactured by transferring it onto the wafer surface.

【0003】この際、基板面上にパターン欠陥やゴミ等
の異物が存在すると、本来のパターンと共に異物も転写
されてしまい、IC製造の歩留を低下させる原因となっ
てくる。特にレチクルを使用し、ステップ・アンド・リ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上に有害な一個の異物が
存在していると該異物の陰影がウエハ全面に焼き付けら
れてしまいIC製造工程の歩留を大きく低下させる原因
となってくる。
At this time, if a foreign matter such as a pattern defect or dust exists on the surface of the substrate, the foreign matter is transferred together with the original pattern, which causes a decrease in the yield of IC manufacturing. Especially when a reticle is used and a circuit pattern is repeatedly printed on the wafer surface by the step-and-repeat method, if one harmful foreign substance is present on the reticle surface, the shadow of the foreign substance is printed on the entire surface of the wafer. As a result, the yield of the IC manufacturing process is greatly reduced.

【0004】そのためIC製造工程においては基板上の
異物の存在を検出して除去することが不可欠となってお
り、従来より種々の検査方法が提案されている。一般に
は異物が等方的に光を散乱する性質を利用する方法が多
く用いられている。
Therefore, it is indispensable to detect and remove the presence of foreign matter on the substrate in the IC manufacturing process, and various inspection methods have been conventionally proposed. In general, a method of utilizing the property that foreign matter isotropically scatters light is often used.

【0005】レチクルやフォトマスクの検査は、大別し
てパターニングされた基板面(パターン面)を検査する
方式(パターン面検査方式)と、その裏面のパターンの
無いブランク面、あるいは防塵用に基板に装着されたペ
リクル面を検査する方式(ブランク面検査方式)とに分
けられる。
Reticles and photomasks are roughly inspected by a method of inspecting a patterned substrate surface (pattern surface) (a pattern surface inspection method), a blank surface on the back surface of which there is no pattern, or a dust-proof substrate. It is divided into a method for inspecting the pellicle surface (blank surface inspection method).

【0006】例えば、ペリクル面やブランク面上の異物
を検査する方法として、検査面上のある領域を検査光で
一括照射し、異物からの散乱光を屈折率分布型マイクロ
レンズアレイ等にて一次元ラインセンサ上に結像あるい
はデフォーカスさせて、ラインセンサの出力に基づいて
検査を行う検査装置が提案されている。
For example, as a method for inspecting foreign matter on a pellicle surface or a blank surface, a certain area on the inspection surface is irradiated with inspection light all at once, and scattered light from the foreign matter is first-ordered by a gradient index microlens array or the like. An inspection apparatus has been proposed which forms an image on the original line sensor or defocuses it and inspects it based on the output of the line sensor.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、ペ
リクル枠からの乱反射光は異物からの散乱光に比べては
るかに大きいため、ラインセンサで検出されるペリクル
枠からの散乱光によるノイズ出力も高く、ペリクル枠近
傍にてペデスタルの盛り上がりを引き起こしてしまう
(図9参照)。
However, since the diffusely reflected light from the pellicle frame is much larger than the scattered light from the foreign matter, the noise output due to the scattered light from the pellicle frame detected by the line sensor is also high, and the pellicle The pedestal rises near the frame (see Fig. 9).

【0008】つまり、ペリクル枠近傍では、純粋な異物
からの散乱光信号に上記のペデスタルの盛り上がり出力
分が加算されてしまい、正確な異物の大きさを検知する
ことが困難となる。これは検査面の検査可能な領域が狭
くなることを意味する。
That is, in the vicinity of the pellicle frame, the swelling output of the pedestal is added to the scattered light signal from the pure foreign matter, which makes it difficult to accurately detect the size of the foreign matter. This means that the inspectable area of the inspection surface becomes narrow.

【0009】本発明は上記従来の技術が有する課題を解
決するものであり、簡便にして高精度に検査面の表面状
態を検査することができる検査装置を提供すること、さ
らには、この検査装置を用いた露光装置やデバイス生産
方法などをすることを目的とするものである。
The present invention is to solve the problems of the above-mentioned conventional techniques, and to provide an inspection apparatus which can inspect the surface state of the inspection surface simply and with high accuracy, and further, this inspection apparatus. It is intended to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method using the.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の検査装置は、検査面のイメージ情報を取り込むイメ
ージセンサを含む光学系と、該イメージセンサからの信
号に電気的な低帯域カットフィルタを施すフィルタ手段
と、を有することを特徴とするものである。
An inspection apparatus of the present invention for solving the above-mentioned problems is an optical system including an image sensor for taking in image information of an inspection surface, and an electric low band cut filter for a signal from the image sensor. And a filter means for applying.

【0011】ここで、検査面は例えばレチクルである。
また、光学系は例えば屈折率分布型マイクロレンズアレ
イ、あるいは回転対称レンズを有する。
Here, the inspection surface is, for example, a reticle.
The optical system has, for example, a gradient index microlens array or a rotationally symmetric lens.

【0012】また、本発明の露光装置は、上記の検査装
置を用いて基板の検査を行う手段と、該検査された基板
を用いて露光転写処理を行う手段とを有することを特徴
とするものである。
Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized by having means for inspecting a substrate using the above inspection apparatus and means for performing an exposure transfer process using the inspected substrate. Is.

【0013】また、本発明のデバイス生産方法は、上記
露光装置を用いてデバイスを生産することを特徴とする
ものである。
Further, the device production method of the present invention is characterized by producing a device using the exposure apparatus.

【0014】[0014]

【実施例】 <実施例1>図1は本発明の第1の実施例の構成図であ
る。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【0015】半導体レーザ4から射出した広がり角を持
ったレーザビームは、コリメータレンズ5により平行光
に変換する。平行化したレーザビーム6は、検査面であ
るペリクル面2に直線状の照明領域をもって一括照射す
る。
A laser beam having a divergence angle emitted from the semiconductor laser 4 is converted into parallel light by a collimator lens 5. The collimated laser beam 6 irradiates the pellicle surface 2, which is the inspection surface, with a linear illumination area at once.

【0016】レーザビーム照明領域上に異物20が存在
した場合、この異物によってほぼ等方的に散乱光が発生
する。散乱光はレーザビーム照明領域に沿って配置され
た屈折率分布型マイクロレンズアレイ(以後「レンズア
レイ」と呼ぶ)7により一次元イメージセンサ8の近傍
に結像する。
When the foreign matter 20 exists on the laser beam illumination area, scattered light is almost isotropically generated by the foreign matter. The scattered light is imaged in the vicinity of the one-dimensional image sensor 8 by a gradient index microlens array (hereinafter referred to as “lens array”) 7 arranged along the laser beam illumination area.

【0017】一次元イメージセンサ8のセンサ面が不感
帯を有している場合、不感帯によって異物の見落としを
無くすため、上記レンズアレイ7と一次元イメージセン
サ8の距離の関係は、図1に示すように、レンズアレイ
の前側焦点距離(検査面からレンズアレイまでの距離)
と後側焦点距離(レンズアレイからセンサ面までの距
離)を等しく保ったままレンズアレイ7の本来の最良結
像位置からある程度デフォーカスした状態となるようで
配置している。
In the case where the sensor surface of the one-dimensional image sensor 8 has a dead zone, the dead zone eliminates the oversight of foreign matter. Therefore, the relationship between the distance between the lens array 7 and the one-dimensional image sensor 8 is as shown in FIG. , The front focal length of the lens array (distance from the inspection surface to the lens array)
And the rear focal length (distance from the lens array to the sensor surface) is kept the same so that the lens array 7 is defocused to some extent from the original best image forming position.

【0018】一次元イメージセンサ8からの信号は、ア
ナログ前処理部9にて時系列的な信号に変換し、次いで
低帯域カットフィルタ10に導入する。低帯域成分カッ
トフィルタ10は後述するように、異物信号とペリクル
枠の散乱光によるノイズ信号との信号周波数帯域の違い
を利用して、ペリクル枠信号のノイズ出力を十分に低下
させ、かつ異物信号を低下させない周波数帯域に設定し
てある。
The signal from the one-dimensional image sensor 8 is converted into a time-series signal by the analog preprocessing unit 9 and then introduced into the low band cut filter 10. As will be described later, the low-band component cut filter 10 sufficiently reduces the noise output of the pellicle frame signal by utilizing the difference in the signal frequency band between the foreign object signal and the noise signal due to the scattered light of the pellicle frame, and the foreign object signal. Is set to a frequency band that does not reduce

【0019】低帯域成分カットフィルタ10からの信号
をもとに、信号処理部11において信号強度に応じて異
物の大きさの同定(ランキング)や異物存在位置などを
演算する。
Based on the signal from the low band component cut filter 10, the signal processing unit 11 calculates the size (ranking) of the foreign matter and the foreign matter existing position according to the signal strength.

【0020】以上の検出動作は、不図示のステージ機構
を用いて、レチクルに対して相対的に、光学系12全体
をイメージセンサ8の長手方向に対して垂直な方向(紙
面に対する垂線方向)に直線移動させながら行うこと
で、レチクル全面の検査をなしている。
In the above detection operation, a stage mechanism (not shown) is used to move the entire optical system 12 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the image sensor 8 (perpendicular to the paper surface) relative to the reticle. The entire reticle is inspected by moving it linearly.

【0021】次に、本実施例の信号処理の詳細を説明す
る。
Next, details of the signal processing of this embodiment will be described.

【0022】一次元イメージセンサからの信号は、図3
(a)に示すように、各画素毎の出力として得られる。
図3(a)において、センサ上での異物信号の信号幅は
6〜7画素(300 〜400 μm) であるのに対して、ペリ
クル枠信号は過大信号でありその信号幅は26〜30画
素(1500〜1800μm) となる。
The signal from the one-dimensional image sensor is shown in FIG.
As shown in (a), it is obtained as an output for each pixel.
In FIG. 3A, the signal width of the foreign matter signal on the sensor is 6 to 7 pixels (300 to 400 μm), whereas the pellicle frame signal is an excessive signal and its signal width is 26 to 30 pixels. (1500 to 1800 μm).

【0023】一次元イメージセンサからの信号は、アナ
ログ前処理部9にて、例えば1画素あたり2Mhz のクロ
ックで駆動した場合、図3(b)のような時系列的な信
号に変換する。図3(b)において、異物信号の信号幅
は約300Khz であるのに対して、ペリクル枠信号の広
がり幅は約70Khz と周波数帯域が異なっている。これ
を利用し、低帯域カットフィルタのカットオフ周波数を
約200Khz 程度に設定すれば異物信号の強度を低下さ
せず、不要なペリクル枠によるノイズ信号を低減させる
ことができる。図4のグラフ図は本実施例で使用する低
帯域カットフィルタの周波数特性を示す。
A signal from the one-dimensional image sensor is converted into a time-series signal as shown in FIG. 3 (b) when the analog preprocessing unit 9 is driven by a clock of 2 Mhz per pixel, for example. In FIG. 3B, the signal width of the foreign matter signal is about 300 Khz, while the spread width of the pellicle frame signal is about 70 Khz, which is different in the frequency band. By utilizing this, if the cutoff frequency of the low band cut filter is set to about 200 Khz, the intensity of the foreign matter signal is not reduced and the noise signal due to the unnecessary pellicle frame can be reduced. The graph of FIG. 4 shows the frequency characteristics of the low band cut filter used in this embodiment.

【0024】図2のグラフ図は、図4に示したような低
帯域成分カットフィルタを通過した後の信号出力の様子
を表したものである。従来の図9のものに比べて、検査
領域に入り込んでくるペリクル枠近傍のペデスタルの盛
り上がりが、低帯域成分カットフィルタの作用にて低減
されていることが分かる。そのために検査領域内の中心
部とペリクル枠近傍部とにある異物を同等の高い精度で
検出することができる。
The graph of FIG. 2 shows the state of signal output after passing through the low band component cut filter as shown in FIG. It can be seen that the rise of the pedestal in the vicinity of the pellicle frame entering the inspection area is reduced by the action of the low band component cut filter, as compared with the conventional one shown in FIG. Therefore, it is possible to detect the foreign matter in the central portion of the inspection area and in the vicinity of the pellicle frame with the same high accuracy.

【0025】なお本実施例では、センサ面上で光がデフ
ォーカスしている構成例を挙げたが、センサ面上に合焦
している構成であっても、集光光学系の持つ収差等によ
り最小錯乱円が広がる場合があるので、低帯域カットフ
ィルタを設けることは有効である。
In this embodiment, the configuration example in which the light is defocused on the sensor surface has been described. However, even in the configuration in which the light is focused on the sensor surface, the aberration and the like of the condensing optical system are As a result, the circle of least confusion may spread, so it is effective to provide a low-band cut filter.

【0026】また、本実施例の別の作用効果として、低
帯域カットフィルタを設けたことによって、レチクルの
パターン面の検査において、連続的な回路パターンノイ
ズと特異パルス的な異物信号の弁別を容易にしている。
すなわち、規則性を有していている回路パターンから生
成される連続的な散乱光と、異物からのパルス的な散乱
光の信号とは信号帯域が異なるため、低周波カットフィ
ルタによって回路パターンからのノイズ信号を低減し
て、異物信号の検出S/N比を向上させることができ
る。
Further, as another function and effect of the present embodiment, by providing the low band cut filter, it is easy to discriminate between the continuous circuit pattern noise and the specific pulse foreign matter signal in the inspection of the pattern surface of the reticle. I have to.
That is, since the signal band of the continuous scattered light generated from the circuit pattern having regularity and the signal of the pulsed scattered light from the foreign matter are different, the low frequency cut filter causes It is possible to reduce the noise signal and improve the detected S / N ratio of the foreign matter signal.

【0027】以上のように、低周波カットフィルタによ
って、ペリクル枠や回路パターンなどからの不要光を効
果的に除去して、高いS/N比で異物検査を行うことが
できる。
As described above, the low frequency cut filter can effectively remove the unnecessary light from the pellicle frame, the circuit pattern, etc., and the foreign matter inspection can be performed at a high S / N ratio.

【0028】<実施例2>図5には第2の実施例の構成
を示す。図中、先の図1と同一の符号は同一の部材を示
す。図中、17は回転対称レンズ、18は一次元イメー
ジセンサである。
<Embodiment 2> FIG. 5 shows the configuration of the second embodiment. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 above denote the same members. In the figure, 17 is a rotationally symmetric lens, and 18 is a one-dimensional image sensor.

【0029】第1の実施例では散乱光集光手段にマイク
ロレンズアレイを用い、等倍で検査領域を見込む場合に
ついて説明してきたが、本実施例では一般的な回転対称
レンズ17を用い、縮小光学系としている。本実施例も
第1の実施例と同様の効果がある。
In the first embodiment, the case where the microlens array is used as the scattered light converging means and the inspection area is seen at the same magnification has been described, but in the present embodiment, a general rotationally symmetric lens 17 is used to reduce the size. It is an optical system. This embodiment also has the same effect as the first embodiment.

【0030】<実施例3>図6には第3の実施例の構成
を示す。図中、先の図1と同一の符号は同一の部材を示
す。図中、26はランプ等の光源、28は2次元イメー
ジセンサである。
<Third Embodiment> FIG. 6 shows the structure of a third embodiment. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 above denote the same members. In the figure, 26 is a light source such as a lamp, and 28 is a two-dimensional image sensor.

【0031】第1、第2の実施例では一次元イメージセ
ンサを用い、検査基板と光学系を相対的に移動させて基
板全面の検査を行なっているが、本実施例ではイメージ
センサに2次元イメージセンサを用いて一括受光するよ
うにしている。本実施例でも第1の実施例と同様の効果
がある。
In the first and second embodiments, a one-dimensional image sensor is used and the entire surface of the substrate is inspected by moving the inspection substrate and the optical system relatively. In this embodiment, the image sensor is two-dimensional. An image sensor is used to receive light all at once. This embodiment also has the same effect as the first embodiment.

【0032】<実施例4>図7はシリコンウエハ上にレ
チクルやフォトマスク等の原版の回路パターンを焼付け
て半導体デバイスを製造する製造システムの実施例を示
す図である。システムは大まかに、露光装置、原版収納
装置、原版検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンルーム内に配置される。
<Embodiment 4> FIG. 7 is a view showing an embodiment of a manufacturing system for manufacturing a semiconductor device by printing a circuit pattern of an original plate such as a reticle or a photomask on a silicon wafer. The system roughly includes an exposure device, an original storage device, an original inspection device, and a controller, which are arranged in a clean room.

【0033】901はエキシマレーザのような遠紫外光
源であり、902は照明系ユニットであって、露光位置
E.P.にセットされた原版を上部から同時(一括)に
所定のNA(開口数)で照明する働きを持つ。909は
原版上に形成された回路パターンをシリコンのウエハ9
10上に転写するための超高解像度レンズ系(もしくは
ミラー系)であり、焼付時にはウエハは移動ステージ9
11のステップ送りに従って1ショット毎ずらしながら
露光を繰り返す。900は露光動作に先立って原版とウ
エハを位置合わせするためのアライメント光学系であ
り、少なくとも1つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の部材によって露光装置が構成されている。
Numeral 901 is a far-ultraviolet light source such as an excimer laser, numeral 902 is an illumination system unit, and the exposure position E.I. P. It has the function of illuminating the original set in the above at the same time (batch) from above with a predetermined NA (numerical aperture). Numeral 909 designates a circuit pattern formed on the original plate as a silicon wafer 9
10 is an ultra-high resolution lens system (or mirror system) for transferring onto the wafer 10, and the wafer is moved to the moving stage 9 during printing.
The exposure is repeated while shifting each shot according to the step feed of 11. Reference numeral 900 denotes an alignment optical system for aligning the original and the wafer prior to the exposure operation, and has at least one original observation microscope system. An exposure apparatus is configured by the above members.

【0034】一方、914は原版収納装置であり、内部
に複数の原版を収納する。913は原版検査装置であ
り、先の各実施例のいずれかの構成を含んでいる。この
原版検査装置913は、選択された原版が原版収納装置
914から引き出されて露光位置E.P.にセットされ
る前に原版上の異物検査を行なうもので、異物検査の原
理及び動作については前述のいずれかの実施例と同一で
ある。コントローラ918はシステム全体のシーケンス
を制御するためのもので、原版収納装置914、原版検
査装置913の動作指令、並びに露光装置の基本動作で
あるアライメント・露光・ウエハのステップ送り等のシ
ーケンス等を制御する。
On the other hand, reference numeral 914 denotes an original storage device which stores a plurality of originals inside. Reference numeral 913 is an original inspection device, which includes any of the configurations of the above-described respective embodiments. The original inspection device 913 detects that the selected original is pulled out from the original storage device 914 and the exposure position E.E. P. The foreign matter inspection on the original plate is performed before the setting of the foreign matter. The principle and operation of the foreign matter inspection are the same as in any of the above-described embodiments. The controller 918 is for controlling the sequence of the entire system, and controls the operation commands of the original storage device 914 and the original inspection device 913, as well as the basic operations of the exposure apparatus, such as alignment, exposure, and step feed of the wafer. To do.

【0035】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの生産工程を示す。まず、原版収納装置914
から使用する原版を取り出し原版検査装置913にセッ
トする。次に、原版検査装置913で原版上の異物検査
を行なう。検査の結果、異物が無いことが確認されたら
この原版を露光装置の露光位置E.P.にセットする。
次に、移動ステージ911上に被露光体であるシリコン
ウエハ910をセットする。そしてステップ&リピート
方式によって移動ステージ911のステップ送りに従っ
て1ショット毎ずらしながらシリコンウエハの各領域に
原版パターンを縮小投影して露光を繰り返す。1枚のシ
リコンウエハ上に露光が済んだら、これを収容して新た
なシリコンウエハを供給し、同様にステップ&リピート
方式で原版パターンの露光を繰り返す。露光の済んだ露
光済シリコンウエハは本システムとは別に設けられた装
置で現像やエッチングなどの処理がなされる。この後
に、ダイシング、ワイヤボンディング、パッケージング
等のアッセンブリ工程を経て、半導体デバイスが製造さ
れる。本実施例によれば、従来は生産が難しかった非常
に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デバイス
を生産することができる。
The production process of a semiconductor device using the system of this embodiment will be described below. First, the original storage device 914
The original to be used is taken out and set in the original inspection device 913. Next, the original inspection device 913 inspects the foreign matter on the original. As a result of the inspection, when it is confirmed that there is no foreign matter, this original plate is exposed at the exposure position E. P. Set to.
Next, the silicon wafer 910 which is the exposure target is set on the moving stage 911. Then, according to the step-and-repeat method, the original pattern is reduced and projected onto each region of the silicon wafer while shifting each shot according to the step feed of the moving stage 911, and exposure is repeated. After the exposure on one silicon wafer is completed, the silicon wafer is accommodated and a new silicon wafer is supplied, and similarly, the exposure of the original pattern is repeated by the step & repeat method. The exposed silicon wafer that has been exposed is subjected to processing such as development and etching by an apparatus provided separately from this system. Then, a semiconductor device is manufactured through an assembly process such as dicing, wire bonding, packaging and the like. According to this embodiment, it is possible to produce a highly integrated semiconductor device having a very fine circuit pattern, which has been difficult to produce conventionally.

【0036】<実施例5>図8は半導体デバイスを製造
するための原版の洗浄検査システムの実施例を示す図で
ある。システムは大まかに、原版収納装置、洗浄装置、
乾燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンチャンバ内に配置される。
<Embodiment 5> FIG. 8 is a diagram showing an embodiment of an original plate cleaning inspection system for manufacturing a semiconductor device. The system is roughly: original storage device, cleaning device,
It has a drying device, an inspection device, and a controller, which are arranged in a clean chamber.

【0037】920は原版収納装置であり、内部に複数
の原版を収納し洗浄すべき原版を供給する。921は洗
浄装置であり、純水によって原版の洗浄を行なう。92
2は乾燥装置であり、洗浄された原版を乾燥させる。9
23は原版検査装置であり、先の各実施例のいずれかの
構成を含んでおり、前記実施例のいずれかの方法を用い
て洗浄された原版上の異物検査を行なう。924はコン
トローラでシステム全体のシーケンス制御を行なう。
Reference numeral 920 denotes an original storage device which stores a plurality of originals and supplies the originals to be cleaned. A cleaning device 921 cleans the original plate with pure water. 92
A drying device 2 dries the washed original plate. 9
Reference numeral 23 denotes an original plate inspection apparatus, which includes the configuration of any one of the previous embodiments, and inspects foreign substances on the original plate that has been cleaned using any of the methods of the above-described embodiments. A controller 924 controls the sequence of the entire system.

【0038】以下、動作について説明する。まず、原版
収納装置920から洗浄すべき原版を取り出し、これを
洗浄装置921に供給する。洗浄装置921で洗浄され
た原版は乾燥装置922に送られて乾燥させる。乾燥が
済んだら検査装置923に送られ、検査装置923にお
いては先の実施例のいずれかの方法を用いて原版上の異
物を検査する。検査の結果、異物が確認されなければ、
原版を原版収納装置920に戻す。又、異物が確認され
た場合は、この原版を洗浄装置921に戻して洗浄・乾
燥動作を行なった後に再度検査を行ない、異物が完全に
除去されるまでこれを繰り返す。そして完全に洗浄がな
された原版を原版収納装置920に戻す。
The operation will be described below. First, the original plate to be cleaned is taken out from the original plate storage device 920 and supplied to the cleaning device 921. The original plate cleaned by the cleaning device 921 is sent to the drying device 922 to be dried. After the drying, it is sent to the inspection device 923, and the inspection device 923 inspects the foreign matter on the original plate by using any one of the methods of the previous embodiments. If no foreign matter is found as a result of the inspection,
The original is returned to the original storage device 920. When a foreign substance is confirmed, the original is returned to the cleaning device 921 to perform a cleaning / drying operation and then an inspection is performed again, and this is repeated until the foreign substance is completely removed. Then, the completely cleaned original plate is returned to the original plate storage device 920.

【0039】この後に、この洗浄された原版を露光装置
にセットして、シリコンウエハ上に原版の回路パターン
を焼付けて半導体デバイスを製造する。これによって従
来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有す
る高集積度半導体デバイスを製造することができる。
Thereafter, the cleaned original plate is set in an exposure apparatus, and a circuit pattern of the original plate is printed on a silicon wafer to manufacture a semiconductor device. As a result, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device having a very fine circuit pattern, which has been difficult to manufacture in the past.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上の本発明によれば、不要光の影響を
効果的に抑えることができ、検査面の広い領域にて精度
の高い異物検査が可能となる。特にペリクル枠を有する
レチクルの検査において優れた効果を発揮する。
As described above, according to the present invention, it is possible to effectively suppress the influence of unnecessary light, and it is possible to perform highly accurate foreign matter inspection in a wide area of the inspection surface. Particularly, it exhibits an excellent effect in the inspection of a reticle having a pellicle frame.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】一次元イメージセンサからの信号の様子を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing a state of a signal from a one-dimensional image sensor.

【図3】信号出力の様子を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing how a signal is output.

【図4】低帯域カットフィルタの周波数特性の一例を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of frequency characteristics of a low band cut filter.

【図5】第2の実施例の装置の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an apparatus according to a second embodiment.

【図6】第3の実施例の装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of an apparatus according to a third embodiment.

【図7】検査装置を有する露光装置の実施例の構成図で
ある。
FIG. 7 is a configuration diagram of an embodiment of an exposure apparatus having an inspection apparatus.

【図8】検査装置を有する洗浄装置の実施例の構成図で
ある。
FIG. 8 is a configuration diagram of an embodiment of a cleaning device having an inspection device.

【図9】従来の装置の一次元イメージセンサからの信号
の様子を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a state of a signal from a one-dimensional image sensor of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レチクル 2 ペリクル 3 ペリクル枠 4 レーザダイオード 5 コリメータレンズ 6 レーザビーム 7 レンズアレイ 8 一次元イメージセンサ 9 アナログ前処理部 10 低帯域カットフィルタ 11 信号処理部 20 異物 P1,P2 異物信号1 reticle 2 pellicle 3 pellicle frame 4 laser diode 5 collimator lens 6 laser beam 7 lens array 8 one-dimensional image sensor 9 analog pre-processing unit 10 low-band cut filter 11 signal processing unit 20 foreign matter P 1 , P 2 foreign matter signal

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検査面のイメージ情報を取り込むイメー
ジセンサを含む光学系と、該イメージセンサからの信号
に電気的な低帯域カットフィルタを施すフィルタ手段
と、を有することを特徴とする検査装置。
1. An inspection apparatus comprising: an optical system including an image sensor for taking in image information of an inspection surface; and a filter means for applying an electric low band cut filter to a signal from the image sensor.
【請求項2】 検査面はレチクル面又はペリクル面であ
ることを特徴とする請求項1記載の検査装置。
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the inspection surface is a reticle surface or a pellicle surface.
【請求項3】 光学系は屈折率分布型マイクロレンズア
レイを有することを特徴とする請求項1記載の検査装
置。
3. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the optical system has a gradient index microlens array.
【請求項4】 光学系は回転対称レンズを有することを
特徴とする請求項1記載の検査装置。
4. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the optical system has a rotationally symmetric lens.
【請求項5】 イメージセンサは二次元イメージセンサ
であることを特徴とする請求項1記載の検査装置。
5. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the image sensor is a two-dimensional image sensor.
【請求項6】 イメージセンサは一次元ラインセンサで
あり、光学系を一次元ラインセンサの長手方向に垂直な
方向に、検査面に対して相対移動させる手段を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の検査装置。
6. The image sensor is a one-dimensional line sensor, and has means for moving the optical system relative to an inspection surface in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the one-dimensional line sensor. The inspection device described.
【請求項7】 光学系は検査面の像をイメージセンサ上
にデフォーカスさせて結像することを特徴とする請求項
1記載の検査装置。
7. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the optical system defocuses the image of the inspection surface onto the image sensor to form an image.
【請求項8】 請求項1乃至7のいずれか記載の検査装
置を用いて基板の検査を行う手段と、該検査された基板
を用いて露光転写処理を行う手段とを有することを特徴
とする露光装置。
8. A means for inspecting a substrate by using the inspection apparatus according to claim 1, and a means for performing an exposure transfer process by using the inspected substrate. Exposure equipment.
【請求項9】 請求項8記載の露光装置を用いてデバイ
スを生産することを特徴とするデバイス生産方法。
9. A device production method, wherein a device is produced by using the exposure apparatus according to claim 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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