JPH08201224A - Ultraviolet light source failure detection system - Google Patents
Ultraviolet light source failure detection systemInfo
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- JPH08201224A JPH08201224A JP1234595A JP1234595A JPH08201224A JP H08201224 A JPH08201224 A JP H08201224A JP 1234595 A JP1234595 A JP 1234595A JP 1234595 A JP1234595 A JP 1234595A JP H08201224 A JPH08201224 A JP H08201224A
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- light
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- ultraviolet light
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光センシングにおいて、
光（可視光）の強度変化が光（紫外光）の照射の有無で
変化することを利用した紫外光光源故障検知システムに
関し、紫外光照射を検出する必要のある産業機器全般に
適用されるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to optical sensing,
An ultraviolet light source failure detection system that utilizes the change in the intensity of light (visible light) depending on the presence or absence of light (ultraviolet light) irradiation, and is applied to all industrial equipment that needs to detect ultraviolet light irradiation. Is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、紫外光のみならず他の波長領域に
おける光を検出するためには、光を電気に変換（光電効
果）させるフォトダイオード等の光電変換素子を必要と
し、特定の波長だけを検出するためにフォトダイオード
の前に波長フィルターを必要とした。図４に、これらを
用いた従来の紫外光検出器の一例を説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, in order to detect not only ultraviolet light but also light in other wavelength regions, a photoelectric conversion element such as a photodiode for converting light into electricity (photoelectric effect) is required, and only a specific wavelength is required. A wavelength filter was required in front of the photodiode to detect the. FIG. 4 illustrates an example of a conventional ultraviolet light detector using these.
【０００３】この紫外光検出器の動作原理を説明する。
同図に示すように、ある紫外光光源１から照射された紫
外光２は空間を伝搬し、波長フィルター３に入力され
る。このとき、紫外光２以外の背景光の波長成分はカッ
トされる。そして、純粋な紫外光２の成分だけがフォト
ダイオード４に入射する。該フォトダイオード４の入射
面（光電面）に紫外光２があたると、光電面材料の価電
子帯の電子が紫外光２の強度に応じて伝導帯に励起され
る。この時、光電面においてドリフト電流が流れ、フォ
トダイオード４のアノード６、カソード７間に電位差が
生じる。これを導線５を経由して電圧出力の形で紫外光
を監視する。The operating principle of this ultraviolet light detector will be described.
As shown in the figure, the ultraviolet light 2 emitted from a certain ultraviolet light source 1 propagates in space and is input to the wavelength filter 3. At this time, the wavelength components of the background light other than the ultraviolet light 2 are cut. Then, only the pure ultraviolet light 2 component is incident on the photodiode 4. When the ultraviolet light 2 strikes the incident surface (photoelectric surface) of the photodiode 4, the electrons in the valence band of the photocathode material are excited to the conduction band according to the intensity of the ultraviolet light 2. At this time, a drift current flows on the photocathode, and a potential difference occurs between the anode 6 and the cathode 7 of the photodiode 4. This is monitored via line 5 for UV light in the form of a voltage output.
【０００４】以上、説明したように不必要な背景光をカ
ットするために紫外光透過波長フィルター３を用い、そ
れを透過してきた紫外光２をフォトダイオード４で電気
に変換して、電圧出力の形で紫外光２の光出力を監視す
るようにしている。As described above, the ultraviolet light transmitting wavelength filter 3 is used to cut unnecessary background light, and the ultraviolet light 2 transmitted therethrough is converted into electricity by the photodiode 4 to generate a voltage output. The light output of the ultraviolet light 2 is monitored by the shape.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術に係
る紫外光検出においては、光−電気変換が必要なことか
ら以下のような課題がある。 フォトダイオードの特性から、例えば電磁波ノイズ
がひどい所、例えば高電圧環境下等での使用が不可能で
ある。 電気信号を用いるため、例えば防爆環境、及び導電
性液体中等での使用が困難であり、防爆用保護手段もし
くは絶縁保護手段が必要である。 電気信号による紫外光検出装置を複数箇所に配置す
ると、検出装置の数だけ検知部から受信末端までの配線
の敷設が必要であり、点検・保守にコストと時間がかか
る、という問題がある。The ultraviolet light detection according to the prior art described above has the following problems because photoelectric conversion is required. Due to the characteristics of the photodiode, it cannot be used in a place where electromagnetic noise is severe, for example, in a high voltage environment. Since an electric signal is used, it is difficult to use it in, for example, an explosion-proof environment or in a conductive liquid, and an explosion-proof protection means or an insulation protection means is required. When the ultraviolet light detectors based on electric signals are arranged at a plurality of locations, it is necessary to lay wires from the detector to the receiving end as many as the detectors, and there is a problem that inspection and maintenance require cost and time.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明に係る紫外光光源故障検知システムの構成は、紫外線
によりフォトクロミズムを発生し、可視光もしくは近赤
外光の照射によりフォトクロミズムを回復させることが
でき、基板より屈折率の高い材料を用いた導波層と、該
導波層を装荷するための基板とで構成される光導波路
と、複数の該導波路にパルスプローブ光を入力する手段
と複数箇所の故障検知信号光を出力、伝送させるための
手段と、パルスプローブ光を発生させるための可視光源
と故障検知信号を検出するための受光器と、からなり、
紫外光照射により可視光の強度を変化させるフォトクロ
ミズムを利用して、紫外光光源の故障の有無を判断し、
複数箇所の故障を特定・検知することを特徴とする。The constitution of the ultraviolet light source failure detection system according to the present invention for solving the above-mentioned problems is to generate photochromism by ultraviolet rays and recover the photochromism by irradiation of visible light or near infrared light. And an optical waveguide comprising a waveguide layer made of a material having a higher refractive index than the substrate, and a substrate for loading the waveguide layer, and means for inputting pulse probe light to the plurality of waveguides. And a means for outputting and transmitting failure detection signal light at a plurality of locations, a visible light source for generating a pulse probe light, and a light receiver for detecting a failure detection signal,
By utilizing the photochromism that changes the intensity of visible light by irradiating ultraviolet light, it is possible to judge whether or not there is a failure in the ultraviolet light source,
It is characterized by identifying and detecting failures at multiple locations.
【０００７】すなわち、従来技術の課題，を解決す
るため、本発明では紫外線によりフォトクロミズムを発
生し、可視光もしくは近赤外光（４００ｎｍ近傍〜２５
００ｎｍ近傍）の照射によりフォトクロミズムを回復さ
せることができ、基板より屈折率の高い材料を導波路と
し、紫外光検知部として用いるようにしている。That is, in order to solve the problems of the prior art, in the present invention, photochromism is generated by ultraviolet rays and visible light or near infrared light (near 400 nm to 25 nm) is generated.
A material having a higher refractive index than the substrate can be used as a waveguide and used as an ultraviolet light detecting section.
【０００８】また、従来技術の課題を解決するため、
ＯＴＤＲ（Optical Time Domain Reflectometory）方式
を用いた時分割多重な光信号検出を用いるようにしてい
る。その際に、ＯＴＤＲ光源は、可視域もしくは近赤外
域半導体レーザのピコ秒オーダのパルスプローブ光を用
いている。In order to solve the problems of the prior art,
Time division multiplexing optical signal detection using the OTDR (Optical Time Domain Reflectometory) method is used. At that time, as the OTDR light source, a picosecond-order pulse probe light of a visible or near infrared semiconductor laser is used.
【０００９】[0009]
【作用】上記構成において、紫外線照射によってフォト
クロミズムを発生し、基板より屈折率の高い材料を用い
た薄膜導波路に紫外光が当たると、そのフォトクロミズ
ムによって可視域〜近赤外光の吸収が生じ、紫外光が当
たらなくなるとある遅延時間（数分）を待って、可視域
〜近赤外光の吸収が終わり、紫外光照射以前の状態まで
に回復する。言わば、光−光のスイッチング動作を測定
することで紫外光の状態を把握することができる。この
現象を光ファイバを経由して遠隔地で検出すれば、紫外
光検知部に電気信号を介在させる必要はなくなる。In the above structure, when photochromism is generated by irradiation of ultraviolet rays and ultraviolet light strikes a thin film waveguide using a material having a higher refractive index than the substrate, the photochromism causes absorption of visible to near infrared light, When ultraviolet light does not hit, it waits for a certain delay time (several minutes), absorption of visible to near-infrared light ends, and it recovers to the state before irradiation with ultraviolet light. In other words, the state of ultraviolet light can be grasped by measuring the light-light switching operation. If this phenomenon is detected at a remote place via an optical fiber, it is not necessary to interpose an electric signal in the ultraviolet light detection section.
【００１０】ここで、プローブ光には可視域〜近赤外光
が用いられる。それを連続光から時間的なパルス光を用
いると時間軸上で個々のパルス信号を識別することがで
きる。それをＯＴＤＲ方式で検出し、その検出パルス信
号の強度変化を測定すれば個々の紫外光光源を監視する
ことができる。そのためのパルスプローブ光は、可視域
で導波路長の２倍に相当する光路時間以下のパルス幅
（３００ｐｓ）でなければならない。このようなパルス
光を発生させるためには、例えば利得スイッチング法、
モード同期法等を用いることで十分に実現可能である
が、これらに限定されるものではない。Here, visible light to near infrared light is used as the probe light. If continuous light is used and temporal pulsed light is used, individual pulse signals can be identified on the time axis. Each ultraviolet light source can be monitored by detecting it by the OTDR method and measuring the intensity change of the detected pulse signal. The pulse probe light for that purpose must have a pulse width (300 ps) equal to or less than the optical path time corresponding to twice the waveguide length in the visible region. In order to generate such pulsed light, for example, a gain switching method,
It can be sufficiently realized by using a mode-locking method or the like, but is not limited to these.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明に係る紫外光光源故障検知シス
テムの好適な一実施例を詳細に説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the ultraviolet light source failure detection system according to the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to this.
【００１２】（実施例１）紫外光光源の多重故障検知シ
ステム及び紫外光光源故障検知装置の実施例１を図１と
図２をもって説明する。図１は、本実施例に係る紫外光
光源故障検知システムを示す構成図である。また、図２
は、本実施例に係る紫外光光源故障検知装置を示す構成
図である。図１のシステムは、パルスプローブ光１１を
発生させるための可視域〜近赤外光のパルス光源１０と
そのパルス光を伝送させるための光ファイバ１２、そし
て、紫外光光源故障検知装置１４，１６と検出パルス信
号１８，１９，２０を受光器２４に導く光分配器２１と
光ファイバ２２から構成される。図２には、上記紫外光
光源故障検知装置の概略を示す。該紫外光光源故障検知
装置は、紫外線２によりフォトクロミズムを発生し、可
視光もしくは近赤外光の照射によりフォトクロミズムを
回復させることができ、基板より屈折率の高い材料を用
いた導波層３０と、該導波層３０を装荷するための基板
３２とで構成される光導波路とから構成されている。(Embodiment 1) Embodiment 1 of a multiple failure detection system for an ultraviolet light source and an ultraviolet light source failure detection apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a configuration diagram showing an ultraviolet light source failure detection system according to the present embodiment. Also, FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram showing an ultraviolet light source failure detection device according to the present embodiment. The system of FIG. 1 comprises a pulse light source 10 for generating a pulse probe light 11 in the visible region to near infrared light, an optical fiber 12 for transmitting the pulse light, and ultraviolet light source failure detection devices 14, 16. An optical distributor 21 for guiding the detection pulse signals 18, 19 and 20 to the light receiver 24 and an optical fiber 22. FIG. 2 shows an outline of the ultraviolet light source failure detection device. The ultraviolet light source failure detection device generates a photochromism by ultraviolet rays 2 and can recover the photochromism by irradiation with visible light or near infrared light, and a waveguide layer 30 using a material having a higher refractive index than the substrate. , An optical waveguide comprising a substrate 32 for loading the waveguide layer 30.
【００１３】図１および図２の動作について説明する。
これらの図面に示すように、可視域〜近赤外光（４００
ｎｍ近傍〜２５００ｎｍ近傍）のパルス光源１０（例え
ば半導体レーザの利得スイッチング法）から、パルス幅
３００ｐｓ（紫外検知長２０ｍｍの場合）以下の短光パ
ルス列をプローブ光１１として取りだし、光ファイバ１
２でそれぞれの各紫外光光源故障検知装置１４，１６に
伝送する。すると図２に示すように、紫外光光源故障検
知装置１６において、紫外光光源故障装置検知部分の導
波層３０の入力端面３３ともう一方の端面３１とで反射
が生ずる。この二つの端面３３，３１からの反射パルス
１８，１９の有無を検知することで、外部からの紫外光
照射２の有無を判断することができる。The operation of FIGS. 1 and 2 will be described.
As shown in these figures, visible to near infrared light (400
A short light pulse train having a pulse width of 300 ps (in the case of an ultraviolet detection length of 20 mm) or less is taken out as a probe light 11 from a pulse light source 10 (for example, a semiconductor laser gain switching method) in the range of about nm to about 2500 nm, and the optical fiber 1 is used.
2 transmits to the respective ultraviolet light source failure detection devices 14 and 16. Then, as shown in FIG. 2, in the ultraviolet light source failure detection device 16, reflection occurs at the input end face 33 and the other end face 31 of the waveguide layer 30 in the ultraviolet light source failure device detection portion. By detecting the presence / absence of the reflected pulses 18, 19 from the two end faces 33, 31, it is possible to determine the presence / absence of the ultraviolet light irradiation 2 from the outside.
【００１４】上記検知部の導波層３０は、本実施例で
は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合膜よりなる導波路（特願
平６−６５８３４号「光スイッチ」参照）で構成されて
おり、図２に示すように、その導波層３０の表面に紫外
光２が当たると、ＴｉＯ2 によるフォトクロミズムによ
り可視域のプローブ光１５の吸収が生じ、導波路入力端
面３３のみの反射によるパルス１９（紫外光光源故障検
知装置の識別信号の役割を果たす）だけが再び光ファイ
バ１２を通り光分配器２１、光ファイバ２２を経て受光
器２４によって検出される。In the present embodiment, the waveguiding layer 30 of the detecting portion is composed of a wave guide made of a mixed film of TiO 2 and SiO 2 (see Japanese Patent Application No. 6-65834, “Optical Switch”). As shown in FIG. 2, when the surface 2 of the waveguide layer 30 is irradiated with the ultraviolet light 2, photo-chromism due to TiO 2 causes absorption of the probe light 15 in the visible region, and a pulse 19 ( (Which serves as an identification signal of the ultraviolet light source failure detection device) is again detected by the light receiver 24 through the optical fiber 12, the optical distributor 21 and the optical fiber 22.
【００１５】そして、紫外光光源１７の故障等によって
導波層３０への紫外光２の照射が止まると、ある遅延時
間で回復しプローブ光１５の吸収がおさまる。When the irradiation of the ultraviolet light 2 to the waveguide layer 30 is stopped due to a failure of the ultraviolet light source 17, the probe light 15 is absorbed by the recovery after a certain delay time.
【００１６】すると、入力端面３３からの他に、もう一
方の端面３１からの反射が増大し、導波路の両端面３
３，３１の往復光路時間間隔Δｔだけ離れた二つの反射
パルス１８，１９が再び光ファイバ１２，２２および光
分配器２１を通り受光器２４によって検出される。Then, in addition to the input end face 33, the reflection from the other end face 31 is increased, and both end faces 3 of the waveguide are increased.
Two reflected pulses 18, 19 separated by a round trip optical path time interval Δt of 3, 31 are again detected by the photodetector 24 through the optical fibers 12, 22 and the optical distributor 21.
【００１７】これらの現象が複数箇所にわたり一度に発
生しても、これら全ての故障検知信号は反射パルス光と
して時分割された状態で検出されるため、特定箇所を識
別することができる。Even if these phenomena occur at a plurality of locations at once, all of these failure detection signals are detected as reflected pulse light in a time-divided state, so that a specific location can be identified.
【００１８】また、各故障検知装置の識別信号が検出さ
れなかったり、それ以外のところで反射パルスが検出さ
れた場合は光ファイバの破断、欠陥が生じたと考えるこ
とができる。このことから、紫外光光源の故障検知と同
時にこのシステム全体の保守、点検を行なえるという利
点がある。Further, when the identification signal of each failure detection device is not detected or the reflected pulse is detected at any other position, it can be considered that the optical fiber is broken or defective. From this, there is an advantage that the entire system can be maintained and inspected at the same time as the failure of the ultraviolet light source is detected.
【００１９】（実施例２）図３を用いて本発明の第２の
実施例を説明する。本実施例では、紫外線の照射により
フォトクロミズムが発生する材料の一例であるＴｉＯ2
とそのフォトクロミズムの感度と屈折率をコントロール
するためのＳｉＯ2 を、ＴｉＯ2 ：ＳｉＯ2 ＝８５：１
５の組成比で混合したターゲットを用いて（特願平６−
３０３３８３号参照）、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合膜を
作製した。ここで、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の組成比は基本
的には任意であるが、ＴｉＯ2 濃度が高い程紫外線照射
に対する信号光減衰の感度が高いこと、ＴｉＯ2 濃度が
高い程紫外線未照射時の伝播損失が大きくなるので、１
ｄＢ／ｃｍ程度の実用的吸収レベルに抑えること、組成
比の調節により混合物の屈折率がＳｉＯ2 の屈折率ｎ＝
１．５からＴｉＯ2 の屈折率ｎ＝２．５までの範囲で任
意に選択できるので基板３２よりも高い屈折率に調整
し、また光入出力用光ファイバ等との屈折率の整合をと
ることから、本実施例ではＴｉＯ2 ：ＳｉＯ2 ＝８５：
１５という組成比を採用している。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, TiO 2 which is an example of a material that causes photochromism by irradiation with ultraviolet rays
And SiO 2 for controlling the sensitivity of photochromism and the refractive index, TiO 2 : SiO 2 = 85: 1
Using a target mixed in a composition ratio of 5 (Japanese Patent Application No. 6-
No. 303383), a mixed film of TiO 2 and SiO 2 was prepared. Here, the composition ratio of TiO 2 and SiO 2 is basically arbitrary, but the higher the TiO 2 concentration, the higher the sensitivity of signal light attenuation to UV irradiation, and the higher the TiO 2 concentration is when the UV irradiation is not performed. Propagation loss increases, so 1
The refractive index of the mixture is controlled to be a practical absorption level of about dB / cm and the refractive index of SiO 2 is n =
Since it can be arbitrarily selected within the range of 1.5 to the refractive index n = 2.5 of TiO 2, the refractive index is adjusted to be higher than that of the substrate 32, and the refractive index is matched with the optical fiber for optical input / output. Therefore, in this embodiment, TiO 2 : SiO 2 = 85:
A composition ratio of 15 is adopted.
【００２０】上記混合膜による導波層４２はチャネル型
導波路のコアに相当し、基板の深さ方向にも、水平方向
にも導波光を閉じ込めている。The waveguide layer 42 formed of the mixed film corresponds to the core of the channel type waveguide and confine guided light both in the depth direction of the substrate and in the horizontal direction.
【００２１】導波層４２は基板全面に形成した後で、フ
ォトリソグラフィー技術を用いて、導波路パターンを形
成したマスクを作製し、エッチングすることで作製でき
る。The waveguide layer 42 can be produced by forming a mask having a waveguide pattern formed thereon by using a photolithography technique after forming the waveguide layer 42 on the entire surface of the substrate and etching the mask.
【００２２】上記導波層４２の周囲に形成するクラッド
層３１は、空気かあるいは誘電体材料、例えば、ＳｉＯ
2 で構成するが、誘電体材料の場合は、屈折率が導波層
４２よりも低くて、かつ、紫外光を吸収しないことが条
件である。The cladding layer 31 formed around the waveguide layer 42 is made of air or a dielectric material such as SiO 2.
In the case of the dielectric material, the refractive index is lower than that of the waveguiding layer 42 and the ultraviolet light is not absorbed.
【００２３】また、プローブ光１５が端面４１によって
効率良く反射が生じるためには、端面４１を鏡面研磨
（反射率数％）だけよりも、更にその上から金属膜（Ａ
ｌ，Ｃｒ等）による反射コーティングを施して、金属膜
の反射端面とし、反射率９０％以上を実現することがで
き、端面４１から外部への透過損失を押さえることがで
きる。In order for the probe light 15 to be efficiently reflected by the end face 41, the end face 41 may be further polished from above the metal film (A
It is possible to realize a reflectance of 90% or more by applying a reflection coating of (1, Cr, etc.) to the reflection end face of the metal film, and suppress transmission loss from the end face 41 to the outside.
【００２４】以上、説明した構成とすれば、光ファイバ
３４との光の入出力において、結合効率の向上が図れ、
また、上記端面４１からの反射光を検知信号１８として
用いることで導波層長の２倍の距離をプローブ光１５が
導波することになり紫外光２に対する感度を向上するこ
とができる。With the configuration described above, the coupling efficiency can be improved in the input / output of light to / from the optical fiber 34.
Further, by using the reflected light from the end face 41 as the detection signal 18, the probe light 15 is guided by a distance twice the length of the waveguide layer, so that the sensitivity to the ultraviolet light 2 can be improved.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、紫
外光光源近辺には電気信号を介在する必要がなくなっ
た。このため、以下の効果が期待できる。 電磁波ノイズ、高電圧環境下でも正確に動作可能と
なる。 電気信号を用いないため、防爆性に優れ、導電性液
体中での使用が可能である。As described above, according to the present invention, it is not necessary to interpose an electric signal near the ultraviolet light source. Therefore, the following effects can be expected. It can operate correctly even under electromagnetic noise and high voltage environment. Since it does not use an electric signal, it has excellent explosion-proof properties and can be used in conductive liquids.
【００２６】さらに、故障検知信号を、可視域〜近赤外
光パルスプローブ光を用い、時分割で検出する結果、複
数の紫外光光源の状態を監視することができる。このた
め以下の効果が期待できる。 複数の紫外光光源故障検知装置と接続することでネ
ットワーク化が可能である。 時分割多重による光信号の伝送、検出によって配線
の簡素化が可能となり、保守、点検が容易となる。Furthermore, as a result of detecting the failure detection signal in a time division manner by using the visible to near-infrared pulsed probe light, the states of a plurality of ultraviolet light sources can be monitored. Therefore, the following effects can be expected. Networking is possible by connecting multiple ultraviolet light source failure detection devices. Wiring can be simplified by transmitting and detecting optical signals by time division multiplexing, which facilitates maintenance and inspection.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の第１の実施例に係る紫外光光源故障検
知システムを示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an ultraviolet light source failure detection system according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例に係る紫外光光源故障検
知装置を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an ultraviolet light source failure detection device according to a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施例に係る紫外光光源故障検
知装置を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing an ultraviolet light source failure detection device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の紫外光検出装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional ultraviolet light detection device.
２ 紫外光 １０ 可視域〜近赤外光パルス光源 １１ パルスプローブ光 １２ 光ファイバ １３ 入力パルスプローブ光 １４ 紫外光光源故障検知装置 １５ 正常点灯の紫外光光源 １６ 紫外光光源故障検知装置 １７ 故障時の紫外光光源 １８ 故障検知時の反射パルス １９ 検知装置識別の反射パルス ２０ 検知装置識別の反射パルス ２１ 光分配器 ２２ 光ファイバ ２３ 時分割故障検知信号 ２４ 受光器 ３０ 導波層 ３１ 反射端面 ３２ 基板 ３３ 反射端面 ３４ 光ファイバ 2 UV light 10 Visible to near-infrared light pulse light source 11 Pulse probe light 12 Optical fiber 13 Input pulse probe light 14 UV light source failure detection device 15 UV light source with normal lighting 16 UV light source failure detection device 17 In case of failure Ultraviolet light source 18 Reflected pulse at failure detection 19 Reflected pulse for detecting device 20 Reflected pulse for detecting device 21 Optical distributor 22 Optical fiber 23 Time division failure detection signal 24 Photoreceptor 30 Waveguide layer 31 Reflective end face 32 Substrate 33 Reflective end face 34 Optical fiber
Claims (1)
し、可視光もしくは近赤外光の照射によりフォトクロミ
ズムを回復させることができ、基板より屈折率の高い材
料を用いた導波層と、該導波層を装荷するための基板と
で構成される光導波路と、 複数の該導波路にパルスプローブ光を入力する手段と複
数箇所の故障検知信号光を出力、伝送させるための手段
と、 パルスプローブ光を発生させるための可視光源と故障検
知信号を検出するための受光器とからなり、 紫外光照射により可視光の強度を変化させるフォトクロ
ミズムを利用して、紫外光光源の故障の有無を判断し、
複数箇所の故障を特定・検知することを特徴とする紫外
光光源故障検知システム。1. A waveguide layer using a material that generates photochromism by ultraviolet rays and can recover the photochromism by irradiation with visible light or near-infrared light, and uses a material having a higher refractive index than a substrate. An optical waveguide composed of a substrate for loading, a means for inputting pulse probe light into the plurality of waveguides, a means for outputting and transmitting failure detection signal light at a plurality of locations, and a pulse probe light It consists of a visible light source for detecting the failure detection signal and a photodetector for detecting a failure detection signal.Using photochromism that changes the intensity of visible light by irradiation with ultraviolet light, the presence or absence of failure of the ultraviolet light source is determined,
An ultraviolet light source failure detection system characterized by identifying and detecting failures at multiple locations.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234595A JPH08201224A (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Ultraviolet light source failure detection system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234595A JPH08201224A (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Ultraviolet light source failure detection system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201224A true JPH08201224A (en) | 1996-08-09 |
Family
ID=11802699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234595A Withdrawn JPH08201224A (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Ultraviolet light source failure detection system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201224A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245800B1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-07-17 | Lockheed Martin Corporation | Fiber optic interconnect with visible laser indicator and fault detector |
| JP2009014689A (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Saitama Univ | Device for measuring intensity of ultraviolet ray with the use of photochromic compound |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP1234595A patent/JPH08201224A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245800B1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-07-17 | Lockheed Martin Corporation | Fiber optic interconnect with visible laser indicator and fault detector |
| JP2009014689A (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Saitama Univ | Device for measuring intensity of ultraviolet ray with the use of photochromic compound |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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