JPH08235532A - Magneto-resistive magnetic head - Google Patents

Magneto-resistive magnetic head

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Publication number
JPH08235532A
JPH08235532A JP4056395A JP4056395A JPH08235532A JP H08235532 A JPH08235532 A JP H08235532A JP 4056395 A JP4056395 A JP 4056395A JP 4056395 A JP4056395 A JP 4056395A JP H08235532 A JPH08235532 A JP H08235532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
depth
magnetoresistive effect
film
groove
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4056395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Mikiya Kurosu
実喜也 黒須
Chizuru Oshima
千鶴 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4056395A priority Critical patent/JPH08235532A/en
Publication of JPH08235532A publication Critical patent/JPH08235532A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To stabilize characteristics by enhancing the position accuracy of a reference to position a depth zero position and enhancing the position accuracy and depth accuracy for forming respective patterns. CONSTITUTION: At least the surface 7 side facing magnetic recording media of the groove part 10 formed on the surface of a lower shielding magnetic material 1 facing an MR element 5 is provided with a stepped part 30 to be a reference to position the depth zero position where the lower shielding magnetic material 1 is cut approximately perpendicularly. At this time, the stepped part 30 may be so formed that its one side edge 30a on the surface 7 side facing magnetic recording media aligns approximately to the zero position. The depth in the longitudinal direction of the magnetic gap of the stepped part 30 may be set at 10 to 100nm.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関する。詳しくは、シールド磁性体にデプス零位
置を位置決めする基準となる段差部を形成し、特性の安
定化を図った磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係るものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect type magnetic head. More specifically, the present invention relates to a magnetoresistive effect magnetic head in which a stepped portion serving as a reference for positioning the depth zero position is formed in a shield magnetic body to stabilize characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、ハードディスクドライブ等の磁
気記録再生装置において再生用磁気ヘッドとして用いら
れている磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッド
と称する。)は、図19に示すように、媒体対向面10
7に臨む間隙部である磁気ギャップG1 ,G2 を有して
相対向して配される一対のシールド磁性体101,10
2間に非磁性の絶縁層111,112を介して磁気抵抗
効果型素子105(以下、MR素子105と称する。)
が挟み込まれてなるものである。
2. Description of the Related Art For example, a magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter referred to as an MR head) used as a reproducing magnetic head in a magnetic recording / reproducing apparatus such as a hard disk drive is a medium as shown in FIG. Opposing surface 10
7, a pair of shield magnetic bodies 101, 10 having magnetic gaps G 1 and G 2 facing each other and facing each other.
A magnetoresistive effect element 105 (hereinafter referred to as an MR element 105) via two nonmagnetic insulating layers 111 and 112 between the two.
Is sandwiched between.

【0003】すなわち、上記MRヘッドにおいては、一
対のシールド磁性体101,102により余分な外部磁
界をシールドして、目的とする外部磁界のみがMR素子
105に入るようにしており、上記外部磁界によりMR
素子105の抵抗が変化することを利用して情報の再生
を行う。
That is, in the MR head, an extra external magnetic field is shielded by the pair of shield magnetic bodies 101 and 102 so that only the desired external magnetic field enters the MR element 105. MR
Information is reproduced by utilizing the change in the resistance of the element 105.

【0004】このとき、上記MR素子105は感磁部と
なる磁気抵抗効果膜113(以下、MR膜113と称す
る。)の先端部及び後端部に電極103,104が積層
形成(以下、先端部の電極103を先端電極103と称
し、後端部の電極104を後端電極104と称する。)
されてなるものである。なお、図19中においては、後
端電極104はフラックスガイド109を介してMR膜
113へ接続される例を示す。
At this time, in the MR element 105, electrodes 103 and 104 are laminated and formed on the front end and the rear end of a magnetoresistive film 113 (hereinafter referred to as MR film 113) serving as a magnetic sensing portion (hereinafter referred to as the front end). The electrode 103 at the part is referred to as the front end electrode 103, and the electrode 104 at the rear end is referred to as the rear end electrode 104.)
It has been done. Note that FIG. 19 shows an example in which the rear end electrode 104 is connected to the MR film 113 via the flux guide 109.

【0005】従って、情報の再生は、上記先端電極10
3,後端電極104からMR膜113にセンス電流を流
してMR膜113を所定の方向に磁化しておき、この磁
化方向が外部磁界により変化するために起きるMR膜1
13の抵抗値の変化を電圧変化として検出して行われ
る。
Therefore, information is reproduced by the tip electrode 10 described above.
3, a sense current is passed from the rear end electrode 104 to the MR film 113 to magnetize the MR film 113 in a predetermined direction, and the MR film 1 is generated because the magnetization direction is changed by an external magnetic field.
The change in the resistance value of 13 is detected as a voltage change.

【0006】なお、前述の磁気ギャップG1 ,G2 は、
それぞれギャップ膜108及び先端電極103により構
成されている。
The above-mentioned magnetic gaps G 1 and G 2 are
Each is composed of a gap film 108 and a tip electrode 103.

【0007】そして、このとき、上記MRヘッドにおい
ては、上記MR素子105を磁気抵抗効果特性が優れた
直線性と高い感度を示す特性領域で動作するようになす
バイアス導体106が、絶縁層111を介して上記MR
素子105を横切る形で設けられている。
At this time, in the MR head, the bias conductor 106 for operating the MR element 105 in the characteristic region exhibiting excellent linearity and high sensitivity of the magnetoresistive effect characteristic is provided with the insulating layer 111. Through the above MR
It is provided so as to cross the element 105.

【0008】また、上記のようなMRヘッドにおいて
は、MR素子105に入ってきた外部磁界が、先端,後
端電極103,104形成側と反対側に配される下部シ
ールド磁性体101に漏れることを防止するために、上
記下部シールド磁性体101の先端電極103近傍を除
いたMR素子105に対向する部分に溝部110を形成
するようにし、この部分において上記MR素子105と
下部シールド磁性体101とを離間している。
In the above MR head, the external magnetic field entering the MR element 105 leaks to the lower shield magnetic body 101 arranged on the side opposite to the side where the front and rear electrodes 103 and 104 are formed. In order to prevent the above, a groove portion 110 is formed in a portion of the lower shield magnetic body 101 facing the MR element 105 excluding the vicinity of the tip electrode 103, and the MR element 105 and the lower shield magnetic body 101 are formed in this portion. Are separated.

【0009】そして、このとき、上記バイアス導体10
6を上記溝部110に埋め込むようにしても良い。
At this time, the bias conductor 10
6 may be embedded in the groove 110.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なMRヘッドは、以下のようにして製造される。すなわ
ち、先ず、図20に示されるように、基板113上に所
定の形状の下部シールド磁性体115を形成し、これを
覆うような平坦化膜116を形成する。
By the way, the MR head as described above is manufactured as follows. That is, first, as shown in FIG. 20, a lower shield magnetic body 115 having a predetermined shape is formed on a substrate 113, and a flattening film 116 is formed so as to cover the lower shield magnetic body 115.

【0011】次に、図20中に示されるように、下部シ
ールド磁性体115の上面115aに臨む溝部117を
ドライエッチングにより形成する。このとき、上記溝部
117は、両側面117a,117bが傾斜面であり、
いわゆるテーパー状をなす溝部として形成される。そし
て、上記溝部117の磁気記録媒体対向面側の開口側縁
117a1 はデプス零位置を位置決めする基準となる。
Next, as shown in FIG. 20, a groove 117 facing the upper surface 115a of the lower shield magnetic body 115 is formed by dry etching. At this time, in the groove portion 117, both side surfaces 117a and 117b are inclined surfaces,
It is formed as a so-called tapered groove portion. The opening side edge 117a 1 of the groove 117 on the side facing the magnetic recording medium serves as a reference for positioning the depth zero position.

【0012】次に、図20中に示すように、上記溝部1
17内に非磁性の絶縁層となる絶縁膜118及びバイア
ス導体120を順次積層形成する。
Next, as shown in FIG. 20, the groove 1 is formed.
An insulating film 118, which serves as a non-magnetic insulating layer, and a bias conductor 120 are sequentially stacked in the layer 17.

【0013】続いて、図21に示すように、上記バイア
ス導体120を覆うようにして非磁性の絶縁層となる絶
縁膜121を積層形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 21, an insulating film 121 to be a nonmagnetic insulating layer is laminated so as to cover the bias conductor 120.

【0014】次いで、上記絶縁膜118,121を図2
2に示すように下部シールド磁性体115が露出するま
で平面研磨する。そして、このとき、露出する下部シー
ルド磁性体115の上面115aに露出する溝部117
の開口側縁117a1 をデプス零位置を位置決めする基
準とする。
Next, the insulating films 118 and 121 are formed as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, surface polishing is performed until the lower shield magnetic body 115 is exposed. Then, at this time, the groove 117 exposed on the upper surface 115a of the lower shield magnetic body 115 exposed.
The opening side edge 117a 1 is used as a reference for positioning the depth zero position.

【0015】この後、ギャップ膜を介してMR素子を形
成し、さらに非磁性の絶縁層を介して上部シールド磁性
体を形成し、MRヘッドを得る。そして最後に、上記M
Rヘッドを磁気記録媒体対向面側から磁気ギャップが所
定のデプスとなるように研磨加工してMRヘッドを完成
する。
After that, the MR element is formed via the gap film, and the upper shield magnetic body is formed via the non-magnetic insulating layer to obtain the MR head. And finally, the above M
The MR head is completed by polishing the R head from the surface facing the magnetic recording medium so that the magnetic gap has a predetermined depth.

【0016】しかしながら、このようにしてMRヘッド
を製造すると、デプス零位置の位置精度をあまり良好と
することができない。
However, when the MR head is manufactured in this way, the position accuracy of the depth zero position cannot be made very good.

【0017】上述のように絶縁膜を平面研磨して下部シ
ールド磁性体を露出させる場合、研磨深さにばらつきが
生じ易く、溝部の深さにも当然ばらつきが生じる。この
ように溝部の深さにばらつきが生じると、上記溝部の両
側面が傾斜面とされていることから、その開口側縁の位
置、すなわちデプス零位置を位置決めする基準にもずれ
が生じる。
When the insulating film is surface-polished to expose the lower shield magnetic body as described above, the polishing depth tends to vary, and the groove depth naturally varies. When variations occur in the depth of the groove portion in this way, since both side surfaces of the groove portion are inclined surfaces, the position of the opening side edge, that is, the reference for positioning the depth zero position also deviates.

【0018】さらに、上記溝部はドライエッチングによ
り形成されることから、傾斜面とされる側面の傾斜角に
もばらつきが生じ易く、上記のような研磨深さの他、傾
斜角のばらつきによってもその開口側縁の位置、すなわ
ちデプス零位置を位置決めする基準にずれが生じる。
Further, since the groove portion is formed by dry etching, the inclination angle of the side surface, which is the inclined surface, is likely to vary, and the variation in the inclination angle is caused in addition to the above polishing depth. The position of the opening side edge, that is, the reference for positioning the depth zero position is deviated.

【0019】そして、上記のようにデプス零位置を位置
決めする基準にずれが生じると、上記基準と位置合わせ
して形成される例えばMR膜や電極等のパターンの位置
精度があまり良好とはなない。このため、先端電極の後
端部により決定されるデプス零位置やMR素子の感磁部
長等にばらつきが生じ、製造されるMRヘッドの特性に
ばらつきが生じる。
When the reference for positioning the depth zero position is deviated as described above, the positional accuracy of a pattern such as an MR film or an electrode formed in alignment with the reference is not very good. . Therefore, the depth zero position determined by the rear end portion of the tip electrode, the length of the magnetic sensitive portion of the MR element, and the like vary, which causes variations in the characteristics of the manufactured MR head.

【0020】さらに、上記のようにMR膜の位置精度が
あまり良好でないと、MR素子とバイアス導体の位置関
係にばらつきが生じ、製造されるMRヘッドのバイアス
効率にもばらつきが生じ、特性にばらつきが生じる。
Furthermore, if the positional accuracy of the MR film is not very good as described above, the positional relationship between the MR element and the bias conductor varies, the bias efficiency of the manufactured MR head also varies, and the characteristics vary. Occurs.

【0021】また、上記のようにデプス零位置にばらつ
きが生じると、製造されるMRヘッドを所定のデプスと
なるように研磨加工する場合に、複数個のMRヘッドを
同一条件で研磨すると、MRヘッド毎にデプス零位置が
異なることからデプスのばらつきも生じ、製造されるM
Rヘッドの特性にばらつきが生じる。
Further, when the depth zero position varies as described above, when a plurality of MR heads are polished under the same conditions when the manufactured MR heads are polished to have a predetermined depth, the MR Since the depth zero position is different for each head, the depth variation also occurs and the manufactured M
The characteristics of the R head vary.

【0022】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、デプス零位置を位置決めする基準の
位置精度を高め、各パターンの形成位置精度及びデプス
精度を高め、特性の安定したMRヘッドを提供すること
を目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the conventional circumstances, and improves the reference position accuracy for positioning the depth zero position, improves the formation position accuracy and depth accuracy of each pattern, and stabilizes the characteristics. An object is to provide an MR head.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、磁気記録媒体対向面に臨んで所定間隔で
上部シールド磁性体及び下部シールド磁性体が配される
とともに、これらシールド磁性体間に磁気抵抗効果型素
子が磁気記録媒体対向面と直交するように配されてなる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記下部シールド
磁性体の磁気抵抗効果型素子との対向面に溝部が設けら
れ、この部分において上記磁気抵抗効果型素子と離間さ
れるとともに、この溝部の少なくとも磁気記録媒体対向
面側に下部シールド磁性体を略々垂直に削るデプス零位
置を位置決めする基準となる段差部が設けられているこ
とを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides an upper shield magnetic material and a lower shield magnetic material at a predetermined interval facing the magnetic recording medium facing surface, and these shield magnetic materials. In a magnetoresistive effect magnetic head in which a magnetoresistive effect element is arranged between the bodies so as to be orthogonal to a surface facing the magnetic recording medium, a groove portion is provided on a surface of the lower shield magnetic body facing the magnetoresistive effect element. At this portion, a step portion which is separated from the magnetoresistive effect element and serves as a reference for positioning the depth zero position where the lower shield magnetic body is substantially vertically cut is formed at least on the surface of the groove facing the magnetic recording medium. It is characterized by being provided.

【0024】なお、上記本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいては、上記段差部の磁気記録媒体対向面側の
一側縁がデプス零位置と略一致されていることが好まし
い。
In the magnetoresistive head of the present invention, it is preferable that one side edge of the step portion on the side facing the magnetic recording medium is substantially aligned with the depth zero position.

【0025】さらに、上記本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいては、溝部の磁気記録媒体対向面と反対側
にも段差部を設けても良い。
Further, in the magnetoresistive head of the present invention, a step may be provided on the side of the groove opposite to the surface facing the magnetic recording medium.

【0026】さらにまた、前述の本発明の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいては、デプス零位置を位置決めする
基準となる段差部を視覚的に確認することを可能とする
べく、その磁気ギャップのギャップ長方向の深さを10
nm〜100nmとすることが好ましい。
Furthermore, in the above-described magnetoresistive effect magnetic head of the present invention, the gap length of the magnetic gap thereof can be visually confirmed so as to visually confirm the stepped portion serving as a reference for positioning the depth zero position. Direction depth 10
It is preferable to set it to nm to 100 nm.

【0027】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
においては、バイアス導体を溝部内に埋め込む、或いは
バイアス導体を上部シールド磁性体側に配するようにし
ても良い。
In the magnetoresistive head of the present invention, the bias conductor may be embedded in the groove or the bias conductor may be arranged on the upper shield magnetic body side.

【0028】[0028]

【作用】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて
は、下部シールド磁性体の磁気抵抗効果型素子との対向
面に設けられる溝部の少なくとも磁気記録媒体対向面側
に下部シールド磁性体を略々垂直に削るデプス零位置を
位置決めする基準となる段差部が設けられていることか
ら、デプス零位置を位置決めする基準が溝部の傾斜面と
される側面ではなく、段差部となり、上記磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造時、絶縁層研磨工程において研磨深
さにばらつきが生じ、溝部の開口側縁形成位置にばらつ
きが生じても、この研磨深さのばらつきに関係なくデプ
ス零位置を位置決めする基準の位置精度が確保される。
In the magnetoresistive head of the present invention, the lower shield magnetic body is substantially perpendicular to at least the magnetic recording medium facing surface side of the groove portion provided on the surface of the lower shield magnetic body facing the magnetoresistive effect element. Since the stepped portion that serves as a reference for positioning the depth zero position to be cut is provided, the reference for positioning the depth zero position is not the side surface that is the inclined surface of the groove but the stepped portion. Even if the polishing depth varies during the insulating layer polishing process during head manufacturing, and the opening side edge formation position of the groove varies, the reference position for positioning the depth zero position regardless of this variation in polishing depth. Accuracy is secured.

【0029】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、上記段差部を磁気記録媒体対向面側の一側縁
がデプス零位置と略一致するようにして設ければ、その
製造時、MR膜や電極等の各パターンの位置合わせが容
易となる。
Further, in the magnetoresistive effect type magnetic head of the present invention, if the step portion is provided so that one side edge on the magnetic recording medium facing surface side substantially coincides with the depth zero position, the MR is produced at the time of manufacture. The alignment of each pattern such as a film and an electrode becomes easy.

【0030】さらに、上記本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、溝部の磁気記録媒体対向面の反対側に
も段差部を設ければ、2つの段差部間の幅、すなわち溝
部の開口部の幅が規制される。
Further, in the magnetoresistive head of the present invention, if a step portion is provided on the side of the groove opposite to the surface facing the magnetic recording medium, the width between the two step portions, that is, the opening of the groove portion. The width is regulated.

【0031】さらにまた、前述の本発明の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、デプス零位置を位置決めする基
準となる段差部の磁気ギャップのギャップ長方向の深さ
を10nm〜100nmとすれば、上記段差部は視覚的
に確認される。
Furthermore, in the above-described magnetoresistive effect magnetic head of the present invention, if the depth of the magnetic gap of the stepped portion serving as a reference for positioning the depth zero position in the gap length direction is 10 nm to 100 nm, the stepped portion is formed. The section is visually confirmed.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings.

【0033】本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以
下、MRヘッドと称する。)は、図1に示すように、ス
ライダーと称される基板31上に、磁気記録媒体対向面
7に臨む間隙部である磁気ギャップg1 ,g2 を有して
相対向して配される一対のシールド磁性体1,2間に、
磁気抵抗効果膜32(以下、MR膜32と称する。)の
先端部及び後端部に電極3,4が積層形成されてなる磁
気抵抗効果型素子5(以下、MR素子5と称する。)、
上記MR素子5にバイアス磁界を印加するバイアス導体
6が配されてなるものである。このとき、上記磁気ギャ
ップg1 ,g2は、それぞれ例えば酸化アルミニウム
(Al23 )等よりなる下部ギャップ膜8、電極3に
より形成されている。
As shown in FIG. 1, the magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter referred to as MR head) of the present embodiment has a gap facing the magnetic recording medium facing surface 7 on a substrate 31 called a slider. Between the pair of shield magnetic bodies 1 and 2 arranged to face each other with the magnetic gaps g 1 and g 2 being
A magnetoresistive effect element 5 (hereinafter referred to as MR element 5) in which electrodes 3 and 4 are laminated and formed on a front end portion and a rear end portion of a magnetoresistive effect film 32 (hereinafter referred to as MR film 32),
The MR element 5 is provided with a bias conductor 6 for applying a bias magnetic field. At this time, the magnetic gaps g 1 and g 2 are formed by the lower gap film 8 made of, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and the electrode 3.

【0034】なお、以下、基板31側のシールド磁性体
1を下部シールド磁性体1、他方のシールド磁性体2を
上部シールド磁性体2と称し、MR素子5の先端側の電
極3を先端電極3と称し、後端側の電極を後端電極4と
称する。
Hereinafter, the shield magnetic body 1 on the substrate 31 side will be referred to as the lower shield magnetic body 1, the other shield magnetic body 2 will be referred to as the upper shield magnetic body 2, and the electrode 3 on the tip side of the MR element 5 will be referred to as the tip electrode 3. And the electrode on the rear end side is referred to as the rear end electrode 4.

【0035】上記下部シールド磁性体1,上部シールド
磁性体2は、MR素子5から離れた磁気記録媒体からの
磁界、すなわち余分な外部磁界の影響を受けないように
シールドとして機能するものであり、例えば、パーマロ
イ等により構成される。
The lower shield magnetic body 1 and the upper shield magnetic body 2 function as shields so as not to be affected by a magnetic field from the magnetic recording medium separated from the MR element 5, that is, an extra external magnetic field. For example, it is made of permalloy or the like.

【0036】上記下部シールド磁性体1は、磁気記録媒
体対向面7に直交する方向にその一側縁を臨ませた状態
で延在して設けられている。そして、上記下部シールド
磁性体1には、先端電極3近傍を除いたMR素子5に対
向する部分に溝部10が形成されており、この部分にお
いて上記MR素子5と下部シールド磁性体1とを離間し
ている。
The lower shield magnetic body 1 is provided so as to extend in a direction orthogonal to the magnetic recording medium facing surface 7 with one side edge thereof facing. A groove portion 10 is formed in the lower shield magnetic body 1 at a portion facing the MR element 5 excluding the vicinity of the tip electrode 3. In this portion, the MR element 5 and the lower shield magnetic body 1 are separated from each other. are doing.

【0037】上記溝部10は、側面10a,10bが傾
斜面とされる断面略コ字状の溝部であり、内部にバイア
ス導体6を収納できる大きさとされ、下部シールド磁性
体1に磁気ギャップg1 ,g2 のトラック幅方向に形成
される溝部として形成されている。
The groove 10 is a groove having a substantially U-shaped cross section with the side surfaces 10a and 10b being inclined surfaces. The groove 10 has a size capable of accommodating the bias conductor 6 therein, and has a magnetic gap g 1 in the lower shield magnetic body 1. , G 2 are formed as groove portions formed in the track width direction.

【0038】一方、上部シールド磁性体2は上記下部シ
ールド磁性体1と同様に磁気記録媒体対向面7に直交す
る方向にその一側縁を臨ませた状態で延在して設けられ
ている。また、この上部シールド磁性体2は、磁気記録
媒体対向面7側において先端電極3上に直接積層される
とともに、後端電極4側においては絶縁層12を介して
積層されている。
On the other hand, similarly to the lower shield magnetic body 1, the upper shield magnetic body 2 is provided so as to extend in a direction orthogonal to the magnetic recording medium facing surface 7 with one side edge thereof facing. The upper shield magnetic body 2 is directly laminated on the front end electrode 3 on the magnetic recording medium facing surface 7 side, and is laminated on the rear end electrode 4 side via an insulating layer 12.

【0039】上記MR素子5は、例えば平面形状が略長
方形のパターンとして形成されており、その長手方向が
磁気記録媒体対向面7に対して直交するように設けら
れ、その一側縁が磁気記録媒体対向面7に臨むように設
けられている。そして、上記MR素子5を構成するMR
膜32は、例えばパーマロイ等の強磁性材料よりなる薄
膜により構成され、蒸着やスパッタリングといった真空
薄膜形成技術により形成される。さらに、上記MR膜3
2は、上記のような強磁性材料よりなる薄膜の単層膜で
あっても良いが、バルクハウゼンノイズの発生を回避す
るべく、例えば酸化アルミニウム(Al23 )等の非
磁性の薄膜を介して静磁的に結合する一対の強磁性材料
薄膜を積層したものでも良い。
The MR element 5 is formed, for example, in a pattern having a substantially rectangular plane shape, and is provided so that its longitudinal direction is orthogonal to the magnetic recording medium facing surface 7, and one side edge thereof is magnetically recorded. It is provided so as to face the medium facing surface 7. Then, the MR constituting the MR element 5
The film 32 is composed of a thin film made of a ferromagnetic material such as permalloy, and is formed by a vacuum thin film forming technique such as vapor deposition or sputtering. Further, the MR film 3
2 may be a single-layer thin film made of a ferromagnetic material as described above, but a non-magnetic thin film such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is used to avoid Barkhausen noise. It may be a stack of a pair of ferromagnetic material thin films that are magnetostatically coupled to each other.

【0040】また、上記MR素子5の先端電極3はMR
膜32にセンス電流を供給するための電極であり、その
一側縁が磁気記録媒体対向面7に臨むようにしてMR膜
32上に直接積層形成され、該MR膜32と電気的に接
続されている。
The tip electrode 3 of the MR element 5 is MR
An electrode for supplying a sense current to the film 32, which is directly laminated on the MR film 32 with one side edge thereof facing the magnetic recording medium facing surface 7, and is electrically connected to the MR film 32. .

【0041】一方、後端電極4は、信号磁界の引き込み
の向上及びバイアス磁界の分布の均一化を目的として形
成されるフラックスガイド9を介してMR膜32の後端
部に積層形成されている。上記フラックスガイド9には
MR素子5に入る信号の引き込み効果を高めるために、
例えばパーマロイやアモルファス(CoZr系)材等の
如き高透磁率材が使用される。このようなフラックスガ
イド9を形成するには、例えばスパッタリングや蒸着或
いはメッキといった真空薄膜形成手段が何れも使用可能
である。
On the other hand, the rear end electrode 4 is laminated and formed on the rear end portion of the MR film 32 via the flux guide 9 formed for the purpose of improving the attraction of the signal magnetic field and uniforming the distribution of the bias magnetic field. . In order to enhance the effect of pulling in the signal entering the MR element 5, the flux guide 9
For example, a high magnetic permeability material such as permalloy or amorphous (CoZr type) material is used. In order to form such a flux guide 9, any vacuum thin film forming means such as sputtering, vapor deposition or plating can be used.

【0042】なお、後端電極4は、MR膜32の後端部
にその一部を直接積層させるようにして形成しても良
く、この場合にはフラックスガイド9を後端電極4の後
端部に積層させるようにする。
The rear end electrode 4 may be formed by directly laminating a part thereof on the rear end portion of the MR film 32. In this case, the flux guide 9 is used to form the rear end electrode 4 at the rear end portion. So that it is laminated on the part.

【0043】また、バイアス導体6は、MR素子5にバ
イアス磁界を印加するためのものであり、先端電極3と
後端電極4の間であって、これら先端電極3,後端電極
4の形成される側とは反対側の下部シールド磁性体1に
形成される溝部11内に配されている。なお、上記バイ
アス導体6は絶縁層11により埋め込まれた状態となさ
れており、該バイアス導体6は溝部10から突出しない
ものとされている。
The bias conductor 6 is for applying a bias magnetic field to the MR element 5, and is located between the front electrode 3 and the rear electrode 4, and the front electrode 3 and the rear electrode 4 are formed. It is arranged in the groove portion 11 formed in the lower shield magnetic body 1 on the side opposite to the side where the magnetic field is formed. The bias conductor 6 is embedded in the insulating layer 11 so that the bias conductor 6 does not protrude from the groove 10.

【0044】さらに、上記バイアス導体6は低抵抗の金
属材料により構成されており、例えば導電性に優れた銅
等により構成される。通常、上記バイアス導体6は銅等
よりなる薄膜の単層膜により構成されるが、該バイアス
導体6の上下に設けられる絶縁層11との密着性を考慮
すると、例えば、図2に示すように、上記バイアス導体
6を銅よりなる中間層6aをその膜厚方向からチタンよ
りなる積層膜6b,6cにより挟み込んだ積層膜構造と
することが好ましい。
Further, the bias conductor 6 is made of a metal material having a low resistance, for example, copper having excellent conductivity. Normally, the bias conductor 6 is composed of a thin single-layer film made of copper or the like. Considering the adhesiveness with the insulating layers 11 provided above and below the bias conductor 6, for example, as shown in FIG. It is preferable that the bias conductor 6 has a laminated film structure in which an intermediate layer 6a made of copper is sandwiched between laminated films 6b and 6c made of titanium in the film thickness direction.

【0045】また、上記バイアス導体6は、上記MR素
子5の長手方向に対し略直交する方向に形成されてお
り、その両端部に図示しない直流電源からのバイアス電
流が印加されるようになされている。このため、直流電
流は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流
れることとなり、上記磁気記録媒体対向面7と垂直な方
向であるMR素子5の長手方向にわたってバイアス磁界
が印加されるようになっている。
The bias conductor 6 is formed in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the MR element 5, and a bias current from a DC power source (not shown) is applied to both ends of the bias conductor 6. There is. Therefore, the direct current flows in the track width direction which is the longitudinal direction of the wiring pattern, and the bias magnetic field is applied over the longitudinal direction of the MR element 5 which is the direction perpendicular to the magnetic recording medium facing surface 7. ing.

【0046】さらに、上記バイアス導体6は、MR素子
5に所定の大きさのバイアス磁界を印加するために、そ
の厚さtを50nm〜400nm程度とし、その導体幅
2を1μm〜8μm程度とすることが好ましく、磁気
記録媒体対向面7と直交する方向のバイアス導体6と下
部シールド磁性体1との対向距離、言い換えればバイア
ス導体6と溝部10の側面10a,10bとの対向距離
2 ,L3 は絶縁性を考慮して0.1μm〜2μm程
度、バイアス導体6とMR素子5との対向距離は狭ギャ
ップ化を考慮して0.1μm〜2μm程度とするのが好
ましい。
Further, the bias conductor 6 has a thickness t of about 50 nm to 400 nm and a conductor width W 2 of about 1 μm to 8 μm in order to apply a bias magnetic field of a predetermined magnitude to the MR element 5. Preferably, the facing distance between the bias conductor 6 and the lower shield magnetic body 1 in the direction orthogonal to the magnetic recording medium facing surface 7, in other words, the facing distance L 2 between the bias conductor 6 and the side surfaces 10a and 10b of the groove portion 10, It is preferable that L 3 is about 0.1 μm to 2 μm in consideration of insulation properties, and the facing distance between the bias conductor 6 and the MR element 5 is about 0.1 μm to 2 μm in consideration of narrowing of the gap.

【0047】なお、上記バイアス導体6が埋め込まれる
絶縁層11としては、バイアス導体6との絶縁性が確実
に確保される例えばAl23 ,SiO2 ,SOG,S
34 等よりなる膜が好ましい。また、バイアス導体
6と下部シールド磁性体1間に配される絶縁層11の厚
さは、当該バイアス導体6と下部シールド磁性体1間の
絶縁性を確保するために0.1μm〜1μm程度とする
ことが好ましい。
The insulating layer 11 in which the bias conductor 6 is embedded is, for example, Al 2 O 3 , SiO 2 , SOG, S, which ensures the insulation with the bias conductor 6.
A film made of i 3 N 4 or the like is preferable. Further, the thickness of the insulating layer 11 arranged between the bias conductor 6 and the lower shield magnetic body 1 is about 0.1 μm to 1 μm in order to ensure the insulating property between the bias conductor 6 and the lower shield magnetic body 1. Preferably.

【0048】そして、本実施例のMRヘッドにおいて
は、特に、下部シールド磁性体1に形成される溝部10
のMR素子5との対向面側に段差部30が形成されてい
る。上記段差部30は溝部10の開口側縁を切り欠くよ
うにして設けられるものであり、その側面は下部シール
ド磁性体1の上面1aに対して垂直な面となる。
In the MR head of this embodiment, in particular, the groove portion 10 formed in the lower shield magnetic body 1.
The stepped portion 30 is formed on the surface facing the MR element 5. The step portion 30 is provided so as to cut out the opening side edge of the groove portion 10, and the side surface thereof is a surface perpendicular to the upper surface 1 a of the lower shield magnetic body 1.

【0049】また、本実施例においては、上記段差部3
0の磁気記録媒体対向面7側の一側縁30aが先端電極
3の後端電極4側の端部3aに対応するように段差部3
0を設けており、言い換えれば一側縁30aがデプス零
位置を位置決めする基準とされている。
Further, in this embodiment, the step portion 3
0 of the magnetic recording medium facing surface 7 on one side 30a corresponds to the end 3a of the front electrode 3 on the rear electrode 4 side.
0, in other words, the one side edge 30a is used as a reference for positioning the depth zero position.

【0050】さらに、本実施例においては、段差部30
の磁気ギャップのギャップ長方向の深さを10nm〜1
00nmとしている。
Further, in this embodiment, the step portion 30
The depth of the magnetic gap in the gap length direction from 10 nm to 1
It is set to 00 nm.

【0051】なお、本実施例においては、MR素子5の
先端電極3の端部3aからフラックスガイド9の先端電
極3側の端面9aまでの距離である感磁部長L1 を6μ
mとし、段差部30の一側縁30aから他方の一側縁3
0bまでの距離であり、溝部10の開口部の幅である溝
幅W1 を8μmとした。
In this embodiment, the length L 1 of the magnetic sensing portion, which is the distance from the end 3a of the tip electrode 3 of the MR element 5 to the end surface 9a of the flux guide 9 on the tip electrode 3 side, is 6 μm.
m from one side edge 30a of the stepped portion 30 to the other side edge 3
The groove width W 1 which is the distance to 0b and which is the width of the opening of the groove 10 is set to 8 μm.

【0052】従って、本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいては、下部シールド磁性体1の溝部10のM
R素子5との対向面側に設けられる段差部30の一側縁
30aがデプス零位置を位置決めする基準となることか
ら、その製造時、絶縁層11研磨工程において研磨深さ
にばらつきが生じ、溝部10の開口側縁形成位置にばら
つきが生じても、この研磨深さのばらつきに関係なくデ
プス零位置を位置決めする基準が確実に決定され、その
位置精度が確保される。
Therefore, in the magnetoresistive effect magnetic head of this embodiment, M of the groove portion 10 of the lower shield magnetic body 1 is M.
Since the one side edge 30a of the step portion 30 provided on the side facing the R element 5 serves as a reference for positioning the depth zero position, the polishing depth varies in the polishing step of the insulating layer 11 during its manufacture, Even if the opening side edge formation position of the groove 10 varies, the reference for positioning the depth zero position is reliably determined regardless of the variation of the polishing depth, and the position accuracy is ensured.

【0053】このことから、上記デプス零位置を位置決
めする基準に位置合わせして形成されるMR膜や電極等
のパターンの位置精度も確保され、デプス零位置やMR
素子の感磁部長及びMR素子とバイアス導体の位置関係
の精度が確保され、特性が安定化する。
From this fact, the positional accuracy of the pattern of the MR film, the electrode, etc. formed by aligning with the reference for positioning the depth zero position is also secured, and the depth zero position and the MR
The length of the magnetic sensitive portion of the element and the positional relationship between the MR element and the bias conductor are ensured with accuracy, and the characteristics are stabilized.

【0054】また、デプス零位置の位置精度が確保され
ていることから、その製造時に所定のデプス長となるよ
うに研磨加工する際にデプスのばらつきが生じ難く、特
性が安定化する。
Further, since the position accuracy of the depth zero position is ensured, the dispersion of the depth is unlikely to occur during the polishing process so that the predetermined depth length is obtained during the manufacturing, and the characteristics are stabilized.

【0055】さらに、本実施例のMRヘッドにおいて
は、段差部30の一側縁30aから他方の一側縁30b
により溝部10の開口部の幅が規制されている。
Further, in the MR head of the present embodiment, one side edge 30a of the step portion 30 to the other side edge 30b of the stepped portion 30 is used.
The width of the opening of the groove 10 is restricted by.

【0056】さらにまた、本実施例のMRヘッドにおい
ては、段差部30の磁気ギャップのギャップ長方向の深
さを10nm〜100nmとしており、上記段差部30
は視覚的に確認される。
Furthermore, in the MR head of this embodiment, the depth of the magnetic gap of the step portion 30 in the gap length direction is 10 nm to 100 nm.
Is visually confirmed.

【0057】次に、本実施例のMRヘッドの製造方法を
工程順に説明する。本実施例のMRヘッドを製造するに
は、先ず、図3に示すような例えばアルミナチタン酸カ
ルシウム(Al23 −TiC)材等よりなる基板13
を用意し、この基板13上に該基板13の絶縁性と表面
性を改善するために図示しないAl23 膜を形成す
る。続いて、上記図示しないAl23 膜上に、例えば
パーマロイやセンダスト等よりなる磁性膜14をメッキ
またはスパッタリング等の手法により形成する。
Next, a method of manufacturing the MR head of this embodiment will be described in the order of steps. In order to manufacture the MR head of this embodiment, first, as shown in FIG. 3, a substrate 13 made of, for example, calcium aluminate titanate (Al 2 O 3 —TiC) material or the like.
Then, an Al 2 O 3 film (not shown) is formed on the substrate 13 in order to improve the insulating property and surface property of the substrate 13. Then, a magnetic film 14 made of, for example, permalloy or sendust is formed on the Al 2 O 3 film (not shown) by a method such as plating or sputtering.

【0058】次に、上記磁性膜14をドライエッチング
して図4に示すように所定形状の下部シールド磁性体1
5を形成する。続いて、図5に示すように、上記下部シ
ールド磁性体15上にこれを覆うようにAl23 等よ
りなる平坦化膜16を成膜する。次いで、図6に示すよ
うに、上記平坦化膜16を研磨し、下部シールド磁性体
15を露出させるとともに該下部シールド磁性体15を
所定の厚さとする。
Next, the magnetic film 14 is dry-etched to form a predetermined shape of the lower shield magnetic body 1 as shown in FIG.
5 is formed. Subsequently, as shown in FIG. 5, a flattening film 16 made of Al 2 O 3 or the like is formed on the lower shield magnetic body 15 so as to cover it. Next, as shown in FIG. 6, the flattening film 16 is polished to expose the lower shield magnetic body 15 and make the lower shield magnetic body 15 have a predetermined thickness.

【0059】次に、下部シールド磁性体15上に所定の
形状の開口部を有するレジストを配した後、ドライエッ
チングを行い、図7に示すように、下部シールド磁性体
15に断面略コ字状で両側面17a,17bが傾斜面と
される溝部17を形成する。
Next, a resist having an opening having a predetermined shape is arranged on the lower shield magnetic body 15, and then dry etching is performed, so that the lower shield magnetic body 15 has a substantially U-shaped cross section as shown in FIG. Thus, the groove portion 17 is formed in which both side surfaces 17a and 17b are inclined surfaces.

【0060】次に、図8に示すように、溝部17内を含
む下部シールド磁性体15及び平坦化膜16上にAl2
3 等よりなる第1の絶縁膜18をスパッタリング等に
より形成する。
Next, as shown in FIG. 8, Al 2 is formed on the lower shield magnetic body 15 and the flattening film 16 including the inside of the groove portion 17.
The first insulating film 18 made of O 3 or the like is formed by sputtering or the like.

【0061】次に、図9に示すように、上記第1の絶縁
膜18上にバイアス導体を形成するための銅よりなる金
属膜19をスパッタリングにより形成する。このとき、
上記金属膜19は前述のように銅よりなる膜を膜厚方向
からチタンよりなる膜により挟み込んだ積層膜としても
良い。
Next, as shown in FIG. 9, a metal film 19 made of copper for forming a bias conductor is formed on the first insulating film 18 by sputtering. At this time,
The metal film 19 may be a laminated film in which a film made of copper is sandwiched between films made of titanium from the film thickness direction as described above.

【0062】次に、上記金属膜19を溝部17内にのみ
残存させ、当該溝部17より飛び出ないようにパターニ
ングしてドライエッチングすることにより、図10に示
すような断面略台形状のバイアス導体20を形成する。
この結果、上記バイアス導体20は溝部17内に完全に
埋め込まれ、溝部17から飛び出ない。
Next, the metal film 19 is left only in the groove portion 17, patterned so as not to protrude from the groove portion 17 and dry-etched, so that the bias conductor 20 having a substantially trapezoidal cross section as shown in FIG. To form.
As a result, the bias conductor 20 is completely embedded in the groove 17 and does not protrude from the groove 17.

【0063】次に、上記第1の絶縁膜18を溝部17内
に形成される部分を除いてエッチングし、図11に示す
ように、下部シールド磁性体15を露出させ、溝部17
内にのみ第1の絶縁膜18を残存させる。
Next, the first insulating film 18 is etched except for the portion formed in the groove 17, so that the lower shield magnetic body 15 is exposed and the groove 17 is formed, as shown in FIG.
The first insulating film 18 is left only inside.

【0064】続いて、図12に示すように、上記溝部1
7内を含めて下部シールド磁性体15上にAl23
よりなる第2の絶縁膜21をスパッタリング等により形
成する。なお、上記第2の絶縁膜21は平坦化膜として
も機能するものである。
Then, as shown in FIG. 12, the groove 1 is formed.
A second insulating film 21 made of Al 2 O 3 or the like is formed on the lower shield magnetic body 15 including the inside by sputtering or the like. The second insulating film 21 also functions as a flattening film.

【0065】次に、図13に示すように、第2の絶縁膜
21を平面研磨し、下部シールド磁性体15を露出させ
る。この際、上記平面研磨は、直径2μmのダイヤモン
ド砥粒と銅ケメット定盤による機械研磨及びSiO2
粒と繊維質のクロスによるバフ研磨の併用で行う。
Next, as shown in FIG. 13, the second insulating film 21 is surface-polished to expose the lower shield magnetic body 15. At this time, the above-mentioned surface polishing is carried out by a combination of mechanical polishing with a diamond abrasive having a diameter of 2 μm and a copper Kemet surface plate, and buff polishing with a SiO 2 abrasive and a fibrous cloth.

【0066】この結果、下部シールド磁性体1の研磨面
は平坦化され、その表面粗度が1nm程度と非常に平滑
な面となる。しかしながら、上記機械研磨においては基
板の反りを補正できないため、上記機械研磨前の基板の
反りの影響で研磨深さにばらつきが生じ、下部シールド
磁性体1の厚さ及び溝部17の深さに基板内ばらつきが
生じる。
As a result, the polished surface of the lower shield magnetic body 1 is flattened, and its surface roughness is about 1 nm, which is a very smooth surface. However, since the warp of the substrate cannot be corrected in the mechanical polishing, the polishing depth varies due to the influence of the substrate warping before the mechanical polishing, and the thickness of the lower shield magnetic body 1 and the depth of the groove portion 17 affect the substrate. Internal variation occurs.

【0067】次に、上記バフ研磨により平坦化を行う
と、当該バフ研磨は研磨量が小さいことから、基板13
の反りに依存せず研磨が行われる。また、金属膜である
バイアス導体20とAl23 よりなる第2の絶縁膜2
1の研磨速度の差から砥石等を用いた機械研磨によって
研磨を行った場合には、絶縁膜21が金属膜に対してよ
り早く研磨されてしまうが、バフ研磨によれば研磨速度
の差によって生じた段差を無くすことができる。しかし
ながら、上記バフ研磨により、上記機械研磨の際に生じ
た溝部17の深さのばらつきを解消することは不可能で
あり、溝部17の深さのばらつきはそのまま残る。
Next, when planarization is performed by the above-mentioned buffing, the amount of polishing in the buffing is small, so the substrate 13
Polishing is performed without depending on the warp of the. In addition, the bias conductor 20 which is a metal film and the second insulating film 2 made of Al 2 O 3
When polishing is performed by mechanical polishing using a grindstone or the like due to the difference in polishing rate of 1, the insulating film 21 is polished faster than the metal film. However, buffing causes a difference in polishing rate. The generated step can be eliminated. However, it is impossible to eliminate the variation in the depth of the groove portion 17 generated during the mechanical polishing by the buffing, and the variation in the depth of the groove portion 17 remains.

【0068】そして、このように機械研磨の際に溝部1
7の深さのばらつきが生じていると、溝部17の側面1
7a,17bがテーパー状となっていることから、溝部
17の開口側縁の位置にずれが生じる。言い換えればデ
プス零位置を位置決めする基準にずれが生じてしまう。
なお、上記溝部17はドライエッチングにより形成され
ることから、傾斜面とされる側面17a,17bの傾斜
角にもばらつきが生じ、このことからも溝部17の開口
側縁の位置にずれが生じ、デプス零位置を位置決めする
基準にずれが生じる。
In this way, the groove portion 1 is subjected to mechanical polishing.
When the depth variation of 7 occurs, the side surface 1 of the groove 17 is
Since 7a and 17b are tapered, the position of the opening side edge of the groove 17 is displaced. In other words, the reference for positioning the depth zero position is deviated.
Since the groove portion 17 is formed by dry etching, the inclination angles of the side surfaces 17a and 17b, which are inclined surfaces, also vary, which also causes a shift in the position of the opening side edge of the groove portion 17, A deviation occurs in the reference for positioning the depth zero position.

【0069】そこで、本実施例においては、図14に示
すように、溝部17の開口側、すなわち後工程で形成さ
れるMR素子との対向面側に段差部29をドライエッチ
ングにより形成する。上記段差部29は溝部17の側面
17a,17bの開口側縁を切り欠くようにして設けら
れる段差部であり、その側面は下部シールド磁性体15
の上面15aに対して垂直な面となる。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 14, a step portion 29 is formed by dry etching on the opening side of the groove portion 17, that is, on the side facing the MR element formed in a later step. The step portion 29 is a step portion provided by notching the opening side edges of the side surfaces 17 a and 17 b of the groove portion 17, and the side surface thereof is the lower shield magnetic body 15.
Is a surface perpendicular to the upper surface 15a of the.

【0070】なお、この段差部29は、段差部29形成
前の溝部17の磁気記録媒体対向面側の側面17aの開
口側縁から磁気記録媒体対向面側に0.01μm〜0.
3μmの位置から形成され、段差部29の一側縁29a
から他方の一側縁29bまでの距離である溝幅を8μm
として形成され、溝部17の開口部の幅は常に一定とな
る。さらに、上記段差部29においては、磁気ギャップ
のギャップ長方向の深さを10nm〜100nmとし、
視覚的に確認できるようにしている。
It should be noted that the step portion 29 has a width of 0.01 .mu.m to .0 .mu.m from the opening side edge of the side surface 17a of the groove 17 before the step portion 29 is formed to the side facing the magnetic recording medium.
One side edge 29a of the step portion 29 formed at a position of 3 μm
From the other side edge 29b to the groove width of 8 μm
And the width of the opening of the groove 17 is always constant. Further, in the step portion 29, the depth of the magnetic gap in the gap length direction is set to 10 nm to 100 nm,
I am able to confirm visually.

【0071】そして、本実施例においては、上記段差部
29の一側縁29aをデプス零位置を位置決めする基準
としている。従って、本実施例においては、研磨深さの
ばらつきにより、従来デプス零位置を位置決めする基準
とされていた溝部の開口側縁の位置にずれが生じても、
上記のように段差部を改めて形成してデプス零位置を位
置決めする基準を形成し直すことから、研磨深さのばら
つきに関係なくデプス零位置を位置決めする基準が確実
に決定される。
In the present embodiment, the one side edge 29a of the step portion 29 is used as a reference for positioning the depth zero position. Therefore, in this embodiment, even if the position of the opening side edge of the groove portion, which was conventionally used as a reference for positioning the depth zero position, is displaced due to the variation in the polishing depth,
As described above, since the stepped portion is newly formed and the reference for positioning the depth zero position is re-formed, the reference for positioning the depth zero position is reliably determined regardless of the variation in the polishing depth.

【0072】次に、図15及び図16に示すように、段
差部29の形成された溝部17内(ただし、図15にお
いては、段差部29の図示を省略する。)を含めて下部
シールド磁性体15上に磁気ギャップg1 を構成する下
部ギャップ膜22を形成する。なお、上記下部ギャップ
膜22は、Al23 をスパッタリングして形成すれば
良い。
Next, as shown in FIGS. 15 and 16, the lower shield magnet including the inside of the groove portion 17 in which the step portion 29 is formed (however, the step portion 29 is not shown in FIG. 15). A lower gap film 22 forming the magnetic gap g 1 is formed on the body 15. The lower gap film 22 may be formed by sputtering Al 2 O 3 .

【0073】次いで、後工程において形成されるMR素
子におけるバルクハウゼンノイズの発生を防止するため
に上記下部ギャップ膜22を上述の第2の絶縁膜21平
面研磨工程で述べた方法と同様のバフ研磨により平坦化
する。その結果、下部ギャップ膜22表面は表面粗度1
nm程度の非常に平滑な面となる。ただし、このとき、
磁気ギャップg1 のギャップ長精度を確保するために、
ギャップ膜のバフ研磨量は200nm以下としている。
Then, in order to prevent Barkhausen noise from being generated in the MR element formed in the subsequent step, the lower gap film 22 is buffed by the same method as the method described in the second insulating film 21 plane polishing step. To flatten. As a result, the surface of the lower gap film 22 has a surface roughness of 1
It has a very smooth surface of about nm. However, at this time,
In order to secure the gap length accuracy of the magnetic gap g 1 ,
The buffing amount of the gap film is 200 nm or less.

【0074】本実施例においては、段差部29の磁気ギ
ャップのギャップ長方向の深さを10nm〜100nm
としており、この段差部は上記工程において視覚的に確
認でき、ギャップ長精度を損なうものでもない。また、
下部ギャップ膜22の段差部29にあたる部分には段差
部が形成されてしまうが、この段差部は上記バフ研磨に
よりなくなる。
In this embodiment, the depth of the magnetic gap of the step portion 29 in the gap length direction is 10 nm to 100 nm.
However, this step portion can be visually confirmed in the above process, and does not impair the gap length accuracy. Also,
A step portion is formed in a portion corresponding to the step portion 29 of the lower gap film 22, but this step portion is eliminated by the buffing.

【0075】次に、図17に示すように、下部ギャップ
膜22上にMR膜23を形成する。上記MR膜23はパ
ーマロイをスパッタリングや蒸着により成膜した後、そ
の長手方向が磁気記録媒体対向面に対して垂直となる平
面長方形のパターンに成形して形成する。
Next, as shown in FIG. 17, the MR film 23 is formed on the lower gap film 22. The MR film 23 is formed by forming permalloy by sputtering or vapor deposition, and then forming it into a planar rectangular pattern whose longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium.

【0076】このとき、溝部17内の第2の絶縁膜21
が平坦化されていることから、バイアス導体20とMR
膜23との対向面距離がギャップ膜22によって絶縁を
図るのに十分な距離とされる。従って、狭ギャップ化に
よりギャップ膜22を薄膜化した場合においても、MR
素子とバイアス導体20間の短絡を確実に回避すること
ができる。
At this time, the second insulating film 21 in the groove 17 is formed.
Is flattened, the bias conductor 20 and the MR are
The distance between the surfaces facing the film 23 is set to a distance sufficient for insulation by the gap film 22. Therefore, even when the gap film 22 is thinned by narrowing the gap, the MR
It is possible to reliably avoid a short circuit between the element and the bias conductor 20.

【0077】また、本実施例においては、段差部29の
一側縁29aをデプス零位置を位置決めする基準として
おり、この基準の位置精度が確保されていることから、
これに合わせて形成されるMR膜23の形成位置精度も
確保される。従って、バイアス導体20とMR膜23と
の位置関係の精度も確保され、MRヘッド毎のバイアス
効率のばらつきも抑えられ、MRヘッドの特性のばらつ
きが抑えられる。
Further, in the present embodiment, the one side edge 29a of the step portion 29 is used as a reference for positioning the depth zero position, and since the reference positional accuracy is secured,
The formation position accuracy of the MR film 23 formed in accordance with this is also ensured. Therefore, the accuracy of the positional relationship between the bias conductor 20 and the MR film 23 is ensured, variation in bias efficiency among MR heads is suppressed, and variation in characteristics of the MR head is suppressed.

【0078】次に、MR膜23上に先端電極を形成す
る。続いて、フラックスガイドを形成した後、後端電極
を形成し、MR素子を形成する。このとき、本実施例に
おいては、前述のようにデプス零位置を位置決めする基
準の位置精度が確保されているため、これに合わせて形
成される先端電極,フラックスガイド,後端電極の形成
位置精度も確保され、先端電極の後端部により決定され
るデプス零位置やMR膜23の感磁部長等も精度良好に
規制される。
Next, a tip electrode is formed on the MR film 23. Then, after forming a flux guide, a rear end electrode is formed and an MR element is formed. At this time, in this embodiment, since the reference positional accuracy for positioning the depth zero position is ensured as described above, the positional accuracy of the tip electrode, the flux guide, and the rear electrode formed in accordance with this is accurate. Is also secured, and the depth zero position determined by the rear end of the tip electrode, the length of the magnetic sensitive portion of the MR film 23, and the like are regulated with good accuracy.

【0079】このとき、後端電極と同層で溝部17に埋
め込まれたバイアス導体20の両端に接続するバイアス
引き出し導体も形成する。バイアス引き出し導体は、後
端電極と別工程で形成しても良いが、電極材質・膜厚共
に後端電極と同様にすることが可能であるのでここでは
後端電極と同時に形成するものとした。
At this time, bias lead conductors connected to both ends of the bias conductor 20 embedded in the groove 17 in the same layer as the rear end electrode are also formed. The bias lead conductor may be formed in a separate process from the rear end electrode, but since the electrode material and film thickness can be the same as those of the rear end electrode, they are formed here at the same time as the rear end electrode. .

【0080】次に絶縁層を介して上部シールド磁性体を
形成する。なお、上記上部シールド磁性体は先端電極と
接続され、MR膜23の引き出し導体の一部となってい
る。
Next, an upper shield magnetic body is formed with an insulating layer interposed. The upper shield magnetic body is connected to the tip electrode and is a part of the lead conductor of the MR film 23.

【0081】さらに各端子部を形成し、磁気記録媒体対
向面側から所定のデプス長となるように研磨を行って、
図1に示すような本実施例のMRヘッドを完成する。
Further, each terminal portion is formed, and polishing is performed from the surface facing the magnetic recording medium to a predetermined depth length,
The MR head of this embodiment as shown in FIG. 1 is completed.

【0082】このとき、本実施例においては、デプス零
位置が精度良好に規制されており、複数個のMRヘッド
を同一条件で研磨しても、デプスにばらつきが発生せ
ず、特性が安定化する。
At this time, in this embodiment, the depth zero position is regulated with good accuracy, and even if a plurality of MR heads are polished under the same condition, the depth does not vary and the characteristics are stabilized. To do.

【0083】なお、本実施例においては、MR素子の電
極が形成される側と反対側に形成される溝部内にバイア
ス導体が埋め込まれている例について述べたが、本発明
がバイアス導体が上部シールド磁性体側に配されるMR
ヘッドにも適用可能であることは言うまでもない。
In this embodiment, an example in which the bias conductor is embedded in the groove portion formed on the side opposite to the side where the electrodes of the MR element are formed has been described. MR placed on the shield magnetic body side
It goes without saying that it is also applicable to the head.

【0084】[0084]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、下部シール
ド磁性体の磁気抵抗効果型素子との対向面に設けられる
溝部の少なくとも磁気記録媒体対向面側に下部シールド
磁性体を略々垂直に削るデプス零位置を位置決めする基
準となる段差部が設けられていることから、デプス零位
置を位置決めする基準が溝部の傾斜面とされる側面では
なく、段差部となり、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造時、絶縁層研磨工程において研磨深さにばらつきが
生じ、溝部の開口側縁形成位置にばらつきが生じても、
この研磨深さのばらつきに関係なくデプス零位置を位置
決めする基準の位置精度が確保される。
As is apparent from the above description, in the magnetoresistive head of the present invention, at least the magnetic recording medium of the groove portion provided on the surface of the lower shield magnetic body facing the magnetoresistive element. Since the stepped portion that serves as a reference for positioning the depth zero position for cutting the lower shield magnetic body substantially vertically is provided on the facing surface side, on the side surface where the inclined surface of the groove portion is the reference for positioning the depth zero position. However, even if the polishing depth varies in the insulating layer polishing step during the manufacturing of the magnetoresistive magnetic head, and the opening side edge formation position of the groove varies,
The reference positional accuracy for positioning the depth zero position is ensured regardless of the variation in the polishing depth.

【0085】従って、上記デプス零位置を位置決めする
基準に合わせて形成されるMR素子を構成するMR膜や
電極等の形成位置精度も良好となり、デプス零位置やM
R素子の感磁部長やMR素子とバイアス導体の位置関係
の精度が良好となり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特性
が安定化する。さらに、上記のようにデプス零位置の精
度が良好であることから、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
デプス長も精度良好に規制され、特性が安定化する。
Therefore, the forming position accuracy of the MR film and the electrodes forming the MR element formed in accordance with the reference for positioning the depth zero position becomes good, and the depth zero position and M
The accuracy of the magnetic sensing portion length of the R element and the positional relationship between the MR element and the bias conductor are improved, and the characteristics of the magnetoresistive effect magnetic head are stabilized. Furthermore, since the accuracy of the depth zero position is good as described above, the depth length of the magnetoresistive magnetic head is also regulated with good accuracy and the characteristics are stabilized.

【0086】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、上記段差部を磁気記録媒体対向面側の一側縁
がデプス零位置と略一致するようにして設ければ、その
製造時、MR膜や電極等の各パターンの位置合わせが容
易となる。
Further, in the magnetoresistive effect magnetic head of the present invention, if the step portion is provided so that one side edge of the magnetic recording medium facing surface side substantially coincides with the depth zero position, the MR is produced at the time of manufacture. The alignment of each pattern such as a film and an electrode becomes easy.

【0087】さらに、上記本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、溝部の磁気記録媒体対向面と反対側に
も段差部を設ければ、2つの段差部間の幅、すなわち溝
部の開口部の幅が規制される。
Further, in the magnetoresistive head of the present invention described above, if a step is provided on the side of the groove opposite to the surface facing the magnetic recording medium, the width between the two steps, that is, the opening of the groove. The width is regulated.

【0088】さらにまた、前述の本発明の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、デプス零位置を位置決めする基
準となる段差部の磁気ギャップのギャップ長方向の深さ
を10nm〜100nmとすれば、上記段差部は視覚的
に確認され、基準の確認がさらに容易となる。
Furthermore, in the above-described magnetoresistive head of the present invention, if the depth of the magnetic gap of the stepped portion serving as a reference for positioning the depth zero position in the gap length direction is 10 nm to 100 nm, the above stepped portion is formed. The parts are visually confirmed, which makes it easier to confirm the reference.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
示す要部概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of essential parts showing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied.

【図2】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
バイアス導体の一例を示す要部拡大断面図である。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of an essential part showing an example of a bias conductor of a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied.

【図3】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、基板上に磁性膜を
形成する工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in order of steps, showing steps of forming a magnetic film on a substrate.

【図4】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、下部シールド磁性
体を形成する工程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in order of steps, and showing steps of forming a lower shield magnetic body.

【図5】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、平坦化膜を成膜す
る工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing steps of forming a planarizing film.

【図6】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、平坦化膜を研磨す
る工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of polishing a flattening film.

【図7】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、下部シールド磁性
体に溝部を形成する工程を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of forming a groove in a lower shield magnetic body.

【図8】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、第1の絶縁膜を形
成する工程を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of forming a first insulating film.

【図9】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示すものであり、金属膜を形成する
工程を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing steps of forming a metal film.

【図10】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、バイアス導体を
形成する工程を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing steps of forming a bias conductor.

【図11】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、第1の絶縁膜を
エッチングした状態を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in order of steps, showing a state in which a first insulating film is etched.

【図12】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、第2の絶縁膜を
形成する工程を示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of forming a second insulating film.

【図13】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、第2の絶縁膜を
平面研磨する工程を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of planarly polishing the second insulating film.

【図14】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、段差部を形成す
る工程を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in order of steps, showing steps for forming a step portion.

【図15】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、下部ギャップ膜
を形成する工程を示す断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing the step of forming a lower gap film.

【図16】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、下部ギャップ膜
を形成する工程を拡大して示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied in the order of steps, in which the step of forming the lower gap film is enlarged.

【図17】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、MR素子を形成
する工程を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied, in the order of steps, and showing a step of forming an MR element.

【図18】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法を工程順に示すものであり、MR素子を形成
する工程を拡大して示す断面図である。
FIG. 18 is a sectional view showing the method of manufacturing a magnetoresistive effect magnetic head to which the present invention is applied in the order of steps, and is an enlarged view showing a step of forming an MR element.

【図19】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す要部
概略断面図である。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of essential parts showing a conventional magnetoresistive effect magnetic head.

【図20】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下部シールド磁性体上に絶
縁膜及びバイアス導体を形成する工程を示す断面図であ
る。
FIG. 20 is a sectional view showing the method of manufacturing the conventional magnetoresistive effect magnetic head in the order of steps, and showing the step of forming an insulating film and a bias conductor on the lower shield magnetic body.

【図21】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、絶縁膜を形成する工程を示
す断面図である。
FIG. 21 is a sectional view showing the method of manufacturing the conventional magnetoresistive effect magnetic head in the order of steps, and showing the step of forming an insulating film.

【図22】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、絶縁膜を平面研磨する工程
を示す断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the conventional magnetoresistive effect magnetic head in the order of steps, and showing the step of planarly polishing the insulating film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・下部シールド磁性体 2・・・上部シールド磁性体 5・・・MR素子 6・・・バイアス導体 7・・・磁気記録媒体対向面 10・・・溝部 30・・・段差部 30a,30b・・・一側縁 g1 ,g2 ・・・磁気ギャップ1 ... Lower shield magnetic body 2 ... Upper shield magnetic body 5 ... MR element 6 ... Bias conductor 7 ... Magnetic recording medium facing surface 10 ... Groove portion 30 ... Step portion 30a, 30b ··· one side edge g 1, g 2 ··· magnetic gap

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体対向面に臨んで所定間隔で
上部シールド磁性体及び下部シールド磁性体が配される
とともに、これらシールド磁性体間に磁気抵抗効果型素
子が磁気記録媒体対向面と直交するように配されてなる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記下部シールド磁性体の磁気抵抗効果型素子との対向
面に溝部が設けられ、この部分において上記磁気抵抗効
果型素子と離間されるとともに、この溝部の少なくとも
磁気記録媒体対向面側に下部シールド磁性体を略々垂直
に削るデプス零位置を位置決めする基準となる段差部が
設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
1. An upper shield magnetic body and a lower shield magnetic body are arranged at predetermined intervals facing a magnetic recording medium facing surface, and a magnetoresistive effect element is orthogonal to the magnetic recording medium facing surface between the shield magnetic bodies. In the magnetoresistive effect magnetic head arranged as described above, a groove is provided on the surface of the lower shield magnetic body facing the magnetoresistive effect element, and at this portion, the groove is separated from the magnetoresistive effect element. A magnetoresistive effect magnetic head characterized in that a step portion which serves as a reference for positioning a depth zero position for substantially vertically cutting a lower shield magnetic body is provided on at least the magnetic recording medium facing surface side of the groove portion.
【請求項2】 段差部の磁気記録媒体対向面側の一側縁
がデプス零位置と略一致されていることを特徴とする請
求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein one side edge of the step portion on the surface facing the magnetic recording medium is substantially aligned with the depth zero position.
【請求項3】 溝部の磁気記録媒体対向面と反対側に段
差部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein a step is provided on the side of the groove opposite to the surface facing the magnetic recording medium.
【請求項4】 段差部の磁気ギャップのギャップ長方向
の深さが10nm〜100nmであることを特徴とする
請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the depth of the magnetic gap of the step portion in the gap length direction is 10 nm to 100 nm.
【請求項5】 バイアス導体が溝部内に埋め込まれてい
ることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
5. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the bias conductor is embedded in the groove.
【請求項6】 バイアス導体が上部シールド磁性体側に
配されていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
6. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the bias conductor is arranged on the side of the upper shield magnetic body.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7206172B2 (en) 2004-02-20 2007-04-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Electrical lapping guide embedded in a shield of a magnetic head

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