JPH08264404A - Process system and device producing method using it - Google Patents
Process system and device producing method using itInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス生産など
に適した処理システムに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing system suitable for semiconductor device production.
【0002】[0002]
【従来の技術】露光装置の露光光として有望視されてい
るX線は大気等による減衰が著しいため、超高真空に保
たれたビームダクト通って露光室に導入される。露光室
は、X線の減衰を防ぐ一方でウエハやマスクの放熱を促
進するためにヘリウムガス等の減圧雰囲気に保たれた減
圧チャンバであり、減圧雰囲気の圧力、温度およびヘリ
ウムガスの純度等は、ウエハの露光面におけるX線のX
線強度の変動を防ぐために極めて高精度に制御される。
特にヘリウムガスの純度は、チャンバの気密性によるリ
ークや、チャンバの内壁やマスクの保持装置やウエハの
位置決めステージ等に用いられるエアベアリング等から
漏出するガスによって低下するため、これらの不純ガス
を希釈して減圧チャンバのヘリウムガスの純度を、例え
ば99.9%以上に保つには、常時99.9999%以
上の高純度のヘリウムガスを減圧チャンバに導入する必
要がある。2. Description of the Related Art X-rays, which are regarded as promising as exposure light for an exposure apparatus, are introduced into an exposure chamber through a beam duct kept in an ultrahigh vacuum because they are significantly attenuated by the atmosphere. The exposure chamber is a decompression chamber kept in a decompressed atmosphere of helium gas or the like in order to promote the heat dissipation of the wafer or mask while preventing the attenuation of X-rays. , X-ray X on the exposed surface of the wafer
It is controlled with extremely high precision to prevent fluctuations in line intensity.
In particular, the purity of helium gas is reduced by gas leaking from the airtightness of the chamber and gas leaking from the inner wall of the chamber, the air bearing used for the mask holding device, the wafer positioning stage, etc. In order to maintain the purity of the helium gas in the decompression chamber at, for example, 99.9% or higher, it is necessary to constantly introduce the high-purity helium gas at 99.9999% or higher into the decompression chamber.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら従来
の技術によれば、高純度のヘリウムガスを常時供給しな
ければならないために、また供給するヘリウムガスは露
光チャンバでしか利用しないために、ヘリウムガスの利
用効率が悪い。高価なヘリウムガスの大量の消費は、ラ
ンニングコストの増大につながってしまう。However, according to the prior art, since the high-purity helium gas must be constantly supplied, and the supplied helium gas is used only in the exposure chamber, Inefficient use. The large consumption of expensive helium gas leads to an increase in running cost.
【0004】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
のであり、雰囲気ガスの利用効率を高めることでランニ
ングコストの低減をはかった処理システムの提供を目的
とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a processing system in which the running cost is reduced by increasing the utilization efficiency of atmospheric gas.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の処理システムの好ましい形態は、第1の処理を行う
第1処理チャンバと、第2の処理を行う第2の処理チャ
ンバと、該第1の処理チャンバ使用した雰囲気ガスを該
第2処理チャンバに導入して再利用する手段を有するこ
とを特徴とするものである。A preferred embodiment of a processing system of the present invention which solves the above problems is a first processing chamber for performing a first processing, a second processing chamber for performing a second processing, and It is characterized in that it has means for introducing the atmosphere gas used in the first processing chamber into the second processing chamber and reusing it.
【0006】[0006]
<実施例1>本発明の実施例である、自動化された半導
体デバイスの生産ラインについて、図1を用いて説明す
る。同図において、露光室である第1チャンバ101
は、基板保持手段であるウエハ位置決めステージ121
やマスク保持装置122を収容している。そして、シン
クロトロン放射源等の放射源Sから発生した放射光(X
線)を、超高真空の状態で第1チャンバへ導入するため
のビームライン102と、第1チャンバの減圧雰囲気を
ビームライン102の超高真空雰囲気から遮断するため
のX線透過窓103が設けられている。ビームライン1
02を通過しX線透過窓103を経て第1チャンバ内へ
導入されたX線は、マスク保持装置122に保持された
マスク123を経てウエハ位置決めステージ121上の
被露光基板であるウエハ124を露光する。なお、露光
に使用する放射光はX線に限らず、真空紫外線などでも
よい。Example 1 An automated semiconductor device production line, which is an example of the present invention, will be described with reference to FIG. In the figure, a first chamber 101, which is an exposure chamber
Is a wafer positioning stage 121 which is a substrate holding means.
And a mask holding device 122. Then, the radiated light (X
Beam) for introducing into the first chamber in an ultrahigh vacuum state, and an X-ray transmission window 103 for shutting off the depressurized atmosphere of the first chamber from the ultrahigh vacuum atmosphere of the beamline 102. Has been. Beam line 1
X-rays that have passed through 02 and have been introduced into the first chamber via the X-ray transmission window 103 pass through the mask 123 held by the mask holding device 122 and expose the wafer 124 that is the substrate to be exposed on the wafer positioning stage 121. To do. The radiated light used for exposure is not limited to X-rays, and may be vacuum ultraviolet rays.
【0007】一方、第2チャンバ130はコーターデベ
ロッパーを有しており、ウエハに対してレジスト塗布処
理を行うコーター131と、露光処理後のウエハの現像
処理を行うデベロッパー132とが1つのチャンバ内に
設けられている。さらに、第1チャンバ101と第2チ
ャンバ130との間でウエハを受け渡し搬送するための
インライン・インターフェース133が設けられてい
る。また、第2チャンバ130に接続されたAGV(Aut
omated Guided Vehicle) 経路134は、第2チャンバ
130と他の処理装置との間でウエハの搬送を行うため
のものである。On the other hand, the second chamber 130 has a coater developer, and a coater 131 for performing resist coating processing on a wafer and a developer 132 for developing the wafer after the exposure processing are provided in one chamber. It is provided. Further, an in-line interface 133 for transferring and transferring the wafer between the first chamber 101 and the second chamber 130 is provided. In addition, the AGV (Aut connected to the second chamber 130
The omated guided vehicle) path 134 is for carrying a wafer between the second chamber 130 and another processing apparatus.
【0008】以上の構成の生産ラインにおいて、AGV
経路134から搬入されたウエハは、図中の経路Aに沿
って、すなわち第2チャンバ130のコーター131、
インライン・インターフェース133を経て、第1チャ
ンバ101の露光装置に導入される。そして露光処理が
済んだら、図中の経路Bに沿って、すなわち第1チャン
バ101からインライン・インターフェース133、第
2チャンバ130のデベロッパー132を経て、AGV
経路134に搬出される。In the production line having the above structure, the AGV
The wafer carried in from the path 134 is along the path A in the figure, that is, the coater 131 of the second chamber 130,
It is introduced into the exposure apparatus of the first chamber 101 via the in-line interface 133. After the exposure process, the AGV is moved along the path B in the figure, that is, from the first chamber 101 to the in-line interface 133 and the developer 132 of the second chamber 130.
It is carried out to the route 134.
【0009】本実施例では、ウエハに塗布する感光剤で
あるレジストとして、解像度が高い化学増幅型のレジス
トの使用を想定している。しかし化学増幅型レジストは
大気中で酸化し、解像度や感度が変化してしまうため、
第1チャンバ101、第2チャンバ130、さらにはイ
ンライン・インターフェース133内を不活性ガスであ
るヘリウムガスを満たすとによって酸化を防止してい
る。In this embodiment, it is assumed that a chemically amplified resist having a high resolution is used as a resist which is a photosensitive agent applied to a wafer. However, chemically amplified resist oxidizes in the air, changing resolution and sensitivity,
The first chamber 101, the second chamber 130, and the in-line interface 133 are filled with helium gas which is an inert gas to prevent oxidation.
【0010】次に、本実施例の空調系の詳細について説
明する。Next, details of the air conditioning system of this embodiment will be described.
【0011】第1チャンバ101には、チャンバ内のガ
スを排気して外部に排出するための第1の排気ライン1
04と、チャンバの減圧度を微調節するための第2の排
気ライン106が接続されている。第1の排気ライン1
04には第1の真空ポンプ104aと開閉バルブ104
bが設けられ、第2の排気ライン106には第2の真空
ポンプ106aと流量制御バルブ106bが設けられて
いる。コントローラ106cは、第1チャンバ101の
内部圧力を検出する圧力センサ1105の検出出力に基
づいて流量制御バルブ106bを制御する。また、第1
チャンバ101に高純度のヘリウムを供給するために、
開閉バルブ113bを有する第1のヘリウムガス導入ラ
イン113、及び開度を調整可能な流量制御バルブ11
4bを有する第2のヘリウムガス導入ライン114が、
第1チャンバに接続されている。The first chamber 101 has a first exhaust line 1 for exhausting gas in the chamber and discharging the gas to the outside.
04, and a second exhaust line 106 for finely adjusting the degree of pressure reduction in the chamber. First exhaust line 1
Reference numeral 04 denotes a first vacuum pump 104a and an opening / closing valve 104.
b is provided, and the second exhaust line 106 is provided with a second vacuum pump 106a and a flow rate control valve 106b. The controller 106c controls the flow rate control valve 106b based on the detection output of the pressure sensor 1105 that detects the internal pressure of the first chamber 101. Also, the first
In order to supply high purity helium to the chamber 101,
A first helium gas introduction line 113 having an opening / closing valve 113b, and a flow rate control valve 11 capable of adjusting the opening degree
A second helium gas introduction line 114 having 4b
It is connected to the first chamber.
【0012】第1の排気ライン104によって第1チャ
ンバ101内を所定の真空度に排気した後、第1のヘリ
ウムガス導入ライン113の開閉バルブ113bを開い
て第1チャンバが所定の減圧圧力(例えば20000P
a(150Torr))になるまで比較的大流量のヘリ
ウムガスを供給し、開閉バルブ113bを閉じる。第1
チャンバ101は、チャンバ壁の継ぎ目などから外部の
エアがリークして混入したり、あるいはウエハ位置決め
ステージ121のエアベアリング等から漏出する不純ガ
スによって、チャンバ内のヘリウムガスの純度が低下す
るおそれがあり、これは露光精度の低下の要因となる。
そこで、第2の排気ライン106による排気と第2のヘ
リウムガス導入ライン114によるヘリウムガスの補充
を継続することによって、ヘリウム純度が99.9%よ
りも低下しないように保つようにする。After the first chamber 101 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the first exhaust line 104, the opening / closing valve 113b of the first helium gas introduction line 113 is opened to set the first chamber at a predetermined reduced pressure (eg, 20000P
A relatively large flow rate of helium gas is supplied until the pressure reaches a (150 Torr), and the opening / closing valve 113b is closed. First
In the chamber 101, there is a possibility that the external air leaks from the seam of the chamber wall or the like and is mixed in, or the purity of the helium gas in the chamber is lowered due to the impure gas leaking from the air bearing of the wafer positioning stage 121. However, this causes a decrease in exposure accuracy.
Therefore, by continuing the exhaustion through the second exhaust line 106 and the replenishment of the helium gas through the second helium gas introduction line 114, the helium purity is maintained so as not to drop below 99.9%.
【0013】第2の排気ライン106によって第1チャ
ンバ101から排気されたヘリウムは、コンプレッサ1
07aで圧縮してタンク107bに回収される。タンク
107bからの供給されるヘリウムは、フィルタ107
cで不純物を取り除いて精製し、レギュレータ107d
で減圧して、ヘリウム供給ライン107を通って第2チ
ャンバ130に導入される。フィルタ107cは、ガス
中のゴミや塵などの微粒子を取り除く微粒子フィルタ、
およびアミン等の化学物質を取り除くケミカルフィルタ
の両方を備えている。The helium exhausted from the first chamber 101 by the second exhaust line 106 is transferred to the compressor 1
It is compressed at 07a and collected in the tank 107b. Helium supplied from the tank 107b is filtered by the filter 107.
Purify by removing impurities with c, regulator 107d
Then, the pressure is reduced by, and the gas is introduced into the second chamber 130 through the helium supply line 107. The filter 107c is a particulate filter that removes particulates such as dust and dust in the gas,
And a chemical filter that removes chemical substances such as amines.
【0014】第2チャンバ130で行うレジスト塗布処
理および現像処理は、第1チャンバ101での露光処理
に比べると高純度のヘリウムを必要としないため、第1
チャンバからの排気ガスを純度精製せずに第2チャンバ
130に導入している。コーター131によるレジスト
塗布処理、及びデベロッパー132による現像処理を行
う際には、第2チャンバ130内は大気圧もしくは減圧
雰囲気とされる。The resist coating process and the developing process performed in the second chamber 130 do not require helium of high purity as compared with the exposure process in the first chamber 101.
The exhaust gas from the chamber is introduced into the second chamber 130 without being purified. When the resist coating process by the coater 131 and the developing process by the developer 132 are performed, the inside of the second chamber 130 is set to the atmospheric pressure or the reduced pressure atmosphere.
【0015】第2のチャンバ130から排気ライン10
9には、第2チャンバ130の排気を行う真空ポンプ1
09a、排気したヘリウムガスを圧縮するコンプレッサ
111a、これに接続されたタンク111bが設けら
れ、ヘリウムガスはタンク111bに貯蔵される。タン
ク111bから供給されたヘリウムガスはフィルタ11
1cによって不純物を取り除いて精製し、恒温槽111
dによって所定の温度に調節する。フィルタ111c
は、ガス中のゴミや塵などの微粒子を取り除く微粒子フ
ィルタ、およびアミン等の化学物質を取り除くケミカル
フィルタの両方を備えている。From the second chamber 130 to the exhaust line 10
9 is a vacuum pump 1 for exhausting the second chamber 130.
09a, a compressor 111a for compressing the exhausted helium gas, and a tank 111b connected thereto are provided, and the helium gas is stored in the tank 111b. The helium gas supplied from the tank 111b is filtered by the filter 11
Purified by removing impurities with 1c
Adjust to a predetermined temperature by d. Filter 111c
Is equipped with both a fine particle filter for removing fine particles such as dust and dust in the gas and a chemical filter for removing chemical substances such as amines.
【0016】ここで、タンク111bと恒温槽111d
の間には、タンク111bから供給されるヘリウムガス
の一部を高純度に精製したうえで恒温槽111dへ導入
するためのヘリウムガス精製分岐ライン112が設けら
れており、このライン112には、ヘリウムガスの精製
器112aと流量制御バルブ112bが設けられてい
る。精製器112aは例えば、活性ガスの気体分子をト
ラップし不活性ガスのみを透過させるフィルタを用い
て、不活性ガスであるヘリウムの純度を向上させるもの
である。第2チャンバ130で使用され環流したヘリウ
ムガスは、第1チャンバ及び第2チャンバでの処理で純
度が低下したものであるため、フィルタ111cおよび
精製器112aによって精製することでクリーン度及び
ガス純度を向上させたうえで第1チャンバへ導入してい
る。Here, the tank 111b and the constant temperature bath 111d
A helium gas refining branch line 112 for refining a part of the helium gas supplied from the tank 111b to a high purity and introducing it into the constant temperature bath 111d is provided between these lines. A helium gas purifier 112a and a flow control valve 112b are provided. The purifier 112a improves the purity of helium, which is an inert gas, by using a filter that traps gas molecules of the active gas and allows only the inert gas to pass through. The purity of the helium gas that has been used in the second chamber 130 and has been refluxed has been reduced in the processing in the first chamber and the second chamber. After being improved, it is introduced into the first chamber.
【0017】また、第2チャンバ130からの排気ライ
ンには、排出されたヘリウムガスの純度を測定する純度
センサ110が設けられており、コントローラ112c
は純度センサ110の検出出力に基づいて流量制御バル
ブ112bの開度を制御して、精製器112aに分岐さ
れるヘリウムガスの流量を変化させることによって、精
製手段の精製能力を変化させている。これにより、高い
純度管理を要する第1チャンバ101内に供給するヘリ
ウムガスの純度を極めて高精度かつ迅速に制御すること
ができる。なお、純度センサ110としては、直接的に
気体純度を検知する方式のもの、もしくは気体中の音速
と温度を測定することでその純度を間接的に検知する方
式のものなどがあり、いずれの方式のものでも使用でき
る。Further, the exhaust line from the second chamber 130 is provided with a purity sensor 110 for measuring the purity of the discharged helium gas, and the controller 112c.
Controls the opening of the flow rate control valve 112b based on the detection output of the purity sensor 110 to change the flow rate of the helium gas branched to the purifier 112a, thereby changing the refining capability of the refining means. As a result, the purity of the helium gas supplied into the first chamber 101, which requires high purity control, can be controlled extremely accurately and quickly. As the purity sensor 110, there are a type that directly detects the purity of gas and a type that indirectly detects the purity by measuring the speed of sound and temperature in the gas. It can also be used.
【0018】なお、以上の説明では、第1チャンバを露
光装置、第2チャンバをコーターデベロッパーとした例
を示したが、半導体生産ラインには、これら以外にもチ
ャンバを必要とする処理装置、例えばスパッタ装置、C
VD装置、エピタキシャル装置、拡散装置、アニーリン
グ装置、検査装置などがあり、以上の実施例と同様に適
用可能である。すなわち、第1チャンバ及び第2チャン
バのそれぞれを、露光装置、コーター装置、デベロッパ
装置、スパッタ装置、CVD装置、エピタキシャル装
置、拡散装置、アニーリング装置、検査装置のいずれか
の組み合わせとすることができる。また、第1と第2の
チャンバを同一の装置としても良い。いずれにせよ、第
1チャンバで使用した雰囲気ガスを第2チャンバに導入
し、第2チャンバの使用済みの雰囲気ガスを精製した後
に再度第1チャンバに導入することで、ガスを有効利用
することができる。ここで、第1チャンバの装置は第2
チャンバの装置よりも、より高いクリーン度およびガス
純度を必要とする装置とすることが好ましい。また雰囲
気ガスとしては、ヘリウム(He)に限らず、窒素(N2)やア
ルゴン(Ar) などの不活性ガスを使用することもでき
る。In the above description, an example in which the first chamber is the exposure apparatus and the second chamber is the coater developer has been shown. However, in the semiconductor production line, a processing apparatus that requires a chamber other than these, for example, Sputtering device, C
There are a VD device, an epitaxial device, a diffusion device, an annealing device, an inspection device, and the like, and they can be applied in the same manner as the above embodiments. That is, each of the first chamber and the second chamber can be any combination of an exposure device, a coater device, a developer device, a sputtering device, a CVD device, an epitaxial device, a diffusion device, an annealing device, and an inspection device. Further, the first and second chambers may be the same device. In any case, the atmospheric gas used in the first chamber is introduced into the second chamber, the used atmospheric gas in the second chamber is purified, and then introduced into the first chamber again, whereby the gas can be effectively used. it can. Here, the device in the first chamber is
It is preferable to use a device that requires higher cleanliness and gas purity than the chamber device. The atmosphere gas is not limited to helium (He), but an inert gas such as nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) can be used.
【0019】以上の本実施例の作用効果を以下に説明す
る。The operation and effect of the above embodiment will be described below.
【0020】第1チャンバ101で行う露光処理は、第
2チャンバ130で行うレジスト塗布処理や現像処理よ
りも、高いクリーン度及び純度の雰囲気ガスを必要とす
る。また、第2チャンバで行うレジスト塗布処理や現像
処理は、第1チャンバで行う露光処理に比べて雰囲気ガ
スのクリーン度及び純度を大きく劣化させる。これらの
理由から、先に第1チャンバに高純度の雰囲気ガスを供
給し、そこで使用されたガスを第2チャンバに導入して
再利用している。The exposure process performed in the first chamber 101 requires an atmosphere gas having a higher degree of cleanliness and purity than the resist coating process and the development process performed in the second chamber 130. Further, the resist coating process and the developing process performed in the second chamber greatly deteriorate the cleanness and the purity of the atmospheric gas as compared with the exposure process performed in the first chamber. For these reasons, the high-purity atmosphere gas is first supplied to the first chamber, and the gas used there is introduced into the second chamber for reuse.
【0021】そして、第2チャンバで使用されたガスを
精製してクリーン度及び純度を向上させて、再び第1チ
ャンバに導入することで、ガスの利用効率を向上させて
いる。雰囲気ガスがヘリウム等の高価なガスであれば、
ランニングコストの低減に極めて大きな効果を発揮す
る。Then, the gas used in the second chamber is purified to improve the cleanliness and purity, and is introduced into the first chamber again, thereby improving the gas utilization efficiency. If the atmosphere gas is an expensive gas such as helium,
It is extremely effective in reducing running costs.
【0022】また、第1チャンバ及び第2チャンバで使
用された雰囲気ガスの純度を測定して、これに応じて精
製の能力を調整しているので、雰囲気ガスの純度をより
一層高精度に管理することができる。Further, since the purities of the atmospheric gases used in the first chamber and the second chamber are measured and the purifying ability is adjusted accordingly, the purity of the atmospheric gases can be controlled with higher accuracy. can do.
【0023】<実施例2>次に上記処理システムでの処
理工程を含む生産工程によるデバイスの生産方法の実施
例を説明する。<Embodiment 2> Next, an embodiment of a method for producing a device by a production process including a treatment process in the treatment system will be described.
【0024】図2は微小デバイス(ICやLSI等の半
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。FIG. 2 shows a flow of manufacturing microdevices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micromachines, etc.). Step 1
In (Circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed.
In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0025】図3は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)では上記コーターを用いてウエハに感
光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明し
た露光装置を用いてマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ17(現像)では上記デベロッパ
ーを用いて露光したウエハを現像する。ステップ18
(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。FIG. 3 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer using the coater. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed on the wafer by exposure using the above-described exposure apparatus. In step 17 (development), the exposed wafer is developed using the developer. Step 18
In (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0026】本実施例の生産方法を用いれば、高集積度
の半導体デバイスを低コストに生産することができる。By using the production method of this embodiment, a highly integrated semiconductor device can be produced at low cost.
【0027】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、雰囲気ガスの利用効率
を高めることでランニングコストの低減をはかることが
できる。この本発明の処理システムを用いてデバイスを
製造すれば、低コストなデバイスを生産することができ
る。According to the present invention, the running cost can be reduced by increasing the utilization efficiency of the atmospheric gas. If a device is manufactured using this processing system of the present invention, a low-cost device can be manufactured.
【図1】実施例のを説明する説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example.
【図2】半導体デバイスの製造方法のフローを示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a flow of a method for manufacturing a semiconductor device.
【図3】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.
【符号の説明】 101 第1チャンバ(露光装置) 102 ビームライン 103 X線透過窓 104 第1チャンバの第1の排気ライン 104a 106a 9a 真空ポンプ 104b 109b 113b 開閉バルブ 105 圧力センサ 106 第1チャンバの第2の排気ライン 106b 112b 114b 流量制御バルブ 106c 112c コントローラ 107 第2チャンバへのヘリウムガス供給ライン 107a 111a コンプレッサ 107b 111b ヘリウムタンク 107c 111c 微粒子フィルタ 107d レギュレータ 109 第2チャンバの排気ライン 110 純度センサ 111 第2のヘリウムガス供給ライン 111d 恒温槽 112 ヘリウムガス精製分岐ライン 112a ヘリウム精製器 113 第1チャンバへの第1のヘリウムガス導入ライ
ン 114 第1チャンバへの第2のヘリウムガス導入ライ
ン 121 ウエハ位置決めステージ 122 マスク保持装置 123 マスク 124 ウエハ 130 第2チャンバ(コーターデベロッパー) 131 コーター 132 デベロッパー 133 インライン・インターフェース 134 AGV経路 A B ウエハの処理経路 S シンクロトロン放射源[Explanation of reference numerals] 101 first chamber (exposure device) 102 beam line 103 X-ray transmission window 104 first exhaust line of the first chamber 104a 106a 9a vacuum pump 104b 109b 113b opening / closing valve 105 pressure sensor 106 first chamber first chamber 2 exhaust line 106b 112b 114b flow control valve 106c 112c controller 107 helium gas supply line to the second chamber 107a 111a compressor 107b 111b helium tank 107c 111c particulate filter 107d regulator 109 second chamber exhaust line 110 purity sensor 111 second Helium gas supply line 111d Constant temperature bath 112 Helium gas refining branch line 112a Helium purifier 113 First helium to first chamber Gas introduction line 114 Second helium gas introduction line to first chamber 121 Wafer positioning stage 122 Mask holding device 123 Mask 124 wafer 130 Second chamber (coater developer) 131 coater 132 developer 133 In-line interface 134 AGV path AB wafer Processing path of S synchrotron radiation source
Claims (9)
第2の処理を行う第2の処理チャンバと、該第1の処理
チャンバ使用した雰囲気ガスを該第2処理チャンバに導
入して再利用する手段を有することを特徴とする処理シ
ステム。1. A first processing chamber for performing a first processing,
A processing system comprising: a second processing chamber for performing a second processing; and a means for introducing the atmosphere gas used in the first processing chamber into the second processing chamber for reuse.
を再び第1処理チャンバに循環させる手段を有すること
を特徴とする請求項1記載の処理システム。2. The processing system according to claim 1, further comprising means for circulating the atmospheric gas used in the second processing chamber into the first processing chamber again.
を有することを特徴とする請求項2記載の処理システ
ム。3. The processing system according to claim 2, further comprising a refining means for refining the circulating atmospheric gas.
有し、該測定手段の出力に基づいて精製手段の精製能力
を調整することを特徴とする請求項3記載の処理システ
ム。4. The processing system according to claim 3, further comprising a measuring means for measuring the purity of the atmospheric gas, and adjusting the refining ability of the refining means based on the output of the measuring means.
り、第2の処理は基板に対する塗布処理もしくは基板に
対する現像処理であることを特徴とする請求項1記載の
処理システム。5. The processing system according to claim 1, wherein the first process is an exposure process for the substrate, and the second process is a coating process for the substrate or a developing process for the substrate.
雰囲気とされることを特徴とする請求項1乃至5のいず
れか記載の処理システム。6. The processing system according to claim 1, wherein at least one of the processing chambers has a reduced pressure atmosphere.
徴とする請求項1乃至6のいずれか記載の処理システ
ム。7. The processing system according to claim 1, wherein the atmospheric gas is an inert gas.
とする請求項7記載の処理システム。8. The processing system according to claim 7, wherein the atmosphere gas is helium.
ステムを用いてデバイスを生産することを特徴とするデ
バイス生産方法。9. A device manufacturing method, characterized in that a device is manufactured by using the processing system according to claim 1.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06961195A JP3416326B2 (en) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | Processing system and device production method using the same |
EP95302173A EP0676672B1 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-31 | Processing method and apparatus for a resist-coated substrate |
DE69535412T DE69535412D1 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-31 | Processing system for the production of semiconductor devices |
DE69531019T DE69531019T2 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-31 | Treatment method and device for a resist-coated substrate |
EP00201366A EP1026549B1 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-31 | Processing system adapted for semiconductor device manufacture |
KR1019950007780A KR100241953B1 (en) | 1994-04-08 | 1995-04-04 | Processing device for manufacturing semiconductor device |
US08/625,710 US5871587A (en) | 1994-04-08 | 1996-04-03 | Processing system for semiconductor device manufacture of otherwise |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06961195A JP3416326B2 (en) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | Processing system and device production method using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08264404A true JPH08264404A (en) | 1996-10-11 |
JP3416326B2 JP3416326B2 (en) | 2003-06-16 |
Family
ID=13407833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06961195A Expired - Fee Related JP3416326B2 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-28 | Processing system and device production method using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3416326B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6616898B2 (en) | 1998-02-25 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus with pressure control and gas recirculation system |
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CN110553146A (en) * | 2019-08-23 | 2019-12-10 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | Gas supply device for supplying nitrogen to electron accelerator |
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1995
- 1995-03-28 JP JP06961195A patent/JP3416326B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP3416326B2 (en) | 2003-06-16 |
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