JPH08241945A - Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device - Google Patents
Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームと、こ
れに半導体チップを搭載した半導体装置、およびこの半
導体装置の製造に好適な半導体装置の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame, a semiconductor device having a semiconductor chip mounted on the lead frame, and a semiconductor device manufacturing method suitable for manufacturing the semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームとして、従来、例えば図
２に示すように銅からなる複数のアウターリード１…
と、これらアウターリード１…のそれぞれの先端部に接
続された銅等からなる薄肉のインナーリード２とを有し
て構成されたものが知られている。このリードフレーム
は、通常半導体チップ３が搭載され、さらに封止樹脂４
によってこの半導体チップ３が封止されることにより、
半導体装置に形成される。ここで、半導体チップ３のリ
ードフレームへの搭載は、半導体チップ３の電極パッド
（図示略）がバンプ５を介してインナーリード２にボン
ディングされることによってなされる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a lead frame, as shown in FIG. 2, a plurality of outer leads 1 made of copper ...
And a thin inner lead 2 made of copper or the like connected to the respective tip portions of these outer leads 1 ... Is known. A semiconductor chip 3 is usually mounted on this lead frame, and a sealing resin 4
By sealing the semiconductor chip 3 by
Formed in a semiconductor device. Here, the semiconductor chip 3 is mounted on the lead frame by bonding electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 3 to the inner leads 2 via the bumps 5.
【０００３】このような半導体装置の製造方法を、図３
を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すようにリ
ードフレーム形成用のクラッド材６を用意する。このク
ラッド材６は、厚さ１００〜１５０μｍ程度のアウター
リード用銅層７上に、アルミニウムからなる厚さ３μｍ
程度のエッチングストップ層８と、厚さ２μｍ程度の密
着用銅層９とを蒸着等により形成した三層構造のもので
ある。次に、このクラッド材６の密着用銅層９の上に、
形成すべきインナーリードのネガのパターン（図示略）
を公知のリソグラフィ技術等によって形成し、さらにこ
のパターンを利用して電解メッキ処理を行い、図３
（ｂ）に示すように密着用銅層９の上に線幅３０μｍ程
度のインナーリード２…を形成し、その後前記パターン
を除去する。ここで、形成するインナーリード２…のパ
ターンについては、それぞれの先端部がクラッド材６上
の所定箇所６ａに集められるように形成される。A method of manufacturing such a semiconductor device is shown in FIG.
Will be described with reference to. First, as shown in FIG. 3A, a clad material 6 for forming a lead frame is prepared. The clad material 6 is made of aluminum and has a thickness of 3 μm on the outer lead copper layer 7 having a thickness of about 100 to 150 μm.
The etching stop layer 8 and the adhesion copper layer 9 having a thickness of about 2 μm are formed by vapor deposition or the like to have a three-layer structure. Next, on the copper layer 9 for adhesion of the clad material 6,
Negative pattern of inner leads to be formed (not shown)
3 is formed by a known lithographic technique or the like, and electrolytic plating is performed using this pattern.
As shown in (b), inner leads 2 having a line width of about 30 μm are formed on the adhesion copper layer 9, and then the pattern is removed. Here, the patterns of the inner leads 2 ... Formed are formed so that the respective tip portions are gathered at the predetermined locations 6 a on the clad material 6.
【０００４】このようにしてインナーリード２…を形成
したら、インナーリード２が線幅３０μｍ程度と細いこ
とから、その補強のため、図３（ｃ）に示すようにポリ
イミド等からなる補強テープ１０でインナーリード２…
上を覆い、これらを補強する。次いで、このようにイン
ナーリード２…を補強した状態のもとで、アウターリー
ド用銅層７の所定位置、すなわちアウターリード１…の
ネガパターンとなる位置を、公知のリソグラフィ技術、
エッチング技術等によって裏面側（インナーリード２と
反対の面側）からエッチングし、図３（ｄ）に示すよう
にアウターリード１…を形成する。このとき、エッチン
グストップ層８がアウターリード用銅層７の表面に形成
されていることから、インナーリード２側までエッチン
グされることなく、エッチングストップ層８の裏面側で
エッチングが確実に終了する。なお、アウターリード１
については、その先端部が先に形成したインナーリード
２の基端部と、エッチングストップ層８、密着用銅層９
を介して接続しているように形成するのはもちろんであ
る。When the inner leads 2 are formed in this manner, since the inner leads 2 have a thin line width of about 30 μm, the reinforcing tape 10 made of polyimide or the like is used to reinforce the inner leads 2 as shown in FIG. 3 (c). Inner lead 2 ...
Cover them and reinforce them. Then, with the inner leads 2 ... Reinforced in this way, a predetermined position of the outer lead copper layer 7, that is, a position serving as a negative pattern of the outer leads 1 ...
Etching is performed from the back side (the side opposite to the inner lead 2) by an etching technique or the like to form the outer leads 1 ... As shown in FIG. 3 (d). At this time, since the etching stop layer 8 is formed on the surface of the outer lead copper layer 7, etching is surely completed on the back surface side of the etching stop layer 8 without being etched to the inner lead 2 side. The outer lead 1
With respect to, the base end portion of the inner lead 2 having the tip portion formed earlier, the etching stop layer 8, the adhesion copper layer 9
Of course, it is formed so as to be connected via.
【０００５】次いで、インナーリード２の直下に位置す
る以外の密着用銅層９、エッチングストップ層８を、公
知のリソグラフィ技術、エッチング技術等によって選択
エッチングすることにより、図３（ｅ）に示すようにイ
ンナーリード２…以外の位置にある密着用銅層９、エッ
チングストップ層８を除去するとともに、インナーリー
ド２…の先端側の所定箇所６ａを選択エッチングし、イ
ンナーリード２…の先端部間を分離する。Next, the adhesion copper layer 9 and the etching stop layer 8 other than those located directly under the inner leads 2 are selectively etched by a known lithography technique, etching technique, etc., as shown in FIG. 3 (e). While removing the adhesion copper layer 9 and the etching stop layer 8 at positions other than the inner leads 2 ... And selectively etching a predetermined portion 6a on the tip side of the inner leads 2 ... Between the tip portions of the inner leads 2. To separate.
【０００６】次いで、先端部を分離したインナーリード
２…間を補強するため、図３（ｆ）に示すようにインナ
ーリード２…の裏面側をポリイミド等からなる補強テー
プ１１で接着し、リードフレームを得る。その後、図３
（ｇ）に示すようにインナーリード２の先端部裏面側に
バンプ５を形成し、さらにこれらインナーリード２…の
裏面側でかつその先端側が集まる箇所に半導体チップ３
を位置合わせし、この半導体チップ３の電極パッド（図
示略）をバンプ５を介してインナーリード２…に超音波
ボンディングする。そして、図３（ｇ）中二点鎖線で示
すようにトランスファモールド等によってインナーリー
ド２…、半導体チップ３を封止樹脂４で封止し、アウタ
ーリード１…の基端部側を所定形状に折曲加工して半導
体装置を得る。Next, in order to reinforce between the inner leads 2 whose tip portions are separated, as shown in FIG. 3 (f), the back side of the inner leads 2 is adhered with a reinforcing tape 11 made of polyimide or the like, and the lead frame is formed. To get After that, FIG.
As shown in (g), bumps 5 are formed on the rear surface side of the tip portions of the inner leads 2, and the semiconductor chips 3 are formed on the rear surface side of the inner leads 2 ...
Are aligned, and the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 3 are ultrasonically bonded to the inner leads 2 through the bumps 5. Then, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 3 (g), the inner leads 2, ..., The semiconductor chip 3 are sealed with a sealing resin 4 by transfer molding or the like, and the base end side of the outer leads 1 ... The semiconductor device is obtained by bending.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このような製造方法で
は、製造工程中にてインナーリード２…を補強するた
め、これらを補強テープ１０、１１で接着固定してい
る。ところが、ファインピッチ化に伴い、インナーリー
ド２が線幅３０μｍ程度と薄く形成されていることか
ら、例えばポッティングにより半導体チップ３とインナ
ーリード２…とのみを固定するといった方法では、イン
ナーリード２…の強度が十分でなくしたがってアウター
リード１との接続部側が不安定であるため、不測の力が
加わるとインナーリード２が断線するおそれがあり、よ
ってトランスファモールド等による樹脂封止が必須とな
っている。In such a manufacturing method, in order to reinforce the inner leads 2 ... During the manufacturing process, these are bonded and fixed by the reinforcing tapes 10 and 11. However, since the inner lead 2 is thinned to have a line width of about 30 μm as the pitch becomes finer, for example, the method of fixing only the semiconductor chip 3 and the inner lead 2 ... Since the strength is not sufficient and therefore the connecting portion side with the outer lead 1 is unstable, the inner lead 2 may be broken if an unexpected force is applied, and therefore resin molding by transfer molding or the like is essential. .
【０００８】しかしながら、このような樹脂封止を行う
と、例えばトランスファモールドした場合、前述したよ
うにインナーリード２…が薄くなっていることから、樹
脂の流れによってインナーリード２が正規の状態を維持
できず、撓んだ状態で固定されてしまうといったことが
起こり、これに起因して得られる半導体装置の信頼性が
損なわれるといったおそれがある。However, when such resin sealing is performed, for example, when transfer molding is performed, the inner leads 2 are thin as described above, so that the inner leads 2 are maintained in a normal state by the flow of resin. It may not be possible, and it may be fixed in a bent state, which may impair the reliability of the semiconductor device obtained.
【０００９】また、補強テープ１０、１１でインナーリ
ード２…間を接着補強しているものの、インナーリード
２とアウターリード１との接続部については何等補強し
ていないため、前述したようにトランスファモールドし
た際の樹脂の流れによって該接続部に応力が集中し、接
続特性が損なわれるといった不都合があり、一方、アウ
ターリードを折曲加工するにあたっては、前記接続部が
補強されていないことから、予め樹脂封止がなされてい
ないと折曲加工のための力が前記接続部に集中してしま
い、該接続部が破損してしまうといった不都合がある。
さらに、半導体装置の小型化、薄型化が要求されるな
か、樹脂封止をすると必然的に半導体装置が厚くなり、
したがって前記要求に応えられないといった不満があ
る。Further, although the reinforcing tapes 10 and 11 are used to bond and reinforce the inner leads 2 to each other, the connecting portions between the inner leads 2 and the outer leads 1 are not reinforced at all. There is an inconvenience that stress concentrates on the connection portion due to the flow of the resin at the time of doing, and the connection characteristics are impaired. On the other hand, when the outer lead is bent, the connection portion is not reinforced in advance. If the resin sealing is not performed, the force for bending is concentrated on the connecting portion, and the connecting portion is damaged.
Furthermore, as semiconductor devices are required to be smaller and thinner, resin encapsulation inevitably increases the thickness of semiconductor devices,
Therefore, there is a complaint that the request cannot be met.
【００１０】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、トランスファモールドに
よる樹脂封止を不要とし、これにより樹脂封止に起因す
る不都合を解消した半導体装置の製造方法と、これによ
って得られる半導体装置、さらにはこの製造方法に好適
に用いられるリードフレームを提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to eliminate the need for resin molding by transfer molding, thereby eliminating the inconvenience caused by resin molding. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device obtained thereby, and a lead frame that is preferably used in this manufacturing method.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のにおける請求項
１記載のリードフレームでは、アウターリードとインナ
ーリードとの接続部に、該アウターリードとインナーリ
ードのそれぞれに当接する環状の絶縁体が設けられ、該
絶縁体の孔部が、その内部に前記インナーリードを臨ま
せて形成されるとともに、該孔部が、搭載すべき半導体
チップより大きく形成されてなることを前記課題の解決
手段とした。In the lead frame according to claim 1 of the present invention, an annular insulator is provided at a connecting portion between the outer lead and the inner lead so as to abut against the outer lead and the inner lead, respectively. The hole of the insulator is formed so as to face the inner lead therein, and the hole is formed larger than the semiconductor chip to be mounted. .
【００１２】請求項２記載の半導体装置では、アウター
リードとインナーリードとの接続部に、該アウターリー
ドとインナーリードのそれぞれに当接する環状の絶縁体
が設けられ、該絶縁体の孔部が、その内部に前記インナ
ーリードを臨ませて形成され、該孔部内に前記半導体チ
ップが搭載され、該半導体チップが、前記インナーリー
ドと電気的に接続され、かつ前記絶縁体との間に充填さ
れた絶縁性樹脂によって絶縁体内に固定されてなること
を前記課題の解決手段とした。According to another aspect of the semiconductor device of the present invention, a ring-shaped insulator that abuts on each of the outer lead and the inner lead is provided at a connecting portion between the outer lead and the inner lead, and the hole of the insulator is formed. It is formed so that the inner lead faces inside, the semiconductor chip is mounted in the hole, and the semiconductor chip is electrically connected to the inner lead and is filled between the insulator and the insulator. The above-mentioned problem was solved by being fixed in the insulator by an insulating resin.
【００１３】請求項４記載の半導体装置の製造方法で
は、アウターリードとインナーリードとの接続部に、該
アウターリードとインナーリードのそれぞれに当接する
環状の絶縁体を、その孔部内に前記インナーリードが臨
むようにして設ける工程と、半導体チップを、前記イン
ナーリードと電気的に接続させた状態で前記絶縁体の孔
部内に搭載する工程と、前記絶縁体の孔部内に搭載した
半導体チップを、該半導体チップと前記絶縁体との間に
絶縁性樹脂を充填することによって該絶縁体内に固定す
る工程と、を具備してなることを前記課題の解決手段と
した。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a ring-shaped insulator that abuts each of the outer lead and the inner lead is provided at a connecting portion between the outer lead and the inner lead, and the inner lead is provided in the hole. And a semiconductor chip mounted in the hole of the insulator in a state of being electrically connected to the inner lead, and a semiconductor chip mounted in the hole of the insulator. And a step of fixing the resin in the insulator by filling an insulating resin between the chip and the insulator.
【００１４】[0014]
【作用】請求項１記載のリードフレームによれば、アウ
ターリードとインナーリードとの接続部に、該アウター
リードとインナーリードのそれぞれに当接する環状の絶
縁体が設けられていることから、該絶縁体によって前記
接続部が補強され、これにより製造工程時等にアウター
リードまたはインナーリードに不測の力が加わっても、
該接続部が破損されることが防止される。また、絶縁体
によって前記接続部が補強されていることから、例えば
該絶縁体を保持固定することにより、樹脂封止をするこ
となくアウターリードの折曲加工を行うことが可能にな
る。また、該絶縁体の孔部が、その内部に前記インナー
リードを臨ませて形成されるとともに、該孔部が、搭載
すべき半導体チップより大きく形成されてなるので、こ
のリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合、
前記絶縁体の孔部内に半導体チップを位置決めし、電気
的に接続しその状態で固定するだけでよく、半導体チッ
プの実装が容易になる。According to the lead frame of the first aspect of the invention, since the ring-shaped insulators that come into contact with the outer lead and the inner lead are provided at the connecting portions of the outer lead and the inner lead, the insulation is provided. The connection portion is reinforced by the body, so that even if an unexpected force is applied to the outer lead or the inner lead during the manufacturing process,
The connection is prevented from being damaged. Further, since the connecting portion is reinforced by the insulator, the outer lead can be bent without resin sealing by, for example, holding and fixing the insulator. Further, since a hole portion of the insulator is formed so as to face the inner lead therein, and the hole portion is formed larger than a semiconductor chip to be mounted, a semiconductor is manufactured using this lead frame. When manufacturing a device,
It suffices to position the semiconductor chip in the hole of the insulator, electrically connect it, and fix it in that state, which facilitates mounting of the semiconductor chip.
【００１５】請求項２記載の半導体装置によれば、前記
リードフレームと同様に、アウターリードとインナーリ
ードとの接続部に絶縁体が設けられていることから、該
絶縁体によって製造工程時等での前記接続部の破損が防
止される。また、絶縁体の孔部内に搭載された半導体チ
ップが該絶縁体との間に充填された絶縁性樹脂によって
絶縁体内に固定されているので、該絶縁体にアウターリ
ード、インナーリード、半導体チップが全て固定された
ものとなり、したがって装置全体が補強されていること
から、樹脂封止が不要になる。According to the semiconductor device of the second aspect, like the lead frame, since the insulator is provided at the connecting portion between the outer lead and the inner lead, the insulator is used in the manufacturing process or the like. The damage of the above-mentioned connection part of is prevented. Further, since the semiconductor chip mounted in the hole of the insulator is fixed in the insulator by the insulating resin filled between the insulator and the insulator, the outer lead, the inner lead and the semiconductor chip are attached to the insulator. Since all of them are fixed and therefore the entire device is reinforced, resin sealing is unnecessary.
【００１６】請求項４記載の半導体装置の製造方法によ
れば、アウターリードとインナーリードとの接続部に絶
縁体を設けていることから、該絶縁体によって製造工程
時等での前記接続部の破損が防止される。また、絶縁体
の孔部内に半導体チップを搭載し、該半導体チップと絶
縁体との間に絶縁性樹脂を充填することによって半導体
チップを絶縁体内に固定するので、該絶縁体にアウター
リード、インナーリード、半導体チップを全て固定する
ことができ、したがって得られる装置全体を補強するこ
とができることから、樹脂封止を不要にすることが可能
になる。According to the manufacturing method of the semiconductor device of the fourth aspect, since the insulator is provided at the connecting portion between the outer lead and the inner lead, the connecting portion of the connecting portion is used by the insulator during the manufacturing process. Damage is prevented. In addition, the semiconductor chip is mounted in the hole of the insulator, and the semiconductor chip is fixed in the insulator by filling an insulating resin between the semiconductor chip and the insulator. Since it is possible to fix all the leads and the semiconductor chip and thus to reinforce the entire device obtained, it becomes possible to eliminate the need for resin sealing.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明を、請求項４記載の半導体装置
の製造方法の一実施例に基づいて詳しく説明する。ま
ず、図１（ａ）に示すように、複数のアウターリード１
…と、これらアウターリード１…のそれぞれに接続され
たインナーリード２…とを備えてなり、該アウターリー
ド１…とインナーリード２…との接続部Ａ…に環状の絶
縁体２０を設けたリードフレーム２１を用意する。この
リードフレーム２１は、本発明における請求項１記載の
リードフレームの一実施例となるものであり、図３
（ｆ）に示した従来のリードフレームと異なるところ
は、従来ではインナーリード２…の裏面側を補強テープ
１１で補強していたのに代えて、絶縁体２０で補強した
点にある。The present invention will be described in detail below with reference to an embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4. First, as shown in FIG. 1A, a plurality of outer leads 1
, And an inner lead 2 connected to each of the outer leads 1 ..., and a lead provided with a ring-shaped insulator 20 at a connecting portion A between the outer lead 1 and the inner lead 2. The frame 21 is prepared. The lead frame 21 is an embodiment of the lead frame according to claim 1 of the present invention, and is shown in FIG.
The difference from the conventional lead frame shown in (f) is that, instead of reinforcing the back surface side of the inner leads 2 with the reinforcing tape 11 in the related art, it is reinforced with the insulator 20.
【００１８】すなわち、このリードフレーム２０には前
記絶縁体２０が、アウターリード１…およびインナーリ
ード２…のそれぞれに当接して接着固定されている。絶
縁体２０は、セラミックス、硬質樹脂、ガラス等の絶縁
材料、具体的にはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）やベリリア
（ＢｅＯ）、エポキシ樹脂等からなるもので、前記アウ
ターリード１…とインナーリード２…との接続部Ａ…が
なす平面形状に対応する平面形状を有したものである。
なお、本実施例では、前記接続部Ａ…が正方形の四辺を
なすように断続的に配置されているものとし、絶縁体２
０は該正方形の四辺に対応した枠部を有する、平面視正
方形枠状のものとする。That is, the insulator 20 is adhered and fixed to the lead frame 20 by abutting on the outer leads 1 ... And the inner leads 2. The insulator 20 is made of an insulating material such as ceramics, hard resin, or glass, specifically alumina (Al 2 O 3 ), beryllia (BeO), epoxy resin, or the like. The outer lead 1 ... It has a planar shape corresponding to the planar shape formed by the connection portion A with ...
In addition, in the present embodiment, it is assumed that the connection portions A ... Are intermittently arranged so as to form four sides of a square, and the insulator 2 is used.
0 has a square frame shape in a plan view having frame portions corresponding to the four sides of the square.
【００１９】また、本実施例では、アウターリード１の
上面側にインナーリード２が接続されており、これによ
ってこれらの間にはアウターリード１の厚みに相当する
段部Ｂが形成されている。したがって、前記絶縁体２０
には、この段部Ｂに対応するべく、その外周部に前記段
部Ｂに係合する係合部２０ａが形成されている。そし
て、この係合部２０ａが前記段部Ｂに係合した状態で接
着されることにより、絶縁体２０は前記接合部Ａに取付
け固定されたものとなっている。また、この絶縁体２０
は、その孔部２０ｂ内に前記インナーリード２…の先端
部を臨ませて配設されており、さらにこの孔部２０ｂ
は、後述する、搭載する半導体チップより所定寸法大き
く形成されるとともに、その深さについても、半導体チ
ップの厚みより所定寸法深く形成されたものとなってい
る。なお、インナーリード２の先端部裏面側には、絶縁
体２０の取付け固定に先立ち、あるいは取付け固定後、
バンプ５を形成しておく。Further, in this embodiment, the inner lead 2 is connected to the upper surface side of the outer lead 1, and the stepped portion B corresponding to the thickness of the outer lead 1 is formed between them. Therefore, the insulator 20
In order to correspond to the stepped portion B, an engaging portion 20a that engages with the stepped portion B is formed on the outer peripheral portion thereof. The insulator 20 is attached and fixed to the joint portion A by adhering the engaging portion 20a to the step portion B while being engaged with the step portion B. In addition, this insulator 20
Are arranged so that the tips of the inner leads 2 are exposed in the hole 20b.
Is formed to be larger than a semiconductor chip to be mounted, which will be described later, by a predetermined dimension, and the depth thereof is formed to be a predetermined dimension deeper than the thickness of the semiconductor chip. It should be noted that, on the rear surface side of the distal end portion of the inner lead 2, before or after attaching and fixing the insulator 20,
The bump 5 is formed.
【００２０】次に、予め用意した搭載するための半導体
チップ２２を、前記絶縁体２０の孔部２０ｂ内に位置合
わせし、さらにその電極パッド（図示略）を、インナー
リード２…の先端部のバンプ５…に超音波ボンディング
する。ここで、半導体チップ２２の位置合わせについて
は、絶縁体２０の内壁面と半導体チップ２２の側面とが
十分な間隔をあけた状態となるように、半導体チップ２
２を位置決めする。Next, the semiconductor chip 22 to be mounted, which is prepared in advance, is positioned in the hole 20b of the insulator 20, and its electrode pad (not shown) is attached to the tip of the inner leads 2. The bumps 5 are ultrasonically bonded. Here, regarding the alignment of the semiconductor chip 22, the semiconductor chip 2 is arranged such that the inner wall surface of the insulator 20 and the side surface of the semiconductor chip 22 are in a state in which a sufficient space is provided.
Position 2.
【００２１】次いで、リードフレーム２１と半導体チッ
プ２２とを裏にし、リードフレーム２１の裏側からポッ
ティングを行って図１（ｂ）に示すように絶縁体２０の
内壁面と半導体チップ２２の側面との間に絶縁性樹脂２
３を充填し、硬化させて半導体チップ２２を絶縁体２０
内に固定する。用いる絶縁性樹脂２３としては、例えば
シリコーン樹脂やエポキシ樹脂など従来公知のものが用
いられる。このようにして絶縁性樹脂２３を充填し硬化
させると、リードフレーム２…と半導体チップ２２との
間にはバンプ５に相当する分の間隙があることから、該
間隙内にも絶縁性樹脂２３が流れて硬化することによ
り、リードフレーム２…は絶縁性樹脂２３によって半導
体チップ２２に固定されたものとなる。なお、絶縁性樹
脂２３の充填に際しては、半導体チップ２２の底面を覆
うことなく、これを露出させたままで充填するのが、後
述する理由により好ましい。Next, the lead frame 21 and the semiconductor chip 22 are backed, and potting is performed from the back side of the lead frame 21 to form an inner wall surface of the insulator 20 and a side surface of the semiconductor chip 22 as shown in FIG. 1B. Insulating resin 2 between
3 is filled and hardened to fix the semiconductor chip 22 to the insulator 20.
Fix inside. As the insulating resin 23 to be used, a conventionally known one such as silicone resin or epoxy resin is used. When the insulating resin 23 is filled and cured in this manner, there is a gap corresponding to the bump 5 between the lead frame 2 ... And the semiconductor chip 22. Therefore, the insulating resin 23 is also present in the gap. As a result, the lead frames 2 ... Are fixed to the semiconductor chip 22 by the insulating resin 23. When the insulating resin 23 is filled, it is preferable to fill the insulating resin 23 with the bottom surface of the semiconductor chip 22 exposed, without covering the bottom surface of the semiconductor chip 22, for the reason described later.
【００２２】その後、リードフレーム２１と半導体チッ
プ２２とを表に戻し、インナーリード２…の先端部が集
まる空洞部、すなわちインナーリード２…の先端部の集
合箇所２４に再びポッティングを行い、図１（ｂ）に示
すように該空洞部（集合箇所２４）にシリコーン樹脂や
エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂２５を充填し、硬化させ
る。このようにして集合箇所２４も絶縁性樹脂２５で固
定して封止することにより、ファインピッチ化によって
線幅が細くなったインナーリード２…も、確実に補強さ
れてその強度が高められたものとなる。そして、このよ
うなポッティングを行った後、従来のごとく樹脂封止を
行うことなく、例えば絶縁体２０を保持固定した状態で
アウターリード１…の折曲加工を行い、図１（ｂ）に示
した、本発明における請求項２記載の一実施例品となる
半導体装置２６を得る。Thereafter, the lead frame 21 and the semiconductor chip 22 are returned to the front, and potting is performed again on the cavity where the tips of the inner leads 2 are gathered, that is, the gathering point 24 of the tips of the inner leads 2 ... As shown in (b), the cavity (collection location 24) is filled with an insulating resin 25 such as a silicone resin or an epoxy resin and cured. In this way, the gathering points 24 are also fixed and sealed with the insulating resin 25, so that the inner leads 2 whose line width has become thin due to the fine pitch are also reliably reinforced and their strength increased. Becomes Then, after such potting is performed, the outer leads 1 ... Are bent with the insulator 20 held and fixed, for example, without performing resin sealing as in the conventional case, and shown in FIG. Further, a semiconductor device 26 which is an embodiment of the present invention as claimed in claim 2 is obtained.
【００２３】このようにして得られた半導体装置２６に
あっては、アウターリード１…とインナーリード２…の
接続部Ａ…に絶縁体２０が直接接着され、さらに半導体
チップ２２も絶縁性樹脂２３、２５を介して絶縁体２０
に固定されていることから、トランスファモールド等に
よる樹脂封止を行わなくても装置全体が絶縁体２０によ
って十分に補強され、したがって十分な強度を有し、し
かも樹脂封止を行わないため全体が薄型のものとなる。In the semiconductor device 26 thus obtained, the insulator 20 is directly adhered to the connecting portions A of the outer leads 1 and the inner leads 2 and the semiconductor chip 22 and the insulating resin 23 are also bonded. , 25 through insulator 20
Since it is fixed to, the entire device is sufficiently reinforced by the insulator 20 without performing resin sealing by transfer molding or the like, and therefore has sufficient strength, and since the resin sealing is not performed, the entire device is It will be thin.
【００２４】また、半導体チップ２２の底面を絶縁性樹
脂２３で覆うことなく露出させているため、この半導体
装置２６がコンピューター等に搭載されて使用された
際、該底面が放熱面として機能し、これにより半導体装
置２６のデバイス特性の低下を防止することができる。
さらに、絶縁体２０の孔部２０ｂの深さを半導体チップ
２２の厚みより所定寸法深く形成したので、半導体チッ
プ２２が絶縁体２０より下側に突出することなく、した
がってこの半導体装置２６をコンピューター等に実装す
る際、あるいは移送等の際に半導体チップ２２に不測の
力が直接加わり、これに起因して半導体チップ２２の信
頼性が損なわれることを防止することができる。Further, since the bottom surface of the semiconductor chip 22 is exposed without being covered with the insulating resin 23, when the semiconductor device 26 is mounted on a computer or the like and used, the bottom surface functions as a heat dissipation surface, As a result, deterioration of the device characteristics of the semiconductor device 26 can be prevented.
Further, since the depth of the hole portion 20b of the insulator 20 is formed to be deeper than the thickness of the semiconductor chip 22 by a predetermined dimension, the semiconductor chip 22 does not protrude below the insulator 20, and thus the semiconductor device 26 is connected to a computer or the like. It is possible to prevent the reliability of the semiconductor chip 22 from being impaired due to an unexpected force being directly applied to the semiconductor chip 22 when it is mounted on the semiconductor chip 22 or when it is transferred or the like.
【００２５】また、このような半導体装置２６の製造方
法にあっては、前述したようにアウターリード１…とイ
ンナーリード２…のそれぞれに当接させてその接続部Ａ
…に絶縁体２０を設けることから、該絶縁体２０によっ
て前記接続部Ａ…を補強することができ、これにより製
造工程時等における、接続部Ａでの破損を防止すること
ができるるとともに、例えば絶縁体２０を保持固定する
ことにより、樹脂封止をすることなくアウターリード１
…の折曲加工を行うことができる。Further, in the method of manufacturing the semiconductor device 26 as described above, as described above, the outer leads 1 ... And the inner leads 2 ...
Since the insulating body 20 is provided in the connection portion 20, the connection portion A can be reinforced by the insulating material 20. This can prevent the connection portion A from being damaged during the manufacturing process and the like. For example, by holding and fixing the insulator 20, the outer lead 1 can be formed without resin sealing.
Can be bent.
【００２６】また、絶縁性樹脂２３を充填することによ
って半導体チップ２２を絶縁体２０内に固定するので、
該絶縁体２０にアウターリード１…、インナーリード２
…、半導体チップ２２…を全て固定することができ、こ
れにより得られる半導体装置２６全体を補強することが
でき、したがって装置全体を樹脂で封止する樹脂封止を
不要にすることができるため、得られる半導体装置の薄
型化を図ることができる。Since the semiconductor chip 22 is fixed in the insulator 20 by filling it with the insulating resin 23,
Outer leads 1, ..., Inner leads 2 on the insulator 20
.., all of the semiconductor chips 22 can be fixed, and the entire semiconductor device 26 obtained by this can be reinforced, and therefore, resin sealing for sealing the entire device with resin can be dispensed with. It is possible to reduce the thickness of the obtained semiconductor device.
【００２７】さらに、前記接続部Ａ…を絶縁体２０で補
強するとともに、インナーリード２…の先端側間を絶縁
性樹脂２３、２５で固定するため、インナーリード２…
形成後の工程においてアウターリード１…、インナーリ
ード２…が共に補強されることから、予めアウターリー
ド１…間にダイバーを設けないタイプのリードフレーム
を用いることができ、これによりアウタリードのファイ
ンピッチ化を図ることができる。Further, since the connecting portions A ... Are reinforced by the insulator 20 and the tip ends of the inner leads 2 are fixed by the insulating resins 23 and 25, the inner leads 2 ...
Since the outer leads 1 and the inner leads 2 are reinforced together in the process after formation, it is possible to use a lead frame of the type in which a diver is not provided between the outer leads 1 in advance. Can be achieved.
【００２８】また、このような製造方法に用いたリード
フレーム２１にあっては、絶縁体２０の孔部２０ｂが、
その内部にインナーリード２…を臨ませて形成されると
ともに、該孔部２０ｂが、半導体チップ２２より大きく
形成されているので、半導体チップ２２の位置決めが容
易になり、半導体チップ２２の実装を容易にすることが
できる。Further, in the lead frame 21 used in such a manufacturing method, the hole 20b of the insulator 20 is
Since the inner leads 2 are formed so as to face the inside thereof and the hole 20b is formed larger than the semiconductor chip 22, the semiconductor chip 22 can be easily positioned and the semiconductor chip 22 can be easily mounted. Can be
【００２９】なお、前記実施例では、リードフレームと
してアウターリード１…の上にインナリード２…を接続
したものを用いたが、これらを互いに突き合わせた状態
のリードフレームを用いてもよく、その場合には、絶縁
体として段状の係合部２０ａを有することなくその上面
が平坦なものを用い、この上面をアウターリード１…と
インナーリード２…との突き合わせ部（接続部）に当接
させるようにすればよい。In the above-described embodiment, the lead frame in which the inner leads 2 are connected to the outer leads 1 is used, but a lead frame in which these are butted may be used, in which case For the insulating material, one having a flat upper surface as the insulator without having the stepped engaging portion 20a is used, and the upper surface is brought into contact with the abutting portion (connecting portion) between the outer lead 1 ... And the inner lead 2. You can do it like this.
【００３０】また、前記実施例では、インナーリード２
…の先端部が集まる空洞部（集合箇所２４）にもポッテ
ィングにより絶縁性樹脂２５を充填硬化させて樹脂封止
したが、これに先立って半導体チップ２２を絶縁性樹脂
２３で固定した際、該絶縁性樹脂２２がインナーリード
２…側に回って前記集合箇所２４を十分に封止している
場合には、前記絶縁性樹脂２５による樹脂封止を省略し
てもよい。In the above embodiment, the inner lead 2 is used.
The insulating resin 25 was also filled and hardened by potting in the cavity (collection location 24) where the tips of the ... Collected, and the resin was sealed before the semiconductor chip 22 was fixed with the insulating resin 23. When the insulating resin 22 turns to the inner lead 2 side to sufficiently seal the gathering place 24, the resin sealing with the insulating resin 25 may be omitted.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載のリードフレームは、アウターリードとインナ
ーリードとの接続部に、該アウターリードとインナーリ
ードのそれぞれに当接する環状の絶縁体を設け、これに
よって前記接続部を補強し、製造工程時等にアウターリ
ードまたはインナーリードに不測の力が加わっても、該
接続部が破損されることを防止したものであるから、例
えば該絶縁体を保持固定することにより、樹脂封止をす
ることなくアウターリードの折曲加工を行うことができ
る。また、該絶縁体の孔部を、その内部に前記インナー
リードを臨ませて形成するとともに、該孔部を、搭載す
べき半導体チップより大きく形成したものであるから、
半導体装置を製造する場合、前記絶縁体の孔部内に半導
体チップを位置決めし、電気的に接続してその状態で固
定するだけでよく、したがって半導体チップの実装を容
易にすることができる。As described above, in the lead frame according to the first aspect of the present invention, the connecting portion between the outer lead and the inner lead is provided with the annular insulators that come into contact with the outer lead and the inner lead, respectively. By this, since the connection portion is reinforced and the connection portion is prevented from being damaged even if an unexpected force is applied to the outer lead or the inner lead during a manufacturing process, for example, the insulator is By holding and fixing, the outer leads can be bent without resin sealing. Further, since the hole portion of the insulator is formed so as to face the inner lead therein, and the hole portion is formed larger than the semiconductor chip to be mounted,
When manufacturing a semiconductor device, it suffices to position the semiconductor chip in the hole of the insulator, electrically connect it, and fix the semiconductor chip in that state. Therefore, the mounting of the semiconductor chip can be facilitated.
【００３２】請求項２記載の半導体装置は、前記リード
フレームと同様に、アウターリードとインナーリードと
の接続部に絶縁体が設けて該接続部を補強したものであ
るから、該絶縁体によって製造工程時等での前記接続部
の破損を防止することができる。また、絶縁体の孔部内
に搭載された半導体チップを該絶縁体との間に充填され
た絶縁性樹脂によって絶縁体内に固定しているので、該
絶縁体にアウターリード、インナーリード、半導体チッ
プを全て固定することができ、したがって装置全体が補
強してトランスファモールド等による樹脂封止を不要に
することができ、これにより該樹脂封止に起因する不都
合を防止して半導体装置の薄型化を可能にすることがで
きる。A semiconductor device according to a second aspect of the present invention is manufactured by using the insulator because the connecting portion between the outer lead and the inner lead is provided with an insulator to reinforce the connecting portion, like the lead frame. It is possible to prevent the connection portion from being damaged during a process or the like. Moreover, since the semiconductor chip mounted in the hole of the insulator is fixed in the insulator by the insulating resin filled between the insulator and the insulator, the outer lead, the inner lead, and the semiconductor chip are attached to the insulator. All can be fixed, therefore the whole device can be reinforced and the resin sealing by transfer molding etc. can be made unnecessary. By doing so, the inconvenience caused by the resin sealing can be prevented and the semiconductor device can be made thinner. Can be
【００３３】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
アウターリードとインナーリードとの接続部に絶縁体を
設けることから、該絶縁体によって製造工程時等での前
記接続部の破損を防止することができる。また、絶縁体
の孔部内に半導体チップを搭載し、該半導体チップと絶
縁体との間に絶縁性樹脂を充填することによって半導体
チップを絶縁体内に固定するので、該絶縁体にアウター
リード、インナーリード、半導体チップを全て固定する
ことができ、したがって得られる装置全体を補強するこ
とができ、これにより樹脂封止を不要にして該樹脂封止
に起因する不都合を防止し、得られる半導体装置の薄型
化を図ることができる。さらに、前記接続部を絶縁体で
補強し、インナーリード形成後の工程においてアウター
リード、インナーリードを共に補強するようにしたの
で、予めアウターリード間にダイバーを設けないタイプ
のリードフレームを用いることができ、これによりアウ
タリードのファインピッチ化を図ることができる。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 is
Since the insulator is provided at the connecting portion between the outer lead and the inner lead, the insulator can prevent the connecting portion from being damaged during the manufacturing process. In addition, the semiconductor chip is mounted in the hole of the insulator, and the semiconductor chip is fixed in the insulator by filling an insulating resin between the semiconductor chip and the insulator. It is possible to fix all the leads and the semiconductor chip, and thus it is possible to reinforce the obtained device as a whole, thereby eliminating the need for resin encapsulation and preventing the inconvenience caused by the resin encapsulation. The thickness can be reduced. Furthermore, since the connecting portion is reinforced with an insulator and both the outer lead and the inner lead are reinforced in the step after the inner lead is formed, it is possible to use a lead frame of a type in which a diver is not provided between the outer leads in advance. As a result, the outer leads can be made finer.
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、（ａ）は本発明のリード
フレームの一実施例となる要部側断面図、（ｂ）は本発
明の半導体装置の一実施例となる要部側断面図である。1A and 1B are views for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 1A is a side sectional view of a main part, which is an embodiment of a lead frame according to the present invention, FIG. 3B is a side sectional view of an essential part of an embodiment of the semiconductor device of the present invention.
【図２】従来のリードフレームの一例を示す要部側面図
である。FIG. 2 is a side view of essential parts showing an example of a conventional lead frame.
【図３】（ａ）〜（ｇ）は従来の半導体装置の製造方法
を工程順に説明するための要部側断面図である。3A to 3G are side cross-sectional views of relevant parts for explaining a conventional method of manufacturing a semiconductor device in the order of steps.
１ アウターリード ２ インナーリード ２０ 絶縁体 ２０ｂ 孔部 ２１ リードフレーム ２２ 半導体チップ ２３、２５ 絶縁性樹脂 ２４ 集合箇所 ２６ 半導体装置 Ａ 接続部 1 Outer Lead 2 Inner Lead 20 Insulator 20b Hole 21 Lead Frame 22 Semiconductor Chips 23, 25 Insulating Resin 24 Assembly Point 26 Semiconductor Device A Connection Part
Claims (5)
ーリードのそれぞれに接続されたインナーリードとを備
えてなるリードフレームであって、 前記アウターリードとインナーリードとの接続部に、該
アウターリードとインナーリードのそれぞれに当接する
環状の絶縁体が設けられ、 該絶縁体の孔部が、その内部に前記インナーリードを臨
ませて形成されるとともに、 該孔部が、搭載すべき半導体チップより大きく形成され
てなる、 ことを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising a plurality of outer leads and an inner lead connected to each of the outer leads, wherein the outer lead and the inner lead are provided at a connecting portion between the outer lead and the inner lead. An annular insulator that abuts each of the leads is provided, and a hole portion of the insulator is formed so as to face the inner lead therein, and the hole portion is formed larger than a semiconductor chip to be mounted. A lead frame characterized by:
ーリードのそれぞれに接続されたインナーリードとを備
えてなるリードフレームに、半導体チップを搭載した半
導体装置であって、 前記アウターリードとインナーリードとの接続部に、該
アウターリードとインナーリードのそれぞれに当接する
環状の絶縁体が設けられ、 該絶縁体の孔部が、その内部に前記インナーリードを臨
ませて形成され、 該孔部内に前記半導体チップが搭載され、 該半導体チップが、前記インナーリードと電気的に接続
され、かつ前記絶縁体との間に充填された絶縁性樹脂に
よって絶縁体内に固定されてなることを特徴とする半導
体装置。2. A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame including a plurality of outer leads and inner leads connected to each of the outer leads, wherein the outer lead and the inner leads are connected to each other. The connecting portion is provided with an annular insulator that abuts on each of the outer lead and the inner lead, and a hole portion of the insulator is formed so that the inner lead faces inside, and the semiconductor is provided in the hole portion. A semiconductor device having a chip mounted thereon, the semiconductor chip being electrically connected to the inner lead and being fixed in an insulator by an insulating resin filled between the inner lead and the insulator.
ドフレームの所定箇所に集められて形成され、 該インナーリードの先端部の集合箇所が絶縁性樹脂で封
止されてなる、 ことを特徴とする半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the inner leads are formed by gathering the tip portions thereof at predetermined positions of the lead frame, and the gathering points of the tip portions of the inner leads are made of an insulating resin. A semiconductor device characterized by being sealed with.
ーリードのそれぞれに接続されたインナーリードとを備
えてなるリードフレームを用い、このリードフレームに
半導体チップを搭載して半導体装置を製造する半導体装
置の製造方法であって、 前記アウターリードとインナーリードとの接続部に、該
アウターリードとインナーリードのそれぞれに当接する
環状の絶縁体を、その孔部内に前記インナーリードが臨
むようにして設ける工程と、 前記半導体チップを、前記インナーリードと電気的に接
続させた状態で前記絶縁体の孔部内に搭載する工程と、 前記絶縁体の孔部内に搭載した半導体チップを、該半導
体チップと前記絶縁体との間に絶縁性樹脂を充填するこ
とによって該絶縁体内に固定する工程と、 を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。4. A semiconductor device comprising a plurality of outer leads and an inner lead connected to each of the outer leads, wherein a semiconductor chip is mounted on the lead frame to manufacture a semiconductor device. In the manufacturing method, a step of providing a ring-shaped insulator that abuts on each of the outer lead and the inner lead in a connecting portion between the outer lead and the inner lead so that the inner lead faces the hole, A step of mounting a semiconductor chip in the hole of the insulator while being electrically connected to the inner lead; and a step of mounting the semiconductor chip in the hole of the insulator between the semiconductor chip and the insulator. And a step of fixing the insulating resin in the insulating body by filling an insulating resin between them. The method of manufacturing a semiconductor device.
おいて、 前記リードフレームとして、そのインナーリードのそれ
ぞれの先端部が該リードフレームの所定箇所に集められ
て形成されたものを用い、該インナーリードの先端部の
集合箇所を絶縁性樹脂で封止する工程を備えた、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the lead frame is formed by collecting the respective leading end portions of the inner leads at predetermined positions of the lead frame. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of sealing the gathering points of the tip portions of the leads with an insulating resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043843A JPH08241945A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043843A JPH08241945A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241945A true JPH08241945A (en) | 1996-09-17 |
Family
ID=12675025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7043843A Pending JPH08241945A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Lead frame, semiconductor device and manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08241945A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010004064A (en) * | 1999-08-02 | 2010-01-07 | Toyo Kohan Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor package unit |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP7043843A patent/JPH08241945A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010004064A (en) * | 1999-08-02 | 2010-01-07 | Toyo Kohan Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor package unit |
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