JPH08186924A - Protective device for apd measuring circuit - Google Patents
Protective device for apd measuring circuitInfo
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- JPH08186924A JPH08186924A JP33858394A JP33858394A JPH08186924A JP H08186924 A JPH08186924 A JP H08186924A JP 33858394 A JP33858394 A JP 33858394A JP 33858394 A JP33858394 A JP 33858394A JP H08186924 A JPH08186924 A JP H08186924A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ＡＰＤ（アバランシ
ェフォトダイオード、以下「ＡＰＤ」という。）測定回
路の保護装置に関し、特に、ＡＰＤを用いた測定回路に
おいて、ＡＰＤを異常状態から保護するために使用され
るＡＰＤ測定回路の保護装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection device for an APD (avalanche photodiode, hereinafter referred to as "APD") measuring circuit, and more particularly to a measuring circuit using the APD for protecting the APD from an abnormal state. The present invention relates to a protection device for an APD measurement circuit used.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来技術によるＡＰＤを用いた測定回路
を図４により説明する。従来のＡＰＤ測定回路は、一端
を終端抵抗器３を介して接地したＡＰＤ１と、出力電圧
をＡＰＤ１の他端に接続した高電圧発生回路２などから
構成される。高電圧発生回路２には可変抵抗器１０、抵
抗器１１を介して回路電源が接続されており、この可変
抵抗器１０を調節することで高電圧発生回路２の出力電
圧が可変な構成となっている。高電圧発生回路２の出力
電圧はＡＰＤ１に逆バイアスされている。そして、光入
力によるＡＰＤ１からの出力電流を終端抵抗器３を介し
て測定することで、光強度などを測定している。2. Description of the Related Art A conventional measuring circuit using an APD will be described with reference to FIG. The conventional APD measuring circuit is composed of an APD1 whose one end is grounded through a terminating resistor 3 and a high voltage generating circuit 2 whose output voltage is connected to the other end of the APD1. A circuit power supply is connected to the high voltage generating circuit 2 via a variable resistor 10 and a resistor 11. By adjusting the variable resistor 10, the output voltage of the high voltage generating circuit 2 is variable. ing. The output voltage of the high voltage generation circuit 2 is reverse biased to APD1. Then, the light intensity and the like are measured by measuring the output current from the APD 1 due to the light input through the terminating resistor 3.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＡＰＤ
測定回路では、過大な強度の光入力があった場合、ある
いは高電圧発生回路からのＡＰＤの定格を超える逆バイ
アス電圧がかかった場合などには、ＡＰＤの出力電流が
過剰になり、このためＡＰＤが破損するという問題があ
った。[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional APD
In the measurement circuit, the output current of the APD becomes excessive when there is an excessively high intensity optical input, or when a reverse bias voltage exceeding the APD rating from the high voltage generation circuit is applied. There was a problem that was damaged.
【０００４】この発明は、容易かつ自動的にＡＰＤの破
損を防ぐＡＰＤ測定回路の保護装置を提供することを目
的とする。An object of the present invention is to provide a protection device for an APD measuring circuit which prevents damage to the APD easily and automatically.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、一端が終端抵抗器を介して接地された
ＡＰＤを有し、ＡＰＤからの出力電流を終端抵抗器を介
して測定するＡＰＤ測定回路において、ＡＰＤに逆バイ
アス電圧を供給する電圧供給手段と、ＡＰＤからの出力
電流が所定の値以上になったことを検出する第１の検出
手段と、第１の検出手段の検出出力により動作して上記
の逆バイアス電圧を下げる電圧調整手段とを備える。In order to achieve this object, the present invention has an APD whose one end is grounded through a terminating resistor, and measures an output current from the APD through the terminating resistor. In the APD measurement circuit, voltage supply means for supplying a reverse bias voltage to the APD, first detection means for detecting that the output current from the APD has reached a predetermined value or more, and detection output of the first detection means. And a voltage adjusting means for lowering the reverse bias voltage.
【０００６】電圧供給手段は、例えば、高電圧発生回路
と、高電圧発生回路からの出力電圧を可変とするための
調整電圧を供給する可変抵抗器と、可変抵抗器に第１の
基準スケール電圧を供給する第１の基準スケール電圧供
給回路とを備え、また、電圧調整手段は、例えば、第１
の検出手段の検出出力により動作するスイッチ手段と、
スイッチ手段の動作により可変抵抗器に第１の基準スケ
ール電圧より低い電圧である第２の基準スケール電圧を
供給する第２の基準スケール電圧供給回路とを備える。The voltage supply means includes, for example, a high voltage generation circuit, a variable resistor for supplying an adjustment voltage for varying the output voltage from the high voltage generation circuit, and a first reference scale voltage for the variable resistor. And a first reference scale voltage supply circuit for supplying the voltage.
Switch means operated by the detection output of the detection means of
A second reference scale voltage supply circuit for supplying a second reference scale voltage, which is a voltage lower than the first reference scale voltage, to the variable resistor by the operation of the switch means.
【０００７】または、電圧調整手段は、第１の検出手段
の検出出力により動作するスイッチ手段と、スイッチ手
段の動作により逆バイアス電圧を下げる電圧降下回路と
を備える構成とすることもできる。Alternatively, the voltage adjusting means may be provided with a switch means which operates by the detection output of the first detecting means, and a voltage drop circuit which lowers the reverse bias voltage by the operation of the switch means.
【０００８】さらに、電圧供給手段からの逆バイアス電
圧が所定の値以下になったことを検知する第２の検出手
段をさらに有し、第２の検出手段の検出出力により電圧
調整手段が不作動となる構成としても良い。Further, there is further provided second detecting means for detecting that the reverse bias voltage from the voltage supplying means has become equal to or lower than a predetermined value, and the voltage adjusting means is inactivated by the detection output of the second detecting means. It may be configured as follows.
【０００９】[0009]
【作用】この発明のＡＰＤ測定回路の保護装置では、過
大な光入力やＡＰＤそのものの異常などが原因でＡＰＤ
から定格を超える電流が出力された、つまりＡＰＤから
の出力電流が所定の値以上になった場合には、第１の検
出手段がの検出出力により電圧調整手段が動作してＡＰ
Ｄへの逆バイアス電圧を速やかにかつ自動的に安全な低
い電圧まで低下させる。このため、ＡＰＤの破損を自動
的に防止することができる。In the protection device for the APD measuring circuit of the present invention, the APD is caused by an excessive optical input or an abnormality of the APD itself.
When a current exceeding the rating is output from the APD, that is, when the output current from the APD exceeds a predetermined value, the voltage adjusting means operates by the detection output of the first detecting means and the AP
The reverse bias voltage to D is quickly and automatically reduced to a safe low voltage. Therefore, it is possible to automatically prevent the APD from being damaged.
【００１０】[0010]
【実施例】つぎに、この発明の第１の実施例について、
図１を参照して説明する。図１において、ＡＰＤ測定回
路の保護回路は、一端を終端抵抗器３を介して接地され
たＡＰＤ１と、出力電圧をＡＰＤ１の他端に接続した高
電圧発生回路２と、ＡＰＤ１の出力電圧が基準電圧４Ａ
以上になったこと（ＡＰＤ１からの異常出力）を検出す
るための比較器４と、高電圧発生回路２からの出力が基
準電圧５Ａ以下になったことを検出するための比較器５
と、比較器４の検出出力を記憶する（異常状態を記憶す
る）ためのフリップフロップ（以下、「ＦＦ」とい
う。）６と、可変抵抗器１０の一端に通常時の基準スケ
ール電圧を供給する定電圧素子７と抵抗器１１と、ＦＦ
６の出力で駆動されて後述するように基準スケール電圧
を切替えるスイッチ素子９と、スイッチ素子９により駆
動される発光ダイオード８および高電圧発生回路２から
の出力電圧を可変とする調整電圧を供給する可変抵抗器
１０などから構成される。[Embodiment] Next, a first embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the protection circuit of the APD measurement circuit includes an APD1 whose one end is grounded through a terminating resistor 3, a high voltage generation circuit 2 whose output voltage is connected to the other end of the APD1, and an output voltage of the APD1 which is a reference. Voltage 4A
The comparator 4 for detecting the above (abnormal output from the APD 1) and the comparator 5 for detecting that the output from the high voltage generating circuit 2 becomes the reference voltage 5A or less.
And a flip-flop (hereinafter, referred to as “FF”) 6 for storing the detection output of the comparator 4 (for storing an abnormal state) and one end of the variable resistor 10 to supply the reference scale voltage in the normal state. Constant voltage element 7, resistor 11, FF
A switch element 9 that is driven by the output of the switch 6 to switch the reference scale voltage as described later, and a light emitting diode 8 that is driven by the switch element 9 and an adjustment voltage that varies the output voltage from the high voltage generation circuit 2 are supplied. The variable resistor 10 is included.
【００１１】ここで、ＦＦ６は、本実施例では例えば図
３に示したような構成のものが用いられる。つまり、リ
セット回路部分も含めてトランジスタ３１〜３３と抵抗
器３４〜３８によって構成される。そして、例えば、セ
ット入力Ｓに供給される電圧が電源電圧＋Ｖの１／２よ
り大きくなったときセット状態になるとともに、リセッ
ト入力Ｒに供給される電圧が電源電圧＋Ｖより約０．７
Ｖ低くなったときにリセット状態になるように設定され
る。In this embodiment, the FF 6 has a structure as shown in FIG. 3, for example. That is, the reset circuit portion is included, and the transistors 31 to 33 and the resistors 34 to 38 are used. Then, for example, when the voltage supplied to the set input S becomes larger than 1/2 of the power supply voltage + V, the set state is set, and the voltage supplied to the reset input R is about 0.7 than the power supply voltage + V.
The reset state is set when V becomes low.
【００１２】また、発光ダイオード８は、ＡＰＤ１から
の出力電流が一定値以上、つまりＡＰＤ１の出力電圧が
基準電圧４Ａ以上になったこと（異常状態にあること）
を示す表示手段を兼ねており、スイッチ素子９がオンの
間は点灯する。なお、本実施例では、スイッチ素子９に
はＮＰＮトランジスタを用いた。Further, in the light emitting diode 8, the output current from the APD 1 is above a certain value, that is, the output voltage of the APD 1 is above the reference voltage 4A (in an abnormal state).
Also serves as a display means, and is lit while the switch element 9 is on. In this embodiment, the switch element 9 is an NPN transistor.
【００１３】この第１の実施例のＡＰＤ測定回路の保護
回路では、電源電圧＋Ｖと抵抗器１１、並びに定電圧素
子７により、通常測定時の基準スケール電圧が可変抵抗
器１０の一端へ供給される。また、可変抵抗器１０から
の調整電圧は、可変抵抗器１０により上記の基準スケー
ル電圧を適宜分圧することで変化する。そして、高電圧
発生回路２からＡＰＤ１への逆バイアス電圧は、可変抵
抗器１０から高電圧発生回路２への調整電圧を適宜変化
させることで変化する。In the protection circuit of the APD measuring circuit of the first embodiment, the reference scale voltage at the time of normal measurement is supplied to one end of the variable resistor 10 by the power supply voltage + V, the resistor 11 and the constant voltage element 7. It Further, the adjustment voltage from the variable resistor 10 changes by appropriately dividing the reference scale voltage by the variable resistor 10. Then, the reverse bias voltage from the high voltage generation circuit 2 to the APD 1 changes by appropriately changing the adjustment voltage from the variable resistor 10 to the high voltage generation circuit 2.
【００１４】ここで、本実施例においては例えば、通常
測定時の基準スケール電圧を１２Ｖ、異常時の基準スケ
ール電圧を１．２Ｖと設定されるが、これらは基準スケ
ール電圧の供給方法、あるいはＡＰＤ１の必要とする逆
バイアス電圧などから任意に変更できることは勿論であ
る。ただし、異常時の基準スケール電圧は、高電圧発生
回路２の出力を確実に下げることができるような電圧に
設定することが必要である。Here, in the present embodiment, for example, the reference scale voltage at the time of normal measurement is set to 12 V and the reference scale voltage at the time of abnormality is set to 1.2 V. These are the method of supplying the reference scale voltage or the APD1. Needless to say, it can be arbitrarily changed from the reverse bias voltage required by the above. However, it is necessary to set the reference scale voltage at the time of abnormality to a voltage that can reliably reduce the output of the high voltage generation circuit 2.
【００１５】そして、ＡＰＤ１の出力電圧が基準電圧４
Ａ以上になり、比較器４によってこの異常状態が検出さ
れた場合には、比較器４からＦＦ６のセット入力Ｓに出
力がされ、この出力によってＦＦ６がセットされて、異
常が起こったことが記憶される。また、ＦＦ６がセット
されたことによるＦＦ６からのＱ出力により、スイッチ
素子９がオンし、この結果、発光ダイオード８の順方向
電圧によって上記の異常時の基準スケール電圧が供給さ
れる。この発光ダイオード８による基準スケール電圧
は、定電圧素子７によるものよりも低い電圧であり、ま
た高電圧発生回路２に供給された場合において高電圧発
生回路２がＡＰＤ１の増倍率が１に近くなるような電圧
しか出力できないような電圧に設定されている。The output voltage of the APD1 is the reference voltage 4
When it becomes A or more and this abnormal state is detected by the comparator 4, the comparator 4 outputs an output to the set input S of the FF6, and this output sets the FF6 to store that an abnormality has occurred. To be done. Further, the Q output from the FF 6 due to the setting of the FF 6 turns on the switch element 9, and as a result, the forward voltage of the light emitting diode 8 supplies the reference scale voltage in the abnormal state. The reference scale voltage of the light emitting diode 8 is lower than that of the constant voltage element 7, and when supplied to the high voltage generating circuit 2, the high voltage generating circuit 2 has a multiplication factor of the APD 1 close to 1. The voltage is set so that only such voltage can be output.
【００１６】以上のように、第１の実施例では、高電圧
発生回路２の出力を下げたことにより、ＡＰＤは保護さ
れる。そして、異常となった原因を取り除き、測定を再
開する場合には、ＦＦ６をリセットする必要がある。そ
のために、比較器４からの異常検出出力が無く、且つ、
高電圧発生回路２の出力を基準電圧５Ａより小さくする
ことが必要となる。また、ＦＦ６をリセットした後は、
可変抵抗器１０を動かしてＡＰＤ１に対する印加電圧を
上げていく。この過程において、印加電圧の上昇に対す
る終端抵抗器３の電圧変化を見ることで、ＡＰＤ異常発
生時におけるＡＰＤ１の特性異常の有無について知るこ
とも可能になる。As described above, in the first embodiment, the APD is protected by lowering the output of the high voltage generating circuit 2. Then, when removing the cause of the abnormality and restarting the measurement, it is necessary to reset the FF6. Therefore, there is no abnormality detection output from the comparator 4, and
It is necessary to make the output of the high voltage generation circuit 2 smaller than the reference voltage 5A. After resetting FF6,
The variable resistor 10 is moved to increase the voltage applied to the APD 1. In this process, by observing the voltage change of the terminating resistor 3 with respect to the rise of the applied voltage, it becomes possible to know the presence or absence of the characteristic abnormality of the APD 1 when the APD abnormality occurs.
【００１７】つまり、異常発生後は、過大入力光を取り
去る等して異常の原因を取り除いた後、比較器５の基準
電圧５Ａの大きさに対応して高電圧発生回路２の入力電
圧を可変抵抗器１０により下げることで、ＡＰＤへの逆
バイアス電圧を安全な低い電圧状態まで戻し、その後に
復帰操作を行って通常の測定が可能な状態へ復帰させる
ようにしている。That is, after the occurrence of the abnormality, after removing the cause of the abnormality by removing the excessive input light, the input voltage of the high voltage generating circuit 2 is changed according to the magnitude of the reference voltage 5A of the comparator 5. By lowering with the resistor 10, the reverse bias voltage to the APD is returned to a safe low voltage state, and then a return operation is performed to return to a state where normal measurement is possible.
【００１８】なお、本実施例においては、スイッチ素子
９のオンにより通電して発光する発光ダイオード８を設
けたことで異常を作業者等に通知することができるが、
このような通知が不要な場合には発光ダイオード８を省
略して抵抗器１１を直接スイッチ素子９に接続する構成
としても良い。また、発光ダイオード８に代えて、例え
ば、ツェナーダイオードなどの定電圧素子、あるいは、
発光ダイオード８の電圧降下に相当する抵抗値を有する
抵抗器等を用いる構成とすることもできる。In this embodiment, by providing the light emitting diode 8 which is energized and emits light when the switch element 9 is turned on, it is possible to notify the operator of the abnormality.
When such notification is unnecessary, the light emitting diode 8 may be omitted and the resistor 11 may be directly connected to the switch element 9. Further, instead of the light emitting diode 8, for example, a constant voltage element such as a Zener diode, or
It is also possible to use a resistor or the like having a resistance value corresponding to the voltage drop of the light emitting diode 8.
【００１９】つぎに、第１の実施例の具体的な動作を説
明する。例えば、正常時の基準スケール電圧が１２Ｖの
ときにおける高電圧発生回路２の出力電圧を２００Ｖと
し、また終端抵抗器３を１ｋΩ、基準電圧４Ａを２Ｖ、
基準電圧５Ａを２Ｖとする。そして、ＡＰＤ１に対する
印加電圧が１６０Ｖのときに何らかの原因によりＡＰＤ
１の出力電流が２ｍＡを超える事態が発生したとする。
すると、ＦＦ６は比較器４の異常検出出力を得て一瞬で
異常状態を記憶し、これによりスイッチ素子９がオンに
なって基準スケール電圧が正常時の電圧の１／１０に下
がる。この結果、ＡＰＤ１に対する印加電圧が１６Ｖに
低下し、また発光ダイオード８が点灯状態になる。Next, the specific operation of the first embodiment will be described. For example, the output voltage of the high voltage generation circuit 2 when the reference scale voltage in the normal state is 12V is 200V, the terminating resistor 3 is 1 kΩ, and the reference voltage 4A is 2V.
The reference voltage 5A is set to 2V. When the applied voltage to APD1 is 160V, the APD is
It is assumed that the output current of 1 exceeds 2 mA.
Then, the FF 6 obtains the abnormality detection output of the comparator 4 and memorizes the abnormal state in an instant, whereby the switch element 9 is turned on and the reference scale voltage drops to 1/10 of the normal voltage. As a result, the voltage applied to the APD 1 is reduced to 16V and the light emitting diode 8 is turned on.
【００２０】一方、この異常状態を解除する場合には、
まず異常要因を取り除き、次に可変抵抗器１０を動かし
てＡＰＤ１に対する印加電圧を２Ｖ未満に下げる。印加
電圧が２Ｖ未満になったとき、ＦＦ６はリセットされ、
スイッチ素子９がオフして発光ダイオード８が消灯す
る。また、高電圧発生回路２への基準スケール電圧が正
常時の電圧である１２Ｖへ復帰する。なお、この状態で
は、可変抵抗器１０が上記のように移動しているため、
ＡＰＤ１への印加電圧は１６０Ｖではなく２０Ｖ未満と
なる。この印加電圧は、当然のことであるが、可変抵抗
器１０の操作により適宜増減できる。On the other hand, when releasing this abnormal state,
First, the cause of abnormality is removed, and then the variable resistor 10 is moved to reduce the applied voltage to the APD 1 to less than 2V. When the applied voltage becomes less than 2V, FF6 is reset,
The switch element 9 is turned off and the light emitting diode 8 is turned off. Further, the reference scale voltage to the high voltage generating circuit 2 is restored to 12V which is a normal voltage. In this state, since the variable resistor 10 is moving as described above,
The applied voltage to the APD1 is less than 20V instead of 160V. As a matter of course, this applied voltage can be appropriately increased / decreased by operating the variable resistor 10.
【００２１】次に、この発明の第２の実施例を説明す
る。図２は第２の実施例のＡＰＤ１の保護回路の構成図
である。なお、図２で図１と同じ機能または性能である
構成要素は同じ番号を用いた。対応させて、図２により
説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a block diagram of the protection circuit of the APD 1 of the second embodiment. In FIG. 2, the same numbers are used for the components having the same function or performance as those in FIG. Corresponding description will be made with reference to FIG.
【００２２】第２の実施例は、第１の実施例において、
発光ダイオード８とスイッチ素子９とを抵抗器１１では
なくて高電圧発生回路２の出力側に接続した点が異なる
だけで、その他の点は第１の実施例と同じ構成である。The second embodiment is the same as the first embodiment except that
The light emitting diode 8 and the switch element 9 are the same as those in the first embodiment except that the resistor 11 is not connected to the output side of the high voltage generating circuit 2.
【００２３】この第２の実施例では、ＡＰＤ１の出力電
圧が基準電圧４Ａ以上になって比較器４により異常状態
が検出された場合、比較器４からのセット入力Ｓへの出
力によってＦＦ６がセットされ、異常が記憶される。そ
して、ＦＦ６からのＱ出力によるスイッチ素子９のオン
によって、発光ダイオード８の順方向電圧降下によって
高電圧発生回路２からＡＰＤ１への逆バイアス電圧を安
全な低い電圧まで下がる。In the second embodiment, when the output voltage of the APD1 becomes equal to or higher than the reference voltage 4A and the abnormal state is detected by the comparator 4, the FF 6 is set by the output from the comparator 4 to the set input S. And the abnormality is stored. When the switch element 9 is turned on by the Q output from the FF 6, the forward voltage drop of the light emitting diode 8 lowers the reverse bias voltage from the high voltage generation circuit 2 to the APD 1 to a safe low voltage.
【００２４】つまり、第２の実施例では、第１の実施例
のように基準スケール電圧を変更するのではなく、高電
圧発生回路２の出力を発光ダイオード８を介して直接下
げるように構成したものである。そして、この構成によ
れば、高電圧発生回路２からの逆バイアス電圧を直接操
作することから、極めて短時間でＡＰＤ１を保護するこ
とが可能となる。また、異常発生後の復帰動作は、第１
の実施例と同様であり、異常の原因を取り除いた後に比
較器５の基準電圧５Ａの大きさに対応して高電圧発生回
路２の入力電圧を可変抵抗器１０により下げる等の操作
を行なう。That is, in the second embodiment, the output of the high voltage generating circuit 2 is directly lowered via the light emitting diode 8 instead of changing the reference scale voltage as in the first embodiment. It is a thing. Further, according to this configuration, since the reverse bias voltage from the high voltage generation circuit 2 is directly operated, it becomes possible to protect the APD 1 in an extremely short time. In addition, the recovery operation after an abnormality occurs is
After removing the cause of the abnormality, the variable resistor 10 lowers the input voltage of the high voltage generation circuit 2 in accordance with the magnitude of the reference voltage 5A of the comparator 5, and the like.
【００２５】また、第１の実施例と同様に、発光ダイオ
ード８による異常表示が必要ない場合には、発光ダイオ
ード８に代えて、定電圧素子や抵抗器等を用いる構成と
しても良い。Further, similarly to the first embodiment, when the abnormal display by the light emitting diode 8 is not necessary, the light emitting diode 8 may be replaced by a constant voltage element, a resistor or the like.
【００２６】[0026]
【発明の効果】この発明によれば、ＡＰＤからの異常出
力を検出した場合にＡＰＤへの逆バイアス電圧を自動的
に安全な値まで低下させることができ、容易かつ自動的
にＡＰＤの破損を防ぐことができる。According to the present invention, when the abnormal output from the APD is detected, the reverse bias voltage to the APD can be automatically lowered to a safe value, and the damage of the APD can be easily and automatically performed. Can be prevented.
【図１】この発明の第１の実施例によるＡＰＤ測定回路
の保護装置の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a protection device for an APD measurement circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２の実施例によるＡＰＤ測定回路
の保護装置の構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a protection device for an APD measurement circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例で用いるＦＦの構成を示す回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an FF used in an embodiment of the present invention.
【図４】従来技術によるＡＰＤ測定回路の構成を示す回
路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of an APD measurement circuit according to a conventional technique.
１ ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード） ２ 高電圧発生回路 ３ 終端抵抗器 ４ 比較器 ５ 比較器 ６ ＦＦ（フリップフロップ） ７ 定電圧素子 ８ 発光ダイオード ９ スイッチ素子 １０ 可変抵抗器 １１ 抵抗器 ３１〜３３ トランジスタ ３４〜３８ 抵抗器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 APD (avalanche photodiode) 2 high voltage generation circuit 3 termination resistor 4 comparator 5 comparator 6 FF (flip flop) 7 constant voltage element 8 light emitting diode 9 switch element 10 variable resistor 11 resistor 31 to 33 transistor 34 ~ 38 resistors
Claims (5)
たアバランシェフォトダイオード(1) を有し、前記アバ
ランシェフォトダイオード(1) からの出力電流を前記終
端抵抗器(3) を介して測定するＡＰＤ測定回路におい
て、 前記アバランシェフォトダイオード(1) に逆バイアス電
圧を供給する電圧供給手段(2,7,10,11) と、 前記アバランシェフォトダイオード(1) からの出力電流
が所定の値以上になったことを検出する第１の検出手段
(4) と、 前記第１の検出手段(4) の検出出力により動作して前記
逆バイアス電圧を下げる電圧調整手段(6,8,9) とを有し
てなることを特徴とするＡＰＤ測定回路の保護装置。1. An avalanche photodiode (1), one end of which is grounded via a terminating resistor (3), and an output current from the avalanche photodiode (1) is passed through the terminating resistor (3). In the APD measurement circuit to measure by the voltage supply means (2,7,10,11) for supplying a reverse bias voltage to the avalanche photodiode (1), and the output current from the avalanche photodiode (1) is a predetermined value. First detection means for detecting that the value is equal to or more than a value
(4) and voltage adjusting means (6,8,9) that operates by the detection output of the first detecting means (4) to reduce the reverse bias voltage, APD measurement Circuit protector.
圧発生回路(2) と、前記高電圧発生回路(2) からの出力
電圧を可変とするための調整電圧を供給する可変抵抗器
(10)と、前記可変抵抗器(10)に第１の基準スケール電圧
を供給する第１の基準スケール電圧供給回路（7,11）と
を有し、また、前記電圧調整手段(6,8,9) が、前記第１
の検出手段(4) の検出出力により動作するスイッチ手段
(6,9)と、前記スイッチ手段(6,9) の動作により前記可
変抵抗器(10)に前記第１の基準スケール電圧より低い電
圧である第２の基準スケール電圧を供給する第２の基準
スケール電圧供給回路（8)とを有してなることを特徴と
する請求項１記載のＡＰＤ測定回路の保護装置。2. The voltage supply means (2, 7, 10, 11) supplies a high voltage generating circuit (2) and an adjustment voltage for varying the output voltage from the high voltage generating circuit (2). Supply variable resistor
(10) and a first reference scale voltage supply circuit (7, 11) for supplying a first reference scale voltage to the variable resistor (10), and the voltage adjusting means (6, 8) , 9) is the first
Switch means that operates by the detection output of the detection means (4)
(6, 9) and a second reference scale voltage lower than the first reference scale voltage is supplied to the variable resistor (10) by the operation of the switch means (6, 9). The protection device for an APD measurement circuit according to claim 1, further comprising a reference scale voltage supply circuit (8).
の検出手段(4) の検出出力により動作するスイッチ手段
(6,9) と、前記スイッチ手段(6,9) の動作により前記逆
バイアス電圧を下げる電圧降下回路(8) とを有してなる
ことを特徴とする請求項１記載のＡＰＤ測定回路の保護
装置。3. The voltage adjusting means (6, 8, 9) is provided with the first
Switch means that operates by the detection output of the detection means (4)
2. The APD measuring circuit according to claim 1, further comprising: (6,9) and a voltage drop circuit (8) for lowering the reverse bias voltage by the operation of the switch means (6,9). Protective device.
圧発生回路(2) と、前記高電圧発生回路(2) からの出力
電圧を可変とするための調整電圧を供給する可変抵抗器
(10)と、前記可変抵抗器(10)に基準スケール電圧を供給
する基準スケール電圧供給回路（7,11）とを有してなる
ことを特徴とする請求項３記載のＡＰＤ測定回路の保護
装置。4. The voltage supply means (2, 7, 10, 11) supplies a high voltage generating circuit (2) and an adjustment voltage for varying the output voltage from the high voltage generating circuit (2). Supply variable resistor
The APD measurement circuit protection according to claim 3, further comprising: (10) and a reference scale voltage supply circuit (7, 11) for supplying a reference scale voltage to the variable resistor (10). apparatus.
記逆バイアス電圧が所定の値以下になったことを検知す
る第２の検出手段(5) を更に有し、前記第２の検出手段
(5) の検出出力により前記電圧調整手段(6,8,9) が不作
動となることを特徴とする請求項１、２、３または４記
載のＡＰＤ測定回路の保護装置。5. A second detection means (5) for detecting that the reverse bias voltage from the voltage supply means (2, 7, 10, 11) has become a predetermined value or less, further comprising: Second detection means
The protection device for an APD measuring circuit according to claim 1, 2, 3 or 4, characterized in that the voltage adjusting means (6, 8, 9) is deactivated by the detection output of (5).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33858394A JP3314568B2 (en) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Protection device for APD measurement circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33858394A JP3314568B2 (en) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Protection device for APD measurement circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186924A true JPH08186924A (en) | 1996-07-16 |
| JP3314568B2 JP3314568B2 (en) | 2002-08-12 |
Family
ID=18319546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33858394A Expired - Fee Related JP3314568B2 (en) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Protection device for APD measurement circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3314568B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7309853B2 (en) | 2004-12-20 | 2007-12-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for controlling a bias voltage applied to an avalanche photodiode |
| CN106289516A (en) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 烽火通信科技股份有限公司 | The control method of a kind of optical module received optical power detection and device thereof |
| WO2019225480A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | Optical detector and method for controlling same |
| CN116191381A (en) * | 2023-02-02 | 2023-05-30 | 武汉莱创德技术有限公司 | System and method for protecting APD corresponding to transient high light |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP33858394A patent/JP3314568B2/en not_active Expired - Fee Related
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| CN106289516B (en) * | 2016-08-29 | 2018-11-30 | 烽火通信科技股份有限公司 | A kind of control method and its device of the detection of optical module received optical power |
| WO2019225480A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | Optical detector and method for controlling same |
| JP2019203736A (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社デンソー | Photodetector and control method therefor |
| CN116191381A (en) * | 2023-02-02 | 2023-05-30 | 武汉莱创德技术有限公司 | System and method for protecting APD corresponding to transient high light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3314568B2 (en) | 2002-08-12 |
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