JPH08213541A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH08213541A
JPH08213541A JP7294116A JP29411695A JPH08213541A JP H08213541 A JPH08213541 A JP H08213541A JP 7294116 A JP7294116 A JP 7294116A JP 29411695 A JP29411695 A JP 29411695A JP H08213541 A JPH08213541 A JP H08213541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
lead
semiconductor
semiconductor chips
bump electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7294116A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2581532B2 (en
Inventor
Masayuki Watanabe
昌行 渡辺
Toshio Sugano
利夫 菅野
Seiichiro Tsukui
誠一郎 津久井
Takashi Ono
貴司 小野
Yoshiaki Wakashima
喜昭 若島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Akita Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Consumer Electronics Co Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP7294116A priority Critical patent/JP2581532B2/en
Publication of JPH08213541A publication Critical patent/JPH08213541A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2581532B2 publication Critical patent/JP2581532B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE: To enhance semiconductor chips provided on a module board in mounting density by a method wherein bump electrodes of different functions are provided so as not to confront each other, and the semiconductor chips connected to different leads are formed into groups. CONSTITUTION: Eight semiconductor chips 4A and 4B and eight semiconductor chips 4C and 4D are mounted on the front and rear of a module board 1 respectively. The semiconductor chips 4A to 4D are made to form an SRAM, and the surfaces of the semiconductor chips where semiconductor elements or wirings are provided are molded with silicone rubber or resin 7. Bump electrodes 6 of solder, Au or the like are provided on the semiconductor chips 4A to 4D respectively, and leads 5A to 5D are connected to the bump electrodes 6 through a TAB method. The semiconductor chip 4A is stacked on the semiconductor chip 4B, the leads 5A and 5B of them of the same function are connected together with solder. On the rear side of the module board 1, the semiconductor chips 4C and 4D and leads 5C and 5D are disposed the same as above. A semiconductor chip of different function from the other semiconductor chips is a decoder 3, and one selected out of eight semiconductor chips is made to serve as a decoder on both the front and rear of a module board.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関す
るものであり、特に、半導体チップをモジュール化して
モジュール基板に複数個搭載して構成した半導体装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, it relates to a semiconductor device formed by modularizing a plurality of semiconductor chips and mounting them on a module substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】搭載基板(モジュール基板)に、半導体
チップを封止したパッケージを複数個搭載することによ
り構成した実装密度の高い半導体装置が、日経マグロウ
ヒル社発行、日経エレクトロニクス別冊、no.2「マ
イクロデバイセズ」p150に示されている。
2. Description of the Related Art A semiconductor device having a high packaging density, which is formed by mounting a plurality of packages in which semiconductor chips are encapsulated on a mounting substrate (module substrate), is published by Nikkei McGraw-Hill Co., Nikkei Electronics Supplement, no. 2 “Microdevices” p150.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記半導
体装置を検討した結果、次の問題点を見出した。
The present inventor has found the following problems as a result of examining the semiconductor device.

【0004】前記パッケージは、それ自体の大きさを縮
小することが困難であるため、モジュール基板上の半導
体チップの実装密度を高めることが難しい。
Since it is difficult to reduce the size of the package itself, it is difficult to increase the packaging density of semiconductor chips on the module substrate.

【0005】本発明の目的は、半導体装置の実装密度を
高めることにある。
An object of the present invention is to increase the mounting density of a semiconductor device.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0008】すなわち、半導体チップのバンプ電極をリ
ードに接続し、該リードを有する半導体チップを複数
個、モジュール基板の配線に接続して半導体装置を構成
する。
That is, the bump electrode of the semiconductor chip is connected to the lead, and a plurality of semiconductor chips having the lead are connected to the wiring of the module substrate to form a semiconductor device.

【0009】上述した手段によれば、半導体チップがパ
ッケージで封止されていないので、モジュール基板上の
半導体チップの実装密度を高めることができる。
According to the above-mentioned means, since the semiconductor chip is not sealed with the package, the mounting density of the semiconductor chip on the module substrate can be increased.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(実施の形態1)以下、本発明の実施の形態1を図面を
用いて説明する。
(Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0011】図1は、本発明の実施の形態1の半導体装
置の概略構成を示した平面図、図2は、前記半導体装置
の概略構成を示した側面図、図3は、前記半導体装置の
概略構成を示した正面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the semiconductor device, and FIG. 3 is a diagram showing the semiconductor device. It is the front view which showed schematic structure.

【0012】図1乃至図3において、1は積層セラミッ
クによってセラミック層と配線層とを複数層積層して構
成したモジュール基板であり、この表面及び裏面のそれ
ぞれに8個の半導体チップ4A,4B,4C,4Dを搭
載している。半導体チップ4A,4B,4C,4Dは、
例えば、スタティクRAMが構成されたものであり、ま
たセラミックや樹脂等からなるパッケージによって封止
されておらず、半導体素子や配線が施されている方の面
をレジン7でモールドした構造となっている。
In FIG. 1 to FIG. 3, reference numeral 1 denotes a module substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers and wiring layers made of laminated ceramics, and eight semiconductor chips 4A, 4B, respectively on the front surface and the back surface. It is equipped with 4C and 4D. The semiconductor chips 4A, 4B, 4C and 4D are
For example, a static RAM is configured, and it is not sealed by a package made of ceramic, resin, or the like, and has a structure in which the surface on which the semiconductor element or wiring is provided is molded with the resin 7. There is.

【0013】半導体チップ4A,4B,4C,4Dのそ
れぞれには、半田や金等からなるバンプ電極6が設けら
れており、このバンプ電極6にTAB(Tape Automated
Bonding)でリード5A,5B,5C,5Dがそれぞれ
接続している。半導体チップ4Aは、それぞれのリード
5Aを半導体チップ4Bのリード5Bに例えば半田で接
続することにより、半導体チップ4Bの上に積層されて
いる。つまり、例えば、半導体チップ4Aにアドレス信
号を入力するためのリード5Aは、半導体チップ4Bに
アドレス信号を入力するためのリード5Bに接続してい
る。
Each of the semiconductor chips 4A, 4B, 4C and 4D is provided with a bump electrode 6 made of solder, gold or the like, and the bump electrode 6 is provided with TAB (Tape Automated).
The leads 5A, 5B, 5C, and 5D are connected by bonding. The semiconductor chip 4A is stacked on the semiconductor chip 4B by connecting the respective leads 5A to the leads 5B of the semiconductor chip 4B by, for example, soldering. That is, for example, the lead 5A for inputting an address signal to the semiconductor chip 4A is connected to the lead 5B for inputting an address signal to the semiconductor chip 4B.

【0014】同様に、半導体チップ4Aのデータの入出
力を行うためのリード5Aは、半導体チップ4Bのデー
タの入出力を行うためのリード5Bに接続している。す
なわち、それぞれのリード5Aとリード5Bにおいて、
同一機能を有するもの同志を、例えば半田で接続してい
る。それぞれのリード5Bは、モジュール基板1内の配
線(図示していない)を通してデコーダ3及びリード2
に接続している。
Similarly, the lead 5A for inputting / outputting data of the semiconductor chip 4A is connected to the lead 5B for inputting / outputting data of the semiconductor chip 4B. That is, in each lead 5A and lead 5B,
Those having the same function are connected by, for example, solder. Each of the leads 5B is connected to the decoder 3 and the leads 2 through wiring (not shown) in the module substrate 1.
Connected to

【0015】ただし、半導体チップ4Aにチップセレク
ト信号を入力するためのリード5A1は、半導体チップ
4Bにチップセレクト信号を入力するためのリード5B
1と接続することなく、デコーダ3のリード3Aに接続
している。また、リード5B1は、前記リード5A1が接
続しているリード3Aと異なるリード3Aに接続してい
る。デコーダ3によって8個の半導体チップ4A,4B
の中から1つの半導体チップ4A又は4Bを選択するよ
うにしている。
However, the lead 5A 1 for inputting the chip select signal to the semiconductor chip 4A is the lead 5B for inputting the chip select signal to the semiconductor chip 4B.
It is connected to the lead 3A of the decoder 3 without being connected to 1 . The lead 5B 1 is connected to a lead 3A different from the lead 3A to which the lead 5A 1 is connected. Eight semiconductor chips 4A, 4B by the decoder 3
One semiconductor chip 4A or 4B is selected from among the above.

【0016】半導体チップ4Dのそれぞれのリード5D
を半導体チップ4Cのリード5Cに、例えば半田で接続
することにより、半導体チップ4Cの上に半導体チップ
4Dを搭載している。それぞれのリード5Cは、モジュ
ール基板1内の配線を通してデコーダ3又はリード2に
接続している。
Each lead 5D of the semiconductor chip 4D
The semiconductor chip 4D is mounted on the semiconductor chip 4C by connecting to the lead 5C of the semiconductor chip 4C by, for example, soldering. Each lead 5C is connected to the decoder 3 or the lead 2 through the wiring in the module substrate 1.

【0017】ただし、半導体チップ4Dのチップセレク
ト信号を入力するためのリード5D1は、半導体チップ
4Cのチップセレクト信号を入力するためのリード5C
1と接続せずに、直接デコーダ3のリード3Aに接続し
ている。また、リード5C1はデコーダ3の前記リード
5D1が接続しているリード3Aと異なるリード3Aに
接続している。デコーダ3によって8個の半導体チップ
4C,4Dの中から1個の半導体チップ4C又は4Dを
選択する。半導体チップ4A,4B,4C,4Dのそれ
ぞれの主面、すなわち半導体素子や配線が施されている
面は、シリコーンゴム7又はレジン7でモールドしてい
る。
However, the lead 5D 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4D is the lead 5C for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4C.
Instead of connecting to 1 , it is directly connected to the lead 3A of the decoder 3. The lead 5C 1 is connected to the leads 3A different from the leads 3A of the lead 5D 1 decoder 3 is connected. The decoder 3 selects one semiconductor chip 4C or 4D from the eight semiconductor chips 4C and 4D. The main surface of each of the semiconductor chips 4A, 4B, 4C, and 4D, that is, the surface on which the semiconductor element and wiring are provided, is molded with silicone rubber 7 or resin 7.

【0018】以上、説明したように、パッケージで封止
せずに、TABでリード5A,5B,5C,5Dが接続
された半導体チップ4A,4B,4C,4Dをそれぞれ
モジュール基板1に搭載して半導体装置を構成している
ことにより、1個の半導体チップ4A,4B,4C,4
Dがモジュール基板1上に占める面積を小さくできるの
で、モジュール基板1に多くの半導体チップ4A,4
B,4C,4Dを搭載できる。すなわち、半導体装置の
実装密度を高くすることができる。
As described above, the semiconductor chips 4A, 4B, 4C, and 4D to which the leads 5A, 5B, 5C, and 5D are connected by the TAB are mounted on the module substrate 1 without being sealed with the package, and the semiconductors are mounted. By configuring the device, one semiconductor chip 4A, 4B, 4C, 4
Since the area occupied by D on the module substrate 1 can be reduced, many semiconductor chips 4A, 4 can be mounted on the module substrate 1.
B, 4C, 4D can be mounted. That is, the packaging density of the semiconductor device can be increased.

【0019】また、半導体チップ4Bの上に半導体チッ
プ4Aを積層し、また半導体チップ4Cの上に半導体チ
ップ4Dを積層していることにより、モジュール基板1
を大きくすることなく、多くの半導体チップ4A,4
B,4C,4Dを搭載することができる。
Also, the semiconductor chip 4A is laminated on the semiconductor chip 4B, and the semiconductor chip 4D is laminated on the semiconductor chip 4C.
Without increasing the number of semiconductor chips 4A, 4
B, 4C, 4D can be mounted.

【0020】次に、実施の形態1の変形例を説明する。Next, a modification of the first embodiment will be described.

【0021】図4は、実施の形態1の変形例を説明する
ためのモジュール基板1の一部の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a part of the module substrate 1 for explaining a modification of the first embodiment.

【0022】図4に示すように、半導体チップ4Aの上
にさらに半導体チップ4Eを搭載するようにしてもよ
い。5Eは半導体チップ4Eのリードであり、リード5
Aに接続している。
As shown in FIG. 4, a semiconductor chip 4E may be further mounted on the semiconductor chip 4A. 5E is a lead of the semiconductor chip 4E.
Connected to A.

【0023】ただし、半導体チップ4Eにチップセレク
ト信号を入力するためのリード5E1は、リード5A1
5B1と接続せずに、デコーダ3のリード5A1,5B1
が接続しているリード3Aと異なるリード3Aに接続し
ている。モジュール基板1の裏面は示していないが、裏
面においても同様に、半導体チップ4Dの上にさらに半
導体チップを搭載して、3個を積層した構造とする。
However, the lead 5E 1 for inputting the chip select signal to the semiconductor chip 4E is the lead 5A 1 ,
5B 1 leads 5A 1 and 5B 1 of the decoder 3 without being connected to 5B 1.
Is connected to a lead 3A different from the lead 3A connected to. Although the back surface of the module substrate 1 is not shown, similarly, on the back surface, a semiconductor chip is further mounted on the semiconductor chip 4D and three semiconductor chips are stacked.

【0024】(実施の形態2)図5は、本発明の実施の
形態2の半導体装置の正面図である。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a front view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0025】図5において、モジュール基板1の表面の
1Aは接続端子であり、1Bは裏面の接続端子である。
この実施の形態では、モジュール基板1の表面に半導体
チップ4B,4A,4Eの3個を1組とし、これを4組
配置している。裏面も同様に、半導体チップ4C,4
D,4Fの3個を1組とし、これを4組配置している。
In FIG. 5, 1A on the front surface of the module substrate 1 is a connection terminal, and 1B is a connection terminal on the back surface.
In this embodiment, one set of three semiconductor chips 4B, 4A, and 4E is arranged on the surface of the module substrate 1, and four sets are arranged. Similarly, on the back side, the semiconductor chips 4C, 4
Three sets of D and 4F are set as one set, and four sets are arranged.

【0026】実施の形態2は、半導体チップ4B,4
A,4E,4C,4D,4Fのそれぞれの主面、すなわ
ち半導体素子や配線が施され、レジン7で覆れている面
をモジュール基板1に向けることによって、リード5
A,5B,5E,5C,5D,5Fの長さを短くしてい
る。
In the second embodiment, the semiconductor chips 4B, 4
By directing the main surfaces of A, 4E, 4C, 4D, and 4F, that is, the surfaces on which the semiconductor elements and wiring are provided and covered with the resin 7 to the module substrate 1, the leads 5
The lengths of A, 5B, 5E, 5C, 5D and 5F are shortened.

【0027】(実施の形態3)図6は、本発明の実施の
形態3の半導体装置の側面図、図7は、前記半導体装置
の正面図である。
(Third Embodiment) FIG. 6 is a side view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a front view of the semiconductor device.

【0028】本発明の実施の形態3は、モジュール基板
1の表面に搭載される半導体チップ4Aは、その裏面を
モジュール基板1の方へ向け、モジュール基板1の裏面
に搭載されている半導体チップ4Cは、それの主面をモ
ジュール基板1の方へ向けたものである。このようにす
ることにより、半導体装置を半導体チップ4Bの方から
見たとき、半導体チップ4Bのリード5Bと、半導体チ
ップ4Cのリード5Cとで同一機能のものが重なるよう
にしている。それぞれの重なった同一機能のリード5B
と5Cを、モジュール基板1の貫通配線(スルーホール
配線)8によって接続している。
In the third embodiment of the present invention, the semiconductor chip 4A mounted on the front surface of the module substrate 1 faces the module substrate 1 with the back surface thereof facing the module substrate 1, and the semiconductor chip 4C mounted on the back surface of the module substrate 1. Has its main surface facing the module substrate 1. By doing so, when the semiconductor device is viewed from the semiconductor chip 4B, the leads 5B of the semiconductor chip 4B and the leads 5C of the semiconductor chip 4C have the same function. Reed 5B with the same function
And 5C are connected by a through wiring (through hole wiring) 8 of the module substrate 1.

【0029】つまり、それぞれのリード5Bを1本ず
つ、そのリード5Bと同一機能を有するリード5Cへ貫
通配線8で接続することにより、例えば、半導体チップ
4Bにアドレス信号を入力させるリード5Bは、貫通配
線8を通して、半導体チップ4Cにアドレス信号を入力
させるためのリード5Cに接続している。同様に、半導
体チップ4Bのデータの入出力端子であるそれぞれのリ
ード5Bは、貫通配線8を通して、半導体チップ4Cの
データの入出力端子であるリード5Cに接続している。
That is, by connecting each lead 5B to the lead 5C having the same function as the lead 5B by the through wiring 8, for example, the lead 5B for inputting an address signal to the semiconductor chip 4B is Through the wiring 8, it is connected to the lead 5C for inputting the address signal to the semiconductor chip 4C. Similarly, each lead 5B which is an input / output terminal of data of the semiconductor chip 4B is connected to the lead 5C which is an input / output terminal of data of the semiconductor chip 4C through the through wiring 8.

【0030】ただし、半導体チップ4Bのチップセレク
ト信号を入力するためのリード5B1と、半導体チップ
4Cのチップセレクト信号を入力するためのリード5C
1は貫通配線8で接続しておらず、リード5B1はモジュ
ール基板1の表面に設けたデコーダ3に接続され、リー
ド5C1はモジュール基板1の裏面のデコーダ3に接続
している。
However, the lead 5B 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4B and the lead 5C for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4C.
1 is not connected by the through wiring 8, the lead 5B 1 is connected to the decoder 3 provided on the front surface of the module substrate 1, and the lead 5C 1 is connected to the decoder 3 on the back surface of the module substrate 1.

【0031】ここで、本実施の形態におけるモジュール
基板1は、例えばガラスエポキシ等の樹脂からなる単層
構造となっており、内部には貫通配線8以外の配線を設
けていない。ただし、モジュール基板1の表面及び裏面
には、半導体チップ4B、4Cとリード2の間を接続す
る配線あるいはデコーダ3(図6、図7には図示してい
ない)と半導体チップ4B、4Cの間を接続する配線等
が設けられている。貫通配線8は、モジュール基板1に
例えばドリル等で貫通孔を開けた後、例えば蒸着や無電
界メッキ等で例えば銅層をメッキして形成したものであ
る。
Here, the module substrate 1 according to the present embodiment has a single-layer structure made of resin such as glass epoxy, and no wiring other than the through wiring 8 is provided inside. However, on the front surface and the back surface of the module substrate 1, between the wiring for connecting the semiconductor chips 4B, 4C and the leads 2 or the decoder 3 (not shown in FIGS. 6 and 7) and the semiconductor chips 4B, 4C. Wiring and the like for connecting the. The through wiring 8 is formed by forming a through hole in the module substrate 1 by, for example, a drill, and then plating a copper layer by, for example, vapor deposition or electroless plating.

【0032】以上のように、同一機能のリード5Bと5
Cを貫通配線8で接続することにより、モジュール基板
1内に貫通配線8以外の配線を設けないようにして単層
構造としたので、モジュール基板1の信頼性を高めるこ
とができる。
As described above, the leads 5B and 5 having the same function
By connecting C with the through wiring 8, a wiring other than the through wiring 8 is not provided in the module substrate 1 to form a single layer structure, so that the reliability of the module substrate 1 can be improved.

【0033】また、同一機能のリード5Bと5Cを貫通
配線8で接続したことにより、モジュール基板1の表面
及び裏面に設けられる配線の本数を低減することができ
る。
Moreover, since the leads 5B and 5C having the same function are connected by the through wiring 8, the number of wirings provided on the front surface and the back surface of the module substrate 1 can be reduced.

【0034】なお、モジュール基板1及び貫通配線8
は、積層セラミックによって形成してもよい。この場合
は、半導体チップ4B、4Cとリード2を接続する配
線、半導体チップ4B、4Cとデコーダ3を接続する配
線等がモジュール基板1内に埋め込まれる。しかし、そ
れらの配線の本数は、貫通配線8を設けたことにより、
例えばモジュール基板1の表面の半導体チップ4Bをリ
ード2、デコーダ3に接続する配線のみを設ければよい
ので、埋め込まれる配線の本数を大幅に少なくすること
ができ、したがって、モジュール基板1の信頼性を高く
することができる。
The module substrate 1 and the through wiring 8
May be formed of laminated ceramics. In this case, the wiring that connects the semiconductor chips 4B and 4C to the lead 2, the wiring that connects the semiconductor chips 4B and 4C to the decoder 3, and the like are embedded in the module substrate 1. However, the number of these wirings is
For example, since only the wiring that connects the semiconductor chip 4B on the surface of the module substrate 1 to the leads 2 and the decoder 3 needs to be provided, the number of embedded wirings can be significantly reduced, and therefore the reliability of the module substrate 1 can be improved. Can be higher.

【0035】(実施の形態4)図8は、本発明の実施の
形態4における2個の半導体チップの平面図、図9は、
図8に示した2個の半導体チップを向かい合わせて同一
のリードに接続し、これをIの方向から見たときの側面
図、図10は、同一のリードに接続した2個の半導体チ
ップをIIの方向から見たときの側面図である。
(Fourth Embodiment) FIG. 8 is a plan view of two semiconductor chips according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG.
8 is a side view of the two semiconductor chips shown in FIG. 8 that are faced to each other and connected to the same lead, and is viewed from the direction I. FIG. 10 shows the two semiconductor chips connected to the same lead. It is a side view when it sees from the direction of II.

【0036】本発明の実施の形態4は、半導体チップ4
Aではバンプ電極6Aを左上角から順次配置し、バンプ
電極6Aと同一機能のバンプ電極6Bを半導体チップ4
Bでは右上角から配置している。すなわち、半導体チッ
プ4Aのバンプ電極6A2…6AN-1、6AN、6AN+1
6AN+Mと、半導体チップ4Bの6B2…6BN-1、6BN
…6BN+1、6BN+Mにおいて、添字が同じものは同一機
能のバンプ電極である。
The fourth embodiment of the present invention is a semiconductor chip 4
In A, the bump electrodes 6A are sequentially arranged from the upper left corner, and the bump electrodes 6B having the same function as the bump electrodes 6A are connected to the semiconductor chip 4
In B, they are arranged from the upper right corner. That is, the bump electrodes 6A 2 ... 6A N-1 of the semiconductor chip 4A, 6A N, 6A N + 1 ...
6A N + M and 6B 2 of the semiconductor chip 4B ... 6B N-1 , 6B N
In 6B N + 1 and 6B N + M , those having the same subscript are bump electrodes having the same function.

【0037】そして、半導体チップ4Bの主面が半導体
チップ4Aの主面と対面するようにして重ねたとき、半
導体チップ4Bのバンプ電極6B2…6BN-1、6BN
6BN +1、6BN+Mが、半導体チップ4Aのバンプ電極6
2…6AN-1、6AN、6AN+ 1…6AN+Mに重なるよう
に、それらのバンプ電極6A、6Bを対称的に配置して
いる。これらの対称的に配置されたバンプ電極6A、6
Bは、同一のリード5に接続している。ただし、半導体
チップ4Aのチップセレクト信号を入力するためのバン
プ電極6A1と、半導体チップ4Bのチップセレクト信
号を入力するためのバンプ電極6B1は重ならないよう
に配置をずらし、別々のリード5に接続している。
When the semiconductor chip 4B and the main surface of the semiconductor chip 4A are overlapped so as to face the main surface of the semiconductor chip 4A, the bump electrodes 6B 2 ... 6B N-1 , 6B N ...
6B N +1 and 6B N + M are bump electrodes 6 of the semiconductor chip 4A.
A 2 ... 6A N-1, 6A N, so as to overlap the 6A N + 1 ... 6A N + M, their bump electrodes 6A, are arranged 6B the symmetrically. These symmetrically arranged bump electrodes 6A, 6
B is connected to the same lead 5. However, the bump electrode 6A 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4A and the bump electrode 6B 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4B are staggered so as not to overlap each other, and the bump electrodes 6A 1 and Connected.

【0038】9は絶縁材であり、バンプ電極6A1が接
続しているリード5を半導体チップ4Bから絶縁し、ま
たバンプ電極6B1が接続しているリード5を半導体チ
ップ4Aから絶縁している。なお、リード5は、半導体
チップ4Aと4Bを向かい合わせてリード5に接続した
あとに、適正な形状に成型する。そして、半導体チップ
4Aと4Bを1組として、モジュール基板1の表面及び
裏面に複数組ずつ配置する。
An insulating material 9 insulates the lead 5 connected to the bump electrode 6A 1 from the semiconductor chip 4B, and insulates the lead 5 connected to the bump electrode 6B 1 from the semiconductor chip 4A. . The lead 5 is formed into an appropriate shape after the semiconductor chips 4A and 4B are faced to each other and connected to the lead 5. A plurality of semiconductor chips 4A and 4B are arranged on the front surface and the back surface of the module substrate 1, respectively.

【0039】以上のように、バンプ電極6Aと6Bの配
置を対称にして、同一のリード5に接続したことによ
り、モジュール基板1上における半導体チップ4A、4
Bの実装密度を2倍にすることができる。
As described above, by arranging the bump electrodes 6A and 6B symmetrically and connecting them to the same lead 5, the semiconductor chips 4A, 4 on the module substrate 1 are connected.
The mounting density of B can be doubled.

【0040】なお、図11及び図12に示すように、半
導体チップ4Aのバンプ電極6A1と、半導体チップ4
Bのバンプ電極6B1を対称位置すなわち半導体チップ
4Bを半導体チップ4Aに重ねたとき、それらバンプ電
極6A1、6B1が重なるように配置してもよい。ただ
し、バンプ電極6A1が接続しているリード5と、バン
プ電極6B1が接続しているリード5は重ねられるが、
それらの間は絶縁材9で絶縁する。
As shown in FIGS. 11 and 12, the bump electrodes 6A 1 of the semiconductor chip 4A and the semiconductor chip 4 are
The B bump electrodes 6B 1 may be arranged at symmetrical positions, that is, when the semiconductor chip 4B is overlaid on the semiconductor chip 4A, the bump electrodes 6A 1 and 6B 1 may overlap. However, the lead 5 to which the bump electrode 6A 1 is connected and the lead 5 to which the bump electrode 6B 1 is connected are overlapped,
The insulating material 9 insulates between them.

【0041】なお、図11は重ね合わせられる2個の半
導体チップ4Aと4Bの平面図、図12は半導体チップ
4A、4Bを向き合わせて同一のリード5に接続し、そ
れを半導体チップ4AのIの方向から見たときの側面図
である。
FIG. 11 is a plan view of the two semiconductor chips 4A and 4B which are superposed, and FIG. 12 shows the semiconductor chips 4A and 4B facing each other and connected to the same lead 5, which is I of the semiconductor chip 4A. It is a side view when it sees from the direction.

【0042】以上、本発明を実施の形態にもとづき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種
々変更可能であることは言うまでもない。
The present invention has been specifically described above based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0043】[0043]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0044】パッケージで封止せずに、TABでリード
が接続された半導体チップを複数個モジュール基板に搭
載して半導体装置を構成したことにより、1個の半導体
チップがモジュール基板上に占める面積を小さくできる
ので、モジュール基板に多くの半導体チップを搭載でき
る。すなわち、半導体装置の実装密度を高くすることが
できる。
Since a semiconductor device is constructed by mounting a plurality of semiconductor chips to which leads are connected by TAB on a module substrate without encapsulating with a package, the area occupied by one semiconductor chip on the module substrate can be reduced. Therefore, many semiconductor chips can be mounted on the module substrate. That is, the packaging density of the semiconductor device can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の半導体装置の概略構成
を示した平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】前記半導体装置の概略構成を示した側面図。FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the semiconductor device.

【図3】前記半導体装置の概略構成を示した正面図。FIG. 3 is a front view showing a schematic configuration of the semiconductor device.

【図4】実施の形態1の変形例を説明するためのモジュ
ール基板1の一部の斜視図。
FIG. 4 is a perspective view of a part of the module substrate 1 for explaining a modified example of the first embodiment.

【図5】本発明の実施の形態2の半導体装置の正面図。FIG. 5 is a front view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態3の半導体装置の側面図。FIG. 6 is a side view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】前記半導体装置の正面図。FIG. 7 is a front view of the semiconductor device.

【図8】本発明の実施の形態4における2個の半導体チ
ップの平面図。
FIG. 8 is a plan view of two semiconductor chips according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】図8に示した2個の半導体チップを向かい合わ
せて同一のリードに接続し、これをIの方向から見たと
きの側面図。
9 is a side view when the two semiconductor chips shown in FIG. 8 are faced to each other and connected to the same lead, and viewed from the direction I. FIG.

【図10】同一のリードに接続した2個の半導体チップ
をIIの方向から見たときの側面図。
FIG. 10 is a side view when two semiconductor chips connected to the same lead are viewed from a direction II.

【図11】重ね合わせられる2個の半導体チップ4Aと
4Bの平面図。
FIG. 11 is a plan view of two semiconductor chips 4A and 4B which are superposed on each other.

【図12】半導体チップ4A,4Bを向き合わせて同一
のリード5に接続し、それを半導体チップ4AのIの方
向から見たときの側面図である。
FIG. 12 is a side view when the semiconductor chips 4A and 4B are faced to each other and connected to the same lead 5, and viewed from the direction I of the semiconductor chip 4A.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…モジュール基板、2,3A,5A,5B,5C,5
D,5E,5F…リード、3…デコーダ、4A,4B,
4C,4D…半導体チップ、6A,6B…バンプ電極、
7…シリコーンゴム又はレジン、8…貫通配線、9…絶
縁材。
1 ... Module substrate, 2, 3A, 5A, 5B, 5C, 5
D, 5E, 5F ... Read, 3 ... Decoder, 4A, 4B,
4C, 4D ... Semiconductor chips, 6A, 6B ... Bump electrodes,
7 ... Silicone rubber or resin, 8 ... Penetration wiring, 9 ... Insulating material.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年12月11日[Submission date] December 11, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【書類名】 明細書[Document name] Statement

【発明の名称】 半導体装置Title: Semiconductor device

【特許請求の範囲】 1.第1の半導体チップと第2の半導体チップとの同一
機能を有するバンプ電極の配置を対称とすることによ
り、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを対向
させた状態で、前記同一機能を有するバンプ電極を夫々
対向させて同一のリードに接続し、 第1の半導体チップと第2の半導体チップとの異なる機
能を有するバンプ電極の配置を非対称とし、第1の半導
体チップと第2の半導体チップとを対向させた状態で、
前記異なる機能を有するバンプ電極を夫々対向させずに
異なるリードに接続した半導体チップの組を構成したこ
とを特徴とする半導体装置。 2.第1の半導体チップと第2の半導体チップとの同一
機能を有するバンプ電極の配置を対称とすることによ
り、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを対向
させた状態で、前記同一機能を有するバンプ電極を夫々
対向させて同一のリードに接続し、 第1の半導体チップと第2の半導体チップとの異なる機
能を有するバンプ電極の配置を非対称とし、第1の半導
体チップと第2の半導体チップとを対向させた状態で、
前記異なる機能を有するバンプ電極を夫々対向させずに
異なるリードに接続した半導体チップの組を搭載基板に
複数組搭載し、 可撓性のリードの一端が前記半導体チップのバンプ電極
に接続させ、前記リードの他端が前記搭載基板に形成さ
れた配線に導通させて構成したことを特徴とする半導体
装置。 3.前記半導体チップの組を、搭載基板の一方の面と他
方の面の両面に夫々搭載し、前記リードの内、同一機能
を有するリードを共通した配線に導通させ、機能の異な
るリードを独立させて対応する各配線に導通させて構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の半
導体装置。 4.第1の半導体チップと第2の半導体チップとの異な
る機能を有するバンプ電極と絶縁体とを対称に配置し、
第1の半導体チップと第2の半導体チップとを対向させ
た状態で、前記機能の異なるバンプ電極と絶縁材とを夫
々対向させていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項乃至第3項の何れか一項に記載の半導体装置。
[Claims] 1. By symmetrically arranging the bump electrodes having the same function of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, the same function is provided in a state where the first semiconductor chip and the second semiconductor chip face each other. And the bump electrodes having different functions are connected to the same lead by facing each other. The arrangement of the bump electrodes having different functions between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is asymmetrical. While facing the semiconductor chip,
A semiconductor device comprising a set of semiconductor chips in which the bump electrodes having different functions are connected to different leads without facing each other. 2. By symmetrically arranging the bump electrodes having the same function of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, the same function is provided in a state where the first semiconductor chip and the second semiconductor chip face each other. And the bump electrodes having different functions are connected to the same lead by facing each other. The arrangement of the bump electrodes having different functions between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is asymmetrical. While facing the semiconductor chip,
A plurality of sets of semiconductor chips connected to different leads without facing the bump electrodes having different functions are mounted on a mounting substrate, and one end of a flexible lead is connected to a bump electrode of the semiconductor chip, A semiconductor device characterized in that the other end of the lead is electrically connected to a wiring formed on the mounting substrate. 3. The set of semiconductor chips is mounted on both sides of one side and the other side of a mounting substrate, and among the leads, leads having the same function are conducted to a common wiring, and leads having different functions are made independent. 3. The semiconductor device according to claim 2 , wherein the semiconductor device is configured to be electrically connected to each corresponding wiring. 4. Bump electrodes and insulators having different functions from the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are arranged symmetrically,
2. The method according to claim 1, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are opposed to each other, and the bump electrodes having different functions and the insulating material are opposed to each other .
The semiconductor device according to any one of items 1 to 3 .

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関す
るものであり、特に、半導体チップを搭載基板に複数個
搭載してモジュール化した半導体装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a plurality of semiconductor chips on a mounting substrate.
The present invention relates to a semiconductor device mounted and modularized .

【0002】[0002]

【従来の技術】パッケージに封止した半導体チップを、
搭載基板(モジュール基板)に複数個搭載して構成した
実装密度の高い半導体装置が、日経マグロウヒル社発
行、日経エレクトロニクス別冊、no.2「マイクロデ
バイセズ」p150に示されている。
2. Description of the Related Art A semiconductor chip sealed in a package is
A semiconductor device having a high mounting density constituted by mounting a plurality of devices on a mounting substrate (module substrate) is published by Nikkei McGraw-Hill, Nikkei Electronics Supplement, no. 2 “Microdevices” p150.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記半導
体装置を検討した結果、次の問題点を見出した。
The present inventor has found the following problems as a result of examining the semiconductor device.

【0004】前記パッケージは、それ自体の大きさを縮
小することに限界があるため、モジュール基板上の半導
体チップの実装密度を高めることが難しい。
[0004] Since there is a limit in reducing the size of the package itself, it is difficult to increase the mounting density of semiconductor chips on a module substrate.

【0005】本発明の目的は、半導体装置の実装密度を
高めることにある。
An object of the present invention is to increase the mounting density of a semiconductor device.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0008】すなわち、半導体チップのバンプ電極をリ
ードに接続し、該リードを有する半導体チップを複数
個、モジュール基板の配線に接続して半導体装置を構成
する。
That is, the bump electrode of the semiconductor chip is connected to the lead, and a plurality of semiconductor chips having the lead are connected to the wiring of the module substrate to form a semiconductor device.

【0009】上述した手段によれば、半導体チップがパ
ッケージで封止されていないので、モジュール基板上の
半導体チップの実装密度を高めることができる。
According to the above-mentioned means, since the semiconductor chip is not sealed with the package, the mounting density of the semiconductor chip on the module substrate can be increased.

【0010】以下、本発明の実施の形態を図面を用いて
説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
explain.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】先ず、本発明の前提となる技術で
ある前記半導体装置のモジュール基板への実装技術につ
いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First of all, the technology which is the premise of the present invention
There is a technology for mounting the semiconductor device on a module substrate.
And explain.

【0012】(実装技術1)図1は、半導体装置のモジ
ュール基板実装状態を示す平面図、図2は、図1に示す
半導体装置の正面図、図3は、図1に示す半導体装置を
拡大して示す側面図である。
(Mounting Technology 1) FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor device.
FIG. 2 is a plan view showing a mounted state of the tool board.
FIG. 3 is a front view of the semiconductor device, and FIG. 3 shows the semiconductor device shown in FIG.
It is a side view which expands and shows .

【0013】図1乃至図3において、1は積層セラミッ
クによってセラミック層と配線層とを複数層積層して構
成したモジュール基板であり、この表面及び裏面のそれ
ぞれに8個の半導体チップ4A,4B及び8個の半導体
チップ4C,4Dを搭載している。半導体チップ4A,
4B,4C,4Dは、例えば、スタティクRAMが構成
されたものであり、セラミックや樹脂等からなるパッケ
ージによって封止されておらず、半導体素子や配線が
成されている面をシリコーンゴム7又はレジン7でモー
ルドした構造となっている。
In FIG. 1 to FIG. 3, reference numeral 1 denotes a module substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers and wiring layers by a laminated ceramic, and eight semiconductor chips 4A, 4B and 8 semiconductors
Chips 4C and 4D are mounted. Semiconductor chip 4A,
4B, 4C, 4D, for example, which Sutatiku RAM is configured, not sealed by the package comprising a ceramic, resin, or the like, the semiconductor element and wiring shape
The formed surface is molded with silicone rubber 7 or resin 7.

【0014】半導体チップ4A,4B,4C,4Dのそ
れぞれには、半田や金等からなるバンプ電極6が設けら
れており、このバンプ電極6にリード5A,5B,5
C,5Dが、それぞれTAB(Tape Automated Bondin
g)によって接続されている。
[0014] semiconductor chip 4A, 4B, 4C, each of 4D are bump electrodes 6 formed of solder or gold or the like is provided, rie de 5A to the bump electrodes 6, 5B, 5
C and 5D are TAB (Tape Automated Bondin)
g) connected by

【0015】表面については、半導体チップ4Aは、半
導体チップ4Bの上に積層され、それぞれのリード5A
とリード5Bにおいて、同一機能を有するものを相互
に、例えば半田で接続している。例えば、半導体チップ
4Aにアドレス信号を入力するためのリード5Aは、半
導体チップ4Bにアドレス信号を入力するためのリード
5Bに接続され、同様に、半導体チップ4Aのデータの
入出力を行うためのリード5Aは、半導体チップ4Bの
データの入出力を行うためのリード5Bに接続されてい
る。モジュール基板1と隣接した半導体チップ4Bのそ
れぞれのリード5Bは、モジュール基板1内の配線(図
示せず)を通してデコーダ3及びモジュール基板1のリ
ード2に接続されている。
With respect to the surface, the semiconductor chip 4A is
Each lead 5A is laminated on the conductor chip 4B.
And lead 5B that have the same function
Are connected by, for example, solder. For example, a lead 5A for inputting an address signal to the semiconductor chip 4A is connected to a lead 5B for inputting an address signal to the semiconductor chip 4B, and similarly, a lead for inputting and outputting data of the semiconductor chip 4A. 5A is connected to a lead 5B for inputting and outputting data of the semiconductor chip 4B. The semiconductor chip 4B adjacent to the module substrate 1
Each lead 5B is connected to a wiring (see FIG.
(Not shown), the decoder 3 and the module substrate 1
Connected to the card 2.

【0016】これに対して、機能の異なるもの例えば、
半導体チップ4Aにチップセレクト信号を入力するため
のリード5A1は、半導体チップ4Bにチップセレクト
信号を入力するためのリード5B 1に接続されずに、
コーダ3のリード3Aに接続している。また、リード5
1は、前記リード5A1が接続しているリード3Aと異
なるリード3Aに接続している。デコーダ3によって8
個の半導体チップ4A,4Bの中から1つの半導体チッ
プ4A又は4Bを選択する構成となっている
On the other hand, those having different functions, for example,
The lead 5A 1 for inputting the chip select signal to the semiconductor chip 4A is not connected to the lead 5B 1 for inputting the chip select signal to the semiconductor chip 4B, but is connected to the lead 3A of the decoder 3. Also, lead 5
B 1 is connected to a lead 3A different from the lead 3A to which the lead 5A 1 is connected. 8 by decoder 3
Pieces of the semiconductor chip 4A, has a configuration for selecting one of the semiconductor chips 4A or 4B from the 4B.

【0017】裏面についても同様であり、半導体チップ
4Dは、半導体チップ4Cの上に積層され、それぞれの
リード5Dとリード5Cにおいて、同一機能を有するも
のを相互に、半田等で接続している。例えば、半導体チ
ップ4Dにアドレス信号を入力するためのリード5D
は、半導体チップ4Cにアドレス信号を入力するための
リード5Cに接続され、同様に、半導体チップ4Dのデ
ータの入出力を行うためのリード5Dは、半導体チップ
4Cのデータの入出力を行うためのリード5Cに接続さ
れている。モジュール基板1と隣接した半導体チップ4
Cのそれぞれのリード5Cは、モジュール基板1内の配
線(図示せず)によってデコーダ3及びモジュール基板
1のリード2に接続されている。
The same applies to the back surface, and the semiconductor chip
4D is stacked on the semiconductor chip 4C,
The leads 5D and 5C have the same function.
Are connected to each other with solder or the like. For example, semiconductor chips
Lead 5D for inputting an address signal to the top 4D
Is for inputting an address signal to the semiconductor chip 4C.
The lead 5C is connected to the semiconductor chip 4D.
The lead 5D for inputting and outputting data is a semiconductor chip
Connected to lead 5C for input / output of 4C data
Has been. Semiconductor chip 4 adjacent to module substrate 1
C, each lead 5C is arranged in the module substrate 1.
Decoder 3 and module board by wires (not shown)
1 lead 2.

【0018】これに対して、機能の異なるもの例えば
半導体チップ4Dにチップセレクト信号を入力するため
のリード5D1は、半導体チップ4Cにチップセレクト
信号を入力するためのリード5C1とは接続されずに
デコーダ3のリード3Aに接続している。また、リード
5C1は、前記リード5D1が接続しているリード3Aと
異なるリード3Aに接続され、デコーダ3によって8個
の半導体チップ4D,4Cの中から1つの半導体チップ
4D又は4Cを選択する構成となっている
On the other hand, those having different functions, for example ,
Lead 5D 1 for inputting a chip select signal to the semiconductor chip. 4D, the connection Sarezu the lead 5C 1 for inputting a chip select signal to the semiconductor chip 4C,
It is connected to the lead 3A of the decoder 3. The lead 5C 1, the lead 5D 1 is connected to the leads 3A different leads 3A connected, selects one of the semiconductor chips 4D or 4C among eight semiconductor chips 4D, 4C by the decoder 3 It has a configuration .

【0019】以上の如く、パッケージで封止していない
半導体チップ4A,4B,4C,4Dを、それぞれTA
Bでリード5A,5B,5C,5Dに接続し、モジュー
ル基板1に搭載することにより、実装面積が減少し、
ジュール基板1に多くの半導体チップ4A,4B,4
C,4Dを搭載できる。すなわち、半導体装置の実装密
度を高くすることができる。
[0019] As mentioned above, it has not been sealed in the package
The semiconductor chips 4A, 4B, 4C, 4D are
B to lead 5A, 5B, 5C, 5D
By mounting on the module substrate 1 , the mounting area is reduced, and many semiconductor chips 4A, 4B, 4
C and 4D can be mounted. That is, the packaging density of the semiconductor device can be increased.

【0020】また、半導体チップ4A,4B及び半導体
チップ4C,4Dをそれぞれ積層することにより、同サ
イズのモジュール基板1に、より多くの半導体チップ4
A,4B,4C,4Dを搭載することができる。
The semiconductor chips 4A, 4B and the semiconductor
By stacking the chips 4C and 4D, respectively,
Module substrate 1 with more semiconductor chips 4
A, 4B, 4C, 4D can be mounted.

【0021】次に、前述した実装状態の変形例を説明す
る。
Next, a modified example of the above-described mounting state will be described.

【0022】図4は、この変形例の実装状態を部分的に
示す斜視図である。
FIG. 4 shows a partially mounted state of this modification.
It is a perspective view shown .

【0023】この変形例では前記の構成に加えて、半導
体チップ4Aの上にさらに半導体チップ4Eを搭載して
いる。5Eは半導体チップ4Eのリードであり、同一機
能を有するリード5Aに接続されている。
In this modification, in addition to the above structure, a semiconductor
A semiconductor chip 4E is further mounted on the body chip 4A.
There is . 5E is a lead of the semiconductor chip 4E, which is the same machine
It is connected to the functional lead 5A.

【0024】これに対して、機能の異なるもの例えば、
半導体チップ4Eにチップセレクト信号を入力するため
のリード5E1は、リード5A1,5B1と接続され
に、リード5A1,5B1が接続されているデコーダ3の
リード3Aと異なるリード3Aに接続されている。モジ
ュール基板1の裏面においても同様に、半導体チップ4
Dの上にさらに半導体チップを搭載して、3個を積層し
た構造となっている。
On the other hand, those having different functions, for example,
Lead 5E 1 for inputting a chip select signal to the semiconductor chip. 4E, instead of being connected to the lead 5A 1, 5B 1, and to different leads 3A leads 3A of the decoder 3 to read 5A 1, 5B 1 is connected It is connected. Similarly, on the back surface of the module substrate 1, the semiconductor chip 4
Equipped with a further semiconductor chip on the D, and a three were laminated structure.

【0025】(実装技術2)図5は、他の実装状態を示
す側面図である。
(Mounting Technology 2) FIG. 5 shows another mounting state.
It is a side view.

【0026】図5において、1Aはモジュール基板1の
表面の接続端子であり、1Bは裏面の接続端子である。
この実装状態では、モジュール基板1の表面に半導体チ
ップ4B,4A,4Eの3個を積層して1組とし、これ
を4組配置している。裏面も同様に、半導体チップ4
C,4D,4Fの3個を積層して1組とし、これを4組
配置している。
In FIG. 5, 1A is the module board 1
A connection terminal of the surface, 1B is rear surface of the connection terminal.
In this mounting state, the semiconductor chip is placed on the surface of the module substrate 1.
The tops 4B, 4A, and 4E are stacked to form one set, and four sets are arranged. Similarly on the back side, the semiconductor chip 4
C, 4D, and 4F are laminated to form one set, and four sets are arranged.

【0027】本実装状態では、半導体チップ4B,4
A,4E,4C,4D,4Fのそれぞれの主面、すなわ
ちリード5A,5B,5E,5C,5D,5Fが接続さ
れている面をモジュール基板1と対面させることによ
り、リード5A,5B,5E,5C,5D,5Fの長さ
を短くすることができる
In this mounting state, the semiconductor chips 4B, 4B
Main surface of each of A, 4E, 4C, 4D, and 4F, that is,
Leads 5A, 5B, 5E, 5C, 5D, and 5F are connected.
By making the surface facing the module substrate 1
Length of leads 5A, 5B, 5E, 5C, 5D, 5F
Can be shortened .

【0028】(実装技術3)図6は、他の実装状態を部
分的に示す正面図、図7は、図6に示す実装状態の側面
図である。
(Mounting Technology 3) FIG. 6 shows another mounting state.
7 is a side view of the mounted state shown in FIG.
FIG.

【0029】この実装状態では、モジュール基板1の表
面に搭載される半導体チップ4Aは、その裏面をモジュ
ール基板1と対面させ、モジュール基板1の裏面に搭載
されている半導体チップ4Cは、その主面をモジュール
基板1と対面させてある。
In this mounting state, the semiconductor chip 4A mounted on the front surface of the module substrate 1 has its back surface facing the module substrate 1, and the semiconductor chip 4C mounted on the back surface of the module substrate 1 has its main surface mounted. The surface faces the module substrate 1 .

【0030】これによって、モジュール基板1の両面に
半導体チップ4A,4Bを実装した際に、半導体チップ
4Bのリード5Bと、半導体チップ4Cのリード5Cと
で同一機能のものが対面することとなり、これら同一機
能のリード5Bとリード5Cとを、モジュール基板1の
貫通配線(スルーホール配線)8のみによって接続する
ことができる。
Thus, both sides of the module substrate 1
When the semiconductor chips 4A and 4B are mounted,
4B lead 5B and semiconductor chip 4C lead 5C
Those with the same function face each other.
Function lead 5B and lead 5C
Connect only by through wiring (through hole wiring) 8.
be able to.

【0031】例えば、半導体チップ4Bにアドレス信号
を入力するリード5Bは、貫通配線8によって、同じく
半導体チップ4Cにアドレス信号を入力させるためのリ
ード5Cと接続されている。同様に、半導体チップ4B
のデータの入出力端子であるリード5Bは、貫通配線8
によって、半導体チップ4Cのデータの入出力端子であ
るリード5Cと接続されている。
For example, a lead 5B for inputting an address signal to the semiconductor chip 4B is connected to a lead 5C for inputting an address signal to the semiconductor chip 4C by a through wiring 8. Similarly, the semiconductor chip 4B
The lead 5B which is an input / output terminal of the data of
By being connected to the lead 5C is an input-output terminal of the data of the semiconductor chip 4C.

【0032】これに対して、機能の異なるもの例えば
半導体チップ4Bのチップセレクト信号を入力するため
のリード5B1と、半導体チップ4Cのチップセレクト
信号を入力するためのリード5C1とは貫通配線8によ
って接続されずそれぞれ個別の配線によって異なるデコ
ーダ3に接続されている。即ち、リード5B1はモジュ
ール基板1の表面に設けたデコーダ3に接続され、リー
ド5C1はモジュール基板1の裏面のデコーダ3に接続
されている。
On the other hand, those having different functions, for example ,
The lead 5B 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4B and the lead 5C 1 for inputting the chip select signal of the semiconductor chip 4C are not connected to each other by the through wiring 8 and are different in different wirings.
Connected to the third order. That is, the lead 5B 1 is connected to the decoder 3 provided on the surface of the module substrate 1, lead 5C 1 is connected to the back surface of the decoder 3 of the module substrate 1
Has been done.

【0033】ここで、本実装状態におけるモジュール基
板1は、例えばガラスエポキシ等の樹脂からなる単層構
造となっており、内部には貫通配線8以外の配線が設け
られていない。半導体チップ4B、4Cとリード2との
間を接続する配線あるいはデコーダ3(図6、図7には
図示していない)と半導体チップ4B、4Cとの間を接
続する配線等はモジュール基板1の表面及び裏面に設け
られている。貫通配線8は、モジュール基板1に例えば
ドリル等によって設けた貫通孔に、蒸着や無電解メッキ
等で例えば銅層を形成したものである。
Here, the module substrate 1 in this mounting state has a single-layer structure made of resin such as glass epoxy, and no wiring other than the through wiring 8 is provided inside. Between the semiconductor chips 4B and 4C and the lead 2
Wiring or a decoder 3 (see FIGS. 6 and 7)
(Not shown) and the semiconductor chips 4B and 4C.
Continued wiring and the like are provided on the front surface and the back surface of the module substrate 1 . Penetrating wiring 8 is the through hole formed by the module substrate 1, for example a drill or the like, in which form the shape of the deposition or electroless plating or the like, for example, a copper layer.

【0034】以上のように、同一機能のリード5Bと5
Cを貫通配線8で接続することにより、モジュール基板
1内に貫通配線8以外の配線を設けない単層構造とする
ことが可能となり、モジュール基板1の信頼性を高める
ことができる。
As described above, the leads 5B and 5 having the same function
By connecting the C in penetrating wiring 8, a single layer structure has Na provided wiring other than the through wiring 8 on the module substrate 1
And the reliability of the module substrate 1 can be improved.

【0035】また、同一機能のリード5Bと5Cを貫通
配線8で接続したことにより、モジュール基板1の表面
及び裏面に設けられる配線の本数を低減することができ
る。
Further, since the leads 5B and 5C having the same function are connected by the through wiring 8, the number of wirings provided on the front surface and the back surface of the module substrate 1 can be reduced.

【0036】なお、モジュール基板1及び貫通配線8
は、積層セラミックによって形成してもよい。この場合
は、半導体チップ4B、4Cとリード2とを接続する配
線、半導体チップ4B、4Cとデコーダ3を接続する配
線等がモジュール基板1内に埋め込まれる。しかし、そ
れらの配線の本数は、貫通配線8によって接続すること
により、異なる機能を有するもの、例えばモジュール基
板1の表面の半導体チップ4Bをリード2、デコーダ3
に接続する配線等を設けるのみでよいので、埋め込まれ
る配線の本数が大幅に減少し、モジュール基板1の信頼
性を高くすることができる。
The module substrate 1 and the through wiring 8
May be formed of laminated ceramics. In this case, the wiring connecting the semiconductor chips 4B and 4C and the lead 2, the wiring connecting the semiconductor chips 4B and 4C and the decoder 3, and the like are embedded in the module substrate 1. However, the number of these wires must be connected by through wires 8 .
That have different functions, such as module
The semiconductor chip 4B on the surface of the plate 1 is connected to the lead 2 and the decoder 3
Connections since it is only providing the wires or the like, can be number of wires to be embedded is greatly reduced, increasing the reliability of the module substrate 1.

【0037】(実施の形態)前記本発明の前提となる技
術に基づき考えられた本発明の実施の形態について、以
下説明する。
(Embodiment) Techniques on which the present invention is based
With regard to the embodiment of the present invention considered based on the operation,
I will explain below.

【0038】図8は、本発明の実施の形態に用いられる
2個の半導体チップを示す平面図、図9は、図8に示し
た2個の半導体チップをリードに接続した状態を、I方
向から示す縦断面図であり、図10は、II方向から示す
縦断面図である。
FIG . 8 is used in the embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a plan view showing two semiconductor chips, and FIG.
The state where the two semiconductor chips connected to the leads is
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing the apparatus from the direction II, and FIG.
It is a longitudinal sectional view.

【0039】本発明の実施の形態に用いられる半導体チ
ップ4Aではバンプ電極6Aの配置を、左上隅から順
次、バンプ電極6A2…6AN-1、6AN、6AN+1…6A
N+Mの如く配置し、半導体チップ4Bではバンプ電極6
Bの配置を、右上隅から順次、バンプ電極6B2…6B
N-1、6BN…6BN+1、6BN+Mの如く配置し、バンプ電
極6A、6Bを対称的に配置している。ここで、添字が
同じものは同一機能のバンプ電極となっている。
In the semiconductor chip 4A used in the embodiment of the present invention, the arrangement of the bump electrodes 6A is arranged in order from the upper left corner.
Next, bump electrodes 6A 2 ... 6A N-1 , 6A N , 6A N + 1 ... 6A
It is arranged like N + M , and bump electrodes 6 are provided on the semiconductor chip 4B.
The B electrodes are arranged in order from the upper right corner to the bump electrodes 6B 2 ... 6B.
N- 1、6B N ... 6B N + 1、6B N + M
The poles 6A and 6B are arranged symmetrically . Where the subscript is
The same thing that has become a bump electrode of the same function.

【0040】この配置によって、半導体チップ4Bの主
面と半導体チップ4Aの主面とを対面させたときに、半
導体チップ4Bのバンプ電極6B2…6BN-1、6BN
6BN +1、6BN+Mが、それぞれ同一機能を有する半導体
チップ4Aのバンプ電極6A2 …6AN-1、6AN、6A
N+1…6AN+Mと対面することとなる。これらの対称的に
配置されたバンプ電極6A、6Bは、それぞれ同一のリ
ード5に接続している。これに対して機能の異なるもの
例えば、半導体チップ4Aのチップセレクト信号を入力
するためのバンプ電極6A1と、半導体チップ4Bのチ
ップセレクト信号を入力するためのバンプ電極6B1
配置をずらすことによって、別々のリード5に接続され
ている。
With this arrangement, the main part of the semiconductor chip 4B is
When the surface and the main surface of the semiconductor chip 4A face each other,
Bump electrodes 6B 2 ... 6B N-1 , 6B N ... Of conductor chip 4B
6B N +1 and 6B N + M are semiconductors having the same function
Bump electrodes 6A 2 of chip 4A ... 6A N-1 , 6A N , 6A
N + 1 ... 6A It will face N + M. These symmetrically
The arranged bump electrodes 6A and 6B have the same
Mode 5 is connected. On the other hand, those with different functions
For example, the bump electrodes 6A 1 for inputting a chip select signal of the semiconductor chip 4A, the bump electrodes 6B 1 for inputting a chip select signal of the semiconductor chip 4B is
By shifting the arrangement, they are connected to separate leads 5.

【0041】9は絶縁材であり、バンプ電極6A1が接
続しているリード5を半導体チップ4Bから絶縁し、ま
たバンプ電極6B1が接続しているリード5を半導体チ
ップ4Aから絶縁している。なお、リード5は、半導体
チップ4Aと4Bを向かい合わせてリード5に接続した
あとに、適宜の形状に成型する。そして、半導体チップ
4Aと4Bを1組として、モジュール基板1の表面及び
裏面にそれぞれ複数組配置する。
An insulating material 9 insulates the lead 5 connected to the bump electrode 6A 1 from the semiconductor chip 4B, and insulates the lead 5 connected to the bump electrode 6B 1 from the semiconductor chip 4A. . The lead 5 is formed into an appropriate shape after the semiconductor chips 4A and 4B are faced to each other and connected to the lead 5. A plurality of semiconductor chips 4A and 4B are arranged on the front surface and the back surface of the module substrate 1, respectively.

【0042】以上のように、バンプ電極6Aと6Bの配
置を対称にして、同一のリード5に接続したことによ
り、モジュール基板1上における半導体チップ4A、4
Bの実装密度を2倍にすることができる。
As described above, by arranging the bump electrodes 6A and 6B symmetrically and connecting them to the same lead 5, the semiconductor chips 4A, 4B
The mounting density of B can be doubled.

【0043】以下に、バンプ電極6A及び6Bの全てを
対面させて配置する構成を示す。
Hereinafter , all of the bump electrodes 6A and 6B are
The structure arrange | positioned facing each other is shown.

【0044】図11は、この実施の形態に用いられる2
個の半導体チップを示す平面図、図12は、図11に示
した2個の半導体チップをリードに接続した状態を、I
方向から示す縦断面図である。
FIG . 11 shows a circuit used in this embodiment.
FIG. 12 is a plan view showing one semiconductor chip, and FIG.
The state where the two semiconductor chips thus connected to the leads is
It is a longitudinal cross-sectional view shown from a direction.

【0045】この場合には、半導体チップ4A,4Bの
機能の異なるバンプ電極6A1とバンプ電極6B1とを対
称位置に配置し、半導体チップ4Bの主面と半導体チッ
プ4Aの主面とを対面させたときに、バンプ電極6
1、6B1が対面することとなる。この場合には、バン
プ電極6A1が接続しているリード5と、バンプ電極6
1が接続しているリード5との間に絶縁材9を設け
て、それぞれを分離絶縁している。
In this case, the semiconductor chips 4A, 4B
The bump electrode 6A 1 and the bump electrode 6B 1 having different functions are paired.
At the main surface of the semiconductor chip 4B and the semiconductor chip.
When the main surface of the bump 4A faces, the bump electrode 6
A 1 and 6B 1 will face each other. In this case, the van
Lead 5 to which bump electrode 6A 1 is connected, and bump electrode 6
An insulating material 9 is provided between the lead 5 to which B 1 is connected and
To isolate and insulate each.

【0046】また、本実施の形態では、前述した前提技
術のように、実装基板1の長手方向に複数組実装した
り、実装基板1を貫通する配線を用いたりする方法を適
用してもよい。
Also, in the present embodiment,
As in the art, multiple sets were mounted in the longitudinal direction of the mounting board 1.
Therefore, a method of using wiring that penetrates the mounting board 1 is suitable.
May be used.

【0047】以上、本発明を実施の形態にもとづき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種
々変更可能であることは言うまでもない。
Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say.

【0048】[0048]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0049】パッケージで封止していない半導体チップ
を、それぞれTABでリードに接続し、モジュール基板
に搭載することにより、実装面積が減少し、モジュール
基板に多くの半導体チップを搭載できる。
By connecting the semiconductor chips not sealed by the package to the leads by TAB and mounting the semiconductor chips on the module substrate, the mounting area is reduced, and many semiconductor chips can be mounted on the module substrate.

【0050】また、半導体チップをそれぞれ積層するこ
とにより、同サイズのモジュール基板に、より多くの半
導体チップを搭載することができる。
Further, by laminating the semiconductor chips, more semiconductor chips can be mounted on the same size module substrate.

【0051】従って、半導体装置の実装密度を高くする
ことができる。
Therefore, the mounting density of the semiconductor device can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体装置のモジュール基板実装状態を示す
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a mounted state of a semiconductor device on a module substrate .

【図2】図1に示す半導体装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the semiconductor device shown in FIG . 1 ;

【図3】図1に示す半導体装置を拡大して示す側面図で
ある。
FIG. 3 is an enlarged side view showing the semiconductor device shown in FIG.

【図4】変形例の実装状態を部分的に示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view partially showing a mounting state of a modified example .

【図5】他の実装状態を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing another mounting state .

【図6】他の実装状態を部分的に示す正面図である。FIG. 6 is a front view partially showing another mounting state .

【図7】図6に示す実装状態の側面図である。FIG. 7 is a side view of the mounting state shown in FIG . 6 ;

【図8】本発明の実施の形態に用いられる2個の半導体
チップを示す平面図である。
FIG. 8 shows two semiconductors used in the embodiment of the present invention.
It is a top view showing a chip .

【図9】図8に示した2個の半導体チップをリードに接
続した状態を、I方向から示す縦断面図である。
FIG. 9 shows the connection of the two semiconductor chips shown in FIG .
It is a longitudinal cross-sectional view showing a continuous state from the I direction .

【図10】図8に示した2個の半導体チップをリードに
接続した状態を、II方向から示す縦断面図である。
FIG. 10 is a plan view showing the two semiconductor chips shown in FIG . 8 as leads.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a connected state from a direction II .

【図11】この実施の形態に用いられる2個の半導体チ
ップを示す平面図である。
FIG. 11 shows two semiconductor chips used in this embodiment .
It is a top view which shows a top.

【図12】図11に示した2個の半導体チップをリード
に接続した状態を、I方向から示す縦断面図である。
FIG. 12 is a view for reading two semiconductor chips shown in FIG . 11;
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a state of connection from a direction I.

【符号の説明】 1…モジュール基板、2,3A,5A,5B,5C,5
D,5E,5F…リード、3…デコーダ、4A,4B,
4C,4D…半導体チップ、6A,6B…バンプ電極、
7…シリコーンゴム又はレジン、8…貫通配線、9…絶
縁材。
[Explanation of reference numerals] 1 ... Module substrate, 2, 3A, 5A, 5B, 5C, 5
D, 5E, 5F ... Read, 3 ... Decoder, 4A, 4B,
4C, 4D ... Semiconductor chips, 6A, 6B ... Bump electrodes,
7 ... Silicone rubber or resin, 8 ... Penetration wiring, 9 ... Insulating material.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/00 A 25/065 25/07 25/18 H01L 25/08 Z (72)発明者 渡辺 昌行 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 菅野 利夫 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 津久井 誠一郎 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 小野 貴司 秋田県南秋田郡天王町字長沼64 アキタ電 子株式会社内 (72)発明者 若島 喜昭 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内Front page continuation (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI Technical indication location H01L 25/00 A 25/065 25/07 25/18 H01L 25/08 Z (72) Inventor Masayuki Watanabe Chiba Prefecture 3681 Hayano, Mobara-shi Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Toshio Kanno 1450, Kamisuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Inside Musashi Plant, Hitachi, Ltd. (72) Seiichiro Tsukui, Asahidai, Moroyama-cho, Iruma-gun, Saitama Prefecture Address Nitto Eastern Semiconductor Co., Ltd. (72) Inventor Takashi Ono 64 Naganuma, Tenno-cho, Minami-Akita-gun, Akita Prefecture Akita Denshi Co., Ltd. Musashi factory

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の半導体チップと第2の半導体チッ
プとの同一機能を有するバンプ電極の配置を対称とする
ことにより、第1の半導体チップと第2の半導体チップ
とを対向させた状態で、前記同一機能を有するバンプ電
極を夫々対向させて同一のリードに接続し、 第1の半導体チップと第2の半導体チップとの異なる機
能を有するバンプ電極の配置を非対称とし、第1の半導
体チップと第2の半導体チップとを対向させた状態で、
前記異なる機能を有するバンプ電極を夫々対向させずに
異なるリードに接続した半導体チップの組を構成したこ
とを特徴とする半導体装置。
1. A state in which a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are opposed to each other by symmetrically arranging bump electrodes having the same function in the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. Then, the bump electrodes having the same function are opposed to each other and connected to the same lead, and the arrangement of the bump electrodes having different functions in the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is asymmetrical, With the chip and the second semiconductor chip facing each other,
A semiconductor device comprising a set of semiconductor chips in which the bump electrodes having different functions are connected to different leads without facing each other.
【請求項2】 第1の半導体チップと第2の半導体チッ
プとの同一機能を有するバンプ電極の配置を対称とする
ことにより、第1の半導体チップと第2の半導体チップ
とを対向させた状態で、前記同一機能を有するバンプ電
極を夫々対向させて同一のリードに接続し、 第1の半導体チップと第2の半導体チップとの異なる機
能を有するバンプ電極の配置を非対称とし、第1の半導
体チップと第2の半導体チップとを対向させた状態で、
前記異なる機能を有するバンプ電極を夫々対向させずに
異なるリードに接続した半導体チップの組を搭載基板に
複数組搭載し、 可撓性のリードの一端が前記半導体チップのバンプ電極
に接続させ、前記リードの他端が前記搭載基板に形成さ
れた配線に導通させて構成したことを特徴とする半導体
装置。
2. A state in which the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are opposed to each other by symmetrically arranging bump electrodes having the same function in the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. Then, the bump electrodes having the same function are opposed to each other and connected to the same lead, and the arrangement of the bump electrodes having different functions in the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is asymmetrical, With the chip and the second semiconductor chip facing each other,
A plurality of sets of semiconductor chips connected to different leads without facing the bump electrodes having different functions are mounted on a mounting substrate, and one end of a flexible lead is connected to a bump electrode of the semiconductor chip, A semiconductor device characterized in that the other end of the lead is electrically connected to a wiring formed on the mounting substrate.
【請求項3】 前記半導体チップの組を、搭載基板の一
方の面と他方の面の両面に夫々搭載し、前記リードの
内、同一機能を有するリードを共通した配線に導通さ
せ、機能の異なるリードを独立させて対応する各配線に
導通させて構成したことを特徴とする請求項2に記載の
半導体装置。
3. The sets of semiconductor chips are mounted on both sides of one surface and the other surface of a mounting substrate, respectively, and among the leads, leads having the same function are electrically connected to a common wiring to have different functions. 3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the lead is made independent and is electrically connected to each corresponding wiring.
【請求項4】 第1の半導体チップと第2の半導体チッ
プとの異なる機能を有するバンプ電極と絶縁体とを対称
に配置し、第1の半導体チップと第2の半導体チップと
を対向させた状態で、前記機能の異なるバンプ電極と絶
縁材とを夫々対向させていることを特徴とする請求項1
乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体装置。
4. The first semiconductor chip and the second semiconductor chip are arranged symmetrically with bump electrodes and insulators having different functions, and the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are opposed to each other. 2. In this state, the bump electrodes having different functions and the insulating material are opposed to each other, respectively.
The semiconductor device according to claim 3.
JP7294116A 1995-11-13 1995-11-13 Semiconductor device Expired - Lifetime JP2581532B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7294116A JP2581532B2 (en) 1995-11-13 1995-11-13 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7294116A JP2581532B2 (en) 1995-11-13 1995-11-13 Semiconductor device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62155478A Division JP2603636B2 (en) 1987-06-24 1987-06-24 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08213541A true JPH08213541A (en) 1996-08-20
JP2581532B2 JP2581532B2 (en) 1997-02-12

Family

ID=17803503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7294116A Expired - Lifetime JP2581532B2 (en) 1995-11-13 1995-11-13 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2581532B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990060952A (en) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 Semiconductor package
US5973392A (en) * 1997-04-02 1999-10-26 Nec Corporation Stacked carrier three-dimensional memory module and semiconductor device using the same
CN100378935C (en) * 2003-03-25 2008-04-02 陶氏康宁东丽株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing thereof
KR20150021355A (en) * 2013-08-20 2015-03-02 삼성전자주식회사 Semiconductor device including asymmetric electrode arrangement
EP3299772A1 (en) 2016-09-21 2018-03-28 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Displacement sensor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0169812B1 (en) 1995-12-30 1999-01-15 김광호 Package device stack and soldering device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973392A (en) * 1997-04-02 1999-10-26 Nec Corporation Stacked carrier three-dimensional memory module and semiconductor device using the same
KR100293775B1 (en) * 1997-04-02 2001-07-12 가네꼬 히사시 Three-dimensional memory module and semiconductor device using module therefor
KR19990060952A (en) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 Semiconductor package
CN100378935C (en) * 2003-03-25 2008-04-02 陶氏康宁东丽株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing thereof
KR20150021355A (en) * 2013-08-20 2015-03-02 삼성전자주식회사 Semiconductor device including asymmetric electrode arrangement
EP3299772A1 (en) 2016-09-21 2018-03-28 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Displacement sensor
US10288448B2 (en) 2016-09-21 2019-05-14 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Displacement sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2581532B2 (en) 1997-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2603636B2 (en) Semiconductor device
US5373188A (en) Packaged semiconductor device including multiple semiconductor chips and cross-over lead
US5780925A (en) Lead frame package for electronic devices
KR100966684B1 (en) Semiconductor device and semiconductor module using the same
US6555902B2 (en) Multiple stacked-chip packaging structure
KR970003915B1 (en) Semiconductor device and the use memory module
KR900007231B1 (en) Semoconductor intergrated circuite device
US4796078A (en) Peripheral/area wire bonding technique
US5648679A (en) Tape ball lead integrated circuit package
US5596225A (en) Leadframe for an integrated circuit package which electrically interconnects multiple integrated circuit die
US5245215A (en) Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same
JPH011269A (en) semiconductor equipment
JPH08213543A (en) Multidie package device
US5442230A (en) High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces
US6317333B1 (en) Package construction of semiconductor device
KR100299560B1 (en) High density integrated circuit assembly combining lead frame leads and conductive traces
JPH02177466A (en) Method and mechanism of therr-dimensional package
KR20030027413A (en) Multi chip package having spacer that is inserted between chips and manufacturing method thereof
JPH08213541A (en) Semiconductor device
JPH0481332B2 (en)
JP2706699B2 (en) Semiconductor module
JP2713876B2 (en) Semiconductor device
KR20010073345A (en) Stack package
JP2990120B2 (en) Semiconductor device
KR0161619B1 (en) Stacked package using lead-on-chip type lead frame having a plurality of inner leads selectively corresponding to specified bonding pad of chip

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121

Year of fee payment: 11