JPH08236504A

JPH08236504A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH08236504A
Application number: JP7038689A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Usui; 薫碓井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-02-27
Filing date: 1995-02-27
Publication date: 1996-09-13

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハの設置間隔を狭くしてもプラズマ処理
速度が低下し難い半導体製造装置を提供する。【構成】内部空間を有する処理容器と、前記内部空間
を、プラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理
対象物を配置してプラズマ処理するための処理空間とに
仕切り、該２つの空間の間で相互にガスが輸送されるよ
うにガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内
部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かっ
て噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガス
を排気するためのガス排気手段とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、プラズマを発生して半導体表面を処理する半
導体製造装置に関する。

【０００２】近年のバッチ式プラズマ処理においては、
装置を大型化することなく多量のウエハを処理すること
が求められている。本発明は、特にウエハの設置間隔を
狭くしてプラズマ処理を行うのに適した半導体製造装置
に関する。

【０００３】

【従来の技術】図６Ａ〜６Ｂを参照して、従来の同軸型
プラズマ処理装置の構成及び作用を説明する。

【０００４】図６Ａは、従来の同軸型プラズマ処理装置
の概略斜視図を示す。円筒状の処理容器１１０の側面を
取り囲むように外部電極１１１が設けられている。円筒
状の内部電極１１２が、処理容器１１０の中に、処理容
器１１０と中心軸を共有する位置に配置されている。内
部電極１１２の側壁には貫通孔（図示せず）が形成され
ており、内部と外部の空間相互間でガスがこの貫通孔を
通って輸送される。内部電極１１２は接地され、外部電
極１１１は高周波電源１１３に接続されている。

【０００５】内部電極１１２と外部電極１１１との間に
形成された円筒状空間に、処理容器１１０の中心軸を挟
んで相互に対向する位置に、ガス導入管１１４及びガス
排気管１１５が配置されている。ガス導入管１１４、ガ
ス排気管１１５には、内部電極１１２と反対側の側壁
に、軸方向に沿って複数の貫通孔（図示せず）が形成さ
れている。ガス導入管１１４は、側壁に設けられた貫通
孔から処理容器１１０内に処理ガスを導入し、ガス排気
管１１５は、貫通孔から処理ガスを吸入し処理容器１１
０の外に排気する。

【０００６】図６Ｂは、図６Ａのプラズマ処理装置の中
心軸に垂直な断面を示す。内部電極１１２は処理ガスの
流れを妨げる。このため、ガス供給管１１４から噴出し
た処理ガスは、そのほとんどが内部電極１１２と処理容
器１１０との間の円筒状空間を円周方向に沿って矢印Ａ
のように流れ、ガス排気管１１５に達する。外部電極１
１１及び内部電極１１２の間に高周波電圧を印加する
と、この円筒状の空間に容量結合プラズマが発生する。

【０００７】処理対象ウエハ１１６は、内部電極１１２
の内側に配置される。内部電極１１２の外側で発生した
プラズマ中のラジカル１１７は、内部電極１１２の貫通
孔を通って処理対象ウエハ１１６が配置された空間に拡
散する。拡散したラジカルが処理対象ウエハ１１６の表
面に作用する。反応生成物は、内部電極１１２の外側に
拡散し、処理ガスの流れに沿って移動し排気される。

【０００８】図６Ａ、図６Ｂに示す同軸型のプラズマ処
理装置では、内部電極１１２の内部には高周波電界が印
加されずプラズマが発生しない。処理対象ウエハ１１６
が直接プラズマにさらされることがないため、プラズマ
によるダメージの発生を防止することができる。。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図６Ａ、図６Ｂに示す
プラズマ処理装置では、ラジカルが概ね拡散によっての
み処理対象ウエハ表面に達する。このため、ウエハの設
置間隔を狭くすると、ウエハ表面にラジカルが入り込み
にくくなり、処理速度が低下する。例えば、ウエハの設
置間隔を９．５２ｍｍとしてプラズマアッシングを行っ
たとき、９０ｎｍ／ｍｉｎのアッシングレートであった
のが、ウエハ間隔を４．７６ｍｍとするとアッシングレ
ートは３０ｎｍ／ｍｉｎに低下した。ウエハ表面をプラ
ズマエッチングする場合にも、ウエハ間隔を狭くすると
エッチング速度が低下する。

【００１０】本発明の目的は、ウエハの設置間隔を狭く
してもプラズマ処理速度が低下し難い半導体製造装置を
提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プ
ラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理対象物
を配置してプラズマ処理するための処理空間とに仕切
り、該２つの空間の間で相互にガスが輸送されるように
ガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内部空
間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かって噴
き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排
気するためのガス排気手段とを有する。

【００１２】前記ガス導入手段を、前記処理空間内の周
辺部近傍に配置し、前記処理空間の中心部に向かって処
理ガスを噴き出すガス噴出孔を設けてもよい。前記ガス
排気手段を、前記処理空間の中心部を挟んで前記ガス導
入手段と対向する位置に配置してもよい。

【００１３】前記仕切り手段を円筒状形状とし、その内
側に前記処理空間を、その外側に前記プラズマ発生空間
を画定し、前記ガス導入手段を直線状の管として、前記
仕切り手段の軸方向にほぼ平行に配置し、前記処理空間
の中心部に対向する側壁に軸方向に沿って複数のガス噴
出孔を形成してもよい。

【００１４】前記ガス排気手段を直線状の管とし、前記
仕切り手段の軸方向にほぼ平行に配置し、前記処理空間
の中心部に対向する側壁に軸方向に沿って複数のガス吸
入孔を形成してもよい。

【００１５】前記仕切り手段を、導電性材料で形成し、
さらに、前記プラズマ発生空間を取り囲むように、前記
処理容器の外側に外部電極を設け、前記仕切り手段と前
記外部電極との間に高周波電圧を印加するための高周波
電源を接続してもよい。

【００１６】前記仕切り手段を、導電性材料で形成し、
さらに、前記処理容器の内部空洞を取り囲むように、前
記処理容器の外側に高周波コイルを巻きつけ、前記高周
波コイルに高周波電流を流すための高周波電源を接続し
てもよい。

【００１７】

【作用】プラズマ発生空間で発生したプラズマ中のラジ
カルは、仕切り手段に形成されたガス透過孔を通って処
理空間内に拡散する。ガス導入手段から処理ガスが処理
空間に向かって噴き出されるため、処理空間内にガス流
が形成される。処理空間内に拡散してきたラジカルはこ
のガス流に乗って処理対象ウエハ表面まで輸送される。

【００１８】このように、ラジカルが処理対象ウエハの
表面まで強制的に輸送されるため、ラジカルを効率的に
ウエハ表面に作用させることができる。また、反応生成
物もガス流に乗って輸送され外部に排気されるため、常
に新しいラジカルがウエハ表面に供給される。

【００１９】ガス排気手段を、処理空間の中心部を挟ん
でガス導入手段と対向する位置に配置すると、処理空間
内にほぼ一様にガス流が形成される。ガス流が一様に形
成されることにより、処理空間内に配置されたウエハを
ほぼ均一にプラズマ処理することができる。

【００２０】仕切り手段を円筒状にして円柱状処理空間
を画定することにより、円柱の長さ方向に複数のウエハ
を多数配置して同時に処理することが可能になる。ガス
導入手段を直線状の管とし、仕切り手段の軸方向にほぼ
平行に配置することにより、円柱状処理空間内にほぼ一
様に処理ガスを導入することができる。処理空間の中心
部に対向する管側壁にガス噴出孔を形成することによ
り、処理空間に向かって処理ガスを導入することができ
る。

【００２１】ガス排気手段も、ガス導入手段と同様に直
線状の管とすることにより、処理ガスの流れを処理空間
内に、より一様に形成することができる。仕切り手段を
導電性材料で形成すれば、電極として使用することがで
きる。処理容器の外周に外部電極を配置し、外部電極と
仕切り手段との間に高周波電圧を印加することにより、
プラズマ発生空間内に高周波電界を発生することができ
る。この高周波電界により、プラズマ発生空間内に容量
結合のプラズマが発生する。

【００２２】また、処理容器外周に高周波コイルを巻
き、高周波電流を流すことにより、プラズマ処理空間内
に誘導結合プラズマを発生することができる。このと
き、仕切り手段を導電性材料で形成しておくことによ
り、処理空間内のプラズマ発生を防止することができ
る。

【００２３】

【実施例】図１Ａ〜図１Ｃを参照して本発明の実施例に
よるプラズマ処理装置について説明する。

【００２４】図１Ａは、プラズマ処理装置を概略的に示
す斜視図である。プラズマ処理装置は、処理容器１０、
外部電極１１、内部電極１２、ガス供給管１３、ガス排
気管１５、及び高周波電源１７を含んで構成されてい
る。

【００２５】処理容器１０は、円筒状の側壁１０ａ及び
その両端を密閉する蓋部材１０ｂ、１０ｃから構成され
ている。処理容器１０は、例えば石英等によって形成さ
れる。外部電極１１は、側壁１０ａの外周を取り囲むよ
うに配置され、高周波電源１７に接続されている。

【００２６】内部電極１２は円筒状形状であり、処理容
器１０内に側壁１０ａとほぼ同軸状に配置され、接地さ
れている。内部電極１２は、処理容器１０内の空間を仕
切り、その内側に処理空間１８、外側にプラズマ発生空
間１９を画定している。

【００２７】ガス供給管１３及びガス排気管１５は、そ
れぞれ処理空間１８内の上部及び下部に、内部電極１２
の中心軸に平行に配置されている。ガス供給管１３及び
ガス排気管１５には、それぞれ内部電極１２の中心軸側
を向いた側壁部分に軸方向に沿って複数のガス供給孔１
４及びガス吸入孔１６が形成されている。

【００２８】ガス供給管１３及びガス排気管１５の蓋部
材１０ｃ側の端部は密閉され、蓋部材１０ｂ側の端部は
処理容器１０の外部に導出されている。外部に導出され
たガス供給管１３の端部は図には示さない処理ガス供給
源に接続されている。外部に導出されたガス排気管１５
の端部は、図には示さない真空ポンプに接続されてい
る。

【００２９】プラズマ処理を行うときには、ウエハ２０
を後述するウエハバスケットに載置して処理空間１８内
に挿入する。図１Ｂは、図１Ａに示した内部電極１２の
斜視図を示す。内部電極１２は、円筒状部材１２ａと固
定金具１２ｂから構成されている。円筒状部材１２ａの
側壁には、多数の貫通孔２１が形成されている。この貫
通孔２１を通って円筒状部材１２ａの外部と内部との間
でガスが輸送される。固定金具１２ｂは、図１Ａに示す
蓋部材１０ｃに取り付けられ、円筒状部材１２ａを処理
容器１０内に固定する。

【００３０】図１Ｃは、図１Ａに示したウエハ２０を保
持するためのウエハバスケット３０を示す。円形の断面
を有する３本の石英棒３０ａの両端が半円状の石英製端
部固定部材３０ｂによって相互に固定されている。石英
棒３０ａには円周方向に沿った複数の溝が形成されてい
る。ウエハはこの溝に挿入され、３本の石英棒３０ａに
よって３点で保持される。

【００３１】次に、図２を参照して、図１に示すプラズ
マ処理装置の作用を説明する。図２は、図１のプラズマ
処理装置の中心軸方向に対して垂直な断面を示す。処理
容器１０、外部電極１１と内部電極１２が同心円状に配
置されている。内部電極１２の内側に画定された処理空
間１８の上部及び下部に、それぞれガス供給管１３及び
ガス排気管１５が配置されている。ガス供給管１３とガ
ス排気管１５とに挟まれた空間に、処理対象ウエハ２０
が挿入されている。

【００３２】ガス供給管１３に処理ガスを供給すると、
ガス噴出孔１４から処理空間１８内に処理ガスが導入さ
れる。処理ガスは、処理空間１８及びプラズマ発生空間
１９内に拡散する。内部電極１２と外部電極１１との間
に高周波電圧を印加すると、プラズマ発生空間１９内に
容量結合プラズマが発生する。

【００３３】また、処理ガスは、ガス排気管１５のガス
吸入孔１６に吸入されるため、ガス供給管１３からガス
排気管１５に向かうガス流３１が生ずる。このように処
理ガスは、複数配置された処理対象ウエハ２０の間隙部
を流れる。プラズマ中のラジカル２２が、内部電極１２
の貫通孔を通って処理空間１８内に拡散する。処理空間
１８内に拡散したラジカルはガス流３１に乗ってウエハ
２０の表面近傍に輸送される。

【００３４】このように、ラジカルがガス流に乗って強
制的にウエハ表面に輸送されるため、拡散のみでウエハ
表面に輸送する場合に比べて、効率的に輸送することが
できる。また、反応生成物も、ガス流に載って強制的に
排気されるため、常に新しいラジカルが供給される。

【００３５】次に、図３及び図４Ａ〜図４Ｃを参照し
て、他の実施例について説明する。図３は、他の実施例
によるプラズマ処理装置を概略的に示す斜視図である。
図１Ａに示すプラズマ処理装置の外部電極１１の代わり
に、側壁１０ａの外周に高周波コイル４０が巻かれてい
る。その他は、図１Ａに示すプラズマ処理装置と同様の
構成である。高周波コイル４０は高周波電源１７に接続
されており、高周波コイル４０に高周波電流が供給され
る。

【００３６】図４Ａは、コイル４０の第１の構成例を示
す。ほぼ同径の巻数１回のコイルが中心軸を共有するよ
うに配置されている。これらのコイルは相互に並列に接
続されており、この並列回路に高周波電源１７から高周
波電流が供給される。なお、図４Ａでは、巻数１回のコ
イルを４つ並列に接続した場合を示したが、コイルの個
数は４つに限らない。プラズマを発生すべき空間の長さ
に応じて適宜増減することが好ましい。

【００３７】図４Ｂは、コイル４０の第２の構成例を示
す。巻数３回のソレノイドコイル４０が形成されてお
り、その一端は高周波電源１７に接続され、他端は接地
されている。なお、コイルの巻数はプラズマを発生すべ
き空間の長さに応じて適宜増減することが好ましい。

【００３８】また、図３Ａと図３Ｂとを組み合わせて、
巻数が１回よりも多いコイルを複数個並列に接続しても
よい。図４Ｃは、コイル４０の第３の構成例を示す。巻
数０．５回のコイルが中心軸を共有するように中心軸の
上側及び下側に配置されている。このように配置された
巻数０．５回のコイルが上側及び下側で相互に並列に接
続され、並列コイル群４０ａ、４０ｂを構成している。
各並列コイル群の一端は高周波電源１７に接続され、他
端は接地されている。

【００３９】並列コイル群４０ａ、４０ｂは、処理容器
１０を挟んで対向するように配置されている。このと
き、一方のコイル群の高周波電源側の端部が他方のコイ
ル群の接地側の端部と対向するように配置される。この
ように配置することにより、２つのコイル群４０ａ、４
０ｂを流れる電流により擬似ループ電流を形成すること
ができる。

【００４０】次に、図３、図４Ａ〜４Ｃに示すプラズマ
処理装置の作用について説明する。コイル４０に高周波
電流が供給されると、処理容器１０の中に軸方向の高周
波交番磁場が発生する。交番磁場の時間変化により、内
部電極１２と鎖交する磁束数が変化する。鎖交磁束数が
変化することにより、内部電極１２の円周方向に起電力
が発生する。

【００４１】この起電力により内部電極１２に円周方向
の電流が流れる。この電流は、処理空間１８内にコイル
４０を流れる電流により発生した交番磁場の変化を打ち
消す向きの交番磁場を発生する。このため、処理空間１
８内の合成磁場はほとんど変化しないと考えられる。プ
ラズマ発生空間１９内の磁場のみが、コイル４０に流れ
る高周波電流により周期的に変化する。

【００４２】プラズマ発生空間１９の中の軸方向の磁場
が変化すると、この磁場と鎖交するように円周方向に沿
って高周波電界が発生する。この高周波電界によって誘
導結合型プラズマが発生する。なお、処理空間１８には
交番磁場が発生せず高周波電界も発生しないため、プラ
ズマが形成されない。プラズマ発生空間１９に効率的に
交番磁場を発生するためには、内部電極１２は非磁性体
であることが好ましい。例えば、前述の実施例の内部電
極をセラミック被覆のアルミニウムで形成する。

【００４３】このように、誘導結合プラズマを用いて
も、処理ガスのガス流は図２で説明した実施例と同様で
あるため、同様の効果を得ることができる。また、誘導
結合によりプラズマを発生する場合は、容量結合の場合
に比べて高密度プラズマを得やすい。高密度のラジカル
がウエハ表面に供給されるため、プラズマ処理速度をさ
らに向上することができる。

【００４４】次に、図３に示すプラズマ処理装置を用い
て、ノボラック系レジスト膜のアッシングを行った実験
例を説明する。実験に使用したプラズマ処理装置の詳細
な構成は以下のとおりである。処理容器１０、ガス供給
管１３及びガス排気管１５は石英製であり、プラズマ発
生空間の半径方向の厚さは５〜６ｃｍ、ガス供給管１３
の径は１５ｍｍ、ガス噴出孔１４の径は５〜６ｍｍ、ガ
ス排気管１５の径は３０ｍｍ、ガス吸入孔１６の径は約
２０ｍｍである。なお、ガス噴出孔１４及びガス吸入孔
１６のピッチは、ガス供給源もしくは真空ポンプに接続
されている開口端から密閉された先端に近づくに従って
徐々に狭くなっている。

【００４５】高周波コイル４０は、Ａｌ製コイル、また
はＣｕ製コイルにメッキ処理したもの、内部電極１２
は、Ａｌ製の円筒状部材にセラミックコーティングした
ものである。内部電極１２には、径５ｍｍの貫通孔が約
１０ｍｍピッチでほぼ全面に形成されている。処理対象
ウエハ２０は、６インチウエハである。このウエハ２０
を処理空間１８に挿入したとき、ウエハ２０の上端と内
部電極１２の上端との間隔は１０ｃｍ程度になる。

【００４６】上記プラズマ処理装置に、ガス供給管１３
から流量３０００ｓｃｃｍのＯ₂ガスを供給し、処理容
器１０内が０．８Ｔｏｒｒになるようにガス排気管１５
から排気した。高周波電源１７から高周波コイル４０に
周波数１３．５６ＭＨｚ、電力１ｋＷの高周波電力を供
給してプラズマを発生した。

【００４７】ウエハ２０の間隔を９．５２ｍｍとして上
記条件で２５枚のウエハを同時にアッシングしたとこ
ろ、９０ｎｍ／ｍｉｎのアッシングレートが得られた。
ウエハ２０の間隔を４．７６ｍｍとして同様の条件で５
０枚のウエハを同時にアッシングしたところ、ほぼ同等
のアッシングレートが得られた。これに対し、図６Ａに
示す従来のプラズマ処理装置を使用した場合、ウエハ間
隔が４．７６ｍｍの時のアッシングレートは約３０ｎｍ
／ｍｉｎであった。

【００４８】この実験結果から、本実施例によるプラズ
マ処理装置を用いることにより、ウエハ間隔を狭くした
ときでも、高いアッシングレートが得られることがわか
る。また、上記実験例では、レジスト膜をアッシングす
る場合を説明したが、ウエハ表面をエッチングする場合
も比較的高いエッチングレートを得ることができるであ
ろう。例えば、ガス供給管１３からＮＦ₃ガスを導入す
ることによって、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）
膜、ボロシリケートガラス（ＢＳＧ）膜等を高レートで
エッチングできるであろう。

【００４９】本実施例によれば、同時にプラズマ処理で
きるウエハ枚数が増加するため、生産性の向上を図るこ
とができる。上記実施例では、ガス供給管及びガス排気
管がそれぞれ１本ずつ処理空間内に配置されている場合
について説明したが、必ずしも１本ずつである必要はな
い。また、ウエハの間隙部を流れるガス流が形成されれ
ば、ガス供給管及びガス排気管を処理空間の外側に配置
してもよい。

【００５０】次に、図５Ａ〜５Ｃを参照してガス供給管
及びガス排気管の他の配置例を説明する。図５Ａは、ガ
ス供給管１３及びガス排気管１５を処理空間１８の外側
に配置した例を示す。ガス供給管１３及びガス排気管１
５が、共にプラズマ処理空間１９内に処理空間１８を挟
んで対向する位置に配置されている。ガス噴出孔１４及
びガス吸入孔１６は、共に処理空間の中心部に向かう側
壁に形成されている。このとき、ガス噴出孔１４から噴
出したガス流を妨害しないように、ガス噴出孔１４が設
けられている位置に対応して内部電極１２の貫通孔を形
成しておくことが好ましい。

【００５１】図５Ｂは、ガス供給管を２本配置した場合
を示す。２本のガス供給管１３Ａ、１３Ｂのガス噴出孔
１４Ａ、１４Ｂは、共に処理空間の中心部に向かう側壁
に形成されている。

【００５２】図５Ｃは、ガス排気管を２本配置した場合
を示す。２本のガス排気管１５Ａ、１５Ｂのガス吸入孔
１６Ａ、１６Ｂは、共に処理空間の中心部に向かう側壁
に形成されている。

【００５３】図５Ａ〜５Ｃに示すように、ガス供給管及
びガス排気管をウエハが配置される空間を挟んで対向す
るように配置し、ガス噴出孔及びガス吸入孔を処理空間
の中心部に向かう側壁に形成することにより、ウエハの
間隙部を流れるガス流３１を形成することができる。

【００５４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ中のラジカルを強制的に処理対象ウエハ表面に
輸送することができるため、プラズマ処理装置内にウエ
ハ間隔を狭くして配置しても比較的高いプラズマ処理速
度を得ることができる。ウエハ間隔を狭くすることがで
きるため、同時に処理できるウエハ枚数が増加する。こ
のため、生産性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるプラズマ処理装置の概略
を示す斜視図、内部電極を詳細に示す斜視図、及びウエ
ハバスケットの斜視図である。

【図２】図１に示すプラズマ処理装置の中心軸に垂直な
断面図である。

【図３】本発明の他の実施例によるプラズマ処理装置の
概略を示す斜視図である。

【図４】図２に示すプラズマ処理装置の高周波コイルの
斜視図である。

【図５】図１及び図３に示すプラズマ処理装置のガス供
給管及びガス排気管の他の配置例を示すためのプラズマ
処理装置の断面図である。

【図６】従来例によるプラズマ処理装置の概略を示す斜
視図及び断面図である。

【符号の説明】

１０処理容器１１外部電極１２内部電極１３ガス供給管１４ガス噴出孔１５ガス排気管１６ガス吸入孔１７高周波電源１８処理空間１９プラズマ発生空間２１貫通孔２２ラジカル３０ウエハバスケット３１ガス流４０高周波コイル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プラズマを発生するためのプラズマ発
生空間と処理対象物を配置してプラズマ処理するための
処理空間とに仕切り、該２つの空間の間で相互にガスが
輸送されるようにガス透過孔が形成されている仕切り手
段と、前記内部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に
向かって噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排気するためのガス排気手
段とを有する半導体製造装置。
【請求項２】前記ガス導入手段は、前記処理空間内の
周辺部近傍に配置され、前記処理空間の中心部に向かっ
て処理ガスを噴き出すガス噴出孔を有する請求項１記載
の半導体製造装置。
【請求項３】前記ガス排気手段は、前記処理空間の中
心部を挟んで前記ガス導入手段と対向する位置に配置さ
れている請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項４】前記仕切り手段は、円筒状形状であり、
その内側に前記処理空間を、その外側に前記プラズマ発
生空間を画定し、前記ガス導入手段は、前記仕切り手段の軸方向にほぼ平
行に配置された直線状の管であり、前記処理空間の中心
部に対向する側壁に軸方向に沿って複数のガス噴出孔が
形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
製造装置。
【請求項５】前記ガス排気手段は、前記仕切り手段の
軸方向にほぼ平行に配置された直線状の管であり、前記
処理空間の中心部に対向する側壁に軸方向に沿って複数
のガス吸入孔が形成されている請求項１〜４のいずれか
に記載の半導体製造装置。
【請求項６】前記仕切り手段は、導電性材料で形成さ
れ、さらに、前記プラズマ発生空間を取り囲むように、前記処理容器
の外側に設けられた外部電極と、前記仕切り手段と前記外部電極との間に高周波電圧を印
加するための高周波電源とを有する請求項１〜５のいず
れかに記載の半導体製造装置。
【請求項７】前記仕切り手段は、導電性材料で形成さ
れ、さらに、前記処理容器の内部空洞を取り囲むように、前記処理容
器の外側に巻かれた高周波コイルと、前記高周波コイルに高周波電流を流すための高周波電源
とを有する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造
装置。
【請求項８】前記高周波コイルは、巻数がほぼ１回の
複数のコイルが、その中心軸を共有するように配置さ
れ、相互に並列に接続されている請求項７記載の半導体
製造装置。
【請求項９】前記高周波コイルは、ソレノイドコイル
である請求項７記載の半導体製造装置。
【請求項１０】前記高周波コイルは、巻数がほぼ０．
５回の複数のコイルが、その中心軸を共有し該中心軸に
対して一方の側に配置され、相互に並列に接続された第
１のコイル群と、巻数がほぼ０．５回の複数のコイル
が、その中心軸を共有し該中心軸に対して他方の側に配
置され、相互に並列に接続された第２のコイル群から構
成され、該第１及び第２のコイル群が前記処理容器を挟
んで対向配置されている請求項７記載の半導体製造装
置。
【請求項１１】前記仕切り手段は接地されている請求
項６または７に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】プラズマ発生空間と処理空間とを画定
する処理容器の該処理空間内に処理対象ウエハを配置す
る工程と、前記処理対象ウエハに向かってガスを噴き出して処理対
象ウエハ表面に沿って流れるガス流を形成し、前記プラ
ズマ発生空間にプラズマを発生し、プラズマ中のラジカ
ルを前記ガス流にのせて処理対象ウエハ表面に輸送して
プラズマ処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。