JPH08204500A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH08204500A JPH08204500A JP1344495A JP1344495A JPH08204500A JP H08204500 A JPH08204500 A JP H08204500A JP 1344495 A JP1344495 A JP 1344495A JP 1344495 A JP1344495 A JP 1344495A JP H08204500 A JPH08204500 A JP H08204500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- wave device
- input
- interdigital electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い通過帯域幅を有し、かつ通過帯域内にリ
ップルのほとんどない良好なフィルタ特性を有する、Ｌ
ＢＯ単結晶を基板材料として用いた弾性表面波装置を提
供すること。 【構成】 四ホウ酸リチウム単結晶から成り、且つ主面
が40°乃至50°回転Ｘ軸カット面である基板上に、波長
λの弾性表面波の伝搬方向に沿って、膜厚Ｈ〔Å〕の金
属膜から成る入力用及び出力用インタディジタル電極を
総計Ｎ（≧３）個並設した弾性表面波装置であって、前
記入力用及び出力用インタディジタル電極の交差幅をＷ
〔λ〕、前記入力用インタディジタル電極の総対数Ｎｉ
と前記出力用インタディジタル電極の総対数Ｎｏとの比
をＲｎ（＝Ｎｉ／Ｎｏ）としたとき、下記 1 及び 2
の両式を満足することを特徴とする。 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20
・・・ 1 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ)
・・・ 2
ップルのほとんどない良好なフィルタ特性を有する、Ｌ
ＢＯ単結晶を基板材料として用いた弾性表面波装置を提
供すること。 【構成】 四ホウ酸リチウム単結晶から成り、且つ主面
が40°乃至50°回転Ｘ軸カット面である基板上に、波長
λの弾性表面波の伝搬方向に沿って、膜厚Ｈ〔Å〕の金
属膜から成る入力用及び出力用インタディジタル電極を
総計Ｎ（≧３）個並設した弾性表面波装置であって、前
記入力用及び出力用インタディジタル電極の交差幅をＷ
〔λ〕、前記入力用インタディジタル電極の総対数Ｎｉ
と前記出力用インタディジタル電極の総対数Ｎｏとの比
をＲｎ（＝Ｎｉ／Ｎｏ）としたとき、下記 1 及び 2
の両式を満足することを特徴とする。 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20
・・・ 1 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ)
・・・ 2
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、四ホウ酸リチウム単結
晶を基板材料としたＳＡＷフィルタ等の弾性表面波装置
に関する。
晶を基板材料としたＳＡＷフィルタ等の弾性表面波装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2
Ｂ4 Ｏ7 ；以下、ＬＢＯと略記する）単結晶は、正方晶
系点群４mmに属する圧電結晶であり、一般に圧電材料の
性能評価として用いられる電気機械結合係数が大きく、
かつ群遅延時間温度係数が小さい材料として大変注目さ
れており、例えば弾性表面波装置、バルク波デバイス、
パイロ電気デバイスなどの各種圧電デバイスに用いられ
る材料として有望視されている。
Ｂ4 Ｏ7 ；以下、ＬＢＯと略記する）単結晶は、正方晶
系点群４mmに属する圧電結晶であり、一般に圧電材料の
性能評価として用いられる電気機械結合係数が大きく、
かつ群遅延時間温度係数が小さい材料として大変注目さ
れており、例えば弾性表面波装置、バルク波デバイス、
パイロ電気デバイスなどの各種圧電デバイスに用いられ
る材料として有望視されている。
【０００３】また、ＬＢＯ単結晶を特に弾性表面波装置
の基板材料として用いる場合、上記基本特性は基板の結
晶方位によって大きく変化するため、弾性表面波が伝搬
するのに最適な結晶方位を探索する必要があり、この方
面の研究が盛んに行われている。
の基板材料として用いる場合、上記基本特性は基板の結
晶方位によって大きく変化するため、弾性表面波が伝搬
するのに最適な結晶方位を探索する必要があり、この方
面の研究が盛んに行われている。
【０００４】従来の報告によれば、例えば、弾性表面波
を伝搬させる主面がＸ軸カット面（Ｘ軸に垂直に切断し
た面）で、かつ弾性表面波の伝搬方向をＺ軸方向とする
基板が、電気機械結合係数が大きく、しかも群遅延時間
温度係数が小さいとされ、特に45°回転Ｘ軸カット面
（Ｘ軸カット面をＸ軸からＹ軸方向側へ45°回転させた
面）で、かつＺ軸方向に弾性表面波を伝搬させる基板が
弾性表面波装置に用いられる基板として最適であること
が知られている（例えば、特公平2-44169 号公報等を参
照）。
を伝搬させる主面がＸ軸カット面（Ｘ軸に垂直に切断し
た面）で、かつ弾性表面波の伝搬方向をＺ軸方向とする
基板が、電気機械結合係数が大きく、しかも群遅延時間
温度係数が小さいとされ、特に45°回転Ｘ軸カット面
（Ｘ軸カット面をＸ軸からＹ軸方向側へ45°回転させた
面）で、かつＺ軸方向に弾性表面波を伝搬させる基板が
弾性表面波装置に用いられる基板として最適であること
が知られている（例えば、特公平2-44169 号公報等を参
照）。
【０００５】しかしながら、例えばセルラー電話等の無
線通信用として使用されるフロントエンドＳＡＷフィル
タ（アナログ；900 ＭＨｚ帯、ディジタル；1.5 ＧＨｚ
帯）を構成するには、ＴＡＣＳ方式であれば27ＭＨｚ、
ＪＤＣ方式であれば16ＭＨｚ、ＡＭＰＳ方式であれば25
ＭＨｚの広い通過帯域幅が最低でも要求とされるにもか
かわらず、特性的に優れたＬＢＯ単結晶を基板材料に適
用しようとしても、これまで挿入損失が小さく、上述の
ような通過帯域幅を備え、かつ通過帯域内のリップルが
小さいものは作製が困難であった。例えば、図６に示す
ように中心周波数＝850 ＭＨｚにおいて通過帯域幅は1.
3 ＭＨｚ程度であった。これは、現在のところＬＢＯ単
結晶の最適な結晶方位と電極形成のための条件が確立さ
れていないからである。
線通信用として使用されるフロントエンドＳＡＷフィル
タ（アナログ；900 ＭＨｚ帯、ディジタル；1.5 ＧＨｚ
帯）を構成するには、ＴＡＣＳ方式であれば27ＭＨｚ、
ＪＤＣ方式であれば16ＭＨｚ、ＡＭＰＳ方式であれば25
ＭＨｚの広い通過帯域幅が最低でも要求とされるにもか
かわらず、特性的に優れたＬＢＯ単結晶を基板材料に適
用しようとしても、これまで挿入損失が小さく、上述の
ような通過帯域幅を備え、かつ通過帯域内のリップルが
小さいものは作製が困難であった。例えば、図６に示す
ように中心周波数＝850 ＭＨｚにおいて通過帯域幅は1.
3 ＭＨｚ程度であった。これは、現在のところＬＢＯ単
結晶の最適な結晶方位と電極形成のための条件が確立さ
れていないからである。
【０００６】
【目的】そこで、上述したような問題点に鑑み、広い通
過帯域幅を有し、かつ通過帯域内にリップルのほとんど
ない良好なフィルタ特性を有する、ＬＢＯ単結晶を基板
材料として用いた弾性表面波装置を提供することを本発
明の目的とする。
過帯域幅を有し、かつ通過帯域内にリップルのほとんど
ない良好なフィルタ特性を有する、ＬＢＯ単結晶を基板
材料として用いた弾性表面波装置を提供することを本発
明の目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の弾性表面波装置は、ＬＢＯ単結晶から成り、且つ主面
が40°乃至50°回転Ｘ軸カット面である基板上に、波長
λの弾性表面波の伝搬方向に沿って、膜厚Ｈ〔Å〕の金
属膜から成る入力用及び出力用インタディジタル（以
下、ＩＤＴという）電極を総計Ｎ（≧３）個並設した弾
性表面波装置であって、前記入力用及び出力用ＩＤＴ電
極の交差幅をＷ〔λ〕、前記入力用ＩＤＴ電極の総対数
Ｎｉと前記出力用ＩＤＴ電極の総対数Ｎｏとの比をＲｎ
（＝Ｎｉ／Ｎｏ）としたとき、下記 1 及び 2 の両式
を満足することを特徴とする。
の弾性表面波装置は、ＬＢＯ単結晶から成り、且つ主面
が40°乃至50°回転Ｘ軸カット面である基板上に、波長
λの弾性表面波の伝搬方向に沿って、膜厚Ｈ〔Å〕の金
属膜から成る入力用及び出力用インタディジタル（以
下、ＩＤＴという）電極を総計Ｎ（≧３）個並設した弾
性表面波装置であって、前記入力用及び出力用ＩＤＴ電
極の交差幅をＷ〔λ〕、前記入力用ＩＤＴ電極の総対数
Ｎｉと前記出力用ＩＤＴ電極の総対数Ｎｏとの比をＲｎ
（＝Ｎｉ／Ｎｏ）としたとき、下記 1 及び 2 の両式
を満足することを特徴とする。
【０００８】 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20 ・・・ 1 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ) ・・・ 2 また、特に弾性表面波の伝搬方向を基板のＺ軸方向とす
ると、電気機械結合係数が大きくとれるので、より広い
通過帯域幅を確保することが可能な弾性表面波装置を提
供することができる。
ると、電気機械結合係数が大きくとれるので、より広い
通過帯域幅を確保することが可能な弾性表面波装置を提
供することができる。
【０００９】発明者等はコンピュータシミュレーション
により、通過帯域幅６５ＭＨｚ以下においてリップルが
0.5 ｄＢ以内の優れたフィルタ特性を有する弾性表面波
装置は、上記式を満足するものであることを見いだし
た。そして、上記式 1 及び 2を満足する弾性表面波装
置を実際に作製してその優れた効果を確認することがで
きたのである。
により、通過帯域幅６５ＭＨｚ以下においてリップルが
0.5 ｄＢ以内の優れたフィルタ特性を有する弾性表面波
装置は、上記式を満足するものであることを見いだし
た。そして、上記式 1 及び 2を満足する弾性表面波装
置を実際に作製してその優れた効果を確認することがで
きたのである。
【００１０】なお、通過帯域幅は、例えばＮ−ＴＡＣＳ
仕様で設計する場合、必要帯域幅＝27ＭＨｚに加えて、
温度特性による周波数変動、及び作製プロセスのばらつ
き等を考えあわせると、実際には約30ＭＨｚ程度も必要
となり、伝搬させる弾性表面波の波長λを４μm とすれ
ば、これを実現するために必要な電極膜厚はＨ／λ＝0.
03625 （Ｈ＝1450Å) と決定されるのである。
仕様で設計する場合、必要帯域幅＝27ＭＨｚに加えて、
温度特性による周波数変動、及び作製プロセスのばらつ
き等を考えあわせると、実際には約30ＭＨｚ程度も必要
となり、伝搬させる弾性表面波の波長λを４μm とすれ
ば、これを実現するために必要な電極膜厚はＨ／λ＝0.
03625 （Ｈ＝1450Å) と決定されるのである。
【００１１】
【作用】上記弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極を３
個以上設けて構成するので、所望のフィルタ特性を得る
ための設計が容易となる。また、ＩＤＴ電極の交差幅及
び入力用ＩＤＴ電極の出力用ＩＤＴ電極に対する比を所
定の範囲内で選択し、実施することによって、通過帯域
幅を65ＭＨｚまで広げることができるとともに、通過帯
域内のリップルを0.5 ｄＢ以下に低減させることができ
る。
個以上設けて構成するので、所望のフィルタ特性を得る
ための設計が容易となる。また、ＩＤＴ電極の交差幅及
び入力用ＩＤＴ電極の出力用ＩＤＴ電極に対する比を所
定の範囲内で選択し、実施することによって、通過帯域
幅を65ＭＨｚまで広げることができるとともに、通過帯
域内のリップルを0.5 ｄＢ以下に低減させることができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、図面に基づき本発明に係る一実施例に
ついて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＢＯ単結
晶の基板１上に、３個以上のＩＤＴ電極２を形成すると
ともに、並設したＩＤＴ電極の両端に配置させる２個の
反射器３をそれぞれ形成して、波長λの弾性表面波を伝
搬させる弾性表面波装置Ｓについて、コンピュータシミ
ュレーションを実施した結果について説明する。
ついて詳細に説明する。図１に示すように、ＬＢＯ単結
晶の基板１上に、３個以上のＩＤＴ電極２を形成すると
ともに、並設したＩＤＴ電極の両端に配置させる２個の
反射器３をそれぞれ形成して、波長λの弾性表面波を伝
搬させる弾性表面波装置Ｓについて、コンピュータシミ
ュレーションを実施した結果について説明する。
【００１３】ＩＤＴ電極２の総個数3 〜15個のそれぞれ
において、入力用ＩＤＴ電極２ａの総対数Ｎｉを5 〜29
個、出力用ＩＤＴ電極２ｂの総対数Ｎｏを5 〜19個、規
格化交差幅Ｗ／λを25〜300 、ＩＤＴ電極−ＩＤＴ電極
間ギャップを（１／８）λ〜λ、ＩＤＴ電極−反射器間
ギャップを（１／８）λ〜λ、反射器３の対数を5 〜20
0 、ＩＤＴ電極２の膜厚Ｈを250 〜2000Åとした条件
で、コンピュータによるシミュレーションを行った。
において、入力用ＩＤＴ電極２ａの総対数Ｎｉを5 〜29
個、出力用ＩＤＴ電極２ｂの総対数Ｎｏを5 〜19個、規
格化交差幅Ｗ／λを25〜300 、ＩＤＴ電極−ＩＤＴ電極
間ギャップを（１／８）λ〜λ、ＩＤＴ電極−反射器間
ギャップを（１／８）λ〜λ、反射器３の対数を5 〜20
0 、ＩＤＴ電極２の膜厚Ｈを250 〜2000Åとした条件
で、コンピュータによるシミュレーションを行った。
【００１４】その結果、ＩＤＴ電極２を形成する基板１
の主面の方位として、40°〜50°回転Ｘ軸カット面と
し、Ｚ軸方向に弾性表面波レーリー波を伝搬させると、
挿入損失が最小となることが判明した。
の主面の方位として、40°〜50°回転Ｘ軸カット面と
し、Ｚ軸方向に弾性表面波レーリー波を伝搬させると、
挿入損失が最小となることが判明した。
【００１５】さらに、図２に示すように、ＩＤＴ電極２
の総対数Ｎと各ＩＤＴ電極２の交差幅Ｗ（単位λ；弾性
表面波の波長）との関係が破線で囲まれる領域Ｆ１内を
満足すれば、弾性表面波の通過帯域内においてリップル
が発生しても高々0.5 ｄＢ程度であることが判明した。
なお、ＩＤＴ電極２の総対数ＮとＩＤＴ電極２の交差幅
Ｗとが図中の一点鎖線で囲まれる領域Ｆ２を満足すれ
ば、リップルが高々１ｄＢ程度であることも判明した。
の総対数Ｎと各ＩＤＴ電極２の交差幅Ｗ（単位λ；弾性
表面波の波長）との関係が破線で囲まれる領域Ｆ１内を
満足すれば、弾性表面波の通過帯域内においてリップル
が発生しても高々0.5 ｄＢ程度であることが判明した。
なお、ＩＤＴ電極２の総対数ＮとＩＤＴ電極２の交差幅
Ｗとが図中の一点鎖線で囲まれる領域Ｆ２を満足すれ
ば、リップルが高々１ｄＢ程度であることも判明した。
【００１６】すなわち、通過帯域幅65ＭＨｚ以内におい
てリップルが0.5 ｄＢ以下に抑えられると予想される関
係式は、 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20 ・・・ 1 であり、この式 1 を満足するようにＩＤＴ電極２の総
対数Ｎ及び交差幅Ｗを決定すればよいことが判明した。
てリップルが0.5 ｄＢ以下に抑えられると予想される関
係式は、 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20 ・・・ 1 であり、この式 1 を満足するようにＩＤＴ電極２の総
対数Ｎ及び交差幅Ｗを決定すればよいことが判明した。
【００１７】また、図３に示すように、ＩＤＴ電極２の
規格化電極膜厚Ｈ／λと、入力用ＩＤＴ電極２ａの総対
数Ｎｉと出力用ＩＤＴ電極２ｂの総対数Ｎｏとの比Ｒｎ
（＝Ｎｉ／Ｎｏ）とが、破線で囲まれた領域Ｆ３内を満
足すれば、弾性表面波の通過帯域内においてリップルが
発生しても高々0.5 ｄＢ程度であることが判明した。な
お、規格化電極膜厚Ｈ／λとＩＤＴの総対数比Ｒｎとが
一点鎖線で囲まれた領域Ｆ４を満足する関係であれば、
リップルは高々１ｄＢ程度であることも判明した。
規格化電極膜厚Ｈ／λと、入力用ＩＤＴ電極２ａの総対
数Ｎｉと出力用ＩＤＴ電極２ｂの総対数Ｎｏとの比Ｒｎ
（＝Ｎｉ／Ｎｏ）とが、破線で囲まれた領域Ｆ３内を満
足すれば、弾性表面波の通過帯域内においてリップルが
発生しても高々0.5 ｄＢ程度であることが判明した。な
お、規格化電極膜厚Ｈ／λとＩＤＴの総対数比Ｒｎとが
一点鎖線で囲まれた領域Ｆ４を満足する関係であれば、
リップルは高々１ｄＢ程度であることも判明した。
【００１８】すなわち、通過帯域幅65ＭＨｚ以内におい
てリップルが0.5 ｄＢ以下に抑えられると予想される関
係式は、 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ) ・・・ 2 であり、この関係式 2 を満足するように、ＩＤＴ電極
２の膜厚Ｈ、及びＩＤＴ電極２の総対数比Ｒｎを決定す
ればよいことが判明した。
てリップルが0.5 ｄＢ以下に抑えられると予想される関
係式は、 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ) ・・・ 2 であり、この関係式 2 を満足するように、ＩＤＴ電極
２の膜厚Ｈ、及びＩＤＴ電極２の総対数比Ｒｎを決定す
ればよいことが判明した。
【００１９】したがって、より最適な弾性表面波装置を
作製するには、上記式 1 , 2 の両方を満足するとよい
ことが判り、通過帯域内リップルを最小限に抑える条件
にて、規格化電極膜厚Ｈ／λと通過帯域幅ＢＷとの関係
は図４に示す関係となることが判明した。
作製するには、上記式 1 , 2 の両方を満足するとよい
ことが判り、通過帯域内リップルを最小限に抑える条件
にて、規格化電極膜厚Ｈ／λと通過帯域幅ＢＷとの関係
は図４に示す関係となることが判明した。
【００２０】そこで、上記コンピュータシミュレーショ
ン結果より、図１に示すように、実際にＬＢＯ基板１上
にＩＤＴ−ＩＤＴ間のギャップが0.5 λ、ＩＤＴ−ＲＥ
Ｆ間ギャップを0.5 λ、反射器対数を５０対、ＩＤＴ電
極指幅を1.0 μm 、反射器電極指幅を1.013 μm を固定
として、入力用ＩＤＴ電極の総対数Ｎｉ，出力用ＩＤＴ
電極の総対数Ｎｏ、交差幅Ｗ、規格化電極膜厚Ｈ／λを
それぞれ変化させたところ、上記式 1 , 2 を満足すれ
ばリップルが0.5 ｄＢ以下となることがわかった。
ン結果より、図１に示すように、実際にＬＢＯ基板１上
にＩＤＴ−ＩＤＴ間のギャップが0.5 λ、ＩＤＴ−ＲＥ
Ｆ間ギャップを0.5 λ、反射器対数を５０対、ＩＤＴ電
極指幅を1.0 μm 、反射器電極指幅を1.013 μm を固定
として、入力用ＩＤＴ電極の総対数Ｎｉ，出力用ＩＤＴ
電極の総対数Ｎｏ、交差幅Ｗ、規格化電極膜厚Ｈ／λを
それぞれ変化させたところ、上記式 1 , 2 を満足すれ
ばリップルが0.5 ｄＢ以下となることがわかった。
【００２１】例えば、入出力ＩＤＴ電極総対数Ｎ＝23
（Ｎｉ＝５対×３，Ｎｏ＝４対×２）、交差幅Ｗ＝300
〔λ〕、規格化電極膜厚Ｈ／λ＝0.0425（Ｈ＝1700Å）
としたところ、図５（ａ）から明らかなように、挿入損
失が極めて小さいとともに、しかも弾性表面波の通過帯
域幅が広く、通過帯域内でリップルが極めて小さい非常
に平坦な特性が得られた。
（Ｎｉ＝５対×３，Ｎｏ＝４対×２）、交差幅Ｗ＝300
〔λ〕、規格化電極膜厚Ｈ／λ＝0.0425（Ｈ＝1700Å）
としたところ、図５（ａ）から明らかなように、挿入損
失が極めて小さいとともに、しかも弾性表面波の通過帯
域幅が広く、通過帯域内でリップルが極めて小さい非常
に平坦な特性が得られた。
【００２２】ところが、上記式 1 , 2 から外れる、入
出力ＩＤＴ電極の総対数Ｎ＝37（Ｎｉ＝９対×３，Ｎｏ
＝５対×２）、交差幅Ｗ＝280 〔λ〕、規格化電極膜厚
Ｈ／λ＝0.035 （Ｈ＝1400Å）とした場合、図５（ｂ）
から明らかなように、挿入損失が大きく、しかも通過帯
域内において約10ｄＢ以上の大きなリップルが見られ
た。
出力ＩＤＴ電極の総対数Ｎ＝37（Ｎｉ＝９対×３，Ｎｏ
＝５対×２）、交差幅Ｗ＝280 〔λ〕、規格化電極膜厚
Ｈ／λ＝0.035 （Ｈ＝1400Å）とした場合、図５（ｂ）
から明らかなように、挿入損失が大きく、しかも通過帯
域内において約10ｄＢ以上の大きなリップルが見られ
た。
【００２３】なお、本発明の弾性表面波装置のＩＤＴ電
極として使用される材料はＡｌもしくはこれを主成分と
するのが作製などの点で適当であるが、これに限定され
るものではない。また、また、通過帯域内でリップルが
小さく、広い帯域で挿入損失を小さくするには、ＩＤＴ
電極の総個数は5 以上、ＩＤＴ電極−反射器間ギャップ
を（３／８）λ〜（５／８）λ、及び反射器本数を100
以上とするのがより望ましいが、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で適宜変更し実施しうる。
極として使用される材料はＡｌもしくはこれを主成分と
するのが作製などの点で適当であるが、これに限定され
るものではない。また、また、通過帯域内でリップルが
小さく、広い帯域で挿入損失を小さくするには、ＩＤＴ
電極の総個数は5 以上、ＩＤＴ電極−反射器間ギャップ
を（３／８）λ〜（５／８）λ、及び反射器本数を100
以上とするのがより望ましいが、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で適宜変更し実施しうる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波装置によれば、ＩＤＴ電極を３以上設けるので所望の
フィルタ特性を得るための設計の自由度が増し設計が容
易となるとともに、ＩＤＴ電極の交差幅及び入力用ＩＤ
Ｔ電極の総対数の出力用ＩＤＴ電極の総対数に対する比
を所定の範囲内で選択するようにでき、広帯域でかつ通
過帯域内のリップルを最小限に抑えることができる、優
れた弾性表面波装置の提供が可能となる。
波装置によれば、ＩＤＴ電極を３以上設けるので所望の
フィルタ特性を得るための設計の自由度が増し設計が容
易となるとともに、ＩＤＴ電極の交差幅及び入力用ＩＤ
Ｔ電極の総対数の出力用ＩＤＴ電極の総対数に対する比
を所定の範囲内で選択するようにでき、広帯域でかつ通
過帯域内のリップルを最小限に抑えることができる、優
れた弾性表面波装置の提供が可能となる。
【図１】本発明に係る一実施例の弾性表面波装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】通過帯域内でリップルを小さくするためのＩＤ
Ｔ電極の総対数とＩＤＴ電極の交差幅との関係を示すグ
ラフである。
Ｔ電極の総対数とＩＤＴ電極の交差幅との関係を示すグ
ラフである。
【図３】通過帯域内でリップルを小さくするための規格
化電極の膜厚とＩＤＴ電極の総対数比との関係を示すグ
ラフである。
化電極の膜厚とＩＤＴ電極の総対数比との関係を示すグ
ラフである。
【図４】本発明に係る弾性表面波装置において、通過帯
域内リップルを最小限に抑える条件にて、規格化電極膜
厚Ｈ／λと通過帯域幅ＢＷとの関係を示すグラフであ
る。
域内リップルを最小限に抑える条件にて、規格化電極膜
厚Ｈ／λと通過帯域幅ＢＷとの関係を示すグラフであ
る。
【図５】（ａ）は各電極パラメータを最適化した弾性表
面波装置の周波数特性を示すグラフであり、（ｂ）は各
電極パラメータを最適化していない弾性表面波装置の周
波数特性を示すグラフである。
面波装置の周波数特性を示すグラフであり、（ｂ）は各
電極パラメータを最適化していない弾性表面波装置の周
波数特性を示すグラフである。
【図６】従来の電極構造における弾性表面波装置の周波
数特性を示す図である。
数特性を示す図である。
１ ・・・ 基板 ２ ・・・ ＩＤＴ電極 ３ ・・・ 反射器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加賀井 恵美 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀工場内 (72)発明者 勝田 洋彦 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 四ホウ酸リチウム単結晶から成り、且つ
主面が40°乃至50°回転Ｘ軸カット面である基板上に、
波長λの弾性表面波の伝搬方向に沿って、膜厚Ｈ〔Å〕
の金属膜から成る入力用及び出力用インタディジタル電
極を総計Ｎ（≧３）個並設した弾性表面波装置であっ
て、前記入力用及び出力用インタディジタル電極の交差
幅をＷ〔λ〕、前記入力用インタディジタル電極の総対
数Ｎｉと前記出力用インタディジタル電極の総対数Ｎｏ
との比をＲｎ（＝Ｎｉ／Ｎｏ）としたとき、下記 1 及
び 2 の両式を満足することを特徴とする弾性表面波装
置。 (7200／Ｎ) − 20 ≦Ｗ≦ (7200／Ｎ) ＋ 20 ・・・ 1 3.45 − (0.0012×Ｈ) ≦Ｒｎ≦3.80− (0.0012×Ｈ) ・・・ 2 - 【請求項２】 前記弾性表面波の伝搬方向を前記基板の
Ｚ軸方向としたことを特徴とする請求項１に記載の弾性
表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344495A JPH08204500A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344495A JPH08204500A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204500A true JPH08204500A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11833315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1344495A Pending JPH08204500A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204500A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107395154A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 扬州大学 | 一种单片集成声表面波滤波组件 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP1344495A patent/JPH08204500A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107395154A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 扬州大学 | 一种单片集成声表面波滤波组件 |
| CN107395154B (zh) * | 2017-06-30 | 2020-06-02 | 扬州大学 | 一种单片集成声表面波滤波组件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10938371B2 (en) | Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer | |
| US6661313B2 (en) | Surface acoustic wave devices using optimized cuts of lithium niobate (LiNbO3) | |
| US6833774B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| Hashimoto et al. | Ultra-wideband surface acoustic wave devices using Cu-grating/rotated-YX-LiNbO3-substrate structure | |
| US7042133B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of adjusting a temperature characteristic of the same | |
| US20160056793A1 (en) | Ladder-type surface acoustic wave filter including series and parallel resonators | |
| KR100376906B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 통신 장치 | |
| Hashimoto et al. | Wideband Love wave filters operating in GHz range on Cu-grating/rotated-YX-LiNbO/sub 3/-substrate structure | |
| JP4182157B2 (ja) | 表面波装置 | |
| CN112953436A (zh) | 一种saw-baw混合谐振器 | |
| KR20000029388A (ko) | 최적화된 커트를 갖는 수정기판 상의 저손실 표면음파필터 | |
| US6940208B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2000261288A (ja) | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 | |
| KR100588450B1 (ko) | 탄성표면파소자및이를이용한휴대전화기 | |
| JP4127170B2 (ja) | 表面波装置 | |
| US6452306B1 (en) | Surface acoustic wave device and piezoelectric substrate used therefor | |
| EP0955726A1 (en) | Surface acoustic wave apparatus | |
| JPH08204500A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO1996028886A1 (fr) | Filtre a ondes acoustiques de surface | |
| Satoh et al. | RF SAW Filters | |
| US6356167B1 (en) | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave filter, duplexer communications apparatus and surface acoustic wave apparatus, and production method of surface acoustic wave resonator | |
| US6400061B1 (en) | Surface acoustic wave device and substrate thereof | |
| US6838807B2 (en) | Surface acoustic wave device suitable for use in GHz band | |
| JPH10209806A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS60140918A (ja) | 弾性表面波共振子 |