JPH0822337A - Constant-voltage generating circuit - Google Patents

Constant-voltage generating circuit

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JPH0822337A
JPH0822337A JP15737794A JP15737794A JPH0822337A JP H0822337 A JPH0822337 A JP H0822337A JP 15737794 A JP15737794 A JP 15737794A JP 15737794 A JP15737794 A JP 15737794A JP H0822337 A JPH0822337 A JP H0822337A
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collector
npn transistor
emitter
base
transistor
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Hiroshi Saito
浩 齊藤
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Abstract

PURPOSE:To enable the constant-voltage generating circuit, which utilizes transistors(TR) and has small temperature dependency, to output not only a voltage which is an integral multiple of about 1.2V, but also a voltage having an optional value. CONSTITUTION:The collector of an NPN TR Q1 is connected to a power source, the emitter of the Q1 is connected to an output, and the base of the Q1 is connected to a current source which has one end connected to a power source and the collector of an NPN TR Q2; and the emitter of the Q2 is grounded, the base of the Q2 is connected to a resistor R1 having one end connected to the output and the collector of an NPN TR Q3. The emitter of the Q3 is connected to a resistor R3 having one end grounded, and the base of the Q3 is connected to a resistor R2 having one end connected to the output, the collector and base of the NPN TR Q4 and the collector and base of an NPN TR Q5; and the emitter of the Q4 is grounded and the emitter of the Q5 is connected to a resistor R4 having one end grounded.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、従来のように、温度依
存性の小さな出力電圧を得ようとしたとき、約1.2V
の整数倍だけでなく、任意の電圧を出力することを可能
にするトランジスタを利用した、温度依存性の小さい定
電圧発生回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is about 1.2V when it is attempted to obtain an output voltage having a small temperature dependence as in the prior art.
The present invention relates to a constant voltage generating circuit having a small temperature dependence, which uses a transistor capable of outputting an arbitrary voltage as well as an integral multiple of.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子回路においては、多くの場合、回路
内部に温度依存性の小さな定電圧発生回路を持つことが
多い。その中でも、多く用いられている回路に、バンド
・ギャップ回路と呼ばれているものがあるが、これは、
温度依存性を小さくしようとしたとき、約1.2Vの整
数倍の出力電圧しか得られないため、それ以外の電圧を
得ようとしたときには、増幅器を用いるなどの手段を講
じている。
2. Description of the Related Art In many cases, electronic circuits often have a constant voltage generating circuit having small temperature dependence inside the circuit. Among them, a circuit that is often used is called a band gap circuit.
When an attempt is made to reduce the temperature dependence, only an output voltage that is an integral multiple of about 1.2V can be obtained. Therefore, when an attempt is made to obtain any other voltage, measures such as using an amplifier are taken.

【0003】図4は従来の定電圧発生回路(バンド・ギ
ャップ回路)の一例の構成を示す図である。図4におい
て、NPNトランジスタQ13のコレクタ電流IC13は、
次式で表される。
FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional constant voltage generating circuit (band gap circuit). In FIG. 4, the collector current I C13 of the NPN transistor Q 13 is
It is expressed by the following equation.

【0004】IC13=(VBE14ーVBE13)/R13 =VT×N/R13 よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE12+R11×IC13 =VBE12+R11(VT×N/R13) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数、N
=LN(IE14/IE13)であり(Nはほぼ定数)、VBE
は温度に対して負の特性を持つ。
I C13 = (V BE14 -V BE13 ) / R 13 = VT × N / R 13 Therefore, the output voltage V OUT is V OUT = V BE12 + R 11 × I C13 = V BE12 + R 11 (VT × N / R 13 ). Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T, N
= LN ( IE14 / IE13 ) (N is a constant), and VBE
Has a negative characteristic with respect to temperature.

【0005】VTは温度に対して正の特性を持っている
ので、抵抗の値を適切に選ぶと、温度依存性の極めて小
さな出力電圧VOUTが得られる。
Since VT has a positive characteristic with respect to temperature, an output voltage V OUT having extremely small temperature dependence can be obtained by appropriately selecting the resistance value.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来例によ
れば、トランジスタの特性から、温度依存性を小さくし
ようとしたとき、約1.2Vの整数倍の出力電圧しか得
られないため、それ以外の電圧を得ようとしたときに
は、増幅器を用いるなどの手段を講じなければならない
という欠点を有する。
However, according to the conventional example, when an attempt is made to reduce the temperature dependence due to the characteristics of the transistor, only an output voltage that is an integral multiple of about 1.2 V can be obtained. There is a drawback in that when an attempt is made to obtain a voltage of 1, it is necessary to take measures such as using an amplifier.

【0007】本発明は、増幅器を用いるなどの手段を講
じなくても、温度依存性を損なうことなく、従来のよう
に、約1.2Vの整数倍だけでなく、任意の電圧を出力
することを可能にする定電圧発生回路を提供するもので
ある。
The present invention can output not only an integral multiple of about 1.2V but also an arbitrary voltage as in the conventional case without deteriorating the temperature dependence without taking measures such as using an amplifier. The present invention provides a constant voltage generating circuit that enables the above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前述の問題点を解決する
ために、本発明の第1の定電圧発生回路は、第1のNP
Nトランジスタのコレクタを電源に接続し、第1のNP
Nトランジスタのエミッタを出力に接続し、第1のトラ
ンジスタのベースを一端を電源に接続した電流源と第2
のNPNトランジスタのコレクタに接続し、その第2の
NPNトランジスタのエミッタを接地し、第2のNPN
トランジスタのベースを一端を出力に接続した第1の抵
抗と第3のNPNトランジスタのコレクタに接続し、そ
の第3のNPNトランジスタのエミッタを一端を接地し
た第3の抵抗に接続し、第3のNPNトランジスタのベ
ースを一端を出力に接続した第2の抵抗と第4のNPN
トランジスタのコレクタ・ベースと第5のNPNトラン
ジスタのコレクタ・ベースに接続し、第4のNPNトラ
ンジスタのエミッタを接地し、第5のNPNトランジス
タのエミッタを一端を接地した第4の抵抗に接続した回
路である。
In order to solve the above-mentioned problems, the first constant voltage generating circuit of the present invention comprises a first NP
The collector of the N-transistor is connected to the power supply, and the first NP
A second current source in which the emitter of the N-transistor is connected to the output and the base of the first transistor is connected to the power supply
Of the second NPN transistor is connected to the collector of the second NPN transistor, and the emitter of the second NPN transistor is grounded.
The base of the transistor is connected to the first resistor whose one end is connected to the output and the collector of the third NPN transistor, and the emitter of the third NPN transistor is connected to the third resistor whose one end is grounded. A second resistor and a fourth NPN whose one end is connected to the output of the base of the NPN transistor.
A circuit in which the collector / base of the transistor and the collector / base of the fifth NPN transistor are connected, the emitter of the fourth NPN transistor is grounded, and the emitter of the fifth NPN transistor is connected to the fourth resistor whose one end is grounded. Is.

【0009】前述の問題点を解決するために、本発明の
第2の定電圧発生回路は、第1のPNPトランジスタの
エミッタを電源に接続し、第1のPNPトランジスタの
コレクタ・ベースを第2のPNPトランジスタのベース
と第6のNPNトランジスタのベースと第3のNPNト
ランジスタのコレクタに接続し、第2のPNPトランジ
スタのエミッタを電源に接続し、第2のPNPトランジ
スタのコレクタを出力に接続し、第6のNPNトランジ
スタのコレクタを電源に接続し、第6のNPNトランジ
スタのエミッタを一端を接地した第2の抵抗に接続し、
第3のNPNトランジスタのエミッタを一端を接地した
第3の抵抗に接続し、第3のNPNトランジスタのベー
スを一端を出力に接続した第1の抵抗と第4のNPNト
ランジスタのコレクタ・ベースと第5のNPNトランジ
スタのコレクタ・ベースに接続し、第4のNPNトラン
ジスタのエミッタを接地し、第5のNPNトランジスタ
のエミッタを一端を接地した第4の抵抗に接続した回路
である。
In order to solve the above-mentioned problems, the second constant voltage generating circuit of the present invention connects the emitter of the first PNP transistor to the power supply and the collector / base of the first PNP transistor to the second. The base of the PNP transistor, the base of the sixth NPN transistor, and the collector of the third NPN transistor, the emitter of the second PNP transistor is connected to the power supply, and the collector of the second PNP transistor is connected to the output. , The collector of the sixth NPN transistor is connected to the power supply, the emitter of the sixth NPN transistor is connected to the second resistor whose one end is grounded,
The emitter of the third NPN transistor is connected to a third resistor whose one end is grounded, the base of the third NPN transistor is connected to the output of the first resistor, the collector-base of the fourth NPN transistor, and the 5 is a circuit in which the collector / base of the NPN transistor 5 is connected, the emitter of the fourth NPN transistor is grounded, and the emitter of the fifth NPN transistor is connected to a fourth resistor whose one end is grounded.

【0010】前述の問題点を解決するために、本発明の
第3の定電圧発生回路は、第1のNPNトランジスタの
コレクタを一端を出力に接続した第1の抵抗とアンプの
反転入力端子に接続し、第1のNPNトランジスタのエ
ミッタを一端を接地した第3の抵抗に接続し、第1のN
PNトランジスタのベースを一端を出力に接続した第1
の抵抗と第2のNPNトランジスタのコレクタ・ベース
と第3のNPNトランジスタのコレクタ・ベースとアン
プの非転入力端子に接続し、第2のNPNトランジスタ
のエミッタを接地し、第3のNPNトランジスタのエミ
ッタを一端を接地した第4の抵抗に接続し、アンプの出
力を出力に接続した回路である。
In order to solve the above-mentioned problems, the third constant voltage generating circuit of the present invention uses the first resistor having the collector of the first NPN transistor connected to the output and the inverting input terminal of the amplifier. And connecting the emitter of the first NPN transistor to a third resistor whose one end is grounded,
First with the base of the PN transistor connected to the output
Connected to the collector of the second NPN transistor, the collector base of the second NPN transistor, the collector base of the third NPN transistor and the non-inverting input terminal of the amplifier, the emitter of the second NPN transistor is grounded, and the third NPN transistor In this circuit, the emitter is connected to a fourth resistor whose one end is grounded, and the output of the amplifier is connected to the output.

【0011】[0011]

【作用】以上の構成により、第1の発明の定電圧発生回
路は、図4の従来の定電圧発生回路(バンド・ギャップ
回路)にNPNトランジスタQ5と抵抗R4を追加した構
成になり、NPNトランジスタQ3のコレクタ電流IC3
は、次式で表される。
With the above structure, the constant voltage generating circuit of the first invention has a structure in which the NPN transistor Q 5 and the resistor R 4 are added to the conventional constant voltage generating circuit (band gap circuit) of FIG. Collector current I C3 of NPN transistor Q 3
Is expressed by the following equation.

【0012】IC3=(VBE4ーVBE3)/R3 =VT×NT1/R3 よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE2+R1×IC3 =VBE2+R1(VT×NT1/R3) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であ
り、VBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 NT1=LN(IE4/IE3) IE4={(VOUT−VBE4)/R2}−IE5E5=(VBE4ーVBE5)/R4 =VT×NT2/R4 であり、従来例のNはほぼ定数であったのが、NT1
4の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
I C3 = (V BE4 −V BE3 ) / R 3 = VT × NT 1 / R 3 Therefore, the output voltage V OUT is V OUT = V BE2 + R 1 × I C3 = V BE2 + R 1 (VT × NT 1 / R 3 ). Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T, and V BE has a negative characteristic with respect to temperature. Further, NT 1 = LN (I E4 / I E3) I E4 = {(V OUT -V BE4) / R 2} -I E5 I E5 = (V BE4 over V BE5) / R 4 = VT × NT 2 / Although it is R 4 , and N in the conventional example is almost constant, NT 1 can set the temperature characteristic arbitrarily by the value of R 4 .

【0013】そのため、出力電圧VOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約1.2V
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
Therefore, the output voltage V OUT is about 1.2 V when the temperature dependence is reduced as in the conventional example.
That is, an output voltage that is an integral multiple of is not obtained, and an output voltage having a small temperature dependency can be obtained at an arbitrary voltage.

【0014】第2の発明の定電圧発生回路は、第1の発
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、PNPト
ランジスタのカレントミラー回路を用いているところが
異なっている。
The constant voltage generating circuit of the second invention operates almost the same as the constant voltage generating circuit of the first invention, except that a current mirror circuit of PNP transistors is used.

【0015】NPNトランジスタQ23のコレクタ電流I
C23は、 IC23=(VBE24ーVBE23)/R23 =VT×NT21/R23 となり、よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE24+R21×IC22 =VBE24+R21×IC23 =VBE24+R21(VT×NT21/R23) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であ
り、VBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 NT21=LN(IE24/IE23) IE24={(VOUT−VBE24)/R21}−IE25E25=(VBE24ーVBE25)/R24 =VT×NT22/R24 であり、従来例のNはほぼ定数であったのが、NT21
24の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
Collector current I of NPN transistor Q 23
C23 is I C23 = (V BE24 -V BE23 ) / R 23 = VT × NT 21 / R 23 , and thus the output voltage V OUT is V OUT = V BE24 + R 21 × I C22 = V BE24 + R 21 × I C23 = V BE24 + R 21 (VT × NT 21 / R 23 ). Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T, and V BE has a negative characteristic with respect to temperature. Further, NT 21 = LN (I E24 / I E23) I E24 = {(V OUT -V BE24) / R 21} -I E25 I E25 = (V BE24 over V BE25) / R 24 = VT × NT 22 / Although it is R 24 and N in the conventional example is almost constant, NT 21 can set the temperature characteristic arbitrarily by the value of R 24 .

【0016】そのため、出力電圧VOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約1.2V
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
Therefore, the output voltage V OUT is about 1.2 V when the temperature dependence is reduced as in the conventional example.
That is, an output voltage that is an integral multiple of is not obtained, and an output voltage having a small temperature dependency can be obtained at an arbitrary voltage.

【0017】第3の発明の定電圧発生回路は、第1の発
明の定電圧発生回路とほぼ同じ動作であるが、アンプを
用いているところが異なっている。
The constant voltage generating circuit of the third invention operates almost the same as the constant voltage generating circuit of the first invention, except that an amplifier is used.

【0018】NPNトランジスタQ31のコレクタ電流I
C31は、 IC31=(VBE32−VBE31)/R33 =VT×NT31/R33 となり、よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE32+R32×IC32 =VBE32+R32×IC31(R32/R31) =VBE32+R32(VT×NT31/R33)(R32/R31) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であ
り、VBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 NT31=LN(IE32/IE31) IE32={(VOUT−VBE32)/R32}−IE33E33=(VBE32ーVBE33)/R34 =VT×NT32/R34 であり、従来例のNはほぼ定数であったのが、NT31
34の値により任意に温度特性を設定できるようにな
る。
NPN transistor Q31Collector current I
C31Is IC31= (VBE32-VBE31) / R33 = VT x NT31/ R33 Therefore, the output voltage VOUTIs VOUT= VBE32+ R32× IC32  = VBE32+ R32× IC31(R32/ R31) = VBE32+ R32(VT x NT31/ R33) (R32/ R31). Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T.
And VBEHas a negative characteristic with respect to temperature. Also, NT31= LN (IE32/ IE31) IE32= {(VOUT-VBE32) / R32} -IE33 IE33= (VBE32-VBE33) / R34 = VT x NT32/ R34 In the conventional example, N was almost constant.31Is
R34The temperature characteristic can be set arbitrarily by the value of
It

【0019】そのため、出力電圧VOUTは、従来例のよ
うに温度依存性を小さくしようとしたとき、約1.2V
の整数倍の出力電圧しか得られないということがなくな
り、任意の電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得る
ことができる。
Therefore, the output voltage V OUT is about 1.2 V when the temperature dependence is reduced as in the conventional example.
That is, an output voltage that is an integral multiple of is not obtained, and an output voltage having a small temperature dependency can be obtained at an arbitrary voltage.

【0020】[0020]

【実施例】第1の発明の一実施例の定電圧発生回路につ
いて、図1を参照しながら詳しく説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A constant voltage generating circuit according to an embodiment of the first invention will be described in detail with reference to FIG.

【0021】NPNトランジスタQ1のコレクタを電源
に接続し、Q1のエミッタを出力に接続し、Q1のベース
を一端を電源に接続した電流源とNPNトランジスタQ
2のコレクタに接続し、そのQ2のエミッタを接地し、Q
2のベースを一端を出力に接続した抵抗R1とNPNト
ランジスタQ3のコレクタに接続し、そのQ3のエミッ
タを一端を接地した抵抗R3に接続し、Q3のベースを一
端を出力に接続した抵抗R2とNPNトランジスタQ4
コレクタ・ベースとNPNトランジスタQ5のコレクタ
・ベースに接続し、Q4のエミッタを接地し、Q5のエミ
ッタを一端を接地した抵抗R4に接続する構成である。
A current source in which the collector of the NPN transistor Q 1 is connected to the power supply, the emitter of Q 1 is connected to the output, and the base of Q 1 is connected to the power supply and the NPN transistor Q.
Connected to the second collector, the emitter grounded of the Q 2, Q
The second base connected to the collector of the resistor R1 and the NPN transistor Q 3 having one end connected to the output, its emitter connected to the Q3 to the resistor R 3 which is grounded at one end, to connect the base of Q 3 to the output end In a configuration in which the resistor R 2 is connected to the collector / base of the NPN transistor Q 4 and the collector / base of the NPN transistor Q 5 , the emitter of Q 4 is grounded, and the emitter of Q 5 is connected to the resistor R 4 whose one end is grounded. is there.

【0022】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図1の回路において、Q3のコ
レクタ電流IC3は、 IC3=(VBE4ーVBE3)/R3 =VT×NT1/R3 となり、よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE2+R1×IC3 =VBE2+R1(VT×NT1/R3) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であ
り、VBEは温度に対して負の特性を持つ。また、 NT1=LN(IE4/IE3) IE4={(VOUT−VBE4)/R2}−IE5E5=(VBE4−VBE5)/R4 =VT×NT2/R4 であり、NT1はR4の値により任意に温度特性を設定で
きるようになる。
Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. In the circuit of FIG. 1, the collector current I C3 of Q 3 is I C3 = (V BE4 −V BE3 ) / R 3 = VT × NT 1 / R 3 , and thus the output voltage V OUT is V OUT = V BE2 + R 1 × I C3 = V BE2 + R 1 (VT × NT 1 / R 3) become. Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T, and V BE has a negative characteristic with respect to temperature. Further, NT 1 = LN (I E4 / I E3) I E4 = {(V OUT -V BE4) / R 2} -I E5 I E5 = (V BE4 -V BE5) / R 4 = VT × NT 2 / Since R 4 is NT 4 , the temperature characteristic of NT 1 can be arbitrarily set by the value of R 4 .

【0023】そのため、出力電圧VOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
Therefore, the output voltage V OUT can be obtained at an arbitrary voltage when the temperature dependence is to be reduced.

【0024】第2の発明の一実施例の定電圧発生回路に
ついて、図2を参照しながら詳しく説明する。
The constant voltage generating circuit of one embodiment of the second invention will be described in detail with reference to FIG.

【0025】PNPトランジスタQ21のエミッタを電源
に接続し、Q21のコレクタ・ベースをPNPトランジス
タQ22のベースとNPNトランジスタQ26のベースとN
PNトランジスタQ23のコレクタに接続し、Q22のエミ
ッタを電源に接続し、Q22のコレクタを出力に接続し、
26のコレクタを電源に接続し、Q26のエミッタを一端
を接地した抵抗R22に接続しNPNトランジスタQ23
エミッタを一端を接地した抵抗R23に接続し、Q23のベ
ースを一端を出力に接続した抵抗R21とNPNトランジ
スタQ24のコレクタ・ベースとNPNトランジスタQ25
のコレクタ・ベースに接続し、Q24のエミッタを接地
し、Q25のエミッタを一端を接地した抵抗R24に接続す
る構成である。
The emitter of the PNP transistor Q 21 is connected to the power supply, and the collector / base of Q 21 is connected to the base of the PNP transistor Q 22 and the base of the NPN transistor Q 26 to N.
Connect to the collector of PN transistor Q 23 , connect the emitter of Q 22 to the power supply, connect the collector of Q 22 to the output,
The collector of Q 26 is connected to a power source, connecting the emitter of NPN transistor Q 23 is connected to the emitter of Q 26 to the resistor R 22 which is grounded at one end to the resistor R 23 which is grounded at one end, one end of the base of Q 23 A resistor R 21 connected to the output, the collector / base of the NPN transistor Q 24 and the NPN transistor Q 25
Of it connected to the collector-base, emitter grounded in Q 24, a configuration of connecting the emitter of Q 25 to the resistor R 24 in which one end grounded.

【0026】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図2の回路において、Q23のコ
レクタ電流IC23は、 IC23=(VBE24ーVBE23)/R23 =VT×NT21/R23 であり、よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE24+R21×IC22 =VBE24+R21×IC23 =VBE24+R21(VT×NT21/R23) となる。ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であ
り、VBEは温度に対して負の特性を持つ。
Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. In the circuit of FIG. 2, the collector current I C23 of Q 23 is I C23 = (V BE24 −V BE23 ) / R 23 = VT × NT 21 / R 23 , and thus the output voltage V OUT is V OUT = V BE24 + R 21 × I C22 = V BE24 + R 21 × I C23 = V BE24 + R 21 (VT × NT 21 / R 23 ). Here, VT is a constant proportional to the absolute temperature T, and V BE has a negative characteristic with respect to temperature.

【0027】NT21=LN(IE24/IE23) IE24={(VOUT−VBE24)/R21}−IE25E25=(VBE24ーVBE25)/R24 =VT×NT22/R24 であり、NT21はR24の値により任意に温度特性を設定
できるようになる。
[0027] NT 21 = LN (I E24 / I E23) I E24 = {(V OUT -V BE24) / R 21} -I E25 I E25 = (V BE24 over V BE25) / R 24 = VT × NT 22 / R 24 , and NT 21 can arbitrarily set the temperature characteristics by the value of R 24 .

【0028】そのため、出力電圧VOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
Therefore, the output voltage V OUT can be obtained as an arbitrary voltage when the temperature dependence is to be reduced.

【0029】第3の発明の一実施例の定電圧発生回路に
ついて、図3を参照しながら詳しく説明する。
A constant voltage generating circuit according to an embodiment of the third invention will be described in detail with reference to FIG.

【0030】NPNトランジスタQ31のコレクタを一端
を出力に接続した抵抗R31とアンプの反転入力端子接続
し、Q31のエミッタを一端を接地した抵抗R33に接続
し、Q 31のベースを一端を出力に接続した抵抗R31とN
PNトランジスタQ32のコレクタ・ベースとNPNトラ
ンジスタQ33のコレクタ・ベースとアンプの非転入力端
子に接続し、Q32のエミッタを接地し、Q33のエミッタ
を一端を接地した抵抗R 34に接続し、アンプの出力を出
力に接続する構成である。
NPN transistor Q31One end of the collector
Resistor R connected to the output31And amplifier inverting input terminal connection
Then Q31Resistor R whose one end is grounded33Connected to
Then Q 31R with one end connected to the output31And N
PN transistor Q32Collector base and NPN tiger
Register Q33Collector-base and amplifier non-inverting input terminal
Connect to the child, Q32Ground the emitter of33The emitter of
Resistor R with one end grounded 34To the output of the amplifier.
It is a structure that connects to force.

【0031】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図3の回路で、NPNトランジ
スタQ31のコレクタ電流IC31は、 IC31=(VBE32−VBE31)/R33 =VT×NT31/R33 よって、出力電圧VOUTは、 VOUT=VBE32+R32×IC32 =VBE32+R32×IC31(R32/R31) =VBE32+R32(VT×NT31/R33)(R32/R31) ここで、VTは絶対温度Tに比例する定数であり、VBE
は温度に対して負の特性を持つ。また、 NT31=LN(IE32/IE31) IE32={(VOUT−VBE32)/R32}−IE33E33=(VBE32ーVBE33)/R34 =VT×NT32/R34 であり、NT31はR34の値により任意に温度特性を設定
できるようになる。
Next, the configuration of the present embodiment constructed as described above
The operation will be described. In the circuit of Figure 3, NPN transition
Star Q31Collector current IC31Is IC31= (VBE32-VBE31) / R33 = VT x NT31/ R33 Therefore, the output voltage VOUTIs VOUT= VBE32+ R32× IC32  = VBE32+ R32× IC31(R32/ R31) = VBE32+ R32(VT x NT31/ R33) (R32/ R31) Where VT is a constant proportional to absolute temperature T, and VBE
Has a negative characteristic with respect to temperature. Also, NT31= LN (IE32/ IE31) IE32= {(VOUT-VBE32) / R32} -IE33 IE33= (VBE32-VBE33) / R34 = VT x NT32/ R34 And NT31Is R34Temperature characteristics can be set arbitrarily by the value of
become able to.

【0032】そのため、出力電圧VOUTは、温度依存性
を小さくしようとしたとき、任意の電圧で、出力電圧を
得ることができる。
Therefore, the output voltage V OUT can be obtained as an arbitrary voltage when the temperature dependence is to be reduced.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上に詳述したように、本発明の定電圧
発生回路は、抵抗の値を適切に選ぶことにより、任意の
電圧で、温度依存性の小さい出力電圧を得ることができ
る。
As described above in detail, the constant voltage generating circuit of the present invention can obtain an output voltage having a small temperature dependency at an arbitrary voltage by appropriately selecting the resistance value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a constant voltage generating circuit of the first invention.

【図2】第2の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of a constant voltage generating circuit of the second invention.

【図3】第3の発明の定電圧発生回路における一実施例
の回路図
FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of a constant voltage generating circuit of a third invention.

【図4】従来例の回路図FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,I11 電流源 30 アンプ Q1〜Q5,Q11〜Q14,Q23〜Q26,Q31〜Q33 NP
Nトランジスタ Q21,Q22, PNPトランジスタ R1〜R4,R11〜R13,R21〜R24,R31〜R34 抵抗
I 1, I 11 current source 30 amplifier Q 1 ~Q 5, Q 11 ~Q 14, Q 23 ~Q 26, Q 31 ~Q 33 NP
N transistors Q 21, Q 22, PNP transistor R 1 ~R 4, R 11 ~R 13, R 21 ~R 24, R 31 ~R 34 resistance

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のNPNトランジスタのコレクタを
電源に接続し、第1のNPNトランジスタのエミッタを
出力に接続し、第1のトランジスタのベースを一端を電
源に接続した電流源と第2のNPNトランジスタのコレ
クタに接続し、その第2のNPNトランジスタのエミッ
タを接地し、第2のNPNトランジスタのベースを一端
を出力に接続した第1の抵抗と第3のNPNトランジス
タのコレクタに接続し、その第3のNPNトランジスタ
のエミッタを一端を接地した第3の抵抗に接続し、第3
のNPNトランジスタのベースを一端を出力に接続した
第2の抵抗と第4のNPNトランジスタのコレクタ・ベ
ースと第5のNPNトランジスタのコレクタ・ベースに
接続し、第4のNPNトランジスタのエミッタを接地
し、第5のNPNトランジスタのエミッタを一端を接地
した第4の抵抗に接続することを特徴とする定電圧発生
回路。
1. A current source having a collector of a first NPN transistor connected to a power supply, an emitter of the first NPN transistor connected to an output, and a base of the first transistor connected at one end to a power supply and a second source. The collector of the NPN transistor is connected, the emitter of the second NPN transistor is grounded, and the base of the second NPN transistor is connected to the collector of the first resistor and the collector of the third NPN transistor whose one end is connected to the output. The emitter of the third NPN transistor is connected to a third resistor whose one end is grounded,
The NPN transistor base is connected to the second resistor whose one end is connected to the output, the collector base of the fourth NPN transistor and the collector base of the fifth NPN transistor, and the emitter of the fourth NPN transistor is grounded. A constant voltage generating circuit characterized in that the emitter of the fifth NPN transistor is connected to a fourth resistor whose one end is grounded.
【請求項2】 第1のPNPトランジスタのエミッタを
電源に接続し、第1のPNPトランジスタのコレクタ・
ベースを第2のPNPトランジスタのベースと第6のN
PNトランジスタのベースと第3のNPNトランジスタ
のコレクタに接続し、第2のPNPトランジスタのエミ
ッタを電源に接続し、第2のPNPトランジスタのコレ
クタを出力に接続し、第6のNPNトランジスタのコレ
クタを電源に接続し、第6のNPNトランジスタのエミ
ッタを一端を接地した第2の抵抗に接続し、第3のNP
Nトランジスタのエミッタを一端を接地した第3の抵抗
に接続し、第3のNPNトランジスタのベースを一端を
出力に接続した第1の抵抗と第4のNPNトランジスタ
のコレクタ・ベースと第5のNPNトランジスタのコレ
クタ・ベースに接続し、第4のNPNトランジスタのエ
ミッタを接地し、第5のNPNトランジスタのエミッタ
を一端を接地した第4の抵抗に接続することを特徴とす
る定電圧発生回路。
2. The emitter of the first PNP transistor is connected to a power source, and the collector of the first PNP transistor is connected.
The base is the base of the second PNP transistor and the sixth N
The base of the PN transistor and the collector of the third NPN transistor are connected, the emitter of the second PNP transistor is connected to the power supply, the collector of the second PNP transistor is connected to the output, and the collector of the sixth NPN transistor is connected. Connected to a power supply, connected the emitter of the sixth NPN transistor to the second resistor whose one end is grounded, and connected the third NP
The emitter of the N-transistor is connected to a third resistor whose one end is grounded, and the base of the third NPN transistor is connected to the output of a first resistor, the collector-base of the fourth NPN transistor and the fifth NPN. A constant voltage generating circuit, which is connected to the collector / base of a transistor, the emitter of a fourth NPN transistor is grounded, and the emitter of a fifth NPN transistor is connected to a fourth resistor whose one end is grounded.
【請求項3】 第1のNPNトランジスタのコレクタを
一端を出力に接続した第1の抵抗とアンプの反転入力端
子に接続し、第1のNPNトランジスタのエミッタを一
端を接地した第3の抵抗に接続し、第1のNPNトラン
ジスタのベースを一端を出力に接続した第1の抵抗と第
2のNPNトランジスタのコレクタ・ベースと第3のN
PNトランジスタのコレクタ・ベースとアンプの非転入
力端子に接続し、第2のNPNトランジスタのエミッタ
を接地し、第3のNPNトランジスタのエミッタを一端
を接地した第4の抵抗に接続し、アンプの出力を出力に
接続することを特徴とする定電圧発生回路。
3. The collector of the first NPN transistor is connected to a first resistor whose one end is connected to the output and the inverting input terminal of the amplifier, and the emitter of the first NPN transistor is connected to a third resistor whose one end is grounded. A first resistor having the base of the first NPN transistor connected to the output and the collector / base of the second NPN transistor and the third N
The collector / base of the PN transistor and the non-inverting input terminal of the amplifier are connected, the emitter of the second NPN transistor is grounded, and the emitter of the third NPN transistor is connected to the fourth resistor whose one end is grounded. A constant voltage generation circuit characterized in that the output is connected to the output.
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