JPH08204521A - Comparator circuit - Google Patents
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- JPH08204521A JPH08204521A JP982795A JP982795A JPH08204521A JP H08204521 A JPH08204521 A JP H08204521A JP 982795 A JP982795 A JP 982795A JP 982795 A JP982795 A JP 982795A JP H08204521 A JPH08204521 A JP H08204521A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はコンパレータ回路に関
し、特にアナログ信号処理用のコンパレータ回路に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparator circuit, and more particularly to a comparator circuit for analog signal processing.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種のコンパレータ回路は一般
に正補2入力の差動回路とこの差動回路の出力信号を外
部に出力する出力回路とから構成されていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a comparator circuit of this type is generally composed of a differential circuit with two positive inputs and an output circuit for outputting the output signal of this differential circuit to the outside.
【0003】従来の一般的な第1のコンパレータ回路を
回路図で示す図3を参照すると、この従来の第1のコン
パレータ回路は、正補入力端子TI1,TI2に供給を
受けた入力信号I1,I2に応答して節点N3に差動出
力信号n3を発生する差動回路1と、差動回路1の能動
負荷回路を構成するカレントミラー回路2と、差動出力
信号n3に応答して出力信号O1を発生し出力端子TO
1に出力するオープンコレクタ型の出力回路3とを備え
る。Referring to FIG. 3 which is a circuit diagram showing a conventional general first comparator circuit, this conventional first comparator circuit has an input signal I1, supplied to positive and complementary input terminals TI1, TI2. A differential circuit 1 that generates a differential output signal n3 at a node N3 in response to I2, a current mirror circuit 2 that constitutes an active load circuit of the differential circuit 1, and an output signal in response to the differential output signal n3. O1 is generated and output terminal TO
1 and an output circuit 3 of an open collector type for outputting to 1.
【0004】差動回路1は、各々のエミッタが共通接続
され節点N1に各々のコレクタがそれぞれ節点N2,N
3に各々のベースがそれぞれ入力端子I1,I2にそれ
ぞれ接続されたPNP型トランジスタQP1,QP2
と、電源Vccから節点N1に一定の動作電流を供給す
る定電流源IS1とを備える。In the differential circuit 1, each emitter is commonly connected and each collector is connected to a node N1.
3, PNP type transistors QP1 and QP2 whose bases are connected to input terminals I1 and I2, respectively.
And a constant current source IS1 that supplies a constant operating current from the power supply Vcc to the node N1.
【0005】カレントミラー回路2は、各々のエミッタ
が電源Vssに各々ベースが共通接続されるとともに節
点N2に各々のコレクタがそれぞれ節点N2,N3にそ
れぞれ接続されたNPN型トランジスタQN1,QN2
を備える。The current mirror circuit 2 has NPN type transistors QN1 and QN2 whose emitters are commonly connected to a power supply Vss and whose bases are commonly connected, and whose collectors are respectively connected to nodes N2 and N3.
Is provided.
【0006】出力回路3はベースが節点N3にエミッタ
が電源Vssにコレクタが出力端子O1にそれぞれ接続
されたNPN型トランジスタQN3と、電源Vssと出
力端子O1との間に挿入されたプルアップ用の抵抗R1
とを備える。The output circuit 3 has an NPN transistor QN3 having a base connected to a node N3, an emitter connected to a power supply Vss, and a collector connected to an output terminal O1, and a pull-up inserted between the power supply Vss and the output terminal O1. Resistance R1
With.
【0007】次に、説明の便宜上各々のトランジスタの
βは十分に大きいものとし、図3を参照して従来のコン
パレータ回路の動作について説明すると、差動回路1の
トランジスタQP1,QP2はエミッタが共通接続され
ているので、各々のベースエミッタ間電圧の差は入力信
号I1,I2のレベル差に対応する。まず、入力信号I
1の信号レベルが入力端子I2の信号レベルより高い場
合は、トランジスタQP2のベースエミッタ間電圧がト
ランジスタQP1のそれよりも大きく、したがって、定
電流源IS1の供給電流の殆ど全部がトランジスタQP
2のエミッタ/コレクタ電流となり、一方、トランジス
タQP1のエミッタ/コレクタ電流は殆ど0となる。ま
た、カレントミラー回路2のトランジスタQN1,QN
2は各々エミッタベースが共通接続されているから、同
一コレクタ/エミッタ電流が流れるように動作する。し
たがって、トランジスタQP2,QP1の各々のコレク
タ電流の差電流が出力回路3のトランジスタQN3のベ
ース電流として供給されることとなる。これにより、ト
ランジスタQN3は導通状態となり、出力端子TO1を
経由して外部負荷から電流を取込む(短絡する)ことに
より出力信号O1のレベルは低下する。Next, for convenience of explanation, it is assumed that β of each transistor is sufficiently large, and the operation of the conventional comparator circuit will be described with reference to FIG. 3. Transistors QP1 and QP2 of the differential circuit 1 have common emitters. Since they are connected, the difference between the base-emitter voltages corresponds to the level difference between the input signals I1 and I2. First, the input signal I
When the signal level of 1 is higher than the signal level of the input terminal I2, the base-emitter voltage of the transistor QP2 is higher than that of the transistor QP1, and therefore almost all of the supply current of the constant current source IS1 is the transistor QP.
2 becomes the emitter / collector current, while the emitter / collector current of the transistor QP1 becomes almost zero. Further, the transistors QN1 and QN of the current mirror circuit 2 are
Since the emitter bases of 2 are commonly connected, they operate so that the same collector / emitter current flows. Therefore, the difference current between the collector currents of the transistors QP2 and QP1 is supplied as the base current of the transistor QN3 of the output circuit 3. As a result, the transistor QN3 becomes conductive, and the level of the output signal O1 decreases by taking in (short-circuiting) the current from the external load via the output terminal TO1.
【0008】出力信号O1のレベルが低下して0.6〜
0.5V以下に達するとトランジスタQN3は能動状態
から飽和状態へ状態遷移し、その後出力信号O1のレベ
ルは0.2〜0.5V程度で安定する。この時、トラン
ジスタQN3は、βが5〜20程度に低下しており、ベ
ース電流が多少大きくても電源電圧と抵抗R1の抵抗値
およびエミッタコレクタ間電圧により決まるコレクタ電
流に対して十分に安定状態を保つことができる。The level of the output signal O1 decreases to 0.6-
When the voltage reaches 0.5 V or less, the transistor QN3 transits from the active state to the saturated state, and then the level of the output signal O1 stabilizes at about 0.2 to 0.5 V. At this time, in the transistor QN3, β is lowered to about 5 to 20, and even if the base current is somewhat large, it is in a sufficiently stable state with respect to the collector current determined by the power supply voltage, the resistance value of the resistor R1, and the emitter-collector voltage. Can be kept.
【0009】次に、入力条件が変化し、入力信号I1の
レベルが入力信号I2のレベルより低くなると、上述と
は逆に、トランジスタQP1のベースエミッタ間電圧が
トランジスタQP2のそれより大きくなり、QP1のエ
ミッタ/コレクタ電流の方が大きくなる。このため、ト
ランジスタQN1のコレクタ/エミッタ電流と同一値の
電流をトランジスタQN2のコレクタ/エミッタ電流と
して流そうとすると、トランジスタQP2のコレクタ電
流分では不足するため、節点N3の電荷をトランジスタ
QN2のコレクタ電流として放電する。したがって、節
点N3の電位すなわち差動信号n3は低下し、同時にト
ランジスタQN3のベース電流の供給源がなくなるた
め、このトランジスタQN3は飽和状態から遮断状態へ
と遷移し、出力信号O1のレベルは、プルアップ抵抗R
1を経由して供給される電流により上昇する。出力信号
O1のレベル上昇率は抵抗R1の値ならびに出力端子T
O1に寄生する容量値の積に依存して変化する。Next, when the input condition changes and the level of the input signal I1 becomes lower than the level of the input signal I2, contrary to the above, the base-emitter voltage of the transistor QP1 becomes larger than that of the transistor QP2, and QP1. Has a larger emitter / collector current. Therefore, if an attempt is made to cause a current having the same value as the collector / emitter current of the transistor QN1 to flow as the collector / emitter current of the transistor QN2, the collector current of the transistor QP2 is insufficient. To discharge. Therefore, the potential of the node N3, that is, the differential signal n3 decreases, and at the same time, the supply source of the base current of the transistor QN3 disappears, so that the transistor QN3 transits from the saturated state to the cutoff state, and the level of the output signal O1 is pulled up. Up resistance R
It rises due to the current supplied via 1. The level increase rate of the output signal O1 depends on the value of the resistor R1 and the output terminal T.
It changes depending on the product of the capacitance values parasitic on O1.
【0010】この時、トランジスタQN1,QN2はベ
ースエミッタ間電圧が等しいのにも拘わらず各々のコレ
クタに供給される電流値が異なるため、トランジスタQ
N2が飽和状態となり、そのβが小さくなってβエラー
が大きい状態で系は安定状態に入る。At this time, since the transistors QN1 and QN2 have the same base-emitter voltage but different current values supplied to their respective collectors, the transistor QN1 and QN2 are different.
The system enters a stable state when N2 becomes saturated and β becomes small and β error is large.
【0011】さらに、入力の条件が変化して、再び入力
信号I1のレベルが入力信号I2の信号レベルより高い
状態となると、最初の状態と同様にトランジスタQN3
のベース電流が供給され、トランジスタQN3は遮断状
態から導通状態へと急速に遷移し、出力信号O1のレベ
ルを急速に低下させ、この出力信号O1のレベルを0.
2〜0.5V程度で安定させる。以下入力レベルの変化
にしたがい上述の一連の動作を繰り返し行う。Further, when the input condition changes and the level of the input signal I1 becomes higher than the signal level of the input signal I2 again, the transistor QN3 becomes the same as in the first state.
Is supplied, the transistor QN3 makes a rapid transition from the cutoff state to the conduction state, rapidly lowering the level of the output signal O1 and setting the level of the output signal O1 to 0.
Stabilize at about 2 to 0.5V. The series of operations described above is repeated according to the change in the input level.
【0012】次に、従来の第2のコンパレータ回路を図
3と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して
同様に回路図で示す図4を参照すると、図3の従来の第
1のコンパレータ回路との相違点は、オープンコレクタ
型の出力回路3の代りにPNP型トランジスタQP11
と定電流源IS3とから成るエミッタフォロワ型の出力
回路3Aを備えることである。Next, referring to FIG. 4, which is a circuit diagram in which the same components as those of the conventional second comparator circuit shown in FIG. 3 are designated by common reference characters / numerals, the conventional second comparator circuit of FIG. The difference from the first comparator circuit is that the open collector type output circuit 3 is replaced by a PNP type transistor QP11.
And an emitter follower type output circuit 3A including a constant current source IS3.
【0013】動作について説明すると、出力信号O1の
レベルは節点N3の電位すなわち差動出力n3に対して
QP11のベースエミッタ間電圧分だけ高いレベルと成
るように動作する。第1のコンパレータ回路と出力の極
性が異なるため、入力信号I1,I2と出力信号O1と
の関係は逆転するが、この第2のコンパレータ回路では
出力信号O1のレベルが低レベルから高レベルに遷移す
る時はトランジスタQP11が遮断状態となり、定電流
源IS3が供給する定電流により負荷を充電する。出力
レベルが高レベルに達するとQP11は導通状態とな
り、系は安定状態となる。In operation, the level of the output signal O1 operates so as to be higher than the potential of the node N3, that is, the differential output n3 by the base-emitter voltage of the QP11. Since the output polarity is different from that of the first comparator circuit, the relationship between the input signals I1 and I2 and the output signal O1 is reversed, but the level of the output signal O1 transits from the low level to the high level in the second comparator circuit. When this is done, the transistor QP11 is cut off and the load is charged by the constant current supplied by the constant current source IS3. When the output level reaches a high level, QP11 becomes conductive and the system becomes stable.
【0014】次に、出力信号O1のレベルが高レベルか
ら低レベルに遷移する場合には、定電流源IS3は常時
電流を供給する。トランジスタQP11は導通状態とな
っており、定電流源IS3の供給電流と、負荷からの放
電電流とを駆動し出力レベルが急降下する。出力信号O
1が安定状態となった場合には常時トランジスタQP1
1は導通状態にあり、定電流源IS3の供給電流と負荷
電流分との総和分の電流を供給し続ける。Next, when the level of the output signal O1 transits from the high level to the low level, the constant current source IS3 constantly supplies the current. The transistor QP11 is in a conductive state, drives the supply current of the constant current source IS3 and the discharge current from the load, and the output level drops sharply. Output signal O
When 1 becomes stable, the transistor QP1
1 is in a conductive state, and continues to supply the current of the sum of the supply current of the constant current source IS3 and the load current.
【0015】一連の出力レベルの遷移動作において、こ
の従来の第2のコンパレータ回路では低レベルから高レ
ベルに上昇する場合と高レベルから低レベルに下降する
場合とではその出力負荷にたいする電流駆動能力は大き
く異なっている。In a series of output level transition operations, in the second conventional comparator circuit, the current drivability for the output load varies depending on whether it rises from a low level to a high level or falls from a high level to a low level. It's very different.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のコンパ
レータ回路は、第1および第2の両回路共出力信号の低
レベルから高レベレへおよび高レベルから低レベレへの
それぞれの状態遷移時間すなわち立上がり時立下がり時
のスリューレートのいずれか一方が負荷条件に、他方が
出力トランジスタの駆動能力に依存するため、両遷移状
態で大きく異なり、入力信号差分の信号変化に対応する
出力信号の状態遷移時間との整合をとることが極めて困
難であり、出力信号波形がデューテイ変化も含めて大き
く歪んでしまうという欠点があった。SUMMARY OF THE INVENTION In the above-described conventional comparator circuit, the state transition time, that is, the rising edge, of the output signals of both the first and second circuits from low level to high level and from high level to low level is raised. Since one of the slew rates at the time of falling depends on the load condition and the other depends on the drive capacity of the output transistor, the state transition of the output signal corresponding to the signal change of the input signal difference greatly differs in both transition states. It is extremely difficult to match the time, and there is a drawback that the output signal waveform is greatly distorted including the duty change.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明のコンパレータ回
路は、供給を受けた正補の第1,第2の入力信号に応答
して第1および第2の節点に相互に逆極性の第1および
第2の差動信号を発生する差動回路と、前記第2の節点
を入力端とし前記第1の節点を出力端として前記差動回
路の能動負荷回路を構成するカレントミラー回路と、前
記第1の差動信号の供給に応答して出力信号を生成する
出力回路とを備えるコンパレータ回路において、前記出
力回路が、エミッタを第1の電源にベースを前記第1の
節点にコレクタを出力端子にそれぞれ接続した第1の導
電型の第1のトランジスタと、エミッタを第2の電源に
ベースを第3の節点にコレクタを前記出力端子にそれぞ
れ接続した第2の導電型の第2のトランジスタと、エミ
ッタを前記第1の電源にベースを前記第2の節点にコレ
クタを前記第3の節点にそれぞれ接続した第1の導電型
の第3のトランジスタと、一端が前記第2の電源に他端
が前記第3の節点にそれぞれ接続した第1の定電流源と
を備えて構成されている。SUMMARY OF THE INVENTION A comparator circuit according to the present invention responds to a supplied first and second input signals of complementary signals, and first and second nodes having opposite polarities to each other. A differential circuit that generates a second differential signal; a current mirror circuit that forms an active load circuit of the differential circuit using the second node as an input end and the first node as an output end; A comparator circuit comprising an output circuit for generating an output signal in response to supply of a first differential signal, wherein the output circuit has an emitter as a first power source, a base as a first node, and a collector as an output terminal. A first transistor of a first conductivity type connected to each other, and a second transistor of a second conductivity type having an emitter connected to a second power supply, a base connected to a third node, and a collector connected to the output terminal. , The emitter is the first A third transistor of a first conductivity type having a source connected to the second node and a collector connected to the third node; and one end connected to the second power supply and the other end connected to the third node. And a first constant current source connected to each other.
【0018】[0018]
【実施例】次に、本発明の実施例を図3と共通の構成要
素には共通の参照文字/数字を付して同様に回路図で示
す図1を参照すると、この図に示す本実施例のコンパレ
ータ回路は、従来と共通の差動回路1と、カレントミラ
ー回路2とに加えて、トランジスタQP3,QN3,Q
N4と定電流源IS2とを含む能動負荷型の出力回路3
Bを備える。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Next, referring to FIG. 1, which is a circuit diagram in which components common to those of FIG. 3 are designated by common reference characters / numerals, the present embodiment shown in FIG. The comparator circuit of the example includes transistors QP3, QN3, Q in addition to the differential circuit 1 and the current mirror circuit 2 which are common to the conventional one.
Active load type output circuit 3 including N4 and constant current source IS2
Equipped with B.
【0019】出力回路3BのトランジスタQN3はコレ
クタが出力端子TO1にベースが節点N3にエミッタが
電源Vssにそれぞれ接続され、トランジスタQP3は
コレクタがトランジスタQN3のコレクタと出力端子T
O1とにベースが節点N4にエミッタが電源Vccにそ
れぞれ接続され、トランジスタQN4はコレクタが節点
N4にベースが節点N2にエミッタが電源Vssにそれ
ぞれ接続されトランジスタQN1,QN2と同一特性で
2倍のエミッタ面積を有し、定電流源IS2は一端が電
源Vccに他端が節点N4にそれぞれ接続され定電流源
IS1の2倍の定電流を供給する。In the transistor QN3 of the output circuit 3B, the collector is connected to the output terminal TO1, the base is connected to the node N3, and the emitter is connected to the power supply Vss. The transistor QP3 has the collector connected to the collector of the transistor QN3 and the output terminal T.
The base of O1 is connected to the node N4 and the emitter of the transistor QN4 is connected to the power supply Vcc. The collector of the transistor QN4 is connected to the node N4 and the base of the transistor QN4 is connected to the node V2 of the power supply Vss. The constant current source IS2 has an area, one end of which is connected to the power supply Vcc and the other end of which is connected to the node N4, and supplies a constant current twice as high as that of the constant current source IS1.
【0020】次に、図1を参照して本実施例の動作につ
いて説明すると、従来と同様に全てのトランジスタのβ
は十分大きいものとする。まず、差動回路1およびカレ
ントミラー回路2の動作は従来と同様であり、入力信号
I1が信号I2より高い場合は、トランジスタQP2,
QP1の各々のコレクタ電流の差電流すなわち差動信号
n3が出力回路3のトランジスタQN3のベース電流と
して供給される。これにより、トランジスタQN3は導
通状態となり、出力端子TO1を経由して外部負荷から
電流を取込む(短絡する)ことにより出力信号O1のレ
ベルは低下する。一方トランジスタQN4はトランジス
タQN1とカレントミラー回路を構成するから、2倍の
エミッタ面積に対応してトランジスタQN1の2倍のコ
レクタ電流を流そうとする。節点N4においては、トラ
ンジスタQN4のコレクタ電流より定電流源IS2から
の供給電流の方が大きいため電位が上昇し、トランジス
タQP3のエミッタベース間電位差を小さくしこの結果
このトランジスタQP3は遮断状態となる。このため、
この場合の出力回路3Bの負荷電流駆動能力はトランジ
スタQN3の駆動能力となり、ベース電流として供給さ
れる差動信号n3のβ倍となる。Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG.
Is large enough. First, the operations of the differential circuit 1 and the current mirror circuit 2 are the same as in the conventional case, and when the input signal I1 is higher than the signal I2, the transistors QP2 and
The difference current between the collector currents of QP1, that is, the differential signal n3 is supplied as the base current of the transistor QN3 of the output circuit 3. As a result, the transistor QN3 becomes conductive, and the level of the output signal O1 decreases by taking in (short-circuiting) the current from the external load via the output terminal TO1. On the other hand, since the transistor QN4 forms a current mirror circuit with the transistor QN1, it tries to flow twice the collector current of the transistor QN1 corresponding to the double emitter area. At the node N4, since the supply current from the constant current source IS2 is larger than the collector current of the transistor QN4, the potential rises, and the potential difference between the emitter and the base of the transistor QP3 is reduced. As a result, the transistor QP3 is turned off. For this reason,
In this case, the load current drive capability of the output circuit 3B becomes the drive capability of the transistor QN3, which is β times the differential signal n3 supplied as the base current.
【0021】これにより、出力端子TO1の出力信号O
1のレベルは急速に降下する。出力信号O1のレベルが
0.6V〜0.5V以下に達するとトランジスタQN3
は飽和状態となり、飽和電圧に依存する0.5〜0.2
V程度の値で安定状態に遷移する。As a result, the output signal O of the output terminal TO1
A level of 1 drops rapidly. When the level of the output signal O1 reaches 0.6V to 0.5V or less, the transistor QN3
Is saturated and depends on the saturation voltage 0.5 to 0.2
A stable state is reached at a value of about V.
【0022】次に、入力信号I1が信号I2より低くな
ると、トランジスタQP1とQP2のコレクタ電流配分
が逆転し、差信号n3の電位が低下して飽和状態にあっ
たトランジスタQN3は逆回復時間を経て、遮断状態へ
と遷移する。また、トランジスタQN4は増加したトラ
ンジスタQP1のコレクタ電流の2倍の電流を供給する
ことになり、その大きさはIS2の供給電流より大きい
ので、節点N4の電位は放電により降下し、遮断状態に
あったトランジスタQP3はベース電流の供給を受けて
導通状態へと遷移する。このトランジスタQP3のコレ
クタ電流駆動に応答して出力信号O1のレベルは上昇す
る。Next, when the input signal I1 becomes lower than the signal I2, the collector current distribution of the transistors QP1 and QP2 reverses, the potential of the difference signal n3 decreases, and the transistor QN3 in the saturated state passes the reverse recovery time. , Transition to the cutoff state. Further, the transistor QN4 supplies a current twice as large as the collector current of the increased transistor QP1, and since its magnitude is larger than the supply current of IS2, the potential of the node N4 drops due to discharge and is in the cutoff state. The transistor QP3 is supplied with the base current and transits to the conductive state. The level of the output signal O1 rises in response to the driving of the collector current of the transistor QP3.
【0023】出力信号O1のレベルが上昇して、電源V
ccより0.6〜0.5V程度低いレベルまで達すると
トランジスタQP3は飽和状態へと遷移し、出力信号O
1のレベルは電源VccよりトランジスタQP3の飽和
電圧分(0.5〜0.2V)だけ低い値で安定状態とな
る。The level of the output signal O1 rises and the power source V
When the voltage reaches a level about 0.6 to 0.5 V lower than cc, the transistor QP3 makes a transition to a saturated state, and the output signal O
The level of 1 is lower than the power supply Vcc by the saturation voltage (0.5 to 0.2V) of the transistor QP3, and is in a stable state.
【0024】さらに入力信号I1,I2のレベルが変化
し、再度信号I2のレベルが信号I1のレベルを下回る
と、トランジスタQP3が飽和状態から逆回復時間を経
て遮断状態へ、トランジスタQN3は遮断状態から導通
状態を経て飽和状態へとそれぞれ遷移することにより、
出力信号O1のレベルはトランジスタQN3の飽和電位
で安定する。When the levels of the input signals I1 and I2 further change and the level of the signal I2 falls below the level of the signal I1 again, the transistor QP3 changes from the saturation state to the cutoff state after a reverse recovery time, and the transistor QN3 changes from the cutoff state. By transiting to the saturated state after passing through the conductive state,
The level of the output signal O1 stabilizes at the saturation potential of the transistor QN3.
【0025】以降は入力信号の変化にともない、一連の
動作を繰り返し行う。After that, a series of operations are repeated with a change in the input signal.
【0026】本実施例のコンパレータ回路の負荷駆動能
力は差動回路の差動出力電流値に対して、出力回路のト
ランジスタQP3,QN3の各々のβ倍であり、PN
P,NPNトランジスタの特性を揃えることにより容易
にその駆動能力の整合を得ることができる。The load driving capability of the comparator circuit of this embodiment is β times that of each of the transistors QP3 and QN3 of the output circuit with respect to the differential output current value of the differential circuit, and PN
By matching the characteristics of the P and NPN transistors, it is possible to easily obtain the matching of their driving capabilities.
【0027】出力端子O1の負荷容量20pF、定電流
源IS1,IS2の各々の電流を100μA,200μ
A、R1を5KΩとし、本実施例および従来のコンパレ
ータ回路の動作シミュレーション波形をそれぞれ示す特
性図である図2(A),(B)を参照して、本実施例お
よび従来のコンパレータ回路の特性を比較すると、本実
施例および従来の回路の各々の入力信号遷移から出力信
号遷移までの信号伝達遅延は立下がり時がそれぞれ1
8.0nsと17.5nsであり、同立上がり時はそれ
ぞれ32.5nsと72.5nsとなる。立上がり立下
がりの各々の状態遷移時間の比をとると本実施例および
従来の回路の各々ではそれぞれ1.8と4.1となり、
本実施例の回路の方が立上がり立下がりの各々の動作遅
延時間の整合がとれていることがわかる。 また上述し
たように、従来の回路の出力遷移時のスリューレート
は、立上がり時と立下がり時で大きく異なり、信号の遅
延時間のずれと総合して入力信号差分の信号変化に対応
する出力信号波形が大きく歪んでしまっていたが、本実
施例のコンパレータ回路は立上がり時と立下がり時とで
スリューレートの差が小さいことと、回路の遅延時間と
の整合を容易に取れることとにより、入力信号差分の信
号変化に対応する出力信号波形のデューティがほとんど
変わらず歪も小さい。The load capacitance of the output terminal O1 is 20 pF and the currents of the constant current sources IS1 and IS2 are 100 μA and 200 μ, respectively.
With A and R1 set to 5 KΩ, the characteristics of the present embodiment and the conventional comparator circuit will be described with reference to FIGS. 2A and 2B, which are characteristic diagrams showing operation simulation waveforms of the present embodiment and the conventional comparator circuit, respectively. Comparing with each other, the signal transmission delay from the input signal transition to the output signal transition of each of the present embodiment and the conventional circuit is 1 at the fall time.
The values are 8.0 ns and 17.5 ns, and are 32.5 ns and 72.5 ns at the same rise, respectively. Taking the ratio of the rising and falling state transition times, 1.8 and 4.1 are obtained in each of the present embodiment and the conventional circuit.
It can be seen that the circuit of the present embodiment is more consistent in the rise and fall operation delay times. Further, as described above, the slew rate at the time of the output transition of the conventional circuit is largely different between the rising edge and the falling edge, and the output signal corresponding to the signal change of the input signal difference is integrated with the deviation of the signal delay time. Although the waveform was greatly distorted, the comparator circuit of the present embodiment has a small difference in slew rate between the rising time and the falling time, and by easily matching the delay time of the circuit, The duty of the output signal waveform corresponding to the signal change of the input signal difference hardly changes and the distortion is small.
【0028】このため、本実施例のコンパレータ回路
は、入力信号レベルの交差ポイントを時間遅れの整合を
とって抽出するゼロクロスコンパレータに最適である。Therefore, the comparator circuit of this embodiment is most suitable for the zero-cross comparator which extracts the crossing points of the input signal levels by matching the time delays.
【0029】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限られることなく種々の変形が可能で
ある。例えば、本実施例のトランジスタの極性を反転し
ても入力信号の極性を反転することにより全く同様の効
果を奏することも、本発明の主旨を逸脱しない限り適用
できることは勿論である。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made. For example, even if the polarity of the transistor of this embodiment is inverted, the same effect can be obtained by inverting the polarity of the input signal, as a matter of course, without departing from the gist of the present invention.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のコンパレ
ータ回路は、出力回路が、ベースを第1の節点にコレク
タを出力端子にそれぞれ接続した第1の導電型の第1の
トランジスタと、エミッタを第2の電源にベースを第3
の節点にコレクタを出力端子にそれぞれ接続した第2の
導電型の第2のトランジスタと、ベースを第2の節点に
コレクタを第3の節点にそれぞれ接続した第1の導電型
の第3のトランジスタと、第3の節点に定電流を供給す
る第1の定電流源とを備えるので、立上がり時と立下が
り時とでスリューレートの差が小さいことと、回路の遅
延時間との整合を容易に取れることとにより、入力信号
差分の信号変化に対応する出力信号波形のデューティが
ほとんど変わらず歪も小さくなるという効果がある。As described above, in the comparator circuit of the present invention, the output circuit includes the first transistor of the first conductivity type having the base connected to the first node and the collector connected to the output terminal, and the emitter. The second power supply to the base to the third
Second conductive type second transistor in which the collector is connected to the output terminal and the third conductive type third transistor in which the base is connected to the second node and the collector is connected to the third node And a first constant current source for supplying a constant current to the third node, the difference in slew rate between rising and falling is small and it is easy to match the delay time of the circuit. By taking advantage of this, there is an effect that the duty of the output signal waveform corresponding to the signal change of the input signal difference is hardly changed and the distortion is also reduced.
【0031】また、出力駆動能力が大きくとれるので、
出力のスリューレートが大きく、優れた出力特性を実現
できるという効果がある。Further, since the output drive capacity can be made large,
The output slew rate is large, and there is an effect that excellent output characteristics can be realized.
【図1】本発明のコンパレータ回路の一実施例を示す回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a comparator circuit of the present invention.
【図2】本実施例および従来の第1のコンパレータ回路
の動作のそれぞれのシミュレーション波形の一例を示す
特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing an example of respective simulation waveforms of operations of the present embodiment and the conventional first comparator circuit.
【図3】従来の第1のコンパレータ回路を示す回路図で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram showing a first conventional comparator circuit.
【図4】従来の第2のコンパレータ回路を示す回路図で
ある。FIG. 4 is a circuit diagram showing a second conventional comparator circuit.
1 差動回路 2 カレントミラー回路 3,3A,3B 出力回路 QN1〜QN4,QP1〜QP3,QP11 トラン
ジスタ1 differential circuit 2 current mirror circuit 3, 3A, 3B output circuit QN1 to QN4, QP1 to QP3, QP11 transistor
Claims (3)
号に応答して第1および第2の節点に相互に逆極性の第
1および第2の差動信号を発生する差動回路と、前記第
2の節点を入力端とし前記第1の節点を出力端として前
記差動回路の能動負荷回路を構成するカレントミラー回
路と、前記第1の差動信号の供給に応答して出力信号を
生成する出力回路とを備えるコンパレータ回路におい
て、 前記出力回路が、エミッタを第1の電源にベースを前記
第1の節点にコレクタを出力端子にそれぞれ接続した第
1の導電型の第1のトランジスタと、 エミッタを第2の電源にベースを第3の節点にコレクタ
を前記出力端子にそれぞれ接続した第2の導電型の第2
のトランジスタと、 エミッタを前記第1の電源にベースを前記第2の節点に
コレクタを前記第3の節点にそれぞれ接続した第1の導
電型の第3のトランジスタと、 一端が前記第2の電源に他端が前記第3の節点にそれぞ
れ接続した第1の定電流源とを備えることを特徴とする
コンパレータ回路。1. A difference for generating first and second differential signals having mutually opposite polarities at first and second nodes in response to supplied positive and complementary first and second input signals. A dynamic circuit, a current mirror circuit that forms an active load circuit of the differential circuit using the second node as an input end and the first node as an output end, and responds to the supply of the first differential signal. An output circuit for generating an output signal according to the first conductivity type, wherein the output circuit has an emitter connected to a first power source, a base connected to the first node, and a collector connected to an output terminal. A second transistor of a second conductivity type, in which an emitter is connected to a second power source, a base is connected to a third node, and a collector is connected to the output terminal.
A first conductive type third transistor having an emitter connected to the first power source, a base connected to the second node and a collector connected to the third node, and one end of the second power source. And a first constant current source having the other end connected to the third node, respectively.
に他端を第4の節点にそれぞれ接続した第2の定電流源
と、 各々のエミッタを共通接続し前記第4の接点に各々のベ
ースをそれぞれ前記第1,第2の信号対応の第1,第2
の入力端子に各々のコレクタをそれぞれ前記第2,第1
の接点にそれぞれ接続した第2の導電型の第4,第5の
トランジスタとを備え、 前記カレントミラー回路が、コレクタとベースとを共通
接続して前記第2の接点にエミッタを前記第1の電源に
それぞれ接続した第1の導電型の第6のトランジスタ
と、 コレクタを前記第1の接点にベースを前記第2の接点に
エミッタを前記第1の電源にそれぞれ接続し前記第6の
トランジスタと同一特性かつ同一エミッタ面積の第1の
導電型の第7のトランジスタとを備えることを特徴とす
る請求項1記載のコンパレータ回路。2. A second constant current source, one end of which is connected to the second power source and the other end of which is connected to a fourth node, and the differential circuit, wherein the respective emitters are commonly connected to each other and the fourth contact point is formed. Each base is connected to the first and second signals corresponding to the first and second signals, respectively.
Each of the collectors is connected to the input terminals of
Second conductive type fourth and fifth transistors respectively connected to the contacts of the current mirror circuit, the current mirror circuit commonly connecting the collector and the base, and the emitter to the second contact. A sixth transistor of a first conductivity type connected to a power source, a collector connected to the first contact, a base connected to the second contact and an emitter connected to the first power supply, and 7. The comparator circuit according to claim 1, further comprising a seventh transistor of the first conductivity type having the same characteristics and the same emitter area.
ランジスタのエミッタ面積の2倍のエミッタ面積を有す
るエミッタを備え、 前記第1の定電流源が前記第2の定電流源の2倍の電流
を供給することを特徴とする請求項1記載のコンパレー
タ回路。3. The fourth transistor comprises an emitter having an emitter area twice as large as the emitter area of the sixth transistor, and the first constant current source is twice as large as the second constant current source. The comparator circuit according to claim 1, wherein the comparator circuit supplies a current.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP982795A JP2865010B2 (en) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | Comparator circuit |
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JP982795A JP2865010B2 (en) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | Comparator circuit |
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JPH08204521A true JPH08204521A (en) | 1996-08-09 |
JP2865010B2 JP2865010B2 (en) | 1999-03-08 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990040007A (en) * | 1997-11-15 | 1999-06-05 | 윤종용 | Voltage controlled oscillator |
US7211961B2 (en) | 1996-12-30 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor circuit and display utilizing the same |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP982795A patent/JP2865010B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7211961B2 (en) | 1996-12-30 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor circuit and display utilizing the same |
US7517236B2 (en) | 1996-12-30 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor circuit and display utilizing the same |
KR19990040007A (en) * | 1997-11-15 | 1999-06-05 | 윤종용 | Voltage controlled oscillator |
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JP2865010B2 (en) | 1999-03-08 |
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