JPH08253859A - Sputtering device - Google Patents
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- JPH08253859A JPH08253859A JP5720095A JP5720095A JPH08253859A JP H08253859 A JPH08253859 A JP H08253859A JP 5720095 A JP5720095 A JP 5720095A JP 5720095 A JP5720095 A JP 5720095A JP H08253859 A JPH08253859 A JP H08253859A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はマグネトロンスパッタリ
ング技術に関し、特に薄膜原料となるターゲット材の利
用効率が高く、かつターゲット表面に異物が発生しない
スパッタリング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetron sputtering technique, and more particularly to a sputtering apparatus which has high utilization efficiency of a target material as a thin film raw material and does not generate foreign matter on the target surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ターゲットの背後に磁石等の磁界発生手
段を配したマグネトロンスパッタリング装置は、高真空
中でスパッタリングして高品質の薄膜を形成するための
装置で、ハードディスク、光磁気ディスク、液晶や半導
体等製造に広く用いられている。この装置で薄膜原料と
して用いられるターゲットは消耗材である。ターゲット
を使用し続けるとその表面に局所的なエロージョン領域
が生じ、このエロージョン領域が成長してターゲットを
貫通すると、もはやそのターゲットは使用できないから
である。ターゲットの寿命を延ばしてその利用効率を上
げるには、局所的なエロージョン領域を減らしてターゲ
ット表面が均一に消耗されるようにすればよい。2. Description of the Related Art A magnetron sputtering apparatus in which a magnetic field generating means such as a magnet is arranged behind a target is an apparatus for forming a high quality thin film by sputtering in a high vacuum. Widely used in the manufacture of semiconductors. The target used as a thin film raw material in this apparatus is a consumable material. When the target is continuously used, a local erosion region is generated on the surface, and when the erosion region grows and penetrates the target, the target can no longer be used. In order to extend the life of the target and increase its utilization efficiency, it is sufficient to reduce the local erosion area so that the target surface is uniformly consumed.
【０００３】ターゲットのエロージョン領域は、ターゲ
ット背後の磁界発生手段の配置方法によってかわる。そ
こで、磁石の配置を工夫したり、磁石をターゲット面に
水平移動させてこのエロージョン領域を広げ、ターゲッ
トの利用効率を高める方法が提案されている（特開平５
−１７９４４１号公報、特開平５−１７９４４２号公
報、特開平５−１７９４４０号公報等）。The erosion area of the target changes depending on the arrangement method of the magnetic field generating means behind the target. Therefore, there has been proposed a method of improving the utilization efficiency of the target by devising the arrangement of the magnets or by horizontally moving the magnets to the target surface to widen this erosion area (Japanese Patent Laid-Open No. HEI 5).
No. 179441, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-179442, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-179440, etc.).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】液晶のＩＴＯの成膜や
光磁気ディスクのＳｉＮxの成膜等の分野で反応性ＤＣ
スパッタリングを用いると、ターゲット表面に反応性成
物らしい異物が発生する問題が生じる。この異物は成膜
速度の変化、異常放電や膜欠陥を発生させる原因とな
る。しかし、上記従来の方法でターゲットの利用効率を
高めたスパッタリング装置では、この異物を抑制できな
かったり、エロージョンを広げたためターゲットの外側
のターゲットホルダーやシールド等までスパッタリング
してしまい、成膜した膜に不純物が混入する等の問題が
あった。特に、ＩＴＯ等の酸化物焼結体をターゲット材
とするとき、ターゲット表面で発生する異物は、スパッ
タリング条件によってはエロージョン領域にも発生する
ため、単純にエロージョンを広くしても異物の発生を抑
止できなかった。Reactive DC in the field of film formation of ITO of liquid crystal and film formation of SiN x of magneto-optical disk.
When sputtering is used, there arises a problem that a foreign substance that appears to be a reactive product is generated on the target surface. The foreign matter causes a change in the film formation rate, abnormal discharge, and film defects. However, in the sputtering device which has improved the utilization efficiency of the target by the above-mentioned conventional method, it is not possible to suppress this foreign matter, or since the erosion is widened, the target holder and the shield on the outside of the target are sputtered, resulting in a film formed. There was a problem such as the inclusion of impurities. In particular, when an oxide sintered body such as ITO is used as the target material, foreign matter generated on the target surface is also generated in the erosion region depending on the sputtering conditions. Therefore, even if the erosion is simply widened, the generation of foreign matter is suppressed. could not.
【０００５】そこで本発明は、ターゲット表面に異物を
発生させずにターゲットの利用効率を高めたスパッタリ
ング装置を提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus which improves the utilization efficiency of the target without generating foreign matter on the surface of the target.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯ等の
ターゲットでアーク放電が発生したときに表面の異物が
無くなることを発見し、更に検討を進め、高い密度を持
つプラズマを短時間ターゲット表面に発生させることに
より異物の発生を抑制する方法を見いだした。そして、
高い密度のプラズマを発生させる方法を検討した結果、
ターゲット面で局所的に水平磁場強度を高くすること
で、高密度プラズマを簡単に発生できることを見いだし
た。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention discovered that foreign matter on the surface disappears when an arc discharge is generated in a target such as ITO, and further investigation is conducted to target a plasma having a high density for a short time. We have found a method of suppressing the generation of foreign matter by generating it on the surface. And
As a result of examining the method of generating high density plasma,
It was found that high density plasma can be easily generated by locally increasing the horizontal magnetic field strength on the target surface.
【０００７】さらに従来のターゲット使用効率や成膜の
特性を考慮した結果、従来の磁石をターゲット面に水平
方向に移動させるだけでなく、ターゲット面に対して垂
直に移動させることで短時間、局所的に高い密度をもつ
プラズマを発生し、かつ従来同等以上の成膜特性や使用
効率を得ることが可能なことがわかり、本発明のスパッ
タリング装置を完成した。Further, as a result of considering the conventional target use efficiency and the characteristics of film formation, by moving the conventional magnet not only horizontally to the target surface but also vertically to the target surface, the local magnet is locally moved for a short time. It was found that it is possible to generate plasma having a high density and to obtain film formation characteristics and use efficiency that are equal to or higher than those of conventional ones, and completed the sputtering apparatus of the present invention.
【０００８】即ち、上記目的を達成するための本発明の
スパッタリング装置は、ターゲットの背後に磁界発生手
段を有するスパッタリング装置において、該磁界発生手
段が、（１）該ターゲット面の垂直方向に周期運動する
磁石と、該ターゲット面の平行面内で周期運動する磁石
とから構成されたこと、（２）該ターゲット面の垂直方
向に周期運動するとともに該ターゲット面の平行面内で
も周期運動する磁石から構成されたこと、（３）該ター
ゲット面の垂直方向に周期運動する磁石、または／及
び、該ターゲット面の垂直方向に周期運動するとともに
該ターゲット面の平行面内でも周期運動する磁石によっ
て構成されたことを特徴とする。That is, the sputtering apparatus of the present invention for achieving the above object is a sputtering apparatus having a magnetic field generating means behind a target, wherein the magnetic field generating means (1) periodically moves in a direction perpendicular to the target surface. And a magnet that periodically moves in a plane parallel to the target surface. (2) From a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface and also periodically moves in a plane parallel to the target surface. (3) A magnet that periodically moves in the vertical direction of the target surface, and / or a magnet that periodically moves in the vertical direction of the target surface and that also moves in the parallel plane of the target surface. It is characterized by that.
【０００９】更に、本発明の他のスパッタリング装置
は、上記（１）〜（３）のいずれかの構成を前提とし
て、（４）ターゲットが酸化物焼結体である、または、
（５）ターゲットが、インジウム、錫及び酸素を主成分
とする酸化物焼結体であることを特徴とする。Further, in another sputtering apparatus of the present invention, on the premise of any one of the constitutions (1) to (3), (4) the target is an oxide sintered body, or
(5) The target is an oxide sintered body containing indium, tin and oxygen as main components.
【００１０】磁界発生手段には、前記ターゲット面の垂
直方向に周期運動する磁石、または、ターゲット面の平
行面内で周期運動する磁石、または、ターゲット面の垂
直方向に周期運動するとともに該ターゲット面の平行面
内でも周期運動する磁石がそれぞれいくつ用いてもよ
い。また、これらの磁石の他に、固定された磁石や、上
記に該当しない運動をする磁石によっていてもよい。The magnetic field generating means includes a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface, a magnet that periodically moves in a plane parallel to the target surface, or a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface and is in contact with the target surface. Any number of magnets, each of which has a periodic motion even in the parallel plane of, may be used. In addition to these magnets, a fixed magnet or a magnet having a motion not corresponding to the above may be used.
【００１１】[0011]
【作用】図１は、本発明の一実施例の装置における、タ
ーゲットの背後に配置される磁界発生手段の概念図を示
したものである。この磁界発生手段は、ターゲット面の
垂直方向に周期運動（上下運動）する大きなリング状の
磁石１と、ターゲット面の垂直方向に周期運動（上下運
動）するとともにターゲット面の平行面内でも周期運動
（公転運動）する柱状の磁石２と、ターゲット面の平行
面内で周期運動（公転運動）する小さなリング状の磁石
３とから構成される。磁石１〜磁石３はそれぞれ高さ方
向に磁場配向され、磁極は磁石１と磁石２が同じ向き
に、磁石３はこれらと逆向きに着磁されている。FIG. 1 is a conceptual diagram of the magnetic field generating means arranged behind the target in the apparatus of one embodiment of the present invention. This magnetic field generating means has a large ring-shaped magnet 1 that periodically moves (up and down) in the vertical direction of the target surface, and periodically moves (up and down) in the vertical direction of the target surface, and also in the parallel plane of the target surface. It is composed of a columnar magnet 2 that makes (revolutionary motion) and a small ring-shaped magnet 3 that makes periodical motion (revolutionary motion) in a plane parallel to the target surface. The magnets 1 to 3 are magnetically oriented in the height direction, and the magnetic poles of the magnets 1 and 2 are magnetized in the same direction, and the magnet 3 is magnetized in the opposite direction.
【００１２】また、磁石２と磁石３との水平面内の距離
は固定されており、磁石１と磁石２、磁石１と磁石３の
それぞれの水平面内の距離は周期的に変化する。更に、
磁石１、磁石２は、それぞれターゲットとの垂直距離が
周期的に変化し、かつ、一方がターゲットに近づくと他
方がターゲットから離れるように同期している。The distance between the magnet 2 and the magnet 3 in the horizontal plane is fixed, and the distances between the magnet 1 and the magnet 2 and between the magnet 1 and the magnet 3 in the horizontal plane change periodically. Furthermore,
The magnet 1 and the magnet 2 are synchronized so that the vertical distance to the target periodically changes, and when one approaches the target, the other moves away from the target.
【００１３】図２、図３に上記磁界発生手段の、磁石１
の中心と磁石２の中心を通る断面の一部を示し、更に本
発明の原理を説明する。磁石１がターゲットに近づいた
ときには磁石２はターゲットから離れるので、図２に示
すように磁石１と磁石３との間のターゲット面上に強い
磁力線密度の領域５が発生する。そしてその領域５にプ
ラズマが集中し、高密度プラズマが発生する。高密度プ
ラズマが発生した領域ではターゲットがスパッタリング
されやすいので、磁石１と磁石３との間の領域がスパッ
タリングされやすくなる。更に磁石３が水平面内で、例
えば円運動のような周期運動をすれば、この領域はター
ゲット全周に広がることになる。The magnet 1 of the magnetic field generating means is shown in FIGS.
A part of a cross section passing through the center of the magnet and the center of the magnet 2 is shown, and the principle of the present invention is further described. Since the magnet 2 moves away from the target when the magnet 1 approaches the target, a region 5 having a strong magnetic field density is generated on the target surface between the magnet 1 and the magnet 3 as shown in FIG. Then, the plasma is concentrated on the region 5, and high-density plasma is generated. Since the target is easily sputtered in the region where the high density plasma is generated, the region between the magnet 1 and the magnet 3 is easily sputtered. Further, if the magnet 3 makes a periodic motion such as a circular motion in the horizontal plane, this region will be spread over the entire circumference of the target.
【００１４】一方、磁石２がターゲットに近づき磁石１
がターゲットから離れたときは、図３に示すように磁石
２と磁石３との間の領域がスパッタリングされやすくな
る。磁石３が水平面内で、例えば円運動のような周期運
動をすれば、やはりこの領域はターゲット全周に広がる
ことになる。このようにしてターゲットの利用効率を高
めることができる。On the other hand, when the magnet 2 approaches the target, the magnet 1
When is separated from the target, the region between the magnet 2 and the magnet 3 is likely to be sputtered as shown in FIG. If the magnet 3 makes a periodic motion such as a circular motion in the horizontal plane, this region also spreads over the entire circumference of the target. In this way, the utilization efficiency of the target can be improved.
【００１５】また、磁石１の上方のターゲット表面から
外側の領域はスパッタリングされ難くなる、従来問題と
なっていたターゲットの周辺部材のスパッタリングによ
る不純物の混入の問題なく、ターゲット表面の異物発生
も抑制できる。Further, a region outside the target surface above the magnet 1 is less likely to be sputtered, and there is no problem of mixing impurities due to sputtering of a peripheral member of the target, which has been a conventional problem, and generation of foreign matter on the target surface can be suppressed. .
【００１６】なお、上記は円形のターゲットで説明した
が、磁石の配置方法を工夫することでターゲットは、矩
形その他いかなる形状にも適用できる。また、磁石３を
も垂直方向に動かしてもよい。Although a circular target has been described above, the target can be applied to any shape such as a rectangle by devising the method of arranging the magnets. Also, the magnet 3 may be moved vertically.
【００１７】[0017]
【実施例】以下実施例と従来例により本発明を更に具体
的に説明する。実施例の磁界発生手段は図１に示す磁石
配置とし、磁石１、磁石３はリング状とし、磁石２は円
柱状とした。磁石１、磁石２は図示されない支持棒によ
って、ターゲットに垂直方向に上下運動できる構造にし
た。また、磁石２、磁石３は同心円上に配置し、同心円
の中心は回転軸４と中心をずらしている。磁石２、磁石
３は回転軸４を中心に磁石１内を公転運動する。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples and conventional examples. The magnetic field generating means of the embodiment has the magnet arrangement shown in FIG. 1, the magnets 1 and 3 are ring-shaped, and the magnet 2 is cylindrical. The magnet 1 and the magnet 2 are structured so that they can be moved vertically in the direction perpendicular to the target by a support rod (not shown). Further, the magnets 2 and 3 are arranged on a concentric circle, and the center of the concentric circle is offset from the center of the rotating shaft 4. The magnet 2 and the magnet 3 revolve around the rotation shaft 4 in the magnet 1.
【００１８】一方、従来例は、ターゲットの背後に配置
される磁界発生手段を図４に示す磁石配置とし、磁石８
は円柱状、磁石９はリング状とした。実施例における磁
石１はなく、支持台７上に固定された磁石８、磁石９
は、回転軸４を中心に、支持台７ごとターゲット面に平
行な面内で公転運動するようにした。また、磁石８、磁
石９は、それぞれ高さ方向に磁場配向され、磁極は逆向
きに着磁されている。On the other hand, in the conventional example, the magnetic field generating means arranged behind the target has the magnet arrangement shown in FIG.
Has a columnar shape, and the magnet 9 has a ring shape. There is no magnet 1 in the embodiment, but a magnet 8 and a magnet 9 fixed on the support base 7.
Is revolved around the rotation axis 4 in a plane parallel to the target surface together with the support 7. The magnets 8 and 9 are magnetically oriented in the height direction, and their magnetic poles are magnetized in opposite directions.
【００１９】性能確認試験 ・・・ 本発明の実施例、
及び従来例を、徳田製作所製スパッタリング装置ＣＦＳ
−８ＥＰのカソードに応用して本発明の実際の効果を確
認した。ターゲットには直径５インチの円盤状のＩＴＯ
ターゲットを用いた。Performance Confirmation Test: Example of the present invention,
And a conventional example, Tokuda Manufacturing Co., Ltd. sputtering equipment CFS
The actual effect of the present invention was confirmed by applying it to a cathode of -8EP. 5 inch diameter disk-shaped ITO for the target
A target was used.
【００２０】実施例の磁石２と磁石３、及び、従来例で
の磁石８、磁石９は、ターゲット面に平行な面内での公
転速度を５秒間で１回転とした。また、実施例での磁石
１と磁石２の垂直方向の動きは図５のタイムチャートに
従って、振幅８ｍｍの周期運動とした。図５の上段は磁
石１のタイムチャート、下段は磁石２のタイムチャート
である。ＵＰは磁石がターゲットに最も近づいた状態、
ＤＯＷＮは最も遠ざかった状態である。図５中の矢印の
間隔が５秒間を表す。The magnet 2 and the magnet 3 of the embodiment, and the magnets 8 and 9 of the conventional example have the revolution speed in the plane parallel to the target surface, which is one revolution in 5 seconds. Further, the movement of the magnet 1 and the magnet 2 in the vertical direction in the example was a periodic movement having an amplitude of 8 mm according to the time chart of FIG. The upper part of FIG. 5 is a time chart of the magnet 1, and the lower part is a time chart of the magnet 2. UP is when the magnet is closest to the target,
DOWN is the most distant state. The interval between the arrows in FIG. 5 represents 5 seconds.
【００２１】スパッタリング条件は、Ａｒ＋２％Ｏの混
合ガスを用いた０．４Ｐａのガス圧とし、スパッタ電流
を０．８Ａ、スパッタ電圧を２７０Ｖとした。この条件
で計７５時間のスパッタリング試験を行い、それぞれの
表面の異物の発生状況と使用効率とを調べた。The sputtering conditions were a gas pressure of 0.4 Pa using a mixed gas of Ar + 2% O, a sputtering current of 0.8 A and a sputtering voltage of 270V. Under these conditions, a sputtering test was conducted for a total of 75 hours, and the generation of foreign matter on each surface and the usage efficiency were examined.
【００２２】実施例と従来例の装置それぞれのスパッタ
リング終了後の、ターゲットの中心を通る断面形状を図
６、図７に示す。図の縦軸はターゲット厚方向の厚み
で、これが薄いところが局部的なエロージョンである。
図６、図７を比較すると、ターゲット円周部での形状が
異なっており、実施例の方が比較例よりターゲットの使
用効率よく消耗されていることがわかる。また、これら
のターゲットの使用効率を、重量測定より算出したとこ
ろ、実施例では４７．５％、従来例では４５．７％であ
った。6 and 7 show the cross-sectional shapes passing through the center of the target after the sputtering of each of the apparatus of the example and the conventional example. The vertical axis of the figure is the thickness in the thickness direction of the target, and the thin portion is the local erosion.
Comparing FIG. 6 and FIG. 7, it can be seen that the shapes at the peripheral portion of the target are different and the target is consumed more efficiently in the embodiment than in the comparative example. In addition, the use efficiency of these targets was calculated by gravimetric measurement and found to be 47.5% in the example and 45.7% in the conventional example.
【００２３】ターゲット表面の異物の発生は、実施例で
はターゲット中心部にのみ見られ、ターゲット円周部で
はほとんど見られなかった。一方、従来例では、ターゲ
ット中心部、円周部いずれにおいても異物が多発した。
実施例、従来例それぞれのスパッタリング装置で成膜し
たＩＴＯ膜の電気的、光学的特性には差は見られなかっ
たが、ピンホール等の原因となる異常放電の数は、平均
すると実施例では従来例の半分程度に改善された。In the examples, the generation of foreign matter on the surface of the target was observed only in the central portion of the target and was hardly observed in the peripheral portion of the target. On the other hand, in the conventional example, foreign matter frequently occurred in both the center part and the circumferential part of the target.
Although there was no difference in the electrical and optical characteristics of the ITO films formed by the sputtering apparatus of each of the examples and the conventional examples, the number of abnormal discharges that cause pinholes, etc. in the examples is average. It was improved to about half that of the conventional example.
【００２４】[0024]
【発明の効果】ＩＴＯ等の酸化物焼結体をターゲット材
としても、ターゲット表面で異物がほとんど発生せず、
ターゲットの利用効率を高めたスパッタリング装置が提
供できた。EFFECTS OF THE INVENTION Even if an oxide sintered body such as ITO is used as a target material, almost no foreign matter is generated on the target surface,
It was possible to provide a sputtering apparatus with improved target utilization efficiency.
【図１】本発明の一実施例における、ターゲットの背後
に配置される磁界発生手段を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a magnetic field generating means arranged behind a target according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の磁界発生手段の、磁石１がターゲットに
接近したときの断面の一部を示す図である。FIG. 2 is a view showing a part of a cross section of the magnetic field generating means of FIG. 1 when a magnet 1 approaches a target.
【図３】図１の磁界発生手段の、磁石２がターゲットに
接近したときの断面の一部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a part of a cross section of the magnetic field generating means of FIG. 1 when a magnet 2 approaches a target.
【図４】従来例における、ターゲットの背後に配置され
る磁界発生手段を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a magnetic field generating means arranged behind a target in a conventional example.
【図５】本発明の実施例での磁石１と磁石２の垂直運動
の動きを示すタイムチャートである。FIG. 5 is a time chart showing the movement of the vertical movement of the magnet 1 and the magnet 2 in the embodiment of the present invention.
【図６】実施例でスパッタリング終了後のターゲットの
断面形状である。FIG. 6 is a cross-sectional shape of a target after completion of sputtering in an example.
【図７】従来例でスパッタリング終了後のターゲットの
断面形状である。FIG. 7 is a cross-sectional shape of a target after completion of sputtering in a conventional example.
１、３、９ リング磁石 ２、８ 円柱磁石 ４ 回転軸 ５ 磁力線 ６ ターゲット ７ 支持台 1, 3, 9 Ring magnets 2, 8 Cylindrical magnets 4 Rotation axis 5 Magnetic field lines 6 Target 7 Support stand
Claims (5)
るスパッタリング装置において、該磁界発生手段が、該
ターゲット面の垂直方向に周期運動する磁石と、該ター
ゲット面の平行面内で周期運動する磁石とから構成され
たことを特徴とするスパッタリング装置。1. A sputtering apparatus having a magnetic field generating means behind a target, wherein the magnetic field generating means includes a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface, and a magnet that periodically moves in a plane parallel to the target surface. A sputtering apparatus comprising:
るスパッタリング装置において、該磁界発生手段が、該
ターゲット面の垂直方向に周期運動するとともに該ター
ゲット面の平行面内でも周期運動する磁石から構成され
たことを特徴とするスパッタリング装置。2. A sputtering apparatus having a magnetic field generating means behind a target, wherein the magnetic field generating means is composed of a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface and also in a plane parallel to the target surface. A sputtering apparatus characterized in that
るスパッタリング装置において、該磁界発生手段が、該
ターゲット面の垂直方向に周期運動する磁石、または／
及び、該ターゲット面の垂直方向に周期運動するととも
に該ターゲット面の平行面内でも周期運動する磁石によ
って構成されたことを特徴とするスパッタリング装置。3. A sputtering apparatus having a magnetic field generating means behind a target, wherein the magnetic field generating means has a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface, or /
And a sputtering apparatus comprising a magnet that periodically moves in a direction perpendicular to the target surface and also periodically moves in a plane parallel to the target surface.
１〜請求項３に記載のスパッタリング装置。4. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the target is an oxide sintered body.
を主成分とする酸化物焼結体である請求項１〜請求項３
に記載のスパッタリング装置。5. The target is an oxide sintered body containing indium, tin and oxygen as main components.
The sputtering apparatus according to 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720095A JPH08253859A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720095A JPH08253859A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253859A true JPH08253859A (en) | 1996-10-01 |
Family
ID=13048861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5720095A Pending JPH08253859A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253859A (en) |
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- 1995-03-16 JP JP5720095A patent/JPH08253859A/en active Pending
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